Влияние структурного ближнего порядка на электронные транспортные свойства эпитаксиального графена и углеродных нанотрубок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Бобенко, Надежда Георгиевна

• Бобенко, Надежда Георгиевна
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Бобенко, Надежда Георгиевна

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Структура, получение, применение и свойства наноуглеродных материалов

1.1. Графен

1.1.1 .Структура и получение

1.1.2. Применение графена

1.2. Углеродные нанотрубки

1.2.1. Структура и получение

1.2.2. Применение нанотрубок

1.3. Низкотемпературные свойства наноуглеродных материалов

1.3.1 Плотность электронных состояний графена и углеродных нанотрубок

1.3.2 Проводимость и сопротивление графена и углеродных нанотрубок

1.3.3. Теплопроводность углеродных нанотрубок

1.3.4. Термоэдс углеродных нанотрубок

1.4.Постановка задачи исследования

Глава 2. Низкотемпературные свойства эпитаксиального графена

2.1. Время релаксации электрона в графене

2.2. Вклад в плотность электронных состояний графена

2.3. Электросопротивление графена

Глава 3. Низкотемпературные свойства углеродных нанотрубок

3.1 .Время релаксации электрона в нанотрубках

3.2. Вклад в плотность состояний углеродных нанотрубок

3.3.Проводимость и электросопротивление углеродных нанотрубок

3.4. Электронная теплопроводность углеродных нанотрубок

3.5 Термоэдс

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние структурного ближнего порядка на электронные транспортные свойства эпитаксиального графена и углеродных нанотрубок»

ВВЕДЕНИЕ

В конце XX и начале XXI веков были экспериментально открыты новые формы углерода, представляющие собой структуры, поверхность которых формируется шестиугольниками и пятиугольниками с атомами углерода в вершинах. Наиболее интересными разновидностями этих новых углеродных структур являются фуллерены, углеродные нанотрубки (УНТ) и графен.

УНТ и графен, представляющие собой молекулярные формы углерода, обладают свойствами молекул и твердого тела одновременно, что, несомненно, вызывает интерес исследователей.

С одной стороны, УНТ и графен обладают необычными физико-химическими свойствами, благодаря чему они становятся привлекательным объектом исследования для фундаментальной науки. С другой стороны, эти материалы имеют огромные перспективы для прикладного их использования. Среди наиболее интересных свойств этих материалов в первую очередь следует назвать связь между геометрической структурой и ее электронными характеристиками. В зависимости от угла ориентации графитовой плоскости относительно ее оси (хиральность), нанотрубка может обладать либо металлической проводимостью, либо быть полупроводником. Аналогичная особенность наблюдается и для графена. Только здесь вид температурной зависимости проводимости зависит от точек подсоединения контактов к листу, а, следовательно, и пути, по которому потечет ток. Смена вида проводимости влечет за собой изменение и других свойств материалов: сопротивления, теплопроводности, термоэдс и т.д. Эта интересная особенность наноматериалов может быть использована, например, в разработке интегральных схем, включающих в себя элементы на основе УНТ и графена, что, в свою очередь, может привести к революционным изменениям в области миниатюризации современных компьютеров.

Наноматериалы могут использоваться в производстве аккумуляторов, без которых не могут работать телефоны, радиоприемники и т.д. [1-4]. Новые батарейки, сделанные на основе нанотехнологий, внешне ничем не отличаются от обычных, однако, срок их службы увеличится в десятки раз. В настоящий момент начат промышленный выпуск суперконденсаторов, электрическая емкость которых в десятки тысяч раз превышает емкость конденсаторов известных [3]. Они могут перезаряжаться неограниченное число раз и давать электроэнергию для работы переносных легких электродвигателей.

Интерес к изучению электронных свойств наноуглеродных структур не ослабевает, а скорее возрастает, благодаря вновь открывающимся возможностям их практического применения.

Известно, что электронные свойства УНТ и графена могут зависеть от внешних и внутренних факторов: температуры, числа слоев, линейных размеров, наличия дефектов структуры и примесей, а в случае УНТ еще и хиральности трубки. В работах [4, 21-168] представлены результаты экспериментального и теоретического исследования плотности электронных состояний (ПЭС), проводимости, электросопротивления, теплопроводности и термоэдс для УНТ и графена в зависимости от вышеперечисленных факторов.

Однако, в настоящее время не существует теории, позволяющей из

единых физических представлений описать особенности

низкотемпературного поведения плотности электронных состояний (ПЭС),

электро-, теплопроводности и термоэдс в УНТ и графене, а также объяснить,

вследствие каких факторов может меняться вид температурной зависимости

проводимости исследуемых наноматериалов. Более полное понимание

природы низкотемпературного поведения электронных свойств УНТ и

графена может быть достигнуто благодаря появлению новых представлений

об электронном переносе в наноматериалах, которые позволили бы в рамках

единого подхода теоретически описать различные свойства материала так,

5

чтоб описание качественно и количественно подтверждались экспериментом.

В связи с этим Цель настоящей работы— теоретическое исследование влияния структурного ближнего порядка на низкотемпературные электронные транспортные свойства эпитаксиального графена и металлизированных нанотрубок.

В качестве объекта исследования выбраны металлизированные УНТ (многостенные и пучки) и эпитаксиальный графен, как системы с ближним порядком.

В диссертации предлагается рассматривать различные свойства наноструктур именно в низкотемпературном пределе, так как особенности электронных транспортных свойств углеродных наноматериалов экспериментально наблюдаются только в этой области. Однако, большое количество полученных экспериментальных данных все еще не нашли своего теоретического объяснения.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Исследовать влияние электронного рассеяния на структурных образованиях типа ближнего порядка на плотность электронных состояний и низкотемпературное электросопротивление двумерной углеродной структуры (графен);

2. Изучить роль электронного рассеяния на структурных образованиях ближнего порядка в трехмерных углеродных структурах (пучки одностенных нанотрубок и многостенных УНТ) в формировании низкотемпературных особенностей ПЭС, электросопротивления, теплопроводности, термоэдс;

3. Проанализировать влияние изменения структуры (хиральность), концентрации примеси и местоположения дефектов в структуре (параметра ближнего порядка) нанотрубок на ПЭС и электросопротивление, теплопроводность и термоэдс.

Научная значимость диссертации определяется тем, что созданные и верифицированные в ней новые представления о влиянии электронного рассеяния на структурных неоднородностях типа ближнего порядка для двумерной системы (графен) на низкотемпературное поведение ПЭС и электросопротивления и трехмерной структуры (пучки одностенных нанотрубок и многостенных УНТ) в ПЭС, проводимость, термоэдс и теплопроводность внесут вклад в развитие физических представлений о природе структурного состояния и свойств углеродных наноструктур. В частности, опираясь на новые представления возможно предсказывать вид температурной зависимости проводимости в наноматериалах в зависимости от различных факторов, оценивать значения некоторых электронных свойств в исследуемых системах, что является актуальным при их практическом применении, например, в наноэлектронике.

Диссертация состоит из Введения, трех глав и Заключения.

В первой главе обзорного характера " Структура, получение, применение и свойства наноуглеродных материалов " описаны возможные виды структур, представлены методы получения, исследования и применения графена и углеродных нанотрубок. Здесь также анализируется взаимосвязь структурного состояния исследуемых систем с особенностями низкотемпературного поведения их электронных транспортных свойств. В заключение раздела сделана постановка задачи исследования.

Во второй главе «Низкотемпературные плотность электронных состояний и электросопротивление эпитаксиального графена» изучено влияние электронного рассеяния на примесях и дефектах структуры на низкотемпературное поведение ПЭС и электросопротивление. Исследования проводились в рамках теории электронного переноса, построенной на основе уже имеющейся теории для УНТ. При этом, помимо изменения размерности с трехмерной на двумерную, был также учтен электронный спектр бездефектного графена. Влияние примесей и дефектов структуры на его

низкотемпературные свойства было учтено посредством введения параметра ближнего порядка, концентрации примеси и др.

Для расчета времени, необходимого электрону для возвращения в исходное состояние после взаимодействия с дефектами (время релаксации электрона), воспользуемся квантово-механической техникой. Температурную функцию Грина получим с учетом многократного упругого рассеяния электронов на примесях и областях структурных неоднородностей, формирующихся в графене в процессе его получения. С использованием полученного времени релаксации рассчитаем плотность электронных состояний графена вблизи энергии Ферми. Покажем, что изменение вклада в ПЭС на уровне Ферми в зависимости от различных факторов может приводить к открытию или закрытию щели на уровне Ферми, то есть приводить к металлизации материала и наоборот. При этом, основным фактором влияющим на плотность состояний, окажется параметр ближнего порядка.

Используя формулу Друде, рассчитаем вклад от рассеяния электронов на областях ближнего порядка в электросопротивление. Анализируя полученное выражение, покажем, что металлический или

полупроводниковый вид проводимости графена значительно больше зависит от параметра ближнего порядка, чем от концентрации примеси.

Покажем, что развиваемая нами теория позволяет корректно описать низкотемпературные особенности поведения ПЭС и электросопротивление в графене:

В третьей главе «Низкотемпературные свойства углеродных нанотрубок» рассмотрено влияние электронного рассеяния на структурных неоднородностях типа ближнего порядка на низкотемпературное поведение ПЭС, проводимости, термоэдс и теплопроводности для пучков одностенных нанотрубок и многостенных УНТ. Для описания данного влияния была усовершенствованна теория электронного переноса в УНТ путем учета

электронного спектра, включающего зависимость от хиральности (диаметра) УНТ, концентрации примеси и местоположения дефектов структуры.

Расчеты ПЭС и электронных транспортных свойств УНТ проводились в приближении электронного времени релаксации. Для расчета времени релаксации была получена температурная функция Грина с учетом энергетического спектра идеальной УНТ и многократного упругого рассеяния электронов на примесях и областях структурных неоднородностей, формирующихся в нанотрубках в процессе их приготовления. Применяя в дальнейших расчетах полученное электронное время релаксации рассчитаем вклад от рассеяния электронов на областях типа ближнего порядка в ПЭС нанотрубок вблизи уровня Ферми. Покажем, что рассчитанный вклад может приводить к открытию или закрытию щели на уровне Ферми, то есть приводить к смене вида проводимости в УНТ. Покажем, что основное влияние на знак и величину рассчитанного вклада в ПЭС оказывают параметр ближнего порядка и значение хиральности.

Далее рассчитаем вклад в электросопротивление нанотрубок в зависимости от хиральности, концентрации примеси и параметров ближнего порядка. Анализируя полученное выражение покажем, что температурная зависимость электросопротивления определяется в большей степени рассеянием электронов на структурных неоднородностях типа ближнего порядка, а не хиральностью УНТ. В то же время, электросопротивление оказывается малочувствительным к изменению концентрации примеси.

С использованием полученного времени релаксации рассчитаем вклад

в теплопроводность нанотрубок, который будет зависеть от хиральности,

концентрации примеси и параметров ближнего порядка, а также

концентрации носителей тока. Именно зависимостью от концентрации

носителей тока объясняется разброс экспериментальных данных по величине

теплопроводности УНТ. Также покажем, что смена знака суммы параметров

ближнего порядка приводит к изменению угла наклона кривой относительно

температурной оси, а увеличение диаметра трубки уменьшает вклад в

9

электронную теплопроводность. При этом изменение концентрации примеси существенно не влияет на значение теплопроводности УНТ.

В работе также будет получено аналитическое выражение для термоэдс УНТ в низкотемпературной области в зависимости от хиральности, концентрации примеси и параметра ближнего порядка. Покажем, что термоэдс крайне чувствительна к изменению параметра ближнего порядка, а отклонение кривой термоэдс от линейной зависимости с ростом температуры может быть связано с рассеянием электронов на дефектах структуры УНТ. Положение максимума температурной кривой термоэдс будет в большей степени зависеть от хиральности, чем от параметра ближнего порядка в изучаемой УНТ.

В Заключении суммируются основные результаты работы и делаются выводы.

Автор защищает следующие положения:

1. Развитие физических представлений о влиянии электронного рассеяния на структурных неоднородностях типа ближнего порядка для двумерной системы (графен) на низкотемпературное поведение ПЭС и электросопротивления и трехмерной структуры (пучки одностенных нанотрубок и многостенных УНТ) на ПЭС, электросопротивление, теплопроводность и термоэдс при низких температурах.

2. Утверждение о том, что вид температурной зависимости проводимости в углеродных нанотрубках и графене зависит как от структуры материала, так и от процессов упругого электронного рассеяния на локальных областях ближнего порядка.

3. Утверждение о том, что индивидуальная углеродная нанотрубка не

может быть металлической, а пучки одностенных нанотрубок и

многостенные УНТ с диаметром, превышающим значение 10'9-10"8 м, всегда

будут металлическими.

4. Утверждение о том, что электронные транспортные свойства наноуглеродных материалов оказываются более чувствительны к изменению параметра ближнего порядка (местоположение дефектов в первой и второй координационных сферах) и геометрических характеристик структуры (хиральность), чем к изменению концентрации примеси.

Апробация работы. Материалы докладывались и обсуждались на 13 всероссийских и международных научных конференциях, таких как «DUBNA-NANO 2012» (Россия, Дубна, 2012), Труды научной сессии МИФИ-2011 (Москва, 2011), Международная конференция по физической мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов (Томск, 2011), «YUCOMAT 2011» (Монтенегро, 2011), XLIX международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс» (Новосибирск, 2011), 50-й юбилейной международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс» (Новосибирск, 2012), международной научно-методической конференции «Современное образование: проблемы обеспечения качества подготовки специалистов в условиях перехода к многоуровневой системе высшего образования» (Томск, 2012), 8-й Международной конференции «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология» (г. Троицк, 2012 г.), Нанотехнологии функциональных материалов-2012 (г. Санкт-Петербург, 2012 г.), «Лазерная физика, наноструктуры, квантовая микроскопия» ( г. Томск, 2012 г.), V-я Всероссийская конференция молодых учёных «Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии»(г. Томск, 2012 г.), Русско-французский форум (Новосибирск, 2013 г.), II International School-Conference "Applied Nanotechnology& Nanotoxicoiogy" (п. Листвянка, 2013 г.).

Публикации. Основной материал диссертации опубликован в 3 статьях в рецензируемых научных журналах [5-7] и 13 тезисах конференций [8-20], выполненных автором в 2010 - 2013 гг.

Достоверность полученных результатов достигается корректной постановкой задачи, выбором обоснованных физических приближений, высокой точностью численных расчетов, непротиворечивостью результатам других теоретических исследований, хорошим согласием с имеющимися экспериментальными данными.

Глава 1. Структура, получение, применение и свойства наноуглеродных материалов.

1.1. Графен.

1.1.1.Структура и получение.

Графен— двухмерная углеродная структура, поверхность которой регулярным образом выложена шестиугольниками со стороной 0,142 нм и атомами углерода в вершинах[21]. С точки зрения материаловедения, графен представляет собой вещество, каждый слой которого является отдельной молекулой. Реальные образцы графена, в отличии от бесконечных модельных, имеют определенные размеры и отличаются структурой границ. Выделяется зигзагообразная, кресельная и промежуточная структуры, что иллюстрирует Рис. 1. Индивидуальный лист графена может обладать границами различной структуры с разных сторон одного листа.

Термин «графен» был впервые введен в 1947 [23] года для описания кристалла графита, в котором слои графена находятся на расстоянии 3,4 нм друг от друга. Проблема получения изолированного листа графена связанна с вопросом о существовании правильных двухмерных кристаллических структур. Теоретически предсказано, что незакрепленный на подложке графен стремится либо свернуться, либо образует волны по поверхности. В

Зигзаг

Рис. 1 Примеры краев листа однослойного графена. [22]

обоих случаях из-за несоблюдения условия абсолютной плоскости, структура перестает быть двухмерной [24].

Существуют различные теоретические подходы для описания строения графена. Одной из самых распространенных теорий является классическая зонная теория. Однако, так как по сути своей графен не является кристаллом, то эта теория оказывается мало применимой для детального описания свойств этого материала.

Так как другие квантово-химические расчеты, применяемые для описания структуры графена, используют модели с конечным числом атомов, в итоге расчетов получаются дискретные значения уровней энергий. Это противоречит другим исследованиям, которые показывают, что графен может вести себя и как металл, и как полупроводник.

На настоящий момент общепринятым считается, что зона проводимости и валентная зона для графена выглядят, как два конуса, которые соприкасаются в точках Дирака (Рис. 2). Запрещенная зона в чистом графене отсутствует. Экспериментальное измерение проводимости также согласуется с этой точкой зрения.

£

Зона проводи!

Точка Дирака

Валентная зона

Рис.2 Зонная структура графена [23] 14

Ранее был рассмотрен графен с идеальной структурой, однако реальный графен имеет дефекты, которые также будут иметь место и в нанотрубках.

Согласно принятой классификации [25, 26], все многообразие дефектов, встречающееся в графене и нанотрубках, делятся на три группы: 1 - топологические дефекты, 2 - дефекты регибридизации, 3 - дефекты ненасыщенных (оборванных) связей.

В случае топологических дефектов подразумевают наличие в свернутой графеновой сетке отличных от гексагонов углеродных многоугольников (пентагонов и гептагонов), появление которых приводит к возникновению положительной (пентагоны) или отрицательной (гептагоны) кривизны цилиндра, а их объединение в парные дефекты приводит к возможностям вариации кривизны и геликоидальности труб. Эти молекулярные дефекты играют определяющую роль в формировании топологии концевых секций тубуленов, придавая им коническую форму либо способствуя образованию различных концевых групп - «крышек» замкнутых нанотруб [27; 28].

Регибридизационные дефекты связывают с возможностью изменения электронной конфигурации атомов углерода (например, переход эрг - Брз).

Третий тип дефектов обусловлен вакансиями, примесями, дислокациями, а также связан со структурой концевых групп нанотрубок (открытых или замкнутых).

Отметим, что именно появление топологических дефектов в графене приводит к искривлению плоской поверхности графена и, как следствие, образованию УНТ или фуллеренов.

Помимо возможной дефектности структуры графена было обнаружено, что свободно лежащий лист графена при комнатной температуре не является абсолютно плоским. Под действием дефектов структуры на нем появляется «рябь». Однако, в [24] показано, что размер шероховатостей не превышает

0,02 нм. Однако, из-за наличия даже таких малых неровностей свободнолежащий графен не может считаться двухмерным объектом.

Также в [29-30] показано, что на физические свойства графена может влиять и такая структурная особенность, как строение краев. Авторы показали, что атомы шестичленных колец, будучи нерасщеплёнными могут вступать в связь с молекулами из окружающей среды- чаще всего водой и продуктами ее диссоциации. При этом меняется их гибридизация, которая искажает плоское строение листа графена. Как и в УНТ разнообразие электронных свойств, в частности проводимость, может меняться в зависимости от структуры краев. Причем, чем меньше размер чешуек графена, тем большее влияние оказывает искажение краев на их свойства.

На все вышеперечисленные факторы, несомненно, влияет метод синтеза графена. Физические, структурные и другие свойства наноструктур оказываются крайне чувствительны не только к методам получения, но и к конкретным условиям синтеза внутри даже одного метода. Данная особенность присуща и графену. От условий синтеза зависят геометрические размеры (ширина, толщина, количество слоев), концентрация примесей и дефектов, строение краев, а, следовательно, и свойства изучаемого объекта. Графен можно получить механическим способом: отслоением отдельных листов с помощью клейкой ленты и последующем перенесением его на подложку[31, 32]. Также графен получают с использованием различных химических реактивов, которые потом, испаряясь, помогают получить свободный лист графена[33, 34, 35].

1.1.2. Применение графена

Наряду с экспериментальным изучением, исследователями начал производится поиск возможно прикладного применения графена в различных сферах. Уникальность физических свойств графена заключается в том, что при толщине в один атом он является одним из самых прочных

материалов, оказываясь хорошим проводником при комнатной и более низких температурах. Графен также устойчив к изменению температур. В [36] описано, что при нагревании в аргоне до 400 С его структура осталась неизменной, а физически свойства менялись согласно известным законам.

Благодаря этим свойствам на основе графена возможно изготавливать прозрачные электроды и светодиоды, солнечные батареи, полевые транзисторы и т.д. Однако наиболее революционной является идея создания полностью углеродной высокоскоростной электроники, где все элементы будут изготовлены на основе графена и его производных. Теоретики предсказывают, что полностью гибкие углеродные интегральные схемы можно будет производить с использованием литографии. Пока, к сожалению, воплощение этой идеи в жизнь невозможно, так как на настоящий момент нельзя производить бездефектные графеновые пленки определенного размера на гибких подложках. Авторами [37] были предприняты попытки решения данной проблемы. Они получили раствор с диспергированным в нем графене, и, с использованием лазерной печати создали прототип ячейки памяти с возможностью многократной записи и считывания. Плотность записи составила 500000 бит/см и может быть увеличена еще.

Авторы многих исследований отмечают, что преимущества применения графена в наноэлектронике также связаны с тем, что электроны в нем перемещаются практически без рассеяния, выделяя при этом очень мало тепла. Графен является хорошим тепловым проводником, что позволяет рассеивать избыточное тепло. Эти свойства позволят увеличить быстродействие приборов с использование графена по сравнению с кремниевыми, которые распространены в настоящий момент.

В работе [1] описаны первые полевые транзисторы, созданные на основе графена, которые, как предполагают авторы могут совершить прорыв в наноэлектронике. Изготовлены они были с использованием раствора, содержащего графеновые чешуйки, которую наносили на подложку. После

испарения растворителя отдельные чешуйки попадали между электродами.

17

Таким образом авторы предлагают получать двух или трех-контактные полевые транзисторы. Также в [38, 39] сообщается о высокоскоростном транзисторе, работающем на частоте 700-1400 ГГц. В [40] предлагают использовать отдельные графеновые «островки» в качестве «квантовых точек» для создания квантового компьютера.

Особенности строения графенового листа открывают перед конструкторами электронных устройств такие возможности, какие нельзя реализовать с помощью материалов, используемых в современной электронике.

В [41] предложено использовать графен в качестве сенсора, способного обнаружить отдельные молекулы в газовой среде. Это становится возможным благодаря термической, механической и химической стабильности графена одновременно с поразительной чувствительностью физических свойств к наличию на поверхности графена сорбированных атомов. Этот сенсор может детектировать атомы при измерении, например, проводимости графена. В [42] проведены исследования, которые показали, что проводимость графена оказалась чувствительной к присутствию в атмосфере примесей И02 в очень небольшом количестве.

Также существуют работы, в которых предлагается использовать графен для создания ЖК-дисплея[43], электродов и суперконденсаторов [3], мембран регулируемых проницательность среды [44, 45], магнетометра[46] и

др.

Таким образом, можно утверждать, что графен является современным и востребованным материалом в наноэлектронике и других областях науки и техники и исследование его поведения при различных условиях является необходимым.

1.2. Углеродные нанотрубки. 1.2.1. Структура и получение

Углеродные нанотрубки - протяженные цилиндрические объекты, имеющие отношение длины к диаметру ~ 1000. Поверхность трубки можно разделить на две составляющие - основная цилиндрическая часть и конец трубки - закрытый торец, по форме напоминающий половину молекулы фуллерена.

Цилиндрическую часть можно представить, как свернутый лист графена имеющий определенную симметрию относительно оси трубки. В зависимости от способа свертывания графена существуют три типа симметрии цилиндрической части УНТ: ахиральные типа "кресло" (две стороны каждого гексагена ориентированы перпендикулярно оси УНТ), ахиральные типа "зигзаг" (при параллельном положении к оси) и хиральные (любая пара сторон гексагена расположена к оси УНТ под углом, отличным от 0 или 90°). Описанные выше отличия наглядно представлены на рис. 3 [47].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Бобенко, Надежда Георгиевна, 2013 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Lin Y.-M., Dimitrakopoulos С. et al. Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene//Nano Lett. 2010. V.10 (2). Pp. 715-718.

2. Fengnian X., Damon В., Farmer B. Graphene Field-Effect Transistors with High On/Off Current Ratio and Large Transport Band Gap at Room Temperature//Nano Lett. 2010. V.10 (2). Pp. 715-718.

3. Vivekchand S. R. C., Rout Ch.-S. Graphene-based electrochemical supercapacitors// Journal of Chemical Sciences January. 2008. V. 120(1). Pp. 9-13.

4. Елецкий А. В. Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе// УФН. 2007. V.177. Pp. 233-274.

5. Egorushkin V., Mel'nikova N., Ponomarev A., Bobenko N. Low-temperature peculiarities of electron transport properties of carbon nanotubes // Journal of Materials Science and Engineering. 2011. Vol. 1 (2). Pp. 161-167.

6. Egorushkin V.E., Melnikova N.V., Bobenko N.G.et al. Electronic and Transport Properties of Carbon Nanotubes with Impurities and Structure Disorder // Journal of Physical Science and Application. V. 2 (7). 2012. Pp. 224-232.

7. Бобенко Н.Г., Егорушкин B.E., Мельникова H.B., Пономарев А.Н. Плотность электронных состояний и термоэдс в углеродных нанотрубках с примесями и структурным беспорядком // Известия ВУЗов. Физика. 2012 Т.55, №11. С. 24-34.

8. Egorushkin V.E., Melnikova N.V., Ponomarev A.N., Bobenko N.G. Electronic density of states of carbon nanotubes // International Conference on Theoretical Physics «DUBNA-NANO 2012». Russia, Dubna: July 9-14, 2012.

9. Егорушкин B.E., Мельникова H.B., Пономарёв А.Н. Бобенко Н.Г. Низкотемпературное поведение кинетических свойств углеродных

нанотрубок // Труды научной сессии МИФИ-2011. Т.2 Фундаментальные проблемы науки. Россия, Москва: 2011. С. 65-66.

Ю.Егорушкин В.Е., Мельникова Н.В., Пономарёв А.Н. Бобенко Н.Г. Особенности низкотемпературного электронного переноса в углеродных нанотрубках // Международная конференция по физической мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов. Тезисы докладов. Россия, Томск, 2011. С. 205-206.

1 l.Egorushkin V.E., Melnikova N.V., Ponomarev A.N., Bobenko N.G. Low-temperature electron transport properties of carbon nanotubes // Thirteenth annual conference «YUCOMAT 2011». Book of abstracts. Herceg Novi, Montenegro, September 5-9, 2011. P. 140.

12.Егорушкин В. E., Мельникова H. В., Пономарев А. Н., Бобенко Н. Г. Низкотемпературные свойства электронного переноса в углеродных нанотрубках// Материалы XLIX международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс», Физика. Россия, Новосибирск: 2011. С. 308.

13.Бобенко Н.Г. Плотность состояний в углеродных нанотрубках // Материалы 50-й юбилейной международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». Физика твердого тела и электроника. Россия, Новосибирск: 13-19 апреля, 2012.

14.Бобенко Н.Г., Мельникова Н.В., Пономарев А.Н. Методика преподавания курса «Наноматериалы и нанотехнологии». Расчет плотности электронных состояний с учетом упругого рассеяния электронов на примесях и структурных неоднородностях углеродных нанотрубок // Материалы международной научно-методической конференции «Современное образование: проблемы обеспечения качества подготовки специалистов в условиях перехода к многоуровневой системе высшего образования. Россия, Томск: 2-3 февраля, 2012.

15.Бобенко Н.Г., Егорушкин В.Е., Мельникова Н.В., Пономарев А.Н Низкотемпературное электросопротивление в углеродных

нанотрубках.// 8-й Международной конференции «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология». Россия, г. Троицк, 25-28 сентября, 2012.

16.Бобенко Н.Г., Егорушкин В.Е., Мельникова Н.В., Пономарев А.Н. Низкотемпературное сопротивление и плотность электронных состояний углеродных нанотрубок Нанотехнологии функциональных материалов (НФМ-2012). Россия, г. Санкт-Петербург. 27-29 июня, 2012г.

17.Бобенко Н.Г. Низкотемпературная термоэдс «грязных» металлизированных нанотрубок// «Лазерная физика, наноструктуры, квантовая микроскопия». Россия, г. Томск, 17-18 сентября, 2012.

18.Бобенко Н.Г., Пономарев А.Н., Егорушкин В. Е., Мельникова Н. В. Особенности низкотемпературной термоэдс в металлизированных углеродных нанотрубках// V-я Всероссийская конференция молодых учёных «Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии», Россия, г. Томск, 17-19 октября, 2012.

19.Bobenko N.G., Egorushkin V.E., Melnikova N.V., Ponomarev A.N. The density of electronic states in grapheme with impurities and structural disorder// The 7th Russian-French Workshop on Nanosciences and Nanotechnologoes, Program and abstracts book. Russia, Novosibirsk: 2013. Pp.69.

20.Egorushkin V., Melnikova N., Ponomarev A., Bobenko N. DOS and electrical resistivity in disordered graphene at low temperatures// 2nd International School-Conference on Nanotechnology and Nanotoxicology, Russia, Baikal, August 15th -19th, 2013( in print).

21.Novoselov K. S., Geim А. К et all, Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films //Science. 2004.V. ЗОб.Рр. 666—669.

22.. Malard L.M., Pimenta M.A. Raman spectroscopy in graphene// Phys. Rep. 2009. V.473(5-6). Pp. 51-87.

23.Wallace P. R. The Band Theory of Graphite// Phys. Rev. 1947. V.71. Pp. 622

!

24.Chun H. L., Li L. et al. Ultraflat grapheme// Nature. 2009. V. 462. Pp. 339341

25.3апороцкова И.В. Углеродные и неуглеродные наноматериалы и композитные структуры на их основе: строение и электронные свойства/ И.В. Запороцкова.— Волгоград: ВолГУ, 2009. 490 с. 26.Shuai W., Tang L. A. Room-Temperature Synthesis of Soluble Carbon Nanotubes by the Sonication of Graphene Oxide Nanosheets// J. Am. Chem. Soc. 2009. V. 131 (46). Pp. 16832-16837. 27.Dunlap В. I. Connecting carbon tubules // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. Pp. 1933-1936.

28.1ijima S. Single-shell carbon nanotubes of 1-nm diameter // Nature. 1993. V. 363. Pp. 603-605.

29.Jia X., Hofmann M. Controlled Formation of Sharp Zigzag and Armchair Edges in Graphitic Nanoribbons// Science. 2009. V. 323 (5922). Pp. 17011705.

30.Girit С. O. Graphene at the edge: stability and dynamics// Science. 2009. V.323. Pp.1705-1708.

31. Novoselov K. S., Geim A. K. et al, Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films// Science. 2004.V. 306 (5696). Pp. 666-669.

32. Novoselov K. S., Jiang D. et al. Two-dimensional atomic crystals// PNAS. 2005. V.102(30). Pp. 10451-10453.

33.Yakes M. K. , Gunlycke D. Conductance Anisotropy in Epitaxial Graphene Sheets Generated by Substrate Interactions// Nano Lett. 2010. V. 10 (5). Pp. 1559-1562.

34.Robinson J, Weng X. et al. Nucleation of epitaxial graphene on SiC(0001)// ACS Nano. 2010. V.4(l). Pp.153-8.

35.Emtsev К. V., Bostwick A., Horn K. et al. Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide// Nature Materials. 2009. V.8. Pp. 203 - 207.

36. Nourbakhsh A., Cantoro M. Tuning the Fermi Level of Si02-Supported Single-Layer Graphene by Thermal Annealing// J. Phys. Chem. C. 2010. V.114 (15). Pp.6894-6900.

37.Liang J., Chen Y. et al. Toward all-carbon electronics: fabrication of graphene-based flexible electronic circuits and memory cards using maskless laser direct writing/ /ACS Appl Mater Interfaces. 2010.V.2(11). Pp.3310-7.

38.Tang Y., Gou J., Synergistic effect on electrical conductivity of few-layer graphene/multi-walled carbon nanotube paper// Materials Letters. 2010. V.64(22). Pp. 2513-2516.

39.Lei L., Jingwei B. et al. Sub-100 nm Channel Length Graphene Transistors// Nano Lett. 2010. V.10 (10). Pp. 3952-3956.

40. Stampfer C., Schurtenberger E. Tunable Graphene Single Electron Transistor//Nano Lett. 2008. V.8 (8). Pp. 2378-2383.

41.Schedin F., Geim A. K. et al. Detection of individual gas molecules adsorbed on grapheme//Nature Materials.2007. V.6. Pp. 652 - 655.

42.Ganhua L., Leonidas E. et al. Gas detection using low-temperature reduced graphene oxide sheets// Appl. Phys. Lett. 2009. V.94. Pp. 083111.

43.Blake P. , Brimicombe P. D. Graphene-Based Liquid Crystal Device// Nano Lett. 2008. V. 8 (6). Pp. 1704-1708.

44.Matyba P., Yamaguchi H. Graphene and Mobile Ions: The Key to All-Plastic, Solution-Processed Light-Emitting Devices// ACS Nano. 2010. V. 4 (2). Pp. 637-642.

45.Titov A.V., Krai P., Pearson R. Sandwiched graphene—membrane superstructures// ACS Nano. 2010.V.4(1). Pp. 229-34.

46.Pisana S., Braganca P.M. Tunable nanoscale graphene magnetometers// Nano Lett. 2010. V.10(l). Pp.341-6.

47.Елецкий А. В., Углеродные нанотрубки// УФН. 1997. Т. 167( 9). С. 954.

48.Трефилов В. И., Щур Д. В. и др., Фуллерены — основа материалов будущего// Киев: АДЕФ-Украина, 2001.

49.Елецкий Ф. В. Углеродные нанотрубки и их эмиссионные свойства// УФН. 2002. Т. 172, № 4. С. 401.

50.1ijima S., Helical microtubules of graphitic carbon// Nature. 1991. V. 354. Pp. 56.

51.Bockrath M., Hone J., Zettl A. et al. Chemical doping of individual semiconducting carbon-nanotube ropes //Phys. Rev. B. 2000. V.61. Pp. R10606.

52.Harris P.J.F. Solid state growth mechanisms for carbon nanotubes// Carbon. 2001. V.45.Pp. 229-239.

53.Ando Y., Zhao X., Sugai T. et al. Growing carbon nanotubes // Mater. Today. 2004. V.7. Pp. 22-29.

54.Ajayan P.M., Iijima S., Ichihashi T. Electron-loss spectroscopy of carbon nanometer-size tubes // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. Pp. 6859-6862.

55.Endo M. et al. The production and structure of pyrolytic carbon nanotubes (PCNTs) // J. Phys. Chem. Solids. 1993. V. 54. Pp. 1841-1848.

56.Ивановский A. JI. Квантовая химия в материаловедении. Нанотубулярные формы вещества // A. JI. Ивановский. - Екатеринбург : УрРАН, 1999. - 176 с.

57. Huang Sh., Dai L. Microscopic and Macroscopic Structures of Carbon Nanotubes Produced by Pyrolysis of Iron Phthalocyanine// Journal of Nanoparticle Research. 2002. V. 4 (1-2). Pp. 145-155.

58.Неволин В. К. Зондовые нанотехнологии в электронике / В. К. Неволин. - М.: Техносфера, 2005. - 150 с.

59.Castro Neto А. Н., Guinea F. et al. The electronic properties of graphene// Rev.Mod. Phys. 2009. V.81. Pp. 109.

60.Сяосин Ч. Локализованные состояния и флуктуации в графене// Автореферат диссертации. СС. 1-18. 2011.

61.1hn Т., Giittinger J. Graphene single-electron transistors//Materials Today. 2010. V. 13(3). Pp. 44-50.

62.Аврамов П. В. , Якобсон Б. И., Scuseria G. Е. Влияние дефектов углеродной сетки на электронную структуру полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок // ФТТ. 2004. Т. 46 (6). С. 11321137.

63.Belavin V. V., Bulusheva L. G et al. Modifications to the electronic structure of carbon nanotubes with symmetric and random vacancies // Int. J. Quant. Chem. 2004. V. 96 (3). Pp. 239-246.

in

64. Huang B.-L., Chang M.-C., Мои Ch.-Y. Density of states of a graphene in the presence of strong point defects// Phys. Rev. B. 2010. V.82. Pp.155462.

65.Ando Y., Tsuneya S. et al. Electronic States of Graphene and its Multi-Layers// Found, of Quant. Mechan. in the Light of New Techn. 2009. Pp. 154-161.

66.P.W. Anderson. Localized Magnetic States in Metals// Phys. Rev. 1961. V. 124(1). Pp. 41-53.

67.Haldane F.D.M., Anderson P.W. Simple model of multiple charge states of transition-metal impurities in semiconductors // Phys. Rev. B. 1976. V.13. Pp. 2553-2559.

68.Duplock E.J., Scheffler M., Lindan P.J.D. Hallmark of Perfect Graphene// Phys. Rev. Lett. 2004. V. 92. Pp. 225 502-1- 225502-4.

69.Sofo J.O., Caudhari A.S., Barber G.D. Graphane: A two-dimensional hydrocarbon// Phys. Rev. B. 2007.V. 75. Pp. 153 401-1- 153401-4.

70.McKay Y., Wales D.J., Jenkins S.J. et al. Hydrogen on graphene under stress: Molecular dissociation and gap opening //Phys. Rev. B. 2010. V. 81. Pp. 075425-1-075425-6.

71. Давыдов С.Ю. Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией// Физика и техника полупроводников. Т. 46(2). С. 204-209.2012.

72.Zhou J., Wang Q., Sun Q.et al. Ferromagnetism in Semihydrogenated Graphene Sheet//Nano Lett. 2009. V. 9 (11). Pp 3867-3870.

73.Lebegue S., Klintenberg M., Eriksson O. et al. Accurate electronic band gap of pure and functionalized graphane from GW calculations// Phys. Rev. B. 2009. V.79. Pp. 245117-1- 245117-5.

74.Давыдов С.Ю. Малые атомные кластеры на графене:модельный подход// Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38(15). С. 25-33.

75.Droscher S., Roulleau P., Molitor F. et al. Quantum capacitance and density of states of graphene// Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. Pp. 152104-1-1521043.

76.Jorio R., Saito J., Hafner H. Structural (n, m) Determination of Isolated Single-Wall Carbon Nanotubes by Resonant Raman Scattering// Phys. Rev. Lett. 2001. V.86. Pp. 1118-1121. 77.0'Connell M. J., Bachilo S. M., Ma J. Band Gap Fluorescence from Individual Single-Walled Carbon Nanotubes// Science. 2002. V. 297. Pp.593-596.

78.1shii H., Kataura H., Shiozawa H. Direct observation of Tomonaga-Luttinger-liquid state in carbon nanotubes at low temperatures// Nature.2003. V. 426. Pp. 540-544. 79.Inoue S., Suto H., Wongwiriyapan W. Density of States of Single-Walled Carbon Nanotubes Grown on Metal Tip Apex// Applied Physics Express. 2009. V.2 Pp. 035005.

80.Tarkiainen R., Ahlskog M., Paalanen M. Tunneling spectroscopy of disordered multiwalled carbon nanotubes// Phys. Rev. B. 2005.V. 71. Pp. 125425.

81.Wildoer J. W. G., Venema L. C., Rinzler A. G. Electronic structure of atomically resolved carbon nanotubes//Nature. 1998. V. 391.Pp. 59-61.

82,Ouyang M., Huang J.-L., Cheung C.-L. Energy Gaps in "Metallic" SingleWalled Carbon Nanotubes// Science. 2001. V. 292. Pp. 702-705.

83.Rubio A., Sanchez-Portal D., Artacho E. Electronic States in a Finite Carbon Nanotube: a One-Dimensional Quantum Box// Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. Pp. 3520-3523.

84.Jishi R. A., Bragin J. Comment on "Glassy Potts model: A disordered Potts model without a ferromagnetic phase"// Phys. Rev. B. 1999. V. 59. Pp. 9862-9863.

85.Matsuo Y., Tahara K., Nakamura E. Theoretical Studies on Structures and Aromaticity of Finite-Length Armchair Carbon Nanotubes// Org. Lett. 2003. V. 5. Pp. 3181-3184.

86.Chen R. B., Lu B. J., Tsai C. C. Electronic structures of finite double-walled carbon nanotubes in a magnetic field// Carbon. 2004. V.42. Pp. 2873.

87.Chen R. B., Chang C. P., Hwang J. S. Magnetization of Finite Carbon Nanotubes//J. Phys. Soc. Japan. 2005. V. 74. Pp. 1404-1407.

113

88.Louis N., Jayam Sr. G., Raj A. A. Band structure,density of states and superconductivity of adsorbed titanium chains on (8,8) and (14,0) carbon nanotubes // Materials Physics and Mechanics.2010. V.10. Pp. 72-81.

89. Романов А. С., Макаев Д. В., Дьячков П. H. Влияние изоэлектронных примесей на электронное строение BN-нанотрубок// Письма в ЖЭТФ. 2008. Т. 87(1). С. 56-60.

90.0uyang M., Huang J.-L., Cheung С. L., Lieber С. M. Energy gaps in "metallic" single-walled carbon nanotubes // Science -2001. -V.292. -P.702-705.

91.Mintmireand J. W., White С. T. Universal Density of States for Carbon Nanotubes//. Lett. 1998. V.81. Pp. 2506.

92.Nizam R., Mahdi S.A et al. Calculating Electronic Structure of Different Carbon Nanotubes and its Affect on Band Gap// International Journal of Science and Technology. 2011. V. 1 (4). Pp. 2224-3577.

93.Kwon Y.-K., Toma'nek D. Electronic and structural properties of multiwall carbon nanotubes// Phys. Rev. В. V. 58 (24). Pp. 51548-2.

94.Hart J. Carbon Nanotubes: Fundamentals, Synthesis, Processing, and Applications// "Needlework". 2006.

95.Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V. et al. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene//Nature. 2005. V. 438. Pp. 197-200.

96.Schedin F., Geim K., Morozov S. V. et al. Detection of individual gas molecules adsorbed on graphene// Nat. Mater. 2007. V.6. Pp. 652-655.

97.Tan Y.-W., Zhang Y., Bolotin K. et al. Measurement of Scattering Rate and Minimum Conductivity in Graphene// Phys. Rev. Lett. 2007. V.99. Pp. 246803.

98. Chen J. H., Jang C., Fuhrer M. S. et al. Charged Impurity Scattering in Graphene//arXiv:0708.2408. 2007.

99.Nomura K., MacDonald A. H. Quantum Hall Ferromagnettsm in Graphene/ Phys. Rev. Lett. 2006. V.96. Pp. 256602.

100. Katsnelson M. I., Geim A. K. Electron scattering on microscopic corrugations in grapheme // Phil. Trans. R. Soc. 2008. V.A366. Pp. 195.

101. Lilly M. P., Reno J. L. Resistivity of Dilute 2D Electrons in an Undoped GaAs Heterostructure// Phys. Rev. Lett. 2003. V. 90. Pp. 056806.

102. Dai H., Wong E. W. Probing electrical transport in nanomaterials : condu-ctivity of individual carbon nanotubes//Science.l996.V. 272(5261). Pp. 523-526.

103. Lin M.F., Shung K. W. K. Magnetoconductance of carbon nanotubes //Phys. Rev. B. 1995. V. 51. Pp. 7592.

104. L. Chico Benedict L. X., Louie S. G. et al. Quantum conductance of carbon nanotubes with defects // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. Pp. 2600.

105. Langer L. Bayot V., Grivei E., et al. Quantum transport in a multiwalled carbon nanotube // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76. Pp. 479.

106. Zhang Y., Tan Y.-W., Stornier H. L. Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry's phase in grapheme// Nature. 2005. V.438. Pp. 201-204.

107. Hwang, E. H., Adam S., Das Sarma S. Transport in chemically doped graphene in the presence of adsorbed molecules//Phys. Rev. B. 2007. V. 76, Pp.195421.

108. Morozov S.V., Novoselov K. S., Katsnelson M. I et al. Giant Intrinsic Carrier Mobilities in Graphene and Its Bilayer// Phys. Rev.Lett. 2008. V.100. Pp.016602.

109. Bachtold A., Strunk C., Salvetat J.-P. et al. Aharonov-Bohm oscillations in carbon nanotubes // Nature. - 1999. V. 397. Pp. 673.

110. Bachtold A., Fuhrer M. S., Plyasunov S. et al. Scanned Probe Microscopy of Electronic Transport in Carbon Nanotubes // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84. Pp. 6082-6085.

111. Morozov S.V., Novoselov K.S., Katsnelson M.I. et al. Giant Intrinsic Carrier Mobilities in Graphene and Its Bilayer// Phys. Rev. Lett. 2008. V.100. Pp. 016602.

112. Tan Y. -W., Zhang Y., Bolotin K. et al. Measurement of Scattering Rate and Minimum Conductivity in Graphene //Phys. Rev. Lett. 2007. V.99. Pp. 246803.

113. Bolotin К., Sikes К. J., Hone J. et al. Temperature dependent transport in suspended grapheme// Phys. Rev. Lett. 2008. V.101. Pp. 096802

114. Bockrath M., Cobden D. H., McEuen P. L., Single-electron transport in ropes of carbon nanotube//Science. 1997. V. 275. Pp.1922.

115. Shunin Y. N., Zhukovskii Y. F. Ab Initio Simulations on Electric Properties for Junctions Between Carbon Nanotubes and Metal Electrodes// Nanoscience and Nanotechnology Letters. 2011. V. 3(6). Pp.816-825.

116. Saito R., Dresselhaus M. S., Dresselhaus G. Physical properties of carbon nanotubes // Imperial College Press. 1999.Pp. 251.

117. Zhou Y., Sreekala S. Resistance of copper nanowires and comparison with carbon nanotube bundles for interconnect applications using first principles calculations// J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V.20. Pp.095209.

118. Елецкий A.B.. Транспортные свойства углеродных нанотрубок //Успехи физических наук. 2009. Т. 179 (3). С. 225.

119. Kim P., Shi L.et al. Thermal transport measurements of individual multiwalled nanotubes// Phys Rev Lett. 2001. V.87. Pp. 215502/1-4.

120. Yu C., Shi L. et al. Thermal conductance and thermopower of an individual single-wall carbon nanotube// Nano Lett. 2005. V. 5. Pp. 18421846.

121. Xie H., Cai A., Wang X. Thermal diffusivity and conductivity of multiwalled carbon nanotube arrays// Phys. Lett. A. 2007. V. 369 ( 1-2). Pp. 120-123.

122. Stroscio M.A., Dutta M., Kahn D et al. Continuum model of optical phonons in a nanotube// Superlattices and Microstructures.2001/ V. 29: Pp. 405-409.

123. Grujicic M., Cao G., Gersten B. Atomic-scale computations of the lattice contribution to thermal conductivity of single-walled carbon nanotubes// Mater Sci Eng B. 2004. V. 107. Pp. 204-216.

124. Hepplestone S.P., Ciavarella A.M., Janke C. et al. Size and temperature dependence of the specific heat capacity of carbon nanotubes. Surface // Science. 2006. V. 600. Pp. 3633-3636.

125. Nan C.W., Shi Z., Lin Y. A simple model for thermal conductivity of carbon nanotube-based composites// Chem Phys Lett. 2003.V. 375. Pp. 666669.

126. Yu C., Shi L., Yao Z. et al. Thermal conductance and thermopower of an individual single-wall carbon nanotube// Nano Lett. 2005. V. 5. Pp. 18421846.

127. Kasuya A., Saito Y., Sasaki Y.et al. Size dependent characteristics of single wall carbon nanotubes// Mater Sci Eng A. 1996. V. 217/218. Pp. 4647.

128. Sauvajol J.L., Anglaret E., Rols S.et al. Phonons in single wall carbon nanotube bundles // Carbon. 2002. V. 40. Pp. 1697-1714.

129. Hone J., Whitney M., Piskoti C. et al. Thermal conductivity of singlewalled carbon nanotubes// Phys Rev B. 1999. V. 59. Pp. R2514-R2516.

130. Berber S., Kwon Y.K., Tomanek D. Unusually High Thermal Conductivity of Carbon Nanotubes// Phys Rev Lett. 2000. V. 84. Pp. 46134616.

131. Li Q., Liu C., Wang X. et al. Measuring the thermal conductivity of individual carbon nanotubes by the Raman shift method //Nanotechnology. 2009. V. 20: Pp.145702.

132. Mingo N., Broido D.A. Carbon nanotube ballistic thermal conductance and its limits // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. Pp. 096105.

133. Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Saito R. et al. Raman spectroscopy on isolated single wall carbon nanotubes. //Carbon. 2002.V. 40. Pp. 20432061.

134. Dimitrakopulos G.P., Dravid V.P. et al. The defect character of carbon nanotubes and nanoparticles//Acta Cryst. 1997.V. A53. Pp.341-351.

135. Zhang W., Zhu Z. et al. Chirality dependence of the thermal conductivity of carbon nanotubes// Nanotechnology. 2004. V. 15. Pp. 936939.

136. Mensah S.Y., Allotey F.K.A. et al. High electron thermal conductivity of chiral carbon nanotubes// Physica E. 2004. V. 23. Pp. 152-158.

137. Mawhinney D.B., Naumenko V., Smalley R.E. Surface defect site density on single walled carbon nanotubes by titration. // Chem. Phys. Lett. 2000.V. 324. Pp. 213-216.

138. Yamamoto Т., Watanabe K. Nonequilibrium Green's function approach to phonon transport in defective carbon nanotubes// Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. Pp.255503.

139. Che J., Cagin Т., Goddard W.A. Thermal conductivity of carbon nanotubes//Nanotechnology. 2000. V. 11. Pp.65-69.

140. Osvath Z., Tapaszto L. et al. STM imaging of carbon nanotube point defects// Phys. Stat. Sol. (a). 2007. V. 204. Pp. 1825-1829.

141. Meng F.Y., Ogata S. et al. Thermal conductivity of an ultrathin carbon nanotube with an X-shaped junction// Phys Rev B. 2007. V. 75. Pp. 205403.

142. Ponyatovsky E.G., Barkalov O.I.. Pressure-induced.study of bulk amorphous A132Ge68 alloy//Phys.Rev.B. 1999.V.60. Pp. 12681-12686.

143. Ugawa A., Rinzler A. G., Tanner D. B.Far-infrared gaps in single-wall carbon nanotubes Phys.Rev.B. 1999.V.60(6).Pp. R11305-R11308

144. Антонова И. В. Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в Si02 : структурные, оптические, электронные свойства // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44 (4). С. 501-506.

145. Tian М., Li F. et al. Thermoelectric power behavior in carbon nanotubule bundles from 4.2 to 300 KM Phys. Rev. B. 1998. V.58. Pp. 1166 -1168.

146. Ovsienko I., Matzui L., Pundyk I. Thermopower of Nanocarbon Materials with Different Structure and Phase Composition // J Mat Sci Res. 2012. V.l (3).Pp. 19-24.

147. Choi Y.-M., Lee D.-S., Czerw R. et al. Nonlinear Behavior in the Thermopower of Doped Carbon Nanotubes Due to Strong, Localized States//Nano Lett. 2003. V.3 (6). Pp. 839-842.

148. Jin R., Zhou Z.X., Mandrus D. et al. The effect of annealing on the electrical and thermal transport properties of macroscopic bundles of long multi-wall carbon nanotubes// Physica B. 2007. V. 388. Pp. 329126-330.

149. Kim P., Shi. Mc., Euen P.L. Thermal transport measurements of individual multiwalled nanotubes// Phys. Rev. Lett. 2001. V.87(21). Pp.215502.

150. Vavro J., Llaguno M.C. et al. Thermoelectric power of p-doped single-wall carbon nanotubes and the role of phonon drag// Phys. Rev. Lett. 2003. V. 90(6). Pp. 065503-1 - 065503-4.

151. Egorushkin V. E., Melnikova N. V et all. Anomalous thermal conductivity in multiwalled carbon nanotubes with impurities and short-range order // J. Physics: Conference Series. 2010. V. 248. Pp. 012005-1012005-8.

152. Tan Y.-W., Zhang Y., Stornier H.L. et al. Temperature dependent electron transport in graphene// Eur. Phys. J. Special Topics. 2007. V. 148. Pp. 15-18.

153. Иверонова В.И., Кацнельсон A.A. Ближний порядок в твердых растворах/В.И. Иверонова. -М.: Наука, 1977. 256 с.

154. Егорушкин В.Е., Физика неравновестных явлений (Курс лекций)/ В.Е. Егорушкин.-Томск.: ТГУ. 2010. 208 с.

155. Фёдоров A.C., П.Б.Сорокин Оптимизация расчетов электронной структуры углеродных нанотруб //ФТТ. 2005. Т.47 (11). С.2106-2111.

156. Ishii H . , Kataura H et al. Direct observation of Tomonaga-Luttinger-liquid state in carbon nanotubes at low temperatures // Nature. 2003. V. 426. Pp. 540-544.

157. Tarkiainen R . , Ahlskog M et al. Tunneling spectroscopy of disordered multiwalled carbon nanotubes// Phys. Rev. B. 2005. V. 71. Pp. 125425.

158. Ouya n g M., Huang J . - L . et al. Energy Gaps in "Metallic" SingleWalled Carbon Nanotubes// Science. 2001. V. 292. Pp. 702-705.

159. Jalilia S., Jafarib M. et al. Effect of impurity on electronic properties of carbon nanotubes//J. Iran. Chem. Soc. 2008. V. 5(4). Pp. 641-645.

160. Louis N. C., Jayam S. G et al. Band Structure, Density of States and Superconductivity of Adsorbed Titanium Chains on (8,8) and (14,0) Carbon Nanotubes//Mater. Phys. Mech. 2010. V. 10. Pp. 72-81.

119

161. Avouris Ph., Martel R. et al. // Science and Application of Nanoubes // Plenum Publishers. 2000. Pp. 223-237.

162. Yamamoto Т., Watanabe K. Nonequilibrium Green's function approach to phonon transport in defective carbon nanotubes// Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. Pp. 255503.

163. Лифшиц E. M., Питаевский Л. П. Физическая кинетика/ Е. М. Лифшиц. -М.: Наука, 1979. 528 с.

164. Keqin Y., Лап Н. Tuning electrical and thermal connectivity in multiwalled carbon nanotube buckypaper // J. Phys. Condens. Matter. 2010. V. 22(33). Pp. 334215

165. Choi Y.-M., Lee D. -S. et al. Nonlinear behavior in the thermopower of doped carbon nanotubes due to strong, localized states // Nano Lett. 2003. V. 3. (6). Pp. 839-842.

166. Jin R., Zhou Z. X. et al. The effect of annealing on the electrical and thermal transport properties of macroscopic bundles of long multi-wall carbon nanotubes //PhysicaB. 2007. V. 388. Pp. 326-330.

167. Tian M., LiF. Et al. Thermoelectric power behavior in carbon nanotubule bundles from 4.2 to 300 К // Phys. Rev. B. 1998. V. 58(3). Pp. 1166-1168.