Развитие методов вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии для исследования многослойных полупроводниковых гетероструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Юнин Павел Андреевич

• Юнин Павел Андреевич
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Юнин Павел Андреевич

Введение

Глава 1. Особенности методов РД и ВИМС анализа полупроводниковых гетероструктур

§ 1.1 Анализ и обработка экспериментальных данных. Прямая и обратная задачи физического эксперимента

§ 1.2 Особенности РД анализа многослойных полупроводниковых гетероструктур

§ 1.3 Послойный анализ полупроводниковых гетероструктур методом ВИМС

§ 1.4 Совместное использование методов РД и ВИМС для диагностики многослойных гетероструктур

§ 1.5 Выводы из главы 1. Постановка цели и задач исследований

Глава 2. Обработка данных послойного ВИМС анализа с учетом функции разрешения по глубине

§ 2.1 Решение прямой задачи послойного анализа

§ 2.2 Деконволюция профилей ВИМС

§ 2.3 Восстановление профилей ВИМС с учетом нестационарных эффектов

§ 2.4 Восстановление профилей, полученных в режиме быстрого послойного анализа

§ 2.5 Выводы из главы

Глава 3. Использование дополнительной информации при обработке данных рентгенодифракционных экспериментов

§ 3.1 Использование априорной информации о временах роста слоев гетероструктуры

§ 3.2 Совместное использование данных рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рефлектометрии

§ 3.3 Учёт отклонений от закона Вегарда при анализе состава твёрдых растворов AlxGa1-xAs методом рентгеновской дифрактометрии

§ 3.4 Выводы из главы

Глава 4. Совместное использование методов РД и ВИМС для анализа многослойных гетероструктур

§ 4.1 Калибровка чувствительности масс-спектрометра по РД данным для количественного элементного анализа гетероструктур на базе твердого раствора Si1-xGex

§ 4.2 Калибровка чувствительности масс-спектрометра по РД данным для количественного элементного анализа гетероструктур на базе твердого раствора A^Ga^As

§ 4.3 Перекрестное сравнение результатов РД и ВИМС анализа: алгоритмы обработки и сравнения, выявление систематических погрешностей

§ 4.4 Выводы из главы

Заключение

Список работ автора по теме диссертации

Список цитируемой литературы

Введение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Развитие методов вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии для исследования многослойных полупроводниковых гетероструктур»

Актуальность темы исследования

Развитие микро- и оптоэлектроники, совершенствование технологии изготовления многослойных полупроводниковых гетероструктур, а также усложнение их дизайна, предъявляют высокие требования к аналитическим методам их диагностики. Задача получения наиболее полной и точной информации о структурных свойствах исследуемого образца, несомненно, является очень актуальной для физики и технологии наноструктур. Точный аналитический контроль структурных параметров является важной частью технологического процесса изготовления гетероструктур и необходим для установления фундаментальных связей «условия - структура - свойство», позволяющих проектировать и получать структуры с заданными свойствами. В число наиболее информативных и широко распространенных методов анализа многослойных гетероструктур входят рентгеновская дифрактометрия (РД) [12] и вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС) [3-4]. Метод рентгеновской дифрактометрии позволяет получать информацию о кристаллическом качестве образцов и их структурных параметрах, в то время как ВИМС предоставляет информацию об элементном составе поверхности и профилях распределения по глубине элементов в образце. Эти методы дополняют друг друга при анализе многослойных гетероструктур и часто используются совместно как для перекрестной проверки результатов, так и для всестороннего анализа структурных характеристик образцов. Для метода РД приборная и методологическая база достаточно хорошо развиты, а основная новизна современных исследований состоит в развитии и адаптации методик для анализа конкретных типов структур. Из-за невозможности тривиального решения обратной задачи РД эксперимента вследствие фазовой проблемы, активно развиваются методы обработки результатов, не требующие непосредственного решения обратной задачи. Наиболее распространенным методом обработки данных РД эксперимента на данный момент является моделирование РД данных для пробной модели структуры и подгонка их к результатам измерений. Однако до сих пор недостаточно исследован вопрос однозначности и надежности восстановления таким методом параметров многослойных структур, корреляции между параметрами, возможных систематических погрешностях метода. Это делает актуальным разработку методик анализа и обработки результатов эксперимента, позволяющих минимизировать возможные ошибки за счет использования дополнительных экспериментальных данных или же некоторой априорной информации об образце. Такой подход позволит значительно ускорить процесс поиска решения обратной задачи, повысить точность и однозначность, а значит, и расширить возможности применения метода для анализа более сложных структур.

Метод ВИМС является относительно новым и очень активно развивается в настоящее время: совершенствуется приборная база, методы измерений и обработки результатов. Применительно к теме анализа многослойных гетероструктур актуальными являются проблемы количественного послойного ВИМС анализа полупроводниковых твердых растворов. Для современных приборов с времяпролетными масс-анализаторами, таких как TOF.SIMS-5, не до конца отработаны алгоритмы пересчета выхода вторичных ионов в концентрацию элементов. Остро стоит проблема улучшения разрешения по глубине при послойном анализе для диагностики ультратонких слоев в многослойных гетероструктурах. Относительная новизна и незавершенность формирования методологических и теоретических основ метода ВИМС заставляют разрабатывать новые методики измерений и обработки результатов эксперимента, позволяющие повысить точность анализа. В связи с этим проводится адаптация методик ВИМС профилирования для анализа конкретных гетеросистем. Разрабатываются различные подходы к проблеме решения обратной задачи послойного ВИМС анализа, позволяющие количественно восстанавливать профили распределения концентрации элементов по глубине, учитывая экспериментальное уширение профилей. Создание таких алгоритмов обработки данных требует надежной количественной калибровки масс-спектрометра и определения функции разрешения по глубине.

Для проведения калибровок и проверки работоспособности и корректности разработанных алгоритмов обработки данных ВИМС необходимо использовать результаты измерений независимым методом, в качестве которого может выступать рентгеновская дифрактометрия. Сочетание принципиально отличающихся методов анализа, предоставляющих как прямую (профили ВИМС), так и косвенную (интерференционная картина в методе РД) информацию об исследуемой структуре, и различающихся подходами к обработке полученных данных, позволяет надежно проводить перекрестную проверку результатов, отслеживать систематические погрешности методов. Анализ различий результатов, полученных методами ВИМС и РД, в ряде случаев также может давать дополнительную информацию об исследуемых структурах. Таким образом, совместное использование методов РД и ВИМС для анализа многослойных гетероструктур при наличии соответствующих методик может существенно повышать возможности каждого из этих методов, информативность и точность анализа, позволяет проводить учет систематических погрешностей.

Степень разработанности темы исследования

Начавшееся в 1990-ые годы активное развитие математического аппарата обработки профилей ВИМС, направленное на улучшение разрешения по глубине [4], в последующие годы замедлилось в связи с тем, что прогресс в области конструирования инструментальной базы

ВИМС позволил обеспечивать достаточное для большинства приложений разрешение по глубине и без дополнительной обработки результатов. В последнее время исследования в этом направлении вновь активизировались, так как возросли требования к возможностям методов анализа многослойных гетероструктур. Последовательно решаются проблемы матричных эффектов при количественном послойном анализе полупроводниковых гетероструктур на основе различных твердых растворов [5-6]. Методика реконструкции «истинных» профилей распределения элементов по глубине применяется для новых режимов и гетеросистем [7-8]. Развиваются также и методы деконволюции профилей ВИМС с использованием стационарной функции разрешения по глубине [9-10]. Однако до сих пор не исследованной остается достаточно актуальная проблема непосредственного решения обратной задачи в случае нестационарных режимов послойного анализа.

Аналогичная ситуация складывается и для метода рентгеновской дифрактометрии, когда большое разнообразие все более усложняющихся дизайнов структур требует как адаптации уже известных методик, так и разработки новых подходов для расширения возможностей метода [11-12]. Коммерциализация программ обработки данных рентгенодифракционного эксперимента, с одной стороны, сделала метод более универсальным и доступным пользователям, с другой стороны, сделала невозможной модификацию программного обеспечения для введения пользовательских поправок и адаптации метода к анализу конкретных типов образцов. Поэтому открытым остается вопрос о расширении возможностей коммерческого программного обеспечения без непосредственного изменения внутренних алгоритмов. Вопрос об однозначности полученной на основе анализа РД эксперимента модели структуры и о предельных возможностях метода при анализе сложных многослойных структур также недостаточно полно освещен в литературе. Об этом свидетельствуют периодически встречающиеся в публикациях явно ошибочные результаты обработки РД данных [13-14], вызванные переоценкой возможностей метода и формальным подходом к анализу.

Растущая доступность оборудования для ВИМС и РД анализа делают эти методы диагностики структуры и состава полупроводниковых гетероструктур все более распространенными. Появилась возможность проводить исследования образцов обоими методами, сопоставлять полученные результаты, использовать преимущества методов для совместного анализа гетероструктур. В первую очередь, такие исследования оказываются актуальными для сложных многослойных структур с тонкими гетерослоями, когда дифракционная картина, регистрируемая в методе РД, оказывается чрезвычайно сложной для расшифровки без дополнительных данных о модели, а ограниченное разрешение по глубине в методе ВИМС не позволяет проводить количественный анализ состава и толщин слоев в таких структурах. В этом случае предлагается использовать метод ВИМС для получения начальных

параметров пробной модели структуры, а рентгеновский метод - для дальнейшего количественного уточнения параметров [15]. В ряде исследований результаты рентгенодифракционного анализа используются в качестве исходных данных при обработке профилей ВИМС [16]. Однако недостаточно исследованным оказывается вопрос количественного сопоставления данных РД и ВИМС экспериментов, выявления возможных систематических погрешностей и артефактов методов.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы являлось развитие методов ВИМС и РД анализа многослойных гетероструктур, включающее в себя разработку методик выполнения экспериментов, алгоритмов обработки и сопоставления результатов, и направленное на повышение однозначности, информативности и точности анализа. Для этого были решены следующие задачи:

1) Разработка способов решения прямой и обратной задачи послойного ВИМС анализа многослойных гетероструктур как в случае постоянной функции разрешения по глубине, так и в нестационарном случае.

2) Количественная калибровка чувствительности масс-спектрометра вторичных ионов TOF.SIMS-5 с времяпролетным детектором для систем полупроводниковых твердых растворов замещения $1ьхОех, Л1хОа1-хЛ8 по результатам анализа серий тестовых структур методом рентгеновской дифрактометрии.

3) Разработка методик РД анализа многослойных гетероструктур с учетом дополнительной экспериментальной и априорной информации об исследуемой структуре, позволяющих повысить скорость сходимости и однозначность процесса поиска решения обратной задачи.

4) Сопоставление данных РД и ВИМС для проведения перекрестной проверки результатов обработки экспериментальных данных, анализа и учета систематических погрешностей методов, повышения возможностей методов по точному количественному восстановлению параметров многослойных гетероструктур.

Научная новизна

1) Алгоритм деконволюции впервые применен для восстановления профилей ВИМС распределения по глубине концентрации Si в ОаЛБ и Sb в Si в структурах низкобарьерных диодов с приповерхностными 5-легированными слоями. Показана возможность простого учета сдвига профилей путем их деконволюции без проведения дополнительных экспериментов.

2) Предложен новый способ решения обратной задачи послойного ВИМС анализа для нестационарного случая с изменяющейся функцией разрешения по глубине. Способ состоит в

решении обратной задачи интегрального уравнения Фредгольма первого рода с регуляризацией по методу Тихонова.

3) Предложены способы количественного восстановления распределения по глубине концентрации Ge в многослойных SiGe гетероструктурах на основе данных послойного ВИМС анализа с учетом как функции разрешения по глубине, так и калибровок чувствительности масс-спектрометра.

4) Разработана методика количественного восстановления распределения по глубине концентрации Ge в многослойных гетероэпитаксиальных SiGe структурах на основе данных совместных измерений методами малоугловой рефлектометрии и рентгеновской дифрактометрии.

5) Предложен простой способ учета отклонения от закона Вегарда при рентгенодифракционном анализе слоев твердого раствора AlxGa1.xAs. Способ заключается в коррекции результата, полученного в любой программе обработки данных РД анализа на основании поправочной кривой. Это позволяет использовать плюсы подхода с подгонкой полного спектра дифракции на гетероструктуре, учитывая отклонения от закона Вегарда для параметра решетки и упругих констант. При этом не требуется модифицировать используемое программное обеспечение.

6) Предложен способ обработки данных рентгенодифракционного эксперимента с учетом априорной информации о временах роста слоев в ростовой установке. Использование предложенного метода позволяет существенно повысить скорость и сходимость процесса поиска решения при автоматизированной подгонке, расширить возможности РД анализа многослойных гетероструктур.

Теоретическая и практическая значимость

Теоретическая значимость работы состоит в разработке нового метода восстановления профилей послойного ВИМС анализа с учетом нестационарной функции разрешения по глубине, исследованиях природы и способов учета нестационарных эффектов при восстановлении. Предложен способ полного количественного восстановления профилей Ge в гетероструктурах на основе SiGe с учетом матричных эффектов, инструментального уширения профилей и зависимости скорости распыления от состава слоев. Также были разработаны новые подходы к обработке данных РД анализа, позволяющие учитывать данные дополнительных экспериментов, независимые литературные данные [17] или же информацию о временах роста слоев в исследуемой структуре.

Практическая значимость состоит в том, что на основе предложенных подходов к анализу и обработке экспериментальных данных были разработаны новые методики РД и ВИМС анализа многослойных полупроводниковых гетероструктур. Так, применение разработанного алгоритма

восстановления профилей ВИМС с учетом нестационарной функции разрешения по глубине позволило реализовать методику послойного ВИМС анализа приповерхностных слоев с учетом развивающейся шероховатости. Этот подход также позволил проводить улучшение разрешения по глубине до уровня десятка нанометров в новом методе быстрого послойного ВИМС анализа со скоростями до 2 мкм/мин. На основе предложенных в работе подходов к анализу гетероэпитаксиальных SiGe структур методами ВИМС, РД и МУР были реализованы методики, регулярно использующиеся для калибровки потоков в установках эпитаксиального роста.

Методология и методы исследований

Образцы многослойных гетероэпитаксиальных структур, экспериментально исследованные в рамках данной работы, были выращены на установках молекулярно-пучковой эпитаксии (Riber SIVA 21, Balzers UMS-500P) и металлорганической газофазной эпитаксии (Epiquip VP 502) в ИФМ РАН.

В качестве основных методов исследования многослойных полупроводниковых гетероструктур в рамках данной работы применялись вторично-ионная масс-спектрометрия и рентгенодифракционные методы - рентгеновская дифрактометрия высокого разрешения и малоугловая рентгеновская рефлектометрия. Эксперименты выполнялись на современном оборудовании - вторично-ионном масс-спектрометре TOF.SIMS-5 (IONTOF, Германия) и многофункциональном рентгеновском дифрактометре Bruker D8 Discover (Bruker AXS, Германия). Для обработки результатов использовались известные математические подходы к решению как прямой, так и обратной задач физического эксперимента, адаптированные автором с учетом особенностей методов анализа и исследуемых образцов. Полученные в ходе работы результаты проходили проверку путем перекрестного сравнения данных измерений независимыми методами. Такой подход позволил провести верификацию результатов, проанализировать степень их достоверности и исследовать систематические ошибки различных методов измерений.

Положения, выносимые на защиту

1) Математическое описание искажения профилей в процессе послойного ВИМС анализа с помощью интегрального уравнения Фредгольма первого рода, где в качестве ядра используется двумерная функция разрешения по глубине, позволяет решать как прямую, так и обратную задачи послойного анализа с учетом изменения параметров функции разрешения по глубине.

2) Использование метода восстановления профилей ВИМС с учетом нестационарной функции разрешения по глубине позволяет сочетать высокую скорость послойного анализа (до 2 мкм/мин) с приемлемым разрешением по глубине (30 нм при травлении на глубину до 4 мкм).

3) Для установки ToF.SIMS показана компенсация матричных эффектов для отношения интенсивностей вторичных ионов 74Ge730SГ при распылении твердого раствора замещения Si1. xGex ионами Cs+ и зондировании ионами Bi+ и Bi3+. Использование калибровки, полученной на основе этого факта, вместе с методом восстановления профиля позволяет избежать систематических погрешностей при количественном послойном ВИМС анализе гетероструктур на основе SiGe.

4) Учет отклонений от закона Вегарда при анализе концентрации твердого раствора AlxGa1.xAs методом рентгеновской дифрактометрии может быть проведен для любой программы обработки данных РД эксперимента с использованием поправочной кривой без модификации программного обеспечения.

5) Количественное восстановление профиля распределения Ge по глубине для многослойных непериодических гетероэпитаксиальных Si/SiGe структур может быть проведено на основании совместного анализа данных малоугловой рефлектометрии и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.

6) Использование априорной информации о временах роста слоев и наложение соответствующих связей на параметры толщин слоев в пробной модели структуры позволяет значительно повысить скорость сходимости и надежность решения при подгонке данных рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения в случае сложных многослойных гетероструктур. Число слоев при этом не является ограничивающим параметром.

Личный вклад автора

Автор участвовал в постановке цели и задач диссертации, выборе направлений и методов исследования. Результаты, представленные в диссертационной работе, получены либо лично автором, либо при его непосредственном участии. Автором были выполнены все представленные в работе эксперименты по рентгенодифракционному анализу гетероструктур, проведена их обработка. Также автором разработаны и реализованы алгоритмы обработки экспериментальных профилей ВИМС и проведена обработка результатов экспериментов по послойному ВИМС анализу. Автор внес основной вклад в анализ и обобщение результатов экспериментов, формулирование выводов и публикацию результатов.

Степень достоверности и апробация результатов

Достоверность результатов, представленных в диссертационной работе, подтверждается выполнением перекрестной проверки путем измерения тестовых структур несколькими независимыми экспериментальными методами. Результаты получены на современном оборудовании, для обработки результатов использованы экспериментально проверенные

теоретические модели. Достоверность полученных результатов подтверждается также и их сопоставлением с данными, представленными в литературе.

Полученные результаты были опубликованы в ряде как российских, так и зарубежных специализированных реферируемых научных журналах, доложены в виде стендовых и устных докладов на конференциях:

• XIV-XVIII международные симпозиумы «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2010-2014 гг.

• 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging «XTOP 2012», Санкт Петербург, 2012 г.

• «ХХХ и XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова», Нижний Новгород, 2011, 2014 г.

• VII международная конференция «Кремний 2010», Нижний Новгород, 2010 г. Разработанные в ходе выполнения работы методики и методы анализа опробованы в

практике работы Центра коллективного пользования научным оборудованием ИФМ РАН «Физика и технология микро- и наноструктур». Результаты работы использованы при выполнении под руководством автора проекта «Диагностика полупроводниковых структур с дельта-легированными слоями методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии» в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» и гранта РФФИ «Ультратонкие слои Si3N4 для структур на основе GaN». В 2014-2016 годах ряд методов анализа был разработан в рамках проекта Минобрнауки России № RFMEFI60714X0071. Разработанные методики анализа также применялись автором при участии в качестве соисполнителя и в ряде других проектов Российского научного фонда, Министерства образования и науки Российской Федерации и Российского фонда фундаментальных исследований.

Всего по материалам диссертации опубликовано 16 статей в реферируемых отечественных и зарубежных журналах из списка ВАК, 11 тезисов докладов в сборниках трудов конференций.

Структура диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, изложена на 166 страницах, содержит 145 наименований библиографии, 59 рисунков и 14 таблиц.

Глава 1. Особенности методов РД и ВИМС анализа полупроводниковых гетероструктур

Метод рентгеновской дифрактометрии (РД) основан на регистрации углового распределения интенсивности рассеяния коротковолнового рентгеновского излучения на периодическом потенциале атомной структуры исследуемого объекта [1-2]. РД является неразрушающим, экспрессным, точным, хорошо отработанным и относительно простым методом диагностики, предоставляющим в первую очередь информацию о структурных характеристиках исследуемого образца. Вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС) основана на бомбардировке поверхности исследуемого образца пучком первичных ионов с энергиями в единицы или десятки килоэлектронвольт и регистрации в масс-спектрометре распыленных вторичных ионов образца [3-4]. При интенсивном распылении пучками ионов с высокой плотностью тока можно реализовать режим послойного анализа, в котором регистрируется интенсивность выхода вторичных ионов в зависимости от времени распыления. Метод ВИМС, хотя и является разрушающим по своей природе, а его реализация требует сложных технических решений, распространен довольно широко, так как предоставляет очень важную для диагностики микро- и оптоэлектронных структур информацию о распределении по глубине химических элементов и обладает высокой чувствительностью к малым концентрациям примесей (1014 - 1016 атомов/см3). Стоит отметить, что оба метода хорошо дополняют друг друга, при совместном применении предоставляя информацию о структуре и составе исследуемых образцов. Для многослойных полупроводниковых гетероструктур исследования методами ВИМС и РД позволяют определить толщины и состав слоев, профили примесного легирования, кристаллическое совершенство и величины упругих напряжений в гетеропереходах. Тенденция усложнения изготовляемых гетероструктур, увеличения числа слоев и уменьшения их толщин приводит к увеличению параметров, требующих диагностики. Это делает актуальными вопросы о пределах возможностей методов анализа, точности и достоверности результатов. Рассмотрение этих вопросов требует развития методов выполнения РД и ВИМС экспериментов, интерпретации и обработки полученных результатов.

Данная глава посвящена описанию методов РД и ВИМС диагностики многослойных полупроводниковых гетероструктур с учетом современной специфики исследовательских и технологических задач. Особое внимание будет уделено вопросам интерпретации, обработки и анализа результатов как РД, так и ВИМС экспериментов, решениям прямой и обратной задач.

§ 1.1 Анализ и обработка экспериментальных данных. Прямая и обратная задачи физического эксперимента

Оба метода - рентгеновская дифрактометрия и масс-спектрометрия вторичных ионов - не выводят в качестве результата измерения непосредственно значения физических величин, характеризующих исследуемую структуру. В методе РД выходными данными эксперимента является угловая зависимость интенсивности рассеянного образцом рентгеновского излучения. В послойном ВИМС анализе - зависимость интенсивности регистрируемых вторичных ионов от времени распыления. Для извлечения из результатов измерений значений искомых физических величин, характеризующих исследуемую структуру, требуется проводить соответствующий анализ и обработку результатов.

Математически процесс экспериментального измерения физической величины с помощью некоторого прибора можно описать операторным уравнением [18-20]:

Кг = и (1.1)

Схема процесса приведена на рисунке 1.1. Здесь г - значение измеряемой физической величины, К - измерительный прибор, «черный ящик», который в общем случае формирует некоторый выходной регистрируемый сигнал и в зависимости от значения величины г на входе. В выражении (1.1) г и и это некоторые переменные, а оператор К, который может быть как линейным, так и нелинейным, описывает влияние прибора на процесс измерения.

Результаты эксперимента

и

Рис. 1.1. Иллюстрация к операторной записи процесса измерения физической величины г

В физической диагностике с процессом измерения связывают два основных класса задач -прямые и обратные [20]. Прямая задача состоит в получении результатов измерений и по значениям величины г. Непосредственно сам процесс измерения является экспериментальным решением прямой задачи. Теоретическое же решение прямой задачи часто требуется при расчете возможных результатов измерений для некоторой параметризованной модели, описывающей исследуемые физические свойства образца. Фактически это задача теоретического моделирования процесса измерения на приборе. Обратная задача состоит в

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Юнин Павел Андреевич, 2016 год

Список цитируемой литературы

1. Fewster, P.F. X-ray scattering from semiconductors / P.F. Fewster - London: Imperial College Press, 2003. - 296 p.

2. Bowen, D.K. High resolution X-Ray diffractometry and topography / D.K. Bowen, B.K. Tanner -London: Taylor & Francis, 2005. - 267 p.

3. Вудраф, Д. Современные методы исследования поверхности / Д. Вудраф, Т. Делчар - М.: Мир, 1989. - 564 с.

4. Hofmann, S. Sputter depth profile analysis of interfaces / S. Hofmann // Rep. Progr. Phys. - 1998. -V. 61. - P. 827.

5. Gao, Y. A new secondary ion mass spectrometry technique for III-V semiconductor compounds using the molecular ions CsM+ / Y. Gao // J. Appl. Phys. - 1988. - V. 64. - Issue 7. - P. 3760.

6. Marseilhan, D. Quantification of SiGe layer composition using MCs+ and MCs2+ secondary ions in ToF-SIMS and magnetic SIMS / D. Marseilhan, J. P. Barnes, F. Fillot, J. M. Hartmann, P. Holliger // Appl. Surf. Sci. - 2008. - V. 255. - Issue 4. - P. 1412-1414.

7. Liu, Y. Quantitative reconstruction of the GDOES sputter depth profile of a monomolecular layer structure of thiourea on copper / Y. Liu, W. Jian, J. Y. Wang, S. Hofmann, K. Shimizu // Appl. Surf. Sci. - 2015. - V. 331. - P. 140-149.

8. Hofmann, S. Profile reconstruction in sputter depth profiling / S. Hofmann // Thin Solid Films. -2001. - V. 398-399. - P. 336-342.

9. Kudriavtsev, Y. Reconstruction of original indium distribution in InGaAs quantum wells from experimental SIMS depth profiles / Y. Kudriavtsev, R. Asomoza, S. Gallardo-Hernandez, M. Ramirez-Lopez, M. Lopez-Lopez, V. Nevedomsky, K. Moiseev // Physica B: Condensed Matter. - 2014. - V. 453. - P. 53-58.

10. Boulsina, F. Deconvolution of SIMS depth profiles: Towards simple and faster techniques / F. Boulsina, M. Berrabah, J. C. Dupuy // Appl. Surf. Sci. - 2008. - V. 255. - Issue 5. - P. 1946-1958.

11. Kubacka-Traczyk, J. High-resolution X-ray characterization of mid-IR Al045Ga0 55As/GaAs Quantum Cascade Laser structures / J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, O. H. Seeck, K. Kosiel, M. Bugajski // Thin Solid Films. - 2014. - V. 564. - P. 339-344.

12. Zhylik, A. High-resolution x-ray diffraction investigation of relaxation and dislocations in SiGe layers grown on (001), (011), and (111) Si substrates / A. Zhylik, A. Benediktovich, A. Ulyanenkov, H. Guerault, M. Myronov, A. Dobbie, D. R. Leadley, T. Ulyanenkova // J. Appl. Phys. - 2011. - V. 109. - Issue 12. - P. 123714.

13. Corekci, S. Structural, morphological, and optical properties of AlGaN/GaN heterostructures with AlN buffer and interlayer / S. Corekci, M. K. Ozturk, B. Akaoglu, M. Cakmak, S. Ozcelik, E. Ozbay // J. Appl. Phys. - 2007. - V. 101. - Issue 12. - P. 123502.

14. Wierzbicka, A. Influence of Substrate on Crystallographic Quality of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Plasma-Assisted MBE / A. Wierzbicka, Z. R. Zytkiewicz, M. Sobanska, K. Klosek, E. Lusakowska // Acta Phys. Pol., A. - 2012. - V. 121. - Issue 4. - P. 899-902.

15. Schiffmann, K.I. Characterization of 31 nonperiodic layers of alternate SiO2/Nb2O5on glass for optical filters by SIMS, XRR, and ellipsometry / K. I. Schiffmann, M. Vergohl // Surf. Interface Anal. - 2013. - V. 45. - Issue 1. - P. 490-493.

16. Mironov, O.A. Ultra low energy SIMS, XTEM and X-ray diffraction methods for the characterization of a MBE grown short period (SinGem)16 superlattices / O. A. Mironov, D. J. F.

Fulgoni, C. P. Parry, G. A. Cooke, M. G. Dowsett, E. H. C. Parker, K. D. Chtcherbatchev, J. M. Bassas, A. Romano-Rodriguez, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante // Thin Solid Films. - 2000. - V. 367. - Issue 1-2. - P. 176-179.

17. Gehrsitz, S. Compositional dependence of the elastic constants and the lattice parameter of AlxGa1-xAs / S. Gehrsitz, H. Sigg, N. Herres, K. Bachem, K. Kohler, F. K. Reinhart // Phys. Rev. B. - 1999. -V. 60. - Issue 16. - P. 11601-11610.

18. Тихонов, А.Н. Методы решения некорректных задач / А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин - М.: Наука, 1979. - 285 с.

19. Тихонов, А.Н. Численные методы решения некорректных задач / А.Н. Тихонов, А.В. Гончарский, В.В. Степанов, А.Г. Ягола - М.: Наука, 1990. - 231 с.

20. Gaikovich, K.P. Inverse problems in physical diagnostics / K.P. Gaikovich - New York: Nova Science Publishers, 2004 - 375 p.

21. Birkholz, M. Thin Film Analysis by X-Ray Scattering / M. Birkholz - Weinheim: Wiley-VCH, 2006. - 356 p.

22. Bragg, W.H. The Structure of the Diamond / W. H. Bragg, W. L. Bragg // Proceedings of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. - 1913. - V. 89. - Issue 610. - P. 277-291.

23. Bragg, W.L. The Structure of Some Crystals as Indicated by Their Diffraction of X-rays / W. L. Bragg // Proceedings of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. -1913. - V. 89. - Issue 610. - P. 248-277.

24. Ландсберг, Г.С. Оптика / Г. С. Ландсберг - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. - 848 c.

25. Вайнштейн, Б.К. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 1. Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии / Б. К. Вайнштейн - М.: Наука, 1979. - 384 с.

26. Herman, M.A. Molecular beam epitaxy: fundamentals and current status / M. A. Herman, H. Sitter - Berlin: Springer-Verlag, 1996. - 453 p.

27. Dunstan, D.J. Strain and strain relaxation in semiconductors / D. J. Dunstan // J Mater Sci-Mater El. - 1997. - V. 8. - Issue 6. - P. 337-375.

28. Gibaud, A. X-ray reflectivity and diffuse scattering / A. Gibaud, S. Hazra // Curr. Sci. - 2000. - V. 78. - Issue 12. - P. 1467-1477.

29. Babanov, Y. The phase problem for X-ray specular reflectivity from thin films: A new approach / Y. Babanov, Y. Salamatov, V. Vasin, V. Ustinov // Superlattices Microstruct. - 2015. - V. 82. - P. 612-622.

30. Бабанов, Ю.А. Диагностика атомной структуры металлических мультислойных наногетероструктур по данным рефлектометрии: новый подход к низкоконтрастным системам / Ю. А. Бабанов, Ю. А. Саламатов, В. В. Устинов, Э. Х. Мухамеджанов // ФТТ. - 2014. - Т. 56. -№ 9. - С. 1839-1850.

31. Lee, S.R. Effect of interface grading and lateral thickness variation on x-ray diffraction by InGaN/GaN multiple quantum wells / S. R. Lee, D. D. Koleske, M. H. Crawford, J. J. Wierer // J. Cryst. Growth. - 2012. - V. 355. - Issue 1. - P. 63-72.

32. Zhylik, A. High-resolution x-ray diffraction investigation of relaxation and dislocations in SiGe layers grown on (001), (011), and (111) Si substrates / A. Zhylik, A. Benediktovich, A. Ulyanenkov, H. Guerault, M. Myronov, A. Dobbie, D. R. Leadley, T. Ulyanenkova // J. Appl. Phys. - 2011. - V. 109. - Issue 12. - P. 123714.

33. Ulyanenkov, A. LEPTOS: A universal software for X-ray reflectivity and diffraction / A. Ulyanenkov // Advances in Computational Methods for X-Ray and Neutron Optics. - 2004. - V. 5536.

- P. 1-15.

34. Press, W.H. Numerical Recipes in C: The Art of Scientific Computing / W. H. Press, S. A. Teukolsky, W. T. Vetterling, B. P. Flannery - Cambridge: Cambridge University Press, 1992. - 994 p.

35. Moré, J.J. The Levenberg-Marquardt algorithm: Implementation and theory / J. J. Moré // Numerical Analysis. - 1978. - V. 630. - P. 105-116.

36. Ulyanenkov, A. Extended genetic algorithm: application to x-ray analysis / A. Ulyanenkov, S. Sobolewski // J Phys D Appl Phys. - 2005. - V. 38. - Issue 10A. - P. A235-A238.

37. Hofmann, S. Sputter-depth profiling for thin-film analysis / S. Hofmann // Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. - 2004. - V. 362. - Issue 1814. - P. 55-75.

38. Sigmund, P. Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets / P. Sigmund // Physical Review. - 1969. - V. 184. - Issue 2. - P. 383-416.

39. Sigmund, P. Mechanisms and Theory of Physical Sputtering by Particle Impact / P. Sigmund // Nucl Instrum Meth B. - 1987. - V. 27. - Issue 1. - P. 1-20.

40. Krantzman, K.D. Fluence Effects in C60 Cluster Bombardment of Silicon / K. D. Krantzman, A. Wucher // The Journal of Physical Chemistry C. - 2010. - V. 114. - Issue 12. - P. 5480-5490.

41. Wucher, A. A statistical approach to delta layer depth profiling / A. Wucher, K. D. Krantzman // Surf. Interface Anal. - 2012. - V. 44. - Issue 9. - P. 1243-1248.

42. Ishida, M. Simulation on SIMS depth profiling of delta-doped layer including relaxation caused by defects / M. Ishida, S. Nagao, Y. Yamamura // Nucl Instrum Meth B. - 2001. - V. 180. - P. 230-237.

43. Yamamura, Y. Simulation of oxide sputtering and SIMS depth profiling of delta-doped layer / Y. Yamamura, M. Ishida // Appl. Surf. Sci. - 2003. - V. 203. - P. 62-68.

44. Hofsäss, H. Simulation of ion beam sputtering with SDTrimSP, TRIDYN and SRIM / H. Hofsäss, K. Zhang, A. Mutzke // Appl. Surf. Sci. - 2014. - V. 310. - P. 134-141.

45. Ekman, R. Mass Spectrometry: Instrumentation, Interpretation, and Applications / R. Ekman, J. Silberring, A. M. Westman-Brinkmalm, A. Kraj, D. M. Desiderio, N. M. Nibbering - New Jersey: Wiley, 2008. - 388 p.

46. Grehl, T. Low energy dual beam depth profiling: influence of sputter and analysis beam parameters on profile performance using TOF-SIMS / T. Grehl, R. Möllers, E. Niehuis // Appl. Surf. Sci. - 2003.

- V. 203-204. - P. 277-280.

47. Mader, W. Determination of the atomic mixing layer in sputter profiling of Ta/Si multilayers by TEM and AES / S. Hofmann, W. Mader // Surf. Interface Anal. - 1990. - V. 15. - Issue 12. - P. 794796.

48. Hofmann, S. Atomic mixing, surface roughness and information depth in high-resolution AES depth profiling of a GaAs/AlAs superlattice structure / S. Hofmann // Surf. Interface Anal. - 1994. -V. 21. - Issue 9. - P. 673-678.

49. Hofmann, S. From depth resolution to depth resolution function: refinement of the concept for delta layers, single layers and multilayers / S. Hofmann // Surf. Interface Anal. - 1999. - V. 27. - Issue 9. - P. 825-834.

50. Gavelle, M. Detection of Cs2Ge+ clusters for the quantification of germanium atoms by secondary ion mass spectrometry: Application to the characterization of Si1-xGex layers (0<x<1) and germanium diffusion in silicon / M. Gavelle, E. Scheid, F. Cristiano, C. Armand, J.-M. Hartmann, Y. Campidelli, A. Halimaoui, P.-F. Fazzini, O. Marcelot // J. Appl. Phys. - 2007. - V. 102. - Issue 7. - P. 074904.

51. Hossain, M.Z. Differential sputter yields in Si1.xGex / M. Z. Hossain, J. B. Freund, H. T. Johnson // J. Appl. Phys. - 2008. - V. 103. - Issue 7. - P. 073508.

52. Kudriavtsev, Y. Emission of CsM+ clusters / Y. Kudriavtsev, A. Villegas, A. Godines, R. Asomoza // Appl. Surf. Sci. - 2003. - V. 206. - Issue 1-4. - P. 187-195.

53. Lam, N.Q. Ion bombardment effects on the near-surface composition during sputter profiling / N. Q. Lam // Surf. Interface Anal. - 1988. - V. 12. - Issue 2. - P. 65-77.

54. McConville, C.F. Determination of the erosion rate in the transient region of an ultralow energy secondary ion mass spectrometry profile using medium energy ion scattering / C. F. McConville, S. H. Al-Harthi, M. G. Dowsett, F. S. Gard, T. J. Ormsby, B. Guzman, T. C. Q. Noakes, P. Bailey // J. Vac. Sci. Technol. B. - 2002. - V. 20. - Issue 4. - P. 1690.

55. Mathieu, H.J. On the influence of crater geometry on depth resolution of AES and XPS profiles of tantalum oxide films / H. J. Mathieu, D. Landolt // Surf. Interface Anal. - 1983. - V. 5. - Issue 2. - P. 77-82.

56. Malherbe, J.B. Depth resolution factor of a static gaussian ion beam / J. B. Malherbe, J. M. Sanz,

5. Hofmann // Surf. Interface Anal. - 1981. - V. 3. - Issue 6. - P. 235-239.

57. Liu, Y. A model for quantification of GDOES depth profiles / Y. Liu, W. H. Yu, J. Y. Wang // Vacuum. - 2015. - V. 113. - P. 5-10.

58. Kim, K.J. A new method for the calibration of the vertical scale of a stylus profilometer using multiple delta-layer films / K. J. Kim, C. S. Jung, T. E. Hong // Meas. Sci. Technol. - 2007. - V. 18. -Issue 9. - P. 2750-2754.

59. Clegg, J.B. Secondary ion mass spectroscopy resolution with ultra-low beam energies / J. B. Clegg // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1996. - V. 14. - Issue 4. - P. 2645.

60. Niehuis, E. Analysis of organic multilayers and 3D structures using Ar cluster ions / E. Niehuis, R. Möllers, D. Rading, H. G. Cramer, R. Kersting // Surf. Interface Anal. - 2013. - V. 45. - Issue 1. - P. 158-162.

61. Wittmaack, K. Raster scanning depth profiling of layer structures / K. Wittmaack // Appl. Phys. -1977. - V. 12. - Issue 2. - P. 149-156.

62. Zalar, A. Improved depth resolution by sample rotation during Auger electron spectroscopy depth profiling / A. Zalar // Thin Solid Films. - 1985. - V. 124. - Issue 3-4. - P. 223-230.

63. Bersani, M. Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage / M. Bersani, D. Giubertoni, E. Iacob, M. Barozzi, S. Pederzoli, L. Vanzetti, M. Anderle // Appl. Surf. Sci. - 2006. -V. 252. - Issue 19. - P. 7315-7317.

64. Gautier, B. Deconvolution of SIMS Depth Profiles of Boron in Silicon / B. Gautier, R. Prost, G. Prudon, J. C. Dupuy // Surf. Interface Anal. - 1996. - V. 24. - Issue 11. - P. 733-745.

65. Gautier, B. Effectiveness and Limits of the Deconvolution of SIMS Depth Profiles of Boron in Silicon / B. Gautier, J. C. Dupuy, R. Prost, G. Prudon // Surf. Interface Anal. - 1997. - V. 25. - Issue

6. - P. 464-477.

66. Gautier, B. Toward a better reliability in the deconvolution of SIMS depth profiles / B. Gautier, G. Prudon, J. C. Dupuy // Surf. Interface Anal. - 1998. - V. 26. - Issue 13. - P. 974-983.

67. Hofmann, S. Ultimate depth resolution and profile reconstruction in sputter profiling with AES and SIMS / S. Hofmann // Surf. Interface Anal. - 2000. - V. 30. - Issue 1. - P. 228-236.

68. Fares, B. Deconvolution of very low primary energy SIMS depth profiles / B. Fares, B. Gautier, J. C. Dupuy, G. Prudon, P. Holliger // Appl. Surf. Sci. - 2006. - V. 252. - Issue 19. - P. 6478-6481.

69. Chu, D. Dopant spatial distributions: Sample-independent response function and maximum-entropy reconstruction / D. Chu, M. Dowsett // Phys. Rev. B. - 1997. - V. 56. - Issue 23. - P. 1516715170.

70. Fiori, A. Improved depth resolution of secondary ion mass spectrometry profiles in diamond: A quantitative analysis of the delta-doping / A. Fiori, F. Jomard, T. Teraji, G. Chicot, E. Bustarret // Thin Solid Films. - 2014. - V. 557. - P. 222-226.

71. Vandervorst, W. On the determination of dopant/carrier distributions / W. Vandervorst, T. Clarysse // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1992. - V. 10. - Issue 1. - P. 302.

72. Liu, Y. An analytical depth resolution function for the MRI model / Y. Liu, S. Hofmann, J. Y. Wang // Surf. Interface Anal. - 2013. - V. 45. - Issue 11-12. - P. 1659-1660.

73. Hofmann, S. Analytical and numerical depth resolution functions in sputter profiling / S. Hofmann, Y. Liu, J. Y. Wang, J. Kovac // Appl. Surf. Sci. - 2014. - V. 314. - P. 942-955.

74. Dowsett, M.G. An analytic form for the SIMS response function measured from ultra-thin impurity layers / M. G. Dowsett, G. Rowlands, P. N. Allen, R. D. Barlow // Surf. Interface Anal. - 1994. - V. 21. - Issue 5. - P. 310-315.

75. Gallardo, S. SIMS characterization of segregation in InAs/GaAs heterostructures / S. Gallardo, Y. Kudriatsev, A. Villegas, G. Ramírez, R. Asomoza, E. Cruz-Hernández, J. S. Rojas-Ramirez, M. López-López // Appl. Surf. Sci. - 2008. - V. 255. - Issue 4. - P. 1341-1344.

76. Wang, J.Y. Influence of nonstationary atomic mixing on depth resolution in sputter depth profiling / J. Y. Wang, Y. Liu, S. Hofmann, J. Kovac // Surf. Interface Anal. - 2012. - V. 44. - Issue 5. - P. 569-572.

77. Hofmann, S. Progress in quantitative sputter depth profiling using the MRI-model / S. Hofmann, J. Y. Wang // J. Surf. Anal. - 2003. - V. 10. - Issue 1. - P. 52-57.

78. Kesler, V. Interdiffusion at SiGe interfaces studied with AES depth profiling / V. Kesler, S. Hofmann // J. Surf. Anal. - 2002. - V. 9. - Issue 3. - P. 428-431.

79. Wilson, R.G. SIMS quantification in Si, GaAs, and diamond - an update / R. G. Wilson // Int. J. Mass Spectrom. Ion Processes. - 1995. - V. 143. - P. 43-49.

80. Prudon, G. Quantification of germanium and boron in heterostructures Si/Si1-xGex/Si by SIMS / G. Prudon, B. Gautier, J. C. Dupuy, C. Dubois, M. Bonneau, J. Delmas, J. P. Vallard, G. Bremond, R. Brenier // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294. - Issue 1-2. - P. 54-58.

81. Saha, B. Secondary ion mass spectrometry of molecular ion complexes / B. Saha, P. Chakraborty // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2007. - V. 258. - Issue 1. - P. 218-225.

82. Dong, G. SIMS quantification of Si1-xGex alloys using polyatomic secondary ions / G. Dong, C. Liangzhen, L. Rong, A. T. S. Wee // Surf. Interface Anal. - 2001. - V. 32. - Issue 1. - P. 171-174.

83. Sánchez-Almazán, F. Matrix effects in SIMS depth profiles of SiGe relaxed buffer layers / F. Sánchez-Almazán, E. Napolitani, A. Carnera, A. V. Drigo, G. Isella, H. von Kanel, M. Berti // Appl. Surf. Sci. - 2004. - V. 231-232. - P. 704-707.

84. Juhel, M. SIMS depth profiling of SiGe:C structures in test pattern areas using low energy cesium with a Cameca IMS Wf / M. Juhel, F. Laugier // Appl. Surf. Sci. - 2004. - V. 231-232. - P. 698-703.

85. Pureti, R. Quantification of Ge in Si1-xGex by using low-energy Cs+ and O2+ ion beams / R. Pureti, W. Vandervorst // Surf. Interface Anal. - 2013. - V. 45. - Issue 1. - P. 402-405.

86. Prudon, G. SIMS quantification of thick Si1-xGex films (0<x<1) using the isotopic comparative method under Ar+ beam / G. Prudon, C. Dubois, B. Gautier, J. C. Dupuy, J. P. Graf, Y. Le Gall, D. Muller // Surf. Interface Anal. - 2013. - V. 45. - Issue 1. - P. 376-380.

87. Kim, K.J. A method to determine the interface position and layer thickness in SIMS depth profiling of multilayer films / K. J. Kim, J. S. Jang, D. W. Moon, H. J. Kang // Metrologia. - 2010. - V. 47. -Issue 3. - P. 253-261.

88. Py, M. Quantification of germanium in Si1-xGex alloys by negative mode ToF-SIMS: the interest of the full spectrum method / M. Py, J. P. Barnes, M. Hartmann // Surf. Interface Anal. - 2011. - V. 43. -Issue 1-2. - P. 539-542.

89. Ferrari, S. Quantitative depth profiling at silicon/silicon oxide interfaces by means of Cs+ sputtering in negative mode by ToF-SIMS: a full spectrum approach / S. Ferrari, M. Perego, M. Fanciulli // Appl. Surf. Sci. - 2003. - V. 203. - P. 52-55.

90. Perego, M. Negative cluster emission in sputtering of Si1-xGex alloys: A full spectrum approach / M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli // Surf. Sci. - 2005. - V. 599. - Issue 1-3. - P. 141-149.

91. Py, M. Quantitative profiling of SiGe/Si superlattices by time-of-flight secondary ion mass spectrometry: the advantages of the extended Full Spectrum protocol / M. Py, J. P. Barnes, D. Lafond, J. M. Hartmann // Rapid Commun. Mass Spectrom. - 2011. - V. 25. - Issue 5. - P. 629-638.

92. Shashkin, V. Planar Schottky diodes with low barrier height for microwave detector application / V. Shashkin, Y. Chechenin, V. Danil'tsev, O. Khrykin, A. Maslovsky, A. Murel, V. Vaks // Int Conf Microelectr. - 2002. - P. 335-338.

93. Shashkin, V.I. Control of charge transport mode in the Schottky barrier by delta-doping: Calculation and experiment for Al/GaAs / V. I. Shashkin, A. V. Murel, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin // Semiconductors. - 2002. - V. 36. - Issue 5. - P. 505-510.

94. Drozdov, M.N. Secondary cluster ions Ge2- and Ge3- for improving depth resolution of SIMS depth profiling of GeSi/Si heterostructures / M. N. Drozdov, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, D. V. Yurasov // Semiconductors. - 2010. - V. 44. - Issue 3. - P. 401-404.

95. Lee, J.W. SIMS deconvolution of delta layers in silicon / J. W. Lee, K. J. Kim, H. K. Kim, D. W. Moon // J. Surf. Anal. - 2003. - V. 10. - Issue 1. - P. 16-18.

96. Dowsett, M.G. Secondary ion mass spectrometry analysis of ultrathin impurity layers in semiconductors and their use in quantification, instrumental assessment, and fundamental measurements / M. G. Dowsett, R. D. Barlow, P. N. Allen // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1994. - V. 12. -Issue 1. - P. 186.

97. Wittmaack, K. Artifacts in low-energy depth profiling using oxygen primary ion beams: Dependence on impact angle and oxygen flooding conditions / K. Wittmaack // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1998. - V. 16. - Issue 5. - P. 2776.

98. Wittmaack, K. Apparent and real transient effects in SIMS depth profiling using oxygen bombardment / K. Wittmaack // Appl. Surf. Sci. - 2003. - V. 203-204. - P. 20-26.

99. Tsai, J.C.C. The mechanism of simultaneous implantation and sputtering by high energy oxygen ions during secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis / J. C. C. Tsai, J. M. Morabito // Surf. Sci. - 1974. - V. 44. - Issue 1. - P. 247-252.

100. Wittmaack, K. Beam-induced broadening effects in sputter depth profiling / K. Wittmaack // Vacuum. - 1984. - V. 34. - Issue 1-2. - P. 119-137.

101. Marton, D. On the development of increasing surface roughness during ion sputtering / D. Marton, J. Fine // Thin Solid Films. - 1987. - V. 151. - Issue 3. - P. 433-439.

102. Wang, J.Y. Quantitative evaluation of sputtering induced surface roughness in depth profiling of polycrystalline multilayers using Auger electron spectroscopy / J. Y. Wang, S. Hofmann, A. Zalar, E. J. Mittemeijer // Thin Solid Films. - 2003. - V. 444. - Issue 1-2. - P. 120-124.

103. Wang, J.Y. Depth dependences of the ion bombardment induced roughness and of the interdiffusion coefficient for Si/Al multilayers / J. Y. Wang, A. Zalar, E. J. Mittemeijer // Appl. Surf. Sci. - 2004. - V. 222. - Issue 1-4. - P. 171-179.

104. Kataoka, Y. Surface roughening of silicon under ultra-low-energy cesium bombardment / Y. Kataoka, K. Yamazaki, M. Shigeno, Y. Tada, K. Wittmaack // Appl. Surf. Sci. - 2003. - V. 203-204. -P. 43-47.

105. Shao, L. Response function during oxygen sputter profiling and its application to deconvolution of ultrashallow B depth profiles in Si / L. Shao, J. Liu, C. Wang, K. B. Ma, J. Zhang, J. Chen, D. Tang, S. Patel, W.-K. Chu // Appl. Phys. Lett. - 2003. - V. 83. - Issue 26. - P. 5467.

106. Tomita, M. MEM-deconvolution analysis of ultra-shallow junction depth profiles / M. Tomita, H. Tanaka, M. Koike, M. Yoshik, S. Takeno, N. Sugita, M. Obuchi // Proceedings of SIMS XV conference. - UK, Manchester, 12-16 September 2005. - P. 235.

107. Seah, M.P. The statistical sputtering contribution to resolution in concentration-depth profiles / M. P. Seah, J. M. Sanz, S. Hofmann // Thin Solid Films. - 1981. - V. 81. - Issue 3. - P. 239-246.

108. Ziegler, J.F. SRIM - The Stopping and Range of Ions in Matter / J. F. Ziegler, J. P. Biersak, M. D. Ziegler - Chester: SRIM Co., 2008. - 405 p.

109. Ziegler, J.F. SRIM - The stopping and range of ions in matter (2010) / J. F. Ziegler, M. D. Ziegler, J. P. Biersack // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2010. - V. 268. - Issue 11-12. - P. 1818-1823.

110. Lim, Y.S. Strain-induced diffusion in a strained Si1.xGex/Si heterostructure / Y. S. Lim, J. Y. Lee, H. S. Kim, D. W. Moon // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 77. - Issue 25. - P. 4157.

111. Baribeau, J.M. Interdiffusion and strain relaxation in (SimGen)p superlattices / J. M. Baribeau, R. Pascual, S. Saimoto // Appl. Phys. Lett. - 1990. - V. 57. - Issue 15. - P. 1502.

112. Wittmaack, K. Small-area depth profiling in a quadrupole based SIMS instrument / K. Wittmaack // Int. J. Mass Spectrom. Ion Processes. - 1995. - V. 143. - P. 19-27.

113. Mitchell, D.F. Optimized ion beam raster for SIMS sputter depth profiling / D. F. Mitchell, J. S. Arlow, J. R. Phillips, G. I. Sproule // Surf. Interface Anal. - 1989. - V. 14. - Issue 6-7. - P. 302-306.

114. Dowsett, M.G. Ultralow energy secondary ion mass spectrometry and transient yields at the silicon surface / M. G. Dowsett // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1998. - V. 16. - Issue 1. - P. 302.

115. Alkemade, P.F.A. Ultrahigh depth resolution secondary ion mass spectrometry with sub-keV grazing O2+ beams / P. F. A. Alkemade // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1998. - V. 16. - Issue 1. - P. 373.

116. Vandervorst, W. Semiconductor profiling with sub-nm resolution: Challenges and solutions / W. Vandervorst // Appl. Surf. Sci. - 2008. - V. 255. - Issue 4. - P. 805-812.

117. Tsong, I.S.T. Edge-effects correction in depth profiles obtained by ion-beam sputtering / I. S. T. Tsong, G. L. Power, D. W. Hoffman, C. W. Magee // Nuclear Instruments and Methods. - 1980. - V. 168. - Issue 1-3. - P. 399-404.

118. Hoffman, D.W. A cratering analysis for quantitative depth profiling by ion beam sputtering / D. W. Hoffman // Surf. Sci. - 1975. - V. 50. - Issue 1. - P. 29-52.

119. Makarov, V.V. Use of model depth resolution functions for the deconvolution of depth profiling data / V. V. Makarov // Surf. Interface Anal. - 1993. - V. 20. - Issue 10. - P. 821-826.

120. Seki, S. Depth profiling of micrometer-order area by mesa-structure fabrication / S. Seki, H. Tamura, Y. Wada, K. Tsutsui, S. Ootomo // Surf. Interface Anal. - 2011. - V. 43. - Issue 1-2. - P. 154-158.

121. Liau, Z.L. Influence of atomic mixing and preferential sputtering on depth profiles and interfaces / Z. L. Liau // Journal of Vacuum Science and Technology. - 1979. - V. 16. - Issue 2. - P. 121.

122. Hofmann, S. Cascade mixing limitations in sputter profiling / S. Hofmann // J. Vac. Sci. Technol.

B. - 1992. - V. 10. - Issue 1. - P. 316.

123. McPhail, D.S. Quantifying the effects of uneven etching during the SIMS analysis of periodic doping structures grown by silicon MBE / D. S. McPhail, M. G. Dowsett, H. Fox, R. Houghton, W. Y. Leong, E. H. C. Parker, G. K. Patel // Surf. Interface Anal. - 1988. - V. 11. - Issue 1-2. - P. 80-87.

124. Werner, H.W. The depth dependence of the depth resolution in sputter profiling / H. W. Werner // Surf. Interface Anal. - 1982. - V. 4. - Issue 1. - P. 1-7.

125. Wilson, R.G. Secondary Ion Mass Spectrometry: A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis / R. G. Wilson, F. A. Stevie, C. W. Magee - New York: John Wiley & Sons, 1989. - 384 p.

126. Vandervorst, W. On the influence of crater edges and neutral beam component on impurity profiles from raster scanning SIMS / W. Vandervorst, H. E. Maes, R. De Keersmaecker // Surf. Interface Anal. - 1982. - V. 4. - Issue 6. - P. 245-252.

127. Williams, P. Depth profile detection limit of 3*1015 atom/cm-3 for As in Si using Cs+ bombardment negative secondary ion mass spectrometry / P. Williams, C. A. Evans // Appl. Phys. Lett. - 1977. - V. 30. - Issue 11. - P. 559.

128. Wittmaack, K. Dynamic range of 106 in depth profiling using secondary-ion mass spectrometry / K. Wittmaack, J. B. Clegg // Appl. Phys. Lett. - 1980. - V. 37. - Issue 3. - P. 285.

129. Wittmaack, K. Influence of the impact angle on the depth resolution and the sensitivity in SIMS depth profiling using a cesium ion beam / K. Wittmaack // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1985. - V. 3. -Issue 3. - P. 1350.

130. Дроздов, Ю.Н. Рентгеновская дифрактометрия гетероэпитаксиальных слоев и многослойных структур на их основе: дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.01 / Дроздов Юрий Николаевич - Нижний Новгород, 2006. - 404 с.

131. Дроздов, Ю.Н. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на многослойных эпитаксиальных структурах / Ю. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская // Физика твердого тела. Лабораторный практикум под ред. проф. А.Ф. Хохлова. Том 1. М.: Высшая школа. - 2001. С. 171-202.

132. Свойства квантово-размерных структур GaAs/InGaAs, содержащих дельта-Mn слои / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Ю. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков // Поверхность. РСНИ. - 2007. - № 2. -

C. 9-12.

133. Stringfellow, G.B. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice / G. B. Stringfellow - London: Academic Press, 1989. - 399 p.

134. Дроздов, Ю.Н. Сокращенный способ рентгеновского дифракционного сканирования обратного пространства частично релаксированных слоев и островков / Ю. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, З. Ф. Красильник, Л. Д. Молдавская, А. В. Новиков, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин // Поверхность. РСНИ. - 2003. - № 5. - С. 22-26.

135. Tiilikainen, J. Accuracy in x-ray reflectivity analysis / J. Tiilikainen, J. M. Tilli, V. Bosund, M. Mattila, T. Hakkarainen, J. Sormunen, H. Lipsanen // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2007. - V. 40. - Issue 23. - P. 7497-7501.

136. Tiilikainen, J. Novel method for error limit determination in x-ray reflectivity analysis / J. Tiilikainen, M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2008. - V. 41. -Issue 11. - P. 115302.

137. Вайнштейн, Б.К. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 2. Структура кристаллов / Б. К. Вайнштейн - М.: Наука, 1979. - 110 с.

138. Murphy, S.T. Deviations from Vegard's law in ternary III-V alloys / S. T. Murphy, A. Chroneos, C. Jiang, U. Schwingenschlögl, R. W. Grimes // Phys. Rev. B. - 2010. - V. 82. - Issue 7. - P. 073201

139. Wasilewski, Z.R. Composition of AlGaAs / Z. R. Wasilewski, M. M. Dion, D. J. Lockwood, P. Poole, R. W. Streater, A. J. SpringThorpe // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 81. - Issue 4. - P. 1683.

140. Tanner, B.K. Measurement of aluminum concentration in epitaxial layers of AlxGa1-xAs on GaAs by double axis x-ray diffractometry / B. K. Tanner, A. G. Turnbull, C. R. Stanley, A. H. Kean, M. McElhinney // Appl. Phys. Lett. - 1991. - V. 59. - Issue 18. - P. 2272.

141. Goorsky, M.S. Determination of epitaxial AlxGa1-xAs composition from x-ray diffraction measurements / M. S. Goorsky, T. F. Kuech, M. A. Tischler, R. M. Potemski // Appl. Phys. Lett. -1991. - V. 59. - Issue 18. - P. 2269.

142. Dismukes, J.P. Lattice Parameter and Density in Germanium-Silicon Alloys1 / J. P. Dismukes, L. Ekstrom, R. J. Paff // The Journal of Physical Chemistry. - 1964. - V. 68. - Issue 10. - P. 3021-3027.

143. Ravila, P. X-ray diffraction analysis of superlattices grown on misoriented substrates / P. Ravila, V. M. Airaksinen, H. Lipsanen, T. Tuomi, P. A. Claxton // J. Cryst. Growth. - 1991. - V. 114. - Issue 4. - P. 569-572.

144. Speriosu, V.S. X-ray rocking curve analysis of superlattices / V. S. Speriosu, T. Vreeland // J. Appl. Phys. - 1984. - V. 56. - Issue 6. - P. 1591.

145. Барышева, М.М. Прецизионная изображающая многослойная оптика для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового диапазонов / М. М. Барышева, А. Е. Пестов, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. И. Чхало // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182. - № 7. - С. 727-747.