Разработка физико-химических основ каталитического синтеза нитевидных кристаллов карбида кремния и исследование их свойств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.15, кандидат химических наук Мазов, Илья Николаевич

  • Мазов, Илья Николаевич
  • кандидат химических науккандидат химических наук
  • 2007, Новосибирск
  • Специальность ВАК РФ02.00.15
  • Количество страниц 154
Мазов, Илья Николаевич. Разработка физико-химических основ каталитического синтеза нитевидных кристаллов карбида кремния и исследование их свойств: дис. кандидат химических наук: 02.00.15 - Катализ. Новосибирск. 2007. 154 с.

Оглавление диссертации кандидат химических наук Мазов, Илья Николаевич

СОДЕРЖАНИЕ.

СПИСОК ПРИНЯТЫХ В РАБОТЕ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА SIC.

1.2. ПОЛИТИПЫ SIC, ИХ СВОЙСТВА И СТАБИЛЬНОСТЬ.

1.2.1. Основные политипы SiC и их свойства.

1.2.2. Стабильность различных политипов SiC.

1.3. НК SIC - СВОЙСТВА И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ.

1.3.1. Основные свойства НК SiC.

1.3.2. Практическое применение HKSiC.

Каталитические носители на основе НК SiC.

Получение новых конструкционных материалов на основе НК SiC.

Эмиссионные свойства НК SiC.

1.4. МЕТОДЫ СИНТЕЗА НК SIC.

1.4.1. Разложение различных углерод- и кремнийсодержащих соединений в газовой фазе - анализ термодинамических и кинетических данных.

1.4.2. Некаталитические методы синтеза HKSiC.

Синтез НК SiC из растительного сырья без использования металлических катализаторов.

Синтез НК SiC из газообразных реагентов без использования металлических катализаторов.

1.4.3. Каталитические методы синтеза HKSiC.

Каталитический синтез НК SiC путем карботермического восстановления смесей, содержащих кремний и углерод.

Каталитический синтез НК SiC из кремнийорганических соединений.

1.5. ВЫВОДЫ ИЗ АНАЛИЗА ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. ИСХОДНЫЕ РЕАГЕНТЫ.

2.2. МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕНИЯ КАТАЛИЗАТОРОВ.

Монометаллические катализаторы.

2.3. ПОДГОТОВКА ИСХОДНЫХ РЕАГЕНТОВ.

Приготовление SiO-генераторов.

Подготовка кремнийорганических соединений.

Подготовка газов.

2.4. ПРОТОЧНАЯ УСТАНОВКА СИНТЕЗА НК SIC.

2.5. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

Восстановление катализаторов.

Синтез НК SiC.

Синтез НК методом карботермического восстановления SiO-генераторов 43 Синтез НК из продуктов разложения силанов.

2.6. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В РАБОТЕ.

Химический элементный анализ.

Сканирующая электронная микроскопия.

Просвечивающая электронная микроскопия.

Рентгенофазовый анализ.

ГЛАВА 3. ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ МЕХАНИЗМА РОСТА НК SIC НА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КАТАЛИЗАТОРАХ.

3.1. МЕХАНИЗМ РОСТА НК С УЧАСТИЕМ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КАТАЛИЗАТОРОВ («ГАЗ-ЖИДКОСТЬ-ТВЕРДОЕ»).

3.2. АНАЛИЗ СТАДИИ ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ SIC НА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КАТАЛИЗАТОРАХ.

Общая теория зародышеобразования.

Описание рассматриваемой системы, принимаемые допущения.

Выбор модели зародыша SiC.

Исходные предположения.

Квантово-химическое моделирование структуры зародыша.

Термодинамический анализ стадии зародышеобразования SiC на поверхности металла.

Анализ параметрической зависимости критического размера зародыша

SiC на поверхности металла.

Термодинамический анализ стадии зародышеобразования SiC - выводы.

3.3. ПРИНЦИПЫ РАЗРАБОТКИ КАТАЛИЗАТОРОВ СИНТЕЗА НК SIC.

Стадия диффузии как лимитирующая стадия процесса роста НК.

Регулирование стехиометрического состава каталитических отложений

Влияние природы металла на процесс каталитического синтеза НК SiC -анализ фазовых диаграмм.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Катализ», 02.00.15 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка физико-химических основ каталитического синтеза нитевидных кристаллов карбида кремния и исследование их свойств»

4.2. ФОРМИРОВАНИЕ АКТИВНОГО КОМПОНЕНТА МОНОКОМПОНЕНТНЫХ КАТАЛИЗАТОРОВ - ВЛИЯНИЕ НОСИТЕЛЯ, СОСТАВА И СОДЕРЖАНИЯ АКТИВНОГО КОМПОНЕНТА.81

Монометаллические катализаторы, нанесенные на газовую сажу.81

Влияние природы носителя на процесс формирования активного компонента монометаллических катализаторов - выводы.86

4.3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОГО КОМПОНЕНТА БИМЕТАЛЛИЧЕСКИХ КАТАЛИЗАТОРОВ.86

Двухкомпонентные катализаторы, содержащие Fe и Мп в качестве активного компонента.87

Двухкомпонентные катализаторы, содержащие Ni и Мп в качестве активного компонента.90 3

Различия и сходства процессов формирования активного компонента в бикомпонентных катализаторах на основе Fe и Ni, нанесенных на газовую сажу.96

Процесс формирования активного компонента бикомпонентных катализаторов - выводы.97

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА СИНТЕЗА НК SIC С УЧАСТИЕМ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КАТАЛИЗАТОРОВ.100

Исследование продуктов разложения ДМС на Fe-Mn и Ni-Mn катализаторах при помощи РФА.123

Исследование продуктов разложения ДМС на Fe-Mn и Ni-Mn катализаторах при помощи ПЭМ.129

Исследование продуктов разложения ДМС на Ni-Mn катализаторах при помощи ПЭМ.133

Состав и морфология частиц биметаллических катализаторов после реакции.137

Синтез НК SiC на биметаллических катализаторах - выводы.140

Исследование вольт-амперных характеристик массивов НК SiC.140

Выделение НК и оценка выхода целевого продукта.142

ВЫВОДЫ.146

БЛАГОДАРНОСТИ.147

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.148

СПИСОК ПРИНЯТЫХ В РАБОТЕ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

НК - нитевидный кристалл

ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия

ПЭМ BP - просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения

СЭМ - сканирующая электронная микроскопия

ЭДС - рентгеновская энергодисперсионная спектроскопия

РФА - рентгенофазовый анализ

МТС - метил трихлорсилан

ДМС - диметилдихлорсилан

ТМС - трихлорметилсилан

ТТС - тетраметилсилан

ВВЕДЕНИЕ

Наноструктурные материалы, в состав которых входят частицы вещества размером менее 100 нм, в силу уникальности механических, оптических, электронных и магнитных свойств являются одной из основ для создания новейших технологий. Уменьшение размера вещества ниже критического значения может приводить к резкому изменению его свойств (механических, оптических, электронных, магнитных) в результате проявления квантовых эффектов. Как следствие, наноструктурные материалы могут найти широкое применение во многих областях науки и техники, таких как создание новых материалов с улучшенными эксплутационными свойствами, разработка новых электронных устройств, авиация и космонавтика и многих других."

Одним из весьма интересных нанообъектов являются так называемые НК, представляющие собой монокристаллические образования с высоким отношение длины к диаметру. Нитевидная форма и совершенная кристаллическая структура обеспечивают уникальные физические свойства подобных материалов - высокую прочность, упругость и т.п.

SiC в форме НК является одним из наиболее интересных объектов подобного рода. Прекрасные физико-химические свойства SiC - высокая химическая и коррозионная стойкость, полупроводниковые свойства, стабильность в окислительных и восстановительных средах, обусловленные ковалентным характером связи Si-C, сочетаются с прекрасными физическими свойствами, обеспеченными нитевидной формой кристаллов. SiC тугоплавок (температура плавления 2540 °С), химически стоек, по твердости уступает лишь алмазу и нитриду бора. Нитевидные кристаллы SiC могут быть использованы как абразивный материал и для изготовления деталей химической и металлургической аппаратуры, работающей в условиях высоких температур, SiC является широкозонным полупроводником (Eg = 2.2-3.2 эВ, в зависимости от кристаллической модификации), использование которого перспективно в силовой и СВЧ электронике в связи с высокими рабочими температурами, электрической прочностью и хорошей теплопроводностью. Широкая запрещенная зона дает возможность использовать SiC в качестве материала для высокоэффективных светодиодов, охватывающих весь видимый диапазон спектра. Использование SiC в качестве полупроводника в настоящее время только начинается в связи с трудностью получения его высококачественных монокристаллов.

Задачи управляемого получения НК SiC не являются окончательно решенными, в настоящий момент существует большое количество задач, решение которых позволит реализовать процессы управляемого селективного синтеза данного материала.

Можно выделить два основных направления синтеза НК- SiC - каталитический и некаталитический. Последний связан с использованием высоких температур и является практически неуправляемым и поэтому непригоден для реализации контролируемого синтеза НК.

Каталитический способ получения НК SiC связан с разложением в восстановительной атмосфере различных кремний- и углеродсодержащих реагентов в присутствии металлов подгруппы железа. Данный метод является более перспективным с точки зрения простоты реализации и управляемости. Тем не менее, для получения НК с участием катализатора требуются высокие температуры. В настоящее время вопрос термодинамического контроля каталитического роста НК SiC практически не освещен в литературе, также как и вопросы создания максимально низкотемпературных катализаторов для данного процесса. Между тем, создание подобных каталитических систем может иметь принципиальное значение для реализации крупномасштабного синтеза НК SiC и последующего их использования в высокотехнологичных областях и приложениях, требующих сверхстойких материалов.

Таким образом, исследование механизма каталитического роста и разработка физико-химических основ создания новых низкотемпературных катализаторов синтеза НК SiC является актуальной и важной научно-технической задачей.

Данная работа посвящена исследованию процесса синтеза НК SiC и изучению влияния на данный процесс реакционных параметров - температуры, типа исходного сырья, состава и структуры металлических катализаторов, а также решению теоретических задач -исследованию механизма каталитического роста НК и разработке основ приготовления новых низкотемпературных катализаторов для данного процесса. Диссертация имеет следующую структуру.

В первой главе диссертации приведен обзор литературных источников, посвященных свойствам SiC в массивной и нитевидной форме, областям применения НК SiC, а также основным методам синтеза. В литературном обзоре рассмотрены преимущества и недостатки некаталитических и каталитических методов получения НК SiC, основные типы используемых катализаторов и реагентов.

Вторая глава- посвящена описанию экспериментальных методик, используемых для приготовления катализаторов и проведения синтеза НК SiC. Описаны основные методы исследования исходных катализаторов и продуктов каталитического синтеза. Третья глава диссертации представляет собой теоретическое исследование механизма каталитического роста НК SiC. В данной главе проведен термодинамический и квантово-химический анализ стадии зародышеобразования SiC на поверхности металлической частицы, как стадии, во многом определяющей способность каталитической системы к дальнейшему росту нитевидного кристалла, а также определяющей свойства растущего кристалла. В данной главе описан теоретический анализ стадий каталитического синтеза НК SiC и рассмотрены факторы, влияющие на каталитическую активность различных металлов в данном процессе. На основании теоретического анализа и анализа фазовых диаграмм многокомпонентных систем на основе металлов подгруппы железа предложены перспективные катализаторы для реализации низкотемпературного синтеза НК SiC. Четвертая глава диссертации посвящена практическому изучению стадии формирования активного компонента металлических катализаторов. Данная стадия является первой стадией процесса каталитического роста и во многом определяет свойства образующихся НК (морфологию, структуру), а также на каталитическую активность металлического катализатора.

В пятой главе диссертации представлены данные, касающиеся практической реализации каталитического роста НК SiC. Проведено исследование влияния состава катализатора, содержания металла, типа носителя и исходных реагентов на морфологию и структуру НК SiC. В данной главе также представлены данные о синтезе Ж SiC при пониженных температурах на биметаллических катализаторах, разработанных в соответствии с данными теоретического анализа, приведенными в главе 3.

Успешный каталитический синтез НК SiC с использованием биметаллических катализаторов был впервые осуществлен при температуре 1 ООО-1100 °С. В выводах диссертации освещены наиболее важные из полученных результатов.

Похожие диссертационные работы по специальности «Катализ», 02.00.15 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Катализ», Мазов, Илья Николаевич

выводы

I. Проведен термодинамический анализ стадии зародышеобразования отложений SiC на поверхности металлических катализаторов. Получено уравнение, связывающее диаметр зародыша нитевидного кристалла SiC с радом реакционных параметров, таких как температура, степень пересыщения металла кремнием и углеродом, работа адгезии металла к карбиду кремния, проведена оценка параметрической чувствительности уравнения к изменению параметров. Использование данного уравнения позволяет предсказать возможность роста НК SiC в определенных реакционных условиях и оценить диаметр растущих НК. Полученные теоретические данные хорошо соответствуют размерам первичных зародышей - плоских площадок, наблюдаемых на концах НК SiC при помощи электронной микроскопии.

II. Проведен теоретический анализ механизма роста НК с участием металлических катализаторов, показано, что стадия диффузии растворенных элементов через объем металлической частицы является лимитирующей. С использованием анализа фазовых диаграмм многокомпонентных систем «металлы-Si-C» сформулированы требования к низкотемпературным катализаторам роста НК. На основании такого анализа предложены составы биметаллических низкотемпературных катализаторов для синтеза НК SiC на основе металлов подгруппы железа с добавками металла-промотора (Мп) с содержанием Мп 25-50 ат. %.

Ш. Комплексом физико-химических методов исследованы процессы формирования активного компонента моно- и биметаллических катализаторов, установлено, что: a. Реакционное взаимодействие активного компонента монометаллических катализаторов с углеродным носителем приводит к формированию металл-углеродных частиц размером 250-3 00 нм. b. Размер частиц активного компонента монометаллических катализаторов, нанесенных на AI2O3, зависит от количества нанесенного металла и составляет 8-14 нм для катализаторов с низким содержанием металла и 15-30 нм для катализаторов с высоким содержанием металла. c. Добавление Мп в состав катализаторов приводят к уменьшению размеров частиц активного компонента в 3-5 раз по сравнению с монометаллическими катализаторами. Обнаружено образование сплава Мп с основным компонентом катализатора, обладающего пониженной температурой плавления.

IV. Исследован процесс каталитического роста НК SiC на моно- и биметаллических катализаторах, установлено, что: a. Структура и морфология НК зависят от содержания металла в катализаторе, повышение содержания металла ведет к образованию НК малодефектной структуры, уменьшение содержания активного компонента приводит к образованию дефектных изогнутых НК. b. Повышение содержания Si и С в газовой фазе при разложении силана приводит к росту дефектных НК за счет повышения скорости их роста. Использование SiO-генератора приводит к образованию малодефектных нитевидных кристаллов. c. Впервые показано, что биметаллические катализаторы (Ni-Mn, Fe-Mn) проявляют каталитическую активность в процессе роста НК SiC при температуре 1000-1100 °С, т.е. на 200-300 °С ниже по сравнению с традиционными монометаллическими катализаторами.

V. Синтезированы массивы НК SiC на поверхности кремниевых подложек и исследованы их электронно-эмиссионные свойства. Полученные величины тока эмиссии (0.6-1 мА/см2) свидетельствуют о перспективности использования массивов SiC в качестве эмиттеров электронов для компонентов высокотехнологичных устройств (плоские дисплеи и т.п.).

БЛАГОДАРНОСТИ

Проведение данной работы было бы невозможным без участия следующих людей:

Кузнецов B.JI.

Усольцева А.Н.

Рудина Н.А.

Ищенко А.В.

Зайковский В.И.

Чувилин A.JI.

Плясова JI.M.

Молина И.Ю.

Шляхова Е.В.

Стадниченко А.И.

Авдеев В.И.

Автор выражает сердечную благодарность указанным людям за участие в работе над диссертацией и обсуждении полученных результатов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ 5

Исследование процесса синтеза НК SiC с участием металлических катализаторов показывает, что их рост протекает на жидких металлических частицах. Наличие жидкой металлической фазы является ключевым условием для роста НК - при температурах ниже температуры образования жидкой эвтектики в системе «металл-кремний-углерод» роста НК не происходит.

Монометаллические катализаторы проявляют каталитическую активность при температуре выше 1200 °С, структура и морфология НК в значительной степени зависит от количества нанесенного катализатора, размера металлических частиц и типа исходных

144 реагентов. Понижение количества нанесенного металла ведет к образованию дефектных кристаллов вследствие уменьшения размера каталитических частиц и большего влияния на скорость роста НК колебаний состава газовой фазы.

Карботермическое восстановление SiO-генераторов приводит к пониженной скорости роста НК, заметные количества НК образуются лишь при температуре 1200 °С и выше. Низкая скорость роста в данном случае обуславливает более совершенную кристаллическую структуру получаемых кристаллов.

Разложение кремнийорганических соединений приводит к росту НК со значительно большей скоростью, причиной чего является повышенная концентрация кремний- и углеродсодержащих интермедиатов в газовой фазе. Тем не менее, использование монометаллических катализаторов в данном случае позволяет синтезировать НК лишь при температуре 1200 °С и выше.

Впервые показано, что использование биметаллических катализаторов позволяет понизить температуру образования фазы SiC при разложении кремнийорганических соединений до 1000-1100 °С. Наибольшую активность в данном процессе проявляют катализаторы, содержащие Ni в качестве основного компонента и добавки Мп в количестве от 25 до 50 ат. %. Увеличение активности данных катализаторов по сравнению с аналогичными катализаторами на основе Fe связано с более низкой температурой образования жидкой фазы в системе Ni-Mn-C-Si.

Наличие фазы SiC, наблюдаемой при помощи рентгенофазового анализа, в форме НК, полностью подтверждает данные теоретического анализа каталитической активности биметаллических катализаторов, проведенного в главе 3 и открывает путь для создания катализаторов низкотемпературного синтеза НК.

Полученные вольт-амперные характеристики массивов НК SiC на поверхности кремниевых пластин свидетельствуют о перспективности применения данного материала в качестве компонент высокотехнологичных устройств, работающих в условиях повышенных температур и агрессивных окружающих условиях.

Измеренный выход НК ниже теоретического, что связано с тем, что в процессе роста участвует не весь металл, присутствующий в катализаторе, а также с протеканием процесс роста НК в области внешней диффузии на внешней поверхности слоя катализатора.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Мазов, Илья Николаевич, 2007 год

1. Chollon G., Vallerot J.M., Helary D„ Jouarmigot S. Structural and textural changes of CVD-SiC to indentation, high temperature creep and irradiation // J. Eur. Ceram. Soc. 2007.V. 27. №2-3. - P. 15031511.

2. Noli F., Misaelides P., Theodossiou W., Riviere J.P. Characterization and corrosion stability of SiC coatings using ion beam analysis techniques // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. 2006.V. 244. № 2. - P.403-408.

3. Wolana J.T., Graysona B.A., Akshoya G., Saddow S.E. Characterization of single-crystal SiC polytypes using X-ray and Auger photoelectron spectroscopy // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 184, № 1. -P.167-172. .

4. Elliot RP. Constitution of Binary Alloys, McGraw-Hill, N. Y., 1965. 5. Acheson EG. On Carborundum // Chemical News. 1893. №. 68, P.179.

5. Gillessen K, von Munch W. Growth of silicon carbide from liquid silicon by a traveling heater method // J. Cryst. Growth. 1973. V. 19. № 4. - P.263-268.

6. Schulz D., Doerschel J., Lechner M, Rost H.-J., Siche D., Wollweber J. On mass transport and surface morphology of sublimation grown 4H silicon carbide // J. Cryst. Growth. 2002.V. 246. №1-2. - P.31-36.

7. Chen Q.-S., Lu J., Zhang Z.-B., Wei G.-D., Prasad. V. Growth of silicon carbide bulk crystals by physical vapor transport method and modeling efforts in the process optimization // J. Cryst. Growth. -2006V. 292. № 2. P.197-200,

8. Furusho Т., Sasaki M, Ohshima S., Nishino Sh. Bulk crystal growth of cubic silicon carbide by sublimation epitaxy//J. Cryst. Growth. 2003V. 249. №1-2.-P.216-221.

9. Inoue S., Namazu Т., Tawa H, Niibe M., Koterazawa K. Stress control of a-SiC films deposited by dual source dc magnetron sputtering // Vacuum. 2006.V. 80. № 7. - P.744-747. - 2006.

10. Danielsson O., Henry A., Janzen E. Growth rate predictions of chemical vapor deposited silicon carbide epitaxial layers // J. Cryst. Growth. 2002.V. 243. № 1. - P. 170-184.

11. Капеко Т., Nemoto D., Horiguchi A., Miyakawa N. FTIR analysis of a-SiC:H films grown by plasma enhanced CVD // J. Cryst. Growth. 2005.V. 275. №1-2. - P.el097-el 101.

12. Nigam S., Chung H.J., Polyakov A.Y., Fanton M.A., Weiland B.E., Snyder D.W., Skowronski M. Growth kinetics study in halide chemical vapor deposition of SiC // J. Cryst. Growth. 2005.V. 284. №12. -P.l 12-122.

13. Habuka H., Watanabe M, Miura Y„ Nishida M., Sekiguchi T. Polycrystalline Silicon Carbide Film Deposition Using Monomethylsilane and Hydrogen Chloride Gases // J. Cryst. Growth. 2007. V. 300. №2.-P.374-381.

14. Капеко Т., Hosokawa Y., Suga Т., Miyakawa N., Low-temperature growth of polycrystalline SiC by catalytic CVD from monomethylsilane // Microelectronic Engineering. 2006. V. 83. № 1. - P.41-44.

15. Yoshino M, Shimozuma M, Date H., Itoh H., Tagashira H., Deposition of SiC films by ion-enhanced plasma chemical vapor deposition using tetramethylsilane+H2 // Thin Solid Films. 2005.V. 492. №1-2. -P.207-211.

16. Lua P., Edgar J.H., Glembocki O.J., Klein P.B., Glaser E.R, Perrin J., Chaudhuri J., High-speed homoepitaxy of SiC from methyltrichlorosilane by chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 2005. V. 285. № 4. - P.506-513.

17. Pensl G., Choyke W. J. Electrical and optical characterization of SiC // Phys. B. 1993.V. 85,264.

18. Humpreys R.G., Bimberg D., Choyke W.J. Wavelength modulated absorption in silicon carbide // Solid State Commun. 1981. V. 39.-P. 163.

19. Bechstedt, F., Kackell, P., Zywietz, A., Karch, K., Adolph, В., Tenelsen, K., Furthmuller, J. Polytypism and Properties of Silicon Carbide // Physica Status Solidi (B), Applied Research 1997. V. 202. №l.-P.35-62.

20. Gaberstroh Ch, Helbig R, Stein R.A. Some new features of the photoluminescence of SiC(6H), SiC(4H), and SiC(15R) // J. Appl. Phys. 1994.V. 76. № 1. - P.509.

21. Tachibana Т., Kong H.S., Wang Y.C., Davis RF. // J. Appl. Phys. 1990.V. 67,6375.

22. Son N.T., Chen W.M., Kordina O., Konstantinov A.O., Monemar В., Jcmzen K, Hofmcm D.M., Volm D., Drechsler M., MeyerB.K //Appl. Phys. Lett.- 1995.V. 66, 1074.

23. Modelling O., Data in Science and Technology: Semiconductors group IV elements and Ш-V compounds, B. -1991.

24. Morkoc Я, Strife S., Gao G.B., Lin ME., Sverdlov В., Burns M., Large-band-gap SiC, Ш-V nitride, and П-VI ZnSe-based semiconductor device technologies //J. Appl. Phys. 1994.V. 76. -P.1363-1368.

25. Lilov S.K, Thermodynamic analysis of phase transformations at the dissociative evaporation of silicon carbide polytypes // Diamond Relat. Mater. 1995.V. 4. № 12. - P.1331-1334.

26. Liu Zh., Ni J., Layered growth modelling of epitaxial growth processes for SiC polytypes // J. Phys. Condens. Matter. 2005 V. 17. № 3-5. - P.5355-5366.

27. Gomez de Mesquita A.H., Polytypism in silicon carbide // J. Cryst. Growth. 1968.V. 3-4. - P.747-750.

28. Krishna P., Marshall R.C., Ryan C.K, The discovery of a 2H-3C solid state transformation in silicon carbide single crystals//J. Cryst. Growth.- 1971. V. 8.-P.129-131.

29. Berman I., Ryan C.E., The growth of silicon carbide needles by the vapor-liquid-solid method // J. Cryst. Growth.- 1971.V. 9.-P.314-318.

30. Mardix S., Polytypism: A controlled thermodynamic phenomenon // Phys. Rev. B. 1986V. 33. № 12.-P.8677-8684.

31. Bootsma G.A., Knippenberg W.F., Verspue G., Phase transformations, habit changes and crystal growth in SiC//J. Cryst. Growth. -1971. V. 8. № 4.-P.341-353.

32. Бережкова Г.В. / Нитевидные кристаллы. M.: Наука, 1969. - 158 с.

33. Szweda, R Diamond and SiC Electronics // Ш-Vs Review. 2006. V. 19. № 3. - P. 40-42.

34. Li Y.S., Shimada S., Synthesis of anticorrosion SiC and SiNx films from alkoxide solution using liquid injection PECVD // Surf. Coat. Technol. 2006.V. 201. №3-4. - P.l 160-1165.

35. Ohyanagi M.; Koizumi M J., Miyaji Y, Izawa H., Inumaru N., SiC coating on carbon block by the self-propagating high-temperature synthesis method // J. Mater. Sci. Lett. 1993. V. 12. № 7. - P. 513515.

36. Shi X., Li H., Fu Q., Li K, Zhang X., Effect of SiC whiskers on the oxidation protective properties of SiC coatings for carbon/carbon composites // Rare Metals. 2006. V. 25. № 1. - P. 58-62.

37. Zhang Y.-L., Li H.-J., Fu Q.-G., Li K-Z, Wei J., Wang P.-Y., A C/SiC gradient oxidation protective coating for carbon/carbon composites // Surf. Coat. Technol. 2006.V. 201. № 6. - P.3491-3495.

38. He-Jun L., Qian-Gang F., Xiao-Hong S., Ke-Zhi L., Zhi-Biao H., SiC whisker-toughened SiC oxidation protective coating for carbon/carbon composites // Letters to the Editor/Carbon. 2006.V. 44. №3.-P.602-605.

39. Buytoz S., Microstructural properties of SiC based hardfacing on low alloy steel // Surf. Coat. Technol. 2006. V. 200. №12-13. - P. 3734- 3742.

40. Boutonnet Kizling M, Stenius P., Andersson S., Frestad A., Characterization and catalytic activity of silicon carbide powder as catalyst support in exhaust catalysts // Appl. Catal., B. 1992.V. 1. № 3. -P.149-168.

41. Fukahori S., Koga H., Kitaoka Т., Tomoda A., Suzuki R, Wariishi H., Hydrogen production from methanol using a SiC fiber-containing paper composite impregnated with Cu/ZnO catalyst // Appl. Catal., A. 2006. V. 310. - P.138-144.

42. NhutJ.-M., VieiraR, PescmtL., Tessonnier J.-Ph, Keller N. EhretG., Pham-Huu C., Ledoux M.J., Synthesis and catalytic uses of carbon and silicon carbide nanostructures //. 2002.V. 76. № 1. — P.l 1— 32.

43. Vogt U.F., Gyorfy L., HerzogA., Graule Т., Plesch G., Macroporous silicon carbide foams for porous burner applications and catalyst supports // J. Phys. Chem. Solids. 2007.V. 68. №5-6. - P.1234-1238.

44. Lednor P.W., Synthesis, stability, and catalytic properties of high surface area silicon oxynitride and silicon carbide, Catal. Today. 1992.V. 15. № 2. -P.243-261.

45. Grant J., Cunningham W, Blue A., O'Shea V., Vaitkus J., Gaubas E., Rahman M„ Wide bandgap semiconductor detectors for harsh radiation environments // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. -2005.V. 546. №1-2.-P.213-217.

46. Bertuccio G., Casiraghi R., Cetronio A., Lanzieri C., Nava F., Silicon carbide for high resolution X-ray detectors operating up to 100°C // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2004.V. 522. № 3. -P .413-419.

47. Wingbrant H., Lundstrom /., Lloyd Spetz A. The speed of response of MISiCFET devices // Sens. Actuators, B. 2003.V. 93. №1-3. - P.286-294.

48. Nakagomi S., Tobias P., Baranzahi A., Lundstrom I., Martensson P., Lloyd Spetz A., Influence of carbon monoxide, water and oxygen on high temperature catalytic metal-oxide-silicon carbide structures // Sens. Actuators, B. 1997.V. 45. № 3. -P.183-191.

49. Arbab A., Spetz A., Lundstrom I., Gas sensors for high temperature operation based on metal oxide silicon carbide (MOSiC) devices // Sens. Actuators, B. 1993.V. 15. №1-3. - P.19-23.

50. Wilshire В., Carreno F., Deformation and failure processes during tensile creep of fibre and whisker reinforced SiC:Al203 composites // Mater. Sci. Eng. 1999.V. 272. № 1. - P.38-44.

51. Park J. Y., Hwang H. S„ Kim W.-J., Kim J., Son J. H., Oh B. J., Choi D. J. Fabrication and characterization of SiCf/SiC composite by CVI using the whiskering process // Journal of Nuclear Materials.-2002. V. 307-311.-P. 1227-1231.

52. Yih P., Chung D.D.L., Brass-matrix silicon carbide whisker composites prepared by powder metallurgy // J. Mater. Sci. -1999V. 34, № 2. P.3 59- 3 64.

53. Kelina I.Yu., Ershova N.I., Plyasunkova L.A., Effect of reinforcement of a silicon nitride matrix by silicon carbide whiskers//Refract. Ind. Ceram. 2000.V. 41, № 9-10. - P.300-305.

54. Go P., Sung C., Kostetsky J. J., Vasilos Т., Silicon nitride matrix composites with unidirectional silicon carbide whisker reinforcement // J. Mater. Sci. 2002.V. 37, № 1-2. - P.2587-2590.

55. Lim D.-S., Park D.-S., Han B.-D., Kan T.-S., Tribological behavior of alumina reinforced with unidirectionally oriented SiC whiskers // Wear. 1999.V. 225, № 2. - P.868-873,.

56. Deng J., Ai X., Microstructure and mechanical properties of hot-pressed TiB2-SiCw composites // Mater. Res. Bull. 1998.V. 33, № 4. -P.575-582.

57. Park K, Vasilosa Т., Microstructure and mechanical properties of silicon carbide whisker/calcium phosphate composites produced by hot pressing // Mater. Lett. 1997.V. 32. № 4. - P.229-233.

58. Afaghani J.E.D., Yamaguchi K, Horaguchi /., Nakamoto Т., Whisker behaviors and tool wear in cutting of unidirectional SiC whisker-reinforced plastic // Wear. 1996.V. 195. №1-2. - P.223-231.

59. Wadsworth I., Stevens R, The Influence of Whisker Dimensions on the Mechanical Properties of Cordierite/SiC Whisker Composites // J. Eur. Ceram. Soc. 1992.V. 9. № 2. - P.153-163.

60. Bellosi A., de Portu G., Hot-pressed Si3N4-SiC Whisker Composites // Mater. Sci. Eng. 1989.V. A109.-P.357-362.

61. Dimitrijev S. / Principles of Semiconductor Devices. Oxford University Press, 2005. 578 c.

62. Zhou X.T., Wang N. Au F.C.K., Lai H.L., Peng H.Y., Bello /., Lee C.S., Lee S.T., Growth and emission properties of (3-SiC nanorods//Mater. Sci. Eng. -2000.V. 286. № 1. -P.119-124.

63. Zhou X.T., Lai H.L., Peng H.Y., Au F.C.K, Liao L.S., Wang N. Bello L, Lee C.S., Lee S.T., Thin |3-SiC nanorods and their field emission properties // Chem. Phys. Lett. 2000.V. 318. №1-3. - P.58-62.

64. Ryua Y.H., Parka B.T., Songb Y.H., Yong K, Carbon-coated SiC nanowires:direct synthesis from Si and field emission characteristics // J. Cryst. Growth. 2004.V. 271. №1-2. - P.99-104.

65. Lim B.C., Ahn H.S., Choi D.J., Wang C.H., Tomokage H., The field emission properties of silicon carbide whiskers grown by CVD // Surf." Coat. Technol. 2003 .V. 168. № 1. - P.37-42.

66. Heinrich J., Hemeltjen S., Marx G., Analytics of CVD Processes in the Deposition of SiC by Methyltrichlorosilane // Mikrochim. Acta. 2000.V. 133,№s 1-4.-P.209-214.

67. Choi B.J., Park D.W., Kim D.R., Chemical Vapour Deposition Of Silicon Carbide By Pyrolysis Of Methylchlorosilanes // J. Mater. Sci. Lett. 1997.V. 16, № 1. - P.33-36.

68. Revcmkar V., Hlavacek V., Synthesis of Multifilamental Silicon Carbide Fibers By Chemical Vapor Deposition // Final Technical Report for the Period 1988-1991 for the Project Grant No. NAG3-863, NASA Lewis Research Center. -1991

69. Sone H., Капеко Т., Miyakawa N., In situ measurements and growth kinetics of silicon carbide chemical vapor deposition from methyltrichlorosilane // J. Cryst. Growth. 2000.V. 219. № 3. - P.245-252.

70. Krishnarao R.V., Godkhindi MM,.Studies on the formation of SiC whiskers from pulverized rice husk ashes // Ceram. Int. 1992.V. 18. № 1. - P.35-42.

71. Krishnarao R V., Mahajan Y.R, Formation of SiC whiskers from raw rice husks in argon atmosphere //Ceram. Int. 1996.V. 22. № 5. - P.353-358.

72. Krishnarao R V., Godkhindi MM, Distribution of silica in rice husks and its effect on the formation of silicon carbide // Ceram. Int. -1992. V. 18. № 4. P.243-249.

73. Krishnarao R V., Mahajan Y.R, Effect of acid treatment on the formation of SiC whickers from raw ricehusks//J.Europ. Ceram. Soc.- 1995.V. 15, № 12.-P.1229-1234.

74. Krishnarao R V., Godkhindi MM, Effect of Si3N4 additions on the formation of SiC whiskers from rice husks//Ceram. Int. 1992.V. 18. № 3. - P.185-191.

75. Yao Y„ Lee S.T., Li F.H., Direct synthesis of 2H-SiC nanowhiskers // Chem. Phys. Lett. 2003.V. 381. №5-6.-P.628-633.

76. Lee Y.J., Hwang S.M., Choi D.J., Park S.H., Kim H.D., The microstructural effect of chemically vapor infiltrated SiC whiskered thin film on the green body of SiC/C composites // Thin Solid Films. 2002.V. 420-421.-P.3 54-3 59.

77. Ahn H.S., Choi D.J., Fabrication of silicon carbide whiskers and whisker-containing composite coatings without using a metallic catalyst // Surf. Coat. Technol. 2002.V. 154. №2-3. - P.276-281.

78. Meng G.W., Zhcmg L.D., Mo C.M., Zhang S.Y., Qin Y., Feng S.P., Li H.J., Preparation of p-SiC nanorods with and without amorphous SiC>2 wrappiiig layers // J. Mater. Res. 1998.V. 13, № 9. -P .2533-253 8.

79. Meng G. W., Cui Z, Zhang L.D., Phillipp F., Growth and characterization of nanostructured p-SiC via carbothermal reduction of SiC>2 xerogels containing carbon nanoparticles // J. Cryst. Growth. 2000.V. 209. № 4. - P.801-806.

80. Janghorban K, Tazesh H.R, Effect of catalyst and process parameters on the production of silicon carbide from rice hulls // Ceram. Int. 1991. V. 25. № 1. - P.7-12.

81. Raman V., Parashar V.K, ВаЫ O.P., Influence of boric acid on the synthesis of silicon carbide whiskers from rice husks and polyacrylonitrile // J. Mater. Sci. Lett. 1997. V. 16, № 15. - P.1252-1254.

82. LewittA.P., Whisker Technology. N. Y., 1970.

83. Wagner RS., Ellis W.C., Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth // Appl. Phys. Lett. -1964.V. 4. № 5.-P.89-90.

84. Givargizov E.I., Fundamental aspects ofVLS growth//J. Cryst. Growth.- 1975.V. 31.-P.20-30.

85. Bootsma G.A., Knippenberg W.F., Vesprui G., Growth of SiC whiskers in the system Si02-C-H2 nucleated by iron//J. Cryst. Growth. V-1971. ll.№3.-P.297-309.

86. Chrysanthou A., Grieveson P., Jha R, Formation of silicon carbide whiskers and their microstructure // J. Mater. Sci. 1991.V. 26, № 1-3. - P.3463-3476.

87. Belmonte Т., Bonnetain L., Ginoitx J.L., Synthesis of silicon carbide whiskers using the vapour-liquid-solid mechanism in a silicon-rich droplet //J. Mater. Sci. 1996.V. 31.- P.2367-2371.

88. McMahon G., Carpenter G.J.C., Malls T.F., On the growth mechanism of silicon carbide whiskers // J. Mater. Sci. 1991.V. 26, № 20. -P.5655-5663.

89. Milewski J.V., Gac F.D., Petrovic J.J., Skaggs S.R, Growth of beta-silicon carbide whiskers by the VLS process // J. Mater. Sci. 1985.V. 20, № 4. - P.l 160-1166.

90. Urretavizcaya G., Porto Lopez J.M., Growth of SiC whiskers by VLS process // J. Mater. Res. -1994V. 9, №11.-P.2981-2986.

91. Krishnarao R V., Effect of cobalt chloride treatment on the formation of SiC from burnt rice husks // J. Europ. Ceram. Soc. 1993.V. 12. № 5.-P.395-401.

92. Silva P.C., Figueiredo J.L., Production of SiC and Si3N4 whiskers in С + Si02 solid mixtures // Mater. Chem. Phys. 2001 .V. 72. № 3.-P.326-331.

93. Motojima S., Hasegawa M, Hattori Т., Chemical vapour growth of 0-SiC whiskers from a gas mixture of SiiCU-CHrHi-Ar // J. Cryst. Growth. 1988.V. 87. №2-3. - P.311-317.

94. Leu I.C., Lu Y.M., Hon M.H., Nucleation behavior of silicon carbide whiskers grown by chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. V- 2002. 236. №1-3. P.171-175.

95. Leu I.C., Lu Y.M., Hon M.H., Substrate effect on the preparation of silicon carbide whiskers by chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 1996.V. 167. №3-4. - P.607-611.

96. Leu I.C., LuY.M., Hon M.H., Factors determining the diameter of silicon carbide whisker prepared by chemical vapor deposition // Mater. Chem. Phys. 1998.V. 56. № 3. - P.256-261.

97. Krishnarao R. V., Subrahmanyam J., Formation of SiC from rice husk silica-carbon black mixture: effect of rapid heating // Ceram. Int. 1996.V. 22. № 6. - P.489-492.

98. Narciso-Romero F.J., Rodrigues-Reinoso F., Synthesis of SiC form rice husks catalysed by iron, cobalt or nickel // J. Mater. Sci. 1996.V. 31, № 3. - P.779-784.

99. Физические величины: справочник / Под общ. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1992. - 1232 с.

100. Otoishi S., Tange Y., Growth rate and morphology of silicon carbide whiskers from polycarbosilane //J. Cryst. Growth. 1999.V. 200. №3-4.-P.467-471.

101. Гиваргизов Е.И. / Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов. М.: Наука, 1977. 304 с.

102. Jose-Yacaman М., Catalytic Growth of Carbon Microtubules with Fullerine Structure // Appl. Phys. Lett. 1993.V. 62. № 6. - P.657-659.

103. Dubrovskii V.G., Transition from thermodynamically to kinetically controlled regime of nucleation in a materially open system // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. - V. 16. - P. 6929-6940.

104. Dubrovskii V.G., Sibirev N. V., Growth rate of a crystal facet of arbitrary size and growth kinetics of vertical nanowires // Phys. Rev. E 70. 2004. - V. 70. - P. 031604.

105. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., General form of the dependences of nanowire growth rate on the nanowire radius // J. Cryst. Growth. 2007.V. 304. №2. - P.504-513.

106. Borovik F. N., Fisenko S. P., Kinetics of Nanowhisker Growth via the Vapor-Liquid-Solid Mechanism // Technical Physics Letters. 2007.V. 33. №2. - P.151-153.

107. Parr R.G., Yang W., Density-Functional Theory of Atoms and Molecules, N. Y., 1989.

108. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev. 1964.V. 136. № 3. - P.864-871.

109. FrischMJ., Trucks G.W., SchlegelH.B., Gaussian 98, Revision A.7; Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 1998.

110. Hay P.J., Wadt W.R. Ab initio effective core potentials for molecular calculations, potentials for the transition metal atoms Sc to Hg// J. Chem. Phys. 1985V. 82. № 1. -P.270-283.

111. Hypercube HyperChem Software Official Site Электронный ресурс.: официальный сайг производителя программного обеспечения HyperChem. -Электрон, дан. -Hypercube, Inc. [19852007]. -Режим доступа: http://www.hyper.com/, свободный

112. Stewart J.J.P. МОРАС: A General Molecular Orbital Package I I J. Сотр. Aided Mol. Design. -1990.V. 4.-P.l-105.

113. Chase M.W., NIST-JANAF Themochemical Tables, Fourth Edition // J. Phys. Chem. Ref. Data, Monograph 9. 1998. - P. 1-1951.

114. Simderlin, L.S., Wang, D„ Squires, RR, Metal Carbonyl Bond Strengths in Fe(CO.n and Ni(CO)n // J. Am. Chem. Soc. 1992. V. 114. -P.2788-2792.

115. Miyazaki E., Chemisorption of Diatomic Molecules (H2, N2, CO) on Transition d-Metals // J. Catal. 1980. V. 65, № 1. -P.84-94.

116. Oelsen W„ Samson-HimmelstjernaH.-O.V. //StahlundEisen- 1936. V. 56.-P. 1444-1448.

117. Topor L, Kleppa O.J. IIZ. Metallkd. 1986. V. 77. - P.65-70.

118. Chart T.G. И High temperatures-high pressures. V- 1973. 5. P. 241-245.126. an MeyS., Z. Metallkd. -1986. V. 77. -P.805-811.

119. Koizumi M., Niino M., Overview of FGM Research in Japan // Mater. Res. Bull. 1995. V. 20. №1. -P. 19-24

120. Rado C., Kalogeropoulou S., Eustathopoulos N. Wetting and adhesion in metal-silicon carbide systems: the effect of surface polarity of SiC 11 Scripta mater. 2000. V. 42. № 2. - P.203-208.

121. Xiong H., LiX., Mao W., Cheng Y., Wetting behavior of Co based active brazing alloys on SiC and the interfacial reactions // Mater. Lett. 2003. V. 57. №22-23. - P.3417- 3421.

122. Landry K., Rado C., Voitovich R, Eustathopoulos N., Mechanisms of reactive wetting: the question of triple line configuration // Acta Mater. 1997. V. 45. № 7. - P.3079-3085.

123. Kalogeropoulou S., Baud L., Eustathopoulos N., Relationship Between Wettability And Reactivity In Fe/SiC System//Acta metal, mater. 1995.V. 43. № 3.-P.907-912.

124. Parmon V.N., Fluidization of the active component of catalysts in catalytic formation of carbon assisted by iron and nickel carbides // Catal. Lett. — 1996. V. 42, №s 3-4. -P.195-199.

125. WyckoffRW.G., Crystal structures, 2ndedition. V. l.N. Y., 1968.

126. Молекулярные постоянные неорганических соединений / Под общ. ред. К.С. Краснова. М:. Химия, 1968.-448 с.

127. Scace R.I., Slack G.A., Solubility of Carbon in Silicon and Germanium // J. Chem. Phys. 1959. V. 30. № 6.-P.1551-1555.

128. Rado C., Kalogeropoulous S., Eustathopoulos N., Wetting and bonding of Ni-Si alloys on silicon carbide//Acta mater. -1999. V. 47. № 2. P.461-473.

129. Syvajarvi M, YaJcimova R., E. Jcmsen, Growth of SiC from the liquid phase: wetting and dissolution of SiC // Diamond Relat. Mater. 1997,. V. 6. - P.1266-1268.

130. Baker R.T.K, Barber M.A., Harris P.S., Nucleation and Growth of Carbon Deposits from the Nickel Catalyzed Decomposition of Acetylene // J. Catal. 1972.V. 26. № 1. -P.51-62.

131. Dresselhaw M.S., Dresselhaus G., Sugihara K, Spain I.L, Goldberg H.A., Graphite Fibers and Filaments. В., 1988.

132. Зайт В. Диффузия в металлах, процессы обмена мест. М.: Издательство иностранной литературы. - 1958. - 378 с.

133. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1986 г / Под общ. ред. Л.А.Петровой. В. 29. РЖ «Металлургия». М.: ВИНИТИ, 1955-1998.

134. Teng Y., ZengX., Zhang Я, Sun D„ Melting and Glass Transition for Ni Cluster // J. Phys. Chem. B. -2007. V. lll.№ 10.-P.2309-2312.

135. Ercolessi F., Andreoni W., Tosatti E., Melting of Small Gold Particles: Mechanism and Size Effects //Phys. Rev. Lett. 1991.V. 66, № 7. - P.911-914.

136. Buffat Ph., Borel J.-P., Size effect on the melting temperature of gold particles // Phys. Rev. A. -1976.V. 13, № 6. -P.2287-2298.

137. Anderson J. О., Thermodynamic properties of Cr-C // Calphad. -1987. V. 11. № 3. P.271 -276.

138. Yuan Y., Pan J., The effect of vapor phase on the growth of TiC whiskers prepared by chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 1998. V. 193. № 4,- P.585-591

139. Niessen A.K., de Boer F.R., The Enthalpy of Formation Of Solid Borides, Carbides, Nitrides, Silicides and Phosphides of Transition and Noble Metals // Journal of the Less-Common Metals. 1981. V. 82,-P. 75- 80

140. MeschelS. V., Kleppa O.J., Standard enthalpies of formation of some 3d transition metal silicides by high temperature direct synthesis calorimetry // J. Alloys Compd. 1998. V. 267. №1-2 - P.128-135

141. Meschel S. V., Kleppa O.J., Standard enthalpies of formation of some 4d transition metal silicides by high temperature direct synthesis calorimetry // J. Alloys Compd. 1998. V. 274. №1-2 - P.193-200

142. Meschel S. V., Kleppa O.J., Standard enthalpies of formation of some 5d transition metal silicides by high temperature direct synthesis calorimetry // J. Alloys Compd. 1998. V. 280. №1-2 - P.231-239

143. Huang W. A thermodynamic assessment of the Fe-Mn-C system // Metall. Mater. Trans. A. 1990. V. 21. № 8. -P.2115-2126.

144. Gomez-Acebo Т., SarasolaM, Castro F., Systematic search of low melting point alloys in the Fe-Cr-Mn-Mo-C system // Calphad. 2003, V. 27. № 3. - P.325-334.

145. Kocherahinski Yu.A., Kulik O.G., Equilibrium phase diagrams and manufacture of synthetic diamonds // Powder Metall. Met. Ceram. 1996.V. 35. № 7-8.

146. Криворучко О.П., Зайковский В.И., Замараев К.И. Образование необычных жидкоподобных частиц Fe-C и динамика их поведения на поверхности аморфного углерода при 920-1170К // ДАН России. -1993. Т. 329, № 6,- С. 744-748.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.