Полифункциональные тонкие пленки неметаллических соединений тантала тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.11, кандидат технических наук Чистоедова, Инна Анатольевна

• Чистоедова, Инна Анатольевна
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Чистоедова, Инна Анатольевна

Введение.

Глава 1. Структура, свойства и методы получения тонких пленок тантала и его соединений.

1.1 Физико-химические свойства тантала.

1.2 Структура тонких пленок тантала.

1.3 Структура тонких пленок оксидов тантала.

1.4 Методы получения тонких пленок тугоплавких соединений.

1.5 Модификация тонкопленочных материалов.

1.6 Основные заключения по состоянию проблемы. Постановка задачи исследования.

Глава 2. Оборудование и методология исследований.

2.1 Оборудование.

2.1.1 Выбор режимов работы ионного источника

2.1.2 Установка магнетронного ВЧ-распыления Z

2.1.3 Оборудование для модификации тонких пленок.

2.1.4 Установка лазерной обработки пленок.

2.2 Методы исследования.

2.2.1 Метод электронной оже-спектроскопии.

2.2.2 Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС).

2.2.3 Методика измерения температурного коэффициента сопротивления.

4 2.2.4 Измерения уровня низкочастотных шумов.

2.2.5 Фотоэлектрическая спектроскопия тонких пленок.

2.2.6 Тонкопленочная рентгеновская дифрактометрия.

Глава 3. Состав и структура тонких пленок тантала и его соединений, полученных ионно-плазменным распылением.

3.1 Исследование структуры и фазового состава тонких пленок тантала.

3.1.1 Влияние газовой среды на процесс ионного распыления и загрязнение пленок в процессе ионно-плазменного распыления.

3.1.2 Состав остаточной атмосферы вакуумной камеры.

3.1.3 Адсорбция и газовыделение с поверхности подложек.

3.2 Химические и структурные образования в тонких пленках, полученных ионно-плазменным распылением тантала из компактных мишеней.

3.3 Ионно-плазменное распыление тантала в среде активных газов.

Глава 4. Свойства полифункциональных тонких пленок соединений тантала.

4.1 Электрические свойства тонких пленок тантала и его соединений.

4.2 Анализ температурной зависимости сопротивления пленок соединений тантала, полученных методом магнетронного и триодного ионно-плазменного распыления.

4.3 Электрическое сопротивление тонких пленок системы Та+Таг05.

4.4 Электрические свойства тонких пленок нитрида тантала.

4.5 Электрические свойства тонких пленок Та205.

4.6 Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок соединений тантала.

Глава 5. Модификация структуры и свойств тонких пленок.

5.1 Влияние плазменной и термической обработки на сопротивление резисторов.

5.2 Измерение температуры образцов во время плазменной обработки.

5.3 Испытания на ускоренное старение резисторов.

5.4 Ионная обработка поверхности подложек перед напылением пленок.

5.5 Исследование воздействия лазерного излучения на свойства тонких пленок Та+ТагОз.

5.6 Фотонная импульсная обработка тонких пленок.

5.7 Технологический процесс нанесения тонкопленочных покрытий.

5.8 Практическое применение полифункциональных тонких пленок неметаллических соединений тантала.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полифункциональные тонкие пленки неметаллических соединений тантала»

Актуальность работы. Неметаллические соединения тугоплавких металлов имеют высокую механическую прочность, высокую химическую стойкость и очень стабильные тепловые, электрические, оптические и другие свойства. Тонкопленочная технология позволяет существенно расширить возможности использования тугоплавких металлов и их неметаллических соединений во всех областях промышленного производства. В то же время современные методы получения тонких пленок являются не только инструментом для их нанесения, но и методом, который позволяет формировать состав, структуру и свойства пленок, придавая им тем самым свойства, качественно отличающиеся от свойств исходного материала. В результате создается возможность целенаправленного формирования свойств пленок и придания им статуса полифункциональности [1]. Характерной особенностью тонкопленочных структур на основе неметаллических соединений тугоплавких металлов является их многофазность и неопределенность состава. Однако до настоящего времени нет четких представлений о влиянии условий получения тонких пленок на их состав, структуру и свойства.

В данной работе приводятся результаты исследований ионно-плазменных процессов получения тонких пленок неметаллических соединений тантала типа оксидов, нитридов и карбидов, а также двойной системы Та+Таг05 и тройных систем типа Ta+Ta2Os +N2 иТа+ТагС^+С. Данные системы выбраны исходя из их перспективности для многих областей науки и техники: жаростойкие и химически стойкие покрытия, нагревательные и резистивные элементы, оптические и диэлектрические элементы, чувствительные элементы газовых сенсоров и другие.

Работа выполнена в рамках проекта МНТЦ «Координатный детектор ионизирующих излучений», договорных работ между кафедрой физической электроники ТУСУР и научно-производственной фирмой «Микран» и НИИСЭС.

Цель работы: Разработка технологии и исследование структуры и свойств полифункциональных тонких пленок неметаллических соединений тантала, полученных методом ионно-плазменного распыления на подложки из керамических и полупроводниковых материалов для изделий электронной техники бытового и специального назначения.

Для достижения поставленной цели были определены следующие задачи:

1. Разработать основные операции и режимы получения тонких пленок неметаллических соединений тантала заданного состава и структуры.

2. Исследовать структуру и состав тонких пленок с целью оптимизации как технологии их получения, так и основных свойств, определяющих их полифункциональность.

3. Разработать методы модификации тонких пленок, позволяющие как стабилизировать химический и фазовый состав, так и направленно изменять их характеристики.

4. Исследовать возможности применения полученных тонких пленок в качестве защитных, антиотражающих, диэлектрических и резистивных элементов в производстве электротехнической и электронной аппаратуры.

Объекты исследования.

Тонкие пленки неорганических соединений тантала: оксиды, нитриды, оксинитриды и карбиды, нанесенные методами ионно-плазменного распыления на подложки из керамики ВК-100, ситалла СТ-50-1, стекла С5-1, монокристаллического кремния и арсенида галлия. Научная новизна.

1. Установлено, что при ионно-плазменном распылении мишени тантала в смеси газов аргон+кислород на подложке формируется тонкая пленка состава: а-тантал, Р-тантал, ТагС^ при этом максимальный выход оксида тантала достигается при соотношении давлений кислорода и аргона порядка 0,95.

2. Установлено, что при ионно-плазменном распылении мишени тантала в смеси газов аргон+азот на подложке формируется тонкая пленка состава: Р-тантал, TaN, Ta2N при этом максимальный выход нитрида тантала достигается при соотношении давлений азота и аргона порядка 0,65.

3. Установлено, что в оксидной пленке дополнительно формируются карбидная, оксикарбидная и оксинитридная фазы тантала в виде включений размером 2 -5 мкм, занимающих на поверхности пленки площадь 5-10 %, что позволяет управлять электропроводностью тонкой пленки.

Показано - влияние остаточной атмосферы вакуумной камеры и адсорбированных на поверхности пленки и подложки газов на химический состав полученных тонкопленочных покрытий и установлено, что неконтролируемая концентрация кислорода, азота и углерода может достигать 20-30 ат. %.

4. Установлено, что при ионно-плазменном, фотонном и лазерном воздействии в кислородосодержащей атмосфере в тонких пленках происходит увеличение содержания оксидной фазы и, как следствие, увеличение их удельного сопротивления на 40-50 %. При изохронном отжиге в вакууме (давление 10*2 Па) при температуре 600-1000 °С удается уменьшить температурный коэффициент сопротивления пленок более чем в два раза.

Практическая ценность.

1. Разработаны технологические операции и режимы ионно-плазменного нанесения тонких полифункциональных пленок неметаллических соединений тантала с заданными оптическими и электрофизическими свойствами на подложки из стеклянных, керамических и полупроводниковых материалов.

2. Полученные результаты исследований электрофизических и оптических свойств тонких пленок, расширяют возможности их применения в технологии изделий электронной техники бытового и специального назначения.

3. Результаты исследований процессов модификации позволяют стабилизировать электрические характеристики тонкопленочных танталсодержащих резисторов гибридных интегральных СВЧ-схем на керамических подложках.

Достоверность полученных результатов обеспечивается применением современных взаимодополняющих физико-химических методов исследования состава и структуры тонких пленок и сопоставлением их с результатами, полученными на тех же образцах различными организациями.

Личный вклад автора.

Автором работы изготовлены экспериментальные образцы тонких пленок, проведены исследования электрофизических и оптических характеристик. Анализ и интерпретация полученных экспериментальных данных были выполнены совместно с научным руководителем.

Апробация работы. Результаты работы представлялись и докладывались на IV Международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2004); II Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2000); II Всероссийской конференции «Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии», (Томск, 2003); VIII Всероссийской конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2002); II Всероссийской конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» (Томск, 2002); на региональной научно-технической конференции «Радиотехнические устройства и системы управления» (Томск 2000, 2001); на региональных научно-практических конференциях молодых ученых и студентов «Научная сессия ТУСУР» (Томск, 2003); на региональной конференции «Научные основы развития АПК» (Томск, 2001); на региональной научно-практической конференции «10 лет ТСХИ» (Томск, 2003); а также на научно-практических семинарах кафедры физической электроники ТУСУР. Публикации.

По теме диссертации опубликовано 11 работ, включая 1 статью в центральной печати, 2 статьи в сборниках трудов, 8 тезисов докладов на международных, всероссийских и региональных конференциях.

Заключение диссертации по теме «Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов», Чистоедова, Инна Анатольевна

8. Результаты работы опробованы и внедрены в экспериментальном и мелкосерийном производстве ГИС СВЧ ОАО НИИПП и НПФ «Микран».

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Чистоедова, Инна Анатольевна, 2005 год

1. Верещагин В.И., Козик В.В., Сырямкин В.И., Погребенков В.М., Борило Л.П. Полифункциональные неорганические материалы на основе природных и искусственных соединений. Томск: ТГУ, 2002. - 359 с.

2. Бобылев А.В. Механические и технологические свойства металлов. М.: Металлургия, 1987. - 208 с.

3. Особо тугоплавкие элементы и соединения: Справочник / Под ред. Р.Б. Котельникова, С.Н. Башлыкова, З.Г. Галиакбарова, А.И. Каштанова.- М.: Металлургия, 1968. 376 с.

4. Андриевский Р.А., Спивак И.И. Прочность тугоплавких соединений и материалов на их основе. Челябинск: Металлургия, 1989. - 368 с.

5. Горшков B.C., Савельев В.Г., Федоров Н.Ф. Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений. М.: Высшая школа, 1988. - 400 с.

6. Новые материалы для резисторов высокочастотных печатных плат // Новости СВЧ-техники. 2000. - № 10. - С.17.

7. McClean, D.A., J. Electrochem. Soc. Japan, 34, 1 (1966).

8. Справочник по электротехническим материалам. Л.: Энергоатом, 1988. -Т.3.-728 с.

9. Schutze H. J., Ehlbeck H. W., Doerbeck G. G., Trans. Nat. Vac. Symp.,10, 434 (1963).

10. Мейксин З.Г. Несплошные и керметные пленки // Физика тонких пленок. -М.: Мир, 1978. -Т.8. -С.106 179.

11. Майссел Л.И. Тонкопленочные резисторы // Технология тонких пленок. -М.: Сов.радио, 1977. Т.2. - С.578 - 622.

12. Берри Р., Холл П., Гаррис М. Тонкопленочная технология. М.: Энергия, 1972.-330 с.

13. Аветисян A.M., Татевосян В.В. Исследование механизма электропроводности пленок нитрида тантала и нитрида тантала-алюминия // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. М.: ЦНИИ Электроника, 1989. - Вып.1 (238). - С. 17 - 20.

14. Косенко В.Е., Крикунов А.И., Яремчук Б.Г. Использование резистивных пленок на основе тантала и его соединений с азотом в технологии ГИС // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1989. - Вып.1 (415). -С.55 - 57.

15. Гимпельсон В.Д., Радионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976.-328 с.

16. Хитрова В.И., Клечковская В.В., Пинскер З.Г. О структурах с ГЦК ячейкой в тонких слоях окислов Nb, Та // Кристаллография. 1979. — Т.24. - № 6. - С.1254 — 1258.

17. Хитрова В.И., Клечковская В.В., Пинскер З.Г. Исследование атомной структуры ромбического окисла тантала в тонких пленках // Кристаллография. 1972. - Т. 17. - № 3. - С.506 - 511.

18. Тегао N. Structure des oxides de tantale. // Jap. J. Appl. Phys. 1967. — vol.6. - N 1. — P.21 -45.

19. Хитрова В.И. Структурный аспект механизма окисления переходных металлов VA группы в неравновесных условиях // Кристаллография. — 1983. Т.28. - № 5. - С. 905 - 909.

20. Kotval P.S., Dewin C.J. Electron microscopy observations on the crystallization of thin films of tantalum oxide. Relat. Phenomena. Proc. 3-rd Int. Conf., Notre Dame, 1972. New York-London, 1973, p. 165 - 170.

21. Хитрова В. И. Структурный аспект механизма окисления переходных металлов VA группы в равновесных условиях // Кристаллография. 1983. -Т. 28. - № 5. - С.896 - 904.

22. Murti D.K., Kelly R. Preferential oxygen sputtering from Nb205 // Thin Solid Films. 1976. - vol. 33. - n 2. - p. 149 - 163.

23. Цхай B.A., Гельд П.В., Переляев B.A. Об устойчивости оксикарбидов в системе ZrC Zr02. - В кн.: Химия высокотемпературных материалов. -Л.: Наука, 1965.-С. 19-22.

24. Schiller S., Heisig U., Steinfelder К. Reactive d.с.sputtering with the magnetron-plasmatron for tantalum pentoxide and titanium dioxide films // Thin Sol. Films. 1979. - vol. 63. - N 2. - p. 369 - 375.

25. Сергеев A.H. Тугоплавкие оксиды и их соединения в тонком слое. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1988. 300 с.

26. Dutta S., Jackson Н.Е., Boyd I.T. Use of basic anneaking to achieve low loss in Corming 7059 glass, ZnO, Si3N4, Nb205, and Ta205 optical thin-film waveguides // Opt. Eng. 1983. - vol. 22. - N 1. - p. 117 - 120.

27. Обзоры по электронной технике: Методы изготовления резистивных слоев при повышенных требованиях к стабильности и точности / Н.М.Рахманин, А.М.Писаревский. М.: Электроника, 1974. - Вып.10. Сер.Электровакуумные и газоразрядные приборы. - 36 с.

28. Данилин Б.С. Получение тонкопленочных элементов микросхем. М.: Энергия, 1977. - 136 с

29. Брак, Полленс. Преимущества резисторов, изготовленных по тонкопленочной технологии // Электроника: Пер. с англ. М.: Мир, 1978. - Т.51. - № 16. - С.34 - 42.

30. Скобленко А.В. Материалы и методы получения высокостабильных тонкопленочных резисторов микросхем // Зарубежная электронная техника. 1982. - Вып.8. - С.25 - 29.

31. Технология тонких пленок: Справочник: В 2 т. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. М.: Сов.радио, 1977. - 2 т.

32. Лабунов В.А., Кожитов JI.B., Бондаренко В.В. Исследование диапазона варьирования ТКС тонких пленок тантала, полученных электроннолучевым испарением // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1974. -Вып. 8. С.16 - 21.

33. Готра З.Ю., Мушкарден Э.М., Смеркло JI.M. Технологические основы гибридных интегральных схем. / Под.ред.З.Ю.Готры. — Львов: Вища школа, 1977. 168 с.

34. The preparation of thin films by physical deposition methods / Reichelt K., Iiang X. // Thin Solid Films. 1990. - vol.l91. - N 1. - C.91 - 126.

35. Технология тонких пленок: Справочник: В 2 т. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. М.: Сов.радио, 1977. - Т. 1. - 664 с.

36. Жебин А.П. и др. Лазерное формирование резистивных слоев на подложке из нитрида алюминия // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1997. - Т.З. - С.24 - 28.

37. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способы получения тонких диэлектрических пленок для ИС // Зарубежная электронная техника. 2000. - Вып.4. — С.62 — 89.

38. Бабкин С.И., Киреев В.Ю. Процессы и оборудование физического осаждения из газовой фазы в технологии интегральных микросхем // Известия вузов. Электроника. 2002. - № 1. - С.7 - 22.

39. Иванов Р.Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем. М.: Энергия, 1972. - 112 с.

40. Гимпельсон В.Д., Радионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976.-328 с.

41. Данилин Б.С., Неволин В.К., Сырчин В.К. Исследование разряда в магнетронных системах ионного распыления // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1977. - Вып.З (69). - с.37.

42. Лабунов В.А., Данилович Н.И., Уксусов А.С., Минайчев В.Е. Современные магнетронные распылительные устройства // Зарубежная электронная техника. 1982. - Вып. 10. - С. 3 - 62.

43. Данилин Б.С., Логунов В.Н. Высокочастотное ионное распыление // Зарубежная электронная техника. 1971. - Вып. 3. - С. 3 - 24.

44. Андросюк В.Н., Пашкевич В.И., Тушина С.Д., Романов Б. А. Исследование равномерности высокочастотного катодного распыления пленок Та2С>5 для оптических покрытий // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1985. - Вып. 12 (211). - С. 17 - 21.

45. Горин А.В., Кыласов В.А., Мартынов А.В. и др. Получение прозрачных диэлектрических пленок на основе окислов и оксинитридов металлов ВЧ-магнетронным распылением. //Электронная техника. Сер.6, Материалы — 1991.-Вып.1.-С.26-32.

46. Банщиков Н. П., Глебовский В.Г. и др. Получение пленок Та205 для тонкопленочных конденсаторов реактивным магнетронным распыление на постоянном токе // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1990. - Вып.2 (205). - С. 16 - 24.

47. Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники: Учебное пособие. М.: Высшая школа, 1972. - 352 с.

48. Обзоры по электронной технике: Устройства со скрещенными полями и перспектива их использования в технологии микроэлектроники / Б.С.Данилин, В.К.Сырчин. М.: Электроника, 1991. - Вып. 2. Сер. Микроэлектроника. - 90 с.

49. Семенов А.П. Техника нанесения тонких пленок распылением ионным пучком // Приборы и техника эксперимента. 1990. - № 4. - С.26 — 42.

50. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно -ионной технологии: Учебное пособие для вузов. М.: Высшая школа, 1988. -255 с.

51. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. - 232 с.

52. Шнаревич Е.И., Рыбинский О.А., Злобин В.А. Диэлектрики интегральных схем. М.: Энергия, 1975. - 420 с.

53. Данилина Т.И., Смирнов С.В. Ионно-плазменные технологии в производстве СБИС: Учебное пособие. Томск: Томск.гос.ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2000. — 140 с.

54. Hosokawa N., Tsukada Т., Misumi Т. Self-sputtering phenomena in high-rate coaxial-cylindrical magnetron sputtering // J. Vac. Sci. Technol. 1977. - vol. 14. - N 1. - p. 143- 146.

55. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сборник статей. М.: Мир, 1989. - 349 с.

56. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. — М.: Высшая школа, 1987. 375 с.

57. Первеев А.Ф. Ионная обработка материалов и покрытий / Труды ГОИ, 1983.-С.58-73.

58. Кузнецов К.А., Юсупов Н.Ю. Сравнение параметров резистивных пленок после термического и фотонного отжига // Электронная техника. Сер.З. — 1985. Вып. 3 (115). - С.24 - 27.

59. Кизитов К.М. Плазменная обработка многослойных тонкопленочных материалов // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1990. -Вып.З (137). - С.80 - 81.

60. Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М.: Наука, 1986.- 144 с.

61. Тарун Я. Основы технологии СБИС. М.: Радио и связь, 1985. - 480 с.

62. Плазменные технологии в производстве СБИС. / Под редакцией Н.Айнспрука и Д.Брауна. М.: Мир, 1987. - 469 с.

63. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. - 176 с.

64. Сурганов В.Ф., Мозалев A.M., Поборцев В.Н., Захарчук А.С. Обработка слоев Та и ТагОб во фторосодержащей плазме // Физика и химия обработки материалов. 1990. - № 5. - С. 139 - 140.

65. Юнг JI. Анодные оксидные пленки. JL: Энергия, 1967. - 232 с.

66. Janagisama S., Fukayama Т. // J. Electrochem. Soc. 1980. - V. 127. - № 5. -P. 1150.

67. Лесникова В.П., Баранов B.B., Турцевич А.С., Кравцов С.В. Влияние условий термического окисления на микростуктуру и электрофизические свойства формируемых пленок ТагОг // Поверхность. 1990. - № 7. -С.157- 160.

68. Вакуленко JI.H., Кононенко Ю.Г. Влияние отжига на электрофизические свойства пленок тантала // Сборник «Получение и свойства тонких пленок» АН УССР. Киев, 1977. - С. 129 - 133.

69. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов: Пер. с англ. М.: Мир, 1969.-210 с.

70. Борисенко А.С., Бавыкин Н.И. Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств: Учебник для техникумов. -М.: Машиностроение, 1983. -320 с.

71. Николаев И.М. Оборудование и технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1977. — 269 с.

72. Физика и технология источников ионов. / Под ред. Я.Брауна. М.: Мир, 1998.-496 с.

73. Михайлов М.М., Верещагин В.И., Смирнов С.В. Высокотемпературные стеклокерамические отражающие покрытия // Перспективные материалы 1999. - № 4. - С.14 - 18.

74. Борисенко В.Е., Корнилов С.Н., Лабунов В.Л. Оборудование для импульсной термообработки материалов интенсивным некогерентным светом // Зарубежная электронная техника. 1985. - № 6 (289). — С. 45 -65.

75. Карпасюк В.К. Современные методы исследования материалов.-Астрахань: Изд-во педагогического института, 1994.-232 с.

76. Вудраф Д., Делчер Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989.-564 с.

77. Данилин Н.С. Неразрушающий контроль качества продукции радиоэлектроники. М.: Изд-во стандартов, 1976. - 240 с.

78. Смирнов В.И., Матта Ф.Ю. Теория конструкций контактов в электронной аппаратуре. М.: Сов. Радио, 1974. - 176 с.

79. Божков В.Г., Табакаева Т.М., Усольцев А.А. Исследование корреляции между низкочастотным шумом и вольт-амперной характеристикой диода // Известия вузов. Радиофизика. 2002. - № 7. - С. 607 - 613.

80. Гребенщиков Ю.Г. Погуляев В.В., Сейсян Р.П. Фотоэлектрическая спектроскопия глубоких уровней в анодных окисных пленках // Журнал технической физики. 1981. - Т.51. - Вып. 10. - С. 2096 - 2104.

81. Thomas J.H. Potoconductivity in anodic Ta205 formed tantalium films // Applied Physics. 1974. - vol. 45. - p. 5349 - 5355.

82. Гребенщиков Ю.Г., Погуляев B.B., Применение фотоэлектрической спектроскопии для оценки качества дилектрика танталовых тонкопленочных конденсаторов // Электронная техника. Сер. 5. — 1986. -Вып. 4 (65).-С. 6-9.

83. Шабельников Л.Г. Тонкопленочная рентгеновская дифрактометрия // Электронная промышленность. 1988. - Вып.7 (175). - С. 27 - 29.

84. Троицкий А.В., Суров Ю.И., Онанова Н.Ш. и др. Изучение зависимости фазового состава и электрофизических свойств пленок тантала от скорости конденсации // Электронная техника. Сер.7. — 1989. Вып. 2(153).-С. 19-22.

85. Черепнин Н.В. Сорбционные явления в вакуумной технике. М.: Сов. Радио, 1992.-384 с.

86. Белоусов П.С., Мушкаренко Ю.Н., Потоков М.Ф., Фомина Г.В. Вакуумные свойства алюминий-нитридной керамики // Электронная промышленность. 1986. - Вып. 6 (154). -С.26 - 27.

87. Выбор материала и отработка технологии создания керамических втулок с целью повышения влагостойкости полупроводниковых приборов: Отчет по НИР / № гос. регистрации Ф19420, Томск, НИИПП, 1984. - 92 с.

88. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1978. — 256 с.

89. Афонин О.Ф., Викторов Б.В., Забродин Б.В. и др. Метод обратного резерфордовского рассеяния и его применение в исследованиях материалов электронной техники // Электронная промышленность. — 1990. -№ 10.-С. 27-32.

90. Волокитин Г.Г., Романов Б.П., Отмахов В.И. Компьютерное термодинамическое моделирование высокотемпературных процессов при плазменной обработке силикатных и керамических материалов. Томск: ТГАСУ, 2001.- 140 с.

91. Недорезов В.Г., Шульгин Е.И. Предельно достижимые значения температурного коэффициента сопротивления толстопленочных резисторов // Электронная техника. Сер.6. 1987. - Вып.8 (229). - С. 36 -39.

92. Василенко О.Ф., Гуляева Е.Н., Майер А.А., Чащин В.А. Расчет зависимостей состав-свойство композиционных резистивных материалов в приближении статических систем // Электронная техника. Сер. Материалы. 1985. - Вып. 3 (202). - С. 71 - 74.

93. Оделевский В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем // ЖТФ. 1951. - т.21. - № 6. - С. 667 - 677.

94. Pike G.T., Seager С.Н. Electrical properties and conduction mechanisms of Ru-based thick-film resistor // J.Appl. Phys. 1977. - vol. 48 (12). - p.5152-5169.

95. Зарубин А.Н., Чистоедова И.А., Шмидт С.Э., Смирнов С.В. Тонкие пленки Та+Та205 для распределенных RC -элементов интегральных схем // Электронная промышленность. 2002. - № 2 - 3. — С. 124 - 126.

96. Мартюшов К.И. Электропроводность композиционных резистивных материалов // Обзоры по электронной технике. Сер.5. 1982. - Вып.8. — с. 57.

97. Brady D.P., Fuss F.N., Gerstenberg D. Thermal oxidation and resistivity of tantalum nitride films // Thin Solid Films. 1980. - vol. 66. - № 3. - s.287 -302.

98. Алексанян И.Т., Бондаренко Ю.Г., Брицин К.И. и др. Методы измерения параметров элементов пленочных микросхем // Микроэлектроника. М.: Сов. Радио, 1967. - Вып.1. - С. 283 -314.

99. Arora N.D. and Hauser J.R. Antireflection lauers for GaAs solar cells // J.Appl.Phys. 1982. - vol. 53. - № 12. - p. 8839 - 8845.

100. Чистоедова И. А., Пятова A.B. Тонкопленочные просветляющие покрытия на основе Ta2Os для кремниевых солнечных элементов // Сборник трудов НГАУ. Томск, 2002. - С.231 - 233.

101. Чистоедова И.А., Пятова А.В. Тонкопленочные просветляющие покрытия на основе Та205 для солнечных элементов на GaAs // Труды 8-й Российской конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III V». - Томск, 2002. - С.361 - 362.

102. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. -456 с.

103. Loh Е. Physical interpretation of the tantalum chip capacitor life-test results // IEEE Transactions on Components, Hibrids. 1980. - vol. CHMT-3. - № 4. -p. 647 - 654.

104. Черняк А.С., Перепелица JI.C. Инфракрасные спектры поглощения минералов группы пирохлор-микролита // Спектроскопия. Методы и приложения. М.: Наука, 1969. - С. 105 - 108.

105. Красиков Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Часть 1. Москва: Техносфера, 2002.416 с.

106. Гребенников Ю.Г., Погуляев В.В. Применение фотоэлектрической спектроскопии для оценки качества диэлектрика танталовых тонкопленочных конденсаторов // Электронная техника. Сер. Радиодетали и радиокомпоненты. 1986. - Вып. 4. - С. 6 - 9.

107. А.В.Пятова, И.А.Чистоедова. Процессы старения тонких пленок Та+Та205 при нагреве в кислородосодержащей среде // Труды 2-ой Всероссийской научной конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий». Томск, 2002. - Т. 1. - С. 136-138.

108. Гаврилов А.Н., Зарубин А.Н. Ионно-плазменная обработка поверхности керамики и ситалла // Труды 2-ой Всероссийской научной конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий». Томск, 2002. — Т. 1. - С.41 —43.

109. Robinson R., Stephens К. The effects of argon ion bombardment on the electrical properties of Та thin films // Thin Solid Films. 1980. - vol. 68. -p.305-314.

110. Чистоедова И.А., Смирнов C.B. Тепловые процессы в системе пленка-подложка при лазерной обработке // Тезисы докладов 2-й Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Томск, 2000. - С. 210 — 212.

111. Пилипенко В.А., Рожков В.В., Горушко В.А. Модель взаимодействия кремния с алюминием при фотонной обработке // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1990. - Вып.З. -С. 66- 70.

112. Вендик О.Г. Горин Ю.Н. Попов В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология. М.: Высшая школа, 1984. - 240 с.

113. Борисенко В.Е., Самуйлов В.А. Твердофазные процессы при импульсной термообработке некогерентным светом // Зарубежная техника. 1987. № 1. - С. 46 - 68.

114. Зотов В.В., Королева Е.А. Новые применения лучистой энергии в микроэлектронике // Обзоры по электронной технике. Сер 6. Материалы. 1981. - Вып.7. — 58 с.