Разработка радиационно-стойкого цифро-аналогового преобразователя на основе КМОП-технологии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Смуров, Константин Владимирович

• Смуров, Константин Владимирович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Смуров, Константин Владимирович

Общая характеристика работы

Глава 1. Общие сведения о цифро-аналоговых преобразователях.

1.1 Общие сведения.

1.2 Последовательные ЦАП.

1.2.1 ЦАП с широтно-импульсной модуляцией.

1.2.2 Последовательный ЦАП на переключаемых конденсаторах.

1.3 Параллельные ЦАП.

1.3.1 ЦАП с суммированием весовых токов.

1.3.2 ЦАП на источниках тока.

1.3.3 Формирование выходного сигнала в виде напряжения.

1.3.4 Параллельный ЦАП на переключаемых конденсаторах.

1.3.5 ЦАП с суммированием напряжений.

1.4 Интерфейсы ЦАП.

1.4.1 ЦАП с последовательным интерфейсом входных данных.

1.4.2 ЦАП с параллельным интерфейсом входных данных.

1.5 Параметры ЦАП.

1.5.1 Статические параметры.

1.5.2 Динамические параметры.

1.5.3 Шумы ЦАП.

Глава 2. Моделирование блоков ЦАП и выбор технологического процесса

2.1 Введение.

2.2 Результаты моделирования.

2.3 Технологический процесс.

Глава 3. Радиационные эффекты в КМОП ИС.

3.1 Эффекты в КМОП ИС при воздействии стационарного ионизирующего излучения.

3.1.1 Накопление объемного заряда в диэлектриках.

3.1.2. Образование поверхностных состояний.

3.3. Эффект защелкивания в КМОП ИС (тиристорный эффект).

3.4. Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости.

Глава 4. Характеристика разработанного изделия.

4.1 Устройство и работа ИС.

4.2 Описание функционирования.

4.3 Функция преобразования ЦАП.

4.4 Источник опорного напряжения.

4.5 Управляющий усилитель опорного источника.

4.6 Аналоговые выходы.

4.7 Выходной интерфейс с чередующимися I и Q данными.

4.8 Потребляемая мощность.

4.9 Дифференциальная схема подключения выходов с использованием операционного усилителя.

4.10 Применение ИС для квадратурной модуляции.

4.11 Результаты испытаний микросхемы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка радиационно-стойкого цифро-аналогового преобразователя на основе КМОП-технологии»

Актуальность темы

В настоящее время в области отечественных разработок цифро-аналоговых преобразователей (ЦАП) назрели проблемы, связанные с тем, что большинство ИС не отвечают современным требованиям как по разрядности, так и по точностным характеристикам, например нелинейным искажениям и шумам. Существуют также технологические сложности, связанные с использованием тонкопленочных резисторов, которые ограничивают возможность технологических процессов и приводят к большой трудоемкости из-за необходимости подгонки номиналов этих резисторов. Новые разработки направлены на увеличение скорости преобразования и улучшения точностных характеристик ЦАП. Кроме того, исключается необходимость использования тонкопленочных резисторов.

В настоящее время в коммуникационных каналах используют высокоскоростные ЦАП со встроенными интерполяционными фильтрами. Такие ЦАП отечественная промышленность не выпускает. Имеющиеся в продаже зарубежные ЦАП ИС для коммерческого и промышленного использования не отвечают специальным требованиям (в первую очередь требованиям по стойкости к гамма-излучению), предъявляемым к РЭА с длительным сроком активного использования. Поэтому основной целью являлась разработка 10-разрядного высокоскоростного ЦАП со встроенным интерполяционным фильтром и стойкостью к гамма-излучению.

В качестве основных принципов при разработке такого изделия использовались следующие:

- использование базового КМОП-технологического процесса с 0,6-мкм проектными нормами с двумя слоями алюминиевой металлизации и с одним слоем поликремния, отработанного в условиях серийного и опытного производства коммерческих ИС;

- использование сертифицированных правил проектирования электрической схемы (ERC) и топологии (DRC), в том числе применение стандартных конструктивно-топологических решений отдельных элементов и блоков, адаптированных к выбранному технологическому процессу;

- использование современных программно-аппаратных средств (САПР Cadence) для проектирования новых функциональных элементов, макроблоков и в целом кристалла ИС с учетом реальных технологических разбросов слоев полупроводниковой структуры кристалла и электрических характеристик основных элементов (транзисторов, резисторов и т. д.);

- использование современного метрологического оборудования и технических средств для измерения, испытания и анализа изделий.

Такой подход к разработке новых образцов ИС в настоящее время преобладает в мировой практике и позволяет достичь наилучших показателей надежности по сравнению с подходами, основанными на адаптации режимов проведения технологических операций к каждой конкретной ИС. В данной работе представлены основные результаты, полученные в процессе проектирования и изготовления опытных образцов, описаны особенности проектирования ИС, приведены результаты моделирования и испытаний ИС на радиационную стойкость.

Диссертация выполнена на кафедре полупроводниковой электроники ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» в рамках госбюджетной программы ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых

3 5 материалов (Si, А В и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.0412888.

Цель работы

Целью работы является создание высокоточного радиационно-стойкого ЦАП с возможностью изготовления по стандартной КМОП-технологии с одним уровнем поликремния.

Для достижения поставленной цели были определены следующие задачи:

1. Исследование основных архитектур ЦАП. Выбор структуры ИС, обоснование целесообразности построения ЦАП на источниках тока.

2. Разработка и схемотехническое моделирование аналоговых и цифровых блоков с проектными нормами 0,6 мкм и учетом влияния радиационных воздействий.

3. Анализ результатов исследований и разработка рекомендаций по обеспечению радиационной стойкости КМОП-блоков с проектными нормами 0,6 мкм.

4. Проведение испытаний ЦАП ИС на устойчивость к воздействию гамма-излучения в диапазоне температур -60°С - +85°С.

Научная новизна работы

В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Разработаны основные блоки ЦАП (источник опорного напряжения, генератор смещения источников тока и матрица источников тока на основе сегментированной архитектуры), устойчивые к воздействию радиационного излучения.

2. Проведено схемотехническое и топологическое проектирование блоков ЦАП с использованием вертикальных р-п-р транзисторов на основе стандартной КМОП-технологии. Такое решение открывает новые возможности при создании современных АЦП и ЦАП с высокими скоростными и точностными характеристиками и минимальными затратами на изготовление кристаллов.

3. Предложена методология анализа и выбора архитектуры радиационно-стойких ЦАП посредством оценки влияния воздействия радиации с помощью схемотехнического моделирования наиболее критичных блоков (источника опорного напряжения, источников тока, р-МОП-ключей).

Практическая значимость работы

1. Разработаны основные блоки (источник опорного напряжения, обладающий высокой стабильностью выходного напряжения, и генератор смещения источников тока, устойчивый к разбросу технологических параметров и радиационным воздействиям), позволившие получить 10-разрядный ЦАП со скоростью преобразования 40 МГц и высокими точностными характеристиками, для использования в квадратурных модуляторах.

2. Разработаны и изготовлены опытные образцы кристаллов ЦАП на основе КМОП-технологии. Испытания опытпых образцов ЦАП на устойчивость к воздействию гамма-излучения показали, что они бесперебойно рабо

7 ^ тают при мощности Р= 1,1*10 рад/с и накопленной дозе D=4,8*10 рад. Испытания ИС при повышенной (+85°С) и пониженной (-60°С) температурах показали соответствие основных электрических параметров нормам ТУ.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Схемотехнические особенности разработанного радиациоппо-стойкого ЦАП, в частности использование р-МОПТ в источниках тока и ключах, использование вертикальных р-п-р-транзисторов, устойчивых к воздействию дестабилизирующих факторов, таких как радиация и температура.

2. Обоснование целесообразности построения ЦАП на источниках тока. По сравнению с архитектурами на базе резисторов и конденсаторов ЦАП на источниках тока обладает более высокими точностными характеристиками и возможностью компенсации разброса технологических параметров. Кроме этого, ЦАП на источниках тока можно спроектировать на базе стандартного КМОП-процесса, что уменьшает стоимость ИС.

3. Результаты моделирования аналоговых блоков ИС. Температурные зависимости характеристик источников тока и опорного напряжения. Температурные зависимости тока младшего разряда, напряжений смещения источника тока при различных напряжениях питания.

4. Основные электрические характеристики разработанной ИС. По результатам испытаний ИС получены типовые зависимости электрических параметров (внутреннего опорного напряжения от температуры, токов потребления аналоговой и цифровой части ИС от температуры, интегральной и дифференциальной нелинейности от напряжения питания и т.д.). Результаты испытаний ИС на стойкость к воздействию гамма-излучения. Зависимости интегральной и дифференциальной нелинейностей от цифрового кода на входе при мощности гамма-излучения Р= 1,1*10 рад/с и накопленной дозе D=4,8*105 рад.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградациои-ные процессы в полупроводниковых приборах " (Москва, 2006); научной конференции профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2007, 2008).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 5 научных работ, в том числе 2 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [1, 2, 5] - разработка схемотехнических решений для отдельных блоков ИС ЦАП; [3] - поиск и разработка методов защиты ИС от радиационных эффектов; [4] - поиск и разработка методов электростатической защиты выводов ИС.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 83 наименований. Основная часть работы изложена на 115 страницах, содержит 60 рисунков и 4 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Смуров, Константин Владимирович

Основные результаты и выводы:

В процессе выполнения работы разработан 10-разрядный, 2-х канальный, радиационно-стойкий ЦАП с частотой преобразования 40 МГц. Разработанная ИС состоит из двух частей: аналоговой и цифровой. Аналоговая часть содержит два согласованных 10-ти разрядных ЦАП, имеющих сегментированную архитектуру, источник опорного напряжения 1,20 В и управляющий опорный усилитель, с помощью которого задается диапазон полной шкалы. Цифровая часть содержит два интерполяционных фильтра «2х», схемы декодирующей логики и некоторые дополнительные интерфейсные схемы. Разработанная ИС предназначена для использования в квадратурных модуляторах. В данной работе представлены схемотехнические и конструктивно-технологические методы обеспечения радиационной стойкости ЦАП.

В диссертации получены следующие результаты:

1. Разработаны и исследованы схемотехнические и топологические решения для обеспечения радиационной стойкости и высоких точностных характеристик ИС, разработанной по технологии 0,6 мкм с использованием источников тока и выходных ключей на р-МОПТ, которые менее подвержены влиянию радиационных воздействий, чем п-МОПТ.

2. Проведен анализ результатов моделирования в САПР Cadence аналоговых и аналого-цифровых блоков ИС. На основе этого скорректированы параметры транзисторов, обеспечена температурная стабилизация опорного напряжения. Архитектура изделия, в основе которой лежит массив источников тока, позволяет использовать 0,6 мкм КМОП технологический процесс. Эта технология обеспечивает частоту преобразования ИС 40 МГц и высокие точностные характеристики в широком диапазоне температур.

3. ИС была изготовлена по стандартной КМОП-технологии с проектными нормами 0,6 мкм с двумя слоями алюминиевой металлизации и одним слоем поликремния. Разработаны и реализованы рекомендации по обеспечению радиационной стойкости ЦАП, в частности использование охранных р+колец вокруг n-МОПТ и расположение контактных областей к карманам вплотную к соответствующим истокам транзисторов.

4. Проведены испытания опытных образцов ЦАП в диапазоне температур -60°С - +85°С. Получены типовые зависимости значений электрических параметров ИС (внутреннего опорного напряжения, токов потребления аналоговой и цифровой части ИС, выходного сопротивления, нелинейности при различных напряжениях питания и т.д.). Проведены испытания на стойкость к воздействию гамма-излучения. Результаты испытаний показали, что ИС соответствует заданным параметрам и требованиям радиационной стойкости.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Смуров, Константин Владимирович, 2008 год

1. Федорков Б.Г., Телец В.А. Дегтяренко В.П. Микроэлектронные цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи. М.:Радио и связь, 1984.

2. Гнатек Ю.Р. Справочник по цифро-аналоговым и аналого-цифровым преобразователям: Пер. с англ. Под ред. Ю.А. Рюжина М.: Радио и связь, 1982.

3. Кудлак Б.И., Ситовенко В.А., Турчанинов Ю.Н. Функциональный преобразователь на микросхемах цифро-аналогового преобразователя. Приборы и техника эксперимента. 1982. №1. С. 124-125.

4. Парфенов А.Н, Пиляр А.В. Шестнадцатиразрядный цифро-аналоговый преобразователь. Приборы и техника эксперимента. 1986. №2. С. 111-113.

5. Александравичюс И.А. Марцинкявичюс А.-И. К. Быстродействующий десяти разрядный ЦАП КР1118ПА2Т. Электронная промышленность. 1986. №10. С. 8-24.

6. Н. Takakura et.al., "А 10 bit 80MHz Glitchless CMOS D/A Converter," in IEEECustom Integrated Circuits Conf. (CICC), 1991, pp. 1—4.

7. F.G. Weiss and T.G. Bowman, "A 14-Bit, 1 Gs/s DAC for Direct Digital Synthesis Applications," in Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs 1С) Symposium, 1991, pp. 361-364.

8. J. Bastos, Characterization of MOS transistor mismatch for analog design, Ph.D.thesis, Katholieke University Leuven, Belgium, 1998, pp. 34-38.

9. M.J.M. Pelgrom, A.C.J. Duinmaijer, and A.P.G. Welbers, "Matching properties of MOS transistors," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 24, no. 5, Oct. 1989, pp. 1433-1439.

10. P.G. Drennan and C.C. McAndrew, "Understanding MOSFET mismatch for analog design," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 38, no. 3, Mar. 2003, pp. 450456.

11. R.E. Best, Phase-Locked Loops, McGraw-Hill, New York, 1984, pp. 34-65.

12. F.M. Gardner, Phaselock Techniques, 2nd Edition, John Wiley, New York, 1979, pp. 24-27.

13. Phase-Locked Loop Design Fundamentals, Applications Note AN-535, Motorola, Inc, 1995, pp.34-40.

14. The ARRL Handbook for Radio Amateurs, American Radio Relay League, Newington, CT, 1992, pp. 67-80.

15. Richard J. Kerr and Lindsay A. Weaver, Pseudorandom Dither for Frequency Synthesis Noise, United States Patent Number 4,901,265, February 13, 1990, pp. 22-23.

16. Henry T. Nicholas, III and Henry Samueli, An Analysis of the Output Spectrum of Direct Digital Frequency Synthesizers in the Presence of Phase-Accumulator Truncation, IEEE 41st Annual Frequency Control Symposium Digest of Papers, 1987, pp. 495-502.

17. Henry T. Nicholas, III and Henry Samueli, The Optimization of Direct Digital Frequency Synthesizer Performance in the Presence of Finite Word Length Effects, IEEE 42nd Annual Frequency Control Symposium Digest of Papers, 1988, pp. 357-363.

18. Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill Series in Electrical and Computer Engineering, 2000, 124-130.

19. M. P. Tiilikainen, "A 14-bit 1.8-V 20-mW l-mm2 CMOS DAC," IEEE Journal ofSolid-State Circuits, vol. 36, no. 7, July 2001, pp. 1144-1147.

20. K. Doris, A. van Roermund, and D. Leenaerts, "Mismatch-based timing errors in current-steering DACs," Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems, vol. 1, Bangkok, Thailand, May 25-28, 2003, pp. 977-980.

21. K.O. Andersson, N.U. Andersson, M. Vesterbacka, and J.J. Wikner, "A method of segmenting digital-to-analog converters", Proc. IEEE SouthwestSympo-sium on Mixed-Signal Design, Las Vegas, NV, USA, Feb. 23-25, 2003, pp. 32-37.

22. J.J. Wikner and M. Vesterbacka, "D/A conversion with linear-coded weights," Proc. IEEE Southwest Symposium on Mixed-Signal Design, San Diego, CA, USA, Feb. 28-29, 2000, pp. 61-66.

23. K.O. Andersson and M. Vesterbacka, "A yield-enhancement strategy for binary-weighted DACs," submitted to the European Conference on Circuit Theory and Design, Cork, Ireland, Aug. 29-Sept. 1, 2005, pp. 240-250.

24. K.O. Andersson and M. Vesterbacka, "A testbed for different codes in digital-to-analog converters," Proc. Swedish System-on-Chip Conference 2004, Bastad, Sweden, Apr. 13-14, 2004, pp. 340-346.

25. Першенков В. С. Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем, М.: Энергоатомиздат, 1988, 256 с.

26. Ма Т. P., Dressendorfer P. V, Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circtlits. New York.: John Wiley & Sons, 1989. 587 p.

27. Агаханян Т. M., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Энергоатомиздат, 1989, 256 с.

28. Попов В. Д. Радиационная физика приборов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник. М.: МИФИ. 1984. 86 с.

29. Saks N. S. Brown D. В. Observation of A+motion during interface trap formation// IEEE Trans. -1990. Vol. NS-37, № 6. P. 1624-1631.

30. Boesch H. E. Time dependent interface trap cffects in MOS devices// IEEE Trans. -1988. Vol. NS-36, № 6, P. 1160.

31. Переходные ионизационные эффекты в цифровых интегральных микросхемах/ Е. Р. Аствацатурьян, А. В. Раткин, П. К. Скоробогатов, А. И. Чумаков Зарубежная электронная техника. 1983. № 9. С. 36-72.

32. Перемежающиеся и устойчивые отказы в цифровых интегральных микросхемах при воздействии ионизирующих излучений/ А. А. Чернышев и др,/ Зарубежная электронная техника. 1986. Вып. 7 (302) С. 3-157.

33. May Т. С. Woods М. Н. Alpha-particle-induced soft errors in dynamic memories// IEEE Trans. 1979. -Vol. ED-26, N1/ P. 2-9.

34. Yaney D. S., Nelson J. T.,. Vanskike L. L. Alpha particle tracks in silicon and their effect on dynamic MOS RAM reliability// IEEE Trans. 1979. -Vol. ED-26, № l.-pp. 10-15.

35. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./ Под ред. И. В. Грехова. -JL: Энергоиздат, 1981. 264 с.

36. ГерлахВ. Тиристоры: Пер. с нем. -М.: Энергоатомиздат. 1985. 397 С.

37. T.R. Oldham J.M. McGarrity, Ionization of Si02 by heave charge particles, IEEE Trans. Nuclear Sci., vol. N5-28. P. 1975,1981.

38. A. Hasting. Art of analog layout. 1999. P.556.

39. F. Maloberti, "High-speed data converters for communication systems," IEEE Circuits Syst. Mag., vol. 1, no. 1, 2001, pp. 26-36.

40. J. Bastos, A.M. Marques, M.S.J. Steyaert and W Sansen, "A 12-Bit Intrinsic Accuracy High-Speed CMOS DAC", IEEE J. Solid State Circuits, vol. 33, Dec. 1998, pp. 1961

41. M. Clara, "Matching requirements in segmented architectures", Internal paper of Infineon Technologies Microelectronic Design Center Austria GmbH, Villach, 2001, pp. 1-3.

42. Рембеза С.И., Бережной А.С., Смуров К.В, Москалев В.Ю. Оптимизация параметров компонентов интегральных микросхем. // Вестник ВГТУ. Сборник научных трудов. Воронеж 2006. С 138-140.

43. Рембеза С.И., Кононов С.М., Бережной А.С., Смуров К.В. Электростатическая защита выводов интегральных микросхем. // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. ВГТУ. 2006. С 86-92.

44. Miller P.R. Engineering to counter the EMP threast // Radio and Electron. Eng/ 1983. N 11-12, P 387-392.

45. Johnson R.T., Thome F.V., Craft C.M. A survey of aging of electron with application to nuclear power plant instrumentation// IEEE Trans. Nucl. Sci. 1983. — N6, pp. 4358-4362.

46. Killiani J.M. Radiation effects of silicon charge-coupled devices // IEEE Trans. Compon. And Manuf. Technol. 1978. - N 4, pp. 353-365.

47. Майерс Д.К. Действие ядерного излучения на полупроводниковые приборы // Электроника. 1978. №6. С. 53-57.

48. Агаханян Т.М„ Аствацатурьян Е.Р. и др. Радиационная стойкость интегральных микросхем //Микроэлектроника. 1980. - Вып. 3. - С. 195-201.

49. Бердичевский Б.Е., Маджарова Т.Б. Переходнекоторых типов интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения с большой мощностью в режим защелки. //Зарубежная радиоэлектроника. — 1986. Вып.7. - С. 7683.

50. London A. Establishment of a radiation hardened CMOS manufactured Progress //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1977. N6. pp. 2056 - 2059.

51. Wood G.M., Sanders T.J., Casey R.H. A radiation hardened gate array family using an advanced Dl bipolar technology // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1983. - N6. -pp. 4187 -4191.

52. Ports. A process for the simultaneous production of radiation hardened complementary lineal bipolar and lineal metal gate CMOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1980. N6. - pp. 1721 -1726.

53. P. Wambaq and W. Sansen, Distortion Analysis of Analog Integrated Circuits, Kluwer Academic Publishers, Boston, MA, USA, 1998, pp. 14-18.

54. K.R. Lakshmikumar, R.A. Hadaway, and M.A. Copeland, "Characterization and modeling of mismatch in MOS transistors for precision analog design," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 21, no. 6, Dec. 1986, pp. 1057-1066.

55. K.R. Lakshmikumar, R.A. Hadaway, and M.A. Copeland, "Reply to 'A comment on "Characterization and modeling of mismatch in MOS transistors for precision analog design", IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 23, no. 1, Feb. 1988, pp. 296-301.

56. J J. Wikner and N. Tan, "Modeling of CMOS digital-to-analog converters for telecommunication," IEEE Trans. Circuits Syst. II, vol. 46, no. 5, May 1999, pp. 489-499.

57. J.J. Wikner, CMOS Digital-to-Analog Converters for Telecommunication Applications, Linkoping studies in science and technology, Thesis No. 715, Linkoping, Aug. 1998, pp. 344-356.

58. K.O. Andersson and J.J. Wikner, "Characterization of a CMOS currentsteering DAC using state-space models," Proc. IEEE Midwest Symposium on Circuits and Systems, Lansing, MI, USA, Aug. 8-11, 2000, pp. 668-671.

59. A. Van den Bosch, M. Borremans, M. Steyaert, and W. Sansen, "A 10-bit 1-GSample/s current-steering CMOS D/A converter," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 6, no. 3, Mar. 2001, pp. 315-324.

60. M.K. Rudberg, M. Vesterbacka, N. Andersson, and J.J. Wikner, "Glitch minimization and dynamic element matching in D/A converters", Proc.IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems, Beirut, Lebanon, Dec. 1720, 2000, pp. 899-902.

61. L.R. Carley, "A noise-shaping coder topology for 15+ bit converters," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 24, no. 2, Apr. 1989, pp. 267-273.

62. H.T. Jensen and I. Galton, "A low-complexity dynamic element matching DAC for direct digital synthesis," IEEE Trans. Circuits Syst. II, vol. 45, no. 1, Jan. 1998, pp. 13-27.

63. J.W. Bruce and P. Stubberud, "A comparison of hardware efficient dynamic element matching networks for digital to analog converters," Proc. IEEE Midwest Symposium on Circuits and Systems, , Lansing, MI, USA, Aug. 8-11, 2000, pp. 672-675.

64. H.T. Jensen and I. Galton, "An analysis of the partial randomization dynamic element matching technique," IEEE Trans. Circuits Syst. II, vol. 45, no. 12, Dec. 1998, pp. 1538-1549.

65. P. Stubberud and J.W. Bruce, "An analysis of dynamic element matching flash digital-to-analog converters," IEEE Trans Circuits Syst. II, vol. 48, no. 2, Feb. 2001, pp. 205-213.

66. N.U. Andersson and J.J. Wikner, "A comparison of dynamic element matching in DACs," Proc. NORCHIP Conference, Oslo, Norway, Nov. 8-9, 1999, p. 385.

67. I. Galton, "Spectral shaping of circuit errors in digital-to-analog converters," IEEE Trans. Circuits Syst. II, vol. 44, no. 10, Oct. 1997, pp. 808-817.

68. G.E.G. Gielen, "New methods and tool for analog IP use in mixed-signal integrated systems," Proc. NORCHIP Conference, Sweden, Nov. 12-13, 2001, pp. 5-9.

69. G. Van der Plas, J. Vandenbussche, G.G.E Gielen, and W. Sansen, "A layout synthesis methodology for array-type analog blocks," IEEE Trans. omputer-Aided Design, vol. 21, no. 6, June 2002, pp. 645-661. ;,

70. R.R. Neff, P.R. Gray, and A. Sangiovanni-Vincentelli, "A module generator for high-speed CMOS current output digital/analog converters," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 31, no. 3, Mar. 1996. pp. 38-41.

71. K.O. Andersson and M. Vesterbacka, "A parameterized cell-based design approach for digital-to-analog converters," Proc. IEEE International Workshop on System on Chip for Real-Time Applications, Banff, Canada, Jul. 19-21, 2004, pp. 225-228.

72. E. Hjalmarson, Studies on Design Automation of Analog Circuits the Design Flow, Linkoping studies in science and technology, Linkoping, Sweden, Dec. 2003, pp. 100-121.