Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Пащенко, Александр Сергеевич

• Пащенко, Александр Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пащенко, Александр Сергеевич

СПИСОК СОКРАЩЕНИИ И ОБОЗНАЧЕНИИ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ

РАЗВИТИЯ ФОТОВОЛЬТАИКИ.

1Л Прогресс в фотовольтаике.

1Л Л Кремниевые солнечные элементы. iii v

1Л.2 Каскадные гетероструктуры на гетероструктурах А В

1Л.3 Тонкопленочные солнечные элементы.

1Л .4 Фотоэлектрические преобразователи третьего поколения

1.2 Конструкции фотоэлектрических преобразователей на кремнии.

1.3 Метод ионно-лучевого осаждения.

1.3.1 Сравнение метода ионно-лучевого осаждения с другими методами получения фотоактивных материалов.

1.3.2 Обоснование выбора фотоактивных материалов для их получения методом ионно-лучевого осаждения.

1.3.3 Использование метода и его аналогов для получения фотоактивных слоев кремния.

1.4 Выводы.

1.5 Цель работы и постановка задач.

ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ФОТО АКТИВНЫХ СЛОЕВ Si И ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР c-Si(«+)/c-Si(/?)/c-Si(p+) IIA ИХ ОСНОВЕ.

2Л Модель ионно-лучевого осаждения слоев кремния.

2.1.1 Описание программы моделирования ионно-лучевого осаждения фотоактивных слоев Si.

2.2 Моделирование параметров и характеристик структуры c-S\(nl)/c-S>i(p)/c-S\(p ) на основе фотоактивных слоев кремния.

2.2.1 Результаты моделирования влияния толщины и уровня легирования фронтального слоя на световую вольтамперную характеристику структуры c-Si(w+)/c-Si(p)/c-Si(/?+).

2.2.2 Результаты моделирования влияния толщины и уровня легирования фронтального слоя на спектральную зависимость внешнего квантового выхода структуры c-Si(H+)/c-Si(p)/c-Si(p+).

2.2.3 Результаты моделирования влияния толщины и уровня легирования фронтального слоя на КПД фотоактивной структуры с-81(и+)/с-81(/?)/с-81(/?+).

2.3 Выводы.

ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ ФОТО АКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ.

3.1 Оборудование для получения фотоактивных материалов методом ионно-лучевого осаждения.

3.2 Исследование зависимости ионно-лучевого осаждения от параметров системы «ионный пучок-мишень-подложка».

3.2.1 Зависимость ионно-лучевого осаждения от диаметра подложки.

3.2.2 Зависимость ионно-лучевого осаждения от расстояния «мишень -подложка».

3.2.3 Зависимость ионно-лучевого осаждения от угла наклона «мишень - ионный пучок».

3.2.4 Выбор оптимальной конфигурации системы ионный пучок - мишень -подложка».

3.3 Формирование/?-п-переходов на основе слоев 81 ионно-лучевым осаждением для создания фотоактивных структур с-81(и+)/с-81(р)/с-81(р+).

3.4 Получение фотоактивных гетероструктур с квантовыми точками 1пАз методом ионно-лучевого осаждения.

3.5 Исследование свойств и характеристик фотоактивных материалов и структур на их основе.

3.5.1 Исследование морфологии поверхности полученных структур на основе 81 и ЫАэ и распределения толщины осажденных слоев методами сканирующей зондовой микроскопии.

3.5.2 Измерение вольтфарадиых характеристик кремниевых р-и-переходов и построение профилей распределения концентрации носителей заряда.

3.5.3 Измерение спектральных зависимостей внешнего квантового выхода фотоактивных структур на основе с-81(/1+)/с-Б1(р)/с-81(р+).

3.5.4 Измерение световых вольтамперных характеристик фотоактивных структур на основе с-81(л+)/с-81(р)/с-81(/?+).

3.5.5 Измерение фотолюминесценции фотоактивных гетероструктур на основе 1пАз/ОаА8.

3.6 Выводы.

ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ И

ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУЧЕННЫХ ФОТО АКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ.

4Л Исследование влияния температуры подложки и энергии ионов пучка на структуру и качество выращенных методом ионно-лучевого осаждения слоев кремния.

4.2 Исследование вольтфарадных характеристик и профилей распределения концентрации фосфора в фронтальном фотоактивном слое с-8\{п+).

4.3 Исследование спектральных зависимостей внешнего квантового выхода фотоактивных структур на основе с-81(и+)/с-81(р)/с-81(р+).

4.4 Исследование световых вольтамперных характеристик фотоактивных структур на основе с-8\(п )1с-8\{р)1с-8\(р!)

4.5 Исследование фотоактивных гетероструктур с квантовыми точками ЕпАя, полученных методом ионно-лучевого осаждения.

4.6 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения»

Достижения в фотовольтаике стимулировали исследования фотоактивных материалов и структур, а также разработку методов их получения. В настоящее время наибольший интерес для фотовольтаики представляют фотоактивные материалы на основе 81 и АШВУ. Это обусловлено фотоэлектрическими, оптическими, электрофизическими параметрами и характеристиками материалов. На основе кремния и соединении АШВУ созданы высокоэффективные солнечные элементы [1]. Сегодня 81 и ТпАб являются основными материалами для нового направления развития фотовольтаики - создания приборов на основе фотоактивных наногетероструктур.

Для получения структур с фотоактивными областями она основе 81 и 1пАз широкое распространение получили методы молекулярно-лучевой, газофазной и жидкофазной эпитаксии. Несмотря на стремительное развитие в течение последних трех десятилетий технологии получения фотоактивных материалов и структур, методы производства становятся все сложнее. Внимание многих исследовательских лабораторий приковано к поиску альтернативных методов получения фотоактивных материалов на основе 81 и

Альтернативным методом получения фотоактивных материалов на основе кремния и соединений А'"ВУ, представляется относительно простой метод ионно-лучевого осаждения (ИЛО). Следует отметить, что метод ионно-лучевого осаждения известен достаточно давно и широко применяется для нанесения просветляющих покрытий и тонких пленок металлов и диэлектриков, однако получение фотоактивных материалов и структур на основе 81 и 1пАз этим методом мало изучено. В связи с чем, установление основных физических закономерностей и особенностей процесса ионно-лучевого осаждения фотоактивных материалов и структур на основе 81 и 1пАэ представляется весьма актуальной задачей.

Актуальность темы диссертационной работы подтверждается использованием полученных результатов при выполнении НИР и НИОКР по заказу Фонда содействия малых форм предприятий в научно-технической сфере, Министерства образования и науки РФ и научно-нроизводственных предприятий:

- НИОКР конкурса Фонда содействия малых форм предприятий в научно-технической сфере «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» (г/к № 5614Р/8050, 2008 г.; г/к № 6632Р/9196, 2009 г.);

- НИОКР по заказу Министерства образования и пауки Российской Федерации (г/к №02.513.11.3349, 2007-2008 гг.);

-НИР «Исследование образцов фотоэлектрических преобразователей и определение их функциональных характеристик» (Х.-Д. № 30/10, 2010 г., ООО НПФ «ЭКСИТОН», г. Ставрополь);

-НИР «Исследование кинетики процесса ионно-лучевого осаждения, свойств фоточувствительных гетероструктур АШВУ и параметров фотоэлектрических преобразователей на их основе» (Х.-Д. № 38/10, 2010-2011 гг., ООО НПФ «СОЛНЕЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ», г. Ставрополь).

Цель работы

Разработать физические основы получения методом ионно-лучевого осаждения фотоактивных материалов и структур на основе 81 и 1пАз и исследовать их свойства.

Задачи необходимые для достижения поставленной цели:

- разработать математическую модель ионно-лучевого осаждения кремниевых слоев;

- провести моделирование фотоактивной структуры с-§\{п )/с-8\(р)1с-§\(рл) и исследовать фотоэлектрические параметры и характеристики;

- исследовать процесс формирования слоев 81 и гетероструктур [пАз/ОаАз с квантовыми точками для получения фотоактивных структур; исследовать процесс формирования /?-л-иереходов методом ионно-лучевого осаждения, а также свойства и характеристики полученных фотоактивных структур c-Si(n+)/c-Si(p)/c-Si(p+).

Объекты и методы исследования

Объектами исследования данной диссертационной работы являются фотоактивные слои и структуры на основе Si и InAs, полученные методом ионно-лучевого осаждения. Выбор объектов исследования обоснован фотоэлектрическими, электрофизическими и оптоэлектрическими параметрами материалов. Предметом исследования являются спектральные, фотолюминесцентные, вольтамперные и вольтфарадные характеристики фотоактивных структур на основе Si и InAs, полученных методом ионно-лучевого осаждения.

Научная новизна

- впервые установлены физические закономерности и особенности ионно-лучевого осаждения фотоактивных слоев Si; впервые, методом ионно-лучевого осаждения, получены и исследованы фотоактивные структуры с квантовыми точками на основе InAs.

Практическая значимость

- предложен способ получения фотоактивных материалов на основе Si и InAs

- определены оптимальные параметры ростового режима, при которых выращенные фотоактивные слои Si субмикронных размеров обладают высоким структурным совершенством и имеют минимальный радиальный разброс толщины по поверхности подложки 100 мм.

Научные положения, выносимые на защиту

4 s

- ионно-лучевое осаждение кремния при давлении 10" Па, температуре подложки 550 °С, расстоянии «мишень-подложка» 150 мм, угле наклона «мишень - ионный пучок» 45° и энергии ионов пучка 400 эВ позволяет получать фронтальные слои фотоактивных структур на основе c-Si(fii+)/c-Si(jo)/c-Si(p+), которые обладают высоким значением внешнего квантового выхода - 90 %;

18 3

- легирование фосфором до уровня 5 10 см" фронтального слоя с-81(я+), полученного методом ионно-лучевого осаждения, позволяет повысить напряжение холостого хода фотоактивной структуры с-81(и+)/с-81(р)/с-81(р+) до величины 0.6 В;

- ионно-лучевое осаждение ГпАб на подложки ОаАв при давлении 10~4 Па, температуре подложки 500 °С со скоростью 0.8 нм/с приводит к росту квантовых точек и нанокластеров ХпАэ с планарными размерами от 20 до 100 нм и высотой от 5 до 80 им, стохастически расположенных на поверхности слоя Оа1пАз.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались на научных семинарах отдела «Нанотехнологий, солнечной энергетики и энергосберегающих технологий» Южного научного центра РАН (г. Ростов-на-Дону), кафедры «Нанотехнология в электронике» Южно-Российского государственного технического университета (г. Новочеркасск), были опубликованы на 1 международной конференции и в 3 сборниках научных трудов:

- X юбилейная международная научная конференция «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии», г. Ставрополь, Россия, 17-22 октября, 2010 г.; всероссийский смотр-конкурс научно-технического творчества студентов высших учебных заведений «Эврика- 2006», г. Новочеркасск, 20-26 ноября 2006 г.;

- труды центра коллективного пользования «Высокие технологии»/ - Новочеркасск: ЮРГТУ, 2006. - Вып. 2.; материалы 56 научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ЮРГТУ (НПИ). - Новочеркасск: «Оникс 1», 2007.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Пащенко, Александр Сергеевич

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработана математическая модель ионио-лучевого осаждения кремниевых слоев. Теоретически и экспериментально исследована зависимость процесса ионно-лучевого осаждения слоев Si от параметров конфигурации системы «источник ионов - мишень - подложка». Показано хорошее согласование теоретических и экспериментальных результатов. Определены параметры оптимальной конфигурации системы «ионный пучок - мишень - подложка» для подложек диаметром 100 мм: расстояние «мишень-подложка» 150 мм и угол наклона «мишень - ионный пучок» 45°.

2. Проведено моделирование фотоактивной структуры на основе с-8\{п+)/с- S \(р)/с- S \(р+). Установлено, что при толщине фронтального слоя c-Si(V) 0.1 мкм и концентрации донорной примеси (0.2-1.0)Т019 см° внешний квантовый выход структуры с- S i(«1 )¡с-Si(р)!с-S\(рможет достигать - 95 %, а эффективность - 15 %. Полученные теоретические результаты использованы при выращивании структур c-Si(w+)/c-Si(/?)/c-Si(p+) методом ионно-лучевого осаждения. Показано хорошее согласование теоретических и экспериментальных результатов исследования выращенных фотоактивных структур. Для толщины 1 ft ^ фронтального фотоактивного слоя c-Si(n ) 100 нм и концентрации 510 см0 внешний квантовый выход полученной структуры составил - 90 %, а эффективность фотоэлектрического преобразования лучшего образца составила 14 %.

3. Определены оптимальные параметры формирования слоев Si для получения фотоактивных структур c-Si(w+)/c-Si(p)/c-Si(f>+) методом ионно-лучевого осаждения. Установлено, что однородные по толщине, практически бездефектные слои кремния на подложках 100 мм получаются при следующих ростовых режимах: давление в ростовой камере 10"4 Па; температура подложки 550 °С; плотность ионного тока 2 мА/см ; ускоряющее напряжение 400 В; угол наклона «мишень - ионный пучок» 45°; расстояние «мишень-подложка» 150 мм.

4. Исследован процесс формирования р-я-переходов ионно-лучевым осаждением. По данным анализа профилей распределения концентрации фосфора в фронтальном слое показано, что увеличение времени отжига приводит к улучшению равномерности распределения фосфора по глубине фронтального слоя с-$\{п). Отжиг в течение (10-30) мин. приводит к снижению степени концентрации фосфора в тонкой приповерхностной области. Экспериментально установлено, что оптимальная глубина залегания /?-и-перехода (0.1-0.2) мкм наблюдается при отжиге в течение 10 мин. при температуре 900 °С.

5. Экспериментально показана возможность формирования ионно-лучевым осаждением фотоактивных гетероструктур на основе ТпАз/ОаАй с квантовыми точками. Полученные квантовые точки и нанокластеры ПтАб на поверхности ОаАБ имеют планариые размеры от 20 до 100 нм и высоту от 5 до 80 нм и стохастически расположены по поверхности. с у

Поверхностная плотность квантовых точек ТпАб достигает 10 шт/мм .

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пащенко, Александр Сергеевич, 2012 год

1. Progress in photovoltaies: research and applications. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 2010, Vol. 18: pp. 346-352.

2. Luque A., Hegedus S., Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, ISBN: 0-471-49196-9, England, Chichester, West Sussex, 2003, 1179 p.

3. Zhao J, Wang A, Green M.A. et al Novel 19.8% efficient 'honeycomb' textured multicrystalline and 24.4% monocrystalline silicon solar cells. Applied Physics Letters 1998; 73: pp. 1991-1993.

4. C.J.J. Tool, G. Coletti, F.J. Granek et al II Presented at the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, Spain, 6-10 June 2005.

5. B. Kramer. Advances in Solid State Physics. Vol. 44, Springer, Berlin, Heidelberg, 2011, 565 p.

6. Гременок В. Ф. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов / В. Ф. Гременок, М. С. Тиванов, В. Б. Залесский. Минск: Изд. центр БГУ, 2007. - 222 с. ил., табл. - ISBN 985-476-443-5.

7. Фонаш С., Ротеорф А., Казмерски JI. и др. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики. Под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. -М.:Мир, 1988, с. 20-21.

8. Fonash S.J. Solar Cell Device Physics. Academic Press, New York, 1981, 332 p.

9. Андреев B.M. Гетероструктурные солнечные элементы // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 9, с. 1035-1038.

10. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Н.С. Зимогорова и др. // Физика и техника полупроводников, 1969, вып. 3, с. 1633.

11. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.Б. Каган и др. II Физика и техника полупроводников, 1970, вып. 4, с. 2378.

12. В.М. Андреев, Т.М. Головнер, М.Б. Каган и др. II Физика и техника полупроводников, 1973, выи. 7, с. 2289.

13. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. ТЬрбузов и dp. II Физика и техника полупроводников, 1977, вып. 11, с. 1765.107

14. V.M. Andreev, A.B. Kazantsev, V.P. Khvostikov et al II Conf. Record of the 1st World Conf. Photovoltaic Energy Conversion. USA, Hawaii, 1994, p. 2096.

15. V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, E.V. Paleeva et al II Proc. Symp. Compound Semicond., St.Petersburg, 1996, p.449.

16. L.M. Fraas, J.E. Avery, J. Martin et al II IEEE Trans. Electron. Dev., 1990, Vol. 37, p. 444.

17. V.M. Andreev, L.B. Karlina, V.P. Khvostikov et al I I Proc. 13 th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. Nice, France, 1995, p. 329.

18. К A. Bertness, S.R. Kurtz, D.J. Friedman et al II Appl. Phys. Lett., 1994, Vol. 65, p. 989.th

19. M. Yamaguchi, S. Wakamatsull Proc. 25 IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Washington, USA, 1996, p. 9.

20. V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, E.V. Paleeva et al H Proc. 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Anaheim, USA, 1997, p.927.

21. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson et al II Applied Physics Letters, 2007, Vol. 90, 183516.

22. F. Dimroth. II Phys. Stat. Sol. (c) 3, 2006, No. 3, pp. 373-379.

23. Bernatowicz D.T., Brandhorst H. IV., Jr.11 Proc. IEEE Photovoltaic Spec. Conf., 1970, Vol. 8, p. 24.

24. Mathieu H.J., Reinhartz KK, Rickert H.I I Proc. IEEE Photovoltaic Spec. Conf., 1973, Vol. 10, p. 93.

25. Coutts T. J., Hill R.I I Proc. Future Energy Concepts Conf, IEE, London, 1981, pp. 147-154.

26. Frost V.D.I I Environ. Technol. Lett., 1981, Vol. 2, p. 281.

27. LoferskyJ. J.I I J. Appl. Phys., 1956, Vol. 27, p. 777.

28. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. Г1ер. с англ. С сокращениями. М.: Мир, 1986 - 456 стр.

29. Carlson D. Е., Wronski C.R.II J. Electron. Mater., 1977, Vol. 6, p. 95.

30. Okaniwa IL, Asano M., Nakatani К. et al II Proc. Photovoltaic Sci. Eng. 3rd, Kyoto, 1982, p. 239.

31. May cock P. 11 PVNEWS, 2002, Vol. 21, Iss. 4, p. 1.

32. W. Shockley, H.J. Queisser И J. Appl. Phys., 1961, Vol. 32, p. 510.

33. V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan II J. Appl. Phys., 2001, Vol. 89, Iss. 4, p. 2268.

34. L. Jacak, P. Hawrylak, A. Wojs. Quantum Dots. Springer, Berlin, 1998, 196 p.

35. H.H. Леденцов, B.M. Устинов, В.А. Щукин и др. II Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, вып. 4, с. 385.

36. Cuadra L, Marti A., Lopez N.ll 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion. Osaka, Japan. 2003. PCD IPL-B2-01.

37. NozikA.J.II Physica, 2002, Vol. 14, pp. 115 120.

38. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И.П Успехи физических наук. 2001, Т.171, №7, с. 689-715.

39. A.I. Yakimov, А. V. Dvurechenskii, Yu. Yu. Proskuryakov et allI Appl. Phys. Lett., 1999, Vol. 75, Iss. 6, p. 1413.

40. J. Konle, LI. Presting, II. Kibbel et al II Mat. Sci. Eng., 2002, Vol. 89, p. 160.

41. A Alguno, N. Usami, T. Ujihara et all I Appl. Phys. Lett., 2003, Vol. 83, Iss. 6, p. 1258.

42. ВТ. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов и др. II Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выи. 13, с. 24-29.

43. D. Ни, С. McPheeters, Е.Т. Yu, D. Schaadt II Nanoscale Research Letters, 2011, Vol. 6, p. 83.

44. V.M. Andreev, V.S. Kalinovsky, R. V. Levin et al II 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21 -25 September 2009, Hamburg, Germany.

45. C.-K. Sun, G. Wang, J. E. Bowers et al II Appl. Phys. Lett., 1996, Vol. 68, Iss. 11,p. 11.

46. K.-Y. Ban, G. M. Liu, S. P. Bremner et al 11 MBE Growth and Characterization of InAs Quantum Dots on Strained GaAsixSbx Buffer Layer For Application in High Efficiency Solar Cells. 2008, 33rd IEEE Photovolatic Specialists Conference, pp. 1-3.

47. S.A. Blokhin et al II Physics of Semiconductor Devices, 2009, Vol. 43, p. 514.109

48. Андреев В.M., Грилнхес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука, 1989. -310 с.

49. Ландсман А.П., Стребков Д.С., Унишков В.А. II Физика и техника полупроводников, 1971, Т. 5, № 11, с. 2136-2141.

50. Журавлева Л.Л., Заддэ Е.В., Стребков Д.С., Унишков В.А. // Солнечная фотоэлектрическая энергетика, Ашхабад: Ылым, 1983, С 78-81.

51. Епифанов М.С., Унишков В.А. II Гелиотехника. 1983. № 6, С. 14-18.

52. Blakers A. W., Green М.А. II Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48, № 3. p. 215-217.

53. Valco G. J., Kapoor V.J.// Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 53. № 11. p. 75667571.

54. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твердых тел // Пер. с англ./Под ред. Р. Бериша.— М.: Мир, 1984,—336 с, ил.

55. Технология тонких пленок // Под ред. Л. Майселла, Р. Глэнга. Ныо-Йорк. 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. Т. 1. М., «Сов. Радио», 1977, 664 с.

56. Юрасова В. Е. Анизотропия отражения ионов аргона от монокристалла меди / В. Е. Юрасова, В. А. Бржезинский, Г. М. Иванов // Журнал экспериментальной и технической физики, 1964, Т. 47, № 2(8), с. 473-475.

57. Петухов В. Ю., Гумаров F. Г. Иоино-лучевые методы получения тонких пленок: Учебно-методическое пособие для студентов физического факультета // Казань, 2010, 87 с. Издание 2-е, исправленное и дополненное.

58. Ohmi Т., Hashimoto К., Morita M. et al II Appl. Phys. Lett., Vol. 69, № 4, p. 2062-2071.

59. Selvakumar et al., US patent, 5,633,194/ 1997.

60. PyschD., Meinhardt С., Ritzau К. -U. et al II 35 PVSC. Honolulu. Hawaii, 2010, June 20-25.

61. Муха B.C., Слуяпова T.B. Статистические методы обработки данных: Лаб. практикум для студ. спец. 530102 "Автоматизированные системы обработки информации" всех форм обучения. Мн.: БГУИР, 2003, 98 е.: ил.

62. Wagemann H.-G., Eschrich Ii. Photo voltaik, Solarstrahlung und Halbleitereigeschaften, Solarzellenkonzepte und Aufgaben // GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden, 2007, 267 p.

63. Колтун M.M. Оптика и метрология солнечных элементов // М.: Наука, 1985,281 с.

64. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи// М.: «Советское радио», 1971, 248 с.

65. Л.С. Лунин, A.C. Пащенко. Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb// Журнал технической физики, 2011, том 81, вып. 9, с. 71-76.

66. Фаренбрух А., Бъюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент/ Пер. с англ. под ред. М.М. Колтуна. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 280 е.: ил.

67. Симонов В.В., Корнилов Л.А., Шашелев A.B. и др. Оборудование ионнойимплантации/ М.: Радио и связь, 1988. -184 е.: ил.in

68. Гаврилов P.A., Скворцов A.M. Технология производства полупроводниковых приборов/ JL: «Энергия». 1968 г. 240 с.

69. Мазелъ Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. М.: «Энергия», 1974, - 384 е., с ил.

70. Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, A.C. Пащенко и др. Формирование квантовых точек InAs на подложках GaAs методом иоино-лучевого осаждения// Вестник Южного научного центра РАН, Том.6, №4, 2010, с. 46-49.

71. Физика и технология источников ионов под редакцией Брауна Я. // М.: «МИР», 1998, 496 с.

72. V. N. Lozovskii, S. N. Chebotarev, V. A. Irkha et al// Technical Physics Letters, 2010, Vol. 35, No. 8, pp. 737-738.

73. C.H. Чеботарев, A.C. Пащенко, С. А. Дудников!/ Одномерная деконволюция АСМ-профиля полупроводниковых квантовых точек/ Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011618323,2011.

74. A.A. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, K.M. Салихов. ССМ-метрология микро- и наноструктур// Микроэлектроника, 1997, Т.26,№3, с. 163175.

75. D. К. Schroder. Semiconductor material and device characterization // John Wiley & Sons Inc., Hoboken, New Jersey, 2006, 779 p.

76. Sze S., Kwok К Ng. Physics of semiconductor devices. Willey Interscience, 2007, 815 p.

77. Khemthong S., Iles P.A. High efficiency silicon concentrator solar cells// Solar Cells. 1982. Vol. 6, № 1, P. 59-77.

78. Nasby R.D., Garner C.M., Sexton F.W. et al. High efficiency p+-n-n+ silicon concentrator solar cells // Solar Cells. 1982. Vol. 6, № 1, P. 49-58.

79. Sinton R.A., Kwark Y., Gan J.Y., Swanson R.M. 27.5-percent silicon concentrator solar cells // IEEE Electron. Dev. Lett. 1986, Vol. EDL-7, № 10, P. 567-569.

80. Green M.A., Jianhua Z., Blakers A.W. et al. 25-percent efficient low-resistivity silicon concentrator solar cells // IEEE Electron. Dev. Lett. 1986, Vol. EDL-7, № 10, P. 583-585.

81. A.F. Tsatsul'nikov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov et al // J.Appl. Phys., 2000, Vol. 88, p. 6272.

82. Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, А.С. Пащенко и др. Фотолюминесценция гетероструктур i-GaxInixAs/n-GaAs со стохастическим массивом квантовых точек InAs// Неорганические материалы, Т 47, №8, с.907-910.

83. Пека Г.П., Коваленко В.Ф., Куценко В.И. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. К.: Техника, 1986. - 152 с.

84. Варшни И.II. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках.- В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: Наука, 1972, с. 9-124.

85. S. Adachi. Physical properties of III-V Semiconductor compounds. Gunma University: Kiruy-shi (Japan), 1992. 318 p.

86. А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин и др. Физика низкоразмерных систем. Уч. пособие, С-Г16.: «Наука», 2001 г., 160 с.