Разработка и исследование толстопленочных и монолитных термочувствительных конденсаторов на основе Ba(Ti1-x Zr x )O3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Шишкарев, Виктор Вячеславович

• Шишкарев, Виктор Вячеславович
• кандидат технических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шишкарев, Виктор Вячеславович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОСОБЕННОСТИ ПРОИЗВОДСТВА И ПРИМЕНЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ И МОНОЛИТНЫХ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ НА ОСНОВЕ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ.

1.1. Использование емкостных структур в качестве термочувствительных/- элементов в электронной промышленности.

1.2. Особенности технологии производства толстопленочных и монолитных емкостных датчиков температуры.

1.3. Диэлектрические материалы, применяемые в термочувствительных конденсаторах.

1.4. Характеристики материалов для изготовления электродов термочувствительных керамических конденсаторов.

1.5. Способы защиты емкостных термочувствительных элементов от внешних воздействующих факторов.;.

2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ И МОНОЛИТНЫХ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Материалы, используемые для создания диэлектрического слоя исследуемых термочувствительных конденсаторов.

2.2. Свойства проводниковой пасты, используемой для создания электродов керамических термочувствительных конденсаторов.

2.3. Изготовление диэлектрических паст для- толстопленочных термоконденсаторов.

2.4. Схема технологического процесса изготовления толстопленочных термочувствительных конденсаторов.

2.5. Методы контроля параметров толстопленочных конденсаторов.

2.6. Методика изготовления монолитных конденсаторов.

2.7. Связь свойств термочувствительных элементов с процессами их формирования.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ.

3.1. Описание экспериментальной установки.

3.2. Контроль и измерэкие температур.

3.3. Зависимость диэлектрической проницаемости вожженного слоя толстопленочных конденсаторов от состава композиции и температуры вжигания.

3.4. Математическая модель диэлектрической проницаемости композиционного материала для толстопленочного конденсатора.

3.5. Зависимость емкости толстопленочных конденсаторов от температуры.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ МОНОЛИТНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ.

4.1. Определение структуры керамического материала.

4.2. Исследование электрофизических свойств монолитных конденсаторов.

4.3. Влияние состава на свойства керамик.

4.4. Статистическая модель температурной зависимости диэлектрической проницаемости для сегнетокерамических материалов.

4.5. Анализ погрешностей измерений.•.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование толстопленочных и монолитных термочувствительных конденсаторов на основе Ba(Ti1-x Zr x )O3»

Емкостные структуры на основе композиционных диэлектриков обладают рядом уникальных свойств, стимулирующих разработку новых материалов и совершенствование технологических процессов их получения. Особую популярность в электронной промышленности завоевали толстопленочные конденсаторы (ТПК) благодаря возможности их применения в технологии микросборок, высокой степени надежности вследствие отсутствия яаяных соединений [1, 2], а также относительно малой стоимости и простоты изготовления [3]. Для работы в высоковольтных электрических цепях существует необходимость использования монолитных конденсаторов с высокими значениями напряжений пробоя и удельного объемного сопротивления. Как свидетельствует мировой опыт, кроме использования толстопленочных и монолитных конденсаторов в качестве накопительных структур, они находят широкое применение и в качестве разнообразных сенсоров. Особый интерес представляют термочувствительные элементы (ТЧЭ), поскольку температура является одним из важнейших физических параметров [4, 5]. К примеру, толстопленочные термочувствительные элементы по сравнению с тонкопленочными и полупроводниковыми датчиками температуры отличаются меньшей стоимостью, а также возможностью быстрого изменения параметров до необходимых величин.

Одним из важных аспектов является технологическое управление свойствами емкостных структур, которые во многом определяются свойствами используемых для их производства материалов. Анализ существующей литературы по данной теме показывает, что повышение свойств конденсаторов может быть достигнуто, во-первых, применением для создания диэлектрического слоя композиционных материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, во-вторых, оптимизацией гранулометрического состава композиций.

Первое из этих направлений связано с разработкой новых керамических материалов с высокими электрофизическими параметрами. •Наиболее широкое применение для создания диэлектрического слоя конденсаторов находят твердые керамические перовскитоподобные соединения с добавками, улучшающими их свойства. В данном случае очень важной оказывается проблема экспериментального и теоретического исследования и моделирования структуры и их параметров в зависимости от стехиометрии состава и технологических условий получения. Причем повышение такой величины как диэлектрическая проницаемость керамики ведет к увеличению ТКЕ, что важно при использовании конденсатора как датчика температуры [1-3,6].

Второе направление связано с технологическими процессами получения исходных порошковых материалов различного состава и различной дисперсности, включающими криотермотехнологию и радиационно-термические воздействия [3, 6].

Таким образом задача разработки, исследования и моделирования параметров композиционных материалов и конденсаторов на их основе является актуальной, имеющей важное значение для твердотельной электроники и микроэлектроники.

Цель работы:

Разработка технологии и исследование свойств толстопленочных и монолитных конденсаторов на основе твердых сегнетоэлектрических растворов Ва(Иух2гх)0, с добавками ультрадисперсных MgNb206 и БЬр, с высокими диэлектрическими параметрами и термочувствительностью вблизи точки Кюри.

Для достижения указанной цели в работе решались следующие задачи:

1. Совершенствование технологии • изготовления толстых диэлектрических пленок и объемных конденсаторных образцов на основе керамического композиционного материала с высокой диэлектрической проницаемостью.

2. Отработка методов измерения параметров сегнетокерамики и конденсаторных образцов на ее основе.

3. Исследование электрических характеристик толстопленочных и монолитных конденсаторов в зависимости от температуры, частоты внешнего электрического поля и состава твердых растворов.

4. Моделирование температурной зависимости диэлектрических свойств сегнетоэлектрических композиционных материалов различной стехиометрии.

5. Выбор оптимального состава твердых растворов на основе Ва(ЛххХгх)Оъ с повышенной чувствительностью к температуре вблизи точки Кюри.

Научная новизна выполненной работы заключается в следующем:

1. Экспериментально найдены зависимости электрических свойств керамических композиционных твердых растворов от их состава и температуры.

2. Разработана математическая модель, позволяющая производить расчет диэлектрической проницаемости многофазных материалов с учетом процессов растворения наполнителя в стеклосвязующем.

3. Проведено математическое моделирование структурных фазовых переходов в сегнетоэлектрических твердых растворах, в результате чего определены параметры фазового перехода.

4. Рассчитаны теоретические значения диэлектрических •проницаемостей толстых пленок для ТПК при использовании композиционных сегнетокерамик на основе титаната-цирконата бария с высоким значением диэлектрической проницаемости, а также проведено сравнение расчетных и экспериментальных результатов.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработана технология получения сегнетоэлектрического композиционного материала с высокими диэлектрическими свойствами, обеспечивающая высокие показатели когезии и адгезии к подложке.

2. Разработана технология получения толстопленочных конденсаторов с использованием порошков высокой дисперсности.

3. Получены толстопленочные и монолитные конденсаторы на основе композиционных сегнетоэлектриков состава Ва{Л^^гх)Оъ с добавками ультрадисперсных ¿ЩМЬ 2Оь и .

4. Определены параметры термочувствительных толстопленочных и монолитных конденсаторов на основе твердого раствора Ва(Т1хх2гх)Оъ с добавками ультрадисперсных 1ЩМЬ2Оь и ЗЬр,.

5. Показана возможность использования толстопленочных и монолитных конденсаторов в качестве датчиков температуры.

В результате проведенных исследований на защиту выносятся следующие положения:

1. Исследуемые материалы на основе Ва{И{х2гх)0г со значением х=0.07-0.14 имеют точку Кюри, соответствующую максимуму диэлектрической проницаемости, близкую к комнатному диапазону температур 15-30Чс.

2. С увеличением концентрации циркония х точка фазового перехода смещается в область более низких температур, причем возможен расчет состава керамики для получения необходимого значения температуры Кюри.

3. Моделирование фазового перехода в сегнетоэлектрических твердых растворах позволяет определить константы, характеризующие диполь-дипольное взаимодействие, а также определить температурное положение точки фазового перехода.

4. На основе исследованных монолитных и толстопленочных конденсаторов можно получить датчики температуры с более высокими параметрами по сравнению с отечественными и зарубежными аналогами.

Апробация работы.

Основные положения диссертационной работы докладывались на: научно-технической конференции "Актуальные проблемы материаловедения в электронной технике" (Ставрополь, 1995); 5-ой научно-практической конференции молодых ученых Ульяновского государственного университета (Ульяновск, 1996); 3-й Российской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 1997); 4-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", , (Таганрог, 1997); 1-й научно-практической конференции "Формирование учебных умений в процессе реализации стандартов образования" (Ульяновск, 1997); 2-й научно-практической конференции "Формирование учебных умений в процессе реализации стандартов образования" (Ульяновск, 1998).

Методы исследования и достоверность результатов.

При выполнении работы использованы стандартные электрические методы исследования характеристик толстопленочных и объемных конденсаторов, а также рентгеноструктурные методы исследования композиционных керамик для ТПК. Измерения проводились с помощью стандартных электро-радиоизмерительных приборов и оборудования, погрешность измерения которых обеспечивает достоверность полученных в диссертационной работе результатов. Достоверность результатов диссертации основана также на согласовании теоретических расчетов, выполненных на основе предложенных моделей с использованием прикладных программ для ЭВМ, с результатами экспериментальных исследований.

В диссертационной работе изложены результаты работ, которые были выполнены автором лично и в соавторстве. В работах, выполненных автором в соавторстве, автор разрабатывал методики исследований, принимал участие 9 в изготовлении измерительных установок и оборудования, проводил теоретические расчеты и эксперименты, осуществлял обработку, анализ и обобщение получаемых результатов.

Основное содержание диссертации изложено в восьми публикациях, список которых приведен в конце работы. Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из четырех глав, выводов, приложения и списка литературы. Материал изложен на 155 страницах, содержит 41 рисунок, 16 таблиц, 186 наименований использованной литературы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Шишкарев, Виктор Вячеславович

На основании результатов контроля параметров ТПК были сделаны выводы о степени надежности ТПК, их пригодности использования как ТЧЭ, а также было сделано заключение о правильности выбора исходных материалов и технологии изготовления.

2.6. Методика изготовления монолитных конденсаторов

Для исследования структуры и свойств чистой керамики, применяемой в ТПК, были изготовлены монолитные термочувствительные конденсаторные образцы в виде таблеток. На рис. 2.6.1 показана их структурная схема. Диэлектрический слой конденсаторов изготавливался только на основе порошков керамики без использования как временных органических, так и постоянных неорганических связующих. В результате, при проведении исследований, мы непосредственно имели дело с гомогенной перовскитоподобной системой, исключалось наличие стеклосвязки и, как следствие, наличие такого производного компонента, как раствор керамики в стекле [118].

Для создания диэлектрического слоя монолитных термоконденсаторов были использованы 6 различных составов порошков керамики, процентное содержание компонентов которых приведено в таблице 2.6.1. Процесс изготовления образцов заключался в последовательном изготовлении диэлектрического слоя, верхних и нижних электродов. На рисунке 2.6.2 показана схема технологических процессов получения монолитных термоконденсаторов.

Первоначально исходные порошковые материалы проходили весовую дозировку. Для этого проводилось взвешивание на электронных весах ВЛ -Э134 с точностью до ±1 мг. Далее различные по процентному составу исходные порошки керамики прессовались в таблетки в стальной прессформе под нагрузкой 300-350 МПа с помощью настольного гидравлического пресса марки ПГН СЮ-0903. Начальный диаметр таблеток был равен 15 мм. Затем изготовленные образцы одновременно отжигались в электрической кварцевой печи при температуре 1150°С в течение 4 часов в воздушной атмосфере. В результате этого создавались одинаковые условия отжига для всех образцов. Всего было изготовлено 3 партии монолитных конденсаторов на основе керамик, указанных в таблице 2.6.1 составов. Далее отожженные образцы подвергались повторному взвешиванию. При помощи микрометра марки МК ГОСТ 6507-78 с точностью ±0.01 мм измерялись их диаметр и толщина с целью дальнейшего определения объемной доли пор в керамике методом объемно-массовых соотношений. После этого торцевая поверхность .таблеток шлифовалась мелкой наждачной бумагой до получения ровной гладкой поверхности. Затем повторно проводился промер диаметра и толщины образцов перед нанесением электродов.

Нанесение электродов на образцы в виде таблеток и их последующее вжигание проходило поочередно в два этапа. Для изготовления электродов использовалась та же проводниковая паста ПП-1, как и для ТПК. Паста наносилась на одну из поверхностей отшлифованной таблетки с последующими сушкой в течение 15+5 мин при температуре 125±5°С и

Рис. 2.6.1. Схема объемного керамического конденсатора, выполненного в виде таблеток. Цифрами обозначены: верхний электрод - 1; диэлектрический слой - 2; нижний электрод - 3.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шишкарев, Виктор Вячеславович, 1999 год

1. Зайцев Ю.В., Самсонов А.Т., Решетников Н.М. и др. Резисторные и конденсаторные микросборки. - М.: Радио и связь, 1991. 278 с.

2. Коледов Л.А. Технология и конструкция микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.: Радио и связь, 1989. 399 с.

3. Fu S., Chen. G. Low-temperature firing of Pb-containing TF-dielectrics // Active and Passive Electronic Components. 1987.- Vol 12, N. 4. - P. 281-290.

4. Основы температурных измерений / А.Н.Гордов, О.М. Жагулло, А.Г. Иванова. М.: Энергоатомиздат, 1992. 304 с.

5. Чистяков B.C. Краткий справочник по теплотехническим измерениям. М.: Энергоатомиздат, 1990. 320 с.

6. Материалы для толстопленочных конденсаторов БГИС. В.З.Петрова, В.А. Репин, А.И. Тельминов.// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1992. - N2. С.33-40.

7. Leppavuori S. et al. New thick-film sensors // Proceedings of the European Hybrid Microelectronics Conference, 1979, Ghent. Pijnaker, 1979. - P. 279-286.

8. Leppavuori S. et al. A. thick-film capacitive temperature sensor // Proceedings of the 28th Electric Components Conference IEEE, 1978, Anaheim. -New-York, 1978.-P. 47-50.

9. Stein S., Huang C., Bless P. New thick-film capacitor dielectrics // Solid State Technology. 1984. - Vol. 27, N. 10. - P. 213-222.

10. Соколовский В.P. Конструирование неорганических компонентов паст для толстопленочной технологии // Техника средств связи. Сер. "Технология производства и оборудование". -1998. Вып. 2. - С.21-35.

11. Аш Ж. и др. Датчики измерительных сйстем: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с франц. М.:Мир, 1992. 480 с.

12. Технология толстых и тонких пленок. / Ред. Рейсман А., Роуз К. -М.: Мир, 1972. С.247.

13. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М.: Энергия, 1976. 312 с.

14. Балкевич B.JI. Техническая керамика. М. :Стройиздат, 1984. 270 с.

15. Stan Michael, Cojacaru Florian, Miron Dumitru, Marinescu Radu. Possibilités for microwave sintering of technical ceramics materials. // Mater, constr. 1998. - 28, - N2. - P. 102-105.

16. Соколовский В.P., Стучебников B.M. Применение толстопленочных сенсорных структур // Тезисы докладов на Всесоюзной научно-технической конференции "Микроэлектроника в машиностроении" Ульяновск, 1990. -С.З.

17. Лизин А.И., Соколовский В.Р., Стучебников В.М. Воспроизводимость толстопленочных чувствительных элементов в датчиках измерительных информационных систем // Тезисы докладов конференции "Измерительные информационные системы" М.: 1989. - С. 167.

18. Соколовский В.Р., Стучебников В.М. Характеристики усовершенствованных толстопленочных сенсоров // Тезисы докладов на Всесоюзной научно-технической конференции "Микроэлектроника в машиностроении". Ульяновск. 1992. - С.28.

19. Brignell J.E., White N.M., Canny A.W. Sensor applications of thick-film technology /ЛЕЕ Proceedings. 1988. Vol. 135. № 4. P. 77 84.

20. Электрические конденсаторы и конденсаторные установки: Справочник/ Под ред. Г.С.Кучинского.-М.: Энергоатомиздат, 1987, с.470-472.

21. Prudenziati M., Morten В. Thick-Film Sensors: an Overvie. // Sensor and Actuators, 1986. N10. P. 65-82.

22. Li R.R., Berg G.P., Mast D.B. Cryogenics // Sensor and Actuators. -1992. -N32, P. 44.

23. Bowkley I.G. Improved, glass-ceramic, thick-film capacitors // Proceedings of Conference on Hybrid Microelectronics, 1973, Canterbury. -London, 1973. P. 47-55.

24. Пат. 4392180 США, МКИ С 04 В 35/46. Screenprintable dielectric composition / Nair K.M.; E.I. Du Pont de Nemours & Co. Опубл. 05.07.83.

25. Пат. 5006956, МКИ H 01 G 4/12, С 04 B35/46. Dielectric ceramic composition / Kawakita K. etc.; Matsushita Electric Industrial Co., Inc. Опубл. 09.04.91.

26. Fu S., Chen. G. Low-firing double-layered thick-film capacitor // IEEE Transactions on Components, Hibrids and Manufacturing technology. 1987. -Vol. 10, N. 4. - P. 672-675.

27. Проведение исследований с целью создания толстопленочных емкостных элементов на основе сикондов и стеклокерамики: Отчет о НИР / ГИРИКОНД, Г-4816, 1983.

28. Fu S., Chen. G. Low-firing' thick-film dielectrics in the system Pb (Fe2nWU2)x(Fe.l2Nbh2)0i6^TiQHO3-Bi2OJ Li20 11 American Ceramics Society Bulletin. -1987. Vol. 66, N.9. - P. 1397-1400.

29. Пат. 4772985 США, МКИ С 04 В 35/46. Thick-film capacitor / Yasumoto T. etc.; K.K. Toshiba. Опубл. 20.09.88.

30. Пат. 3996502 США, МКИ H 01 G 4/12. Thick-film capacitors/Bratschun W.R.; Zeinth Radio Corp. Опубл. 07.12.76.

31. Пат. 4377840 США, МКИ С 04 В 35/46. Screenprintable dielectric composition / Nair K.M.; E.I. Du pont de Nemours & Co. Опубл. 22.03.83.

32. A. с. 354482 СССР, МКИ H 01 G 13/00. Способ изготовления толстопленочеых конденсаторов / Барановский Я.Ф., Готра З.Ю., Данилов А.В. и др. Опубл. 28.02.72.

33. Bacher R. et al. Thick-film temperature-compensating capacitor dielectrics // Proceedings of 24th Electronic Components Conference, 1974, Washington. New-York, 1974.

34. Пат. 4283753 США, МКИ H 01 G 4/12. Low firing monolithic ceramic capacitor with high dielectric constant / Burn I.; Sprague Electric Co. Опубл. 11.08.81.

35. Пат. 3600652 США, МКИ Н 01 G 3/06. Electrical capacitor / Riley R. E.; Allen-Bredley Co. Опубл. 17.08.71.

36. Пат. 3683245 США, МКИ И 01 G 1/14. Hermetic printed capacitor / Bacher R.J. etc.; Du Pont de Nemours & Co. Опубл. 08.08.72.

37. Джичарадзе Н.Г., Ткемаладзе Ц.С. К вопросу о повышении удельной емкости толстопленочных конденсаторов гибридных интегральных схем. Тбилиси: НИИ приборостроения и автоматизации, 1972.

38. Таипов Р.А. Толстопленочные конденсаторы на основе сегнетоэлектрических многокомпонентных растворов // Сегнетоэлектрики. -Минск: Гос. пед. ин-т им Горького, 1986, С. 118-124.

39. Пат. 3305394 США, НКИ 427-79. Method of making a capacitor with a multilayered ferroelectric dielectric / Kaiser H.D.; IBM Corp. Опубл.21.02.67.

40. Пат. 3267342 США, НКИ 317-258. Electrical capacitor / Pratt C.R.; Corning Glass Works. Опубл. 16.08.66.

41. Пат.3437892 США, МКИ Н 01 Gl/01. Capacitor dielectric compositions and capacitors made therefrom / Hoffman L.C.; E.I. Du Pont de Nemours & Co. Опубл. 08.04.69.

42. Reiley T.C. et al. A low temperature firing thick-film capacitor material based on lead iron-niobate / tungstate // Materials Research Bulletin. 1984. - Vol. 19, N. 2 - P. 1543-1549.4?

43. Chang L.H., Anderson W.A. Single and multilayer ferroelectric Ba{ZrxTixx)03 (PZT) on ВаТЮг // Thin Solid Films. 1997. - Vol. 303, - N1-2. - P. 94-100.

44. Пат. 1149303 Великобритании, МКИ С 03 С 3/30. Dielectric compositions and their use / E.I. Du Pont de Nemours & Co. Опубл. 23.04.69.

45. Пат. 4220547 США, МКИ Н 01 В 3/12. Dielectric paste for thick-film capacitor / Abe K.; Hitachi Ltd. Опубл. 19.12.78.

46. Ермоленко Н.Н., Панов Л.И., Манченко З.Ф. и др. Стекловидные диэлектрики для толстопленочных конденсаторов // Химия и химическая технология. 1987. - Вып. 1. - С. 136-137.

47. Пат. 3666505 США, МКИ С 04 В 33/06/ High dielectric constant ceramic bodies and compositions for producting same comprising iron oxide / Lewie C. etc.; E.I. Du Pont de Nemours & Co. Опубл. 30.05.72.

48. Nagai Torie, Hwang Hae Jin, Yasuuoka Masaki, Sando Mutsuo, Niihara Koichi. Dielectric properties of Pb(Ti.Zr)03 dispersed MgO nanocomposite // Jap. J. Appl. Phys. Ptl. - 1998. - Vol. 37, N6A. - P. 3377-3481.

49. Пат. 3864159 США, МКИ P 01 G 1/00. Capazitor having glass-ceramics dielectric layer and method of manufakture / Field M. etc.; Owens-Illinois Inc. Опубл. 03.12.74.

50. Пат. 3852077 CILIA, МКИ С 03 С 3/22. Glasses, glass-ceramics and process for making same / Rapp J.E.; Owens-Illinois Inc. Опубл. 03.12.74.

51. Пат.3615757 США, МКИ С 04 В 33/00. Highdielectric constant niobate-titanate glass-ceramics articles / Herczog A., Layton M.; Corning Glass Works. Опубл. 26.10.71.

52. Kim Nam-Kyoung. Synthesis chemistry of MgNb206 and Pb(MgmNbm)03 // Mater Lett. 1997. - Vol. 32, - N2-3. - P. 127-130.

53. Икэгами Э. Материалы для гибридных ИС // Денси дзайре. Vol. 25, N. 4. - С. 85-90.

54. Abe К. et al. Development of thick-film capacitor and application for "hybrid circuits modules // Proceedings of the 29th Electronic Components Conference IEEE, Cherry Hill, 1979. New-York, 1979. - 1979. - P. 277-285.

55. Дацигер А.Я., Дудкина С.И., Куприянов М.Ф., Разумовская О.Н., Резниченко JI.A. Влияние числа компонентов сегнетоэлектрических твердых растворов на степень порядка // Изв. АН. Сер. физ. 1995. - т. 59, N9. - С. 8992.

56. Каменцев В.П., Педько Б.Б. Диаграмма "свойства-температура" в сегнетоэлектрических твердых растворах. // Междунар. научн.-¡тракт. конф. "Пьезотехника 97", Обнинск, 25-27 нояб., 1997: Сб. докл. - Обнинск, 1997. -'С. 277-279.

57. Редичкина Н.Б., Куприянов М.Ф., Дудек Ю., Абдулвахидов К.Г. Проблема порядка-беспорядка в сегнетоэлектрическом твердом растворе на основе системы PbZrxxTiхОг. II Изв. АН. Сер. физ. т. 59. - N9. - 1995. - С. 8588.

58. Стефанович С.Ю., Мосупов A.B., Сигаев В.Н., Мамонов А.Б., Буш A.A. Сегнетоэлектрические твердые растворы и композиты на гетеровалентных замещениях в LaBSiO,. // Ж. неорг. химии. 1998. - т. 43. -N7. - 1998. - С.1096-1099.

59. Yoo I.K. et al. Electrical conduction mechanisms of barium titanate based thick-film capacitors // IEEE Transactions on Components, Hibrids and Manufacturing technology. 1987. - Vol. 10, N. 2. - P. 274-282.

60. Пат. 4530031 США, МКИ H ol G 4/12. Dielectric composition / Donohue P.C.; E.I. Du Pont de Nemours & Co. Опубл. 16.07.85.

61. Пат. 4386387 США, МКИ Н 01 G 4/12. Low temperature sinterable porcelain composition / Tanei H. etc.; Hitachi Ltd. Опубл. 31.05.85.

62. Пат. 57-130753 Японии, МКИ Н 01 G '4/12. Способ изготовления толстопленочного конденсатора / Тосаку М. и др.; Мацусита дэнки санге К.К. Опубл. 05.08.82.

63. Ikegami A., Arima H., Abe K. Thick-film capacitor material of the powder-glass binary systems and their dielectric properties // Proceedings of the European Hybrid Microelectronics Conference, 1979, Ghent. Pijnacker, 1979. -P. 271-278.

64. Пат. 3679943 США, МКИ H 01 G 3/06. Capacitor assembly having electrode and dielectrics layers overlapped for sealing / Bergmann M.J. Du Pont de Nemours & Co. Опубл. 25.07.72.

65. Пат. 3878443 США, НКИ 317-258. Electrical capacitors / Bowkley I.G.; E. R. A. Patents Ltd. Опубл. 19.08.75.

66. Isert H. Gedruckte Kondensatoren in Dickschichttechnik // Feinwerktechnik+Messtechnik. 1975. - Bd 83, N4. - S. 173-178.

67. Lichteneker K., Rother K. Die Herleitung des logarithmischen Mischungsgesetzes des allgemeinen Prinzipien der stationare Stromung // Physikalische Zeitschrift. 1931, Bd 32, N6. - S. 3255-3267.

68. Дмитриев M.B. Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрическую проницаемость стеклокерамики. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1997. - N4. - С. 34-38.

69. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: ГИТТЛ, 1957. 532 с.

70. Дмитриев М.В. Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1998. - N1. - С. 39-43.

71. Соколовский В.Р., Цыкало А.Л., Панов Л.И. Диэлектрическая проницаемость стеклокристаллических толстых пленок // Техника средств связи. Сер. "Технология производства и оборудование". Вып. 3 (10). 1980 -С. 47-52.

72. Wang Y.G., Kleeman W., Dec J., Zhong W.L. Dielectric properties of doped quantum paraelectrics // Europhys. Lett. 1998. - 42, N2. - P. 173-178.

73. Morrison Finlay D., Sinclair Derek C., Skahle Janet M.S., West Anthony R. Novel doping mechanism for very-high-permittivity barium titanate ceramics // J. Amer. Ceram. Soc. 1998. - 81, N7. - P. 1957-1960.

74. Jing Zhi, Aug Chen, Yu Zhi, Vilarinho P.M., Baptista J.L. Dielectrics properties of Ba{Ti,yYу)Оъ ceramics // J. Appl. Phys. 1998. - 84, N2. - P.983-986.

75. Yao Kui, Zhu Weiguang, Yao Xi. Thick-film capacitors prepared from sol-gel derived barium titanate glass-ceramics // J. Korean Phys. Soc. 1998. - 32, N febr., Pt3, Suppl. - P. SI 172-S1175.

76. Zhu W., Wang C.C., Akbar S.A., Asiaie R. Fast-sintering of hydrothermally synthesized BaTiO, powders and their dielectric properties // J. Mater. Sci. 1997. - 32, - N16. - P. 4303-4307.

77. Kundu T.R., Charkravorty D. Nanocomposites of lead-circonate-titanate glass ceramics and metallie // Appl. Phys. Lett. N18. - 67, - 1995. - P. - 27322734.

78. Пат. 3787219 США, МКИ С 03 С 3/22. СаТЮ3 crystallizable glass dielectric compositions / Amin R.B.; E. I. Du Pont de Nemours & Co. - Опубл. 22.01.74.

79. Куббот Т. Стекла, применяемые для изготовления толстопленочных диэлектриков // Дэнси дзайре. 1969. - Vol. 8, N9. - С. 80-85.

80. Пат. 3679440 США, МКИ С 04 В 35/00. High-K dielectric materials / Mason D.W. etc.; Owens-Illions Inc. Опубл. 25.07.72.

81. Пат. 3968412 США, МКИ Н 01 G 4/12. Thick-film capacitor / Girard R. T. et al.; General Electric Co. Опубл. 06.07.76. '

82. Пат. 4061584 США, МКИ Н 01 G 4/12. High dielectric constant inks for thick-film capacitors / Girard R. Т., Rice G.A.; General Electric Co. Опубл. 06.12.77.

83. Пат. 55-26608 Японии, МКИ Н 01 G 4/08. Диэлектрическая паста для толстопленочных конденсаторов / Иосино И., Икэгами А.; Хэтати сэйсакусе. Опубл. 15.07.80.

84. Пат. 4308571 США, МКИ Н 01 G 4/12. Low temperature sinterable dielectric composition and thick-film capacitor using the same / Tanei H. etc.; Hitachi Ltd. Опубл. 11.08.81.

85. Zheinping W., Shiying Z. No lead low fired multilayered ceramic capacitor (MLC) dielectric material // Proceedings of 37th Electronic Components Conference IEEE, Boston, 1987. New-York, 1987. - P. 413-419.

86. Пат. 3293077 США, НКИ 427-79. Microelectronic capacitor material and method of fabrication / Kaiser H.D. et al.; IBM Corp. 20.12.66.

87. Aggarwal S., Dhote A.M., Ramesh R., Warren W.L. Histeresis relaxation in (Pb, La)(ZrTiOъ) thin film capacitors with (¿а,8г)Со03 electrodes // Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol. 69, N17. - P. 2540-2542.

88. Яффе В., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М. Мир,1974.

89. Пат. 3582729 США, МКИ Н 01 G 3/06/ Thick-film capacitors and method of forming / Girard R. Т., Rice G.A.; General Electric Co. Опубл. 04.06.71.

90. Ostwald R., Bogenschutz A.F. NDK-Kondensatoren in Dickfilmtechnik // Wissenschaftliche Berichte AEK-Telefunken. 1976. - Bd 49, N 1-2. - S. 66-71.

91. Пат. 3495996 США, МКИ С 04 В 35/00. Ceramic composition, improved electronic devices employing same, and method of fabrication / Daleney R.A. etc.; IBM Corp. Опубл. 17.02.70.

92. Tradeau M.J. Les dielectriques en verre ceramise // L'Onde Electrique. -1974. Vol. 54, N. 8. - P. 393-398.

93. Пат. 251851 ГДР, МКИ H 01 G 4/10. Paste fur die Herstellung gedruckter Kondensatoren / Geseman H., Krawietz M., Schaffrath W.; Akademie der Wissenschaften der DDR. Опубл. 25.11.87.

94. Chiou В. Development of temperature-stable thick-film dielectrics: 2. Medium-K dielectrics // IEEE Transactions on Components, Hibrids and Manufacturing technology. 1989. - Vol. 12. N. 4. - P. 798-810.

95. Kumar D. et al. Dielectric and microstructural behavior of ВаТЮъ sintered in the presence of a crystallizable glass // Journal of Materials Science. Letters. 1989. - Vol. 8, N. 6, - P.652-654.

96. Fugiel В., Meirzwa M. Dielectric properties of triglycine selenate ferroelectric near the phasetransition temperature. 1998.- Vol. 57, - N2. - P.777-782.

97. Пат. 3999994 США, МКИ С 03 С 3/22. Glass ceramics / Rapp J.E. Owens-Illinois Inc. Опубл. 28.12.76.

98. Пат. 4017317 США, МКИ С 03 С 3/22. Glass ceramics and process for making same / Rapp J.E. Owens-Illinois Inc. Опубл. 12.04.77.

99. Пат. 3812688 США, МКИ С03 В 23/20. Frit capacitor and method for obtainig the dielectric constant thereof / Asher J.W., Herczog A.; Corning Glass Works. Опубл. 28.05.74.

100. Kokubo T. Preparation and properties of glass ceramics containing ferroelectric crystalls // Bulletin of the Institute for Chemical Research. Kyoto University. 1969. - Vol. 47, N. 6. - P. 553-571.

101. Тельминов А.И., Козлова E.E., Репин В.А. Исследование области стеклообразования в системе Ba0-B203-Si02 II Физико-химические основы технологии микроэлектроники: Межвузовский сборник. М.: МИЭТ, 1991, С. 156-158.

102. А.с. 1227605 СССР, МКИ Н 01 G 13/00. Стекло для герметизации толстопленочных конденсаторов. / Немкович И.К., Невар О.В., Шамкалович В.И. и др. Опубл. в Б.И., 1986, №. 16. С. 7.

103. Пат. 56-28219 Японии, МКИ Н 01 G 4/12. Способ покрытия стеклом толстопленочных конденсаторов / Икэгами А. Хитати сисакуси -Опубл. 25.07.77.

104. А. с. 1168000 СССР, кл. Н 01 G 4/08. Диэлектрический материал для толстопленочных конденсаторов. Л.И. Панов, Н.Н. Ермоленко, В.Р. Соколовский, и др., 1985.

105. Пасты диэлектрические конденсаторные. Технические условия. ЕТО 0.032.509 ТУ. 1988. - С.26.

106. Медведь О.Е., Степанова И.П., Румянцева Н.А. и др. Материалы для толстопленочной технологии // Сер. "Материалы, технологические процессы и оборудование". М.: Информприбор. - 1988. - С. 1 - 7.

107. Леманов В.В., Смирнова Е.П., Тараканов Е.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов 8гТЮъ-РЪТЮъ II ФТТ. -1997. -т. 39, N4. -С.714- 717.

108. Wu Т.В., Wu G.M., Chen M.L. Higly insulate Ва{2гхТцх)Ог thin films prepared by rf magnetron sputtering for dynamic random acces memory application//Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol. 69, N18. - P. 2659-2661.

109. Du Xianofeng, Chen J.-Wei. Fatigque of РЬ{2гй5ЪВйА1)Оъ ferroelectric thin films. // J. Appl. Phys. 1998. - Vol. 83, - N12. - 7789-7798.

110. Damjanovie Dragan. Ferroelectric dielectric and piezoelectric properties of ferroelectric thin film and ceramics. // Repts. Progr. Phys. 1998. -Vol. 61, - N9. - 1267-1324.

111. Joo Jae-Hyun, Seou Jeong-Min, Jeon Yoo-Chan, Oh Ki-Young, Roh Jae-Sung, Kim Jae-Jeong, Choi Jin-Tae. Investigation of ruthenium electrodes iBa,Sr)Ti03 thin films // Jap. J. Appl. Phys. Ptl. 1998. - Vol. 37, N6A. - P. 33963401.

112. Бондаренко Е.И., Тополов В.Ю., "Турук A.B. Внутренние механические напряжения и электрический пробой поликристаллического титаната бария // Ж. техн. физ. 1992. - т. 62, N3. - С. 155-158.

113. Палатник JI.С. и др. Поры в пленках. М.: Энергоиздат, 1982. 178

114. Масленникова Г.Н., Мамаладзе Р.А., С. Мидзута, К. Коумото. Керамические материалы. / Под ред. Масленниковой Г.Н. М.: Стройиздат, 1991.320 с.

115. Mishra S.K., Pandey Dhananjai. Effect of particle size on the ferroelectric behavior of tetragonal and rhombohedral PbZrxTi{xO3. // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. - N7. - P. 9287-9303.

116. Van Dover R.B., Schneemeyer L.F., Fleming R.M. Discovery of a useful thin-film dielectric using a composition-spread approach. // Nature (Gr. Brit.). 1992. - N6672. - P. 162-164.

117. Сосновский А.Г., Столярова Н.И. Измерение температур. М.: Издательство стандартов, 1970. 244 с.

118. White N.M., Canny A.W. Design and Fabrication of Thick Film Sensors // Hybrid Circuits. 1987. №12. P.32 35.

119. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Вольтметр универсальный В7-46/1. 1990. - Ч. 1-2.

120. Фуралеева К.И., Прутченко С.Г., Политова Е.Д. Твердые растворы Ва{Т1,хРЬх)Оъ II Неорган, матер. 1998. - т. 34, N7. - С. 870-873.

121. El-Ati M.J. Thermal velocity and relaxation time in ferroelectric ceramic barium titanate // Appl. Phys. Commun. 1994. - Vol. 13, N2 - P. 89-99.

122. Lai Chun-Hung, Lu Yuh-Yih, Tseng Tseung-Yuen. Calculations and modeluing of grain-boundary acceptor states for (Ва,РЬ)ТЮг positive temperasture coefficient ceramics // J. Appl. Phys. 1993. - Vol. 74, N5 - P. 3383-3388.

123. Pertsev N.A., Arit G. Forced tranlational vibrations of 90° domain walls and the dielectric dispersion in ferroelectric ceramics // J. Appl. Phys. 1993. -Vol. 74, N6. - P. 4105-4112.

124. Ravel В., Stern E.A. Local disorder and near edge structure in titanate perovskites // Physica B. 1995. - N1-4. - 1995. - P 316-318.

125. Kuwabara M., Matsuda H. Shift of the Curie point of barium titanate ceramics with sintering temperature. 1997. - Vol. 80, - N10. - P. 2590-2596.

126. Шиманский А.Ф. Влияние нестехиометрии на рост зерен титаната бария, легированного лантаном // Ж. физ. химии. 1997. - т. 71, - N7. - С. 1324-1327.

127. Liou Jih-Wei, Chiou Bi-Shiou. Effect of direct-current biasing on the dielectric properties of barium strontium titanate // J. Amer. Ceram. Soc. 1997. -Vol. 80, N12.-P. 3093-3099.

128. Новиков В.В., Тарковская JI.H., Тризна Ю.П. и др. Диэлектрические свойства наполненного стеклокерамического материала. // Инж.-физ. журн. Минск. - 1990. - т. 29, N6. - С. 962-968.

129. Дмитриев М.В. Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1998. - N2. - С. 43-47.

130. Витязь П.А., Канцевич В.М., Косторнов А.Г. и др. Формирование структуры и свойств пористых порошковых материалов. М.: Металлургия. -1993. - 240 с.

131. Шишкарев В.В., Соколовский В.Р. Простая модель расчета диэлектрической проницаемости композиционного материала в толстопленочном конденсаторе // Сб. "Твердотельная электроника." / Под. ред. С.В.Булярского. Ульяновск: Изд-во СВНЦ. 1996. С.154-160.

132. Томашпольский Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики. М.: Радио и связь. 1984. 193 с.

133. Хотченков А.Г., Турин Д.В., Богданов A.M. Температурный гистерезис в сегнетоэлектриках в модели Фрицберга-Ролова. Смол. гос. пед. ин-т. Смоленск, 1998. - С.4.

134. Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев J1.H. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. Учеб. пособие для вузов. 3-е изд. доп. и перераб. - М.: МИСИС. - 1994. - С.328.

135. Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Индицирование рентгенограмм: Справ, рук-во. М.: Наука. - 1981. - 496 с.

136. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М. : Энергоиздат, 1982.

137. Смоленский Г.А., Исупов В.А., Пасынков Р.Е. и др. Физика £егнетоэлектрических явлений. / Отв. ред. Смоленский Г.А. Л.: Наука. Ленингр. отд-ние. 1985. 396 с.

138. Рудяк В.М. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики.Сб. научн. трудов.: Твер. гос. ун-т. Тверь, 1993. - С. 168.

139. Bidaulf О., Goux P., Kchikech М., Belkaumi М., Maglione М. Spacecharge relaxation in perovskites // Phys. Rev. 1994. - .Vol. 49, N12. - P. 78687873.

140. Шишкарев В.В., Булярский С.В., Соколовский В.Р. Сегнетоэлектрический композиционный материал для конденсаторных толстых пленок. // Известия вузов. Электроника. N5. 1999. С. 21-26.

141. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. / Пер. с англ. под ред. Леманова В.В., Смоленского Г.А. М.: Мир. - 1981. - 736 с.

142. Потапов А.А., Мецик М.С. Диэлектрическая поляризация. -Иркутск.: Изд-во Иркут. ун-та. 1986. 283 с.

143. Гиргель С.С., Шабловский Я.О. Воздействие электрического поля на фазовые переходы в кристаллах // Ж. физ. химии. 1997. - т. 71, - N10. - С. 1767-1769.

144. Сканави Г.И. Диэлектрическая поляризация и потери в стеклах и керамических материалах с высокой диэлектрической проницаемостью. М.-Л.: Госэнергоиздат. 1952. 175 с.

145. Константинов Г.М. Богосова Я.Б. Абдулвахидов К.Г., Куприянов М.Ф. Изменения структуры сегнетокерамики на основе ЦТС, обладающей стеклодипольным состоянием под влиянием электрического поля // Изв. АН. Сер. физ. 1995. - т. 59. - N9. - С. 89-92.

146. Ferreira G.F. Incorporating susceptibility changes in a general thermally-stimulated polarization process // J. Appl. Phys. 1992. - Vol. 72, N1. -P.290-301.

147. Толпыго К.Б. Высокочастотная диэлектрическая проницаемость титаната бария // Физ. тв. тела (С-Петербург). 1992. - т. 34, N12. - С. 36233627.

148. Sandru Liana A. The structure, dielectric and ferroelectric properties of some ceramic materials // Stud, si cerc. fiz. 1992. - Vol. 44, N7. - P.637-688.

149. Buessen W.R., Cross L.E., Goswami A.K. Phenomenological theory of high permittivity in fine-grained barium titanate // J. Amer. Ceram. Soc. 1992. -Vol. 75, N11. - P. 2923-2926.

150. Sun Hongtao, Zhang Liangying, Yao Xi. Calculation of ultraslow dielectric relaxation of doped BaTiO, ceramics // J. Amer. Ceram. Soc. 1992. -Vol. 75, N9 - P.2379-2382.

151. Munch W., Seifert G., Kreuer K.D., Majer J. A quantum molecular dynamics study of the cubic phase of BaTiO, and BaZrO3 // Solid State Commun. -1997. Vol. 97, N1-4. - P. 39-44.

152. Захарченко И.Н., Радченко М.Г., Сапожников JI.A., Свиридов Е.В., Дудкевич В.П. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических пленках с размытым структурным совершенством // Кристаллография. 1998. - т. 43, N1.-C. 131-133.

153. Hagenbeck R., Waser R. Simulation of electrical properties of grain boundaries in titanate ceramics // Ges. phys. Chem. 1997. - Bd. 101, - N9. P.1238-1241.

154. Girshberg Yakov, Yacoby Yizhak. Ferroelectric phase transitions in perovskites with off-center ion displacements // Solid State Commun. 1997. -Vol. 103, -N7. -P.425-430.

155. Li Xiaoping, Shih Wei-Heng. Size effects in barium titanate particles and clusters // J. Amer. Ceram. Soc. 1997. - Vol. 80, N11. - P. 2844-2852.

156. Hu Hong-Liang, Chen Long-Qing. Three-dimensional computer simulation of ferroelectric domain formation // J. Amer. Ceram. Soc. 1998. - Vol. 81, N3. - P. 492-500.

157. Энтин M.B. Высокочастотная диэлектрическая проницаемость модельной двумерно-разупорядоченной среды. /'/' Ж. эксперим. и теор. физ. -1998.-т. 114, N2.-С. 669-675.

158. Yu K.W. Mean field theory for lossy nonlinear composites. // Solid State Commun. 1998. - Vol. 105, N11. -P. 689-693.

159. Jano Yoshihiko, Terashima Takahito, Bando Yoshichika. Ferroelectric phase transition in BaTiO, films. // J. Cryst. Growth. 1995. - Vol. 150. - N1-4. - P. 1090-1093.

160. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика: Статистическая физика (классическая и квантовая). М.-Л., Гостехиздат, 1951, т.4.

161. Ролов Б.Н., Юркевич В.Э. Физика размытых фазовых переходов. Издательство Ростовского университета, 1983, 320 с.

162. Биндер К., Хеерман Д.В. Моделирование методом Монте-Карло в статистической физике: Введение: Пер. с англ. Задкова В.Н. М.:Наука. Физматлит, 1995, 144 с.

163. Wang C.L., Smith S.R. Phase transition properties of a ferroelectric superlattice from the transverse Ising model // J. Korean Phys. Soc. 1998. - 32, N febr., Ptl, Suppl. - P. S382-S385.

164. Zhou J.H., Yang C.Z. Curie temperature of a ferroelectric superlattice discribed by the transverse Ising model // Solid State Commun. 1997. - Vol. 101, N8. - P. 639-642.

165. Холоденко JI.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария. Под. ред. Ролова Б.Н. Рига.: "Зинатне", 1971. 227 с.

166. Basantakumar Sharma Н., Mansingh Abhai. Phase transition in sol-gel-derived barium titanate thin films. // J. Phys. D. 1998. - Vol. 31, - N13. - P.1527-1533.

167. Hsiang Hsing 1., Yen Fu-Su. Dielectric properties and ferroelectric domain of ВаТЮъ powders // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. - 1993. - Vol. 32, N11A. - P. 5029-5035.

168. Батанова Н.Л., Голенищев-Кутузов A.B. Инвертированные домены в сегнетоэлектриках // Вестн. МЭИ. 1997. - N4. - С. 63-65.

169. Kim In-Tae, Jang Jin Wook, Youn Hyuk-Joon, Kim Chang Hoon, Hong Kud Sun. 180° ferroelectric domains in polycrystalline ВаТЮ3 thin film // Appl. Phys. Lett. 1998. - Vol. 72, N3. - P. 308-310.

170. Shur Vladimir, Rumyantsev Evgenii. Arising and evolution of the domain structure in ferroics // J. Korean Phys. Soc. 1998. - Vol. 32, N febr., Pt2, Suppl. - P. S711-S714.

171. Waser Rainer, Hoffman Susanne. Microstructure property relationships of (Bci.Sr)TiO3 // J. Korean Phys. Soc. - 1998. - Vol. 32, N febr., Pt4, Suppl. - P. S1340-S1343.

172. Кэмпион П.Дж., Барнс Д.Е., Вильяме А. Практическое руководство по представлению результатов измерений. М.: Атомиздат. 1979. 72 с.

173. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Измеритель иммитанса Е7-14. 1992. - Ч. 1-2.

174. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Измеритель иммитанса Е7-12. 1990. - Ч. 1-2.

175. Зельдович Я.Б Мышкис А.Д. Элементы прикладной математики. М.: Наука. 1977. 640 с.