Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Поляков, Вадим Витальевич

  • Поляков, Вадим Витальевич
  • кандидат технических науккандидат технических наук
  • 1995, Таганрог
  • Специальность ВАК РФ05.27.01
  • Количество страниц 135
Поляков, Вадим Витальевич. Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений: дис. кандидат технических наук: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах. Таганрог. 1995. 135 с.

Оглавление диссертации кандидат технических наук Поляков, Вадим Витальевич

ВВЕДЕНИЕ.

1.АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ИЗЛУЧЕНИЙ ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА ДЛЯ АКТИВАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМ. &

IЛ.Очистка поверхности полупроводниковых пластин ультрафиолетовым излучением.

1.2.Фотостимулированное УФ излучением осаждение диэлектрических слоев. ^

1.3.Отжиг радиационных дефектов и диффузия примеси под действием оптической активации. &&

1.4.Постановка задач диссертации.

2.ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ ПРИ ОЧИСТКЕ ПОВЕРХНОСТИ И ОСАВДЕНИИ ПЛЕНОК.

2.1.Фотовозбуздение и фотодиссоциация кислорода.

2.2.Исследование влияния очистки поверхности подложки УФ излучением на адгезию алюминиевой металлизации и фоторезиста. 4/

2.3.Фотовозбуждение и фотодиссоциация компонентов газовой смеси ТЭ0С/02.

2.4.Термодинамический анализ реакций.

2.5.Моделирование газофазной кинетики.So

2.6.Вывод ы.

3.ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ИК И УФ ОБРАБОТКИ ПРИ ОСАЖДЕНИИ.5?

3.1.Закономерности поглощения излучения поверхностью.

3.2.Адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности кремния.

3.3.Оценка эффективного потенциала адсорбции.

3.4.Механизм диссоциации ТЭОС в условиях излучения оптического диапазона.€

3.5.Оценка энергии активации диссоциации адсорбированных молекул ТЭОС на поверхности кремния.

3.6.Выводы.W

4.ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ИК ДИАПАЗОНА.

4.1.Возникновение поверхностного нагрева при импульсной термообработке совместным ИК и УФ излучениями.

4.2.Модель отжига радиационных дефектов и диффузии примеси при ИТО совместным ИК и УФ излучениями.

4.3.Экспериментальное исследование отжига ионно-легированных слоев и диффузии примеси под воздействием ИТО совместно с УФ излучением.8 б

4.4.Выводы.

5.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫХ

ПРОЦЕССОВ.М

5.1.Оборудование для исследования влияния УФ и ИК излучений. .Э

5.1.1.Установка импульсной термообработки совместно с УФ излучением.^

5.1.2.Установка фотохимического осаждения из газовой смеси ТЭ0С/09.№

5.2.Исследование свойств и характеристик низкотемпературного диоксида кремния осажденного из смеси ТЭОС/кислород.

5.3.Влияние УФ излучения на параметры МДП-структур и транзисторов.

5.4.Исследование газовых сенсоров на основе двухслойных термических оксидных пленок.№

5.5. Выводы.№

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений»

Актуальность темы. Развитие микроэлектроники по пути уменьшения размеров элементов интегральных схем вызывает необходимость создания новых высокоэффективных технологий, снижающих или устраняющих недостатки традиционных методов формирования микросхем, связанные с высокими температурно -временными режимами.

Для повышения степени интеграции, надежности, долговечности и быстродействия интегральных схем необходимо снижение температуры и (или) длительности используемых при их изготовлении технологических операций очистки, окисления или осаждения окисла на поверхности пластин, перераспределения примеси и различных термических обработок.

Наиболее перспективным методом обеспечивающим снижение длительности термических операций является импульсная термообработка (ИГО). Диапазон длительностей температурного воздействия при использовании МТО достаточно широк: от пикосекунд до десятков секунд. Но наибольшее распространение в силу экономичности, отсутствия градиентов температуры по толщине подложки, возможности точного контроля температуры получил, так называемый, режим теплового баланса, основанный на применении ИК излучения галогенных ламп с длительностью импульса термообработки от единиц до десятков секунд.

Наряду с этим, зарекомендовало себя в последнее время использование оптического излучения для инициирования химических реакций в газовой фазе и структурных превращений в поверхностном слое при проведении процессов осаждения металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, а также травлении и легировании. Резонансное возбуждение и селективный разрыв химических связей молекул оптическим излученем УФ диапазона позволяет значительно снизить температуру протекания процессов в газовой фазе и на поверхности. Однако, практическое применение УФ обработки ограничено недостаточной изученностью физико-химических процессов, протекающих в зоне реакции.

Кроме того, в литературе отсутствуют работы по совместному использованию МТО и УФ излучения, для уменьшения длительности термообработки с помощью МТО, и одновременного снижения ее температуры за счет снижения энергии активации процессов.

Цель и задачи работы. Целью данной диссертационной работы является исследование возможности совместного использования УФ и ИК излучений для снижения температуры и длительности процессов осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- создание необходимого оборудования для проведения процессов очистки поверхности, осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси с совместным использованием УФ и ИК излучений; теоретически проанализированы и промоделированы фотохимические реакции при осаждении диоксида кремния из газовой фазы ТЭ0С/02 с использованием УФ облучения;

- исследованы физико-химические процессы, протекающие при осаждении SiOg на поверхность кремния в условиях ИК и УФ облучения, а также качество получаемой пленки;

- исследовано совместное влияние ИК и УФ облучения на перераспределение примеси в ионно-легированных слоях кремния.

Научная новизна работы

- впервые, на основании термодинамических расчетов, получены энтропия и энтальпия тетраэтоксисилана (ТЭОС) в газообразном состоянии;

- построена кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния;

- рассчитана энергия активации диссоциации ТЭОС; показано, что УФ излучение понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

- на основе рассмотрения спектров поглощения кремниевой подложкой УФ и МК излучения показано, что интенсивное поглощение УФ излучения и разогрев приповерхностного слоя по всей глубине поглощения УФ происходит до температуры 600-700°С;

- установлено, что под действием МТО с УФ стимуляцией происходит снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I'I02-5'I02 раз по сравнению с МТО без УФ, причем коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp(-tA);

- показано, что наибольшее влияние на полупроводниковые приборы при МТО оказывает УФ составляющая спектра излучения.

Практическая значимость

- разработан пакет программ "CVD-I" для расчета режимов, необходимых для получения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;

- создана лабораторная установка для фотохимического осаждения диоксида кремния толщиной до 180нм на пластины диаметром до 76мм из смеси ТЭ0С/02 в температурном диапазоне 200-500°С;

- создан ряд установок для импульсной термообработки полупроводниковых структур излучением галогенных ламп в секундной длительности облучения, в том числе и с УФ стимуляцией, в температурном диапазоне 300-1350°С, позволяющих обрабатывать пластины диаметром до 100мм в условиях опытного и серийного производства;

- на основании экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что УФ излучение и ИТ0 повышает в 2 раза эффективность очистки поверхности кремния по сравнению со стандартной жидкостной обработкой;

- на основе технологии с применением ИТО и УФ стимуляции созданы структуры двухслойных окислов, отличающиеся терморезистивными и газочувствительными свойствами.

Диссертационные исследования являются частью плановых научно-исследовательских работ лаборатории новых технологий кафедры "Микроэлектроники и технологии БИС" Таганрогского Государственного радиотехнического университета, выполняемых в период I992-1997 гг. по единому заказу-наряду Государственного Комитета Российской Федерации по Высшему образованию и финансируемому из средств Госбюджета, а также хоздоговорных работ (Ш I13325, 13328, 13332, 13353), выполненных в ТРТУ в I987-1995 гг.

Основные положения выносимые на защиту:

- совместное использование УФ и ИТО при очистке поверхности кремниевой подложки улучшает эффективность очистки в 2 раза по сравнению с жидкостной отмывкой;

- кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;

- УФ излучение в качестве активирующего воздействия понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

- показано, что в результате ИТО с применением УФ излучения возникает поверхностный разогрев по всей глубине поглощения УФ только при температурах отжига до 700°С;

- применение ИТО с УФ стимуляцией снижает длительность перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I"102-5'1СГ раз по сравнению с МТО без УФ, при этом коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp(-t/u);

- при МТО наибольшее влияние на полупроводниковые структуры оказывает УФ составляющая спектра.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Радиационная технология в производстве интегральных схем" (г.Воронеж, 1988г.), Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (г.Москва, 1991г.;, VI Всесоюзной научно-технической конференции "Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве" (г.Москва, 1991г.), Международной конференции "Advanced and laser technologies - ALT'92" (Moscow, 1992г.)» Всероссийской научно-технической конференции с Международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (г.Таганрог, 1994г.), научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника" (г.Гурзуф, 1994г.), на ежегодных научнотехнических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г.Таганрог, 1986-1995 гг.).

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ, получено 4 авторских свидетельства на изобретения.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитированной литературы из 87 наименований. Общий объем диссертации У35 стр., включая 31 стр. иллюстраций, 9 таблиц.

Похожие диссертационные работы по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Поляков, Вадим Витальевич

5.5.Выводы

5.5.1.Создано экспериментальное оборудование для исследования влияния ИК и УФ излучений при осаждении диоксида кремния, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок металлов.

5.5.2.Эксперименты по фотохимическому осаждению S109 из газовой смеси ТЭОС/кислород подтвердили снижение температуры осаждения под влиянием УФ излучения на 200-250°С по сравнению с пиролитическим процессом. Получены основные технологические зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим фотохимического осаждения диоксида кремния из смеси ТЭОС/кислород при варьировании газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.

5.5.3.Проведена оценка влияния УФ излучения на параметры ЬЩ1 структур и транзисторов, которая позволила сделать вывод о эффективности применения ультрафиолета для управления изменением параметров данных приборов. Установлено, что при ИТО наибольшее влияние на полупроводниковые приборы оказывает УФ составляющая спектра излучения.

5.5.4.Применение установки фотостимулированной ИТО 'ФМТ0-20МВ; позволило создать ряд окислов двухслойных структур, которые являются хорошими терморезисторами и газочувствительными элементами, что позволяет их использовать в термо- и газочувствительной технике.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. На основе экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что совместное использование УФ и ИТО улучшает эффективность очистки поверхности Si подложки в два раза по сравнению с жидкостной отмывкой.

2. Впервые расчетным путем получены энтальпия (-1017кДж/моль) и энтропия (809,2Дж/мольград) ТЭОС в газообразном состоянии.

3. На основе термодинамического описания возможных реакций ТЭОС в газовой фазе под действием УФ облучения построена кинетическая модель расчета скорости осавдения диоксида кремния, использующая уравнения баланса, позволяющая рассчитывать скорость осаждения диоксида кремния в зависимости от скорости подачи газовых реагентов.

4. Рассчитанная энергия активации диссоциации ТЭОС показала, что использование УФ излучения понижает энергию активации в 3 раза, причем наибольшее снижение энергии активации диссоциации наблюдается при уменьшении длины волны.

5. Теоретически обосновано и экспериментально показано, что до температуры 700°С снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза при ИТО с УФ стимуляцией происходит за счет увеличения коэффициента диффузии в ГК^-Б-Ю2 раз.

6. Создано экспериментальное оборудование для исследования возможности применения ИК и УФ излучений при осаждении диоксида, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок.

7. Получены основные зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим осавдения диоксида кремния варьируя газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.

8. На основе технологии с применением МТО и УФ стимуляции сформированы окислы композиции металлов Sl-Ni, Sl-Ag, Fe-Cr, V-Сг пригодные для использования в термо и газочувствительной технике.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Поляков, Вадим Витальевич, 1995 год

1. Х.Румак Н.В.Компоненты МОП-интегральных микросхем./Под ред.А.П.Достанко. Мн.: Навука 1 тэхн!ка, 1991. - 311 с.

2. Агаларзаде П.С.,Петрин А.И.,Изидинов С.О. Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-п-перехода. /Под ред. В.Е.Челнокова. М.: Сов. радио, 1978. - 224 с.

3. З.Чистяков Ю.Д.,Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. - 408 с.

4. Cleaning techniques for wafer surfaces./ Skidmore Kathy //Semicond.Ind. 1987. - 10,N9 - P.80-85.

5. Electrical evaluation of wet and dry cleaning procedures for silicon device fabrication./Ruzyllo J.,Hoff A.,Prystak D.//J. Electrochem.Soc. 1989. - 136,N5 - P.1474-1476.

6. UV cleaning of silicon surfaces studied by Auger spectroscopy / Krusor B.S.,Blegelsen D.K.,Ylgling R.D.// J.Vac. Sci and Technol.B. 1989. - 7,N1 - P.129-130.

7. The formation of hydrogen passivated silicon single -crystal surfaces using ultraviolet cleaning and HP etching / Takahagi T.// J.Appl.Phys. 1988. - 64,N7 - P.3516-3521.

8. Радиационно-стимулированные процессы в технологии функциональных слоев и элементов ИС / И.П.Алехин, Ю.С.Боков, Л.А.Вьюков, А.М.Маркеев, В.Н.Неволин, Н.Ф.Трутнев, В.Ю.Фоминский //Электронная промышленность 1992. - N3 - С.7-12.

9. UV/ozon cleaning of surfaces / Vlg John R.// J.Vac. Sci and Technol. 1985. - A3,N3,Pt.1. - P.1027-1034.

10. UV/ozon cleaning procedure for silicon surfacese / Baunak S.,Zehe A.// Phys.Status Solid! A. 1989. - 115,N1. - P.203-207.

11. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ очистки поверхности неорганической подложки./А.И.Богданов, К.А.Валиев, Л.В.Беликов, С.Д.Душенков, М.И.Иванова /У Микроэлектроника. -1989. 18,N6 - С.540-543.

12. Фотохимический способ очистки поверхности / Tan Kaisheng, Kexue Xuecan //J.Electron 1991. - 13,N6 - P.659-662.

13. High, reaction selectivity on UV-laser induced desorption from chlorinated Si (111) 7x7 studed by Scanning tunneling mycroscopy/ S.Manada, S.Kenuichl //J.Ptoys.: Gondens.Matter.- 1993 5,N36 - P.6607-6612.

14. Фотостимулированная диссоциация молекул на поверхности твердого тела / Э.Я.Зандберг, М.В.Кнатько, В.И.Палеев, М.М.Сущих //Изв. АН : сер.физическая. 1992. - т.56,N8 - С.21-27.

15. Устройство для очистки подложек: Заявка IIII337 Япония,

16. МКИ4Н01Ь21/304, в 08 в 3/02/ йоссии Ситаро, Миясито Мория; К.к. Тосиба. N62-269716; Заявл.26.10.87; Опубл.2.04.89.

17. Устройство для очистки поверхности полупроводниковой подложки перед молекулярно-лучевой эпитаксией. Заявка 60-107821,

18. Япония. Заявл.16.II.83, N58-213986, опубл.13.06.85. МКИ H0IL 21/203.

19. Устройство для УФ-облучения изделий. Заявка 59-161824, Япония, заявл.04.03.83, N58-35635, опубл.12.09.84. МКИ H0IL 21/302, H0IL 21/304.

20. Способ очистки поверхности. Заявка 62-293724. Япония МКИ 4 H0IL 21/304/ Тацуми Тору; заявл.13.06.86. Опубл.П.12.87.

21. Установка жидкостной отмывки. Заявка 60-7731, Япония. Заявл.27.06.83, N58-115527, опубл.16.01.85. МКИ H0IL 21/304.

22. Установка для очистки пластин. Заявка N60-60729, Япония. Заявл.08.04.85, опубл. 14.09.86. МКИ H0IL 21/304.

23. Метод удаления органических пленок. Заявка 60-77430, Япония. Заявл.04.10.83 N58-184521, опубл.02.05.85. МКИ H0IL 21/306.

24. Приспособление для промывки полупроводниковых пластин. Заявка 60-72233, Япония. Заявл.28.09.883, N58-179949, опубл.24.04.85. МКИ H0IL 21/304.

25. Устройство для очистки пластин. Заявка 60-53032, Япония. Заявл.02.09.83, N58-160338, опубл.26.03.85. МКИ H0IL 21/31.

26. Устройство для термообработки. Заявка 60-223128, Япония. Заявл.20.04.84, N59-78465, опубл.07.II.85. МКИ H0IL 21/302.

27. Способ очистки полупроводниковых пластин. Заявка 4871416, США. МКИ 4 В 44 CI/22. Опубл.05.10.90.

28. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону./Л.В.Гурович, Г.В.Караченцев и др. М.: Наука,1974 - 351с.

29. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1. Пер. с англ./Под ред. С.Зи. М.: Мир,1986. - 404с.

30. Чистяков Ю.Д.,Каминский В.В.,Гришин В.М.,Шведова В.В. Использование электромагнитного излучения в газофазных процессах технологии полупроводников.//Обзоры по ЭТ, вып.5, 1976. 82с.

31. Near ultraviolet (260-37Опт) enhancement of silicon oxidation./Nayar V.,Boyd I.V.//Chemtronics 1989. - 4,N2. P. 101-103.

32. Toyoda Yoshihiro, Moue Kohji et al. Preparation of Si09film by photo-induced chemical vapor deposition using a deuterium lamp and its annealing effect// Jap.J.Appl.Phys. 1987. -Pt.1,26, - N6. - P.835-840.

33. Inoue K.Okugama M.,Hamakawa Y. Growth of SiO^ thin filmby selective excitation Photo-OVD using VUV light//Jap.J.Appl. Phys. 1988. - v.27,N11. - P7L2152-L2154.

34. Shachan-Dlamand Y.,Chun T.,01dhanz W.G. The electrical properties of Hg Sensitized "Photox" oxide layers deposited at80°0// Solid State Electronics. 1987. 30,N2. - P.227-233.

35. Jun-ichi Takanashi and M. Tabe. Irradiation effects on chemical vapor deposition of SIO^.//Jap.J.Appl.Phys. 1985 24,N3.- P.274-278.

36. Takaaki Kawahara, A.Yuuki, Y.Matsui. Reaction mechanism of chemical vapor deposition using tetraethylorthoslllcate and ozon at atmospheric pressure.//Jap.J.Appl.Phys. 1992. - v.31, pt.1,N9a. - P.2925-2930.

37. Y.Ishikawa. Enhanced thermal oxidation of silicon in sheam ambient by UV-irradiation.//Jap.J.Appl.Phys.Pt.2. 1992. -v.31,N6b. - P.750-752.

38. Laser ablation deposition./Dieleman J.//Jap.J.Appl.Phys. Pt.1. 1992. - 31.N6b - P.1964-1971.

39. Гукетлев Ю.Х.,Васенков А.А.,Гарицын А.Г.,ФеДоренко В.В., Лазерная технология интегральных схем. М.: Радио и связь.1991. 320с.

40. Film growth mechanism of photo-chemical vapor deposition/ T.Inishima. Mat.Res.Soc.Symp.Proc. - 1988. - v.105.- P.59-70.

41. Laser indiced chemical vapor deposition of S109./

42. P.K.Boyer et al.//Appl.Phys.Le11. 1982. - v.40. -P.716-718.

43. ATF laser photochemical deposition of amorphous silicon from disilane: spectroscopic studies and comparison with thermal GVD/D./ D.Eres et al.// Appl.Surf.Sci. 1989. - v.36. - P.70-80.

44. Deposition оf high quality SiO Layers from TEOS by excimer laser./A.Klump et al.//Appl.Surf.Sci. 1989. - v.36. -P.141-149.

45. Laser-induced chemical vapor deposition and characterization of amorphous silicon oxide fllms/J.Shirafu^i et ai.//Thin Solid films 1988 - v.157. - P.105-115.

46. SlO-p film deposition by KrP excimer laser irradiation/

47. S.Nishino et al.//Jap.J'.Appl.Phys. 1986. - v.25. - P.L87-L89.

48. Selective growth of policrystalllne silicon by laser-induced cryogenic CVD/ T.Tanaka et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1988.-v.27. - P.2149-2157.

49. APT-4800 atmospheric pressure TEOS/Ozon CVD system.// Semicond.Int. 1992. - N9. - P.12-13.

50. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Зюзь JI.H. и др. //Оисьма в ЖЭТФ. 1970. - т.12. - 0.213-216.

51. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Малкович Р.Ш., Нистрюк 1/1.В.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17,вып.1. - С.3-4.

52. К вопросу о фотостимулированной диффузии./ Зюзь Л.Н. и др.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17.вып.4. - 0.230-231.

53. UV laser doping of silicon./ Ibbs K.G.,Lloid M.L.//0pt. and laser techn.- 1983.- 15,N1.- P.35-39.

54. Роль УФО при быстром термическом отжиге имплантированного бором кремния./ Герасимов и др.//Письма в ЖТФ. том.6,вып.1. -1980. - С.58-61 .

55. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве./Под Ред. В.А. Лабунова. Мн.: Навука 1 тэхн1ка, 1992. - 248с.

56. Ultraviolet laser doping оf silicon./Ibbs К.G.,Lloyd M.L.//0pt. and Laser technol. 1989. - v.15,N1. - P.35-39.

57. Halogen and mercury lamp annealing of Arsenic implanted into silicon/ Katsuhiro Y. et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1887. -V.26,N2. - p.L8T-L90.

58. Eliasson B.,Hlrth М. ,Kogelschatz U. Ozone synthesis from oxigen in dielectric barrier discharges .//J. Phys. D: Appl. Phys. -1987.- N1,v.20. P.1421-1437.59.0кабе X. Фотохимия малых молекул./Пер.с англ. М.: Мир. 1961. - 500 с.

59. Основы фотохимии координационных соединений./КрюкоЕ А.И.,Кучмий С.Я.; отв. ред. Дилунг И.И.; АН УССР. Ин-т физ.химии им.Л.В.Писаржевского.- Киев: Наук.думка,1990.-280с.6I.Weawer 0. Adhesion of thin films.//J.Vac.Sci.Techn.1975. N1,v.12. - P.18-25.

60. Иванова М.й. Воздействие вакуумного УФИ на поверхность неорганических и органических веществ, применяемых в микроэлектронике.//Диссертация на соискание уч. степ.канд. физ.-мат. наук. Москва: Физико-технологический ин-т,1989.-130с.

61. Benjamin P.,Weawer G. Measurement of adhesion of thin f11ms.//Proc.Roy.Soc.,Ser.A."Mathematical and Physical Sciences". I960. - V.254,N1277. - P.163-176.

62. Варзарев Ю.Н.,Поляков В.В. Модель низкотемпературного фотостимулированного осаждения диоксида кремния из тетраэтоксисилана.//СО.Научных трудов молодых ученых "300-летию г.Таганрога". Таганрог,ТРТУ. - 1995. С.44-48.

63. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ.- М.:Химия,1968.-470с.

64. Равдел А.А. Краткий справочник физико-химических величин/ Под ред. К.П.Мищенко. Л.:Химия,1967.-187с.

65. Светличный A.M.,Соловьев С.И.,Поляков В.В.,Варзарев Ю.Н. Моделирование низкотемпературного фотостимулированного осаждения пленок диоксида кремния из тетраэтоксисилана при низком давлении. //СО."Вакууумная наука и техника", Гурзуф. 1994. - С.72.

66. Вавилов В.С, Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники.- М.:Наука, 1988.-192с.

67. Баранский П.Н., Клочков В.П., Потыкевич Н.В. Полупроводниковая электроника.//Справочник. Киев:Наукова думка,1975.- 703с.

68. Зворыкин Д.Б., Прохоров Ю.И. Применение лучистого ИК нагрева в электронной промышленности. М.:Энергия,1980. - 98с.

69. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.:Наука,1978.- 288с.

70. Волькенштейн Ф.Ф.Физико-химия поверхности полупроводников М.:Наука,1978. - 382с.

71. Королев А.Н.Сеченов Д.А.Поляков В.В. Получение пленок Siu9 при гетерогенной диссоциации тетраэтоксисилана при УФ-облучении.//ФИЗХОМ. 1995. - N2. - С.98-105.

72. Герасимов В.В.Герасимова В.В.Самойлов А.Г. Энергия активации реакций при гетерогенном катализе.//Доклады РАН. -1992.- Т.322,N4. С.744-748.

73. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528с.

74. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат,1991. - 288с.

75. Джафаров Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат,1984. - 136с.

76. Светличный A.M.,Сеченов Д.А.,Поляков В.В.Предоперационная очистка поверхности полупроводниковых пластин УФ и ИК излучениями //Тезисы докладов 4 Всесоюзной НТК "Применение электронно-ионной технологии в нвродном хозяйстве". Москва. - 1991. - С.163.

77. Svetlichnly A.M.,Sechenov D.A.,Polyakov V.V. Rapid thermal annealing ion-implanted layers silicon by infra-red and ultra-violet irradiations.//1992 International conference on advanced and laser technologies ALT'92. Pt.4 Moskow. - 1992. -P.132.

78. Концевой Ю.А.,Кудин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.:Энергия. - 1973. -140с.

79. Разработка и исследование способов повышения выхода годных КМОП БИС с помощью процессов импульсной обработки: Отчет по ОКР/ НИИ МВС при ТРТИ; Науч.рук.работы A.M. Светличный.

80. N ГР 0I8407I84; mhb.N09852II62. Таганрог,1985, 64с.

81. Далиев X.С.Лебедев А.А.,Экке В.В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур, облученных 7-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике//Физика, Техника полупроводников. 1987. - Т.21,вып.2. - С.365-369.

82. Гуртов В.А.,Иваненков О.Н.,Курышев Г.Л. Зарядовые эффекты в МДП-структурах на антимониде индия//Физика, Техника полупроводников. 1986. - Т.20,вып.3. - С.738-743.

83. Литовченко В.Г.,Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводншс. Киев: Наукова Думка, 1978. - 316с.

84. Особенности образования "аномального" положительного заряда при УФ-облучении МДП-структур/Лисовский И.П. и др.//Тезисы докладов XII Всесоюзной научно-технической коференции по микроэлектронике, 27-28 октября 1987г. Тбилиси, 1987. - Ч.З. -0.7-8.

85. Влияние температуры синтеза S13N4 на УФ-деградацию структур металл-Si^-SlO^-полупроводник/Ахмад А.Ф. и др.//Укр. Физический журнал. 1986. - Вып.5. - с.739-742.

86. Degradation mechanism of lightly doped drain (LDD) n-cannel MOS-PET'S studied by ultraviolet light irradiation./ Saitoh M. et al./v J. Electrochem. Soc. 1985. - V.132, N10. -P.2463 - 2466.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.