Разработка нанокомпозитных структур в системе Si/SiO2 для формирования элементов устройств вычислительной техники и систем управления тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Стройков, Илья Игоревич

• Стройков, Илья Игоревич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Стройков, Илья Игоревич

ВВЕДЕНИЕ.

ПРЕДСТАВЛЕННЫЕ В ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ПОЛУЧЕНЫ ЛИБО ЛИЧНО СОИСКАТЕЛЕМ, ЛИБО ПРИ ЕГО НЕПОСРЕДСТВЕННОМ УЧАСТИИ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ОСНОВНЫХ СВОЙСТВ И МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ИХ ПОЛУЧЕНИЯ.

1.1 Общие положения.

1.2 Проектирование элементов вычислительной техники и систем управления на основе наноэлектроники.

1.3 Получение и свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния.

1.4 Методы синтеза свойства нанокомпозитов на основе микропорошков.

1.5 Другие методы получения нанокомпозитов на основе кластеров кремния и электрофизические свойства полученных структур.

1.6 Применение редкоземельных элементов в квантовой электронике.

ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОКОМПОЗИТНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ МЕХАНОСИНТЕЗА

2.1. Получение микропорошков кремния и фосфатных стекол.

2.2. Формирование нанокомпозитных пленок на кремниевых подложках.

2.3. Исследование электрофизических свойств полученных пленок.

2.3.1. Структурные особенности пленок нанокомпозитов.

2.3.2. Вольт — фарадные характеристики.

2.3.3. Вольт — амперные характеристики.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ.

3.1 Формирование люминесцентных нанокристаллов Si встроенных в Si/Si02 сверхрешетку с помощью эксимерного лазерного излучения.

3.1.1 Методика эксперимента.

3.1.2 Обработка результатов эксперимента.

3.2 Световая эмиссия от Si нанокластеров (нкл) сформированных при низкой температуре.

3.2.1 Методика эксперимента.

3.2.2 Обработка результатов эксперимента.

3.3 Контроль фотолюминесцентных свойств кремниевых нанокристаллов с помощью легирования п- и р-типа примесей.

3.3.1 Методика эксперимента.

3.3.2 Обработка результатов эксперимента.

3.4 Влияние размеров Si-нкл на активизацию ионов Ег.

3.4.1 Методика эксперимента.

3.4.2 Обработка результатов эксперимента.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УГЛЕРОДО СОДЕРЖАЩИХ ВЕЩЕСТВ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ.

4.1 Влияние фуллеренов на фотолюминесценцию пористого кремния.

4.1.1 Методика изготовления слоев por-Si и измерений.

4.1.2 Обработка результатов измерений.

4.2 Обработка результатов других исследований углеродосодержащих веществ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка нанокомпозитных структур в системе Si/SiO2 для формирования элементов устройств вычислительной техники и систем управления»

Разработка научных основ создания и исследования общих свойств и принципов функционирования элементов, схем и устройств вычислительной техники и систем управления на данный момент является актуальной задачей.

Применение в электронике нанообъектов, таких как наночастицы, квантовые точки, квантовые ямы, углеродные нанотрубки и других позволяет говорить о новом этапе миниатюризации устройств вычислительной техники и систем управления - переходе от интегральных микросхем к интегральным наносхемам. Исследователи из различных стран мира создают новые типы электронных элементов со сверхмалыми размерами, которые и составят в ближайшем будущем элементную базу вычислительной техники.

Сегодня монокристаллический кремний (а в некоторых случаях поликристаллический, аморфный, пористый) является основным материалом микроэлектроники, и в прогнозируемом будущем этот материал представляет большой интерес для развиваемого нового направления, основанного на использовании эффектов размерного квантования. Однако с первых шагов становления нового направления было очевидно, что физические особенности кремния в ряде случаев ограничивают области его применения, в частности, в фотоэлектронике в силу того, что, например, вероятность излучательной рекомбинации в нем низка из-за существующего запрета на прямые переходы носителей в процессе рекомбинации. В дальнейшем оказалось, что новые подходы к созданию структур, в том числе квантово-размерных, на кремнии позволяют преодолеть эту трудность и резко расширяют возможности его применеиия в фотоэлектронике. Развитые к настоящему времени технологические подходы к созданию малоразмерных структур позволили реализовать квантово-размерные структуры. Кроме того, разумеется, возникли и новые технологические подходы. Для создания наноэлектронных приборов и устройств на сегодняшний день используют достаточно хорошо разработанные в рамках технологии микроэлектроники процессы, такие как молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), осаждение из газовой фазы (chemical vapor deposition, CVD), а также ионный синтез. При этом во всех указанных процессах рассматривается явление самоорганизации с формированием наноразмерных элементов, включая пространственно упорядоченные. Последнее направление представляется одним из наиболее перспективных, однако степень разработки непосредственно технологических подходов и их теоретического осмысления является в настоящее время недостаточной.

Нанокомпозиты - новые материалы, потенциально обладающие уникальным набором свойств, не встречающихся ни у одного природного материала. Принципиальное отличие НК от других композитов состоит в высокой однородности свойств, обеспеченной аморфностью матрицы и наноразмерами формируемых в ней частиц.

Научный интерес к нанокомпозитным структурам и материалам связан, прежде всего, с ожиданием различных свойств размерных эффектов наночастиц или наноструктур, размеры которых соизмеримы или меньше, чем характерный корреляционный масштаб того или иного физического явления или характерная длина, фигурирующие в теоретическом описании какого-либо свойства или процесса (например, длина свободного пробега электронов, дебройлевская длина волны, размер магнитного домена в ферромагнетиках и пр.).

Следует отметить, что уменьшение размеров функциональных устройств современной электроники привело к ряду проблем, которые связаны не только с технологическими ограничениями, но и с тем, что при этом «включаются» новые физические явления, характерные для наномира. При работе электронных приборов малых размеров определяющими становятся квантовые размерные эффекты. Это дает преимущества — открываются огромные возможности при разработке 5 сверхминиатюрных транзисторов, ячеек памяти, датчиков магнитных и электрических полей.

Наиболее выдающимся ученым в области наноэлектроники является академик Леонид Келдыш, который в 1962 году опубликовал первые теоретические работы, подтверждающие перспективность применения периодических полупроводниковых наноструктур для электроники и оптоэлектроники. Также стоит отметить исследования А. И. Гусева, посвященные микроструктуре компактных нанокристаллических материалов, Ремпеля А. А. - специалиста в области физико-химии керамических материалов, С. П. Зимина чьи исследования направлены на изучение структуры и свойств пористого кремния. Стоит также отметить существенный вклад в развитие различных направлений наноэлектронных технологий (кремниевая одноэлеткроника, квантово-размерные структуры Si-Ge, фуллереновые соединения и т.д.) таких исследователей как, А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, X. Мацуока, С. Кимура, М. Я Валах, Н. Н. Леденцов, Д. Валента, Н. Лалич, Сресели О. М. и др. ,

Проблема получения тонкодисперсных порошков металлов, сплавов, соединений и сверхмелкозернистых материалов из них, предназначенных для различных областей техники, является актуальной на данный момент. В последнее десятилетие интерес к этой теме существенно возрос, так как обнаружилось, что уменьшение размера частиц материала ниже некоторой пороговой величины может приводить к значительному изменению свойств. Такие эффекты появляются, когда средний размер кристаллических зерен не превышает 100 нм, и наиболее отчетливо наблюдаются, когда размер зерен менее 10 нм.

Нанокристаллические материалы представляют собой особое состояние конденсированного вещества — макроскопические ансамбли ультрамалых частиц с размерами до нескольких нанометров. Необычные свойства этих материалов обусловлены как особенностями отдельных частиц (кристаллитов), так и их коллективным поведением, зависящим от характера взаимодействия между наночастицами.

Наночастицы и нанослои широко применяются в производстве современных микроэлектронных, оптоэлектронных устройств а также систем управления, в число которых входят элементы памяти сенсоры, датчики, светодиоды, цветные дисплеи и тд., что говорит об актуальности данной темы.

Цель работы.

Целью настоящей работы явилось получение и исследование нанокомпозитных структур в системе Б1/8Ю2 для формирования элементной базы устройств вычислительной техники и систем управления.

Основные задачи исследования:

1. Построить и экспериментально отработать новую технологию получения нанокомпозитных структур на кремниевых подложках на основе механосинтеза для разработки современных наноэлектронных устройств.

2. Исследовать нанокомпозитные структуры на поверхности кремниевых подложек, полученных с помощью новой технологии, показывая возможность их использования в наноэлектронных элементах и устройствах вычислительной техники и системах управления.

3. Исследовать влияние температуры отжига на скорость зародышеобразования и скорость роста нанокластеров.

4. Достичь стабилизации люминесцентных свойств пористого кремния, для дальнейшего его использования при создании наноэлектронных устройств вычислительной техники и систем управления.

Научная новизна.

1. Установлено, что изменения стандартных вольт - фарадных и вольт - амперных характеристик, образцов полученных с помощью разработанного метода, связаны с перезарядкой нанокристаллов кремния, встроенных в пленку НК.

2. Исследована фотолюминесценция накокристаллов кремния при одновременном и раздельном легировании стеклянной матрицы — фосфором и бором.

3. Исследовано комбинированное воздействие лазерного облучения и температурного отжига аморфных кремниевых структур. Метод позволяет использовать такие структуры для проектирования элементов наноэлектроники.

4. Исследовано влияние эрбия на оптические свойства нанокристаллов кремния, которые являются основой для устройств вычислительной техники нового поколения.

Методы исследования включают в себя методы системного анализа и теории систем, методы теории вероятностей и математической статистики. Для получения исследуемых образцов были использованы различные методы синтеза монокристаллических порошков, в числе которых, метод напыления, механосинтез, газофазный синтез и тд.

Научные положения, выносимые на защиту. На защиту выносятся результаты обладающие научной новизной:

1. Новая технология получения нанокомпозитных структур на кремниевых подложках, основанная на механосинтезе, для создания высокоэффективных наноразмерных элементов памяти.

2. Формирование люминесцирующих 81 нанокристаллов с помощью комбинированного воздействия лазерного облучения и температурного отжига.

3. Стабилизация люминесцентных свойств пористого кремния при помощи нанесения фуллерена с последующим высокотемпературным отжигом, для формирования нанокластеров при реализации элементов и устройств вычислительных систем.

Практическое и научное значение диссертации.

Выполненные в работе исследования способствовали решению важной научно-технической проблемы по созданию нанокомпозитных материалов на основе кремния. Научная ценность работы заключается в определении оптических свойств нанокомпозитных материалов, используемых для создания устройств вычислительной техники и систем управления.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные результаты найдут широкое применение при создании различных элементов вычислительной техники и систем управления, таких как сенсоры, датчики, элементы памяти, цветные дисплеи и тд.

Апробация результатов работы.

Основные положения и результаты работы прошли апробацию на III Межвузовской конференции молодых ученых (2006 год), IV Межвузовской конференции молодых ученых (2007 год), V Всероссийской межвузовской конференции молодых ученых (2008 год), VI Всероссийской межвузовской конференции молодых ученых (2009 год), VII Всероссийской межвузовской конференции молодых ученых (2010 год) в Санкт-Петербургском государственном университете информационных технологий, механики и оптики.

Автор работы отмечен следующими дипломами:

Автор награжден Дипломом I степени за лучший доклад на секции

Микроэлектроника. Дефектоскопия и дефектообразование в процессах производства и эксплуатации элементной базы ВТиСУ" научной школы 9

Информационная безопасность, проектирование, технология элементов и узлов компьютерных систем" IV Межвузовской конференции молодых ученых, 2007 года.

Автор отмечен благодарностью за активное многолетнее участие в конференциях молодых ученых университета в рамках НУ Всероссийской Межвузовской конференции молодых ученых.

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано восемь научный статей (из них 1 - в издании из перечня ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, рекомендованных ВАК РФ).

Личный вклад автора.

Представленные в диссертационной работе результаты получены либо лично соискателем, либо при его непосредственном участии.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Стройков, Илья Игоревич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Разработка и исследование нанотехнологий взрывообразно внедряются во все новые области технологии, включая электронику. Применение наноструктур обеспечивает миниатюризацию приборов, снижение их энерго и материалоемкости. Вследствие действия чисто геометрических и физических факторов вместе с уменьшением размеров снижается и характерное время протекания разнообразных процессов в приборе, что приводит к росту его быстродействия.

Суммируя результаты исследований, полученных в ходе написания диссертации, можно сказать, что цель диссертации, сформулированная во введении, а именно получение и исследование нанокомпозитных структур в системе 81/8102 для формирования элементной базы устройств вычислительной техники и систем управления, в основном достигнута.

В ходе проводимых исследований было показано, что при получении НК структур на основе механосинтеза и высокотемпературного отжига, формируются центры захвата - нанокластеры кремния, в которые попадают носители зарядов. Таким образом, нанокристаллы кремния, созданные внутри диэлектрической матрицы, могут служить ячейками хранения электрического заряда, что может быть использовано для создания высокоэффективных наноразмерных элементов памяти.

Также было установлено, что комбинированное воздействие лазерного облучения с температурным отжигом, является эффективным методом получения люминесцирующих НК кремния. Данный метод позволяет использовать такие структуры для проектирования изделий наноэлектроники.

Было доказано, что скорость зародышеобразования и скорость роста нанокластеров уменьшается с падением температуры отжига.

Установлено, что фотолюминесценция НК кремния способна меняться без существенной потери интенсивности при помощи контроля количества одновременно легированных примесей. Таким образом, могут быть созданы приборы с различными свойствами на базе одной технологии.

Представлено, что при размерах нанокристалов кремния, превышающих 4 нм, эффекты как от расширения запрещенной зоны, так и от снижения квази прямой излучательной рекомбинации экситонов приводят к падению интенсивности излучения ионов эрбия.

Установлено, что нанесение фуллерена с последующим высокотемпературным отжигом приводит к значительной стабилизации люминесцентных свойств пористого кремния — основного материала для формирования нанокластеров в элементах и устройствах вычислительных систем.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Стройков, Илья Игоревич, 2011 год

1. Гусев А. И., Ремпель А. А. Нанокристаллические материалы // М.: ФИЗМАТЛИТ, 2001. 224 с.

2. Мальцев П. П. Наноматериалы. Нанотехнологии. Наносистемная техника//М.: ТЕХНОСФЕРА, 2006, 152 с.

3. Герасименко Н. Н., Пархоменко Ю. Н. Кремний — материал наноэлектроники // М.: ТЕХНОСФЕРА, 2007, 352 с.

4. Золотухин И. В., Калинин Ю. Е., Ситников А. В. Нанокомпозитные структуры на пути в наноэлектронику // Природа, 2006, №1, с 11-19.

5. Карпович И. А. Квантовая инженерия: самоорганизованные квантовые точки // СОЖ, 2001, №11, с. 102-108.

6. Зимин С. П. Пористый кремний — материал с новыми свойствами //

7. Соросовский образовательный журнал, 2004, том 8, №1.j1

8. Аблова М. С., Заморянская М. В., Соколов В. И., Хасанов Р. И. Особенности вольт-амперных характеристик окисленного пористого кремния // Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 11, с 41-44.

9. Григорьев Л. В., Григорьев И. М., Заморянская М. В., Соколов В. И., Сорокин Л. М. Транспортные свойства термически окисленного пористого кремния // Письма в ЖТФ, 2006, том 32, вып. 17, с 33-41.

10. Снаев М. Новые функции пористого кремния // ПерсТ, 2007, том 14, вып. 4.

11. Исхаков Р. С., Юзова В. А., Чеканова Л. А., Комогорцев С. В. Синтез и свойства магнитных нанокомпозитов, созданных на основе кремниевых матриц // Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 7, с . 159.

12. Лазарук С. К., Долбик А. В., Лабунов В. А., Борисенко В. Е. Использование процессов горения и взрыва наноструктурированного пористого кремния в микросистемных устройствах // ФиТП, 2007, том 41, вып. 9, с. 1130-1133.

13. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии // М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005, 416 с.

14. Кононов Н. Н., Кузьмин Г. П., Орлов А. Н., Сурков А. А. Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния // ФиТП, 2005, том 39, вып. 7, с 868873.

15. Михайлов А. Н. Люминесцентные свойства систем на основе оксидов с ионно-синтезированными кристаллами кремния // Диссертация на соискание ученой степени кандидат физико-математических наук, Н. — Новгород, 2006.

16. Гуле Е. Г., Каганович Э. Б., Кизяк И. М. Краевая фотолюминесценция при комнатной температуре монокристаллического кремния // ФиТП, 2005, том 39, вып. 4, с 430-432.

17. Качурин Г. А., Володин В. А., Тетельбаум Д. И. Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях 8Ю2 при имплантации ионов с промежуточными отжигами // ФиТП, 2005, том 39, вып. 5, с. 582 -586.

18. Журавлев К. С., Кобицкий А. Ю. Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных воксиде кремния // ФиТП, 2000, том 34, вып. 10.162

19. Вандышев Е. Н., Гилинский А. М., Шамирзаев Т. С., Журавлев К. С. Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля // ФиТП, 2005, том 39, вып. 11, с. 1365-1369.

20. Стройков И. И. Применение редкоземельных элементов в квантовой электронике // Научно-технический вестник, СПб 2006, вып 29, с 60-66.

21. Егоров Ф. А., Потапов В. Т. Усилители оптических сигналов в ВОЛС // Фотон Экспресс, 2000 г., №21, с. 9-12.

22. Куков А. С., Наний О. Е. Эрбиевые волоконно — оптические усилители // Lightwave RE, 2003 г., №1, с. 14-19.

23. Стройков И. И. Разработка лабораторной технологии получения нанокомпозитных пленок на кремниевых подложках // Научно-технический вестник, СПб 2007, вып. 30.

24. Валиев Р. 3., Грабовецкая Г. П., Колобов Ю. Р. Зернограничная диффузия и свойства наноструктурных материалов // Новосибирск: Наука, 2001.232 с.

25. Болдырев В. В. Механохимия и механическая активация твердых веществ // Успехи химии, 2006. 75(3), с. 203 216.

26. Гладков С. О. Физика композитов: Термодинамические и диссипативные свойства//М.: Наука, 1999. 330 с.28. http://dssp.petrsu.ru/book/chapter3/part6.shtml

27. Nicollian E.N., Brews J.R. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and technology. N.Y.: Wiley, 1982. 928 p.Optical and electronic properties of fiillerenes and fiillerene-based materials, ed. by J. Shinar (N.Y., J. Dekker, 1999).

28. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. M.: Техносфера, 2005. 406 с.

29. L. Pavesi, L. Dalnegro, С. Mazzoleni, G. Franzo, and F. Priolo, Nature (London) 408, 440 (2000).

30. G. Franzo, A. Irrera, E. C. Moreira, M. Mirtello, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P. G. Fallica, and F. Priolo, Appl. Phys. A: Mater. Sei. Process. A74, 1 (2002).

31. T. S. Iwayama, M. Oshima, T. Niimi, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, and N. Itoh, J. Phys.: Condens. Matter 5, L375 (1993).

32. K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, and Harry A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 69, 2033 (1996).

33. M. Zacharias and P. Streitenberger, Phys. Rev. B 62, 8391 (2000).

34. Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J.-M. Baribeau, Solid-State Electron. 40, 197(1996).

35. J. S. Im, H. J. Kim, and M. O. Thompson, Appl. Phys. Lett. 63, 1969 (1993).

36. H. J. Kim and J. S. Im, Appl. Phys. Lett. 68, 1513 (1996).

37. V. Vinciguerra, G. Franzo, and F. Priolo, J. Appl. Phys. 87, 8165 (2000).

38. M. Zacharias, J. Heilmann, R. Scholz, and U. Kahler, Appl. Phys. Lett. 80, 661 (2002)

39. P. D. J. Calcott, K. J. Nash, L. T. Canham, M. J. Kane, and D. Brumhead, J. Phys.: Condens. Matter 5, L91 (1993).

40. F. A. Reboredo, A. Franceschetti, and A. Zunger, Phys. Rev. B 61, 13073 (2000).

41. M. L. Brongersma, P. G. Kik, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 76, 351 (2000).

42. R. A. Street, Adv. Phys. 30, 593 (1981).

43. M. Boudreau, M. Bourmerzoug, P. Mascher, and P. E. Jessop, Appl. Phys. Lett. 63,3014(1993).

44. N. M. Park, C. J. Choi, T. Y. Seong, and S. J. Park, Phys. Rev. Lett 86, 1355 (2001).

45. D. K. Yu. R. Q. Zhang, and S. T. Lee, J. Appl. Phys. 92, 7453 (2002).48. 8M. Fujii, K. Toshikiyo, Y. Takase, Y. Yamaguchi, and S. Hayashi, J. Appl. Phys. 94, 1990 (2003).

46. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan, E. Martin, I. Mihalcescu, J. C. Vial, R. Romestain, F. Muller, and A. Bsiesy, Phys. Rev. Lett. 75, 2228 (1995).

47. A. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, and F. Koch, Phys. Rev. B 62, 12625 (2000).

48. M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, Y. Yamamoto, and K. Murakami, Phys. Rev. Lett. 89, 206805 (2002).52. 16Z. Zhou, R. A. Friesner, and L. Bras, J. Am. Chem. Soc. 125, 155992003).

49. E-MRS Proceedings Symposium on Si-based Photonics: Towards True Monolithic Integration Optical Materials (2005).

50. J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobsen, D.G. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling, J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991)

51. P.G. Kik, M.J.A. de Dood, K. Kikoin, A. Polman, Appl. Phys. Lett. 70, 1721 (1997)

52. F. Priolo, G. Franz6, S. Coffa, A. Camera, Phys. Rev. B 57, 4443 (1998)

53. A. Tagushi, K. Takahei, J. Appl. Phys. 83, 2800 (1998)

54. A. J. Kenyon, P.F. Trwoga, M. Federighi, C.W. Pitt, J. Phys. Condens. Matter. 6, L319 (1994)

55. M. Fujii, M. Yoshida, S. Hayashi, K. Yamamoto, J. Appl. Phys. 84, 4525(1998)

56. G. Franzo, V. Vincigucrra, F. Priolo, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 69, 3 (1999)

57. M. Fujii, K. Imakita, K. Watanabe, S. Hayashi, J. Appl. Phys. 95, 2722004)

58. J.H. Jhe, J.H. Shin, K.J. Kim, D.W. Moon, Appl. Phys. Lett. 82, 4489 (2003)

59. J. Heitmann, M. Schmidt, М. Zacharias, V. Yu Timoshcnko, M.G. Lisachenko, PK. Kashkarov, Mater. Sei Engin. В 105, 214 (2003)

60. К. Watanabe, M. Fujii, S. Hayashi, J. Appl. Phys. 90, 4761 (2001)

61. V. Yu. Timoshenlco, M.G. Lisachenko, B.V. Kamenev, O.A. Shalygina, P.K. Kashkarov, J. Heitman, M. Schmidt, M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 84, 2512 (2004)

62. G. Franzo, S. Boninelli, D. Pacifici, F. Priolo, F. Iacona, C. Bongiorno, App. Phys. Lett. 82, 3871 (2003)

63. F. Gourbilleau, C. Dufour, M. Levalois, J. Vicens, R. Rizk, Sada, F. Enrichi, G. Battaglin, J. Appl. Phys. 94, 3869 (2003); F. Gourbilleau, M. Levalois, C. Dufour, J. Vicens, R. Rizk, J. Appl. Phys. 95, 3717 (2004)

64. L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholtz, M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 81, 4248 (2002)

65. D. Kovalev, J. Diener, H. Heckler, G. Polisski, N. Kiinzner, F. Koch, Phys. Rev. В 61, 4485 (2000)

66. D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin, G. Polisski, M. Schwartzkopff, F. Koch, Phys. Rev. Lett. 81, 2803 (1998)

67. В.Ф. Мастеров. СОЖ, № 1, 92 (1997); И.В. Золотухин. СОЖ, № з, 111 (1999).

68. Optical and electronic properties of fullerenes and fullerene-based materials, ed. by J. Shinar (N.Y., J. Dekker, 1999).

69. M.Y. Ghannam, A.A. Abouelsaood, J.F. Nijs. Solar Energy Materials & Solar Cells, 60, 105 (2000).

70. C. Baratto, G. Faglia, E. Comini, G. Sberveglieri, A. Taroni, V. La Ferrara, L. Quercia, G. Di Francia. Sensors and Actuators B: Chemical, 77 (1{2), 62 (2001).

71. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.DJ. Calcott. J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).

72. L. Мого, A. Paul, D.C. Lorents, R. Malhotra, R.S. Ruoff, P. Lazzeri, L.

73. Vanzetti, A. Lui, S. Subramoney. J. Appl. Phys., 81, 6141 (1997).166

74. Т. Л. Макарова, И. Б. Захарова, Т. И. Зубкова, А. Я. Вуль. ФТТ, 41, 354 (1999).

75. О. М. Сресели, Д. Н. Горячев, В. Ю. Осипов, Л. В. Беляков, С. П. Вуль, И. Т. Серенков. В. И. Сахаров, А. Я. Вуль. ФТП, 36 (5), 604 (2002).

76. О.М. Срисели, И.М. Захарова, С.П. Вуль, Т.Л. Макарова, Л.В. Шаронова, Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев Взаимодействие фуллерена с монокристаллическим кремнием, Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8.

77. О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, С.П. Вуль, И.Б. Захарова, Е.А. Алексеева Влияние фуллерена на фотолюминесценцию пористого кремния, Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1.