Термодинамические основы направленного синтеза нестехиометрических кристаллов с летучими компонентами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор химических наук Гуськов, Владимир Николаевич

  • Гуськов, Владимир Николаевич
  • доктор химических наукдоктор химических наук
  • 2008, Москва
  • Специальность ВАК РФ02.00.04
  • Количество страниц 301
Гуськов, Владимир Николаевич. Термодинамические основы направленного синтеза нестехиометрических кристаллов с летучими компонентами: дис. доктор химических наук: 02.00.04 - Физическая химия. Москва. 2008. 301 с.

Оглавление диссертации доктор химических наук Гуськов, Владимир Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ДАВЛЕНИЕ ПАРА В ИССЛЕДОВАНИЯХ ФАЗОВЫХ

РАВНОВЕСИЙ И НЕСТЕХИОМЕТРИИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ.

1.1 Экспериментальные исследования нестехиометрии кристаллов методом статической тензиметрии.

1.2 Тензиметрическое исследование состава пара над нестехио-метрическими кристаллами, отклонений от стехиометрии и фазового и компонентного составов образцов.

1.3 Тензиметрическое исследование термодинамики нестехиометрических кристаллов.

1.4 Термодинамические исследования в создании основ направленного синтеза нестехиометрических кристаллов.

ГЛАВА 2. Р-Т-Х РАВНОВЕСИЯ В СИСТЕМЕ ЦИНК-МЫШЬЯК И ТЕНЗИМЕТРИЧЕСКОЕ СКАНИРОВАНИЕ ОБЛАСТИ ГОМОГЕННОСТИ АРСЕНИДА ЦИНКА 2гцАЕ2.

2.1 Экспериментальные методы и исходные вещества.

2.2 Фазовые равновесия в системе цинк-мышьяк.

Т-Х проекция.

Р-Т проекция.

Фазовый а~Р переход в 1пзА82.

2.3 Область гомогенности ¡3-2пзА82.

2.4 Термодинамика сублимации арсенидов цинка.

ГЛАВА 3. МОНОВАРИАНТНЫЕ И НОНВАРИАНТНЫЕ РАВНОВЕСИЯ

В СИСТЕМЕ Ва-Си-02 И КИСЛОРОДНАЯ НЕСТЕХИОМЕТРИЯ

УВа2Си307.х.

3.1 Фазовые равновесия в системе Ва-Си-02.

3.2 Нестехиометрия YBa2Cu307.x.

ГЛАВА 4. ТЕЛЛУРИДЫ КАДМИЯ И ЦИНКА.

4.1 Теллурид кадмия.

Р-Т-Х диаграмма.

Область гомогенности.

Парциальные термодинамические свойства.

4.2 Теллурид цинка.

4.3 Фазовый и компонентный анализ образцов CdTe.

ГЛАВА 5. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ КАДУМЙ-ЦИЬЖ-ТЕЛЛУР.

5.1 Р-Тпроекция системы кадмий-цинк-теллур.

5.2 Квазибинарный разрез CdTe-ZnTe.

5.3 Нестехиометрия твердых растворов Cdi.xZnxTe]±s.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физическая химия», 02.00.04 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термодинамические основы направленного синтеза нестехиометрических кристаллов с летучими компонентами»

Актуальность проблемы. Создание высокоэкономичных способов получения новых материалов, обеспечивающих потребности общества в различных областях человеческой деятельности - от национальной безопасности и космических исследований до экологии и охраны здоровья - представляет важную научно-техническую задачу. В первую очередь это касается материалов твердотельной электроники на основе кристаллических полупроводниковых и оксидных соединений переменного состава. Поиск путей синтеза материалов с необходимым комплексом свойств обычно основывается на методе «проб и ошибок». Результатом является низкий выход материалов с нужными характеристиками, приводящий к высоким затратам. Фундаментальные термодинамические исследования позволяют, если и не полностью отказаться от эмпирического подхода, то, по крайней мере, существенно ограничить круг поиска необходимых параметров, переводя процесс синтеза в область направленного протекания. Главной проблемой является необходимость очень точно контролировать состав нестехиометрических кристаллов, поскольку их свойства сильно изменяются в пределах нередко очень узкой области гомогенности. Ее протяженность определяется температурой, характером химической связи и свободными энергиями Гиббса образования соединения и равновесных с ним фаз. В пределах максимальных отклонений от стехиометрии соединения переменного состава являются твердыми растворами собственных компонентов. Термодинамическая активность компонентов зависит от состава, а отражением активности являются парциальные давления компонентов. При наличии в составе соединения летучих компонентов их парциальные давления при высокотемпературном синтезе достигают значительных величин.

Регулирование парциальных давлений позволяет контролировать состав синтезируемого кристалла. Для этого необходимо определить взаимосвязь его состава, температуры и равновесных парциальных давлений компонентов, так как наиболее совершенные кристаллы получаются в условиях близких к термодинамическому равновесию. Таким образом, результаты экспериментальных термодинамических исследований, включающие изучение гетерогенных фазовых равновесий с участием нестехиометрического кристаллического соединения, концентрационных границ его существования и зависимости состава нестехиометрического кристалла от температуры и парциальных давлений компонентов, представляют основы направленного синтеза кристаллов с заданными отклонениями от стехиометрии.

В настоящей работе исследования гетерогенных Р-Т-Х равновесий и отклонений от стехиометрии в кристаллах полупроводников Zn$As2, CdTe, ZnTe, Cd¡.xZnxTe¡±5, а также кислородной нестехиометрии YBa2Cu307.x выполнены методом прямого тензиметрического измерения давления пара. Фундаментальное и практическое значение проведенных экспериментальных и расчетных исследований подтверждается тем, что эта работа проводилась в соответствии с программами научно-исследовательских работ Академии наук по проблемам «Химия твердого тела», «Полупроводниковые материалы». Изучение системы цинк-мышьяк происходило в рамках программы «Синтез и изучение термодинамических и физико-химических свойств кристаллов, тонких слоев и пленок полупроводников АПВУ, АШВУ, сложных полупроводников и гетероструктур». Исследование кислородной нестехиометрии УВа2Сиз07.х выполнено в соответствии с программой «Новые принципы и методы получения химических веществ и материалов» и проекту ИНТАС-94. Изучение теллурида кадмия, теллурида цинка и твердых растворов теллурида кадмия-цинка выполнены в рамках программы ИНТАС-99 "Material science and crystal growth of detector grade CdTe and CdZnTe with controlled

Б1шсЫоте1ху" и программ президиума РАН «Направленный синтез неорганических веществ с заданными свойствами и создание функциональных материалов на их основе».

Цель работы состояла в создании термодинамических основ направленного синтеза нестехиометрических кристаллов с летучими компонентами Сс1Те, 2пТе, Сс{¡.у2пхТе]±8 и изучении области кислородной нестехиометрии УВа2Си307.х. Для этого были поставлены и решены следующие задачи:

- изучение термодинамики сублимации;

- экспериментальные исследования моновариантных Р-Т-Х равновесий в диапазоне температур и давлений, наиболее интересном с точки зрения технологии;

- экспериментальные исследования и термодинамический анализ областей существования кристаллических фаз в Р-Т-Х пространстве, включая определение концентрационных протяженностей областей гомогенности; определения парциальных давлений компонентов и их взаимосвязи с составом кристалла;

- расчета изоконцентрат (зависимостей парциальных давлений компонентов от температуры при фиксированном составе кристалла), определяющих способы отжига и охлаждения кристаллов заданного состава; расчета парциальных термодинамических свойств компонентов. Экспериментальное исследование фазовых Р-Т-Х равновесий было выполнено для систем Яг-Ая, Сй-Те, Zn-Te, Сй^п-Те, а также оксидной системы ВаО-СиО-О2. Тензиметрическое изучение отклонений от стехиометрии и расчет парциальных и интегральных термодинамических характеристик проведен для кристаллов 1пзАя2, Сс1Те, УВа2Си307.х, Сс11^пхТе1±з (х=0.05, 0.10, 0.15). Научная новизна выносимых на защиту положений определяется следующими основными результатами. На основе анализа метода статической тензиметрии и пространственного геометрического Р-Т-Х описания областей гомогенности соединений переменного состава, найден прямой способ определения состава кристаллической фазы в дивариантном равновесии с паром в экспериментальной точке {Р,Т} при произвольном составе пара — метод «пересечений». Он позволяет провести независимую объективную проверку адекватности принятой для выполнения расчетов модели состава пара, и в сочетании с традиционным использованием измерения давления пара для определения отклонений от стехиометрии в кристаллах составляет «метод тензиметрического сканирования» или VPS (Vapor Pressure Scannig Method). Статистический анализ экспериментальных особенностей метода показал возможность его использования при изучении отклонений от стехиометрии в кристаллах, в том числе, не превышающих 0.1 ат.%. Для решения задачи определения с высокой точностью компонентного и фазового состава кристаллической матрицы с помощью измерений давления пара предложен метод VP-фазового анализа, а для корректировки состава кристаллов - способ «уравновешивания». Исследованы Р-Т-Хфазовые равновесия в системах Zn-As, Cd-Te, Zn-Te, Cd-Zn-Te, ВС1О-С11О-О2 и выполнено изучение отклонений от стехиометрии в двойных полупроводниковых кристаллах /3-Zri3As2±d , CdTe¡±¿, ZnTe¡±s. Экспериментально показано, что линии конгруэнтной сублимации S=V этих фаз не являются изоконцентратами (линиями постоянного состава). Выполнен анализ взаимного расположения нонвариантных точек конгруэнтных плавления, испарения и сублимации вблизи максимальной температуры плавления. Определен состав пара в дивариантных равновесиях кристалл-пар и рассчитаны парциальные и интегральные термодинамические свойства для изученных кристаллов. Проведено изучение области кислородной нестехиометрии YBa2Cii307x. Впервые методами измерения давления пара была изучена система с тремя летучими компонентами и проведена оценка концентрационной протяженности узких областей гомогенности твердых растворов CdixZnxTe¡±s (х=0.05, 0.10, 0.15). Построены изотермы, изобары и изоконцентраты областей существования исследованных соединений в области параметров Р-Т, представляющих практический интерес. Полученные результаты представляют совокупность данных по изучению Р-Т-Х фазовых равновесий и КР^-тензиметрического сканирования узких областей гомогенности полупроводниковых соединений и широкой для сложного оксида УВа2Сщ07.х. Исследования выполнены для определения взаимосвязи между фазовыми Р-Т-Х равновесиями, термодинамическими свойствами и составом равновесных фаз при температурах и давлениях, применяемых при практическом синтезе и росте кристаллов.

Практическая значимость работы заключается в создании термодинамического базиса направленного синтеза полупроводниковых кристаллов Р~2п3А82±8 , Сс1Те1±5, Сй1.х2пхТец^, а также фиксирования содержания кислорода в УВа2Си307.х при отжиге. Экспериментальные исследования сопряженных составов кристалла и пара, изотермические и изобарные сечения Р-Т-Х диаграммы областей кристаллизации соединений позволяют определить реальные технологические способы практического синтеза кристаллов с заданными отклонениями от стехиометрии. Рассчитанные изоконцентраты показывают способы охлаждения и отжига кристаллов заданного состава. Полученные сведения о термодинамике образования фаз и парциальным и интегральным свойствам могут быть использованы в расчетах реальных процессов кристаллизации. Применение метода ¥Р-фазового анализа позволяет определить состав нестехиометрического кристалла и наличие включений второй фазы в образце с высокой точностью (10'3-10~4ат.%), недоступной другим современным методам исследования, а способ «уравновешивания состава» - корректировать состав кристалла. Полученные результаты по изучению Р-Т-Х равновесий и отклонений от стехиометрии в системах Сй-Те и Сс1-2п-Те использованы

- ФТИ им. А.Ф.Иоффе для выращивания кристаллов для научных исследований в лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках;

- Albert-Ludwigs Universitaet Freiburg, Kri stall ographicher Institut (Германия) для выращивания кристаллов для научных и практических целей;

5N Plus Inc., Montreal (Канада) для определения технологических параметров приготовления поликристаллического теллурида кадмия стехиометрического состава.

Работа выполнена в лаборатории термодинамических основ неорганического материаловедения при участии руководителей лаборатории академика РАН В.Б.Лазарева и член-корреспондента РАН А.Д.Изотова. Исследования проводились в творческом содружестве с профессором Иерусалимского университета (Израиль) Я.Х.Гринбергом и сотрудниками ИОНХ РАН профессором, д.х.н. А.С.Алиханяном, д.х.н. К.С.Гавричевым, д.х.н. Г.Д.Нипаном, к.х.н. И.В.Тарасовым, к.х.н. Шебершневой, к.х.н. Т.Н.Кольцовой, аспирантами А.В.Натаровским и В.В.Ковалевым.

Личным вкладом автора является выполнение всех экспериментальных измерений давления пара методом статической тензиметрии, разработка методов VP-фазового анализа и способа «.VP- уравновешивания». Расчетные задачи по областям существования полупроводниковых соединений и разработка метода тензиметрнческого сканирования VPS выполнены совместно с Я.Х.Гринбергом. Исследование оксидов проведено совместно с И.В.Тарасовым.

Апробация работы. Результаты диссертации были доложены и опубликованы в материалах следующих конференций, совещаний и съездов: XII, XIV и XVII Менделеевские съезды по общей и прикладной химии (Баку, 1981; Ташкент, 1989; Казань, 2003 ); V, VI и VII Всесоюзные координационные совещания по полупроводниковым соединениям АПВУ (Душанбе, 1982; Каменец-Подольский, 1984; Воронеж, 1987); XIII и IX Всесоюзные совещания по термическому анализу (Куйбышев, 1982; Ужгород, 1985); IX Всесоюзная конференция по калориметрии и термодинамике (Тбилиси, 1982); II Всесоюзная конференция «Термодинамика и полупроводниковое материаловедение» (Москва, 1983); VI Всесоюзное совещание по физико-химическому анализу (Киев, 1983); XIII International Conference on Thermal Analysis ICTA'85 (Bratislava, Czechoslovakia, 1985); XIII Всесоюзная конференция по химической термодинамике и калориметрии (Красноярск, 1991); E-MRS-2000 Spring Meeting (Strasbourg, France, 2000); 3th European Congress of Chemical Engineering (Nuremberg, Germany, 2001); Eurotechmet 2 (Bucharest, Romania, 2001); International conference II-V Materials (Bremen, Germany, 2001); XIV International conference of chemical thermodynamics in Russia (St-Petersburg, 2002); E-MRS Fall Meeting (Poland, 2002); I Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» ФАГРАН-2002 (Воронеж, 2002); «Герасимовские чтения» (Москва, 2003); Ilth International Conference on II-VI Compounds (Niagara, USA, 2003); Workshop on II-VI Materials (New Orlean, USA, 2003); Всероссийская конференция «Химия твердого тела и функциональные материалы-2004» (Екатеринбург, 2004); Workshop on II-VI Materials (Chicago, USA, 2004); XVI Украинская конференция по неорганической химии с участием иностранных ученых (Ужгород, Украина, 2004); VI Solid State Chemistry SSC-2004 (Prague, Czech Republic, 2004); International conference of Physical Chemistry Romphyschem-12 (Bucharest, Romania, 2006); International Meeting on Clusters and Nanostructured Materials CNM-2006 (Uzgorod, Ukraine, 2006); Международная конференция "HighMatTech 2007" (Украина, Киев, 2007).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 76 российских и зарубежных публикациях, включая 44 статьи и 32 тезиса докладов.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физическая химия», 02.00.04 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Гуськов, Владимир Николаевич

ВЫВОДЫ

1. Проведен анализ содержания и последовательности изучения гетерогенных равновесий методами давления пара с целью создания физико-химических основ направленного синтеза нестехиометрических кристаллов с летучими компонентами.

2. На основе анализа аналитических и геометрических представлений о фазовых равновесиях двойных систем в Р-Т-Х фазовом пространстве предложен способ прямого определения состава нестехиометрического кристалла в равновесии с паром произвольного состава (метод «пересечений») и метод тензиметрического сканирования VPS (Vapor Pressure Scanning), позволяющий исследовать отклонения от стехиометрии в кристаллах. Показано, что с помощью статического метода измерения давления пара можно исследовать соединения с узкими и широкими областями гомогенности, а точность определения состава в зависимости от экспериментальных условий может достигать значений 10"3-10"4 ат. %. Для решения задачи определения с высокой точностью (—10" ат.%) фазового и компонентного состава матрицы синтезированных кристаллов предложен метод FP-фазового анализа, а для создания в кристалле необходимых отклонений от стехиометрии - способ «VP-уравновешивания» состава.

3. Рассмотрена сублимация нестехиометрических кристаллов в замкнутом объеме и определены условия изучения термодинамических свойств этих соединений методом статической тензиметрии. Выполнены исследования Р-Т-X равновесий и областей гомогенности кристаллов в полупроводниковых и оксидной системах. В геометрических, аналитических и цифровых представлениях установлена взаимная связь между температурой, давлением, равновесными составами и термодинамическими свойствами нестехиометрических кристаллов, определяющая научные основы их направленного синтеза.

4. Экспериментально исследованы Р-Т-Х фазовые равновесия в системе Zn-As. Получены линии моновариантных равновесий и определены координаты нонвариантных точек на Р-Т проекции. Построены изобарные и изотермические сечения и рассмотрены особенности Р-Т-Х фазовых равновесий в системе с отрицательными барическими коэффициентами плавления соединений дР/дТ. Показано существование азеотропа в области равновесий жидкость-пар с отрицательными отклонениями от идеальности и его влияние на общий вид Р-Т проекции. Изучен фазовый а<-»/? переход в Zn3As2 и установлен его инконгруэнтный характер. Очерчены Р-Т области существования Zn^Asi и ZnAs2 и методом VPS определена максимальная растворимость компонентов в Zn$As2. Показано, что Zn^Aso сублимирует конгруэнтно, линия минимума давления S=V не является изоконцентратой. Построены изотермические сечения области гомогенности Zn^Asi и рассчитаны парциальные термодинамические функции смешения. Определены изоконцентраты парциальных давлений компонентов. Анализ дефектной структуры J3-Zn3As2 показал, что отклонения от стехиометрии можно описать моделью образования вакансий и внедрения атомов мышьяка. Исследована термодинамика сублимации арсенидов цинка и определены энтальпии их образования.

5. Проведены измерения зависимости давления кислорода от температуры в системе Ва-Си-02. Экспериментально идентифицировано пять моновариантных и два нонвариантных равновесия. С использованием метода VPS изучена протяженная область кислородной нестехиометрии YBa2Cu307.x. В аналитическом и графическом видах представлены изоконцентраты, изотермы и изобары области кислородной нестехиометрии и определены значения парциальной энтальпии смешения кислорода в области температур 650-1200 К и давлений 1-101.3 кПа.

6. Впервые выполнены прямые измерения общего давления пара в системе Cd-Те. Построены линии моновариантных равновесий, изотермические и изобарные сечения, рассмотрены особенности кристаллизации теллурида кадмия. С помощью метода VPS изучена область гомогенности кристаллического CdTe и определены максимальные отклонения от стехиометрии. В координатах парциальные давления компонентов - состав построены изотермические сечения области равновесий CdTe-nap и определен состав кристалла и пара на линии конгруэнтной сублимации S=V. Показано, что состав, отвечающий конгруэнтной сублимации, не является постоянным и при повышении температуры обогащается теллуром. Соединение при повышении температуры перестает конгруэнтно сублимировать за ~40 К до максимальной температуры плавления. При температуре на -80 К ниже максимальной температуры плавления в области равновесий жидкость-пар появляется азеотроп с отрицательными отклонениями от идеальности. Определены изоконцентраты парциальных давлений компонентов, построены p(i)-T проекции системы и определены парциальные термодинамические свойства компонентов.

7. Измерено общее давление пара в системе цинк-теллур. Р-Т проекция построена до температуры ~1370 К, общий тип Р-Т-Х равновесий аналогичен системе Cd-Te. Проведена оценка максимальной растворимости компонентов и показано, что однофазная область равновесия кристаллического теллурида цинка и пара не включает в себя рациональный состав, располагаясь в области более богатых теллуром составов.

8. Методами давления пара изучена трехкомпонентная система кадмий-цинк-теллур с тремя летучими компонентами. Экспериментально изучено изменение Р-Т проекции при увеличении содержания цинка. Сублимация происходит инконгруэнтно, однако существует область равновесий кристалл-пар, где сублимация происходит конгруэнтно по соотношению (Cd+Zn):Te=l:1. Эта область изучена в квазибинарном приближении, построены ее изотермические и изобарные сечения, вид которых не исключает расслаивания твердых растворов Cd].xZnxTei±s при низких температурах (<600 К). С использованием модели идеальных растворов рассчитаны парциальные давления компонентов равновесного пара и построены p(i)-T проекции равновесий кристалл-пар для сечений х=0.05, 0.10 и 0.15, определены отклонения от стехиометрии. Показано, что добавление цинка приводит к увеличению максимальной растворимости компонентов и перемещению области гомогенности в сторону более богатых теллуром составов. При х=0.15 рациональный состав 1:1 расположен вне области гомогенности. Определены состав кристаллов и пара вдоль линий минимумов давления и построены изотермы области равновесий кристалл-пар. Построены изоконцентраты парциальных давлений компонентов и рассчитаны парциальные и интегральные энтальпии сублимации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основе экспериментальных термодинамических исследований Р-Т-Х фазовых равновесий и отклонений от стехиометрии в работе определены пути решения важнейшей проблемы химии твердого тела - создания термодинамических основ направленного синтеза нестехиометрических кристаллов с летучими компонентами. Для решения этой проблемы применена специально разработанная последовательность обычных термодинамических измерений давления пара от температуры в закрытом объеме. В процессе тензиметрического эксперимента исследуемая система претерпевает фазовые превращения, обусловленные изменением температуры, давления и перераспределением компонентов между конденсированными фазами и паром. Характер изменения давления пара при этом не только позволяет судить о фазовом составе системы непосредственно при заданных значениях температуры, но и зафиксировать величины максимальных отклонений от стехиометрии. Не обладая селективностью методов аналитической химии, измерения давления пара требуют тщательной и скрупулезной подготовки, аккуратности в их проведении и индивидуального подхода к изучаемой системе. При соблюдении этих условий чувствительность тензиметрического эксперимента к фазовому и компонентному составам исследуемого образца на 2-3 порядка превышает возможности рентгенофазового анализа и современных методов аналитической химии. Предложенный метод тензиметрического сканирования позволяет с высокой точностью определять равновесные составы нестехиометрического кристалла и пара и детально исследовать отклонения от стехиометрии в кристаллических фазах в том числе концентрационной протяженностью -0.1 ат.%, а метод тензиметрического ГР-фазового анализа -определять компонентный состав нестехиометрических кристаллов с

О "X точностью 10""-10" ат.%. Несмотря на то, что достижение необходимой точности и достоверности сопряжено с необходимостью проведения не одного десятка экспериментов на протяжении длительного времени, такие исследования не могут быть выполнены никакими другими методами физико-химического анализа. Результаты тензиметрических исследований Р-Т-Х фазовых равновесий имеют не только практическое значение для определения путей синтеза нестехиометрических кристаллов заданного состава, но и познавательный интерес, позволяя изучать, например, такие тонкие эффекты фазовых равновесий, как температурные зависимости составов, отвечающих минимуму давления. И, наконец, в работе определены основные экспериментальные принципы изучения двойных с двумя и тройных систем с тремя летучими компонентами методами статической тензиметрии.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Гуськов, Владимир Николаевич, 2008 год

1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. - М.: Мир, 1969, 654 с.

2. Вест А. Химия твердого тела. -М.: Мир, 1988, т.1, 556 с.

3. Brebrick R.F. Non-stoichiometry in binary semiconductor compound N0.5-5Mo.5+8. // Prog. Solid State Chem., 1966, v.3, pp.213-263.

4. Зломанов В.П., Новоселова A.B. P-T-x диаграммы состояния металл-халькоген. М.: Наука, 1987, 208 с.

5. Соединения переменного состава. Ред. Ормонт Б.Ф. Л.: Химия, 520 с.

6. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982, 528 с.

7. Жданов Г.С. Физика твердого тела. М.: МГУ, 1961, 500 с.

8. Хенней Н. Химия твердого тела. М.: Мир. 1971, 224 с.

9. Сирота H.H. Физико-химическая природа фаз переменного состава. -Минск: Наука и техника, 1970, 224 с.

10. Гиббс Дж.В. Термодинамика. Статистическая механика. -М.: Наука, 1982,584 с.

11. Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния. -М.: Металлургия, 1968,314 с.

12. Глазов В.М., Павлова JI.M. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. -М.: Металлургия, 1988, 559 с.

13. Глазов В.М. Основы физической химии. -М.: Высшая школа, 1981, 454 с.

14. Курс физической химии. Ред. Герасимов Я.И. -М.: Химия, 1970, 624 с.

15. Вагнер К. Термодинамика сплавов. -М.: Металлургиздат, 1957, 180 с.

16. Воронин Г.Ф. Основы термодинамики. М.: МГУ, 1987, 192 с.

17. Мюнстер А. Химическая термодинамика. М.: Мир, 1971, 236 с.

18. Карапетянц М.Х. Химическая термодинамика. М.: Химия, 1975.

19. Курнаков Н.С. Введение в физико-химический анализ. -М.-Л.:Изд.АН СССР, 1940, 562 с.

20. Аносов В.Я., Погодин С.А. Основные начала физико-химического анализа. -М.-Л.: Изд. АН СССР, 1947, 876 с.

21. Аносов В.Я., Озерова М.И., Фиалков Ю.Я. Основы физико-химического анализа . —М.: Наука, 1976, 503 с.

22. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. -М.: Химия, 1978, 358 с.

23. Третьяков Ю.Д., Лепис. X. Химия и технология твердофазных материалов. -М.: МГУ, 1985,253 с.

24. Глазов В.М., Пашинкин A.C. Фазовые равновесия в двухкомпонентных системах. -М.: МИЭТ, 1983, 106 с.

25. Ricci J.E. The Phase Rule and Heterogeneous Equilibrium. -Toronto, -N.J. -L.: D.Van Nostrand Co.Inc., 1951, 505 p.

26. Зломанов В.П. P-T-X диаграммы двухкомпонентных систем. -М.: МГУ, 1980, 152 с.

27. Новоселова A.B. Методы исследования гетерогенных равновесий. -М.: Высшая школа, 1980, 166 с.

28. Левинский Ю.В. Диаграммы состояния металлов с газами. -М.: Металлургия, 1975, 296 с.

29. Левинский Ю.В. Р-Т-Х диаграммы состояния двухкомпонентных систем. М.: Металлургия, 1982, 112 с.

30. Greenberg J.H., Lazarev V.B. Vapour pressure investigation of P-T-X phase equilibria and non-stoichiometry in binary systems. -In: Current Topics in Material Science, v. 12, ed. Kaldis E. Amsterdam: Elsevier Sei. Publ. B.V., 1985, p.l 19-204.

31. Финдлей А. Правило фаз и его применение. -M.: ГОНТИ, 1932, 304 с.

32. Райнз Ф. Диаграммы фазового равновесия в металлургии. -М.: Металлургиздат, 1960, 376 с.

33. Коренев Ю.М. Р-Т-Х фазовые диаграммы и исследование процессов сублимации. В кн.: Химическая термодинамика. - М.: МГУ, 1984, с. 157-192.

34. Зломанов В.П. Направленный синтез соединений группы AIVBIV итвердых растворов на их основе. Автореф.доктора хим.наук, М.,1981,324 с.

35. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Полиморфизм и метастабильные состояния бинарных систем в р-Т-х фазовом пространстве. Термодинамика и материаловедение полупроводников. Под ред. Глазова В.М. -М.: Металлургия, 1992, с.272-317.

36. Гринберг Я.Х. Р-Т-Х фазовые равновесия и тензиметрическое сканирование отклонений от стехиометрии в кристаллах полупроводниковых и оксидных систем. Автореферат. доктора хим. Наук. М„ 1989, 46 с.

37. Нипан Г.Д. р-Т-х-у фазовая диаграмма трехкомпонентной системы для случая простой эвтектики.//Журн.неорган.химии, 1990, т.35, №11, с.2932-2940.

38. Нипан Г.Д. р-Т-х-у фазовая диаграмма трехкомпонентной системы при полиморфизме компонентов.//Журн.неорган.химии, 1991, т.36, №4, с.1030-1049.

39. Нипан Г.Д. р-Т-х-у фазовая диаграмма трехкомпонентной системы при образовании тройного соединения.//Журн.неорган.химии, 1991, т.36, № 11, с.2895-2009.

40. Нипан Г.Д. Стабильные и метастабильные фазовые состояния в многокомпонентных системах с участием кристаллов переменного состава и пара. Автореферат. доктора хим. наук. М., 2003, 47 с.

41. Kubaschewski О., Evans E.L. Metallurgical thermochemistry. L.: Butterworth LTD, 1951, 368 p.

42. Несмеянов Ан. H. Давление пара химических элементов. -М.: Изд. АН СССР, 1961,396 с.

43. Maserpa G. Méthodes de determination ténsios de vapeur â temperature élevée. Rev. De Chimie minérale, 1966, t. 3, pp. 153-184.

44. Суворов A.B. Термодинамическая химия парообразного состояния. JL: Химия, 1970, 208 с.

45. Сидоров Л.Н., Коробов М.В., Журавлева Л.В. Масс-спектральные термодинамические исследования. -М.: МГУ, 1985, 206 с.

46. Алиханян A.C. Термодинамика неорганических соединений по данным высокотемпературной масс-спектрометрии. Дисс. .доктора хим. наук, М., 2005, 75 с.

47. Пашинкин A.C. К расчету давления пара при измерениях по методу Кнудсена в случае полной диссоциации испаряющихся соединений. //Ж.физ.химии, 1964, т.38, с.2690-2697.

48. Пашинкин A.C. К расчету давления пара при измерениях по методу Кнудсена при полной диссоциации испаряющихся соединений. //Ж.физ.химии, 1966, т.40, с 2611-2612.

49. Воронин Г.Ф., Евсеев A.M. Определение термодинамических свойств и молекулярного состава пара двойных сплавов эффузионным методом. //Ж.физ.химии. 1964, т.38, с.2694-2697.

50. Воронин Г.Ф., Евсеев A.M. Определение термодинамических свойств и молекулярного состава пара двойных сплавов эффузионным методом. //Ж.физ.химии. 1964, т.38, с.2857-2861.

51. Воронин Г.Ф., Евсеев A.M. Определение термодинамических свойств и молекулярного состава пара двойных сплавов эффузионным методом. //Ж.физ.химии. 1965, т.39, с.2760-2765.

52. Барнард Д. Современная масс-спектрометрия. -М.: Изд. ИЛ, 1957, 415 с.

53. Уэбстер Р.К. Успехи масс-спектрометрии. -М: Изд. ИЛ, 1963, с.

54. Рафальсон А.Ж., Шершневский A.M. Масс-спектрометрические приборы. -М.: «Атомиздат», 1968, 235 с.

55. Угай Я.А., Пшестанчик В.Р., Анохин В.З., Гуков О .Я. Взаимодействие компонентов в системе Cd-P. //Неорган материалы. 1974, т. 10, с. 1936 1941.

56. Карбанов С.Г., Зломанов В.П., Новоселова А.В. Фазовые диаграммы систем германий-сера, германий-селен, германий-теллур. //Вестн. МГУ. Химия, 1970, т.11,№1, с.51-55.

57. Zappetini A., Bissoli F., Zanotti L., Zha M., Broglia С, Paorici С. Stoichiometric deviation and partial-pressure measurements in solid-vapour cadmium telluride system. //Materials Chemistry and Physic. 2000, v.66, pp.138-142.

58. Bissoli F., Zappetini A., Zha M., Zanotti L. Off Stoichiometry determination in Cadmium Telluride Crystals. //

59. Ching-Hua Su. Composition-temperature-partial pressures data for Cd0.sZn0.2Te by optical absorption measurements. //J. Crystal Growth. 2005, v.281, pp. 577-586.

60. Brebrick R.F. Partial pressures in equilibrium with group IV tellurides. 3: Germanium telluride. //J.Chem.Phys., 1964, v.41, 4, pp.l 140-1146.

61. Brebrick R.F., Strauss A.J. Partial pressures in equilibrium with group IV tellurides. 1: Optical absorption method and results for PbTe //J.Chem.Phys., 1964, v.40, 11, pp.3230-3241

62. Brebrick R.F. Pressures of Hg and selenium over HgS(c) from optical density measurements .//J. Chem. Phy s., 1965, v.43, 11, pp.3846-3852.

63. Zavrazhnov A.Y., Turchen D.N., Naumov A.V. et al. Chemical transport reactions as a new variant of phase composition control.//J.Phase Equilibria. 2003, v.24, 4, pp.330-339.

64. Завражнов А.Ю. Исследование Р-Т-х диаграмм халькогенидов галлия при помощи вспомогательного компонента.//Журн.неорган химии, 2003, т.48, №10, с. 1722-1736.

65. Завражнов А.Ю., Турчен Д.Н., Гончаров Е.Г. и др. Химические транспортные реакции в управлении составом нестехиометрических кристаллов.//Журн.неорган.химии, 2002, т.47, №4, с.463-467.

66. Zavrazhnov A.Y., Turchen D.N., Goncharov Eu.G. et.al. Manometric Method for the Study of P-T-X Diagrams.// J.Phase Equilibrium, 2001, v.22, 4, pp.482-490.

67. Завражнов А.Ю., Турчен Д.Н., Гончаров Е.Г. и др. Исследование нестехиометрии фаз с низкой летучестью. Область гомогенности GaSe.// Журн.общей химии, 1998, т.43, № 6, с.920-925.

68. Katsura Т., Muan A. Oxygen concentration cell. //Trans.Met.Soc.AIME., 1964, v.77, pp.230-235.

69. Navrotsky A., Kleppa O. Thermodynamics of formation of simple spineless.//J.Inorg.Nucl.Chem., 1968, v. 30, pp.479-486.

70. Голиков Ю.В., Янкин A.M., Дубровина A.B. и др. Фазовые равновесия при термической диссоциации УВа2Си3Оу.//Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1991, т.4, № 11, с.2229-2237.

71. Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов. М.: МГУ, 1974, 364 с.

72. Gurvich L.V., Iorish V.S., Chekhovslcoy D.V., Yungman V.S. IZVTANTERMO. //A Thermodynamic Database and Software System for PC. User's Guide, CRC Press, Boca Raton, 1993.

73. Хариф Я.JI., Ковтуненко П.В. Методы теоретического анализа и расчет диаграмм состояния. -М.: МХТИ, 1984, 4.1, 46 с.

74. Хариф Я.Л., Ковтуненко П.В., Майер A.A. Принципы расчета диаграмм фазовых равновесий в бинарных системах в приближении квазиидеальных растворов./ЛГруды МХТИ, 1981, вып. 120, с.8-12.

75. Хариф Я.Л., Ковтуненко П.В., Майер A.A. Расчет диаграмм фазовых равновесий в бинарных системах в приближении идеальных растворов с учетом химического равновесия А+В=АВ.//Журн.физической химии, 1982, тЛ6, №1, с.55-60.

76. Хариф Я.Л., Ковтуненко П.В., Майер A.A. Расчет фазовых равновесий в системах Аш-ВУ.//Журн.физической химии, 1982, №1, с.60-65.

77. Хариф Я.Л. Методы теоретического анализа и расчета диаграмм состояния. -М.: МХТИ, 1985, ч.2, 47 с.

78. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. -М.: Металлургия, 1984, 256 с.

79. Бублик В.Т., Морзов Ф.Н., Освенский В.Б. и др. Расчет области гомогенности арсенида галлия. //Кристаллография, 1979, т.24, №6, сЛ 230-1236.

80. Хариф Я.Л., Аветисов И.Х., Ковтуненко П.В. Физико-химический метод определения растворимости теллура в РЬТе. //Электронная техника, 1984, вып.2, с.72-74.

81. Кудряшов Н.И., Хариф Я.Л., Ковтуненко П.В. Определение границы области гомогенности сульфида кадмия.//Изв. АН СССР, неорган.материалы, 1985, т.21, №, с.876-878.

82. Брежнев В.Ю, Хариф Я. Л., Ковтуненко П.В. определение нестехиометрии селенида кадмия.//Зав.лаборатория, 1986, т.52, №1, с. 2326.

83. Зайчук Т.В., Хариф Я.Л., Ковтуненко П.В. Растворимость селена в селениде свинца.// Изв. АН СССР, неорган.материалы, 1986, т.22, №, с.581-583.

84. Аветисов И.Х., Хариф Я.Л., Ковтуненко П.В. Растворимость теллура в РЬТе.// Изв. АН СССР, неорган.материалы, 1986, т.22, №, с.410-414.

85. Спицина В.Д., Рязанцев А.А., Поповкин Б.А. и др. Исследование и рост монокристаллов в области гомогенности сульфойодида сурьмы. -В кн.: некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, с. 133-143.

86. Поповкин Б.А., Трифонов В.А, Ляховицкая В.А., Новоселова А.В. Определение границ области гомогенности сульфойодида сурьмы.//Докл. АН СССР, 1974, т.215, с.603-606.

87. Lazarev V.B., Greenberg G.H., and Popovkin V.A. Investigation of deviations from stoichiometry by means of tensimetric measurements. -In book: Current Topics in Material Science, ed. Kaldis E.: Elsevier Sci.Publ.B.V., 1978, v. 1, chap.9, pp.657-695.

88. Поповкин Б.А. Физико-химические основы управляемого синтеза сульфоиодида сурьмы и других халькоген (оксо) галогенидов сурьмы и висмута. Автореферат . доктора хим. наук. М., 1984, 41 с.

89. Гринберг Я.Х., Борякова В.А., Шевельков В.Ф. Р-Т-Х диаграмма состояния и термодинамические свойства In2Se3- //Изв. АН СССР, Неорган, материалы, 1972, т.8, № 12, с.2099-2107.

90. Гринберг Я.Х., Борякова В.А., Шевельков В.Ф. Термодинамические свойства In2Se3. //Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1972, т.8, №7, с.1206-1209.

91. Berkowitz J. Chupka W.A. Equilibrium composition of selenium vapour. //J.Chem.Phys., 1966, v.45, N11, pp.4289-4302.

92. Berkowitz J. Chupka W.A. Comment on the composition of selenium vapour. //J. Chem.Phys., 1968, v.48, N12, pp.5743-5744.

93. Жегалина В.А., Аракелян З.С., Калинников В.Т. и др. Р-Т-Х фазовая диаграмма и отклонения от стехиометрии в Cr2Se3. //ЖНХ, 1980, т.25, №10, с.2807-2813.

94. Алиханян A.C., Стеблевский A.B., Калинников В.Т., Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х. Масс-спектрометрическое исследование испарения CdCr2Se4. //Изв.АН СССР, неорган, материалы, 1977, т.13, №7 , с.1194.

95. Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Маренкин С.Ф. Магомедгаджиев Г.Г., Самиев С.Х. Тензиметрическое исследование отклонения от стехиометрии в Zn3P2.//h3b.AH СССР, неорган.материалы, 1978, т.14, №11, с.1961-1965.

96. Greenberg J.H., Lazarev V.B., Kozlov S.E., Shevchenlco V.J. The sublimation thermodynamics of Zn3P2. //J.Chem.Thermodynam., 1974, v.6, N 10, pp. 10051012.

97. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Маренкин С.Ф., Козлов С.Е., Гринберг Я.Х. Термическая диссоциация соединений типа МПзР2. В сб. Получение, свойства и применение фосфидов. Киев: Наукова думка, 1977, с.27-29.

98. Алиханян A.C., Стеблевский A.B., Гринберг Я.Х. Маренкин С.Ф., Магомедгаджиев Г.Г., Горгораки В.И. Исследование процесса сублимации ZnP2. //Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1978, т.14, № 11, с.1966-1970.

99. Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Маренкин С.Ф. и др. Исследование Р-Т-Х фазовой диаграммы Cd-P и термодинамические свойства фосфидов кадмия. //Изв.АН СССР, неорган, материалы, 1979, т. 15, №7, с. 1149-1154.

100. Lazarev V.B., Greenberg J.H., Kozlov S.E., Marenkin S.F., Shevchenko V.J. Large single crystals of Cd3P2. //J.Crystal Growth, 1974, v.23, N 3, pp.237240.

101. Lazarev V.B., Greenberg J.H., Shevchenko V.J., Marenkin S.F., Kozlov S.E. Sublimation thermodynamics of Cd3P2. //J.Chem.Thermodyn., 1976, v.8, N 1, pp.61-67.

102. Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Маренкин С.Ф.,Самиев С.Х. исследование Р-Т-Х фазовой диаграммы системы Cd-P и термодинамические свойства фосфидов кадмия. //Изв. АН СССР, неорган.материалы, 1979, т.15, № 7, с.1149-1154. • .

103. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. и др. Тензиметрическое сканирование отклонения от стехиометрии в CdAs?. //ЖФХ, 1989, т.63, №4, с. 1042-1047.

104. Нипан Г.Д., Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х. Р-Т-Х диаграмма системы Cd-As. //ЖНХ, 1982,1.21, №7, с.1788-1791.107. Ñipan G.D., Greenberg J.H., Lazarev V.B. P-T-X phase relations in the Cd-As system. //Mat.Res.Bull., 1985, v.20, 9, pp. 1115-1122.

105. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Геометрическая модель Р-Т-Х фазовой диаграммы Cd-As. //Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1987, т.23,№9, с 1423-1428.

106. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Метастабильные состояния в системе Cd-AsV/Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1987, № 10, с. 15961601.

107. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Тезиметрическое исследование р-Т-х фазовых равновесий в системе кадмий-мышьяк. Экспериментальные результаты.// Деп.ВИНИТИ 3854-В88, 1988, 107 с.

108. Нипан Г.Д., ГринбергЯ.Х., Лазарев В.Б. Тензиметрическое исследование сублимации Cd3As2.// Журн.физ.химии. 1989, т.63, №2, с. 325-328.

109. Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Тензиметрическое исследование термодинамических свойств CdAs2.// Изв.АН СССР, неорган, материалы, 1989, т.25, №3, с.357-359.

110. Нипан Г.Д. Р-Т-Х фазовые равновесия в системе кадмий-мышьяк и нестехиометрия арсенидов кадмия. Дис. .канд.хим.наук. М: ИОНХ РАН, 1988, 237 с.

111. Полупроводниковые соединения АШВУ. Ред. Виллардсон Р., Геринг X. -М.: Металлургия, 1967, 728 с.

112. Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б., Гуськов В.Н. Тензиметрическое исследование состава пара над нестехиометрическими кристаллами и отклонения от стехиометрии.//Докл.АНСССР, 1982, т.262, №2, с.371-373.

113. Mills K.S. Thermodynamic Data for Inorganic Sulfides, Selenides and Tellurides. L., 1974.

114. Lyons V.J. and Silvestri V.J. Solid-vapour equilibria for the compounds Cd2As2 and CdAs2. //J.Phys.Chem, 1960, v.64, 2, pp.266-269.

115. Greenberg J.H., Guskov V.N., Lazarev V.B. Vapour-pressure investigation of thermodynamics of non-stoichiometric crystals. Sublimation of (3-Zn3As2. //J.Chem.Thermodyn., 1985, v. 17, pp.739-746.

116. Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов. -М.: Металлургиздат, 1962, т.1, 608 с.

117. Уэндланд У. Термические методы анализа. -М.: Мир, 1978, 526 с.

118. Шестак Я. Теория термического анализа. М.: Мир, 1987, 455 с.

119. Ковба J1.M., Трунов В.К. Рентгенофазовый анализ. -М.: МГУ, 1976, 231с.

120. Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Справочное руководство. Т.1,2.-М.: Наука, 1976, 1981.

121. Шольц В.Б., Коренев Ю.М., Сидоров Л.Н. Исследование Р-х и Т-х проекций системы NaF-VF3 методами ДТА и масс-спектрометрии. //Труды II Всесоюз. симпозиума по химии неорган, фторидов. Москва, 1970, с.141.

122. Коренев Ю.М., Сорокин И.Д., Сидоров Л.Н., Новоселова А.В. Масс-спектрометрическое исследование системы LiF-HfF4. //Журн. физ.химии, 1974, т.48, №8, с.2137-2138.

123. Локшин А.Ф., Коренев Ю.М., Сидоров Л.Н., Новоселова А.В. Определение молекулярного состава насыщенного пара и активностей в системе KF-HfF4. //Журн.физ.химии, 1975, т.49, №10, с.2723.

124. Карасев Н.М., Сидоров Л.Н., Коренев Ю.М. I. Молекулярный состав пара и расшифровка масс-спектра в системах KF-ZrF4, CsF-ZrF4. //Журн.физ.химии, 1976, т.50, №6, с. 1630.

125. Korenev Yu.M. Application of High Temperature Mass Spectrometry to the Investigation of P-T-x Phase Diagrams. //Advance in Mass Spectrometry, 1980, v. 8a, pp.458-461.

126. Берг Л.Г. Введение в термографию. -M.: Наука, 1969, 395 с.

127. Камке Д., Кремер К. Физические основы единиц измерения. -М.: Мир, 1980, 208 с.

128. Справочник химика. -JL: Химия, 1971, т. 1, с.548.

129. Воскресенский П.И. Начала техники лабораторных работ. -М.: Химия, 1971,223 с.

130. Hultgren R., Orr R.L., Anderson P.D. and Kelley K.K. Selected Values of Thermodynamic Properties of Metals and Alloys. -Willey: N.Y., 1963, 963 p.

131. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Маренкин С.Ф. Физико-химические свойства и применение полупроводниковых соединений систем AnBv. //Изв.АН СССР, неорган, материалы, 1979, т. 15, № 10, с 1701-1712.

132. Баранский П.И., КлочковВ.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справ. Киев: Наукова думка, 1976, 704 с.

133. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Маренкин С.Ф. Актуальные проблемы физико-химии и материаловедения полупроводников АИВУ. В кн.: VI Всесоюзное координационное совещание «Материаловедение полупроводниковых соединений группы AnBv.» -М.: Наука, 1984, с 1620.

134. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболев В.В Полупроводниковые соединения группы AnBv. -М: Наука, 1978, 256 с.

135. Зюбина Т.А., Угай Я.А. Полупроводниковые материалы, приборы и их применение. -Воронеж, 1968, с. 37-45.

136. Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Максимова С.И., Хусенов Б., Шевченко В.Я. исследование области гомогенности ZnAs2. //Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1979, т. 15, № 11, с.749-751.

137. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Ред. Бокий Г.Б. -М: Изд. стандартов, 1973, 208 с.

138. Глазов В.М., Касымова М. Плотность арсенидов цинка и кадмия в твердом и жидком состоянии и объемные изменения при их плавлении. //Докл. АН СССР, 1968, т. 183, №1, с. 141-143.

139. Глазов В.М., Касымова М. Оценка энтропий и теп лот плавления арсенидов цинка и кадмия. //Электронная техника, сер. 14, «Материалы», 1969, №1, с.66-70.

140. Clarck J.B., Pistorius C.W.F.T. Stable and metastable equilibria near the melting curves of CdAs2 and ZnAs2 to the high pressures. //High Temp.-High Press., 1973, v.5, pp.319-326.

141. Clark J.B., Range K.-J. High Pressure Reaction in the System Zn3As2-As and Cd3AsrAs. HZ. Naturforch., 1975, v.30b, N 5, pp. 688-695.

142. Pistorius C.W.F.T. Melting and polymorphism of Cd3As2 and Zn3As2 at high pressure. //High Temp.- High Press., 1975, v.7, pp.441-449.

143. Clark J.В., Range K.-J Crystal Structures of the High Pressure Phases ZnAs and CdAs. //Z. Naturforsch., 1976, v.31b, N 2, pp. 158-162.

144. Смоляренко Э.М., Шипило В.Б., Якимович B.H. Термодинамические свойства фазы высокого давления ZnAs. //Докл.АН БССР, 1983. т.25, № 9, с.794-796.

145. Сирота Н.Н., Смоляренко Э.М. Термодинамические свойства соединений в системах Zn-As и Cd-As. //Изв.AIT СССР, металлы, 1968, т.6, № 6, с.234-236.

146. Natta G., Passerini L. Singli arseniuri di magnesio e di zinco. //Gazz. chim.ItaL, 1928, v.58, pp.542-550.

147. Ария C.M., Морозова М.П., Хуан Цзи-Тао, Вольф Э. Энтальпии образования арсенидов лития, магния и цинка. //Ж. общ. химии, 1957, №2, 293-295.

148. Столярова Т.А. Теплота образования арсенида цинка Zn3As2. //Ж.физ.химии, 1979, т.53, №5, с. 131-132.

149. Даниленко Г.Н., Даниленко В.Е., Карапетьянц М.Х. и др. Термодинамические функции ZnAs2 и CdAs2. // Изв. АН СССР, неорган материалы, 1977, т.13, № 10, с.1736-1738.

150. Демиденко А.Ф., Даниленко Г.Н., Даниленко В.Е. и др. Теплоемкость и термодинамические свойства соединений А3ИВ2У. //Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1977, т. 13, № 2, с. 214-216.

151. Несмеянов Ан.Н., Иофа Б.З., Стрельников А.А. и др. Измерение давления насыщенного пара твердых сплавов методом радиоактивных индикаторов. //Ж.физ.химии, 1956, т.ЗО, № 6, с.1250-1257.

152. Несмеянов Ан.Н., Иофа Б.З., Стрельников А.А. Давление насыщенного пара твердого ZnAs2.// Ж.физ.химии, 1958, т.32, № 4, с. 955-956.

153. Silvey G.A., Lyons V.J., Silvestry V.J. The preparation and properties of some II-V semiconducting compounds. //J.Electrochem. Soc., 1961, v.108, N 7, pp. 653-858.

154. Jordan A.S. Some Thermodynamics Properties of Zn3Zs2, Cd3As2 and ZnP2. //J.Electrochem. Soc., 1971, v.l 18, N 8, pp.1362-1365.

155. Schoonmaker R.C., Lemmerman K.J. Vaporization of Zn3As2. // J.Chem. fnd Eng. Data, 1972, v. 2, pp. 139-143.

156. Munir Z.A., Benavides M.E., Meschi D.R. Thermodynamic Stabilities of Arsenides of Zinc. //High Temp. Sci., 1974, v.6, N 1, pp. 73-74.

157. Блеек П.Г., Воронин B.A., Клымкив A.B. Некоторые термодинамические свойства Zn3As2. //Ж.физ.химии, 1976, т.50, № 3, с. 812-822.

158. Гуськов В.Н., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Тензиметрическое исследование фазовых равновесий в системе цинк-мышьяк. Экспериментальные результаты. //Деп. ВИНИТИ: № 56-85 Деп, М., 1984, 76 с.

159. Lazarev V.B., Guskov V.N., Greenberg J.H. P-T-X phase equilibria in the system Zn-As. // Mater. Res. Bull., 1981, v. 16, pp. И13-1120.

160. Гуськов В.Н., Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Котляр А.А. Фазовая Р-Т-Х диаграмма системы Zn-As. //Изв. АН СССР, неорганические материалы, 1983, т. 19, № 4, с. 532-537.

161. Guskov V.N., Greenberg J.H., Lazarev V.B. P-T-X phase diagram and non-stoichiometry of Zn3As2. //Thermochimica Acta, 1985, v. 92, pp. 599-602.

162. Глазов B.M., Лазарев В.Б., Жаров B.B. Фазовые диаграммы простых веществ.//М.: Наука, 1080, 272 с.

163. Физико-химия твердого тела. Ред. Сталинский Б.Н. -М.: Химия, 1972, 252 с.

164. Greenberg J.H., Guskov V.N., Lazarev V.B., Kotliar A.A. Solid state phase transition in Zn3As2. //Material Res. Bull., 1982, v. 17, pp. 1329-1333.

165. Lyons V.J. The dissociation pressure of ZnAs2. //J.Phys.Chem., 1959, v.63, №7, pp.1142-1144.

166. Маренкин С.Ф., Шевченко В.Я., Стеблевский A.B., Алиханян А.С. Исследование термической диссоциации полупроводников группы A"BV//Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1980, т. 16, №10, с. 1757-1761.

167. Stull D.R. and Sinke G.C. Thermodynamic Properties of the Elements. -Am.Chem.Soc.: W., DC, 1956, 234 p.

168. Rau H. Vapour composition and van der Waals constants of Arsenic. //J.Chem.Thermodynamics, 1975, v.7, 1, pp.27-34

169. Wagner C. Thermodynamics of Alloys. Addison-Wesley Press. Inc.: Cambridge, Mass., 1952, pp.54-66.

170. Libowitz G.G., Lighstone J.B. Characterization of point defects in nonstoichiometric compounds from thermodynamic consideration. //J. Phys. Chem. Solids, 1967, v. 28, N 7, pp.1145-1154.

171. Lighstone J.B., Libowitz G.G. Interaction between point defects in nonstoichiometric compounds. // J. Phys. Chem. Solids, 1969, v.30, N 5, pp.1025-1036.

172. Васильева И.А. Определение типов дефектов и энергетических характеристик дефектов с помощью термодинамических данных. В кн.: Термодинамические свойства металлических сплавов и современные методы их исследования. - Киев: Наукова думка, 1976, с. 42-49.

173. Гуськов В.Н., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б., Котляр А.А. Тензиметрическое изучение области гомогенности p-Zn3As2. //Ж. физ. Химии, 1987, т.61, № 9, с.2329-2336.

174. Гуськов В.Н., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Тензиметрическое сканирование области гомогенности (3-Zn3As2. // Докл. АН СССР, 1987, т. 292, №3, с. 651-654.

175. Greenberg J.H., Guslcov V.N., Lazarev V.B. Vapour pressure investigation of thermodynamics of non-stoichiometric crystals. Sublimation of P-Zn3As2. // J. Chem. Thermodynam., 1985, v.17, pp.739-746.

176. Гуськов B.H., Нипан Г.Д., Гринберг Я.Х., Лазарев В.Б. Тензиметрическое исследование термодинамических свойств арсенидов цинка и кадмия. Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции по калориметрии и химической термодинамике. -Тбилиси, 1982, с. 317-319.

177. Горбунов В.Е., Гавричев К.С., Тотрова Г.А. и др. Низкотемпературная теплоемкость Zn3As2 и ЕпАз2.//Ж.физ.химии, 1987, т.61, № 2, с.325-329.

178. Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов. Справочник. -С-Пб.: «Наука», 1997, вып. 6, с.24.

179. Migeon H.-N., Zannt M., Jeanmot F. et.al. Etude de la nonstoechiometric et des propertietes de BaCu02+x (avec.0<x<0.12). //Rev. Chim. Miner., 1977, t. 14, pp. 498-502.

180. Petricek K., Burcovec N., Burcovec P. On synthesis and characterization of BaCu02+x (0<x<0.5). // J.Solid State Chem., 1992, v.99, N1, pp.58-62.

181. Idemoto Y., Takahashi J., Fueki K. Standart enthalpies of formation of member oxides in Y-Ba-Cu-0 system. // Physica C., 1992, v. 194, pp. 177-186.

182. Boroviec K., Przylski J., Kolbreclca K. Phase relations and stability in-the Y203-Ba0-Cu0x System. // Eur.J.Solid State Inorg. Mater., 1990, t.27, N 1-2, pp.333-345.

183. Сколис Ю.Я., Пашин С.Ф., Ковба M.JI. Термодинамические свойства купратов бария BaCu02+s.// Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1990, т.З, № 12, с.2792-2798.

184. Arjomand M., Machin D.J. Oxide chemistry. Part II. Ternary oxides containing copper in oxidation states -I, -II, -III and -IV. //J. Chem. Soc., Dalton Transact., 1975, N 11, pp. 1061-1066.

185. Акимов А.И., Якимович В.H., Рубцов В.A. и др. О новом соединении в системе Ва-Си-О. // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1994, т.7, № 2, с.371-376.

186. Migeon H.-N., Jeanmot F., Zanne M., Preparation et etude d'un oxide de barium cuirvre BaCu02. //Rev.Chim.Miner., 1976,1.13, pp. 440-446.

187. Kipka R., Muller-Buschbaum Hic. Uber Oxocuprate, XX Ein Erdalkalioxocuprate (II) mis geschlossenen Baugruppen: BaCu02. // Z.Naturforsch. 1977, B.32b, h.2, pp.121-123.

188. Weller M.N., Lines D.R., Structure and oxidation state relationships in ternary copper oxides. // J. Solid State Chem., 1989, v.82, N 1, pp.21-29.

189. Lindemer T.V., Washburn F.A., MacDougal C.S. Study of phase behavior in the YBa2Cu307-x-BaCuO2+y-CuO-Ag system. // Physica C, 1992, v. 196, pp. 390-398.

190. Maiorova A.F., Mudretsova S.N., Pashin S.F. et.al. Thermochemical characteristics of BaCu02. // Thermochim. Acta, 1992, v. 197, pp.219-224.

191. Eriksson S., Johansson L.-G., Borjesson L. et.al. Oxygen content and structural properties of some Ba-Cu oxides. // Physica C, 1992, v. 196, pp.390398.

192. Майорова А.Ф., Мудрецова C.H., Ковба M.JI. и др. Нестехиометрия ВаСи02 по меди и кислороду. // Докл. РАН, 1994, т. 339, № 2, с.56-62.

193. Abbatista F., Vallino M., Massa D. Comprehensive review of the Ba0-Y203-CuO-O phase diagram. //Mater Chem. and Phys., 1989, v. 21, N 5, pp. 521528

194. Abbatista F., Vallino M., Brissi C. et.al. Some equilibrium relationship in the barium rich part of the BaO-CuO-O system. // Mat. Res. Bull., 1988, v.23, pp. 1509-1520.

195. Zhang W., Osamura K. Phase transition and crystal structure of Ba2CuOx oxide. //Jpn. J. Appl. Phys., 1990, v. 29, N 7, pp. L1092-L1095.

196. Halasz I., Fulop V., Kirscher A., et. al. Thermoanalytical and X-Ray diffraction of Ba2Cu305+d for preparation Y-Ba-Cu-0 superconductors. // J. Cryst. Growth, 1988, v. 91, N 3, pp. 444-449.

197. Thompson J.G., Fitz Gerald J.D., Withers R.L. et. al. The synthesis and structure ofBa2Cu305+(p. //Mat. Res. Bull., 1989, v.24, pp. 505-515.

198. Maiorova A.F., Mudretsova S.N., Kovba M.L. et. al. Thermochemical characteristics of nonstoichiometric Ba2Cu305, //Physica C, 1993, v. 218, pp.137-140.

199. Пашин С.Ф., Сколис Ю.Я. Термодинамические свойства и кислородная нестехиометрия фазы ВаСи202. // Ж.физич.химии, 1991, т.65, № 1, с.256-259.

200. Idemoto Y., Ohyagi I., Fuelci К. Thermodynamic study on the Y-Ba-Cu-0 system by the EMF method. // Physica C, 1992, v. 199, pp.207-216.

201. Воронин Г.Ф., Дегтярев C.A. Равновесия твердых фаз в системе ВаО-СльО-Ог. //Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1993, т.6, № 4, с.843-854.

202. Voronin G.F. Thermodynamic stability of superconductors in the Y-Ba-Cu-O system. In book: Materials and crystallographic aspects of HTc-superconductivity. Kluwer Academic Publishers. Ed. Kaldis E. 1994, pp. 585602.

203. Weisner U., Ritschel M., Krabbes G. Thermochemical investigation in the system Y-Cu-0 and Ba-Cu-O. // Intern. Symp. "Mashtec'90". Dresden, April 24-27, 1990, v.l, p. 124.

204. Graf Т., Triskone G., Junod A. et.al. Microstructure and phase relations at high oxygen pressure (90 bar) in the system Y203-Ba02-Cu0. // J.Less-Comm. Met., 1991, v.170, N 2, pp.350-372.

205. Нипан Г.Д. Геометрическая модель P-T-x-y-z фазовой диаграммы системы Y-Ba-Cu-O. // Неорган, материалы, 1994, т.ЗО, № 9, с. 1162-1168.

206. Голиков Ю.В., Янкин A.M., Дубровина А.Я. и др. Фазовые равновесия при термической диссоциации УВа2СизОу. // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1991, т. 4, № 11, с. 2229-2237.

207. Licci F., Sheel H.J., Tissot P. Determination of eutectic composition by crystal growth and flux separation: example BaCu02-Cu0x. // J. Cryst. Growth, 1991, v. 94, N 1-2, pp. 600-605.

208. Lee B.-J., Lee D.N. Thermodynamic calculation for Y203-Ba0-Cu0 system. // J. Am. Ceram. Soc. 1991, v.74, N 1, pp.78-84.

209. Nevriva M., Pollert E., Mateikova L. et. al. //On determination of the CuO-BaCu02 and Cu0-YCu02.5 binary phase diagrams. // J.Cryst. Growth. 1988, v. 91, N3, pp. 434-438.

210. Balestrino G., Barlbanera S., Paroli P. Growth of single crystals of the high-temperature superconductor YBa2Cu307x. // J. Cryst. Growth, 1987, v.85, pp. 585-587.

211. Zhang W., Osamura K., Ochiai S. Phase diagram of BaO-CuO binary system. // J. Am. Ceram. Soc., 1990, v.73, N 7, pp. 1959-1964.

212. Bykov A.V., Demianets L.N., Zibrov I.P. et.al. Crystallization of high-temperature superconductors from nonstoichiometric melts. // J.Cryst. Growth, 1988, v. 91, N3, pp. 302-307.

213. Nomura S., Yoshiono H., Ando K. Phase diagram of the system YBa2Cu3Oy-BaCu02*Cu0. //J. Cryst. Growth, 1988, v. 92, pp. 688-686.

214. Dembinski K., Gerwais M., Odier P. et.al. A non polluting single growth process for YBaCuO and phase diagram studies. // J. Less-Comm. Met., 1990, v. 164-165, pp. 177-186.

215. Chandrachood M.R., Morris D.E., Sinha A.P.B. Phase diagram and new phases in Y-Ba-Cu-0 system at high oxygen pressure. // Physica C., 1990, v. 171, pp.189-193.

216. Scheel H.J., Licci F. Phase diagrams and crystal growth of oxide superconductors. // Thermochim. Acta, 1991, v. 174, pp. 115-130.

217. Mingmei W., Qiang S., Gang H. et.al. Preparation and properties of BaCu02.5and its related oxides. // J. Solid State Chem. 1994, v. 110, pp.389392.

218. Нипан Г.Д. Геометрическая модель P-T-x-y-z фазовой диаграммы системы Y-Ba-Cu-O. // Неорган, материалы, 1994, т. 30, № 9 с. 1162-1168.

219. Скрейнемакерс Ф.А. Нонвариантные, моновариантные и дивариантные равновесия. -М: ИЛ, 1948, 215 с.

220. Parks M.E., Navrotslcy A., Mocala K. et.al. Direct calorimetric determination of energetics of oxygen in YBa2Cu3Ox. //J.Solid State Chem., 1989, v.79, 1, pp.53-62.

221. Graf T., Triskone G., Muller J. Variation of the superconducting and crystallographic properties and their relation to oxygen stoichiometry of higtly homogeneous YBa2Cu3Ox. //J.Less-Common.Met., 1990, v.159, pp. 349-361.

222. Jorgensen J.D., Beno M.A., Hinks D.G. et.al. Oxygen ordering the orthorhombic-to-tetragonal phase transition in YBa2Cu307.x. //Phys.Rev.B.,1987, v.36, 7, pp. 3608-3615.

223. Bormann R., Nôtling J. Stability limit of perovskite structure in the Y-Ba-Cu-O system. //Appl.Phys.Lett., 1989, v.54, 21, pp. 2148-2150.

224. O'Bryan H.M., Galagher P.K., Laudise R.A. et.el. Oxidation of YBa2Cu3Ox at high P(02). //J.Am.Ceram.Soc., 1989, v.72, 7, pp.1298-1300.

225. Yamaguchi S., Terable K., Saito A. et.al. Determination of non-stoichiometry in YBa2Cu307x. //Jpn.J.Appl.Phys., 1988, v.27, 2, pp. L179-L181.

226. Lindemer T.B., Hunley J.f., Gates J.E. et.al. Experimental and thermodynamics study of nonstoichiometry in < YBa2Cu307.x>. //J.Am.Cheram.Soc., 1989, v.72, 10, pp.1775-1788.

227. Karpinski J., Conder K., Kaldis E. Studies of the P-T-x diagram of the YBa2Cu307x system up to 2800 bar 02.// Physica C, 1988, v.153-155, pp.401402.

228. Ilceda K., Nagata M., Ishihara M. et.al. X-ray powder diffraction study on the occupancy of oxygen atoms in YBa2Cu3Ox compound. // Jpn.J.Appl.Phys.,1988, v.27, 7, Pt.2, pp.L202-L205.

229. Strobel P., Capponi J.J., Marezilo M. et.al. High-temperature oxygen defect equilibrium in superconducting oxide YBa2Cu307.x. //Solid State Commun., 1987, v.64, 4, pp.513-515

230. Brabers V.A.M., de Jonge W.J.M., Bosch L.A. et.al. Annealing experiments on and high temperature behaviour of the superconductor YBa2Cu3Ox. //Mat.Res.Bull., 1988, v.23, 2, pp.197-207.

231. Specht E.D., Sparks C.J., Dhere A.G. et.al. Effect of oxygen pressure on the orthorhombic-tetragonal transition in the high-temperature superconductor YBa2Cu3Ox. // Phys.Rev.B., 1988, v.37, 13, 7426-7434.

232. Stoklosa A., Molenda J., Bale T. Structure of point defects of YBa2Cu3Oz at high temperature. //Solid state Ionics., 1992, v.51, 1-2, pp.27-40.

233. Kishio K., Shimoyama J., Hasegawa T. et.al. Deterination of oxygen nonstoichiometry in high-Tc superconductor YBa2Cu307-5. //Jpn.J.Appl.Phys., 1987, v.26,7, pp.L1228-L1230.

234. Gerdanian P., Picard C., Marucco J.P. Thermodynamics of YBa2Cu3Oz. // PhysicaC., 1989, v.157, 1-2, pp.180-188.

235. Marucco J.F., Gledel C., Non-stoichiometry and thermodynamics of defects in the system YBa2Cu3Oz. //Physica C., 1989, v. 160, 1-2, pp.73-79.

236. Oesterreicher H., Smith M. Thermodynamics of oxygen uptake for YBa2Cu307-x superconductor. //Mat.Res.Bull., 1987, v.22, pp. 1709-1714.

237. Salomons E., Koeman N., Brouwer R et.al. Pressure-composition isoterms and lattice dilation of YBa2Cu3Ox. //Solid State Commun., 1987, v.64, 8 pp.1141-1145.

238. Verwej H., Bruggink W.H.M. Constant stoichiometry cooling of YBa2Cu307. //J.Phys.Chem.Solids., 1989, v.50, 1, pp. 75-85.

239. Krabbes G., Auerswald G., Bartl A. et.al. Oxygen potentials, stoichiometry, superconducting and magnetic properties in Y-Ba-Cu-0 system. //Cryst.Res.Technol., 1988, v.23, 9, pp.1161-1168.

240. Нипан Г.Д., Саныгин В.П., Квардаков A.M. и др. О кислородной нестехиометрии YBa2Cu3Ox. //Ж. Неорг. Химии, 1991, т.36, №2, с.291-296.

241. Mathews Т., Jacob K.T. Variation of the partial thermodynamic properties of oxygen with compjsition in YBa2Cu307.5. //Met.Trans.A., 1992, v.23, 12, pp.3325-3335.

242. Toci F., Schiirenkaher A., Cambini M. et.al. Determination of partial thermodynamic functions of (УВа2СиЗ)Об5+х. in the'700-1200 K. // Physica C., 1988, v.151-155, pp.838-839.

243. Porat O., Riess I., Tuller H.L, Investigation of defect equilibria in YBa2Cu3Ox by a solid state electrochemical method. //Physica C., 1992, v. 192, 1, pp.6074.

244. Faupel F., Hehenkamp T. Thermodynamics of oxygen intercalation in YBa2Cu306+x near x=l. //Z.Metalk., 1993, v. 84, 8, pp.529-533.

245. Кольцова Т.Н., Нипан Г.Д., Орехов Ю.Ф., Тищенко Э.А., Ведерников Н.Ф. Влияние медной нестехиометрии на структуру и сверхпроводящие свойства YBa2Cuz07.5. //Неорган, материалы, 1996, т.32, № 2, с. 194-197.

246. Кольцова Т.Н., Нипан Г.Д. Влияние катионной нестехиометрии на свойства YBa2Cu307-5. //Ж. Неорган.Химии, 1996, т.41, № 12, с. 19441947.

247. Nipan G.D., Koltsova T.N., Tishenko Е.А., Manka P. YBa2Cu307-5 solid solution. //J.Low Temperature Physics, 1996, v.105, N 5/6, pp.1427-1432.

248. Кольцова Т.Н., Нипан Г.Д., Орехов Ю.Ф., Тищенко Э.А., Ведерников Н.Ф. Исследование твердых растворов состава YBayCu307.5. //Неорган, материалы, 1997, т.ЗЗ, № 6, с.728-731.

249. Кольцова Т.Н., Нипан Г.Д., Орехов Ю.Ф., Тищенко Э.А., Ведерников Н.Ф. Твердые растворы состава Y4Ba3Cu3075: магнитные и рентгенографические исследования. //Неорган, материалы, 1997, т.ЗЗ, № 6, с.732-736.

250. Хорошилов А.В., Нипан Г.Д. Катионная нестехиометрия YBa2Cu307.s вблизи температуры плавления. //Ж.Неорган.химии, 1997, т.42, № 8, с.1276-1282.

251. Gavrichev K.S., Khoroshilov A.V., Nipan G.D., Manca P. DSC study of Ya BabCuc07.5 homogeneity region 1050-1300 K. //J.Thermal Analysis, 1997, v. 48, p.1039-1050.

252. Kim J.-S., Gaskell D.R. Stability diagram for the system YBa2Cu307.x. //J.Am.Ceram.Soc., 1994, v.77, 3, pp.753-758.

253. Scheel H.J., Licci F. Phase diagrams and crystal growth of oxide superconductors. //Thermochim.Acta., 1991, v. 174, pp.115-130.

254. Тарасов И.В., Гуськов B.H., Лазарев В.Б., Шебершнева О.В., Ковба М.Л. Тензиметрическое исследование равновесия УТЗа2Си307.х-кислород. //Деп. ВИНИТИ: № 2518-В93 Деп-М., 1993, 31 с.

255. Гуськов В.Н., Тарасов И.В., Лазарев В.Б. Р-Т-х область кислородной нестехиометрии фазы УВа2Си307.х. //Докл. РАН, 1994, т.338, №5, с.625-628.

256. Гуськов В.Н., Тарасов И.В., Лазарев В.Б. Р-Т-х область кислородной нестехиометрии и парциальные свойства кислорода в YBa2Cu307x. //Неорган, материалы, 1994, т.30, № 12, с.1588-1596.

257. Guskov V.N., Tarasov I.V., Lazarev V.B., Greenberg J.H. Vapor pressure Scanning of Oxygen Non-stoichiometry in YBCO. //J.Solid State Chem., 1995, v.l 19, pp.62-70.

258. Voronin G.F. Thermodynamic stability of superconductors in the Y-Ba-Cu-0 system. In book: Materials and crystallographic aspects of HTc-Superconductivity. -Kluwer Academic Publishers, ed. Kaldis E., 1994. pp.585-602.

259. Appelman E.H., Morss L.R., Kini J. Oxygen content of superconducting perovskites, La2xSrxCuOy and УВа2Си3Оу. // Inorg.Chem., 1987, v.26, pp.3237-3239.

260. Физика и химия соединений AnBVI. Ред. Медведев С.А. -М.: Мир., 1970, 624 с.

261. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф, Порецкая JI.B. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. -М.: Наука, 1967, 177 с.

262. Zanio К. Cadmium Telluride. in: Willardson R.K., Beer A.C. (Eds.). Semiconductors and Semimetals. V.13, Academic Press, NY, 1978. 640 p.

263. Thomas D.G. (Ed.) II-VI Semiconducting Compounds. Benjamin, NY, 1967.

264. Физика соеднений AnBVI. Ред. Георгобиани A.H., Шейнкман М.К. -М.: Наука, 1986, 624 с.

265. Durose К., Cousinns М., Boile D.S. et.al. Grain boundarites and impurities in CdTe-CdS solar cells.//Thin Solid Films., 2002, v.403-404, p. 396.

266. Scheiber C., Giakos G.C. Medical applications of CdTe and CdZnTe detectors. //Nucl.Instr.Meth.Phys.Res., 2001, v. A 458, p. 12-25.

267. Szeles. C. CdZnTe and CdTe materials for X-Ray and gamma Ray radiation detector application.//Phys. Status Solidi, 2004, B241, N 3, pp.783-790

268. Karpenko V.P., Matveev O.A. Investigation of CdTe detectors designed for computer x-ray tomography. //Semiconductors, 1993, v.27, 11-12, pp. 10481050.

269. Zelenina N.K., Ignatov S.M., Karpenko V.P. et. al. Study of CdTe MSM Structures.//Nucl.Instr.Meth.Phys.Res., 1989, v. A283, pp.274-278.

270. Матвеев О.А., Терентьев А.И. Самокомпенсация в CdTe<Cl> в условиях фазового равновесия кристалл-пар (теллура). //Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, №2, с. 159-163.

271. Fiederle M., Feltgen T., Meinhard J., Rogalla M., Benz IC-W. State of art (Cd,Zn)Te as gamma detector. // J.Crystal Growth, 1999, v. 197, N 3, pp.635640.

272. Rudolph P., Kawasaki S., Yamashita S., Usuki Y., Kanagaya Y. Casting of undopped CdTe crystals with high electrical resistivity. // J.Crystal Growth, 1995, v.149, N 3-4, pp.201-206.

273. Cuzin M. CdTe in photoconductive applications fast detector for metrology and X-ray imaging. // Nucl.Instr. and Meth. in Phys.Res., 1992, A322, N 3, pp.341-351.

274. Scheiber, Eclancher B., Chambron J. et.al. Heart imaging by cadmium telluride camera: European program "Biomed" consortium. //Nucl.Instr.Meth.Phys.Res., 1999, v.A428, pp. 138-148.

275. Rudolph P. Fundamental studies on Bridgeman growth of CdTe. //Progr.Cryst.Growth, 1994, v.29, N1-4, pp.275-381.

276. Duffar T., Dusserre P., Giacometti N., Benz K.W., Fiederle M., Launau J.C., Dieguez E., Roozen G. Dewetting and Structural Quality of CdTe:Zn:V Grown in Space. //Acta Astronavtica, 2001, v.48, N 2-3, pp.157-161.

277. Larson D.J., Dudley M., Chung H., Radhothamachar B. Characterization of Zn-alloed CdTe cjmpound semiconductor processed in micrpgravity on USML-1 and USML-2. //Advances in Space Res., 1998, v.22, N 8, pp/1179-1188.

278. Fiederle M., Duffar T., Garandet J.P., Babentsov V., Fauler A., Benz K.W., Dusserre V., Corregidor E., Delaue P., Roosen G., Chevrier V., Launay J.C.

279. Dewetted growth and characterization of high-resistivity CdTe. //J.Crystal Growth, 2004, v.267, N 3-4, pp.429-435.

280. Chevalier N., Dusserre P., Carandet S.-P., Duffar T. Dewetting application to CdTe single crystal grown on earth. //J.Crystal Growth, 2004, v.261, N4, pp.590-594

281. Benz K.W., Babentsov V., Fiederle M. Growth of cadmium telluride from the vapor phase under low gravity conditions. //J.Crystal Growth, 2004, v.267, N4, pp. 189-208.

282. Brebriclc R.F. Partial pressures in Cd-Te and Zn-Te systems. // J.Elecrochem Soc., 1971, v.118, 12, pp. 2014-2020.

283. Lorenz M.R. Phase equilibria in the system Cd-Te. //J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23, 8, pp.939-947.

284. Elliott R.P. Constitution of Binary Alloys, supl. 1. McGraw-Hill book Company, 1965.

285. De Nobel D. Phase equilibria and semiconducting properties of cadmium telluride.// Philips Res. Repts. 1959, v. 14, 4, pp.361-376.

286. Гринберг Я.Х., Гуськов B.H., Лазарев В.Б., Зельвенский М.Я. Р-Т-Х фазовые равновесия в системе кадмий-теллур. //Изв. АН СССР, неорганические материалы, 1989, т. 25, № 12, с.1991-1996.

287. Гринберг Я.Х., Гуськов В.Н., Лазарев В.Б., Намм A.B., Котляр A.A. Тензиметрическое сканирование отклонения от стехиометрии в CdTe. // Изв. АН СССР, неорганические материалы, 1990, т. 26, № 9, с. 1839-1842.

288. Greenberg J.H., Guskov V.N., Lazarev V.B., Shebershneva O.V. Vapor pressure scanning of non-stoichiometry in cadmium telluride. // Mater. Res. Bull., 1992, v. 27, pp. 847-854.

289. Greenberg J.H., Guskov V.N., Lazarev V.B. Phase diagram cadmium-tellurium. //Mater.Res.Bull., 1992, v. 27, pp. 997-1001.

290. Greenberg J.H., Guskov V.N., Lazarev V.B., and Shebershneva O.V. Vapor Pressure Scanning of Nonstoichiometry in CdTe. //J. Solid.State Chem., 1993, v.102, pp.382-389.

291. Goldfinger P., Jeunehomme M. Mass spectrometric and Knudsen-cell vaporization studies of group 2B-6B compounds.//Trans. Faraday Sos., 1963, v.59, 1-2, pp.2851-2867.

292. Brooks L.S. The vapour pressure of Те and Se. // J.Am.Chem.Soc. 1952, v.74, N1, pp.227-228.

293. Глазов B.M., Лазарев В.Б., Жаров B.B. Фазовые диаграммы простых веществ. -М: Наука, 1980, 272 с.

294. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. -М.: Наука, 1967, 244 с.

295. Matveev О.А., Terent'ev A.I. Self-compensation in the intrinsic condition region of CdTe:Cl under conditions of two-phase equilibrium in a crystal-gas system.//Semiconductors, 1994, v.27, 11-12, pp.1043-1047.

296. Matveev O.A., Terent'ev A.I. Antistructural defects in CdTe crystals. //Tech.Phys.Lett., 1997, v.23, 2, pp.140-141.

297. Matveev O.A., Terent'ev A.I. Self-compensation in CdTe<Cl> in the presence of phase equilibrium of the system crystal-cadmium (tellurium) vapor. //Semiconductors, 1998, v.32, 2, pp. 144-147.

298. Albers W. Non-stoichiometry of inorganic solids. In: Current Topics in Materials Science. Amsterdam: North-Holland, 1982, v. 10.

299. Smith F.T.J. Electrically Active Point Defects in Cadmium Telluride. //Metallurg. Trans., 1970, v.l, p. 617-521.

300. Berding M.A. Annealed conditions for intrinsic CdTe growth and characterization of large diameter ZnTe single crustals. //Appl. Phys. Lett., 1999, v.74, N4, pp.552-554.

301. Arakawa A., Asahi Т., Sato K. //Phys. Status Solidi, 2002, v. В 229, N 4, pp. 11-14.

302. Asahi Т., Yabe Т., Sato K. ZnTe single crystals growth by liquid encapsulated pulling method. // Phys. Status Solidi, 2004, v. В 241, N 1, pp. 648-651.

303. Asahi Т., Yabe Т., Sato K., Arakawa A. Growth of large diameter ZnTe single crystals by LEK method. //J. Alloys Сотр., 2004, v 371, N 1-2, pp.2-5.

304. Sato K., Hanafusa M., Noda A., Arakawa A., Uchida M., Asahi Т., Oda O. ZnTe pure green light-emitting diodes fabricated by thermal diffusion. //J.Crystal Growth, 2000, v. 214-215, N 2, pp.1080-1084.

305. Jordan A.S., Zupp R.R. Calculation of the minimum pressure, p-T diagrams and solidus of ZnTe. //J. Electrochem. Soc., 1969, v. 116, N 9, pp. 1264-1268.

306. Халькогениды цинка, кадмия и ртути. Труды МИСИС. -М.: Металлургия, 1973, № 73, 167 с.

307. Георгобиани А.Н. Широкозонные полупроводники AnBVI и перспективы их применения.//Успехи физ. Наук, 1974, т.113, №1 с.129-155.

308. Атомная диффузия в полупроводниках. Ред. Воронин Г.Ф., Зломанов В.П. -М.: Мир, 1975,684 с.

309. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах. -Баку: Азерб. гос. изд., 1984, 211с.

310. Иванов Ю.М., Дмитриева И.В., Ванюков А.В. Изучение области гомогенности CdSe методом масс-спектрометрии.//Изв. АН СССР, Неорган.материалы. 1972, т.8, № 9, с. 1396-1400.

311. Ilchuk K.G., Ukrainetz V., Danilov A., Masluk V., Parlad J., Yaskov V. Study of CdTe and ZnTe single crystal growth from vapor phase and investigation of the growth crystals. //J.Crystal Growth, 2002, v.242, N 1-2, pp.41-44.

312. Sanghera N.K., Cantwell B.J., Brinkman A.W. Modelling of the growth of ternary compound zinc telluride (in semi-open Markov-like system) frombinary sources CdTe and ZnTe. // J.Crystal Growth, 2002, v.237-239, N 3, pp. 1741-1744.

313. Asahi Т., Arakava A., Sato K. Growth large-diameter ZnTe single crystal by vertical gradient freezing method. //J.Crystal Growth, 2001, v.229, N 1-4, pp.74-78.

314. Uchida M., Matsuda Y., Asahi Т., Sato K., Oda O. Stoichiometry control of ZnTe single crystals by the vapor-controlled water annealing method. //J.Crystal Growth, 2000, v.216, N 1-4, pp.134-140.

315. Korostelin Yu.V., Kozlovsky V.I., Shapkin P.V. Seeded-vapour-hyase free growth and characterization of ZnTe single crystals. //J.Crystal Growth, 2000, v.214-215, N2, pp.870-874.

316. Sharma R.C., Chang Y.A. Thermodynamic analysis and phase equilibria calculations for the Zn-Te, Zn-Se and Zn-S systems. //J.Crystal Growth, 1988, v. 88, pp. 193-204.

317. Kobayachi M. On the zinc-tellurium phase diagram. //Inst. Z. Metallogr., 1912, v.2, pp.65-69.

318. Carides J. Fiesher A.G. The phase diagram of zinc telluride. //Solid State Comm., 1964, v.2, pp.217-218.

319. Renolds R.A., Stroud D.G. Stevenson. Phase equilibria in the zinc-tellurium system. //J.Electrochem. Soc., 1967, v.l 14, pp. 1281-1287.

320. Кушелев Л.П., Миронов И.А., Павлова B.H., Строганова И.М. Растворимость селена и теллура в цинке в интервале 700-1100 С. //Журн.физ.химии, 1974, т.48, с.486-487.

321. Katayama I., Inomoto Т., Kuwaki Y., Kozuka Z., Iida T. Activity measurement of Zn-Te alloys by EMF method. //Netsu.Sokutei., 1991, v. 18, pp.53-57.

322. Feltgen Т., Greenberg J.H., Guskov V.N., Fiederle M., Benz K.W. P-T-X phase equilibrium studies in Zn-Te for crystal growth by Markov method. //Int. J. Inorg. Mater., (2001), v.3, pp. 1241-1244.

323. Guskov V.N., Greenberg J.H., Alikhanyan A.S., Natarovsky A.V., Feltgen Т., Fiederle M., Benz K.W. P-T-X Phase Equilibrium in the Zn-Te System. //Phys. Status Solidi, 2002, v. B229, pp. 137-140.

324. Shiozawa L.R., Jost J.M., Sullivan G.A. Research on Improved II-VI Compounds, Final Report, Contract AF 33(615)-2708, 1965-1968. (цитируется по 4.)

325. Haloui A., Feutelais Y., Legendre B. Experimental study of the ternary system Cd-Te-Zn. // J.Alloys and Comp, 1997, v.260, pp. 179-192.

326. Кориеева И.В, Беляева A.B., Новоселова A.B. Определение давления насыщенного пара твердых теллуридов цинка и кадмия. //ЖНХ, 1960, т. 1, с.5-12.

327. Goldfinger Р, Jeunehomme М. Mass Spectrometric and Knudsen-Cell Vaporization Studies of Group 2B-6B Compounds. //Trans. Faraday Soc, 1963, v.59, pp.2851-2867.

328. Lee W.T., Munir Z.A. Torsion-Effusion-Langmuir Studies of Zinc Telluride. //J. Electrochem. Soc, 1967, v.l 14, pp.1236-1239.

329. Brebrick R.F. Partial pressures of Zn and Te2 over ZnTe up to 917 C. // J. Electrochem. Soc, 1969, v.l 16, pp.1274-1279.

330. Gavrichev K.S, Guskov V.N, Greenberg J.H, Feltgen T, Fiederle M, Benz K.W. Low-temperature heat capacity of ZnTe. // J.Chem.Thermodynmics, 2002, v.34, pp. 2041-2047.

331. Gavrichev K.S, Sharpataya G.A, Guskov V.N, Greenberg J.H, Feltgen T, Fiederle M, Benz K.W. Thermodynamic Properties of ZnTe in the Temperature Range 15-925 K. //Phys.Stat.Sol.(b), 2002, v.229, pp. 133-135.

332. Yu T.-C., Brebrick R.F. The Hg-Cd-Zn-Te Phase Diagram. //J.Phase Equilib., 1992, v.13, p.476-496.

333. Barin I. Thermochemical Data of Pure Substances. VCH, Weinheim, 1989.

334. Triboulet R.Fundamentals of the CdTe synthesis. //J.Alloys Compounds, 2004, v.371, pp.67.

335. Audet N., Guskov V.N., Greenberg J.H. Traveling Heater Method Preparation and Composition Analysis pf CdTe Ingots. //J.Electron. Materials, 2005, v.34, N6, pp. 687-692.

336. Fiederle M., Babentsov V., Franc J., Fauler A., Konrath J.-P. Growth of hight resistivity CdTe and (Cd,Zn)Te crystals. //Cryst. Res. Technol, 2003, v.38, N 7/8, pp. 588-598.

337. Butler J.F., Doty F.P., Lingren C., Apolovsky B. Cadmium zinc telluride detectors for industrial measurement. //Appl.Radiat. Isotopes, 1993, v. 44, N 10-11, pp.1359-1366.

338. James R.B., Schlesinger T.E., Lund J., Schieber M. in: Schlesinger T.E., James R.B. (Eds.) Semiconductors for Room Temperature Nuclear Detectors. //Applications Semiconductors and Semimetals. Academic Press. N.Y., 1995, V.43, pp.335.

339. Lin K., Boschert S., Dold P., Benz K.W., Kriessel O., Schmidt A., Sielbert K.G., Dziulc G. Numerical methods for industrial vertical Bridgeman growth of (Cd,Zn)Te. //J.Crystal Growth, 2002, v.237-239, pp. 1736-1740.

340. Scheiber C., Giakos G.C. Medical applications of CdZnTe Detectors. //Nucl.Instr.Methods (A), 2001, v.458, N 2, pp. 12-25.

341. Giakos G.C., Pillai B., Chowdhury S., Vendantham S., Dasgupta A., Sheffer D.B. Passalaqua A., Endorf R.J. Cdi.xZnxTe Detectors for Digital X-Ray Chest Imaging. //J.X-Ray Sci.Techn., 1997, v.7, N 1, pp. 10-18.

342. Giakos G.C., Pillai B., Vendantham S., Chowdhury S., Dasgupta A., Richardson D.B., Chotra P., Endorf R.J., Passalaqua A., Davros W.J. Optimization of Cdi.xZnxTe Detectors for Digital Radiography. //J.X-Ray Sci.Techn., 1997, v.7, N 1, pp.37-45.

343. Giakos G.C., Vedantham S., Chowdhury S., Odogba J., Dasgupta A., Guntupalli R., Suryanarayanan S., Sridhar M., Khyati M., Shah N. Timing

344. Characteristics of CdZnTe Detector Based X-Ray Imaging System. //IEEF Trans. Instr. Meas., 1999, v.48, N5, pp.437-441.

345. Sen S., Stannard J.E. Developments in the bulk growth of CdixZnxTe for substrates. //Progr.Cryst.Growth, 1994, v.29, N 1-4, pp.253-273.

346. Sato K., Seki Y., Matsuda Y., Oda O. Recent developments in IIABVI substrates. //J.Crystal Growth, 1999, v. 197, N 3, pp.413-422.

347. Singh A.R., Sharma R.C. Phase equilibria calculation of Zn-Cd-Te system. //Calphad., 1992, v. 16, pp. 161 -172.

348. Wooly J.C., Ray B. Solid solution in AnBVI tellurides. //J.Phys.Chem.Solids, 1960, v.13, pp.151-153.

349. Steininger S., Strauss A.J., Brebrick R.F. Phase diagram of the Zn-Cd-Te ternary system. //J.Electochem.Soc., 1970, v.l 17, pp. 1305-1309.

350. Коломиец Б.Т., Малькова А.А. Свойства и структура тройных полупроводниковых систем. //ЖТФ, 1958, т.28, с. 1662-1669.

351. Ruault М.-О., Kaitasov О., Tribolet R., Crestou J., Gasnier M. Electron observation of phase separation in bulk Cd0.96Zn0.04 crystals. //J.Crystal Growth, 1994, v.143, pp.40-45.

352. Marbeuf A., Druilhe R., Tribolet R. Thermodynamic analysis of Zn-Cd-Te, Zn-Hg-Te and Cd-Hg-Te: phase separation in ZnxCdixTe and in ZnxHgi.xTe. //J.Crystal Growth, 1992, v.l 17, pp. 10-15.

353. Zabdyr L., Zakulski W. Termodynamics and phase diagram of the Cd-Zn system. Critical re-evaluation by Lukas method. //Arch.Metall., 1993, v.38, pp.3-18.

354. Eisen Y., Shor A. CdTe and CdZnTe materials for room temperature X-ray and gamma detectors. //J.Crystal Growth, 1998, v. 184, N2, pp. 1310-1312.

355. Butler J.F., Lingren C.L., Doty F.P. Cd!xZnxTe gamma ray detectors. //IEEE Trans. Nucl. Sci., 1992, v.39, pp.605-609.

356. Niemela A., Sipila H. Evaluation of CdZnTe detectors for soft X-Ray application. //IEEE Nucl. Sci, 1994, v.41, pp. 1054-1057.

357. Glass H.L., Socha A.J., Parfeniuk C.L. Improvements of CdZnTe crystal growth by the Bridgeman method. //J.Crystal Growth, 1998, v.l 84/185, p. 1035-1038.

358. Vydyannath H.R., Ellsworth J.A. Vapor phase equilibria in the Cdi.xZnxTe alloy system. //J.Electron Mater., 1993, v.22, pp. 1067.

359. Brebrick R.F., Yu T.C. Extended vacancy-vacancy liquid model. //Metallurg. Mater. Trans., 1995, v.A26A, pp.2597-2610.

360. Wenbin Sang, Yongbiao Qian, Weiming Shi, Linjun Wang, Ju Yang, Donhua Liu. Equilibrium partial pressures and crystal growth of Cd.xZnxTe. //J.Crystal Growth, 2000, v.214/215, pp.30-34.

361. Nipan G.D. p-T-x-y Phase Diagram of the Cd-Zn-Te System. // Russian Journal of Physical Chemistry, 2001, v.75, Suppl.l, pp. 94-99.

362. Nipan G.D. p-T-x-y phase diagram of the Cd-Zn-Te system. // J. Alloy Comp, 2004, v. 371, N5, pp. 160-163.

363. Гуськов B.H., Нипан Г.Д., Кольцова Т.Н. р-Т-х фазовые равновесия в системе Cd-Zn-Te. //Неорган.материалы, 2003, т.39, № 4, с.415-421.

364. Демидова Е.Д., Зломанов В.П., Макаров А.В., Алешина Е.А. Сублимация твердых растворов (Pb1.xSnx)i.yTeyH Pb.y(SeixTex)y. //Журн. физ. химии. 1989, т.63, № 11, с.2876-2880.

365. Кузнецов B.JL, Зломанов В.П. Фазовая диаграмма системы свинец-олово-теллур. //Неорган, материалы. 1999, т.35, № 3, с.263-276.раствора системы Y203-Zr02-Hf02 //Неорган, материалы. 1999, т.35, № 10, с.1252-1258.

366. Алиханян A.C., Гуськов В.Н., Натаровский A.M., Коваленко В.В. Термодинамические свойства твердых растворов системы ZnTe-CdTe. //Неорган, материалы, 2003, т.39, №3, с.298-304.

367. Alikhanyan A.S., Guskov V.N., Natarovsky A.M., Greenberg J.H., Fiederle M., Benz K.W. Mass spectrometric study of the CdTe-ZnTe system. // J.Cryst.Growth, 2002, v. 240, 1-2, pp.73-79.

368. Алиханян A.C., Гуськов B.H., Натаровский A.M., Коваленко B.B. Термодинамические свойства твердых растворов системы ZnTe-CdTe. //Неорган, материалы, 2003, т.39, № 3, с.298-304.

369. Alikhanyan A.S., Guskov V.N., Natarovsky A.M., Greenberg J.H., Fiederle M., Benz K.W. Mass spectrometric study of the CdTe-ZnTe system. //J. Alloys and Compounds, 2004, v. 371, pp.82-83.

370. Greenberg J.H., Guskov V.N., Fiederle M., Benz K.W. Vapor pressure scanning of non-stoichiometry in Cd0.95Zn0.5Tei±8. //J.Crystal Growth, 2004, v.270, pp.69-76.

371. Greenberg J.H., Guskov V.N. Vapor pressure scanning of non-stoichiometry in Cdo,9Zn0.iTei+5 and Cd0j8sZn0.i5Tei±5. //J.Crystal Growth, 2006, v.289,pp.552-558.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.