Рассеяние носителей заряда в облученном электронами кремнии по данным циклотронного резонанса тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Курочкин, Леонард Александрович

• Курочкин, Леонард Александрович
• 1984

Оглавление диссертации Курочкин, Леонард Александрович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИИ (Обзор литературы)

1.1. Модельные представления радиационных процессов в кремнии и энергетические уровни дефектов

1.2. Термическая устойчивость РД в кремнии

1.3. Циклотронный резонанс носителей заряда в полупроводниках

1.4. Кинетическое уравнение и время релаксации для электронов в кристалле

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Выбор объектов исследования и приготовление образцов

2.2. Методика измерения циклотронного резонанса

2.3. Автодинный радиоспектрометр циклотронного резонанса

2.4. Определение времени релаксации импульса и эффективной массы носителей заряда

2.5. Методика гальваномагнитных измерений

2.6. Методика расчета концентрации и энергетического положения радиационных дефектов

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ ЩКЛ0ТР0НН0Г0 РЕЗОНАНСА В ОБЛУЧЕННОМ КРЕМНИИ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

3.1. Циклотронный резонанс в исходном кремнии

3.2. Циклотронный резонанс в облученном кремнии

3.3. Концентрация и энергетические уровни радиационных дефектов в облученном кремнии

3.4. Влияние облучения на подвижность носителей заряда в кремнии

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ОТЖИГА ОБЛУЧЕННОГО КРЕМНИЯ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

4.1. Спектры ЦР носителей заряда в отожженном кремнии

4.2. Температурные зависимости концентрации носителей заряда в облученном кремнии при изохронном отжиге

ГЛАВА 5. СЕЧЕНИЕ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ В ОБЛУЧЕННОМ КРЕМНИИ И ОБСУЖДЕНИЕ МЕХАНИЗМА РАССЕЯНИЯ

5.1. Эффективное сечение рассеяния

5.2. Эффективное сечение рассеяния электронов на А-центре

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рассеяние носителей заряда в облученном электронами кремнии по данным циклотронного резонанса»

Исследования кинетических процессов в полупроводниках являются важным средством получения информации как о структуре энергетического спектра носителей заряда, так и о механизме их рассеяния в полупроводниковом кристалле. Благодаря тому, что кинетические процессы в полупроводниках в сильной степени зависят от типа, количества и распределения примесей, взаимодействия носителей заряда с дефектами кристалла, а также очень чувствительны к изменениям температуры, напряженности электрического и магнитного полей, эти процессы являются физической основой применения полупроводников в современной технике. Поэтому в настоящее время исследования кинетических процессов в полупроводниках применяются как для решения теоретических вопросов, так и для разработки и усовершенствования методов прикладного использования полупроводников.

Одним из наиболее исследуемых материалов в современной физике полупроводников является, по-видимому, кремний. Интерес исследователей к кремнию объясняется в первую очередь необычайно быстрым и повсеместным распространением так называемой кремниевой технологии в изготовлении современных элементов твердотельной электроники. Кроме того, получение особо чистых и совершенных кристаллов кремния дает возможность проведения экспериментов,моделирующих многие физические процессы, протекающие в более сложных полупроводниковых соединениях.

Современная технология получения монокристаллов кремния с минимальным количеством контролируемых примесей и высокой степенью совершенства кристаллической решетки определила и роль кремния в исследованиях дефектов кристаллической структуры, как возникающих в процессе выращивания монокристалла, так и вводимых внешними воздействиями, в первую очередь облучением. Именно дефекты во многом определяют электрофизические свойства кристаллов, и поэтому понятен интерес исследователей к экспериментам с облучением кремния. Исследование механизмов образования радиационных дефектов в полупроводниковых кристаллах способствует решению задачи применения полупроводниковых приборов в полях ионизующих излучений, а также внедрению методов радиационной физики в полупроводниковую технологию, открывает возможности получения монокристаллов с заданными свойствами. Огромную роль в идентификации дефектных ассоциаций и расшифровке их структуры сыграло успешное применение метода электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) для кремния, в котором был впервые идентифицирован центр, введенный облучением. В настоящее время интенсивные исследования дефектов радиационного происхождения в кремнии ведутся различными методами и наряду с уже упомянутым методом ЭПР успешно применяются измерения времени жизни носителей заряда, фотопроводимости, ИК-спектро-скопии, гальваномагнитные и т.д.

Метод циклотронного резонанса (ЦР), с успехом применяемый на протяжении последних 20 лет при исследовании совершенных полупроводниковых кристаллов позволяет получать обширную информацию об энергетическом спектре носителей заряда, кинетике процессов рассеяния и эффективных массах отдельных групп носителей. Однако для исследования кристаллов кремния, подвергнутых радиационному воздействию, этот метод ранее не применялся. Нам представляется целесообразным использованием метода ЦР в сочетании с традиционными методиками для изучения кинетических процессов и параметров радиационных дефектов вводимых в кремний облучением и их изменения в процессе последующего отжига.

Особый интерес представляет изучение температурных зависимостей парциальных вкладов в общее время релаксации импульса носителей заряда, обусловленных рассеянием на отдельных группах дефектов. Знание этих зависимостей позволяет получить эффективное сечение рассеяния носителей этими дефектами и установить особенности рассеяния электронов различными рассеивающими центрами.

Настоящая работа посвящена исследованию циклотронного резонанса в облученном кремнии. Целью работы является изучение механизма рассеяния носителей заряда в кремнии в процессе облучения и последующего отжига. В связи с этим выбор объектов исследования был сделан с таким расчетом, чтобы варьируя интегральные потоки облучения и различные образцы кремния, можно было получить практически весь спектр радиационных дефектов в кремнии.

Затем проводились экспериментальные исследования спектров циклотронного поглощения в области гелиевых температур на всех образцах кремния, на каждой стадии облучения и последующего изохронного отжига. В результате расшифровки спектров определялись эффективные массы носителей, участвующих в поглощении их анизотропия, общее обратное время релаксации импульса носителей заряда и парциальные времена релаксации, обусловленные рассеянием электронов на различных типах дефектов, как присутствующих в исходных кристаллах, так и введенных облучением быстрыми электронами. Методом гальваномагнитных измерений определялись концентрация и положение энергетических уровней дефектов вводимых облучением и трансформирующихся при последующем отжиге. На основании полученных экспериментальных значений рассчитывалось эффективное сечение рассеяния различных дефектов радиационного происхождения и обсуждался возможный механизм рассеяния носителей заряда в облученном кремнии.

В настоящей диссертационной работе впервые измерены времена релаксации импульса электронов в образцах кремния различных типов проводимости, методов выращивания монокристаллов, концентрации и вида легирующей примеси, подвергнутых электронному облучению в широком интервале интегральных потоков, определена концентрация и вид дефектов в каждом из исследованных образцов, выделен парциальный вклад в общее время релаксации, соответствующий каждому типу рассеивающего центра, введенного облучением, и сделано заключение о возможном механизме рассеяния носителей.

Полученные результаты представляют интерес в смысле получения количественных характеристик кинетики процессов рассеяния, происходящих в кристаллах кремния при наличии в них различных радиационных нарушений, более четкого уяснения механизма рассеяния носителей, количественных и качественных характеристик радиационных дефектов, как рассеивающих центров, что в конечном счете дает возможность уточнить природу и структуру радиационных дефектов, без знания которой невозможно создание радиационно стойких полупроводниковых элементов и эффективное управление физическими свойствами кристаллов с целью получения материалов с заданными параметрами, что и определяет научную и практическую ценность полученных результатов.

Представляют несомненный интерес также данные гальваномагнитных измерений различных монокристаллов кремния, подвергнутых облучению и последующему отжигу, а также данные о концентрации и типе радиационных дефектов в них.

На защиту выносятся следующие основные вопросы и положения.

1. Спектры ЦР монокристаллов кремния п- и р-типов облученных различными интегральными потоками быстрых электронов и подвергнутых последующему изохронному отжигу.

2. Результаты измерения общего времени релаксации импульса электронов в облученном кремнии р-типа и вьщеление парциальных вкладов в общее рассеяние, а также их зависимости от температуры, интегрального потока облучения и температуры отжига.

3. Результаты измерения общего времени релаксации импульса электронов в облученных монокристаллах кремния п-типа, как полученных методом бестигельной зонной плавки, так и выращенных методом Чохральского. Выделение парциальных вкладов в общее рассеяние, их зависимости от температуры, интегрального потока облучения и температуры отжига.

4. Результаты расчета эффективных сечений рассеяния носителей заряда на различных группах радиационных дефектов и обсуждение механизма рассеяния электронов в кремнии, облученном различными интегральными потоками быстрых электронов.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Курочкин, Леонард Александрович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

Весь экспериментальный материал, полученный в процессе выполнения настоящей работы, может быть сгруппирован по следующим основным признакам в соответствии с целью и задачами данного исследования. В первую группу можно выделить серию результатов,полученных в процессе исследования исходных монокристаллов кремния методом циклотронного резонанса и гальваномагнитным методом. Вторую группу составляют результаты исследований ЦР и эффекта Холла в тех же монокристаллах кремния, но подвергнутых облучению быстрыми электронами, и, наконец, третья группа результатов -исследование отжига облученных монокристаллов.

Исследование исходных монокристаллов кремния позволило получить количественные данные о наличии примесей в монокристаллах, временах релаксации импульса носителей заряда на тепловых колебаниях атомов решетки и нейтральной примеси, значения эффективных масс отдельных групп носителей, участвующих в резонансном погло-цении СВЧ-мощности, провести сравнение с известными литературными данными и сделать выводы о механизме рассеяния носителей в исходных образцах.

В процессе облучения быстрыми электронами с энергией 25 МэВ 1ри комнатной температуре в монокристаллах кремния образуются различные РД, структура которых зависит от дозы облучения, при-лесного состава кристаллов, типа проводимости и метода их выращивания. Выбор объектов исследования позволил получить различные ЭД. Структура и тип дефектов определялись на основе данных галь-заномагнитных измерений, которые проводились как после облучения сремния, так и на различных стадиях изохронного отжига. Сравнение жспериментально полученных температурных зависимостей изменения юнцентрации носителей после облучения и отжига с теоретическими, полученными из решения уравнения электронейтральности с набором варьируемых параметров на ЭВМ Наири-3, позволило получить данные о количестве радиационных дефектов на всех стадиях облучения.Измерения ЦР-характеристик облученных кристаллов показали резкую зависимость величины обратного времени релаксации от дозы облучения, а сравнение одноименных характеристик исходных и облученных образцов позволило выделить вклад в общее обратное время релаксации импульса носителей, обусловленный наличием радиационных дефектов того или иного типа, оценить его величину и проследить температурную зависимость в интервале 1,8-4,2 К.

Экспериментально установлено увеличение общего обратного времени релаксации 'Сер с ростом дозы облучения для всех групп исследованных образцов. Показано, что увеличение величины 1хр связано с ростом вклада в общее обратное время релаксации, обусловленного наличием дефектов радиационного происхождения - А'&ср1. Исследования температурной и дозовой зависимостей величины А'Сф1 для различных групп образцов позволили установить количественно разный характер рассеяния для различных типов дефектов в монокристаллах кремния и оценить влияние примеси электрически нейтрального кислорода на величину парциального рассеяния.

И, наконец, изохронный отжиг облученных монокристаллов кремния дал возможность исследовать процесс перестройки и распада радиационных дефектов и, соответственно, количественные изменения величин, характеризующих рассеяние носителей заряда в монокристаллах кремния.

Таким образом, гальваномагнитные измерения монокристаллов кремния р- и п-типов различной степени совершенства и методов выращивания позволили определить энергетические уровни основных дефектов, вводимых облучением в запрещенную зону и идентифицировать ях как А-центры (Ее - 0,17), в кремнии п-типа, и дивакансии - \Л/

Еу +0,27) в р-типе, рассчитать количество дефектов того или иного типа на основе решения уравнения электронейтральности на ЭВМ "Напри", определить изменение концентрации носителей заряда в процессе облучения и отжига и проверить согласие полученных результатов с имеющимися в литературе данными.

Измерение ЦР-характеристик исходных и облученных монокристаллов кремния дало основную информацию о процессах рассеяния, протекающих в монокристаллах кремния. Так, расшифровка спектров исходных монокристаллов р-кремния, легированного бором ( =3,7*10^см~3), позволила рассчитать общее обратное время релаксации носителей 'Сц1 » обусловленное только рассеянием на акустических колебаниях решетки. Вычитание этой величины из X1 для кремния, легированного фосфором ( N9 =5.10^см~3) дало'Смр -вклад в общее обратное время релаксации, обусловленный рассеянием на нейтральной примеси. Уширение спектральной линии в процессе облучения, вызванное увеличением 'Сер , объясняется нами как добавление парциального вклада Д'Кр1, связанного с рассеянием на РД в общее обратное время релаксации Ьф . Экспериментальные данные позволили рассчитать аналитическую зависимость дТ<р1от потока облучения и от температуры и связать ее с типом вводимых дефектов.

Совокупность данных гальваномагнитных измерений и ЦР-спектро-зкопии позволили впервые рассчитать сечение упругого расреяния цля РД типа А-центр и сделать предположение о возможном механиз-ле рассеяния носителей на такого рода дефектах.

На основании выполненных экспериментальных исследований методом циклотронного резонанса и методом гальваномагнитных измере-шй в облученных быстрыми электронами с энергией 25 МэВ при ком-1атной температуре и подвергнутых последующему отжигу монокрис-'аллах кремния р- и п-типов различной степени совершенства, выращенных различными методами, и анализа полученных результатов сделаны выводы.

1. Впервые обоснована возможность применения метода циклотронного резонанса в сочетании с гальваномагнитными измерениями для исследования кинетических параметров облученных монокристаллов кремния.

2. На основе принципа аддитивности обратных времен релаксации импульса носителей заряда показана возможность разделения вкладов в общее рассеяние от различных групп радиационных дефектов в кремнии, выделены вклады в .общее рассеяние, ответственные за рассеяние на А-центрах и \Д/ -дивакансиях.

3. Установлено, что парциальное рассеяние носителей заряда на А-центре линейно зависит от потока облучения, а парциальное рассеяние носителей заряда на дивакансиях зависит от потока облучения по квадратичному закону.

4. "Циклотронная" подвижность электронов в облученном кремнии р-типа слабо зависит от температуры в интервале 1,8-4,2 К. Степенная функция температурной зависимости обратного парциального времени релаксации на дивакансиях имеет следующее аналитическое выражение: дту^ СТ .

5. Для кремния п-типа наблюдается слабая температурная зави симость парциального рассеяния в интервале температур 1,8-4,2 К при преимущественном образовании при облучении А-центров, причем у тигельных кристаллов эта зависимость выражена резче (дТср1^ СТ°'7), чем у зонноплавленных (дГ^1 * СТ ), что, возможно, объясняется присутствием большого количества кислорода.

6. Изменение спектров ЦР-поглощения в процессе изохронного отжига происходит в две стадии для всех измеренных образцов. Наблюдаемая в 11-51 тигельном стадия отрицательного отжига в интервале температур 220-300°С (по данным гальваномагнитных измерений) и связываемая с образованием в процессе отжига сложного кислоро-досодержащего комплекса, сопровождается аномальным уменьшением интенсивности линий ЦР (в этом же интервале температур отжига), что связано с уменьшением количества носителей заряда, участвующих в ЦР-поглощении.

7. Эффективные сечения упругого рассеяния на различных типах дефектов радиационного происхождения количественно различны, но укладываются в рамки модели рассеяния на области упругого искажения решетки вокруг РД. Нами наблюдается также слабая температурная зависимость парциальных обратных времен релаксации на РД, предсказываемая теорией.

Список литературы диссертационного исследования Курочкин, Леонард Александрович, 1984 год

1. Seitz 1. On the disordering of solids by the action of fast particles. - Disc. Farad. Soc., 1949, No. 5i p. 271-282.

2. Klontz E.E., Lark-Horovitz K. Electron bombardment of Ge. Phys. Rev., 1951, v. 82, No. 5, p. 763-765.

3. Lofferski J.J., Rappoport P. Radiation damage in Ge and Si detected by carriers lifetimechanges. Damage Threshold. Phys. Rev., 1958, v. 111, No. 2, p. 432-441.

4. Смирнов JI.С. О радиационных нарушениях в кристаллах. -Физтверд.тела, I960, т.2, вып.7, с.1669-1670.

5. Губская В.И., Кучинский Л.В., Ломако В.М. Влияние зарядового состояния первичных дефектов на комплексообразование в п-кремнии. Физ. и техн. полупр.,1980,т. 14,вып.2,с.323-326.

6. Watkins G.D. A review of EPR studies in irradiated silicon. In: Radiation Damage in Semiconductors. Pariss Dunod, 1965» p. 97-113»

7. Васильев А.В., Рыбакова Л.А., Смирнов Л.С. 0 центрах аннигиляции радиационных дефектов. -Физ. и техн. полупр. , 1972, т. 6, вып. 4, с. 733-734.

8. Ramdas А.К., Rao M.G. Infrared, absorption spectra of oxygen-defects complexes in irradiated silicon. Phys. Rev., 1966, v. 142, No. 2, p. 451-456.

9. Ramdas A.K., Rao M.G, Infrared absorption spectra of defects in irradiated silicon. J. Phys. Soc. Jap., 1963, v. 18 (Suppl.), p. 33-36.

10. Болотов В.В., Васильев А.В., Смирнов Л.С. Влияние концентрации акцепторной примеси на скорость введения комплекса вакансия-кислород в кремний. Физ. и техн. полупр., 1976, вып. 9, с. I787-1789.

11. Антоненко Р.С., Корнюшин С.Й.,Шаховцев В.И.,Шиндич В Л., Яско-вец И.И. Радиационные эффекты в кремнии, легированном гадолинием.- Физ. и техн. полупр., 1976, т.Ю, вып.8,с.1583-3586

12. Caldas M.J., Leite J.R., Fazzio A. Theoretical investigation of Si-A center. Phys. Stst. Sol. (Ъ), 1980,v. 98, No. 2, p. K109-K111.

13. Watkins G.D., Gorbett J.W. Defects in irradiated silicons Electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the Si-E centers. -Phys. Rev., 1964, v. 134, No. 5A, p. A1359-1377.

14. Козлов И.П., Литвиненко А.Г., Лугаков П.Ф. Влияние лития и меди на дефектообразование в кремнии. В сб. "Радиационные дефекты в полупроводниках", Минск, БГУ, 1972,с. 59-61.

15. Watkins G.D., Gorbett J.W., Walker R.M. Spin resonance in electron-irradiated silicon. J. Appl. Phys., 1959» v. 30, No. 8, p. 1198-1199.

16. Watkins G.D. An EPE study of the lattice vacancy in silicon. J. Phys. Soc. Jap., 1963, v. 18, Suppl. II, p. 22-27.

17. Watkins G.D. EPR studies of the lattice vacancy and low-temperature damage processes in silicon. -In: Lattice Defects in Semiconductors, London -Bristol, Oonf. ser. 23, The Institute of Physics, 1975, p. 1-22,

18. Акулович Н.И., Петров В.В., Ткачев В.Д. Фотопроводимость кремния, обусловленная различными зарядовыми состояниями дивакансий. -Физ.и техн.полупр.,1976,т.10,вып.6,сЛ038-1044.

19. Лугаков П.Ф., Шуша В.В. Об энергетическом спектре уровней дивакансии в облученном кремнии.-Изв. АН БССР ,сер.физ.-мат. наук, 1980, № 6, с.80-84.

20. Заитов Ф.А., Бахар Л.И., Ильченко Л.И., Чкунина В.Н.,Исаев Ф.К. Особенности радиационного дефектообразования в особо чистом высокоомном кремнии, изготовленном по различной технологии.-Докл. АН АзССР, 1981, т.37, № I, с.28-32.

21. Cheng L.Z. 3*9u Photoconductivity band in neutron-irradiated p-type silicon. Phys. Lett., 1967, v. 24-A, No. 13, p. 729-731.

22. Петров В.В., Ткачев В.Д. Энергетический спектр и термическая устойчивость радиационных дефектов в p-si .Физ.и техн.полупр., 1976, т.10, вып.5, с.966-968.

23. Carton-Merlet F., Радо В., Don D.T., Porte С., Clerjand В., Mooney P.M. Photo-induced Changes in the charge state of the divacancy in neutron and electron irradiated silicon. J. Phys. C: Solid State Physics, 1982, v. 15, No. 10,p. 2239-2255.

24. Kalma A.H., Corelli J.C. Photoconductivity studies of defects in silicon. Divacancy-associated energy levels. Phys. Rev., 1968, v. 173, No. 3, p. 734-74-5.

25. Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф. Эффективность введения и природа дефектов в кремнии, облученном высокоэнергетическими протонами. Физ. и техн.полупр., 1979,т.13,вып.4,с.625-632.

26. Логвиненко Т.А., Лугаков П.Ф., Ткачев В.Д., Шуша В.В. Дефекты структуры в кремнии, облученном быстрыми электронами. В сб."Радиационные дефекты в полупроводниках", Минск, БГУ, 1972, с.87-89.

27. Мордкович В.Н., Темпер Э.М. Особенности образования и отжига дефектов в St, облученном большими дозами нейтронов.-Физ.и техн.полупр., 1980,т.14,вып.П, с.2172-2177.

28. Lung W., Newell G.S. Spin I Centers in neutron-irradiated silicon. -Phys. Rev., 1963, v. 132, No. 2, p. 648-662.

29. Brower K.L., Beezhold W.J. Electron- paramagnetic resonance of the lattice damage in oxygen-implanted silicon. J. Appl. Pbys., 1972, v. 43, No. 8, p. 34-99-3506.

30. Панов В.И., Смирнов Л.С., Тишковский Е.Г. О конкуренции по захвату и "перекачке" вакансий между дефектными образованиями в кремнии. Физ.и техн.полупр., 1972,т.6,вып.4,с.673-676.

31. Герасименко Н.Н., Зайцев Б.А., Панов В.И., Смирнов Л.С., Тишковский Е.Г. Об изменении относительных скоростей введения радиационных дефектов в кремнии. Физ.и техн. полупр., 1973, т.7, вып.7, с.1433-1435.

32. Власенко JI.С., Лебедев А.А., Рожков В.М. Фото-ЭПР К-цент-ров в облученном электронами кремнии. -Физ.и техн.полупр., 1980, т.14, вып.II, с.2152-2156.

33. Watkins G.D. The interaction of irradiation-produced defects with, impurities and other defects in semiconductors EPE-studies in silicon. In: Eadiation Effects on Semiconductors Components, Toulouse,

34. J. d'Electron., 1967, p. A1-A9.

35. Prank W. Interstitial properties deduced from internal friction measurements on boron-implanted Si. Had. Eff., 1974, v. 21, p. 119-133.

36. Leithweite K., Newmann E.C., Tottlergell D.M. Interstitial defects involving boron in irradiated silicon. J. Phys. C: Solid State Phys., 1975* v. 8, No. 2, p. 236-242.

37. Brozel M.E., Newmann E.C., Tottergell D.H. Interstitial defects involving carbon in irradiated silicon. J. Phys. C: Solid State Phys., 1975, v. 8, Wo. 2, p. 243-248.

38. Watkins G.D., Messmer E.P., Weigel G., Peak D., Gorbett S.W. Properties of the interstitial in the diamond-type lattice. -Phys. Eev. Lett., 1971, v. 27, No. 23,p. 1573-ЮТ.

39. Weigel C., Peack D., Corbett J.W., Watkins G.D., Messmer E.P. LCAO Calculations for the boron and nitrogen interstitial in the diamons lattice. Phys. Stat. Sol. (b), 1974, V. 63, No. 1, p. 131-137.

40. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.: Атомиздат, 1971, с.176.

41. Crawford J.H., Cleland J.W. Nature of Bombardment damage and energy levelsin semiconductors. J. Appl. Phys., 1959» v. 30, No. 8, p. 1204—1213»

42. Sonder E. Magnetic and electric propertiesof reactor.irradiated silicon. J. Appl. Phys., 1959, v. 30, No. 8, p. 1186-1194-.

43. Gossik B.R. Disordered regions in semiconductors bombarded by fast neutrons. J. Appl. Phys., 1959* v. 30, No. 8, p. 1214-1218.

44. Ухин H.А. Влияние сложных структурных повреждений на свойства полупроводников. В сб."Радиационная физика неметаллических кристаллов", Киев, "Наукова думка",1971,т.3,ч.1,с.66-93.

45. Swanson M.L., Parsons J.R., Holke C.H. Damaged regions in neutron-irradiated and ion-bomberded Ge and Si. Ins Radiation Effects in Semiconductors, London-New York-Paris, Gorden and Breach, 1971, p. 359-366.

46. Герасименко H.H., Двуреченский А.В., Лебедев Г.П. Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой.-Физ.и техн.полупр.,1973, т.7,вып.12, с.2297-2300.

47. Бабицкий Ю.М., Воронов И.Н., Гринштейн Н.М., Мороховец М.А. Исследование кинетики отжига радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами. -Физ.и техн.полупр., 1982,т.16, вып.5, с.931-933.

48. Kuznetsov V.l., Lugakov P.F. Study of rearrangements of intrinsic defects at annealing of proton-irradiated, silicon. Phys. Stat. Sol., 1982, B112, No. 2,p. 457-462.

49. Конозенко И.Д., Левчук JI.В., Старчик М.И. Отжиг дефектов в п-типа Si , введенных У -излучением Со60 при 77 К.

50. В сб.Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев, Наукова думка, 1971, т.3,ч.1, с.281-283.

51. Васильев A.B. 0 кинетике образования и отжига радиационных дефектов в кристаллах.- Физ.и техн.полупр.,1972, т.6, вып.4, с.603-608.

52. Watkins G.D. ЕРЕ and optical absorption studies in irradiated semiconductors. In: Radiation Effects in Semiconductors, Bd.: F.L. Vook, New York: Plenum. Press, 1968, p. 67-68.54. Hasiguti H.H., Ishino S.

53. Defect Mobility and Annealing in irradiated, germanium and silicon. In: Radiation Damage in Semiconductors, Paris, Dunod, 19&5»p. 259-273.

54. Stein H.J., "Vook P.L. Electrical studies of electron-irradiated n-type Si: Impurity and irradiation temperature dependence. Phys. Rev., 1967, v. 163, No. 3, p. 790-801.

55. Коноплева Р.Ф., Новиков С.P., Рубинова Э.Э. Дефекты, созданные в кремнии, облученном быстрыми нейтронами при 77 К. -Физ.тверд.тела, 1966, т.8,' № 2, с.321-331.

56. Ishi.no S., Nakazawa F., Hasiguti R. Annealing of X -ray irradiated n-type silicon. J. Phys. Chem. Sol., 1963, v. 24, No. 8, p. 1033-1041.

57. Болотов В.В., Васильев А.В., Смирнов Л.С. Об энергии миграции простейших дефектов в германии и кремнии. -Физ.и техн.полупр., 1974, т.8, вып.З, с.518-521.

58. Спицын А.В., Смирнов Л.С. К теории аннигиляции радиационных дефектов в полупроводниках.- Физ.тверд.тела, 1962, т.4,вып.12, с.3455-3458.

59. Hirata М., Hirata М., Saito Н. The interactions of point defects with impurities in silicon. J. Phys. Soc. Jap., 1969, v. 27, No. 2, p. 405.

60. Мукашев Б.Н. Исследование радиационных нарушений в кремнии, легированном различными донорными и акцепторными примесями. Автореф., на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук,-Алма-Ата, 1972, с.21.

61. Kimerling L.C., De Angelis Н.М., Carnes О.Р. Annealing of electron irradiated n-type silicon. Phys. Rev., B, 1971» v. 3, No. 2, p. 427-432.

62. Kimering L.C., Carnes C.P. Annealing of electron-irradiated n-type silicon: Illumination and fluence dependence. J. Appl. Phys., 1971, v. 42, No. 9, p. 3548-3552.

63. Bourgein J.C., Corbett J.W. Ionization energy on impurity and defect migration in semiconductors. In: Lattice Defect in Semiconductors. London, Bristol. Conf. ser.

64. No. 23, the Institute of Physics, 1975, p. 149-163.

65. Hasiguti R.R., Ishino S. Defect mobility and annealing in irradiated germanium and silicon . In: Radiation Damage in Semiconductors. Paris - Rajanmont - Dunod, 1965, p. 259-274.

66. Seeger A., Ohik K.P. Diffusion mechanism and point defects in silicon and germanium. Phys. Stat. Sol., 1968, No. 29, No. 2, p. 455-512.

67. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Иглицын М.И. Подвижность и концентрация вакансий в германии и кремнии. -Физ.и техн. полупр., 1972, т.6, вып.1, с.20-27.

68. Vechten van J.A. Enthalpy of vacancy migration in silicon and germanium. Phys. Rev. B, 1974, v. 10, No. 4, p. 1482-1506.

69. Конозенко И.Д., Старчик М.И., Томчук JI.B. Особенности изохронного отжига кремния р-типа, -облученного при 77 К.-В сб.:Радиационные эффекты в твердых телах. Киев, Наукова думка, 1977, с.117-121.

70. Bean A.R., Newmann R.C., Smith R.S. Electron irradiation damage in silicon containing carbon and oxygen. J. Phys. Chem. Soc., 1970, v. 31, No. 4, p. 732-751.

71. Конозенко И.Д., Старчик М.И., Левчук JI.B. Низкотемпературное нейтронное облучение и отжиг очень чистых монокристалла п- и р-типа кремния. В сб.:Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, Изд.БГУ, 1972, с.64-66.

72. Cherki М., Kalma А.Н. Photoconductivity studies of defects in p-type silicon: Boron interstitial and aluminium interstitial defects. Phys. Rev., 1970, v. 131, No. 2, p. 647-657.

73. Дорфман Я.Г. Парамагнитный и диамагнитный резонанс электронов проводимости. Докл.АН СССР, 195I, т.81,№ 5,с.765-766.

74. Dingle R.B, III. Diamagnetic resonance. Proc. Roy. Soc., 1952, Series A, v. 212, No. 38, p. 38-43.

75. Shockley W. Cyclotron resonance, magnetoresistance and Brillouin zones in semiconductors. Phys. Rev., 1953» v.90, No. 3, p. 4-91-4-97.

76. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников.- М.:Наука, 1978, с.616.

77. Dresselhaus V., Kip А.F., Kittel С. Cyclotron resonance of electrons and holes in silicon and germanium crystals. -Phys. Rev., 1955, v. 98, No. 2, p. 368-372.

78. Dexter R.N., Lax В., Kip a.F., Dresselhaus V. Effective Masses of electrons in silicon. Phys. Rev., 1954, v. 96, No. 1, p. 222-223.

79. Mercuroff W., Picard J.CI. Experiences de resonance cyclotron dans le germanium et le silicon. C.r. Acad. Sei., 1960, v. 250, No. 11, p. 2010-2012.

80. Dexter R.N., Zeiger H. J., Lax B. Cyclotron resonance of electrons and holes in silicon and germanium. Phys. Rev., 1956, v. 104, No. 3, p. 637-644.

81. Kittel С. Experimental evidence on the Band structure of germanium and silicon. Physics, 1954, v. 20, No. 11, p. 829-833.

82. Hermann Fr. Electronic structure of the diamond crystal.-Phys. Rev., 1952, v. 88, No. 5, p. 1210-1219.

83. Hermann Fr. Some recent developments in the calculation of crystal energy. Physics, 1954, v. 20, No. 11,p. 801-812.

84. Kohn W., Luttinger J.M. Quantum theory cyclotron resonance in semiconductors. Phys. Rev., 1954, v. 96, No. 2, p. 529-543.

85. Shockley W. Energy band structure in semiconductors. Phys. Rev., 1950, v. 78, No. 1, p. 173-181.

86. Luttinger J.M., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields. Phys. Rev., 1955, v. 97, No. 4, p. 869-883.

87. Luttinger J.M. Quantum theory cyclotron resonance of electron and holes in perturbed periodic fields. Phys. Rev., 1955, v. 97, No. 4,p. 1030-1141.

88. Stickler J.J., Zeiger H.J., Heller G.S. Quantum Effects in Ge and Si: I. Phys. Rev., 1962,v. 127, No. 4, p. Ю77-Ю84.

89. Ito R., Fukai M., Imai J. Cyclotron resonance line width of germanium and silicon in the quantum limit. J. Phys. Soc. Jap., 1966,v. 21, Suppl., p. 357-360.

90. Гершензон E.M., Гусинский Э.Н., Рабинович P.M., Соина H.B. Циклотронный резонанс на гармониках тяжелых дырок в Ge и

91. Si .- Физ.тверд.тела, 1970, т.12, с.3611-3613.

92. Черепанов М.Д. Ширина линии квантового ЦР в германии и кремнии. -Физ.техн.полупр.,1976, т.10,№ 6, C.II38-II4I.

93. Гурвич Ю.А., Черепанов М.Д. Теория ширины линии квантового ЦР в полупроводниках с анизотропным энергетическим спектром носителей заряда. -Физ.и техн.полупр.,1976,т.10,№5,с.958-963.

94. Hensel J.С., Feher G. Cyclotron resonance experiments in unaxially stressed, silicon: Valence band, inverse mass parameters and deformation potentials. Phys. Rev., 1963, v. 129, No. 3, p. 1041-1062.

95. Hasegawa H. Theory of cyclotron resonance in strained silicon crystals.- P&ys.Rev., 1963, v. 129, No. 3, p. 1029-1040.

96. Hensel J.C., Hasegawa H., Nakayama M. Cyclotron resonance in unaxially stressed Si:

97. Nature of the covalent bond. Phys. Rev., 1965, v. 138, No. 1A, p. 225-238.

98. Ohyama Т., Yoshihava Т., Murase K., Otsuka E. Observation of cyclotron resonance at the split-off valence band in silicon. Phys. Lett., 1970, v. A33, No. 1, p. 55-56.

99. Brooks H. Transport properties of a many-valley semiconductors. Bell System Techn. J., 1955, v. 34, No. 2, p. 237290.

100. Conwell E., Weisskopf V.F. Theory of impurity scattering in semiconductors. Phys. Rev., 1950, v. 77, No. 3, p. 388-390.

101. Erginsoy C. Neutral Impurity scattering in semiconductors. Phys. Rev., 1950, v. 79, No. 4, p. 1013-1015.

102. Казанский А.Г., Кошелев О.Г. ЦР электронов в кремнии, генерируемых примесной подсветкой от COg лазера.- Физ.и техн. полупр., 1972, т.6, вып.2, с.254-260.

103. Ohyama Т., Sanada Т., Otsuka Е. Effects of positivelycharged acceptor centres on cyclotron resonance in p-type silicon. J. Phys. Soc. Jap., 1973, v. 34, No. 5, p. 1245-1247.12.0tsuka E., Murase К., Ohyama Т.

104. Bagsuley D.M.S., Stradling R.A., Whiting J.S.S. Cyclotron resonance over a wide temperaturerange. II. Silicon. Proc. Roy. Soc., 1961, v. A262, No. 1310, p. 365-377.

105. Kawamura H., Fukai M., Sekido K., Imai J. Measurement of the relaxation time for electronsin silicon by cyclotron resonance. J. Phys. Soc. Jap., 1963, v. 18, No. 12, p. 322-323.

106. Hensel J.G. Low-temperature millimeter wave cyclotron resonance relaxation time in silicon. Phys. Lett., 1963, v. 4, No. 1, p. 38-43.

107. Stradling R.A., Zhukov V.V. Cyclotron resonance of electrons in silicon at the temperature up to 200 K. -Proc. Phys. Soc., 1966, v. 87, No. 1, p. 263-271.

108. O.Otsuka Е., Ohyama Т., Murase К. Cyclotron resonance in doped silicon. J. Phys. Soc. Jap., 1968, v. 25» No. 3, p. 729-739.

109. Ш.Гершензон E.M., Гурвич Ю.А., Серебрякова H.A. Анизотропное рассеяние электронов в Si , -Физ.и техн.полупр.,19б7,т.1, вып.1, с.147-149.

110. Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А., Серебрякова Н.А. Анизотропия акустического рассеяния электронов в б6 и Si . Физ.тверд, тела, 1970, т.12, вып.8, с.2306-2310.

111. Tenik:in A. Polarization and the triplet electron-hydrogen scattering. Phys. Rev. Lett.,1961» v. 6,1. No. 7, p. 35^-355.

112. TemldLn A. Nonadiabatic theory of electron-hydrogen scattering. Phys. Rev., 1962, v. 126, No. 1,p. 130-14-2.

113. Пб.Благосклонская JI.E., Гершензон E.M., Ладыженский Ю.П.,

114. Попова А.П., Рассеяние электронов на нейтральных акцепторах в полупроводниках. -Физ.тверд.тела, 1968,т.10, вып.10, с.3010-3016.

115. Благосклонская Л.Е., Гершензон Е.М., Ладыженский Ю.П., Попова А.П. Рассеяние электронов на нейтральных донорах в полупроводниках.-Физ.тверд.тела.,1969,т.11,вып.10, с.2967-2971.

116. Schwartz Ch. Electron scattering from hydrogen. Phys. Rev., 1961, v. 124, No. 3, p. 1468-1472.

117. Moussa A.H. The effect of polarization on the elastic scattering of positrons by hydrogen atoms. Proc. Phys. Soc., 1959, v. 74, No. 1, p. 101-104.

118. Temkin A* Positron-hydrogen scattering. Proc. Phys. Soc., 1962, v. 80, No. 6, p. 1277-1289.

119. Otsuka E., Nagato S., Murase K., Kawamura H. Cyclotron resonance in germanium-silicon alloys. J. Phys. Soc. Jap., 1964, v. 19, No. 8, p. 1503-1504.

120. Otsuka E., Murase K., Ohyama T. Caclotron resonance study of electron scattering by neutralized acceptors in Si and Ge. J. Phys. Soc. Jap., 1966, v. 21 (Suppl.), p. 327-330.

121. Gold L., Bullis W.M., Campbell R.A. Theory of CR in many-valley semiconductors. Phys. Rev., 1956, v. 103, No. 5, p. 1250-1254.

122. Burstein E., Picus S., Gebbie H.A. Cyclotron resonance at infrared frequencies in InSb at room temperature. Phys. Rev., 1956, v. 103, No. 3,p. 637-644.

123. Button R.J., Lax B., Bradley C.C. Quantum effects at CR in InSb p-Type. Phys. Rev. Lett., 1968, v. 21, No. 6, p. 350-352.

124. Simmond P.E., Mekhtier A.S.H. CR in n-InSb and n-GaAs.- Phys. Stat. Sol. (b), 1973, v. 60, No. 2, p. K127-K134.

125. Palmershofer L., Kranzer D. Shape of the ORabsorption line of polar semiconductorn-InSb at 337 um . Phys. (Rev.),

126. Status Solid! (b), 1974, v. 62, Ho. 2,p. 491-496. I29JPoehler Т.О., Apel J.R. Far IR-CR in

127. Hg Od x Те. Phys. Lett., 1970, v. 32A,1. No. 4, p. 268-269.

128. Miura N., Kido G., Ohikazumi S. Infrared cyclotronresonance in InSb, GaAs and Ge in very highmagnetic fields. Solid State Oommuns., 1976,v. 18, No. 7, p. 885-888.

129. J)resselhaus G., Kip A.F., Kittel Oh. Plasmaresonance in crystals; Observations and theory.- Phys. Rev., 1955, v. 100, No. 3, p. 618-639.

130. Lax В., Wright G.B. Magnetoplasma reflectionin solids. Phys. Rev. Lett., 1960, v. 4, No. 1, p. 16-18.

131. Lukasheva V.I., Kurochkin L.A. Cyclotron-resonance radiospectrometer for the 8 mm range. - In: Chemical Bonds in Solids, Consultant Bureau,

132. N.-Y., London, 1972, p. 160-163.

133. Пул 4. Техника ЭПР-спектроскопии N-Y., London, Sydney, 1967. Пер. с англ. (под ред. Декабруяа JI.JI,)М: Мир, 1970, 557 с.

134. Щелкунов К.Н., Алахов Е.К. Измерение вибраций и других малых перемещений с помощью клистрона-автодина.- Tp.JMTMO, 1959, вып.29, с.125-129.

135. Ахманов С.А., Гвоздовер С.Д., Константинов Ю.С., Трофимен-ко И.Т. Автодинный радиоспектроскоп 3-сантиметрового диапазона для наблюдения электронного парамагнитного резонанса.-ПТЭ, 1959, № 2, с.38-40.

136. Гершензон Е.М., Путилов П.А. Автодинный радиоспектрометр8 мм диапазона на отражательном клистроне.- ПТЭ, 1970,№ 2, с.144-147.

137. Курочкин JI.A., Лукашева В.И. Автодинный радиоспектрометр ЦР 8-мм диапазона. -Изв.АН БССР, сер.физ.-мат.наук, 1975, № 5, CII3-II5.

138. Гершензон Е.М., Путилов П.А., Соина Н.В. Исследование клистро-на-автодина, связанного с резонаторной системой.- В сб.: Вопросы радиофизики и спектроскопии. М.:Сов.радио, 1966,вып.2, с.I18-154.

139. Курочкин Л.А., Лукашева В.И. СВЧ-резонатор со сменной диафрагмой. -Докл.АН БССР, 1977, т.21,№ 12, с.1085-1086.

140. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ.- М.: Радио, 1970, т.1, 285 с.

141. Fukai М., Kawamura Н., Sekido К., Imai J. Line broadening of Cyclotron resonance due to lattice and neutral impurity scattering in silicon and germanium. J. Phys. Soc. Jap., 1964, v. 19, No. 1, p. 30-39.

142. Г43.Блюменфельд Л.А., Воеводский В.В., Семенов А.Г. Применение электронного парамагнитного резонанса в химии.- Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1962, с.239.

143. Е44.Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников.- М.,Высшая школа, 1975, 296 с.

144. Витовский Н.А., Машовец Т.В., Рыбкин С.М. К вопросу об определении энергии активации уровней примесных центров и дефектов структуры в полупроводниках.- Физ.тверд.тела, 1962,т.4, вып.Ю, с.2849-2853.

145. Витовский Н.А., Машовец Т.В. Об одной возможности точного определения энергии активации уровней примесей и дефектов в полупроводниках.-Физ.тверд.т ела,1964,т.6,вып.6,с.1654-1656.

146. Киреев П.С. Физика полупроводников.- М.: Высшая школа,1975, 583 с.

147. Лукашева В.И., Курочкин Л.А. Исследование циклотронного резонанса в облученном кремнии T.I отчет ИФПП АН БССР,Минск, 1979, ВНТИ центр Б809321, 130с.

148. Fukai М., Kawamura Н., Sekido К., Imai J. Line broadening of cyclotron resonance due to lattice and neutral impurity scattering in silicon and germanium. J. Phys. Soc. Jap., 1964, v. 19, No. 1,p. 30-39.

149. Pearson G.L., Bardeen J. Electrical properties of pure silicon and silicon alloys containing boron and phosphorus. Phys. Rev., 1949, v. 75, No. 5, p. 865-883.

150. Sirota N.N. , Lukasheva V.I , Kurochkin L.A. Irradiation effect on cyclotron resonancein germanium. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v. 47, No. 2, p. 677-682.

151. Курочкин Л.А., Лукашева В.И. Рассеяние электронов в облученном кремнии по данным циклотронного резонанса.-19 Всесоюзное совещание по физике низк.темпер.,(HT-I9),(Минск 14-18 сентября 1976): тезисы докл.- Минск, Наука и техника, с.246-247.

152. Лукашева В.И., Курочкин Л.А. Эффективные массы носителей заряда в облученном германии,- Докл.АН БССР, 1979,т.28, № 9, с.801-803.

153. Курочкин Л.А., Гатальская В.И. Циклотронный резонанс носителей заряда в облученном кремнии р-типа.- деп.№7672/81, реф.в MPC ВНТИ "Техника, технология, экономика",№29,сер.Т, 1981.

154. Курочкин Л.А., Гатальская В.И. Рассеяние носителей заряда в облученном кремнии п-типа по данным ЦР.-Докл.АН БССР, 1982, т.27, № 2, с.132-135.

155. Кривов М.А., Попова Е.А., Малисова Е.В. Определение параметров локальных центров в полупроводнике по равновесной концентрации носителей заряда с помощью ЭВМ.-Изв.Вузов СССР,1971, № 8, с.82-86.

156. Головкина Э.Д., Левченя H.H., Шик А.Я. Аномалия температурной зависимости холловской подвижности в компенсированном n-Ge .-Физи техн.полупр.,1976,т.10,вып.2,с.383-386.

157. Лугаков П.Ф.,Лукашевич Т.Н., Шуша В.В. Стадия отрицательного отжига радиационных дефектов в кремнии п-типа.-Физ.и техн. полупр., 1979, т.13, №2, с.401-404.

158. Гололобов Е.М., Курочкин Л.А. Рассеяние носителей заряда в облученном кремнии в процессе отжига по данным циклотронного резонанса.- Докл.АН БССР,1983,т.27,№6,с.501-504.

159. Г60. Ландау Л.Д., Лифпиц Е.М. Квантовая механика -М.: Наука,1972, 318с.

160. E6I. Paige E.G.S. The electrical conductivity of germanium. -In: Progress in Semiconductors., London: Temple Press Book, 1964, v. 8, p. 3-131.

161. Дамаск Д.,Дине Дж. Точечные дефекты в металлах.-Пер.с англ. (под ред.Любова Б.Л.-М.: Мир, 1966, 289с.

162. Емцев В.В., Клингер М.И., Машовец Т.В. О возможном механизме рассеяния носителей заряда в германии с точечными дефектами.- Письма в ЖЭТФ, 1974,т.19,в.9, с.575-579.

163. Eshelby D. The continuum theory of lattice defects. In: Solid State Physics, ed. F. Seitz, D. Turnbull, New-York, 1956, v. 3, p. 3-81.

164. Васильева Е.Д., Емцев В.В., Машовец Т.В. Взаимодействие гал лия с собственными дефектами в германии при -облучении. -Физ.и техн. полупр., 1983, т. 17, № I, с.35-39.

165. Гатальская В .И., Гололобов Е .М., Курочкин Л .А. Рассеяние электрон®на А центре в кремнии по данным циклотронного резонанса.-Докл. АН БССР,1984, т. 28, JM, с. 328-331.

166. Hirata М., Fukumoto М. Possibility of Di-vacancy migration at 0°C in irradiated germanium. Jap. J. Appl. Phys., 1974, v. 13, No. 1, p. 8-16.