Разработка автоматизированного элионного технологического оборудования для производства изделий микрофотоэлектроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Козлов, Александр Николаевич

• Козлов, Александр Николаевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Козлов, Александр Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Низкоэнергетические ионные источники в технологии микрофотоэлектроники.

ГЛАВА 2. Принципы проектирования ионных источников с холодным катодом для технологии микрофотоэлектроники.

2.1. Компьютерное моделирование ионно-оптической системы.

2.2. Система газонапуска.

2.3. Методы и устройства для определения параметров ионных пучков

2.3.1. Матричный датчик плотности ионного тока.

2.3.2. Система контроля энергетического спектра ионных пучков.

ГЛАВА 3. Комплексная установка вакуумного напыления (УВН).

3.1. Технические решения и конструктивные особенности установки напыления.

3.1.1. Магнетронная система напыления.

3.1.2. Резистивный испаритель.

3.1.3. Система ионно-лучевого травления.

3.1.4. Внутрикамерная технологическая оснастка.

3.1.5. Система газонапуска.

3.1.6. Автоматизированная система управления технологическим процессом УВН.

ГЛАВА 4. Установка ионно-лучевого травления (УИЛТ).

4.1. Описание конструкции установки ионного травления.

4.1.1. Внутрикамерная оснастка и подложкодержатель.

4.1.2. Система газонапуска.

4.1.3. Автоматизированная система управления технологическим процессом УИЛТ.

4.2. Отработка технологических процессов.

ГЛАВА 5. Установка электронно-лучевой сварки (герметизации) вакуумных корпусов МФПУ (УЭЛС).

5.1. Проектирование электронно-оптической системы ЭЛУ.

5.2. Выбор материалов внутрикамерной оснастки.

5.3. Расчет защиты персонала, обслуживающего электронно-лучевую установку от воздействия рентгеновского излучения.

5.4. Описание конструкции установки электронно-лучевой сварки.

5.4.1. Электронно-оптическая колонна.

5.4.2. Блок электрического питания ЭЛУ.

5.4.3. Автоматизированная система управления.

ГЛАВА 6. Автоматизированный контроль технологических параметров вакуумного оборудования, как обеспечение непрерывного контроля качества.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка автоматизированного элионного технологического оборудования для производства изделий микрофотоэлектроники»

Для производства современных фотоприемных устройств, требуется комплекс достаточно сложного технологического оборудования. Этот комплекс, включает в себя установки для выращивания монокристаллов кремния, теллурида кадмия-ртути, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов, для механической и химической обработки с целью получения полупроводниковых пластин - исходного продукта для производства фотоприемников. В технологической цепочке имеются также установки эпитаксиального выращивания. Завершает этот комплекс большая группа электоронно-лучевого и ионно-плазменного технологического оборудования включающая в себя установки ионной имплантации для внедрения примесей, установки плазменного и ионно-лучевого напыления, травления и формирования профильной структуры, различное литографическое оборудование и установки электронно-лучевой микросварки для решения задачи герметизации корпусов и присоединения микроконтактов.

Настоящая работа посвящена разработке комплекса специализированного электронно-лучевого и ионно-плазменного оборудования для современной планарной технологии производства малоразмерных фотодиодов (аналогичной кремниевой) учитывающего особенности материала КРТ. Комплекс состоит из установки вакуумного напыления (УВН), установки прецизионного ионно-лучевого травления (УИЛТ), установки электронно-лучевой микросварки (УЭЛС).

Создание современного элионного (электронно- и ионно-лучевого) технологического оборудования связано с решением целого ряда научных и технических задач таких, как оптимизация электронно-оптических элементов и систем для формирования электронных и ионных пучков с требуемыми геометрическими и энергетическими параметрами, решение проблемы электрической прочности конструкций, модернизация и разработка новых систем электропитания с требуемой стабильностью и надежностью, разработка современных систем газонапуска и вакуумных систем. Принципиально важным требованием ко всему комплексу технологического оборудования для производства фотоприемных устройств является высокая степень автоматизации процессов контроля технологического процесса.

В настоящее время оборудование этого класса в Российской федерации не выпускается даже мелко серийно. Однако зарубежные фирмы, например, одна из ведущих компаний в плазменных и ионно-лучевых технологиях для сухого травления и нанесения пленок Oxford Plasma Technology выпускает широкую гамму автоматизированных установок технологии микро- и наноэлектроники и поставляет его по всему миру. Стоимость этого оборудования чрезвычайно высока.

Цели и задачи работы

Целью настоящей работы является разработка комплекса принципиально нового, конкурентоспособного вакуумного автоматизированного электронно- и ионно-лучевого оборудования для технологической линейки по производству элементной базы нового поколения тепловизионных систем. В комплекс входят:

Специализированная установка вакуумного напыления (УВН), позволяющая в едином вакуумном цикле производить ионную и ионно-химическую очистку поверхности фотоприемных структур и КМОП схем без радиационных и температурных повреждений и наносить на них требуемые покрытия с высокой адгезией включающая в себя ионный источник, резистивную систему испарения и магнетронную систему напыления.

Установка прецизионного ионно-лучевого травления (УИЛТ) полупроводниковых материалов, обеспечивающая высокую равномерность плотности ионного тока по всей поверхности пластины при достаточно низкой энергии ионов для прецизионного травления полупроводниковых структур через маску с целью точного обеспечения топологии.

Компьютеризированная установка электронно-лучевой сварки (УЭЛС) для сварки (герметизации) корпусов матричных фотоприемников в вакууме. Поставленная цель подразумевает решение следующих задач:

- проведение анализа конструктивных решений и технологических возможностей отечественного и зарубежного оборудования электронно-лучевого и ионно-плазменного оборудования для технологии микрофотоэлектроники;

- выбор оптимальных электронно-оптических решений для формирования электронных и ионных пучков методами математического моделирования;

- разработка систем измерения параметров электронных и ионных пучков,

- определение требуемых параметров систем электропитания; разработка принципов автоматического управления технологическими процессами и реализация их в виде АСУ каждым типом установок;

- оценка оптимального давления в вакуумной камере, поиск оптимальных конструктивных решений вакуумной системы и системы газонапуска в установках ионно-лучевого травления и напыления для обеспечения жестких требований к параметрам ионного пучка; - разработка конструкторской документации, изготовление, сборка и проведение технологических испытаний разработанного оборудования.

В работе использован опыт, накопленный автором при участии в создании и внедрении в промышленность ионных источников «Ион-2», «Ион-3», «Ион-4», «Ион-Ф», «Ион-П» и др., магнетронных распылителей «Магнетрон-2», магнетрон со встречно расположенными мишенями, а также разработанных в последние годы специализированных сварочных электронно-лучевых установок по ТЗ заказчика

Актуальность и практическая значимость

Новое поколение приборов фотоэлектроники для тепловидения, теплопеленгации, лазерной локации и связи в инфракрасной области спектра имеют в своей основе матричные фотоприемные устройства на основе твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (КРТ). Развитие матричных фотоприемников идет в направлении уменьшения размеров фоточувствительных площадок, увеличения формата матиц до 1000x1000 или выше, снижения весогабаритных показателей, повышения рабочей температуры фокальных матриц. Современная планарная технология малоразмерных фотоприемных устройств, аналогичная кремниевой, учитывающая теплофизические и другие особенности материала КРТ, требует разработки специализированного технологического электронно-лучевого и ионно-плазменного оборудования. Речь идет о прецизионном ионно-лучевом травлении, ионно-плазменном нанесении тонких пленок без радиационных и тепловых повреждений, герметизации корпусов методом электронно-лучевой сварки. Таким образом, тема диссертационной работы весьма актуальна и имеет большое практическое значение, что обусловлено тем обстоятельством, что в настоящее время в Российской федерации оборудование для технологии микрофотоэлектроники серийно не выпускается, а стоимость зарубежного оборудования чрезвычайно высока.

Исключительно важным является также сохранение и развитие в России школы разработки электронно-лучевого и ионно-плазменного оборудования.

Создание технологического оборудования для технологии ИК микрофотоэлектроники является частью Федеральной программы «Критические технологии» и Президентской программы «Национальная технологическая база».

Научная новизна

Создан комплекс промышленного автоматизированного элионного оборудования для производства изделий микрофотоэлектроники на основе КРТ, в котором реализован ряд технических решений, обладающих научной новизной, позволивших повысить качество технологического процесса. А именно:

1. В установке вакуумного напыления (УВН) предложен и реализован единый вакуумный цикл магнетронного напыления тугоплавких материалов, в том числе молибдена; резистивного испарения материалов с низкой температурой плавления, в том числе индия; травления полупроводниковых материалов, в том числе кремния и КРТ.

2. Разработана система поддержания заданной скорости напыления индия.

3. Найдена эффективная ионно-оптическая система ионного источника с холодным катодом, позволяющая сформировать ионный пучок диаметром до 200 мм с неоднородностью плотности ионного тока не более 5% и энергией от 1кВ до ЗкВ, что позволяет осуществлять травление полупроводниковых материалов без радиационных повреждений.

4. Проведено исследование влияния газовой среды и давления в камере ионного источника с холодным катодом на параметры формируемого ионного пучка. По результатам исследования предложено конструктивное решение системы газонапуска, обеспечивающее формирование ионного пучка диаметром до 200 мм с неравномерностью плотности тока по сечению не более 5%.

5. Разработана система обеспечения заданного теплового режима подложки при ионно-лучевом травлении КРТ.

6. Разработаны методы и средства для контроля геометрических (профиля пучка) и энергетических параметров (определения разброса ионов по энергиям) ионных источников. Созданные средства контроля позволяют установить однозначное соответствие между режимом работы ионного источника и параметрами пучка и могут быть использованы в системе автоматизации управления технологическим процессом.

7. Разработан автоматизированный процесс вакуумно-плотной электронно-лучевой сварки корпусов фотоприемников.

8. Разработана методология, аппаратные средства и программное обеспечение для автоматизированной системы управления технологическими процессами (АСУ ТП) комплексной установки вакуумного напыления (УВН), установки ионно-лучевого травления (УИЛТ) и установки электронно-лучевой сварки (УЭЛС). АСУ ТП является двухуровневой системой и осуществляет контроль и управление технологическим процессом по всему технологическому циклу, начиная от откачки рабочей камеры и завершая остановкой по окончании обработки изделия. Разработанная АСУ ТП предусматривает мониторинг основных рабочих характеристик оборудования в течение технологического цикла, что позволяет оперативно поддерживать заданный технологический режим и осуществлять регистрацию выхода параметров системы за установленные пределы. Мониторинг решает задачи повышения экономичности, обеспечения ритмичности производства и скорейшего выявления и устранения причин брака.

На защиту выносится: a. Комплекс автоматизированного специализированного элионного оборудования для производства изделий микрофотоэлектроники на основе КРТ, не имеющий аналогов в РФ с комплектом конструкторской и эксплуатационной документации. По результатом Государственных сдаточных испытаний комплексу присвоена литера 01, что свидетельствует о готовности разработанного оборудования к серийному выпуску. b. Устройство, методы и результаты исследования геометрических и энергетических параметров ионных пучков большого диаметра (до 200мм), формируемых ионными источниками с холодным катодом; c. Ионно-оптическая система и конструктивное решение системы газонапуска ионного источника с холодным катодом, формирующего широкие низкоэнергетические пучки с высокой равномерностью плотности ионного тока. d. Принципы построения и технические решения двухуровневых систем автоматического управления технологическим процессом (АСУ ТП) для следующих вакуумных технологических установок:

- установки вакуумного напыления, имеющей в своем составе, ионный источник для очистки поверхности, магнетронный распылитель, устройство резистивного испарения, систему газонапуска, систему перемещения подложки;

- установки ионно-лучевого травления на базе ионного источника с холодным катодом;

- автоматизированной электронно-лучевой установки для герметизации корпусов фотоприемных устройств методом электронно-лучевой сварки по заданному контуру. g

Методы исследования.

В работе использованы современные методы расчета и пакеты прикладных программ для численного моделирования функционирования электронно-оптических систем, а именно программы

- для расчета электрических и магнитных полей методом конечных элементов,

- численного решения уравнений движения электронов и ионов в электрических и магнитных полях, моделирования термоэмиссионных систем с катодом произвольной формы, расчета аберрационных свойств магнитных формирующих линз. Предложены и успешно опробованы экспериментальные методы определения токовых характеристик и энергетического разброса ионов в ионных источниках.

Для определения характеристик тонкопленочных структур, полученных с помощью разработанного оборудования, использованы методы растровой электронной микроскопии.

Достоверность результатов исследований и принятых технических решений подтверждена результатами государственных сдаточных и технологических испытаний всего комплекса разработанного оборудования.

Апробация работы

Основные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

Постоянно-действующий научно-технический семинар «Электровакуумная техника и технология», г. Москва (1999 г. - 2006 г.)

Y - YII Всероссийский семинары «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики», г. Москва, 2001-2005г.г.

XYII - XIX Международные научно-технические конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, г. Москва 2002-2006г.г.

Основные результаты диссертации изложены в 15 печатных работах.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения, библиографического списка из 65 наименований, 4 приложений, содержит 118 страниц основного текста и 92 иллюстрации.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Козлов, Александр Николаевич

Выводы:

Автоматизированная система управления с мониторингом параметров техпроцесса позволяет гарантировать качество, как при опытном производстве, так и при серийном выпуске. Это особенно актуально при выпуске дорогостоящих приборов микрофотоэлектроники.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Настоящая работа посвящена разработке комплекса специального автоматизированного ионно-плазменного и электронно-лучевого оборудования для технологической линейки пор выпуску малоразмерных изделий микрофотоэлектроники на основе КРТ. Здесь мы остановимся на наиболее важных результатах, полученных при проведении данной работы:

1. Ионно-лучевое травление квазипараллельным низкоэнергетическим ионным пучком является одним из актуальных технологических процессов в технологии производства широкоформатных фотоэлементов на основе КРТ. В работе предложены методы расчета и проектирования прецизионных ионных источников, формирующих низкоэнергетические ионные пучки. Найдена эффективная ионно-оптическая система разрядных ячеек мультиплицированного ионного источника с холодным катодом, позволяющая сформировать ионный пучок диаметром до 200 мм с неоднородностью плотности ионного тока не более 5% и энергией от 1кВ до ЗкВ, что обеспечивает травление полупроводниковых материалов без радиационных повреждений.

2. На базе разработанных ионных источников с холодным катодом создана установка ионного травления со стабилизацией температуры подложки на уровне, обеспечивающем сохранение физических и структурных характеристик материалов фотоприемников.

3. Проведено исследование влияния давления в камере ионного источника с холодным катодом на параметры формируемого ионного пучка. По результатам исследования предложено конструктивное решение системы газонапуска, обеспечивающее формирование ионного пучка диаметром до 200 мм с неравномерностью плотности тока по сечению не более 5%.

4. Разработаны методы и средства для контроля геометрических (профиля пучка) и энергетических параметров (определения разброса ионов по энергиям) ионных источников. Созданные средства контроля позволяют установить однозначное соответствие между режимом работы ионного источника и параметрами пучка и могут быть использованы в системе автоматизации управления технологическим процессом.

5. Разработана, изготовлена и внедрена в производство комплексная установка напыления на основе магнетронного распылителя и резистивного испарителя, оснащенная ионным источником для предварительной очистки поверхности перед напылением. В установке вакуумного напыления (УВН) предложен и реализован единый вакуумный цикл магнетронного напыления тугоплавких материалов, в том числе молибдена; резистивного испарения материалов с низкой температурой плавления, в том числе индия; травления полупроводниковых материалов, в том числе кремния и КРТ. Установка позволяет с высокой степенью адгезии наносить покрытие в том числе из тугоплавких материалов в качестве подслоя при формировании индиевых контактов для стыковки матрицы фотоэлементов с мультиплексором. Установка оснащена датчиком скорости напыления индия, позволяющим контролировать технологический процесс формирования индиевых столбиков и обеспечивать воспроизводимость заданных характеристик. Подложкодержатель установки напыления обеспечивает заданную температуру подложки в процессе напыления.

6. Разработана, изготовлена и внедрена в производство установка вакуумно-плотной электронно-лучевой микросварки для герметизации корпусов фотоприемников.

7. Разработана методология, аппаратные средства и программное обеспечение для автоматизированной системы управления технологическими процессами (АСУ ТП) комплексной установки вакуумного напыления (УВН), установки ионно-лучевого травления (УИЛТ) и установки электронно-лучевой сварки (УЭЛС). АСУ ТП является двухуровневой системой и осуществляет контроль и управление технологическим процессом по всему технологическому циклу, начиная от откачки рабочей камеры и завершая остановкой по окончании обработки изделия. Разработанная АСУ ТП предусматривает мониторинг основных рабочих характеристик оборудования в течение технологического цикла, что позволяет оперативно поддерживать заданный технологический режим и осуществлять регистрацию выхода параметров системы за установленные пределы. Мониторинг решает задачи повышения экономичности, обеспечения ритмичности производства и скорейшего выявления и устранения причин брака.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Козлов, Александр Николаевич, 2007 год

1. J.Piotrowski, A. Rogalski. Sensors Actuators, A 67,146 (1998)

2. M.V. Blackman, M.D. Jenner US Pat 4.321.615 (1982)

3. M.C. Никитин, K.P. Павлов. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и их применение.// Матер. VI ес.симп. (Львов, 1983) С. 136

4. Ю.П. Маишев. Ионные и ионно-плазменные системы и пути их развития для задач микроэлектроники // Микроэлектроника, 1977. Т. 3, № 2, С. 31 42

5. H.R. Kaufman. Technology of ion beam sources in sputtering// J. Vac. Sci. Technol., Vol. 15, №2,1979, P. 272-276

6. Walter R. Sobie. Ion Beam Technology for thin film applications.// Vacuum & Tin Film, April 1999, P. 36-40

7. J.T.M. Wotherspoon .US Pat.4.411.732 (1983) 8.1. M.Baker US Pat.4.521.798 (1985)

8. К.Д.Минбаев, В.И.Иванов-Омский.// Физика и техника полупроводников, том 37, вып. 10, 2003, С. 1154

9. Huizenga W. е. a. Phys. Lett. 14,1965, P. 103

10. R. Keller, P. Spadtke, K. Hofmann. Springer Ser. Electrophys. 11, 69 1983

11. B.A. Лабунов, H.H. Данилович, B.B. Громов. Многопучковые ионные источники для систем ионного распыления травления.// Зарубежная электронная техника, серия ТОПО, вып. 4,1984

12. А.П. Еремин, В.Д. Смольянинов, A.M. Филачев. Ионные источники для технологического ионно-плазменного оборудования.// Прикладная физика. № 2-3, С. 18 -24.

13. Singer Peter. Trends in Plasma Sources: the Search Continues.// Semiconductor International., Vol. 15, №8,1992, P. 52-57.

14. Т.Ф. Ивановский, А.П. Петров. Плазменная обработка материалов.// М. Энергоатомиздат, 1986, С. 218.

15. Физика и технология источников ионов. Под редакцией Я. Бауна.// Москва, МИР, 1998, С. 118-148

16. Jinxiang Yu, Jifeng Yan, Zhizhong Song, Zhongyi Wang, Weijiang Zhao. A cold-cathode PIG ion source for the production of intense O' ion beam.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 531,2004, P. 341 345

17. Z. Wrofiski. Energy distributions of molecular gas ions generated in a special glow-discharge source.// Vacuum, volume 39, № 10,1989, P. 941 944,

18. Zhang Shulin, Wang Jichang. A new type of hollow cathode discharge gun used in ion beam coating apparatus and theory analysis.// Vacuum, volume 39, № 10, 1989, P. 945 -947,

19. Z. Wronski. A special glow discharge source of positive ions.// Vacuum, volume 35, № 7,1985, P. 271-275,

20. A. Tonegawa, E. Yabe, D. Satoh, K. Takayama, K. Takagi, R. Fukui, K. Okamoto, S. Komiya. Hollow cathode ion source for application to an implanter.// Vacuum, volume 36, № 1-3,1986, P. 15-18,

21. M. Ma, J. E. Mynard, B. J. Sealy, K. G. Stephens. A cold-hollow-cathode lateral-extraction Penning ion source.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B55, 1991, P. 335-338

22. Ma Mingxiu, Li Junping, Zhou Fengsheng. A hollow cold cathode multipurpose ion source.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 21,1987, P. 182 185

23. Hiroshi Mase, Toshio Tanabe, Takashi Ikehata. Superdense hollow cathode glow discharge and its application to ion sources.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 37/38,1989, P. 120-123

24. Патент на полезную модель «Ионный источник» №57511 от 5.06.2006 г.

25. Д.Э. Гринфельд. А.П. Шуленок. Математическое моделирование магнитных электронных линз.// Прикладная физика, № 2, 2007, С. 12 17.

26. Н. Kerkow, D. Boubetra, К. Holldack. A cold cathode ion source with a magnetic hollow cathode.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 68,1992, P. 41 44

27. T. Onodera, К Kotajima, T. Yamaya, O. Saton, T. Shinozuka, M. Fujioka. A precision gas feding system for a pig heavy ion source.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 269,1988, P. 455 458

28. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Гидродинамика.// издание пятое, том VI, Москва, Физматлит, 2003

29. М.В. Козякин и др. Промышленная установка ионной имплантации малых и средних доз «Везувий 7М».// Электронная промышленность, М., 1983, вып. 5 (122)

30. В.А. Симонов и др. Установка имплантации с повышенной энергией ионов «Везувий -9».// Электронная техника, 1982, серия 7, ТОПО, вып. 1 (10)

31. Galvin J. Е., Brown I. G. Ion beam profile monitor.// Приборы для научных исследований 1985, № 11

32. А.Н. Козлов, В.Д. Смольянинов, А.П. Еремин, A.M. Филачев. Устройство контроля профиля пучка заряженных частиц.// Прикладная физика, 2002г., №3 С. 100-104

33. В. Г. Бровченко, В. В. Шафиркин. Ключи с малыми токами утечек для многоканального коммутатора.// Приборы и техника эксперимента, 1985, № 4.

34. Сост. и ред. Р. Фелпс. 750 практических электронных схем.// Справочное руководство, М., Мир, 1986, Пер. с англ.

35. А.Н. Козлов, В.Д. Смольянинов, А.П. Еремин, А.М. Филачев. Система контроля энергетического спектра ионных пучков.// Прикладная физика, 2002г., №3 С. 105-109 40 Г.А. Ковальский. Электрическая плазма в газовом разряде.// М., 1983, Изд. МИРЭА

36. Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. Магнетронные распылительные системы.// М. Радио и связь, 1982г.

37. A.S. Penfold. Magnetron Sputtering. Handbook of Thin Film Process Technology.// IOP Publishing Ltd 1995, P. A3.2:l A3.2:27

38. Ю.В. Агабеков, A.M. Сутырин. Несбалансированные магнетронные распылительные системы с усиленной ионизацией плазмы.// Труды постоянно-действующего научно-технического семинара «Электровакуумная техника и технология», 1997-98г. Том. 1, С. 102108.

39. В.М. Чутко. Проект применения магнетронных распылительных систем для нанесения высококачественных оптических покрытий.// Труды постоянно-действующего научно-технического семинара «Электровакуумная техника и технология», 2003г. Том. 2, С. 85-90.

40. Е.В. Берлин, JI.A. Сейдман. Универсальная установка для магнетронного нанесения декоративных и специальных покрытий.// Труды постоянно-действующего научно-технического семинара «Электровакуумная техника и технология», 2003г. Том. 2, С. 20-23.

41. В.В. Одиноков. Современное вакуумное оборудование для нанесения пленок магнетронным распылением в микроэлектронике.// Труды постоянно-действующего научно-технического семинара «Электровакуумная техника и технология», 1997-98г. Том. 1,С. 90-91.

42. Авторское свидетельство «Устройство для измерения толщины напыляемых на подложку проводящих пленок» ПМ №43959 от 30.06.2004 г.

43. Т.А. Ворончев, В.Д. Соболев. Физические основы электровакуумной техники.// из-во Высшая школа, Москва 1967

44. Физические величины, справочник под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова, М: Энергоатомиздат, 1991, стр 340.

45. М.Н. Коган. Динамика разреженного газа. Кинетическая теория.// М: Наука 1967

46. Н.И. Новиков. Термодинамика.// из-во Машиностроение, Москва 1984

47. И.И. Амиров. ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 5. С. 106-108.55. 3. Шиллер, У. Гайзиг, 3. Панцер. Электронно-лучевая технология.// М. Энергия, 1980

48. O.K. Назаренко, А.А. Кайдалов, С.Н. Ковбасенко и др. Под ред. Б.Е. Патона. Электронно-лучевая сварка.// Наукова думка, 1987

49. Н.Н. Рыкалин, А.А. Углов, В.И. Зуев, А.Н. Кокора. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. Справочник.// М. Машиностроение, 1985

50. Дж. Р. Брюэр, Д.С. Гринич, Д.Р. Херриот и др. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов.// М. Радио и связь, 1984

51. С.В. Андреев, М.А. Монастырский, В.А. Тарасов, А.Г. Муравьев. Разработка программного обеспечения для математического моделирования электронных пушек с катодами произвольной формы.// Москва, Прикладная физика №2, 2000г., С. 77 85

52. И.С. Гайдукова, A.M. Филачев. Компьютерное моделирование и разработка термоэмиссионной системы установки электронно-лучевого гравирования.// Прикладная физика №3,1996, С. 46-55

53. J1.P. Кимель, В.П. Машкович. Защита от ионизирующих излучений.// Справочник, Москва, Атомиздат, 1972 С. 154

54. Нормы радиационной безопасности НРБ-76// Москва, Атомиздат, 1978

55. Б.Р. Киричинский, В.И. Мирутенко. Рентгеновское излучение в установках для электронно-лучевой сварки.// Автоматическая сварка, № 8 (173), 1967, С.22.

56. Санитарные правила работы с источниками используемого рентгеновского излучения.// Атомиздат, Москва, 1980

57. М. Гувер, Э. Зиммерс. САПР и автоматизация производства.// М. Мир, 1987