Нелинейные кристаллы GaSe, ZnGeP2 и изоморфные структуры: ростовые процессы, свойства, генерация ИК- и терагерцового излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Саркисов Сергей Юрьевич

• Саркисов Сергей Юрьевич
• доктор наук
• 2025

Оглавление диссертации доктор наук Саркисов Сергей Юрьевич

Введение

1 Синтез, кристаллизация и послеростовая обработка структур А3В6 и А2В4С|

1.1 Выращивание легированных и нелегированных кристаллов GaS, GaSe, GaTe

и

1.2 Выращивание кристаллических слитков GaSe диаметром более 5 см

1.3 Изготовление образцов нелинейно-оптических элементов и кристаллов GaSe с оптическими поверхностями, ориентированными не по нормали к оптической оси

1.4 Временная динамика окисления поверхности (001) кристалла GaSe

1.5 Легирование кристаллов GaSe примесью хрома

1.6 Снижение потерь на отражение в нелинейно-оптических элементах на основе кристаллов GaSe, предназначенных для генерации ИК- и терагерцового излучений

1.7 Нанесение нанослоев GaS, GaSe, GaTe и на подложки SiO2/Si

1.8 Синтез и кристаллизация соединения CdSiP2

1.9 Термодинамический анализ условий роста кристаллов ZnGeP2:Mn посредством газотранспортных реакций в закрытой системе

1.10 Выводы по разделу

2 Оптические, рекомбинационные и транспортные свойства кристаллов GaSe и ZnGeP2, модифицированных путем легирования и радиационного облучения

2.1 Влияние легирования 1п, А1, S, Те и Сг на свойства кристаллов GaSe

2.2 Облучение высокоэнергетическими электронами легированных и нелегированных кристаллов GaSe

2.2.1 Электрофизические параметры облученных электронами кристаллов GaSe, GaSe:In и GaSe:Cг

2.2.2 Оптическое поглощение в облученных электронами кристаллах GaSe, GaSe:Cг, GaSe:In и GaSe:S

2.3 Динамика релаксации неравновесных носителей заряда в кристаллах GaSe и ZnGeP2

2.4 Фотопроводимость кристаллов GaSe и ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот

2.5 Выводы по разделу

3 Структурные и электронные свойства кристаллов А3В6 в основном состоянии и

под влиянием механических напряжений

3.1 Электронные спектры кристаллов £-GaSe, у-1^е, P-GaS и т^аТе в основном состоянии

3.2 Энергетическое положение уровня зарядовой нейтральности в кристаллах £-GaSe, у-1^е, P-GaS и т^аТе

3.3 Сравнение результатов расчетов с ван-дер-ваальсовыми обменно-корреляционными функционалами

3.4 Влияние механических напряжений на структурные и электронные свойства кристаллов GaSe

3.5 Спектральные зависимости оптических констант кристаллов и GaSe

3.6 Устойчивый тип проводимости соединений GaSe, 1^е, GaS и GaTe и энергетические диаграммы контактов металл - полупроводник и гетеропереходов с их участием

3.7 Выводы по разделу

4 Электронные и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе кристаллов GaSe и некоторых соединений А1В3С| и А2В4С| , содержащих переходные металлы четвертого периода

4.1 Теоретические методы и входные параметры

4.2 Разбавленные магнитные полупроводники на основе халькопиритов с атомами переходного металла в катионных позициях: полуметаллические свойства и электронные состояния, индуцированные дефектами

4.2.1 Упрощенная модель для определения величины локализованных магнитных моментов

4.2.2 Различные атомы переходных металлов в одной кристаллической матрице

4.2.3 Переходный металл одного типа в различных кристаллических матрицах

4.3 Совместное легирование переходными металлами в халькопиритах: полуметаллический ферримагнетизм

4.4 Разбавленные магнитные полупроводники на основе кристалла 8-GaSe с переходными металлами Сг, Мп и Fe в катионных позициях

4.5 Выводы по разделу

5 Процессы генерации и детектирования пико- и субпикосекундных импульсов ИК- и терагерцового излучений в кристаллах GaSe, ZnGeP2 и AgGaSe2

5.1 Методы и подходы

5.2 Генерация при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов и когерентное детектирование терагерцовых импульсов в кристаллах GaSe с модифицированными свойствами

5.2.1 Генерация в нелегированных кристаллах GaSe и твердых растворах GaSe1_xSx и GaSe1_xTex

5.2.2 Сужение спектров генерации и детектирования в кристаллах GaSe и ^еь^

5.2.3 Влияние просветляющих покрытий

5.3 Генерация субпикосекундных импульсов ИК-излучения посредством генерации разностной частоты двух сигнальных волн фемтосекундного оптического параметрического осциллятора в кристаллах GaSe и AgGaSe2

для применения в ближнепольном ИК-микроскопе

5.3.1 Результаты численного моделирования

5.3.2 Параметры источника ИК-импульсов на основе кристаллов GaSe и AgGaSe2

5.3.3 Применение источника ИК-импульсов для получения изображений с использованием сканирующего ближнепольного микроскопа

5.4 Генерация интенсивных субпикосекундных импульсов ИК- и терагерцового излучений в кристаллах GaSe с оптической апертурой большой площади

5.5 Генерация терагерцового излучения в кристаллах ZnGeP2 при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов на длине волны 780 нм

5.6 Выводы по разделу

Заключение

Список сокращений

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Нелинейные кристаллы GaSe, ZnGeP2 и изоморфные структуры: ростовые процессы, свойства, генерация ИК- и терагерцового излучений»

Введение

Актуальность темы исследования. Полупроводниковые кристаллы со структурой халькопирита, относящиеся к классам А1 В3С| и А2В4С|, а также гексагональные слоистые соединения А3В6, с одной стороны, являются давно известными, и их основные свойства изучены [1-10]. С другой стороны, развитие нелинейной оптики, полупроводниковой технологии и микроэлектроники предъявляет новые требования к свойствам данных структур, открываются новые области их применения. Примером может служить «терагерцовый бум» в оптике и лазерной физике, берущий начало от создания метода импульсной терагерцовой спектроскопии во временной области [11], который привел к новому всплеску интереса к соединениям А3 В6, в частности, к селениду галлия [12]. Это повлекло за собой необходимость исследования диэлектрических свойств данного кристалла в терагерцовом диапазоне частот, ранее хорошо изученных в ИК-диапазоне. Также это потребовало развития технологии получения тонких, толщиной от нескольких единиц до нескольких десятков микрон, оптических элементов из селенида галлия, в том числе с большой площадью рабочей апертуры; изучения свойств легированных кристаллов. Еще одним примером является направление, связанное с исследованием 2Б-материалов, возникшее вслед за открытием уникальных свойств графена [13]. Слоистые соединения А3В6 с толщиной одного структурного слоя, как правило включающего четыре атомных плоскости, порядка нескольких ангстрем также попали в число исследуемых соединений [14, 15]. В настоящее время число ежегодно публикуемых работ, посвященных наноразмерным структурам А3 В6, значительно превышает число публикаций по их объемным аналогам. Также можно упомянуть направление, связанное с магнитными полупроводниками. Интерес к спинтронике [16] породил ряд новых исследований халькопиритов, содержащих магнитные примеси [17]; до этого они рассматривались практически только как нелинейные кристаллы для ИК-диапазона. Таким образом, проблемы развития технологии получения структур на основе известных соединений А3В6, А1 В3С| и А2 В4 С|, оптимизации и модифицирования их свойств остаются актуальными.

В настоящем исследовании отдельные расчетные или экспериментальные результаты, касающиеся технологии получения, применений в нелинейной оптике, диэлектрических, магнитных или электрофизических свойств, получены для следующих

соединений: СиА^2, AgGaS2 и AgGaSe2 (класс А1 В3 С6?), ZnGeP2, CdGeAs2 и CdSiP2 (класс А2В4С|) и GaSe, InSe, GaS, GaTe (класс А3В6). Наибольшее внимание было сосредоточено на кристаллах GaSe и, в несколько меньшей степени, на кристаллах ZnGeP2.

Объемные кристаллы GaS, GaSe, InSe и GaTe представляют практический интерес в фотовольтаике, нелинейной оптике и электронике. Наибольшее применение нашли кристаллы GaSe. Они используются для генерации монохроматического и широкополосного ИК- [18, 19] и терагерцового излучения [12, 20], для создания источников ИК-излучения для ближнепольных систем ИК-наноскопии [21, 22], фотоприемников и детекторов ионизирующего излучения [23].

По совокупности свойств GaSe, несомненно, находится в числе наиболее перспективных нелинейно-оптических материалов ИК-диапазона [8]. С другой стороны, из-за их слоистой структуры, низкой твердости и склонности к микрорасслоению невозможно получить пластины кристаллов GaSe с оптическими поверхностями, ориентированными под острыми углами к оптической оси [10, 24]. Функциональность оптических элементов из этого материала также ограничена низкой механической твердостью [10, 24, 25] и окисляемостью его поверхностей [26, 27]. Высокий коэффициент отражения для излучения ближнего ИК-диапазона и ограниченная применимость стандартных методов и материалов для изготовления просветляющих покрытий также снижают эффективность применений кристаллов GaSe. Устранение этих недостатков позволило бы значительно улучшить эксплуатационные характеристики оптических элементов из кристаллов GaSe.

Слоистая структура GaSe приводит к возможности внедрения (интеркаляции) ряда химических элементов, что можно использовать для модифицирования механических, оптических и электрофизических свойств как нанослоев, так и объемных кристаллов [9, 10, 24, 28]. Известно, что для модифицирования электрических, оптических и рекомбинационных свойств полупроводников возможно использовать их бомбардировку частицами высоких энергий (электронами, протонами, нейтронами, у-квантами и др.) [4, 29-31]. Влияние радиационного облучения на свойства соединений А3В6 исследовано мало. В этой связи представляется актуальным исследование свойств модифицированных путем облучения высокоэнергетическими электронами кристаллов GaSe - наиболее типичного представителя класса соединений А3В6.

К настоящему времени установлено, что фоточувствительность и нелинейная восприимчивость второго порядка нанослоев А3В6 существенно выше, чем у соответствующих объемных кристаллов. Они перспективны для применений в гибкой электронике, газовых сенсорах и фотодетекторах [15, 32]. Актуально исследование свойств в зависимости от толщины, химического состава, внешних воздействий, а также поиск способов получения нанослойных чешуек А3В6 на полупроводниковых подложках с малым разбросом толщины и хорошей однородностью покрытия.

На поглощение терагерцового излучения в полупроводниках сильное влияние могут оказывать свободные носители заряда и оптически активные фононные моды. Сообщалось об улучшении оптической прозрачности нелинейного кристалла ZnGeP2 в ближнем ИК- [30] и терагерцовом [33] диапазонах частот после электронного облучения. Таким образом, исследование влияния электронного облучения на поглощение оптического и терагерцового излучений в кристаллах GaSe и ZnGeP2 представляет как научный, так и практический интерес.

Известно, что объемный GaSe имеет устойчивую проводимость ^-типа с

3 9

удельным сопротивлением от 10 до 10 Омсм [8-10, 34]. В очень немногих работах, как правило выполненных несколько десятилетий назад, сообщалось о получении [35]. Кроме того, полупроводники группы А3В6 привлекают внимание как материалы для проверки модели Шоттки (модели «плоских зон»), поскольку для квазидвумерной структуры А3В6 на свободной ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) предполагается отсутствие оборванных химических связей. С этим связывают отсутствие поверхностного заряда и соответственно эффекта закрепления уровня Ферми на внешней поверхности (0001) слоистого полупроводника. Анализ указанных явлений требует знания энергетического положения уровня зарядовой нейтральности (УЗН) в полупроводниках А3В6, что делает актуальным его расчет.

Кристаллические материалы часто подвергаются воздействию неоднородных механических напряжений. Так, различные напряжения растяжения или сжатия возникают вдоль полупроводниковых слоев в составе рассогласованных гетероструктур, вследствие наличия дефектов решетки, в том числе радиационных и т.д. Искусственно вызванные деформации кристаллов под действием приложенного давления можно рассматривать как одно из средств модифицирования их характеристик. Это делает актуальным исследование свойств селенида галлия как под действием

гидростатического давления, так и при одноосных и двухосных напряжениях сжатия и растяжения.

Получение источников высокоинтенсивных терагерцовых импульсов фемто- и пикосекундной длительности создает важный инструментарий для исследований фундаментальных аспектов взаимодействия сред с электромагнитным излучением. Кристаллы GaSe являются наиболее эффективным материалом для генерации высокоинтенсивных (пиковые напряженности полей до 100 МВ/см и выше) ИК- и терагерцовых импульсов [36]. Для получения еще более высоких пиковых напряженностей электрических полей импульсов когерентного излучения требуются крупные кристаллы (для изготовления оптических элементов с большой рабочей апертурой) с высоким структурным совершенством, что делает актуальным развитие технологии получения кристаллов GaSe диаметром более 5 см. Также актуален поиск условий эффективного применения кристаллов А3В6 в системах импульсной терагерцовой спектроскопии: наиболее эффективных типов взаимодействия для генерации терагерцовых импульсов при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов как с широким, так и с узким спектром, а также для нелинейно-оптического детектирования, которое в эксперименте часто наиболее эффективно проходит при нормальном падении на оптическую поверхность (001); адекватных моделей для расчета условий синхронизма и амплитудно-временных спектров генерируемого излучения. Безусловный интерес представляет разработка новых схем для генерации частотных гребенок и оптических параметрических усилителей с высокой частотой повторения импульсов [18, 37] на основе как кристаллов GaSe, так и кристаллов со структурой халькопирита: ZnGeP2, AgGaSe2, CdSiP2. Актуальной является оптимизация нелинейно-оптических элементов для получения высокоинтенсивных импульсов ИК- и терагерцового излучения, где, главным образом, имеют значение повышение лучевой прочности, площади рабочей апертуры (как уже было отмечено) при сохранении качества оптической поверхности и ее плоскостности, снижение потерь на отражение за счет создания просветляющих покрытий, оптимизированных, в том числе, для наклонного падения.

Известно, что метод «накачка-зонд» (ОРТР) является мощным инструментом для исследования динамики сверхбыстрых процессов в полупроводниках [38]. Он имеет высокое временное разрешение и не требует наличия электрических контактов. С

другой стороны, для получения измеримых сигналов необходим высокий уровень фотовозбуждения. Кроме того, обычно используется возбуждение фотонами с энергией больше ширины запрещенной зоны, что делает фотовозбужденную область тонкой и, как следствие, может вызвать доминирующий вклад в изучаемые процессы поверхностных состояний полупроводника. Таким образом, для изучения объемных свойств кристалла перспективным является возбуждение фотонами с энергией меньше ширины запрещенной зоны (двух- или трехфотонное поглощение) [39]. При этом ранее такой подход не применялся для исследования времени жизни носителей заряда в кристаллах GaSe или высокочастотной фотопроводимости в кристаллах ZnGeP2. Таким образом, представлялось актуальным проведение таких исследований в рамках настоящей работы.

Кристаллы ZnGeP2 со структурой халькопирита выращиваются и применяются в нелинейной оптике уже 50 лет [1-5, 40]. Основное применение кристаллов ZnGeP2 -генерация когерентного излучения среднего ИК-диапазона. Генерация и детектирование терагерцового излучения - еще одно потенциальное применение кристаллов ZnGeP2, однако в настоящее время эти кристаллы практически не используются в терагерцовом диапазоне частот, например, в установках импульсной терагерцовой спектроскопии во временной области. Кроме того, имеются некоторые противоречия в опубликованных данных для спектральных зависимостей показателей преломления кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот. В частности, в работе [33] обнаружено, что в терагерцовом диапазоне частот положительное двулучепреломление ZnGeP2 в ИК-диапазоне сменяется отрицательным. В большинстве случаев для генерации терагерцового излучения с использованием лазерных импульсов на длинах волн в районе 800 нм кристаллы ZnGeP2 явно проигрывают по эффективности аналогам, например, кристаллам GaSe. Возможным преимуществом использования кристаллов ZnGeP2 может стать возможность резки под углы синхронизма, их более высокая механическая твердость и доступность просветляющих покрытий. Вышесказанное обусловливает актуальность проведенного в рамках настоящей работы исследования свойств и применения кристаллов ZnGeP2 для генерации терагерцового излучения путем оптического выпрямления фемтосекундных лазерных импульсов с центральной длиной волны 780 нм, типичной для наиболее широко распространенных титан-сапфировых фемтосекундных лазеров.

Кристаллы CdSiP2 обладают перспективными нелинейно-оптическими свойствами для создания преобразователей частоты лазерного излучения в пределах ИК-диапазона [41]. Зарубежными исследователями ведется активная работа по совершенствованию ростовой технологии получения кристаллов CdSiP2 [42]. Вместе с тем в настоящее время в России кристаллы CdSiP2, пригодные для использования в нелинейно-оптических экспериментах и устройствах, не выращиваются. Это определило интерес к исследованию возможностей получения таких кристаллов в настоящей работе.

С момента открытия ферромагнетизма, сохраняющегося до относительно высоких температур (~ 170 ^ в разбавленном магнитном полупроводнике (РМП), а именно, GaAs, легированном Мп, легирование полупроводников переходными металлами (ПМ) привлекает большой интерес [43, 44]. В частности, значительное внимание было уделено тройным полупроводникам со структурой халькопирита, т.е. тройным аналогам бинарных соединений со структурой цинковой обманки, легированным магнитными примесями, из-за их предполагаемого ферромагнетизма, сохраняющегося до комнатной температуры [45]. Принимая во внимание привлекательные нелинейно-оптические и фотоэлектрические свойства нелегированных халькопиритов, можно предположить их применения в оптоэлектронике или магнитооптике, основанные на управлении магнитными состояниями светом.

Ввиду потенциально важных технологических применений представляют интерес электронные свойства разбавленных магнитных халькопиритов, то есть халькопиритов, легированных переходными металлами. Класс А2В4С| представляет собой тройной аналог полупроводников класса A3B5, а класс А1 В3С6 является тройным аналогом полупроводников класса A2B6. Тройные соединения предлагают большие возможности для достижения различных электронных и магнитных свойств благодаря большому числу позиций, в которые можно поместить ПМ: фактически атом ПМ может замещать узлы атомов 2-ой и 4-ой групп в первом классе халькопиритов и узлы атомов 1-ой и 3-ей групп во втором классе халькопиритов. В этом отношении разные ПМ с их различным числом ^-электронов могут иметь разные валентные состояния при помещении в один и тот же узел кристалла. С другой стороны, различные катионные узлы, существующие в двух классах халькопиритов и имеющие соответствующие степени окисления, могут придавать различные электронные свойства одной и той же примеси ПМ. Указанные свойства халькопиритов предполагают возможность их использования в качестве

исходной матрицы для достижения «полуметаллического антиферромагнетизма», особого случая ферримагнетизма с компенсированным магнитным моментом и стопроцентной спиновой поляризацией на уровне Ферми. Эта концепция была первоначально предложена в [46] и проверена для случая РМП путем моделирования из первых принципов в работе [47]. Полуметаллические ферримагнетики важны с технологической точки зрения: поскольку в этих материалах отсутствуют поля рассеяния и они слабо подвержены влиянию внешних магнитных полей, они могут использоваться в качестве датчиков при измерении спиновой поляризации с помощью сканирующей туннельной микроскопии с разрешением по спину, так как не влияют на магнитные домены. В рамках настоящей работы в качестве объекта исследования спин-поляризованных электронных свойств были выбраны РМП на основе следующих халькопиритов: ZnGeP2, CdGeAs2, AgGaS2 - по причине подтвержденных нелинейных свойств [2, 48] и доступности базовой технологии их получения [2, 3], а также СиА^2 -по причине перспективных люминесцентных свойств [49] и наибольшей ширины запрещенной зоны среди известных халькопиритов.

В основном ранее выполненные исследования РМП были направлены на алмазоподобные полупроводники, т.е. элементарные полупроводники четвертой группы Ge) [50], их двойные (А2В6 и А3В5 полупроводники со структурой цинковой обманки) [51, 52] и тройные (А1 В3С6 и А2В4С|) [17] аналоги, легированные переходными металлами четвертого периода. Для многих из них была предсказана электронная структура полуметалла и достигнуто достаточно глубокое понимание электронных и магнитных свойств (закономерности изменения величины локализованных магнитных моментов при переходе от одной структуры к другой, магнитное упорядочение, обменные механизмы, значения температур Кюри). В связи с перспективными оптическими свойствами, существенным отличием кристаллической решетки от решеток ранее изученных алмазоподобных полупроводников и отсутствием расчетов электронной структуры с разрешением по спинам представлялось актуальным также исследование РМП на основе кристалла GaSe.

Степень разработанности темы исследования. На момент начала выполнения настоящей работы было известно о результатах работ [24, 53], в которых впервые исследовали легирование кристаллов GaSe непосредственно с целью увеличения механической твердости. Было установлено, что при легировании 1п кристаллы

селенида галлия приобретают большую твердость и при этом нелинейная восприимчивость возрастает до 75 пм/В [24]. В более ранних работах [9] были определены основные электрофизические и оптические свойства твердых растворов GaSe1-xSx, GaSe1-xTex, в частности влияние легирования на фононные спектры в области длин волн от 14 до 25 мкм. В работах, предваривших настоящее исследование, были установлены концентрационные зависимости микротвердости, электрофизических и оптических свойств твердых растворов Ga1-xInxSe, GaSe1-xSx, GaSe1-xTex и Ga1-xAlxSe [10].

Применения кристаллов GaSe для генерации ИК-излучения посредством генерации разностных частот (ГРЧ) [54], а также терагерцового излучения путем оптического выпрямления фемтосекундных лазерных импульсов [55], коллинеарной [20] и неколлинеарной [36] ГРЧ исследовались ранее. Было известно, что эти кристаллы эффективны в качестве электрооптических детекторов в схемах импульсной терагерцовой спектроскопии во временной области (THz-TDS) [56]. Для вышеупомянутых приложений GaSe имеет преимущество по сравнению с абсолютным большинством других нелинейных кристаллов в случаях, когда требуется получить сверхширокополосное ИК- и терагерцовое излучение или широкий диапазон перестройки генерируемых частот монохроматического излучения [54-57]. В более поздних исследованиях было продемонстрировано, что кристаллы GaSe перспективны для генерации оптических гребенок в среднем ИК-диапазоне частот [18] и для получения оптических параметрических усилителей с высокой частотой следования импульсов [37]. Вопрос применения твердых растворов на основе селенида галлия на момент начала выполнения работы был мало изучен как в ИК-, так и в терагерцовом диапазонах частот. Таким образом, впервые полученные в работах [10, 58] результаты по генерации и электрооптическому детектированию терагерцового излучения в ряде составов твердых растворов GaSe1-xSx и GaSe1-xTex были развиты в рамках настоящего исследования.

Способы резки кристаллов GaSe и получения оптических поверхностей, ориентированных под значительными углами к плоскостям слоев, технологии нанесения просветляющих и защитных покрытий для таких поверхностей отсутствовали. Ранее впервые были получены образцы GaSe с оптическими поверхностями, ориентированными перпендикулярно плоскостям слоев, и проведены непосредственные

измерения при нормальном падении дисперсионной зависимости показателя преломления необыкновенной волны пе в терагерцовом диапазоне частот [10]. В последние годы, после опубликования основных результатов работы по применениям кристаллов GaSe с просветляющими покрытиями [22, 59], появились примеры создания просветляющих покрытий с применением субволновых структур, формируемых на поверхности кристалла GaSe с помощью фотолитографии [60].

Метод «накачка-зонд» с возбуждением излучением оптического диапазона с энергией фотона как выше, так и ниже ширины запрещенной зоны и зондированием терагерцовым излучением (ОРТР) был ранее применен для исследования высокочастотной проводимости нелегированного GaSe в работе [39]. Были получены значения подвижности носителей заряда 49 и 118 см/В с соответственно. При этом данный метод ранее не применялся для исследования времени жизни носителей заряда в кристаллах GaSe.

Свойства кристаллов GaSe, облученных высокоэнергетическими частицами, были мало изучены. В работах [61-63] изучались облученные нейтронами кристаллы GaS и - другие представители полупроводников группы А3В6. Были обнаружены «ступени» поглощения на спектрах облученных кристаллов GaS, сходные с обнаруженными в настоящем исследовании для кристаллов GaSe, облученных высокоэнергетическими электронами. Их наличие было объяснено присутствием электронных состояний, связанных с дефектами Френкеля VGa-Gai [61].

В процессе выполнения исследования, примерно с 2014 года, стало быстро расти количество работ, направленных на изучение квазидвумерных (2Б) материалов с новыми свойствами, причем характерной особенностью являлось наличие у них слоистого объемного аналога [64]. Это стимулировало проведение отдельных исследований, направленных на поиск путей получения нанослоев соединений GaS, GaTe, и GaSe в рамках настоящей работы. При этом ранее нанослои GaS, GaTe, и GaSe были получены с помощью механического отслоения [65], лазерной абляции [66], методами PVD и CVD [15, 64, 67-70]. Была показана возможность структурированного роста нанослоев GaSe на подложках с предварительно протравленными участками, а также продемонстрированы образцы, нанесенные на прозрачные и гибкие подложки [14, 15].

Кристаллы GaSe обладают более простой технологией получения в сравнении с тройными соединениями со структурой халькопирита из-за сравнительно невысокой температуры плавления, отсутствия в составе таких легколетучих и токсичных элементов, как мышьяк или фосфор. В этой связи о получении кристаллов GaSe разного качества докладывало сравнительное большое число групп исследователей [7, 24, 7178]. Тем не менее вопросы получения крупных монокристаллов, диаметром более 5 см, оставались нерешенными.

Первые полуэмпирические расчеты электронной структуры соединений группы А3В6 были выполнены в предположении их квазидвумерного характера, т.е. без учета межслоевого взаимодействия [79, 80]. В более поздних работах [81-83] электронные свойства объемного GaSe были рассчитаны в рамках теории функционала электронной плотности, в том числе с использованием полнопотенциального подхода [81]. Результаты расчета зонных энергий хорошо согласуются с экспериментальными данными фотоэмиссионной спектроскопии [84]. Однако расчеты структурных параметров в рамках теории функционала электронной плотности (ТФП) с использованием обобщенного градиентного приближения (GGA) приводят к значительно более высоким, относительно экспериментальных, значениям межслоевого расстояния и параметра решетки с в слоистых кристаллах А3В6. Причина этого расхождения напрямую связана с неспособностью стандартной формы GGA-функционалов описать взаимодействия Ван-дер-Ваальса в слоистых структурах. В ходе выполнения настоящей работы появилось несколько методов учета дисперсионных взаимодействий в рамках теории функционала электронной плотности [85].

На момент начала выполнения части работы, посвященной расчетам свойств структур А3В6 в рамках теории функционала электронной плотности, были известны исследования структурных [10], электронных [10, 86, 87], транспортных и оптических свойств [88, 89] кристаллов GaSe под действием гидростатического давления. В частности, в отношении структурных свойств было предсказано, что при гидростатическом давлении свыше ~ 25 ГПа происходит трансформация кристаллической решетки GaSe в структуру типа №С1 с металлическим типом проводимости [86, 87]. По сравнению с гидростатическим давлением, анизотропные механические напряжения сопровождаются деформациями разного знака и способны изменять свойства кристалла более избирательно, что можно использовать на практике.

Например, в [90] показана возможность существенного повышения КПД фотодиодов на основе гетеропереходов n-InSe-p-GaSe за счет улучшения качества оптического контакта InSe-GaSe при сжатии вдоль направления, перпендикулярного плоскости границы раздела структуры InSe/GaSe. Экспериментальные исследования поведения кристаллов GaSe под действием неоднородной нагрузки проводились лишь в нескольких работах и являлись недостаточно полными. Результаты измерений спектров поглощения и люминесценции под действием сравнительно небольших сжимающих одноосных (вдоль оси с) и растягивающих (в плоскости слоев) механических напряжений представлены в обзоре [88]. В работе [91] были изучены низкочастотные спектры диэлектрический проницаемости GaSe при сжатии кристалла вдоль гексагональной оси с давлением до 2,4105 Па. Исследования влияния двухосных напряжений растяжения и сжатия на электронные спектры и структурные параметры 8-GaSe были впервые проведены в работе [10] и развиты в рамках выполнения настоящего исследования.

Уровень зарядовой нейтральности (СКЬ, УЗН) - один из важных параметров полупроводников, который определяет электронные свойства дефектного материала (как в объеме, так и на поверхности), энергетические диаграммы интерфейсов металл/полупроводник и полупроводник/полупроводник. При этом для соединений А3В6 до настоящего исследования положения УЗН не были известны. Исключение составляет кристалл GaSe, для которого энергетическое положение УЗН было получено в [10] при использовании электронных спектров, рассчитанных в рамках ЬБА-ТФП приближения,

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Саркисов Сергей Юрьевич, 2025 год

Список литературы

2 4 5

1. Полупроводники A B C2 / А. С. Борщевский [и др]. - М. : Сов. радио, 1974. -

376 с.

2. Воеводин В. Г. Элементы оптической электроники на основе соединений A2B4 C5 получение, свойства и применение: дис. ... д-ра физ.-мат. наук / В. Г. Воеводин.

- Томск, 2003. - 395 с.

3. Воеводина О. В. Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона: дис. ... д-ра физ.-мат. наук. -Томск, 2002. - 341 с.

4. Брудный В. Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава: дис. ... д-ра физ.-мат. наук / В. Н. Брудный. - Томск, 1993. - 383 с.

5. Boyd G. D. Linear and nonlinear optical properties of ZnGeP2 and CdSe / G. D. Boyd, E. Buehler, F. G. Storz // Applied Physics Letters. - 1971. - Vol. 18, № 7. -P. 301-304.

6. Татаринова Л. И. Электронографическое исследование кристаллической структуры GaSe / Л. И. Татаринова, Ю. К. Аулейтнер, З. Г. Пинскер // Кристаллография.

- 1956. - Т. 1, № 5. - С. 537-541.

7. GaSe - новый эффективный материал для нелинейной оптики / Г. Б. Абдуллаев [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 1972. - Т. 16, № 3. - С. 130-133.

8. Fernelius N. C. Properties of gallium selenide single crystal // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - 1994. - Vol. 28, № 4. - P. 275-353.

9. Gouskov A. Growth and characterization of III-V layered crystals like GaSe, GaTe, InSe, GaSei-xTex and GaxIni-xSe / A. Gouskov, J. Camassel, L. Gouskov // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - 1982. - Vol. 5. - P. 323-413.

10. Саркисов С. Ю. Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона: дис. ... канд. физ.-мат. наук / С. Ю. Саркисов. - Томск, 2010. - 118 с.

11. Far-infrared time-domain spectroscopy with terahertz beams of dielectrics and semiconductors / D. Grischkowsky [et. al.] // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. - 1990. - Vol. 7, № 10. - P. 2006-2015.

12. Shi W. Tunable coherent microwave radiation by mixing two optical frequencies in a 47-mm-long GaSe crystal / W. Shi, Y. J. Ding // International Journal of High Speed Electronics and Systems. - 2006. - Vol. 16, № 2. - P. 589-595.

13. A roadmap for grapheme / K. Novoselov [et. al.] // Nature. - 2012. - Vol. 490, № 7419. - P. 192-200.

14. Synthesis of few-layer GaSe nanosheets for high performance photodetectors / P.-A. Hu [et. al.] // ACS Nano. - 2012. - Vol. 6, № 7. - P. 5988-5994.

15. Synthesis and emerging properties of 2D layered III-VI metal chalcogenides / H. Cai [et. al.] // Applied Physics Reviews. - 2019. - Vol. 6, № 4. - P. 041312. - 30 p.

16. Данилов Ю. А. Основы спинтроники : учеб. пособие / Ю. А. Данилов,

E. С. Демидов, А. А. Ежевский. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2009. - 173 с.

17. Zhao Y.-J. Electronic structure and ferromagnetism of Mn-substituted CuAlS2, CuGaS2, CuInS2, CuGaSe2, and CuGaTe2 / Y.-J. Zhao, A. Zunger / Physical Review B. - 2004. - Vol. 69, № 10. - P. 104422. - 8 p.

18. Keilmann F. Mid-infrared frequency comb spanning an octave based on an Er fiber laser and difference-frequency generation / F. Keilmann, S. Amarie / Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. - 2012. - Vol. 33, № 5. - P. 479-484.

19. Milliwatt-level mid-infrared (10.5-16.5 ^m) difference frequency generation with a femtosecond dual-signal-wavelength optical parametric oscillator / R. Hegenbarth [et. al.] // Optics Letters. - 2012. - Vol. 37, № 17. - P. 3513-3515.

20. Single-cycle multiterahertz transients with peak fields above 10 MV/cm /

F. Junginger [et. al.] // Optics Letters. - 2010. - Vol. 35, № 15. - P. 2645-2647.

21. Amarie S. Broadband-infrared assessment of phonon resonance in scattering-type near-field microscopy / S. Amarie, F. Keilmann // Physical Review B. - 2011. - Vol. 83, № 4. - P. 045404. - 9 p.

22. High-power femtosecond mid-IR sources for s-SNOM applications / R. Hegenbarth [et. al.] // Journal of Optics. - 2014. - Vol. 16, № 9. - P. 094003. - 7 p.

23. Yamazaki T. Characteristics of impurity-doped GaSe radiation detectors / T. Yamazaki, H. Nakatani, N. Ikeda // Japanese Journal of Applied Physics. - 1993. - Vol. 32, № 4R. - P. 1857-1858.

24. Far-infrared conversion materials: gallium selenide for far-infrared conversion applications / N. B. Singh [et. al.] // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - 1998. - Vol. 37. - P. 47-102.

25. Large single crystals of Gallium Selenide: growing, doping by in and characterization / V. G. Voevodin [et. al.] // Optical Materials. - 2004. - Vol. 26. - P. 495499.

26. Собственный окисел, возникающий на поверхности скола селенида галлия в результате длительного хранения / С. И. Драпак [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, № 4. - С. 423-430.

27. Formation of native oxide crystallites on GaSe(001) surface / S. A. Bereznaya [et. al.] // Infrared Physics and Technology. - 2016. - Vol. 76. - P. 126-130.

28. Structure-property relationship of low-dimensional layered GaSexTe1-x alloys / J. J. Fonseca [et. al.] // Chemistry of Materials. - 2018. - Vol. 30, № 13. - P. 4226-4232.

29. Козлов В. А. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и a-частицами. Обзор / В. А. Козлов, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35, № 7. - С. 769-794.

30. The electrical and optical properties of 2.0 MeV electron-irradiated ZnGeP2 / V. N. Brudnyi [et. al.] // Physica Status Solidi. - 1978. - Vol. 50, № 2. - P. 379-384.

31. Герасименко Н. Н. Радиационные дефекты при облучении полупроводников тяжелыми частицами / Н. Н. Герасименко, А. В. Двуреченский, Л. С. Смирнов // Физические процессы в облученных полупроводниках: кн. под ред. Л. С. Смирнова. -Новосибирск: Наука, 1977. - С. 150 - 185.

32. Highly sensitive, selective, stable, and flexible NO2 sensor based on GaSe / Y.-F. Zhao [et. al.] // Advanced Materials Technologies. - 2020. - Vol. 5, № 4. - P. 1901085. - 8 p.

33. Gribenyukov A. I. Influence of the preparation conditions on optical properties of single crystals ZnGeP2 in THz range / A. I. Gribenyukov, V. I. Voevodin // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Vol. 1115, № 5. - P. 052030. - 5 p.

34. Micocci G. Deep level spectroscopy in p-GaSe single crystals / G. Micocci, P. Siciliano, A. Tepore // Journal of Applied Physics. - 1990. - Vol. 67, № 10. - P. 65816582.

35. Micocci G. Impurity levels in Sn-doped GaSe semiconductor / G. Micocci, A. Serra, A. Tepore // Physica Status Solidi (a). - 1997. - Vol. 162, № 2. - P. 649-659.

36. Sell A. Phase-locked generation and field-resolved detection of widely tunable terahertz pulses with amplitudes exceeding 100 MV/cm / A. Sell, A. Leitenstorfer, R. Huber // Optics Letters. - 2008. - Vol. 33, № 23. - P. 2767-2769.

37. High-power, high-repetition-rate tunable longwave mid-IR sources based on DFG in the OPA regime / Y. Liu [et. al.] // Optics Letters. - 2023. - Vol. 48, № 4. - P. 1052-1055.

38. Jepsen P. U. Terahertz spectroscopy and imaging - Modern techniques and applications / P. U. Jepsen, D. G. Cooke, M. Koch // Laser and Photonics Reviews. - 2011. -Vol. 5, № 1. - P. 124-166.

39. Wahlstrand J. K. Contactless THz-based bulk semiconductor mobility measurements using two-photon excitation / J. K. Wahlstrand, E. J. Heilweil // Optics Express. - 2018. - Vol. 26, № 23. - P. 29848-29853.

40. Высокоэффективная пикосекундная параметрическая суперлюминесценция в кристалле ZnGeP2 в диапазоне 5-6,3 мкм / К. Л. Водопьянов // Квантовая электроника. -1987. - Т. 14, № 9. - P. 1851-1819.

41. Noncritical singly resonant optical parametric oscillator operation near 6.2 ^m based on a CdSiP2 crystal pumped at 1064 nm / V. Petrov [et. al.] // Optics Letters. - 2009. - Vol. 34, № 16. - P. 2399-2401.

42. Growth and characterization of large CdSiP2 single crystals / K. T. Zawilski [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2010. - Vol. 312, № 8. - P. 1127-1132.

43. Zener model description of ferromagnetism in zinc-blende magnetic semiconductors / T. Dietl [et. al.] // Science. - 2000. - Vol. 287, № 5455. - P. 1019-1022.

44. MacDonald A. H. Ferromagnetic semiconductors: moving beyond (Ga,Mn)As / A. H. MacDonald, P. Schiffer, N. Samarth // Nature Materials. - 2005. - Vol. 4, № 3. -P. 195-202.

45. Room temperature ferromagnetism in novel diluted magnetic semiconductor Cdi-xMnxGeP2 / G. A. Medvedkin [et. al.] // Japanese Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 39, № 10A. - P. L949-L951.

46. Van Leuken H. Half-metallic antiferromagnets / H. Van Leuken, R. de Groot // Physical Review Letters. - 1995. - Vol. 74. - P. 1171. - 3 p.

47. Akai H. Half-metallic diluted antiferromagnetic semiconductors / H. Akai, M. Ogura // Physical Review Letters. - 2006. - Vol. 97, № 2. - P. 026401. - 4 p.

48. Schunemann P. G. Nonlinear frequency conversion performance of AgGaSe2, ZnGeP2, and CdGeAs2 / P. G. Schunemann, K. L. Schepler, P. A. Budni // MRS Bulletin. -1998. - Vol. 23, № 7. - P. 45-49.

49. Photoluminescence studies in CuAlS2 crystals / S. Shirakata [et. al.] // Japanese Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 31, № 8A. - P. L1071-L1074.

50. Itaya S. Novel IV-group based diluted magnetic semiconductor: CrxGei-x / S. Itaya, Y. Yamamoto, H. Hori // Journal of Superconductivity. - 2005. - Vol. 18, № 1. - P. 83-85.

51. Mahadevan P. First-principles investigation of the assumptions underlying model-Hamiltonian approaches to ferromagnetism of 3d impurities in III-V semiconductors / P. Mahadevan, A. Zunger // Physical Review B. - 2004. - Vol. 69, № 11. - P. 115211. - 16 p.

52. Sato K. Ab initio study on the magnetism in ZnO-, ZnS-, ZnSe- and ZnTe-based diluted magnetic semiconductors / K. Sato, H. Katayama-Yoshida // Physica Status Solidi (b). - 2002. - Vol. 229, № 2. - P. 673-680.

53. Bridgman growth of GaSe crystals for nonlinear optical applications / N. B. Singh [et. al.] // Materials Science and Engineering B. - 1997. - Vol. 49, № 3. - P. 243-246.

54. Finsterbusch K. Tunable, narrow-band picosecond radiation in the mid-infrared by difference frequency mixing in GaSe and CdSe / K. Finsterbusch, A. Bayer, H. Zacharias // Applied Physics B. - 2004. - Vol. 79, № 4. - P. 457-462.

55. Generation and field-resolved detection of femtosecond electromagnetic pulses tunable up to 41 THz / R. Huber [et. al.] // Applied Physics Letters. - 2000. - Vol. 76, № 22. -P. 3191-3193.

56. Liu K. GaSe crystals for broadband terahertz wave detection / K. Liu, J. Xu, X.-C. Zhang // Applied Physics Letters. - 2004. - Vol. 85, № 6. - P. 863-865.

57. Sub-cycle control of terahertz high-harmonic generation by dynamical Bloch oscillations / O. Schubert [et. al.] // Nature Photonics. - 2014. - Vol. 8, № 2. - P. 119-123.

58. GaSe1-xSx and GaSe1-xTex solid solutions for terahertz generation and detection / M. M. Nazarov [et. al.] // IRMMW-THz 2009 - 34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. - Busan, 2009. - DOI 10.1109/ICIMW.2009.5324596. -2 p.

59. GaSe crystals with antireflection coatings for terahertz generation / R. A. Redkin [et. al.] // Materials Research Express. - 2019. - Vol. 6, № 12. - P. 126201. - 7 p.

60. Ultrabroadband suppression of mid-infrared reflection losses of a layered

semiconductor by nanopatteming with a focused ion beam / M. Hagner [et. al.] // Optics Express. - 2021. - Vol. 29, № 21. - P. 33632-33641.

61. Manjon F. J. Neutron irradiation defects in gallium sulfide: Optical absorption measurements / F. J. Manjon, A. Segura, V. Munoz // Journal of Applied Physics. - 1997. -Vol. 81, № 10. - P. 6651-6656.

62. Thermal recovery of the lattice damage in neutron-transmutation-doped InSe / R. Pareja [et. al.] // Physical Review B. - 1993. - Vol. 47, № 5. - P. 2870-2873.

63. Mari B. Electrical properties of neutron-transmutation-doped InSe / B. Mari, A. Segura, A. Chevy // Applied Surface Science. - 1991. - Vol. 50, № 1-4. - P. 415-419.

64. Synthesis, properties and applications of 2D non-graphene materials / F. Wang [et. al.] // Nanotechnology. - 2015. - Vol. 26, № 29. - P. 292001. - 26 p.

65. Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layered materials / J. N. Coleman [et. al.] // Science. - 2011. - Vol. 331, № 6017. - P. 568-571.

66. Pulsed laser deposition of photoresponsive two-dimensional GaSe nanosheet networks / M. Mahjouri-Samani [et. al.] // Advanced Functional Materials. - 2014. - Vol. 24, № 40. - P. 6365-6371.

67. Controlled growth of large-sized and phase-selectivity two-dimensional GaTe crystals / M. Liu [et. al.] // Small. - 2021. - Vol. 17, № 21. - P. 2007909. - 10 p.

68. Synthesis of large-area InSe monolayers by chemical vapor deposition / H.-C. Chang [et. al.] // Small. - 2018. - Vol. 14, № 39. - P. 1802351. - 9 p.

69. Large-area growth and stability of monolayer gallium monochalcogenides for optoelectronic devices / T. Afaneh [et. al.] // ACS Applied Nano Materials. - 2020. - Vol. 3, № 8. - P. 7879-7887.

70. Synthesis and photoresponse of large GaSe atomic layers / S. Lei [et. al.] // Nano Letters. - 2013. - Vol. 13, № 6. - P. 2777-2781.

71. Выращивание и микроструктура слоистых монокристаллов (GaSe, InSe, GeAs, GeAs2) / А. Ю. Завражнов [и др.] // Получение, свойства, анализ и применение соединений с молекулярной кристаллической решеткой для новой техники: тезисы докладов всесоюз. конф. Нижний Новгород, 1 - 30 сентября 1991 г. - Нижний Новгород, 1991. - С. 30.

72. Defects in GaSe grown by Bridgman method / K. Kokh [et. al.] // Journal of Microscopy. - 2014. - Vol. 256, № 3. - P. 208-212.

73. Growth and quality of gallium selenide (GaSe) crystals / Y. Ni [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2013. - Vol. 381. - P. 10-14.

74. Liquid phase growth of bulk GaSe crystal implemented with the temperature difference method under controlled vapor pressure / T. Onai [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2013. - Vol. 380. - P. 18-22.

75. Abdullah M. M. Growth and characterization of GaSe single crystal / M. M. Abdullah, G. Bhagavannarayana, M. A. Wahab // Journal of Crystal Growth. - 2010. -Vol. 312, № 9. - P. 1534-1537.

76. Laser induced damage threshold of GaSe with antireflection microstructures at a wavelength of 5 ^m / P. Kharitonova [et. al.] // Optics Express. - 2024. - Vol. 32, № 5. -P. 7710-7719.

77. Ферромагнетизм слоистых полупроводников GaSe, интеркалированных кобальтом / З. Д. Ковалюк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, № 8. - C. 995-998.

78. Effective nonlinear GaSe crystal. Optical properties and applications / K. R. Allakhverdiev [et. al.] // Laser Physics. - 2009. - Vol. 19, № 5. - P. 1092-1104.

79. Bassani F. Band structure and optical properties of graphite and of the layer compounds GaS and GaSe / F. Bassani, G. P. Parravicini // Il Nuovo Cimento B. Series 10. -1967. - Vol. 50, № 1. - P. 95-128.

80. Kamimura H. Band structures and optical properties of semiconducting layer compounds GaS and GaSe / H. Kamimura, K. Nakao // Journal of the Physical Society of Japan. - 1968. - Vol. 24, № 6. - P. 1313-1325.

81. Zhang D.-W. First-principles calculation of static equation of state and elastic constants for GaSe / D.-W. Zhang, F.-T. Jin, J.-M. Yuan // Chinese Physics Letters. - 2006. -Vol. 23, № 7. - P. 1876-1879.

82. Electronic structure of substitutional defects and vacancies in GaSe / Zs. Rak [et. al.] // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2009. - Vol. 70, № 2. - P. 344-355.

83. Doping dependence of electronic and mechanical properties of GaSe1-xTex and Ga1-xInxSe from first principles / Zs. Rak [et. al.] // Physical Review B. - 2010. - Vol. 82, № 15. - P. 115203. - 10 p.

84. Electronic band structure of GaSe(0001): Angle-resolved photoemission and ab initio theory / L. Plucinski [et. al.] // Physical Review B. - 2003. - Vol. 68, № 12. - P. 125304. - 8 p.

85. Klimes J. Perspective: Advances and challenges in treating van der Waals dispersion forces in density functional theory / J. Klimes, A. Michaelides // Journal of Chemical Physics. - 2012. - Vol. 137, № 12. - P. 120901. - 12 p.

86. High-pressure x-ray-absorption study of GaSe / J. Pellicer-Porres [et. al.] // Physical Review B. - 2002. - Vol. 65, № 17. - P. 174103. - 7 p.

87. Effect of pressure on the structural properties and electronic band structure of GaSe / U. Schwarz [et. al.] // Physica Status Solidi (b). - 2007. - Vol. 244, № 1. - 244-255.

88. Беленький Г. Л. Деформационные явления в слоистых кристаллах / Г. Л. Беленький, Э. Ю. Салаев, Р. А. Сулейманов // Успехи физических наук. - 1988. -Т. 155, № 5. - C. 89-127.

89. Optical properties of gallium selenide under high pressure / M. Gauthier [et. al.] // Physical Review B. - 1989. - Vol. 40, № 6. - P. 3837-3854.

90. Драпак С. И. Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe-n-InSe / С. И. Драпак, М. О. Воробец, З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, № 5. - C. 633-635.

91. Stakhira J. M. Effect of uniaxial stress on low-frequency dispersion of dielectric constant in high-resistivity GaSe crystals / J. M. Stakhira, O. Ye. Fl'unt, Ya. M. Fiyala // Ukrainian Journal of Physics. - 2011. - Vol. 56, № 3. - P. 267 - 271.

92. First-principles study of the electronic structure of y-InSe and ß-InSe / P. Gomes da Costa [et. al.] // Physical Review B. - 1993. - Vol. 48, № 19. - P. 14135-14141.

93. Amimer K. Stress relaxation at forming GaSe-Si(111) interfaces / K. Amimer, M. Eddrief, C. A. Sebenne // Journal of Crystal Growth. - 2000. - Vol. 217, № 4. - P. 371377.

94. Chegwidden S. Molecular beam epitaxy and interface reactions of layered GaSe growth on sapphire (0001) / S. Chegwidden, Z. Dai // Journal of Vacuum Science and Technology A. - 1998. - Vol. 16, № 4. - P. 2376-2380.

95. Kitaeva G. Kh. Terahertz generation by means of optical lasers // Laser Physics Letters. - 2008. - Vol. 5, № 8. - P. 559-576.

96. The use of combination of nonlinear optical materials to control THz pulse generation and detection / M. M. Nazarov [et. al.] // Applied Physics Letters. - 2008. -Vol. 92, № 2. - P. 021114. - 3 p.

97. Voevodin V. G. Nonstoichiometry and point defects in nonlinear optical crystals A2B4/ V. G. Voevodin, S. N. Grinyaev, O. V. Voevodina // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2003. - Vol. 6, № 5-6. - P. 385-388.

98. Voevodin V. G. Deep levels of antisite defects clusters in ZnGeP2 / V. G. Voevodin, S. N. Grinyaev // Materials Research Society Symposium Proceedings. - 2002. - Vol. 677. -P. AA4.6.1-AA4.6.6.

99. Growth of crack-free ZnGeP2 large single crystals for high-power mid-infrared OPO applications / Z. Lei [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2014. - Vol. 389. - P. 23-29.

100. Atomic structures and carrier dynamics of defects in a ZnGeP2 crystal / X. Pan [et. al.] // Chinese Optics Letters. - 2023. - Vol. 21, № 4. - P. 041604. - 9 p.

101. Carrier transport and electron-lattice interactions of nonlinear optical crystals CdGeP2, ZnGeP2, and CdSiP2 / R. Sooriyagoda // Journal of the Optical Society of America B. - 2021. - Vol. 38, № 3. - P. 769-775.

102. Механизмы формирования потерь в нелинейно-оптических кристаллах ZnGeP2 в терагерцевой области частот / С. В. Чучупал [и др.] // Физика твердого тела. -2014. - Т. 56, № 7. - P. 1338-1334.

103. Efficient tunable terahertz generation via noncollinear phase matching in the ZnGeP2 crystal / F. Li [et. al.] // Journal of the Optical Society of America B. - 2020. -Vol. 37, № 12. - P. 3857-3864.

104. Terahertz generation by optical rectification in chalcopyrite crystals ZnGeP2, CdGeP2 and CdSiP2 / H. P. Piyathilaka [et. al.] // Optics Express. - 2019. - Vol. 27, № 12. -P.16958-16965.

105. Chalcopyrite and chalcogenide crystals for terahertz radiation generation and detection / B. N. Carnio [et. al.] // Proceedings of SPIE. - 2021. - Vol. 11670. - P. 116700P. -6 p.

106. Synthesis of high-quality CdSiP2 polycrystalline materials directly from the constituent elements / L. Fan [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2012. - Vol. 338, № 1. -P. 228-231.

107. Growth of CdSiP2 single crystals by self-seeding vertical Bridgman method / G. Zhang [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2012. - Vol. 340. - P. 197-201.

108. Buehler E. Concerning growth of single crystal of the II-IV-V diamond-like compounds ZnSiP2, CdSiP2, ZnGeP2, and CdSnP2 and standard enthalpies of formation for ZnSiP2 and CdSiP2 / E. Buehler, J. H. Wernick // Journal of Crystal Growth. - 1971. - Vol. 8, № 4. - P. 324-332.

109. Zhao Y. J. Site preference for Mn substitution in spintronic CuMn11^1 chalcopyrite semiconductors / Y. J. Zhao, A. Zunger // Physical Review B. - 2004.

- Vol. 69, № 7. - P. 075208. - 7 p.

110. Kamatani T. The magnetic properties in transition metal-doped chalcopyrite semiconductors / T. Kamatani, H. Akai // Materials Science in Semiconductor Processing. -2003. - Vol. 6, № 5-6. - P. 389-391.

111. Mn-doped CuGaS2 chalcopyrites: An ab initio study of ferromagnetic semiconductors / S. Picozzi [et. al.] // Physical Review B. - 2002. - Vol. 66, № 20. -P. 205206. - 6 p.

112. Erwin S. Tailoring ferromagnetic chalcopyrites / S. Erwin, I. Zutic // Nature Materials. - 2004. - Vol. 3, № 6. - P. 410-414.

113. Zhao Y.-J. Possible impurity-induced ferromagnetism in II-Ge-V2 chalcopyrite semiconductors / Y.-J. Zhao [et. al.] // Physical Review B. - 2002. - Vol. 65, № 9. -P. 094415. - 6 p.

114. Picozzi S. Engineering ferromagnetism // Nature Materials. - 2004. - Vol. 3, № 6.

- P. 349-350.

115. Mahadevan P. Room-temperature ferromagnetism in Mn-doped semiconducting CdGeP2 / P. Mahadevan, A. Zunger // Physical Review Letters. - 2002. - Vol. 88, № 4. -P. 047205. - 4 p.

116. Magnetic measurements on the III-VI diluted magnetic semiconductor Ga1-xMnxSe / T. M. Pekarek [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1998. - Vol. 83, № 11. - P. 65576559.

117. Magnetic measurements on the layered III-VI diluted magnetic semiconductor Ga1-xFexSe / T. M. Pekarek [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 2001. -Vol. 89, № 11. - P. 7030-7032.

118. Calculation of the magnetization of the layered III-VI diluted magnetic

semiconductor GabxMnxS / C. Fuller [et. al.] // Physical Review B. - 2002. - Vol. 65, № 19. -P. 195211. - 7 p.

119. Thermal hysteresis in the magnetization of the layered III-VI diluted magnetic semiconductor In1-xMnxSe / T. M. Pekarek [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 2006. -Vol. 99, № 8. - P. 08D511. - 3 p.

120. Study of Fe deposition upon a layered compound: GaSe / M. Zerrouki [et. al.] // Applied Surface Science. - 2000. - Vol. 166, № 1. - P. 143-148.

121. Magnetic properties of Fe clustering in GaSe epilayers on GaAs(111)B / A. R. Moraes [et. al.] // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 2004. - Vol. 272276. - P. 1551-1553.

122. Growth of GaSe ultrathin films on Si(111) substrates analyzed by the x-ray standing-wave technique / A. Koëbel [et. al.] // Physical Review B. - 1997. - Vol. 59, № 19. -P.12296-12302.

123. Параметрическое преобразование ИК-излучения в кристалле GaSe / Г. Б. Абдуллаев [и др.] // Квантовая электроника. - 1975. - Т. 2, № 6. - С. 1228-1233.

124. Dmitriev V. G. Handbook of Nonlinear Optical Crystals / V. G. Dmitriev, G. G. Gurzadyan, D. N. Nikogosyan. - New-York; Berlin; Heidelberg : Springer Verlag, 1997. - 413 p.

125. ZnGeP2 synthesis and growth from melt / G. A. Verozubova [et. al.] // Materials Science and Engineering B. - 1997. - Vol. 48, № 3. - P. 191-197.

126. Magnetic properties of the layered III-VI diluted magnetic semiconductor Ga1-xFexTe / T. M. Pekarek [et. al.] // AIP Advances. - 2016. - Vol. 6, № 5. - P. 056222. -6 p.

127. Exploring the critical behavior of the anomalous spin-glass transition in GabxMnxS / T. M. Pekarek [et. al.] // AIP Advances. - 2024. - Vol. 14, № 2. - P. 025035. - 5 p.

128. First-principles study of amorphous Ga4Sb6Te3 phase-change alloys / A. Bouzid [et. al.] // Physical Review B. - 2015. - Vol. 91, № 18. - P. 184201. - 9 p.

129. Кособуцкий А.В. Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия / А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, № 9. - С. 1645-1649.

130. High-performance flexible photodetectors based on GaTe nanosheets / Z. Wang [et. al.] // Nanoscale. - 2015. - Vol. 7, № 16. - P. 7252-7258.

131. Theoretical studies of defect states in GaTe / Zs. Rak [et. al.] // Journal of Physics: Condensed Matter - 2009. - Vol. 21, № 1. - P. 015504. - 9 p.

132. Рустамов П. Г. Взаимодействие галлия с селеном / П. Г. Рустамов, Б. К. Бабаева, Н. П. Лужная // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1965. -Т. 1, № 6. - С. 843-844.

133. Terhell J. C. J. M. Structures and compounds in the system Ga1-xSex / J. C. J. M. Terhell, R. M. A. Lieth // Physica Status Solidi (a) - 1972. - Vol. 10. - P. 529-535.

134. Suzuki H. Phase study on binary system GaSe / H. Suzuki, R. Mori // Japanese Journal of Applied Physics. - 1974. - Vol. 13, № 3. - P. 417-423.

135. Фазовая диаграмма системы галлий-селен и спектры фотолюминесценции кристаллов GaSe / В. И. Штанов [и др.] // Докл. РАН. - 1998. - Т. 361, № 3. - C. 357-361.

136. Управление составом моноселенида галлия в пределах области гомогенности и диагностика нестехиометрии GaSe / А. Ю. Завражнов [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2007. - Т. 9, № 4. - С. 322-325.

137. Growth and habit of GaSe crystals obtained from vapour by various methods / V. L. Cardetta [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 1972. - Vol. 17. - P. 155-161.

138. Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe:Te / С. Ю. Саркисов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, № 4. - С. 21-26.

139. Growth, chromium distribution and electrical properties of GaSe:Cr single crystals / V. V. Atuchin [et. al.] // Materials Chemistry and Physics. - 2014. - Vol. 146, № 1-2. -P. 12-17.

140. Sarkisov S. Yu. Physical properties and frequency conversion with doped GaSe crystals // Proceedings of the 7th Russian-Chinese Symposium on Laser Physics and Laser Technologies. Tomsk, 20-24 December 2004. - Tomsk, 2004. - P. 160-161.

141. Lee H. Interface shape and thermally-driven convection in vertical Bridgman growth of gallium selenide: a semiconductor with anisotropic solid-phase thermal conductivity / H. Lee, A. J. Pearlstein // Journal of Heat Transfer. - 2001. - Vol. 123, № 4. - P. 729-740.

142. Widely tunable and high power multi-THz transients from a sub-ps Yb:YAG thin-disk system and parametric amplification / C. Schoenfeld [et. al.] // Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2022). San Jose, USA, 15-20 May 2022. - San Jose, 2022. -P. STh4O.4.

143. Electronic properties and influence of doping on GaSe crystal nonlinear optical

parameters for the applications in terahertz range / M. M. Nazarov [et. al.] // Proceedings of SPIE. - 2010. - Vol. 7993. - P. 799326. - 10 p.

144. Порог оптического разрушения и возможность механической обработки нелинейных кристаллов GaSe0,71S0,29 / С. Ю. Саркисов [и др.] // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2010. - Т. 7, № 4. - С. 7-13.

145. Новиков В. А. Формирование нанокристаллов собственного оксида на поверхности GaSe, стимулированное лазерным облучением / В. А. Новиков, С. Ю. Саркисов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2016. - № 7. - С. 69-73.

146. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. - М. : Мир, 1969. -

64 с.

147. Photoluminescence of Mn-, Cr-doped and undoped e-GaSe / C. H. Chung [et. al.] // Journal of Luminescence. - 1988. - Vol. 40-41. - P. 405-406.

3+

148. Miscibility gap of Cr in e-GaSe single crystals / D.-T. Kim [et. al.] // Journal of the Korean Physical Society. - 1995. - Vol. 28, № 5. - P. 652-653.

149. Спектры пропускания и генерации терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S / С. А. Березная [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8. - С. 131-135.

150. Нелинейно-оптический элемент на основе монокристалла GaSe с просветляющим покрытием для генерации терагерцового излучения / Патент РФ на полезную модель № 184751, приоритет: 18.06.2018 / Саркисов С. Ю. [и др.].

151. Нелинейно-оптический элемент на основе монокристалла GaSe с двусторонним просветляющим покрытием для генерации терагерцового излучения / Патент РФ на полезную модель № 193143, приоритет: 14.06.2019 / Саркисов С. Ю. [и др.].

152. Self-consistent optical constants of SiO2 and Ta2O5 films / L. V. Rodríguez-de Marcos [et. al.] // Optical Materials Express. - 2016. - Vol. 6, № 11. - P. 3622-3637.

153. Optical properties and potential applications of e-GaSe at terahertz frequencies / C.-W. Chen [et. al.] // Journal of the Optical Society of America B. - 2009. - Vol. 26, № 9. -P. A58-A65.

154. Путилин Э. С. Оптические покрытия : учеб. пособие / Э. С. Путилин. - СПб. : СПбГУ ИТМО, 2010. - 227 с.

155. Широкополосная двумерная инфракрасная спектроскопия с регистрацией сигнала в видимой области спектра в процессе нелинейно-оптического преобразования частоты / Е. А. Степанов [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2023. - Т. 131, № 8. -

C. 1101-1111.

156. Широкополосная двумерная спектрохронография с использованием сверхкоротких импульсов среднего инфракрасного диапазона / Е. А. Степанов [и др.] // Квантовая электроника. - 2022. - Т. 52, № 3. - С. 227-232.

157. Abergel D. S. L. Visibility of graphene flakes on a dielectric substrate /

D. S. L. Abergel, A. Russell, V. I. Fal'ko // Applied Physics Letters. - 2007. - Vol. 91, № 6. -P. 063125. - 3 p.

158. Visibility of dichalcogenide nanolayers / M. M. Benameur [et. al.] // Nanotechnology. - 2011. - Vol. 22, № 12. - P. 125706. - 5 p.

159. The visibility and stability of GaSe nanoflakes of about 50 layers on SiO2/Si wafers / R. A. Redkin [et. al.] // International Journal of Modern Physics B. - 2021. - Vol. 35, № 27. - P. 2150273. - 14 p.

160. Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe / Р. А. Редькин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2020. - Т. 63, № 9 (753). -С. 50-54.

161. Отчет по второму этапу НИР Госзадание № FSWM-2020-0038, 2022, рег. № 222021600522-4.

162. Exploring the thickness-dependence of the properties of layered gallium sulfide / Y. Gutiérrez [et. al.] // Frontiers in Chemistry. - 2021. - Vol. 9. - P. 781467. - 8 p.

163. Lattice vibration of layered GaTe single crystals / T. Wang [et. al.] // Crystals. -2018. - Vol. 8. - P. 74. - 8 p.

164. Photoluminescence and Raman investigation of stability of InSe and GaSe thin films / O. Del Pozo-Zamudio [et. al.] // 2D Materials. - 2015. - Vol. 2. - P. 1-6.

165. Screw dislocation-driven growth of two-dimensional nanoplates / S. A. Morin [et. al.] // Nano Letters. - 2011. - Vol. 11. - P. 4449-4455.

166. Screw-dislocation-driven bidirectional spiral growth of Bi2Se3 nanoplates / A. Zhuang [et. al.] // Angewandte Chemie International Edition. - 2014. - Vol. 53. - P. 64256429.

167. Burton W. K. The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces

/ W. K. Burton, N. Cabrera, F. C. Frank // Philosophical Transactions of the Royal Society A. - 1951. - Vol. 243. - P. 299-358.

168. Growth of CdSiP2 single crystals by double-walled quartz ampoule technique / L. Fan [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2013. - Vol. 364. - P. 62-66.

169. Synthesis and characterization of polycrystalline CdSiP2 / S. A. Bereznaya [et. al.] // Materials Research Express. - 2018. - Vol. 5, № 5. - P. 056204. - 6 p.

170. Синтез поликристаллического CdSiP2 в градиентном температурном поле / С. А. Березная [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 1 (721). - С. 167-170.

171. Powder Diffraction File, release 2010, International Centre for Diffraction Data, Pennsylvania, USA.

172. Kraus W. POWDER CELL - A program for the representation and manipulation of crystal structure and calculation of the resulting X-ray powder pattern / W. Kraus, G. Nolze // Journal of Applied Crystallography. - 1996. - Vol. 29. - P. 301-303.

173. Abrahams S. C. Luminescent piezoelectric CdSiP2: normal probability plot analysis, crystal structure, and generalized structure of the A°BIV C^ family / S. C. Abrahams, J. L. Bernstein // Journal of Chemical Physics. - 1971. - Vol. 55. - P. 796-803.

174. Crystal growth and dislocation etch pits observation of chalcopyrite CdSiP2 / Z. He [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2018. - Vol. 481. - P. 29-34.

175. Growth and polarized Raman spectroscopy investigations of single crystal CdSiP2: experimental measurements and ab initio calculations / G. Zhang [et. al.] // Journal of Crystal Growth. - 2017. - Vol. 473. - P. 28-33.

176. Киреев В. А. Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций / В. А. Киреев. - М. : Химия, 1970. - 160 с.

177. Булах А. Г. Методы термодинамики в минералогии / А. Г. Булах. -Л. : Недра, 1974. - 184 с.

178. Cohesive energies and enthalpies: complexities, confusions, and corrections / L. Glasser [et al.] // Inorganic Chemistry. - 2016. - Vol. 55. - P. 7103-7110.

179. Термические константы веществ : справочник в 10 вып. / под научн. рук. В. П. Глушко. - Вып. 2-6. - М. : Изд. АН СССР, 1966-1972.

180. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ : справочник. -М. : Наука, 1979. - 340 с.

181. Термодинамические свойства индивидуальных веществ : справочн. изд. : в

4 т. / Л. В. Гурвич [и др.]. - М. : Наука, 1978-1982.

182. Воеводина О. В. Термодинамический анализ условий роста кристаллов Zni-xMnxGeP2 в системе ZnGeP2-Mn-ZnCl2-P / О. В. Воеводина, С. Ю. Саркисов // Фундаментальные прблемы современного материаловедения. - 2006. - Т. 3, № 3. -С. 53-56.

183. Large single crystals of gallium selenide: growing, doping by in and characterization / V. G. Voevodin [et. al.] // Abstract Book of 3-rd International Symposium on Laser and NLO Materials. Keystone, Colorado, July 20-24, 2003. - Keystone, 2003. -P. 162.

184. Влияние легирования алюминием на оптические и электрофизические свойства селенида галлия / В. Г. Воеводин [и др.] // Современные проблемы физики и высокие технологии: материалы междунар. конф., посв. 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ. Томск, 29 сентября - 4 октября 2003 г. - Томск, 2003. -С. 94-97.

185. Properties of gallium selenide doped with sulfur / V. G. Voevodin [et. al.] // Symposium B - Progress in Compound Semiconductor Materials IV - Electronic and Optoelectronic Applications. Boston, USA, 29 November - 3 December 2004. - Boston, 2005. - P. 375-382.

186. Саркисов С. Ю. Влияние легирования изовалентными примесями VI группы

5 и Tе на свойства монокристаллов GaSe / С. Ю. Саркисов, А. Н. Морозов // Известия вузов. Физика. - 2006. - № 3, Приложение. - С. 198-199.

187. Генерация второй гармоники при накачке кристаллов GaSe и GaSe0,71S0,29 излучением импульсного CO2-лазера на длине волны 10,6 мкм / С. А. Березная [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, № 9. - С. 65-70.

188. Damage threshold of modified GaSe crystals under irradiation of pulsed CO2 laser with inductive energy storage and SOS-diodes / A. E. Telminov [et. al.] // 10th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows: Proceedings. - Tomsk, 2010. - P. 322-323.

189. Single-pulse CO2 laser frequency doubler based on GaSe and GaSe07S0.3 single crystals / V. F. Tarasenko [et. al.] // Chinese Optics. - 2011. - Vol. 4, № 4. - P. 397-403.

190. Генерация второй гармоники излучения СО2-лазера в режиме самосинхронизации мод в кристаллах GaSe и GaSeS / Д. Е. Генин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8-3. - С. 82-83.

191. Сравнение условий синхронизма и эффективности генерации терагерцового излучения в кристаллах GaSe и GaSe0,71S0,29 / С. А. Березная [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9-2. - С. 31-33.

192. Генерация второй гармоники излучения СО2-лазера в режиме самосинхронизации мод в кристаллах GaSe и GaSeS / Д. Е. Генин // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 11. - С. 53-59.

193. GaS0.4Se0.6: relevant properties and potential for 1064 nm pumped mid-IR OPOs and OPGs operating above 5 цт / V. Petrov [et. al.] // Laser Physics. - 2011. - Vol. 21, № 4.

- P. 774-781.

194. GaSei-xSx and GaSei-xTex thick crystals for broadband terahertz pulses generation / M. M. Nazarov [et. al.] // Applied Physics Letters. - 2011. - Vol. 99, № 8. - P. 081105. -

3 p.

195. Oxidizing intercalation of layered structures / A. Y. Zavrazhnov [et. al.] // Materials Technology. - 2000. - Vol. 15, № 2. - P. 155-160.

196. Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. - М. : Наука, 1977. - 672 с.

197. Electrical properties of p-type GaSe / C. Manfredotti [et. al.] // Il Nuovo Cimento.

- 1977. - Vol. 39B, № 1. - P. 257-268.

198. Schmid P. Electron-lattice interaction in layered semiconductors // Il Nuovo Cimento. - 1974. - Vol. 21B, № 2. - P. 258-270.

199. Brudnyi V. N. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: charge neutrality level and interface barrier heights / V. N. Brudnyi, S. Y. Sarkisov, A. V. Kosobutsky // Semiconductor Science and Technology. - 2015. -Vol. 30, № 11. - P. 115019. - 9 p.

200. Брудный В. Н. Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, № 9. - C. 1194-1202.

201. Брудный В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике e-GaSe / В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов,

А. В. Кособуцкий // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, № 10. -С. 1351-1354.

202. Vodopyanov K. L. New dispersion relationships for GaSe in the 0.65-18 цт spectral region / K. L. Vodopyanov, L. A. Kulevskii // Optics Communications. - 1995. -Vol. 118. - P. 375-378.

203. Lattice vibrations of pure and doped GaSe / K. Allakhverdiev [et. al.] // Materials Research Bulletin. - 2006. - Vol. 41. - P. 751-763.

204. Орловский В. М. Электроразрядный С02-лазер с высокой пиковой мощностью излучения / В. М. Орловский, А. Н. Панченко, В. Ф. Тарасенко // Квантовая электроника. - 2010. - Т. 40, № 3. - С. 192-194.

205. Звелто О. Физика лазеров / О. Звелто. - М. : Мир, 1979. - 376 с.

206. Microanalytical characterization of inclusions in Cr-doped LEC GaAs / P. Wilde [et. al.] // Microchimica Acta. - 1997. - Vol. 125. - P. 251-256.

207. Optical properties of GaSe:Mn single crystals / S.-I. Lee [et. al.] // Solid State Communications. - 1986. - Vol. 60, № 5. - P. 453-456.

208. Особенности спектров нелинейного поглощения света в нестехиометрических и легированных Ni монокристаллах GaSe / А. Байдуллайева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40, № 4. - С. 397-399.

209. Das system Chrom-Selen / R. Blachnik [et. al.] // Journal of the Less Common Metals. - 1987. - Vol. 134. - P. 169-177.

210. Bornand J.-D. Le systeme binaire chrome-gallium / J.-D. Bornand, P. Feschotte // Journal of the Less Common Metals. - 1972. - Vol. 29. - P. 81-91.

211. Serizawa H. Polytypes and excitons in GaSei-xSx mixed crystals / H. Serizawa, Y. Sasaki, Y. Nishina // Journal of the Physical Society of Japan. - 1980. - Vol. 48, № 2. -P. 490-495.

212. Ho C. H. Crystal structure and electronic structure of GaSe1-xSx series layered solids / C. H. Ho, C. C. Wu, Z. H. Cheng // Journal of Crystal Growth. - 2005. - Vol. 279. -P. 321-328.

213. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи : в 2 т. / У. Харрисон. - М. : Мир, 1983. - Т. 1-2.

214. Михайлов М. М. Полосы поглощения собственных точечных дефектов облученного оксида цинка / М. М. Михайлов, В. В. Шарафутдинова // Известия ВУЗов.

Физика. - 1997. - Т. 40, № 9. - С. 924-929.

215. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электропроводность монокристаллов GaS и GaSe, облученных электронами / А. А. Исмаилов [и др.] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - Т. 86, № 6. - С. 48 -51.

216. Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12.5 МэВ / З. Д. Ковалюк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, № 11. - С. 1321 - 1326.

217. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe / С. Ю. Саркисов [и др.] // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2013. - Т. 10, № 2. - С. 214-220.

218. Brudnyi V. N. A model for Fermi-level pinning in semiconductors: radiation defects, interface boundaries / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, N. G. Kolin // Physica B: Condensed Matter. - 2004. - Vol. 348, № 1-4. - P. 213-225.

219. Брудный В. Н. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Л. С. Смирнов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, № 9. - С. 1031-1040.

220. Brown W. L. Transport and photoelectrical properties of gallium arsenide containing deep acceptors / W. L. Brown, J. S. Blakemore // Journal of Applied Physics. -1972. - Vol. 43, № 5. - P. 2242-2246.

221. Hayek M. Splitting and coupling of lattice modes in the layer compounds GaSe, GaS, and GaSexS1-x / M. Hayek, O. Brafman, R. M. A. Lieth // Physical Review B. - 1973. -Vol. 8, № 6. - P. 2772-2779.

222. The optical properties of 9 MeV electron irradiated GaSe crystals / R. A. Redkin [et. al.] // SIBCON 2015 - 2015 International Siberian Conference on Control and Communications. - Omsk, 2015. - P. 1-3 [doi: 10.1109/SIBCON.2015.7147212].

223. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors // Solid State Communications. - 1965. - Vol. 3, № 9. - P. 299-302.

224. Fleurov V. N. k.p perturbation theory for light absorption in semiconductors doped by 3d metals / V. N. Fleurov, K. A. Kikoin // Journal of Physics C: Solid State Physics. -1982. - Vol. 15, № 16. - P. 3523-3537.

225. Lucovsky G. Optical absorption associated with deep impurity centers in semiconductors // Bulletin of the American Physical Society. - 1966. - Vol. 11. - P. 206-208.

226. Инфракрасное поглощение в арсениде галлия, обусловленное глубокими уровнями дефектов / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов СССР. Физика. - 1974. -№ 10. - С. 118-121.

227. Optical absorption, photocarrier recombination dynamics and terahertz dielectric properties of electron-irradiated GaSe crystals / S. A. Bereznaya [et. al.] // Crystals. - 2023. -Vol. 13. - P. 1562. - 18 p.

228. Temperature-dependent optical absorption and DLTS study of as-grown and electron-irradiated GaSe crystals / R. A. Redkin [et. al.] // Crystals. - 2025. - Vol. 15, № 4. -P. 372. - 13 p.

229. GaSe: A layer compound with anomalous valence band anisotropy / G. Ottaviani [et. al.] // Solid State Communications. - 1974. - Vol. 14, № 10. - P. 933-936.

230. Intrinsic defects of GaSe / P. Deak [et. al.] // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2020. - Vol. 32, № 28. - P. 285503. - 5 p.

231. Barragan-Yani D. Native defects in monolayer GaS and GaSe: Electrical properties and thermodynamic stability / D. Barragan-Yani, J. M. Polfus, L. Wirtz // Physical Review Materials. - 2022. - Vol. 6, № 11. - P. 114002. - 13 p.

232. Acceptor levels in GaSe:In crystals investigated by deep-level transient spectroscopy and photoluminescence crystals / Y. Cui [et. al.] // Journal of Applied Physics. -2008. - Vol. 103, № 1. - P. 013710. - 4 p.

233. Одринский А. П. Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых кристаллов высокоомного GaSe // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, № 7. - С. 883-885.

234. Electrical relaxation and transport properties of ZnGeP2 and 4H-SiC crystals measured with terahertz spectroscopy / V. I. Voevodin [et. al.] // Photonics. - 2023. - Vol. 10, № 7. - P. 827. - 16 p.

235. Zotova I. B. Spectral measurements of two-photon absorption coefficients for CdSe and GaSe crystals / I. B. Zotova, Y. J. Ding // Applied Optics. - 2001. - Vol. 40, № 36. -P. 6654-6658.

236. Terahertz generation by optical rectification of 780 nm laser pulses in pure and Sc-doped ZnGeP2 crystals / V. I. Voevodin [et. al.] // Photonics. - 2022. - Vol. 9, № 11. - P. 863.

- 14 p.

237. Dubinkin R. S. Spectrum of two-photon absorption coefficients for ZnGeP2 / R. S. Dubinkin, X. Mu, Y. J. Ding // International Quantum Electronics Conference and Photonic Applications Systems Technologies. San Francisco, 17 May 2004. - San Francisco, 2004. - Paper IMD6.

238. Optical pump - THz probe study of HR GaAs:Cr and SI GaAs:EL2 structures with long charge carrier lifetimes / I. A. Kolesnikova [et. al.] // Photonics. - 2021. - Vol. 8, № 12. -P. 575. - 11 p.

239. Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии / И. И. Колесникова // Известия вузов. Физика. - 2020. - Т. 63, № 4 (748). - С. 16-21.

240. Ultrafast high-field carrier transport in GaAs measured by femtosecond pumpprobe terahertz spectroscopy / Y. Shi [et. al.] // Applied Physics Letters. - 2008. - Vol. 93, № 12. - P. 121115. - 3 p.

241. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках / Дж. Блекмор. - М. : Мир, 1964. - 392 с.

242. Staub F. Statistics of the Auger recombination of electrons and holes via defect levels in the band gap - Application to lead-halide perovskites / F. Staub, U. Rau, T. Kirchartz // ACS Omega. - 2018. - Vol. 3, № 7. - P. 8009-8016.

243. Shportko K. V. Dispersion of phonon surface polaritons in ZnGeP2: Anisotropy and temperature im-pacts / K. V. Shportko, A. Otto, E. F. Venger // Nanoscale Research Letters. - 2016. - Vol. 11. - P. 76. - 7 p.

244. Влияние облучения электронами монокристаллов ZnGeP2 на терагерцевые потери в широком интервале температур / С. В. Чучупал [и др.] // Физика твердого тела.

- 2015. - Т. 57, № 8. - С. 1467-1472.

245. Some electrical properties of high-resistance ZnGeP2 single crystals / V. S. Grigoreva [et. al.] // Physica Status Solidi (a). - 1973. - Vol. 17, № 1. - P. K69-K74.

246. Haegel N. M. Relaxation semiconductors in theory and practice // Applied Physics A. - 1991. - Vol. 53, № 1. - P. 1-7.

247. First principle investigation into hexagonal and cubic structures of gallium selenide / L. Ghalouci [et. al.] // Computational Materials Science. - 2013. - Vol. 67, № 12. - P. 7382.

248. Olguin D. Ab initio electronic band structure study of III-VI layered semiconductors / D. Olguin, A. Rubio-Ponce, A. Cantarero // European Physical Journal B. -2013. - Vol. 86, № 8. - P. 350. - 9 p.

249. Higher-accuracy van der Waals density functional / K. Lee [et. al.] // Physical Review B. - 2010. - Vol. 82. - P. 081101(R). - 14 p.

250. Cooper V. R. Van der Waals density functional: An appropriate exchange functional // Physical Review B. - 2010. - Vol. 81. - P. 161104(R). - 4 p.

251. Grimme S. Semiempirical GGA-type density functional constructed with a longrange dispersion correction // Journal of Computational Chemistry. - 2006. - Vol. 27. -P.1787-1799.

252. [Электронный ресурс] URL: http://www.quantum-espresso.org (дата обращения 01.02.2023).

253. Забиняко Г. И. Применение квазиньютоновских алгоритмов для решения больших задач // Вычислительные технологии. - 2017. - Т. 22, № 5. - C. 47-57.

254. Accurate Hellmann-Feynman forces from density functional calculations with augmented Gaussian basis sets / S. Pathak [et. al.] // Journal of Chemical Physics. - 2023. -Vol. 158, № 1. - P. 014104. - 13 p.

255. Kosobutsky A. V. Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress / A. V. Kosobutsky, S. Y. Sarkisov, V. N. Brudnyi // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2013. - Vol. 74, № 9. - P. 1240-1248.

256. Perdew J. P. Generalized gradient approximation made simple / J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Physical Review Letters. - 1996. - Vol. 77, № 18. - P. 3865-3868.

257. Inorganic structure types with revised space groups. I / K. Cenzual [et. al.] // Acta Crystallographica Section B. - 1991. - Vol. 47. - P. 433-439.

258. Kuhn A. Refinement of the 2H GaS p-type / A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier // Acta Crystallographica Section B. - 1976. - Vol. 32, № 3. - P. 983-984.

259. Rigoult J. Refinement of the 3R y-indium monoselenide structure type / J. Rigoult, A. Rimsky, A. Kuhn // Acta Crystallographica Section B. - 1980. - Vol. 36, № 4. - P. 916918.

260. Monotellurure de gallium, GaTe / P. M. Julien-Pouzol [et. al.] // Acta Crystallographica Section B. - 1979. - Vol. 35, № 12. - P. 2848-2851.

261. Aulich E. Indirect energy gap in GaSe and GaS / E. Aulich, J. L. Brebner, E. Mooser // Physica Status Solidi. - 1969. - Vol. 31. - P. 129-131.

262. Excitonic absorption edge of indium selenide / J. Camassel [et. al.] // Physical Review B. - 1978. - Vol. 17, № 12. - P. 4718-4725.

263. Near-edge-band optical properties of GaSexTe1-x mixed crystals / J. Camassel [et. al.] // Physical Review B. - 1979. - Vol. 19, № 2. - P. 1060-1068.

264. Ho C. H. Optical properties of the interband transitions of layered gallium sulfide / C. H. Ho, S. L. Lin // Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 100, № 8. - P. 083508. - 6 p.

265. Brudnyi V. N. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors / V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, V. E. Stepanov // Physica B: Condensed Matter. - 1995. - Vol. 212, № 4. - P. 429-435.

266. Tersoff J. Schottky barrier heights and the continuum of gap states // Physical Review Letters. - 1984. - Vol. 53, № 6. - P. 465-468.

267. Penn D. R. Wave-number-dependent dielectric function of semiconductors // Physical Review. - 1962. - Vol. 128, № 5. - P. 2093-2097.

268. Theoretical and experimental studies of the ZnSe/CulnSe heterojunction band offset / A. J. Nelson [et. al.] // Applied Physics Letters. - 1993. - Vol. 62, № 20. - P. 25572559.

269. Monkhorst H. J. Special points for Brillouin-zone integrations / H. J. Monkhorst, J. D. Pack // Physical Review B. - 1976. - Vol. 13, № 12. - P. 5188-5192.

270. Tasuyama C. Heteroepitaxy between layered semiconductors GaSe and InSe / C. Tasuyama, T. Tanbo, N. Nakayama // Applied Surface Science. - 1990. - Vol. 41-42. -P. 539-543.

271. An investigation of the electronic structure of GaSe and GaTe by photoelectron spectroscopy, using a synchrotron source, and electron energy loss spectroscopy / R. H. Williams [et. al.] // Physica Status Solidi (b). - 1976. - Vol. 73, № 1. - P. 307-316.

272. Williams R. H. Surface properties of the gallium monochalcogenides / R. H. Williams, A. J. McEvooy // Physica Status Solidi (a). - 1972. - Vol. 12, № 1. - P. 277286.

273. Surface electronic properties of GaSe-covered Si(111) upon UHV thermal desorption of the GaSe epitaxial layer / H. Reqqass [et. al.] // Applied Surface Science. - 1996. - Vol. 92. - P. 357-361.

274. Williams R. H. Electron emission studies from GaSe surface / R. H. Williams, A. J. McEvooy // Journal of Vacuum Science and Technology. - 1972. - Vol. 9, № 2. -P. 867-870.

275. Lide D. R. (ed.) CRC Handbook of chemistry and physics, 85th edition. - Boca Raton : CRC Press, 2004. - 2712 p.

276. Sarkisov S. Yu. Effect of van der Waals interactions on the structural and binding properties of GaSe / S.Yu. Sarkisov, A.V. Kosobutsky, S.D. Shandakov // Journal of Solid State Chemistry. - 2015. - Vol. 232. - P. 67-72.

277. Van der Waals density functional for general geometries / M. Dion [et. al.] // Physical Review Letters. - 2004. - Vol. 92, № 24. - P. 246401. - 4 p.

278. Hamada I. Van der Waals density functional made accurate // Physical Review B. - 2014. - Vol. 89, № 12. - P. 121103. - 5 p.

279. Terhell J. C. J. M. Preparation and crystallography of gallium sulfide-selenide solid solutions / J. C. J. M. Terhell, R. M. A. Lieth // Physica Status Solidi (a). - 1971. -Vol. 5, № 3. - P. 719-724.

280. Restoring the density-gradient expansion for exchange in solids and surfaces / J. P. Perdew [et. al.] // Physical Review Letters. - 2008. - Vol. 100, № 13. - P. 136406. - 4 p.

281. Hamada I. Pseudopotential approximation in van der Waals density functional calculations / I. Hamada, S. Yanagisawa // Physical Review B. - 2011. - Vol. 84, № 15. -P. 153104. - 4 p.

282. Transport measurements under pressure in III-IV layered semiconductors / A. Segura [et. al.] // Physica Status Solidi (b). - 2007. - Vol. 244, № 1. - P. 162-168.

283. Perdew J. P. Accurate and simple analytic representation of the electron-gas correlation energy / J. P. Perdew, Y. Wang // Physical Review B. - 1992. - Vol. 45, № 23. -P. 13244-13249.

284. Troullier N. Efficient pseudopotentials for plane-wave calculations / N. Troullier, J. L. Martins // Physical Review B. - 1991. - Vol. 43, № 3. - P. 1993-2006.

285. [Электронный ресурс] URL: http://www.abinit.org (дата обращения 01.02.2023).

286. Improved description of soft layered materials with van der Waals density functional theory / G. Graziano [et. al.] // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2012. -Vol. 24, № 42. - P. 424216. - 8 p.

287. Size-induced effects in gallium selenide electronic structure: The influence of interlayer interactions / D. V. Rybkovskiy [et. al.] // Physical Review B. - 2011. - Vol. 84, № 8. - P. 085314. - 7 p.

288. Van Setten M. J. The GW-method for quantum chemistry applications: Theory and implementation / M. J. Van Setten, F. Weigend, F. Evers // Journal of Chemical Theory and Computation. - 2012. - Vol. 9, № 1. - P. 232-246.

289. First-principles study of the elastic, electronic and optical properties of e-GaSe layered semiconductor / S.-R. Zhang [et. al.] // Physica B: Condensed Matter. -2014. -Vol. 436. - P. 188-192.

290. Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe / С. Ю. Саркисов [и др.] // Физика твердого тела. - 2015. - Т. 57, № 9. -С. 1693-1697.

291. [Электронный ресурс] URL: http://siesta-project.org (дата обращения 01.02.2023).

292. Above-bandgap ordinary optical properties of GaSe single crystal / S. G. Choi [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 2009. - Vol. 106, № 5. - P. 053517. - 4 p.

293. Effects of pressure and temperature on the dielectric constant of GaS, GaSe, and InSe: Role of the electronic contribution / D. Errandonea [et. al.] // Physical Review B. -1999. - Vol. 60, № 23. - P. 15866-15874.

294. Micocci G. Electrical properties of n-GaSe single crystals doped with chlorine / G. Micocci, A. Serra, A. Tepore // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82, № 5. -P. 2365-2369.

295. Dislocations in AIIIBIV crystals / A. Rizzo [et. al.] // Physica Status Solidi (a). -1988. - Vol. 105, № 1. - P. 101-112.

296. Van den Dries J. G. A. M. Schottky barrier on the layer compound gallium sulfide: PhD thesis / J. G. A. M. Van den Dries. - Eindhoven, 1976. - 87 p.

297. Characterization of gallium telluride crystals grown from graphite crucible / K. C. Mandal [et. al.] // Proceedings of SPIE. - 2010. - Vol. 7805. - P. 78050Q. - 10 p.

298. Electrical and photovoltaic properties of indium-tin-oxide/p-InSe/Au solar cells / J. Martinez-Pastor [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1987. - Vol. 62, № 4. - P. 14771483.

299. Schottky W. Abweichungen vom ohmschen gesetz in halbleitern // Physikalische Zeitschrift. - 1940. - Vol. 41. - P. 570-573.

300. Bardeen J. Surface states and rectification at a metal semi-conductor contact // Physical Review. -1947. - Vol. 71, № 10. - P. 717-727.

301. Robertson J. Band offsets of high K gate oxides on III-V semiconductors / J. Robertson, B. Falabretti // Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 100, № 1. - P. 014111. - 7 p.

302. Mönch W. Chemical trends of barrier heights in metal-semiconductor contacts: on the theory of the slope parameter // Applied Surface Science. - 1996. - Vol. 92. - P. 367-371.

303. Kurtin S. Direct interelectrode tunneling in GaSe / S. Kurtin, T. S. McGill, C. A. Mead // Physical Review B. - 1971. - Vol. 3, № 10. - P. 3368-3379.

304. Kurtin S. Surface barriers on layer semiconductors: GaS, GaSe, GaTe / S. Kurtin, C. A. Mead // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1969. - Vol. 30, № 8. - P. 20072009.

305. Кязым-заде А. Г. К исследованию барьера Шоттки на основе кристаллов селенида галлия / А. Г. Кязым-заде, А. О. Губиев, В. И. Тагиров // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Т. 15, № 1. - С. 173-175.

306. The contact characteristics of Al p-GaSe Schottky diode / W.-C. Hyang [et. al.] // Physica Status Solidi (C). - 2008. - Vol. 5, № 10. - P. 3405-3409.

307. Al Schottky contact on p-GaSe / W.-C. Hyang [et. al.] // Superlattices and Microstructures. - 2006. - Vol. 40, № 4-6. - P. 644-650.

308. Missing bond-charge repulsion in the extended Hubbard model: Effects in polyacetylene / W. Monch [et. al.] // Physical Review Letters. - 1987. - Vol. 58, № 18. -P.1899-1902.

309. Monch W. Valence band offsets and Schottky barrier heights of layered semiconductors explained by interface-induced gap states // Applied Physics Letters. - 1998. -Vol. 72, № 15. - P. 1899-1901.

310. Dielectric constants and infrared absorption of GaSe / P. С. Leung [et. al.] // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1966. - Vol. 27, № 5. - P. 849-855.

311. Metal-gallium selenide interfaces-observation of the true Schottky limit / G. J. Hughes [et. al.] // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1982. - Vol. 15, № 6. -P. L159-L164.

312. Haynes W. M. (ed.) CRC Handbook of chemistry and physics, 95th edition. -Hoboken : CRC Press, 2014. - 2666 p.

313. Hasegawa I. Electrical and optical characteristics of a Schottky barrier on a cleaved surface of the layered semiconductor InSe / I. Hasegawa, Y. Abe // Physica Status Solidi (a). -1982. - Vol. 70, № 2. - P. 615-621.

314. Photovoltaic effect in gold-indium selenide Schottky barriers / M. di Giulio [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1983. - Vol. 54, № 10. - P. 5839-5843.

315. Au/InSe Schottky barrier height determination / R. Mamy [et. al.] // Revue de Physique Appliquée. - 1990. - Vol. 25, № 10. - P. 947-950.

316. Metal/p-InSe:Mn Schottky barriers diodes / S. Duman [et. al.] // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2012. - Vol. 14, № 7-8. - P. 693-698.

317. Dependence of indium-tin-oxide work function on surface cleaning method as studied by ultraviolet and x-ray photoemission spectroscopies / K. Sugiyama [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 87, № 1. - P. 295-298.

318. Polarization-dependent infrared optical properties of GaS / V. Riede [et. al.] // Physica B+C. - 1980. - Vol. 100, № 3. - P. 355-363.

319. Segura A. Large increase of the low frequency dielectric constant of gallium sulfide under hydrostatic pressure / A. Segura, A. Chevy // Physical Review B. - 1994. -Vol. 49, № 7. - P. 4601-4604.

320. Adachi S. The handbook on optical constants of semiconductors: in tables and figures. - Singapore : World Scientific, 2012. - 632 p.

321. Anderson R. L. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions // Solid-State Electronics. - 1962. - Vol. 5, № 5. - P. 341-351.

322. Band lineup of lattice mismatched InSe/GaSe quantum well structures prepared by van der Waals epitaxy: Absence of interfacial dipoles / O. Lang [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 1996. - Vol. 80, № 7. - P. 3817-3821.

323. Мехтиев Н. М. Гетеропереходы p-GaSe-n-CdSnP2 / Н. М. Мехтиев, Ю. В. Рудь, Э. Ю. Салаев // Микроэлектроника. - 1985. - Т. 14, № 3. - С. 271-273.

324. Брудный В. Н. Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V2 // Физика и техника полупроводников. - 2009. -Т. 43, № 9. - С. 1187-1194.

325. Blügel S. Full-potential linearized augmented planewave method / S. Blügel, G. Bihlmayer // Computational Nanoscience: Do It Yourself! - Jülich, 2006. - Vol. 31. -P. 85-129.

326. [Электронный ресурс] URL: http://www.Aapw. de/MaX-7.0 (дата обращения 01.02.2023).

327. [Электронный ресурс] URL: http://www.vasp.at (дата обращения 01.02.2023).

328. Capelle K. A bird's-eye view of density-functional theory // Brazilian Journal of Physics. - 2006. - Vol. 36, № 4a. - P. 1318-1343.

329. Hohenberg P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn // Physical Review. - 1964. - Vol. 136, № 3B. - P. B864-B871.

330. Kohn W. Self-consistent equations including exchange and correlation effects / W. Kohn, L. J. Sham // Physical Review. - 1965. - Vol. 140, № 4A. - P. A1133-A1138.

331. Koelling D. D. A technique for relativistic spin-polarised calculations / D. D. Koelling, B. N. Harmon // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1977. - Vol. 10, № 16. - P. 3107-3114.

332. Басалаев Ю. М. Электронная структура тройных фосфидов MgSiP2, ZnSiP2, CdSiP2 / Ю. М. Басалаев, А. Б. Гордиенко, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика. -2005. - Т. 48, № 1. - С. 68-72.

333. Гордиенко А.Б. Электронная структура азидов тяжелых металлов / А. Б. Гордиенко, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика. - 2004. - Т. 47, № 10. -С. 84-88.

334. Басалаев Ю. М. Электронная структура кристаллов Be-IV-P2 с решеткой халькопирита / Ю. М. Басалаев, А. Б. Гордиенко // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, № 11. - С. 1799-1806.

335. Sarkisov S. Y. Transition-metal doping of semiconducting chalcopyrites: half-metallicity and magnetism / S. Y. Sarkisov, S. Picozzi // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2007. - Vol. 19, № 1. - P. 016210. - 13 p.

336. Shay L. J. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications / L. J. Shay, J. H. Wernick. - Oxford : Pergamon, 1975. - 244 p.

337. Lind M. D. Structural dependence of birefringence in the chalcopyrite structure. Refinement of the structural parameters of ZnGeP2 and ZnSiAs2 / M. D. Lind, R. W. Grant // Journal of Chemical Physics. - 1973. - Vol. 58, № 1. - P. 357-362.

338. Jaffe J. E. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors / J. E. Jaffe, A. Zunger // Physical Review B. - 1984. - Vol. 29, № 4. - P. 1882-1906.

339. Брудный В. Н. Разбавленные магнитные полупроводники на основе кристаллической матрицы GaSe с внедренными атомами хрома: полуметаллические электронные свойства и локализованные магнитные моменты / В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов // Известия ВУЗов. Физика. - 2025. - Т. 68, № 6. - С. 76-84.

340. Camara M. O. D. Electronic structure of the layer compounds GaSe and InSe in a tight-binding approach / M. O. D. Camara, A. Mauger, I. Devos // Physical Review B. - 2002. - Vol. 65, № 12. - P. 125206. - 12 p.

341. Dederichs P. H. Dilute magnetic semiconductors / P. H. Dederichs, K. Sato, H. Katayama-Yoshida // Phase Transitions. - 2005. - Vol. 78, № 9-11. - P. 851-867.

342. Zhao Y.-J. Practical rules for orbital-controlled ferromagnetism of 3d impurities in semiconductors / Y.-J. Zhao, P. Mahadevan, A. Zunger // Journal of Applied Physics. -Vol. 98, № 11. - P. 113901. - 6 p.

343. Anisimov V. I. First-principles calculations of the electronic structure and spectra of strongly correlated systems: the LDA+U method /V. I. Anisimov, F. Aryasetiawan, A. I. Lichtenstein // Journal of Physics: Condensed Matter. - 1997. - Vol. 9, № 4. - P. 767808.

344. Zunger A. Electronic structure of 3d transition-atom impurities in semiconductors // Solid State Physics. - 1986. - Vol. 39. - P. 275-464.

345. Exchange interactions in diluted magnetic semiconductors / K. Sato [et. al.] // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2004. - Vol. 16, № 48. - P. S5491-S5497.

346. Nakanishi A. Optimized bond orbital model for III-VI compounds / A. Nakanishi, T. Matsubara // Journal of the Physical Society of Japan. - 1982. - Vol. 51, № 10. - P. 32193227.

347. Сизмин Д. В. Нелинейная оптика : учебн.-метод. пособие / Д. В. Сизмин. -Саров : СарФТИ НИЯУ МИФИ, 2015. - 147 с.

348. Efficient, tunable, and coherent 0.18-5.27-THz source based on GaSe crystal / W. Shi [et. al.] // Optics Letters. - 2002. - Vol. 27, № 16. - P. 1454-1456.

349. Shi W. A monochromatic and high-power terahertz source tunable in the ranges of 2.7-38.4 and 58.2-3540 ^m for variety of potential applications / W. Shi, Y. J. Ding // Applied Physics Letters. - 2004. - Vol. 84, № 10. - P. 1635-1637.

350. Response to "Comment on 'GaSe1-xSx and GaSe1-xTex thick crystals for broadband terahertz pulses generation' " [Appl. Phys. Lett. 100, 136103 (2012)] / M. M. Nazarov [et. al.] // Applied Physics Letters. - 2012. - Vol. 100, № 13. - P. 136104. - 2 p.

351. Broadband and narrowband terahertz generation and detection in GaSe1-xSx crystals / S. A. Bereznaya [et. al.] // Journal of Optics. - 2017. - Vol. 19, № 11. - P. 115503. -7 p.

352. Cerullo G. Ultrafast optical parametric amplifiers / G. Cerullo, S. De Silvestri // Review of Scientific Instruments. - 2003. - Vol. 74, № 1. - P. 1-18.

353. Modelling of long-wave mid-infrared ultrashort pulse generation via difference frequency generation / X. Su [et. al.] // Optics Express. - 2024. - Vol. 32, № 16. - P. 2895328967.

354. Андрианов А. В. Генерация терагерцового излучения в полупроводниках (Обзор) // Физика твердого тела. - 2023. - Т. 65, № 10. - С. 1633-1671.

355. Березная С. А. Фотопроводящие дипольные антенны на основе полупроводников с высоким и низким временем жизни носителей заряда для генерации и детектирования импульсного и непрерывного терагерцового излучения / С. А. Березная, Д. А. Кобцев, С. Ю. Саркисов // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. - 2021. - Т. 4, № 4. - С. 308-321.

356. [Электронный ресурс] URL: http://www.photonics.com/Products/Tera-Lyzer_Analysis_Software_/pr48714 (дата обращения 01.02.2023).

357. Efficient terahertz generation in GaSe via eee-interaction type / M. M. Nazarov [et. al.] // IRMMW-THz 2011 - 36th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. - Houston, 2011. - P. 6104829. - 2 p.

358. Terahertz generation in GaSe071S029 and GaSe crystals via eee- and eoo-type optical rectification / M. M. Nazarov [et. al.] // IRMMW-THz 2012 - 37th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. - Wollongong, 2012. - P. 6380309. - 2 p.

359. Kubler C. Ultrabroadband terahertz pulses: generation and field-resolved detection / C. Kubler, R. Huber, A. Leitenstorfer // Semiconductor Science and Technology. - 2005. -Vol. 20, № 7. - P. S128-S133.

360. Broadband phase-matched difference frequency mixing of femtosecond pulses in GaSe: Experiment and theory / R. A. Kaindl [et. al.] // Applied Physics Letters. - 1999. -Vol. 75, № 8. - P. 1060-1062.

361. Hoff R. M. Raman scattering in GaSe / R. M. Hoff, J. C. Irwin, R. M. A. Lieth // Canadian Journal of Physics. - 1975. - Vol. 53, № 17. - P. 1606-1614.

362. Terahertz studies of the dielectric response and second-order phonons in a GaSe crystal / B. L. Yu [et. al.] // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 87, № 18. - P. 182104. -

3 p.

363. Two-color femtosecond optical parametric oscillator with 1.7 W output pumped by a 7.4 W Yb:KGW laser / R. Hegenbarth [et. al.] // Journal of the Optical Society of America B.

- 2011. - Vol. 28, № 5. - P. 1344-1352.

364. Smith A. V. Increased acceptance bandwidths in optical frequency conversion by use of multiple walk-off-compensating nonlinear crystals / A. V. Smith, D. J. Armstrong, W. J. Alford // Journal of the Optical Society of America B. - 1998. - Vol. 15, № 1. - P. 122141.

365. Harris S. E. Tunable optical parametric oscillators // Proceedings of the IEEE. -1969. - Vol. 57, № 12. - P. 2096-2113.

366. Singly resonant optical parametric oscillator based on adhesive-free-bonded periodically inverted KTiOPO4 plates: terahertz generation by mixing a pair of idler waves / P. Zhao [et. al.] // Optics Letters. - 2012. - Vol. 37, № 7. - P. 1283-1285.

367. Compact 1.64 THz source based on a dual-wavelength diode end-pumped Nd:YLF laser with a nearly semiconfocal cavity / A. A. Angeluts [et. al.] // Laser Physics Letters. -2014. - Vol. 11, № 1. - P. 015004. - 4 p.

368. Keilmann F. Near-field microscopy by elastic light scattering from a tip / F. Keilmann, R. Hillenbrand // Philosophical Transactions of the Royal Society of London. -2004. - Vol. A362, № 1817. - P. 787-805.

369. Scalable terahertz generation by large-area optical rectification at 80 TW laser power / D. Jang [et. al.] // Optics Letters. - 2019. - Vol. 44, № 22. - P. 5634-5637.

370. Generation of 1.5 ^J single-cycle terahertz pulses by optical rectification from a large aperture ZnTe crystal / F. Blanchard [et. al.] // Optics Express. - 2007. - Vol. 15, № 20.

- P. 13212-13220.

371. Observation of high-order harmonic generation in a bulk crystal / S. Ghimire [et. al.] // Nature Physics. - 2011. - Vol. 7, № 2. - P. 138-141.