Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Ткачев, Александр Юрьевич

• Ткачев, Александр Юрьевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Ткачев, Александр Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ И ПРОЕКТИРОВАНИЯ СОВРЕМЕННЫХ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ.

1.1. Конструкции мощных МОП транзисторов.

1.2. Электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ ЬОМОБ транзисторов.

1.3. Методология современного подхода к проектированию полупроводниковых приборов с использованием приборно-технологических САПР:.

1.4. Моделирование технологических операций создания МОП транзисторов.

1.5. Моделирование физических процессов в мощных МОП транзисторах.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.

ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА МЕТОДИК И КОМПЛЕКТА ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ДЛЯ КОМПЛЕКСНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ СВЧ 1Л)М08 ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР В СРЕДЕ САПР 18Е ТСАЕ).

2.1. Разработка методик моделирования транзисторных структур с учетом специфики САПР 18Е ТСАЕ>.:.

2.2. Создание структурных моделей Ы)М08 транзисторных структур.

2.3. Разработка технологических моделей транзисторных структур.

2.4. Разработка командных файлов для моделирования основных электрических параметров и электрофизических характеристик 1ЛЭМ08 транзисторных структур.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР.

3.1. Зависимость пробивного напряжения стока Ucu npoß от длины и глубины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней, от толщины и удельного сопротивления эпитаксиального слоя.

3.2. Зависимость сопротивления сток-исток R^ от глубины контактной диффузионной р+-области истока, длины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней.

3.3. Влияние на проходную Спрох и выходную Свых емкости транзисторной LDMOS структуры длины и глубины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней, а также других конструктивных факторов.

3.4. Влияние заземленного полевого электрода над дрейфовой областью стока на сопротивление сток-исток Rcu и проходную емкость Спрох LDMOS транзисторных структур.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СТРУКТУРОЙ СУПЕРПЕРЕХОДА.

4.1. Аналитический метод расчета пробивного напряжения стока

Uси проб LDMOS транзисторных структур с суперпереходом.

4.2. Результаты моделирования в ISE TCAD пробивного напряжения стока Ucunp06 и сопротивления сток-исток Rcu LDMOS транзисторной структуры с суперпереходом.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.

ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ РАЗРАБОТАННОГО КОМПЛЕКСА МЕТОДИК МОДЕЛИРОВАНИЯ И ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРНЫХ КРИСТАЛЛОВ.

5.1. Структурно-технологическая методика моделирования ЫЗМОБ транзисторных структур.

5.2. Разработка конструктивного исполнения периферийных участков стоковых областей ЫЭМСЖ транзисторов с напряжением питания на уровне 50 В.

5.3. Методика проектирования мощных СВЧ ЦЭМОБ транзисторных кристаллов с использованием современных приборно-технологических САПР.

5.4. Результаты экспериментальной проверки разработанной методики проектирования мощных СВЧ ЫЗМОЗ транзисторных кристаллов.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов»

Актуальность темы. В современной полупроводниковой электронике важное место занимает разработка и производство кремниевых мощных СВЧ ЬЛЗМОБ транзисторов. Область применения таких транзисторов постоянно расширяется. Они- используются в каскадах усилителей мощности систем , радиосвязи и телерадиовещания, в базовых станциях сотовой связи, в РЛС различного назначения и других телекоммуникационных системах. Мощные СВЧ ЬБМОЗ транзисторы обладают рядом существенных преимуществ перед биполярными и ОМОБ транзисторами аналогичного функционального назначения - отсутствие накопления и рассасывания избыточных зарядов неосновных носителей, возможность реализации более высоких значений коэффициента усиления по мощности, тепловая устойчивость во всем диапазоне рабочих температур. Кроме того, ЫЗМОБ технология предусматривает формирование контакта истока на обратной поверхности кристалла, что делает возможным монтаж транзисторных кристаллов непосредственно на фланец без использования керамики из ВеО.

Необходимо отметить тот факт, что в настоящее время в Российской Федерации мощные СВЧ Ы)М08 транзисторы серийно не производятся. Основным сдерживающим фактором в развитии перспективных разработок отечественных мощных СВЧ ЫЗМОБ транзисторов является отсутствие теоретических основ проектирования современных транзисторов данного класса. СВЧ 1Х)М08 транзисторы являются достаточно специфичным конструктивно-технологическим решением, и до настоящего времени в литературе отсутствуют сведения по аналитическим методам расчета параметров данного класса транзисторов. Однако, в связи с высоким уровнем развития современных высокопроизводительных ЭВМ и программных комплексов для численного моделирования полупроводниковых приборов (САПР), становится возможным исследование и проектирование современных ЬБМОЗ транзисторов с использованием данных систем-приборно-технологического моделирования без привлечения аналитических методов расчета. Поэтому построение комплексной модели СВЧ LDMOS транзисторной структуры в среде современной приборно-технологической САПР является актуальной задачей. Построение такой модели позволит изучить влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры LDMOS транзисторных структур, выработать рекомендации для проектирования LDMOS транзисторов и разработать конструктивно-технологический базис производства новейших отечественных мощных СВЧ LDMOS транзисторов. Разработка методик моделирования и проектирования мощных СВЧ LDMOS транзисторных структур в среде приборно-технологической САПР позволит создавать транзисторы с требуемыми электрическими параметрами при минимальном количестве верификаций и экспериментальных партий.

Данная работа проводилась в соответствии с планом ГБ НИР кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского госуниверситета, а также ФГУП «НИИЭТ», в рамках реализации программных мероприятий по ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы и Государственной программы вооружения до 2015 года.

Цель работы - установление с помощью численного моделирования в среде приборно-технологической САПР ISE TCAD зависимостей основных электрических параметров СВЧ LDMOS транзисторных структур от конструктивно-технологических факторов, а также исследование и разработка конструктивно-технологического базиса перспективных СВЧ LDMOS транзисторных структур. Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:

1. Разработка модели СВЧ LDMOS транзисторной структуры в среде САПР ISE TCAD, методик моделирования и программного обеспечения для расчета в среде данной САПР конструкции, технологии и основных электрических параметров (Unop> Ucu 11роб, Rcu, S, Icll uac, Свх, Cnpox, Свых) СВЧ LDMOS транзисторных структур.

2. Установление с помощью численного моделирования зависимостей пробивного напряжения сток-исток Ucu „роб, сопротивления сток-исток Rcu, проходной Спрох и выходной СвЬ1Х емкостей СВЧ LDMOS транзисторных структур от параметров дрейфовой области стока (LDD) и других конструктивно-технологических параметров.

3. Исследование влияния заземленного полевого электрода над дрейфовой областью стока на основные электрические параметры (Ucu про6, Reu, Спрох, Свых) СВЧ LDMOS транзисторных структур.

4. Исследование перспективной LDMOS транзисторной структуры с суперпереходом, конструкция дрейфовой области стока которой основана на системе полос с чередующимся типом проводимости.

5. Разработка конструкции торцевых участков стоковых областей полосковой структуры СВЧ LDMOS транзисторного кристалла, предназначенной для работы при напряжении питания на уровне 50В.

6. Разработка методики проектирования перспективных мощных СВЧ LDMOS транзисторных кристаллов, базирующейся на численном моделировании в среде современной САПР, с учетом установленных зависимостей электрических параметров LDMOS транзисторных структур от конструктивно-технологических факторов.

Научная новизна исследований.

1. Разработана модель СВЧ LDMOS транзисторной структуры в среде САПР ISE TCAD, а также комплекс методик моделирования и программного обеспечения для расчета в среде данной САПР конструктивно-технологических и электрических параметров (Unop, Ucunpo(¡, Rcu, S, 1си,шс, Свх, Спрох, Свых) СВЧ LDMOS транзисторных структур.

2. Впервые выполнены исследования по установлению зависимостей основных электрических параметров (Ucu проб3 R-Clll Спрох, Свых) СВЧ LDMOS транзисторных структур от важнейших конструктивно-технологических факторов с учетом реального профиля распределения концентрации примеси в эпитаксиальном слое.

3. Впервые показано, что для каждого сочетания длины LDD области Lldd, параметров эпитаксиального слоя Д,,ш и рЭ1Ш, глубины истоковой р+-области XJP+, существует оптимальная концентрация примеси в LDD области NSd LDD, соответствующая максимуму концентрационной зависимости Ucu npo6(Nsd ldd), при которой параметры Rcu, Спрох и Сеых принимают оптимальные компромиссные значения.

4. Впервые выполнены исследования по установлению зависимостей основных электрических параметров (Ucu проб, Rcm Спрох, СвЬ1Х) СВЧ LDMOS транзисторных структур от длины Lno заземленного полевого электрода над дрейфовой областью стока и толщины окисла Ds,o2 под ним. Показано, что использование полевого электрода при оптимальных его параметрах позволяет значительно снизить Rcll и Спрох без существенного изменения максимального Ucu проб.

5. Разработан аналитический метод расчета пробивного напряжения сток-исток Ucu „роб перспективной конструкции LDMOS транзисторной структуры с суперпереходом, сформированной по технологии кремний-на-сапфире (КНС). Впервые получен критерий выбора ширины полос суперперехода при заданной концентрации примесей в них.

6. Разработана оригинальная конструкция торцевых участков стоковых областей полосковой структуры СВЧ LDMOS транзисторных кристаллов, основанная на использовании заземленного полевого электрода.

7. Разработана комплексная методика проектирования перспективных конструкций мощных СВЧ LDMOS транзисторных кристаллов с использованием современных приборно-технологических САПР.

Практическая значимость работы. Основные результаты диссертации, а именно:, модель СВЧ LDMOS транзисторной структуры в САПР ISE TCAD, комплекс методик и программного обеспечения для моделирования СВЧ LDMOS транзисторных структур в САПР ISE TCAD, результаты исследований зависимостей электрических параметров транзисторных структур от конструктивно-технологических факторов, рекомендации по выбору параметров полевого электрода, методика проектирования мощных СВЧ 1ЛЭМ08 транзисторных кристаллов, конструкция периферийных участков стоковых областей, использованы при разработке новых типов мощных СВЧ ЬОМОБ транзисторов в ходе выполнения ряда НИР и ОКР, проводимых в ФГУП «НИИЭТ» (г. Воронеж). Использование результатов диссертации подтверждается Актом о внедрении результатов диссертации.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Модель СВЧ 1ЛЭМ08 транзисторной структуры в среде САПР 18Е ТСАХ), комплекс методик моделирования и программного обеспечения для расчета в среде данной САПР влияния конструктивно-технологических факторов на основные электрические параметры (ипор, 1]си проо, Яси, 1си нас, Свх, Спрох, Свых) СВЧ ЬБМОБ транзисторных структур.

2. Расчетные зависимости электрических параметров (иси пров, Яси, Спрох, Свых) СВЧ Ы)М08 транзисторных структур от основных конструктивно-технологических факторов, учитывающие реальный профиль распределения концентрации примеси в эпитаксиальном слое.

3. Для каждого сочетания длины 1ЛЖ области параметров эпитаксиального слоя Д,ЙИ и рэпи, глубины истоковой р+-области Хр+, существует оптимальная концентрация примеси в ЬББ области Л^ соответствующая максимуму концентрационной зависимости иси „роб(Ы^ шэ), при которой параметры Яси, Спрох и Свых принимают оптимальные компромиссные значения.

4. Расчетные зависимости электрических параметров {IIси проо, Спрох, Свых) СВЧ ЬЭМ08 транзисторных структур от длины Ьт заземленного полевого электрода над дрейфовой областью стока и толщины окисла 0$ю2 под ним. Использование полевого электрода при оптимальных его параметрах позволяет значительно снизить Яси и Спрох без существенного изменения максимального значения иси проб

5. Аналитический метод расчета пробивного напряжения сток-исток иси проб перспективной конструкции ЫЭМОЗ транзисторной структуры с суперпереходом, сформированной по технологии КНС, а также критерий выбора ширины полос суперперехода при заданной концентрации примесей в них.

6. Конструкция торцевых участков стоковых областей полосковой структуры СВЧ ЬБМОЭ транзисторных кристаллов, основанная на использовании заземленного полевого электрода.

7. Комплексная методика проектирования перспективных конструкций мощных СВЧ 1Л)М08 транзисторных кристаллов с использованием современных приборно-технологических САПР.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях: V Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2005); V Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика - 2005» (Зеленоград, 2005); 13, 14, 15, 16, 17 Всероссийские межвузовские научно-технические конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 2006, 2007, 2008, 2009, 2010); XII, XIV, XVI Международные научно-технические конференции «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2006, 2008, 2010); 10 Международная научная конференция и школа-семинар «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 2006); IV Международный семинар «Физико-математическое моделирование систем» (Воронеж, 2007); Международный научно-методический семинар «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2009).

Публикации. По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 26 печатных работ, в том числе 2 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В совместных работах автору лично принадлежат: [1-26] - разработка моделей транзисторных структур в среде

САПР 1БЕ ТС АО, методик моделирования и программного обеспечения; [117, 19-26] — проведение моделирования конструкции, технологии и электрических параметров транзисторных структур в САПР 1БЕ ТС АХ); [1,2, 19-26] - разработка конструкции и технологии СВЧ ЬВМОБ транзисторных структур; [1, 23] - аналитический вывод выражений для расчета напряжения поперечного пробоя и критерия выбора ширины полос суперперехода при заданной концентрации примесей в них; [2, 25, 26] - разработка конструкции торцевых участков стоковых п+-полос.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 80 наименований. Объем диссертации составляет 159 страниц, включая 74 рисунка и 9 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Ткачев, Александр Юрьевич

10. Основные результаты диссертации, а именно: модель СВЧ 1ЛЗМ08 транзисторной структуры в САПР 18Е ТСАЕ), комплекс методик и программного обеспечения для моделирования СВЧ 1Л)М08 транзисторных структур в САПР 18Е ТС АЛ), результаты исследований зависимостей электрических параметров транзисторных структур от конструктивно-технологических факторов, рекомендации по выбору параметров полевого электрода, методика проектирования ЬБМ08 транзисторных структур, конструкция периферийных участков стоковых областей, использованы при разработке новых типов мощных СВЧ ЬЭМОБ транзисторов в ходе выполнения ряда НИР и ОКР, проводимых в ФГУП «НИИЭТ» (г. Воронеж). Были разработаны транзисторы в следующих параметрических рядах:

- Б = 500-860МГц, ипих = 28-32В, Рвых = 12. ,150Вт;

- Б = 2000МГц, ипит = 26-32В, Рвых импульс - 30. 100Вт; -Б до 1000МГц, ипих = 12,5В, Рвых = 2.80Вт;

-Б = 500-1000МГц, ипих = 28-32В, Рвых = 80.300Вт;

- Б до 1000МГц, ипих = 50В, Рвых - 30. .480Вт.

Использование результатов диссертации подтверждается соответствующим Актом о внедрении результатов диссертации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Ткачев, Александр Юрьевич, 2011 год

1. Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов // Москва: Техносфера. 2008. - 512 с.

2. Окснер Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение / Э.С. Окснер // М. : Радио и связь. 1985. - 288 с.

3. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов / Н.С. Спиридонов // Киев: Техшка.- 1975.-359 с.

4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х т. / С. Зи; перевод с англ. 2-е изд. // Москва: Мир. 1984. - 456 с.

5. Кремниевые полевые транзисторы / О.В. Сопов и др.. // Электронная промышленность. 2003. - № 2. - С. 176-188.

6. Бачурин В.В. Новый класс полупроводниковых приборов мощные высокочастотные МДП- транзисторы / В.В. Бачурин, B.C. Либерман, О.В. Сопов // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы: сб. ст. - М., 1976. - Вып. 1. - С. 291.

7. Бачурин В.В. Исследование переходной характеристики полевых транзисторов с изолированным затвором / В.В. Бачурин, О.В. Сопов, В.М. Иевлев. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. -1971.-Вып. 6.-С. 42-54.

8. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов / В.И. Никишин и др. // М. : Радио и связь, 1989. 145 с.

9. Мощные высокочастотные МДП-транзисторы / В.В. Бачурин и др.. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1974. - Вып. 8.-С. 3-16.

10. Power FETs from the USSR // Radio Communication. 1973. - September. - P. 614.

11. Бессарабов Б.Ф. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения: Справочник. / Б.Ф. Бессарабов, В.Д. Федюк, Д.В. Федюк // Воронеж: ИПФ'Ъоронеж". 1994. - 720 с.

12. Дидилев С. Мощные LDMOS-транзисторы: преимущества и области применения / С. Дидилев // Компоненты и технологии. 2002. - №2.

13. Майская В. Высокочастотные полупроводниковые приборы / В. Майская // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2004. - №8. - С.16-21.

14. Фармикоун Г. Технология мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для радарных передатчиков L-диапазона и авиационных применений / Г. Фармикоун и др., перевод С. Дидилев // Компоненты и технологии. 2007. -№10.-С. 14-16.

15. Майская В. СВЧ-полупроводниковые технологии статус равен. Но у кого он равнее? / В. Майская // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. - 2006. — №5. - С. 20-27.

16. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А. Блихер; пер. с англ. // JL: Энергоатомиздат. 1986. - 248 с.

17. Асессоров В. Усилительные паллеты элементная база радиопередающей аппаратуры / В. Асессоров и др. // Компоненты и технологии. - 2008. - №7. - С. 54-56.

18. Официальный сайт ФГУП «НИИЭТ». (http://www.niiet.ru/).

19. Официальный сайт компании NXP. (http://www.nxp.com/).

20. Официальный сайт компании Infineon. (http://www.infineon.com/).

21. Официальный сайт компании Freescale Semiconductor. — (http://www.freescale.com/).

22. Park J.M. Super-Junction Concepts. (http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/park /node40.html).

23. Park J.M. Vertical SJ DMOSFETs. (http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/park /node43.html).

24. Park J.M. SJ SOI-LDMOSFETs. (http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/park /node44.html).

25. Oonishi Y. Superjunction MOSFET / Y. Oonishi, A. Ooi, T. Shimatou // Fuji Electric Review. -2010. Vol. 56. -No. 2. - P. 65-68.

26. Henson T. Low Voltage Super Junction MOSFET Simulation and Experimentation / T. Henson, J. Cao // International Rectifier, ISPSD Conference. April 2003. - (http://www.irf.com/technical-info/whitepaper /ispsd03mossimex.pdf).

27. Nassif-Khalil S.G. SJ/RESURF LDMOST / S.G. Nassif-Khalil, L.Z. Hou, C.A.T. Salama // IEEE Transactions on electron devices. 2004. - Vol. 51. - No. 7. - P. 1185-1191.

28. Nassif-Khalil S.G. 170V Super Junction LDMOST in a 0.5 im Commercial CMOS/SOS Technology / S.G. Nassif-Khalil, C.A.T. Salama // ISPSD-2003, IEEE 15th International Symposium. - 14-17 April 2003. - P. 228-231.

29. Lorenz L. COOLMOS™ a new milestone in high voltage Power MOS / L. Lorenz and others. // Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology. - (http://www.iisb.fraunhofer.de/de/arbgeb/publes/0l99.pdf).

30. Cortés I. Superjunction LDMOS on thick-SOI technology for RF applications / I. Cortés and others. // Microelectronics Journal. 2008. - Vol. 39. - Is. 6. - P. 922-927.

31. Cai J. A novel high performance stacked LDD RF LDMOSFET / J. Cai and others. // IEEE Electron Device Letters. 2001. - Vol. 22. - Is. 5. - P. 236-238.

32. Stacked LDD high frequency LDMOSFET. Патенты США №6489203 от 3.12.2002 и №6664596 от 16.12.2003.

33. Дьяконов В.П. Справочник. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах / В.П. Дьяконов; под ред. В.П. Дьяконова. // М. Радио и связь. -1994.-280с.

34. Сопов О.В. Мощные ВЧ и СВЧ МДП- транзисторы импульсные приборы наносекундного диапазона / О.В. Сопов. и др. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 1978. - Вып.5,6. - С.103-116.

35. Бачурин В.В. Исследование динамических параметров мощных МДП-транзисторов / В.В. Бачурин и др. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1983. - Вып.5. - С.48-52

36. Сопов О.В. Мощные кремниевые ВЧ и СВЧ МДП- транзисторы / О.В. Сопов, В.В. Бачурин, В.К. Невежин // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1978. - Вып.5,6. - С. 16-25.

37. Корнеев Л.А. Каскады радиопередающих устройств СВЧ на полевых транзисторах / Л.А. Корнеев // М.:МЭИ. 1984. - 68с.

38. Бачурин В.В. Нелинейная статическая модель мощного МДП-транзистора / В.В. Бачурин, В.П. Дьяконов, Т.А. Самойлова //Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника-1983. -№11 .-С .41-45.

39. Исследование емкостей мощных СВЧ МОП транзисторов / П.А. Меньшиков и др. // Материалы докладов IX международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж, 2003. - Т. 1. - С. 528-535.

40. Машуков Е.В. Моделирование ключей на силовых МДП-транзисторах / Е.В. Машуков, Е.М. Хругов, Д.А. Шевцов // Электронная техника в автоматике : сб.ст. М., 1986. - Вып. 17. - С. 72-77.

41. Петров Б.К. Расчет емкостей Свх, Свых, Спр мощных СВЧ МОП транзисторов / Б.К. Петров, П.А. Меньшиков, Ю.К. Николаенков // Петербургский журн. электроники. -2003.- № 2. С. 45-48.

42. Исследование нелинейных емкостей в мощных СВЧ МОП транзисторах / П.А. Меньшиков и др. // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2004. -№ 1. - С. 45-50.

43. Томас Ф. САПР микроэлектроники этапы большого пути / Ф. Томас, А Иванов // Электроника: Наука, технология, бизнес. - 2006. - №3. - С.82-85.

44. Королев М.А. Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники / М.А.Королев, Т.Ю.

45. Крупкина, Ю.А. Чаплыгин // Известия вузов. Электроника. 2005. - №4-5. -С. 64-71.

46. Тихомиров П. Система Sentaurus TCAD компании Synopsys. Новое поколение приборно-технологических САПР / П. Тихомиров, П. Пфеффли, М. Зорзи // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2006. - №7. - С. 8995.

47. ISE TCAD Release 10: User's manual. Zurich, 2004.

48. Официальный сайт компании Synopsys. (http://synopsys.com/).

49. Ткачев А.Ю. Виртуальное проектирование мощных СВЧ УБМ08 и ЫЗМОЭ транзисторов / А.Ю. Ткачев и др. // Материалы V Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика 2005». Зеленоград, 2005. - С.207.

50. Дикарев В.И. Проектирование мощных СВЧ вертикальных БМОЭ транзисторов в среде САПР 18Е ТСАЕ) / В.И. Дикарев, А.Ю. Ткачев и др. // Межвузовский сборник научных трудов. Воронежский государственный технический университет, 2005. - С.32-37.

51. Асессоров В.В. Проектирование мощных СВЧ ЬОМОЗ транзисторов в среде САПР 18Е ТСАГ) / В.В. Асессоров, А.Ю. Ткачев и др. // Межвузовский сборник научных трудов. Воронежский государственный технический университет, 2005. - С.38-43.

52. Асессоров В.В. Исследование технологии и электрофизических параметров вертикальных БМ08 транзисторов / В.В. Асессоров, А.Ю. Ткачев и др. // Научно-практический вестник "Энергия-ХХ! век". Воронеж, 2005. - №1-2 (55-56). - С.42-56.

53. Асессоров В.В. Моделирование технологии и электрофизических параметров латеральных 1ЛЗМ08 транзисторов в среде 18Е ТСАБ / В.В. Асессоров, А.Ю. Ткачев и др. // Научно-практический вестник "Энергия-XXI век". Воронеж, 2005. - №3-4 (57-58). - С.24-30.

54. Асессоров В.В. Исследование электрических и тепловых параметров СВЧ УБМ08 и 1ЛЖ08 транзисторов в среде КБ ТСАБ / В.В. Асессоров, А.Ю.

55. Ткачев и др. // Труды XII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж, 2006. С. 12821291.

56. Асессоров В.В. Исследование конструктивно-технологических методов увеличения пробивного напряжения мощного СВЧ 1ЛЗМ08 транзистора / В.В. Асессоров, А.Ю. Ткачев и др. // Научно-практический вестник "Энергия-ХХ1 век". Москва, 2006. - №1 (59). - С.36-45.

57. Асессоров В.В. Электрические параметры 1ЛЭМ08 структур с трехслойной дрейфовой областью стока / В.В. Асессоров, А.Ю. Ткачев и др. // Научно-практический вестник "Энергия-ХХ1 век". Москва, 2006. - №4 (62). -С.42-51.

58. Ткачев А.Ю. Моделирование влияния дрейфовой области стока на электропараметры СВЧ LDMOS транзисторов / А.Ю. Ткачев, Б.К. Петров // Материалы IV Международного семинара «Физико-математическое моделирование систем». Воронеж. - 2007. - С. 16-21.

59. Ткачев А.Ю. Моделирование электрических характеристик LDMOS транзисторных структур с полевым электродом / А.Ю. Ткачев и др. // Труды XIV Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж, 2008. С.1276-1283.

60. Ткачев А.Ю. Моделирование Super Junction LDMOS транзисторных структур / А.Ю. Ткачев и др. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2010. - №1(224). - С. 19-30.

61. Ткачев А.Ю. Особенности конструктивного исполнения краевых участков стоковых областей мощных СВЧ LDMOS транзисторов / А.Ю. Ткачев и др. // Вестник Воронежского государственного технического университета. -2010. №5. - Т.6. - С. 112-117.

62. Грехов И.В. Лавинный пробой р-п-перехода в полупроводниках / И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин // Изд. «Энергия», Ленинград. 1980 г. - с.50.