Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Ермошин, Иван Геннадьевич

• Ермошин, Иван Геннадьевич
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Ермошин, Иван Геннадьевич

Условные обозначения и сокращения

Введение

Глава 1. Обзор современного состояния технологии получения гетер о структур в системе GaN/InGaN/AlGaN

1.1 Состояние и перспективы развития рынка оптоэлектронных приборов

1.2 Анализ свойств широкозонных полупроводников и твердых растворов на их основе

1.3 Проблемы когерентного сопряжения GaN с различными материалами

1.4 Сравнительный анализ газофазных методов получения GaN

1.4.1 Молекулярно - лучевая эпитаксия

1.4.2 Хлоридно - гидридный метод

1.4.3 МОС-гидридная технология 26 1.5. Особенности формирования гетероструктур на основе GaN

1.5.1. Влияние ориентации подложки сапфира на свойства слоев GaN

1.5.2. Излучательная рекомбинация в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN

1.5.3. Роль пьезоэлектрических полей в наборе квантовых ям InxGaj.xN и барьеров GaN

1.5.4. Роль неоднородности распределения индия в квантовых ямах InxGaixN

1.5.5. Зависимость квантового выхода излучения от плотности тока в светодиодах

Глава 2. Разработка МОС-гидридной технологии получения гетероструктур в системе AlGalnN

2.1. Запуск и освоение оборудования для реализации МОС-гидридной технологии 50 2.1.1 Конструктивные особенности установки для эпитаксии

2.1.2. Встроенные системы контроля

2.2 Исследование влияния технологических режимов на характеристики процесса эпитаксии GaN

2.2.1 Влияние скорости вращения подложкодержателя

2.2.2 Влияние состава парогазовой смеси и температуры на характер эпитаксиального роста GaN

2.3 Получение твердых растворов InxGaixN и AlxGaixN

2.3.1 Формирование состава твердых растворов AIxGaixN

2.3.2 Формирование состава твердых растворов InxGaixN

2.4 Легирование эпитаксиальных слоев GaN и твёрдых растворов InxGa1.xN и AlxGa,.xN

2.4.1 Получение эпитаксиальных слоев GaN n-типа проводимости

2.4.2 Получение эпитаксиальных слоев GaN и AlxGaixN р-типа проводимости

Глава 3. Создание системы метрологического контроля и исследования свойств квантово-размерных гетероструктур на основе системы AlGalnN

3.1 Рентгенодифрактометрические методы исследования структурных свойств слоев AlInGaN

3.1.1 Отличительные особенности дифракторметра Vector-GaN для исследования многослойных гетероструктур на основе GaN

3.1.2 Исследование структурных свойств многослойных гетероструктур методом высокоразрешающей дифрактометрии

3.2 Элекггролюминесцентные свойства гетероструктур 74 3.2.1 Установка для измерения электролюминесцентных характеристик 74 3.2.2. Методика измерения электролюминесцентных свойств светодиодной структуры на пластине 75 3.4 Измерение внешнего квантового выхода излучения гетероструктур

Глава 4. Формирование функциональных характеристик гетероструктур для светодиодов, содержащих эпитаксиальные слои GaN и слои твёрдых растворов InxGa^xN и AlxGa^xN

4.1 Оптимизация технологических условий формирования гетероструктур

4.1.1 Изучение процесса эпитаксии методом рефлекгометрии (методика)

4.1.2 Исследование технологии выращивания зародышевого слоя GaN на инородной подложке сапфира 82 4.1.2.1 Отжиг подложек сапфира

4.1.2.2. Выбор температуры выращивания зародышевого слоя

4.1.2.3. Определение оптимальных значений отношения расходов компонентов V/III и расхода ТМГ при выращивании низкотемпературного зародышевого слоя

4.1.3 Исследование технологических условий трансформации зародышевых слоев при повышении температуры (стадия 3)

4.1.4 Исследование технологии выращивания латеральных слоев GaN при высокой температуре (стадии 4 и 5)

4.1.5 Исследование влияния состава газовой атмосферы в реакторе на электрофизические свойства и кристаллографическое совершенство слоев GaN 92 4.1.6. Влияние кислорода на устойчивость процесса гетероэпитаксии нитрида галлия 95 4.2 Оптимизация конструкции и технологии формирования активной квантоворазмерной области гетероструктур 104 4.2.1. Определение влияния конструкции InxGajxN - квантовых.ям (состава и толщины) и технологических параметров эпитаксии активной области гетероструктуры на длину волны излучения в максимуме спектра

4.2.1.1. Результаты исследований при выбранных стандартных условиях эпитаксии

4.2.1.2. Результаты исследований тонкой настройки температурного режима при выращивания активной области гетероструктуры

4.3. Оптимизация параметров конструкции активной области гетероструктуры с целью увеличения эффективности излучения

4.3.1. Исследование влияния профиля распределения индия в квантовых ямах активной области на излучательные характеристики гетероструктуры

4.3.2. Определение оптимального количества квантовых ям в активной области гетероструктуры

4.4. Оптимизация конструкции и технологии формирования р-области гетероструктур, состоящей из слоев GaN и AlxGai.xN

4.4.1. Технология выращивания эпитаксиальных слоев AlxGa].xN и GaN р-типа проводимости

4.4.2. Технология активации акцепторной примеси магния в эпитаксиальных слоях AlxGaixN и GaN р-типа проводимости 118 4.5 Исследование зависимости излучательных характеристик гетероструктур от степени их кристаллического совершенства

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур»

Актуальность работы. Базовым полупроводниковым материалом для современной микроэлектроники и интегральной техники, прежде всего для ЭВМ и микропроцессов, является кремний. Нет основания полагать, что эта ситуация коренным образом изменится и в ближайшем будущем. Однако, особенность электрофизических свойств кремния ограничивает его применение для оптоэлектронных элементов и для приборов СВЧ техники. В этой области уже давно используются полупроводниковые соединения группы AmBv, такие, как GaAs, AlAs, InP, GaP и их твердые растворы. К сожалению, эти полупроводники не позволяют решать задачи по созданию приборов высокой мощности, работающих на высоких частотах в условиях высокой температуры и приборов, генерирующих фотоны высоких энергий. В этом случае их значительно превосходят материалы с большей шириной запрещенной зоны. К этим материалам относятся нитриды элементов Ill-группы, в частности GaN, A1N, InN и твердые растворы на их основе.

Особенностью нитридов элементов Ill-группы является способность к образованию твердых растворов, позволяющих непрерывно изменять ширину запрещенной зоны от 6,2 эВ (A1N) до 3,4 эВ (GaN) и до 1,9 эВ (InN). Все это обуславливает возможность изготовления устройств с высокой эффективностью, например, светодиодов и фотоприемников, способных работать в очень широкой области спектра излучения. Кроме того, материалы на основе GaN успешно используются для создания мощных СВЧ приборов, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов (НЕМТ), работающих при высоких температурах.

Изготовление объемных монокристаллов нитридов группы III является сложным процессом. Высокие температуры плавления и высокие парциальные давления азота препятствуют применению традиционных способов получения кристаллов, которые применяются для кремния или GaAs. В связи с этим, до сих пор безуспешны попытки получения больших кристаллов нитрндов группы III на промышленной основе. Единственной реальной возможностью изготовления монокристаллического GaN является получение эпитаксиальных слоев с использованием подходящих подложек из других материалов. Несмотря на значительное различие по параметрам решетки и температурным коэффициентам расширения подложечных материалов с нитридными слоями на практике применяются подложки на основе Si (111), SiC (0001), GaAs(lll) и сапфира (0001). При этом, из-за технологической пригодности и экономических соображений, именно подложки сапфира получили наибольшее распространение в качестве подложечного, материала для гетероэпитаксиального роста GaN.

Практическое значение для получения гетероструктур на основе GaN в настоящее время получили методы молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ (МОС-гидридная эпитаксия)), а также комбинированная МЛЭ с использованием в качестве источников металлоорганических соединений. Для всех этих методов в настоящее время не существует полного понимания основополагающих механизмов роста, прежде всего процессов, определяющих кинетику реакций, в связи с чем их возможности ограничены. Очевидно, что требуются дальнейшие теоретические и экспериментальные работы в этом направлении.

Среди излучающих приборов на основе нитридов элементов Ill-группы особое место по многообразию областей применения и массовости производства занимают светодиоды синего и белого цвета свечения на основе синих кристаллов со стоксовским люминофорным покрытием. При этом от кристаллов требуется не только высокая эффективность излучения, но и значение длины волны в максимуме спектра в узких пределах от 455 до 465 нм.

Основным методом получения гетероструктур для синих и белых светодиодов в промышленных масштабах, бесспорно, является газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений. К настоящему времени сформулированы основные требования к конструктивным особенностям этих многослойных эпитаксиальных гетероструктур и выработаны основные подходы к технологии выращивания гетероструктур на основе GaN, но все еще существует много проблем, связанных с проведением последовательного роста эпитаксиальных слоев GaN и слоев твёрдых растворов InxGai.xN и AlxGa^xN, входящих в конструкцию гетероструктурьт. Свойства этих слоев формируются в процессе роста и определяются множеством технологических параметров, оказывающих влияние на процесс их осаждения в реакторе определённой конструкции (вертикального или горизонтального типа), которые и будут рассмотрены в данной работе. Проблема усложняется необходимостью формирования наноразмерных слоев InxGaixN и GaN в наборе квантовых ям (КЯ) и барьеров в активной области гетероструктуры, поэтому разработка новых подходов и оптимизация существующих методов выращивания гетероструктур для синих и белых светодиодов с квантоворазмерной активной областью является важной и актуальной задачей.

Цель диссертационной работы

Целью работы является разработка основ технологии изготовления гетероструктур для светодиодов, содержащих эпитаксиальные слои GaN и слои твёрдых растворов InxGaixN и AlxGaixN.

Для достижения поставленной цели, с учётом проведённого анализа проблемы, в работе решались следующие основные задачи:

1. Изучение особенностей получения монокристаллических слоев GaN на подложках сапфира и последующих слоев твёрдых растворов InxGaixN и AlxGaixN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) в реакторе вертикального типа с быстровращающимся подложкодержателем для установления взаимосвязи между температурно-временными параметрами процесса роста и структурными, электрическими и оптическими свойствами эпитаксиальных слоев, а так же определение оптимальных технологических режимов получения гетероэпитаксиальных структур.

2. Выявление причин формирования структурных дефектов и оптимизация условий роста для уменьшения уровня дефектности в получаемых слоях.

3. Исследование видов конструкций квантоворазмерной активной области светодиодных структур для установления влияния её параметров на излучательные характеристики приборов. Определение технологических подходов по увеличению эффективности излучения и однородности значений длины волны в максимуме спектра излучения по площади структуры.

4. Определение оптимальных режимов постростовой обработки эпитаксиальных слоев GaN и AlxGai.xN, легированных магнием, на формирование р-слоёв с высокой концентрацией активных акцепторов, необходимой для последующего создания слоев, эффективно блокирующих инжекцию электронов, и низкоомных контактов.

5. Создание комбинированной методики оценки качества получаемых гетерокомпозиций (структурных, оптических и мощностных характеристик), включающей:

- определение структурного совершенства получаемых материалов, плотности дислокаций, толщины и состава слоев в гетероструктуре с помощью рентгеновской дифрактометрии;

- определение внешнего квантового выхода и эффективности излучения гетероструктуры с помощью фотометрии и спектрометрии.

Научная новизна работы

1. Свойства буферных слоев GaN определяются характеристиками переходного процесса от трехмерного зародышеобразования к двухмерному росту, который в свою очередь определяется технологическими параметрами (диапазоном температур, скоростью подъёма температуры и составом газовой фазы).

2. Механизм зародышеобразования GaN на подложке сапфира значительным образом определяется наличием примеси кислорода в парогазовой смеси.

3. Трапециевидное распределение индия в квантовых ямах повышает локализацию инжектированных носителей заряда и увеличивает внутренний квантовый выход излучения благодаря уменьшению механических напряжений на границах раздела КЯ и барьеров.

4. В процессе активации акцепторной примеси магния попарное расположение гетероструктур «сэндвич-методом» способствует созданию избыточного давления азота в промежутке между слоями p-GaN, что предотвращает разложение их поверхности.

5. Введение программного изменения температуры при росте активной области снижает влияние спонтанной кристаллизации на свойства гетероструктур.

Практическая значимость работы

1. Разработанные технологические режимы выращивания слоев светодиодных гетероструктур позволили получить заданные излучательные характеристики при измерениях па пластине, такие, как внешний квантовый выход излучения не менее 10 %, длина волны излучения в максимуме спектра 460±5 нм, малый разброс этой характеристики в пределах ±5 нм для разных областей пластины.

2. Создан метрологический комплекс, позволяющий проводить оптимизацию технологического процесса получения светодиодных структур по результатам измерений их структурных и оптических свойств.

3. Разработан бесконтактный метод прогнозирования будущей эффективности излучения светодиодных чипов, изготовленных из разных областей пластины, по экспериментальным данным рентгенодифракционных измерений полуширины кривых качания (ПШКК) в этих областях.

4. На основе результатов, полученных в данной работе, разработана МОГФЭ технология получения гетероструктур в системе GaN/InGaN/AlGaN для светодиодов и организован выпуск их опытных партий в ЗАО «Элма-Малахит» по ТУ ГК 6541-004-40363540-08 (Акт внедрения прилагается).

Научные положения, выносимые на защиту

1. Технологические параметры на начальных стадиях роста гетероэпитаксиальных слоев GaN на сапфире, в особенности скорость подъёма температуры в переходном процессе от трехмерного зародышеобразования к двухмерному росту, определяют структурные свойства получаемых слоев и морфологию их поверхности.

2. Кристаллическое совершенство, электрические свойства и морфология поверхности слоев гетероструктуры (GaN, In\GaixN, и AlxGaj.xN) в сильной степени зависят от парциальных давлений металлоорганических соединений элементов Ill-группы и их соотношения между собой и с аммиаком.

3. Длина волны излучения структур зависит одновременно от толщины квантовых ям и содержания индия в КЯ. Установлены оптимальные значения диапазона температур и скорости роста набора КЯ в активной области, обеспечивающие высокую однородность длины волны и эффективности излучения по площади гетероструктур.

4. Профиль распределения индия в квантовых ямах также влияет на внешний квантовый выход, однородность длины волны излучения в максимуме спектра и однородность распределения интенсивности излучения по площади структуры. Наилучшие результаты получены при трапециевидном плавном распределении индия с градиентом 0,2 объёмной доли 1п/нм.

5. Температура и состав атмосферы при постростовой термообработке структур определяют получение низкоомных р-слоёв AlxGaixN и GaN с высокими концентрациями активных акцепторов магния, необходимых для эффективного блокирования инжекции электронов из активной области и для формирования низкоомных контактов к р-области.

Апробация результатов работы

Основная часть работы была выполнена на предприятии ЗАО «Элма Малахит». Изготовление светодиодов осуществлялось на ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника» и ФГКП «Пульсар».

Результаты работы докладывались на:

- IV российско-японском семинаре "Перспективные. технологии и оборудование для материаловедения, микро- и наноэлектроники", 2006;

- V Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия -структуры и приборы", МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, 2007;

- 62-е дни науки студентов МИСиС - международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции, 2007;

- V российско-японском семинаре "Перспективные технологии и -оборудование для материаловедения, микро- и наноэлектроники", 2007;

- VI Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия -структуры и приборы", Санкт-Петербург, 2008.

Публикации

По теме диссертационной работы опубликовано 10 печатных работ, в том числе 2 - в периодических изданиях, рекомендуемых ВАК, и 1 - в зарубежных изданиях.

Структура объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, общих выводов и библиографического списка цитированной литературы. Работа изложена на 135 страницах, включая 56 рисунков, 30 формул, 5 таблиц, библиографический список цитированной литературы из 69 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Ермошин, Иван Геннадьевич

Выводы

1. Разработаны основы технологии изготовления гетероструктур для светодиодов, содержащих эпитаксиальные слои GaN и слои твёрдых растворов InxGaixN и Al\GaixN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и организован выпуск их опытных партий в ЗАО «Элма-Малахит» по ТУ ГК 6541-004-40363540-08 (Акт внедрения прилагается).

2. Выявлено, что критическим условием для обеспечения устойчивости гетероэпитаксиального роста является наличие вакуумной плотности газовой схемы, не допускающей натекания кислорода из окружающей среды и достоверно установлено, что чистота газов, а также источников элементов III и V групп по содержанию примесей (в основном кислорода) критическим образом определяет структурные свойства получаемых слоев, в особенности на стадии зародышеобразования GaN на подложке сапфира.

3. Свойства буферных слоев GaN определяются характеристиками переходного процесса от трехмерного зародышеобразования к двухмерному росту, который в свою очередь определяется технологическими параметрами (составом газовой фазы, диапазоном температур и, в особенности, скоростью подъёма температуры ).

4. Предложена новая конструкция активной области излучающих структур с оптимальным трапециевидным профилем распределения индия в квантовых ямах InxGaixN. Трапециевидное распределение индия повышает локализацию инжектированных носителей заряда и увеличивает внутренний квантовый выход излучения благодаря уменьшению механических напряжений на границах раздела КЯ и барьеров. Наилучшие результаты получены при трапециевидном плавном распределении индия с градиентом 0,2 объёмной доли In/нм. Установлены оптимальные значения диапазона температур и скорости роста набора КЯ в активной области, обеспечивающие высокую однородность длины волны и эффективности излучения по гетероструктур. Разработанная конструкция и технология позволили увеличить эффективность излучения примерно на 30%.

5. Определены оптимальные значения температуры и состава атмосферы при постростовой термообработке гетероструктур, обеспечивающие получение низкоомных р-слоёв AlxGaixN и GaN с высокими концентрациями активных акцепторов магния, необходимых для эффективного блокирования инжекции электронов из активной области и для формирования низкоомных контактов к р-области. В процессе активации акцепторной примеси магния впервые применено попарное расположение гетероструктур «сэндвич-методом», способствующее созданию избыточного давления азота в промежутке между слоями p-GaN, предотвращающего разложение их поверхности.

6. Создан метрологический комплекс для изучения структурных и оптических свойств квантоворазмерных гетероструктур для светодиодов. Разработан неразрушающий бесконтактный метод прогнозирования будущей эффективности излучения светодиодных чипов, изготовленных из разных областей гетероструктуры, по экспериментальным данным рентгенодифракционных измерений полуширины кривых качания (ПШКК) в этих областях.

7. Разработанные технологические режимы выращивания слоев светодиодных гетероструктур позволили получить заданные излучательные характеристики при измерениях па пластине, такие, как внешний квантовый выход излучения не менее 10 %, длина волны излучения в максимуме спектра 460±5 нм, малый разброс этой характеристики в пределах ±5 нм для разных областей пластины.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Ермошин, Иван Геннадьевич, 2009 год

1. Бахтизин Р.З. Голубые светодиоды // Соросовский образовательный журнал. -2001.-Т. 7. -№ 3. С. 75-83.

2. Ambacher О. Growth and applications of group Ill-nitrides. J. Phys. D: Appl. Phys. -1998.-V. 31.

3. Ковалев A.H., Маняхин Ф.И. Эффективные светодиоды на основе AlGaN/InGaN/GaN гетероструктур // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 1998. -№ 1.

4. Горелик C.C., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков // Учебник для вузов. М: Металлургия, 1998. - 574 с.

5. Ввозный А.В., Дейбук В.Г. Роль сплавных эффектов в формировании электронной структуры неупорядоченных твердых растворов Ш-нитридов // Физика и техника полупроводников. 2004. - Т. 38. - № 3. - С. 316-321.

6. Kwon М.К., Jeong Y.H., Shin Е.Н., Kim J.Y., Rho J.I., Lim K.Y., Nahm K.S. The growth and characterization of GaN films grown with A1 pre-seeded A1N Buffer on SiC/Si(lll) Substrates//Phys. Stat. Sol.-2002.-V 0.-No l.-P. 137-142.

7. Ambacher O. Growth and applications of Group Ill-nitrides // J. Phys D. Appl. Phys. 1998. -V. 31. - P. 2653-2710.

8. Tang H., Webb J.B., Moisa S., Bardwell J.A., Rolfe S. Structure characterization of A1N buffer layers grown on (0001) sapphire by magnetron sputter epitaxy // J. of Crystal Growth 2002 - V. 244. - No. 1. - P. 1-5.

9. Shizuo Fujita, Mitsuru Funato, Doo-Cheol Park, Yoshifiimi Ikenaga, Shigeo Fujita Electrical characterization of MOVPE-grown p-type GaN:Mg against annealing temperature // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999. - 4S1, G6.31.

10. Haffouz S., Beaumont В., Leroux M., Laugt M., Lorenzini P., Pierre Gibart P-doping of GaN by MOVPE // Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 1997. -V. 2.-Art. 37

11. Man Song, Dong-Joon Kim, Yong-Tae Moon and Seong-Ju Park. Characteristics of GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and triethylgallium // J. Crystal Growth. 2001. - V. 233. - P. 439-445.

12. Дроздов Ю.Н., Востоков H.B., Гапонова Д.М., Данильцев B.M., Дроздов M.H. Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaN // Физика и техника полупроводников. 2005. - Т. 39. - Вып. 1. - С. 5-7.

13. Демиховский В.Я. Квантовые ямы, нити, точки // Соровский образовательный журнал- 1997. -№ 5. -С. 80-86.

14. Золина К.Г., Кудряшов В.Е., Туркин Б.Р., Юнович А.Э. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 1997.-Т. 31(9).-С. 1055-1061:

15. Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN смножественными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. -1999. Т. 33(4). - С. 445-450.

16. Маняхин Ф.И., Ковалев А.Н., Кудряшов В Е, Туркин А.Н., Юнович А.Э. Люминесценция р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32(1). - С. 63-67.

17. Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана, А.Б. Маняхин Ф.И. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов с модулированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2003. - Т. 37(9). -С. 1131-1137.

18. Bernardini F., Fiorentini V., Vanderbilt D. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides // Phys. Rev. В 1997. - V. 56. - P. 10024-10027.

19. Smith D.L., Mailhiot C. Theory of semiconductor superlattice electronic structure // Rev. Mod. Phys. 1990. - V. 62 - P. 173-234.

20. Edward T. Yu Spontaneous and piezoelectric polarization in nitride heterostructures. III-V Nitride Semiconductors // Applications and Devices. 2000. - 53 p.

21. Eliseev P.G., Perlin P., Lee J., Osinski M. "Blue" temperature-induced shift and band-tail emission in InGaN-based light sources // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 71. -P. 569-571.

22. Рабинович О.И. Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGalnN: Диссертация на соискание уч. ст. кант. наук. — М., 2008. 135 с.

23. Никифоров С.Г. Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твёрдых растворов AlGalnP и AlGalnN: Диссертация на соискание уч. ст. кант. наук. М., 2007. - 158 с.

24. Shen Y.C., Mueller G.O., Watanabe S., Gardner N.F., Munkholm A., Krames M.R. Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence // Appl. Phys. Lett., -2007.-V. 91-P. 154.

25. Акчурин P.X. МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития // Известия вузов материалы электронной техники. - 1999. -№2.-С. 4-12.

26. Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy // Academic Press, New York, 1999.-572 p. (Chapter 10).

27. Mihopoulos T.G., Gupta V., Jensen K.F. A reaction-transport model for AlGaN MOVPE growth // J. Crystal Growth 1998. - V. 195 (1-4), - P. 733-739.

28. Jingxi Sun, Redwing J.M., Kuech T.F. Transport and reaction behaviors of precursors during metalorganic vapor phase epitaxy of gallium nitride // Physica Status Solidi. -1999.-V. 176.-Issue l.-P. 693-698.

29. Jain S. C., Willander M., Narayan J., Van R. Overstraeten Ill-nitrides: growth, characterization, and properties // J. of Applied Physics. 2000. - V. 87.1. P. 965-1006.

30. Nakamura S., Mukai Т., Senoh M. Si- and Ge-doped GaN films grown with GaN buffer layers. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. - V. 31 - P. 2883-2888.

31. Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an A1N buffer layer // Appl. Phys. Lett. -1986-V. 48-C. 353-355.

32. Nakamura S., Iwasa N., Senoh M., Mukai T. Hole Compensation Mechanism ofp-Type GaN Films // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. - V. 31. - P. 1258-1266.

33. M. F. Perutz How W. L. Bragg invented X-ray analysis // Acta Cryst. 1990. - A. 46 -P. 633-643.

34. Кютт Р.Н., Ратников В.В., Мосина Г.Н., Щеглов М.П. Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции // Физика твердого тела. 1999. - Т. 41. - № 1. - С. 30-37.

35. Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топогарфия // СПб: Наука, 2002 274 с.

36. Nakamura S., Grundmann М., Haaheim J., Moshar A., Summers J. Blue InGaN quantum well LED fabrication // Department of Electrical and Computer Engineering -University of California Santa Barbara 5/8/2002. - P. 16.

37. Sumiya M., Ogusu N., Yotsuda Y., Itoh M., Fuke S. Systematic analysis and control of low-temperature GaN buffer layers on sapphire substrates // J. of Applied Physics -2003.-V. 93-No. 2.-P. 1311-1319.

38. Larsen P.K., Hageman P.R., Zauner A.R.A., Van Enckevort W.J.P., de Theije F.K. An atomic force microscopy study of a temperature dependent morphology transition of GaN grown on sapphire by MOCVD // J. of Crystal Growth. 1999. - V. 197.1. P. 37-47.

39. Namkoonga G., Doolittlea W.A., Brown A.S., Losurdo M., Giangregorio M.M. The impact of substrate nitridation temperature and buffer design and synthesis on the polarity of GaN epitaxial films // J. of Crystal Growth 2003. - V. 252. - P. 159-166.

40. Koleske D.D., Coltrin M.E., Cross K.C., Mitchell C.C., Allerman A.A. Understanding GaN nucleation layer evolution on sapphire // J. Crystal Growth. 2004. - V. 273. -P. 86-99.

41. Wei C.H., Edgar J.H., Ignatiev C., Chaudhuri J. The role of trimethylgallium during nucleation layer deposition in the optimization of the epitaxial GaN films // Thin Solid Films. 2000. - V. 360. - P. 34-38.

42. Sunwoon Kim, Jeongtak Oh, Joongseo Kang, Dongjoon Kim, Jonghak Won, Je Won Kim, Hyung-Koun Cho. Two-step growth of high quality GaN using V/III ratio variation in the initial growth stage // J. of Crystal Growth 2004 - V. 262. - P. 7-13.

43. Sugiura L., Itaya K., Nishio J., Fujimoto H., Kokubun Y. Effects of thermal treatment of low-temperature GaN buffer layers on the quality of subsequent GaN layers // J. Appl. Phys. 1997. - V. 82. - P. 4877-4882.

44. Kapolnek, D., Wu X., Heying В., Keller S., Keller B.P., Mishra U.K., DenBaars S.P., and Speck J.S., Structural evolution in epitaxial MOCVD grown GaN films on sapphire // Appl. Physics. Lett. 1995. - V. 67. - P. 1541-1543.

45. Steins R., Hardtdegen H., Kaluza N., Cho Y.S., Sofer Z. Optimization of GaN high-temperature growth using N2 as carrier gas // European Workshop on MOVPE, Lausanne,-2005. P. 341-343.

46. Schon O., Schineller В., Heuken M., Beccard R. Comparison of hydrogen and nitrogen as carrier gas for MOVPE growth of GaN // J. of Crystal Growth. 1998. -V. 189/190.-P. 335-339.

47. Han J., T.-B. Ng, Biefeld R. M., Crawford M. H., Follstaedt D. M. The effect of H2 on morphology evolution during GaN MOVPE // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 71. -P.154-157.

48. Sumiya M., Ogusu N., Yotsuda Y., Itoh M., Fuke S. Systematic analysis and control of low-temperature GaN buffer layers on sapphire substrates // J. Appl. Physics.2003.-V. 93,-No. 2. P. 1311-1319.

49. Reed M.J., El-Masry N.A., Parker C.A., Roberts J.C., Bedair S.M. Critical layer thickness determination of GaN/InGaN/GaN double heterostructures // Applied Physics Letters. 2000. - V. 77. - No. 25. - P. 4121-4123.

50. Lu W., Li D.B., Li C.R., Shen F., Zhang Z. Effect of critical thickness on structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well // J. of Applied Physics.2004. V. 95. - No. 8. - P. 4362-4366.

51. Fischer A., Kuhne H., Richter I-I., New approach in equilibrium theory for strained layer relaxation // Phys. Rev. Lett. 1994. - V. 73. - P. 2712-2715.

52. Hirsch P.B: Mosaic structure // Progress in metal physics / New York: Pergamon, -1956.-Ch. 6.-P. 137-141.4:19: Ермаков O.H., Сушков В Л: Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы.//Ml: Радио исвязь,- 1990.-240 е.: ил.

53. Sheu J.K., Chi G.C., Jou M.J. Improved electrical property of InGaN/GaN lightemitting diodes by using a Mg-doped AlGaN/GaN superlattices. // Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1 2000 - P. 856-859.