Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Поляков, Вадим Витальевич
- Специальность ВАК РФ05.27.01
- Количество страниц 135
Оглавление диссертации кандидат технических наук Поляков, Вадим Витальевич
ВВЕДЕНИЕ.
1.АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ИЗЛУЧЕНИЙ ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА ДЛЯ АКТИВАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМ. &
IЛ.Очистка поверхности полупроводниковых пластин ультрафиолетовым излучением.
1.2.Фотостимулированное УФ излучением осаждение диэлектрических слоев. ^
1.3.Отжиг радиационных дефектов и диффузия примеси под действием оптической активации. &&
1.4.Постановка задач диссертации.
2.ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ ПРИ ОЧИСТКЕ ПОВЕРХНОСТИ И ОСАВДЕНИИ ПЛЕНОК.
2.1.Фотовозбуздение и фотодиссоциация кислорода.
2.2.Исследование влияния очистки поверхности подложки УФ излучением на адгезию алюминиевой металлизации и фоторезиста. 4/
2.3.Фотовозбуждение и фотодиссоциация компонентов газовой смеси ТЭ0С/02.
2.4.Термодинамический анализ реакций.
2.5.Моделирование газофазной кинетики.So
2.6.Вывод ы.
3.ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ИК И УФ ОБРАБОТКИ ПРИ ОСАЖДЕНИИ.5?
3.1.Закономерности поглощения излучения поверхностью.
3.2.Адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности кремния.
3.3.Оценка эффективного потенциала адсорбции.
3.4.Механизм диссоциации ТЭОС в условиях излучения оптического диапазона.€
3.5.Оценка энергии активации диссоциации адсорбированных молекул ТЭОС на поверхности кремния.
3.6.Выводы.W
4.ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ИК ДИАПАЗОНА.
4.1.Возникновение поверхностного нагрева при импульсной термообработке совместным ИК и УФ излучениями.
4.2.Модель отжига радиационных дефектов и диффузии примеси при ИТО совместным ИК и УФ излучениями.
4.3.Экспериментальное исследование отжига ионно-легированных слоев и диффузии примеси под воздействием ИТО совместно с УФ излучением.8 б
4.4.Выводы.
5.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫХ
ПРОЦЕССОВ.М
5.1.Оборудование для исследования влияния УФ и ИК излучений. .Э
5.1.1.Установка импульсной термообработки совместно с УФ излучением.^
5.1.2.Установка фотохимического осаждения из газовой смеси ТЭ0С/09.№
5.2.Исследование свойств и характеристик низкотемпературного диоксида кремния осажденного из смеси ТЭОС/кислород.
5.3.Влияние УФ излучения на параметры МДП-структур и транзисторов.
5.4.Исследование газовых сенсоров на основе двухслойных термических оксидных пленок.№
5.5. Выводы.№
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК
Неизотермические процессы в системах на основе кремния1998 год, доктор физико-математических наук Рудаков, Валерий Иванович
Процессы роста на чистой и модифицированной бором поверхности кремния2002 год, доктор физико-математических наук Коробцов, Владимир Викторович
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии2005 год, доктор физико-математических наук Попов, Владимир Павлович
Модифицирование поверхности и формирование неравновесных структур ионными и лазерными пучками1999 год, доктор физико-математических наук Фоминский, Вячеслав Юрьевич
Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами2011 год, доктор физико-математических наук Бейсенханов, Нуржан Бейсенханович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений»
Актуальность темы. Развитие микроэлектроники по пути уменьшения размеров элементов интегральных схем вызывает необходимость создания новых высокоэффективных технологий, снижающих или устраняющих недостатки традиционных методов формирования микросхем, связанные с высокими температурно -временными режимами.
Для повышения степени интеграции, надежности, долговечности и быстродействия интегральных схем необходимо снижение температуры и (или) длительности используемых при их изготовлении технологических операций очистки, окисления или осаждения окисла на поверхности пластин, перераспределения примеси и различных термических обработок.
Наиболее перспективным методом обеспечивающим снижение длительности термических операций является импульсная термообработка (ИГО). Диапазон длительностей температурного воздействия при использовании МТО достаточно широк: от пикосекунд до десятков секунд. Но наибольшее распространение в силу экономичности, отсутствия градиентов температуры по толщине подложки, возможности точного контроля температуры получил, так называемый, режим теплового баланса, основанный на применении ИК излучения галогенных ламп с длительностью импульса термообработки от единиц до десятков секунд.
Наряду с этим, зарекомендовало себя в последнее время использование оптического излучения для инициирования химических реакций в газовой фазе и структурных превращений в поверхностном слое при проведении процессов осаждения металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, а также травлении и легировании. Резонансное возбуждение и селективный разрыв химических связей молекул оптическим излученем УФ диапазона позволяет значительно снизить температуру протекания процессов в газовой фазе и на поверхности. Однако, практическое применение УФ обработки ограничено недостаточной изученностью физико-химических процессов, протекающих в зоне реакции.
Кроме того, в литературе отсутствуют работы по совместному использованию МТО и УФ излучения, для уменьшения длительности термообработки с помощью МТО, и одновременного снижения ее температуры за счет снижения энергии активации процессов.
Цель и задачи работы. Целью данной диссертационной работы является исследование возможности совместного использования УФ и ИК излучений для снижения температуры и длительности процессов осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси.
Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:
- создание необходимого оборудования для проведения процессов очистки поверхности, осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси с совместным использованием УФ и ИК излучений; теоретически проанализированы и промоделированы фотохимические реакции при осаждении диоксида кремния из газовой фазы ТЭ0С/02 с использованием УФ облучения;
- исследованы физико-химические процессы, протекающие при осаждении SiOg на поверхность кремния в условиях ИК и УФ облучения, а также качество получаемой пленки;
- исследовано совместное влияние ИК и УФ облучения на перераспределение примеси в ионно-легированных слоях кремния.
Научная новизна работы
- впервые, на основании термодинамических расчетов, получены энтропия и энтальпия тетраэтоксисилана (ТЭОС) в газообразном состоянии;
- построена кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния;
- рассчитана энергия активации диссоциации ТЭОС; показано, что УФ излучение понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;
- на основе рассмотрения спектров поглощения кремниевой подложкой УФ и МК излучения показано, что интенсивное поглощение УФ излучения и разогрев приповерхностного слоя по всей глубине поглощения УФ происходит до температуры 600-700°С;
- установлено, что под действием МТО с УФ стимуляцией происходит снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I'I02-5'I02 раз по сравнению с МТО без УФ, причем коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp(-tA);
- показано, что наибольшее влияние на полупроводниковые приборы при МТО оказывает УФ составляющая спектра излучения.
Практическая значимость
- разработан пакет программ "CVD-I" для расчета режимов, необходимых для получения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;
- создана лабораторная установка для фотохимического осаждения диоксида кремния толщиной до 180нм на пластины диаметром до 76мм из смеси ТЭ0С/02 в температурном диапазоне 200-500°С;
- создан ряд установок для импульсной термообработки полупроводниковых структур излучением галогенных ламп в секундной длительности облучения, в том числе и с УФ стимуляцией, в температурном диапазоне 300-1350°С, позволяющих обрабатывать пластины диаметром до 100мм в условиях опытного и серийного производства;
- на основании экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что УФ излучение и ИТ0 повышает в 2 раза эффективность очистки поверхности кремния по сравнению со стандартной жидкостной обработкой;
- на основе технологии с применением ИТО и УФ стимуляции созданы структуры двухслойных окислов, отличающиеся терморезистивными и газочувствительными свойствами.
Диссертационные исследования являются частью плановых научно-исследовательских работ лаборатории новых технологий кафедры "Микроэлектроники и технологии БИС" Таганрогского Государственного радиотехнического университета, выполняемых в период I992-1997 гг. по единому заказу-наряду Государственного Комитета Российской Федерации по Высшему образованию и финансируемому из средств Госбюджета, а также хоздоговорных работ (Ш I13325, 13328, 13332, 13353), выполненных в ТРТУ в I987-1995 гг.
Основные положения выносимые на защиту:
- совместное использование УФ и ИТО при очистке поверхности кремниевой подложки улучшает эффективность очистки в 2 раза по сравнению с жидкостной отмывкой;
- кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;
- УФ излучение в качестве активирующего воздействия понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;
- показано, что в результате ИТО с применением УФ излучения возникает поверхностный разогрев по всей глубине поглощения УФ только при температурах отжига до 700°С;
- применение ИТО с УФ стимуляцией снижает длительность перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I"102-5'1СГ раз по сравнению с МТО без УФ, при этом коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp(-t/u);
- при МТО наибольшее влияние на полупроводниковые структуры оказывает УФ составляющая спектра.
Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Радиационная технология в производстве интегральных схем" (г.Воронеж, 1988г.), Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (г.Москва, 1991г.;, VI Всесоюзной научно-технической конференции "Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве" (г.Москва, 1991г.), Международной конференции "Advanced and laser technologies - ALT'92" (Moscow, 1992г.)» Всероссийской научно-технической конференции с Международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (г.Таганрог, 1994г.), научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника" (г.Гурзуф, 1994г.), на ежегодных научнотехнических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г.Таганрог, 1986-1995 гг.).
Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ, получено 4 авторских свидетельства на изобретения.
Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитированной литературы из 87 наименований. Общий объем диссертации У35 стр., включая 31 стр. иллюстраций, 9 таблиц.
Похожие диссертационные работы по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК
Лазерно-индуцированные физико-химические процессы и осаждение элементов из паров металлоорганических соединений2002 год, доктор физико-математических наук Муленко, Сергей Анатольевич
Структурная модификация плёнок кремния в процессе роста и легирования2001 год, доктор физико-математических наук Павлов, Дмитрий Алексеевич
Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях2009 год, доктор физико-математических наук Антонова, Ирина Вениаминовна
Влияние легирования и термических процессов на газочувствительные свойства пленок диоксида олова2001 год, кандидат физико-математических наук Борсякова, Ольга Ивановна
Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния2003 год, доктор физико-математических наук Александров, Олег Викторович
Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Поляков, Вадим Витальевич
5.5.Выводы
5.5.1.Создано экспериментальное оборудование для исследования влияния ИК и УФ излучений при осаждении диоксида кремния, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок металлов.
5.5.2.Эксперименты по фотохимическому осаждению S109 из газовой смеси ТЭОС/кислород подтвердили снижение температуры осаждения под влиянием УФ излучения на 200-250°С по сравнению с пиролитическим процессом. Получены основные технологические зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим фотохимического осаждения диоксида кремния из смеси ТЭОС/кислород при варьировании газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.
5.5.3.Проведена оценка влияния УФ излучения на параметры ЬЩ1 структур и транзисторов, которая позволила сделать вывод о эффективности применения ультрафиолета для управления изменением параметров данных приборов. Установлено, что при ИТО наибольшее влияние на полупроводниковые приборы оказывает УФ составляющая спектра излучения.
5.5.4.Применение установки фотостимулированной ИТО 'ФМТ0-20МВ; позволило создать ряд окислов двухслойных структур, которые являются хорошими терморезисторами и газочувствительными элементами, что позволяет их использовать в термо- и газочувствительной технике.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
1. На основе экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что совместное использование УФ и ИТО улучшает эффективность очистки поверхности Si подложки в два раза по сравнению с жидкостной отмывкой.
2. Впервые расчетным путем получены энтальпия (-1017кДж/моль) и энтропия (809,2Дж/мольград) ТЭОС в газообразном состоянии.
3. На основе термодинамического описания возможных реакций ТЭОС в газовой фазе под действием УФ облучения построена кинетическая модель расчета скорости осавдения диоксида кремния, использующая уравнения баланса, позволяющая рассчитывать скорость осаждения диоксида кремния в зависимости от скорости подачи газовых реагентов.
4. Рассчитанная энергия активации диссоциации ТЭОС показала, что использование УФ излучения понижает энергию активации в 3 раза, причем наибольшее снижение энергии активации диссоциации наблюдается при уменьшении длины волны.
5. Теоретически обосновано и экспериментально показано, что до температуры 700°С снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза при ИТО с УФ стимуляцией происходит за счет увеличения коэффициента диффузии в ГК^-Б-Ю2 раз.
6. Создано экспериментальное оборудование для исследования возможности применения ИК и УФ излучений при осаждении диоксида, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок.
7. Получены основные зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим осавдения диоксида кремния варьируя газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.
8. На основе технологии с применением МТО и УФ стимуляции сформированы окислы композиции металлов Sl-Ni, Sl-Ag, Fe-Cr, V-Сг пригодные для использования в термо и газочувствительной технике.
Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Поляков, Вадим Витальевич, 1995 год
1. Х.Румак Н.В.Компоненты МОП-интегральных микросхем./Под ред.А.П.Достанко. Мн.: Навука 1 тэхн!ка, 1991. - 311 с.
2. Агаларзаде П.С.,Петрин А.И.,Изидинов С.О. Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-п-перехода. /Под ред. В.Е.Челнокова. М.: Сов. радио, 1978. - 224 с.
3. З.Чистяков Ю.Д.,Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. - 408 с.
4. Cleaning techniques for wafer surfaces./ Skidmore Kathy //Semicond.Ind. 1987. - 10,N9 - P.80-85.
5. Electrical evaluation of wet and dry cleaning procedures for silicon device fabrication./Ruzyllo J.,Hoff A.,Prystak D.//J. Electrochem.Soc. 1989. - 136,N5 - P.1474-1476.
6. UV cleaning of silicon surfaces studied by Auger spectroscopy / Krusor B.S.,Blegelsen D.K.,Ylgling R.D.// J.Vac. Sci and Technol.B. 1989. - 7,N1 - P.129-130.
7. The formation of hydrogen passivated silicon single -crystal surfaces using ultraviolet cleaning and HP etching / Takahagi T.// J.Appl.Phys. 1988. - 64,N7 - P.3516-3521.
8. Радиационно-стимулированные процессы в технологии функциональных слоев и элементов ИС / И.П.Алехин, Ю.С.Боков, Л.А.Вьюков, А.М.Маркеев, В.Н.Неволин, Н.Ф.Трутнев, В.Ю.Фоминский //Электронная промышленность 1992. - N3 - С.7-12.
9. UV/ozon cleaning of surfaces / Vlg John R.// J.Vac. Sci and Technol. 1985. - A3,N3,Pt.1. - P.1027-1034.
10. UV/ozon cleaning procedure for silicon surfacese / Baunak S.,Zehe A.// Phys.Status Solid! A. 1989. - 115,N1. - P.203-207.
11. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ очистки поверхности неорганической подложки./А.И.Богданов, К.А.Валиев, Л.В.Беликов, С.Д.Душенков, М.И.Иванова /У Микроэлектроника. -1989. 18,N6 - С.540-543.
12. Фотохимический способ очистки поверхности / Tan Kaisheng, Kexue Xuecan //J.Electron 1991. - 13,N6 - P.659-662.
13. High, reaction selectivity on UV-laser induced desorption from chlorinated Si (111) 7x7 studed by Scanning tunneling mycroscopy/ S.Manada, S.Kenuichl //J.Ptoys.: Gondens.Matter.- 1993 5,N36 - P.6607-6612.
14. Фотостимулированная диссоциация молекул на поверхности твердого тела / Э.Я.Зандберг, М.В.Кнатько, В.И.Палеев, М.М.Сущих //Изв. АН : сер.физическая. 1992. - т.56,N8 - С.21-27.
15. Устройство для очистки подложек: Заявка IIII337 Япония,
16. МКИ4Н01Ь21/304, в 08 в 3/02/ йоссии Ситаро, Миясито Мория; К.к. Тосиба. N62-269716; Заявл.26.10.87; Опубл.2.04.89.
17. Устройство для очистки поверхности полупроводниковой подложки перед молекулярно-лучевой эпитаксией. Заявка 60-107821,
18. Япония. Заявл.16.II.83, N58-213986, опубл.13.06.85. МКИ H0IL 21/203.
19. Устройство для УФ-облучения изделий. Заявка 59-161824, Япония, заявл.04.03.83, N58-35635, опубл.12.09.84. МКИ H0IL 21/302, H0IL 21/304.
20. Способ очистки поверхности. Заявка 62-293724. Япония МКИ 4 H0IL 21/304/ Тацуми Тору; заявл.13.06.86. Опубл.П.12.87.
21. Установка жидкостной отмывки. Заявка 60-7731, Япония. Заявл.27.06.83, N58-115527, опубл.16.01.85. МКИ H0IL 21/304.
22. Установка для очистки пластин. Заявка N60-60729, Япония. Заявл.08.04.85, опубл. 14.09.86. МКИ H0IL 21/304.
23. Метод удаления органических пленок. Заявка 60-77430, Япония. Заявл.04.10.83 N58-184521, опубл.02.05.85. МКИ H0IL 21/306.
24. Приспособление для промывки полупроводниковых пластин. Заявка 60-72233, Япония. Заявл.28.09.883, N58-179949, опубл.24.04.85. МКИ H0IL 21/304.
25. Устройство для очистки пластин. Заявка 60-53032, Япония. Заявл.02.09.83, N58-160338, опубл.26.03.85. МКИ H0IL 21/31.
26. Устройство для термообработки. Заявка 60-223128, Япония. Заявл.20.04.84, N59-78465, опубл.07.II.85. МКИ H0IL 21/302.
27. Способ очистки полупроводниковых пластин. Заявка 4871416, США. МКИ 4 В 44 CI/22. Опубл.05.10.90.
28. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону./Л.В.Гурович, Г.В.Караченцев и др. М.: Наука,1974 - 351с.
29. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1. Пер. с англ./Под ред. С.Зи. М.: Мир,1986. - 404с.
30. Чистяков Ю.Д.,Каминский В.В.,Гришин В.М.,Шведова В.В. Использование электромагнитного излучения в газофазных процессах технологии полупроводников.//Обзоры по ЭТ, вып.5, 1976. 82с.
31. Near ultraviolet (260-37Опт) enhancement of silicon oxidation./Nayar V.,Boyd I.V.//Chemtronics 1989. - 4,N2. P. 101-103.
32. Toyoda Yoshihiro, Moue Kohji et al. Preparation of Si09film by photo-induced chemical vapor deposition using a deuterium lamp and its annealing effect// Jap.J.Appl.Phys. 1987. -Pt.1,26, - N6. - P.835-840.
33. Inoue K.Okugama M.,Hamakawa Y. Growth of SiO^ thin filmby selective excitation Photo-OVD using VUV light//Jap.J.Appl. Phys. 1988. - v.27,N11. - P7L2152-L2154.
34. Shachan-Dlamand Y.,Chun T.,01dhanz W.G. The electrical properties of Hg Sensitized "Photox" oxide layers deposited at80°0// Solid State Electronics. 1987. 30,N2. - P.227-233.
35. Jun-ichi Takanashi and M. Tabe. Irradiation effects on chemical vapor deposition of SIO^.//Jap.J.Appl.Phys. 1985 24,N3.- P.274-278.
36. Takaaki Kawahara, A.Yuuki, Y.Matsui. Reaction mechanism of chemical vapor deposition using tetraethylorthoslllcate and ozon at atmospheric pressure.//Jap.J.Appl.Phys. 1992. - v.31, pt.1,N9a. - P.2925-2930.
37. Y.Ishikawa. Enhanced thermal oxidation of silicon in sheam ambient by UV-irradiation.//Jap.J.Appl.Phys.Pt.2. 1992. -v.31,N6b. - P.750-752.
38. Laser ablation deposition./Dieleman J.//Jap.J.Appl.Phys. Pt.1. 1992. - 31.N6b - P.1964-1971.
39. Гукетлев Ю.Х.,Васенков А.А.,Гарицын А.Г.,ФеДоренко В.В., Лазерная технология интегральных схем. М.: Радио и связь.1991. 320с.
40. Film growth mechanism of photo-chemical vapor deposition/ T.Inishima. Mat.Res.Soc.Symp.Proc. - 1988. - v.105.- P.59-70.
41. Laser indiced chemical vapor deposition of S109./
42. P.K.Boyer et al.//Appl.Phys.Le11. 1982. - v.40. -P.716-718.
43. ATF laser photochemical deposition of amorphous silicon from disilane: spectroscopic studies and comparison with thermal GVD/D./ D.Eres et al.// Appl.Surf.Sci. 1989. - v.36. - P.70-80.
44. Deposition оf high quality SiO Layers from TEOS by excimer laser./A.Klump et al.//Appl.Surf.Sci. 1989. - v.36. -P.141-149.
45. Laser-induced chemical vapor deposition and characterization of amorphous silicon oxide fllms/J.Shirafu^i et ai.//Thin Solid films 1988 - v.157. - P.105-115.
46. SlO-p film deposition by KrP excimer laser irradiation/
47. S.Nishino et al.//Jap.J'.Appl.Phys. 1986. - v.25. - P.L87-L89.
48. Selective growth of policrystalllne silicon by laser-induced cryogenic CVD/ T.Tanaka et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1988.-v.27. - P.2149-2157.
49. APT-4800 atmospheric pressure TEOS/Ozon CVD system.// Semicond.Int. 1992. - N9. - P.12-13.
50. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Зюзь JI.H. и др. //Оисьма в ЖЭТФ. 1970. - т.12. - 0.213-216.
51. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Малкович Р.Ш., Нистрюк 1/1.В.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17,вып.1. - С.3-4.
52. К вопросу о фотостимулированной диффузии./ Зюзь Л.Н. и др.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17.вып.4. - 0.230-231.
53. UV laser doping of silicon./ Ibbs K.G.,Lloid M.L.//0pt. and laser techn.- 1983.- 15,N1.- P.35-39.
54. Роль УФО при быстром термическом отжиге имплантированного бором кремния./ Герасимов и др.//Письма в ЖТФ. том.6,вып.1. -1980. - С.58-61 .
55. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве./Под Ред. В.А. Лабунова. Мн.: Навука 1 тэхн1ка, 1992. - 248с.
56. Ultraviolet laser doping оf silicon./Ibbs К.G.,Lloyd M.L.//0pt. and Laser technol. 1989. - v.15,N1. - P.35-39.
57. Halogen and mercury lamp annealing of Arsenic implanted into silicon/ Katsuhiro Y. et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1887. -V.26,N2. - p.L8T-L90.
58. Eliasson B.,Hlrth М. ,Kogelschatz U. Ozone synthesis from oxigen in dielectric barrier discharges .//J. Phys. D: Appl. Phys. -1987.- N1,v.20. P.1421-1437.59.0кабе X. Фотохимия малых молекул./Пер.с англ. М.: Мир. 1961. - 500 с.
59. Основы фотохимии координационных соединений./КрюкоЕ А.И.,Кучмий С.Я.; отв. ред. Дилунг И.И.; АН УССР. Ин-т физ.химии им.Л.В.Писаржевского.- Киев: Наук.думка,1990.-280с.6I.Weawer 0. Adhesion of thin films.//J.Vac.Sci.Techn.1975. N1,v.12. - P.18-25.
60. Иванова М.й. Воздействие вакуумного УФИ на поверхность неорганических и органических веществ, применяемых в микроэлектронике.//Диссертация на соискание уч. степ.канд. физ.-мат. наук. Москва: Физико-технологический ин-т,1989.-130с.
61. Benjamin P.,Weawer G. Measurement of adhesion of thin f11ms.//Proc.Roy.Soc.,Ser.A."Mathematical and Physical Sciences". I960. - V.254,N1277. - P.163-176.
62. Варзарев Ю.Н.,Поляков В.В. Модель низкотемпературного фотостимулированного осаждения диоксида кремния из тетраэтоксисилана.//СО.Научных трудов молодых ученых "300-летию г.Таганрога". Таганрог,ТРТУ. - 1995. С.44-48.
63. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ.- М.:Химия,1968.-470с.
64. Равдел А.А. Краткий справочник физико-химических величин/ Под ред. К.П.Мищенко. Л.:Химия,1967.-187с.
65. Светличный A.M.,Соловьев С.И.,Поляков В.В.,Варзарев Ю.Н. Моделирование низкотемпературного фотостимулированного осаждения пленок диоксида кремния из тетраэтоксисилана при низком давлении. //СО."Вакууумная наука и техника", Гурзуф. 1994. - С.72.
66. Вавилов В.С, Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники.- М.:Наука, 1988.-192с.
67. Баранский П.Н., Клочков В.П., Потыкевич Н.В. Полупроводниковая электроника.//Справочник. Киев:Наукова думка,1975.- 703с.
68. Зворыкин Д.Б., Прохоров Ю.И. Применение лучистого ИК нагрева в электронной промышленности. М.:Энергия,1980. - 98с.
69. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.:Наука,1978.- 288с.
70. Волькенштейн Ф.Ф.Физико-химия поверхности полупроводников М.:Наука,1978. - 382с.
71. Королев А.Н.Сеченов Д.А.Поляков В.В. Получение пленок Siu9 при гетерогенной диссоциации тетраэтоксисилана при УФ-облучении.//ФИЗХОМ. 1995. - N2. - С.98-105.
72. Герасимов В.В.Герасимова В.В.Самойлов А.Г. Энергия активации реакций при гетерогенном катализе.//Доклады РАН. -1992.- Т.322,N4. С.744-748.
73. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528с.
74. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат,1991. - 288с.
75. Джафаров Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат,1984. - 136с.
76. Светличный A.M.,Сеченов Д.А.,Поляков В.В.Предоперационная очистка поверхности полупроводниковых пластин УФ и ИК излучениями //Тезисы докладов 4 Всесоюзной НТК "Применение электронно-ионной технологии в нвродном хозяйстве". Москва. - 1991. - С.163.
77. Svetlichnly A.M.,Sechenov D.A.,Polyakov V.V. Rapid thermal annealing ion-implanted layers silicon by infra-red and ultra-violet irradiations.//1992 International conference on advanced and laser technologies ALT'92. Pt.4 Moskow. - 1992. -P.132.
78. Концевой Ю.А.,Кудин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.:Энергия. - 1973. -140с.
79. Разработка и исследование способов повышения выхода годных КМОП БИС с помощью процессов импульсной обработки: Отчет по ОКР/ НИИ МВС при ТРТИ; Науч.рук.работы A.M. Светличный.
80. N ГР 0I8407I84; mhb.N09852II62. Таганрог,1985, 64с.
81. Далиев X.С.Лебедев А.А.,Экке В.В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур, облученных 7-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике//Физика, Техника полупроводников. 1987. - Т.21,вып.2. - С.365-369.
82. Гуртов В.А.,Иваненков О.Н.,Курышев Г.Л. Зарядовые эффекты в МДП-структурах на антимониде индия//Физика, Техника полупроводников. 1986. - Т.20,вып.3. - С.738-743.
83. Литовченко В.Г.,Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводншс. Киев: Наукова Думка, 1978. - 316с.
84. Особенности образования "аномального" положительного заряда при УФ-облучении МДП-структур/Лисовский И.П. и др.//Тезисы докладов XII Всесоюзной научно-технической коференции по микроэлектронике, 27-28 октября 1987г. Тбилиси, 1987. - Ч.З. -0.7-8.
85. Влияние температуры синтеза S13N4 на УФ-деградацию структур металл-Si^-SlO^-полупроводник/Ахмад А.Ф. и др.//Укр. Физический журнал. 1986. - Вып.5. - с.739-742.
86. Degradation mechanism of lightly doped drain (LDD) n-cannel MOS-PET'S studied by ultraviolet light irradiation./ Saitoh M. et al./v J. Electrochem. Soc. 1985. - V.132, N10. -P.2463 - 2466.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.