Пироэлектрический и фотовольтаический эффекты в неоднородных сегнетоэлектрических структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Солнышкин, Александр Валентинович

• Солнышкин, Александр Валентинович
• доктор физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Солнышкин, Александр Валентинович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНОЧНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ.

1.1. Пироэлектрические свойства сегнетоэлектрических кристаллических пленок.

1.2. Фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических пленках.

1.3. Сегнетоэлектрические полимеры и композиты на их основе.

1.3.1. Электрофизические свойства полимера РУИР и сополимеров.

1.3.2. Композиционные материалы на основе РУОР и его сополимеров.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА,

ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДЫ АНАЛИЗА РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Объекты исследования.

2.1.1. Сегнетоэлектрические структуры на основе пленок тиогиподифосфата олова ¿/^Л?^.

2.1.2. Тонкопленочные структуры на основе керамики цирконата титаната свинца.

2.1.3. Пленочные структуры композитов на основе сополимера Р(УПР-ТгРЕ) с включениями кристаллических сегнетоэлектриков.

2.1.4. Объемные сегнетоэлектрические материалы.

2.2. Динамический метод исследования пироэлектрических свойств тонких сегнетоэлектрических пленок.

2.2.1. Методика определения величины пирокоэффициента в тонких сегнетоэлектрических пленках.

2.2.2. Методика определения направления и степени самополяризации в сегнетоэлектрической пленке.

2.3. Описание экспериментальных установок.

2.4. Методика исследования пироэлектрических свойств динамическим методом с использованием синусоидальной модуляции теплового потока.

2.5. Расчет величины температурных градиентов.

2.6. Методика расчета распределения величины пирокоэффициента (поляризации) по толщине сегнетоэлектрического образца.

ГЛАВА 3. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА - ПОЛУПРОВОДНИКА Sn2P2S6.

ЗЛ. Диэлектрические характеристики пленок S112P2S6.

3.2. Пироэлектрические свойства пленок S112P2S6.

3.3. Нестационарный фототок короткого замыкания (НФТКЗ) в пленках S112P2S6.

3.4. Влияние фотоактивной подсветки на НФТКЗ.

3.5. Разделение вкладов пироэлектрического и фотовольтаического откликов.

3.6. Эффекты старение в пленках Sn2P2S6.

3.7. Электропроводность и фотопроводимость пленок Sn2P2S6.

3.8. Возможные механизмы возникновения фототока короткого замыкания в пленочных гетероструктурах на основе Sn2P2S6.

ГЛАВА 4. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК PZT.

4.1. Диэлектрическая спектроскопия тонких пленок цирконата титаната свинца (PZT).

4.1.1.Пленки PZT состава Pb (Ti0 53 W0 0/ Cdn oi)03, сформированные на стальных подложках.

4.1.2.Гетероструктура перовскит - пирохлор на основе PbZr03Ti07O3.

4.2. Пироэлектрические свойства пленок состава

Pb(Ti0,45Z10.53W0,01 Cd0,0i)O3.

4.3. Влияние отжига на поведение пироотклика в пленках

Pb(Tio.45Zro.53 Wo.o 1 Cdo.o 1 )Оз.

4.4. «Встречная» поляризация в пленках Pb(Ti0.45Zr0.53W0.0iCd0.0i)O3.

4.5. Термостимулированные токи в пленках PZT.

4.6. Расчет формы электрических откликов тонкопленочных структур на импульсное тепловое воздействие.

4.7. Пиро- и фотоэлектрические свойства пленок PZT 25/75.

4.8. Распределение поляризации в пленках PZT 25/75.

4.9. Электронная эмиссия из тонких пленок PZT.

ГЛАВА 5. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК СОПОЛИМЕРА Р(УОР-ТгРЕ) И КОМПОЗИТОВ НА ЕГО ОСНОВЕ.

5.1. Диэлектрическая спектроскопия сополимера Р(УОР-ТгРЕ) и композитов на его основе.

5.1.1. Диэлектрические свойства сополимера Р(УОР-ТгРЕ).

5.1.2. Процессы переполяризации в сополимере Р(¥ОР-ТгРЕ).

5.1.3. Диэлектрические характеристики композитов на основе сополимера Р(УОР-ТгРЕ).

5.1.3.1. Композитные образцы Р(УОР-ТгРЕ)+ТГС.

5.1.3.2. Диэлектрические свойства пленок композита Р(УВР-ТгРЕ) +ВР2Т.

5.2. Пироэлектрические свойства пленочных образцов сополимера

Р(УТ)Р-ТгРЕ) и композитов на его основе.

ГЛАВА 6. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЪЕМНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ГЕТЕРОГЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ.

6.1. Пироэлектрический эффект в магнитоэлектрических композитах системы керамика Р7Т-феррит.

6.1.1. Слоистые магнитоэлектрические композиты связности 2-2.

6.1.2. Распределение поляризации в смесевых магнитоэлектрических композитах связности 0-3.

6.2. Пироэлектрические свойства релаксорных сегнетоэлектриков.

6.2.1. Пироэлектрический эффект и распределение поляризации в кристаллах

6.2.2. Пироэлектрические свойства керамик РМЫ и РМЫ-20РТ.

6.2.3. Приповерхностный слой в керамике цирконата титаната свинца, модифицированной лантаном.

6.3. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС в условиях температурного градиента.

6.3.1. Влияние постоянного температурного градиента на пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС.

6.3.2. Пироэлектрический эффект в кристаллах ДТГС в условиях нестационарного градиента температуры.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Пироэлектрический и фотовольтаический эффекты в неоднородных сегнетоэлектрических структурах»

Актуальность темы. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы находят широкое применение во многих областях современной техники: радиотехнике, гидроакустике, квантовой электронике, интегральной оптике и измерительной технике. В последнее время значительно возрос интерес к исследованиям физических свойств неоднородных полярных материалов как объемных, так и в пленочном исполнении. Данные структуры могут содержать неоднородности, обусловленные присутствием микро- и нановключений несегнетоэлектрической фазы, слои объемного заряда, «мертвые» слои и т.д. Практическая потребность их использования в качестве приемников электромагнитного излучения (сенсоров, датчиков излучения и температуры, тепловизоров и т.п.), энергонезависимых элементов памяти требует детального изучения особенностей поведения неоднородных полярных структур при различных внешних воздействиях. В частности, поглощенное электромагнитное излучение оптического диапазона наряду с пироэлектрическим током индуцирует стационарный и нестационарный фотовольтаические отклики. Их природа и взаимосвязь со спонтанной поляризацией остаются невыясненными. В связи с этим актуальной научной задачей являются исследования пироэлектрической и фотоэлектрической активности сегнетоэлектрических функциональных элементов с различным видом неоднородностей, а также выяснение взаимосвязи фотовольтаических и пироэлектрических явлений.

Одним из базовых материалов для вышеуказанных применений являются сегнетоэлектрические пленки, изготовлейные в виде петероструктур металл-сегнетоэлектрик-металл-подложка. Однако до настоящего времени свойства кристаллических пленок недостаточно исследованы. В частности, не определена роль поверхностных состояний и потенциальных барьеров вблизи интерфейсов гетероструктуры и границ зерен в формировании электрического отклика. Остается невыясненной природа нестационарных фотовольтаических и фотоэлектрических эффектов в сегнетоэлектрических структурах в пленочном исполнении. При анализе пироэлектрической активности недостаточное внимание уделяется механическим напряжениям, которые связаны с тепловыми деформациями подложек, электродов и других подслоев. Актуальным остается вопрос о влиянии перечисленных выше факторов на спонтанную (остаточную) поляризацию как исходных образцов, так и пленок, подвергавшихся воздействиям постоянного и переменного электрических полей, освещения и изменения температуры.

Неоднородными материалами также являются полярные композиты с различными типами связности и релаксорные сегнетоэлектрики, имеющие включения другой фазы. Свойства этих структур зависят от концентрации фаз в материале и электрофизических характеристик каждой из фаз. Отклик на внешнее воздействие (электрическое поле, механическое напряжение, изменение температуры и т.д.) является суммарным, определяемым откликами отдельных компонент системы, или определятся некоторым свойством, не присущим ни одной из составляющих фаз. В классических сегнетоэлектриках в результате внешних воздействий также может быть реализована ситуация, когда появляются неоднородности электрофизических характеристик. Это можно осуществить, в частности, созданием градиента температуры. Его наличие может приводить к появлению третичного пироэффекта, термополяризационного эффекта и возникновению нелинейных пироэлектрических явлений различной физической природы.

Цель работы.

Изучение влияния неоднородностей, обусловленных присутствием приповерхностных слоев объемного заряда, включений несегнетоэлектрической фазы, слоев с «замороженной» или нулевой поляризацией, областей с различными электрофизическими и теплофизическими характеристиками, на пироэлектрические, фотовольтаические и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических гетерогенных структур.

Объекты исследований. В качестве объектов исследования использованы: 1. Пленочные гетероструктуры на основе сегнетоэлектрика тиогиподифосфата олова (8п2Р2$б), имеющего ярко выраженные полупроводниковые свойства. Этот материал в пленочном исполнении удобен как объект для исследования влияния электронной подсистемы на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики, он позволяет изменять концентрацию неравновесных носителей в широких пределах путем освещения, так как обладает фотопроводимостью в видимой области спектра.

2. Пленки цирконата-титаната свинца РЬ^гхТ1]х)03 (PZT), являющиеся перспективными материалами для пироэлектрических и электромеханических устройств, а также создания элементов энергонезависимой памяти, в частности, с неразрушающим считыванием, которое можно реализовать, используя пироэлектрический или фотовольтаический эффекты. Это стимулирует повышенный интерес к изучению свойств гетероструктур, содержащих тонкие слои Р/Т.

3. Полимерные композиционные материалы на основе сополимера поли(винилиденфторида-трифторэтилена) Р(УОР-ТгНЕ) с добавлением керамики PZT, в частности, цирконата-титаната бария свинца (ВР2Т), и кристаллических сегнетоэлектриков группы триглицинсульфата (ТГС). Наличие кристаллических включений в полимерной матрице приводит к значительным изменениям электрофизических свойств, в частности, вызывает усиление пироэлектрического и пьезоэлектрического эффектов. Однако экспериментальные данные о свойствах подобных композитных материалов и теоретические представления о поведении их электрофизических характеристик являются достаточно противоречивыми.

4. Магнитоэлектрические композиты связности 2-2 с использованием керамических пластин цирконата-титаната свинца и никель-цинкового феррита (РгТ-М7п-феррит), связности 0-3 0.8 РЬ7г0.5зТ10.470з-0.2 Мпо^По.бРегС^ (0.8 Ргт-О.2 мг¥) и 0.8 РЬгго.5зТ1о.470з-0.2 №о.42по.6Ре204 (0.8 РгТ-0.2 Ш¥). Такие материалы являются альтернативой однофазных кристаллических мультиферроиков, которые обладают незначительным по величине магнитоэлектрическим эффектом, в отличие композиционных материалов, состоящих из ферромагнетиков и сегнетоэлектриков. Исследование пироэлектрического эффекта в этих объектах позволяет определять степень механической связи и контролировать степень поляризованности.

5. Релаксорные сегнетоэлектрики: ниобат бария стронция (8В1Ч), магнониобат свинца (РМ1Ч), магнониобат свинца с добавлением титаната свинца (РМ1Ч-РТ), цирконат-титанат свинца с примесью лантана (РЬ2Т). Они являются неоднородными системами, фазовый переход и свойства которых существенно размыты в широкой области температур, что связывается с появлением случайно распределенных внутренних полей и наличием областей упорядоченной и неупорядоченной фаз. Динамический метод исследования пироэлектрического эффекта позволяет изучать особенности поведения поляризации в данных материалах.

6. Кристаллы группы ТГС, являющиеся модельными сегнетоэлектриками, свойства которых достаточно хорошо можно описать в рамках феноменологической теории фазовых переходов. Они являются удобными объектами для исследования влияния искусственно созданных неоднородностей на свойства сегнетоэлектрических кристаллов.

Задачи исследования:

1. Изучение дисперсии комплексной диэлектрической проницаемости тонкопленочных гетероструктур на основе тиогиподифосфата олова (8п2Р2$б), цирконата титаната свинца (PZT) и сополимера винилиденфторида Р(\Т)Р-ТгРЕ) с целью получения информации о релаксационных процессах и характеристиках потенциальных барьеров вблизи интерфейсов пленочных гетероструктур и границ раздела.

2. Исследование пироэлектрических свойств неоднородных сегнетоэлектрических материалов с учетом механических деформаций, обусловленных взаимодействием пироэлектрически активных и пассивных составляющих гетероструктур. Создание модели, описывающей электрический отклик неоднородных сред на модулированное тепловое воздействие, при наличии пироэлектрического и пьезоэлектрического вкладов.

3. Проведение комплексных исследований фотовольтаических и фотоэлектрических эффектов и определение влияния спонтанной поляризации на неравновесную электронную подсистему пленочных сегнетоэлектрических структур на основе Бг^РгЗб и PZT.

4. Создание композитных материалов на основе полярных полимеров Р(УОР-ТгРЕ) с включениями керамических и кристаллических сегнетоэлектриков и исследование их физических свойств.

5. Анализ пироэлектрического отклика с целью восстановления распределения величины пироэлектрического коэффициента по координате в объемных неоднородных сегнетоэлектрических средах, имеющих приповерхностные слои с «замороженной» или нулевой поляризацией, области с различными электрофизическими и теплофизическими характеристиками.

Научная новизна.

1. Получена совокупность данных о диэлектрических, пироэлектрических и фотовольтаических свойствах пленочных гетероструктур на основе сегнетоэлектрика-полупроводника 8п2Р286. В интервале частот Ю-1 -н 107 Гц установлено наличие двух участков диэлектрической дисперсии, обусловленных прыжковой проводимостью и присутствием в приповерхностной области барьера Шоттки. Обнаружено существование нестационарного фототока короткого замыкания (НФТКЗ), связанного со спонтанной поляризацией. Предложены методики разделения вкладов пироэлектрической и фотовольтаической составляющих суммарного электрического отклика, наблюдаемого при воздействии модулированного светового потока на сегнетоэлектрические пленочные гетероструктуры.

2. Методами динамического пироэлектрического и фотовольтаического эффектов выполнены исследования свойств пленочных гетероструктур на основе PZT.

• Показано, что в исходных самополяризованных образцах наблюдается корреляция между стационарным фотовольтаическим откликом и пирооткликом, регистрируемым динамическим методом. Приложение переполяризующего электрического поля не приводит к переключению направления стационарного фотовольтаического тока. Переходной фотовольтаический ток, наблюдаемый после воздействия постоянного внешнего электрического поля, вызван релаксацией объемного заряда с характерным временем, зависящим от направления и напряженности поля.

• На примере гетероструктуры Р7Т(перовскит)-Р7Т(флюорит) выполнен анализ распределения поляризации в системе сегнетоэлектрик-полупроводник в рамках представлений о существовании барьерных приповерхностных слоев. Наличие внутренних электрических полей приводит к уменьшению величины поляризации в области интерфейса и обуславливает ее неоднородность.

• Эффекты экранирования спонтанной поляризации вблизи свободной поверхности и понижения потенциального барьера приводят к существованию электронной эмиссии из приповерхностных слоев пленок Р/Т при воздействии относительно малых электрических полей, в частности, возникающих при пироэлектрическом эффекте. Предложен доменный механизм усиления электронной эмиссии из сегнетоэлектрических пленок ргт.

3. Установлено, что в неоднородных сегнетоэлектрических средах электрический отклик на тепловое воздействие содержит пьезоэлектрический вклад, не связанный с вторичным пироэлектрическим эффектом.

• В случае значительного различия коэффициентов теплового расширения сегнетоэлектрического слоя и подложки электрический отклик пленочной гетероструктуры обусловлен как пироэлектрическим, так и пьезоэлектрическим эффектами; последний определяется тепловыми деформациями подложки, механически связанной с сегнетоэлектрической пленкой.

• Пироэлектрический отклик в композитных пленках на основе Р(УЭР-ТгРЕ) с включениями сегнетоэлектрической керамики системы PZT имеет аномальную составляющую, имеющую пьезоэлектрическую природу.

• В двухслойной композитной системе сегнетоэлектрическая керамика PZTферрит связности 2-2 электрический сигнал является следствием как пироэлектрического эффекта, так и механического взаимодействия расширяющегося при нагревании феррита и пластины PZT.

4. Показано, что в пленках Р(УОР-ТгРЕ) фазовый переход из параэлектрической фазы в полярную носит релаксорный характер. Наличие включений керамических и кристаллических сегнетоэлектриков в композитных материалах на основе Р(УОР-ТгРЕ), а также предварительная поляризация пленочных образцов сополимера приводят к смещению максимума диэлектрической проницаемости в область более высоких температур. Концентрационная зависимость величины пироэлектрического коэффициента композита Р(УТ)Р-TrFE)+BPZT носит экстремальный характер с максимумом, соответствующим 20%-му содержанию керамики.

5. В образцах релаксорных материалов после предварительного воздействия переменного переполяризующего электрического поля появляется пироэлектрический отклик, свидетельствующий о существовании приповерхностного слоя, характеризующегося системой доменов со встречной поляризацией; толщина данного слоя зависит от напряженности приложенного внешнего электрического поля и температуры.

6. На примере кристаллов группы ТГС проанализировано влияние температурного градиента на пироэлектрические свойства сегнетоэлектриков. Показано, что стационарный градиент температуры вызывает размытие максимумов температурных зависимостей пироэлектрического коэффициента, их смещение в область более низких температур и уменьшение максимального значения пирокоэффициента, тогда как наличие переменного температурного градиента в области фазового перехода обусловливает увеличение максимального значения пироэлектрического коэффициента за счет вклада третичного пироэффекта.

Практическая значимость работы. Полученные в работе новые результаты и закономерности позволяют расширить имеющуюся научную информацию об электрофизических свойствах неоднородных сегнетоэлектрических материалов, в том числе тонких пленок, полимерных сегнетоэлектриков и композитов на их основе и структур, содержащих микро- и нанодомены.

Реализован метод создания поляризованных пленочных структур на основе полимерных сегнетоэлектриков, минуя стадию ориентационной вытяжки (заявка на патент ЕРО N 10166939.8 - 1217). Сформированные поляризованные пленки обладают устойчивым состоянием и характеризуются повышенной пьезоэлектрической (ёзз = 1200 -ь 1500 пКл-РГ1) и пироэлектрической

2 — 1 активностью (у = 4 -ь 6 нКл-см К ). Данные материалы могут быть использованы в качестве функциональных элементов высокоэффективных приемников акустического излучения и высокочувствительных датчиков давления, а также при разработке систем регистрации ИК-излучения.

Предложены методики определения степени самополяризации в сегнетоэлектрических тонкопленочных структурах и изучения процессов переполяризации в гетерогенных структурах с использованием динамического метода исследования пироэлектрических свойств.

Разработан и апробирован метод переходных фотооткликов для характеризации свойств различных сегнетоэлектрических материалов, включающих объемные и пленочные гетерогенные структуры.

Рассмотрен метод изучения пироэлектрических свойств сегнетоэлектриков, находящихся в условиях постоянных и переменных тепловых потоков большой плотности, основанный на использовании динамического метода исследования пироэффекта. Он позволяет изучать распределение поляризации в пироактивных материалах, а также исследовать влияние стационарного градиента температуры на данное распределение. Полученные данные могут быть использованы при разработке пироэлектрических приемников, находящихся в условиях интенсивных тепловых потоков.

Предложена и апробирована методика восстановления распределения поляризации по координате в объемных пироэлектрически активных материалах на основе экспериментально полученных частотных зависимостей пироэлектрического тока, обусловленного воздействием теплового потока, модулированного импульсами прямоугольной формы.

Электрический отклик композитов сегнетоэлектрик-феррит на воздействие модулированного теплового потока позволяет контролировать степень механической связи слоев, которая является одним из важнейших факторов, влияющих на величину магнитоэлектрического отклика.

Отдельные результаты могут быть включены в учебные курсы по дисциплинам: «Физика сегнетоэлектрических явлений», «Физика сегнетоэлектриков-полупроводников», «Дополнительные главы физики сегнетоэлектрических явлений» для студентов, обучающихся по направлениям «Физика», «Радиофизика».

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Диэлектрический отклик сегнетоэлектрических пленочных структур на основе 8п2Р286, Р2Т и Р(\Т)Р-ТгРЕ) свидетельствует о существовании двух участков дисперсии. Низкочастотная дисперсия диэлектрической проницаемости (до 104 Гц) обусловлена проводимостью, носящей прыжковый характер. В высокочастотном диапазоне (до 109 Гц) дисперсия связана с наличием барьеров типа Шоттки в приповерхностных интерфейсных областях.

2. Пироэлектрический отклик тонкопленочных сегнетоэлектриков определяется вкладом как тепловых характеристик составляющих гетероструктуры, так и механических, определяющих деформации (сопровождающие нагрев пленки при пироэффекте) в системе сегнетоэлектрическая пленка-подложка.

3. Нестационарный фототок короткого замыкания в пленках 8п2Р28б связан с наличием локальных внутренних электрических полей в приповерхностных слоях и оптической перезарядкой локальных уровней. Наличие спонтанной поляризации вызывает аномалии НФТКЗ в области фазового перехода.

4. Разделение вкладов пироэлектрической и фотовольтаической составляющих суммарного электрического отклика, наблюдаемого при воздействии модулированного светового потока на сегнетоэлектрические пленочные гетероструктуры, можно реализовать путем варьирования интенсивности постоянной подсветки или фокусировкой модулированного потока излучения.

5. Процесс старения в самополяризованных пленках PZT вызывает изменение механизма стационарного фотовольтаического эффекта из объемного аномального в барьерный, на величину которого в незначительной степени влияет остаточная поляризация. Появление изменяющегося во времени фотовольтаического отклика после воздействия внешнего постоянного электрического поля вызвано релаксацией объемного заряда, обусловленного неравновесными носителями, экранирующими внешнее поле.

6. Электронная эмиссия из сегнетоэлектрических катодов на основе тонких пленок PZT, которые рассматриваются в качестве функциональных элементов тепловизоров, при возбуждении переменными электрическими полями с амплитудой, близкой к значению коэрцитивного поля, существенно увеличивается за счет движения 90° доменных границ.

7. Фазовый переход из параэлектрической в сегнетоэлектрическую фазы в пленках P(VDF-TrFE) и матрицах композитов на его основе носит релаксорный характер, который обусловлен конкуренцией двух механизмов молекулярной динамики: флуктуациями поляризации, которая перпендикулярна полимерной цепочке, и большими флуктуациями дипольных моментов вдоль полимерной цепочки благодаря колебательному движению TGTG звеньев полимерной цепочки и ее вращению независимо от соседних цепочек.

8. В неоднородных средах, содержащих как пироэлектрически активные, так и приповерхностные пассивные слои (включения), электрический отклик на воздействие теплового потока, модулированного импульсами прямоугольной формы, характеризуется наличием начального выброса тока, вызванного тепловыми деформациями пассивного слоя (включений), механически связанного с пьезоэлектрически активными элементами структуры.

9. Воздействие внешнего переменного переполяризующего электрического поля на исходные образцы релаксорных материалов SBN, PMN, PMN-PT и PLZT, не обладающих естественной униполярностью, приводит к формированию области со встречной поляризацией типа «го лова-к-голове», локализованной в приповерхностном слое образцов.

10. Размытие максимумов температурных зависимостей пироэлектрического коэффициента кристаллов ДТГС при наличии стационарного градиента температуры, их смещение в область более низких температур и уменьшение максимального значения пирокоэффициента вызвано неоднородным распределением поляризации. Переменный температурный градиент увеличивает максимальное значение пироэлектрического коэффициента кристалла ДТГС за счет вклада третичного пироэффекта, обусловленного неоднородностью пьезоэлектрических характеристик в объеме образца.

Апробация результатов работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на Международных, Всероссийских и других научных конференциях:

• Всероссийских конференциях по физике сегнетоэлектриков (Иваново, 1995; Тверь, 2002; Пенза, 2005; С.-Петербург, 2008; Москва, 2011);

• International Seminar on Relaxor Ferroelectrics (Дубна, 1996);

7 Международном семинаре по физике сегнетоэлектриков-полупроводников (Ростов-на-Дону, 1996);

IEEE International Symposia on Applications of Ferroelectrics (East Brunswick, USA, 1996; Montreux, Switzerland, 1998);

Международных конференциях «Физика диэлектриков» (С.-Петербург, 1997, 2008, 2011);

International Meetings on Ferroelectricity (Seoul, Korea, 1997; Argentina/Brazil,

2005);

Международных конференциях «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1995, 1997);

Международных конференциях по росту и физике кристаллов (Москва, 1998, 2000, 2002, 2004, 2006, 2010);

Международных конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI-го века» (Москва, 2003; Черноголовка, 2006);

International conferences «Electroceramics IX», «Electroceramics X» (Cherburg, France, 2004; Toledo, Spain, 2006);

Международной научно-практической конференции «Пьезотехника-2005» (Ростов-на-Дону, 2005);

Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры»

Москва, 2005); th

8 European Conference on Applications of Polar Dielectrics (Metz, France,

2006);

7th International Conference on Optical Technologies (Nürnberg, Germany, 2006);

International Symposia «Micro- and nano-scale domain structuring in ferroelectrics» (Екатеринбург, 2007, 2009);

XV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твёрдых тел (Черноголовка, 2007); 6th International Seminar on Ferroelastics Physics (Воронеж, 2009); Международной научно-технической конференции «INTERMATIC» (Москва, 2009, 2010);

• XXII Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 2010).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 56 работах, в том числе 32 из них в рецензируемых научных журналах и изданиях, рекомендованных ВАК РФ, 24 работы - в материалах и трудах международных и всероссийских конференций и симпозиумов. Список публикаций автора приведен в конце диссертации.

Личный вклад. Научные положения диссертации, выносимые на защиту, сформулированы лично автором. Автор непосредственно участвовал в постановке задачи исследований, анализе полученных результатов и формулировке выводов. Автору принадлежит большинство проведенных экспериментальных исследований. Научный консультант Богомолов A.A. участвовал в постановке задачи, ему принадлежит определенный вклад в обсуждение основных результатов работы. Малышкина О.В. участвовала в экспериментальном исследовании фото- и пироэлектрических свойств пленок Sn2P2S6, а также кристаллов ДТГС. Сергеева О.Н. участвовала в исследовании пироэлектрических свойств пленок PZT. Суханек Г. любезно предоставил для исследований пленочные гетероструктуры на основе PZT и участвовал в обсуждении результатов. Ряд экспериментальных результатов получен совместно с аспирантами и сотрудниками кафедры физики сегнето- и пьезоэлектриков Тверского государственного университета.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения (общая характеристика работы), 6 глав, перечня основных результатов и выводов, списка печатных работ автора (56 наименований), списка цитированной литературы из 326 наименований. Диссертация содержит 338 страниц машинописного текста, включающих 178 рисунков и 13 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Солнышкин, Александр Валентинович

Основные результаты и выводы

Методами динамического пироэлектрического отклика, переходного фотовольтаического тока и диэлектрической релаксационной спектроскопии проведено широкое исследование пленочных и объемных гетерогенных сегнетоэлектрических материалов. Показана применимость комплекса этих методов для идентификации неоднородностей, обусловленных присутствием приповерхностных слоев объемного заряда, микро- и нановключений несегнетоэлектрической фазы, слоев с «замороженной» или нулевой поляризацией, областей с различными электрофизическими и теплофизическими характеристиками, а также для изучения их влияния на электрический отклик исследуемых материалов.

1. Дисперсионные зависимости составляющих комплексной диэлектрической проницаемости пленочных гетероструктур на основе 8п2Р286 и PZT в частотном диапазоне 104-107 Гц и пленок Р(\Т)Р-ТгРЕ) в интервале частот 108-109 Гц следуют закону Дебая как значительно ниже, так и выше температуры фазового перехода. В низкочастотном диапазоне (<103 Гц) присутствует линейный участок дисперсионной зависимости, свидетельствующий о наличии прыжковой проводимости.

2. Сравнительный анализ пироэлектрических откликов сегнетоэлектрических пленок, сформированных на подложках с различными теплофизическими свойствами, свидетельствует о необходимости учета вклада пьезоэлектрической составляющей за счет тепловых деформаций подложки, механически связанной с пленкой, в случае значительного различия коэффициентов теплового расширения элементов гетероструктуры.

3. Обнаружено существование нестационарного фототока короткого замыкания (НФТКЗ) в пленках 8п2Р28б, носящего «вспышечный» характер и имеющего различное направление при включении и выключении света. Показано, что нестационарный фототок короткого замыкания имеет комплексную природу, обусловленную его связью со спонтанной поляризацией и вкладом процессов оптической перезарядки локальных уровней, что подтверждается аномалией НФТКЗ в районе фазового перехода и влиянием фотоактивной подсветки на его амплитуду.

4. Для пленок PZT установлена корреляция между стационарным фотовольтаическим откликом и пирооткликом, регистрируемым динамическим методом. Показано, что в самополяризованных (не подвергавшихся воздействию внешних полей) пленках в процессе старения может происходить изменение механизма фотовольтаического эффекта с объемного в барьерный, на характеристики последнего незначительно влияет величина и направление остаточной поляризации, формируемой предварительной поляризацией.

5. Впервые выполнен анализ распределения поляризации в системе сегнетоэлектрик-полупроводник на примере гетероструктуры РгТ(перовскит)-Р2Т(флюорит) в рамках представлений о существовании барьерных слоев на границах раздела и проведено сравнение с результатами, полученными методом синусоидальной модуляции лазерного излучения (ЫММ). Показано, что в приконтактных областях поляризация изменяется за счет вклада слоев объемного заряда.

6. Предложен доменный механизм усиления электронной эмиссии из сегнетоэлектрических пленок PZT. Показано, что при воздействии переменного электрического поля с амплитудой, близкой к значению коэрцитивного поля, ток электронной эмиссии из тонкой сегнетоэлектрической пленки значительно увеличивается за счет движения 90° доменных границ.

7. По результатам диэлектрических и пироэлектрических измерений установлено, что фазовый переход из параэлектрической фазы в сегнетоэлектрическую в пленках сополимера Р(УТ)Р-ТгРЕ) и композитах на его основе носит релаксорный характер - происходит размытие максимума диэлектрической проницаемости и его смещение в область более высоких температур с ростом частоты измерительного поля. Предварительная поляризация пленочных образцов Р(УТ)Р-ТгРЕ), а также наличие включений керамических и кристаллических сегнетоэлектриков приводит к смещению максимума диэлектрической проницаемости в область более высоких температур.

8. Впервые экспериментально обнаружено существование аномального пироэлектрического отклика пленочных образцов композита Р(УТ)Р-ТгРЕ)+Р2Т толщиной 20ч-100мкм, обусловленного наличием поверхностных слоев с особыми пироэлектрическими свойствами. Установлено, что концентрационная зависимость величины пироэлектрического коэффициента композита Р(УОР-ТгРЕ)+ВР2Т носит экстремальный характер с максимумом, соответствующим 20% содержанию керамики.

9. В неоднородных объемных средах, содержащих как сегнетоэлектрически активные, так и пассивные слои (включения), электрический отклик на воздействие теплового потока содержит компоненту, величина и знак которой определяются не только спонтанной поляризацией, но и тепловыми деформациями пассивного слоя (включений), механически связанного с пьезоэлектрически активными элементами структуры.

10. На примере кристаллов группы ТГС показана возможность контроля величины пирокоэффициента путем создания в кристалле температурного градиента: в условиях постоянного градиента происходит размытие максимумов температурных зависимостей пироэлектрического коэффициента, их смещение в область более низких температур и уменьшение максимального значения пирокоэффициента; переменный температурный градиент увеличивает максимальное значение пирокоэффициента за счет вклада третичного пироэффекта, обусловленного неоднородностью пьезоэлектрических характеристик в приповерхностных слоях и объеме образцов.

11. Воздействие переменного внешнего электрического поля на образцы релаксорных материалов 8В1чГ, РМ1Ч, РМЫ-РТ и PLZT приводит к формированию в приповерхностных слоях областей с устойчивой встречной поляризацией.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Солнышкин, Александр Валентинович, 2012 год

1. A. van der Ziel. Pyroelectric response and D of thin pyroelectric films on a substrate // J. Appl. Phys. 1973. V. 44, N 2. P. 546 549.

2. Zook J.D., Liu S.T. Pyroelectric effects in thin film // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 4604 4606.

3. Thornton J.A., Hoffman D.W. Stress-related effects in thin films // Thin Solid Films. 1989. V. 171.P. 5-31.

4. Huang H., Sun C.Q., Tianshu Z., Hong Z., Oh J.T., Hing P. Stress Effect on the Pyroelectric Properties of Lead Titanate Thin Films // Integrated Ferroelectrics. 2003. V. 51. P. 81-90.

5. Hoon S. Oh, Hyan M.J. Enhanced thermodynamic stability of tetragonal-phase field in epitaxial Pb(Zr,Ti)03 thin film a two-dimensional compressive stress // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72, N 5. P. 1457 1459.

6. Hoon S.Oh, Hyun M.J. Two-dimensional thermodynamic theory of epitaxial Pb(Zr,Ti)03 thin films // Phys. Rev. B. 2000. V. 62, N 22. P. 14757-14765.

7. Zembildovich A.G., Pertsev N.A., Botter U., Waser R. Effect of anisotropic in-plane strain on phase state and dielectric properties of epitaxial ferroelectric thin films // Appl. Phys. Lett. 2005. V.86. 052903.

8. Sharma A., Ban Z.-G., Alpay S.P., Mantese J.V. Pyroelectric response of ferroelectric thin films // J. Appl. Phys. 2004. V. 95, N 7. P. 3618 3625.

9. Ban Z.-G., Alpay S.P. Dependence of the pyroelectric response on internal stresses in ferroelectric thin films // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82, N 30. P. 3499-3501.

10. Jin F., Auner G.W., Naik R., Schubring N.W., Mantese J.V., Cabatalan A.B., Micheli A.L. Giant effective pyroelectric coefficients from graded ferroelectric devices // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73, N 19. P. 2838 2840.

11. Es-Souni M., Kuhnke M., Iakovlev S., Solterbeck C.-H., Piorra A. Self-poled Pb(Zr,Ti)03 films with improved pyroelectric properties via the use of Lao 8Sro.2.Mn03/metal substrate heterostructures // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. 022907.

12. Guo Y., Akai D., Swada K., Ishida M. Ferroelectric and pyroelectric properties of highly (llO)-oriented Pb(Zr04oTiQ60)03 thin films grown on Pt/LaNi03/Si02/Si substrates // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. 232908.

13. Wu J., Zhu Jil., Xiao D., Zhu J., Tan J., Zhang Q. Preparation and properties of highly (lOO)-oriented Pb(Zr0 2Ti0 g)03 thin film prepared by rf magnetron sputtering with a PbOx buffer layer // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. 094107.

14. Xiao B., Avrutin V., Liu H., Ozgiir U., Morko? H., Lu C. Large pyroelectric effect in undoped epitaxial Pb(Zr,Ti)03 thin films on SrTi03 substrates // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93.052913.

15. Wu C.G., Li Y.R., Zhu J., Liu X.Z., Zhang W.L. Great enhancement of pyroelectric properties for Ba065Sr035TiO3 films on Pt-Si substrates by inserting a self-buffered layer // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. 044107

16. Zhang Q„ Whatmore R.W. Sol-gel PZT and Mn-doped PZT thin films for pyroelectric applications // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 2296 2301.

17. Byer R. L., Roundy C. B. Pyroelectric coefficient direct measurement technique and application to a nsec response time detector // Ferroelectrics. 1972. V. 3. P. 333 338.

18. Zhang J., Cole M. W., Alpay S. P. Pyroelectric properties of barium strontium titanate films: Effect of thermal stresses // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. 054103.

19. Garn L.E., Sharp E.J. Use of low-frequency sinusoidal temperature waves to separate pyroelectric currents from nonpyroelectric currents. Part II. Experiment // J. Appl. Phys. 1982. V.53.P. 8980-8987.

20. Sigov A.S., Maleto M.I., Pevtsov E.Ph., Chernokozhin V.V. Polarization, pyroelectric coefficient and current-voltage characteristics of PZT films // Ferroelectrics. 1999. V. 226. P. 183 190.

21. Dharmadhikari V.S., Grannemann W.W. Photovoltaic properties of ferroelectric BaTi03 thin films rf sputter deposited on silicon // J. Appl. Phys. V.53. 1982. P. 8988 -8992.

22. Brody P. S., Rod B. J. Photovoltages in ferroelectric films // Proceedings 3rd International Symposium on Integrated Ferroelectrics. Colorado Springs, April 3-5, 1991. P. 251 -261.

23. Thakoor S., Thakoor A.P. Photoresponse from thin ferroelectric films of lead zirconate titanate // Proceedings 3rd International Symposium on Integrated Ferroelectrics. Colorado Springs, April 3-5, 1991. P. 262 277.

24. Thakoor S. High speed, nondestructive readout from thin-film ferroelectric memory // Appl. Phys. Lett. 1992. Vr 60, N 26. P. 3319 3321.

25. Thakoor S. Enhanced fatigue and retention in ferroelectric thin-film memory capacitors by post-top-electrode anneal treatment // J. Appl. Phys. 1994. V. 75, N 10. P. 5409-5414.

26. Brody P.S., Crowne F. Mechanism for the high voltage photovoltaic effect in ceramic ferroelectrics // Journal of Electronic Materials. 1975. V. 4, N 5. P. 955 971.

27. Lee J., Esayan S., Prohaska J., Safari A. Reversible pyroelectric and photogalvanic current in epitaxial Pb(Zr0 52Ti048)03 thin films // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64, N 3. P. 294 296.

28. Lee J., Esayan S., Safari A., Ramesh R. Fatigue and photoresponse of lead zirconate titanate thin film capacitors // Integrated Ferroelectrics. 1995. V. 6. P. 289 300.

29. Dubovik E., Fridkin V., Dimos D. The bulk photovoltaic effect in ferroelectric Pb(Zr, Ti)03 thin films // Integrated Ferroelectrics. 1995. V. 9. P. 285 290.

30. Стурман Б.И., Фридкин B.M. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. М.: Наука. 1992. 208 с.

31. Kholkin A., Boarkine О., Setter N. Transient photocurrents in lead zirconate titanate thin films //Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72, N 1. P. 130 132.

32. Ярмаркин B.K., Еольцман Б.М., Казанов M.M., Леманов В.В. Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT // ФТТ. 2000. Т. 42, №3. С. 511-516.

33. Технология, свойства и применение сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе / Под ред. В.П. Афанасьева, А.Б. Козырева. СПб.: Элмор. 2007. 248 с.

34. Delimova L.A., Yuferev V.S, Grekhov I.V., Afanasjev P.V. et al Origin of photoresponse in heterophase ferroelectric Pt/Pb(ZrTi)03/Ir capacitors // Appl. Phys. Lett! 2007. V. 91. 112907.

35. Delimova L.A., Mashovets D.V., Yuferev V.S Photovoltaic Effect Based On Polarization Charge In Polycrystalline Pb(ZrTi)03 // Integrated Ferroelectrics. 2009. V. 102. P. 37-46.

36. Fengang Zheng, Jie Xu, Liang Fang, Mingrong Shen, Xinglong Wu. Separation of the Schottky barrier and polarization effects on the photocurrent of Pt sandwiched Pb(Zr02oTio8o)03 films //Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. 172101.

37. Pintilie I.L., Vrejoiu I., Le Rhun G., Alexe M. Short-circuit photocurrent in epitaxial lead zirconate-titanate thin films // J. Appl. Phys. 2007: V. 101. 064109.

38. Pintilie I.L., Alexe M. Metal-ferroelectric-metal heterostructures with Schottky contacts. I. Influence of the ferroelectric properties // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. 124103.

39. Yang Y. S., Lee S. J., Yi S., Chae B. G., Lee S. H., Joo H. J, Jang M. S. Schottky barrier effects in the photocurrent of sol-gel derived lead zirconate titanate thin film capacitors // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 774 776.

40. Jie Xu, Dawei Cao, Liang Fang, Fengang Zheng, Mingrong Shen, Xinglong Wu. Space charge effect on the photocurrent of Pt-sandwiched Pb(Zr0.2oTio.8o)03 film capacitors // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. 113705.

41. Делимова JI.A., Юферев B.C., Грехов И.В., Петров A.A., Федоров К.А., Афанасьев В.П. Тонкопленочный конденсатор M/Pb(ZrTi)03/M как поляризационно-чувствительный фотоэлемент // ФТТ. 2009. Т. 51, №6. С. 1149- 1153.

42. Qiu X. Patterned piezo-, pyro-, and ferroelectricity of poled polymer electrets // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. 011101 (Applied Physics Reviews Focused Review).

43. Furukawa T. Ferroelectric properties of vinylidene fluoride copolymers // Phase

44. Transition. 1989. V. 18. P. 143-211.i

45. Лущейкин Г.А. Полимерные пьезоэлектрики. M.: Химия. 1990. 190 с.

46. Ferroelectric Polymers: Chemistry, Physics, and Applications / edited by H.S.Nalwa. Marcel Dekker, Inc. New York. (1995). 912 p'.

47. Кочервинский В.В. Структура и свойства блочного поливинилиденфторида и систем на его основе // Успехи химии. 1996. Т. 65, № 10. С. 936 987.

48. Furukawa Т., Johnson G.E. Measurements of ferroelectric switching characteristics in polyvinylidene fluoride // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. P. 1027 1029.

49. Lando J.В., Doll W.W. The polymorphism of poly(vinylidene fluoride). I. The effect of head-to-head structure // J. Macromol. Sci. B. 1968. V. 2. P. 205 218.

50. Furukawa T., Johnson G.E., Bair H.E., Tajitsu Y., Chiba A., Fukada E. Ferroelectric phase transition in a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene // Ferroelectrics. 1981. V. 32. P. 61-67.

51. Furukawa T. Recent advances in ferroelectric polymers // Ferroelectrics. 1990. V. 104. P. 229-240.

52. Green J.S., Farmer B.L., Rabolt J.F. Effect of thermal and solution history on the Curie point of VF2-TrFE random copolymers // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. P. 2690 -2693.^

53. Fukuma T., Kobayashi K., Horiuchi T., Yamada H., Matsushige K. Nanometer-Scale Characterization of Ferroelectric Polymer Thin Films by Variable-Temperature Atomic Force Microscopy // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. 3830 3833.

54. Bharti V., Kaura T., Nath R. Improved piezoelectricity in solvent-cast PVC films // IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 1995. V. 2. P. 1106 1110.

55. Park Y.J., Kang S.J., Parka C., Kim K.J., Lee H.S., Lee M.S., U-In Chung, Park I.J. Irreversible extinction of ferroelectric polarization in P(VDF-TrFE) thin films upon melting and recrystallization // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. 242908.

56. Ducharme S., Palto S. P., Blinov L. M., Fridkin V. M. Physics of two-dimensionalferroelectric polymers // AIP Conference Proceedings. 2000. V. 535. P. 354 363.

57. Hundal J. S., Nath R. Piezoelectricity and polarization studies in unstretched san copolymer films // J. Mater. Sci. 1999. V. 34. P. 5397 5401.

58. Wegener M., Kunstler W., Richter K., Gerhard-Multhaupt R. Ferroelectric polarization in stretched piezo- and pyroelectric poly(vinylidene fluoride-hexafluoropropy 1 ene) copolymer films // J. Appl Phys. 2002. V. 92. P. 7442 7444.

59. Kawai H. The piezoelectricity of poly(vinylidene fluoride) // Jpn. J. Appl. Phys. 1969. V.8. P. 975 -976.

60. Bergman Jr. J. G., McFee J. H., Crane G. R. Pyroelectricity And Optical Second Harmonic Generation In Polyvinylidene Fluoride Films // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. P. 203 -205.

61. Phelan Jr. R.J., Mahler R.J., Cook A.R. High D* Pyroelectric Polyvinylfluoride Detectors // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 19. P. 337 339.

62. Furukawa T. Piezoelectricity and pyroelectricity in polymers // IEEE Transactions on Electrical Insulation. 1989. V. 24, N 3. P. 375 394.

63. Кочервинский В.В. Свойства и применение фтор содержащих полимерных пленок с пьезо- и пироактивностью // Успехи химии. 1994. Т. 63, № 4. С. 383 388.

64. Gomes J., Serrado Nunes J., Sencadas V., Lanceros-Mendez S. Influence of the P-phase content and degree of crystallinity on the piezo- and ferroelectric properties of poly(vinylidenefluoride) // Smart. Mater. Struct. 2010. V. 19. 065010.

65. Eisenmenger W., Schmidt H., Dehlen B. Space charge and dipoles in polyvinylidenefluoride // Braz. J. Phys. 1999. V. 29, N 2. P 295 305.

66. Fedosov S. N., von Seggern H. Pyroelectricity in polyvinylidene fluoride: Influence of polarization and charge // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. 014105.

67. Kaurat Т., Natht R., Perlman M.M. Simultaneous stretching and corona poling of PVDF films // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V. 24. P. 1848 1853.

68. Perlman M.M. Method to double the piezo- and pyroelectric of polyvinylidene fluoride (PVDF) films // US Patent, N 5254296. 1993. 8 p.

69. Fedosov S. N., von Seggern H. Back-switching of ferroelectric polarization in two-component systems // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. P. 2173 2180.

70. Zhang Q.M., Bharti V., Zhao X. Giant Electrostriction and Relaxor Ferroelectric Behavior in Electron-Irradiated Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) Copolymer // Science. 1998. V. 280. P. 2101 2104.

71. Bharti V., Zhang Q.M. Dielectric study of the relaxor ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer system // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. 184103.

72. Zhang D., Shen В., Yao X., Chen X., Zhang L. Ferroelectric relaxation in electron-irradiated copolymers // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 2530 2533.

73. Ma W., Chou I., Karaki Т., Cross L.E. Dielectric and Field-Induced Piezoelectric Responses in Electron-Irradiated Poly(Vinylidene Fluoride-Trifluoroethylene) Copolymer // Phys. Stat. Sol. (a). 2002. V. 194. P. 349 357.

74. Guo S.S., Zhao X.-Z., Lu S.G., Lau S.T., Chan H.L.W. Dielectric and Field-Induced Piezoelectric Responses in Electron-Irradiated Poly(Vinylidene Fluoride-Trifluoroethylene) Copolymer // J. Phys. D: Appl. Phys. 2004. V. 37. P. 472 478.

75. Welter С., Faria L.O., Moreira R.L. Relaxor ferroelectric behavior of y-irradiated poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymers // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. 144103.

76. Klein R.J., Xia F., Zhang Q.M., Bauer F. Influence of composition on relaxor ferroelectric and electromechanical properties of poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene- chlorofluoroethylene) // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. 094105.

77. Zhang S., Klein R.J., Ren K., Chu В., Zhang X., Runt J., Zhang Q. M. Normal ferroelectric to ferroelectric relaxor conversion in fluorinated polymers and the relaxor dynamics // Journal of Materials Science. 2006. V. 41. P. 271 280.

78. Bobnar V., Vodopivec В., Levstik A., Cheng Z.-Y., Zhang Q.M. Glassy dynamics in an electron-irradiated poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer system // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. 094205.

79. Bharti V., Xu H.S., Shanthi G., Zhang Q.M., Liang K. Polarization and structural properties of high-energy electron irradiated poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer films // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. P. 452 461.

80. Смоленский Г.А., Исупов B.A. Фазовые переходы в некоторых твердых растворах, обладающих сегнетоэлектрическим свойствами // Доклады АН СССР. 1954. Т. 97. С. 653-654.

81. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics // Ferroelectrics. 1987. V. 76. P. 241 267.

82. Stephanovich V.A., Glinchuk M.D., Kirichenko E.V., Hilczer B. Theory of radiation induced relaxor behavior of poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymers // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 5937 5944.

83. Pirc R., Blinc R. Bobnar V., Gregorovic A. Spherical model of relaxor polymers // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. 014202.

84. Wong C.K., Shin F.G. Electrical conductivity enhanced dielectric and piezoelectric properties of ferroelectric 0-3 composites // J.Appl. Phys. 2005. V. 97. 064111.

85. Lam K.H., Chan H.L.W. Piezoelectric and Pyroelectric Properties of 65PMN-35PT/P(VDFTrFE) 0-3 Composites // Composites Science & Technology. 2005. V. 65. P. 1107-1111.

86. Ploss В., Shin F.G. A General Formula for the Effective Pyroelectric Coefficient of Composites // IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation. 2006. V. 13, N5.P. 1170- 1176.

87. Yang Y., Chan H. L.W., Choy C.L. Properties of triglycine sulfate/poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) 0-3 composites // Journal of Materials Science. 2006. V. 41. P. 251 -258.

88. Son Y. H., Kweon S. Y., Kim S. J., Kim Y. M„ Hong T. W., Lee Y. G. Fabrication And Electrical Properties Of PZT-PVDF 0-3 Type Composite Film // Integrated Ferroelectrics. 2007. V. 88. P. 44 50.

89. Dietze M., Krause J., Solterbeck C.-H., Es-Souni M. Thick film polymer-ceramic composites for pyroelectric applications // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. 054113.

90. Newnham R.E., Skinner D.P., Cross L.E. Connectivity and Piezoelectric-Pyroelectric Composites // Mat. Res. Bull. 1978. V. 13. P. 525 536.

91. Tressler J.F., Alkoy S., Dogan A., Newnham R.E. Functional Composites for Sensors, Actuators and Transducers // Composites (A). 1999. V. 30. P. 477 482.

92. Furukawa Т., Fujino K., Fukada E. Electromechanical Properties in the Composites of Epoxy Resin and PZT Ceramics // Jpn. J. Appl. Phys. 1976. V. 15. P. 2119 2129.

93. Yamada Т., Ueda Т., Kitayama T. Primary and Secondary Pyroelectric Effects in Ferroelectric 0-3 Composites // J. Appl. Phys. 1982. V. 53 (4). P. 4328 4332.

94. Б.М. Тареев. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. 320 с.

95. Banno Н. Theoretical Equations for the Dielectric and Piezoelectric Properties of Ferroelectric Composites Based on Modified Cube Model // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. V. 24. P. 445 -447.

96. Bhimasankaram T., Suryanarayana S.V., Prasad G. Piezoelectric Polymer Composite Materials // Current Science. 1998. V. 74. P. 967-976.

97. Venkatragavaraj E., Satish B., Vinod P.R., Vijya M.S. Piezoelectric Properties of Ferroelectric PZT-Polymer Composites // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 487 -492.

98. Krakovsky I., Myroshnychenko V. Modeling Dielectric Properties of Composites by Finite-Element Method // J. Appl. Phys. 2002. V. 92, N 11. P. 6743 6748.

99. Adikary S.U., Chan H.L.W., Choy C.L., Sundarvel B., Wilson I.H. Dielectric Behaviour and Polarization Response of Proton Irradiated Ba0.65Sr0.35TiO3/P(VDF-TrFE) Composites // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. P. 6938 6942.

100. Dias C.J., Das-Gupta D.K. Inorganic Ceramic/Polymer Ferroelectric Composite Electrets // IEEE Trans. Diel. Elect. Ins. 1996. V. 3, N 5. P. 706 734.

101. Wang Y., Zhong W., Zang P. Pyroelectric properties of Ferroelectric-Polymer Composite//J. App. Phys. 1993. V. 74, N 1. P. 512 524.

102. Lam K.S., Wong Y.W., Tai L.S., Poon Y.M., Shin F.G. Dielectric and Pyroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate/Polyurethane Composites // J. Appl. Phys. 2004. V. 96, N7. P. 3896-3899.

103. Wong C. K., Poon Y. M., Shin F. G. Explicit formulas for effective piezoelectric coefficients of ferroelectric 0-3 composites // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. P. 4690 4700.

104. Yang F., Zhang D., Yu B., Zheng K., Li Z. Pyroelectric properties of ferroelectric ceramic/ferroelectric polymer 0-3 composites // J. Appl. Phys. 2003 .V.94, N 4. P. 2553 -2558.

105. Jayasundere N., Smith B. V. Dielectric constant for binary piezoelectric 0-3 composites // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 2462 2466.

106. Bruggeman D.A.G. Berechnung verschiedener physikalischer Konstanten von heterogenen Substanzen //Ann. Phys. (Leipzig). 1935. V.24. P. 636-679.

107. Chew K.H., Shin F.G., Ploss B., Chan H.L.W., Choy C.L. Primary and Secondary Pyroelectric Effects of Ferroelectric 0-3 Composites // J. Appl. Phys. 2003. V. 94, N 2. P. 1134- 1145.

108. Batra A.K., Aggarwal M.D., Edwards M.E., Bhalla A. Present Status of Polymer: Ceramic Composites for Pyroelectric Infrared Detectors // Ferroelectrics. 2008. V. 366. P. 84-121.

109. Санджиев Д.Н., Абдулвахидов К.Г., Шонов В.Ю., Раевский И.П. Особенности диэлектрических свойств тонких сегнетоэлектрических пленок Sn2P2S6, полученных методом термического испарения // ЖТФ. 2009. Т. 79, № 11. С. 61-64.

110. Kôhler R., Suchaneck G., Padmini P., Sandner T., Gerlach G., Hoffmann G. RF-sputtered PZT thin films for infrared sensor arrays // Ferroelectrics. 1999. V. 225. P. 57-66.

111. Suchaneck G., Deyneka A., Jastrabik L., Savinov M., Gerlach G. Lead Excess in Self-polarized PZT Thin Films Deposited by Reactive Sputtering at Low Temperatures // Ferroelectrics. 2005. V. 318. P. 3 10.

112. Chen S., Chen I. Phase Transformations of Oriented Pb(ZrixTi4)03 Thin Films from Metallorganic Precursors // Ferroelectrics. 1994. V. 152. P. 25 30.

113. Гах С.Г., Захарченко И.Н., Алешин B.A., Кривицкий E.B. Структура дефектов и токи термодеполяризации в тонких пленках на основе ЦТС // Изв. РАН. Сер. физ. 2003. Т. 67, № 8. С. 1165 1168.

114. El Hami К., Yamada H., Matsushige К. Nanoscopic measurements of the électrostriction responses in P(VDF/TrFE) ultra-thin-film copolymer using atomic force microscopy // Appl. Phys. A. 2001. V. 72. P. 347 350.

115. Park Y.J., Kang S.J., Parka C., Kim K.J., Lee H.S., Lee M.S., Chung U-In, Park I.J. Irreversible extinction of ferroelectric polarization in P(VDF-TrFE) thin films upon melting and recrystallization // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. 242908.

116. Li J., Neo Y., Mimura H., Omote K., Yokoo K. Electron emission from ferroelectric copolymer thin films of vinylidene fluoride and trifluoroethylene // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. 222907.

117. Hundal J. S., Nath R. Piezoelectricity and polarization studies in unstretched san copolymer films // J. Mater. Sci. 1999. V. 34. P. 5397 5401.

118. Hundal J. S., Nath R. The piezoelectric effect and stored polarization in corona charged ABS films // J. Phys. D: Appl. Phys. V. 31. 1998. P. 482-487.

119. Окадзаки К. Технология керамических материалов. М.: Энергия, 1976. 336 с.

120. Chynoweth A. G. Dynamic Method for Measuring the Pyroelectric Effect with Special Reference to Barium Titanate // J. Appl. Phys. 1956. V. 27, N 1. P. 78 84.

121. ZajoszH.J. Elementary theory of nonlinear pyroelectric response in monoaxial ferroelectrics with second order phase transition // Ferroelectrics. 1984. V. 56. P. 265 -281.

122. Zajosz H.J. Pyroelectric response to step radiation signals in thin ferroelectric films on a substrate // Thin Solid Films. 1979. V. 62. N2. P. 229 236.

123. Ploss В., Emmerich R., Bauer S. Thermal wave probing of pyroelectric distributions in surface region of ferroelectric materials: a new method for the analysis // J. Appl. Phys. 1992. V. 72, № 11. P. 5363 5370.

124. Ploss B. Probing of pyroelectric distributions from thermal wave and thermal pulse measurements // Ferroelectrics. 1994. V. 156. P. 345 350.

125. Тихонов A.H., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1986.288 с.

126. Bezdetny N.M., Khutorsky V.E., Zeinally A.Kh. Polarization distribution in ferroelectics by regularization method from pyroelectric measurements // Ferroelectrics. 1983. V. 46, № 3-4. P. 267 273.

127. Зейналлы A.X., Хуторский B.E. Распределение поляризации типа встречного домена в тонких кристаллах ниобата бария-стронция // ФТТ. 1985. Т. 27, № 9. С. 2849-2851.

128. Lang S.B. New theoretical analysis for the laser intensity modulation method (LIMM) // Ferroelectrics. 1990. V. 106. P. 269 274.

129. Lang S.B. Laser intensity modulation method (LIMM): experimental techniques, theory and solution of the integral equation // Ferroelectrics. 1991. V. 118. P. 343 -361.

130. Малышкина О.В., Мовчикова A.A., Suchaneck G. Новый метод определения координатных зависимостей пиротока в сегнетоэлектрических материалах // ФТТ. 2007. Т. 49, № 11. С. 2045 2048.

131. Малышкина О.В., Мовчикова А.А. Метод тепловых волн как способ определения профиля поляризации в сегнетоэлектрических материалах // ФТТ. 2009. Т. 51, № 7. С. 1307 1309.

132. Беляев Н.М., Рядно А.А. Методы теории теплопроводности (в двух частях). Часть 1. М.: Высшая школа. 1982. 328 с.

133. Клоков А.Ю., Аминев Д.Ф., Шарков А.И., Ральченко В.Г., Галкина Т.И. Тепловые параметры слоев и границ раздела в структурах кремний на алмазе // ФТТ. 2008. Т. 50, № 12. С. 2167 2173.

134. Богомолов А.А. Пироэлектрический эффект в сегнетоэлектриках. Тверь: Твер. гос. ун-т, 2004. 108 с.

135. Бутурлакин А.П., Гурзан М.И., Сливка В.Ю. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Sn2P2S6 // ФТТ. 1977. Т. 19, № 7. С- 1990 1998.

136. Moriya К., Iwauchi К., Ushida М., Nakagawa A., Watanabe К., Yano S., Motojima S., Akagi Y. Dielectric Studies of Ferroelectric Phase Transitions in Pb2xSn2(1.X)P2S6 Single Crystals // J. Phys. Soc. Jpn. 1995. V. 64. P. 1775 1784.

137. Майор M.M. Диэлектрические свойства кристаллов Sn2P2S6 в зависимости от условий их получения // ФТТ. 1999. Т. 41, № 8. С. 1456 1461.

138. Jonscher А.К. Dielectric Relaxation in Solids. London: Chelsea Dielectric Press. 1983. 380 p.

139. Jonscher A.K. Universal relaxation law. London: Chelsea Dielectric Press. 1996. 406 p.

140. Zaidi S.S.H., Jonscher A.K. Spectroscopy of delayed electronic transitions in GaAs Schottky diodes // Semiconductor Science and Technique. 1987. V. 2. P. 587 596.

141. Jonscher A.K., Robinson N. Dielectric spectroscopy of silicon barrier devices // Solid State Electronics. 1988. V. 31. P. 1277- 1288.

142. Галиярова Н.М. Диэлектрические спектры при неоднозначной доменной динамике неравновесных сегнетоэлектрических состояний // Межвузовский тематический сб. науч. тр. «Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики». Тверь: ТвГУ. 1995. С. 58-78.

143. Grabar A. A., Kedyk V., Gurzan M.I., Stoika I.M., Molnar A. A., Vysochanskii Yu.M. Enhanced photorefractive properties of modified Sn2P2S6 // Optics Communications. 2001. V. 188. P. 187 194.

144. Богомолов А.А., Иванов В.В. Нелинейные пироэлектрические явления и процессы переполяризации в монокристаллах SbSI // Межвузовский тематический сб. науч. тр. «Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики». Калинин: Изд-во КГУ, 1988. С. 85 -89.

145. Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. М: Высшая школа. 1975. 295 с.

146. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука. 1979. 264 с.

147. Тягур Ю.И., Фирцак Ю.Ю., Лада Л.В. Реферативно-информационный обзор по материалам А2 B^Cl'. Ужгород: ППП «Патент». 1992. 315 с.

148. Popik Yu. У., Zhikharev V. N., Seikovskii I. D. Influence of the "intrinsic" effect of the field on the thermally stimulated conductivity of ferroelectrics-semiconductors // Russian Physics Journal. 1990. V. 33. P. 275 279.

149. Gamernyk R.V., Gnatenko Yu.P., Bukivskij P.M., Skubenko P.A., Slivka V.Yu. Optical and photoelectric spectroscopy of photorefractive Sn2P2S6 crystals // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. V. 18. P. 5323 5333.

150. Шаркань И.П., Довгошей Н.И., Фирцак Ю.Ю., Нечипоренко А.В., Золотун Н.Я., Савченко Н.Д. Фотопроводимость тонких пленок Sn2P2S6 // Межвузовский сборник «Полупроводники-сегнетоэлектрики». Ростов-на-Дону: РГУ, 1984. С. 29-31.

151. Dawber M., Scott J.F. Negative differential resistivity and positive temperature coefficient of resistivity effect in the diffusion-limited current of ferroelectric thin-film capacitors // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. P. L515 L521.

152. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Трошин A.B. Роль спонтанной поляризации в формировании гетеропереходов на основе политипов карбида кремния // ФТП. 2007. Т. 41, №3. С. 307 -311.

153. Mehta R.R., Silverman B.D., Jacobs J.T. Depolarization fields in thin ferroelectric films // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 3379 3385.

154. Brazis P. Electron transport in Та205 films // J. Mater. Sci. Lett. 1992. V. 9. P. 266 -267.

155. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.

156. Shumelyuk A., Odoulov S., Kip D., Kratzig E. Electric-field enhancement of beam coupling in Sn2P2S6 // Appl. Phys. B. 2001. V. 72. P. 707 710.

157. Шалимова K.B. Физика полупроводников. M.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.

158. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физ.-мат. литература. 1963. 495 с.

159. Cho Y.W., Choi S.K., Vysochanskii Yu.M. Photovoltaic effect of Sn2P2S6 ferroelectric crystal and ceramics // J. Mater. Res. 2001. V. 16. P. 3317 3320.

160. Бурцев Е.В., Лазарев В.Г., Проценко Н.П., Родин А.И. Фотопроводимость сегнетоэлектриков-полупроводников SbSJ и Sn2P2S6 в длинноволновой области спектра // Межвузовский сборник «Полупроводники-сегнетоэлектрики». Ростов-на-Дону: РГУ. 1985. С. 83 87.

161. Гурзан М.И., Бутурлакин А.П., Герасименко B.C., Корда Н.Ф. Сливка В.Ю. Оптические свойства кристаллов Sn2P2S6 // ФТТ. 1977. Т. 19, № 12. С. 3068 3070.

162. Лалетин Р.А. Низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца: дис. канд. физ.-мат. наук. Волгоград, 2003. 196 с.

163. Мухортов В.М., Колесников В.В., Бирюков С.В., Головко Ю.И., Мащенко А.И. Особенности динамики переключения поляризации в тонких пленках цирконат-титаната свинца // ЖТФ. 2005. Т. 75, № 8. С. 126 131.

164. Chynoweth A.G. Surface Space-Charge Layers in Barium Titanate // Phys. Rev. 1956. V. 102, N3. P. 705-714.

165. Дроздов Ю.Н., Юшенков Е.Б., Салошенко H.H., Суслов Л.А. Свойства тонких пленок PbZr|xTix03, полученных методом лазерного распыления // Изв. РАН. Сер. физ. 1997. Т. 61, № 2. С. 372 374.

166. Park С.Н., Chadi D.J. Microscopic study of oxygen-vacancy defects in ferroelectric perovskites // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. R13961 R13964.

167. Гольцман Б.М., Ярмаркин B.K., Леманов В.В. Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT // ФТТ. 2000. Т. 42, № 6. С. 1083 1086.

168. Склярова Е.Н., Гавриляченко В.Г., Кузнецова Е.М., Семенчев А.Ф. Корреляция между усталостью и физическими свойствами сегнетомягкой керамики // Изв. РАН. Сер. физ. 2004. Т. 68, № 5. С. 708 710.

169. Павлов С.В. Влияние граничных условий на поляризационный профиль в тонкой-сегнетоэлектрической пленке // Изв. РАН. Сер.физ. 2003. Т. 67, №8. С. 1087- 1089.

170. Пронин И.П., Каптелов Е.Ю., Тараканов Е.А., Шаплыгина Т.А., Афанасьев В.П. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца // ФТТ. 2002. Т. 44. С. 739 744.

171. Елинчук М.Д., Зауличный В .Я., Стефанович В. А. Поле деполяризации и свойства сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов // ФТТ. 2005. Т. 47, №7. С. 1285- 1291.

172. Schubring N.W., Mantese J.V., Micheli A.L., Catalan A.B., Lopez R.J. Charge pumping and pseudopyroelectric effect in active ferroelectric relaxor-type films // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 1778 1781.

173. Гах С.Г., Рогач Е.Д., Свиридов E.B. Объемный заряд и токи термодеполяризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца // ЖТФ. 2001. Т. 71, № 1. С. 49-52.

174. Suchaneck G., Solnyshkin A.V., Kiselev D.A., Bogomolov A.A., Gerlach G. The LIMM problem for ferroelectric thin films comprising space charge layers // Journal of the European Ceramic Society. 2005. V. 25. P. 2363 2368.

175. Meng Qin, Kui Yao, Yung C. Liang, Bee Keen Gan. Stability of photovoltage and trap of light-induced charges in ferroelectric W03-doped (Pbo.97Lao.o3)(Zro.52Tio.48)03 thin films //Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. 092904.

176. Miura K., Tanaka M. Origin of fatigue in ferroelectric perovskite oxides // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 2719 2725.

177. Lu X., Schlaphof F., Grafstrom S., Loppacher Ch., EngL.M., Suchaneck G., Gerlach G. Scanning force microscopy investigation of the Pb(Zr0.25Tio.75)03/Pt interface // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 3215 3217.

178. Deineka A., Jastrabik L., Suchaneck G., Gerlach G. Ellipsometric investigations of the refractive index depth profile in PZT thin films // Phys. Stat. Sol. (a). 2001. V. 188. P. 1549- 1552.

179. Kholkin A.L., Brooks K.G., Taylor D.V., Hiboux S., Setter N. Self-polarization effects in Pb(Zr,Ti)03 thin films // Integrated Ferroelectrics. 1998. V. 22. P. 525 533.

180. Pike G.E., Warren W.L., Dimos D., Tuttle B.A., Ramesh R., Lee J., Keramides V.G., Evans J.T. Voltage offsets in (Pb,La)(Zr,Ti)03 thin films // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 484-486.

181. Kwok K.W., Wang В., Chan H.L.W., Choy C.L. Self-Polarization in PZT Films // Ferroelectrics. 2002. V. 271. P. 69 74.

182. Сергеева O.H. Пироэлектрические свойства тонких пленок цирконата титаната свинца, сформированных на подложках из ситалла, кремния и стали: дис. . канд. физ.-мат. наук. Тверь, 2006. 138 с.

183. Glinchuk M.D., Eliseev Е.А., Deineka A., Jastrabik L., Suchaneck G., Sandner Т., Gerlach G., Hrabovsky M. Polarization and refractive index profiles of ferroelectric thin films // Integrated Ferroelectrics. 2001. V. 38. P. 101 110.

184. Sandner Т., Suchaneck G., Koehler R., Suchaneck A., Gerlach G. High frequency LIMM a powerful tool for ferroelectric thin film characterization // Integrated Ferroelectrics. 2002. V. 46. P. 243 - 257.

185. Kanzig W. Space charge layer near the surface of a ferroelectric // Phys. Rev. 1955. V. 98. P. 549-550.

186. Mehta R.R., Silverman B.D., Jacobs J.T. Depolarization fields in thin ferroelectric films // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 3379 3385.

187. Лурье M.C., Васильева Е.И., Игнатьева И.В. Сегнетоэлектрические пленки с квадратной петлей гистерезиса // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1960. Т. 24. С. 1376 -1379.

188. Suchaneck G., Solnyshkin A.V., Suchaneck A. Gerlach G. Polarization profiling of metal-ferroelectric-semiconductor structures by LIMM // Journal of the European Ceramic Society. 2005. V. 25. P. 2369 2372.

189. Suchaneck G., Deyneka A., Jastrabik L., Gerlach G. Stability of space charge compensated ferroelectrics // Integrated Ferroelectrics. 2004. V. 62, N 1. P. 55 60.

190. Prisedsky V. V., Shishkovsky V. I., Klimov V. V. High temperature electrical conductivity and point defects in lead zirconate titanate // Ferroelectrics. 1978. V. 17. P. 465-468.

191. Bell J. M., Knight P. C. Ferroelectric electrode interaction of BaTi03 and PZT thin films // Integrated Ferroelectrics. 1994. V. 4. P. 325 332.

192. Lee J. J., Thio C. L., Desu S. B. Electrode contacts on ferroelectric Pb(ZrxTi|-x)03 and SrBi2Ta209 thin films and their influence on fatigue properties // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 5073 -5078.

193. Suchaneck G., Gerlach G., Poplavko Yu., Kosarev A. I., Andronov A. N. Self-polarization mechanism in textured pyroelectric Pb(Ti!xZrx)03 films // Mater. Res. Symp. Proc. 2001. V. 655. C.C.7.7.1 C.C.I.1.6.

194. Sakashita Y., Segawa H., Tominaga K., Okada M. Dependence of electrical properties on film thickness in Pb(Zr^Tii^)03 thin films produced by metalorganic chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 7857 7863.

195. Tagantsev A. K., Landivar M., Colla E., Setter N. Identification of passive layer in ferroelectric thin films from their switching parameters // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 2623 -2630.

196. Cillessen J. F. M., Prins M. W. J., Wolf R. M. Thickness dependence of switching voltage in all-oxide ferroelectric thin-film capacitors prepared by pulsed laser deposition // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 2777 2783.

197. Bruchhaus R., Pitzer D., Primig R., Wersing W., Xu Y. Deposition of self-polarized PZT films by planar multi-target sputtering // Integrated Ferroelectrics. 1997. V. 14. P. 141 -149.

198. Muralt P., Hiboux S., Mueller C., Maeder T., Sagalowicz L., Egam T., Setter N. Excess lead in the perovskite lattice of PZT thin film made by in-situ reactive sputtering // Integrated Ferroelectrics. 2001. V. 36. P. 53 62.

199. Mandeljc M., Maltic В., Kosec M. Where is PbO excess in CSD PZT thin films crystallized at 400°C? // In Processing of Electroceramics Symposium, 2003. URL http://www.polecer.rwthaachen.de/Bled.Poster.Mandeljc.jpg.

200. Handbook of Mathematical Functions with Formulas, Graphs and Mathematical Tables, ed. M. Abramowitz and I. R. Stegun. Applied Mathematics Series 53, National Bureau of Standards, Washington, 1964. 1046 p.

201. Sandner Т., Gerlach G., Suchaneck G., Koehler R. Depth resolved polarization profiles in pyroelectric thin films // Technisches Messen. 1999. V. 66. P. 322 332.

202. Lian L., Sottos N.R. Effects of thickness on the piezoelectric and dielectric properties of lead zirconate titanate thin films // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. P. 3941 -3949.

203. Kholkin A. Electromechanical properties of ferroelectric films for MEMS // Ferroelectrics. 2001. V. 258. P. 209 220.

204. Беляев JI.M., Бендрикова Г.Х. Влияние спонтанной поляризации на выход фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии из кристаллов триглицинсульфата // ФТТ. 1964. Т. 6. С. 645 647.

205. Кортов B.C., Минц Р.И. Экзоэлектронная эмиссия при фазовом переходе в сегнетоэлектриках // ФТТ. 1967. Т. 9. С. 1436 1439.

206. Rosenblum В., Bräunlich P., Carrico J.P. Thermally stimulated field emission from pyroelectric LiNb03 // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. P. 17 19.

207. Розенман F., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Жасков A.A. Экзоэмиссия из пироэлектрика LiTa03 // ФТТ. 1980. Т. 22. С. 2032 2034.

208. Rosenman G. Electron emission from ferroelectrics and its applications // Ferroelectrics. 1992. V. 135 P. 469 473.

209. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Сидоркин А.А. Термостимулированная "электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата // ФТТ. 2001. Т. 43, № 7. С. 1272 1274.

210. Tomita К., Takamuro D., Sawada К., Ishida М. Electron emission type infrared imaging sensor using ferroelectric thin plate // Sensors and Actuators A: Physical. 2002. V. 97-98. P. 147- 152.

211. Takamuro D., Takao H., Sawada K., Ishida M. Electron emission characteristic from Pb(Zr,Ti)03 thin plate by infrared light irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. 2003. V. 42. P. 5741 -5746.

212. Takamuro D., Takao H., Sawada K., Ishida M. Improvement of an infrared light sensitivity in PZT photosensitive field emitter // Sensors and Actuators A: Physical. 2004. V. 114. P. 230-235.

213. Rosenman G., Shur D., Krasik Y.E., Dunaevsky A. Electron emission from ferroelectrics // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 6109 6161.

214. Teowee G., Uhlmann D.R. A model of the metal-ferroelectric-metal capacitor // MRS Symp. Proc. 1993. V. 310. P. 415 422.

215. Cowley A.M., Sze S.M. Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 3212 3220.

216. Robertson J., Chen C.W. Schottky barrier heights of tantalum oxide, barium strontium titanate, lead titanate, and strontium bismuth tantalite // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 1168- 1170.

217. Scott J.F., Watanabe K., Hartmann A.J., Lamb R.N. Device models for PZT/Pt, BST/Pt, SBT/Pt, and SBT/Bi ferroelectric memories // Ferroelectrics. 1999. V. 225. P. 83 90.

218. Dixit A. V., Rajopadhye N.R., Bhoraskar S.V. Secondary electron emission of doped PZT ceramics // J. Mat. Sci. 1986. V. 21. P. 2798 2802.

219. Rhoderick E.H. Metal-semiconductor contacts. Oxford: Clarendon. 1978. 267 p.

220. Dawber M., Rabe K.M., Scott J.F. Physics of thin-film ferroelectric oxides // Rev. Mod. Phys. 2005. V. 77. P. 1083 1130.

221. Adamson A.W. Physical Chemistry of surfaces. New York: Wiley Interscience. 1990. 689 p.

222. Sudhama С., Campbell A.C., Maniar P.D., Jones R.E., Moazzami R., Mogab C.J., Lee" J.C. A model for electrical conduction in metal-ferroelectric-metal thin-film capacitors // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 1014 1022.

223. Yang Y.S., Lee S.J., Kim S.H., Chae B.G., Jang M.S. Schottky barrier effects in the electronic conduction of sol-gel derived lead zirconate titante thin film capacitors // J. Appl. Phys. 1998 V. 84. P. 5005 5011.

224. Scott J. F., Araujo C. A., Melnick В. M., McMillan L. D., Zuleeg R. Quantitative measurements of space-charge effects in lead zirconate-titanate memories // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. P. 382-388.

225. Kurasawa M., Mclntyre P. C. Surface passivation and electronic structure characterization of PbTi03 thin films and Pt/PbTi03 interfaces // J. Appl. Phys. 2005. V.97.104110.

226. Dawber M., Chandra P., Littlewood P.B., Scott J.F. Depolarization corrections to the coercive field in thin-film ferroelectrics // J. Phys.: Condens. Matter. 2003 V. 15. P. L393 -L398.

227. Link G.L. Motion of с domain centers in BaTi03 // J. Appl. Phys. 1961. V. 32. P. 2566-2573.

228. Ricinschi D., Ishibashi Y., Okuyama M. Electrostatic model for dielectric permittivity of ferroelectric films with 90° domain structures // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. V.42. P. 6183-6187.

229. Novak J., Fousek J., Maryska J., Marvan M. Distribution of electric and elastic fields at 90° domain boundaries in ferroelectric thin layer various configurations // Ferroelectrics. 2005. V. 319. P. 191 - 198.

230. Merz W. Double hysteresis loop of BaTi03 at the Curie point // Phys. Rev. 1953. V.91.P. 513-517.

231. Xiao Y., Shenoy V.B., Bhattacharya K. Depletion layers and domain walls in semiconducting ferroelectric thin films // Phys Rev Lett. 2005. V. 95. 247603.

232. Meyer В., Vanderbilt D. Ab initio study of ferroelectric domain walls in PbTi03 // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. 104111.

233. Cohen R.E. Origin of ferroelectricity in perovskite oxides and the difference in ferroelectric behavior of BaTi03 and PbTi03 // Nature. 1992. V. 358. P. 136 138.

234. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физ.-мат. лит., 2000. 240 с.

235. Zhong W.L., Wang Y.G., Zhang P.L., Qu B.D. Phenomenological study of the size effect on phase transitions in ferroelectric particles // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 698 -703.

236. Novak J., Salje E.K.H. Simulated mesoscopic structures of a domain wall in a ferroelastic lattice // Europ. Phys J. B. 1998. V. 4. P. 279 284.

237. Conti S., Salje E.K.H. Surface structure of ferroelastic domain walls: a continuum elasticity approach // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V. 13. P. L847 L854.

238. Conti S., Weikard U. Interaction between free boundaries and domain walls in ferroelastics // Europ. Phys. J. B. 2004. V. 41. P. 413 420.

239. Sidorkin A.S., Darinskii B.M. Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching // Appl. Surf. Sci. 1997. V. 111. P. 325 328.

240. Flippen R.B. Domain wall dynamics in ferroelectric/ ferroelastic molybdates // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 1068 1071.

241. Lente M.H., Eiras J.A. 90° domain reorienta-tion and domain wall rearrangement in lead zirconate titanate ceramics characterized by transient current and hysteresis loop measurements // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5093 5099.

242. Kighelman Z., Damjanovic D., Cantoni M., Setter N. Properties of ferroelectric PbTi03 thin films //J. Appl. Phys. 2002. V. 91. P. 1495 1501.

243. Grigoriev A., Do D.-H., Kim D.M., Eom C.-B., Adams B., Dufresne E.M., Evans P.G. Nano-second domain wall dynamics in ferroelectric Pb(Zr,Ti)03 thin films // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. 187601.

244. Xu F., Trolier-McKinstry S., Ren W., Xu B., Xie Z.-L., Hemker K.J., Domain wall motion and its contribution to the dielectric and piezoelectric properties of lead zirconate titanate films // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 1336 1348.

245. Kittel C. Domain Boundary Motion in Ferroelectric Crystals and the Dielectric Constant at High Frequency // Phys. Rev. 1951. V. 83. P. 458 458.

246. Arlt G., Pertsev N.A. Force constant and effective mass of 90° domain walls in ferroelectric ceramics // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. P. 2283 2289.

247. Gruverman A., Rodriguez B.J., Dehoff C., Waldrep J.D., Kingon A.I., Nemanich R.J., Cross J.S. Direct studies of domain switching dynamics in thin film ferroelectric capacitors // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. 082902.

248. Munkholm A., Streiffer S.K., Ramana Murty M.V., Eastman J.A., Thompson C., Auciello O., Thompson L., Moore J.F., Stephenson G.B. Antiferrodistortive reconstruction of the PbTi03 (001) surface // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 88. 016101.

249. Сидоркин А.С., Федосов B.H. Ионизация заряженного примесного центра при переполяризации сегнетоэлектрика // ФТТ. 1981. Т. 23, № 9. С. 2854 2856.

250. Stemmer S., Streiffer S.K., Ernst F., Ruhle M. Atomistic structure of 90° domain walls in ferroewlectric PbTi03 thin films // Phil. Mag. A. 1995. V. 71. P. 713 724.

251. Foeth M., Sfera A., Stadelmann F., Buffat P.-A. A comparison of HREM and weak beam transmission electron microscopy for the quantitative measurement of the thickness of ferroelectric domain walls // J. Electron Microsc. 1999. V. 48. P. 717 723.

252. Burgess R.E., Kroemer H. Corrected values of Fowler-Nordheim field emission functions v(y) and s(y) // Phys. Rev. 1953. V. 90. P. 515.

253. Kepler R.G., Anderson R.A. Ferroelectric polymers // Adv. Phys. 1992. V. 41. P. 1-57.

254. Лотонов A.M., Иевлев А.С., Гаврилова Н.Д., Верховская К.А., Юдин С.Г. Диэлектрическая дисперсия в полимерных сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра-Блоджетт // ФТТ. 2006. Т. 48, № 6. С. 1101 1103.

255. Martirena Н.Т., Burfoot J.С. Grain-size and pressure effects on the dielectric and piezoelectric properties of hot-pressed PZT-5 // Ferroelectrics. 1974. V. 7. P. 151 152.

256. Cheng Z.-Y., Katiyar R.S., Yao X., Guo A. Dielectric behavior of lead magnesium niobate relaxors // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. P. 8165 8174.

257. Havriliak Jr. S., Havriliak S.J. Dielectric and Mechanical Relaxation in Materials: Analysis, Interpretation, and Application to Polymers. Munich Vienna - New York: Hanser Publishers, 1997. 508 p.

258. Banys J., Macutkevic J., Grigalaitis R., Kleemann W. Dynamics of nanoscale polar regions and critical behavior of the uniaxial relaxor Sr0.6iBa0.39Nb2O6:Co // Phys. Rev. B. 2005. V. 72.024106

259. Furukawa Т., Tajitsu Y., Zhang X., Johnson G.E. Dielectric relaxations in copolymers of vinylidene fluoride // Ferroelectrics. 1992. V. 135. P. 401 417.

260. Ohigashi H., Omote K., Abe H., Koga K. Chain Motions in the Paraelectric Phase in Single Crystalline Films of Vinylidene Fluoride and Trifluoroethylene Copolymer P(VDF/TrFE) // J. Phys. Soc. Jap. 1999. V. 68. P. 1824 1827.

261. Furukawa Т., Takahashi Y. Ferroelectric and antiferroelectric transitions in random copolymers of vinylidene fluoride and trifluoroethylene // Ferroelectrics. 2001. V. 264. P. 81-90.

262. Poon Y.M., Shin F.G. A simple explicit formula for the effective dielectric constant of binary 0-3 composites // J. Mat. Sci. 2004. V. 39. P. 1277 1281

263. Tuncer E., Gubanski S.M., Nettelblad B. Dielectric relaxation in dielectric mixtures: Application of the finite element method and its comparison with dielectric mixture formulas // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 8092 8100.

264. Glass A. M. Investigation of the Electrical Properties of Sri^Ba^Nb206 with Special Reference to Pyroelectric Detection // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. P. 4699 4713.

265. Кочервинский B.B., Воробьев Д.В. Исследование поведения сегнетоэлектрических полимеров в предпробивных электрических полях // Тезисы XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. С.-Петербург, 2008. С. 280.

266. Керимов М.К., Курбанов М.А., Агаев Ф.Е., Мусаева С.Н., Керимов Э.А. Пироэлектрический эффект в композитах, кристаллизованных в условиях действия плазмы электрического разряда // ФТТ. 2005. Т. 47, N 4. С. 686 690.

267. Керимов М.К., Керимов Э.А., Мусаева С.Н., Панич А.Е., Курбанов М.А. Влияние структурных и электрофизических параметров пирофазы на пироэлектрические свойства композита полимер-пироэлектрическая керамика // ФТТ. 2007, Т. 49. N 5. С. 877 880.

268. Mamedov A.I., Kurbanov M.A., Musaeva S.N., Gasanov A.Sh. On influence of structure of piezoelectric phase on pyroelectric properties of polymer-piezoelectric composite // Fizika. 2001. N 4. P. 50 52.

269. Chang H.H.S., Huang Z. Substantial pyroelectric effect enhancement in laminated composites // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. 152903.

270. Chang H.H.S., Huang Z. Pyroelectric effect enhancement through product property under open circuit condition // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. 014101.

271. Chang H.H.S., Whatmore R.W., Huang Z. Pyroelectric effect enhancement in laminate composites under short circuit condition // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. 114110.

272. Hockley M. J., Chang H.H.S., Huang Z. Pyroelectric coefficient difference under open and short circuit conditions and their enhancements in laminate composites // J. Appl. Phys. 2011. V. 109.064102.

273. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979. 640 с.

274. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Мир, 1967. 386 с.

275. Data Handbook Soft Ferrites and Accessories. Ferroxcube International Holding B.V. 2008. P. 58 60. (URL http://www.ferroxcube.com)

276. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Волк Т.Р., Ивлева Л.И. Аномалии поляризации сегнетоэлектрического релаксора // Письма в ЖЭТФ. 2000 Т. 71, № 1. С. 38-41.

277. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Волк Т.Р., Ивлева Л.И. Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция // ФТТ. 2000. Т. 42, № 7. С. 1296 1302.

278. Granzow Т., Dörfler U., Woike Th., Wöhlecke M., Pankrath R., Imlau M., Kleemann W. Influence of pinning effects on the ferroelectric hysteresis in cerium-doped Sr0.6|Ba0.39Nb2O6//Phys Rev B. 2001. V. 63. 174101.

279. Гладкий B.B., Кириков B.A., Волк T.P. Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках // ФТТ. 2002. Т. 44, № 2. С. 351 358.

280. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Исаков Д.В., Иванова Е.С. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов Sr0 7sBa0 2sNb206 // ФТТ. 2003. Т. 45, № 11. С. 2067-2073.

281. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Иванова Е.С., Ивлева Л.И. Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика // ФТТ. 2005. Т. 47, № 2. С. 286 292.

282. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Волк Т.Р. Аномалии процессов поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках // ФТТ. 2006. Т. 48, № 6. С. 1042 -1046.

283. Богомолов A.A., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Пронин И.П., Афанасьев В.П. Пиро- и фотоотклик в конденсаторных структурах на основе тонких пленок ЦТС // ФТТ. 2006. Т. 48, № 6. С. 1123 1126.

284. Захаров Ю.Н., Гах С.Г., Бородин В'.З. и др. Состояние поляризации в поверхностном слое униполярного кристалла и пироэлектрические сигналы // Межвузовский сборник «Полупроводники-сегнетоэлектрики». Ростов-на-Дону: РГУ. 1973. Вып. 1.С. 133 138.

285. Kip D., Wesner М., Krätzig Е., Shandarov V., Moretti P. All-optical beam deflection and switching in strontium-barium-niobate waveguides // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1960- 1962.

286. Choy C. L., Leung W.P., Xi T.G., Fei Y., Shao C.F. Specific heat and thermal diffusivity of strontium barium niobate (SrixBaxNb206) single crystals // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P. 170- 173.

287. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. 400 с.

288. Волк Т.Р., Иванов Н.Р., Исаков Д.В., Ивлева Л.И., Лыков П.А. Особенности электрооптических свойств кристаллов ниобата бария-стронция и их связь с доменной структурой // ФТТ. 2005. Т. 47, №2. С. 293 299.

289. Blinc R. Advanced Ferroelectricty. Oxford University Press, 2011. 272 p.

290. Tachibana M., Kolodiazhnyi Т., Takayama-Muromachi E. Thermal conductivity of perovskite ferroelectrics // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. 092902.

291. Yanxue Tang, Xiangyong Zhao, Xiqi Feng, Weiqing Jin, Haosu Luo. Pyroelectric properties of 11 l.-oriented РЬ^1/3№>2/з)Оз-РЬТЮз crystals // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86.082901.

292. Hidaka K., Hashiguchi S., Nagayama S., Kim P. Properties of high-density (Pb,La)(Zr,Ti)03 ceramics for sputtering targets // Vacuum. 2000. V. 59. P. 451 458.

293. Bogomolov A.A., Dabizha T.A. Study of pyroelectric properties of PLZT ceramic by dynamic method // Ferroelectrics. 1987. V.74. P. 81 85.

294. Богомолов А.А. Дабижа T.A. Исследование пироэлектрических свойств сегнетокерамики ЦТСЛ динамическим методом // Межвузовский тематический сб. науч. тр. «Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики». Тверь: ТвГУ. 1991. С. 85 91.

295. Богомолов А.А., Малышкина О.В. Поверхностный слой в кристаллах ДТГС // Изв. РАН. Сер. физ. 1993. Т. 57. № 3. С. 199 203.

296. Малышкина О.В. Пироэлектрические и эмиссионные свойства поверхностных слоев сегнетоэлектриков группы триглицинсульфата и сегнетоэлектриков-полупроводников тиогиподифосфата олова и германата свинца: дис. . канд. физ.-мат. наук. Тверь, 1994. 133 с.

297. Малышкина О.В. Пространственное распределение поляризации и пироэлектрический эффект в сегнетоактивных материалах: дис. . док. физ.-мат. наук. Воронеж, 2009. 260 с.

298. Zajosz H.J. Elementary theory of nonlinear pyroelectric response in monoaxial ferroelectrics with second order phase transition // Ferroelectrics. 1984. V. 56. P. 265-281.

299. Богомолов A.A., Дабижа T.A. Исследование нелинейных пироэлектрических явлений, обусловленных вкладом доменного механизма в кристаллах ДТГС // ФТТ. 1987. Т. 29, № 8. С. 2537 2539.

300. Косоротов В.Ф., Кременчугский Л.С., Самойлов В.Б., Щедрина Л.В. Пироэлектрический эффект и его практическое применение. Киев: Наук, думка, 1989. 224 с.

301. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1995. 304 с.1. Список публикаций автора

302. В периодических изданиях, рекомендованных ВАК:

303. Богомолов А.А., Дабижа Т.А., Малышкина О.В., Солнышкин А.В. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента// Изв. РАН. Сер. физ. 1996. Т. 60, № 10. С. 186 189.

304. Богомолов А.А., Малышкина О.В., Солнышкин А.В., Раевский И.П., Проценко Н.П., Санджиев Д.Н. Температурная зависимость пиро- и фотоэлектрического отклика в пленках Sn2P2S6 // Изв. РАН. Сер.физ. 1997. Т. 61, №3. С. 375 -378.

305. Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V. Effect of temperature gradient on the surface domain structure in DTGS crystals // Ferroelectrics. 1997. V. 191.P. 313-317.

306. Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V., Raevsky I.P., Protzenko N.P., Sanjiev D.N. Pyroresponse of Sn2P2S6 films on aluminum substrate // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V. 32. P. S251 S252.

307. Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V. Pyroelectric effect in DTGS crystals under stationary temperature gradient // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V. 32. P. S219 S220.

308. Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Sergeeva O.N., Ershov S.V., Major M.M. Polarization distribution in ferroelectric-semiconductor Sn2P2S6 in the phase transition region // Ferroelectrics. 1998. V. 214. P. 125 129.

309. Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V., Raevsky I.P., Protzenko N.P., Sandjiev D.N. Characteristic behaviour of non-stationary shorted photocurrent in Sn2P2S6 films in the phase transition region // Ferroelectrics. 1998. V. 214. P. 131-135.

310. Солнышкин А.В. Вклад третичного пироэлектрического эффекта в пироотклик кристаллов группы ТЕС в районе фазового перехода // Изв. РАН. Сер. физ. 2003. Т. 67. № 8. С. 1185 1187.

311. Bogomolov А.А., Solnyshkin A.V., Lazarev A.Yu. Distribution of polarization in PLZT relaxor ceramics // Ferroelectrics. 2004. V. 299. P. 179 184.

312. Suchaneck G., Solnyshkin A.V., Suchaneck A., Gerlach G. Polarization profiling of metal-ferroelectric-semiconductor structures by LIMM // Journal of the European Ceramic Society. 2005. V. 25. P. 2369 2372.

313. Suchaneck G., Solnyshkin A.V., Kiselev D.A., Bogomolov A.A., Gerlach G. The LIMM problem for ferroelectric thin films comprising space charge layers // Journal of the European Ceramic Society. 2005. V. 25. P. 2363 2368.

314. Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V. Polarization Distribution in DTGS Crystals under Nonequilibrium Thermal Conditions // Crystallography Reports. 2005. V. 50. Supp. 1. P. 53 57.

315. Богомолов A.A., Солнышкин A.B., Киселев Д.А., Раевский И.П., Проценко Н.П., Санджиев Д.Н. Особенности нестационарного фототока короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 // ФТТ. 2006. Т. 48, № 6. С. 1121 1122.

316. Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Kiselev D.A., Raevsky I.P., Protzenko N.P., Sandjiev D.N. Nonstationary photocurrent and pyroelectric response in aged Sn2P2S6 films // Journal of the European Ceramic Society. 2007. V. 27, N 13. P. 3835 3838.

317. Solnyshkin A.V., Suchaneck G., Kislova I.L., Gerlach G. Modeling of a Pyroelectric Thin Film IR Imager // Ferroelectrics. 2007. V. 353. P.225 232.

318. Солнышкин A.B., Wegener M., Künstler W., Gerhard-Multhaupt R. Аномалии диэлектрических свойств пленок сополимера P(VDF-TrFE) // ФТТ. 2008. Т. 50, №3. С. 542-546.

319. Богомолов A.A., Солнышкин A.B., Лазарев А.Ю., Киселев Д.А., Холкин А.Л. Инициирование поляризованного состояния в релаксорной керамике ЦТСЛ-10 // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. 2008. № 2. С. 57 60.

320. Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Lazarev A.Yu., Kiselev D.A., Kholkin A.L. Polarization of surface layers in PLZT relaxor ceramics // Ferroelectrics. 2008. V. 374. P. 144- 149.

321. Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Lazarev A.Yu.,. Salobutin V.Yu, Ivleva L.I. Anomalies of pyroelectric hysteresis loops in relaxor ferroelectric SBN // Ferroelectrics. 2008. V. 374. P. 128 135.

322. Solnyshkin A.V., Kislova I.L. Analysis of the Relaxor-Like Behavior in a Ferroelectric Copolymer P(VDF-TrFE) // Ferroelectrics. 2010. V. 398. P. 77 84.

323. Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Troshkin A.S., Raevsky I.P., Sandjiev D.N., Shonov V.Yu. Effect of Polarization State on Photovoltaic Properties of Ferroelectric Semiconductor Sn2P2S6 Films // Ferroelectrics. 2010. V. 399. P. 76 82.

324. Солнышкин A.B., Морсаков И.М., Канарейкин A.P., Богомолов A.A. Пироэлектрический эффект в композитах на основе сополимера P(VDF-TrFE) и сегнетоэлектрической керамики ЦТБС // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74, № 9. С. 1343 1346.

325. Богомолов A.A., Солнышкин A.B., Шилов М.В., Суханек Г. Фотовольтаический и пироэлектрический эффекты в ~ самополяризованных сегнетоэлектрических пленках PZT(25/75) // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74, №9. С. 1363 1366.

326. Богомолов A.A., Солнышкин A.B., Калгин A.B., Горшков А.Г., Гриднев С.А. Пироэлектрический эффект в магнитоэлектрических композитах 0.8 PZT-0.2 MZF и 0.8 PZT-0.2 NZF // Изв. РАН. Сер. физ. 2011. Т. 75, № 10. С. 1452 1455.

327. Шилов М.В., Богомолов A.A., Солнышкин A.B. Релаксация фотоэлектрического и фотовольтаического откликов тонкопленочного сегнетоэлектрика Pb(Zr0 25,Ti0 7s)03 // Изв. РАН. Сер. физ. 2011. Т. 75, №10. С. 1488- 1490.

328. Каменщиков М.В., Солнышкин A.B., Богомолов A.A., Пронин И.П. Проводимость и вольт-амперные характеристики тонкопленочных гетероструктур на основе ЦТС // ФТТ. 2011. Т. 53, № 10. С. 1975 1979.

329. В материалах Всероссийских и Международных конференций и симпозиумов:

330. Богомолов A.A., Солнышкин A.B., Малышкина О.В., Ершов C.B. Распределение поляризации в сегнетоэлектрике-полупроводнике Sn2P2S6 //

331. Материалы VII Международного семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводнйков. Ростов н/Дону: РГУ, 1996. С. 68 69.

332. Солнышкин A.B., Кислова И.Л., Künstler W., Gerhard R. Диэлектрическая дисперсия в сополимерах P(VDF-TrFE) // Материалы XI Международной конференции «Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008)». СПб.: РГПУ им. А.И.Герцена, 2008. Т. 1. С. 270 272.

333. Кислова И.Л., Солнышкин A.B. Особенности диэлектрической дисперсии пленок сополимера P(VDF-TrFE) // Материалы VII Международной научно-технической конференции «INTERMATIC 2009». Часть 1. М.: МИРЭА, 2009. С. 209-212.

334. Автор выражает глубокую благодарность и признательность научному консультанту д.ф.-м.н., профессору A.A. Богомолову за переданный бесценный опыт и многолетнюю совместную работу.