Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Сидоров, Евгений Николаевич

• Сидоров, Евгений Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сидоров, Евгений Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1.

КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

1.1. Эффекты упорядочения в полупроводниковых твердых растворах.

1.2. Немонотонные концентрационные зависимости физических свойств твердых растворов указывающие на их неидеальность.

1.3. Особенности и закономерности дефектообразования в СаЛя.

1.3.1. Собственные точечные дефекты.

1.3.2. Влияние легирования на дефектообразование.

1.3.2.1. Влияние легирования на ансамбль собственных точечных дефектов.

1.3.2.2. Комплексообразование.

ГЛАВА 2.

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В МОНОКРИСТАЛЛАХ СаА8:Те МЕТОДОМ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ.

2.1. Особенности энергетического спектра и основные каналы излучательной рекомбинации сильно легированных полупроводников.

2.2. Спектральная зависимость интенсивности краевой фотолюминесценции.

2.3. Анализ спектров краевой фотолюминесценции ОаАБ'.Те при 300 К.

2.4. Исследование изменения спектров краевой фотолюминесценции GaAs:Te в температурном диапазоне 6-ь300К.

2.5. Анализ спектров краевой фотолюминесценции GaAsiTe при 6К

ГЛАВА 3.

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В МОНОКРИСТАЛЛАХ GaAs:Te МЕТОДОМ АБСОРБЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ.

3.1. Край фундаментального поглощения.

3.2. Анализ зависимости коэффициента поглощения электромагнитного излучения под краем фундаментального поглощения в GaAsiTe.

ГЛАВА 4.

РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ НА ПРОСТРАНСТВЕННО КОРРЕЛИРОВАННОЙ СИСТЕМЕ

ЗАРЯДОВ В СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННОМ GaAs:Te.

4.1. Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на поглощение свободными носителями заряда, обусловленное рассеянием па ионах примеси.

4.2 Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на параметры связанных плазмон-.£Офононных мод в монокристаллах GaAs:Te.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси»

Полупроводниковые твердые растворы привлекли к себе большое внимание возможностью образования непрерывных твердых растворов — кристаллических материалов, в которых происходит плавное изменение физических свойств в зависимости от состава, что обеспечивает получение полупроводниковых фаз с нужными и воспроизводимыми характеристиками. Однако, как справедливо отмечается в работе [1], практически полученные растворы не оправдали надежд, поскольку с потерей сингулярности состава была утеряна самостабилизация роста, обеспечиваемая постоянством температуры кристаллизации. Материалы росли негомогенными (кваз и гомогенными)1 вследствие процессов ассоциации и диссоциации структурных компонентов твердых растворов.

Избыточное дефектообразование и неоднородное распределение растворенного компонента - это далеко не единственные особенности, характеризующие структуру полупроводниковых твердых растворов. Кулонов-ское, упругое, химическое взаимодействие с участием атомов основного вещества, атомов легирующих, остаточных примесей и собственных точечных дефектов приводит к образованию комплексов, которые также рассматриваются как структурные компоненты твердых растворов [I, 2]. Взаимодействие структурных компонентов (в том числе линейных плапар-ных дефектов) обуславливают различные механизмы релаксации неравновесного состояния полупроводникового твердого раствора [3]:

1. фазовый переход, обусловленный кооперативным изменением структуры в целом при сохранении неупорядоченного распределения компонентов твердого раствора;

I Под словом «гомогенный» понимается равновероятное распределение химически разнородных атомов, образующих твердый раствор.

2. упорядочение компонентов твердого раствора с образованием сверхструктур - фаз дальнего порядка (например, химически разнородных атомов по собственным подрешеткам);

3. распад твердых растворов, приводящий к самым разнообразным структурным состояниям.

Необходимо отметить, что термин «упорядочение» понимается в литературе неоднозначно. При распаде твердых растворов могут образовываться, так называемые, моделированные структуры при сегрегации точечных дефектов по периодическому или квазипериодическому типу. Образование моделированных структур, тоже зачастую относят к процессам упорядочения. В данной работе моделированные структуры не рассматриваются.

Широкое использование полупроводниковых твердых растворов в структуре современных электронных компонентов выдвинуло проблему синтеза полупроводниковых систем с переменным составом в число наиболее актуальных задач. Детальное изучение процессов взаимодействия структурных компонентов, комплексообразования, упорядочения и фазовых превращений в полупроводниковых твердых растворах является важным для разработки и совершенствования технологии получения полупроводниковых материалов с заданными свойствами.

Наиболее подробно явления упорядочения и их влияние на свойства материала изучены в сплавах металлов. Фазам упорядочения с образованием сверхструктур соответствуют особенности на зависимостях свойство-состав. Исследования концентрационных зависимостей свойств показали, что в ряде полупроводниковых твердых растворов AwBv-AnBv\ Ge-Si обнаруживаются особенности, свидетельствующие об неидеальности этих твердых растворов: особые точки разрыва или перегиба в окрестности некоторой критической концентрации. Предполагается, изменение парамег ров полупроводникового твердого раствора связано с упорядочением примесного компонента.

Обычно легированные полупроводники с примесями замещения рассматриваются как квазибинарные сильно разбавленные (статистические) твердые растворы, концентрационные свойства которых меняются монотонно. Поэтому, предположение о случайном распределении примеси лежит в основе теории энергетического спектра сильно легированных полупроводников и процессов рассеяния свободных носителей заряда в них. Однако исследование эффектов легирования в соединениях АП1ВУ с примесью шестой группы показало, что зависимости ряда параметров от концентрации примесей теряют свое монотонное поведение в области концентра

18 3 19 3 ции примеси 10 см" <Л^< 10 см" .

Так, при изучении спектров инфракрасного отражения и поглощения, стационарной фотолюминесценции в монокристаллах СаАя'.Те при концентрациях свободных носителей заряда щ=2- 1018см° было обнаружено уменьшение спектрального параметра, характеризующего доминирующий механизм рассеяния свободных носителей заряда [4], увеличение времени жизни плазмонов [5], увеличение интенсивности краевой фотолюминесценции [6], появление новой полосы фотолюминесценции с энергией максимума /?й)тах^1,48эВ при Т=77К [7].

Такие изменения интерпретируются с точки зрения упорядочения в примесной подсистеме. Для интерпретации привлекаются различные предположения: в твердых растворах в результате взаимодействия между донорами возможно образование фазы упорядочения в виде сверхрешетки доноров при критических концентрациях примеси N„¡,-{2^3)-10,8см"3 [4, 5]; в монокристаллах СаАя легированных примесью VI группы донор-новакансионные комплексы Ус,аобладают свойствами дипольных центров; в системе дипольных центров РсйД/* возможен фазовый переход в состояние с ненулевой поляризацией (сегнетоэлектрический-сегнегоэластический фазовый переход) при критической концентрации

18 3 свободных носителей заряда щ=2-\0 см"" и критической температуре Г0~ЗООК [8].

Однако существующие модели не учитывают всех наблюдаемых изменений свойств материала с ростом уровня легирования или предсказывают такие изменения параметров материала, которые в эксперименте не наблюдаются.

В данной работе сделано предположение, что упорядочение дефектов, позволяющее объяснить экспериментальные данные, можно рассматривать как переход из состояния с неоднородным распределением примесных дефектов в состояние с их пространственно коррелированным распределением. Такой переход рассматривается как структурное превращение, так как корреляция в распределении примесей и примесных дефектов, т.е. их взаимодействие (например, кулоновское отталкивание и притяжение), приводит к перестройке ближнего порядка.

Цель настоящей работы заключается в исследовании особенностей концентрационных зависимостей параметров, описывающих энергетический спектр и процессы рассеяния свободных носителей заряда в монокристаллах ОаАБ'.Те, выращенных методом Чохральского, с концентра* 17 18 Я цией свободных носителей заряда 10 <я0<5-10 см"", и в объяснении этих особенностей с привлечением модели корреляции ближнего порядка.

В соответствии с целью работы были поставлены следующие задачи:

1. Исследование влияния уровня легирования на спектральную зависимости краевой фотолюминесценции в температурном диапазоне 6-^-3 00К серии монокристаллов СаАз:Те.

2. Исследование влияния уровня легирования па спектральную зависимость коэффициента поглощения электромагнитного излучения вблизи края фундаментального поглощения при ЗООК в серии монокристаллов СаАя'-Те.

3. Исследование доминирующих механизмов рассеяния при ЗООК в серии монокристаллов Ga.As-.Te на основе анализа спектров инфракрасного (ИК) поглощения и отражения.

Научная новизна работы заключается в следующем. Для монокристаллов СаАБ'.Те, выращенных методом Чохральского, с концентрацией

17 18 3 свободных носителей заряда 10 <щ<5• 10 см" впервые:

- обнаружено, чго во всем исследуемом концентрационном диапазоне высокотемпературные (ЗООК) спектры фотолюминесценции обусловлены только рекомбинацией свободных электронов со свободными дырками, а низкотемпературные спектры (6К) — только рекомбинацией свободных электронов с дырками, локализованными в состоянии гауссова хвоста плотности состоянии валентной зоны;

- обнаружено, что концентрационные зависимости параметров, описывающих энергетический спектр свободных носителей заряда, а именно: химического потенциала, среднеквадратичной флуктуации примесного потенциала, сужения запрещенной зоны имеют немонотонный-характер;

- показано, что учет корреляции ближнего порядка в распределении примесных дефектов позволяет объяснить снижение величины спектрального параметра и уменьшение коэффициента поглощения, обусловленного рассеянием на ионах примеси, в области концентраций свободных носителей заряда /7()>2-10'8см~"\

На защиту выносятся следующие положения:

1. В монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского, легированных теллуром, в области концентрации свободных

17 3 13 3 носителей заряда 7-10 см"</7о<2-10 см" значения химического потенциала и сужения запрещенной зоны лежат ниже теоретических. Уменьшение данных параметров обусловлено дополнительным искажением закона дисперсии у дна зоны проводимости и искажением кристаллической структуры вследствие наличия крупномасштабных флуктуаций в распределении примесных дефектов.

2. В монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чох-ральского, легированных теллуром, в области концентрации свободных

I ^ 3 носителей заряда ио>2-10 см" обнаружено уменьшение величины среднеквадратичной флуктуации примесного потенциала. Кулоновское взаимодействие между примесными дефектами инициирует переход от состояния с неоднородным распределением примесных дефектов в состояние с их пространственно коррелированным распределением.

3. В монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чох-ральского и легированных теллуром, уменьшение величины коэффициента поглощения инфракрасного излучения свободными носителями заряда и ослабление его спектральной зависимости при л0>2-Ю18см"3 обусловлено корреляцией ближнего порядка в распределении примесных дефектов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, изложенных на 138 страницах текста и включает 53 рисунка, I таблицу, список литературы из 164 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Сидоров, Евгений Николаевич

Основные результаты и выводы диссертационной работы заключаются в следующем:

1. На основании исследования спектральной зависимости краевой фотолюминесценции серии монокристаллов ОаАя:Те, выращенных методом

17 18

Чохральского, с концентрацией свободных носителей заряда 10 <я()<5-10 о см" установлено, что краевая люминесценция при температуре 300 К определяется только рекомбинацией свободных электронов и свободных дырок и полуширина спектра определяется- величиной химического потенциала, а краевая люминесценция при температуре 6 К определяется только рекомбинацией свободных электронов и дырок, локализованных в состояниях «гауссова хвоста» валентной зоны и полуширина спектра определяется величиной среднеквадратичной флуктуации примесного потенциала.

2. На основе анализа спектральной зависимости краевой люминесценции монокристаллов СаАх'.Те при температурах 6 и 300 К обнаружено, что концентрационные зависимости величин химического потенциала /и(щ), сужения запрещенной зоны АЕё(щ) и среднеквадратичной флуктуации примесного потенциала к(яо) имеют немонотонный характер. В ин

17 1 о тервале концентраций 7-10 <щ<\,5-10 см"': экспериментальные значения /л и Алежат ниже теоретических, что свидетельствует о дополнительном искажении закона дисперсии и искажении кристаллической решетки с доминированием деформации сжатия; экспериментальные значения уьм превышают теоретические, что свидетельствует об увеличении неоднородности в распределении примеси.

3. На основе анализа спектральной зависимости коэффициента поглощения электромагнитного излучения под краем фундаментального поглощения монокристаллов ОаАя:Те при 300 К показано, что: концентрационная зависимость величины сужения запрещенной зоны, количественно согласуется с аналогичной зависимостью, полученной из анализа спектров фотолюминесценции; концентрационная зависимость среднеквадратичной флуктуации примесного потенциала ^/,.зоок(^о) У края валентной зоны качественно согласуется с зависимостью Уш<(Ро), полученной из анализа спектров фотолюминесценции;

1Я 3 в области концентраций «о>2-10 'см" значения ун.шж и Жбк уменьшаются, что свидетельствует об уменьшении вероятности больших флук-туаций в распределении примесных дефектов.

4. На основании теоретического изучения спектральной зависимости коэффициента поглощения свободными носителями заряда показано, что привлечение модели корреляции ближнего порядка позволяет объяснить уменьшение величины коэффициента поглощения, обусловленного рассеянием на ионах примеси и ослабление его спектральной зависимости в области поглощения свободными носителями заряда.

Научная ценность и практическая значимость работы. Арсенид галлия, в т.ч. монокристаллический, остается одним из основных материалов в современной микро- и оптоэлектронике, а также является модельным объектом для изучения различных оптических и кинетических явлений в соединениях АтВу, твердых растворах и структурах на их основе. Особенностью легированного п-ОаАБ является наличие избыточного дефскгооб-разования и неоднородного распределение примеси, что ухудшает его эксплуатационные качества. Процессы корреляции и упорядочение в распределении примесных дефектов, обнаруженные в легированном GaAs:Te, уменьшают градиенты внутренних механических напряжений в кристалле, делая данный материал более привлекательным с практической точки зрения.

В работе на примере GaAs:Te получено экспериментальное подтверждение теории краевой люминесценции сильно легированных полупроводников [103], согласно которой, вклад переходов, связанных с рекомбинацией носителей, локализованных в состояниях хвостов плотности состояний, в формирование спектров фотолюминесценции возрастает с понижением температуры. Поэтому практический интерес представляет исследование спектров фотолюминесценции легированных полупроводников при температуре вблизи абсолютного нуля, анализ которых позволяет экспериментально определять величину среднеквадратичной флуктуации примесного потенциала.

В работе на примере GaAs:Te развит подход к учету влияния корреляции в примесной подсистеме на спектральную зависимость коэффициента поглощения свободными носителями заряда на основе структурного фактора. Данный подход может быть использован при анализе корреляционных явлений в других полупроводниковых системах.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на следующих научных форумах: XXIV научной студенческой конференции ОмГУ (Омск, 2000); Второй всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000); IX Республиканской научной конференции студентов, магистрантов и аспирантов (Гродно, 2001); 21rd International Conference on Defects in Semiconductors (Giessen Germany, 2001); Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга, 2002); Восьмой Российской конференции "GaAs-2002" (Томск,

2002); Четвертой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002); Девятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург-Красноярск, 2003); VI Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск-Сочи, 2004); XI Республиканской научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов по физике конденсированного состояния (Гродно, 2003); Всероссийской молодежной конференции "Под знаком "сигма" (Омск, 2003, 2005); Девятой конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы I1I-V» (Томск, 2006).

Публикации. Материалы диссертационной работы изложены в 21 работах, 2 из которых представляют публикации в рецензируемых научных журналах.

Личный вклад автора в получение результатов настоящей работы заключается в подготовке образцов, проведении измерений спекфов фотолюминесценции, пропускания и отражения, обработке экспериментальных данных, разработке программного обеспечения для анализа спектров, анализе и обсуждении результатов, формулировке выводов, подготовке публикаций к печати.

Благодарности. Автор глубоко признателен научному руководителю Давлеткильдееву H.A., коллегам и соавторам Богдановой В.А., Коро-тенко A.A., Нукенову М.М. за плодотворное творческое общение, постоянную и разностороннюю помощь и поддержку во время работы над диссертацией. Автор чтит светлую память о первом наставнике, докторе физико-математических наук, профессоре Семиколеновой Надежде Александровне, идеи и советы которой оказали огромное влияние на постановку задач исследования, а ценные замечания и постоянное внимание к работе способствовали се позитивному развитию и совершенствованию.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей диссертационной работе было проведено исследование особенностей концентрационных зависимостей параметров, описывающих энергетический спектр и процессы рассеяния свободных носителей заряда в монокристаллах ОаАБ'.Те, выращенных методом Чохральского с концентрацией свободных носителей зарядов 10|7<я0<1019 см"3, и указанные особенности были объяснены с привлечением модели корреляции ближнего порядка.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сидоров, Евгений Николаевич, 2010 год

1.М. Богатов, Э.Н. Хабаров. Взаимодействие структурных компонентов в полупроводниковых твердых растворах. Краснодар: Кубанский университет, 2001. -112с.

2. Е.А. Балагурова, Э.Н. Хабаров. Упорядочение твердых растворов в системах Ge-Si, InAs- CdTe, HgTe-CdTe // свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск: ТГУ, 1978, с.3-21.

3. C.B. Цибуля. Рентгеноструктурный анализ нанокристаллов: развитие методов и структуры метастабильных состояний в оксидах металлов несте-хиометрического состава. Автореферат на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. Новосибирск, 2004.

4. Балагурова Е.А., Греков Ю.Б., Кравченко А.Ф., Прудникова H.A., Прудников В.В., Семиколенова H.A. Изменение механизма рассеяния в арсени-де галлия я-типа с легированием // Физика и техника полупроводников— 1985.-Т.19.-Вып.9.-С. 1566-1570.

5. Семиколенова H.A. Поляритоны в арсениде галлия «-типа // Физика и техника полупроводников-1988.-Т.22.-Вып.1.-С. 137-140.

6. Богданова В.А., Семиколенова H.A. Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов // Физика и техника полупроводников—1992.—Т.26.-№5.-С. 818-821.

7. В.А Богданова. Оптические свойства сильно легированного арсенида галлия я-типа // Автореферат на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук.-Омск.-1994.

8. Прудников В.В., Прудникова И.А. Фазовые переходы в пьезоэлектриках, обусловленные системой дипольных центров //Кристаллография.— 1992.— Т.37.-№5.-С. 1093-1099.

9. И.Е. Рогачева, H.K. Жигарева, А.Б. Иванова. Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 24, 1629(1988).

10. И.Е. Рогачева. Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 25, 754 (1989).

11. E.I. Rogacheva, N.A. Sinelnik, O.N. Nashchekina. Acta Phys. Polon. (A), 84, 729,(1993).

12. И.Е. Рогачева, И.М. Кривулькин. Температурные h концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах РЬТе-МпТе // Физика и техника полупроводников.-2002.- Том 36.- Вып. 9.-С. 1040-1044.

13. E.I. Rogacheva, I.M. Krivulkin, V.P. Popov, T.A. Lobkovskaya. Phys. St. Sol. (a), 148, K65 (1995).

14. E.I. Rogacheva, I.M. Krivulkin. Inst. Phys. Conf., No 152, 831 (1998).

15. E.I. Rogacheva, A.S. Sologubenko, I.M.Krivulkin. Inorg. Mater., 34, 545 (1998).

16. E.I. Rogacheva. Japan. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32-3, 775 (1993).

17. Т.Судзуки, X. Есинага, С. Такеути. Динамика дислокаций пластичность. (М., Мир, 1989).

18. Б.И. Шкловский, A.J1. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

19. Дж. Займан. Модели беспорядка. Теоретическая физика однородно неупорядоченных систем: Пер. с англ. -М.: Мир, 1982. 592 с.

20. Келдыш JI.B., Прошко Г.П. Инфракрасное поглощение в сильно легированном германии. ФТТ, 1963, т.5,с. 3378.

21. Балагурова Е.А., Греков Ю.Б., Прудникова И.А., Семиколенова H.A., Шабакин В.П. Поглощение инфракрасного излучения свободными носителями в соединениях типа AmBv // 1984,-Физика и техника полупроводников.- Том 18.- Вып. в.- С. 1011-1015.

22. Haga Е., Kimura H., J.Phys.Soc.Japan, 1964,v.l9,№4, p.471-481.

23. Spitzer W.G., Whelan J.M. Phys.Rev., 1959, v.l 14, №1, p.59-63.

24. Несмелова И.М., Барышев H.C., Пырегов Б.П. Оптические свойства ар-сеиида индия п-типа. Опт. и спектр., 1969, т.27, в.4, с. 661-664.

25. Кесаманлы Ф.П., Мальцев Ю.В., Наследов Д.Н., Николаева Л.А., Пивоваров М.Н., Скрипкин В.А., Уханов Ю.И. О структуре зоны проводимости арсенида индия. ФТП, 1969, т.З., в.6, с. 1182-1187.

26. Демиденко З.А. О поглощении света свободными носителями в полупроводниках с непараболической зоной. ФТП, 1970, т.4, в.11, с.2106-2114.

27. Балагурова Е.А., Греков Ю.Б., Прудникова H.A., Семиколенова H.A., Шляхов А.Т. Природа фазового перехода в арсениде галлия, легированном элементами VI группы // 1986.- Неорганические материалы.- Том 22.- №4.-С.540-543.

28. H.R. Chandrasekhar, A.K. Ramdas. Nonparabolicity of the conduction band and the coupled plasmon-phonon modes in n-GaAs // Phys.Rev.В.-1980.-V.21.-№4.-P.1511-1515.

29. Евдокимов B.M., Кухарский A.A., Субашиев B.K. Зависимость времени жизни оптических фононов в арсениде галлия от концентрации дырок и электронов. ФТП, 1970, т.4, в.З, с.573-576.

30. Kukharski A.A. Sol.St.Commun., 1973, v. 13, p.l 761-1765.

31. Давлеткильдеев H.A. Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия п-типа // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук.-Омск —2000.

32. Хабаров Э.Н. Области примесных твердых растворов на основе матрицы собственного полупроводника// Свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск: ТГУ, 1978, с.22-34.

33. Несмелова И.М., Семиколенова H.A., Хабаров Э.Н. Исследование механизма взаимодействия примесей а арсениде индия. // ФТП.- 1978.- Т. 12,-В.Ю.- С.1915-1920.

34. Prudnikov V.V. et al. Phys. Stat. Sol. (b), 181, 87 (1994).

35. Емцев B.B., Машовец T.B. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981, 248 е., ил.

36. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Изв. вузов. Физика, 1980, №1, с.7-22.

37. Мильвидский М.Г. Стехиометрия и дефектообразование в соединениях А1ИВУ. Итоги науки и техники, сер. Электроника и ее применение. М.: ВИНИТИ, 1979, т.11, с.105-141.

38. Miller M.D., Olsen G.N., Ettenberg М. Appl. Phys. Lett., 1977, v.31, p. 538-540.

39. Bhattacharya P.K., Ku J.W., Owen S.J. e.a. Appl. Phys. Lett., 1980,, v. 36, p.304-306.

40. Воронов И.Н., Смирнов B.A., Эйдензон A.M. Кристаллография, 1979, т. 24, с. 1259-1266.

41. Blom G.M. J. Crystal Growth, 1976, v. 36, p. 125-137.

42. Инденбом B.Jl., Житомирский И.С., Чебанова T.C. Кристаллография, 1973, т. 18, с. 39-48.

43. Jordan A.S., Von Neida A.R., Caruso R. Electrochem. Soc., 1974, v. 121, p. 153-159.

44. Вильке Ю., Бублик В.Т., Брагинская А.Г. и др. — Расширенные тезисы VI Международной конференции по росту кристаллов. М.: Изд-во АН СССР, 1980, т. 4, с. 328-329.

45. Holt D.L. J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 3197-3204.

46. Morgan D.V., Wood D.R. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v. 23, p. 325-329.

47. Освенский В.Б., Холодный Л.П. ФТТ, 1972, т. 14, с. 3330-3335.

48. Driscoll С. M. Н., Willoughby A. F. W. In: Defect in Semicond., Conf. Ser. L.: Institute of Physics, 1972, p. 377-382.

49. Driscoll С. M. H., Willoughby A. F. W. J. Materials Sci., 1974, v. 9, p. 1615-1623.

50. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974, 391с., ил.

51. Анастасьева Е.М., Бублик В.Т., Мильвидский М.Г. и др. Кристаллография, 1978, т. 23, с. 314-319.

52. Mullin J.B., Stranghan B.W., Driscoll С.М.Н. е.а. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, p.2584-2589.

53. Hutchinson P.W., Dobson P.S. Interstitial condensation in n-GaAs // J. Mater. Sci.-1975 .-V. 10.-№9.-P. 163 6-1641.

54. Dobson P.S., Fewster P.F., Hurle D.T.J., Hutchinson P.W., Mullin J.B., Straughan B.W., Willoughby A.F.W. In: Defects and radiation effects in scmi-cond., 1978, Conf.Ser.№45. Bristol-L, The Inst, of Phys., 1979.-№45, P. 163172.

55. Fewster P.F. A defect model for undoped and tellurium doped gallium arsenide//J.Phys.Chem.Solids.-1981.-V.42.-№10.-P.883-889.

56. Мильвидский М.Г., Пелевин O.B. Поведение легирующих примесей элементов VI группы в арсениде галлия // Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1967.- Т.З. - №7. - С.1159-1164.

57. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.:Наука, 1967. -415с.

58. Глазов В.М., Смирнова Е.Б. Исследование взаимосвязи концентрации электронов с растворимостью селена в антимониде индия // ФТП.-1983.-Т.19.-№9.-С. 1592-1595.

59. Глазов В.М., Нагиев В.Н. Концентрационная зависимость числа носителей заряда при легировании арсенида индия элементами донорного и акцепторного типа и ее связь с пределом растворимости // ФТП.-1974.-Т.8.-№1.-С.131-136.

60. Глазов В.М., Нагиев В.А. Исследование легирования фосфида индия. В сб. Легированные полупроводники. М.: Наука.-1975.-С.56-60.

61. Глазов В.М., Нагиев В.А. Рзаев Ф.Р. О взаимосвязи между растворимостью и концентрацией носителей заряда при сильном легировании фосфида индия элементами донорного и акцепторного типов // ФТП.-1963.-Т.7.-№2.-С.280-285.

62. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977.-240 с.

63. Уфимцев В.Б., Крестовников А.И. К физико-химической природе по-литропии примесей в полупроводниках // Изв. АН СССР. Неорганич. матер.- 1968 .-Т.4.-№9.-С. 1578-1583.

64. Уфимцев В.Б., Гимельфарб Ф.А. Исследование характера химических взаимодействий в сильно легированных кристаллах типа AmBv // Изв. АН СССР. Неорганич. матер.-1973.-Т9.-№12.-С.2073-2077.

65. Бульянков Н.А., Фистуль В.И. О механизме образования донорных комплексов в сильно легированном германии и кремнии // ДАН СССР.-1968.-Т. 180.-№6.-С.1415-1418.

66. Williams E.D. Evidens for self-activated luminescence in GaAs: the gallium vacancy-donor center // Phys.Rev.-1968.-V.168.-№3.-P.922-928.

67. Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V. The role of different local centers in the determination of the concentration dependence of the intrinsic emission intensity in n-type GaAs // Phys.Stat.Sol.(a).-1978.-V.45.-P.K91-K94.

68. Освенский В.Б., Холодный Л.П., Мильвидский М.Г. Исследование дефектов в арсениде галлия методом внутреннего трения // ФТТ.-1971 .-Т. 13.-№7.-С.2135-2138.

69. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Фистуль В.И., Омельяновский Э.М., Гришина С.П. Влияние термообработки на электрические свойства сильно легированного арсенида галлия п-типа // ФТП.-1967.-Т. 1.-№7.-С.969-974.

70. Logan R.M. Analysis of heat treatment and formation of gallium-vacancy-tellurium complexes in GaAs // J.Phys.Chem.Sol.-1971.-V.32.-№8.-P. 17551760.

71. Hurle D.T.J. Solubility and point defect-dopant interaction in GaAs // J.Phys.Chem.Sol.-1979.-V.40.-№8.-P.627-637.

72. Hwang C.J. Effect of heat treatment on photoluminescence of Те doped GaAs // J.Appl.Phys.-1969.-V.40.-№4.-P.1983-1984.

73. Hwang C.J. Optical properties of n-type GaAs // J.Appl.Phys.-1969.-V.40.-№11.-P.4584-4590.

74. Nishizawa J., Otsuka H., Yamakochi S., Ishida K. Nonstoichiometry of Те doped GaAs // Jap.J.Appl.Phys.-1974.-V.13.-№l .-P.46-56.

75. Hutchinson P.W., Dobson P.S. The nature of defects in n gallium arsenide // Phil.Mag.-1974.-V.30.-№1.-P.65-73.

76. Hurle D.T.J. Revised calculation of point defect equilibria and nonstoichiometry in GaAs // J.Phys.Chem.Solids.-1979.-V.40.-P.613-623.

77. Chiang S.Y., Pearson G.L. Photoluminescence of vacancies and vacancy-impurity complexes in annealed GaAs // J. of Luminescence.-1975.-V. 10.-№5.-P.313-322.

78. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Морозов Е.П., Третьяков Д.Н. Спектры фотолюминесценции GaAs при высоких уровнях легирования некоторыми элементами IV и VI группы // ФТП.-1967.-Т.1.-№11.-С. 1702-1705.

79. Вакуленко О.В., Новиков Н.Н., Скрыщевский В.А. Фотолюминесценция арсенида галлия, легированного теллуром // ФТП.-1981.-Т.15.-№5.-С. 10051008.

80. Буянова И.Я., Остапенко С.С., Шейкман М.К. Поляризованная люминесценция глубоких центров в монокристаллах GaAs:Sn(Te) // ФТТ.-1985.-Т.27.-№3.-С.748-756.

81. Schaefer Th., Knauf H., Lohmann E., Vianden R., Frcitag K. PAC investigation of the shallow donor environment in GaAs // Nucl.Instr. and Meth. in Phys.Res.-1992.-V.63.-№ 1-2.-P.227-230.

82. Sette F., Pearton S J., Poate J.M., Rowe J.E. Local structure of S impurities in implanted GaAs // Nucl.Instr. and Meth. in Phys.Res.-1987.-№ B19-20.-P.408-412.

83. Delerue C. Electron structure and electron-paramagnetic-resonance properties of intrinsic defects in GaAs // Phys.Rev.B.-l 99 l.-V.44.-№19.-P. 1052510535.

84. J. Gebauer, M. Lausman, T.E.M. Staab, R. Krause-Rehberg, M. Hakala, M.J. Puska. Phys. Rev. B.-1999.-V.60.-P.1464.

85. J. Gebauer, E.R. Weber, N.D. Jager, K. Urban, Ph. Ebert. Determination of the charge carrier compensation mechanism in Te-doped GaAs by scanning tunneling microscopy // Appl.Phys.Let.-2003.-V.82.-№3.-P.2059-2061.

86. G. Dlubek, R. Krause, Phys. Stat. Sol. A.-1987.-V.102.-P.443.

87. Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V., Zayats N.S. A new (non-copper-induced) 1.35eV emission band in n-type GaAs // Phys. St. Sol. (a).-1984.-V.82.-P.503.

88. Глинчук К.Д., Коваленко В.Ф., Прохорович А.В. О природе центров, обуславливающих появление полосы люминесценции с ЙшП1ах=1.35эВ в сильно легированных кристаллах «-GaAs // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев.—1992.—№22— С.46-50.

89. Н.С. Задорожпый, В.Ф. Коваленко, В.Д. Лисовенко, М.Г. Мильвидский, А.В. Прохорович. Кристаллография, 36, 958 (1991).

90. J. Kossut, W. Dobrowolski, Z. Wilamowski, Т. Dietl, К. Swiatek. Correlation of donor electrons in diluted magnetic semiconductors with iron // Semi-cond.Sci.Technol.-1990.-№.5.-P.260-265.

91. H.C. Casey, Jr. Stern, F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976).

92. D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980).

93. J. De-Sheng, Y. Machita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 53, 999 (1982).

94. G. Borhgs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989).

95. T. Lideiskis, G. Treideris. Semicond. Sci. Technol., 4, 938 (1989).

96. S.I. Kim, M.S. Kim, S.K. Min, C. Lee. J. Appl. Phys., 74, 6128 (1993).

97. N.-Y. Lee, K.Y. Lee, C. Lee, J.-E. Kim, H.Y. Park, D.-H. Kwak, H.-C. Lee, H. Lim. J. Appl. Phys., 78^ 3367 (1995).

98. G.C. Jiang, Y. Chang, L.-B. Chang, Y.-D. Juang, S. Lu. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 42 (1995).

99. B.A. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, C.B. Жоховец, М.В. Прокопеня. Энергетический спектр электронных состояний в сильно легированных кристаллах арсенида галлия // ФТП.-1984.-Т.18.-№12.-С.2193-2198.

100. D.M.Szmyd, p. Porro, A. Majerfeld, S. Lagomarsino. J. Appl. Phys., 68, 2367(1990).

101. Wigner E.P. Phys. Rev., 1934, v. 46, p. 1002.

102. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. ФТП, 1970, т. 4, с.305.

103. А. П. Леванюк, В.В. Осипов. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. // Успехи физических наук. — т. 133. вып. 3. — с.427-477.- 1981.

104. H.B. Bebb, E.W. Williams. Semicondactors and Semimetals (N.Y., Academic Press, 1972) p276.

105. E.H. Сидоров. Исследование примесного упорядочения в GaAsÇTe) методом фотолюминесценции // Программа XXIV научной студенческой конференции ОмГУ Омск: Омский госуниверситет, 2000. — 47с.

106. В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, H.A. Семиколенова, E.H. Сидоров. Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов // ФТП.-2002.-Т.36.-Вып.4.-С.407-411.

107. М.Е. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (London World Scientific, 1996) v.l, p.79.

108. S.C. Jain, D.J. Roulston. Solid State Electron., 34, 453 (1991).

109. R.A. Abram, G.N. Childs, P.A. Saunderson. J. Phys. C, 17, 6105 (1984).

110. B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 33, 8582 (1986).

111. H.S. Bennett. J. Appl. Phys., 60, 2866 (1986).

112. P. Van Mieghem. Rev. Mod. Phys., 64, 755 (1992).

113. B.JT. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников // М-Наука—1977.-С.626.

114. Р.А. Wolff. Phys. Rev., 126, 405 (1962).1 17 A. Glodeanu. Rev. Roum. Phys., 26, 945 (1981).

115. В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, Е.Н. Сидоров, II.А. Семиколе-нова. Влияние пространственной корреляции примесных дефектов на оптическое поглощение с участием флуктуационных уровней в n+-GaAs П Вестник омского университета—2005—№2.-С.30-32.

116. В.А. Богданова, Е.Н. Сидоров. Исследование спектров края фундаментального поглощения в объемных сверхструктурах на основе n-GaAs // Материалы III всероссийской научной молодежной конференции «Под знаком Сигма», Омск. -2005. С. 113-114.

117. А.Л. Эфрос. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильнолегированных полупроводниках. УФН, 111, 451 (1973).

118. A. Iribarren, R. Castro-Rodriguez, V. Sosa, J.L. Репа. Band tail parameter modeling in semiconductor materials. Phys. Rev. 58, 1907 (1998).

119. Van Meighem P. Theory of band tails in heavily doped semiconductors. Reviews of Modern Physics. 64, 755 (1992).

120. B.I. Halperin, M. Lax Impurity-Band Tails in the High-Density Limit. I. Minimum Counting Methods. Phys. Rev.148, 722 (1966).

121. Джонсон E. Оптические свойства полупроводников / Под. ред. Р. Уил-лардсона, А. Бира. М.: Мир, 1970, С.263.

122. E.H. Сидоров, H.A. Семиколенова. Снижение примесного рассеяния в монокристаллах GaAs:Te в области примесного упорядочения // Материалы всероссийской научной молодежной конференции «Под знаком Сигма», Омск. 2003.- С.44-45.

123. В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, E.H. Сидоров, H.A. Семиколенова. Влияние пространственной корреляции примесных дефектов на поглощение свободными носителями заряда в n+-GaAs // Вестник омского университета—2004.—№4.—С.37-39.

124. S. Visvanathan. Phys. Rev. 120, 276(1960).

125. В.Л. Гуревич, И.Г. Ланг, Ю.А. Фирсов. ФТТ, 4, 1252(1962).

126. Е.П. Рашевская, В. Фистуль. ФТП, 9, 3618(1964).

127. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977).

128. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986).

129. Т.А. Алиев, Ф.М. Гашимзаде. ФТП, 6, 458(1972).

130. Е.П. Рашевская, В.И. Фистуль. ФТТ, 9, 3618 (1967).

131. R. Krause-Rehberg, H.S. Leipner, A. Kupsch, A. Polity, Th. Drost. Phys. Rev. В, 49, 2385(1994).

132. J. Mycielski. Solid State Communication, 60, 165(1986).

133. J. Kossut, Z. Wilamowski, T. Dietl, K. Swiatek. Acta Physica Polonica. A, 79, 49(1991).

134. A.F. Levi, S.L. McCall, P.M. Platzman. Appl. Phys. Lett., 54, 940(1989).

135. B.A. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, C.B. Жоховец, M.B. Прокопеня. Природа неосновных примесных состояний в сильно легированных кристаллах // ФТП.-1985.-Т.19-№9.-С.1660.

136. Monroe Don. Intersite Coulomb repulsion and intrasite attraction for DX centers in GaAs // J.Phys.Lett.-1991.-V.59.-№18.-P.2293-2295.

137. E. Gerlach, P. Grosse. Festkörperprobleme XVII (Braunschweig, F. Vieweg & Sohn, 1977) p. 157.t

138. A. Ron, N. Tzoar. Phys. Rev., 131, 1943 (1963).

139. B.A. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, H.A. Семиколенова, E.H. Сидоров. Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов в сильно легированном GaAs'.Te II ФТП.-2006-Т.40.-Вып.2.-С.166-168.

140. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела // М.: Наука.—1978.-751 С.

141. Ю.И. У ханов. Оптические свойства полупроводников // М.: Наука — 1977.-366С.

142. В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, H.A. Семиколенова, E.H. Сидоров. Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на параметры связанных плазмон-^О-фононных мод в монокристаллах GoAs:Te II Вестник омского университета.-2009.—№.2.-С. 127-131.

143. A. G. Kozorezov, J. К. Wigmore and M. Giltrow. Decay of coupled Plas-mon-phonon modes in heavily doped semiconductors // J. Phys.: Condens. Metter 9 (1997) 4863-4874.

144. Jerzy Mycielski, Andrzej Mycielski. Free-carrier absorption by photon-ionized-impurity-plasmon processes in polar semiconductors // Phys.Rev.B, V. 18, Number 4, 1978, pp. 1859-1867.

145. Stefan Goettig. Optical absorption by electron plasma in multivalley polar semiconductors with impurities // J. Phys. C. : Solid State Phys., vol. 17, 1984, pp. 4463-4478.

146. W. Szuszkiewicz, A.M. Witowski and K. Karpierz. (Tu-P-18) transmission and reflectivity measurements in highly doped GaAs in the infrared II Acta Physica Polonica, v. A69, No. 5, 1986, pp. 893-896.

147. K. Karpierz, W. Szuszkiewicz, A.M. Witowski. (We-P-20) far-infrared optical properties of highly doped n-GaAs // Acta Physica Polonica, v. A71, No. 2, 1987, pp. 311-313.

148. Vu Hai Son, K. Karpierz, W. Szuszkiewicz. (Tu-P-13) free-carrier absorption in GaAs at 77K and 300K // Acta Physica Polonica, v. A73, No. 3, 1988, pp. 353-356.

149. W. Szuszkiewicz, P. Sobkowicz, B. Witkowska, W. Bardyszewski, C. Julien and M. Balrfnski. Influence of impurity charge correlation on free-carrier absorption // Acta Physica Polonica A, Vol. 84, No. 3, 1993.

150. B.A. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, M.M. Нукенов, H.A. Семиколе-нова, E.H. Сидоров. Влияние пространственной корреляции примесных дефектов на снижение уровня упругих напряжений в n+-GaAs. II Вестник Омского университета.-2005.-№4.-С.45-47.

151. В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, М.М. Нукенов, Н.А. Семиколе-нова, Е.Н. Сидоров. Самоорганизация примесных дефектов при распаде твердого раствора на основе соединения GaAs:Te. II Девятая конференция

152. Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 3-5 октября 2006).

153. В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, М.М. Нукенов, H.A. Семиколенова. Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на микромеханические свойства монокристаллов GaAs'.Te // ФТТ.-2008.-Т.50,-вып.2.-С.236-241.