Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.02.13, кандидат технических наук Каблуков, Андрей Леонидович

• Каблуков, Андрей Леонидович
• кандидат технических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат технических наук Каблуков, Андрей Леонидович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ КРЕМНИЕВОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЯ

1.1. Введение

1.2. Отличительные особенности и задачи газофазной эпитаксии кремния

1.3. Классификация и краткая характеристика эпитаксиальных реакторов

1.4. Постановка задачи

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ НАПРЯЖЕННО-ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКЕ.

2.1. Термоупругие напряжения и термопластические эффекты в кремниевых подложках при высокотемпературной обработке

2.2. Распределение температуры в полупроводниковых пластинах при различных условиях нагрева.

2.3. Тепловое состояние подложек в процессе газофазной эпитаксии кремния.

2.4. Выводы

ГЛАВА 3. ТЕПЛООБМЕН В СИСТЕМЕ «ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЬ - ПОДЛОЖКА - СТЕНКА РЕАКТОРА»

3.1. Некоторые особенности контактирования шероховато-волнистых поверхностей

3.2. Модель теплообмена между подложкой и подложкодержателем.

3.3. Результаты моделирования и их анализ

3.4. Экспериментальные исследования распределения температуры подложек в реакторах различной модификации.

3.5. Выводы

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛУЧИСТОГО ТЕПЛООБМЕНА В УСТРОЙСТВАХ ИК-НАГРЕВА

4.1. Модель реактора с плоскими отражателями.

4.2. Модель реактора с цилиндрическими отражателями

4.3. Анализ результатов моделирования нагревательных устройств с линейными источниками ИК - нагрева.

4.4. Модель сферического реактора с квазиточечными источниками излучения.

4.5. Анализ результатов моделирования нагревательных устройств с квазиточечными источниками ИК- нагрева.

4.6. Схема реакционной камеры с двойным нагревом.

4.7. Выводы

• ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА УЗЛОВ И АГРЕГАТОВ УСТАНОВКИ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ПОДЛОЖКИ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА

5.1. Общая компоновка разрабатываемой установки

5.2. Реакционная камера.

5.3. Производительность установки.

5.4. Оценка окупаемости установки

5.5. Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра»

• Научно-технический прогресс современного общества неразрывно связан с повсеместным использованием изделий электронной техники. Кроме того, решение стратегически важной для нашей страны задачи - обеспечение национальной безопасности Российской Федерации - основывается на технологической независимости (от иностранных государств) при разработке и производстве электронной компонентной базы (ЭКБ).

В комплексе микроэлектронных базовых технологий, определяющих возможности создания отечественной ЭКБ на современном уровне, процессы эпитаксии занимают одно из ведущих мест [1-10] Эпитаксиальные процессы позволяют формировать уникальные приборные структуры с заданными уровнями и градиентами концентрации легирующих элементов в различных конструктивно-технологических вариантах. Только с применением метода эпитаксии возможно получение СБИС и ССБИС, новых видов современных полупроводниковых приборов, включая фотоэлектронные и ® оптоэлектронные приборы, силовые приборы и т.д.

Условием, успешно сопутствующим расширению рынка применения и использования эпитаксиальных слоёв (ЭС), является логичный, последовательный путь перехода эпитаксиальной технологии от обработки подложек диаметром 150-200 мм к обработке подложек диаметром 300 мм. Такой переход реализуется при минимально возможных временных затратах и конструкционно-технологических изменениях.

Снижение топологических нормативов в субмикронных структурах СБИС привело к резкому возрастанию требований к ЭС по основным техническим параметрам (градиенты концентраций, уровень дефектности, снижение толщины эпитаксиальных слоев, однородность электрофизических характеристик по площади структуры и в партии Ф обрабатываемых пластин и т.д.). Эти требования невозможно выполнить с использованием стандартных технологических приемов. Поэтому возникла необходимость в разработке новых, нетрадиционных научных и технологических основ эпитаксиальных процессов для их конструктивных реализаций.

Все выше сказанное определило необходимость и актуальность проведения настоящей работы.

Промышленное производство ЭС кремния базируется на высокопроизводительных установках групповой обработки пластин кремния диаметром 100 мм ( установки типа УНЭС —121, УНЭС —122, LPE -2061 ), 150 мм (установки типа LPE -2061) и 200 мм и более (установки типа LPE -3061, GEMINI, EPSILON).

Переход к обработке пластин диаметром 200 мм и более требует кардинального пересмотра теоретических и конструктивно-технологических основ организации производства ЭС кремния. А именно, реакторы с групповым производством ЭС имеют более • протяженные зоны осаждения. Это, с одной стороны, дает возможность работы оборудования с более эффективными коэффициентами превращения вещества. С другой стороны - не представляется возможным получить ЭС с высокой степенью однородности электрофизических параметров. Последнее обстоятельство существенно ограничивает возможности процессов групповой обработкой пластин.

Современные требования, а именно получение ЭС кремния с топологическими размерами 0,30 - 0,5 мкм и с однородностью ® электрофизических параметров не хуже ±(1+2)% при полном кристаллографическом совершенстве формируемых ЭС кремния, не могут быть удовлетворены существующим типом производства, использующим установки с групповой обработкой подложек, ф Учитывая выше изложенное, необходимо искать иные подходы к решению стоящей проблемы.

Во-первых, с целью повышения однородности электрофизических параметров ЭС необходимо сократить протяженность зоны осаждения, что приводит к концепции использования установок поштучной обработки подложек.

Во-вторых, с целью сохранения рентабельности производства ЭС нового поколения, необходимо сохранить производительность установок поштучной обработки подложек, что возможно только при сокращении времени цикла процесса.

В- третьих, с целью формирования ЭС с меньшими топологическими размерами необходимо сократить термическую экспозицию (понижение температуры при сохранении продолжительности процесса или сокращение продолжительности процесса при невозможности понижении температуры процесса) формирования ЭС. Это обстоятельство переводит процесс из разряда • (квази) равновесных в разряд неравновесных, что в свою очередь приводит к пересмотру физико-химических основ процесса.

В- четвертых, учитывая планарное расположение подложек (П) на подложкодержателе (ПД), а также естественную волнистость П и шероховатость ПД (при их формировании) и требования повышенной прецизионности термообработки (разброс температуры по поверхности подложки не должен превышать ± (2+3) град при температуре процесса от 950 до 1250 °С ) приводит к необходимости анализа условий ® теплообмена П. с ПД.

Для того, чтобы удовлетворить поставленным требованиям, необходимо рассмотреть комплекс научно-технических проблем: разработать макрокинетические и математические модели процесса газофазного осаждения ЭС кремния в реакторах поштучной обработки с использованием в качестве физико-математической основы уравнений сохранения типа Навье Стокса с соответствующими условиями однозначности; разработать и предложить схемотехническое решение компоновки установки для проведения ускоренных процессов газофазной эпитаксии кремния; разработать основные конструктивно-технологические решения основных узлов такой установки; разработать и выполнить исследования устройств нагрева подложек большого диаметра; разработать математические модели теплообмена П и ПД, позволяющие провести исследования теплообмена между П и ПД при различных условиях и методах их нагрева; проверить адекватность модельных представлений; на основании результатов моделирования разработать варианты конструкций ПД (для обработки подложек диаметром до 300 мм), исключающих или (по крайней мере) минимизирующих термопластические дефекты в формируемых ЭС кремния Каждая из поставленных задач является актуальной и для своего решения требует значительных материально — временных затрат.

Цель работы

Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

Ф 1. Разработана компоновка установки для проведения ускоренных процессов газофазной эпитаксии кремния на подложках большого диаметра.

2. На основании разработанных математических моделях проведены исследования различных вариантов компоновки устройств, использующих лучистый инфракрасный (ИК) метод нагрева рабочего поля реакционной камеры. Определен и обоснован оптимальный вариант компоновки устройства.

3. Разработаны математические модели теплообмена П и ПД, позволяющие провести исследования теплообмена между П и ПД при различных условиях и методах их нагрева.

4. Проверена адекватность результатов моделирования.

5. На основании результатов моделирования разработаны варианты конструкций ПД (для обработки подложек диаметром до 300 мм) минимизирующих термопластические дефекты в формируемых ЭС кремния.

• 6. Разработаны конструктивные решения основных узлов установки, рекомендуемой к внедрению.

Научная новизна исследований

1. Впервые разработана математическая модель расчёта облученности. Модель позволяет:

-учитывать многократные отражения лучей;

-учитывать относительный вклад в результирующий лучистый поток каждой из отражённых составляющих при различных сочетаниях материалов экрана реактора и объекта нагрева.

2. Впервые разработана математическая модель сложного теплообмена между подложкодержателем и подложкой с учетом изменения геометрической формы последней (за время термической обработки) в зависимости от величины и направления теплового потока между П и ПД, их теплофизических и радиационных свойств, разрешающих угловых коэффициентов, давления в реакционной камере и т.п. Модель позволяет :

- определить причины возникновения термоупругих напряжений (ТУН) в подложках кремния в процессах их термической обработки;

- при заданной геометрии ПД управлять зонами локализации ТУН в подложках кремния;

- разработать геометрию подложкодержателя, исключающего генерацию термоупругих напряжений в подложках кремния большого диаметра.

3. Разработана принципиально новая конструкция реакционной камеры с использованием источников нагрева на базе пальчиковых ИК ламп, расположенных в сферическом отражателе. Установка позволяет:

-значительно (до ± 1 град, при диаметре пластины 300 мм и средней температуре нагрева 1000 — 1200 0 С) повысить изотермичность обрабатываемых рабочих поверхностей; -повысить надёжность устройства нагрева за счет оперативного динамического управления профилем температуры поверхности осаждения в зависимости от изменения условий в реакторе (расхода и состава смеси реагентов, вращение подложки и т.п.).

4. На основании проведенных исследований разработаны три схемы компоновки установок газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки диаметром 300 мм

Практическая значимость работы

В результате проведённого комплекса теоретических исследований разработаны математические модели и принципиальные схемные решения основных узлов установки для газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра. Разработки позволяют:

1. Определить поле облученности и оценить возможности корректировки его в различных излучающих системах, использующих источники ИК - излучения (галогенные лампы накаливания — ГЛН) как линейного, так и пальчикового типов.

2. Повысить прецизионность термической обработки подложек большого диаметра и минимизировать в них термопластические дефекты.

3. Определить и минимизировать зону концентрации кристаллографических дефектов в зависимости от условий нагрева и формы посадочного гнезда подложки на подложкодержателе.

4. Оптимизировать посадочное гнездо с целью уменьшения коэффициента заполнения линиями скольжения (K3JIC) и локализации последних в неиспользуемой зоне подложки.

5. Повысить изотермичность (до ±1 град при диаметре пластины 300 мм и уровне средней температуры нагрева 1000 - 1200°С) обрабатываемых рабочих поверхностей

6. Повысить надёжность устройства нагрева за счет оперативного динамического управления профилем температуры поверхности осаждения в зависимости от изменения условий в реакторе (расхода и состава смеси реагентов, вращение подложки и т.п.).

Внедрение результатов работы

Основные результаты работы отражены в 2 отчётах по НИР, выполненной в 2001 г. по договору с РАСУ (1 отчёт) и НИОКР , выполненной в 2001 г. по договору с АО НИИМВ (1 отчёт)

На основании результатов моделирования, полученных в ходе выполнения настоящей работы, для предприятий АО НИИМВ и ЗАО «ЭПИЭЛ» были разработаны рекомендации по модернизации подложкодержателей, которые позволят минимизировать термоупругие напряжения в эпитаксиальных структурах кремния, осаждаемых на подложки 100 и 150 мм.

Математические модели расчета облучённости и сложного теплообмена между подложкодержателем и подложкой внедрены в учебный процесс на кафедре АКМ в Московском Государственном институте электронной техники.

Достоверность результатов работы

Сопоставление результатов моделирования с экспериментальными данными по локализации линий скольжения, полученными на предприятиях АО НИИМВ и ЗАО «ЭПИЭЛ, свидетельствуют об адекватности модельных представлений.

Апробация работы

Основные положения и отдельные результаты работы докладывались на следующих конференциях: II —я Всероссийская научно-техническая конференция с международным участием "Электроника и информатика - 97", Москва 97; V — я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов

Микроэлектроника и информатика - 98" Москва ,98; VI — я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 99" Москва, 99; VII - я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2000" Москва, 2000; IV- ый Минский международный форум "Тепломассообмен ММФ 2000", Минск 2000. IV -я Международная научно-техническая конференция "Электроника и информатика - 2002" Москва 2002.

На защиту выносятся:

1. Математическая модель теплообмена между подложкодержателем и подложкой.

2. Математические модели расчета локальной облучённости обрабатываемых рабочих поверхностей нагрева в реакционных камерах ИК -нагрева различных модификаций.

3. Принципиально новая конструкция реакционной камеры, с пальчиковыми галогенными лампами накаливания, расположенными в сферическом отражателе.

4. Принципиально новая конструктивная схема установок (газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния), работающих как при атмосферном, так и при пониженном давлениях, и их основных узлов.

Публикации

По результатам диссертационной работы опубликовано 11 работ, в том числе 4 научные статьи и 7 тезисов докладов на конференциях.

Заключение диссертации по теме «Машины, агрегаты и процессы (по отраслям)», Каблуков, Андрей Леонидович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ф 1. Показано что причиной появление термопластических дефектов на П является возникающие при высокотемпературной обработке температурные неравномерности, а причиной образования радиального градиента температуры по подложке является не столько разница в радиационных характеристиках материалов П и ПД сколько условия внешнего теплообмена ПД и реактора.

2. При увеличении диаметра подложек более 100 мм одной из существенных причин образования радиального градиента температуры становится, возрастающий пропорционально квадрату радиуса подложки, термическое сопротивление газового зазора между П и ПД.

3. Для П диаметром 100 мм расположенной на ПД определяющим фактором появления термоупругих напряжений являются краевые теплопотери граней ПД. Так для подложки диаметром 100 мм, расположенной на среднем ярусе ПД ATr=30°. Полученные модельные данные были подтверждены в условиях серийного производства эпитаксиальных структур на установках УНЭС-121. ф 4. Для П находящихся на равномерно нагретом ПД зона с запредельными значениями термоупругих напряжений при увеличении диаметра подложек увеличивается за счет термического сопротивления газового зазора между П и ПД: с 0% - для подложек диаметром 76 и менее мм, до 66,4% для подложек диаметром 200 мм.

5. На основании разработанной математической модели показано, что профилирование дна гнезда ПД позволяет минимизировать ATR. Так для П диаметром 100 мм, находящейся на ПД пирамидального типа на среднем ф ярусе при радиусе дна гнезда ПД R равном 2.8м ATr составляет менее 2°, тогда как на стандартном ПД ATr составляет более 30 °

6. Сопоставление результатов моделирования температурного поля создаваемого устройствами нагрева ИК типа различных конструкций показало, что для рабочей зоны диаметром 300 мм отклонение температуры по поверхности П от средней составляет: более 7 град.-для системы с плоским отражателем; более 3 град.- с цилиндрическим; и менее 0,6 град, для сферической формы отражателя.

7. Проведенная оценка доли отраженных составляющих в результирующее поле облучённости показала, что для большинства практически важных случаев существенный вклад («35+40%) в результирующий тепловой поток вносит прямой луч и первое отражение.

8. Предложена принципиально новая схема ректора с двумя источниками нагрева - фоновым, использующим ВЧ - нагрев, и прецизионным, использующим ИК - нагрев. Данная схема позволяет создавать температурное поле в зоне обрабатываемой подложки (диаметром до 300мм) с равномерностью необходимой для получения эпитаксиальных структур свободных от термопластических дефектов.

9. Разработана концепция принципиально нового типа установок для газофазной эпитаксии. Предложены варианты технической реализации установок эпитаксиального наращивания кремния, которые являются конкурентоспособными не только на внутреннем, но и на внешнем рынке.

10. Проведена оценка окупаемости предлагаемого варианта установки. Показано, что при обработке 300 мм подложек с годовым выпуском 96 тысяч пластин около трёх лет. Для подложек диаметром 150 мм с годовым выпуском 864 т. подложек в год срок окупаемости составит менее полутора лет.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Каблуков, Андрей Леонидович, 2003 год

1. Авдонин Б.Н., Макушин М.В. Современное состояние и перспективы развития мирового рынка п/п приборов / Зарубежная электронная техника, ЦНИИ Электроника, вып. 2, 1999, 3-43

2. Макушин М.В. Заводы по обработке пластин диаметром 300 мм: переход от опытного к массовому производству /Зарубежная электронная техника, ЦНИИ Электроника, вып. 4,2000, З -15

3. World News" Solid State Technology July 2001 p.24-30

4. Kem W., Ban V.S., Chemical Vapour Deposition of Inorganic Thin Film Processes./ Eds. J.I.Vossen, W.Kem // N.Y.:Academ. Press. 1978. P.258-331

5. З.Чистяков Ю.Д. Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.(Металлургия. 1979.408 с

6. Тау1ог Р.А. Silicon Source Gases for Chemical Vapour Deposition // SST. 1989. Vol.32, N 5. P.143-148. IS.Ogirima М. Takahashi R., Some Problems and Future in Silicon Epitaxial Technol // 10th Int.Conf. Vapour Deposit. 1987. N 5. P.204-213.

7. Pogge H.B. Vapour Phase Epitaxy / Eds S.P.Keller Handbook Semicond. V.3. IBM T.J.Watson Research Center. Yorktown Heights. USA. N.Holland Publish. Сотр. 1980. P.390

8. Иванов В.И. Николайкин Н.И. Сигалов Э.Б. Реакторы для осаждения слоев кремния из газовой фазы (Обзоры по электронной технике. Сер.7. Технология организация производства и оборудование. М.(ЦНРШИ "Электроника" 1971. Вып. 14 .35с.

9. Увеличение диаметра пластин и связанные с этим проблемы технологических процессов // Дэнси Дзайре. 1983. Vol.22. Р. 16-22 19.0гирима М. Установки для эпитаксиального выращивания // Дэнси Дзайре. - 1983. -V. 22 СВ. -Р.63-68.

10. Семенченко А.Н. Райнова Ю.П. Чистяков Ю.Д. Тенденции развития оборудования для газофазной эпитаксии кремния ( Сер.7. Технология. Организация производства и оборудование. М.( ЦНИИ "Электроника" 1989. Вып.8. 46 с.

11. Single-Wafer Epi Reaktor// SST. 1988. Vol.31.N 8. P.72.

12. First Automated Single Wafer Epi Reactor// Semicond. Int. 1988. Vol.ll,N6P.338.

13. Langer P.H. et al. Impurity Redistributions During Silicon Growth and Semiconductor Divice Proccesing // J. Electrochem. Soc. 1974. Vol.12, N14.P.563-571.

14. Langer P.H. et al. Boron Autodoping During Silan Epitaxy // J.Electrochem. Soc. 1977. Vol.124, N3. P.592-598

15. Технология СБИС / Под ред.С.Зи ч.1 М.: Мир. 1986. 405 с.

16. Hammond М. Epitaxial Selicon Reactor Technology - A Reviw, pt.II //SST. 1988.N5.P.159-164;

17. Diens J.L. et al. Extended Abstracts Electrochem. Soc. 1974. .Abstr. N

18. P.161-162. 28.0girima M. et al. Low Pressure Silicon Epitaxy // J.Electrochem. Soc. 1977. Vol.124, N 6. P.903-908.

19. Duchemin M.J.P. et al. Kinetics of Silicon Growth under Low Hydrogen Pressure//J.Elektrochem.Soc.-1978. Vol. 125, N 4. P.637-644.

20. Herring R.B. Advences in Reduced-Pressure Silicon Epitaxy // SST. 1979.N11.P.75-80.

21. I.Fischer S.V. et al. Reduced-Pressure Epitaxy in Induction Heating Vertical Reactor// SST. 1986. N 1. P. 107-112

22. Reif R. et al. A Model for Doping Incoфoration in situ Growth Silicon Epitaxial Films .P.S.Theory // J.Electrochem.Soc. 1979. Vol.126, N 4. P.644-653.

23. Bolzer C.O. Reduction of Autudoping // J.Electrochem.Soc. 1975. Vol.122, N 9. P.1705-1709.

24. Самойликов В.К. "Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС" докторская диссертация, Москва, МИЭТ 1996 . 420 с.

25. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Мн.: Навука i тэхшка. 1992. 240 с. Зб.Сигалов Э.Б. Волков Н.С. Установки ЭПИКВАР для эпитаксии кремния // Электрон, пром. 1989. N 11. 27-39.

26. Технические условия ЕТО.035.037 ТУ,

27. Стандарт SEMI М2-1296 STD,

29. Стандарт SEMI М17, F523, F80.

30. Bentini G., Correra L. Analysis of termal stresses induced in silicon during xenon arc lamp flash anneling // J. Appl. Phys 1983. Vol. 54, N

32. Bentini G., Correra L., Donalato C. Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Thermoelastic and Thermoplastic effects // J.Appl Phys 1984. Vol.56, N 10. P.2922-2929.

33. Akiyama N.,Inoue Y.,Suzuki T. Critical Radial Temperature Gradient g Slip Dislocations in Silicon Epitaxy Using Dual Heating of the Two Surfaces of a Wafer//Jap.J.Appl.Phys. 1986. Vol.25, N 11 P. 1619-1622.

34. Tu K.N.,AhnK.Y.,Herd S.R. Silicon films for arhival optical storage // Apll. Phys. Lett. 1981. Vol.39, N 11. P 927 - 92

35. Schroter W. Yeld point and dislocation mobility in silicon and germanium//J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54, N4 . P. 1816- 1820.

36. Демкин Н.Б. Фактическая площадь касания твердых поверхностей. М.( Изд-во АН СССР 1962. 111с.

37. Папков Н.С., Волков Ф.Ф., Панков B.C. Измерение неоднородности температурных полей подложек в эпитаксиальном реакторе // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып. 10. 83-87

38. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. // М.: Радио и связь. 1982. 239 с

39. Сажнев СВ., Тимофеев В.Н., Миркурбанов X. А. Расчет собственных напряжений в круглой двухслойной п/п пластине // Межвузовский сб. «Научные основы технологии материалов, приборов и систем электронной техники» . М.:- МГИЭТ. -2002.-С. 72-78

40. Сажнев СВ., Тимофеев В.Н., Миркурбанов X. А. Влияние закона распределения температуры по радиусу п/п пластины на размер зоны пластической деформации при высокотемпературном нагружении // Материаловедение , 2003, № 1.

41. Dyer L.D., Huff H.R., Boyd W.W. Plastic deformation in central regions of epitaxial silicon slices // J. Appl. Phys. 1971. V. 42, N 13. P.5680-5688

42. Lax M. Temperature tise induset by a laser beam // J Appl. Phys. 1977. Vol. 48, N8. P. 3919-3924..

43. Сигалов Э.Б Волков Н.С Иванов В.И. Подложкодержатели высокопроизводительных реакторов для эпитаксии кремния // Технология п/п приборов. Тал. Валгус 1982. С93-96

44. Сигалов Э.Б. Волков Н.С. Иванов В.И. Совершенствование подложкодержателей. // В сб. Физико-термическое оборуд. и автоматизация технол. процессов. Ч.З М.: ЦНИИ "Электроника" 1981.С.11-12.

45. Иванов В.И. Сигалов Э.Б. Костромин А.А. Подложкодержатель для газовой эпитаксии. // А.С. N 760547 СССР МКИ HOI 17/32. бО.Волков Н.С. Сигалов Э.Б. Иванов В.И. Устройство для термической обработки пластин. // А.С. N 93105 СССР МКИ HOI 21/00.

46. Волков Н.С. Сигалов Э.Б. Чумак В.Д. Установка наращивания эпитаксиальных слоев кремния УНЭС-150. Некоторые особенности горизонтального реактора. // В сб. Физико-термич. оборуд. и автоматизация технол. процессов. Ч.З. М.: ЦНИИ "Элктроника" 1981.С.6-8.

47. Способ химического осаждения пленок из парогазовой фазы и держатель используемый при этом способе. // Europen Patent Application n 0092435 AI.-20.04.83.

48. Sparks D.R., Dahlquist D.M. et al. A Comparison between Radiant and Induction Heated Epitaxial Reactors // SST. 1987. N 8. P. 101-104..

49. Тимошенко СП. Войковский-Кригер Пластины и оболочки. М.(Физматгиз 1963. 636 с

50. Каблуков А.Л. "Исследование однородности нагрева подложек в установках БТО" Тезисы доклада. Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 98" Москва 98 т. 1 с. 218

51. Самойликов В.К. Каблуков А.Л. "Исследование тепломассообмена в реакторах быстрой термической обработки кремниевых подложек" Труды конференции IV Минский международный форум "Тепломассообмен ММФ 2000" Минск 2000 т.4/12 с. 269-

52. Самойликов В.К., А.Л. Каблуков "Особенности тепломассообмена в реакторах быстрой термической обработки кремниевых подложек" Статья. Сборник научных трудов. МИЭТ 2000 г.

53. Самойликов В.К Теплообмен излучением и его использование в физико-термическом оборудовании /Учеб. пособие. РИО МИЭТ. М.: 1981.113 с.

54. Исаченко В.П. Осипова В.А. Сукомел А.С. Теплопередача. М.: Энергоиздат. 1981.417 с.

55. CENTURA ТМ" Applied Materials technical information 80."EPI CENTURA TM" Applied Materials technical information