Транспорт тока и тепла в туннельных гетероструктурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Девятов, Игорь Альфатович

• Девятов, Игорь Альфатович
• доктор физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Девятов, Игорь Альфатович

Введение

ГЛАВА 1. Влияние резонансного туннелирования и кулоновского расталкивания электронов на локализованных центрах на вольт-амперные характеристики туннельных

NIN, SIN и SIS структур.

1.1 Модель контакта.

1.2 Переход металл-изолятор-металл (NIN).

1.3 Переход сверхпроводник-изолятор -металл (SIN).

1.4 Переход сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (SIS).

1.5 Краткие выводы.

ГЛАВА 2. Неупругое резонансное туннелирование в S-Sm-S туннельных структурах.

2.1 Модель контакта.

2.2 Вычисление резонансного тока через цепочку из двух ЛС.

2.3 Вычисление среднего тока.

2.4 Краткие выводы.

ГЛАВА 3. Резонансное джозефсоновское туннелирование через Ж переход произвольных размеров. Подход Боголюбова - Де-Женна.

3.1 Модель перехода.

3.2 Коэффициенты прохождения и энергия связанных состояний.

3.3 Джозефсоновский ток.

3.4 Предел короткого перехода и высокого барьера.

3.5 Предел промежуточных толщин прослойки и высот барьера.

3.6 Предел низкой высоты барьера и произвольной толщины перехода.

3.7 Краткие выводы.

ГЛАВА 4. Вольт-амперные характеристики SIS структур с локализованными состояниями в материале прослойки.

4.1 Модель перехода.

4.2 Основные соотношения.

4.3 Вычисление усредненного тока.

4.4 Ток через одиночное J1C.

4.5 Краткие выводы.

ГЛАВА 5. Электронные тепловые свойства границы между нормальным металлом и

ВТСП материалом.

5.1 Модель NID перехода.

5.2 Коэффициенты андреевского отражения.

5.3 NID переход с зеркальными границами.

5.3.1 Тепловой поток через NID переход с зеркальными границами с 8 -функциональными рассеивателями.

5.3.2 Тепловой поток через NID переход с зеркальными границами с регулярным длинным барьером.

5.3.3 Теплопроводность N- D перехода с зеркальными границами.

5.4 NID переходы с диффузной границей.

5.5 Краткие выводы.

ГЛАВА 6. Теория туннелирования в 2D структурах "нормальный металлсверхпроводник d- типа "

6.1 Модель перехода.

6.2 Транспорт тока.

6.2.1 Общее выражение для тока.

6.2.2 Рекуррентные соотношения для Фурье-компонент электронных волн.

6.2.3 Решения для Фурье-компонент электронных волн.

6.3 ZBA при резонансном туннелировании.

6.4 Резонансное туннелирование при угле ориентации а = 0. 109 6.5. Краткие выводы.

ГЛАВА 7. Резонансное джозефсоновское туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка.

7.1 Модель перехода и функция Грина задачи.

7.2 Транспортные свойства перехода.

7.3 Частные случаи резонансного рассеяния.

7.3.1 Общая формула резонансного тока через 2D did переход.

7.3.2 sis переходы разной размерности.

7.3.3 Резонансное рассеяние в 2D sid переходе.

7.3.4 Резонансный ток в 2D did переходе. 7.4 Краткие выводы.

ГЛАВА 8. Неравновесные электронные и фононные функции распределения в низкотемпературных детекторах микроволнового излучения.

8.1 Кинетические уравнения.

8.2 Линеаризованные изотропные интегралы столкновений при низкой температуре.

8.3 Численное решение линеаризованного кинетического уравнения.

8.4 Отклик болометра.

8.5 Краткие выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Транспорт тока и тепла в туннельных гетероструктурах»

Исследование сверхпроводящих гетероструктур, состоящих из комбинации сверхпроводников с материалами с различными типами проводимости является одним из актуальных направлений в физике твердого тела и электронике. Современная технология позволяет изготавливать подобные объекты субмикронных размеров, так называемые мезоскопические структуры, на основе контактов сверхпроводник-нормальный металл, сверхпроводник - полупроводник, сверхпроводник - аморфное вещество. Интерес к исследованию транспорта тока и тепла в подобных структурах объясняется как обилием нетривиальных физических явлений, происходящих в таких системах, так и практическим интересом, связанным с применениями в электронике.

Характеристики джозефсоновских переходов, используемых в электронике, сильно зависят от свойств "слабой связи". Одной из главных задач современной технологии является получение сверхпроводящих переходов с высоким значением характерного напряжения Vc=IcRn, ( Ic - критический ток, Rn - нормальное сопротивление перехода). Напряжение Vc фактически определяет максимальную рабочую частоту аналоговых сверхпроводящих устройств и быстродействие цифровых схем [1]. Поэтому сегодня внимание привлекают переходы с прослойкой неметаллического типа, имеющие большие значения нормального сопротивления. В случае изотропных сверхпроводников s- типа такой прослойкой может являться аморфный a-Si. Эксперименты на джозефсоновских переходах с прослойкой из аморфного а - Si [2-4] показали, что транспорт нормальной компоненты тока в таких структурах осуществляется резонансным образом через локализованные состояния (J1C). При низких температурах резонансный транспорт нормальной компоненты тока осуществляется упругим образом через одно [5] или несколько JIC ("резонанспо-перколяционные" траектории [6]). С ростом температуры необходимо принимать во внимание и непругие, с участием фононов, резонансные процессы [7]. В то же время влияние кулоновского расталкивания электронов на J1C, сверхпроводимость электродов при неупругом резонансном туннелировании не были изучены, а когерентный джозефсоновский ток был рассчитан [8-10] лишь в рамках моделей, имеющих ограниченную область применения.

Интерес к транспорту тепла в сверхпроводящих гетероструктурах вырос в последнее время в связи с активной разработкой высокочувствительных приемников микроволнового излучения, предназначенных для радиоастрономических приложений

11-13], использующих болометрический эффект.

Особая актуальность в разработке теоретических моделей транспорта тока и тепла в сверхпроводящих гетероструктурах возникла в связи с открытием явления высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП). ВТСП заметно отличаются от обычных низкотемпературных сверхпроводников. Помимо высокой критической температуры, они обладают рядом других уникальных качеств. Совокупность полученных к настоящему времени экспериментальных данных убедительно подтверждает существование J-симметрии параметра порядка в ВТСП [14]. Такая симметрия предполагает, что знак параметра порядка зависит от направления движения квазичастиц в ab -плоскости кристалла. При отличном от нуля значении угла между нормалью к границе ВТСП и кристаллографическим направлением а рассеяние квазичастиц на границах структуры может сопровождаться сменой знака параметра порядка. Это автоматически приводит сразу к нескольким эффектам: подавлению параметра порядка в окрестности границы [15], образованию связанного электронно-дырочного состояния с нулевой энергией [16], а также "подщелевых" андреевских состояний с ненулевой энергией [17], генерации изотропного бесщелевого сверхпроводящего состояния s- типа при наличии диффузного рассеяния квазичастиц границей [18]. Столь необычное поведение высокотемпературного сверхпроводника приводит к целому ряду особенностей на вольт-амперных характеристиках (ВАХ) как джозефсоновских переходов, так и структур NID (металл-изолятор-сверхпроводник d -типа). В последнем случае в модели с S -функциональным барьером было теоретически доказано существование аномалий проводимости в области малых напряжений, обусловленных наличием связанного состояния с нулевой энергией (zero bias anomaly -ZBA) [16]. Однако, большинство теоретических работ, рассматривающих транспорт тока в ВТСП джозефсоновских переходах, ограничивались моделью регулярного барьера между ВТСП электродами, не учитывающими наличие J1C в прослойке. С другой стороны, было убедительно показано [19,20], что транспорт нормальной компоненты тока в ВТСП джозефсоновских переходах осуществляется резонансным образом через JIC. Поэтому для расчета транспортных свойств ВТСП переходов недостаточно теорий, учитывающих только прямое туннелирование квазичастиц через область "слабой связи".

Интерес к транспорту тепла в структурах с ВТСП электродами обусловлен как их возможным применением в качестве эффективных микрорефрижераторов Пельтье типа (мощность охлаждения которых пропорциональна модулю параметра порядка А в структурах с изотропной сверхпроводимостью s-типа [21-22]) в связи с высоким значением А в них, так и использования ВТСП электродов в качестве "Андреевских" зеркал, для удержания высокоэнергетичных возбуждений в микроволновых болометрах [11-13].

При теоретическом исследовании транспорта тока и тепла в сверхпроводящих гетероструктурах использовались различные методы, наиболее адекватные рассматриваемым проблемам. Так, применялись различные варианты метода кинетического уравнения, уравнения Боголюбова - Де - Женна, различные варианты метода Блондера - Клапвика - Тинкхама (БТК), а также метод функций Грина. Решен широкий круг задач:

Развита теория резонансного туннелирования квазичастичного тока в NIN-(металл-изолятор-металл) , SIN- (сверхпроводник-изолятор-металл), SIS (сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник) - структурах с учетом сильного кулоновского взаимодействия на локализованных центрах, также учтены неупругие процессы. Для расчета транспорта резонансного квазичастичного тока в NID-структурах обобщен метод БТК для двумерного случая.

Разработан метод расчета ВАХ баллистических SIS сужений с прозрачностью сужения, зависящей от энергии.

Рассчитаны теплопроводность и мощность охлаждения границы нормальный металл - ВТСП материал для различных моделей границ и углов ориентации ВТСП материала.

Развита теория когерентного резонансного джозефсоновского туннелирования в структурах с различными симметриями параметра порядка. При расчете джозефсоновского тока использовались различные теоретические подходы.

Развита последовательная неравновесная теория болометров микроволнового излучения при милликельвиновых темературах.

Следующие результаты получены впервые и выносятся на защиту:

1. Впервые продемонстрировано, что учет кулоновского взаимодействия на J1C приводит к аномальному поведению проводимости в области малых напряжений даже в отсутствии сверхпроводимости в электродах и доказан факт перехода от избытка тока на вольт-амперных характеристиках туннельных переходах к его недостатку при уменьшении температуры в случае наличия сверхпроводимости в электродах.

2. Впервые рассчитана вольт-амперная характеристика S-Sm-S (сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник) перехода с изотропным параметром порядка при неупругом резонансном туннелировании по цепочкам из двух локализованных состояний и установлено, что значение проводимости S-Sm-S перехода при малых напряжениях существенно меньше аналогичной проводимости структуры N-Sm-N (металл-полупроводник-металл).

3. Впервые установлено наличие двух дополнительных характерных длин системы ^ и , разделяющих различные режимы упругого резонансного транспорта куперовских пар через одиночное локализованное состояние в SIS переходе. При этом показано, что, несмотря на существенно разную динамику транспорта куперовских пар через структуру в различных режимах (появление дополнительных связанных андреевских состояний), общий равновесный ток определяется только отношением модуля параметра порядка сверхпроводящих электродов А к ширине резонансного уровня Г0 во всех режимах и при любой толщине прослойки.

4. Развит новый метод, являющийся обобщением известного подхода Блондера-Клапвика-Тинкхама для баллистических SIS сужений на случай зависящей от энергии прозрачности сужения. Используя этот метод, впервые рассчитана вольт-амперная характеристика такого сужения с JIC в нем и проанализированы возникающие особенности на ВАХ.

5. Впервые рассчитаны теплопроводность и мощность охлаждения границы нормальный металл - ВТСП материал для различных моделей границ и углов ориентации ВТСП материала. При этом показано, что в отличие от случая границы нормального металла с изотропным сверхпроводником s- типа теплопроводность границы нормальный металл -ВТСП материал не экспоненциально мала. Также установлено, что мощность охлаждения структуры с ВТСП материалом в интересном для болометрических применений милликельвиновом интервале температур недостаточна для практического использования.

6. Впервые проведен последовательный теоретический анализ резонансного туннелирования в 2D NID структурах с аморфной прослойкой. Показано, что в области малых напряжений интерференция двух резонансных процессов (резонансного туннелирования через ЛС и резонансного туннелирования на локализованное на ВТСП границе связанное андреевское состояние) приводит не только к частичному подавлению аномалий проводимости при малых напряжениях (ZBA), но и к резкому усилению процесса туннелирования через ЛС, в котором оказываются задействованы практически все дефекты, независимо от их местоположения в прослойке и знака потенциала дефекта.

7. Впервые развита последовательная теория резонансного транспорта тока в джозефсоновских переходах с одним или обоими электродами, имеющими параметр порядка s или d - типа. В предельных случаях "узкого" Г0/А «1 и "широкого" Г0 /А »1 резонансов найдены зависимости резонансного сверхтока от макроскопической фазы, температуры и угла ориентации ВТСП электродов относительно направления распространения тока. Показано, что в случае "узкого" резонанса, который обычно реализуется в экспериментах, конечность температуры и ненулевое значение углов ориентации ВТСП приводят к существенному дополнительному уменьшению резонансного сверхтока, по сравнению с известным подавлением сверхтока в "узком" пределе в случае изотропных сверхпроводников s - типа

8. Впервые развит последовательный метод расчета отклика новых сверхпроводящих болометров, и рассчитаны неравновесные функции распределения электронов и фононов в металлическом абсорбере болометра, находящемся под действием микроволнового электромагнитного излучения. Показано, что отклик устройства заключен между "пределом фотонного счетчика" fkltico, где /? < 1 - фактор подавления, и "болометрическим пределом" е/квТ (е -заряд электрона, hco - энергия фотона, кв -постоянная Больцмана, Т- температура). Определены условия, при выполнении которых величина отклика может существенно превышать "предел фотонного счетчика". Даны практические рекомендации по повышению ампер-ваттной чувствительности современных сверхпроводниковых болометров.

Решение сформулированных в диссертации задач имеет и практическое значение, поскольку оно позволяет не только дать объяснение ряда экспериментально наблюдаемых эффектов, но также дать рекомендации по улучшению параметров структур, использующих сверхпроводящие гетеропереходы. В частности, в результате выяснения основного механизма мультипликации электронов в "Андреевском" болометре предложена новая конфигурация его абсорбера. Также предсказана нерациональность использования ВТСП материалов для низкотемпературных рефрижераторов и "Андреевских" зеркал для болометров, что позволило экспериментаторам избежать лишних усилий.

Структура диссертации. Диссертация состоит из Введения, 8 глав, заключения, 2 приложений, списка литературы и списка работ автора. Каждая из глав заканчивается разделом "Краткие выводы", в котором кратко формулируются основные результаты, полученные в главе.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Девятов, Игорь Альфатович

Заключение

Из представленного цикла исследований можно сделать следующие выводы:

1. Развита теория резонансного туннелирования в NIN, SIN, SIS переходах с учетом сильного кулоновского взаимодействия на локализованных центрах. Показано, что учет кулоновского взаимодействия на локализованных центрах приводит к аномальному поведению проводимости в области малых напряжений даже в отсутствии сверхпроводимости в электродах. Доказан факт перехода от избытка тока на вольт-амперных характеристиках к его недостатку при уменьшении температуры в случае наличия сверхпроводимости в электродах.

2. Развита теория неупругого резонансного электронного транспорта в сверхпроводящих структурах с полупроводниковыми прослойками. Рассчитана вольт-амперная характеристика S-Sm-S перехода (с изотропным параметром порядка) при неупругом резонансном туннелировании по цепочкам из двух локализованных состояний. Установлено, что значение проводимости S-Sm-S перехода при малых напряжениях существенно меньше аналогичной проводимости структуры N-Sm-N.

3. Развит метод, позволяющий в формализме уравнений Боголюбова - Де Женна, провести анализ упругого резонансного джозефсоновского туннелирования через одиночное локализованное состояние в SIS переходе. Установлено наличие двух дополнительных характерных длин системы £/ и > разделяющих различные режимы транспорта куперовских пар через структуру. Показано, что, несмотря на существенно разную динамику транспорта куперовских пар через структуру в различных режимах (появление дополнительных связанных андреевских состояний), общий равновесный ток определяется только отношением модуля параметра порядка сверхпроводящих электродов А к ширине резонансного уровня Г0 во всех режимах и при любой толщине прослойки.

4. Проведено обобщение метода Блондера-Клапвика-Тинкхама [81] для баллистических SIS сужений на случай зависящей от энергии прозрачности сужения. Используя этот метод, рассчитана вольт-амперная характеристика такого сужения с локализованными состояниями в нем и проанализированы возникающие особенности на ВАХ.

5. Рассчитаны теплопроводность и мощность охлаждения границы нормальный металл -ВТСП материал для различных моделей границ и углов ориентации ВТСП материала. Показано, что в отличие от случая границы нормального металла с изотропным сверхпроводником s- типа теплопроводность границы нормальный металл - ВТСП материал не экспоненциально мала. Установлено, что мощность охлаждения структуры с

ВТСП материалом в интересном для болометрических применений милликельвиновом интервале температур недостаточна для практического использования.

6. Проведен последовательный теоретический анализ резонансного туннелирования в 2D NID структурах с аморфной прослойкой. Показано, что при наличии d - спаривания в электродах принципиально нельзя ограничиваться одномерным приближением. Установлено, что в области малых напряжений интерференция двух резонансных процессов (резонансного туннелирования через JIC и резонансного туннелирования на локализованное на ВТСП границе связанное андреевское состояние) приводит не только к частичному подавлению аномалий проводимости при малых напряжениях (ZBA), но и к резкому усилению процесса туннелирования через ЛС, в котором оказываются задействованы практически все дефекты, независимо от их местоположения в прослойке и знака потенциала дефекта.

7. Развита теория резонансного транспорта тока в джозефсоновских переходах с одним или обоими электродами, имеющими параметр порядка s или d - типа. В предельных случаях "узкого" Г0 «А и "широкого" Г0 »А резонансов найдены зависимости резонансного сверхтока от макроскопической фазы, температуры и угла ориентации ВТСП электродов относительно направления распространения тока. Показано, что в случае "узкого" резонанса, который обычно реализуется в экспериментах, конечность температуры и ненулевое значение углов ориентации ВТСП приводят к существенному дополнительному уменьшению резонансного сверхтока, по сравнению с известным подавлением сверхтока в "узком" пределе в случае изотропных сверхпроводников s -типа

8. Развит метод расчета неравновесных функций распределения электронов и фононов в металлическом абсорбере болометра находящемся под действием микроволнового электромагнитного излучения. Показано, что отклик детектора заключен между "пределом фотонного счетчика" fklha), где р< 1 - фактор подавления, и болометрическим пределом" е!квТ (е -заряд электрона, ha> - энергия фотона, кв -постоянная Больцмана, Г-температура). Определены условия, при выполнении которых величина отклика может существенно превышать "предел фотонного счетчика". Даны практические рекомендации по повышению ампер-ваттной чувствительности современных сверхпроводниковых болометров.

В заключение я выражаю искреннюю признательность моим коллегам и соавторам М.Ю. Куприянову, Д.В. Гончарову, П.А. Крутицкому, О.В. Снигиреву, А.А. Голубову,

JI.C. Кузьмину, M.A. Тарасову за многочисленные дискуссии, консультации и помощь на различных этапах представленной работы.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Девятов, Игорь Альфатович, 2006 год

1. Лихарев К.К., Введение в динамику джозефсоновских переходов, Наука, Москва, 1985, с. 320.

2. Kleinsasser A.W., Jackson T.N., Mcinturff D., Rammo F., Petit G.D., and Woodall J.M., Crossover from tunneling to metallic behavior in superconductor-semiconductor contacts, Appl. Phys. Lett., 1990,57, N 17, pp. 1811-1813.

3. Naito M., Beasley R., Microscopic study of tunneling processes via localised states in amorphous-Si/SiOx tunnel barriers, Phys. Rev. B, 1987,35, N 5, pp. 2548-2551.

4. Bradley P., Ruby W., Hebert D., and Van Duzer, Resonant tunneling in amorphous-silicon-barrier Josephson junctions, J. Appl. Phys., 1989,66, i. 12, pp. 5872-5879.

5. Ларкин А.И., Матвеев K.A., Вольт амперная характеристика неупорядоченных полупроводниковых контактов, ЖЭТФ, 1987,93, Вып. 7, с. 1030-1038.

6. Лифшиц И.М., Кирпиченков В.Я., О туннельной прозрачности неупорядоченных систем, ЖЭТФ, 1979,77, Вып 3(9), с. 989-1016.

7. Глазман Л.И., Матвеев К.А., Неупругое туннелирование через топкие аморфные пленки, ЖЭТФ, 1988,94, Вып. 6, с. 332-343.

8. Beenakker C.W.J, and van Houten H., Resonant Josephson Current Through a Quantum Dot, in Single Electron Tunneling and Messcopic Devices, ed. by H. Koch and H. Lubbig, Springer - Verlag Berlin Heidelberg (1992), pp.175-179.

9. Golub A., Andreev reflection and resonance tunneling in Josephson junctions, Phys. Rev. B, 1995,52, N10, pp. 7458-7468.

10. Avishai Y., Golub A., and Zaikin A., Tunneling through an Anderson impurity between superconductors, Phys Rev. B, 2001,63, pp. 134515-1-134515-13.

11. Nahum M., Richards P.L., Mears C.A., Design analysis of a novel hot-electron microbolometer, IEEE Trans. Appl. Supercond., 1993,3, i. 3, p.3, pp. 2124-2127.

12. Nahum M. and Martines J., Appl. Phys. Lett., Ultrasensitive-hot-electron microbolometer, 1993, 63, N 22, pp. 3075-3077.

13. Выставкин A.H, Шуваев Д.В., Кузьмин Л.С., Тарасов M.A., Адерстед Э„ Вилландер М., Клаесон Т., Болометр на горячих электронах в нормальном металле с андреевским отраэ/сением в сверхпроводящих берегах, ЖЭТФ, 1999,115, с. 1085-1093.

14. Tsuei С.С. and Kirtley J.R., Pairing symmetry in cuprate superconductors, Rev. Mod. Phys., 2000,72, pp. 969-1016.

15. Barash Yu.S., Galaktionov A.V. and Zaikin A.D., Charge transport in junctions between d-wave superconductors, Phys. Rev. В., 1995,52, N 1, pp. 665-682.

16. Hu C.-R., Midgap surface states as a novel signature for d г , -wave superconductivity,xa'~xb

17. Phys. Rev. Lett., 1994,72, pp. 1526-1529.

18. Barash Yu.S., Svidzinsky A.A., and Burkhardt H., Quasiparticle bound states and low-temperature peaks of the conductance of NIS junctions in d-wave superconductors, Phys. Rev.

19. B, 1997,55, N 22, pp. 15282-15294.

20. Голубов A.A., Куприянов М.Ю., Anomalous proximity effect in d-waves superconductors, Письма в ЖЭТФ., 1998, 67 ,N 7, с. 478-483.

21. Yoshida J., Recent progress of high-temperature superconductor josephson junction technology for digital circuit applications, IEICE Trans. Elect., 2000, E83-C, pp. 49-59.

22. Halbritter J., Pair weakening and tunnel channels at cuprate interfaces, Phys. Rev. B, 46, N22, pp. 14861-14871.

23. Bardas A. and Averin D., Peltier effect in normal-metal-superconductor microcontacts, Phys. Rev.B, 1995,52, pp. 12873-12877.

24. Leivo M.M., Pekola J.P., and Averin D.V., Efficient Peltier refrigerator by a pair of normal metal/insulator/superconductor junctions, Appl. Phys. Lett., 1996, 68, i. 14, pp. 1996 -1998.

25. Brocklesby W.S., Monroe D., Hong M., Liou S.H., Kwo J., Fisanick G. J., Mankiewich P. M. and Howard R.E., Tunneling characteristics of internal josephson junctions in YBazCuiO^s thin films, Phys. Rev. B, 1988,38, pp.11805-11808.

26. Anderson N.H., Johannsen I., and Levinsen M.T., Point contact measurements on high Tc ceramic superconductors, Phys. Scr., 1988,37, pp.138-140.

27. Dynes R.C., Sharifi F., Pargellis A., Hellman E.S., Miller В., Hartford E. and Rosamilia J., Tunneling spectroscopy in ВаххКхВЮг, PhysicaC, 1991,185-189, i.l, pp. 234-240.

28. Katnino M., Iyori M., Takahashi K., Yoshisato Y. and Nakano S., Synthesis of high-quality BalxKxBiOi superconductors using the PMQ method, Physica C, 1991, 185-189, i. 1, pp. 445-446.

29. Hellman E.S., Martin S., Hartford E.H.,Jr. and Werder D.J., Roesler G.M.,Jr. and Tedrow P.M., BatxKxBi03 sandwich-type tunnel junction grown by molecular beam epitaxy, Physica1. C, 1992,201, pp.166-170.

30. Heslinga D.R., van Huffelen W.M. and Klapwijk T.M., Electron transport in niobium-silicon-niobium structures, IEEE Trans. Magn., 1991,27, N 2, pp.3264-3267.

31. Kleinsasser A.W., Jackson T.N., Mclnruff D., Rammo F., Petit G.D., Superconducting InGaAs junction field-effect transistors with Nb electrodes, Appl. Phys. Lett., 1989, 55, N 18, pp. 1909-1911.

32. Kastalsky A., Kleinsasser A.W., Greene L.H., Bhat R., Milliken F.P., and Harbison J.P., Observation of pair currents in superconductor-semiconductor contacts, Phys. Rev. Lett., 1991,67, pp. 3026-3029.

33. Ovsyannikov G.A. and Babayan G.E., Quasiparticle current in a superconducting junction with two potential barriers at the metal interfaces, Physica B, 1991,168, pp. 239-241.

34. Тартаковский A.B., Фистуль M.B., Квазичастичпый ток в контактах сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник, ЖЭТФ, 1988, 94, Вып. 9, с. 353-367.

35. Likharev К.К., Correlated discrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions, IBM. J. Res. Develop., 1988,1, N 1, pp. 144-158.

36. Глазман Л.И., Матвеев K.A., Кулоновские корреляции при туннелировании через резонансные центры, Письма в ЖЭТФ, 1988,48, вып. 7, с. 403-406.

37. Tamura К., Miyakawa N., Shimada D., Akahane Т. and Tsuda N., Zero-Bias Resistance Peak in Oxide-Semiconductor Junctions, Jpn. J. Appl. Phys., 1992,31, pp. L1322-L1324.

38. Зайцев A.B., Свойства "грязных" S-S'-N и S-S'-S структур с потенциальными барьерами на границах металлов, Письма в ЖЭТФ,1990, 51, вып. 1, с. 35-39.

39. Венгрус И.И., Куприянов М.Ю., Снигирев О.В., Маресов А.Г., Красносвободцев С.И., Механизм токопереноса в джозефсоновских ВТСП переходах на бикристаллах, Письма в ЖЭТФ, 1994,60, вып. 5, с. 372-376.

40. Satoh Т., Kupriyanov M.Yu., Tsai J.S., Hidaka M., Tsuge H., Resonant tunneling transport in YBaCuO/ PrBaCuO / YBaCuO edge-type Josephson junctions, IEEE Trans. Appl. Sup., 1995,5, i. 2, p. 3, pp. 2612-2615.

41. Kupriyanov M.Yu., Tsai J.S., Progress in understanding the physics of HTS Josephson junctions, IEEE Tran.Appl.Sup., 1995,5, i. 2, p. 3, pp. 2531-2534.

42. Siegel M., Dommel R., Horstmann C., Braginskii A.I., In Extended Abstracts of International Conference on Superconductor Electronics, Nagoya, Japan, p. 141 (1995).

43. Свидзинский A.B., Пространственно-неоднородные задачи теории сверхпроводимости, Наука, Москва, 1982, с. 309.

44. Kabasawa U., Tarutani Y., Fukazawa Т., Tsukamoto A., Hiratani M. and Takagi K., Electrical Characteristics of HoBa2Cus07.x-LauBaijCuj0?.у-НоВа2СизOy.x Junctions with Planar-Type Structures, Jpn. J. Appl. Phys., 1991,30, pp.1670-1675.

45. Kozono Y., Kasai M., Kanke Y., Ohno Т., Hanazano M. and Sugita Y., Novel proximity effect between high-Tc superconductor and magnetic manganese oxide, Physica C., 1991,185189, i. 3, pp. 1919-1920.

46. Tanutani S., Fukazawa Т., Kabasawa U., Tsukamoto A., Hiratani M and Takagi K., Superconducting characteristics of a planar-type HoBa2Cu307x -1ахьВахьСиъ01у НоВа2Сщ01х junctions, Appl. Phys. Lett. 1991, 58, i. 23, pp. 2707-2709.

47. Boguslavskii Yu.M., Gao J., Rijnders A.J.H.M., Terpstra D., Gerritsma G.J., and Rogalla H., Transport processes in YBa2Cu3Ox / Pr ВагСиъОх / YBa2Cu3Ox ramp type Josephson junctions, Physica C, 1992,194, pp. 268-276.

48. Gao J., Boguslavskii Yu.M., Klopman B.B.G., Terpstra D., Wijbrans R., Gerritsma G.J. and Rogalla H., Josephson ramp junctions, J. Appl. Phys., 1992, 72, i. 2, pp. 575-583.

49. Kasai M., Kanke Y., Ohno T. and Kozono Y., Possible mechanism of proximity effect coupled to spin fluctuation in Ша2СщОу /magnetic manganese oxide/YBa2Cu}Oy junctions,

50. J. Appl. Phys., 1992,72, i. 11, pp. 5344-5349.

51. Bagwell P.F., Suppression of the Josephson current through a narrow, mesoscopic, semiconductor channel by a single impurity, Phys. Rev. B, 1992, N 19,46, pp.12573-12586.

52. Knauer H., Rihter J., and Siedel P., A Direct Calculation of the Resonance Tunneling in Metal-Insulator-Metal Tunnel Junctions, Phys. Status Solidi A, 1977, 44, pp. 303-312.

53. Beenakker C.W.J, and van Houten H., Josephson current through a superconducting quantum point contact shorter than the coherence length, Phys. Rev. Lett., 1991, 66, N 23, pp. 3056-3059.

54. Furusaki A., Takayanagi H., and Tsukuda M., Theory of Quantum Conduction of a Supercurrent through a Constriction, Phys. Rev. Lett., 1991,67, N 1, pp.132-135.

55. Ambegaokar V., Baratoff A., Tunneling Between Superconductors, Phys .Rev. Lett., 1963, 10, N11, pp. 486-489.

56. Kupriyanov M.Yu., Processes in HTSJosephson junctions, J.Low Temp.Phys., 1997,106 (3-6), pp. 156-158.

57. Зайцев A.B., Квазиклассические уравнения теории сверхпроводимости для контактирующих металлов и свойства микроконтактов с сужением, ЖЭТФ, 1984, 86, Вып. 5, с. 1742-1757.

58. Averin D. and Bardas А., ас Josephson Effect in a Single Quantum Channel, Phys. Rev. Lett., 1995, 75, N9, pp. 1831-1834.

59. Klapwijk T.M., Blonder G.E., and Tinkham M., Explanation of subharmonic energy gap structure in superconducting contacts, Physica B, 1982, 109/110, pp.1657-1664.

60. Zaitsev A.V., Averin D.V., Theory ofac Josephson Effect in Superconducting Constrictions, Phys. Rev. Lett., 1998,80, N 16, pp. 3602-3605.

61. Bratus E.N., Shumeiko V.S., Wendin G., Theory of Subharmonic Gap Structure in Superconducting Mesoscopic Tunnel Contacts, Phys.Rev.Lett., 1995, 74, N 11, pp. 2110-2113.

62. Асламазов JI.C., Фистуль M.B., Резонансное тупнпелирование в контактах сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник, ЖЭТФ, 1982,83, Вып. 3(9), с. 11701176.

63. Hurd М., Current-voltage relation for superconducting d-wave junctions, Phys. Rev. B, 1997, 55, N 18, pp. R11993-R11996.

64. Morse P.M. and Feshbach H., Methods of Theoretical Physics, (McGraw-Hill, New York, 1953).

65. Chouvaev D., Kuzmin L., Tarasov M., Normal Metal Hot-Electron Microbolometer with On-Chip Protection by Tunnel Junctions, Extended Abstracts of the 7th International Superconductive Electronics Conference, ISEC'97, Berkeley 1999, p. 447.

66. Chouvaev D., Kuzmin L., Tarasov M., Normal Metal Hot-Electron Microbolometer with On-Chip Protection by Tunnel Junctions, Supercond. Sci. Technol., 12, pp. 985-988,1999.

67. Kuzmin L., Normal Metal Hot-Electron Microbolometer: Andreev Reflection or Capacitive Coupling for Connection to the Antenna?, Proceeding of the Symposium on Micro- and Nanocryogenics, p. 12, Jyvaskyla, Finland, August 1999.

68. Kuzmin L., Ultimate Cold-Electron bolometer with Strong Electrothermal Feedback, Millimeter and Submillimeter Detectors for Astronomy II, SPIE, 5498, pp. 349-361.

69. Kuzmin L., Chouvaev D., Tarasov M., Sundquist P., Willander M., Claeson Т., On the concept of a normal metal hot-electron microbolometer for space application, IEEE Trans, on Applied Superconductivity, 1999,9, i. 2, p.3, pp. 3186-3189.

70. Nahum M., Eiles Т. M. and Martinis J., Electronic microrefrigerator based on a normal-insulator-superconductor tunnel junction, Appl. Phys. Lett., 1994,65, N 24, pp. 3123-3125.

71. Андреев А.Ф., Тепчопроводность промежуточного слоя сверхпроводников, ЖЭТФ, 1964,46, Вып. 5, с. 1823-1827.

72. Tanaka Y. and Kashiwaya S., Theory of Tunneling Spectroscopy ofd-Wave Superconductors, Phys. Rev. Lett., 1995, 74, N 17, pp.3451-3454.

73. Golubov A.A., Kupriyanov M.Yu., Surface electron scattering in d-wave superconductors, Письма в ЖЭТФ., 1999, 69 ,N 3, с. 242-246.

74. Golubov A.A., Krasnov V.M., Kupriyanov M.Yu., Properties of HTS step-edge SNS junctions, IEEE Tran.Applied Superconductivity, 1997, 7, i. 2, p. 3, pp. 3204 -3207.

75. Blonder G.E., Tinkham M., and Klapwidjk T.M., Transition from metallic to tunneling regimes in superconducting microconstriction: Excess current, charge imbalance, and supercurrent conversion, Phys. Rev. B, 1982,25, N 7, pp. 4515-4532.

76. Schopohl N., Transformation of the Eilenberger Equations of Superconductivity to a Scalar Riccati Equation, e-Preprint http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9804064 (1998).

77. Tsuei C.C., Kirtley J.R., Chi C.C., Lock See Yu-Jahnes, Gupta A., Shaw Т., Sun J.Z., and Ketchen M.B., Pairing Symmetry and Flux Quantization in a Tricrystal Superconducting Ring ofYBa2Cu307.5, Phys. Rev. Lett., 1994,73, pp. 593-596.

78. Wollman D.A., Van Harlingen D. J., Lee W.C., Ginsberg D.M., and Leggett A. J., Experimental determination of the superconducting pairing state in YBCO from the phase coherence ofYBCO-Pb dc SQUIDs, Phys. Rev. Lett., 1993,71, N 13, pp. 2134-2137 (1993).

79. Brawner D.A. and Ott H.R., Evidence for an unconventional superconducting order parameter in YBa2Cu3069, Phys. Rev. B, 1994,50, i.9, pp. 6530-6533.

80. Wollman D.A., Van Harlingen D.J., Giapintzakis J., and Ginsberg D.M., Evidence for dx2.y2 Pairing from the Magnetic Field Modulation ofYBaiCuiOj-Pb Josephson Junctions, Phys. Rev. Lett., 1995,74, i. 5, pp.797-800.

81. Tanaka Y. and Kashiwaya S., Theory of the Josephson effect in d-wave superconductors, Phys. Rev. B, 1996,53, i. 18, pp. R11957-R11960.

82. Kashiwaya S., Tanaka Y., Koyanagi M., Kajimura K., Theory for tunneling spectroscopy of anisotropic superconductors, Phys. Rev. B, 1996,53, i.5, pp. 2667-2676.

83. Alff L., Beck A., Gross R., Marx A., Kleefisch S„ Bauch Th., Sato H., Naito M., Koren G., Observation of bound surface states in grain-boundary junctions of high-temperature superconductors, Phys Rev B, 1998,58,i. 17, pp. 11197-112000.

84. Dommel R., Horstmann C., Siegel M., Braginski A.I., Kupriyanov M.Yu., Resonant tunneling across YBa2Cui07 -SrRu03 interfaces, Appl.Phys.Lett, 1995, 67, i. 12, pp. 17751777.

85. Yoshida J., Nagano Т., Hashimoto Т., Current transport and electronic states in a,b-axis-oriented YBa2Cuj0j/PrBa2Cu307/YBa2Cu307 sandwich-type junctions, Phys.Rev.B, 1996,53, i. 13, pp. 8623-8631.

86. Savada Y., Terai H., Fujimaki A., Takai J., Hayakawa H., Transport properties of YBCO/PBCO/YBCOjunctions, IEEE Tran.Appl.Sup., 1995,5, i. 2, p. 3, pp. 2099-2102.

87. Aleiner I.L., Clarke P., and Glazman L.I., Theory ofAndreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor, Phys. Rev. B, 1996,53, N 12, pp. R7630-R7633.

88. Johansson G., Bratus E.N., Shumeiko V.S., Wendin G., Resonant multiple Andreev reflections in mesoscopic superconducting junctions, Phys. Rev. B, 1999,60, i. 2, pp. 13821393.

89. Belogolovskii M., Graiger M., Kus P., Plecenik A. and Вепабка S., Seidel P., Phase-coherent charge transport in superconducting heterocontacts, Phys. Rev. B, 1999, 59, i. 14, pp. 9617-9626.

90. Binder C., Andreev scattering in anisotropic superconductors, Phys. Rev. B, 1990,41, N 7, pp. 4017-4032.

91. Verhoeven M.A.J., Gerritsma G.J., Rogalla H. and Golubov A.A., Ramp-type junction parameter control by Ga doping of Pr Ba2Cu301s barriers, Appl. Phys. Lett., 1996, 69, i. 6,pp. 848-850.

92. Абрикосов A.A., Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е., Методы квантовой теории поля в статистической физике, Наука, Москва, 1962, с. 443.

93. Tanaka Y. and Kashiwaya S., Theory of Josephson effects in anisotropic superconductors, Phys. Rev. B, 1997,56, i. 2, pp. 892-912.

94. Tanaka Y. and Kashiwaya S., Local density of states of quasiparticles near the interface of nonuniform d-wave superconductors, Phys. Rev. B, 1996,53, i. 14, pp. 9371-9381.

95. Де Жен П., Сверхпроводимость металлов и сплавов, Мир, Москва, 1968, с. 280.

96. Naveh Y., Vijay Patel, Averin D.V., Likharev K.K., and Lukens J.E., Universal Distribution of Transparencies in Highly Conductive Nb/AlOJNb Junctions, Phys. Rev. Lett., 2000,85, i. 25, pp. 5404-5407.

97. Schep K.M. and Bauer G.E.W., Universality of Transport through Dirty Interfaces, Phys. Rev. Lett., 1997, 78, i. 15, pp. 3015-3018.

98. Beenakker C.W.J., Random-matrix theory of quantum transport, Rev. Mod. Phys., 1997, 69, N 3, pp. 731-808.

99. Golubov A.A., Kupriyanov M.Yu., and Il'ichev E., Current-Phase Relations in Josephson Junctions, Rev. Mod. Phys., 2004,76, pp. 411-469.

100. Куприянов М.Ю. и Лукичев В.Ф., Влияние прозрачности границ на критический ток "грязных" SSS структур, ЖЭТФ, 1988, 94, с. 139-149.

101. Huck A., van Otterlo A., and Sigrist М., Time-reversal symmetry breaking and spontaneous currents in s-wave/normal-metal/d-wave superconductor sandwiches, Phys. Rev. B, 1997, 56, i. 21, pp. 14163-14167.

102. Kashiwaya S. and Tanaka Y., Tunnelling effects on surface bound states in unconventional superconductors, Rep. Prog. Phys., 2000, 63, pp. 1641-1724.

103. Fann W.S., Storz R., Tom H.W.K., and Bokor J., Direct measurement of nonequilibrium electron-energy distributions in subpicosecond laser-heated gold films, Phys. Rev. Lett., 1992, 68, pp. 2834-2837.

104. Елесин В.Ф., Неравновесное состояние сверхпроводников с оптическим возбуждением квазичастиц, ЖЭТФ, 1974,66, Вып. 5, с. 1755-1761.

105. Елесин В.Ф., Особенности фазового перехода неравновесных сверхпроводников с оптической накачкой, ЖЭТФ, 1976, 71, Вып. 4(10), с. 1490-1501.

106. Елесин В.Ф., Теория фазового перехода в неравновесных сверхпроводниках с учетом перепоглощения фононов, ФТТ, 1977,19, N 10, с. 2977-2985.

107. Елесин В.Ф., Копаев Ю.В., Сверхпроводники с избыточными квазичастицами, УФН, 1981,133, вып. 2, с. 259-305.

108. Schmid A., On the Dynamics of Electrons in an Impure Metal, Z. Physik, 1974, 271, pp. 251-256.

109. Altshuler B.L., Aronov A.G. and Khmelnitsky D.E., Effects of electron-electron collisions with small energy transfer on quantum localisation, J. Phys. C: Solid State Phys., 1982,15, pp. 7367-7386.

110. Fukuyama H., Abrahams E., Inelastic scattering time in two-dimensional disordered metals, Phys. Rev. B, 1983,27, N 10, pp. 5976-5980.

111. Pothier H., Gueron S., Birge N.O., Esteve D., and Devoret M.H., Energy Distribution Function of Quasiparticles in Mesoscopic Wires, Phys. Rev. Lett., 1997, 79, N 18, pp.34903493.

112. Ашкрофт H., Мермин H., Физика твердого тела, Мир, Москва, 1979, с. 311.

113. Rethfeld В., Kaiser A., Vicanek М., and Simon G., Ultrafast dynamics of nonequilibrium electrons in metals under femtosecond laser irradiation, Phys. Rev. B, 2002, 65, pp. 214303214314.

114. Binder R., Kohler H.S., Bonitz M., and Kwong N., Green's function description of momentum-orientation relaxationof photoexcited electron plasmas in semiconductors, Phys. Rev. B, 1977, 55, pp. 5110-5117.

115. Bejan D. and Raseev G., Nonequilibrium electron distribution in metals, Phys. Rev. B, 1997,55, N7, pp. 4250-4256.

116. Эпштейн Э.М., Рассеяние электронов фонолами в сильном поле излучения, ФТТ, 1969,11, N10, с. 2732-2738.

117. Seely J.F. and Harris E.G., Heating of a Plasma by Multiphoton Inverse bremsstrahlung, Phys. Rev. A, 1973,7, N 3, pp.1064-1067.

118. Kaiser A., Rethfeld В., Vicanek M., and Simon G., Microscopic processes in dielectrics under irradiation by subpicosecond laser pulses, Phys. Rev. B, 2000,61, N 17, pp. 1143711450.

119. Элиашберг Г.М., Неупругие столкновения электронов и неравновесные стационарные состояния в сверхпроводниках, ЖЭТФ, 1971, 61, Вып. 3(9), с. 1254-1271.

120. Kaplan S.B., Acoustic matching of superconductingfilms to substrates, J. Low Temp. Phys., 1979,37, pp.343-365.

121. Wellstood F.C., Urbina C. and Clarke J., Hot-electron effects in metals, Phys. Rev. B, 1994,49, N9, pp. 5942-5955.

122. Rethfeld В., Ph.D. thesis, Technische Universitat Braunschweig, (1999).

123. Ritchie R.H., Coupled Electron-Hole Cascade in a Free Electron Gas, J. Appl. Phys., 1966,37, N6, pp. 2276-2278.

124. Gusev V.E., Wright O.B., Ultrafast nonequilibrium dynamics of electrons in metals, Phys. Rev. B, 1998,57, N 5, pp. 2878-2888.

125. Kozorezov A.G., Volkov A.F., and Wigmore J.K., Peacock A., Poelaert A., and den Hartog R., Quasiparticle-phonon downconversion in nonequilibrium superconductors, Phys. Rev. B, 2000,61, N 17, pp. 11807-11819.

126. Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б., Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, Наука, Москва, 1984, с.74.

127. Tucker J.R., Feldman M.J, Quantum detection at millimeter wavelengths, Rev. Mod. Phys, 1985,57, pp.1055-1113.

128. Kuzmin L.S., Golubev D., On the concept of an optimal hot-electron bolometer with NIS tunnel junctions, Physica C, 2002, 372-376, pp. 378-382.

129. Ullom J.N., Fisher P.A and Nahum M., Measurements of quasiparticle thermalization in a normal metal, Phys. Rev. B, 2000,61, N 21, pp.14839-14843.

130. Тарасов M., Кузьмин Л., Степанцов E., Агуло И., Калабухов А., Фоминский М., Ivanov Z., Claeson Т., Терагерцовая спектроскопия с джозефсоновским излучателем и СИНИС болометром, Письма в ЖЭТФ, 2004, 79, с. 356-361.1. Список публикаций автора.

131. Al. Devyatov I.A., Zorin А.В and Likharev К.К., Quantum fluctuation at quadratic videodetection of microwave radiation, Third international conference on superconducting quantum devices (SQUID'85), 1985, N. Y„ pp.1011-1016.

132. A2. Devyatov I.A., Kuzmin L.S., Likharev K.K., Migulin V.V., Zorin A.B., Quantum-statistical theory of microwave detection using superconducting tunnel junctions, J. Appl. Phys., 1986,66, N5, pp. 1808-1828.

133. A3. Девятое И.А., Зорин А.Б., Лихарев K.K., Предельная чувствительность детекторов на сверхпроводящих туннельных переходах, Радиотехника и Электроника, 1988,33, вып. 12, с. 2613-2621.

134. А4. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Influence of resonant tunneling on quasiparticle current in SIN and SIS tunnel junctions, International superconductivity electronics conference (ISEC'91), 1991, Great Britain, Glasgow, p. 472.

135. A5. Devyatov I.A., Likharev K.K., Photoresponse and photosensitivity of single-electron-tunneling systems, International conference of low-temperature physic (LT-20), 1993, USA.

136. A6. Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Влияние резонансного туннелирования на ВАХ туннельных SIN переходов, Письма в ЖЭТФ, 1990,52, с. 929-933.

137. А7. Девятов И.А., О возможности фотодетектирования на туннельных переходах типа MIM сверхмалой площади, Радиотехника и Электроника, 1992, 37, вып. 9, с. 16381646.

138. А10. Golubov A.A., Verhoeven M.A.J., Devyatov I.A., Gerritsma G.J., Rogalla H. and Kupriyanov M.Yu., Resonant Tunnelling in Y(DY)BaCuO/PrBaCuGaO/Y(Dy)BaCuO Ramp9

139. Type Junctions, Ext. Abstracts of 4th M S-HTSC International Conference, 1994, Grenoble, France.

140. А12. Devyatov I.A., Golubov A.A., Verthoeven M.A.J., Gerritsma G.J., Rogalla H. and Kupriyanov M.Yu., Resonant tunneling in YBCO/PBCO/YBCO ramp-type Josephson junctions, Physica C, 1994,235-240, pp. 1361-1362.

141. A15. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Normal resistance of asymmetric HTS Josephson junctions with semiconductor oxide interlayers, Extendent Abstract of International Conference on Superconductor Electronics, Nagoya, Japan, 1995, pp.138-140.

142. A16. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Normal resistance of asymmetric HTS Josephson junctions with semiconductor oxide interlayers, Extendent Abstract of Europien Conference on Applyed Superconductivity, Edinburg, Scotland, 1995, p.Scl.16.

143. A 17. Devyatov I. A., Kupriyanov M.Yu, Normal resistance of asymmetric HTS Josephsonjunctions with semiconductor oxide interlayers, VIII Trilateral German-Russian-Ukrainian

144. Seminar on High-Temperature Superconductivity, Lviv, Ukraine, September 06-09 1995.

145. A18. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Wendin G., Resonant Josephson current through a1.ng SIS junction, IEEE Tran. Applied Superconductivity, 1997,7, pp. 3021-3024.

146. A19. Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Неупругое резонансное туннелирование в S-Sm-Sтуннельных структурах, Письма в ЖЭТФ, 1997,65, вып. 2, с. 159 -163.

147. А20. Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Резонансное джозефсоновское туннелированиечерез SIS переход произвольных размеров, ЖЭТФ, 1997,112, с. 1-11.

148. А21. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., AC Josephson effect in a SIS tunnel junctions withlocalized states in the barrier, International Symposium Nanostructures: Physics and

149. Technology St. Petersburg, Russia, 1997, pp. 501-504.

150. A23. Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Вольт-амперные характеристики SIS структур с локализованными состояниями в материале прослойки, ЖЭТФ, 1998, 114, вып. 2, с. 687-699.

151. А24. Devyatov I.A., Golubov А.А., Gerritsma G.J., Rogalla H., Kupriyanov M.Yu., Transport mechanisms in HTS junctions, Inst. Phys.Conf. Ser., 1998,158, pp. 463-466.

152. A26. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Golubov A.A., Willander M., Kuzmin L.S., Heat transport across N/d-wave superconductor interface, IEEE Tran.Applied Superconductivity, 1999,9, pp. 3870-3873.

153. A27. Devyatov I.A., Goncharov D.V., Kupriyanov M.Yu., Hybrid superconductor-semiconductor transistor, 6-th International Symposium "Nanostructures, Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 23-26,1998, pp. 241-244.

154. A28. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Goncharov D.V., Golubov A.A., Inelastic Resonance Tunneling in S-Sm-S Tunnel Structures, IEEE Tran.Applied Superconductivity, 1999,9, pp. 4300-4303.

155. A29. Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Кузьмин JI.C., Голубов А.А., Вилландер М., Электронные тепловые свойства границы между нормальным металлом и ВТСП-материалом, ЖЭТФ, 2000,117, вып. 6, с. 1207-1215.

156. A31. Devyatov I. A., Kupriyanov M.Yu., Energy flows in nonthermolised Andreev bolometer, Extendent abstract of 2nd International School / Workshop for Young Scientists, March 17-24, 2001, Bjorkliden, Kiruna, Sweden, pp. 306-311.

157. A32. Devyatov I.A., Goncharov D.V., Kupriyanov M.Yu., Current transport in two dimentional HTS NID junctions, Physica C, 2001,350, pp. 249-260.

158. A33. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Thermal flows in Andreev bolometer, 5-th Europien Conference on Applied Superconductivity, August 26-30, 2001, Technical University of Denmark, Denmark, p. 221.

159. A34. Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Гончаров Д.В., Теория туннелирования в 2D структурах "нормальный металл-сверхпроводник d- типа", ЖЭТФ, 2001, 119, N 4, с.749-762.

160. А35. Devyatov I.A., Kupriyanov M.Yu., Thermal flows in nonthermolised Andreev bolometer, Extendent abstracts of 8-th International Superconducting Electronics Conference, June 19-22,2001, Osaca, Japan, pp. 513-514.

161. A38. Гончаров Д.В., Девятое И.А., Куприянов М.Ю., Резонансное туннелирование в сверхпроводящих структурах с s- и d- симметрией параметра порядка, Письма в ЖЭТФ, 2003,78, с. 1126-1131.

162. А39. Devyatov I.A., Goncharov D.V., Kupriyanov M.Yu., Josephson resonant current in 2D junctions, 6th European Conference on Applied Superconductivity, 14-18 September 2003, Sorrento, Italy, (EUCAS 2003), p. 166.

163. A40. Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Исследование неравновесности электронной подсистемы в низкотемпературных детекторах микроволнового излучения, Письма в ЖЭТФ, 2004,80, вып. 10, с. 752-757.

164. А41. Гончаров Д.В., Девятов И.А., Куприянов М.Ю., Резонансное туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка, ЖЭТФ, 2004, 126, с. 1232-1248.