Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации статических параметров схемотехнических моделей мощных полупроводниковых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Капралов, Сергей Анатольевич

• Капралов, Сергей Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Капралов, Сергей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 БАЗОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.

1.1 Понятие идеального ключа.

1.2 Общие положения о мощных полупроводниковых приборах.

1.2.1 История развития транзисторных ключей.

1.2.2 Силовые биполярные транзисторы.

1.2.3 Мощные МОП транзисторы.

1.2.4 IGBT структуры.

1.3 Области применения современных дискретных мощных электронных компонентов.

1.4 Системы автоматизированного проектирования электроники.

1.4.1 Средства САПР и уровни проектирования.

1.4.2 Развитие САПР PSpice.

1.4.3 SPICE модели мощных биполярных транзисторов.

1.4.4 SPICE модели мощных полевых транзисторов.

1.4.5 SPICE модели IGBT транзисторов.

1.5 Выводы.

ГЛАВА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ КОМПЛЕКС ИЗМЕРЕНИЯ И ИДЕНТИФИКАЦИИ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ SPICE МОДЕЛЕЙ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР.

2.1 Соотношение аппаратного и программного обеспечения.

2.2 Разработка аппаратной части автоматизированного измерителя.

2.2.1 Методы измерения характеристик на постоянном токе.

2.2.2 Постановка задачи.

2.2.3 Интерфейсная плата.

2.2.4 Коллекторный источник напряжения.

2.2.5 Модуль базового (низковольтного) источника сигнала.

2.2.6 Обоснование выбора элементной базы.

2.2.7 Импульсные блоки питания.

2.3 Разработка программного обеспечения.

2.3.1 Требования к программному обеспечению.

2.3.2 Программное обеспечение внутренней системы управления микроконтроллера.

2.3.3 Программное обеспечение для управления измерительным комплексом.

2.3.4 Программное обеспечение тестирования работоспособности и калибровки аппаратных модулей прибора.

2.4 Проведение измерений.

2.4.1 Измерение вольт-амперных характеристик двухполюсников.

2.4.2 Измерение статических характеристик транзисторов.

2.4.3 Элементы управления комплекса.

2.4.4 Проведение измерений.

2.5 Выводы.

ГЛАВА 3 ИДЕНТИФИКАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ SPICE МОДЕЛИ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ.

3.1 Общие принципы идентификации параметров моделей по экспериментально измеренным характеристикам.

3.2 Методы упрощения нелинейных уравнений модели.

3.3 Методы формирования целевых функций.

3.4 Методы оптимизации.

3.5 Алгоритм идентификации параметров SPICE модели.

3.5.1 Выбор характеристик, по которым проводится идентификация.

3.5.2 Уменьшение размерности пространства.

3.5.3 Алгоритм разделения В АХ диода на характерные участки.

3.5.4 Выбор вектора начальных приближений.

3.5.5 Масштабирование.

3.6 Идентификация модели мощного биполярного транзистора.

3.6.1 SPICE-модель биполярного транзистора.

3.6.2 Алгоритм определения параметров модели биполярного транзистора.

3.6.3 Расчет параметров Pf, Ise и пЕ.

3.6.4 Расчет напряжения Эрли.

3.6.5 Расчет сопротивлений эмиттера и коллектора.

3.6.6 Расчет сопротивления базы.

3.6.7 Расчет параметров высокого уровня инжекции.

3.6.8 Моделирование режима квазинасыщения.

3.6.9 Апробация методики.

3.7 Идентификация модели мощного МОП-транзистора.

3.7.1 SPICE-модель МОП-транзистора первого уровня.

3.7.2 Алгоритм идентификации параметров модели первого уровня.

3.8 Выводы.

ГЛАВА 4 - ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ IGBT ТРАНЗИСТОРА С ПОМОЩЬЮ МНОГООТКЛИКОВЫХ РЕГРЕССИОННЫХ МОДЕЛЕЙ.

4.1 Постановка задачи оценивания параметров эквивалентной схемы с помощью многооткликовой регрессионной модели.

4.2 Эквивалентная схема IGBT транзистора.

4.3 Расчет статического режима.

4.4 Расчет оценок параметров эквивалентной схемы.

4.5 Проверка адекватности модели.

4.6 Программа расчета статического режима IGBT транзистора.

4.7 Программа расчета оценок параметров эквивалентной схемы IGBT транзистора.

4.8 Методика проведения эксперимента и результаты расчетов.

4.9 Выводы.

ГЛАВА 5 ИНФОРМАЦИОННОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ САПР.

5.1 Общие положения.

5.2 Сравнительный обзор серверов SQL.

5.3 Обзор средств разработки приложений.

5.4 Delphi как среда разработки информационных приложений.

5.5 Методы работы с базами данных InterBase.

5.5.1 Общие характеристики InterBase.

5.5.2 Технология InterBase Express.

5.6 Необходимые требования к структуре базы данных.

5.7 Организация взаимодействия приложения с базой данных.

5.8 Проектирование схемы реляционной базы данных.

5.8.1 Реляционные базы данных.

5.8.2 Проектирование структуры реляционной базы данных.

5.9 Программирование базы данных в InterBase.

5.9.1 Организация интерфейса прикладной программы.

5.10 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации статических параметров схемотехнических моделей мощных полупроводниковых структур»

Анализ режимов работы мощных импульсных устройств, которые приобретают все большее распространение в связи с развитием полупроводниковой элементной базы, является весьма сложным процессом. Такой анализ, на сегодняшний день, становится возможен только с использованием компьютерного моделирования, точность которого определяется качеством математических моделей элементов, входящих в состав схемы. Развитие средств автоматизированного проектирования привело к создания специального класса моделей полупроводниковых приборов и элементов ИС, известных под названием SPICE-моделей. Количество параметров, необходимых для описания таких моделей определяется уровнем развития технологии, характеризуемой величиной топологической нормы.

На сегодняшний день большинство крупных фирм-производителей микроэлектронных компонентов наряду с традиционным способом представления параметров выпускаемых приборов дает в руки разработчиков их SPICE-модели. Современные пакеты автоматизированного проектирования включают в себя обширные библиотеки моделей компонентов электронной техники, выпускаемых иностранной промышленностью. Однако в библиотеках SPICE-моделей заданы усредненные параметры прибора и, как правило, не указан их допустимый разброс. Для использования современных САПР при разработке схем, содержащих микроэлектронные компоненты отечественного производства, необходимо создание адекватных им SPICE-моделей с последующей реализацией на их базе библиотек отечественных компонентов. В этой связи принципиальное значение приобретает разработка методик измерения и идентификации параметров SPICE-моделей.

Для проведения эффективного и точного моделирования электронных схем необходимо обеспечение следующих возможностей:

- наличие обширных библиотек моделей;

- возможность модификации моделей библиотечных элементов;

- создание иерархии моделей, позволяющих выбирать между точностью и скоростью расчета;

- наличие средств построения моделей, так как ни одна библиотека не может содержать набор моделей, удовлетворяющий всех пользователей;

-наличие измерительных средств, позволяющих проводить измерения характеристик приборов с целью создания моделей.

Для успешного решения задачи идентификации статических параметров SPICE-моделей мощных полупроводниковых приборов необходима разработка измерительной базы и соответствующего программного обеспечения, включающего методы расчета параметров и их статистических характеристик по экспериментальным данным.

В большинство публикаций, посвященных вопросам идентификации параметров SPICE-моделей, рассматриваются в основном проблемы расчета параметров моделей транзисторов малой и средней мощности. В меньшей степени развито направление мощных полупроводниковых структур. Практически важным является интеграция методов идентификации параметров моделей с измерительными приборами в единый комплекс.

Цель работы. Цель данной работы — разработка методик измерения и идентификации статических параметров SPICE-моделей мощных полупроводниковых и микроэлектронных приборов.

Для достижения поставленной цели ставились следующие задачи:

- разработка автоматизированного измерительного комплекса, работающего под управлением персонального компьютера IBM PC и обеспечивающего измерение статических вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов;

- разработка методик идентификации параметров SPICE-моделей мощных полупроводниковых приборов на основании измеренных вольт-амперных характеристик;

- разработка программного обеспечения, предназначенного для управления измерительным комплексом, обработки экспериментальных результатов и выполнения идентификации параметров моделей;

- разработка информационного приложения на платформе клиент-сервер, интегрирующего программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации параметров SPICE-моделей и стандартные средства САПР в единую среду в масштабе предприятия для решения задач имитационного моделирования, анализа и диагностики потенциально ненадежных компонентов и поддержки жизненного цикла изделий.

Методы исследования. Для решения поставленных задач выполнено следующее. С целью сопряжения аналогового измерительного комплекса с персональным компьютером использовалось аналого-цифровое и цифро-аналоговое преобразование, а так же построенная на базе микроконтроллера

AVR и входящая в состав автоматизированного измерителя интерфейсная плата, обменивающаяся данными с компьютером через стандартный последовательный интерфейс синхронной и асинхронной передачи данных (СОМ порт). За основу метода нелинейного моделирования взят метод наименьших квадратов. Для минимизации целевой функции использовались метод сопряженный направлений Пауэлла, методы переменной метрики Бройдена - Флетчера -Шанно и Дэвидона - Флетчера - Пауэлла, а также ньютоновский метод Левен-берга - Маркварта. Для задания ограничений области определения целевой функции использовался методы штрафных функций. Применялись оригинальные методы декомпозиции целевой функции, позволяющие повысить эффективность оптимизации. Для расчета оценок параметров IGBT транзистора использовался подход на базе многооткликовой модели, описывающей эквивалентную схему транзистора, по результатам измерений наблюдаемых токов и напряжений ВАХ.

Решение поставленных задач осуществлялось автором на кафедре физики твердого тела и микроэлектроники Новгородского государственного университета.

Научная новизна. Диссертационная работа характеризуется следующей научной новизной:

1. Для идентификации статических параметров мощных полупроводниковых приборов адаптирована методика декомпозиции вольт-амперных характеристик на характерные участки, в основе которого лежит выделение различных механизмов токопереноса, включая участок высокого уровня инжекции и квазинасыщения.

2. Предложен метод экстракции параметров SPICE модели IGBT транзисторов, основанный на статистическом анализе многооткликовых моделей этих транзисторов, позволяющий получать параметры модели с заданной точностью по результатам измерений ВАХ. Для обеспечения высокой точности в этом случае требуется большое количество измерений, что возможно только с использованием автоматизированного измерительного комплекса.

Обоснованность и достоверность технических и экспериментальных исследований доказывается широким практическим апробированием основных результатов работы в лаборатории отказов ФГУП ПО «Квант» и рассмотрением теоретических изысканий на конференциях и семинарах различного ранга, включая публикации в рецензируемых журналах.

Практическая значимость полученных результатов состоит в следующем:

- разработан и внедрен в производство программно-аппаратный комплекс измерения статических параметров полупроводниковых приборов.

- на базе алгоритма декомпозиции вольт-амперной характеристики, формирования целевой функции и последующего её решения с применением методов оптимизации, предложена и апробирована методика оценки ряда параметров мощного биполярного транзистора, необходимых для моделирования режима квазинасыщения.

- разработана методика расчета параметров эквивалентной схемы IGBT транзистора на основании многооткликовых моделей данных структур, позволяющая выполнять проверку адекватности таких моделей, рассчитывать SPICE параметры и их ковариационные матрицы. Представленный метод реализован в виде программ на алгоритмическом языке Visual Basic.

- реализован проект автоматизации процессов регистрации и анализа качества, производительности и конкурентоспособности на предприятиях электронной промышленности.

Результаты диссертационной работы представляют практический и научный интерес для специалистов:

- работающих в области систем автоматизированного проектирования,

- производителей элементной базы силовой электроники с целью корректировки режимов технологических процессов, анализа качества выпускаемых приборов и экстракции параметров их моделей,

- потребителей данной продукции с целью входного контроля для выявления потенциально ненадежных компонентов и экстракции их параметров для обеспечения адекватного моделирования изделий силовой электроники.

Материалы исследований используются в учебном процессе для студентов специальности "654100 - электроника и микроэлектроника", а так же при дипломном проектировании в Новгородском государственном университете. Перечень публикаций приведен в заключении.

На конкурсе персональных грантов кандидатского проекта Администрации Санкт-Петербурга, Министерства образования Российской Федерации и Российской Академии наук при участии Федеральной целевой программы «Государственная поддержка интеграции высшего образования и фундаментальной науки» получен диплом АСП № 303154, номер гранта М03-3.11К-272.

Научные положения, выносимые на защиту. В результате проведенных исследований получены новые научные результаты, позволяющие сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

- интеграция аппаратных средств измерения и программного обеспечения, включающего методы идентификации параметров моделей полупроводниковых приборов и информационного приложения в виде СУБД в единый программно-аппаратный комплекс привело к созданию инновационного продукта, позволяющего повысить эффективность измерения, идентификации и коррекции параметров моделей;

- предложен и реализован практически алгоритм идентификации статических параметров с использованием метода декомпозиции уравнений модели, основанного на физических особенностях работы прибора;

- метод оценивания статических параметров для сложных эквивалентных схем на основе статистического анализа многооткликовых моделей ВАХ по экспериментальным данным позволяет получать оценки всех параметров эквивалентных схем и их статистические характеристики.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

1. Конкурс персональных грантов для студентов, аспирантов и молодых специалистов по исследованиям в области технических наук / Администрация Санкт-Петербурга Министерство образования Российской Федерации Российская Академия наук Федеральная целевая программа «Интеграция науки и высшего образования России на 2002-2006 годы» 2003 г.

2. VIII Всероссийские Туполевские чтения студентов «Актуальные проблемы авиастроения» 1998 г., Казань.

3. VI Международная студенческая школа-семинар "Новые информационные технологии" 1999 г., Москва.

4. Всероссийская научно-техническая конференция студентов, молодых ученых и специалистов "Новые информационные технологии в научных исследованиях и в образовании" 2000 г., Рязань.

5. Пятая Санкт-Петербургская Ассамблея молодых ученых и специалистов 2000 г., Санкт-Петербург.

6. VIII научная конференция преподавателей, аспирантов и студентов

2001 г., Великий Новгород.

7. IX научная конференция преподавателей, аспирантов и студентов

2002 г., Великий Новгород.

8. IV международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика - 2002» 2002 г., Москва.

9. VII научная молодежная школа по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наноструктур» 2003 г., Санкт-Петербург.

10. III всероссийская научно-практическая конференция «Информационные технологии и математическое моделирование (ИТММ-2004)» 2004 г., Анжеро-Судженск.

11. 7-я Научная молодежная школа по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наноструктур» 2004 г., Санкт-Петербург.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 11 работ, из них 2 статьи в научно-техническом журнале "Измерительная техника" (государственного комитета Российской Федерации по стандартизации и метрологии), одна - в научно-техническом и прикладном журнале Вестник Новгородского Государственного университета, а так же ряд публикаций в сборниках трудов конференций и семинаров. Перечень публикаций приведен в заключении.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы, содержащего 82 наименований и приложения. Объем диссертации составляет 203 страницы, включая 88 рисунков, 17 таблиц, 2 листинга программ.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Капралов, Сергей Анатольевич

Основные результаты диссертационного исследования опубликованы в следующих работах:

1. Разработка информационного приложения для входного контроля полупроводниковых приборов Вестник Новгородского Государственного университета/Научно-технический и прикладной журнал. - Великий Новгород: № 19 декабрь 2001 -С.61-65

2. Измерение и идентификация параметров SPICE-моделей полупроводниковых диодов Измерительная техника/ Научно-технический журнал. - Москва: № 5 май 2002 - С.53-57

3. Измерение и идентификация параметров SPICE-модели биполярного транзистора Измерительная техника/ Научно-технический журнал. - Москва: №3 май 2003.-С.41-46

4. VIII Всероссийские Туполевские чтения студентов «Актуальные проблемы авиастроения» 1998 г., Казань - С.115

5. VI Международная студенческая школа-семинар "Новые информационные технологии" 1999 г., Москва - С. 120

6. Всероссийская научно-техническая конференция студентов, молодых ученых и специалистов "Новые информационные технологии в научных исследованиях и в образовании" 2000 г., Рязань - С. 196

7. Пятая Санкт-Петербургская Ассамблея молодых ученых и специалистов 2000 г., Санкт-Петербург - С.36

8. VIII научная конференция преподавателей, аспирантов и студентов

2001 г., Великий Новгород - С.76-77

9. IX научная конференция преподавателей, аспирантов и студентов

2002 г., Великий Новгород - С.113

10. IV международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика - 2002» 2002 г., Москва - С.111-112

11. VII научная молодежная школа по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наноструктур» 2003 г., Санкт-Петербург.

12. Ill всероссийская научно-практическая конференция «Информационные технологии и математическое моделирование (ИТММ-2004)» 2004 г., г. Анжеро-Судженск - С.76-78

13. 7-я Научная молодежная школа по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наноструктур» 2004 г., Санкт-Петербург. - С.41

Работа поддержана:

1. персональным грантом 2003 года для студентов, аспирантов и молодых специалистов по исследованиям в области технических наук Администрации Санкт-Петербурга Министерства образования Российской Федерации Российской Академии наук Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России на 2002-2006 годы», номер диплома АСП №303154, номер гранта М03-3.11К-272.

2. НИР092/ФТТМ-34 «Разработка и изготовление программно-аппаратного комплекса измерения статических параметров мощных полупроводниковых приборов».

Свидетельство призера получено за выступление на Седьмой Международной студенческой школе-семинаре "Новые информационные технологии" в 1999 году.

Доклад по одному из разделов диссертационной работы на Всероссийском конкурсе научных работ студентов по радиотехнике, электронике и связи в 2001 году отмечен дипломом президиума центрального совета Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.Попова.

Автор выражает искреннюю благодарность научному руководителю М.Н.Петрову, соруководителю проекта С.А.Попову, всем сотрудникам кафедры ФТТМ, ректору ИЭИС Б.И.Селезневу за помощь в проведении исследований и обсуждении результатов работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Современные электронные системы достигли такого уровня сложности, что их проектирование невозможно без использования средств вычислительной техники. На сегодняшний день разработаны эффективные средства автоматизированного проектирования электронных схем, позволяющие осуществить полный цикл сквозного проектирования. Построение точных моделей цепей - важное условие успешной разработки электронной схемы. В настоящее время решены основные проблемы, связанных с моделированием электрических цепей: разработаны эффективные алгоритмы формирования и решения систем уравнений, описывающих электронные схемы, созданы точные модели большинства компонентов схем. Однако слабым звеном в моделировании электронных схем остается моделирование отдельных полупроводниковых элементов в различных режимах работы. Для этого кроме точной модели прибора требуется надежный метод сбора информации, на основании которой строится модель.

На основании проведенных исследований методов определения параметров SPICE-моделей мощных полупроводниковых приборов установлено следующее:

1. Разработано и изготовлено аппаратное исполнение автоматизированного измерительного комплекса, имеющее интерфейс с персональным компьютером IBM и позволяющее задавать требуемые статические режимы работы, а так же снимать вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов в диапазонах напряжения до 1,5 кВ и тока от 10 нА до 10 А.

2. Разработан и реализован в виде программного обеспечения измерительного комплекса метод оценивания статических параметров эквивалентных схем приборов и их статистических характеристик на основе многооткликового статистического анализа, позволяющий выполнять оценивание этих параметров с заданной точностью по результатам измерений ВАХ. Для получения значимых оценок определяемых параметров описанным методом необходимо проведение не менее 200-300 измерений и более, если требования к точности оценок высоки, что возможно только при автоматизации процесса измерений.

3. Осуществлена интеграция средств измерения и методов идентификации параметров моделей полупроводниковых приборов в единый программно-аппаратный комплекс, что повышает эффективность расчета параметров моделей.

4. Для идентификации статических параметров мощных полупроводниковых приборов применен метод декомпозиции вольт-амперных характеристик на характерные участки, связанные с физическими особенностями их работы, который позволяет увеличить точность и уменьшить время расчета параметров модели.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Капралов, Сергей Анатольевич, 2005 год

1. Петров В. Н., Петров М. Н. Автоматизированный измеритель статических параметров полупроводниковых приборов // Измерительная техника. — 1996. — № 12. — с. 22-26.

2. Петров В. Н., Петров М. Н. Автоматизированный характериограф // Вестник НовГУ. — 1996. — № 3. — с. 101-102.

3. Banzhaf W. Computer aided circuit analysis using PSPICE. Prentice Hall, 1989.

4. Hines J. R. Circuit simulation with PSPICE. Prentice Hall, 1989.

5. McCalla W. J. Fundamentals of computer-aided circuit simulation. Klu-wer Academic, 1998.

6. Nilsson J. W., Riedel S. A. Introduction to PSPICE. A Supplement to Electric Circuits. Forth Edition. Addison-Wesley Publishing Company, Inc., 1993, 154 p.

7. Sussman-Fort S. E., Narasimhan S., Mayarman K. A complete GaAs MESFET computer model for PSPICE // IEEE Transactions on microwave theory and techniques/ 1984/MTT-32. P. 471-473

8. Разевиг В. Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (PSpice). М.: СК Пресс, 1996. - 272 е., ил.

9. Баталов Б.В., Егоров Ю. Б., Русаков С. Г. Основы математического моделирования больших интегральных схем на ЭВМ. М.: Радио и связь, 1982.

10. Чахмахсазян Е. А., Мозговой Г. П., Силин В. Д. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем. М.: Радио и связь, 1985.

11. MicroSim PSpice A/D. Circuit Analysis References Manual. Ver. 6.2 MicroSim Corporation. California, 1995. 431 p.

12. Valouyans S. Компьютерные модели SPICE для силовых МОП ПТ. Силовые полупроводниковые приборы. Воронеж. 1995. International Rectifier. Перевод английского.

13. Shichman H., Hodges D. A. Modeling and simulation of insulated gate field effect transistor switching circuits // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1968. CS-3. 285.

14. Маллер P., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Перевод с английского. М: Мир, 1989. - 630 е., ил.

15. Getreu I. Е. Modeling the Bipolar Transistor. — Amsterdam: Elsevier Scientific Publishing Company, 1978 — 261 p.

16. Ashburn P. Design and realization of bipolar transistors. — NY: John Wiley & Sons. — 198 p.

17. Sischka F. Eine Methode zur Bestimmung der SPICE-Parameter fur bipolar Transistoren // AEU. — 1985. — B. 39. — №. 4. — p. 225-232.

18. Kiyoyuki Yokoyama, Akira Yoshii, Tohru Adachi, Ryota Kasai Application of Fletcher-Powell's Optimization Method to Process/Device Simulation of MOSFET Characteristics // Solid-State Electronics. — 1982. — V. 25. — № 3. — p. 201-203.

19. Ward D. E., Doganis K. Optimized Extraction of MOS Model Parameters // IEEE Transaction on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Systems. — 1982. — V. CAD-1. — № 4. — p. 163-168.

20. Doganis K., Scharfetter D. L. General Optimization and Extraction of 1С Device Model Parameters // IEEE Transaction on Electron Devices. — 1983. — V. ED-30. — № 9. — p. 1219-1228.

21. Yang P., Chatterjee P. K. An Optimal Parameter Extraction Program for MOSFET Models // IEEE Transaction on Electron Devices. — 1983. — V. ED-30.9. —p. 1214-1219.

22. Conway P., Cahill C. G., Lane W. A., Lidholm S. U. Extraction of MOSFET Parameters Using the Simplex Direct Search Method // IEEE Transaction on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Systems. — 1985. — V. CAD-4. —№4. —p. 694-698.

23. De La Moneda F. H., Kotecha H. N., Shatzkes M Measurement of MOSFET Constants // IEEE Electron Device Letters. — 1982. — V. EDL-3. — № 1.p. 10-12.

24. Pieczynski J., Vogt H. Automatic Parameter Extraction System with Process Failure Diagnostics for CMOS Process // Proc. IEEE Conference on Microelectronic Test Structures. — 1989. — V. 2. — № 1. — p. 205-210.

25. Bendix P. Subtleties of SPICE MOSFET Parameter Extraction // Proc. IEEE Conference on Microelectronic Test Structures. — 1989. — V. 2. — № 1. — p. 65-68.

26. Гилл Ф., Мюррей У., Райт М. Практическая оптимизация: Пер. с англ. — М: Мир, 1985. — 509 с.

27. Носач В. В. Решение задач аппроксимации с помощью персональных компьютеров. — М: МИКАП, 1994. — 382 с.

28. Валеев С. Г. Регрессионное моделирование при обработке наблюдений. — М: Наука, 1991.

29. Бахвалов Н. С., Жидков Н. П., Кобельков Г. М. Численные методы. — М: Наука, 1987.

30. Cahill С. G., McCarthy К., Lane W. A. MOS Model Parameter Extraction Techniques: A Comparison // IEEE Transaction on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Systems. — 1985. — V. CAD-4. — № 4. — p. 16-29.

31. Fernandez J., Hidalgo S., Berta F., Paredes J., Rebollo J., Millan J., Serra-Mestres F. Parameter Extraction for a SPICE II VDMOS Model // Proc. IEEE Conference on Microelectronic Test Structures. 1989. - V. 2. - № 1. - p. 35-37.

32. Destine J. Estimation des parametres statiques d'un modele de transistor a effet de champ par une methode d'optimalisation // Journee d'etude de SITEL. — 1982.—p. 45-54.

33. Hornung R. Discrete Minimax Problem: Algorithms and Numerical Comparisons // Computing. — 1982. — V. 28. — № 2. — p. 139-154.

34. Sussman-Fort S. E. Approximate Direct-Search Minimax Circuit Optimization // International Journal for Numerical Methods in Engineering. — 1989. — V.28. —p. 359-368.

35. Химмельблау Д. Прикладное нелинейное программирование. — М: Мир, 1975.— 534 с.

36. Реклейтис Г., Рейвиндран А., Регсдел К. Оптимизация в технике: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. — М: Мир, 1986. — 349 с.

37. Cuthbert Т. R. Optimization Using Personal Computers. — NY: John Willey & Sons, 1987. — 474 p.

38. Математика и САПР: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с франц. / Жермен-Лакур П., Жорж П. Л., Пистр Ф., Безье П. — М: Мир, 1989. — 264 с.

39. Feiring В., Phillips D., Hogg G. Computational Experience with an Exact Penalty Function Technique // Computers and Industrial Engineering. — 1981. — V. 5.—№3. —p. 205-216.

40. Ross G. J. Uses of non-linear Transformation in non-linear Optimization Problems // Proc. Comput. Statist. 4-th Symp. — Edinburgh. — 1980. — p. 382-388.

41. Достал И. Операционные усилители: Пер. с англ. — М.: Мир, 1982. — 512 с.

42. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 2-х т. Т.1: Пер. с англ. — М.: Мир, 1983. — 590 с.

43. The Design Center. Circuit Analysis Reference Manual. MicroSim Corporation, 1994. — 560 p.

44. Ashburn P. Design and realization of bipolar transistors. — NY: John Wiley & Sons. — 198 p.

45. Getreu I. E. Modeling the Bipolar Transistor. — Amsterdam: Elsevier Scientific Publishing Company, 1978 — 261 p.

46. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схем: Материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. — М: Мир, 1985. — 501 с.

47. Ebers J. J., Moll J. L. Large-Signal Behavior of Junction Transistors. — Proc. IRE. — Dec. 1954. — V. 42. — p. 1761-1762.

48. Gummel H. К., Poon H. C. An Integral Charge Control Model of Bipolar Transistor. — Bell Syst. Tech. J. — May 1970. — V. 49. — p. 827-852.

49. Nagel L. W. SPICE2: A Computer Program to Simulate Semiconductor Circuits. — Electronics Research Laboratory Report. — № ERL-M520, Berkeley: University of California. — 1975.

50. Разевиг В. Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ.

51. Малиньяк Л. Программа аналогового моделирования схем с предельной сложностью более 50 тыс. транзисторов // Электроника. — 1991. — № 13. —с. 68-69.

52. Разевиг В. Д., Блохин С. М. Система PCAD 8.5. Руководство пользователя. — М: ООО «ИЛЕКСА», 1996. — 288 с.

53. Малиньяк Л. Дальнейшее расширение функциональных возможностей С АПР// Электроника. — 1991. — № 11-12. —с. 15-23.

54. Hodges D. A., Schichman Н. Modeling and Simulation of Insulated-Gate Field-Effect Transistor Switching Circuits // IEEE Solid-State Circuit. — 1968. — V. SC-2. — p. 285.

55. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. — Кн. 1.— М.:'Мир, 1984.—456 с.

56. Петров В. Н., Петров М. Н. Программные компоненты интегрированной сквозной САПР ИМС: Моделирование и идентификация параметров SPICE-моделей МОП транзисторов: Учеб. пособие / НовГУ им. Ярослава Мудрого. — Новгород, 1997. — 63 с.

57. Дуплякин Е. IGBT или MOSFET оптимальный выбор // Электронные компоненты, №1, 2000.

58. Колпаков А. Силовые приводы. Компоненты для выходных каскадов //ChipNews, 1999, №1 (34).

59. Управление данными проектирования средствами инфраструктуры САПР // Электроника. — 1991. — № 11-12. — с. 23-31.

60. Кейвин Р. К., Хилберт Дж. JI. Проектирование интегральных схем: направления и проблемы // ТИИЭР. — 1990. — Т. 78. — № 2. — с. 213-235.

61. Ullman J. D. Principles of Database Systems. — Rockville. — MD: Computer Press, 1982.

62. Харрисон Д. С., Ньютон А. Р., Спикелмайр Р. Л., Варне Т. Дж. Среда САПР для проектирования интегральных схем и электронных схем // ТИИЭР. — 1990. —Т. 78.—№2. —с. 185-212.

63. Беляков Ю. Н., Руденко А. А., Топузов И. Г. Проблемы интеграции данных в САПР БИС // Микроэлектроника. — 1989. — Вып. 3. — 80 с.

64. Silburt A. L., Laurent R. S. Interactive Circuit Simulation and Model Parameter Extraction for the CAD Work Station // IEEE Custom Integrated Circuit Conference. — NY. — 1984. — p. 221-225.

65. Каратыгин С. А., Тихонов А. Ф. Программирование в FoxPro для Windows на примерах: М.: БИНОМ. — 496 с.

66. Paradox for Windows: Практическое руководство / Под редакцией Оспищева Д. А. — Издательство АОЗТ "Алевар", 1993 (2 части).

67. Попов С.А., Корчагин А.Ф. Использование многооткликовых моделей для расчета параметров электронных приборов // Измерительная техника, №4,2003, с. 47-51

68. Попов С.А., Корчагин А.Ф. Планирование эксперимента для идентификации многооткликовых моделей // Сб. трудов VII Международного семинара «Современные проблемы прочности» им. В.А. Лихачева. В 2-х томах, т 2. -Великий Новгород, 2003.- С. 184 190

69. Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров.-М.: Наука, 1968.- 720 с.

70. Бард Й. Нелинейное оценивание параметров. М.: Статистика, 1979. - 349 с.

71. Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн.: Практ. пособие. Кн. 1. Г. Г. Казенное, А. Г. Соколов. Принципы и методы построения САПР БИС / под. ред. Г. Г. Казеннова. — М: Высш. шк., 1990. — 142 с.

72. Петров В. Н., Петров М. Н. Интегрированная САПР биполярных интегральных схем на базе пакетов PSpice и AutoCAD // Тез. докл. Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика". — Москва, 1996. —с. 99.

73. Петров В. Н., Петров М. Н. Интегрированная САПР интегральных схем // Вестник НовГУ. — 1997. — № 5. — с. 44-47.

74. Петров В. Н., Петров М. Н. Программные компоненты интегрированной сквозной САПР ИМС: автоматизация проектирования печатных плат и матричных БИС с помощью САПР PCAD: Учеб. пособие / НовГУ им. Ярослава Мудрого. — Новгород, 1997. — 59 с.

75. Петров В. Н., Петров М. Н. Макромоделирование цифровых схем. — М., 1994. — 8 с. — Деп. в ВИНИТИ 25.10.94, № 2419-В94.

76. Петров В. Н., Петров М. Н. Автоматизация определения функциональных параметров цифровых микросхем. — М., 1994. — 7 с. — Деп. в ВИНИТИ 25.10.94, № 2418-В94.

77. Spice для чайников или революция Педерсона / Колпаков А. / «Электронные компоненты» № 3/2000 год

78. IRGPC40F Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR / International Rectifier p.86

79. Измерение и идентификация параметров SPICE-модели биполярного транзистора / В. Н. Петров, М. Н. Петров, С. А. Капралов / «Измерительная техника» 2002 год

80. G. М. Kull et al, "A unified circuit model for bipolar transistors including quasi-saturation effects", IEEE Trans. El. Dev., Vol. ED-32, No 6, 1985191