Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Трифонов, Олег Александрович

• Трифонов, Олег Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Трифонов, Олег Александрович

1.1 1.2 1.2.1 1.2.2 1.2.2.1 1.2.2.2 1.

Глава

Содержание.

Влияние электрического поля на вероятность безызлучательных и оптических переходов с участием глубоких центров в GaAs.

Основные электрофизические свойства GaAs.

Дефекты в GaAs

Примеси

Собственные дефекты

Ловушка EL

Комплексы V(ja-D

Электронно-колебательные переходы в полупроводниках в присутствии электрического 24 поля

Однокоординатная модель

Модели, описывающие электронно- колебательные переходы с глубоких примесных центров в сильных электрических полях

Выводы

Создание барьеров Шоттки Ti-GaAs и исследование их электрических характеристик 35 Создание на исследуемых пластинах GaAsiTe поверхностно - барьерных контактов металл-полупроводник

Методика и погрешности измерения распределения концентрации дефектов вблизи контакта металл-полупроводник. Расчет концентрационных профилей барьеров Шоттки

Исследование вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки

Измерение прямых вольтамперных характеристик и определение высоты потенциального барьера

Применение методов рекомбинационной спектроскопии для определения параметров глубоких уровней

Исследование обратных вольтамперных характеристик барьеров Шоттки

Исследование спектров термостимулированной емкости барьеров Шоттки

Установка для измерения термостимулированной емкости. Методика эксперимента

Определение параметров глубоких уровней с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата

Выводы

Глава 3 Исследование спектров фотолюминесценции

3.1 Экспериментальное определение форм-функции оптического перехода по спектрам фотолюминесценции

3.1.1 Методика измерения спектров фотолюминесценции

3.1.2 Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs

3.1.3 Расчет форм-функции излучения для комплекса VGaTeAs в GaAs из экспериментальной полосы люминесценции

3.2 Расчет моментов форм-функций оптических переходов и анализ характеристик электронных переходов

3.2.1 Расчет первых моментов полос излучения комплексов VciaTeAs

3.2.2 Анализ моментов полос излучения комплексов VGaTeAs

3.3 Определение параметров электрон-фононного 79 взаимодействия. Построение конфигурационно-координатных диаграмм

3.4 Выводы

Глава 4 Расчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях

4.1 Расчет вероятности термополевых переходов

4.1.1 Квантово-механический расчет вероятности безызлучательного перехода с локализованных состояний глубоких центров

4.1.2 Расчет вероятности фотоионизации глубоких центров в сильных электрических полях

4.2 Измерение сечений фотоионизации электронов на глубоком центре комплекса VoaTeAs в GaAs

4.3 Расчет форм-функции полосы оптического поглощения комплекса VoaTeAs

4.3.1 Расчет форм-функции полосы поглощения комплекса VcaTeAs из экспериментальных спектров сечения фотоионизации

4.3.2 Расчет форм-функции полосы поглощения комплекса VGaTeAs из форм-функции полосы его 102 излучения

4.3.3 Сравнение форм-функций полосы поглощения комплекса VoaTeAs, полученных разными методами при различных полях

4.3.4 Моделирование полевой зависимости вероятности фотоионизации, комплекса VoaTeAs в GaAs. на основании форм-функции полосы оптического поглощения

4.4. Влияние термополевых процессов на обратные В АХ

4.5 Выводы

Глава 5 Анализ механизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик полупроводниковых 118 приборов на основе GaAs

5.1 Описание образцов. Влияние процессов нестационарного изменения степени заполнения глубоких уровней EL2 на спектр термостимулированной емкости

5.2 Вольтамперные характеристики

5.2.1 Экспериментальное определение и моделирования дифференциального показателя наклона

5.2.2 Определение соотношения коэффициентов захвата глубоких центров методами рекомбинационной спектроскопии

5.3 Моделирование процессов туннельной 135 рекомбинации

5.4 Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия»

Актуальность темы. Физические процессы, происходящие в области пространственного заряда (ОПЗ), являются важнейшими для понимания механизмов функционирования полупроводниковых приборов, их параметров и качества. Важность исследований таких процессов особенно возрасла после перехода к планарной технологии при изготовлении приборов для микроэлектроники и вычислительной техники, когда практически весь рабочий объем прибора стал представлять собой ОПЗ. N

Важнейшими задачами создания сверхбыстродействующих схем вычислительной техники и обработки информации являются повышение быстродействия и уменьшение потребляемой мощности. При этом первая задача решается путем выбора полупроводниковых материалов с высокой подвижностью носителей заряда, а вторая - снижением рабочих напряжений приборов. В связи с этим расширяется использование диодов Шоттки на основе соединений А3В5 в СВЧ технике, оптике и оптоэлектронике.

Одним из направлений развития СВЧ электроники является ч использование полевых транзисторов на основе арсенида галлия. Данный материал имеет высокую подвижность электронов, что обеспечивает работу в диапазоне до 10 ГГц. Однако механизмы формирования обратных токов как контактов металл-полупроводник, так и р-п-переходов на основе арсенида галлия в значительной мере отличаются от классических и исследованы еще не достаточно. В частности в указанных выше структурах наблюдаются аномально сильные полевые зависимости обратного тока, что не описывается ни теорией Шоттки, в том числе с учетом влияния сил зеркального изображения, ни генерационно-рекомбинационной теорией. В связи с этим изучение механизмов протекания тока в обратносмещенных структурах с ОПЗ является важной и актуальной задачей.

Анализ научной литературы показывает, что важную роль в формировании обратных вольтамперных характеристик (ВАХ) играют термополевые и туннельные процессы. На величину вероятности таких переходов оказывает сильное влияние электрон-фононное взаимодействие. В связи с этим актуальным является развитие физических моделей, описывающих подобные переход, разработка моделей определения параметров электрон-фононного взаимодействия, а также алгоритмов расчета полевых зависимостей термических и туннельных переходов по экспериментально определенным характеристикам рекомбинационных уровней, участвующих в процессе токопереноса.

Отмеченные выше проблемы решаются в рамках данного диссертационного исследования, а результаты исследования апробируются ч с использованием различных структур на основе арсенида галлия. В связи с этим тема диссертации является актуальной.

Целью работы является изучение термополевых механизмов формирования обратных вольтамперных характеристик структур с областью пространственного заряда, разработка и апробация физических моделей для расчета вероятностей термополевых переходов с учетом электрон-фононного взаимодействия.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

1. разработка алгоритмов расчета вероятностей термополевых переходов в сильных электрических полях с учетом влияния электрон-фононного взаимодействия в структурах на основе арсенида галлия;

2. определение параметров глубоких рекомбинационных центров в контактах металл-полупроводник, на основе арсенида галлия, содержащего комплексы вакансия галлия - теллур, вакансия галлия -кремний и ловушку EL2, а также полевых транзисторах и р-п-переходов на основе данного материала;

3. определение различными методами параметров электрон-фононного взаимодействия и форм-функций оптических переходов, используемых для расчета вероятностей термополевых переходов;

4. экспериментальная проверка достоверности расчета вероятностей термополевого перехода, сделанными различными методами. N

Научная новизна работы.

1. Научно обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы вычисления вероятности термополевых переходов на основании знания параметров глубоких рекомбинационных центров.

2. Доказано, что электрон-фононное взаимодействие играет решающую роль среди процессов, определяющих вероятность термополевых переходов с центров, образованных комплексами вакансии галлия с теллуром, а также ловушками EL2.

3. Показано, что в р-п-переходах, на основе арсейида галлия имеют место туннельно-рекомбинационные токи. Доказано, что при концентрации ловушек EL2 в области пространственного заряда р-n- перехода больше, чем 3-Ю15 см"3 вероятность туннельно-рекомбинационных процессов достаточна для создания плотности тока величиной более 10"9 А-см"2, что является критичным для полевых транзисторов.

Практическая ценность.

1. Разработаны новые экспериментальные методы определения параметров электрон-фононного взаимодействия на основании исследования спектров люминесценции и поглощения с участием уровней рекомбинации.

2. Разработан метод оценки параметров уровней, лежащих у середины запрещенной зоны, например EL2 в арсениде галлия, на основании стационарных температурных зависимостей емкости структур с областью пространственного заряда.

3. Разработаны программные продукты, которые могут найти применение в обработке экспериментальных результатов: ВАХ, вольтфарадных характеристик (ВФХ), спектров термостимулированной емкости (ТСЕ) и спектров фотолюминесценции.

Основные положения, выносимые ша защиту:

1. Разработанные в работе алгоритмы вычисления параметров термополевых переходов, основанные на модели электрон-фононного взаимодействия, адекватно описывают ВАХ приборов на основе ч арсенида галлия.

2. Особенности температурных зависимостей емкости области пространственного заряда структур на основе арсенида галлия обусловлены обменом электронов и дырок между уровнем, лежащим у середины запрещенной зоны, одновременно с зоной проводимости и валентной зоной.

3. Параметры электрон-фононного взаимодействия (энергия чисто электронных, термических и оптических переходов, фактор Хуанга и Рис, потенциалы основного и возбужденного состояний комплексов), определенные из фотоемкостных измерений, позволяют рассчитывать полевые и температурные зависимости обратных токов структур на основе арсенида галлия.

4. Основную роль в формировании обратных токов в арсениде галлия играют ловушки EL2. При концентрации выше чем 3-1015 см'3 они приводят к появлению туннельно-рекомбинационных токов, при меньших концентрациях участвую в термополевых переходах.

Апробация работы. По материалам диссертации были представлены тезисы и доклады на следующие конференции: Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (г. Ульяновск, 2004г.; Ульяновск, 2005г.; Ульяновск, 2006г.).

Публикации. Основные результаты диссертации представлены в 11 печатных работах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, списка литературы. Диссертация изложена на 163 листах, содержит 53 рисунка, 10 таблиц, список литературы из 163 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Трифонов, Олег Александрович

Основные выводы

1. Однокоординатная модель может быть использована для описания полос фотолюминесценции комплекса УоаТеА8 в GaAs. Параметры электрон-фононного взаимодействия комплекса V(jaTeAs такие, как энергии чисто электронного, термического и оптических переходов, фактор Хуанга и Рис, частоты эффективных фононов - хорошо описывают электронные переходы между основным и возбужденным состояниями комплексов, что позволяет построить конфигурационно-координатную диаграмму этого центра.

2. Проведены расчеты форм-функции полосы поглощения комплекса VCiaTeAs в арсениде галлия. Получены данные о влиянии внешнего электрического поля на изменения моментов форм-функции полосы поглощения. Показано, что в электрических полях уменьшается величина энергии чисто электронного перехода между основным и возбужденным электронными состояниями комплекса V(iaTeAs, что приводит к уменьшению величины зазора-между адиабатическими потенциалами комплекса на конфигурационной диаграмме.

3. Рассчитаны параметры электрон-фононного взаимодействия ловушки EL2 и моделированием ВАХ диода Шоттки доказано определяющее значение электрон-фононного взаимодействия для вероятности термополевых переходов с центров, образованных комплексами вакансии галлия с теллуром, а также ловушками EL2.

4. Показано, что при малом уровне инжекции прямые ВАХ р-п-перехода на основе арсенида галлия определяются процессами туннельной рекомбинации через ловушку "EL2. Доказано, что при концентрации ловушек EL2 в ОПЗ р-п- перехода больше, чем 3-1015 см"3 вероятность туннельно-рекомбинационных процессов

9 2 достаточна для создания плотности тока величиной более 10" А-см*, что является критичным для полевых транзисторов.

5. Теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы вычисления вероятности термополевых переходов на основании знания параметров глубоких рекомбинационных центров.

6. Предложен алгоритм расчета параметров глубоких центров в ОПЗ полупроводниковых приборов из анализа кривых термостимулированной емкости при наличии центров рекомбинации, лежащих у середины запрещенной зоны.

Основное содержание диссертации отражено в следующих публикациях

1. Булярский С.В., Трифонов О.А. Определение параметров глубоких уровней р-п-переходов на основе GaAs по дифференциальным коэффициентам вольт-амперных характеристик. // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 2004 г. Вып. 1 (16), с. 11

2. Булярский С.В., Трифонов О.А. Определение параметров глубоких уровней GaAs светоизлучающих диодов методами рекомбинационной спектроскопии. // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 2004 г. Вып. 1 (16), с.7

3. Трифонов О.А. Разработка автоматизированной установки для измерения вольт-амперных характеристик. // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 2004 г. Вып. 1 (16), с. 79.

4. Булярский С.В. Трифонов О.А. Влияние стационарных процессов изменения заполнения ловушек вблизи середины запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости. // Труды международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 2004г., с. 100.

5. Трифонов О.А. Программа обработки результатов физических экспериментов. // Государственная регистрация в «Национальном информационном фонде неопубликованных документов», номер государственной регистрации 50200401491,20.12.2004

6. Трифонов О.А. Комплекс программ управления автоматизированными установками для диагностики полупроводниковых приборов. // Государственная регистрация в «Национальном информационном фонде неопубликованных документов», номер государственной регистрации 50200401493, 20.12.2004

7. Трифонов О.А. Влияние стационарных процессов изменения заполнения ловушек вблизи запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости. // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 2005 г. Вып. 1 (17), с.91.

8. Булярский С.В. Трифонов О.А. Определение параметров глубоких уровней GaAs светоизлучающих диодов методами рекомбинационной спектроскопии. // Труды международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 2005г., с. 74.

9. Булярский С.В. Жуков А.В. Трифонов О.А. Вычисление параметров электрон-фононного взаимодействия VoaTeAs в GaAs. // Труды международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 2006г., с. 4.

10. Булярский С.В. Жуков А.В. Трифонов О.А. Расчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях. // Труды международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 2006г., с. 5.

11. Булярский С.В., Жуков А.В., Светухина О.С., Трифонов О.А. Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов // ФТП, 2006 г., т.40, вып. 9.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Трифонов, Олег Александрович, 2006 год

1. Арсенид галлия в микроэлектронике // под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена, М., «Мир», 1988.

2. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп,- М. «Мир», 1967.

3. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа АЗВ5)// под ред. Р. Уилардсона, М., «Мир», 1970.N

4. Фистуль В.И. Определение глубокого уровня меди в GaAs методом туннельной спектроскопии// ФТТ, 1964, т.6, в. 12, с.3738.

5. Fuller C.S., Wolfstirn КВ., Allison H.W. Hall-Effect levels produced in Te-doped GaAs crystals by Cu diffusion// Journ. Appl. Phys., 1967. v.38, p.2873.

6. Furukawa Y., Kajiyama K., Aoki T. Copper diffused Galliun Arsenide p~n junctions// Japan. Journ. Appl. Phys., 1966, v.5, p.39.

7. Аверкиев H.C., Гуткин A.A., Осипов Е.Б. и др. Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием наSстроение и пъезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAsZ //ФТП, 1991, т.25, в. 11, стр.1976.

8. Gutkin А.А. Anisotropic acceptors induced in GaAs by group I elements Cu, Ag, Au: Properties and trends // Proc. Of the 1st National Conf. On Defects in Semiconductors. St. Petersburg, Russia, 1992, p. 13.

9. Глинчук К.Д., Прохорович A.B., Родионов B.E. О схеме рекомбинационных переходов, обуславливающих появление полос излучения с hvm «1.0, 1.2 и 1.3 3BBn-GaAs//0>Tn, 1977, т. 11, в. 1, стр.35.

10. Шишияну Ф.С., Болтакс Б.И. Об энергетических центрах Ag и Au вN

11. GaAs// ФТТ, 1966, т.8, в.7, с. 1312.

12. Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин А.А., Осипов Е.Б. и др. Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений акцептора AuGa в

13. GaAs при низких температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации//ФТП, 1991, т.25, в. 11, стр.1967.

14. Fujisaki У., Takano Y., Ishiba Т. Dependence of Deep Level Concentration on Nonstoichiometry in MOCVD GaAs // Japan. Journ. AppL Phys., 1985, v.24, No.ll, p.899.

15. Ai-zhen Li, Milnes A.G., Chen Z.Y., Shao Y.F. Germanium incorporation in heavili doped molecular beam epitaxy grown GaAs:Ge// Journ. Vac. Sci. Technol. B, 1985, v.3,n.5, p.629.

16. Banwell T.C., Nicolet M.A. Saturation of Si activation at high doping levels in GaAs// Phys, Chem. Solids, 1983, v.44, No 6, p.507.

17. Takamori Т., Fukunaga Т., Kobayashi J. Electrical and Optical Propertiesof Si Doped GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy on (311) Substrates // Ik Japan. Journ. Appl. Phys., 1987, v.26, No 7, p. 1097.

18. Weber E.R., Kaminska M. Defects relevant to compensation in semi-insulating GaAs II Semi-Insulating III-V Mater.: Proc. 5th Conf., 1988, Malmo, Sweden, p.lll.

19. Мокеров В.Г., Федоров A.B., Гук А.В. и др. Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 1998, т.32, №9, стр.1060.

20. Милне А. Глубокие уровни в полупроводниках. М., «Мир», 1978.ч

21. Gutkin A., Reshchikov M. Sedov V. Distortions of vacancy complexes in n-GaAs and their reorientation under uniaxial stress // Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 1995, v.44, No 2/3, p.212.

22. Соловьева E.B., Рытова H.C., Мильвидский М.Г., Ганина Н.В. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалентными примесями//ФТП, 1981, т. 15, в. 11, стр.2141.

23. Sette F., Paerton S.J., Poate J.M., Rowe J.E. Local Structure of S Impurities in GaAs // Phys. Rev. Let., 1986, v.56, No 24, p.2637.

24. Ikoma Т., Taniguchi M., Noge R. Deep Level Characterization in LEC GaAS// Extended Abstracts of 15th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokio, 1983,p.l49.

25. Harper J.G., Mathews H.E., Bube R.H. Two-carrier Photothermoelectric Effects in GaAs// Journ. Appl. Phys., 1970, v.41,p.3182.

26. Ainslie N. G., Woods J. F. Electrical Properties and Deep Levels forN

27. GaAs// J. Appl. Phys., 1963, V.35, p. 1469.

28. Mircea A., Mitormeau A. A specific trap level at 78 meV in undoped liquid encapsulated Czochralski grown GaAs-Si maerials //Appl. Phys. 1976. V.48. p.53.

29. Lagovsky J., Gatos H. C, Parsey J. M. Luminescence and photocapacitance studies of native double acceptor in GaAs // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40. P.324.

30. Фарвак Ж. Л., Грюсон Б. Изучение взаимодействия дислокаций и комплексов EL2 в полуизолирующем GaAs методом фотопроводимости //N

31. Известия АН СССР серия физическая, 1987, Т.51, №9, С. 1473.

32. Vincent G., Bois D., Chantre A. . Defects in semi-insulating gallium arsenide // Appl. Phys. 1982. V.53. p.3643.

33. Weber E. R., Ennen H. Correlation of the EL2 Defect with Mechanically Induced Stress // J. Appl. Phys. 1982. V.53. p.6340.

34. G.Martin and S.Makram-Ebeid Deep centers in semiconductors // Phys. Rev. Let., 1986, V.54,No2, p.416.

35. Kuzsko W., Jezewsky M. The study of the excitation of EL2 to the metastabile state //Act. Phys. Pol. V.A77. P.55.

36. Mochizuki Y., Ikoma T. Identification of EL2 meangap level in GaAS // Phys. Rev. Lett. V.59. p.590.

37. Tajima M. Characterization of EL2 level in semi-insulating GaAs by room-temperature photoluminescence // Paper present. At 5th Conf. On Semi-insulating III-V materials. Malmo. Sweden. 1988. P.571.

38. Silverberg P., Omling P. Samuelson L. Optica. cross sections of the two energy levels of EL2 in GaAs // Paper present. At 5th Conf. On Semi-insulating III-V materials. Malmo. Sweden. 1988. P.369.

39. Jimenes J., Alvares A. 0.8 eV excitation of the quenched EL2* level in semi-insulating GaAs//J. Appi. Phys. 1989. V.5. p.2221.

40. Manasreh M.O., Mitchel W.S. Fischer D.W. Observation of the second energy 1 level of the EL2 defect in GaAs by the infrared absorption technique // Appl. Phys. Lett., 1989, V.55,No9, P.864.

41. Kuhn K.J., Sigmon T.W. Corelation of the EL2 Defect with Thermally Induced Stress // Semi-Insulating III-V Mater.: Proc. 4th Conf, 1986, Tokio, p.373.

42. Baraff G. A., Schluter M. Electronic structure and binding energy of the Ab(ja-As, pair in GaAs: EL2 and the mobility of interstitial arsenic// Phys. Rev. B, 1987, V.35,No 12,p.6154.

43. Trautman P., Walczak J.P., Baranowski J.M. Piezospectroscopic study of the EL2 defect in GaAs // Act. Phys. Pol., 1990, V.A77, No 1, p.51.

44. Chichibu S., Ohkubo N. EL2 deep level distribution under controlled As pressure annealing of LEC GaAs // Paper present. At 5th Conf. On Semi-insulating III-V materials. Malmo. Sweden, 1988, p.413.

45. Baraff G. A., Lanoo M. Model of the donor deep level EL2 in GaAs // Materials Research Society Symposium Proceeding, Vol.104: Defects in Electronic Materials, Boston (1987). P.375.

46. Baraff G. A., Schluter M. Structure and energy levels of the EL2 as the AsCja-A&l pair in GaAs // Phys. Rev. B. 1987. V.35. p.5929.

47. Kaminska M., Skowronski ML, Kuzko W. Identification of the 0.8 eV electron trap EL2 in GaAs as isolated antisite defect // Phys. Rev. Lett., 1985, v.55, p.2204.

48. Baraff G. A., Lanoo M. The AsGa-Asj pair in GaAs. The simplest member of EL2 family//Phys. Rev. B. 1989-1. V.40. p. 1030.

49. Jimenez J., Alvares A. Photocapacitance studies of the EL2 deep trap in GaAs optical cross section, energy level and concentration // Phys. Rev. 1989. V.39 p.8193.

50. Tajima M. Distribution of deep level parameters in spectra analysis of DLTS: EL2 deep donor/// Appt. Phys. Lett. 1990. V.41. p.6612.

51. Honkis M., Weber E. R. Determination of deep energy levels in GaAs by MOS Technique II Phys. Rev. 1989. V.39. p.8538.

52. Kadota Y., Chino K. Deep-Level Transient Spectroscopy of Plastically-Bent Epitaxial GaAs II Japan. Journ. Appl. Phys., 1983, v.22, No 10, p. 1563.

53. Desnica U.V., Boskovic R. Defects in semi-insulating gallium arsenide // Fizika, 1989, v.21, Suppl.l,p.245.

54. Lagowski J., Lin D.G., Gatos H.C. Real and apparent effects of strong electric fields on the electron emission from midgap levels EL2 and ELO in GaAs // Appl. Phys. Lett, 1984, v.45, No 1, p.89.

55. Воробкало Ф.М., Глинчук К.Д., Прохорович A.B. Гашение атомам меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия // ФТП, 1997, т.31, №9, стр. 1045.ч

56. Williams Е. W. Evidence of self-activated luminescence in GaAs. The gallium-donor centre//Phys. Rev. 1968, v. 168, p.922.

57. Hwang C.J. Optical properties of n-type GaAs. Formation of efficient hole traps during annelingin Te-doped GaAs // J. Appl. Phys., 1969, v.40, p.4584.

58. Williams E. W. Photoluminescence II: Gallium arsenide.// Semiconductors and Semimaterials, v.8,1972, P.321.ч

59. Мильвидский М.Г., Прошко Г.П., Шершакова И.Н. Особенности спектральных характеристик фотолюминесценции арсенида галлия, легированного элементами IV группы // Науч. Труды Гиредмета, 1972, т.46, №2, стр.56.

60. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Прошко Г.П., Шершакова И.Н. О природе дефектов в GaAs, сильно легированных телуром // ФТП, 1972, т.О, в.Т, с.224.

61. Вовненко В.И., Глинчук К.Д., Лукат К., Прохорович А.В. Изменение рекомбинационных и колебательных свойств глубоких центров люминесценции при пластической деформации GaAs //ФТП, 1981, т. 15, Б,6. стр.1003.

62. Фальковский Л.А., Бродовой А.Б. и др. Спектр фотолюминесценции арсенида галлия, легированного Si и Sn // ЖЭТФ. 1981. Т.80. в.1. с.334.

63. Буянова И. О., Остапенко С. С, Шейнкман М. К. Наблюдение дефектов в GaAs<S> методом НСГУ// ФТП. 1985. Т.27. в.З. с.748.

64. Андрианов Д.Г., Кузнецов В.Д. и др. Фотолюминесценция n-GaAs, выращенного методом газофазной эпитаксии // ФТП. 1987. Т.21. в.6. с. 1106.

65. Джумамухабетов Н.Г., Дмитриев А.Г. Фотолюминесценция модифицированных кристаллов GaAs<Te>// ФТП. 1988. т.22. в. 10. с. 1880.

66. Оборина В. И., Мелев В. Г. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного одновременно серой и оловом // Неорг. Матер., 1989, т.21, №1,с.5.

67. Аверкиев Н.С, Гуткин А.А., Рещиков М.А. Сосновский В.Р. Оптическая анизотропия центра, взывающего полосу фотолюминесценциис максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs:Te. Поляризованная фотолюминесценция//ФТП. 1991, Т.25. B.l. С.50.

68. Averkiev N.S., Gutkin А.А., Reshchikov М.А., Sosnovskii V.R. Symmetry of VGaTeAs complex in GaAs and its reorientation at low temperature // Proc. Of the 1st Natuonal Conf. On Defects in Semiconductors. St. Petersburg, Russia, 1992, p.31.

69. Аверкиев H. С, Гуткин А. А. Осипов Е.Б., Рещиков M. A. A. Сосновский В.Р. Симметрия комплекса VGaTeAs в GaAs и его переориентация при низких температурах // ФТП. 1992. Т.26. в.7. с. 1269.

70. Джумамухабетов Н.Г., Дмитриев А.Г. К вопросу о природе полосы излучения (1.23-1.25) эВ в спекире люминесценции кристаллов GaAs<Te> //ФТП. 1992.т.25. в.5.с.958.

71. Богданова В.А., Давлеткильдеев Н.А., Семиколенова Н.А. и др. Фотолюминесценция с участием глубоких уровней в GaAs:Te// ФТП. 1992. Т.26. в.5.с.818.

72. Гуткин А. А., Рещиков М. А. Сосновский В.Р. Исследование комплекса VoaSnoa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пъезоспектроскопии. Строение комплекса и его переориентация при низких одноосных давлениях)//ФТП, 1993, Т.27, в.9, с. 1516.

73. Гуткин А. А., Рещиков М. А. А. Сосновский В.Р. Исследование комплекса VcaSnoa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пъезоспектроскопии. Явление двухступенчатого выстраивания // ФТП, 1993, Т.27, в.9, с. 1526.

74. Глинчук К.Д., Прохорович А.В. Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te) // ФТП, 1997, т.31, №5, стр.533.

75. Gutkin A., Reshchikov М. Sedov V. Mechanism for the Low-Temperature Alignment of Distotions of the Vc.aTeAs Complexes in n-type GaAs under Uniaxial Pressure // Zeitschrifi fur Phys. Chem., Bd. 200,1997, p.217.

76. Гуткин А. А., Рещиков M. А. А. Седов B.E. Исследование комплекса V(,aTeAs в n-GaAs с помощью поляризованной фотолюминесценции в диапазоне температур 77-230 К // ФТП, 1997, т.31, №9, стр.1062.

77. Zener С. A. A theory of the electrical breakdown of solid dielectrics II Proc. Royal Soc, (London), 1934, v. 145, p.523.

78. Келдыш JI.B О влиянии колебаний решетки на рождение электронно-дырочных пар в сильном электрическом поле // ЖЭТФ, 1958, т.34, стр.962.

79. Франц В. Пробой диэлектриков. М., ИЛ, 1961.

80. Эсаки Л. Туннелирование. в кн.: Туннельные явления в твердых телах. М., «Мир», 1973, стр.51.

81. Давыдов А.С. Теория безызлучательных переходов вчмолекулах находящихся в растворе // ЖЭТФ, 1953, т.24, стр.397.

82. Кривоглаз М.А. Теория тепловых переходов // ЖЭТФ, 1954, т.25, стр.191.

83. Хуан Кунь, Рис А. Теория оптических безызлучательных переходов с участием глубоких центров // Проблемы физики полупроводников. М., 1957, с.З89-406.

84. Пекар СИ. О влиянии деформации решеток электронами на оптические и электрические свойства кристаллов // УФН, 1953, т.50, с. 197.

85. Коварский В.А. Кинетика безызлучательных процессов. Кишинев, 1968.

86. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках.: М., «Мир», 1986., 320с.

87. Перлин Ю.Е., Цукерблат B.C. «Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов», Кишинев, «Штиинца», 1974г., 368с.s

88. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М, «Наука», 1978.

89. Ребане К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М, «Наука», 1968.

90. Кристофель Н.Н. Теория примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М., «Наука», 1974.

91. Тимашов С.Ф. О термическом поглощении в сильном электрическом поле ниже края поглощения // ФТТ. 1972, т. 14, с.2621.

92. Тимашов С.Ф. О термической ионизации глубоких центров в слоечобъемного заряда в полупроводниках // ФТТ, 1972, т. 14, с. 171.

93. Тимашов С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках // ФТТ, 1974, т. 16, с.804.

94. Тимашов С.Ф. Электрические и оптические явления при электронных переходах в области пространственного заряда в полупроводниках с участием глубоких центров // Диссертация на соис. уч. ст. докт. ф.-м. н., М., 1975.

95. Куджмаускас Ш.П. Теория туннелирования электронов из глубоких примесных уровней в зону проводимости в сильных электрических полях с учетом многофононных процессов // Лит. Физ. Сб., 1976, т. 19, № 4, с.459.

96. Kiveris A., Kudzmauskas S., Pipinys P. Release of electrons from trap by an a electryc field with phonon participation // Phys. Stat. Sol., 1976, v.37, p.321.

97. Далидчик Ф.И. Многофононные туннельные процессы в однородном электрическом поле // ЖЭТФ, 1978, т.74, в.2, с.472.

98. Pons D., Makram-Ebeid S. Phonon assisted tunnel emission of electrons from deep levels in GaAs. // J.Phis. (France)/ 1979,v.40, No 12, p. 1168.

99. Makram-Ebeid S. Effect of electric field on deep-level transients in GaAs and GaP // Appl. Phys. Lett, 1980, v.37, No 5, p.464.

100. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Quantum model for phonon assisted tunnel ionization of deep levels in semiconductors // Phys. Rev., 1982, v.25, No 10, p. 6406.

101. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Electric-field-induced phonon-assisted tunnel ionization from deep levels in semiconductors // Phys. Rev. Lett., 1982, v.48, No 18, p. 1281.

102. Георгобиани A.H., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М., «Мир», 1994.

103. Виноградов B.C. Теория многофононного поглощения света // ФТТ, 1970, т. 12, в. 12, стр.3081.

104. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М, «Мир», 1985.

105. Irmascher К., Klose Н., Maas К. Electric field enhanced electron emission from gold acceptor level and A-centre in silicon // Phys. Stat. Sol., 1983, v.75, No l,p. K25.

106. Oleynikova C. Calculation of field-induced phonon-assisted tunnel ionization of deep centers in GaAs using the quantum defect method // Czech. J. Phys,, 1985, v.B35,No5,p.585.

107. Schenk A., Irmascher K., Suisky D., Enderlein R., Klose H. Field dependence of emission rate at deep centers in Si and GaAs // Acta Phys. Polon., 1985, v.A67, No I.P.73.

108. Schenk A., Enderlein R., Suisky D. Field-dependent emission rate at deep centers in GaAs by using a two phonon mode model // Acta Phys. Polon., 1986, V.A69, No5,p.813.

109. Абакумов B.H., Меркулов И.А., Перель В.И., Яссиевич И.Н. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ, 1985, в.4, с.1472-1485.

110. ПО. Карпус В., Перель В.И. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле // ЖЭТФ, 1986,т. 91, с.2319.

111. Карпус В. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ионизацию глубоких центров сильным электрическим полем// Письма в ЖЭТФ, 1986, т. 44, с.344.

112. Абакумов В.Н., Карпус В., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов // ФТП, 1988, т.22, в.2, с.262.

113. Абакумов В.Н., Курносова О.В. Пахомов А.А., Яссиевич И.Н. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры // ФТТ, 1988, т.ЗО, в.6, с. 1793.

114. Абакумов В.Н., Карпус В., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Термополевая ионизация примесей. Многомодовое рассмотрение // ФТТ, 1988, т.ЗО, в.8, с.2498.

115. Имамов Э.З., Курносова О.В., Пахомов А.А. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры в непрямозонныхчполупроводниках// ФТТ, 1989, т.З 1, в.З, с.21 1.

116. Passler R. Temperatyre dependances of the nonradiative multiphonon carrier-capture and injection properties of deep trap in semiconductors // Phys. Stat. Sol. 1978, v.85,p.203.

117. Берсукер И.Б. «Электронное строение и свойства координационных соединений»,- Издательство «Химия», Ленинградское отделение, 1976,350с.

118. Перлин Ю.Е., Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов // УФН, 1963,чт.80, в.4.,с.553.

119. Ребане К.К., Пурга А.П., Сильд О.И. К теории электронно-колебательных переходов в кристаллах и молекулах. Метод моментов // Труды ИФА АН ЭССР.1961.вып.14. С. 31-47.

120. Костенко B.J1., Дмитриева Л.Б. // Исследование свойств контактной системы Ag-GaAs с барьером Шоттки, Микроэлектроника, т.26, 1997, в.4, с.301-304.

121. Зи С.М. «Физика полупроводниковых приборов», М., «Энергия», 655с.

122. Булярский С. В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М., «МГУ», 1995, с.399.

123. Lax М. Cascade capture of electrons in solids II Phys.rev. 1960, Vol.119, p.l502-1523.

124. Крамер Г. Математические методы статистики М. «Мир», 1975, 648с.

125. Ребане К.К., Трифонов Е.Д., Хижняков В.В. Квазилинейчатые электронно-колебательные спектры // Труды ИФА АН ЭССР. вып.27. С. 317.

126. Ребане К.К., Пурга А.П., Сильд О.И. К теории электронно-колебательных переходов в кристаллах и молекулах. Расчет различных моделей//Труды ИФА АН ЭССР. 1963. вып.20. С. 48-75.

127. Ребане К.К., Сильд О.И. О связи между полосами поглощения и излучения // Оптика и спектроскопия. 1960. т.9. С. 521-523.

128. Булярский СВ., Грушко Н.С., Гутаин д.А.-.// Полевые зависимости термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда барьеров Au n-InP:Fe // ФТП, 1975, т.9, с. 287-291.

129. A.M. Стоунхэм Теория дефектов в твердых телах. Москва,«Мир», 1978г.

130. Виноградов B.C. Теория поглощения света в постоянном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем II ФТТ, 1971, т. 13, в. 11,стр.3266-3274.

131. Sah S., Forbes A. et al. Thermal and optical emission and cross section of electrons and holes at imperfection centers in semiconductors from photo anddark junction current capacitance experiment// Sol.State Electron. 1970. Vol.13, p. 758-759.

132. Грушко H.C., Гуткин А.А.Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фононного взаимодействия при фотоионизации глубоких примесных центров в InP // ФТП, 1975, f.9, в.1, стр.58.

133. Бейтман Г., Эрдейн А. Таблицы интегральных преобразований. Преобразования Бесселя. Интегралы от специальных функций. М., «Наука», 1970, т.2.

134. Верлань А.Ф. Сизиков B.C. Методы решения интегральных уравнений с программами для ЭВМ. Справочное пособие. Киев, «Наукова Думка», 1978г.

135. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М. «Мир», 1989, 630с.

136. Туннельные явления в твердых телах //под ред. Э.Бурштейна, М., «Мир», 1988,421с.

137. Курносова О.В., Пахомов А.А. Туннелирование с глубоких примесных центров в электрическом поле в полупроводниках АшВу // ФТП, 1986, т.20, в. 10, с. 1868.

138. Перель В.И., Яссиевич И.Н. Модель глубокого примесного центра в полупроводниках в двухзонном приближении // ЖЭТФ, 1982, т.82, в.1, с.237.

139. Ганичев С.Д., Яссиевич И.Н., Претл В. Ионизация глубокихNпримесных центров дальним инфракрасным излучением (Обзор) // ФТТ, 1997, т.39, в.1 1, с. 1905.

140. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. М: Наука. 1972. 125 с.

141. Булярский С.В. Глубокие центры в полупроводниках. Кишинев: Штиинца. 1987. 121 с.

142. Булярский С.В., Грушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностики р-я-переходов с дефектами. Кишинев: Штиинца. 1992. 256 с.

143. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 208с.

144. Sah С.Т., Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n-junction characteristics. //Proc. IRE 1957. Vol.454. P.1228-1241.

145. Булярский C.B., Грушко Н.С. Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах. // ЖЭТФ, 2000, том 118, вып 5(11), с. 1222-1229

146. Булярский С.В., Радауцан С.И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости.// ФТП. 1981. Т. 15. С.1443-1446.

147. Herman III J.M., Sah С.Т. // Phys. Stat. Sol. (a) 1972, Vol. 14. P405-409.

148. Van L.D., Chaw W.W., Sah H. // Phys. Stat. Sol 1972, Vol 14. P655-659.

149. Френкель Я.И. Предпробойное явление в изоляторах и электронных полупроводниках //ЖТФю 1938. Т. 5. С. 658-686.

150. N. Т. Bagraev "The EL2 center in GaAs : symmetry and metastabifity" // J. Phys. I France, 1991, 1511-1527, P. 1511

151. M.G. Buchler. Solid-State Electron., 69, 193 (1972).

152. Булярский C.B., Грушко H.C., Кортченко Г.С., Молодян И.П. Об определении некоторых параметров глубоких центров в фосфиде индия, легированном хромом и железом, Деп. В ВИНИТИ. № 6668-73, (1973).

153. Вертопрахов Е.В. Сальман Г.С. Термостимулированные процессы в полупроводниках. М.: Наука, 1972.

154. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников, М., Наука, 1979.

155. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1982.

156. Алещенко Ю.А., Казаков И.П., Копаев В.В., Копаев Ю.В., Корняков Н.В., Тюрин А.Е. // Письма в ЖЭТФ 69,194 (1997).

157. Rentzch R. Slimac I.S., Phys. Stat. Sol (a) 43,231 (1997)

158. Street R.A., Adv. Phys. 30, 593 (1981)

159. Барановский С.Д., Карпов В.Г., Шкловский Б.И., ЖЭТФ 94, 278 (1988)

160. Булярский С.В., Грушко Н.С., Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах. // ЖЭТФ, 200, т. 118, вып. 5(11), стр 1222-1229

161. Грушко Н.С., в сб. Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред, УлГУ, Ульяновск (1999), с81.

162. Грушко Н.С.Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая №2(5), 51 (1998)

163. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов, М., Наука (1965)