Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Кацоев, Леонид Витальевич

• Кацоев, Леонид Витальевич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кацоев, Леонид Витальевич

ГЛАВА 1. Введение.

1.1. Состояние проблемы. Актуальность проблемы.

1.2. Предлагаемые подходы к решению проблемы. Цели и задачи.

1.3. Краткая характеристика работы.

ГЛАВА II. Разработка материала для собственно детекторов па основе GaAs: спектрометрические исследования ГЭЦ в исходном и обработанном иттербием полуизолирующем арсениде галлия; изучение характеристик взаимодействия а-частиц с твердотельными детекторами на основе полуизолирующего арсепида галлия.

2.1. Спектрометрические исследования глубоких энергетических центров в исходном и обработанном иттербием полуизолирующем арсениде галлия.

2.2. Спектрометрические характеристики взаимодействия а-частиц с твердотельными детекторами на основе полуизолирующего арсенида галлия.

2.3. Физико-математическая модель процессов взаимодействия тяжелых заряженных частиц с материалом приемной области полупроводникового детектора, учитывающая генерационпо-рекомбинационные процессы в SI-GaAs.

ГЛАВА III. Теоретический анализ процессов потерь энергии, сопровождающих детектирование высокоэнергетических электронов твердотельными детекторами на основе арсенида галлия.

3.1. Частицы больших энергий и характер их взаимодействия.

3.2. Прохождение р-лучей через вещество.

3.3. Прохождение у-излучения через вещество.

3.4. Исследование механизма транспорта неравновесных носителей при прохождении высокоэнергетических электронов через твердую среду.

Глава IV. Экспериментальные исследования вторичной эмиссии электронов умножителями на основе микроструктурнрованных алмазных пленок.

4.1. Базовые процессы технологического маршрута изготовления мембран на основе микроструктуурированных алмазных пленок.

4.2. Исследование вторичной электронной эмиссии в алмазных пленках.

Глава V. Анализ конструкции детекторного модуля,в составе замедлителя на основе вольфрама, умножителя потока электронов на основе микроструктурированных алмазных пленок и собственно детегстор на основе SI-GaAs.

4.1. Архитектура и назначение базовых функциональных структур детекторного модуля.

4.2. Интеграция умножителя потока электронов и собственно детектора в одном кристалле.

4.3. Пример реализации детекторного модуля для конкретного случая.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений»

1.1. Состояние проблемы. Актуальность проблемы.

Любопытство является основным мотивом, движущим ученого к новым открытиям и приближающим его к пониманию природы. Прогресс достигается путем тщательной формулировки вопросов к природе. Ответы на эти вопросы ищутся с помощью экспериментов, в которых используются самые разнообразные регистрирующие приборы. Наиболее доступными из них являются органы человеческих чувств, однако для ответа на современные вопросы эти естественные «средства» регистрации либо не обладают достаточной чувствительностью, либо их диапазон слишком ограничен. Это становится очевидным, если, например, проанализировать возможности человеческого глаза. Для зрительного восприятия света глазу требуется около 20 фотонов. В то же время фотоумножитель способен «видеть» один-единственный фотон. Динамический диапазон человеческого глаза составляет половину частотного разряда (длина волн от 400 до 800 нм), в то время как спектр электромагнитных волн от бытового тока радиоволн, микроволн, инфракрасного излучения, видимого света, ультрафиолетового, рентгеновского и гамма-излучения покрывает 23 разряда!

Таким образом, для получения ответов на множество вопросов возникла необходимость в разработке точных измерительных приборов, позволяющих получать объективные результаты в широком динамическом диапазоне амплитуд и частот. С их помощью человеку удалось не только обострить свои «чувства», но и «разработать» новые.

Ускоренное развитие различных технологий, замечаемое нами по их внедрению в производство и быт, основано, прежде всего, на достижениях в области фундаментальных исследований, углубляющих наши представления о свойствах материи. Ведущая роль здесь принадлежит исследованиям в области физики элементарных частиц и ядерной физики. Впечатляющими открытиями последних лет в этих областях мы обязаны в основном исследованиям на крупнейших ускорителях элементарных частиц [1-5]. Чем больше энергия ускоренных частиц, тем на более глубоком энергетическом уровне и нанометровом масштабе мы можем проводить исследования, поскольку длина волны частицы уменьшается с ростом энергии. Это особенно может быть востребовано при диагностировании наноструктур, где по причине атомных размеров изучаемых объектов неприменимы традиоцианные методы исследования. Но вместе с тем, чем больше энергия, тем более сложными и масштабными должны быть не только сами ускорители, но и экспериментальные установки — детекторы элементарных частиц.

Успехи в области экспериментальной физики всегда непосредственно тесно связаны с совершенствованием методов измерений. Для исследования микромира и структуры вселенной необходимо уметь регистрировать энергии в диапазоне от долей МэВ (фоновое излучение космических микроволн) до ~Ю20 эВ (космическое излучение высоких энергий). При упомянутых исследованиях физики используют ускорители частиц и приборы для регистрации продуктов столкновения элементарных частиц. Этими продуктами могут быть как массивные частицы, так и кванты электромагнитного излучения.

Физика высоких энергий встречает XXI век реализацией гигантского проекта Большого Адронного Коллайдера (LHC). Этот уникальный, не имеющий равных по масштабам и сложности, научный проект направлен на решение краеугольных проблем современной субъядерной физики. В настоящее время LHC уже оборудован детекторами для начального периода работы. Эти детекторы представляют собой гигантские комплексные установки. Каждый из них представляет собой комплекс различных типов детекторов [6]. В целом можно сказать, что большие детекторы крупнейших ускорителей мира включают все наиболее прогрессивное, что существует в методах регистрации элементарных частиц, их идентификации, измерении массы, энергии, импульса и других параметров.

Важно отметить, что детекторы элементарных частиц широко используется не только при исследовании свойств самих элементарных частиц, по и в различных областях промышленности, науки и социальной сферы [7]. Например, сцинтилляторы - для нейтронного каротажа в нефтяной промышленности, пропорциональные счетчики — для рептгенофлуоресцентного анализа в горнодобывающей промышленности, где также используется сцинтилляционные и полупроводниковые детекторы при проведении нейтронно-активационного анализа. Техника изготовления зеркал, разработанная для сбора черенковского света, используется в энергетических установках для концентрации солнечного света. Изобретение многопроволочных пропорциональных камер и дрейфовых камер позволило значительно уменьшить радиационную дозу, получаемую пациентами при медицинской диагностике. В медицине, и в особенности в ядерной медицине, визуализирующие устройства обычно используются в том случае, если нужно определить геометрические размеры и функциональные характеристики внутренних органов, например, путем регистрации у-излучения от контрастных веществ (радионуклидов), введенных в организм человека. В геофизике возможен поиск минералов с помощью естественной и наведенной урадиоактивности. При проведении космических экспериментов очень часто становится задача измерения солнечных и галактических частиц. В этой связи особая роль принадлежит сканированию радиационных поясов Земли (пояса Ван Аллена) при проведении пилотируемых космических экспедиций. Многие астрономические проблемы могут быть решены только с помощью экспериментов в космосе. В археологии измерение поглощения мюонов дает возможность исследовать структуры, доступ к которым другим способом невозможен. Например, при поиске полостей внутри египетских пирамид. В гражданском и подземном строительстве можно определить массу зданий, измеряя поглощение мюонов.

Сцинтилляционные счетчики произвели революцию в детектировании ядерных излучений и безраздельно господствовали до 60-х годов прошлого столетия [8]. Они и сейчас находят широкое применение во многих экспериментах и при решении многих производственных задач. В сущности, они представляют собой систему, состоящую из чувствительной среды (ZnS, CdS, Nal(Tl), и т.д. - чувствительная среда), соединенной с помощью световодов с фотоумножителем [9]. Фотоны, испускаемые возбужденными при взаимодействии частиц и квантов атомами среды, регистрируются фотоумножителем, пропорционально преобразуясь им в электрический сигнал. Пространственное разрешение сцинтилляционных счетчиков удовлетворительное. Чувствительность также высока (как правило, выбираются среды с высокой плотностью вещества). Однако, спектральное разрешение указанного типа детекторов, так же как и газонаполненных детекторов, неудовлетворительно.

Главное достоинство полупроводниковых детекторов (ППД) состоит в том, что средняя энергия, необходимая для образования электронно-дырочной пары, мала по сравнению с аналогичной в газах [10, И]. Для кремния (германия, арсенида галлия) для образования электронно-дырочной пары необходимо 3.6 (2.8, 4.2 эВ), в то время как в газе эта составит приблизительно 30 эВ. Из-за малого значения W твердотельные счетчики дают прекрасное энергетическое разрешение, при замечательном пространственном разрешении. ППД можно сравнить со сцинтилляционными счетчиками, в которых для рождения одного фотоэлектрона требуется энергия от 400 до 1000 эВ. Можно получить грубое представление об отношении энергетических разрешений для этих типов детекторов из следующей формулы стш(Е)1Е у!Е/700эВ 6 [02 ТлГ; ^Е/ЪэВ где Nsemi(Ns) - число образовавшихся носителей заряда в твердотельном детекторе (системе сцинтиллятор-фотоумножитель). Энергетическое разрешение ППД обычно в 10-^50 раз выше, чем у сцинтилляторов. Для того чтобы прекрасное разрешение ППД не было ухудшено, обработка сигналов от счетчиков требует использования малошумящих зарядочувствительных усилителей.

Германиевые, кремниевые и арсенидгаллиевые детекторы предпочтительнее используются для спектроскопии а-, [}- и у-лучей. Такие полупроводниковые счетчики характеризуются квантовыми переходами в диапазоне нескольких эВ. Разрешение по энергии может быть далее улучшено, если поглощение энергии происходит более мелкими порциями, как, например, при разрушении куперовских пар в сверхпроводниках [12]. Однако в этом случае требуется криогеника с чрезвычайно низкими температурами.

Было бы чрезвычайно смело предполагать, что мы подошли к полному пониманию физического мира: всегда будут появляться все новые эффекты и явления. Специалисты в области регистрации частиц будут стараться использовать их в качестве основы для развития новых детекторов частиц. По этой причине описание методов регистрации может иметь лишь характер моментальной фотографии. «Старые» детекторы «отомрут», а на передний план выйдут новые измерительные устройства. Время от времени может возникнуть ситуация, когда старый детектор, который, как считалось, вышел из употребления, может пережить своеобразную эпоху возрождения. Ярким примером этого может служить голографическое считывание в вершинно-пузырьковых камерах при реконструкции трехмерного события. Именно новый метод голографического считывания и стимулировал исследования в этом направлении.

1.1.2. Проблемы детектирования ионизирующих излучений.

Все полупроводниковые счетчики проявляют эффекты старения при больших радиационных нагрузках, что приводит к повышенному току утечки [13, 14]. Например, в типичном кремниевом микростриповом детекторе ток утечки возрастает в десять раз при дозе поглощения 1кГр (=100крад). Поэтому, кремниевые ППД с их чувствительными высокоинтегрированными предусилителями удается использовать при больших радиационных нагрузках лишь ограниченное время. Радиационностойкие детекторы требуются, например, для экспериментов на LHC (большой адронный коллайдер) или HERA (электрон-протонное накопительное кольцо в DESY, Гамбург), а также для использования в технологических блоках с повышенной дозовой нагрузкой АЭС либо предприятий утилизирующих ядерные отходы [15].

В настоящее время на отечественных и зарубежных рынках доминирующим исходным материалом для производства твердотельных детекторов является высокоомный кремний. Из ряда зарубежных фирм занимающихся изготовлением и продажей кремниевых датчиков подобного типа, следует упомянуть: японскую фирму «Hamamatzu» с объемом продаж порядка 20 млн. долларов в год, а также европейские фирмы «Artec» и «СешЬег» с объемом продаж ~ 4 млн. долларов в год.

Однако, бурное развитие ядерных технологий и физики частиц высоких энергий, а также возрастающая актуальность задач связанных с загрязнением радиоактивными нуклидами природных газов и жидких сред диктуют необходимость поиска альтернативных кремнию материалов с повышенной радиационной и термостойкостью. Так, новые ускорители с более высокой светимостью и скоростями счета требуют еще более быстрых детекторов, которые могут работать в жестких условиях высокой радиационной загрузки. Из спектра альтернативных материалов, уровнем наиболее высокой технологической освоенности выделяется арсенид галлия.

Анализ сравнительных предельных возможностей по отношению к радиационной стойкости интегральных схем на кремнии и арсениде галлия, позволяет сделать следующие заключения:

- при воздействии потоками нейтронов, преимущество арсенид галлиевых схем по отношению к схемам на кремнии незначительны (для приборов обоих материалов предельные дозы ~ 1015шт/см2) ;

- по стойкости к дозовым нагрузкам при облучении рентгеновскими и у-квантами, а также заряженными высокоэнергетическими частицами, схемы на арсениде галлия (105-10б Гр) превосходят кремниевые схемы (104Гр) ;

- при воздействии импульсных излучений, значения критической мощности дозы для арсенидгаллиевых схем (109Гр/с) имеет более высокую верхнюю границу, чем кремниевые ИС (5х107Гр/с);

- по стойкости к воздействию заряженных части, ИС на основе полевые GaAs транзисторов (~1013протонов/см2) превосходят кремниевые ИС на полевых транзисторах (~5х1012протонов/см2).

1.1.3. Альтернативные материалы.

Из представленного выше следует, что арсенид галлий имеет преимущества по сравнению с наиболее используемым материалом — кремнием:

1. высокая радиационная стойкость

2. высокое быстродействие

3. возможность оптического считывания информации с GaAs-детекторов.

Различными исследовательскими группами и коммерческими фирмами проводятся интенсивные разработки детекторов ионизирующих излучений на альтернативных кремнию материалах. Ниже, в табл.1 приведены сравнительные характеристики, достигнутые для ряда наиболее перспективных материалов [16-19].

Таблица 1. Сравнительные характеристики альтернативных детекторов.

Параметры Диапазон работы по мощности дозы гамма излучения, Р/час Энергетическое разрешение, (в диапазоне 0,5-3,0 МэВ), кэВ Средний уровень цен спектрометров на основе указанных детекторов, тыс. долл.

Si Li (*) 0,01-1 25-30 5

GeLi 0,01-10 3-5 25

CdTe 0,01-10 10-20 15

GaAs 0,01-10 Ожидаемые <10 5 -периферия на Si; 10 -периферия на GaAs. С

Примечание: (*) - фирма Hamamatzu (Япония), (**) - фирма Канберра-Паккард (США), ) — фирма Cember, (****)- данные публикаций в научной периодике.

При этом эксплуатация детекторов на основе первых двух из представленных в таблице альтернативных кремнию материалов требует охлаждения, а временная стабильность их работы неудовлетворительна.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Кацоев, Леонид Витальевич

Заключение. Основные результаты и выводы.

1. Разработана физико-математическая модель, описывающая взаимодействие альфа частиц с активной областью детектора и учитывающая генерационно-рекомбинационные процессы в приемном слое. По результатам расчетов оптимизирована конструкция детектора а-частиц.

2. Выполненные расчеты процессов взаимодействия высокоэнергетических электронов с SI GaAs. В результате получены соотношения связывающие рабочие характеристики детекторов с параметрами материалов и детектируемого пучка электронов.

3. Предложена конструкция твердотельного детекторного модуля для детектирования частиц и квантов высоких энергий, включающего «замедлитель» на основе вольфрама, умножитель потока электронов на основе микроструктурированных пленок поликристаллического алмаза, а также собственно детектора на основе полуизолирующего GaAs.

4. Предложена конструкция твердотельного детекторного модуля для детектирования частиц и квантов высоких энергий, в составе умножителя потока электронов на основе микроструктурированных пленок поликристаллического алмаза, а также собственно детектора на основе полуизолирующего GaAs геттерированного иттербием; для случая высоких энергий первичных потоков (малых сечений взаимодействий) рассмотрена возможность использования в секциях модуля слоев «замедлителей».

5. Исследованы процессы гетгерирования примеси иттербием в полу изолирующем арсениде галлия и изучено их влияние на характеристики детекторов; выработаны рекомендации по режимам гетгерирования.

6. Оптимизирована конструкция умножителя потока электронов с учетом особенностей параметров рождения вторичных электронов.

7. Разработан пакет программ для расчета и оптимизации структуры детектора и детекторного модуля.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кацоев, Леонид Витальевич, 2008 год

1. The LEP Collaborations: ALEPH, DELPHI, L3, OPAL, the LEP Electroweak Working Group, CERN-PH-EP /2007-039, arXiv:0712.0929 hep-ex., 2007

2. CDF Collab., Phys. Rev. Lett. 97, 081802 (2006)

3. Tahir N.A. The CERN Large Hardon Collider as a tool to study high-energy density matter. I I Phys. Rev. Lett., 94, 135004 (2005).4. по материалам сайта www.desy.de,www.cern.ch,www.fnal.gov. 2008.

4. Фортов B.E., Хоффманн Д., Шарков Б.Ю. И УФН вып. 2, 2008.6. по материалам сайта http://alice.cern.ch, http://atlas.ch, 2008.

5. Kleinknex К. Detectors for particle radiation. Cambridge University Press, 1998.

6. Калашников В.И, Козодаев M.C. Детекторы элементарных частиц. М., Наука, 1966.

7. Фрауэнфельдер Г., Хенли Э. Субатомная физика. М., Мир, 1979.

8. Акимов Ю.К. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. М., Энергоатомиздат, 1989.

9. Delaney С., Finch Е. Radiation detectors: Physical principales and applications. Oxford, UC,1992.

10. Matsumura A et al. High resolution X-Rays with a large area Nb/Al-A10x/Al/Nb superconducting tunnel injection. //NIM A 309, 1991.

11. Fretwurst E. et al Radiation hardness of silicon detectors for future colliders. // NIM A 326,1993.

12. Ohsugi T. et al. Radiation damage in silicon microstrip detectors. KEK Preprint 87-22 (1987), and NIM A 265, 1988.

13. Chao A.W., Tigner M. Handbook of accelerator physics and engineering, World Science Publishing Co., 2002.

14. Walenta A.H. Strahlungsdetektoren — Neuere Entwicklungen und Anwendungen. // Phys. Blatter 45(1992) 352.

15. Grupen C. Beta-spectroscopy with Si(Li)-detectors. // Experiment description for the advanced physics Lab., Siegen University, 1989.

16. Лебедев A.A., Иванов A.M., Строкан Н.Б. IIФТП, Т. 42, вып. 9, 2004.

17. Заверюхин Б.Н. и др. Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия. // Письма в ЖТФ, Т. 29, вып. 22, С. 80-87, 2003.

18. Beaumont S.P. et. al. GaAs solid state detectors for physics at the LHC. // IEEE Trans/ Nucl. Sci. 40, No.4(1993) 1225.

19. Beaumont S.P. et. al. Gallium arsenide microstrip detectors for charged particles. // NIM A (1992) 172.

20. Дворянкин В.Ф. и dp. /IЖТФ, Т. 77, вып. 10, 2007.

21. The RD8 Collaboration Gallium arsenide microstrip detectors for charged particles., 1992

22. Bates R.L, Campbell M. Resent results on GaAs detectors 137. University of Glasgow, 1997.

23. Воробьев А.П. Детекторы на арсениде галлия для рентгеновской радиографии. // Новости и проблемы фундаментальной физики, №2, стр. 15-21, 2008.

24. Ayzenshtat G.I. et al. И Nucl.Instr. and Meth. in Phys. Res., V.A494, p. 120-127, 2002

25. Chmill V.B., Chuntonov A. V., Khludkov S.S., Koretsky A. K, Potapov A.I., Tolbanov O.P., Vorobiev A.P. Radiation resistance of GaAs structures. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res., v. A395, p. 65-70, 1997.

26. Айзенштат Г.И., Лелеков M.A., Толбанов О.П. Динамика формирования фотоответа в детекторной структуре из арсенида галлия. // ФТП, Т. 42, вып. 4, 2008.

27. Айзенштат Г.И., и др. Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом. // ФТП, Т. 41, вып. 5, 2007.

28. Ayzenshtat et al. II Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res., v. A509 (2003), p. 268-273.

29. Гореленок А.Т., Каманин А.В., Шмидт Н.М. Редкоземельные элементы в технологии соединений AmBv и приборов на их основе. // ФТП Т. 37, вып. 8, С. 922-940, 2003.

30. Беспалов В.А., Горбацевич А.А., Егоркин В.И., Ильичев Э.А., и др. Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе. // ЖТФ, Т. 74, вып. 3, С. 28-73, 2004.

31. Гергелъ В.А., Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И., Полторацкий Э.А. и др. Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия.// ФТП, 1992, т.26, в.5, с.794-800.

32. Власенко JI.C., Горелеиок А.Т., Емцев В.В., Каманин А.В., Полоскин Д.С., Шмидт Н.М. И ФТП, Т. 35, вып. 2, С. 184-187, 2001.

33. Ильичев Э.А. Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах. //ЖТФ. 1998 Т.68 № 5 . С. 141-143.

34. Mandelkorn J., Schwartz L., BroderJ., Kautz H. //Appl. Phys., 35, 2258 (1964).

35. Пышкин С.И., Радуцан С.И., Слободчиков С.В. // ФТП, 1, 1013 (1967).

36. Гацоев К.А., Гореленок А.Т., Карпенко С.И, Мамутин В.В., Сейсян Р.П. //ФТП, 17, 2148 (1983).

37. Гореленок А.Т., Каманин А.В., Шмидт Н.М. //ФТП, 37, 922, 2003.

38. Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Хайновский В.И II Микроэлектроника, Т.25, №5, С. 251-257, 1997.

39. Ильичев Э.А. И Электронная пром-сть, №2, С. 3-11, 1996.

40. Вайполин А.А., Гореленок А.Т., Мдивани В.П., Ильичев Э.А. II ФТТ, Т.49, вып.2, 2007.

41. Bethe Н. II Ann. d. Phys. 5, 325, 1930.

42. Bloh F. И Zs. f. Phys. 81, 363, 1933.

43. Moller С. II Ann. d. Phys. 14, 531, 1932.

44. Bethe H. // Zs. f. Phys. 76, 293, 1932.

45. Bohr N. //Phil. Mag. 25, 10, 1913; 30, 581, 1915.

46. Кацоев B.B., Кацоев JI.B., Ильичев Э.А. Оптимизация геометрии структуры арсенидгалиевых детекторов с учетом рекомбинационных потерь. // Электроника. Известия ВУЗов, №4, С. 52-57, 2008.

47. Сивухин Д.В. Общий курс физики. Атомная и ядерная физика. ч. 2, М.: Наука, 1989.

48. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество М.: изд-во ИЛ, 1950.

49. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: ГИФМЛ, 496 стр., 1963.

50. Арсенид галлия. Получение и свойства. Под. ред. Кесаманлы Ф.П. и Наследова Д.Н. — М.: Наука, 472 стр., 1973.

51. Hunt В., Lipsman R., Rosenberg J. Matlab: официальный учебный курс Кембриджского университета — М.: Триумф, 352 стр., 2008.

52. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: ГИФМЛ, 264 стр., 1963

53. MottN.F. И Proc. Roy. Soc. A124, 425, 1929.

54. Росси Б. Частицы больших энергий. M.: Гостехиздат, 636 стр., 1955.

55. Heitler W. The quantum theory of radiation. Oxford, 1954.

56. Берестецкий В.Б., Лившиц Е.М., Питаевский Л.П. Релятивистская квантовая теория, ч. 1 М.: Наука, 1968.

57. Ферми Э. Ядерная физика. -М.: ИЛ, 344 стр., 1951.

58. Шпольский Э.В. Атомная физика. М.: ГИФМЛ, 1974.

59. Мухин КН. Введение в ядерную физику. М.: Атомиздат, 1965.

60. Klein О., Nishina Y. // Zs. f. Phys. 52, 853, 1929.

61. Tamm I.E. И Zs. f. Phys. 62, 545, 1930.

62. Bethe H.A., Heitler W. //Proc. Roy. Soc. A146, 83, 1934.

63. Сегре Э. Экспериментальная ядерная физика. Т. 1, ч. ii. М.: ИЛ, 1956.

64. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: ГИФМЛ,

65. Гаврилов С.А. и др. Усиление потока электронов с помощью алмазной мембраны. // ЖТФ, Т.74, вып. 1,2004.

66. Кацоев В.В., Кацоев Л.В., Ильичев Э.А. К вопросу о роли глубоких энергетических центров в компесации примесей в полуизолирующем арсениде галлия. // Микроэлектроника, №5, 2008.

67. Gorelenok А.Т. et. al. Peculiarities of defect and impurity behaviour in gallium arsenide during surface gettering.//Phys.Condens. Matter. 14, 13 105 (2002).

68. Кацоев Л.В., Ильичев Э.А. Детекторные модули ионизирующих излучений. // Сб. научных трудов «Нанотехнологии в электронике», стр. 105-112, Москва, 2007.

69. Заявка на патент. См. приложение.

70. Particle Data Group. Review of particle properties // Phys. Lett., 239, 1990.

71. Групен К. Детекторы элементарных частиц. М.: Сибирский хронограф, 1997.1963.