Развитие методов просвечивающей электронной микроскопии для исследования пространственного распределения структурных особенностей наноматериалов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор наук Кириленко Демид Александрович

• Кириленко Демид Александрович
• доктор наук
• 2019

Оглавление диссертации доктор наук Кириленко Демид Александрович

Оглавление

Введение

Глава 1 Получение методом просвечивающей электронной информации о строении материалов

Глава 2 Исследование волнистости свободного графена

2.1 Волнистый двумерный кристалл в обратном пространстве

2.2 Измерение характеристик волнистости

2.3 Измерение спектра волнистости

2.4 Основные результаты и выводы

Глава 3 Исследование степени диспергированности примесей в полимерных нанокомпозитах

3.1 Исследование включений в аморфных материалах

3.2 Полимерные нанокомпозиты с включениями кремнезёма

3.3 Полимерные нанокомпозиты с включениями полиэдрического олигомерного силсесквиоксана

3.4 Полимерные нанокомпозиты с включениями монтмориллонита

3.5 Основные результаты и выводы

Глава 4 Исследование вариации деформаций по глубине в эпитаксиальных плёнках

4.1 Особенности применения просвечивающей электронной микроскопии для измерения деформаций в эпитаксиальных гетероструктурах

4.2 Эпитаксиальные структуры с линейным градиентом концентрации

4.3 Эпитаксиальные структуры с параболическим градиентом концентрации

4.4 Основные результаты и выводы

Заключение

Список условных обозначений и сокращений

Список цитируемой литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Развитие методов просвечивающей электронной микроскопии для исследования пространственного распределения структурных особенностей наноматериалов»

Введение

Новые материалы характеризуются в значительной степени особым геометрическим строением вещества. Влияние структуры на физические свойства значительно, и создание материалов с улучшенными свойствами, то есть применение которых более эффективно в тех или иных областях, связано с синтезом и исследованием сред, обладающих специальным пространственным распределением структурных особенностей. Разработка таких материалов в значительной степени основана на исследованиях их структуры, причём в практике такого рода исследований нестандартные задачи возникают, главным образом, при получении информации о наноразмерных структурных вариациях в веществе.

К одним из основных методов, позволяющих исследовать строение вещества в нанометровом и субнанометровом масштабах, можно отнести различные виды электронной микроскопии, преимущество которых состоит в особом балансе, заключающемся в малой длине волны данных частиц при практически значимых энергиях, что обусловлено наличием массы. Однако, масса электронов мала относительно массы атомов вещества, вследствие чего радиационными повреждениями структуры при исследованиях многих материалов можно пренебречь. Кроме того, существенной особенностью использования электронов в качестве средства микроскопии является наличие у них заряда, что существенно повышает сечения различных видов взаимодействия с веществом и, в свою очередь, позволяет исследовать даже индивидуальные атомы или наноразмерные области кристаллов одноатомной толщины. Данная возможность в наиболее полной мере реализуется в просвечивающей электронной микроскопии, характерной особенностью которой является регистрация электронов, рассеянных на относительно малые углы, что, не в последнюю очередь, делает данный вид микроскопии обладающим сравнительно высоким пространственным разрешением. При этом малое время взаимодействия электронов высокой энергии, характерных для электронной

микроскопии, позволяет получать информацию о динамических вариациях структуры, быстро меняющихся во времени, например, связанных с тепловыми колебаниями.

Прямые методы исследования структуры вещества, основанные на электронной микроскопии, являются мощным инструментом, однако, определённые ограничения, преимущественно технической природы, лимитируют их возможности. В то же время, применение специальных способов получения и анализа электронномикроскопических данных позволяет расширить сферу применимости основного метода, как это эксплуатировалось, в частности, на протяжении всей истории развития электронной микроскопии на примере электронной дифракции, позволившей получать информацию о строении вещества на субнанометровом масштабе задолго до того, как это стало доступно для прямого метода просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. К настоящему времени технический прогресс экспериментального оборудования позволил достигнуть высокого уровня пространственного разрешения, исчисляемого десятками пикометров. Тем не менее, некоторые задачи не могут быть решены прямым анализом изображений в силу структурной специфики объекта исследования или соответствующей задачи. Можно выделить три класса причин, обусловленные объектом исследования, ограничивающих применимость метода просвечивающей электронной микроскопии: обуславливающие низкое соотношение сигнал/шум на изображениях недостаточное для их прямого анализа, в частности, малые размеры структурных особенностей; обуславливающие снижение разрешения основного метода, например, в результате некогерентного рассеяния, с чем сталкивается исследователь в случае необходимости исследования областей большого размера; динамические структурные флуктуации, усредняемые за характерное время экспозиции электронномикроскопического снимка. Разработка новых подходов к преодолению данных ограничений, обусловленных структурной спецификой исследуемых объектов, представленных в диссертационной работе, позволяет повысить эффективность

метода в применении к измерению пространственного распределения структурных неоднородностей, что продемонстрировано на примере таких материалов, как двумерные кристаллы, полимерные нанокомпозиты и полупроводниковые гетероструктуры.

Целью работы является расширение возможностей просвечивающей электронной микроскопии для структурных исследований наноматериалов.

Объекты и методы исследования. Объектом исследования в рамках данной работы являются двумерные кристаллы, графен и его модификации, субнанокомпозиты на основе цианат-эфирных и бисфталонитрильных полимерных систем, метаморфные буферные слои InGaAs и InAlAs, выращенные методом молекулярно пучковой эпитаксии (МПЭ). В ходе выполнения диссертационной работы разработаны методы анализа структурных флуктуаций двумерных кристаллов, характеризации распределения кластеров примеси в полимерных матрицах и высоколокальный метод измерения пространственной вариации деформаций в кристаллических структурах значительного латерального масштаба с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Разработан метод численного анализа картин электронной дифракции от графена на основе модели обратной решётки волнистого двумерного кристалла, которая позволяет определять спектр волнистости свободного графена.

2. Исследована волнистость свободного графена, включая влияние примесных групп на его поверхности.

3. Разработан способ определения степени диспергированности нанокластеров в полимерных матрицах на основе анализа статистических данных измерений локального состава методом рентгеноспектрального микроанализа.

4. Изучено влияние степени диспергированности нанокластеров на механические и физико-химические свойства исследованных полимерных нанокомпозитов.

5. Разработан высоколокальный метод измерения пространственной вариации деформаций в многослойных полупроводниковых кристаллических наногетероструктурах, основанный на электронной дифракции и позволяющий проводить измерения структур значительного латерального масштаба.

6. Исследовано влияние геометрических особенностей подложки и профиля концентрации метаморфного буферного слоя на развитие деформаций и остаточные напряжения в гетероструктурах на основе соединений AШBV.

Практическая значимость работы состоит в следующем: С использованием разработанного метода измерения спектра волнистости двумерного кристалла получены данные о волнистости графена и его различных модификаций необходимые для расчёта их механических и электронных свойств. На основе полученных данных о степени диспергированности нанокластеров различного типа в полимерах и её влиянии на механические свойства таких нанокомпозитов определены условия синтеза, обеспечивающие оптимальные характеристики данных материалов. Установлена необходимость более точного контроля разориентации подложек для роста многослойных полупроводниковых кристаллических наногетероструктур, содержащих метаморфные буферные слои.

Научные положения, выносимые на защиту. Положение 1. Анализ распределения интенсивности на картинах электронной дифракции двумерного кристалла, полученных при различных наклонах относительно электронного пучка, позволяет определить амплитуду волнистости и профиль её спектра.

Положение 2. Спектр волнистости свободного графена не имеет неинтегрируемой особенности в окрестности нуля обратного пространства. Положение 3. Ковалентно связанные примесные группы на поверхности графена увеличивают амплитуду волнистости. При контакте таких листов

волнистость может значительно изменяться в зависимости от типа примесных групп.

Положение 4. Анализ статистических данных измерений локального состава позволяет определить степень диспергированности нанокластеров в материалах. Необходимым условием таких измерений является наличие в нанокластерах элементов, не входящих в состав полимерной матрицы.

Положение 5. Выявлено влияние содержания примесей монтмориллонита, кремнезёма и полиэдрического олигомерного силсесквиоксана на физические свойства нанокомпозитов на основе цианат-эфирных и бисфталонитрильных полимеров. Показана существенная роль степени диспергированности примеси, что определяет значительное влияние сверхмалых концентраций на свойства нанокомпозитов.

Положение 6. Комплексный анализ дифракционных данных, полученных методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии, позволяет с высокой точностью измерять вариации напряжений и состава по глубине в эпитаксиальных гетероструктурах. Степень достоверности и апробация результатов. Достоверность результатов определяется использованием современного высокоточного диагностического оборудования, проверкой способов измерения теоретическим моделированием, сопоставлением обнаруженных структурных характеристик с физическими параметрами материалов, сравнении с представленными в литературе данными. Основные результаты работы были представлены и обсуждались на научных семинарах в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, в Санкт-Петербургском Государственном Университете, а также в Университете Антверпена, Антверпен, Бельгия, а также на следующих российских и международных конференциях:

• Европейская конференция «Графен» Graphene-2017 (Барселона, Испания, 28-31 марта 2017);

• 26 и 27 Российские конференции по электронной микроскопии (РКЭМ-2016, РКЭМ-2018) (Черноголовка, 26-30 августа 2018, Зеленоград, 30 мая -3 июня 2016);

• 16 Европейский микроскопический конгресс ЕМС-2016 (Лион, Франция, 28 августа - 2 сентября 2016);

• 18 Международный микроскопический конгресс 1МС-2014 (Прага, Чехия, 7-12 сентября 2014);

• Международные конференции по микроскопии МС-2011, МС-2013, МС-2015 (Киль, Германия, 28 августа - 2 сентября 2011; Регенсбург, Германия, 25-30 августа 2013; Гёттинген, Германия, 6-11 сентября 2015);

• Объединённая международная конференция «Передовые углеродные наноструктуры» АС^2011 (Санкт-Петербург, 4-8 июля 2011);

• Международные конференции «Приоритетные направления научных исследований нанообъектов искусственного и природного происхождения» 8ТЯЛКК-09, 8таАШ-11, 8ТЯЛКК-2012 (Санкт-Петербург, 3-4 декабря 2009; Санкт-Петербург, 25-26 мая 2011; Санкт-Петербург, 10-12 октября 2012);

• 12 Международная конференция по распознаванию дефектов и обработке изображений DRIP-XП (Берлин, Германия, 9-13 сентября 2007);

• Международная конференция по электронной микроскопии и мультимасштабному моделированию ЕМММ-2007 (Москва, 3-7 сентября 2007);

Личный вклад автора состоит в формулировке целей и задач исследования, разработке теоретических моделей и проведении соответствующих расчётов, разработке и выполнении экспериментов по исследованию структуры методом просвечивающей электронной микроскопии, формулировании выводов, связанных со структурными характеристиками исследуемых материалов.

Публикации. Результаты диссертационной работы представлены в 33 публикациях в отечественных и зарубежных рецензируемых научных изданиях, рекомендованных ВАК для публикации научных результатов.

Глава 1 Получение методом просвечивающей электронной информации о строении материалов

Основным методом анализа структуры материалов в рамках метода просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) является непосредственное исследование электронномикроскопических изображений на предмет наличия тех или иных особенностей контраста [1-4]. Можно сказать, что в значительной доле различных структурных исследований и решении соответствующих диагностических задач существует удовлетворительное соответствие между особенностями изображения и структурными неоднородностями исследуемых материалов. Данная возможность обусловлена малой длиной волны электронов по сравнению характерными масштабами структуры материалов, что кроме непосредственно высокого латерального разрешения метода также является причиной сравнительно медленной его деградации с увеличением толщины исследуемых участков образца. Однако, существуют естественные пределы возможностей прямого метода анализа, определяемые видом и размером структурных особенностей, элементным состава исследуемого материала, в совокупности с техническим несовершенством оборудования. При этом границы применимости метода, его способность решить ту или иную задачу, в каждом конкретном случае могут быть различны и устанавливаются экспериментальным путём.

Возможность анализа особенностей строения материала ненаблюдаемых непосредственно на электронномикроскопических изображениях связана, главным образом, с интегральными преобразованиями фронта электронной волны, прошедшей через образец, выполняемыми аппаратно в самом микроскопе или после регистрации изображения. Ключевой основой расширения возможностей метода является при этом следующее. В то время как прямой анализ может позволить получить полную информацию о пространственном распределении структурных особенностей, данная информация может быть избыточной. Действительно, несмотря на то, что, в

принципе, точное расположение элементов структуры позволяет описать макроскопические свойства материала, данные свойства могут принадлежать целому классу различных пространственных распределений в структуре. При этом данные макроскопические свойства материала в значительной мере взаимнооднозначно связаны с различными интегральными характеристиками пространственного распределения, такими как, например, автокорреляционная функция или различные её моменты. Грубо говоря, для исследования взаимосвязи физических свойств со строением вещества достаточно знания распределения структурных особенностей по размерам и характеристик их пространственного расположения относительно друг друга, при этом дополнительная информация о конкретном положении в пространстве тех или иных элементов структуры может быть избыточной и не являться полезной. Аналогично этому, в случае не пространственных, а временных флуктуаций, точное перемещение объектов во времени может представлять собой значение не большее, чем спектральные характеристики таких процессов.

Одним из основных и наиболее широко применяемых способов, расширяющим возможности анализа структуры с помощью метода ПЭМ, является электронная дифракция. Её возможности активно эксплуатируются ещё с тех пор, когда ПЭМ не обладали достаточным разрешением для непосредственной визуализации атомной структуры вещества. При этом электронная дифракция позволяла обнаружить наличие периодического расположения атомов, в частности, отличить аморфные фрагменты образца от кристаллических и определить соответствующие периоды кристаллической решётки. Сущность такого высокого разрешения структуры состоит в том, что при получении изображений фазовый множитель, связанный со сферическими аберрациями линз микроскопа, входит в выражение для распределения интенсивности на изображении в виде свёртки, в то время как для дифракционных картин - в виде простого умножения, и, таким образом, незначительно влияет на возможности разрешения структуры. Важно отметить, что повышение разрешающей способности в отношении определения строения

вещества на атомарном уровне в данном случае сопряжено со снижением латерального разрешения до десятков нанометров. При этом разрешение самого метода электронной дифракции определяется, главным образом, пространственной когерентностью рассеиваемого электронного пучка.

Развитие техники просвечивающей электронной микроскопии было направлено преимущественно на повышение латерального разрешения прямого метода. Одной из сопутствующих задач при этом стало повышение когерентности источников электронов. Качественный скачок в этом направлении произошёл при внедрении в ПЭМ так называемых электронных пушек с полевой эмиссией, что подразумевает крайне малый размер источника. Это не только обеспечило повышение прямого разрешения микроскопов, но и привело к существенному повышению точности электроннодифракционных измерений, что в значительной мере осталось без должного внимания многих исследователей. В то же время, что, в частности, показано в данной работе, это позволяет измерять параметры решётки с точностью, превышающей 10-3, а также, например, измерять фононные спектры двумерных кристаллов. При этом особенностью электронной дифракции является то, что за счёт локализации на дифракционной картине волн, рассеянных на периодичностях структуры, анализ последних в меньшей степени подвержен влиянию фона, обусловленного некогерентными процессами. Это, в частности, даёт возможность измерения структурных особенностей в области значительно больших толщин образцов, чем в случае прямого анализа кристаллической решётки. Здесь важно отметить, и другое значительное преимущество электронной дифракции по сравнению с прямым методом в отношении исследования динамических флуктуаций. При получении изображений сведения о переменных положениях атомов усредняются за характерное время экспозиции снимка. В результате, по таким изображениям может быть оценена только среднеквадратичная амплитуда таких движений. При этом при получении дифракционных картин во время экспозиции усредняется квадрат модуля преобразования Фурье электронной волны, что позволяет получать более полную информацию о пространственных

спектральных характеристиках таких динамических флуктуаций. Таким образом, использование непрямого метода, основанного на интегральном преобразовании сигнала, в смысле электронной волны, осуществляемого при её распространении в поле электромагнитных линз, существенно расширяет возможности метода.

Преобразования, применяемые непосредственно к изображениям, также позволяют повысить диагностические возможности метода. В частности, применяются способы идентификации деталей структуры, основанные на анализе с использованием метода максимального правдоподобия [5,6] или вейвлет-анализе. Сущность эффективности данных подходов заключается в том, что интегральные преобразования изображения позволяют снизить требуемый порог соотношения сигнал/шум, что, свою очередь, позволяет идентифицировать более малые детали, вплоть до отдельных атомов, и, таким образом, повысить разрешение метода в тех случаях, когда решение таких задач невозможно путём прямого анализа изображений. Однако, как и любые методы анализа изображения в целом такие методы предъявляют высокие требования соответствия образца идеальным условиям, используемых в рамках численного моделирования. Формирование таких условий может быть невозможным по техническим или связанным с природой исследуемого материала причинам. Преодоление таких ограничений возможно посредством получения интегральных данных с изменяющимся характеристическим масштабом, как показано в данной работе. Важно, что при этом отсутствует необходимость в определённой пространственной связи между единичными измерениями. Это, в свою очередь, позволяет проводить такие исследования на реальных образцах, зачастую характеризующихся в случае ПЭМ сложной неидеальной геометрией.

Таким образом, возможны различные реализации подхода, основанного на измерении характеристик пространственного распределения структурных особенностей материалов по характеристикам интегральных преобразований сигнала. Это позволяет расширить пределы диагностических возможностей ПЭМ, что показано в последующих главах на примере различных типов структурных особенностей в материалах.

Глава 2 Исследование волнистости свободного графена

2.1 Волнистый двумерный кристалл в обратном пространстве

Двумерные кристаллы подвержены сильным деформациям в направлении третьего измерения вследствие высокой гибкости таких структур [7-11]. Особенно это проявляется в случае кристаллов, представляющих собой слой одноатомной толщины, как графен [12-14]. Кроме нестабильности по отношению к сворачиванию, складыванию или иным макроскопическим деформациям, в результате которых происходит образование трёхмерных структур и, таким образом, потеря двумерной природы материала, данная особенность является причиной возникновения практически неизбежной значительной волнистости поверхности графена, что оказывает влияние на его электрофизические и механические характеристики.

Множество исследований посвящено волнистости графена, наблюдаемой при его контакте с различными подложками [15-28], включая как механический перенос или непосредственный рост графена на них. В данном случае могут реализовываться различные механизмы её образования, в зависимости от морфологии поверхности подложки. В частности, графен может плотно прилегать к поверхности, в этом случае его рельеф повторяет рельеф подложки [29,30]. Таким образом объясняется относительно высокая шероховатость графена перенесённого на слой оксида кремния на поверхности кремния, используемого, например, при получении графена методом микромеханического скалывания графита. Также, аналогичным образом был получен сверхгладкий графен на поверхности золотой плёнки, выращенной на слюде [31]. Стоит отметить, что низкую волнистость имеют, безусловно, монослои в кристаллах графита, что имеет место даже в случае электронно несвязанных слоёв графена на поверхности скола.

Особый вид волнистости обнаруживается при контакте графена с некоторыми видами кристаллических подложек, преимущественно металлов в силу достаточной близости их характерно малых параметров решётки к графену [32-36]. В результате возможно возникновение периодического рельефа аналогично муаровым картинам, период которого определяется рассогласованием решёток. Данное явление представляет интерес с точки зрения влияния возникающего периодического возмущения структуры на электронные свойства и, таким образом, получения особого типа наногетероструктур.

В то же время, основной особенностью графена, обуславливающей значительный интерес к данному материалу, является квазирелятивистская динамика носителей заряда [37-41]. Это, в частности, определяет обнаруженные высокие значения их подвижности, что позволило рассматривать графен как перспективный для приложений микроэлектроники. Причём рекордные значения подвижности носителей заряда обнаружены именно в свободном графене, поскольку контакт с подложкой, особенно в случае присутствия заряженных примесей в ней, вносит возмущения в электронную структуру графена [42-45]. С этой точки зрения исследования структурных особенностей именно свободного графена представляет большое значение.

Свободный графен также демонстрирует значительную волнистость, основной причиной возникновения которой являются тепловые колебания атомов решётки в направлении перпендикулярном поверхности кристалла (так называемые «изгибные фононы»). Амплитуды таких колебаний при комнатной температуре достигают величин порядка межатомных расстояний, что является следствием низкоразмерной природы данного материала. В результате данная мода колебаний (ZA) имеет квадратичную дисперсию ш~д2, что, в частности, в рамках гармонического приближения приводит к существенной сингулярности спектра изгибных фононов нуле. Квадрат амплитуды спектра данной акустической моды вертикальных колебаний Ид в зависимости от модуля волнового вектора д при этом определяется следующим выражением:

нч =

Т Kq4

(2.1)

Где Т - температура кристалла, к - модуль упругости, называемый изгибной жёсткостью. Очевидно, сингулярность такого порядка является неинтегрируемой, что приводит к пропорциональной зависимости среднеквадратичной амплитуды таких колебаний от размера кристалла и, таким образом, его неустойчивости по отношению к короблению (buckling). Однако, столь значительные смещения подразумевают существенно нелинейный характер динамики изгибных фононов, и более детальное моделирование показывает, что зависимость спектра при приближении к области малых волновых векторов становится значительно более слабой. Тем не менее, амплитуды предположительно достигают величин порядка ангстрем.

Существенно, что рассеяние на изгибных фононах является главным механизмом, ограничивающим проводимость свободного графена при практически значимых температурах [46-50]. Также, изгибные фононы отвечают за рекордно высокие значения теплопроводности графена [51-61], отрицательный коэффициент температурного расширения и играют значительную роль в иных аномальных механических и электронных свойствах данного материала, что явилось предметом активных научных исследований [62-101], но преимущественно теоретических, в силу существенных трудностей измерения динамического рельефа, обусловленного таким колебаниями. По данной причине экспериментальное измерение спектра изгибных фононов представляет значительный интерес.

Свободный графен также может демонстрировать статическую волнистость, возникающую под воздействием примесных групп на его поверхности. Статичность таких деформаций решётки существенно отличает их от деформаций, обусловленных тепловыми колебаниями. Интересно отметить, что возможно проявление волнистости, вызванной изгибными фононами, в статическом виде в случае расположения графена на подложке с относительно

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Кириленко Демид Александрович, 2019 год

Список цитируемой литературы

[1] Спенс, Д. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения / Д. Спенс. - Москва: Наука, 1986. - 319 с.

[2] Томас, Г., Просвечивающая электронная микрскопия материалов / Г. Томас, М.Д. Гориндж. - Москва: Наука, 1983. - 316 с.

[3] Хейденрайх, Р. Основы просвечиющей электронной микроскопии / Р. Хейденрайх - Москва: Мир, 1966. - 471 с.

[4] Хирш, П., Электронная микроскопия тонких кристаллов / П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. - Москва: Мир, 1968. - 575 с.

[5] den Dekker, A.J. Estimation of unknown structure parameters from highresolution (S)TEM images: What are the limits? / den Dekker A.J., J. Gonnissen, Backer A. De, J. Sijbers, Aert S. Van // Ultramicroscopy. - 2013. -Vol. 134(SI). - P. 34-43.

[6] Kundu, P. Atomic Structure of Quantum Gold Nanowires: Quantification of the Lattice Strain / P. Kundu, S. Turner, Aert S. Van, N. Ravishankar, Tendeloo G. Van // ACS Nano. - 2014. - Vol. 8(1). - P. 599-606.

[7] Abedpour, N. Roughness of undoped graphene and its short-range induced gauge field / N. Abedpour, M. Neek-Amal, R. Asgari, F. Shahbazi, N. Nafari, M.R.R. Tabar // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2007. - Vol. 76(19). - P. 1-5.

[8] Le, Doussal P. Self-consistent theory of polimerized membranes / Doussal P. Le, L. Radzihovsky // Phys. Rev. Lett. - 1992. - Vol. 69(8). - P. 1209-1212.

[9] Mermin, N.D. Crystalline Order in Two Dimensions / N.D. Mermin // Phys. Rev. - 1968. - Vol. 176(1). - P. 250-254.

[10] Nelson, R. Fluctuations in membranes with crystalline hexatic order / R. Nelson, L. Peliti // J. Physique. - 1987. - Vol. 48. - P. 1085-1092.

[11] Peliti, L. Effects of thermal fluctuations on systems with small surface tension / L. Peliti, S. Leibler // Phys. Rev. Lett. - 1985. - Vol. 54(15). - P. 1690-1693.

[12] Bangert, U. Manifestation of ripples in free-standing graphene in lattice images obtained in an aberration-corrected scanning transmission electron microscope / U. Bangert, M.H. Gass, A.L. Bleloch, R.R. Nair, A.K. Geim // Phys. Status Solidi Appl. Mater. Sci. - 2009. - Vol. 206(6). - P. 1117-1122.

[13] Bangert, U. Nanotopography of graphene / U. Bangert, M.H. Gass, A.L. Bleloch, R.R. Nair, J. Eccles // Phys. Status Solidi Appl. Mater. Sci. - 2009. -Vol. 206(9). - P. 2115-2119.

[14] Braghin, F.L. Thermal fluctuations of free-standing graphene / F.L. Braghin, N. Hasselmann // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2010. - Vol. 82(3). - P. 1-5.

[15] Addou, R. Monolayer graphene growth on Ni(111) by low temperature chemical vapor deposition / R. Addou, A. Dahal, P. Sutter, M. Batzill // Appl. Phys. Lett.

- 2012. - Vol. 100(2). - P. 212-217.

[16] Batzill, M. The surface science of graphene: Metal interfaces, CVD synthesis, nanoribbons, chemical modifications, and defects / M. Batzill // Surf. Sci. Rep.

- 2012. - Vol. 67(3-4). - P. 83-115.

[17] Stolyarova, E. High-resolution scanning tunneling microscopy imaging of mesoscopic graphene sheets on an insulating surface / E. Stolyarova, T.R. Kwang, S. Ryu, J. Maultzsch, P. Kim, L.E. Brus, T.F. Heinz, M.S. Hybertsen, G.W. Flynn // Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. - 2007. - Vol. 104(22). - P. 92099212.

[18] Lebedev, A.A. Low-Temperature Transport Properties of Graphene and Multilayer Graphene on 6H-SiC / A.A. Lebedev, N. V. Agrinskaya, V.A. Berezovets, V.I. Kozub, S.P. Lebedev, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko // Mater. Sci. Forum. - 2013. - Vol. 740-742. - P. 137-140.

[19] Mynbaeva, M.G. Graphene/ M.G. Mynbaeva, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, I.S. Kotousova /silicon carbide-based scaffolds // J. Phys. D. Appl. Phys. - 2012.

- Vol. 45(33). - P. 335303.

[20] Chen, J.H. Intrinsic and extrinsic performance limits of graphene devices on SiO 2 / J.H. Chen, C. Jang, S. Xiao, M. Ishigami, M.S. Fuhrer // Nat. Nanotechnol. -

2008. - Vol. 3(4). - P. 206-209.

[21] Boddeti, N.G. Adhesion mechanics of graphene on textured substrates / N.G. Boddeti, R. Long, M.L. Dunn // Int. J. Solids Struct. - 2016. - Vol. 97. - P. 5674.

[22] Borysiuk, J. Transmission electron microscopy and scanning tunneling microscopy investigations of graphene on 4H -SiC(0001) / J. Borysiuk, R. Boek, W. Strupinski, A. Wysmoek, K. Grodecki, R. Stpniewski, J.M. Baranowski // J. Appl. Phys. - 2009. - Vol. 105(2). - P. 2-6.

[23] Brar, V.W. Scanning tunneling spectroscopy of inhomogeneous electronic structure in monolayer and bilayer graphene on SiC / V.W. Brar, Y. Zhang, Y. Yayon, T. Ohta, J.L. McChesney, A. Bostwick, E. Rotenberg, K. Horn, M.F. Crommie // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 91(12). - P. 23-25.

[24] Li, G. Scanning tunneling spectroscopy of graphene on graphite / G. Li, A. Luican, E.Y. Andrei // Phys. Rev. Lett. - 2009. - Vol. 102(17). - P. 1-4.

[25] Viola, Kusminskiy S. Pinning of a two-dimensional membrane on top of a patterned substrate: The case of graphene / Kusminskiy S. Viola, D.K. Campbell, Neto A.H. Castro, F. Guinea // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 83(16). - P. 1-15.

[26] Pandey, D. Scanning probe microscopy study of exfoliated oxidized graphene sheets / D. Pandey, R. Reifenberger, R. Piner // Surf. Sci. - 2008. - Vol. 602(9).

- P. 1607-1613.

[27] Park, H.J. Growth and properties of few-layer graphene prepared by chemical vapor deposition / H.J. Park, J. Meyer, S. Roth, V. Skakalova // Carbon - 2010.

- Vol. 48(4). - P. 1088-1094.

[28] Nandamuri, G. Chemical vapor deposition of graphene films / G. Nandamuri, S. Roumimov, R. Solanki // Nanotechnology. - 2010. - Vol. 21(14). - P. 343-348.

[29] Geringer, V. Intrinsic and extrinsic corrugation of monolayer graphene deposited on SiO2 / V. Geringer, M. Liebmann, T. Echtermeyer, S. Runte, M. Schmidt, R. Ruckamp, M.C. Lemme, M. Morgenstern // Phys. Rev. Lett. - 2009. - Vol. 102(7). - P. 1-4.

[30] Ishigami, M. Atomic Structure of Graphene on SiO2 / M. Ishigami, J.H. Chen, W.G. Cullen, M.S. Fuhrer // Nano Lett. - 2007. - Vol. 7(6). - P. 1643-1648.

[31] Lui, C.H. Ultrafiat graphene / C.H. Lui, L. Liu, K.F. Mak, G.W. Flynn, T.F. Heinz // Nature. - 2009. - Vol. 462(7271). - P. 339-341.

[32] Preobrajenski, A.B. Controlling graphene corrugation on lattice-mismatched substrates / A.B. Preobrajenski, M.L. Ng, A.S. Vinogradov, N. Martensson // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2008. - Vol. 78(7). - P. 2-5.

[33] Afanasov, I.M. Graphite structural transformations during intercalation by HNO3 and exfoliation / I.M. Afanasov, O.N. Shornikova, D.A. Kirilenko, I.I. Vlasov, L. Zhang, J. Verbeeck, V. V. Avdeev, Tendeloo G. Van // Carbon. - 2010. -Vol. 48(6). - P. 1862-1865.

[34] Vazquez, De Parga A.L. Periodically rippled graphene: Growth and spatially resolved electronic structure / De Parga A.L. Vazquez, F. Calleja, B. Borca, M.C.G. Passeggi, J.J. Hinarejos, F. Guinea, R. Miranda // Phys. Rev. Lett. -

2008. - Vol. 100(5). - P. 1-4.

[35] Wintterlin, J. Graphene on metal surfaces / J. Wintterlin, M.L. Bocquet // Surf. Sci. - 2009. - Vol. 603(10-12). - P. 1841-1852.

[36] Xu, Z. Interface structure and mechanics between graphene and metal substrates: A first-principles study / Z. Xu, M.J. Buehler // J. Phys. Condens. Matter. -2010. - Vol. 22(48). - P. 18-23.

[37] Geim, A.K. The rise of graphene / A.K. Geim, K.S. Novoselov // Nat. Mat. -

2009. - Vol. 6. - P. 183-191.

[38] Katsnelson, M.I. Electron scattering on microscopic corrugations in graphene / M.I. Katsnelson, A.K. Geim // Philos. Trans. R. Soc. A Math. Phys. Eng. Sci. -2008. - Vol. 366(1863). - P. 195-204.

[39] Katsnelson, M.I. Graphene: New bridge between condensed matter physics and quantum electrodynamics / M.I. Katsnelson, K.S. Novoselov // Solid State Commun. - 2007. - Vol. 143(1-2). - P. 3-13.

[40] Katsnelson, M.I. Flexuron: A self-trapped state of electron in crystalline membranes / M.I. Katsnelson // Phys. Rev. B - 2010. - Vol. 82(20). - P. 1-6.

[41] Novoselov, K.S. Electric field in atomically thin carbon films / K.S. Novoselov, A.K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A.A. Firsov // Science. - 2004. - Vol. 306(5696). - P. 666-669.

[42] Adam, S. Transport in suspended graphene / S. Adam, Sarma S. Das // Solid State Commun. - 2008. - Vol. 146(9-10). - P. 356-360.

[43] Bolotin, K.I. Temperature-dependent transport in suspended graphene / K.I. Bolotin, K.J. Sikes, J. Hone, H.L. Stormer, P. Kim // Phys. Rev. Lett. - 2008. -Vol. 101(9). - P. 1-4.

[44] Bolotin, K.I. Ultrahigh electron mobility in suspended graphene / K.I. Bolotin, K.J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, H.L. Stormer // Solid State Commun. - 2008. - Vol. 146(9-10). - P. 351-355.

[45] Morozov, S. V. Giant intrinsic carrier mobilities in graphene and its bilayer / S. V. Morozov, K.S. Novoselov, M.I. Katsnelson, F. Schedin, D.C. Elias, J.A. Jaszczak, A.K. Geim // Phys. Rev. Lett. - 2008. - Vol. 100(1). - P. 11-14.

[46] Castro, E. V. Limits on charge carrier mobility in suspended graphene due to flexural phonons / E. V. Castro, H. Ochoa, M.I. Katsnelson, R. V. Gorbachev, D.C. Elias, K.S. Novoselov, A.K. Geim, F. Guinea // Phys. Rev. Lett. - 2010. -Vol. 105(26). - P. 16-18.

[47] Castro, Neto A.H. The electronic properties of graphene / Neto A.H. Castro, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim // Rev. Mod. Phys. - 2009. -Vol. 81(1). - P. 109-162.

[48] Das, Sarma S. Electronic transport in two-dimensional graphene / Sarma S. Das, S. Adam, E.H. Hwang, E. Rossi // Rev. Mod. Phys. - 2011. - Vol. 83(2). - P. 407-470.

[49] Hwang, E.H. Acoustic phonon scattering limited carrier mobility in two-dimensional extrinsic graphene / E.H. Hwang, Sarma S. Das // Phys. Rev. B -Condens. Matter Mater. Phys. - 2008. - Vol. 77(11). - P. 1-6.

[50] Peres, N.M.R. Colloquium: The transport properties of graphene: An introduction / N.M.R. Peres // Rev. Mod. Phys. - 2010. - Vol. 82(3). - P. 26732700.

[51] Balandin, A.A. Superior thermal conductivity of single-layer graphene / A.A. Balandin, S. Ghosh, W. Bao, I. Calizo, D. Teweldebrhan, F. Miao, C.N. Lau // Nano Lett. - 2008. - Vol. 8(3). - P. 902-907.

[52] Bonini, N. Acoustic phonon lifetimes and thermal transport in free-standing and strained graphene / N. Bonini, J. Garg, N. Marzari // Nano Lett. - 2012. - Vol. 12(6). - P. 2673-2678.

[53] Seol, J.H. Two-dimensional phonon transport in supported graphene / J.H. Seol, I. Jo, A.L. Moore, L. Lindsay, Z.H. Aitken, M.T. Pettes, X. Li, Z. Yao, R. Huang, D. Broido, N. Mingo, R.S. Ruoff, L. Shi // Science. - 2010. - Vol. 328(5975). - P. 213-216.

[54] Ghosh, S. Extremely high thermal conductivity of graphene: Prospects for thermal management applications in nanoelectronic circuits / S. Ghosh, I. Calizo, D. Teweldebrhan, E.P. Pokatilov, D.L. Nika, A.A. Balandin, W. Bao, F. Miao, C.N. Lau // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 92(15). - P. 2008-2010.

[55] Jiang, J.W. Topological effect on thermal conductivity in graphene / J.W. Jiang, J.S. Wang, B. Li // J. Appl. Phys. - 2010. - Vol. 108(6). - P. 1-5.

[56] Kong, B.D. First-principles analysis of lattice thermal conductivity in monolayer and bilayer graphene / B.D. Kong, S. Paul, M.B. Nardelli, K.W. Kim // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2009. - Vol. 80(3). - P. 16-18.

[57] Lee, J.U. Thermal conductivity of suspended pristine graphene measured by Raman spectroscopy / J.U. Lee, D. Yoon, H. Kim, S.W. Lee, H. Cheong // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 83(8). - P. 1-4.

[58] Lindsay, L. Flexural phonons and thermal transport in graphene / L. Lindsay, D.A. Broido, N. Mingo // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2010. - Vol. 82(11). - P. 2-7.

[59] Lindsay, L. Flexural phonons and thermal transport in multilayer graphene and graphite / L. Lindsay, D.A. Broido, N. Mingo // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 83(23). - P. 1-5.

[60] Nika, D.L. Phonon thermal conduction in graphene: Role of Umklapp and edge roughness scattering / D.L. Nika, E.P. Pokatilov, A.S. Askerov, A.A. Balandin

// Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2009. - Vol. 79(15). - P. 1-12.

[61] Balandin, A.A. Lattice thermal conductivity of graphene flakes: Comparison with bulk graphite / A.A. Balandin, D.L. Nika, S. Ghosh, E.P. Pokatilov // Appl. Phys. Lett. - 2009. - Vol. 94(20). - P. 2009-2011.

[62] Choi, S.M. Effects of strain on electronic properties of graphene / S.M. Choi, S.H. Jhi, Y.W. Son // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2010. -Vol. 81(8). - P. 23-26.

[63] Cortijo, A. Minimal conductivity of rippled graphene with topological disorder / A. Cortijo, M.A.H. Vozmediano // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys.

- 2009. - Vol. 79(18). - P. 1-9.

[64] Lee, C. Measurement of the elastic properties and intrinsic strength of monolayer graphene / C. Lee, X. Wei, J.W. Kysar, J. Hone // Science. - 2008. - Vol. 321(5887). - P. 385-388.

[65] Li, G.Q. The difference of the transport properties of graphene with corrugation structure and with flat structure / G.Q. Li, J. Cai, J.K. Deng, A.R. Rocha, S. Sanvito // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 92(16). - P. 2008-2010.

[66] Mariani, E. Flexural phonons in free-standing graphene / E. Mariani, Oppen F. Von // Phys. Rev. Lett. - 2008. - Vol. 100(7). - P. 1-4.

[67] Mariani, E. Temperature-dependent resistivity of suspended graphene / E. Mariani, Oppen F. Von // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2010.

- Vol. 82(19). - P. 1-11.

[68] Ochoa, H. Temperature-dependent resistivity in bilayer graphene due to flexural phonons / H. Ochoa, E. V. Castro, M.I. Katsnelson, F. Guinea // Phys. Rev. B -Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 83(23.

[69] Pozzo, M. Thermal expansion of supported and freestanding graphene: Lattice constant versus interatomic distance / M. Pozzo, D. Alfe, P. Lacovig, P. Hofmann, S. Lizzit, A. Baraldi // Phys. Rev. Lett. - 2011. - Vol. 106(13). - P. 1-4.

[70] Ramirez, R. Anharmonic effects in the optical and acoustic bending modes of graphene / R. Ramirez, E. Chacon, C.P. Herrero // Phys. Rev. B. - 2016. - Vol.

93(23). - P. 1-10.

[71] Roldan, R. Suppression of anharmonicities in crystalline membranes by external strain / R. Roldan, A. Fasolino, K. V. Zakharchenko, M.I. Katsnelson // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 83(17). - P. 1-7.

[72] Shi, X. Stretch-induced softening of bending rigidity in graphene / X. Shi, B. Peng, N.M. Pugno, H. Gao // Appl. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 100(19.

[73] Savini, G. Bending modes, elastic constants and mechanical stability of graphitic systems / G. Savini, Y.J. Dappe, S. Oberg, J.C. Charlier, M.I. Katsnelson, A. Fasolino // Carbon N. Y. - 2011. - Vol. 49(1). - P. 62-69.

[74] Costamagna, S. From graphene sheets to graphene nanoribbons: Dimensional crossover signals in structural thermal fluctuations / S. Costamagna, A. Dobry // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 83(23). - P. 1-4.

[75] San-Jose, P. Electron-induced rippling in graphene / P. San-Jose, J. Gonzalez, F. Guinea // Phys. Rev. Lett. - 2011. - Vol. 106(4). - P. 1-4.

[76] Thompson-Flagg, R.C. Rippling of graphene / R.C. Thompson-Flagg, M.J.B. Moura, M. Marder // Epl. 2009. - Vol. 85(4). - P. 46002.

[77] Tallinen, T. Mechanical and thermal stability of adhesive membranes with nonzero bending rigidity / T. Tallinen, J.A. Astrom, P. Kekalainen, J. Timonen // Phys. Rev. Lett. - 2010. - Vol. 105(2). - P. 3-6.

[78] Wang, Z. Periodic ripples in suspended graphene / Z. Wang, M. Devel // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 83(12). - P. 1-4.

[79] Xu, P. Atomic control of strain in freestanding graphene / P. Xu, Y. Yang, S.D. Barber, M.L. Ackerman, J.K. Schoelz, D. Qi, I.A. Kornev, L. Dong, L. Bellaiche, S. Barraza-Lopez, P.M. Thibado // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2012. - Vol. 85(12). - P. 1-5.

[80] Wu, B. A phenomenological model for self-rippling energy of free graphene monolayers / B. Wu, C.Q. Ru // J. Appl. Phys. - 2016. - Vol. 120(2). - P. 024304.

[81] De Andres, P.L. Bending modes, anharmonic effects, and thermal expansion coefficient in single-layer and multilayer graphene / De Andres P.L., F. Guinea,

M.I. Katsnelson // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2012. - Vol. 86(14). - P. 1-5.

[82] De Andres P.L. Density functional theory analysis of flexural modes, elastic constants, and corrugations in strained graphene / De Andres P.L., F. Guinea, M.I. Katsnelson // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2012. - Vol. 86(24). - P. 1-5.

[83] Okada, S. Electronic structure of corrugated graphene sheet / S. Okada, T. Kawai // Jpn. J. Appl. Phys. - 2012. - Vol. 51. - P. 1-6.

[84] He, Y.Z. Dynamic ripples in single layer graphene / Y.Z. He, H. Li, P.C. Si, Y.F. Li, H.Q. Yu, X.Q. Zhang, F. Ding, K.M. Liew, X.F. Liu // Appl. Phys. Lett.

- 2011. - Vol. 98(6). - P. 2-4.

[85] Fischetti, M. V. Mermin-Wagner theorem, flexural modes, and degraded carrier mobility in two-dimensional crystals with broken horizontal mirror symmetry / M. V. Fischetti, W.G. Vandenberghe // Phys. Rev. B. - 2016. - Vol. 93(15). - P. 1-13.

[86] Wei, Y. Nanomechanics of graphene / Y. Wei, R. Yang // Natl. Sci. Rev. -2019. - Vol. 6(2). - P. 324-348.

[87] Gornyi, I. V. Conductivity of suspended graphene at the Dirac point / I. V. Gornyi, V.Y. Kachorovskii, A.D. Mirlin // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2012. - Vol. 86(16). - P. 1-17.

[88] Gonzalez, J. Rippling transition from electron-induced condensation of curvature field in graphene / J. Gonzalez // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2014. - Vol. 90(16). - P. 1-11.

[89] Gazit, D. Theory of the spontaneous buckling of doped graphene / D. Gazit // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2009. - Vol. 79(11). - P. 11-14.

[90] Gao, W. Thermomechanics of monolayer graphene: Rippling, thermal expansion and elasticity / W. Gao, R. Huang // J. Mech. Phys. Solids. - 2014. - Vol. 66(1).

- P. 42-58.

[91] Amorim, B. Novel effects of strains in graphene and other two dimensional materials / B. Amorim, A. Cortijo, Juan F. De, A.G. Grushin, F. Guinea, A.

Gutierrez-Rubio, H. Ochoa, V. Parente, R. Roldan, P. San-Jose, J. Schiefele, M. Sturla, M.A.H. Vozmediano // Phys. Rep. 2015. - Vol. 617). - P. 1-54.

[92] Kirilenko, D.A. One-step synthesis of a suspended ultrathin graphene oxide film: Application in transmission electron microscopy / D.A. Kirilenko, A.T. Dideykin, A.E. Aleksenskiy, A.A. Sitnikova, S.G. Konnikov, A.Y. Vul' // Micron. - 2015. - Vol. 68. - P.105-109.

[93] Ochoa, H. Scattering by flexural phonons in suspended graphene under backgate induced strain / H. Ochoa, E.V. Castro, M.I. Katsnelson, F. Guinea // Physica E.

- 2012. - Vol. 44. P. - 963-966.

[94] Nicholl, R.J.T. The effect of intrinsic crumpling on the mechanics of freestanding graphene / R.J.T. Nicholl, H.J. Conley, N. V. Lavrik, I. Vlassiouk, Y.S. Puzyrev, V.P. Sreenivas, S.T. Pantelides, K.I. Bolotin // Nat. Commun. - 2015.

- Vol. 6. - P. 1-7.

[95] Ackerman, M.L. Anomalous Dynamical Behavior of Freestanding Graphene Membranes / M.L. Ackerman, P. Kumar, M. Neek-Amal, P.M. Thibado, F.M. Peeters, S. Singh // Phys. Rev. Lett. - 2016. - Vol. 117(12). - P. 1-5.

[96] Gazit, D. Correlation between charge inhomogeneities and structure in graphene and other electronic crystalline membranes / D. Gazit // Phys. Rev. B -Condens. Matter Mater. Phys. - 2009. - Vol. 80(16). - P. 1-4.

[97] Gibertini, M. Electron density distribution and screening in rippled graphene sheets / M. Gibertini, A. Tomadin, M. Polini, A. Fasolino, M.I. Katsnelson // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2010. - Vol. 81(12). - P. 1-12.

[98] Kirilenko, D.A. Measuring the height-to-height correlation function of corrugation in suspended graphene / D.A. Kirilenko, P.N. Brunkov // Ultramicroscopy. - 2016. - Vol. 165. - P. 1-7.

[99] Kirilenko, D.A. Measuring the corrugation amplitude of suspended and supported graphene / D.A. Kirilenko, A.T. Dideykin, Tendeloo G. Van // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. - 2011. - Vol. 84(23). - P. 235417.

[100] Kirilenko, D.A. Influence of charge carriers on corrugation of suspended graphene / D.A. Kirilenko, A. Gorodetsky, M. V. I Baidakova // Solid State

Commun. - 2018. Vol. - 270. - P. 1-5.

[101] Кириленко, Д.А. Измерение изгибной жесткости свободного графена с помощью электронной дифракции. / Д.А. Кириленко // Письма в ЖТФ. -2013, - Том 20. P. - 19-25.

[102] Meyer, J.C. The structure of suspended graphene sheets / J.C. Meyer, A.K. Geim, M.I. Katsnelson, K.S. Novoselov, T.J. Booth, S. T Roth // Nature. - 2007.

- Vol. 446(7131). - P. 60-63.

[103] Rabchinskii, M.K. Facile reduction of graphene oxide suspensions and films using glass wafers / M.K. Rabchinskii, A.T. Dideikin, D.A. Kirilenko, M. V. Baidakova, V. V. Shnitov, F. Roth, S. V. Konyakhin, N.A. Besedina, S.I. Pavlov, R.A. Kuricyn, N.M. Lebedeva, P.N. Brunkov, A.Y. F Vul' // Sci. Rep. - 2018. Vol. - 8(1). - P. 1-11.

[104] Locatelli, A. Low energy electron microscopy investigation of roughness in suspended graphene / A. Locatelli, K.R. Knox, D. Cvetko, O. Mentes, M.A. Nin, S. Wang, M.B. Yilmaz, P. Kim, R.M. L Osgood // ACS Nano. - 2010. - Vol. 4(8). - P. 4879-4889.

[105] Rabchinskii, M.K. Nanoscale perforation of graphene oxide during photoreduction process in the argon atmosphere / M.K. Rabchinskii, V. V. Shnitov, A.T. Dideikin, A.E. Aleksenskii, S.P. Vul, M. V. Baidakova, I.I. Pronin, D.A. Kirilenko, P.N. Brunkov, J. Weise, S.L. N Molodtsov // J. Phys. Chem. C. -2016. Vol. - 120(49). - P. 28261-28269..

[106] Ludacka, U. In situ control of graphene ripples and strain in the electron microscope / U. Ludacka, M.R.A. Monazam, C. Rentenberger, M. Friedrich, U. Stefanelli, J.C. Meyer, J. I Kotakoski // 2D Mater. Appl. 2018. - Vol. 2(1). - P. 1-6.

[107] Abedpour, N. Irreversibility in response to forces acting on graphene sheets / N. Abedpour, R. Asgari, M.R.R. I Tabar // Phys. Rev. Lett. - 2010. - Vol. 104(19).

- P. 1-4.

[108] Los, J.H. Scaling properties of flexible membranes from atomistic simulations: Application to graphene / J.H. Los, M.I. Katsnelson, O. V. Yazyev, K. V.

Zakharchenko, A. S Fasolino // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. -

2009. - Vol. 80(12). - P. 1-4.

[109] Zakharchenko, K. V. Self-consistent screening approximation for flexible membranes: Application to graphene / K. V. Zakharchenko, R. Roldan, A. Fasolino, M.I. S Katsnelson // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. -

2010. - Vol. 82(12). - P. 1-5.

[110] Fasolino, A. Intrinsic ripples in graphene / A. Fasolino, J.H. Los, M.I. I Katsnelson // Nat. Mater. - 2007. - Vol. 6(11). - P. 858-861.

[111] Павлов, С.И. Исследование структуры композитного материала фуллерен квантовые точки ". / С.И. Павлов, Д.А. Кириленко, А.В. И Нащекин // Письма ЖТФ. - 2015. - Том 41. - С. 33-40.

[112] Курдюков, Д.А. Темплатный синтез монодисперсных углеродных наноточек / Д.А. Курдюков, Д.А. Еуров, Е.Ю. Стовпяга, Д.А. Кириленко, С.В. Т Коняхин // Физика твердого тела. - 2016. - Том 41. - С. 2454-2458.

[113] Kuznetsov, A.S. Effect of heat-treatment on luminescence and structure of Ag nanoclusters doped oxyfluoride glasses and implication for fiber drawing / A.S. Kuznetsov, N.T. Cuong, V.K. Tikhomirov, M. Jivanescu, A. Stesmans, L.F. Chibotaru, J.J. Velazquez, V.D. Rodriguez, D. Kirilenko, Tendeloo G. Van, V. V. E Moshchalkov // Opt. Mater. - 2012. - Vol. 34(4). - P. 616-621.

[114] Shestakov, M. V. Quantum cutting in Li (770 nm) and Yb (1000 nm) co-dopant emission bands by energy transfer from the ZnO nano-crystalline host / M. V. Shestakov, V.K. Tikhomirov, D. Kirilenko, A.S. Kuznetsov, L.F. Chibotaru, A.N. Baranov, Tendeloo G. Van, V. V. Q Moshchalkov // Opt. Express. - 2011. - Vol. 19(17). - P. 15955.

[115] Tikhomirov, V.K. Luminescence of oxyfluoride glasses co-doped with Ag nanoclusters and Yb3+ ions / V.K. Tikhomirov, T. Vosch, E. Fron, V.D. Rodriguez, J.J. Velazquez, D. Kirilenko, Tendeloo G. Van, J. Hofkens, Der Auweraer M. Van, V. V. L Moshchalkov // RSC Adv. - 2012. - Vol. 2(4). - P. 1496-1501.

[116] Tikhomirov, V.K. Optimizing Er/ V.K. Tikhomirov, V.D. Rodriguez, J.

Mendez-Ramos, J. Del-Castillo, D. Kirilenko, Tendeloo G. Van, V.V. O Moshchalkov /Yb ratio and content in ErYb co-doped glass-ceramics for enhancement of the up- and down-conversion luminescence // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2012. - Vol. 100. - P. 245-267.

[117] Tikhomirov, V.K. Preparation and luminescence of bulk oxyfluoride glasses doped with Ag nanoclusters / V.K. Tikhomirov, V.D. Rodriguez, A. Kuznetsov, D. Kirilenko, Tendeloo G. Van, V.V. Moshchalkov // Opt. Express. - 2010. -Vol. 18(21). P.107-119

[118] Orekhova, K.N. Structural and luminescent properties of Gd oxide doped with Eu3+ embedded in mesopores of SiO2 particles / K.N. Orekhova, D.A. Eurov, D.A. Kurdyukov, V.G. Golubev, D.A. Kirilenko, V.A. Kravets, M. V. S Zamoryanskaya // J. Alloys Compd. - 2016. - Vol. 678. - P. 434-438.

[119] Liang, K. Synthesis, morphology, and viscoelastic properties of cyanate ester/ K. Liang, H. Toghiani, G. Li, Jr C.U. S Pittman /polyhedral oligomeric silsesquioxane nanocomposites // J. Polym. Sci. Part A Polym. Chem. - 2005. -Vol. 43(17). - P. 3887-3898.

[120] Pittman, Jr. C.U. Hybrid inorganic-organic crosslinked resins containing polyhedral oligomeric silsesquioxanes / Jr. C.U. Pittman, G.-Z. Li, H. H Ni // Macromol. Symp. - 2003. - Vol. 196. - P. 301-325.

[121] Ma, J. Gelation behavior, morphology, thermal and viscoelastic properties of epoxy-cyanate ester/polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS) nanocomposites / J. Ma, Q. G Li // Adv. Mater. Res. - 2006. - Vol. 11-12. - P. 323-326.

[122] Chandramohan, A. Synthesis and characterization of epoxy modified cyanate ester POSS nanocomposites / A. Chandramohan, K. Dinkaran, A.A. Kumar, M. S Alagar // High Perform. Polym. - 2012. - Vol. 24(5). - P. 405-417.

[123] Zhang, Z. Epoxy-functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane-cyanate ester resin organic-inorganic hybrids with enhanced mechanical and thermal properties / Z. Zhang, G. Liang, X. E Wang // Polym. Int. - 2014. - Vol. 63(3). - P. 552-559.

[124] Ke, Y.C., Stroeve P. Polymer-layered silicate and silica nanocomposites / Y.C. Ke, P. Stroeve. - Elsevier, Amsterdam. - 2005.

[125] Gun'ko, V.M. Aqueous suspension of fumed oxides: particle size distribution and zeta potential / V.M. Gun'ko, V.I. Zarko, R. Leboda, E. A Chibowski // Adv. Colloid Interface Sci. - 2001. - Vol. 91(1). - P. 1-112.

[126] Tsagaropoulos, G. Direct observation of two glass transitions in silica-filled polymers. Implications to the morphology of random ionomers / G. Tsagaropoulos, A. D Eisenburg // Macromolecules. - 1995. - Vol. 28(1). - P. 396-398.

[127] Jin, S.-W. Effect of interfacial modification on the characteristics of poly(ethyl acrylate-co-t-butyl acrylate)/ S.-W. Jin, H.Y. Keunok, H.-I. E Kim /silica nanocomposites // Polym. - 2004. - Vol. 28(6). - P. 487-493.

[128] Berriot, J. Evidence for the shift of the glass transition near the particles in silica-filled elastomers / J. Berriot, H. Montes, F. Lequeux, D. Long, P. E Sotta // Macromolecules. - 2002. - Vol. 35(26). - P. 9756-9762.

[129] Theneau, C. The kinetics of the structural relaxation process in PHEMA-silica nanocomposites based on an equation for the configurational entropy / C. Theneau, Sanchez M. Salmeron, Hernandez J.C. Rodrguez, Pradas M. Monleon, J.M. Saiter, Ribelles J.L. T Gomez // Eur. Phys. J. E. - 2007. - Vol. 24(1). - P. 69-77.

[130] Bershtein, V.A. Molecular dynamics in nanostructured polyimide-silica hybrid materials and their thermal stability / V.A. Bershtein, L.M. Egorova, P.N. Yakushev, P. Pissis, P. Sysel, L. M Brozova // J. Polym. Sci. Part B Polym. Phys. - 2002. - Vol. 40(10). - P. 1056-1069.

[131] Fragiadakis, D. Glass transition and molecular dynamics in poly(dimethylsiloxane)/silica nanocomposites / D. Fragiadakis, P. Pissis, L. G Bokobza // Polymer. - 2005. - Vol. 46(16). - P. 6001-6008.

[132] Arrighi, V. The glass transition and interfacial layer in styrene-butadiene rubber containing silica nanofiller / V. Arrighi, I.J. McEwen, H. Qian, Prieto M.B. T Serrano // Polymer. - 2003. - Vol. 44(20). - P. 6259-6266.

[133] Goertzen, W.K. Thermal expansion of fumed silica/cyanate ester nanocomposites / W.K. Goertzen, M.R. T Kessler // J. Appl. Polym. Sci. - 2008. - Vol. 109(1). - P. 647-653.

[134] Goertzen, W.K. Dynamic mechanical analysis of fumed silica/ W.K. Goertzen, M.R. D Kessler /cyanate ester nanocomposites // Compos. Part A Appl. Sci. Manuf. - 2008. - Vol. 39(5). - P. 761-768.

[135] Zhang, Q.-L. Morphology and properties of cyanate ester/liquid polyurethane/silica nanocomposites / Q.-L. Zhang, X.-Y. Ma, G.-Z. Liang, X.-H. Qu, Y. Huang, S.-H. Wang, K.-C. M Kou // J. Polym. Sci. Part B Polym. Phys. - 2008. - Vol. 46(12). - P. 1243-1251.

[136] Bershtein, V. Dynamics and properties of high performance amorphous Cyanate Ester-based subnanocomposites with ultralow silica content and quasi-regular structure / V. Bershtein, A. Fainleib, D. Kirilenko, P. Yakushev, K. Gusakova, N. Lavrenyuk, V. D Ryzhov // Polymer. - 2016. - Vol. 103. - P. 36-40.

[137] Bershtein, V. Incorporating silica into cyanate ester-based network by sol-gel method: Structure and properties of subnano- and nanocomposites / V. Bershtein, A. Fainleib, D. Kirilenko, P. Yakushev, K. Gusakova, N. Lavrenyuk, V. I Ryzhov // AIP Conf. Proc. - 2016. - Vol. 1736. P. 205.

[138] Bershtein, V. Silica subnanometer-sized nodes, nanoclusters and aggregates in Cyanate Ester Resin-based networks: Structure and properties of hybrid subnano-and nanocomposites / V. Bershtein, A. Fainleib, K. Gusakova, D. Kirilenko, P. Yakushev, L. Egorova, N. Lavrenyuk, V. S Ryzhov // Eur. Polym. J. - 2016. -Vol. 85. - P. 375-389.

[139] Bershtein, V. The impact of ultra-low amounts of introduced reactive POSS nanoparticles on structure, dynamics and properties of densely cross-linked cyanate ester resins / V. Bershtein, A. Fainleib, L. Egorova, O. Grigoryeva, D. Kirilenko, S. Konnikov, V. Ryzhov, O. Starostenko, P. Yakushev, M. Yagovkina, J.M. T Saiter // Eur. Polym. J. - 2015. - Vol. 67. - P. 128-142.

[140] Bauer, J. Curing of cyanates with primary amines / J. Bauer, M. C Bauer // Macromol. Chem. Phys. - 2001. - Vol. 202(11). - P. 2213-2220.

[141] Fainleib, A.M. Interaction of dicyanate ester of bisphenol E with aniline / A.M. Fainleib, K.G. Gusakova, N.S. I Lavrenyuk // Ukr. Chem. J. - 2016. - Vol. 82. -P. 52-58.

[142] Shimp, D.A. Technologically driven applications for cyanate ester resins BT -Chemistry and Technology of Cyanate Ester Resins / D.A. Shimp. - 1994. - Vol. 7. - P. 282-327.

[143] Semenovych, H.M. Influence of carbon fibre on formation kinetics of crosslinked copolymer from bisphenol A dicyanate and epoxy oligomer / H.M. Semenovych, O.M. Fainleib, O.A. Slinchenko, O.O. Brovko, L.M. Sergeeva, V.I. I Dubkova // React. Funct. Polym. - 1999. - Vol. 40(3). - P. 281-288.

[144] Keller, T.M. I Imide-containing phthalonitrile resin / T.M. I Keller // Polymer. -1993. - Vol. 34(5). - P. 952-955.

[145] Selvakumar, P. Synthesis, characterization and microwave-enhanced polymerization of a phthalonitrile resin / P. Selvakumar, M. Sarojadevi, P. S Sundararajan // Mater. Sci. Eng. B. - 2010. - Vol. 168(1). - P. 214-218.

[146] Bilgin, A. Novel Network Polymeric Phthalocyanines: Synthesis and Characterization / A. Bilgin, C. Yagc, U. N Yldz // Macromol. Chem. Phys. -2005. - Vol. 206(22). - P. 2257-2268.

[147] Babkin, A. V V, Zodbinov E.B., Bulgakov B.A., Kepman A. V, Avdeev V. V. Thermally stable phthalonitrile matrixes containing siloxane fragments / A. V Babkin // Polym. Sci. Ser. B. - 2016. - Vol. 58(3). - P. 298-306.

[148] Derradji, M. Mechanical and thermal properties of phthalonitrile resin reinforced with silicon carbide particles / M. Derradji, N. Ramdani, T. Zhang, J. Wang, T. Feng, H. Wang, W. M Liu // Mater. Des. - 2015. - Vol. 71. - P. 48-55.

[149] Kobayashi, T. T The far infrared spectra of phthalocyanine and its metal derivatives / T. T Kobayashi // Spectrochim. Acta Part A Mol. Spectrosc. -1970. - Vol. 26(6). - P. 1313-1322.

[150] Gupta, R.K., Kennel E., Kim K.-J. Polymer Nanocomposites: Handbook / R.K. Gupta, E. Kennel, K.-J. Kim. - New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2009.

[151] Reddy, B.P. Advances in diverse industrial applications of nanocomposites / B.P. Reddy. - London: InTech, 2011.

[152] Hamerton, I. Chemistry and Technology of Cyanate Ester Resins/ I. Hammerton.

- Glasgow: Chapman & Hall, 1994.

[153] Fainleib, A. Thermostable Polycyanurates. Synthesis, Modification, Structure and Properties / A. Fainleib. - New York: Nova Science Publishers, 2010.

[154] Dodiuk H., Goodman S.H. Handbook of Thermoset Plastics / H. Dodiuk, S.H. Goodman. - Amsterdam: Elsevier, 2014.

[155] Paul, D.R. Polymer nanotechnology: nanocomposites / D.R. Paul, L.M. P Robeson // Polymer. - 2008. - Vol. 49(31). - P. 87-204.

[156] Герасин, В.А. Новые подходы к разработке полимерных нанокомпозитов: от структурных материалов к высокотехнологичным применениям / В.А. Герасин, В.М. Антипов, В.В. Карбушев, В.Г. Куличихин, Г.П. Карпачёва, Р.В. Н Талроз // Успехи Химии. - 2013. - Vol. 82(30). - P. 3-32.

[157] Wooster, T.J. Cyanate ester polymerization catalysis by layered silicates / T.J. Wooster, S. Abrol, D.R. C MacFarlane // Polymer. - 2004. - Vol. 45(78). - P. 45-52.

[158] Ngo, T.D. Effect of temperature, duration and speed of pre-mixing on the dispersion of clay-epoxy nanocomposites / T.D. Ngo, M.T. Ton-That, S.V. Hoa, K.C. E Cole // Compos. Sci.Technol. 2009. - Vol. 69(18). - P. 31-40.

[159] Modesti, M. Effect of processing conditions on morphology and mechanical properties of compatibilized polypropylene nanocomposites / M. Modesti, A. Lorenzetti, D. Bon, S. E Besco // Polymer. - 2005. - Vol. 46(102). - P. 37-45.

[160] Nakas, G.I. Use of different alkylammonium salts in clay surface modification for epoxy-based nanocomposites / G.I. Nakas, C. U Kaynak // Polym. Compos.

- 2009. - Vol. 30(3). - P. 57-63.

[161] Song, K. Characterization of montmorillonite surfaces after modification by organosilane / K. Song, G. C Sandi // Clay Clay Miner. - 2001. - Vol. 49(1). -P. 19-25.

[162] Kim, E.S. Effect of the silane modification of clay on the tensile properties of

nylon 6/clay nanocomposites / E.S. Kim, J.H. Shim, J.Y. Woo, K.S. Yoo, J.S. E Yoon // J. Appl. Polym. Sci. - 2010. - Vol. 117(80). - P. 9-16.

[163] Bershtein, V.A. High-temperature hybrid phthalonitrile / V.A. Bershtein, A.M. Fainleib, P.N. Yakushev, D.A. Kirilenko, K.G. Gusakova, D.A. Markina, O.G. Melnychuk, V.A. H Ryzhov / amino-MMT nanocomposites: Synthesis, structure, properties. - 2019. - Vol. 13(7). - P. 656-672.

[164] Ganguli, S. Mechanical properties of intercalated cyanate ester-layered silicate nanocomposites / S. Ganguli, D. Dean, K. Jordan, G. Price, R. M Vaia // Polymer. - 2003. - Vol. 44(131). - P. 5-9.

[165] Ganguli, S. Chemorheology of cyanate ester-organically layered silicate nanocomposites / S. Ganguli, D. Dean, K. Jordan, G. Price, V. C R. // Polymer. - 2003. - Vol. 44(69). - P. 1-11.

[166] Kim, D.S. Polymerization kinetics and thermal properties of dicyanate/clay nanocomposites / D.S. Kim, K.M. P Lee // J. Appl. Polym. Sci. - 2004. - Vol. 92(19). - P. 55-60.

[167] Bershtein, V. The impact of ultra-low amounts of amino-modified MMT on dynamics and properties of densely cross-linked cyanate ester resins / V. Bershtein, A. Fainleib, L. Egorova, K. Gusakova, O. Grigoryeva, D. Kirilenko, S. Konnikov, V. Ryzhov, P. Yakushev, N. T Lavrenyuk // Nanoscale Res. Lett. -2015. - Vol. 10, - № 1. - P. 115-119.

[168] Lin, Y. A comprehensive study on the curing kinetics and network formation of cyanate ester resin/ Y. Lin, M. Song, C.A. Stone, S.J. A Shaw /clay nanocomposites // Thermochim. Acta. - 2013. - Vol. 552. - P. 77-86.

[169] Grigat, E. Umsetzung von cyansaureestern mit amino- bzw, Imino-gruppenhaltigen substanzen / E. Grigat, R. U Putter // Chem. Ber. - 1964. - Vol. 97(30). - P. 27-35.

[170] Bershtein, V.A. Far-infrared spectroscopy of polymers / V.A. Bershtein, V.A. F Ryzhov // Adv. Polym. Sci. - 1994. - Vol. 114. - P. 43-121.

[171] Bershtein, V.A. Laser-interferometric creep rate spectroscopy of polymers / V.A. Bershtein, P.N. L Yakushev // Adv. Polym. Sci. - 2010. - Vol. 230. - P.

79-231.

[172] Giannelis, E.P. Polymers in confined environments / E.P. Giannelis, R. Krishnamoorti, E. P Manias // Adv. Polym. Sci. - 1999. - Vol. 138(10). - P. 748.

[173] Коршак, В.В. Термическая и термооксидационная деградация полицианатов / В.В. Коршак, П.Н. Грибкова, С.В. Дмитренко, А.Г. Пучин, С.В. Панкратов, С.. Т Виноградова // Высокомолекулярные соединения. -1974. - Vol. 16. - P. 15-21.

[174] McConnell, V.P. R Resins for the hot zone, Part II: BMIs, CEs, benzoxazines and phthalonitriles. High-Performance Composites / V.P. R McConnell // HighPerformance Compos. - 2009. - Vol. 17. - P. 43-49.

[175] Derradji M., Wang J., Liu W.B. Phthalonitrile resins and composites. Properties and applications. - New York: Elsevier, 2018.

[176] Keller, T.M. Amine-Cured Bisphenol-Linked Phthalonitrile Resins / T.M. Keller, T.R. A Price // J. Macromol. Sci. Part A - Chem. - 1982. - Vol. 18(6). -P. 931-937.

[177] Keller, T.M. P Phthalonitrile-based high temperature resin / T.M. P Keller // J. Polym. Sci. Part A Polym. Chem. - 1988. - Vol. 26(12). - P. 3199-3212.

[178] Lei, Y. Preparation process and properties of exfoliated graphite nanoplatelets filled Bisphthalonitrile nanocomposites / Y. Lei, G.-H. Hu, R. Zhao, H. Guo, X. Zhao, X. P Liu // J. Phys. Chem. Solids. - 2012. - Vol. 73(11). - P. 1335-1341.

[179] Lei, Y. Mechanical and thermal properties of graphite nanoplatelets reinforced polyarylene ether nitriles/ Y. Lei, R. Zhao, X. Yang, X. M Liu /bisphthalonitrile IPN system // J. Appl. Polym. Sci. - 2013. - Vol. 127(5). - P. 3595-3600.

[180] Derradji, M. High thermal and thermomechanical properties obtained by reinforcing a bisphenol-A based phthalonitrile resin with silicon nitride nanoparticles / M. Derradji, N. Ramdani, T. Zhang, J. Wang, Z. Lin, M. Yang, X. Xu, W. H Liu // Mater. Lett. - 2015. - Vol. 149. - P. 81-84.

[181] Derradji, M. High performance ceramic-based phthalonitrile micro and nanocomposites / M. Derradji, J. Wang, W. H Liu // Mater. Lett. - 2016. - Vol.

182. - P. 380-385.

[182] Li, X. Cure Behavior and Thermomechanical Properties of Phthalonitrile-Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane Copolymers / X. Li, B. Yu, D. Zhang, J. Lei, Z. C Nan // Polymer. - 2017. - Vol. 9(8). - P. 453-456.

[183] Sheng, H. Synthesis of high performance bisphthalonitrile resins cured with self-catalyzed 4-aminophenoxy phthalonitrile / H. Sheng, X. Peng, H. Guo, X. Yu, K. Naito, X. Qu, Q. S Zhang // Thermochim. Acta. - 2014. - Vol. 577. - P. 1724.

[184] Kumar, D. Heat-resistant polymers from melt-processable bisimido-bisphthalonitriles / D. Kumar, U. Razdan, A.D. H Gupta // J. Polym. Sci. Part A Polym. Chem. - 1993. - Vol. 31(3). - P. 797-804.

[185] Zou, Y. Effect of curing behaviors on the properties of poly(arylene ether nitrile) end-capped with phthalonitrile / Y. Zou, J. Yang, Y. Zhan, X. Yang, J. Zhong, R. Zhao, X. E Liu // J. Appl. Polym. Sci. - 2012. - Vol. 125(5). - P. 3829-3835.

[186] Ji, S. A novel curing agent for phthalonitrile monomers: Curing behaviors and properties of the polymer network / S. Ji, P. Yuan, J. Hu, R. Sun, K. Zeng, G. A Yang // Polymer. - 2016. - Vol. 84. - P. 365-370.

[187] Sheng, H. Synthesis and thermal properties of a novel high temperature alkyl-center-trisphenolic-based phthalonitrile polymer / H. Sheng, X. Peng, H. Guo, X. Yu, C. Tang, X. Qu, Q. S Zhang // Mater. Chem. Phys. - 2013. - Vol. 142(2). - P. 740-747.

[188] Laskoski, M. Improved synthesis of oligomeric phthalonitriles and studies designed for low temperature cure / M. Laskoski, A. Neal, T.M. Keller, D. Dominguez, C.A. Klug, A.P. I Saab // J. Polym. Sci. Part A Polym. Chem. -2014. - Vol. 52(12). - P. 1662-1668.

[189] Fitzgerald, E.A., Green M.L., Brasen D., Kortan A.R., Michel J., Mii Y.., Weir B.E. Totally relaxed GexSi1x layers with low threading dislocation densities grown on Si substrates / E.A. Fitzgerald, Y. Xie // Appl. Phys. Lett. - 1991. -Vol. 59(7). - P. 811-813.

[190] Cotal, H. III-V multijunction solar cells for concentrating photovoltaics / H.

Cotal, C. Fetzer, J. Boisvert, G. Kinsey, R. King, P. Hebert, H. Yoon, N. I Karam // Energy Environ. Sci. - 2009. - Vol. 2(2). - P. 174-192.

[191] Wang, S.M. L Low threshold current density 1.3 цт metamorphic InGaAs/ S.M. L Wang /GaAs quantum well laser diodes // Electron. Lett. - 2008. - Vol. 44(7). - p. 474-475.

[192] Chin, T.P. Heteroepitaxial growth of InP/In0.52Ga0.48As structures on GaAs (100) by gassource molecular beam epitaxy / T.P. Chin, C.W. H Tu // Appl. Phys. Lett. - 1993. - Vol. 62(21). - P. 2708-2710.

[193] Yang, L. Compositionally-graded InGaAs-InGaP alloys and GaAsSb alloys for metamorphic InP on GaAs / L. Yang, M.T. Bulsara, K.E. Lee, E.A. C Fitzgerald // J. Cryst. Growth. - 2011. - Vol. 324(1). - P. 103-109.

[194] Lord, S.M. Electroabsorption modulators operating at 1.3 m on GaAs substrates / S.M. Lord, B. Pezeshki, J.S. E Harris // Opt. Quantum Electron. - 1993. - Vol. 25(12). - P. S953-S964.

[195] Байдакова, М.В. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs-GaAs / М.В. Байдакова, Д.А. Кириленко, А.А. Ситникова // Письма В Журнал Технической Физики. - 2016. - Vol. 42(9). -P. 40.

[196] Tangring, I. Manipulation of strain relaxation in metamorphic heterostructures / I. Tangring, S.M. Wang, X.R. Zhu, A. Larsson, Z.H. Lai, M. M Sadeghi // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 90(7). - P. 71904.

[197] Choy, H.K.H. Effects of substrate temperature on the growth of InGaAs compositionally graded buffers and on quantum well structures grown above them / H.K.H. Choy, C.G. E Fonstad // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. - 2005. - Vol. 23(5). - P. 2109-2113.

[198] Kumar, R. Comparison of different grading schemes in InGaAs metamorphic buffers on GaAs substrate: Tilt dependence on cross-hatch irregularities / R. Kumar, A. Bag, P. Mukhopadhyay, S. Das, D. C Biswas // Appl. Surf. Sci. -2015. - Vol. 357. - P. 922-930.

[199] Tangring, I. A study of the doping influence on strain relaxation of graded composition InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy / I. Tangring, Y.X. Song, Z.H. Lai, S.M. Wang, M. Sadeghi, A. A Larsson // J. Cryst. Growth. - 2009. - Vol. 311(7). - P. 1684-1687.

[200] Tersoff, J. D Dislocations and strain relief in compositionally graded layers / J. D Tersoff // Appl. Phys. Lett. - 1993. - Vol. 62(7). - P. 693-695.

[201] Gonzalez, D. Critical thickness for the saturation state of strain relaxation in the InGaAs/ D. Gonzalez, D. Araujo, G. Aragon, R. C Garca /GaAs systems // Appl. Phys. Lett. - 1998. - Vol. 72(15). - P. 1875-1877.

[202] Kim, S. Strain relaxation in compositionally graded epitaxial layers / S. Kim, S.M. Lord, J.S. S Harris // J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. Process. Meas. Phenom. - 1996. - Vol. 14(2). - P. 642-646.

[203] Dunstan, D.J. Plastic relaxation of InGaAs grown on GaAs / D.J. Dunstan, P. Kidd, L.K. Howard, R.H. P Dixon // Appl. Phys. Lett. - 1991. - Vol. 59(26). - P. 3390-3392.

[204] Romanato, F. V, Bosacchi A., Ferrari C., Franchi S., Salviati G. Lattice curvature of InxGa1xAs/GaAs [001] graded buffer layers / F. Romanato, M. Natali, E. Napolitani, A. V Drigo // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1998. - Vol. 16(6). - P. 3578-3581.

[205] Natali, M. Lattice curvature generation in graded InGaAs/GaAs buffer layers / M. Natali, F. Romanato, E. Napolitani, Salvador D. De, A. V. L Drigo // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 62(16). - P. 11054-11062.

[206] Sorokin, S. V. Peculiarities of strain relaxation in linearly graded InxGa1xAs/ S. V. Sorokin, G. V. Klimko, I. V. Sedova, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, M. V. Baidakova, M.A. Yagovkina, T.A. Komissarova, K.G. Belyaev, S. V. P Ivanov /GaAs(001) metamorphic buffer layers grown by molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth. - 2016. - Vol. 455, - P. 83-89.

[207] Chen, C. Growth variations and scattering mechanisms in metamorphic In0.75Ga0.25As-In0.75Al0.25As quantum wells grown by molecular beam epitaxy / C. Chen, I. Farrer, S.N. Holmes, F. Sfigakis, M.P. Fletcher, H.E. Beere,

D.A. G Ritchie // J. Cryst. Growth. - 2015. - Vol. 425. - P. 70-75.

[208] Choi, H. Effectiveness of non-linear graded buffers for In(Ga,Al)As metamorphic layers grown on GaAs (001) / H. Choi, Y. Jeong, J. Cho, M.H. E Jeon // J. Cryst. Growth. - 2009. - Vol. 311(4). - P. 1091-1095.

[209] Solov'ev, V.A. Strain relaxation in convex-graded InxAl1-xAs (x = 0.05-0.79) metamorphic buffer layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) / V.A. Solov'ev, M.Y. Chernov, M. V. Baidakova, D.A. Kirilenko, M.A. Yagovkina, A.A. Sitnikova, T.A. Komissarova, P.S. Kop'ev, S. V. S Ivanov // Superlattices Microstruct. - 2018. - Vol. 113. - P. 777-784.