Возбуждение магнитостатических волн планарными преобразователями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, доктор физико-математических наук Бабичев, Рудольф Карпович

• Бабичев, Рудольф Карпович
• доктор физико-математических наук
• 1997

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Бабичев, Рудольф Карпович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ

1.1. Основные уравнения и граничные условия

1.2. Исследовании характеристик поверхностных магнитостатичесжих волн в металлизированной пленке железоиттриивого граната

1.2.1. Дисперсионное уравнение и структура поля поверхностной магнитостатической волны низшего типа в структуре металл-феррит-диэлектрик с намагниченной ферритовой пленкой конечной ширины

1.2.2. Экспериментальное исследование дисперсии и времени задержки поверхностной магнитостатической волны низшего типа в структуре металл-феррит-диэлектрик с намагниченной ферритовой пленкой конечной ширины

1.2.3. Выводы

1.3. затуха1ше iюверх1юотных мап 1итостатических волн в слоис той структуре с металлическим слоем конечной проводимости

1.3.1. Дисперсионное уравнение поверхностных магитостатических волн в структуре металл-феррит-диэлектрик с конечной толщиной и проводимостью металла

1.3.2. Анализ комплексной постоянной распространения поверхностной магнитостатической волны, распространяющейся в намагниченной ферритовой пленке вдоль границы феррит-металл

1.3.3. Сравнение с известными расчетными результатами

1.3.4. Экспериментальное исследование влияния толщины металлического слоя на дисперсию и потери поверхностной магнитостатической волны и сравнение с расчетными характеристиками

1.3.5. Выводы

1.4. исследование влияния экрана на характеристики магнитостатических волн в слоистой структуре с ферритовой пленкой при произвольном направлении под-магничивания

1.4.1. Дисперсионное уравнение магнитостатических волн, распространяющихся в структуре

металл-диэлектрик-феррит

1.4.2. Анализ частотных зависимостей волнового числа и времени задержки магнитостатической волны низшего типа

1.4.3. Выводы

1.5. Исследование влияния двух экранов ил характеристики магнтостлтических воли в слоистой структуре с ферритовой пленкой при произвольном направлении под-магничивания

1.5.1. Дисперсионное уравнение магнитостатических волн в структуре металл-диэлектрик-феррит-диэлектрик-металл

1.5.2. Анализ частотных зависимостей волнового числа и времени задержки магнитостатической волны низшего типа в структуре металл-диэлектрик-феррит-диэлектрик-металл

1.5.3. Выводы

2. ПРИБЛИЖЕННАЯ ТЕОРИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

2.1. При ближе! шля теория преобразователей магиитостатических волн, расг1рстраняю-1дихся в многослойной структуре с ферритовой пленкой при произвольном направлении приложенного постоянного магнитного поля

2.1.1. Основные предположения

2.1.2. Уравнения электромагнитного поля и выражения для полей магиитостатических волн

2.1.3. Граничные условия и дисперсионное уравнение

2.1.4. Поля магиитостатических волн

2.1.5. Мощность, уносимая распространяющимися магнитостатическими волнами

2.2. Приближенная теория преобразователей поверхностных магиитостатических волн, распр<х:трлняющихся в многослойной структуре с ферритовой пленкой

2.3. Выводы

3. ПЛОТНОСТЬ ТОКА В СИСТЕМЕ КОПЛАНАРНЫХ ПРОВОДНКОВ

3.1. инте1 ральное уравнение для i 1лотности тока в системе koiijiahapi1ых проводников,

возбуждающей поверхностные магнитостлтические волны

3.2. Плотность тока в системе koi гланарных j 1роводников, расположенных на на-

магниченном полуьескопечном феррите

3.2.1. Метод решения сингулярного интегрального уравнения для плотности тока

3.2.2. Распределение продольного тока в несимметричной копланарной линии с одним боковым экраном

3.2.3. Распределение тока в двухполосковой линии, расположенной на поверхности полубесконечного феррита

3.2.4. Распределение продольного тока в несимметричной копланарной линии с двумя боковыми экранами

3.3. Результаты и выводы

4. СОПРОТИВЛЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ КОПЛАНАРНЫХ И ДВУХПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ,

РАСПОЛОЖЕННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ФЕРРИТОВОЙ ПОДЛОЖКИ

4.1. сопротивление излучения несимметричной копланарной линии с одним боковым экраном

4.2. Сопротивление излучения симметричной двухполосковой линии

4.3. Сопротивление излучения несимметричной копланарной линии с двумя боковыми экранами

4.4. Результаты и выводы

5. ВЛИЯНИЕ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ЭКРАНА НА СОПРОТИВЛЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ КОПЛАНАРНЫХ И ДВУХПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ

5.1. Сопротивление излучения несимметричной копланарной линии с экраном

5.2. Сопротивление излучения симметричной двухполосковой линии с экраном

5.3. Резуль таты и выводы

6. СОПРОТИВЛЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ И ИНДУКТИВНОСТЬ МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ, СОДЕРЖАЩЕЙ ПРОДОЛЬНО НАМАГНИЧЕННЫЙ ФЕРРИТОВЫЙ СЛОЙ С ЭКРАНОМ

6.1. Приближенный метод расчета сопротивления излучения и индуктивности мик-юполосковой линии

6.1.1. Сопротивление излучения и индуктивность микрополосковой линии

6.1.2. Результаты расчета погонных параметров микрополосковой линии

6.1.3. Выводы

6.2. точный метод расче та импеданса микрополосковоео возбуди теля поверхностных

машитостатических волн

6.2.1. Импеданс микрополоскового излучателя ПМСВ и интегральное уравнение для тока

6.2.2. Метод решения интегрального уравнения

6.2.3. Вычисление функций (к)

6.2.4. Вычисление интегралов, определяющих коэффициенты системы алгебраических ура.внений

6.2.5. Результаты расчета токораспределеним jz (х) и погонных параметров микрополосковой

линии

6.3. Выводы

7. МЕТОД РАСЧЕТА УСТРОЙСТВ НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

7.1. Эквивалентная двухпроводная линия

7.2. Входное сопротивление отрезка линии, содержащей полосковые проводники и

намагниченную фнрритовую пленку

7.3. Метод расчета вносимых потерь устройств на магнитостатических волнах

7.4. Расчет погонной индуктивности линий с намагниченным ферритом

7.4.1. Расчет погонной индуктивности несимметричных копланарных линий, расположенных на полубесконечном феррите

7.4.2. Расчет погонной индуктивности микрополосковой линии, возбуждающей поверхностные магнитостатические волны

7.5. Расчет электродинамических параметров копланарной, микрополосково-щелевой линий

7.5.1. Расчет волновых сопротивлений и эффективных диэлектрических проницаемостей связанных микрополосково-щелевых линий

7.5.2. Расчет дисперсии электромагнитных волн в микрополосково-щелевой линии

7.5.3. Расчет копланарных волноводов с диэлектрической подложкой конечной толщины

7.6. Результаты и выводы

8. ИССЛЕДОВАНИЕ УСТРОЙСТВ ДЛЯ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

8.1. Исследование ьездиспшрсионных линий задержки на поверхнос пii>ix магнитостатических волнах

8.1.1. Линия задержки с технологичными емкостями на концах микрополосковых преобразователей

8.1.2. Линия задержки с разомкнутыми на концах микрополосковыми преобразователями

8.1.3. Выводы

8.2. Исследование перестраиваемых полосно-пропускающих фильтров па поверхностных магнитостатических волнах

8.2.1. Полосно-пропускающие фильтры с преобразователями, содержащими короткозамкнутые на конце отрезки несимметричной копланарной линии с одним экраном

8.2.2. Выводы

8.3. Исследование полоснозаграждающих фильтров на мсв и устройств на их основе

8.3.1. Исследование перестраиваемых полосно-заграждающих фильтров на магнитостатических волнах

8.3.2. Узкополосные полосно-заграждающие фильтры с копланарньши преобразователями

8.3.3. Широкополосные полосно-заграждающие фильтры с копланарньши преобразователями

8.3.4. Трех- и четырехканальные селектирующие устройства

8.3.5. Выводы

8.4. Исследовании направленных ответвителей для СВЧ интегральных схем

8.4.1. Микрополосковые направленные ответвители со слабой связью и высокой направленностью

8.4.2. Увеличение направленности микрополосковых ответвителей со слабой связью

.8.4.3. Увеличение направленности ответвителей на копланарных волноводах со слабой

связью

8.4.4. Широкополосные направленные ответвители на связанных микрополосково-щелевых линиях

8.4.5. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Список сокращений и обозначений

АЧХ - амплитудно-частотная характеристика;

ДПЛ - двухполосковая линия;

ЖИГ - железо-иттриевый гранат;

КПЛ -копланарная линия;

мпл - микрополосковая линия;

МСВ - магнитостатическая волна;

МФ-структура - структура металл-феррит; МДФ-структура - структура металл-диэлектрик-феррит; МДФД-структура - структура металл-диэлектрик-феррит-диэлектрик; МДФДМ-структура - структура металл-диэлектрик-феррит-

диэлектрик-металл; НКПЛ - несимметричная КПЛ; ОМСВ - объемная МСВ; ООМСВ- обратная ОМСВ; ОПМСВ- обратная ПМСВ; ПМСВ - поверхностная МСВ; ПОМСВ- прямая ОМСВ; ППМСВ- прямая ПМСВ;

ПП - полосковые проводники (полосковых линий) ;

СВЧ - сверхвысокие частоты;

СДПЛ - симметричная ДПЛ;

СКПЛ- симметричная КПЛ;

ФП - ферритовая пленка;

ФЧХ - фазо-частотная характеристика;

ЭМВ - электромагнитная волна;

а - полуширина центрального проводника КПЛ и МПЛ;

полуширина щели в ДПЛ; Ь - расстояние между серединой центрального проводника и

правым боковым экраном КПЛ; В - магнитная индукция ; с - скорость света; С - погонная емкость;

й - расстояние между серединой центрального проводника и

левым боковым экраном КПЛ; / - частота МСВ;

/] - частота нижней границы частотного диапазона

существования ПМСВ; /2 - частота верхней границы частотного диапазона существования ПМСВ в свободной ФП; /3 - частота верхней границы частотного диапазона существования ПМСВ в структуре феррит-металл; Ь, с; г) - гипергеометрическая функция; - функция Аппеля; (7 - погонная проводимость утечки Н - напряженность магнитного поля МСВ; к - волновое число МСВ или ЭМВ; К - безразмерный коэффициент связи для ПМСВ; I, - погонная индуктивность; М - намагниченность насыщения феррита; й - толщина ФП;

- погонное сопротивление; Т - расстояние между дополнительным экраном и плоскостью ФП;

х, у, г - координаты;

у - модуль гиромагнитного отношения для электрона; у - постоянная распространения ЭМВ; /} - тензор магнитной проницаемости феррита; // - диагональная компонента тензора магнитной проницаемости; ца - недиагональная компонента тензора магнитной проницаемости;

К{к) - полный эллиптический интеграл; со - круговая частота.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Возбуждение магнитостатических волн планарными преобразователями»

ВВЕДЕНИЕ

С появлением СВЧ гибридных интегральных схем машинное проектирование стало неотъемлемым этапом разработки СВЧ устройств. Процесс разработки таких устройств в последнее время существенно усложнился из-за появления большого числа разнообразных активных и пассивных СВЧ элементов, возрастания сложности новых систем и необходимости более тщательного и точного проектирования.

Область машинного проектирования микросхем СВЧ в последнее время стремительно развивается. Однако имеющаяся литература [1] описывает моделирование ограниченного числа компонентов, которые входят в состав устройств СВЧ. Так, в настоящее время ведутся интенсивные работы в области спинволновой электроники СВЧ, целью которых является создание устройств обработки сигналов в диапазоне СВЧ в реальном масштабе времени. Показано, что на основе магнитостатических волн (МСВ), распространяющихся в намагниченной ферритовой пленке (ФП), возможно создание линий задержки, электрически перестраиваемых полосно-пропускающих и по-лосно-заграждающих фильтров, фильтров с переменной полосой, перестраиваемых генераторов [2]. Указанные устройства могут быть использованы для обработки сигналов, в спутниковом телевидении, фазированных антенных решетках, для СВЧ контроля состояния природной среды и т.п. Использование спинволновых приборов в подобных радиоэлектронных системах весьма перспективно в отношении качественного совершенствования их функциональных возможностей.

Применение спинволновых приборов СВЧ выдвигает на первое место такие к ним требования, как их дешевизна, высокая технологичность, легкая воспроизводимость. Для решения этих задач необ-

ходима разработка методов машинного проектирования основных элементов любого спинволнового устройства - преобразователей МСВ, представляющих собой отрезки различных линий (микропо-лосковых (МГТЛ), копланарных (КПЛ), решеток, меандров и различных их сочетаний), расположенных на намагниченной ФП. Преобразователи МСВ являются неотъемлемой частью любого спинволнового устройства и в большинстве случаев определяют его основные характеристики (например, амплитудно-частотную характеристику (АЧХ) и вносимые потери фильтров).

Наиболее перспективными в настоящее время являются преобразователи поверхностных МСВ (ПМСВ), которые, в отличие от преобразователей объемных МСВ (ОМСВ), не требуют дополнительных конструктивных элементов, подавляющих высшие толщинные типы возбуждаемых МСВ, и для которых решена проблема термостабильности.

Однако, при разработке спинволновых устройств на ПМСВ возникают проблемы, связанные с формированием заданных АЧХ и фазочастотных характеристик (ФЧХ).

В настоящее время наиболее изучены закономерности возбуждения ПМСВ МПЛ [3-31], отрезки которой наиболее часто и применяются в качестве преобразователей спинволновых устройств. Однако, такие преобразователи широкополосны, и формирование АЧХ с высокой крутизной скатов и малым изменением потерь в полосе пропускания такими преобразователями затруднено [65].

Использование же для задач частотно-селективного возбуждения многополосковых (многоэлементных) преобразователей сталкивается с трудностями иного рода [5,6,11,14-16,24,27,32]. Потери в таких преобразователях при увеличении числа полосок возрастают, а синтез требуемой АЧХ затруднен из-за того, что имеющаяся расчетная мо-

дель [5,6,11,14-16,33] предполагает однородное распределение тока по ширине полоски, отсутствие взаимодействия токов в соседних проводниках и не учитывает влияние намагниченной ФП на распределение тока в проводниках.

Электродинамический самосогласованный подход, использованный в работе [45] для решения задачи возбуждения МСВ преобразователями произвольного типа, не включает в граничные условия плотность поверхностного тока системы проводников и не позволяет вычислить ее импеданс излучения, что значительно усложняет изучение свойств самого преобразователя. Этот метод очень громоздок и, видимо, из-за вычислительных трудностей, пока применен только к расчету входного импеданса преобразователя, содержащего отрезок одиночной микрополосковой линии [13].

Другой электродинамический метод, предложенный в работе [49], позволяет определить комплексный коэффициент распространения ЭМВ основного типа в структуре с полосковыми проводниками, приближенный расчет которого недостаточен для точного расчета многополосковых преобразователей.

Поэтому появился компромиссный вариант решения проблемы - использование в преобразователях ПМСВ КПЛ и двухполосковых линий (ДПЛ) [34-38].

Обращение к КПЛ было вызвано также еще двумя дополнительными причинами. Во-первых, общий металлический экран входного и выходного копланарных преобразователей позволял обеспечить высокий уровень внеполосного затухания из-за отсутствия электромагнитной связи между преобразователями, в то время как при использовании МПЛ-преобразователей для достижения этой же цели необходимо было вводить дополнительные металлические "экраны" и диафрагмы [39, 40]. Во-вторых, возникла потребность в широкопо-

лосных бездисперсионных линиях задержки с малым временем задержки, которые можно реализовать лишь с помощью эпитаксиально выращенных толстых пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ) [41,42]. Однако такой метод имеет существенные недостатки, заключающиеся в том, что технология изготовления сверхтолстых пленок ЖИГ толщиной до 200 мкм, позволяющих получить задержку более 10 не, в настоящее время еще несовершенна, а использование ОМСВ затрудняет подавление нежелательных пульсаций на частотных характеристиках линии задержки [42]. Альтернативная возможность построения широкополосных бездисперсионных линий задержки с малым временем задержки связана с использованием ПМСВ в металлизированной пленке ЖИГ [34,43], которую легко возбудить копланар-ной линией [34].

Именно этими причинами было вызвано появление работ [3437,38], посвященных исследованию возбуждения ПМСВ с помощью КПЛ. В работе [36] исследована линия задержки с малым временем задержки, использующая в качестве преобразователей короткозамкну-тые отрезки несимметричной КПЛ (НКПЛ) с одним боковым экраном. Авторами [37] представлены результаты экспериментального исследования устройств, содержащих отрезки таких линий, а в [38] приведен приближенный расчет сопротивления излучения НКПЛ, справедливый для малых волновых чисел, для которого использовано двойное численное интегрирование.

Однако, метод расчета преобразователей, содержащих отрезки НКПЛ, который можно было бы использовать при конструировании устройств на ПМСВ, в настоящее время отсутствует.

Кроме копланарных преобразователей, как уже было отмечено, в устройствах на ПМСВ используются также преобразователи, содержащие отрезок симметричной ДПЛ (СДПЛ) из двух параллельных

полосковых проводников (ПП) одинаковой ширины, расположенных на поверхности намагниченной вдоль ПП ферритовой пленки [5,6,11,14-16,24, 27,32]. При протекании в ПП СДПЛ СВЧ-токов одного направления получается преобразователь в виде решетки, а в случае противонаправленных токов - преобразователь в виде меандра. Сочетая их с однополосковыми преобразователями, можно формировать разнообразные АЧХ перестраиваемых фильтров, линий задержки и т.д. В частности, реализован не имеющий аналогов перестраиваемый фильтр-переключатель [32], содержащий широкополосный одно-полосковый входной преобразователь и два различных выходных двухполосковых преобразователя, один из которых решетчатый, а другой - меандровый.

Приближенные методы расчета преобразователей на СДПЛ [5,6,11,14-16,33] используют сопротивления излучения, которые получены в приближении однородного распределения тока на ПП и не учитывают как взаимного влияния токов в соседних ПП друг на друга, так и влияния намагниченной ФП на распределения тока в ПП. Такой подход частично оправдан только для СДПЛ с узкими и значительно удаленными друг от друга ПП, а в общем случае он дает неточные результаты. В самосогласованной постановке многополоско-вый преобразователь рассмотрен в [24,27]. Так, в [27] для произвольного направления намагничивания ферритовой подложки приведены выражения для сопротивления излучения и распределения плотности поверхностного тока, учитывающие взаимное влияние токов и процесс излучения спиновых волн. В [24] построена теория возбуждения ПМСВ многополосковыми преобразователями, учитывающая влияние феррита на распределение тока в ПП, однако из-за вычислительных трудностей расчет проведен лишь в приближении невзаимодей-

ствующих между собой токов в ПП, ширина которых много меньше как расстояния между ПП, так и длины ПМСВ Л.

При точном расчете устройств на ПМСВ используют эквивалентные схемы преобразователей. Исследованию эквивалентных схем преобразователей МСВ посвящено значительное количество работ, из которых можно выделить [4,5,25,33,44,46-47], где эквивалентные схемы представлены в наиболее полном виде. Однако, в большинстве публикаций рассматриваются эквивалентные схемы короткозамкну-тых преобразователей, полученные из выражения для входного сопротивления в предположении малости длины преобразователя по сравнению с длиной электромагнитной волны (ЭМВ) и малых потерь на преобразование ЭМВ в МСВ, что является достаточно грубым приближением для расчета спинволновых устройств.

Как известно, значительному сокращению времени и средств, затрачиваемых на разработку устройств на МСВ, обладающих заданным комплексом характеристик, способствует применение результатов предварительного расчета. Настоятельная необходимость проектирования спинволновых устройств, содержащих НКПЛ и СДПЛ и другие разнообразные многополосковые планарные линии, с одной стороны, и отсутствие учитывающего реальное распределение тока в проводниках метода расчета сопротивления излучения этих линий, эквивалентных схем преобразователей, максимально приближенных к эксперименту, с другой стороны, обосновывают актуальность темы исследования.

Необходима разработка в магнитостатическом приближении такого метода расчета планарных преобразователей МСВ, который, с одной стороны, чтобы описывать реальные процессы возбуждения МСВ и соответствовать эксперименту, должен учитывать взаимодействие токов в проводниках и влияние на них намагниченной феррито-

вой пленки, а с другой стороны, должен быть универсальным и обеспечивать с достаточной для практики точностью машинное проектирование широкого набора планарных преобразователей, содержащих различные типы линий: копланарные, щелевые, меандровые, решетчатые, встречно-штыревые и т.д.

Целью работы является теоретическое и экспериментальное исследование общих закономерностей распространения МСВ в слоистых структурах, содержащих намагниченную ферритовую пленку, и их возбуждения планарными линиями; построение метода расчета и эквивалентных схем устройств, содержащих отрезки этих линий, и разработка устройств для СВЧ интегральных схем.

Диссертация состоит из введения, восьми глав и заключения.

Во введении дан обзор литературы по вопросам, рассмотренным в оригинальных главах диссертации, обоснованы актуальность выбранного направления исследования, сформулированы цель работы и задачи, которые решаются в диссертации, кратко изложено содержание диссертации, приведены сведения об апробации результатов работы и перечислены положения, выносимые на защиту.

Первая глава работы посвящена исследованию свойств МСВ в слоистых структурах, с целью их использования в устройствах СВЧ.

Подраздел 1.2 посвящен теоретическому и экспериментальному исследованию характеристик ПМСВ низшего типа в структуре феррит-металл (ФМ-структуре) с конечной шириной ферритовой пленки.

С помощью найденных в магнитостатическом приближении дисперсионного уравнения и выражений для компонентов поля ПМСВ, проанализированы структура магнитного поля и дисперсия магнитостатических волн с одной вариацией поля на ширине пленки,

и показано, что для эффективного возбуждения только ПМСВ-ФМ, распространяющейся по металлизированной стороне пленки, следует использовать НКПЛ, поле ЭМВ которой близко по структуре с полем этой волны.

На макете линии задержки, содержащей два одинаковых корот-козамкнутых на одном конце копланарных преобразователя, экспериментально исследованы свойства ПМСВ-ФМ, минимальные вносимые потери которой на преобразование и распространение составили -10 дБ. Определено, что ПМСВ-ФД, которая распространяется на неме-таллизированной стороне ферритовой пленки, возбуждается данным копланарным преобразователем малоэффективно, так как минимальные вносимые потери линии задержки при обратном направлении постоянного магнитного поля составили -30 дБ. Установлено также, что исследованным копланарным преобразователем ПМСВ-ФМ и ПМСВ-ФД низшего типа эффективно возбуждаются и принимаются не во всей расчетной полосе их существования, но наблюдаемая экспериментально рабочая полоса эффективного возбуждения ПМСВ-ФМ значительно шире, и в высокочастотной части этой полосы имеется однонаправленное возбуждение только ПМСВ-ФМ. Отмечено, что с увеличением толщины пленки ЖИГ полоса эффективного возбуждения обеих ПМСВ увеличивается. Измеренные частотные зависимости времени задержки ПМСВ-ФМ и ПМСВ-ФД находятся в хорошем согласии с расчетными.

Теоретически и экспериментально показано, что с помощью ПМСВ-ФМ низшего типа можно реализовать широкополосные перестраиваемые полосно-пропускающие фильтры (ППФ) и бездисперсионные линии задержки с малым временем задержки, которые имеют обратные вносимые потери не хуже -40 дБ.

В подразделе 1.3 приведены результаты исследования влияния толщины и конечной проводимости металлизированного слоя ферри-товой пленки на затухание и дисперсию ПМСВ-ФМ.

Описывая поля ПМСВ скалярным потенциалом и сшивая на границах слоев ее номальные компоненты магнитной индукции и тангенциальные компоненты напряженности магнитного споя, с помощью уравнений Максвелла для металла с конечной проводимостью найдено дисперсионное уравнение ПМСВ в МФД-структуре с конечной толщиной и проводимостью металлического слоя, которое учитывает потери потери в металле и феррите.

По результатам численного решения этого комплексного уравнения, в предположении отсутствия потерь в феррите, проведен анализ комплексного волнового числа ПМСВ, локализованной на границе феррит-металл. Обнаружено, что конечная проводимость металла существенно влияет на характеристики ПМСВ, распространяющихся вдоль границы раздела феррит-металл (далее ПМСВ-ФМ), и вызывает отсечку нормированной на толщину ФП действительной части волнового числа выше некоторого значения, определяемого параметрами структуры. Установлено, что в структурах с тонким слоем металла потери возрастают вблизи максимального значения действительной части волнового числа, а в структурах с толстым слоем - на границе существования ПМСВ-ФМ с идеальной проводимостью.

Экспериментальные исследования влияния толщины металлического слоя на дисперсию и потери ПМСВ-ФМ, проведенные на нескольких макетах линии задержки, содержащих пленку ЖИГ толщиной 14 мкм и медный слой толщиной 1,08; 2,7 и 3,2 мкм, показали, что измеренные частотные зависимости потерь и времени задержки соответствуют полученным теоретическим результатам, однако рас-

четные значения времени задержки несколько занижены, по сравнению с экспериментальными.

Влияние конечной проводимости металла необходимо учитывать при проектировании широкополосных фильтров и линий задержки с малым временем задержки, а также узкополосных фильтров наПМСВ.

В подразделе 1.4 представлены результаты расчета характеристик магнитостатических волн (МСВ) в пленочной слоистой структуре металл-диэлектрик-феррит (МДФ-структуре) при произвольной ориентации внешнего магнитного поля. Приведены частотные зависимости волнового числа и времени задержки МСВ низшего типа при изменении ориентации внешнего магнитного поля и изменении толщины диэлектрического слоя. Впервые показано, что при малых углах между внешним магнитным полем и нормалью к поверхности ФП в структуре с близко расположенным экраном у волны низшего типа, распространяющейся перпендикулярно магнитному полю и сильно возмущаемой экраном, имеется частотная область, содержащая прямую и обратную ПМСВ. Рассмотрена трансформация областей бездисперсионного распространения МСВ с уменьшением толщины диэлектрического слоя.

Обнаруженные свойства прямых ОМСВ (ПОМСВ) и ПМСВ, обусловленные влиянием экрана, можно использовать при конструировании широкополосных устройств с заданными полосовыми и дисперсионными свойствами. Полученные результаты необходимо учитывать при разработке устройств на ОМСВ и ПМСВ.

В подразделе 1.4 впервые подробно изучены дисперсия и трансформация друг в друга различных типов МСВ (прямых и обратных, объемных и поверхностных), распространяющихся в структуре металл-диэлектрик-феррит-диэлектрик-металл (МДФДМ-структуре), в

зависимости от толщины диэлектрических слоев и от направления внешнего постоянного магнитного поля относительно плоскости структуры. Вычислено время задержки при распространении всех перечисленных типов МСВ. Показано, что изменением толщины диэлектрических слоев можно трансформировать прямые ОМСВ в обратные.

При различных положениях экранов проанализированы характеристики МСВ в МДФДМ-структуре при изменении направления поля подмагничивания. Обнаруженные свойства ОМСВ и ПМСВ, обусловленные совместным влиянием двух экранов, могут оказаться полезными при разработке линий задержки с заданными дисперсионными свойствами и других устройств на ОМСВ и ПМСВ.

Приведенные в первой главе результаты теоретического и экспериментального исследований свойств МСВ, распространяющихся в широкополосной волноведущей МДФДМ-структуре и ее более простых частных модификациях, содержащих намагниченную феррито-вую пленку, показали, что на ее основе возможна реализация различных форм дисперсионной характеристики, необходимых для разработки большинства спинволновых устройств СВЧ. Проблема состоит в проектировании оптимальных преобразователей ЭМВ в МСВ, формирующих заданную АЧХ устройств, особенно сложных, многоэлементных, в которых имеется взаимодействие токов, неоднородность их распределения по ширине проводников и связь между токами в них и МСВ. Наиболее привлекательными представляются преобразователи, непосредствнно нанесенные на ферритовую пленку, эффективно возбуждающие и принимающие ПМСВ, поскольку при использовании объемных МСВ возникают трудности с подавлением высших толщин-ных типов волн.

Во второй главе изложен метод расчета планарных преобразователей, возбуждающих МСВ в многослойной МДФДМ-структуре при

произвольном направлении приложенного постоянного магнитного поля, в котором планарный преобразователь представлен в виде некоторого известного распределения плотности поверхностного тока в системе планарных проводников. Найдены выражения для возбуждаемых полей МСВ. Входящие в эти выражения интегралы вычисляются методом контурного интегрирования с использованием теории вычетов, в результате чего удается найти выражение для уносимой МСВ мощности, содержащее длину преобразователя, фурье-образ плотности поверхностного тока и функцию, зависящую от параметров ферритовой пленки и поперечных размеров МДФДМ-структуры. В общем случае полученное выражение для мощности рассчитывается численно. Но для структуры с одним удаленным экраном, в случае, когда планарные проводники преобразователя расположены на поверхности ферритовой пленки и приложенное постоянное магнитное поле параллельно этим проводникам, оно сильно упрощается, приобретает аналитический вид, и из него легко находится в явной форме выражение для сопротивления излучения единицы длины преобразователя ПМСВ, содержащего произвольную систему бесконечно протяженных полосковых проводников.

Однако, чтобы с помощью полученного выражения рассчитать сопротивления излучения ПМСВ конкретной системы проводников (копланарная, двухполосковая, многополосковая линия и пр.), необходимо найти распределение поверхностной плотности тока в этой системе проводников, причем как можно более точно. Экспериментальные исследования показали [33], что необходимо учитывать влияние на плотность тока как взаимодействия токов в проводниках, так и воздействие полей ПМСВ, которые этими токами возбуждаются, то есть плотность тока должна находиться из решения самосогласованной задачи. Но даже для простейшей одиночной МПЛ, когда у преоб-

разователя имеется лишь одна идеально проводящая полоска, расположенная на поверхности продольно намагниченной ферритовой пленки и противолежащая экрану, нахождение точного решения интегрального уравнения для плотности тока сильно затруднено [19-20], и такое решение численным методом, с учетом влияния экрана, впервые найдено только в настоящей диссертационной работе (глава 6). Поэтому, в дополнение к предложенному методу расчета сопротивления излучения преобразователей ПМСВ, для разнообразных планар-ных линий необходимо разработать универсальный метод расчета плотности тока, который с достаточной точностью и в практически используемой полосе распространения ПМСВ позволял бы найти аналитические выражения этой плотности тока, близкие к точному решению самогласованной задачи. Тогда, вычисляя фурье-образ плотности тока и, с его помощью, сопротивления излучения, можно анализировать процесс формирования частотных зависимостей сопротивлений излучения различными планарными преобразователями с целью получения требуемых для практики частотных характеристик устройств на ПМСВ.

Полученные аналитические выражения для сопротивления излучения используются далее для анализа возбуждения ПМСВ различными планарными преобразователями: микрополосковыми, несимметричными копланарными, двухполосковыми и т.д. (главы 4,5) и расчета характеристик МСВ устройств, содержащих указанные преобразователи (глава 7).

Третья глава посвящена выводу интегрального уравнения для плотности тока в системе копланарных проводников, расположенных на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, разработке эффективного метода его решения и анализу аналитических решений, полученных для несимметричных копланар-

ных линий с одним и двумя боковыми экранами и двухполосковой линии.

В подразделе 3.1 изложен вывод интегрального уравнения для плотности тока в произвольной системе полосковых проводников, расположенных на поверхности продольно намагниченного полубесконечного феррита. Сначала, в магнитостатическом приближении с помощью уравнений Максвелла в интегральной форме и граничных условий, было найдено поле, создаваемое нитью СВЧ тока, -расположенной на плоской границе феррита, намагниченного вдоль нити до насыщения постоянным магнитным полем. Далее, на поверхности феррита рассматривалась система копланарных проводников, ток в которой разбивался на элементы тока, выраженные через плотность тока и эквивалентные нитям тока. Напряженность магнитного поля, создаваемая данной системой проводников, определялась интегрированием по всем элементам тока на совокупности отрезков, являющихся поперечным сечением копланарных проводников, а из граничного условия для этой напряженности на идеальном металле проводников и было получено искомое сингулярное интегральное уравнение для плотности тока.

Сведение самосогласованной задачи определения плотности тока в системе копланарных проводников, расположенных на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, к полученному сингулярному интегральному уравнению позволяет представить решение в замкнутом виде, вывести простые аналитические выражения и строго описать взаимодействие токов в проводниках и влияние на них полубесконечного намагниченного феррита.

В подразделе 3.2 приведен метод решения полученного сингулярного интегрального уравнения для плотности тока, основанный на эквивалентной замене интегрального уравнения краевой задачей тео-

рии функций комплексного переменного - задачей Римана; этим методом найдены выражения для плотности тока в несимметричных ко-планарных линиях с одним и двумя боковыми экранами и двухлоско-вых линиях; проанализированы закономерности распределения плотности тока при изменении поперечных размеров линий и частоты.

Подраздел 3.2.1 посвящен описанию метода решения интегрального уравнения для плотности тока. Показано, что уравнение представляет частный случай однородного сингулярного уравнения с ядром Коши и разомкнутыми контурами и сводится к краевой задаче Римана для системы разомкнутых контуров, являющихся поперечным сечением копланарных проводников. Дополняя систему контуров отрезками таким образом, чтобы результирующий контур образовал всю действительную ось, получаем задачу Римана с разрывными коэффициентами на всей действительной оси, которую решаем методом, изложенным в [81], с помощью вспомогательных функций, имеющих в исключительных точках те же разрывы, что и коэффициент в исходной задаче Римана. Отмечено, что особенности поведения плотности тока на краях полосковых проводников учитываются методом автоматически выбором требуемого класса решений.

Показано, что метод очень эффективен, так как позволяет найти плотность тока для любого конечного числа полосковых проводников, лежащих на поверхности намагниченного феррита, при произвольных способах возбуждения этих проводников СВЧ токами.

Однако, с целью изучения закономерностей формирования частотных зависимостей сопротивлений излучения, данный метод использован в диссертационной работе для нахождения распределения плотности тока в несимметричных копланарных и двухполосковых линиях, которые используются в последнее время для формирования АЧХ устройств на ПМСВ, хотя определение плотности тока, напри-

мер, в аподизированной по периоду или ширине проводников системе, состоящей из 4-И0 полосковых проводников, не составляет особого труда, но увеличивает объем вычислений.

В подразделе 3.2.2, методом, описанным в подразделе 3.2.1, получены аналитические выражения для продольной плотности поверхностного тока в НКПЛ с одним боковым экраном, учитывающие влияние намагниченного феррита и взаимодействие токов в проводниках. Обнаружено, что токораспределение существенно изменяется как при приближении бокового экрана к полосковому проводнику, так и с ростом частоты в полосе распространения поверхностных маг-нитостатических волн.

Установлено, что в полосе частот, где распространяется только одна ПМСВ, существующая в ФМ-структуре, НКПЛ с левым боковым экраном эквивалентна двум нитям тока, оси которых расположены на правом краю экрана и на правом краю полоски и по которым протекают одинаковые по величине и противоположные по направлению токи.

В подразделе 3.2.3 для СДПЛ, расположенной на полубесконечном намагниченном вдоль проводников феррите, найдено распределение продольной плотности поверхностного тока по поперечному сечению ПП при одинаково и противоположно направленных токах, учитывающее влияние намагниченного феррита и взаимодействие токов в ПП.

Установлено, что, когда ширина ПП линии менее одной десятой ширины щели между ними, токораспределения в ПП можно считать независимыми друг от друга. Если же ширина больше этого значения, то токораспределение в проводниках существенно изменяются и качественно отличается от однородного.

В подразделе 3.2.3 приведены результаты анализа токораспреде-ления в несимметричной копланарной линии, расположенной на поверхности продольно намагниченного полубесконечного феррита.

Показано, что в случае симметричной КПЛ (СКПЛ) кривые, характеризующие распределение действительной части плотности тока, симметричны, а кривые для мнимой части - антисимметричны относительно середины дентального проводника линии. Если уменьшить щель между центральным проводником и правым боковым экраном линии, то симметрия нарушится, и распределение тока изменится. При этом на левом боковом экране, удаленном от центрального проводника на расстояние, большее чем его ширина, изменения существенны вблизи верхней границы частотного диапазона ПМСВ в ФП, а на центральном проводнике и правом экране распределение тока сильно меняется во всем частотном диапазоне ПМСВ.

Установлено также, что у СКПЛ при щелях, сравнимых с шириной центрального проводника, плотность тока на центральном проводнике отличается от плотности тока на одиночной полоске. Взаимодействие токов можно не учитывать лишь в случае, если ширина

*

щели СКПЛ на порядок больше ширины центрального проводника.

Показано, что в случае НКПЛ, у которой щели различны и соизмеримы с шириной центрального проводника, необходимо обязательно учитывать взаимодействие токов в проводниках и влияние на них намагниченного феррита.

Результаты анализа токораспределений в НКПЛ и СДПЛ, приведенные в подразделах 3.2.2 - 3.2.4, показали, что распределение плотности тока по ширине полоскового проводника можно приближенно считать однородным и не зависящим от токов в соседних проводниках лишь в частном случае, когда соседние проводники удалены

на расстояние в десятки раз большее, чем ширина полоскового проводника.

В четвертой главе полученные методом главы 2 аналитические выражения для сопротивления излучения ПМСВ, распространяющихся в многослойной ДФД-структуре, в сочетании с найденными в подразделах 3.2.2-3.2.4 при решении сингулярного интегрального уравнения аналитическими выражениями для плотности тока в НКПЛ и СДПЛ, используются для решения самосогласованной задачи возбуждения ПМСВ НКПЛ и СДПЛ, расположенными на поверхности ФП конечной толщины.

В подразделе 4.1 получены выражения для сопротивления излучения НКПЛ с одним боковыми экраном, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ФП конечной толщины. Выражения справедливы во всей полосе распространения ПМСВ, локализованной вблизи границы феррит-металл, и не требуют громоздких вычислений.

Анализ результатов расчета сопротивлений излучения НКПЛ с одним боковым экраном, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ФП, показал, что частотные зависимости сопротивлений излучения представляют собой последовательности чередующихся максимумов и минимумов, положения которых зависят от расстояния между полоской и боковым экраном, и поэтому шириной полоски и щели можно в определенном частотном диапазоне формировать частотную зависимость сопротивления излучения.

Показано, что в НКПЛ с правым боковым экраном возможно возбуждение ПМСВ, локализованной вблизи границы феррит-металл, во всем диапазоне ее распространения.

В подразделе 4.2 аналогично получены выражения для сопротивления излучения СДПЛ, расположенной на поверхности намагни-

ченной вдоль проводников ФП, учитывающие влияние полей, возникающих в намагниченном феррите, на распределение взаимодействующих друг с другом токов в ПП.

Показано, что при узких ПП СДПЛ результаты совпадают с известными результатами, полученными в приближении однородного распределения тока. Установлено, что в случае, когда ширина ПП превышает одну десятую расстояния между ними, результаты качественно и количественно различаются, что приводит к необходимости учитывать при расчете сопротивления излучения СДПЛ и характеристик спинволновых устройств, содержащих отрезки таких линий, влияние намагниченной ферритовой подложки и взаимодействие токов в ПП на распределение тока в линии.

В пятой главе исследуется влияние дополнительного экрана, помещенного на стороне подложки, противолежащей проводникам НКПЛ и СДПЛ.

В подразделе 5.1 получены выражения для сопротивления излучения НКПЛ, расположенных на поверхности ФП, в присутствии дополнительного экрана, помещенного на стороне подложки, противолежащей проводникам линии.

Показано, что при приближении экрана к поверхности намагниченной ФП, на которой расположены проводники НКПЛ, частотная зависимость сопротивления излучения в низкочастотном диапазоне полосы возбуждения ПМСВ качественно меняется, а ширина этого диапазона частот увеличивается с приближением дополнительного экрана.

В подразделе 5.2 найдены выражения для сопротивления излучения СДПЛ, расположенных на поверхности ФП, в присутствии экрана, помещенного на стороне подложки, противолежащей проводникам линии.

Показано, что приближение экрана к поверхности намагниченной ФП, на которой расположены проводники СДПЛ, изменяет частотную зависимость сопротивления излучения в низкочастотном диапазоне полосы возбуждения ПМСВ. Подбором расстояния от экрана до поверхности намагниченной ФП можно добиться частотной зависимости с очень высокой крутизной ее низкочастотного ската.

Установлено, что экран, за счет подавления возбуждения длинноволновой части спектра ПМСВ, увеличивает крутизну частотной зависимости сопротивления излучения исследованных линий, что может быть использовано при формировании длинноволнового ската АЧХ устройств на ПМСВ, содержащих в качестве преобразователей отрезки этих линий.

В шестой главе точно рассчитываются погонные сопротивление излучения и индуктивность простейшей из планарных линий - МПЛ, содержащей продольно намагниченный ферритовый слой с экраном.

Найдено выражение для импеданса единицы длины МПЛ, использующее квадратичный, относительно поверхностной плотности тока, функционал.

Разработан численный метод решения интегрального уравнения для плотности тока МПЛ-преобразователя, расположенного на продольно намагниченном ферритовом слое, с учетом влияния экрана, в котором для представления фурье-образа плотности тока используются волновые функции Кулона с полуцелым индексом.

Сравнение частотных зависимостей погонного импеданса, рассчитанных с использованием точного токораспределения, найденного численно при решении интегрального уравнения для поверхностной плотности тока в МПЛ, расположенной на продольно намагниченной подложке конечной толщины с экраном, с частотными зависимостями, рассчитанными с помощью аналитического выражения для плот-

ности тока, найденного из решения однородного сингулярного интегрального уравнения для плотности тока в линии, расположенной на продольно намагниченном полубесконечном феррите, показывает, что в низкочастотной трети возможной полосы распространения ПМСВ указанные зависимости мало отличаются друг от друга. Различия становятся существенными в высокочастотной половине возможной полосы распространения ПМСВ.

Установлено, что развитый в главах 2-5 метод расчета сопротивления излучения преобразователей ПМСВ при использовании то-кораспределения, описанного в главе 3, дает достаточно точные результаты в низкочастотной половине возможной полосы распространения ПМСВ, что в большинстве практических применений достаточно, поскольку в высокочастотной половине полосы распространения ПМСВ, из-за сильных потерь в ФП, ПМСВ сильно затухают.

При расчете преобразователей для высокочастотной половины полосы распространения ПМСВ необходимо использовать точное численное решение интегрального уравнения для поверхностной плотности тока в линии, расположенной на продольно намагниченной подложке конечной толщины с экраном.

Расчетные частотные зависимости импеданса МПЛ хорошо согласуются с экспериментом. Это позволяет использовать развитый в главах 2-5 метод расчета сопротивления излучения планарных преобразователей ПМСВ для проектирования МСВ устройств, содержащих различные планарные преобразователи (копланарные, микрополоско-вые, многополосковые и пр.), с достаточной для практики точностью.

В седьмой главе предложен метод расчета и эквивалентные схемы устройств на МСВ, содержащих отрезки планарных линий, в том числе МПЛ, НКПЛ, СДПЛ и других.

В подразделе 7.1 предложена модель эквивалентной двухпроводной линии, позволяющая рассматривать процессы возбуждения МСВ с помощью ЭМВ, распространяющейся в планарных линиях передачи, содержащих ФП.

В подразделе 7.2 получены выражения для входного сопротивления короткозамкнутого, разомкнутого, четвертьволнового и полуволнового отрезка линии, содержащей ПП и ФП, без ограничений на длину преобразователя, по сравнению с длиной ЭМВ, и величину потерь на преобразование ЭМВ в МСВ.

Подраздел 7.3 посвящен изложению, основанному на результатах, полученных в подразделах 7.1 и 7.2, метода расчета преобразователей МСВ и спинволновых устройств, и в качестве примера применения предложенного метода в сочетании с развитым в главах 2-5 методом расчета сопротивления излучения планарных преобразователей ПМСВ, проведен расчет вносимых потерь устройств, содержащих двухполосковые короткозамкнутые и разомкнутые на конце преобразователи ПМСВ, который с достаточной для практики точностью соответствует эксперименту.

Разработанный в подразделах 7.1-7.3 метод расчета преобразователей МСВ и спинволновых устройств предполагает знание погонной индуктивности составляющей основу преобразователя планарной линии, расположенной на намагниченной ФП.

Подраздел 7.4 посвящен расчету погонной индуктивности НКПЛ и МПЛ, расположенных на намагниченном феррите, так как указанные линий чаще других используются в устройствах на МСВ.

Так, в подразделе 7.4.1, в магнитостатическом приближении, впервые получены аналитические выражения для погонной индуктивности расположенных на полубесконечном феррите НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами, которые необходимо использовать для

точного расчета характеристик устройств, содержащих отрезки этих линий.

Проведен расчет частотной зависимости погонной индуктивности НКПЛ при различных поперечных размерах. Сравнение с аналогичными частотными зависимостями для МПЛ показало их качественное совпадение.

В подразделе 7.4.2 методом возмущений найдены распределенные параметры МПЛ с продольно намагниченной ФП. Приведены расчетные частотные зависимости погонной индуктивности МПЛ для ряда значений толщины ФП. Показано, что рост погонной индуктивности при приближении частоты к частоте ферромагнитного резонанса является общим свойством линий, содержащих полосковые проводники, с продольно намагниченной ФП.

Подраздел 7.5 посвящен расчету волновых сопротивлений и эффективных диэлектрических проницаемостей планарных линий в отсутствие приложенного магнитного поля, которые также используются в описанном в подразделах 7.1-7.3 методе расчета преобразователей МСВ и спинволновых устройств.

Так в подразделе 7.5.1 проведен расчет волновых сопротивлений и эффективных диэлектрических проницаемостей связанных микропо-лосково-щелевых линий, расчет дисперсии ЭМВ в этих же линиях приведен в подразделе 7.5.2, а волновые сопротивления и эффективные диэлектрические проницаемости одиночный и связанных КПЛ, расположенных на диэлектрической подложке конечной толщины, рассчитаны в подразделе 7.5.3.

В восьмой главе приводятся результаты применения теории, описанной в главах 1-7, к практической разработке различных устройств СВЧ.

В подразделе 8.1 приведены результаты экспериментального исследования и разработки бездисперсионных линий задержки на поверхностных магнитостатических волнах.

В подразделе 8.1.1 приведены конструкция и характеристики разработанной технологичной узкополосной бездисперсионной линии задержки с малыми потерями, и исследована возможность ее перестройки внешним магнитным полем. Она отличается от аналогичных тем, что содержит МПЛ-преобразователи с технологичными емкостями на концах и имеет меньшие вносимые потери. Это позволяет использовать данную конструкцию для получения задержки в 500 не с вносимыми потерями -30^-35 дБ, что в других конструкциях реализовать затруднительно.

В подразделе 8.1.2 приведены конструкция и характеристики разработанной узкополосной бездисперсионной линии задержки, в которой бездисперсионный участок сформирован за счет определенного расстояния от металлического экрана до поверхности намагниченной пленки ЖИГ, длина пленки подобрана такой, чтобы ее края не оказывали влияния на характеристики ПМСВ на бездисперсионном участке, а ширина составляла около половины длины ЭМВ в МПЛ в рабочей области частот. Для возбуждения и приема ПМСВ использованы разомкнутые на концах МПЛ-преобразователи шириной 60 мкм.

В подразделе 8.2 приведены результаты экспериментального исследования перестраиваемых полосно-пропускающих фильтров, в которых для возбуждения и приема ПМСВ используются преобразователи, содержащие короткозамкнутые на конце отрезки НКПЛ с одним боковым экраном. Разработанный малогабаритный перастраиваемый полосно-пропускающий фильтр при центральной частоте 7680 МГц имел вносимые потери -8 дБ и полосу пропускания 140 МГц по уровню -3 дБ и 227 МГц по уровню -40 дБ. Обратные потери фильтра со-

ставили -30 дБ, а минимальный КСН на частоте 7770 МГц равнялся 1,275.

Подраздел 8.3. посвящен экспериментальному исследованию по-лосно-заграждающих фильтров и устройств на их основе.

В подразделе 8.3.1. приведены результаты экспериментального исследования трех типов перестраиваемых полосно-заграждающих фильтров на ООМСВ: на основе 50-омной КПЛ и на основе полуволнового отрезка КПЛ с одним и двумя центральными проводниками. Фильтр, содержащий 50-омную копланарную линию, при перестройке в диапазоне частот 4,1 -г- 10,0 ГГц имеет полосу заграждения 60 МГц по уровню -10 дБ и максимальное затухание не хуже -30 дБ. У фильтров, содержащих отрезок КПЛ с одним и двумя центральными проводниками, при перестройке в диапазоне частот 4,1 -г- 5,6 ГГц полоса заграждения по уровню -10 дБ составляет соответственно 30 и 15 МГц, а максимальное затухание - 30 и -40 дБ.

Показано, что наиболее эффективным является использование в качестве преобразователя ЭМВ в ООМСВ СКПЛ с волновым сопротивлением 50 Ом. В ПЗФ с таким преобразователем не требуется дополнительных мер по согласованию с коаксиальным трактом и КСВН фильтра обычно менее 1,15. В силу этого при длине копланарной линии 30-^ 50 мм вносимое затухание вне полосы заграждения составляет лишь -1-^-1,5 дБ, что значительно меньше, чем в других типах ПЗФ. Указанные потери, определяемые в основном омическими потерями в СКПЛ и качеством коаксиально-полосковых переходов, могут быть существенно уменьшены.

В подразделах 8.3.2.-8.3.4. представлены результаты разработки устройств, содержащих наиболее эффективный преобразователь -СКПЛ с волновым сопротивлением 50 Ом.

В подразделе 8.3.2. представлены результаты разработки узкополосных ПЗФ с полосой заграждения 30-ь 100 МГц и затуханием в полосе заграждения не хуже -50 дБ.

В подразделе 8.3.3. представлены результаты разработки широкополосных ПЗФ с полосой заграждения до 600 МГц и затуханием в полосе заграждения не хуже -50 дБ.

В подразделе 8.3.4. представлены результаты разработки трехка-нального селективного устройства, состоящего из трех узкополосных ПЗФ и одного широкополосного ПЗФ, а также четырехканального селективного устройства, состоящего из трех узкополосных ПЗФ и двух широкополосных ПЗФ. ПЗФ соединялись последовательно и подстраивались так, чтобы частотные промежутки между максимумами сформированной АЧХ были одинаковыми. Результирующая АЧХ селективного устройства представляет собой чередующиеся полосы заграждения и пропускания.

Подраздел 8.4. посвящен исследованию направленных ответви-телей для интегральных СВЧ схем.

Результаты разработки и исследования микрополосковых ответ-вителей со слабой связью и высокой направленностью приведены в подразделах 8.4.1 и 8.4.2.

В подразделе 8.4.3 приводятся результаты разработки и исследования направленных ответвителей на связанных КПЛ. Предложен метод увеличения направленности таких ответвителей со слабой связью.

Разработке широкополосных направленных ответвителей на связанных микрополосково-щелевых линиях посвящен подраздел 8.4.4, где описаны конструкции ответвителей с сильной и слабой связью и высокой направленностью.

Каждый раздел диссертации завершается выводами, отражающими основные результаты представленных в нем исследований.

В заключении сформулированы основные результаты работы и общие выводы.

Научная новизна и значимость работы заключается в следующем:

1. Предложен метод расчета планарных преобразователей, возбуждающих МСВ в многослойной МДФДМ-структуре при произвольном направлении приложенного постоянного магнитного поля, в котором планарный преобразователь представлен в виде некоторого известного распределения плотности поверхностного тока в системе планарных проводников.

2. Разработан универсальный метод расчета сопротивления излучения планарных преобразователей, возбуждающих ПМСВ в многослойной МДФД-структуре при направлении приложенного постоянного магнитного поля параллельно проводникам и заданном распределении продольной плотности поверхностного тока в системе планарных проводников.

3. Получено сингулярное однородное интегральное уравнение для плотности тока в системе копланарных проводников, лежащих на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, граничащего с вакуумом или диэлектриком.

4. Предложен метод решения однородного сингулярного интегрального уравнения для плотности тока, позволяющий найти аналитические выражения для продольной плотности поверхностного тока в произвольной системе копланарных проводников, лежащих на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, граничащего с вакуумом или диэлектриком.

5. Найдены решения однородного сингулярного интегрального уравнения для плотности тока, и впервые получены аналитические

выражения для продольной плотности поверхностного тока в НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами, учитывающие влияние намагниченного феррита и взаимодействие токов в проводниках.

6. Для СДПЛ, расположенной на полубесконечном намагниченном вдоль проводников феррите, найдено распределение продольной плотности поверхностного тока по поперечному сечению полосковых проводников при одинаково и противоположно направленных токах, учитывающее влияние намагниченного феррита и взаимодействие токов в проводниках.

7. Получены выражения для сопротивления излучения НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами и СДПЛ, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки конечной толщины, учитывающие как взаимодействие токов в проводниках, так и влияние на распределение поверхностного тока намагниченного феррита.

8. Получены выражения для сопротивления излучения НКПЛ и СДПЛ, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки конечной толщины, в присутствии дополнительного экрана, помещенного на стороне подложки, противолежащей проводникам линии.

9. Предложена модель эквивалентной двухпроводной линии, позволяющая рассматривать процессы возбуждения МСВ электромагнитной волной, распространяющейся в планарных линиях передачи, содержащих намагниченную ФП. Получены выражения для входного сопротивления короткозамкнутого, разомкнутого, четвертьволнового и полуволнового отрезка линии, содержащей полосковые проводники и намагниченную ФП, без ограничений на длину преобразователя, по сравнению с длиной электромагнитной волны, и величину потерь на преобразование ЭМ В в МСВ.

10. Предложена обобщенная методика расчета преобразователей, и проведен расчет устройств, содержащих двухполосковые ко-ропсозамкнутые и разомкнутые на конце преобразователи ПМСВ.

11. В магнитостатическом приближении впервые получены аналитические выражения для погонной индуктивности НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами, расположенных на намагниченном вдоль линии полубесконечном феррите, которые можно использовать для точного расчета характеристик устройств, содержащих отрезки таких линий на толстой намагниченной ФП.

12. Разработан численный метод решения интегрального уравнения для плотности тока микрополоскового преобразователя, расположенного на продольно намагниченной ФП, с учетом влияния экрана, в котором для представления фурье-образа плотности тока используются волновые функции Кулона с полуцелым индексом.

13. Найдено выражение для импеданса единицы длины МПЛ, использующее квадратичный, относительно поверхностной плотности тока, функционал.

14. Предложены и исследованы два варианта узкополосных бездисперсионных линий задержки на ПМСВ.

15. Предложена конструкция полосно-пропускающего фильтра, содержащего в качестве преобразователей ПМСВ короткозамкнутые отрезки НКПЛ с одним экраном.

16. Предложены три варианта конструкции полосно-заграждаю-щих фильтров, содержащих в качестве преобразователей ООМСВ

кпл.

17. Разработаны трехканальное и четырехканальное селективные устройства, состоящие из узкополосных и широкополосных полосно-заграждающих фильтров, содержащих в качестве преобразователей ООМСВ копланарные линии.

18. Разработаны микрополосковые, копланарные, микрополос-ково-щелевые ответвители с высокой направленностью для СВЧ интегральных схем.

Совокупность теоретических и экспериментальных результатов, связанных с получением новых данных о процессах возбуждения МСВ планарными преобразователями; построение универсальной теории расчета планарных преобразователей и содержащих эти преобразователи устройств, разработка на ее основе различных спинволновых приборов и установление особенностей формирования их АЧХ, позволяет заключить, что в диссертации решена крупная научная проблема в области радиофизики и электроники, имеющая важное практическое значение для создания спинволновых СВЧ устройств с широкими функциональными возможностями.

Научная и практическая ценность результатов работы заключается в том, что полученные в ней результаты расширяют и углубляют физические представления о процессах, возникающих при возбуждении магнитостатических волн и колебаний в слоистых структурах, содержащих намагниченные ферритовые пленки, и о связанных с ними явлениях в спинволновых устройствах с электронной перестройкой частоты. Результаты работы применяются также для интерпретации физических экспериментов.

Практическая значимость работы заключается в разработке физических основ создания широкого класса многофункциональных СВЧ устройств на основе планарных линий передачи с намагниченной ферритовой пленкой. В частности, экспериментально исследована возможность создания перестраиаемых линий задержки, полосно-пропускающих и полоснозаграждающих фильтров с заданными характеристиками. Разработанный метод расчета фильтров, позволяю-

щий проектировать устройства с заданными АЧХ, и созданные программы расчета преобразователей могут быть использованы при разработке и оптимизации параметров приборов спинволновой электроники СВЧ.

Достоверность результатов работы определяется как использованием строгих современных методов расчета и стандартной измерительной аппаратуры, так и согласием основных теоретических положений с результатами экспериментов.

Реализация результатов работы. Задачи, поставленные в ходе диссертационного исследования, решались в рамках фундаментальных и поисковых НИР, проводимых на кафедре радиофизики Ростовского государственного университета, а также в соответствии с Координационным планом АН СССР. Результаты диссертационной работы были использованы при проведении научно-исследовательских работ на предприятиях МЭП и МРП. Автор являлся ответственным исполнителем указанных работ. Материалы диссертации используются в спецпрактикуме по радиофизике и в лекционных курсах, читаемых автором в Ростовском государственном университете.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на международных, всесоюзных конференциях и семинарах:

• XXIX, XXXI, XXXII, XXXIII Всесоюзных научных сессиях, посвященных Дню радио ( Москва, 1974 ,1976,1977, 1978);

• Всесоюзном научном семинаре по обмену передовым опытом по производству и применению микроэлектронных изделий в радиоаппаратуре (Москва, 1974);

РОССИЙСКАЯ 'fbSy ДАРСТВЕН Н * * "*ЩтогША

• VII Всесоюзном симпозиуме по дифракции и распространению волн (Москва, 1977);

• Выездном заседании секции волноводных устройств НТОРЭС "Применение волноводных устройств в технике связи" (Москва-Киев, 1980);

• Всесоюзной научно-технической конференции "Проблемы интегральной электроники СВЧ" (Ленинград, 1984);

• Всесоюзном научно-техническом семинаре НТОРЭС "Волноводные системы и устройства" (Днепропетровск, 1984);

• III, IV, V, VI Всесоюзных школах-семинарах "Спин-волновая электроника СВЧ" (Ашхабад, 1985; Краснодар, 1987; Львов, 1989; Звенигород, 1991; Саратов, 1993);

• Всесоюзной конференции по материаловедению (Донецк, 1978);

• XI Международной конференции по гиромагнитной электронике и электродинамике (Алушта, 1992);

• Первой Объединенной конференции по магнитоэлектронике (Москва, 1995);

• IX Международной школы-семинара "Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ"( Самара, 1997).

Публикации. Основное содержание диссертации опубликовано в 48 печатных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, восьми глав, заключения и списка литературы, содержит 412 страниц текста, включающие 108 рисунков, 4 таблицы и список литературы из 184 наименований.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Предложенный метод решения самосогласованных задач о возбуждении поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ) в МДФД-структуре системой копланарных проводников, лежащих на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой пленки, и предложенные эквивалентные схемы преобразователей и устройств, позволяющие аналитически с достаточной для практики точностью проводить анализ СВЧ интегральных устройств на ПМСВ для произвольного типа планарных преобразователей, с учетом влияния взаимодействия токов в проводниках и воздействия на них намагниченной ферритовой пленки.

2. Сингулярное однородное интегральное уравнение для плотности поверхностного тока в системе копланарных проводников, лежащих на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, граничащего с вакуумом или диэлектриком, и предложенный метод его решения, позволяющий найти аналитические выражения плотности тока, с учетом взаимодействия токов в проводниках и влияния на распределение поверхностного тока намагниченного феррита.

3. Метод расчета погонной индуктивности системы копланарных проводников, лежащих на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, использующий аналитические выражения плотности тока, учитывающие взаимодействие токов в проводниках системы и влияние на распределение поверхностного тока намагниченного феррита.

4. Численный метод решения интегрального уравнения для плотности тока микрополоскового преобразователя, расположенного на продольно намагниченной ФП, с учетом влияния экрана, в кото-

ром для представления фурье-образа плотности тока используются волновые функции Кулона с полуцелым индексом, и выражение для импеданса единицы длины МПЛ, использующее квадратичный, относительно поверхностной плотности тока, функционал.

5. Совокупность новых теоретических результатов, полученных при решении задач возбуждения ПМСВ в МДФД-структуре МПЛ, НКПЛ и СДПЛ, и ряд выявленных закономерностей в формировании частотных зависимостей сопротивления излучения указанными линиями.

6. Совокупность новых экспериментальных результатов, подтвердивших возможность создания на основе исследованных свойств МСВ и МПЛ, КПЛ и СДПЛ, линий задержки, полосно-пропуска-ющих и полосно-заграждающих фильтров, многоканальных селективных устройств.

1. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ.

1.1. Основные уравнения и граничные условия.

Назначение данного раздела - ввести без излишних подробностей основные соотношения, необходимые для дальнейшего изложения.

Исходными уравнениями для нахождения спектра электромагнитных волн в структурах, содержащих намагниченные ферриты, являются уравнения Максвелла, записанные для переменных составляющих высокочастотных полей в отсутствии сторонних зарядов и токов [50-52]

Ш Ё- - (1.1)

а

тЙ= (1.2)

а

Шу 3=0, (1.3)

ШуВ= 0, (1.4)

где Ё, И - напряженности электрического и магнитного поля, Ь, ¿-электрическая и магнитная индукции.

Систему уравнений (1.1)-(1.4) необходимо дополнить соотношениями, описывающими ферромагнитную среду

Ь = Б^ТЁ, В = /л^Н . (1.5)

Тензор высокочастотной магнитной проницаемости /} в общем случае определяется выражением

Мхх Мху Мхг

М = Мух Муу М

(1.6)

\Мгх Мгу Мгг)

где компоненты тензора определяются выбором координат и являются функциями частоты, волнового числа, параметров среды, величины и направления приложенного постоянного магнитного поля Н0.

Если направление Н0 совпадает с осью г, то тензор магнитной проницаемости принимает относительно простой вид

где /л, ¡ла - диагональная и недиагональная компоненты тензора.

Ограничимся рассмотрением первых двух уравнений (1.1)-(1.2) (уравнения (1.3)-(1.4) являются их следствием) и, предполагая, что все

—/лй

переменные величины изменяются во времени пропорционально е , запишем их в виде

Для нахождения постоянных интегрирования в уравнениях Максвелла необходимо использовать систему граничных условий. В отсутствии свободных зарядов и токов граничные условия заключаются в непрерывности тангенциальных к поверхности раздела составляющих напряженностей электрического и магнитного полей и нормальных составляющих электрической и магнитной индукции.

Если имеем две различные среды 1 и 2 и п- единичный вектор нормали к границе раздела, направленный из среды 1 в среду 2, то граничные условия можно записать в виде

' М IМа О' М= -Ща М О

I о о V

(1.7)

го1 Н = -/<у/),

т Е = коВ.

(1.8) (1.9)

¡Я, Ё{2)-Ёт] = О,

[я, я(2)-я(1)] = о,

о,

п.(в<2)-в<1>) = О,

(1.12)

(1.13)

(1.10)

(1.11)

В случае, когда на поверхности раздела имеется ток плотности у, граничное условие (1.11) изменяется на

Если первая среда - намагниченный феррит, а вторая - идеальный проводник, то достаточно использовать граничные условия

которые означают, что электрическое поле нормально, а магнитная индукция касательна к поверхности раздела феррит-идеальный проводник.

В дальнейшем нас будут интересовать медленные электромагнитные волны в ферромагнитных средах, у которых длина волны в среде значительно меньше длины волны в вакууме. При их исследовании можно пренебречь запаздывающими членами в уравнениях Максвелла. Для такого квазистатического приближения система уравнений (1.1)-(1.4) распадается на две независимых системы уравнений - для электрического и магнитного полей. Для магнитных полей в квазистатическом приближении из (1.1)-(1.4) получаем

[я, я(2)-я(1)]

0.11')

[я, е(1)] = о,

(1.14)

(1.15)

rotH= О, div(juQJiH^j= 0.

(1.16) (1.17)

Система уравнений (1.16)-(1.17) аналогична уравнениям магнитостатики, но отличается тем, что магнитная проницаемость среды зависит от частоты. Поэтому медленные электромагнитные волны в магнитоупорядоченных средах называют магнитостатическими волнами.

Следует однако заметить, что, хотя магнитные компоненты медленных волн удовлетворяют уравнениям магнитостатики (1.16)-(1.17), электрические компоненты медленных волн не удовлетворяют уравнению rot Ё — 0.

Система уравнений Максвелла (1.8)-(1.9) в магнитостатическом приближении для описания медленных волн в намагниченном феррите имеет вид

поскольку магнитостатические волны являются медленными электромагнитными волнами и должны содержать как магнитные, так и электрические компоненты высокочастотного поля. Связь компонент электрического и магнитного полй в этом приближении осуществляется через уравнение (1.19).

rot Е - icoB,

rot Н = 0,

(1.18) (1.19)

1.2. Исследование характеристик поверхностных магнито-статических волн в металлизированной пленке железо-иттриевого граната.

В последнее время для разработки широкополосных бездисперсионных линий задержки с малым временем задержки стали применять эпитаксиально выращенные толстые пленки ЖИГ [41]. Однако этот метод имеет ряд существенных недостатков. Во-первых, технология изготовления сверхтолстых пленок ЖИГ толщиной до 200 мкм, позволяющих получить задержку более 10 не, в настоящее время весьма несовершенна. Во-вторых, использование ОМСВ затрудняет подавление нежелательных пульсаций на частотных характеристиках линии задержки [41, 42].

Между тем, имеется альтернативная возможность построения широкополосных бездисперсионных линий задержки с малой задержкой, и она связана с использованием ПМСВ, распространяющейся по границе феррит-металл в металлизированной пленке ЖИГ (далее ПМСВ-ФМ) [43]. Однако, ни сама ПМСВ-ФМ, ни возможность построения такой линии задержки с малыми потерями до сих пор хорошо не изучены.

В настоящем разделе приводятся результаты исследования характеристик ПМСВ-ФМ и линии задержки с малым временем здерж-ки [34].

1.2.1. Дисперсионное уравнение и структура поля поверхностной магнн-тостатической волны низшего типа в структуре металл-феррит-диэлектрик с намагниченной ферритовой пленкой конечной ширины.

Все известные методы возбуждения ПМСВ-ФМ [43, 53-54] основаны на использовании толстых пластин ЖИГ, и применяемые в них преобразователи не могут быть использованы в устройствах для интегральных схем СВЧ, содержащих пленки ЖИГ. Для возбуждения ПМСВ-ФМ в этих устройствах лучше всего подходит КПЛ, как с точки зрения технологии, так и с точки зрения использования заземленной поверхности между ленточными проводниками копланарных линий в качестве экрана пленки ЖИГ, накладываемого на нее.

Рассмотрим простейшую структуру металл-феррит-диэлектрик, изображенную на рис. 1.1.

Легко показать (аналогично [53, 55]), что для этой структуры в магнитостатическом приближении дисперсионное уравнение для ПМСВ с зависимостью от координат у, г и времени г, определяемой

а компоненты поля с опущенным множителем описываются выражениями:

множителем

имеет вид

Рис. 1.1. Поперечное сечение МДФ-структуры с намагниченной ФП конечной шириной.

O <x<D

Нх = Bks{pkssh ksx + nakych / (juks + naky}, Hyz = ±iBkyz(jjksch ksx + nakysh M) / (pks + juaky),

Bx =ИНХ +ÍMaHy>

В y =-inaHx + (лН y,

Bz = Hz

(1.20')

x> D

Hx = -Bkb~<x~d) (,uksch ksD + atakysh k,D) / (мкя + цаку\

Hy,z ~

(1.20")

X '

где

fi= l-íí„ /(а2 Ма -п2н)> Q = CO I АлгуМ,

Г2Я = Я() / 4яЛ/ , #0 - приложенное постоянное магнитное поле, М -

намагниченность насыщения феррита, у - модуль гиромагнитного отношения.

Из выражения (1.20) видно, что фиксированному числу п вариаций поля на ширине w, соответствуют две волны, распространяющиеся в положительном и отрицательном направлении оси у и имеющие различные дисперсионные характеристики и структуру поля.

Полоса частот, в которой распространяется ПМСВ, локализованная на границе феррит-диэлектрик (ПМСВ-ФД), совпадает с диапазоном существования ПМСВ в свободной ФП [62], который определяется условием

[n„(n„ + i)]^ < а <

(1.21)

а диапазон частот существования ПМСВ-ФМ, согласно [43],

+ 1)]^ < П < Пн + 1 . (1.22)

Для того, чтобы преобразователь эффективно возбуждал нужный тип волны, необходимо, чтобы создаваемое им поле было близко по структуре с полем этой волны. Так как в качестве рабочей была выбрана ПМСВ-ФМ с одной вариацией поля (п = 1 ) на ширине пленки ЖИГ, то это определило режим короткого замыкания на конце преобразователя и размер м> пленки ЖИГ. Расчет полей по формулам (1.20' -1.20") для п = 1 показал, что касательная компонента Ну

максимальна при х= 0 у ПМСВ-ФМ и при х = 0 у ПМСВ-ФД (рис. 1.2). Нормальная компонента Нх при переходе через границу раздела х = О не меняет знак у волны ПМСВ-ФМ и меняет на противоположный у волны ПМСВ-ФД. Следовательно, для эффективного возбуждения волны феррит-металл преобразователь должен создавать максимальное Ну вблизи л: = 0 и близкое к нулю при х = й, а Нх не должно менять знак при х=й. Это можно сделать, используя в качестве преобразователей несимметричную копланарную линию, расположенную на границе х - 0.

1.2.2. Экспериментальное исследование дисперсии и времени задержки поверхностной магнитостатической волны низшего типа в структуре металл-феррит-диэлектрик с намагниченной ферритовой пленкой конечной ширины.

Линия задержки с копланарными преобразователями, на которой исследовались характеристики волны ПМСВ-ФМ, изображена на рис. 1.3, а. Установлено, что волна ПМСВ-ФМ имеет вносимые поте-

Рис. 1.2. Распределение компонент поля ПМСВ-ФМ и ПМСВ-ФД в поперечном сечении структуры при г = н>/2.

О

=з -10

| -20 с

5 -30

■о

3 -40 -50

металл

"i

ЖИГнаГГГ

а)

4,4

4,6

- экс. I

- экс. потери

- теор. X

4,8 /; ГГц

/ /

.ФМ /

/ > ос

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Бабичев, Рудольф Карпович

Основные выводы по результатам проведенной в настоящей работе разработке обобщенного метода анализа преобразователей МСВ, содержащих планарные линии, а также разработки метода расчета и эквивалентных схем устройств, содержащих отрезки этих линий, заключаются в следующем:

1. Представлены результаты расчета характеристик МСВ в пленочной слоистой МДФ-структуре при произвольной ориентации внешнего магнитного поля. Приведены частотные зависимости волнового числа и времени задержки МСВ низшего типа при изменении ориентации внешнего магнитного поля и изменении толщины диэлектрического слоя. Впервые показано, что при малых углах между внешним магнитным полем и нормалью к поверхности ФП в структуре с близко расположенным экраном у волны низшего типа, распространяющейся перпендикулярно магнитному полю и сильно возмущаемой экраном, имеется частотная область, содержащая прямую и обратную ПМСВ. Рассмотрена трансформация областей бездисперсионного распространения МСВ с уменьшением толщины диэлектрического слоя.

Обнаруженные свойства ПОМСВ и ПМСВ, обусловленные влиянием экрана, могут оказаться полезными при конструировании широкополосных устройств с заданными полосовыми и дисперсионными свойствами. Полученные результаты необходимо учитывать при разработке устройств на ОМСВ и ПМСВ.

2. Впервые подробно изучены дисперсия и трансформация друг в друга различных типов МСВ (прямых и обратных, объемных и поверхностных), распространяющихся в МДФДМ-структуре, в зависимости от толщины диэлектрических слоев и от направления внешнего постоянного магнитного поля относительно плоскости структуры. Вычислено время задержки при распространении всех перечисленных типов МСВ. Показано, что изменением толщины диэлектрических слоев можно трансформировать прямые ОМСВ в обратные.

При различных положениях экранов проанализированы характеристики МСВ в МДФДМ-структуре при изменении направления поля подмагничивания. Обнаруженные свойства ОМСВ и ПМСВ, обусловленные совместным влиянием двух экранов, могут оказаться полезными при разработке линий задержки с заданными дисперсионными свойствами и других устройств на ОМСВ и ПМСВ.

3. Рассчитаны характеристики ПМСВ, распространяющихся с потерями в структуре диэлектрик-металл-феррит-диэлектрик, и исследовано влияние толщины и проводимости металлического слоя на дисперсию и потери. Обнаружено существование отсечки при больших волновых числах.

Проведенный анализ позволяет сделать следующие выводы. а. Конечная проводимость металла существенно влияет на характеристики ПМСВ, распространяющихся вдоль границы раздела феррит-металл, и вызывает отсечку к'И выше некоторого значения, определяемого параметрами структуры. б. В структурах с тонким слоем металла потери возрастают вблизи максимального значения к'О, а в структурах с толстым слоем - на границе существования ПМСВ феррит-металл с идеальной проводимостью. в. На дисперсионной характеристике ПМСВ исследованной структуры отсутствует ветвь с аномальной дисперсией, описанная в работе [48]. г. Влияние конечной проводимости металла необходимо учитывать при проектировании широкополосных фильтров и линий задержки с малым временем задержки, а также узкополосных фильтров на ПМСВ.

4. Предложен универсальный метод расчета планарных преобразователей, возбуждающих МСВ в многослойной МДФДМ-структуре при произвольном направлении приложенного постоянного магнитного поля, в котором планарный преобразователь представлен в виде некоторого известного распределения плотности поверхностного тока в системе планарных проводников.

5. Предложен универсальный метод расчета сопротивления излучения планарных преобразователей, возбуждающих ПМСВ в многослойной М-Д-Ф-Д-структуре при направлении приложенного постоянного магнитного поля параллельно проводникам и заданном распределении продольной плотности поверхностного тока в системе планарных проводников.

6. Получено сингулярное однородное интегральное уравнение для плотности тока в системе копланарных проводников, лежащих на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, граничащего с вакуумом или диэлектриком.

7. Предложен метод решения однородного сингулярного интегрального уравнения для плотности тока, позволяющий найти аналитические выражения для продольной плотности поверхностного тока в произвольной системе копланарных проводников, лежащих на поверхности намагниченного вдоль проводников полубесконечного феррита, граничащего с вакуумом или диэлектриком.

8. Найдены решения однородного сингулярного интегрального уравнения для плотности тока, и впервые получены аналитические выражения для продольной плотности поверхностного тока в НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами, учитывающие влияние намагниченного феррита и взаимодействие токов в проводниках. Установлено, что токораспределение существенно изменяется как при приближении бокового экрана к полосковому проводнику, так и с ростом частоты в полосе распространения ПМСВ.

9. Для СДПЛ, расположенной на полубесконечном намагниченном вдоль проводников феррите, найдено распределение продольной плотности поверхностного тока по поперечному сечению полос-ковых проводников при одинаково и противоположно направленных токах, учитывающее влияние намагниченного феррита и взаимодействие токов в проводниках. Установлено, что, когда ширина ПП линии менее одной десятой ширины щели между ними, токораспреде-ления в полосковых проводниках можно считать независимыми друг от друга. Если же ширина ПП больше этого значения, то токораспре-деления в ПП существенно изменяются и качественно отличаются от однородного.

10. Получены выражения для сопротивления излучения НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки конечной толщины, учитывающие как взаимодействие токов в проводниках, так и влияние на распределение поверхностного тока намагниченного феррита. Для расчета применен разработанный метод расчета сопротивления излучения планарных преобразователей, возбуждающих ПМСВ в многослойной МДФД-структуре при направлении приложенного постоянного магнитного поля параллельно проводникам, в котором использованы распределения продольной плотности поверхностного тока, найденные из решения сингулярного интегрального уравнения для плотности тока в НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами и учитывающие как взаимодействие токов в проводниках, так и влияние на распределение поверхностного тока намагниченного феррита. Метод применим во всей полосе распространения ПМСВ, локализованной вблизи границы феррит-металл и не требует громоздких вычислений. Анализ результатов расчета сопротивлений излучения НКПЛ с одним боковым экраном, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки, показал, что частотные зависимости сопротивлений излучения представляют собой последовательности чередующихся максимумов и минимумов, положения которых зависят от расстояния между полоской и боковым экраном, и шириной полоски и щели можно в определенном частотном диапазоне формировать частотную зависимость сопротивления излучения.

11. Получены выражения для сопротивления излучения СДПЛ, расположенной на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки, учитывающие влияние полей, возникающих в намагниченном феррите, на распределение взаимодействующих друг с другом токов в ПП. Показано, что при узких полосковых проводниках СДПЛ результаты совпадают с известными результатами, полученными в приближении однородного распределения тока. Установлено, что в случае, когда ширина ПП превышает одну десятую расстояния между ними, результаты качественно и количественно различаются, что приводит к необходимости учитывать при расчете сопротивления излучения СДПЛ и характеристик спинволновых устройств, содержащих отрезки таких линий, влияние намагниченной ферритовой подложки и взаимодействие токов в ПП на распределение тока в линии.

12. Получены выражения для сопротивления излучения НКПЛ, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки конечной толщины, в присутствии дополнительного экрана, помещенного на стороне подложки, противолежащей проводникам линии. Показано, что при приближении экрана к поверхности намагниченной ферритовой подложки, на которой расположены проводники НКПЛ, частотная зависимость сопротивления излучения в низкочастотном диапазоне полосы возбуждения ПМСВ качественно меняется, а ширина этого диапазона частот увеличивается с приближением дополнительного экрана.

13. Получены выражения для сопротивления излучения СДПЛ, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки конечной толщины, в присутствии экрана, помещенного на стороне подложки, противолежащей проводникам линии. Показано, что приближение экрана к поверхности намагниченной ферритовой подложки, на которой расположены проводники СДПЛ, изменяет частотную зависимость сопротивления излучения в низкочастотном диапазоне полосы возбуждения ПМСВ. Подбором расстояния от экрана до поверхности намагниченной ферритовой подложки можно добиться частотной зависимости с очень высокой крутизной ее низкочастотного ската.

14. Установлено, что экран за счет подавления возбуждения длинноволновой части спектра ПМСВ увеличивает крутизну частотной зависимости сопротивления излучения исследованных линий, что можно использовать при формировании длинноволнового ската АЧХ устройств на ПМСВ, содержащих в качестве преобразователей отрезки этих линий.

15. Предложена модель эквивалентной двухпроводной линии, позволяющая рассматривать процессы возбуждения МСВ ЭМВ, распространяющейся в планарных линиях передачи, содержащих намагниченную ФП. Получены выражения для входного сопротивления короткозамкнутого, разомкнутого, четвертьволнового и полуволнового отрезка линии, содержащей полосковые проводники и намагниченную ФП, без ограничений на длину преобразователя, по сравнению с длиной ЭМВ, и величину потерь на преобразование ЭМВ в МСВ.

16. Предложена обобщенная методика расчета преобразовате-леи, и проведен расчет устройств, содержащих двухполосковые ко-роткозамкнутые и разомкнутые на конце преобразователи ПМСВ.

17. В магнитостатическом приближении впервые получены аналитические выражения для погонной индуктивности НКПЛ с одним и двумя боковыми экранами, расположенных на намагниченном вдоль линии полубесконечном феррите, которые можно использовать для точного расчета характеристик устройств, содержащих отрезки таких линий на толстой намагниченной ФП. Проведен расчет частотной зависимости погонной индуктивности НКПЛ при различных поперечных размерах. Сравнение с аналогичными частотными зависимостями для МП Л показало их качественное совпадение.

18. Разработан численный метод решения интегрального уравнения для плотности тока микрополоскового преобразователя, расположенного на продольно намагниченной ФП, с учетом влияния экрана, в котором для представления фурье-образа плотности тока используются волновые функции Кулона с полуцелым индексом.

19. Найдено выражение для импеданса единицы длины МПЛ, использующее квадратичный, относительно поверхностной плотности тока, функционал.

20. Сравнение частотных зависимостей погонного импеданса, рассчитанных с использованием точного токораспределения, найденного из решения интегрального уравнения для поверхностной плотности тока в МПЛ, расположенной на продольно намагниченной подложке конечной толщины с экраном, с частотными зависимостями, рассчитанными с помощью приближенного токораспределения, найденного из решения сингулярного интегрального уравнения для плотности тока в линии, расположенной на продольно намагниченном полубесконечном феррите, показывает, что в низкочастотной трети возможной полосы распространения ПМСВ указанные зависимости мало отличаются друг от друга. Различия становятся существенными в высокочастотной половине возможной полосы распространения ПМСВ.

21. Развитый в главах 2-6 метод расчета преобразователей ПМСВ при использовании приближенного токораспределения, описанного в главе 3, таким образом, дает достаточно точные результаты в низкочастотной половине возможной полосы распространения ПМСВ, что в большинстве практических применений достаточно, поскольку в высокочастотной половине полосы распространения ПМСВ из-за сильных потерь в ферритовой пленке ПМСВ сильно затухают.

22. При расчете преобразователей для высокочастотной половины полосы распространения ПМСВ необходимо использовать точное токораспределение из решения интегрального уравнения для поверхностной плотности тока в линии, расположенной на продольно намагниченной подложке конечной толщины с экраном.

23. Расчетные частотные зависимости импеданса микрополоско-вой линии хорошо согласуются с экспериментом. Это позволяет использовать развитый в главах 2-6 метод расчета планарных преобразователей ПМСВ для проектирования МСВ устройств, содержащих планарные преобразователи (копланарные, микрополосковые, много-полосковые и пр.), с достаточной для практики точностью.

Автор считает своим долгом выразить глубокую благодарность научному консультанту доктору физ.-мат. наук Виктору Ивановичу Зубкову за активную поддержку данной работы.

Автор благодарен заведующему кафедрой радиофизики Ростовского госуниверситета Виктору Николаевичу Иванову за постоянную помощь при выполнении настоящей работы, а также сотрудникам кафедры радиофизики И.И.Натхину, А.А. Тутченко, Г.В. Бабичевой за участие в ее реализации.

Автор признателен профессору Анатолию Васильевичу Вашков-скому за высказанные ценные советы и замечания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Бабичев, Рудольф Карпович, 1997 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ уст-

ройств. М. Радио и связь. 1987 г.

2. Вапне Г.М. СВЧ-устройства на магнитостатических волнах. // Об-

зоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. М.: ЦНИИ Электроника. 1984 г. Вып. 8 (1060).

3. Ganguly А.К.,Webb D.C. Microstrip excitation of magnetostaic surface

waves: theory and experiment. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1975. V.MTT-23. № 12. P. 998-1006.

4. Ganguly A.K., Webb D.C., Banks C. Complex radiation impedance of

microstrip excitied magnetostatic surface waves. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1978. V. MTT- 26. № 6. P. 444-447.

5. Wu H.J., Smith C.V., Collins J.H., Owens J.M. Bandpass filtering with

multibar magnetostatic surface wave microstrip trunsducers. // Electron. Letters. 1977. V. 13. №. 20. P. 610-611.

6. Wu H.J., Smith C.V., Owens J.M. Bandpass filtering and input impedance characterization for driven multielement transducer pair-delay line magnetostatic wave devices.//J.Appl.Phys. 1979. V. 50. №. 3. P. 2455-2457.

7. Вашковский А.В., Герус С.В., Дикштейн И.Е., Тарасенко В.В. Воз-

буждение поверхностных магнитостатических волн в ферромагнитных пластинах. // ЖТФ. 1979. Т. 49. № 3. С. 628-632.

8. Вашковский А.В., Зубков В.И., Кильдишев В.Н. Влияние диэлектрического зазора между преобразователем и ферритовой пленкой на возбуждение магнитостатических волн. // Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28. №9. С. 1778-1782.

9. Вашковский А.В., Зубков В.И., Лебедь Б.М., Новиков Г.М. Узко-

полосная фильтрация СВЧ-сигналов при возбуждении магнито-

статических волн в пленках железоиттриевого граната. // Радиотехника и электроника. 1985. Т. 30. №8. С. 1513-1521.

10. Гипсман А.И. Расчет устройств на многополосковых линиях с по-

верхностной магнитостатической волной. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1984. № 10. С.41-43.

11. Parekh J.P., Tuan H.S. Meander line excitation of magnetostatic surface wave. // Proc.IEEE. 1979. V. 67. № 1. P. 182-183.

12. Parekh J.P. Theory for magnetostatic forward volume wave excitation.

// J. Appl. Phys. 1979. V. 50. № 3. P. 2452-2454.

13. Богачев С.В., Загрядский С.В. Входное сопротивление микропо-лоскового возбудителя МСВ в узком ферритовом волноводе при перпендикулярном намагничивании. // Тезисы докладов Первой Объединённой конференции по магнитоэлектронике. Москва. 1995.С. 216-217.

14. Sethares J.C., Weinberg I.J. Apodization of variable coupling MSSW

transducers. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. №. 3. P. 2458-2460.

15. Sethares J.C. Magnetostatic surface wave transducers. // IEEE Trans.

Microwave Theory and Techn. 1979. V. MTT- 27. № 11. P. 902-909.

16. Emtage P.R. Interaction of MSW with a current. // J. Appl.Phys. 1978.

V. 49. № 8. P. 4475-4484.

17. Emtage P.R. Generation of magnetostatic surface waves by a microstrip. //J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 7. P. 5122-5125.

18. Byгальтер Г.А., Махалин B.H. Отражение и возбуждение прямых

объемных магнитостатических волн металлической полоской. // Радиотехника и электроника. 1984. Т. 29. № 7. С. 1252-1259.

19. Вугальтер Г.А.,Махалин В.Н. Отражение и возбуждение поверх-

ностных магнитостатических волн металлической полоской. // ЖТФ. 1985. Т. 55. № 3. С. 497-506.

20. Вугальтер Г.А., Гилинский И.А. Возбуждение и прием поверхност-

ных магнитостатических волн микрополосковым преобразователем. // ЖТФ. 1987. Т. 57. № 11. С. 2250-2252.

21. Гилинский И.А. Электромагнитные поверхностные явления. Новосибирск: Наука. 1990.

22. Щеглов И.М., Гилинский И.А., Сорокин В.Г. Теория возбуждения

поверхностных магнитостатических волн микрополосковой линией. // ЖТФ. 1987. Т. 57. № 5. С. 943-952.

23. Щеглов И.М., Гилинский И.А. Теория возбуждения поверхностных магнитостатических волн микрополосковой линией. // Препринт 6-85. ИФП СО АН СССР. Новосибирск. 1985.

24. Гилинский И.А., Щеглов И.М. Возбуждение и прием поверхностных магнитостатических волн многоэлектродными преобразователями. // ЖТФ. 1989. Т. 59. № 7. С.74-79.

25. Дмитриев В.Ф., Калиникос Б.А., Ковшиков Н.Г. Эксперименталь-

ное исследование сопротивления излучения микрополосковых антенн спиновых волн. // ЖТФ. 1986. Т. 56. № 11. С. 2169-2174.

26. Дмитриев В.Ф., Калиникос Б.А. Возбуждение распространяющихся волн намагниченности микрополосковыми антеннами. // Изв. вузов. Физика. 1988. Т. 31. № 11. С. 24-53.

27. Дмитриев В.Ф., Калиникос Б.А. К самосогласованной теории воз-

буждения спиновых волн многоэлементными антеннами. // ЖТФ. 1989. Т. 59. № 1. С. 197-200.

28. Вугальтер Г.А. Резонатор на поверхностных спиновых волнах. //

Радиотехника и электроника. 1989. Т. 25. № 7. С. 1376-1383.

29. Ohgihara Т., Murakami Y., Okamoto Т. А 0.5-2.0 Ghz tunable bandpass filter using YIG film grown by LPE. // IEEE Trans, on Magnetics. 1987. V. MAG-23. № 5. P. 3745-3751.

30. Omori Т., Yashiro К., Ohkawa S. A study on magnetostatic surface wave excitation by microstrip. // IEICE Transactions on Electronics. 1994. V. E77C. № 2. P. 312-318.

31. Ohkawa S., Omori Т., Nishizawa K., Yashiro K. Measurments of radiation resistance of a simple microstrip and its near field for exitation of magnetostatic surface wave. // Тезисы докладов VI Школы по спинволновой электронике СВЧ. 1993. С. 66-67.

32. Susaki H.,Mikoshiba N. Tunable magnetostatic surface wave demultiplexing filter. // Electron. Letters. 1980. V. 16. № 18. P. 700-701.

33. Sethares J.C., Weinberg I.J. Magnetostatic wave transducers. // Circuits, Syst. and Sign. Processing. 1985. V. 4. № 1-2. P. 41-62.

34. Бабичев P.K., Тутченко A.A., Иванов B.H..Бабичева Г.В. Исследо-

вание характеристик поверхностных магнитостатических волн в металлизированной пленке иттрий железистого граната. // Физика и техника магнитных явлений. Межвузовский сборник научных трудов. КПИ. Куйбышев. 1986 . С.80-85.

35. Вугальтер Г.А., Гусев Б.Н., Гуревич А.Г., Чивилева О.А. Возбуждение поверхностной магнитостатической волны копланарным преобразователем. // ЖТФ. 1986. Т. 56. № 1. С. 149-160.

36. Bhattacharya D., Chakraborti N.B. Coplanar-waveguide excitation of magnetostatic surface waves. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. № 10. P. 4322-4324.

37. Гусев Б.Н., Гуревич А.Г., Вугальтер Г.А., Краснов B.C. Возбуждение и прием поверхностных спиновых волн несимметричными копланарными преобразователями. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. № 9. С. 537-541.

38. Дмитриев В.Ф. Селективные свойства спин-волновых устройств на

основе щелевых и копланарных линий //Радиотехника и электроника. 1990. Т. 35. №9. С. 1821-1829.

39. Урсуляк Н.Д., Рудый Ю.Б., Волобуев Н.М., Белицкий А.В.,Ищенко

А.И., Калиникос Б.А. Исследование линий задержки на магнито-статических волнах. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1982. №2. С. 12-13.

40. Рогозин В.В., Третьяков С.А., Харина Т.Г. Полосовые фильтры на

ферритовых пленках с увеличенным внеполосным затуханием. // Тезисы докладов III семинара по функциональной магнитоэлек-тронике. 1988. Красноярск: АН СССР. С. 164-166.

41. De Gasperis P., Miccoli G., Di Gregorio С., Roveda R. Slow dispersive,

shot time delay line based on very thick liquid phase epitaxially grown YIG. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. № 6. P. 2512-2514.

42. De Gasperis P., Miccoli G.,Di Gregorio C., Roveda R. Magnetostatic

band suppression at microwave frequency in triple-layred garnet films. II Electron. Letters. 1984. V. 20. № 11. P. 475-476.

43. Seshadri S.R. Surface magnetostatic modes of a ferrite slab. // Proc. IEEE. 1970. V. 58. № 3. P. 506-507.

44. Adam J.D. An MSW tunable bandpass filter. // Ultrasonics Symposium. 1985. P. 157-160.

45. Загрядский С.В. Возбуждение магнитостатических волн в произвольно намагниченных ферритовых пленках. // Радиотехника. 1991. №3. С. 29-30.

46. Лысенко В.А. Передаточная функция СВЧ-устройств на магнито-

статических волнах. // Радиотехника и электроника. 1986. Т. 31. № 8. С. 1627-1634.

47. Сорокин В.Г., Богун П.В., Кандыба П.Е. Сопротивление излуче-

ния микрополосковой линии при возбуждении магнитостатических волн. //ЖТФ. 1986. Т. 56. № 12. С. 2377-2384.

48. De Wames R.E., Wolfram T. Characteristics of magnetostatic surface

waves for a metalized ferrite slab. // J.Appl.Phys. 1970. V. 41. № 13. P.5243-5246.

49. Васильев И.В., Макеева Г.С. Электродинамический анализ многопроводных полосковых возбудителей поверхностных магнитоста-тических волн в слоистых ферритовых волноведущих структурах.// Сборник "Спинволновая электроника СВЧ". Ашхабад. 1985. С.119-120.

50. Вайнштейн J1.A. Электромагнитные волны. Изд. Сов. радио. 1957.

51. Миттра Р., Ли С. Аналитические методы теории волноводов. Изд.

"Мир". М. 1974.

52. Вашковский А.В., Стальмахов B.C., Шараевский Ю.П. Магнито-

статические волны в электронике сверхвысоких частот. Изд. СГУ. 1993.

53. Kawasaki К., Yakagi Н., Umeno М. Passband control of surface magnetostatic waves by spacing a metal plate a part from the ferrite surface. // IEEE Trans. 1974. V.MTT-22. № 11. P. 924-929.

54. Есиков O.C., Толокнов H.A., Фетисов Ю.К. Спектры передачи СВЧ-мощности на поверхностных магнитостатических волнах в пластинках ИЖГ. // Радиотехника и электроника. 1980. Т. 25. № 1. С. 128-132.

55. O'Keeffe T.W., Patterson R.W. Magnetostatic surface-wave pro-pogation in finite samples. // J.Appl.Phys. 1978. V. 49. № 9. P. 48864895.

56. Новиков Г.М., Борисов C.A., Дубовицкий C.A., Петрунькин Е.З.

Исследование дисперсионных характеристик магнитостатических волн в составных структурах Ф-Д-М. // Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28. № 1.С. 121-126.

57. Борисов С.А., Вашковский A.B., Новиков Г.М.,Стальмахов A.B. Исследование поверхностных магнитостатических волн в пленках железо-иттриевого граната. // Физика твердого тела. 1981. Т. 23. №4. С. 1209-1211.

58. Зависляк Н.В., Данилов В.В., Балинский М.Г. Введение в спинвол-

новую электродинамику. КГУ. 1981. С. 132.

59. Гречушкин К.В., Прокушкин В.Н., Стальмахов B.C. Потери маг-

нитостатических волн в слоистых структурах. // Известия вузов. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 8. С. 75-77.

60. Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Тутченко A.A. Исследование характе-

ристик поверхностных магнитостатических волн в структуре со слоем металла конечной проводимости. // Тезисы докладов 1У Всесоюзной школы-семинара "Спинволновая электроника СВЧ". Львов. 1989. С. 74-75.

61. Гуревич А.Г. Ферриты на сверхвысоких частотах. Физматгиз. 1960.

62. Damon R.W., Eshbach J.R. Magnetostatic modes of a ferromagnetic slab. // J.Phys. and Chem. Solids. 1961. V.19. № 3/4. P. 308-320.

63. Крышталь Р.Г., Медведь A.B. Влияние электропроводности металлической пленки на рассеяние поверхностных магнитостатических волн на поверхностной акустической волне в структуре ГГГ-ЖИГ- пленка металла. // ЖТФ. 1991. Т. 61. № 4. С. 105-110.

64. Вызулин С.А., Розенсон А.Э., Шех С.А. О спектре поверхностных

магнитостатических волн в ферритовой пленке с потерями. // Радиотехника и электроника. 1991. Т. 36. № 1.С. 164-168.

65. Вызулин С.А., Запорожец В.В., Карнаушко Е.В. Параметры связи в

перестраиваемых фильтрах на магнитостатических волнах. // Тезисы докладов Первой Объединённой конференции по магнито-электронике. Москва. 1995. С.230-231.

66. Miller N.D.Y. Non-reciprocal magnetostatic volume waves.//IEEE Trans, on Magnetics. 1978. V. MAG-14. № 5. P. 829-831.

67. Weinberg J.J. Dispersion relations for magnetostatic waves.//IEEE Ultrason.Sympos. Boston. 1980. V.l. P. 557-561.

68. Bajpai S.N., Srivastava N.C. Magnetostatic bulk waves in arbitrarily magnetized YIG-dielectric layered structure. II Phys.Stat.Sol. (a). 1980. V. 57. № 1. P. 307-315.

69. Koike T. Magnetostatic wave propogation within obliquely magnetized

YIG films. //IEEE MTT-S Digest. 1982. F-4. P.86-88.

70. Берегов А.С. Управление спектром и групповой скоростью магни-

тостатических волн. // Радиотехника и электроника. 1983. Т.28. № 1.С. 127-131.

71. Беспятых Ю.И., Зубков В.И., Тарасенко В.В. Распространение по-

верхностных магнитостатических волн в ферромагнитной пластине. //ЖТФ. 1980. Т.50. № 1. С. 140-146.

72. Беспятых Ю.И., Вашковский А.В., Зубков В.И. Неустойчивость поверхностных магнитостатических волн в структуре полупроводник-ферромагнетик-диэлектрик-металл. // Радиотехника и электроника. 1975. Т. 20. № 5. С. 1003-1008.

73. Yukawa Т., Yamada J., Abe К., Ikenoue J. Effects of metal on the dispersion relation of magnetostatic surface wave. // Japan .J. Appl. Phys. 1977. V. 16. № 12. P. 2187-2196.

74. Бабичев P.K., Зубков В.И. Влияние экрана на характеристики маг-

нитостатических волн в слоистой структуре с ферритовой пленкой при произвольном подмагничивании. // Радиотехника и электроника. 1989. Т. 34. № 5. С. 972-978.

75. Бабичев Р.К., Зубков В.И. Влияние двух экранов на характеристики магнитостатических волн в слоистой структуре с ферритовой

пленкой при произвольном подмагничивании. // Радиотехника и электроника. 1989. Т. 34. № 10. С. 2074-2081.

76. Weinberg I.J. Insertion loss for magnetostatic volume waves. // IEEE

Trans. 1982. on Magnetics. V.MAG-18. № 6. P. 1607-1609.

77. Лаврентьев M.A., Шабат Б.В. Методы теории функций комплекс-

ных переменных. Наука. М. 1965.

78. Бабичев Р.К., Зубков В.И., Иванов В.Н. Интегральное уравнение для плотности тока в произвольной системе копланарных проводников, возбуждающей поверхностные магнитостатические волны. // Тезисы докладов V Всесоюзной школы по спин-волновой электронике СВЧ. Звенигород. 1991. С. 137-138.

79. Бабичев Р.К., Зубков В.И., Иванов В.Н., Натхин И.И. Интеграль-

ное уравнение для плотности тока в системе копланарных проводников, возбуждающей поверхностные магнитостатические волны. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38. №1. С. 93-95.

80. Бабичев Р.К., Зубков В.И., Иванов В.Н., Натхин И.И. Плотность тока в несимметричных копланарных линиях, расположенных на намагниченном полубесконечном феррите. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38. № 2. С. 267-272.

81. Гахов Ф.Д. Краевые задачи. М.: Наука. 1977.

82. Мусхелишвили Н.И. Сингулярные интегральные уравнения. М.: Наука. 1968.

83. Бабичев Р.К., Бабичева Г.В., Зубков В.И., Иванов В.Н. Сопроти-

вление излучения несимметричной копланарной линии с одним боковым экраном, расположенной на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки. // Радиотехника и электроника. 1994. Т. 39. № 6. С. 987-994.

84. Справочник по специальным функциям/ Под редакцией Абрамо-

вича М. и Стиган И.. М.: Наука. 1979.

85. Бабичев Р.К., Бабичева Г.В., Зубков В.И., Иванов В.Н. Сопроти-

вление излучения симметричной двухполосковой линии, расположенной на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки. // Радиотехники и электроника. 1994. Т. 39. № 1.С. 40-49.

86. Бабичев Р.К., Зубков В.И., Иванов В.Н., Натхин И.И. Сопротивление излучения несимметричных копланарных линий, расположенных на продольно намагниченной ферритовой пластине. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38. №7. С. 1208-1214.

87. Бабичев Р.К., Зубков В.И., Иванов В.Н. Натхин И.И. Сопротивле-

ние излучения несимметричных копланарных волноводов. // Тезисы докладов V Всесоюзной школы по спин-волновой электронике СВЧ. Звенигород. 1991.С. 139-140.

88. Babichev R.K., Babicheva G.V. Zubkov V.I., Ivanov V.N. Screen influence over the radiation resistance of coplanar and double-bar microstrip lines placed on the surface of the ferrite plate magnetized along the conductors. // Тезисы докладов Первой Объединённой конференции по магнитоэлектронике. Москва. 1995. С. 224-225.

89. Бабичев Р.К., Бабичева Г.В., Зубков В.И., Иванов В.Н. Влияние экрана на сопротивление излучения копланарных и двухполоско-вых линий, расположенных на поверхности намагниченной вдоль проводников ферритовой подложки. // Радиотехника и электроника. 1997. Т. 42. № 4. С. 389-394.

90. Lerer A.M., Schuchinsky A.G. Full-wave analysis of three-dimensional planar structures. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1993. V.MTT-41. № 11. P. 2002-2015.

91. Бабичев Р.К., Бабичева Г.В., Зубков В.И., Иванов В.Н. Расчет по-

гонной индуктивности копланарной линии, расположенной на намагниченном вдоль линии полубесконечном феррите. // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. № 9. С. 1361-1367.

92. Иванов В.Н., Бабичев Р.К., Зубков В.И..Сопротивление излучения

и индуктивность микрополосковой линии, содержащей продольно намагниченный ферритовый слой с экраном. // Радиотехника и электроника. 1997. Т. 42. № 1. С.38-42.

93. Бейтмен Г., Эрдейи А. Таблицы интегральных преобразований. М.: Наука. 1969. Т.1.

94. Бейтмен Г., Эрдейи А. Таблицы интегральных преобразований. М.: Наука. 1970. Т.2.

95. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и

произведений. М.: Физматгиз. 1962.

96. Справочник программиста. Л.: Судпромгиз. 1963. Т.1.

97. Павинский П.П.Волновые функции кулонова поля. // ЖЭТФ. 1939.

Т. 9. №4. С. 411-418.

98. Суэтин П.К. Классические ортогональные многочлены.М.: Наука.

1979.

99. Люк Ю. Специальные математические функции и их аппроксима-

ции. М.: Мир. 1980.

100. Бахвалов Н.С. Численные методы. М.: Наука. 1973. Т.1.

101. Форсайт Дж., Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математических вычислений. М.: Мир. 1980.

102. Бабичев Р.К., Бабичева Г.В., Иванов В.Н. Эквивалентные схемы преобразователей магнитостатических волн. Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. № 11. С. 1721-1725.

103. Иванов В.И., Бабичев Р.К., Зубков В.И. Метод расчета импеданса микрополоскового возбудителя поверхностных магнитостатиче-ских волн. // Радиотехники и электроника. 1998. Т.43. В печати.

104. Иванов В.Н., Бабичев Р.К., Зубков В.И. Теория возбуждения поверхностных магнитостатических волн микрополосковой линией, сдержащей намагниченную ферритовую пленку с экраном. // "Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ". Тезисы докладов IX Международной школы-семинара "Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ". Самара. 1997. Т. V. Вып. 2 (18). С.217-220.

105. Иванов В.Н., Бабичев Р.К., Зубков В.И. Расчет импеданса излучения микрополосковой линии. // "Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ". Тезисы докладов IX Международной школы-семинара "Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ". Самара. 1997. Т. V. Вып. 2 (18). С.221-223.

106. Бабичев Р.К., Зубков В.И., Иванов В.Н., Натхин И.И. Расчет преобразователей поверхностных магнитостатических волн на несимметричных копланарных линиях. Труды XI Международной конференции по гиромагнитной электронике и электроднамике. МЭИ. 1992. Т. 1.С. 64-67.

107. Babichev R.K., Babicheva G.V. Zubkov V.I., Ivanov V.N. Design of double-bar magnetostatic surface wave microstrip transducers. Тезисы докладов VI Школы по спинволновой электронике СВЧ. Саратов. 1993. С. 115-116.

102. Бабичев Р.К., Бабичева Г.В., Иванов В.Н. Эквивалентные схемы преобразователей магнитостатических волн. Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. № 11. С. 1721 -1725.

108. Дмитриев В.Ф., Калиникос Б.А., Ковшиков Н.Г. Экспериментальное исследование сопротивления излучения микрополоско-

вых антенн спиновых волн. // ЖТФ. 1986. Т. 56. № И. С. 21692174.

109. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств./ Под ред. Вольмана. М.: Радио и Связь. 1982.

110. Справочник по элементам полосковой техники. / Под ред. Фельдштейна A.JI. М.: Связь. 1979.

111. Нефедов Е.И., Фиалковский А.Т. Полосковые линии передачи. М.: Наука. 1980.

112. Заргано Г.Ф., Jlepep A.M., Ляпин В.П., Синявский Г.П. Линии передачи сложных сечений. Ростов н/Д.: ИРУ. 1983.

113. Jansen R.H. High-speed computation of single and coupled microstrip parameters including dispersion, order modes, loss and finite strip thickness. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1978. V. MTT-26. № 2. P. 75-81.

114. Бабичев P.K., Бабичева Г.В., Зубков В.И., Иванов В.Н. Расчет погонной индуктивности копланарной линии, расположенной на намагниченном вдоль линии полубесконечном феррите. // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. № 9. С. 1361 -1367.

115. Babichev R.K., Babicheva G.V. Zubkov V.I., Ivanov V.N., Makhno V.I. Design of distributive inductance of asymmetrical coplanar line placed on the surface of semi-infinite longitudinaly magnetized ferrite. // Тезисы докладов Первой Объединённой конференции по маг-нитоэлектронике. Москва. 1995. С.222-223.

116. Рогозин В.В., Харина Т.Г. Расчет полосковых фильтров на МСВ. // Спинволновая электроника СВЧ. Львов: АН СССР. 1989. С.62-63.

117. Yashiro К., Okhawa S. Magnetostatic surface wave resonators with metal edge reflectors. II IEEE Ultrasonic Symposium Proceedings. 1990. P. 205-208.

118. Yashiro К., Okhawa S. Magnetostatic surface wave resonators with metal edge reflectors. // Тезисы докладов VI Школы по спинвол-новой электронике СВЧ. 1993. С. 150-151.

119. Hanna V.F., Thebault D. Theoretical and experimental investigation of asymmetric coplanar waveguides. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1984. V. MTT-32. № 12. P. 1649-1651.

120. Сычев A.H. Расчет параметров несимметричной планарной и ко-планарной полосковых линий. // Радиотехника. 1988. № 2. С. 7680.

121. Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.И. Интегралы и ряды. М.: Наука. 1981.

122. Бабичев Р.К., Зубков В.И., Иванов В.Н. Влияние намагниченной ферритовой пленки на распределенные параметры микрополос-ковой линии, возбуждающей поверхностные магнитостатические волны. Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. № 1. С. 93-96.

123. Никольский В.В. Вариационные методы для внутренних задач электродинамики. М.: Наука. 1967.

124. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука. 1982.

125. De Ronde F.C. A new class of microstrip directional couplers. // G-MTT Int. Microwave Sympos. Newport Beach. Calif. New-York. 1970. P. 184-189.

126. Garcia J.A. Wide-band quadrature hibrid coupler. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1971. MTT-19. № 7. P. 660-661.

128. Silvester P. ТЕМ wave properties of microstrip transmission lines. // Proc. IEEE. Electr. record. 1968. V. 115. № 1. P. 43-48.

129. Bryant T.G., Weiss J.A. Parameters of microstrip transmission lines and of coupled pairs of microstrip lines. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1968. V.MTT-16. № 12. P. 1021-1027.

130. Napoli L.S., Huges J.J. Characteristics of coupled microstrip lines. // RCA Review. 1970. V.31. № 3. P.479-498.

131. Бабичев P.K., Иванов B.H. Исследование дисперсии в связанной микрополосково-щелевой линии.//Теория дифракции и распространения волн. Краткие тезисы докладов. VII Всесоюзный симпозиум по дифракции и распространению волн. Т.Н. Москва. 1977. С. 63-65.

132. Itoh Т., Mittra R. Dispersion characteristics of slot lines. // Electronics Letters. 1971. V. 7. № 3. P.364-365.

133. Knorr J., Kuchler K. Analysis of coupled slots and coplanar strips on dielectric substrate. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1975. V. MTT-23. № 7. P. 541-548.

134. Knorr J., Tefekcioglu A. Spectral-domain calculation of microstrip characteristic impedance. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1975. V. MTT-23. № 9. P. 725-728.

135. Бабичев P.K., Щучинский А.Г. Простой метод расчета копланар-ных волноводов при проектировании СВЧ ИС. // Тезисы докладов Всесоюзного научного семинара по обмену передовым опытом по производству и применению микроэлектронных изделий в радиоаппаратуре. Москва. 1974. С. 51-53.

136. Бабичев Р.К., Щучинский А.Г. К расчету копланарных волноводов с диэлектрической подложкой конечной толщины. // "Элект-

ронная техника". Серия 1. "Электроника СВЧ". 1976. № 11. С. 110-113.

137. Wen С.P. Coplanar waveguide: a surface strip transmission line suitable for nonreciprocal giromagnetic device application. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1969. MTT-17. № 12. P. 10871090.

138. Wen C.P. Coplanar waveguide directional couplers. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1970. MTT-18. № 6. P.318-324.

139. Кон С.Б. Экранированная связанная полосковая линия. // Сб.'ТТолосковые системы сверхвысоких частот", под ред. В.И. Сушкевича. М. ИЛ. 1959.

140. Силин Р.А., Сазонов В.П. Замедляющие системы. "Сов. радио". 1966.

141. Hilberg W. From approximations to exact relations for characteristic impedance. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1969. MTT-17. №5. P. 259-265.

142. Napoli L.S., Huges J.J. A simple technique for the accurate determination of the microwave dielectric constant for microwave integrated circuit substrates. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1971. MTT-!9.№7. P.664-668.

143. Бабичев P.K., Иванов B.H. Определение электрических параметров связанных микрополосково-щелевых линий. // Аннотации и тезисы докладов XXIX Всесоюзной научной сессии, посвященной Дню радио. Секция волноводных устройств. Москва. 1974. С. 56.

144. Бабичев Р.К., Иванов В.Н. Определение электродинамических параметров связанных полосково-щелевых линий.// "Электронная техника". Серия 1. "Электроника СВЧ". 1976. № 3. С. 121-122.

145. Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Рейзенкинд Я.А. Конструирование и экспериментальные исследования широкополосных направленных ответвителей для СВЧ интегральных схем на связанных щелевых и микрополосковых линиях. // Тезисы докладов Всесоюзного научного семинара по обмену передовым опытом по производству и применению микроэлектронных изделий в радиоаппаратуре. Москва. 1974. С. 48-50.

146. Бабичев Р.К., Иванов В.Н. Широкополосные направленные от-ветвители со слабой связью на связанных микрополосково-щелевых и копланарных линиях. // Аннотации и тезисы докладов XXXI Всесоюзной научной сессии, посвященной Дню радио. Секция волноводных устройств. Москва. 1976. С. 106-107.

147. Бабичев Р.К., Иванов В.Н. Широкополосные микрополосковые направленные ответвители с высокой направленностью. // Аннотации и тезисы докладов XXXII Всесоюзной научной сессии НТО ЮС. Секция волноводных устройств. Москва. 1977. С.34-35.

148. Бабичев Р.К., Иванов В.Н. Широкополосные направленные ответвители на связанных микрополосково-щелевых линиях. // "Электронная техника". Серия 1. "Электроника СВЧ". 1977. № 8. С. 114-115.

149. Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Киселева Г.В., Натхин И.И. Микрополосковые направленные ответвители. // Аннотации и тезисы докладов XXXIII Всесоюзной научной сессии НТОРЭС. Секция волноводных устройств. Москва. 1978. С. 71-72.

150. Бабичев Р.К., Натхин И.И., Киселева Г.В. Широкополосные компланарные направленные ответвители с высокой направлен-

ностью. // "Применение волноводных устройств в технике связи". Материалы выездного заседания секции волноводных устройств НТОРЭС. Москва-Киев. 1980. С.20.

151. Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Тутченко A.A. Широкополосные двухсекционные микрополосковые направленные ответвители. // "Применение волноводных устройств в технике связи". Материалы выездного заседания секции волноводных устройств НТОРЭС. Москва-Киев. 1980. С.21.

152. Натхин И.И., Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Киселева Г.В. Увеличение направленности ответвителей на копланарных волноводах со слабой связью. // "Электронная техника". Серия 1. "Электроника СВЧ". 1981. №4. С. 66-67.

153. Тутченко A.A., Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Натхин И.И. Микрополосковые направленные ответвители со слабой связью и высокой направленностью. // "Электронная техника". Серия 1. "Электроника СВЧ". 1983. № 7. С. 65-66.

154. Натхин И.И., Бабичев Р.К., Иванов В.Н. Перестраиваемый по-лосно-заграждающий фильтр на магнитостатических волнах. // Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции "Проблемы интегральной электроники СВЧ". 1984. Ленинград. С. 131.

155. Натхин И.И., Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Тутченко A.A. Двухок-тавные микрополосковые ответвители с высокой направленностью. //"Электронная техника". Серия 1. "Электроника СВЧ". 1985. №5. С. 19.

156. Натхин И.И., Бабичев Р.К., Иванов В.Н. Увеличение направленности микрополосковых ответвителей со слабой связью. // Сборник "Электродинамика и радиофизическое приборостроение". Днепропетровск. 1985. С. 95-96.

157. Тутченко A.A., Бабичев Р.К., Иванов В.Н. Исследование перестраиваемого полосно-пропускающего фильтра на магнитостати-ческих волнах. // Сборник "Спинволновая электроника СВЧ". Ашхабад. 1985. С. 131-132.

158. Натхин И.И., Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Тутченко A.A. Двухок-тавные микрополосковые ответвители с высокой направленностью. // Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей. Серия "РТ". № 25. 1985.

159. Натхин И.И., Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Тутченко A.A. Исследование перестраиваемого полосно-заграждающего фильтра на магнитостатических волнах". //"Электронная техника". Серия 1. "Электроника СВЧ". 1986. № 9. С. 13-16.

160. Мальцев Ю.Ф., Зайцев С.М., Тутченко A.A., Бабичев Р.К. Температурные исследования структурных параметров пленок иттрие-вого феррограната. // Тезисы Всесоюзной конференции по материаловедению. Донецк. 1987. С.123-124.

161. Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Мальцев Ю.Ф., Рудковский В.Н. Рентгенооптический и экзоэмиссионный контроль состояния поверхностного слоя эпитаксиальных пленок ЖИГ. // Сборник "Спинволновые являения электроники СВЧ". Краснодар. 1987. С. 140-141.

162. Бабичев Р.К., Иванов В.Н., Мальцев Ю.Ф., Рудковский В.Н. Рентгенооптический и экзоэмиссионный контроль состояния поверхностного слоя эпитаксиальных пленок ЖИГ. // Сборник "Спинволновые являения электроники СВЧ". Краснодар. 1987. С. 140-141.

163. Мальцев Ю.Ф., Монастырский J1.M., Бабичев Р.К., Тутченко A.A. Исследование приповерхностного слоя Y3Fe5On методом полно-

го внешнего отражения рентгеновских лучей. // Известия вузов. Физика. 1989. № 12. С. 98-101.

164. Babichev R.K., Zubkov V.I., Ivanov V.N., Natkhin I.I. Excitation of magnetostatic surface waves by coplanar line. // Тезисы докладов VI Школы по спинволновой электронике СВЧ. Саратов. 1993. С. 7-8.

165. Babichev R.K., Zubkov V.I., Ivanov V.N., Revina G.I. Design of permanent magnet structure field for the temperature stabilized magnetostatic wave devices. // Тезисы докладов VI Школы по спинволновой электронике СВЧ. Саратов. 1993. С. 117-118.

166. Collins I.H., Pizzarello F.A. Propogation magnetic waves in thin films. // Int. Journal Elerctronics. 1973. V. 34. № 3. P. 319-351.

167. Castera J.P. Adjustable magnetostatic surface wave directional coupler. // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. 1980. P. 37-39.

168. Bongianni W.L. Magnetostatic propogation in a dielectric layered structure. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. № 6. P. 2541-2548.

169. Вугальтер Г.А., Гусев B.H., Гуревич А.Г., Чивилева О.И. Возбуждение поверхностной магнитостатической волны копланарным преобразователем.// II Всесоюзная школа-семинар " Спинволно-вая электроника СВЧ". Тезисы докладов. Ашхабад. 1985. С. 113114.

170. Archer J., Bongianni W., Collins J. Magnetically tunable microwave bandstop filters using Y1G film resonators.// J. Appl. Phys., 1970. V. 41. №3. P. 1359-1360.

171. Вашковский A.B., Вороненко A.B., Зубков В.И., Кильдишев В.Н. Узкополосная фильтрация сверхвысокочастотного сигнала. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 21. С. 1281-1284.

172. Schaller G. Optimization of microstrip directional couplers with lumped capacitors. // AEU. 1977. Bd. 31. № 7/8. S. 301-307.

173. Herzog H.J. Microstrip couplers with improved directivity. 11 Electronics Letters. 1978. V. 14. № 3. P. 50-51.

174. Podell A. Use these latest techniques to improve your Ghz circuits. // EDN/EEE. 1974. V. 19. № 1. P. 56-60.

175. Spielman B.E. Dissipation loss effects in isolated and coupled transmission lines. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1977. V. MTT-25. № 8. P. 648 -651.

176. Schaller G. Directivity improvement of microstrip Л/4-directional couplers. // AEU. 1972. Bd. 26. № 11. S. 508-509.

177. Herzog H.J. Microstrip couplers with high isolation. // NTG-Fachber., 1977. V. 60. № P. 191-195.

178. Rehnmark S. High directivity CTL-couplers and a new technique for the measurement of CTL-coupler parameters. // IEEE MTT-S International Microwave Symposium. Dig., 1977. New York. P. 495-498.

179. Rehnmark S. High directivity CTL-couplers and a new technique for the measurement of CTL-coupler parameters. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1977. MTT-25. № 12. P. 1161-1174.

180. Houdart M. Coplanar lines; application to broadband microwave integrated circuits. // 6-th Eur. Microwave Conf. Microwave 76. Rome. 1976. P. 49-54.

181. Brenner H.E. Perturbations of the critical parameters of quarterwave directional couplers. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1967. V. MTT-15. №6. P. 384-389.

182. Суворов B.H., Акифьев A.A. Коаксиально-полосковый переход для интегральных схем СВЧ. // "Вопросы радиоэлектроники", серия РТ. 1972. вып. 1.С. 49-51.

183. Podell A. A high directivity microstrip coupler technique./ / G-MTT Int. Microwave Sympos. Newport Beach. Calif. New-York. 1970. P. 33-36.

184. Lange J. Interdigitated stripline quadrature hibrid. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1969. MTT-17. № 12. P.l 150-1154.