Рекристаллизация тонких поликремниевых пленок плоским электронным лучом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Горшков, Виталий Валерьевич

• Горшков, Виталий Валерьевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Горшков, Виталий Валерьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. КНД-ТЕХНОЛОГИИ. СПОСОБЫ СОЗДАНИЯ

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ.

1.1. Зонная рекристаллизация поликристаллического кремния.

1.1.1. Лазерная рекристаллизация.

1:1.2. Рекристаллизация полосковым нагревателем.

1.1.3. Рекристаллизация источниками некогерентного излучения.231.1.4. Электронно-лучевая рекристаллизация.

1.2. Дефекты рекристаллизованного слоя.

1.3. Способы улучшения кристаллографического совершенства рекристаллизуемого слоя.

1.4; Выводы.

ГЛАВА 2. РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ДЛЯ ПРОЦЕССА ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ

РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛИКРЕМНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ.

2.1. Решение задачи без учета графитового основания и фазового перехода.

2.2. Анализ теплового состояния структуры без учета графитового состояния и фазового перехода.

2.3. Моделирование и анализ теплового состояния структуры с учетом влияния графитового состояния.

2.4. Теплофизическое состояние структуры на этапах плавления, кристаллизации.

2.5: Моделирование термодинамического состояния многослойной структуры, обрабатываемой плоским электронным лучом.

2.6. Термокапиллярное перераспределение расплавленного поликремния.

2.7. Выводы.

ГЛАВА 3. РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПОЛИКРЕМНИЯ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ ЛЕНТОЧНОЙ ФОРМЫ. Ю

3.1. Организация процесса рекристаллизации.

3.2. Свойства исходного слоя поликремния.

3.3. Исследование процесса перекристаллизации поликремния н< изолирующем основании.

3.4. Исследование кристаллографической структуры рекристаллизованных пленок.

3.4.1. Влияние кристаллографических дефектов на свойства рекристаллизованного кремния.

3.4.2. Методы анализа кристаллографического состояния рекристаллизованного слоя.

3.4.3. Исследование кристаллографической структуры плен< Si, рекристаллизованных на диэлектрике без использования затравок.

3.4.4. Механизмы образования структурных дефектов в процессе рекристаллизации.

3.5. Исследование морфологии рекристаллизованного кремния.

3.6. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рекристаллизация тонких поликремниевых пленок плоским электронным лучом»

Объект исследования и актуальность темы

Постоянный! рост функциональной сложности интегральных схем: сопровождается увеличением плотности компоновки и уменьшением геометрических размеров элементов. Необходимостью становится разработка новых принципов построения интегральных схем, в частности* создания трехмерных интегральных схем. Сложившиеся к настоящему времени представления о путях создания трехмерных интегральных схем предполагают использование методов послойного наращивания монокристаллического слоя полупроводника на изолирующее, основание (КНД-технология). По условиям техпроцесса формирование каждого последующего слоя не должно вести к деградации уже сформированного слоя приборов.

Промышленные технологии формирования структур КНД, в частности, технологии КНС позволяют получать пленки монокристаллического кремния, однако, высокая стоимость сапфирного основания и низкое кристаллографическое совершенство формируемых пленок являются препятствием для» их широкого применения. Возможным выходом из сложившейся ситуации являются новые, перспективные технологии, представителем которых является зонная рекристаллизация исходного некристаллического слоя полупроводника. При помощи данных технологий i возможно сформировать тонкие кристаллографически совершенные слои! кремния, пригодные для изготовления активных элементов ИС.

Методы зонной рекристаллизации можно условно разделить по форме на: полосковые и точечные; по источнику энергии - на: полосковые нагреватели (графитовые стержни, вольфрамовые нити), лазеры, источники некогерентного излучения, электронные пушки. Из перечисленных методов электронную пушку, генерирующую плоский электронный луч выгодно отличают:

- простота генерации луча ленточной формы с равномерным распределением энергии по длине;

- простота регулирования параметров луча: скорости мощности и толщины;

- возможность реализации как импульсного, так и непрерывного излучения;

- возможность создания луча с шириной, позволяющей обрабатывать структуру за один проход;

- одинаково высокая поглощательная способность кремния как в твердом, так и в жидком состоянии;

- химическая чистота процесса.

В настоящей работе исследуется возможность применения электронного луча в качестве инструмента для проведения процесса рекристаллизации тонких слоев поликремния. Луч генерируется электронной пушкой специальной конструкции, благодаря чему зона тепловыделения имеет линейную форму. Зона плавления линейной конфигурации, в свою очередь, обеспечивает кристаллизационный фронт с минимальной кривизной, обеспечивая зернам рекристаллизуемого слоя стабильные условия развития.

Цель и задачи работы

Целью настоящей работы является исследование возможности применения электронного луча для проведения процесса рекристаллизации тонких пленок поликристаллического кремния в технологии КНД, КНС.

Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

1. Изучить влияние режимов обработки и конструктивно-топологических свойств структуры на условия рекристаллизации тонких поликремниевых пленок.

2. Рассчитать распределение температуры в многослойных структурах, обрабатываемых электронным лучом ленточной формы, включая послойное распределение температур в двух координатах.

3. Рассчитать глубины проплавления, форму ванны расплава и температурные градиенты в структуре.

4. Разработать модель температурного состояния многослойной структуры, составить алгоритм и написать программу для расчета процесса рекристаллизации тонких поликристаллических пленок при обработке плоским электронным лучом в режиме реального времени.

5. Разработать конструкцию и изготовить лабораторную установку для проведения процесса рекристаллизации тонких поликристаллических пленок.

6. Проанализировать ростовые закономерности и механизмы рекристаллизации, включая морфологию рекристашгазованного слоя.

Структурная схема диссертационной работы приведена на рис. 1.

Рис. В.1.

Научная новизна

Впервые проведено комплексное исследование метода рекристаллизации тонких слоев поликремния электронным лучом ленточной формы.

Решено уравнение теплопроводности для четырехслойной структуры, расположенной на графитовом основании, при обработке электронным лучом ленточной формы, с учетом фазового перехода. Предложена модель расчета температурного состояния исследуемой структуры, учитывающая: распределение энергии по сечению луча; температурные зависимости теплоемкости и коэффициентов теплопроводности материалов структуры; соотношение положения луча и температурного фронта; нагрева обратной поверхности структуры выше фоновой температуры. Составлен алгоритм и написана программа для моделирования процесса рекристаллизации тонких слоев поликремния при обработке плоским электронным лучом в реальном масштабе времени.

Изготовлена лабораторная установка с электронной пушкой специальной конструкции для проведения процесса рекристаллизации тонких слоев поликремния, в которой устранены основные причины неоднородностей мощности луча по длине.

Практическая значимость

- выведены формулы для предварительной оценки температурного состояния и подбора режимов обработки многослойных структур плоским электронным лучом;

- написана программа для описания температурных процессов, происходящих в многослойной структуре в процессе обработки, что позволяет выбирать режимы обработки без предварительных экспериментов;

- разработана экспериментальная лабораторная установка для проведения процесса обработки плоским электронным лучом;

- расчетные данные режимов и чертежи электронной пушки были использованы в ОАО СКБ «Элькор» для изготовления установки и применены при остекловывании металлических подложек гибридных ИС контроллера напряжения бортовой автомобильной сети.

Достоверность работы

Достоверность результатов следует из наличия корреляции между расчетными и экспериментальными данными, а так же данными, полученными другими исследователями.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях:

1. Международной конференции по новым информационным технологиям в науке и образовании «ELBRUS - 97».

2. V Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления».

3. УШ Международной научной-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». „

4. VI Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления».

5. П Всероссийской научно-технической дистанционной конференции «ЭЛЕКТРОНИКА».

Публикации

По результатам диссертационной работы опубликовано 7 печатных работ, из которых: 3 тезиса всероссийских конференций, 2 тезиса международных конференций, 2 статьи.

Основные положения, выносимые на защиту

- метод аналитического исследования теплофизического состояния многослойной структуры, включая методику расчета профиля фазового перехода;

- программа, основанная на решении дифференциального уравнения теплопроводности методом конечных разностей, обеспечивающая детальный анализ температурных процессов, происходящих в структуре в реальном масштабе времени;

- улучшению морфологии поверхности способствует уменьшение перепада давления, вызванного термокапилярным перераспределением жидкости вдоль ванны расплава;

- устойчивые к агломерации расплава: КНД-структуры могут быть сформированы при использовании комбинированного покрытия, включающего слой термического окисла, выращенного на основе поликристаллического кремния;

- разработанный метод электронно-лучевой рекристаллизации тонких поликристаллических пленок может служить основой для создания промышленной технологии изготовления КНД интегральных схем.

Краткое содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы, определены цель и задачи исследований, изложены научная новизна, практическая ценность работы и представлены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе проведен обзор известных методов, процесса рекристаллизации. Кратко рассмотрены их достоинства и недостатки.

Во второй главе приводится решение уравнения теплопроводности для четырехслойной структуры, обрабатываемой плоским электронным лучом:

1) без учета графитового основания и фазового перехода,.

2) с учетом только основания,

3) с учетом как основания, так и фазового перехода.

Приведены расчетные данные распределения температуры по глубине структуры и поверхности структуры для различных режимов обработки.

Рассмотрена модель для описания термодинамического состояния многослойной структуры. Описана методика и алгоритм работы программы, моделирующей процесс рекристаллизации методом конечных разностей, а именно сеткой прямоугольной формы. Проведен анализ температурных профилей и градиентов для основных режимов обработки.

Рассмотрены причины морфологических нарушений, присущих процессу рекристаллизации тонких поликристаллических пленок.

В третьей главе описана установка и методика проведения процесса рекристаллизации тонких поликристаллических пленок плоским электронным лучом. Приводятся результаты исследования свойств исходного поликристаллического кремния и рекристаллизованного слоя. Описываются основные методы анализа кристаллографического состояния рекристаллизованной структуры. Анализируются возможные причины структурных дефектов и морфологических нарушений поверхности рекристаллизуемого слоя.

Объем работы

Диссертация состоит из введения, трех глав, списка публикаций, списка используемых источников, приложения. Общий объем диссертации 20Г стр., включая 35" стр. иллюстраций, t таблиц, М стр. библиографии, 34 стр. приложений.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Горшков, Виталий Валерьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

По результатом работы можно сделать следующее выводы:

Г. Электронный луч ленточной формы является одним из перспективных инструментов для обработки тонких поликремниевых пленок, обладающий следующими преимуществами: простота конструкции электронной пушки; простота регулирования параметров луча; возможность реализации как импульсного, так и непрерывного излучения; высокая производительность процесса; способность обеспечивать равномерное плавление в пределах зоны проплавления; химическая чистота процесса. ф 2. Лучшие условие кристаллизации позволяют реализовать режимы с

V » медленной скоростью обработки и высокой фоновой температурой, т.к. при данных режимах перепад давления, обусловленный термокапиллярным перераспределением жидкости вдоль ванны расплава, достигает минимума.

3. Для достижение стабильного роста на кристаллизационном фронте следует использовать пленки нелегированного поликремния.

4. Пленки поликристаллического кремния, Рекристаллизованные Hat установке электронно-лучевой обработки в режиме оплавления имеют квазимонокристаллическую структуру. Размеры монокристаллических блоков достигают значений ЗООмкм х 50 мкм. Основной дефект кристаллографической структуры рекристаллизованного слоя — границы зерен с небольшим углами разориентации.

5. Ориентация монокристаллических блоков слоя кремния Ф рекристаллизованного без использования затравок определятся нерасплавившимися зернами (100) переходной области плавления. Преимущественное развитие на этапах геометрического отбора и стационарного роста получают зерна ориентированные кристаллографической плоскостью (Ш) параллельно кристаллизационному фронту. Конфигурация зерен слоя определяется правилом конкурирующего роста зерен преимущественной ориентации, а так же тепловой и морфологической неоднородностью кристаллизационного фронта. 6. Морфологические нарушения, связанные с агломерацией расплава, предотвращаются использованием комбинированного защитного покрытия, включающего в себя слой термического окисла, выращенного на основе поликремния. Пленки высокотемпературного окисла, использующиеся в качестве защитного покрытия, эффективно стабилизируют ванну расплава. Метод перекристаллизации, формирующий зону расплава значительных размеров критичен к плавлению основания. В целом размеры и качество монокристаллических блоков пригодны для создания на них активных элементов ИС.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Горшков, Виталий Валерьевич, 2004 год

1. Janji S., Kanagawa F. Process for producing monocristalline layer on insulator. //Jap. J. Appl. Phys., 1989, №10.

2. Бейзитер JI.K., Вовси А.И., Патмалниекс A.A. Об уменьшении массопереноса и испарения при зонной плавке тонких слоев полупроводниковых материалов // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1968. №3 С. 42-44

3. Горшков В.В., Сеченов Д.А. Моделирование термодинамического состояния многослойной структуры, обрабатываемой плоским электронным лучом// Проектирование и технология радиоэлектронных средств 2003. — №3.-с. 52-56

4. CW laser anneal of polycrystalline silicon: crystalline structure, electrical properties/ A. Gat, L. Gerzberg, J.F. Gibbons, T. J. Magee. J. Peng, J.D. Hong, //Appl. Phys. Lett. 1978 V. 33, №8. P. 775-778

5. Laser inducted crystallization of silicon on bulk amorphous substrates: an overview/ D.K. Biegelsen, N.M. Jonson, IV. G. Hawkins et al. In ref 32. P. 537-548.

6. Kobayashi Y., Fukami A., Suzuki T. RF recrystallization of poly crystalline silicon on fused silica for MOSFET devices // J. Electrochem. Soc.- 1984. V. 131, №5. p. 1188-1194.

7. Лиманов А. Б., Гиваргизов Е. И. Лазерная зонная перекристаллгоация тонких пленок кремния: метод, структура, механизмы. Микроэлектроника. М. 1991. 356-369 с.

8. Tomoyasu /., Hiroyuki Т., Kyochi S. Method of forming a single crystal semiconductor layer from a non-single cristalline material by a shaped energy beam. //Jap. J. Appl. Phys., 1989, №10.

9. Silicon films on sapphire. // Repits Progr. Phys., 1987, 50, №3, pp. 327-371:

10. Laser & Electron Beam Processing of Materials, N.Y.: ACad Press, 1980, P. 267271.

11. Is SOI for circuits applications? // Process. Semicond. Device, 1987.

12. Манжосов Ю. А., Качурин Г. А., Плотников E. А. Поверхность. Физика, химия, механика., 1989, №2. 138-140 с.

13. Ямада Е., Маэда Т. Рекристаллизация кремниевых пластин и слоев кремния на диэлектрике с помощью лазера с непрерывной генерацией (яп.) / Пер. Баркова А. В. Кумамото дангаку когакубу кэнкю хококу. 1986, т. 35, № 1, -41-47 с.

14. Лиманов А. Б., Гиваргизов Е. ИЛазерная зонная перекристаллизация тонких пленок кремния: метод, структура, механизмы. Микроэлектроника. М. 1991. 356-369 с.

15. Кентаро С., Митихиро М., Такаси X. Способ термообработки1 поликристалических пленок, (яп.) / Пер. Баркова А. В; Кумамото дангаку когакубу кэнкю хококу. 1987, т. 34, № 2, 42-48 с.

16. Hayafuji Y. Recrystallization of polycristattine Si over Si02 through strip electron beam irradiation, (англ.) пер. Моргенштерн Б. А. / Silicon-on-insulator: Its Technology and Applications. №10,1989. 85 - 97 c.

17. Seizo K., Jun K., Masayoshi K., Katunobu A. Seeded electron beam recristallization of large area SOI using striped tungsten encapsulation technique. // Jap. J. Appl. Phys., 1987, №10.

18. Chen С. K., Pjieffer L.f West K. W., GeisM. IV., DavackS. Capping techniques for zone-melting recristallized SOI films. Semicond. Insul. and Thin Film Transistor Technoli 1985.

19. Mertens P. W., Wouters D; J., Yallup K. J., Maes H. E. Evaluation of lamp zone-melting recrystallizflion. Silicon-on-insulator and Buried Metals Semicond. 1987.

20. Nashimura Т., Arasaka Y. J. Beam-melting recristallization. Crystal Growth 83 V 63 #3 P.484-492

21. Dutartre D;, Haond M., Bensahel D., Microscopy of thin Si films during lamp zone-melting. Semicond. Insul. and Thin Film Transistor Technol. 1985.

22. Silicium sur isolaunt: Une nouvell< technique. / Пер. Макеев A. M. «Vide, couches minces», 1988, 43, №241. 319-320 c.

23. Wouters D., Mertens P., Maes H. E. Beam-melting recristallization of polysilicon layers for SOL application. "ESPRIT'85", 1985. 23-27 c.

24. Cameron A., Meyer D. SOI structures formed using line-source electron beam recrictallization. Silicon-on-insulator and Buried Metals Semicond. 19871

25. Сэцуо У., Ясуо У. Сони майкрокомпюта. (яп.)/Пер. Баркова А. В; 1988.-86 с.

26. Quitza X., Ryssel H. CW argon laser induced zone-melting recrystallization of thin silicon on oxide.//Proc. Int. Conf. Semicond. and Integr. Circuit Technol., 1986.

27. R.A. Laffand G.L. Mutchins, IEEE Trans. Electron Devises ED-21, 743, 1974.

28. Kusunoki S., Inone K, Nashimura Т., Arasaka Y. Orientation control of the silicon film on insulator by laser recristallizatiom //Jap. J. Appl. Phys., 1987, №10.-62-70 c.

29. Ramesh S., Martinez A., Petruzzello J. Addnessing the problem of agglomeration, surface roughness and crystal imperfection! in SOI films. Semicond. InsuL and Thin Film Transistor Technol. 1985.

30. Recent advances in Si and Ge zone-melting recrystallization/ C.K. Chen, M.W. Geis, H.K. Choi, et al In Ref 34. P. 575-582.

31. Limanov А.В., Givargizov E.I. Control of structure of zone-melting silicon films on amorphous substrates // Mater. Lett. 1983. V. 2, № 2. P. 93-96.

32. Cellular growth in micro-zone melted silicon. / H.J. Lea my, C.C. Chang, H. Baumgart et alH Mater. Lett. 1982. V. 1, № 1. P. 33-36.

33. Egami К, Kimura M. Strong 100 texture formation of poly crystalline silicon films on amorphous insulator by laser recrystallization // Appl; Phis. Lett. 1984. V. 45, №8. P. 854-856.

34. Pinizozotto R.F., Lam H.W., Vaandrager B.L. Subgrain boundaries in laterally seeded silicon-on-oxide formed dy graphite strip heater recrystallization // ppl. Phis. Lett. 1982. V. 40, №5. P. 388-390.

35. Zone-melting recrystallizationof Si Films with a moveable-strip-heater oven / M.W.Geis, H.I. Smith, B.-Y. Traur et al II J. Electrochem. Soc. 1982. V. 129, №12. P. 2812-2818.

36. Solidification-front modulation to entrain subboundaries in zone-melting of Si on SiC>2 / M.W. Geis, H.I. Smith, D.J. Silversmith et al II J. Electrochem. Soc -1983. V. 130, №5. P. 1178-1183.

37. Е.И. Гиваргизов Искусственная эпитаксия перспективная технология элементной базы микроэлектроники. -М.: Наука, 1988. с.94

38. Cline Н.Е. An analysis of the process of recrystallization of silicon thin films with either a scanning laser or strip heater // J. Appl. Phys. 1983. V. 54; № 5. P. 2683-2691.

39. Рыкалин H.H., Зуев И.В., Углов A.A. Основы электронно-лучевой обработки материалов. -М.: Машиностроение, 1978. 239с.

40. Stultz T,J,, Gibbons J.F. The use of beam shaping to achieve large-grain GW laser- recrystallization polysilicon on amorphous substrates // Appl. Phys. Lett. -1981. V. 39, №6. P. 498-500.

41. M. Boukezzata, B. Birouk and D. Bielle-Daspet S econd-oxidation properties of thin polysilicon films grown by LPCVD and heavily in situ boron-doped, Thin Solid Film, Vol: 335, Is. 1-2, P. 70-79.

42. Oxygen in zone-melting-recrystallized silicon-on-insulator films: its distribution and possible role in subboundary formation / J.C.C.Fan, B.-Y.Tsaur, C.K. Chen et all! Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44, №11. P. 1086-1088.

43. The role of oxygen in zone-melting recrystallization of silicon on insulator. In Ref. 33. P. 477-489.

44. Я.В. Фаттахов, И.Б. Хайбулин, P.M. Баязитов, E.M. Мисюрев, P. Гретчел Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния импульсами некогерентного света. Поверхность. Физика, Химия, Механика №11, 1989, с.61-69.

45. Н.Е. Cline Analysis of the process of recrystallization of thin silicon films in-situ either a scanning laser or strip heater. J. Appl. (Phus. 54(5)), 1983,2683-2691.

46. Yablonovitch E., Gmitter T. Wetting angles and surface tension in the crystallization of thin liquid film // J. Eloctrochem. Soc. 1984. V. 131, № 11. P. 2625-2630.

47. Kuroda E., Mats и da M., MakiM. Growth and characterization of silicon ribbon crystal grown with wetting and non wetting disks // Phis. Stat. Sol. - 1978. V. 48a, №1. P. 105-111.

48. A. Gat, L. Gerzberg, J.F. Gibbons, T.J. Maga, J. Peng, J.D. Hong II Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33 P. 755.

49. J.B. Boyce, R.T. Fulks, J. Ho, R. Lu, P. Mei, R.A. Street, K.F. Van Schuylenbergh and Y. W^/i^ Laser processing of amorphous silicon for large-area polysilicon imagers, Thin Solid Films, Vol. 383, 2000, Is. 1-2, P. 137-142

50. G. Fortunate, L Mariucci, R. Carluccio, A. Pecora, and V. Foglietti Eximeer laser crystallization techniques for polysilicon TFTs, Thin Solid Films, Vol. 364; 2000, Is. 1-2, P. 150-155

51. Fan J.C.C., Geis M. W., Tsaur B.-Y. Lateral epitaxy by seeded solidification for growth of single crystal Si films on insulator // Appl/Phis. Lett. - 1981. V 38, #5. P. 365-367.

52. Artificial epitaxy of semiconductors / E.I. Givargizov, A.B. Limanov, L.A. Zadorozhnaya et al. II J. Cryst. Growth. -1983. V. 65, #1-3. P 339-342.

53. Investigation of the silicon beading phenomena during zone-meftmg recrystallization / Z.A. Weinberg, V.R. Deline, Т.О. Sedgwick et al. И Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43, № 12. P. 1105-1107.

54. A.A. Карасин, В.И. Клыков Структуры КНД и КМОП ИС на их основе. Электронная промышленность. №10, 1989, с.2-7.

55. С.Н. Коляденко, А.В. Двуреченский, A.JI. Васильев Структуры кремний на изоляторе, формируемые перекристаллизацией поликремния импульсным нагревателем. Электронная промышленность №4, 1989 г., с.3-7.

56. Сеченов Д.А., Козлов В.М., Нащанский А.В, Чередниченко Д.И. Морфология слоев рекристаллизованных плоским электронным лучом. ВИНТИ, депонент, код рубрики 47.13.

57. Improve crystal perfection in zone-recrystallized Si films on SiCb / L. Pfeiffer, K.W. West, S. Pain, D.C. Joy. In Ref. 34.: P. 583-592:

58. J.R. Devid, RA. Mamah on, H. Shrned. Characterization of the dual electron beam technique for recrystallization of silicon films. J. Electrochem. Sos., v. 132, #8, 1985, 1919-1924:

59. Zorabedian P., Karnins T.L Lateral seeding of silicon-on-insulator using elliptical laser beam: a comparison of scanning methods. In Ref. 35. P. 81-86.

60. Palkuti L.J., Pang C.-S. Line source processing of SOI structures with laser and electron beam. In Ref. 35. P. 93-99.

61. Influence of crystalline structure on performance of thin film transistor / G.K. Celler,K.K. Ng,L.E. Trimble, E.I. Povilonis. In Ref. 34. P. 583-592.

62. Recrystallization of Si on amorphous substrates by doughnut-shaped CWAr laser beam / S. Kawamura, J. Sakurai, M. Nakano, M. Takagi I/ Appl: Phys. Lett. -1982. V. 40, № 5. P. 394-395.

63. Aizaki N.-A. Recrystallization of silicon film on insulating layer using a laser beam split by a birefringent plate // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44, № 7. P. 686688.

64. Seeded oscillatory growth of Si over Si02 by CW laser irradiation / G.K. Celler, L.E. Trimble, K.K. Ng et al II Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40, № 12. P. 10431045.

65. Haond M., Vu D.P. Use of incoherent light for annealing implanted Si wafers and growing single crystal Si on Si02 // Electron. Lett. - 1982. V. 18, № 17. P. 727-728.

66. Halogen lamp recrystallization of silicon on insulator substrates / D.P. Vu, M.

67. Hong, D. Bensahel, M. Dupuy II J. Appl. Phys. 1983. V. 54, № i. p. 437-439.щ

68. Use of selective annealing for growing very large grain silicon on insulator / J.P. Colinge, E.Demoulin, D. Bensahel, G. Auvert II Appl. Phys. Lett. 1982. V. 41, № 4. P. 346-347.

69. Energy beam Solid interaction and transient thermal processing symp., Boston, Mass., Nov. 14-17, 1983, N.Y., 1984, P. 465-480.

70. Патент ЕР №0167391 заявка JP №60-83322.

71. Патент ЕР №0167391 заявка JP №61-44785.

72. Патент ЕР №0167391 заявка JP №61-15319.

73. The mechanism of orientation in Si graphoepitaxy by laser or strip heater recrystallization / H.I. Smith, C.V. Thompson, M.W. Geis et al II J. Electrochem. Soc. 1983. V. 130, № 10. P. 2050-2053.

74. Localization of defects on SGI film via selective recrystallization using halogen lamps ID. Bensahel, M. Haond, D.P. Vu, J.P. Colinge II Electron Lett. 1983. V. 19, № 11. p. 464-466.

75. An etch pit technique for analyzing crystallographic orientation in Si film / К.А. Bezjian, H.I. Smith, J.M. Carter, M.W. Geis Hi. Electrochem. Soc. 1982. V. 129, №8. P. 1848-1850.

76. Single-crystal silicon transistor in laser-crystallized" thin films on bulk glass / N.M. Jonson, D.K. Beigelsen, H.C. Tuan, et al II IEEE Electron Dev. Lett. -1982. V. EDL-3, № 12. P. 369-372.

77. Kobayashi Y., Fukami A. Improvement of SOI/MOSFET characteristics by recrystallizing connected silicon islands on fiised quartz // IEEE Electron Dev. Lett. 1984. V. EDL-5, № 11. P. 458-460.

78. Single crystalline germanium island' on insulator by zone melting recrystallization/ M. Takai, T. Tanigawa, K. Gamo, S. Namba II Jap. J. Appl. Phys. 1983. V. 22, № 10. P. L624-L626.

79. Atwater H.A., Smith H.I., Geis M.W. Orientation selection by zone-melting silicon films through planar cjnstruction // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 41, № 4a. P. 747-749.

80. Orientation filtering by growth velocity competition in zone-melting recrystallization of silicon on Si02 / H.A. Atwater, С. V. Thompson, H.L Smith, M.W. Geis// Appl. Phys. Lett. - 1983. V. 43; № 12. P. 1126-1128.

81. C.W. Mullins, R.F. Secerko Stability function of a planar interface during solidification of a dilute binary alloy.// J. Appl. Phys. Vol 35, №2, 1964 P. 444451.

82. J. Narayan, H. Naramoto, C. W. White Cell formation and interfacial instability in laser-annealed Si-In and Si-Sb alloys.//J. Appl. Phys. Vol 52(2), 1982 P. 912915:

83. Горшков В.В., Сеченов Д.А. Программа расчета температурных профилей и градиентов в многослойных структурах, использующая метод сеток. 2002,

84. Таганрог.: Тезисы VI всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления», с. 198

85. И.Н. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов Физические основы электронной технологии. -М.: Высшая школа, 1984.

86. Gupta V.V., Song H.J., Im J.S. Non-equilibrium two-dimension model of excimer laser melting and solidification of thin film Si // Abstr. of MRS Fall Melting. 1995. №B12.21.

87. А.Б. Лиманов Моделирование латерального роста зерен в процессе эксимерной кристаллизации пленок a-Si // Микроэлектроника, т. 26, №2, 1997, с. 136-142.

88. Горшков В. В., Сеченов Д. А. Моделирование термодинамического состояния многослойной структуры, при рекристаллизации поликремния плоским электронным лучом. 2003, Москва.:

89. URL: http://www.mocnit.miee.ru/conf

90. П Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция «ЭЛЕКТРОНИКА».

91. Jackson К.F., Kurtze D.A. Instability in radiatively melted silicon filmИ J. Crystal Growth. 1985. V. 71, № 2 P. 385-390

92. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках: пер. с англ. М «Мир», 1975. с. 44.

93. Tamata M., Morita S., Hattoti S. Graphoepitaxy of evaporated film of stearic acid using the laser annealing: Abstract 2nd. Intern. Gonf. Langmuir — Blodgett Films. Schenectady - N.Y., 1988. Paper 85.

94. Я.В. Феттахов, И.Б. Хайбуллн, P.M. Баязитов, E.M. Мисюрев, P. Гретчел. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния импульсами некогерентного света. Поверхность. Физика, Химия, Механика №11, 1989, с. 61-69.

95. Научный вклад, внесенный автором в работы, опубликованные в соавторстве

96. В статьях в соавторстве с научным руководителем Сеченовым Д.А. им были поставлены задачи исследования, а так же совместно с ним обсуждались полученные результаты и формулировались выводы.

97. В работе №5 Горшков В.В. вывел формулу для расчета температурных профилей в пятислойной структуре с учетом фазового перехода.

98. В работе №34 Горшков В.В. провел вычисление профиля фазового перехода и произвел оценку влияния топологических и теплофизических характеристик на его форму.

99. В работе №96 Горшков В.В. вывел формулу, разработал алгоритм и написал программу для моделирования температурной картины в многослойных структурах, обрабатываемых источником энергии плоский формы.

100. В работе №97 Горшков В.В. провел численные эксперименты и оценил влияние разбивки цикла итераций на точность вычислений.

101. В работе №101 Горшков В.В. провел численный эксперимент для определения величины температурных градиентов в объеме структуры и в ванне расплава.

102. В работе №102 Горшков В.В. провел моделирование процесса, описал лабораторную установку, выполнил ряд экспериментов и сопоставил теоретические и экспериментальные данные.