Влияние деформации и случайных полей, создаваемых заряженными примесями, на электронную структуру глубоких акцепторов в полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Сорокина, Наталия Олеговна

• Сорокина, Наталия Олеговна
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сорокина, Наталия Олеговна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ ДЛЯ ОПИСАНИЯ ГЛУБОКИХ

ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И МЕТОДЫ РАСЧЕТА ИХ

ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ.

§ 1. Метод псевдопотенциала.

§2. Квазизонный метод кристаллического поля.

§3. Двухзонное приближение Келдыша.

§4. Модель потенциала нулевого радиуса.

§5. Эффективный гамильтониан для описания электронов и дырок в условиях внешней деформации.

ГЛАВА 2. МОДЕЛЬ ЦЕНТРА 8пА8 В ваАБ В УСЛОВИЯХ ВНЕШНЕЙ

ДЕФОРМАЦИИ.

§1. Смещение максимума полосы люминесценции в поле внешней одноосной деформации.

§2. Расчет зависимости поляризационного отношения излучения от давления.

§3. Влияние обменного взаимодействия дырок центра и экситона на особенности движения и расщепления линии излучения. в поле внешней одноосной деформации.

Основные результаты главы.

ГЛАВА 3. ПОДАВЛЕНИЕ ЭФФЕКТА ЯНА-ТЕЛЛЕРА В ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

§1. Проявление взаимодействия с колебаниями Е-типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации.

§2. Проявление взаимодействия с колебаниями Р -типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации.

§3. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с тетрагональными колебаниями (^-Е задача) в условиях внешней деформации.

§4. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с тригональными колебаниями в условиях внешней деформации Оз-Б задача).

Основные результаты главы

ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ СЛУЧАЙНЫХ ПОЛЕЙ, СОЗДАВАЕМЫХ ЗАРЯЖЕННЫМИ

ПРИМЕСЯМИ В КРИСТАЛЛАХ.

§1. Влияние случайных полей на электронную структуру нейтральных акцепторов.

§2. Влияние случайных полей на поляризацию люминесценции при переходах зона проводимости - акцептор.

Основные результаты главы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние деформации и случайных полей, создаваемых заряженными примесями, на электронную структуру глубоких акцепторов в полупроводниках»

Неослабевающий интерес к глубоким примесным центрам в полупроводниках, нашедший отражение в ряде обзоров [1-5], монографии Милнса [6] и других публикациях [7], обуславливает их интенсивные теоретические и экспериментальные исследования. В последнее время расширился класс полупроводниковых соединений, увеличилось число дефектов, которые можно отнести к глубоким центрам, дальнейшее развитие получили методы расчета их электронной структуры. Такое повышенное внимание к этому виду примесных полупроводников связано с существованием у них целого ряда физических и химических свойств важных с точки зрения их практического использования.

Понимание структуры глубоких уровней, вводимых примесями и дефектами, относится к одной из наиболее актуальных проблем современной физики полупроводников. Отличительными особенностями подобных центров являются короткодействующий (по сравнению с кулоновским) характер потенциала и малый размер орбиты локализованного состояния. В связи с этим возникают трудности с определением вида волновой функции глубокого дефекта, которая должна содержать вклады от большей (по сравнению с мелким примесным центром) части к-пространства и от нескольких зон. Кроме того, вследствие значительной энергии ионизации, сравнимой с шириной запрещенной зоны, глубокий уровень уже невозможно связать с тем или иным экстремумом валентной зоны или зоны проводимости. Дополнительные сложности описания физических процессов, протекающих с участием глубоких примесей, обусловлены сильным искажением кристаллической решетки вблизи дефекта, большим электрон-фононным взаимодействием, существованием в ряде случаев незаполненных ё-состояний, возможной многозарядностью центров. Наконец, обменное взаимодействие частиц, связанных на центре, также может существенным образом сказываться на особенностях электронной структуры примесных атомов в полупроводниках. Все эти причины вели к поиску простых моделей глубоких центров, наиболее распространенной из которых стала модель потенциала нулевого радиуса, использованная Луковским при рассмотрении процесса фотоионизации глубоких примесей [8]. В рамках этой же модели впоследствии были получены формулы для поляризации среды вблизи центра [9], учтена роль дальнодейст-вующей кулоновской составляющей примесного потенциала в процессе фотоионизации [10], рассмотрено влияние электрон-фононного взаимодействия [11,12], рассчитано примесное поглощение в электрическом [13,14] и магнитном полях [15,16]. В.Л. Бонч-Бруевич использовал модель потенциала нулевого радиуса при изучении безиз-лучательных переходов на глубокие уровни [17,18]. Перель и Яссиевич [19] обобщили модель Луковского на случай взаимодействия центра с двумя зонами, их идеи получили дальнейшее развитие при учете конкретной зонной структуры [20-23], возможной многозарядности [24], при анализе многофононных явлений [25].

Наряду с феноменологическим модельным подходом к рассмотрению явлений в примесных полупроводниках с глубокими уровнями шло развитие и микроскопической теории [26-33]. Здесь был достигнут существенный прогресс в понимании электронных состояний примесных центров (в частности имеющих незаполненные с1-состояния), мультиплетной структуры уровней. Но, так как в микроскопической теории электронные состояния находятся численными методами, их использование для анализа конкретных физических явлений затруднительно, особенно при многообразии воздействий на центры.

Поэтому в диссертации рассмотрение тех или иных экспериментальных данных базируется на использовании метода эффективного (эквивалентного) гамильтониана, в котором внешние воздействия трактуются как малые операторные добавки к основному гамильтониану центра. Структура гамильтониана определяется требованиями симметрии, а его параметры (константы деформационного потенциала, g-фaктopы дырок) берутся из сопоставления с опытом. Немаловажным преимуществом такого подхода является сохранение физической наглядности рассматриваемых вопросов и простота интерпретации экспериментальных результатов.

Актуальность темы определяется необходимостью объяснения и прогнозирования свойств полупроводников, легированных центрами с глубокими уровнями, при внешних воздействиях (изотропная и одноосная деформации, магнитное поле). Подобный анализ возможен на основе феноменологических моделей центров.

Цель работы состоит:

1. В объяснении пьезоспектроскопических свойств глубокого акцептора 8пАя в ваАв в рамках одной модели центра.

2. В рассмотрении влияния внешней одноосной деформации на проявление электронно-колебательного взаимодействия в примесных комплексах полупроводниковых кристаллов.

3. В выяснении влияния случайных полей на структуру нейтрального акцептора и поляризацию люминесценции при переходах зона проводимости - акцептор в условиях внешней деформации.

Практическая и научная ценность работы обусловлена тем, что предлагаемая модель глубокого центра 8пм в ваАэ хорошо описывает имеющиеся экспериментальные данные и может способствовать дальнейшему развитию теории примесных полупроводников с глубокими уровнями.

Рассчитанная величина нагрузки, при которой происходит подавление эффекта Яна-Теллера, позволяет в экспериментальных условиях определить, какой вид искажений является преимущественным в данном центре полупроводника, и оценить величину энергии внутренних искажений.

Предлагаемый в работе способ учета влияния полей, создаваемых заряженными примесными центрами, позволяет определить концентрацию неконтролируемой примеси.

Научная новизна работы состоит в том, что впервые удалось объяснить все известные пьезоспектроскопические данные по центру 8пАз в ваАэ в рамках единой модели.

В отличие от работ, встречавшихся нам ранее, вид функции распределения случайно расположенных заряженных центров, позволяющей учесть их влияние на поляризационное отношение, получен из первых принципов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Модель глубокого примесного центра 8пАз в ваАв, согласно которой замещение мышьяка атомом олова ведет к возникновению в запрещенной зоне полупроводника двух близлежащих Г8-уровней - основного и возбужденного, дает возможность объяснить экспериментальные данные по смещению линии и поляризации ре-комбинационного излучения в поле внешней деформации Р||[001] и Р||[111] .

2. Эта же модель объясняет экспериментальные данные по рекомбинации эк-ситона, связанного на акцепторном центре 8пА8 в ваАв. Зависимость сдвига экситон-ной линии от величины давления Р для случаев Р||[001] и Р||[111] с учетом обменного взаимодействия дырок центра и экситона, полученная в рамках модели хорошо согласуется с экспериментом.

3. Внешнее одноосное давление Р||[001] приводит к углублению и смещению минимума адиабатического потенциала на ось [001] в случае взаимодействия с тетрагональными искажениями и к подавлению вибронного взаимодействия при некоторой деформации в случае взаимодействия с тригональными искажениями. И, наоборот, одноосная деформация Р||[111] подавляет тетрагональные искажения при определенном давлении и приводит к углублению и смещению минимума АП на ось деформации в случае взаимодействия с искажениями F-типа.

4. Предлагаемая модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора позволяет оценить концентрацию заряженных центров в полупроводнике. Оценка концентрации производится при сопоставлении рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси [001] с экспериментальными данными при низких температурах.

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах:

1. И.В. Костин, Е.Б Осипов, H.A. Осипова, Н.О. Сорокина. Роль возбужденного состояния в пьезоспектроскопических свойствах акцептора SnAs в GaAs // ФТП. - 1995. Т. 29, в.8. - С. 1382-1387. (0,17 п. л. / 0,04 п. л.)

2. Е.Б. Осипов, О.В. Воронов, И.В. Костин, H.A. Осипова, Н.О. Сорокина. Модель акцептора SnAs в GaAs в условиях внешней деформации и магнитного поля // ФТП. -1996. - Т. 30, в.12 - С.2149-2153. (0,14 п. л. / 0,03 п. л.)

3. Е.Б. Осипов, О.В. Воронов, Н.О. Сорокина, В.Б. Борисов. Влияние полей случайно расположенных в кристалле полупроводника заряженных центров на электронную структуру нейтральных акцепторов и поляризацию люминесценции при переходах зона проводимости - акцептор // ФТП.-1999. Т.ЗЗ, в. 5- С.580-582. (0,17 п. л. / 0,04 п. л.)

4. Костин И.В., Осипов Е.Б, Осипова H.A., Сорокина Н.О. Поляризация люминесценции при переходах электронов на уровень глубокого акцептора при замещении атомом олова атома мышьяка в GaAs // Депонировано в ВИНИТИ 05.07.94. № 1665-В94.-12с. (0,69 п. л./0,17 п. л.)

5. Воронов О.В., Костин И.В., Осипов Е.Б., Осипова H.A., Сорокина Н.О Влияние обменного взаимодействия дырок центра SnAs в GaAs на особенности движения и расщепления экситонной линии излучения в поле деформации // Депонировано в ВИНИТИ 02.03.95. № 593-В95. -13с. (0,75 п. л. /0,15 п. л.)

6. Воронов О.В., Костин И.В., Осипов Е.Б., Осипова H.A., Сорокина Н.О. Магнитооптические свойства центра SnAs, связывающего экситон в GaAs // Депонировано в ВИНИТИ 02.03.95. № 594-В95.-7с. (0,40 п. л. / 0,08 п. л.)

7. Осипов Е.Б., Воронов О.В., Костин И.В.,, Осипова H.A., Сорокина Н.О. Проявление взаимодействия с колебаниями Е-типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации // Депонировано в ВИНИТИ 30.11.95. № 3172-В95-12с. (0,69 п. л./0,14 п. л.)

8. Осипов Е.Б., Воронов О.В., Костин И.В.,, Осипова H.A., Сорокина Н.О. Проявление взаимодействия с колебаниями F-типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации // Депонировано в ВИНИТИ 17.04.96. № 1259-В96.-11с. (0,64 п. л./0,13 п. л.)

9. Осипов Е.Б., Воронов О.В., Костин И.В.,, Осипова H.A., Сорокина Н.О. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с неполносимметричными колебаниями в условиях внешней деформации // Депонировано в ВИНИТИ 26.06.96. № 2113-В96.-23с. (1,33 п. л. / 0,27 п. л.)

10. Осипов Е.Б., Воронов О.В., Сорокина Н.О., Борисов В.Б. Влияние полей случайно расположенных заряженных центров на поляризацию люминесценции // ФТТ,-2000.-t.42, №3-с.446-448. (0,17 п. л. / 0,04 п. л.)

11. Костин И.В., Осипов Е.Б, Осипова H.A., Сорокина Н.О. Поляризация люминесценции при переходах электронов на уровень глубокого акцептора в GaAs: Тезисы докл. XXXII научной конф. студентов и преподавателей ЧГПИ. - Череповец, 1994. -с.86-87. (0,06 п. л. / 0,015 п. л.)

12. Осипов Е.Б.,Воронов О.В., Костин И.В.,, Осипова H.A., Сорокина Н.О. Особенности вибронного взаимодействия в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации: Тезисы докл. всероссийской конф. «Химия твердого тела и новые материалы». - Екатеринбург, 1996. -Т.2. - С.212. (0,06 п. л. / 0,012 п. л.)

13. Осипов Е.Б., Воронов О.В., Осипова H.A., Осипова И.Е., Сорокина Н.О. Влияние случайных полей, создаваемых несовершенствами в кристаллах, на поляризацию люминесценции при одноосных давлениях в полупроводниках: Тезисы докл. VII

1еждунар. научно-технической конф. «Оптич., радиоволн., тепловые методы и тства контр, природной среды, матер, и пром. изделий».- Череповец, 1997.- С.159-1,17 п.л./0,03 п.л.) чпов Е.Б., Борисов В.Б., Осипова Н.А, Сорокина Н.О. Влияние полей слу-толоженных в кристалле полупроводника заряженных центров на поляри-несценции в условиях одноосной деформации при переходах с-зона -^ник трудов Международной конференции OS-98.- Ульяновск: изд-во 194. (0,06 п. л. / 0,015п. л.)

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Сорокина, Наталия Олеговна

Основные результаты главы:

1. Случайные поля в кристаллах, создаваемые заряженными примесями дают дополнительное расщепление уровня акцептора, которое, в силу хаотичности направления этих полей приводит к уменьшению степени поляризации люминесценции в условиях внешней одноосной деформации полупроводника.

2. Вместо обычного описания деполяризации излучения методом эффективной температуры, в главе предложена модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора в поле внешней одноосной деформации.

3. Вид функции распределения случайно расположенных заряженных центров, позволяющей учесть их влияние на поляризационное отношение, получен из первых принципов.

4. Сопоставление рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси [001] с экспериментальными данными при низких температурах позволяет оценить концентрацию заряженных центров.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сорокина, Наталия Олеговна, 2004 год

1. Queisser H.J. Festkörperprobleme X1. - Berlin, 1971. - S. 45-65.

2. Ройцин А.Б. Теория глубоких центров в полупроводниках // ФТП.- 1974. -Т.8. -№ 1.-С.З-29.

3. Bassani F., Landonisi G., Preriosi В. // Rep. Progr. Phys.-1974. -Vol.37- P.l 101.

4. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях А all ФТП,-1978. Т.12. - № 4.-С.625-652.

5. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях A B // ФТП,-1978. Т.12. - № 4. - С.625-652.

6. Мастеров В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках // ФТП.-1984. Т.18. - № 1.-C.3-23.

7. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977,- 562с.

8. Совещание по глубоким центрам в полупроводниках: Краткое содерж. докл. -Одесса.: 1972. 127с.

9. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors // Solid State Commun.-1965. Vol.3. - P.299-302.

10. Карпов В.Г., Колесников H.B. Расчет сечений фотоионизации некоторых примесных центров в кремнии // ФТП,- 1974. Т.8. № 10.- С.1987-1989.

11. Ярцев В.М. К теории оптического поглощения в полупроводниках с однооименно заряженными примесными центрами // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1974. - Т .15. - № 5. - С. 520-524.

12. Копылов A.A., Пихтин А.Н. Влияние температуры на спектры оптического поглощения глубокими центрами в полупроводниках// ФТТ.- 1974. Т. 16. - № 7.- С.1837-1843.

13. Ярцев В.М. К теории оптического поглощения в полупроводниках с глубокими уровнями в запрещенной зоне // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1975. -Т.16.- № 1.-С .3-8.

14. Виноградов B.C. Теория поглощения света в постоянном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем // ФТТ. 1971. - Т.13. - № 11.- С.3266-3274.

15. Осипов Е.Б., Яковлев В.А. О влиянии штарковского квантования на поглощение света глубокими примесями // ФТП,- 1974. Т.8. - № 8. - С. 15771582.

16. Гринберг В.А. Фотоионизация глубоких примесных центров в квантующем магнитном поле // ФТП,- 1974. Т.8. - № 5. - С.1000-1003.

17. Осипов Е.Б., Яковлев В.А. О влиянии магнитного и электрического полей на поглощение света глубокими примесями. // ФТП,- 1974. Т.8. - № 12.- С.2325-2328.

18. Бонч-Бруевич B.JI. К теории захвата носителей заряда глубокими ловушками в гомеополярных полупроводниках // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1971. -Т.12. - № 5. - С.586-593.

19. Бонч-Бруевич B.J1. К теории захвата носителей заряда глубокими ловушками в гомеополярных полупроводниках. Захват горячих электронов // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1971. - Т.12. -№ 6. - С.631-636.

20. Перель В.И., Яссиевич И.Н. Модель глубокого примесного центра в полупроводниках в двухзонном приближении // ЖЭТФ.- 1982. Т.82. № 1.-С.237-245.

21. Колчанова Н.М., Логинова И.Д., Яссиевич И.Н. Фотоионизация глубоких h-центров в полупроводниках // ФТТ.- 1983. Т.25. - № 6. - С. 1650-1659.

22. Осипов Е.Б., Осипова H.A. Двухфотонные межзонные переходы электронов через глубокие примесные уровни в узкозонных полупроводниках // ФТП.-1983. Т.17. - № 12. - С.2216-2218.

23. Колчанова Н.М., Сиповская М.А., Сметанникова Ю.С. Экспериментальное определение характеристик глубоких центров в кристаллах АШВУ на основе двухзонной модели // ФТП,- 1982. Т.16. - № 12.- С.2194-2196.

24. Имамов Э.З., Пахомов А.А., Яссиевич И.Н. Модель глубокого примесного центра в многодолинных полупроводниках // ЖЭТФ.- 1987. Т.93. - №10.-С.1410-1418.

25. Аверкиев Н.С., Ребане Ю.Т., Яссиевич И.Н. Потенциал ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках // ФТП,-1985. Т.19. - № 1.-С.96-100.

26. Абакумов В.Н., Меркулов И.А., Перель В.И., Яссиевич И.Н. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ.- 1985. Т.89. -№10. - С.1472-1486.

27. Lindefelt U., Zunger A. Quasibands in Green's function defect models // Phys. Rev. -1981, Vol.24, № 10. P.5913-5931.

28. Lindefelt U., Zunger A. Quasiband cristal-field method for calculating the electronic structure of localized defects in solids // Phys. Rev.-1982. Vol.26, № 2. - P.846-895.

29. Fazzio A., Caldas M.J., Zunger A. Many electron multiplet effects in the spectra of 3d impurities in heteropolar semiconductors // Phys. Rev. -В., 1984. Vol.30, № 6. -P.3430-3455.

30. Caldas M.J., Fazzio A., Zunger A. A universal trend in the binding energies of deep impurities in semiconductors // Appl. Phys. Lett. 1984. - Vol.45, № 6. - P.671-673.

31. Katayama-Yoshida H., Zunger A. Calculation of the spinpolarized electronic structure of an interstitial iron impurity in silicon // Phys. Rev. B. 1985. - Vol.31, № 12. - P.7877-7899.

32. Haldane F.D.M., Anderson P.W. Simple model of multiple charge state of transition-metal impurities in semiconductors // Phys. Rev. B. 1976. - Vol.24, № 6. - P.2553-2559.

33. Fleurov V.N., Kikoin К. A. On the theory of the deep levels of transition metal impuries in semiconductors // J. Phys. C. 1976. - Vol.9, № 9. - P. 1673-1683.

34. Ильин Н.П., Мастеров В.Ф. Электронная структура глубоких центров в GaAs // ФТП,- 1977.- Т.П. № 8. - С.1470-1477.

35. Рantelides S.T. // Rev. Mod. Phys. 1978. - Vol.50, № 4. - P.797-858.

36. Jaros M. // Adv. Phys. 1980. - Vol.29, № 2. - P.409-525.

37. Pantelides S.T. // Sol. St. Commun. 1973. - Vol.14. - P.1255.

38. Pantelides S.T, Sah C.T. // Sol. St. Commun. 1972. - Vol.11. - P.1713.

39. Pantelides S.T, Sah C.T. // Phys. Rev. 1974. - Vol.lOB. - P.621.

40. Jaros M, Ross S.F. J. // Phys. C: Sol. St. Phys.-1973. Vol.6. - P.3451.

41. Ross S.F, Jaros M. // Phys. Lett. -1973. Vol.45A. - P.355.

42. Jaros M. J. // Phys. C: Sol. St. Phys. 1975. - Vol.8. - P.2455.

43. Jaros M. J. // Phys. C: Sol. St. Phys. 1975. - Vol.8. - P.2550.

44. Ross S.F, Jaros M. // Sol. St. Commun. 1973. - Vol.13. - P.1751.

45. Jaros M. J. // Phys.C: Sol. St. Phys. 1971. - Vol.4. - P.2979.

46. Animaly A, Heine V. // Phil. Mag. 1965. - Vol.12. - P. 1249.

47. Abarenkov J, Heine V. // Phil. Mag. -1965. Vol.12. - P.529.

48. Cohen M.L, Bergstresser Т.К. // Phys. Rev. 1966. - Vol.141. - P.789.

49. Lannoo M„ Decarpigny J.N. // Phys. Rev. 1973. - Vol.8. - P.5704.

50. Decarpigny J.N, Lannoo M. // J. de Phys. 1973. - Vol.34. - P.651.

51. Lannoo M. // J. de Phys. 1973. - Vol.34. - P.869.

52. Lohez D, Lannoo M. // J.de Phys. 1974. - Vol.35. - P.647.

53. Kane E.O. Band Structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Sol. 1957. -Vol.1, № 4. - P.249-261.

54. Келдыш Jl.B. Глубокие уровни в полупроводниках // ЖЭТФ.- 1963. Т . 45. -№.1,- С.364-375.

55. Kohn W, Luttinger J.M. // Phys. Rev. 1955. - Vol.97. - P.869.

56. Kohn W, Luttinger J.M. // Phys. Rev. 1955. - Vol.97. - P. 1727.

57. Kohn W., Luttinger J.M. // Phys. Rev. 1955. - Vol.98. - P.915.

58. Lax M. // Phys. Rev. 1960. - Vol.119. - P. 1502.

59. Bethe H., Peierls R. Quantum theory of the deuteron // Proc. Roy. Soc. 1935. -Vol.148, № 1. - P.146-152.

60. Базь A.M., Зельдович Я.Б., Переломов A.M. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике. М.: Наука, 1966.- 340с.

61. Демков Ю.Н., Островский В.Н. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. JL: Изд. Ленингр. ун-та, 1975,- 240с.

62. Берестецкий В.Б., Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Квантовая электродинамика. -М.: Наука, 1989.- 728с.

63. Burstein Е., Picus G., Henvis В., Wallis R.J. J. // Phys. Chem. Sol. 1956. - Vol.1. -P.65.

64. Newman R. // Phys. Rev. 1955. - Vol.99. - P.465.

65. Messenger R.A., Blakemore J.S. // Sol. St. Comm. 1971. - Vol.9. -P.319.

66. Zavadskii Ju.J., Kornilov B.V. // Phys. St. Sol. 1970. - Vol.42. - P.617.

67. Messenger R.A., Blakemore J.S. //Phys. Rev. B: Sol. St. 1971. - Vol.4, № 6. -P.1873-1876.

68. Завадский Ю.Н., Корнилов Б.В. Оптическое поглощение в кремнии п-типа, легированном цинком // ФТП. 1971. - Т.5. - № 1. - С.69-76.

69. Rosier L.L., Sah C.F. // J. Appl. Phys. 1971. - Vol. 42. - P.4000.

70. Blatte M., Willmann F. // Opt. Communs. -1971.-Vol.4. P. 178.

71. Burstein E., Picus G., Sclar N. // Photoconductivity Conference. 1956. -Wiley, NewJork. - P.353.

72. Blakemore J.S., Sarver C.E. // Phys. Rev. 1968. - Vol.173, № 3. - P.767.

73. Перель В.И., Яссиевич И.Н. // Материалы X Зимней школы по физике полупроводников. 1983. - Ленинград. - С.4-25.

74. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. -М.: Наука, 1989.- 768с.

75. Luttinger J.M. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: general theory // Phys. Rev. 1956. - Vol.102, № 4. - P. 1030-1041.

76. Conrott S., Kleiman L. //Phys. Rev.-1963. Vol.132. - P.1080.

77. Schairer W., Bimberg D., Kottier W., Cho K., Schmidt M. Piezospectroscopic and magneto-optical study of Sn acceptor in GaAs // Phys. Rev. В.- 1976.- Vol.13, № 8. -P.3452-3466.

78. Костин И.В., Осипов Е.Б., Осипова H.A., Сорокина H.O. Роль возбужденного состояния в пьезоспектроскопических свойствах акцептора SnAs в GaAs// ФТП.-1995. Т.29. - № 8.- С.1382-1387.

79. Осипов Е.Б., Воронов О.В., Костин И.В., Осипова Н.А, Сорокина Н.О. Модель акцептора SnAs в GaAs в условиях внешней деформации и магнитного поля// ФТП. 1996. - Т.30. - № 12,- С.2149-2153.

80. Костин И.В., Осипов Е.Б, Осипова H.A. Константы деформационного потенциала глубоких акцепторов в модели короткодействующего потенциала центра // ФТП,- 1993. Т.27. - № 10,- С.1743-1746.

81. И.Б.Берсукер. Строение и свойства координационных соединений. -Ленинград.: Химия, 1971.-312с.

82. Аверкиев Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е.Б., Седов В.Е. Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении // ФТП,- 1987. -Т.21. № 3. - С.415-420.

83. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972,- 584с.

84. U.Opik, M.H.L.Pryce // Proc.Roy.Soc. 1957. - А. 238. - Р 425.

85. Б.И.Шкловский, А.Л.Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979. 416с.

86. Аверкиев Н.С., Адамия З.А., Аладашвили Д.И., Аширов Т.К., Гуткин A.A., Осипов Е.Б., Седов В.Е. Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние ян-теллеровского центра Cuoa в GaAs // ФТП,-1987. Т.21. - № 3.-С.421-426.

87. Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин A.A. Анизотропное подавление эффекта Яна-Теллера в глубоких примесных центрах в полупроводниках при одноосном давлении // ФТТ.-1982. Т.24. - № 7,- С.2046-2052.

88. Аверкиев Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е.Б., Седов В.Е. Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении // ФТП.-1987. -Т.21. № 3. - С.415-420.

89. Аверкиев Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е.Б., Рещиков М.А. Роль обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических эффектах, связанных с центром Мп в GaAs // ФТП. -1987. Т.21. - № 10. - С. 1847-1853.

90. Аверкиев Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е.Б., Седов В.Е., Цацульников А.Ф. Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра CuGa в GaAs // ФТТ.-1990.- Т.32. № 9. -С.2667-2676.