Твердофазные взаимодействия при термическом окислении структур Me/GaAs и MeO/GaAs (Me = Fe, Co, Ni) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Сухочев, Алексей Сергеевич

• Сухочев, Алексей Сергеевич
• кандидат химических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат химических наук Сухочев, Алексей Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Окисление металлов: общие положения

1.2. Особенности окисления металлов триады железа

1.2.1. Кинетика и механизм окисления никеля.

1.2.2. Особенности окисления кобальта

1.2.3. Механизм окисления железа

1.3. Собственное окисление арсенида галлия.

1.4. Граница раздела Ме/АшВу: строение, свойства, процессы

Глава II. МЕТОДИКА ФОРМИРОВАНИЯ, ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ

И ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ГЕТЕРОСТРУКТУР

Me/GaAs и McO/GaAs.

2.1. Исходные материалы и предварительная обработка.

2.2. Обзор свойств оксидов металлов триады железа.

2.2.1. Оксиды никеля

2.2.2. Оксиды кобальта

2.2.3. Оксиды железа.

2.2.4. Особенности нестехиометрии некоторых оксидов никеля, кобальта и железа.

2.3. Методика формирования гетероструктур.

2.3.1. Магнетронное распыление.

2.3.2. Вакуумно-термическое испарение

2.4. Методика термического окисления структур.

2.5. Методика обработки результатов.

2.6. Физико-химические методы исследования полученных структур

2.6.1. Метод измерения толщины пленок (эллипсометрия).

2.6.2. Методы мониторинга морфологии поверхности и пленки (АСМ, РЭМ).

2.6.3. Методы исследования химического состава пленок (РФА, ИКС, ЭОС).

2.6.4. Исследование электрофизических характеристик полученных слоев.

Глава III. ФОРМИРОВАНИЕ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ СЛОЕВ ТЕРМИЧЕСКИМ ОКИСЛЕНИЕМ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ni (Со, Fe)/GaAs ПРИ МАГНЕТРОННОМ СПОСОБЕ НАПЫЛЕНИЯ.

3.1. Окисление структур Ni(M)/GaAs.

3.2. Окисление структур Со(50 и 25iiM)/GaAs.

3.3. Окисление структур Fe(50 и 25HM)/GaAs.

3.3.1. Анализ неокисленных образцов.

3.3.2. Твердофазные взаимодействия при окислении структур Fe(50 и 25nM)/GaAs.

Глава IV. ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ni (Co)/GaAs, С ПЛЕНКАМИ ВАКУУМНО-ТЕРМИЧЕСКИ

НАНЕСЕННОГО МЕТАЛЛА.

4.1. Окисление структур Ni(BT)/GaAs.

4.2. Окисление структур Co(BT)/GaAs.

Глава V. ТВЕРДОФАЗНЫЕ РЕАКЦИИ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ ОКИСЛЕНИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР NiO/GaAs и CoO/GaAs:

ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ОКСИДА.

5.1. Окисление структур Ni0(40 и 25im)/GaAs.

5.2. Окисление структур Со0(70 и 25HM)/GaAs.

Глава VI. МЕХАНИЗМЫ ЭВОЛЮЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР Me/GaAs и MeO/GaAs ПРИ ИХ ТЕРМИЧЕСКОМ ОКИСЛЕНИИ

Обсуждение результатов).

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Твердофазные взаимодействия при термическом окислении структур Me/GaAs и MeO/GaAs (Me = Fe, Co, Ni)»

Решение основной задачи современной неорганической химии — создания новых материалов с заданными свойствами — возможно лишь на основе установления фундаментальных связей между условиями получения, природой химической связи, особенностями химического и кристаллохимического строения, составом фаз и их свойствами. Эти связи прослеживаются на многочисленных объектах разнообразной природы, однако основные физико-химические критерии сформулированы главным образом для массивных материалов. В то же время широкое использование в современной технике, в частности, в опто- и микроэлектронике, СВЧ-технике, тонкопленочных гетерогенных структур с их специфическими особенностями обусловливает необходимость разработки теоретических основ новых процессов тонкого неорганического синтеза гетерогенных наноструктур и прогнозирования их свойств, что предполагает комплексное исследование кинетики и механизма сложных гетерогенных реакций в тонкопленочных системах.

Полупроводниковые соединения АШВУ и среди них, в первую очередь, арсе-нид галлия, представляют исключительный интерес не только как перспективные материалы с ценными свойствами для полупроводниковой микроэлектроники, но и как важный класс объектов собственно химии полупроводников, на примере которых возможно дальнейшее развитие представлений неорганической химии, химии твердого тела, термодинамики и кинетики сложных гетерогенных процессов. Одним из таких процессов является термическое окисление полупроводников газообразным кислородом, приводящее к образованию на их поверхности тонкого оксидного слоя с диэлектрическими и пассивирующими свойствами. Этот процесс достаточно подробно изучен и является модельным для кремния как ведущего материала современной микроэлектроники. Термическое окисление арсенида галлия существенно осложняется наличием двух различных по природе компонентов в окисляемом объекте, один из которых — галлий, обладает большим сродством к кислороду по сравнению с мышьяком, что приводит к оксидным слоям, обогащенным слабоокисленным или вообще несвязанным мышьяком на внутренней границе раздела. В то же время поверхность полупроводника обедняется летучим компонентом. Результатом этих процессов является проводящая пленка с неудовлетворительной по качеству границей раздела оксидный слой/полупроводник.

Одним из путей изменения механизма процессов, происходящих при термооксидировании арсенида галлия, является введение в систему обоснованно подобранных соедииений, которые химически стимулируют окисление полупроводника, обеспечивают быстрый рост оксидных слоев с удовлетворительными характеристиками и позволяют осуществить кинетический обход нежелательной стадии собственного окисления.

В настоящее время большое внимание уделяется исследованиям интерфейсных взаимодействий в гетероструктурах с нанесенными хемостимуляторами, в частности, ¿/-металл/полупроводник. Особое место занимают металлы триады железа, что, с одной стороны, обусловлено их уникальными магнитными свойствами, с другой — определенным разнообразием степеней окисления и относительно высокой реакционной способностью. Два последних обстоятельства обусловливают эффективность хемостимулирования и связывания летучего компонента на границе раздела, что приводит к улучшению свойств гетероструктур. Возможность же образования в системе «Ме -О-ва - Аз» большого количества соединений с разнообразными (в отношении магнетизма) свойствами позволяет рассматривать данные тонкопленочные гетероструктуры как перспективные объекты для реализации в них эффекта магнетосопротивлепия (эффект зависимости сопротивления гетероструктур от величины приложенного магнитного поля). Дальнейший прогресс в этой области невозможен без глубокого изучения химических закономерностей формирования данных систем. Соответственно решение задачи определения оптимальных условий синтеза целевых соедииений с целью создания функциональных структур невозможно без установления механизма этих процессов и роли взаимодействий в твердой фазе.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Установление закономерностей взаимодействия арсенида галлия с предварительно нанесенными на его поверхность металлами триады железа и их оксидами при термическом окислении структур Ме/СаАэ и МеОАЗаАз (Ме = Ре, Со, №).

ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

1. Изучение механизма формирования многокомпонентных слоев при термооксидировании ваАэ с нанесенными слоями ¿/-металлов и их оксидов.

2. Выявление закономерностей влияния металлов триады железа и их оксидов на термическое окисление арсенида галлия.

3. Определение влияния различий, обусловленных способом создания исходных структур МеЛЗаАз (вакуумно-термический или магнетронный), на механизм их термического окисления.

4. Установление влияния толщины исходного слоя металла или его оксида на кииетику окисления и свойства гетероструктур.

5. Развитие представлений о термическом окислении гетероструктур Ме/СаАэ и МеОЛЗаАБ (Ме = Бе, Со, N0

НАУЧНАЯ НОВИЗНА установлены закономерности твердофазных взаимодействий при окислении структур МеЛЗаАз, МеО/ваАБ (Ме = Ре, Со, N1) и выявлены химические и структурные особенности металлов триады железа и их соединений в нанопленочном состоянии; показана роль интерфейсных твердофазных реакций в процессе оксидирования структур МеЛЗаАз и МеОЮаАз; определено влияние способа создания контакта Ме/ваАз на состав, структуру и свойства полученных гетероструктур; обнаружено закономерное влияние толщины нанесенного слоя металла или оксида па протекание твердофазных реакций при окислении структур Ме/СаАэ и МеОЛЗаАз, заключающаяся в сужении температурного интервала стабильного роста пленок по мере уменьшения толщины; установлено хемостимулирующее действие оксидов металлов триады железа в процессе термического окисления арсенида галлия, состоящее в ускоренной передаче кислорода от оксида хемостимулятора компонентам полупроводника и приводящее к формированию оксидов галлия, мышьяка и арсенатов металла в более мягких по сравнению с собственным окислением ваАэ условиях; предложены схемы процессов термооксидирования гетероструюур на основе ваАг с нанесенными слоями ¿/-металлов и их оксидов.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

Полученные результаты комплексного исследования механизма роста слоев, их состава и свойств могут быть применены для оптимизации процессов синтеза нового поколения неорганических материалов, в частности слоистых и гранулированных ге-тероструктур с чередованием ферромагнитных и изолирующих фаз — перспективных объектов спинтропики. Установление закономерностей формирования гетероструктур с учетом структуры и стабильности интерфейсной области позволит более гибко управлять составом и свойствами образующихся тонкопленочных систем.

Проведенные в рамках работы исследования поддержаны следующими грантами: грант Минобразования России «Фундаментальные исследования в области естественных и точных наук» (№№ Е00-5.0-363, Е02-5.0-53), грант РФФИ (№ 0203-32418), НТП Исследования Высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники (подпрограмма (208) «Электроника»).

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ

1. Интерфейсные взаимодействия, заключающиеся в формировании и разложении композиционно неоднородного слоя Ме^ва^АЗг при окислении структур МеАЗаАз и транзите кислорода в структурах МеО/ваАБ.

2. Активация процесса окисления структур на основе ваАБ нанесенными слоями металлов триады железа и их оксидов, состоящая в формировании оксид-но-арсепатных слоев (в том числе с высокой степенью окисления мышьяка) в значительно более мягких условиях по сравнению с собственным окислением ваАБ.

3. Зависимость механизма процессов синтеза многокомпонентных слоев при термооксидировании структур МеЮаАБ от способа нанесения металла, проявляющаяся в стабилизации оксидов с нехарактерными степенями окисления и своеобразии кинетики окисления для магнетронного способа напыления.

4. Влияние толщины нанесенного слоя металла или оксида на характер протекания твердофазных реакций при окислении структур Ме/ваАБ и МеО/ваАБ, проявляющееся в закономерном увеличении температурного интервала стабильного роста оксидных слоев при возрастании толщины.

5. Закономерности взаимодействия металлов триады железа и их оксидов с арсе-нидом галлия в процессах окисления структур Ме/ваАБ и МеО/ваАБ.

6. Схемы процессов эволюции гетероструктур Ме/ваАБ и МеО/ваАБ при их термическом окислении, отражающие специфику воздействия металлов триады железа и их соединений, находящихся в нанопленочном состоянии.

ПУБЛИКАЦИИ И АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

По материалам работы опубликовано 4 статьи (в изданиях РАН) и 20 тезисов докладов на научных конференциях. Результаты работы были доложены на VIII, IX и X Международных конференциях по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 2001, 2003, 2005); Всероссийской научно-технической дистанционной конференции «Электроника» (Москва, 2001); Школе-семинаре «Актуальные проблемы неорганического материаловедения» (Дубна, 2001); Второй Всероссийской конференции (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехноло-гия» (Санкт-Петербург — Хилово, 2002); I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах «ФАГРАН-2002» (Воронеж, 2002); VIII Всероссийском совещании «Высокотемпературная химия силикатов и оксидов». (Санкт-Петербург, 2002); III, IV и V Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2003, 2004, 2005); Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы — 2004» (Екатеринбург, 2004); XXXVII и XLIII Международных научных студенческих конференциях «Студент и научно-технический прогресс» (Новосибирск, 1999, 2005).

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы (наименований) и приложения, изложена на 169 страницах машинописного текста, включая 24 таблицы, 58 рисунков и библиографический список, содержащий 120 наименований литературных источников.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Сухочев, Алексей Сергеевич

ВЫВОДЫ

1. Установлен механизм твердофазных взаимодействий при термооксидировании гетероструктур Ме/ваАБ и МеОЛЗаАз и показано, что основными химическими стадиями являются интерфейсное взаимодействие, хемостимулиро-ванное окисление компонентов полупроводника и вторичное взаимодействие между оксидами ¿/-металла и мышьяка.

2. Показано хемостимулирующее действие оксидов металлов ¡триады железа в процессе термического окисления арсенида галлия, состоящее в ускоренной по сравнению с собственным окислением ваАБ передаче кислорода от оксида металла компонентам полупроводниковой подложки характеризующейся большим приростом концентрации оксида галлия уже на начальных этапах процесса (30 мин., РФА, ИКС). Эффективность активированного окисления Аб подтверждена образованием двух оксидов Аз20з и Аз205 (РФА, ИКС), отсутствием несвязанного мышьяка на ГР, формированием в ходе вторичных твердофазных взаимодействий арсенатов при заметном подавлении испарения оксидов мышьяка при средних температурах (480—520° С) (данные РФА, ИКС, ЭОС). Следствием всех этих факторов является улучшение свойств гетероструктур.

3. Определено влияние способа нанесения металла на кинетику окисления, состав, структуру и свойства полученных гетероструктур, состоящее в различной интенсивности интерфейсных взаимодействий в процессе формирования контакта Ме/ваАз; при магнетронном напылении происходит интенсивное взаимодействие компонентов гетероструктуры на внутренней "границе раздела, сопровождающееся значительным «размытием» контактной зоны (данные ЭОС, РФА); в ходе термического окисления переходный слой МелСауАзг трансформируется в арсениды; при вакуумно-термическом напылении взаимодействие металла и арсенида галлия либо менее интенсивно (№Аб для структур №(вт)/СаАз быстро разлагается, данные РФА), либо не наблюдается вообще (Со(вт)/СаАз).

4. Обнаружена стабилизация малохарактерной для никеля и кобальта степени окисления +3 при окислении гетероструктур Ме(м)ЛЗаАз, проявляющаяся в образовании оксидов Ме203 (ИКС, РФА). При окислении структур Ре/ваЛв на начальных этапах образуется оксид FeO, нестабильный в условиях эксперимента (Г<570°С). Данные явления обусловлены уникальной спецификой объекта исследования — нанопленочные гетероструктуры, характеризующиеся значительным удалением от равновесия.

Установлена роль интерфейсных твердофазных реакций в процессе оксидирования структур Me/GaAs и MeO/GaAs; обнаружена разница в энергетике транзитной передачи кислорода от оксида металла непосредственно компонентам полупроводника и через стадию раскисления арсенидов на границе раздела. Окисление гетероструктур Ni(bt)/GaAs, №(вт)/1пР, где на вну^енней границе раздела зафиксирована связь Me-Bv (РФА, УМРЭС), характеризуется более высокими значениями эффективной энергии активации по сравнению с аналогичными процессами для структур MeO/GaAs и Co(bt)/GaAs, где связь Me-Bv не обнаружена (> 300 кДж/моль для первых и < 150 кДж/моль — для вторых). Показана аналогия влияния толщины нанесенного слоя металла и его оксида на закономерности твердофазных реакций при окислении структур Me/GaAs и MeO/GaAs, заключающаяся в уменьшении температурного, интервала стабильного роста пленок при снижении толщин от 70—40 нм до 25 нм; процессы испарения для структур с низкой толщиной исходного сла^ активатора (25 j • нм) наступают при более низкой температуре, чем для структур с более высокой толщиной (70—40 нм).

Дана общая схема процесса термического окисления арсенида галлия с нанесенными слоями никеля, кобальта, железа и их оксидов, отражающая их хемо-стимулирующее действие.

Представлены схемы процессов эволюции гетероструктур Me/GaAs и MeO/GaAs при их термическом окислении, учитывающие закономерности и химическую специфику металлов триады железа и их соединений, находящихся в нанопленочном состоянии.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Сухочев, Алексей Сергеевич, 2005 год

1. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности: в 2-х т. / К. Хауффе.

2. М.: Изд-во иностранной литературы, 1963. — 275 с.

3. Окисление металлов. 1 и 2 т. / под ред. Ж. Бенара. — М.: Металлургия, 1968.499 с.

4. Роберте М. Химия поверхности раздела металл-газ / М. Роберте, Ч. Макки. — М.: Мир, 1981, —539 с.

5. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов / П/Кофстад. — М.: Мир, 1969. —392 с.

6. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / О. Кубашевский, Б. Гоп-кинс. — М.: Изд-во иностранной литературы, 1955. — 311 с. : .

7. Graham M.J. Characterization and growth of oxide films / M.J. Graham, R.J. Hussey // Corrosion Science. — 2002. — V. 44. — P. 319—330.

8. Hollowaya P.H. Kinetics of the reaction of oxygen with clean nfbkel single crystal surfaces: I. Ni(100) surface / P.H. Hollowaya, J.B. Hudsona // Surface Science. — 1974. — V. 43, № 1. — P. 123—140.

9. Hollowaya P.H. Kinetics of the reaction of oxygen with clean nickel single crystal surfaces: II. Ni(lll) surface / P.H. Hollowaya, J.B. Hudsona /^ Surface Science. 1974. — V. 43, № 1. — P. 141—149.

10. Kopatzki E. Step Faceting: Origin of the Temperature Dependent Induction Period in Ni(100) Oxidation / E. Kopatzki, R.J. Behm // Physical review Letters. — 1995.1. V. 74.—P. 1399—1402.

11. Tyuliev G.T. XPS/HREELS study of NiO films grown on Ni(tfSl) / G.T. Tyuliev, K.L. Kostov // Physical review B. — 1999. — V. 60. — P. 2900—2907.

12. Norton P.R. A photoemission study of the interaction of Ni(100), (110) and (111) surfaces with oxygen / P.R. Norton, R.L. Tapping, J.W. Goodale // Surface Science.1977, —V. 65, № 1. —P. 13—36.

13. Electrochromic nickel oxide thin films deposited under different sputtering conditions / F.F. Ferreira et all. // Solid State Ionics. — 1996. — V. 86—88. — P. 971—976.

14. Ramsey M.G. Autoionization and Auger features of clean and oxygen-exposed surfaces of Fe, Co and Ni / M.G. Ramsey, G.J. Russell // Physical review B. — 1985.1. V. 32.—P.3654—3661.

15. Leygraf C. A LEED-AES study of the oxidation of Fe (110) and Fe (100) / C. Ley-graf, S. Ekelund // Surface Science. — 1973. — V. 40, № 3. — P. 609—635.

16. Pignocco A.J. LEED studies of oxygen adsorption and oxide formation on an (011) iron surface / A.J. Pignocco, G.E. Pellissier // Surface Science. — 1967. — V.7, №3. — P. 261—278.

17. Sakisaka Y. Electron-energy-loss-spectroscopy study of oxygen chemisorption and initial oxidation of Fe(100) / Y. Sakisaka, T. Miyano, M. Onchi // Physical review В.— 1984. —V. 30.—P. 6849—6855. |

18. Allenspach R. Oxygen on Fe(100): An Initial-Oxidation Study by Spin-Polarized Auger Spectroscopy / R. Allenspach, M. Taborelli, M. Landolt // Physical review Letters. — 1985. —V. 55. —P. 2599—2602.

19. Magnetic Structure of Oxidized Fe(001) / B. Sinkovic et al. // Physical review Letters. — 1990, —V. 65. —P. 1647—1650.

20. Kim H.-J. Oxidation of the Fe(l 10) surface: An Fe304(l 11)/Fe(l 10) bilayer / H.-J. Kim, J.-H. Park, E. Vescovo // Physical review B. — 2000. — V. 61. — P. 15284— 15287.

21. Ветрова E.M. Эволюция фазового состава в оксидных пленках железа при термооксидировании / Е.М. Ветрова // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2003. — Т. 5, № 3. — С. 303—305.

22. GaAs oxidation and the Ga-As-0 equilibrium phase diagram / C.D. Thurmond etal.//J. Electrochem. Soc. — 1980. — V. 127, №6. —P. 1366—1371.г

23. Oxide-substrate and oxide-oxide chemical reactions in thermally, annealed anodic films on GaSb, GaAs and GaP / G.P. Schwarz et al. // J. Electrochem. Soc. — 1980. —V. 127, № 11. —P. 2483—2499.

24. Hollinger G. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An x-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers / G. Hollinger, R.

25. Skheyta-Kabbani, M. Gendry // Physical review B. — 1994. — V.49. — P. 11159—11167.

26. Wilmsen C.W. Oxide layers on III—V compound semiconductors / C.W. Wilmsen // Thin Solid Films. — 1976. — V. 30, № 1-2-3. — P. 105—117.

27. Wilmsen C.W. Initial oxidation and oxide/semiconductor interface formation on GaAs / C.W. Wilmsen, R.W. Ku, K.M. Ceib // J. Vac. Sci. Technol. — 1979. — V. 16, №5. —P. 1434—1438.

28. Oxidation properties of GaAs (110) surfaces / P. Pianetta et al. // Phys. Rev. Lett. 1976.37. P. 1166—1169.

29. Local atomic electronic structure of oxide/GaAs and Si02/Si interfaces using highresolution XPS / F.I. Grunthaner et al. // J. Vac. Sci. Thechnol. — 1979. — V. 16, №5. —P. 1443—1453.

30. Фазовый состав и структура собственных оксидных слоев на полупроводни-J гках А В / Т.П. Свиридова и др. // Новые материалы электронной техники: сб. науч. тр. / Сибирское отделение. Наука. Новосибирск, 1990. — С. 62—84.

31. Oxide layers on GaAs prepared by thermal, anodic and plasma oxidation: in depth profiles and annealing effects / K. Watanabe et al. // Thin Solid Films. — 1979. — V. 56. —P. 63—73.

32. Nature and growth of anodic and thermal oxides on GaAs anfl AlxGa|.xAs / P. Schmuki et al. // Corrosion Science. — 1999. — V.41. — P. 1467—1474.

33. Hollinger G. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An x-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers / G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry // Physical review B. — 1994.^— V. 49. — P. 11159—11167.

34. Characterization of oxide layers on GaAs substrates / D.A. Allwood et al. // Thin Solid Films. — 2000. — V.364. — P. 33—39.

35. GaAs surface oxide desorption by annealing in ultra high vacuum / A. Guillen-Cervantes et al. // Thin Solid Films. — 2000. — V. 373. — P. 1^9—163.

36. Passeggi M.C.G. Jr. Auger electron spectroscopy analysis of the first stages of thermally stimulated oxidation of GaAs(100) / M.C.G. Passeggi Jr., I. Vaquila, J. Ferron // Applied Surface Science. — 1998. — V. 133. — P. 65—72.

37. Lockwood D.J. Raman Spectroscopy of Oxides of GaAs Formed in Solution / D. J. Lockwood // Journal of Solution Chemistry. — 2000. — V. 29, № 10. — P. 1027—1038.

38. Hollinger G. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An x-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers / G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry // Physical review B. 1994. — V. 49. — P. 11159—11167.

39. Brozel M.R. Properties of Gallium Arsenide, 3rd ed / M.R. Brozel, G.E. Stillman1.stitution of Electrical Engineers, 1996. — 1010 p. V;

40. An X-ray photoelectron spectroscopy study of native oxides on GaAs / G.P. Schwartz et al. // J. Electrochem. Soc. — 1979. — V. 126. — P. 1737—1749.

41. Термическое окисление в технологии ИС на GaAs / И.А. Ахинько и др. // Микроэлектроника. — 1996. — Т. 25. — С. 153—157.

42. Quagliano Lucia G. Detection of AS2O3 arsenic oxide on GaAs lurface by Raman scattering / Lucia G. Quagliano // Applied Surface Science. — 2000. — V. 153. — P. 240—244.

43. Миттова И.Я. Термическое окисление арсенида галлия в «беспримесной» и примесной атмосферах / И.Я. Миттова // Неорг. материалы. 1992. — Т. 28, №5. —С. 917—927.

44. Cape G.A. Roman scattering studies of the GaAs native oxide, interface / G.A. Cape, W.E. Tennant, L.G. Hale // J.Vac. Sci. Technol. — 1977. — V. 14, № 4. — P. 921—923.л

45. Миттова И.Я. Кинетика термооксидирования GaAs марки САГОЧ-1(111) в1. V,кислороде / И.Я. Миттова, В.В. Свиридова, Е.В. Тихомирова // Физикохимия материалов и процессов в микроэлектронике. Воронеж. Изд-во ВГУ, 1989. — С. 166—170.

46. An XPS analysis of the oxide films on GaAs / Y. Mosokawa et al. // Proc.7 Inter. Vac. Congr. and 3 Inter. Conf. Solid Surf. Int. Union Vac. Sci. Technol. and Appl.

47. Vienna, 1977. — P. 631—634.

48. Миттова И.Я. Термическое окисление GaAs в кислороде / И.Я. Миттова, Н.И. Пономарева // Физикохимия гетерогенных систем: сб. науч. тр. — Воронеж, 1988. —С. 27—31. к

49. Butera R.A. Mechanism for reactive chemistry at metal-semiconductor interfaces

50. R.A. Butera, C.A. Hollingsworth // Phys. Rev. B. — 1988. — V. 37. — P. 10487—10495.

51. Плюсин Н.И. Механизм атомного перемешивания при формировании границы раздела переходного металла с кремнием / Н.И. Плюсин, А.П. Миленин // Поверхность. — 1996. — № 2. — С. 64—74.

52. Плюсин Н.И. Кинетический механизм формирования границы раздела металл-полупроводник / Н.И. Плюсин, А.П. Миленин // Поверхность. — 1997. — №3. — С. 36—45.

53. Физико-химические особенности формирования границ раздела переходов металл-соединение А В и возможности прогнозирования межфазных взаимодействий / Бреза Ю. и др. // Поверхность. — 1998. —№5. — С. 110—127.

54. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл-InP и металл-GaAs / Е.Ф. Венгер и др.; под ред. Р.В. Коньковой. — Киев, 1999, —234 с.

55. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Ред. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. — М.: Мир, 1982. — 576 с.

56. Аристархова А.А. Анализ начальных стадий формирования границы раздела переходный металл-GaAs методом спектроскопии ионного ^рассеяния / А.А. Аристархова//Поверхность. — 1990. — № 11. — С. 107—113.

57. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков."1 — М.: Химия, 1978. —360 с.

58. Kurtin S. Fundamental transition in the electronic nature of solids / S. Kurtin, T.C. Megille, C.A. Mead // Phys. Rev. Lett. — 1969. — V. 22, № 26. — P. 1433—1436.

59. Бехштедт Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бех-штедт, Р. Эндерлайн. — М.: Мир, 1990. — 488 с.

60. McGilp J.F. Schottky contacts to cleaved GaAs (110) surfaces. II. Thermodynamic aspects / J.F. McGilp, A.B. McLean // Appl. Phys. Lett. — 1987/— V. 51, № 4. — P. 185—188.

61. Chemisorptions of Mn on GaAs(l 10) surface / Fu Xuaxiang et al. // Surface Science. — 1995. — V. 341. — P. 273—281.

62. Effects of interface reactions on electrical characteristics of meJal-GaAs contacts / K.M. Yu et al. // Appl. Phys. Lett. — 1987. — V. 51, Issue 3,-^ P. 189—191.

63. Fe3GaAs/GaAs(001): a stable and magnetic metal-semiconductor heterostructure / B. Lepinea et al. // Thin Solid Films. — 2004. — V. 446. — P. 6—11.

64. The ternary compound Fe3Ga2.xAsx: a promising candidate for epitaxial and ther-modynamically stable contacts on GaAs / S. Deputier et al. // Journal of Alloys and Compounds. — 2002. — V. 262—263. — P. 416—422.

65. Solid state phase equilibria in the Fe-Ga-Sb ternary system at 600° С / S. Deputier et al. // Journal of Alloys and Compounds. — 2002. — V.340. — P. 132—140.

66. Spin-resolved photoelectron spectroscopy of ultrathin Fe films on GaAs(OOl) / N. Takahashi et al. // Surface Review and Letters. — 2002. — V. 9, № 2. — P. 693—698.

67. Прогнозирование фазового состава переходных слоев, образующихся на границе между арсенидом галлия и никелем / Н.А. Тестова и др. // Неорганические материалы.— 1986. —Т. 22,№ 11. —С. 1781—1785.

68. An exploratory study of the reactive Ni-GaAs (110) interface / M.D. Williams et al. // Solid State Commun. — 1984. — V. 51, № 10. — P. 819.

69. Han Q. Schmidt-Fetzer R. Reaction Diffusion at the Interface of Mo/GaAs Contacts / Q. Han, R. Schmidt-Fetzer // Z. fur Metallkunde. — 1993. — Bd. 84, №9. —1. J1. S. 605—612.

70. Рожанский H. В. Исследование взаимодействия тонких пленок Pd с монокристаллом GaAs в процессе отжига в электронном микроскопе / Н.В. Рожанский, А.Г. Акимов // Поверхность. — 1990. — №12. — С. 57—68.

71. Thermal treatment of the MIS and intimate Ni/n-LEC GaAs Schôttky barrier diodes / G. Nuhoglu et al. // Applied Surface. — 1998. — V.135. — P. 350—356.

72. Effect of thermal annealing on Co/n-LEC GaAs (Te) Schottky contact / G. Nuhoglu et al. // Solid State Comm. — 2000. — V. 115. — P. 291—295.

73. Ayyildiz E. The effect of thermal treatment on the characteristic parameters of Ni/—, Ti/— and NiTi/n-GaAs Schottky diodes / E. Ayyildiz, A. Turut // Solid State electronics. — 1999. — V. 43. — P. 521—527.

74. Growth of cobalt on GaAs (001) studied by photoemission and photoelectron diffraction / S. Abobou et al. // Surface Rev. and Lett. — 1998. — V. 5, № 1. — P. 285—288. П73.