Возбуждение монокристаллов, легированных эрбием, в интенсивных оптических и радиационных полях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Криворотова, Виктория Викторовна

  • Криворотова, Виктория Викторовна
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2010, Иркутск
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 105
Криворотова, Виктория Викторовна. Возбуждение монокристаллов, легированных эрбием, в интенсивных оптических и радиационных полях: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Иркутск. 2010. 105 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Криворотова, Виктория Викторовна

Введение

Глава I. Объекты, методы и техника исследований

1.1 Структура перовскита УАЮ3.

1.2 Структура граната У3А15012.

1.3 Структура двойного фторида бария-иттрия ВаУ2Р8 и тетраф-торида лития-иттрия У1лР4.

1.4 Методы исследования кристаллов сложных фторидов и оксидов.

1.4.1 Установка для исследования спектральных характеристик при лазерном и ламповом возбуждении.

1.4.2 Установка для измерения спектральных и кинетических характеристик катодо- и рентгено- и фотолюминесценции

Глава II. Механизмы возбуждения антистоксовой фотолюминесценции Ег в кристаллах Ег:ВаУ2Г

2.1 Фотолюминесценция примесных ионов Ег во фторидных и оксидных кристаллах (обзор литературы).

2.2 Антистоксовая люминесценция ионов Ег в кристаллах сложных фторидов и оксидов.

2.3 Особенности лазерного возбуждения примесных ионов Ег в сложных фторидах и оксидах.

2.4 Двухступенчатый механизм возбуждения антистоксовой люминесценции примесных ионов Ег3+ в оксидных и фторидных кристаллах.

2.5 Выводы.

Глава III. Механизмы возбуждения катодолюминесценции Ег3+ в кристаллах Ег:ВаУ2Г

3.1 Особенности электронного возбуждения катодолюминесценции фторидных и оксидных кристаллов с примесью эрбия (обзор литературы).

3.2 Механизм возбуждения катодолюминесценции кристаллов, легированных примесью эрбия.

3.3 Кинетика катодолюминесценции кристаллов Ег:ВаУ2р8.

3.4 Эффективность взаимодействия свободных электронов и дырок с ионами собственного вещества и примеси Ег.

3.5 Суперлюминесценция кристаллов Ег:ВаУ2Р8 при сильноточном наносекундном электронном возбуждении.

3.6 Выводы.

Глава IV. Механизмы возбуждения широкополосной катодолюминесценции в кристаллах ВаУ2Р

4.1 Особенности возбуждения широкополосной катодолюминесценции в оксидных и фторидных кристаллах (обзор литературы).

4.2 Широкополосная катодолюминесценция во фторидных кристаллах.

4.3 Особенности широкополосной катодолюминесценции в кристаллах ВаУ2Р8.

4.4 Уширение спектров и природа широкополосной катодолюминесценции во фторидных кристаллах.

4.5 Выводы.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Возбуждение монокристаллов, легированных эрбием, в интенсивных оптических и радиационных полях»

Примесные ионы Ег3+ фторидных и оксидных кристаллов являются рабочими центрами лазеров инфракрасного (ИК) диапазона (2,9 мкм). В настоящее время активно разрабатываются малогабаритные твердотельные Ег-2,9 мкм-лазеры с полупроводниковой накачкой [1].

В рамках данного направления необходимость разработки лазеров в диапазоне 2-3 мкм обусловила интенсивные исследования вынужденного излучения кристаллов на основе сложных фторидов и оксидов с высокой концентрацией примеси Ег [2]. При оптической накачке таких сред, наряду с ИК излучением, наблюдаются зеленые и красные линии люминесценции [3, 4]. Значительный интерес в исследованиях представляет, как один из эффективных, кристалл фторида бария-иттрия с редкоземельной примесью эрбия.

К настоящему времени существует большое количество работ по исследованию редкоземельных примесей сложных оксидов [3, 8, 15, 18, 22]. Меньшее число работ посвящено сложным фторидам. Кристаллы ВаУ2Р8 с различным содержанием редкоземельных примесей достаточно подробно исследовались авторами работ [5-10, 59].

Вместе с тем, ряд важнейших вопросов относительно процессов возбуждения антистоксовой люминесценции в рассматриваемых кристаллах остается нерешенным. Так, анализ литературных данных показывает, что возбуждение ионов эрбия происходит по кооперативному механизму (механизму Ферстера, сенсибилизационному процессу) [11-18]. Однако данные исследования нельзя считать завершенными, поскольку отсутствуют в достаточной мере экспериментальные и теоретические доказательства перечисленных механизмов лазерного возбуждения ионов Ег3+.

Остается открытым вопрос о причине высокой эффективности возбуждения ИК и видимого излучения примесных ионов эрбия в сложных фторидах и оксидах при мощном импульсном радиационном воздействии.

Так в работе [20] исследовалась природа рентенолюминесценции редкоземельных примесей в оксидах. Однако механизмы, происходящие в кристаллах при рентгеновском возбуждении, не могут быть раскрыты в полной мере вследствие малой плотности мощности данного типа возбуждения. Поэтому для достоверного выявления процессов возбуждения кристаллов, представляет интерес использование сильноточных наносекундных электронных пучков, когда высокая концентрация наведенных электронно-дырочных пар позволяет, независимо от конкурирующих каналов, выявить механизмы возбуждения всех примесных центров, входящих в кристаллическую структуру. Такие исследования для изучения процессов возбуждения редкоземельных ионов Ег3+ не проводились.

Кроме того, при исследовании оксидов и фторидов авторами работ [21-25] впервые обнаружена широкополосная малоинерционная катодолюминесценция собственного вещества при субнаносекундном сильноточном электронном облучении. В литературе отсутствуют какие-либо данные об исследованиях широкополосной малоинерционной катодолюминесценции в кристаллах фторида бария иттрия.

Таким образом, исследование кристаллов сложных фторидов и оксидов с высокой концентрацией примеси Ег при интенсивном наносекундном электронном возбуждении также актуальны не только в прикладном плане, но и в необходимости выявления механизмов передачи высоких плотностей энергии дефектам легирующей примеси Ег и ионам собственного вещества.

В связи с актуальностью представленных выше проблем была поставлена задача: изучить эффективные процессы передачи энергии дефектам редкоземельной легирующей примеси эрбия и ионам собственного вещества сложных фторидов и оксидов под действием мощных наносекундных электронных пучков, ИК-лазерного излучения и световых некогерентных импульсов, с целью определения механизмов возбуждения катодолюминесценции ионов собственного кристаллического вещества и примесных дефектов эрбия, а также механизмов нелинейного лазерного возбуждения ионов эрбия, ответственных за ИК-люминесценцию с сопутствующим антистоксовым излучением.

Научная новизна работы отражена в следующих положениях, выносимых на защиту:

1. В сложных фторидах и оксидах, легированных примесью Ег3+, при лазерном инфракрасном возбуждении линии излучения на 2,9 мкм происходят по двухступенчатому механизму переходы электронов 47|5/2 —> 4/9/2 —> 2#9/2 и 41\5и —► 4/ц/2 —> 4^7/2, ответственные за возбуждение сопутствующих зеленых и красных линий антистоксовой люминесценции.

2. В кристаллах Ег:ВаУ2Р8, Ег:У3А15012, Ег:УАЮ3, Ег:У1ЛР4 облучаемых мощными электронными пучками, возбуждение линий катодолюминесценции происходит в результате последовательного захвата дырок валентной зоны и электронов зоны проводимости примесными ионами

О | Л I

Ег . При этом аномально высокий выход КЛ Ег в видимом и ИК диапазонах спектра обусловлен эффективным взаимодействием горячих

3+ носителей заряда с примесными дефектами Ег , в окрестности которых имеет место нарушение регулярности кристаллического поля

3. При электронной бомбардировке кристаллов ВаУ2Р8 независящая от примесного состава и температуры широкополосная малоинерционная катодолюминесценция в области 300 — 700 нм обусловлена излучательными переходами электронов в 2р-валентной зоне при ионизации и ударном смещении с регулярных позиций ионов фтора.

Практическая значимость работы.

На основе проведенных исследований разработан кристаллический (Ег:ВаУ2Р8) с лазерной диодной накачкой импульсный суперлюминесцентный ИК излучатель (2,9 мкм) с сопутствующим свечением в зеленой области спектра для контроля и настройки инфракрасных диагностических систем. Полученные результаты используются в разработке эффективных субнаносекундных кристаллических широкополосных электронно-оптических BaY2F8-излучателей и детекторов рентгеновского изображения для систем быстродействующей микродозовой рентгеновской диагностики.

Апробация работы и публикации.

Материалы работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: X Международная школа-семинар по люминесценции и лазерной физике (Иркутск, 2006); XIII Feovilov symposium on spectroscopy of crystals doped by rare earth and transition metal ions (Irkutsk, 2007); XI Международная школа-семинар по люминесценции и лазерной физике (Иркутск, 2008); Межвузовская научно-практическая конференция «Транспортная инфраструктура Сибирского региона» (Иркутск, 2009); Научно-техническая конференция молодых ученых «Люминесцентные процессы в конденсированных средах» (Харьков, 2009). XXIV съезд по спектроскопии (Москва, 2010). Результаты исследований изложены в 10 публикациях и использованы в заявке на изобретение.

Личный вклад соискателя. Интерпретация и формулировка результатов теоретических и экспериментальных исследований и соответствующих защищаемых положений в существенной мере сделаны лично соискателем.

Объем и структура работы.

Диссертация изложена на 105 страницах, включая 77 страниц машинописного текста, иллюстрирована 57 рисунками и 6 таблицами, состоит их введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 126 наименований.

Введение отражает актуальность, новизну и практическую значимость работы и ее основные цели и задачи.

В первой главе представлены характеристики исследуемых объектов. Рассмотрены особенности каждого из рассматриваемых кристаллов. Кроме того, представлены методы исследования и фрагменты техники эксперимента.

Вторая глава посвящена исследованию механизмов возбуждения антистоксовой люминесценции примесных ионов эрбия в сложных фторидных и оксидных кристаллах. Приведены экспериментальные данные, на базе которых определен механизм возбуждения ИК-свечения и сопутствующих линий антистоксовой ФЛ в видимом диапазоне спектра.

В третьей главе представлен обзор литературы по радиационным механизмам возбуждения примесных ионов в кристаллических структурах. Приведены результаты спектрально-кинетических исследований кристаллов сложных фторидов и оксидов с примесью эрбия при возбуждении сильноточными электронными пучками. В результате теоретического и экспериментального анализа сделан вывод о том, что интенсивные линии катодолюминесценции Ег в видимой области спектра кристаллов Ег:ВаУ2Р8 обусловлены свечением редкоземельных ионов Ег3+ в результате последовательного захвата примесными ионами дырок валентной зоны и электронов зоны проводимости. На основании детального исследования электронных структур примесных дефектов и собственного вещества сделан вывод, объясняющий аномально высокий выход катодолюминесценции

Ег+3 в видимом и ИК диапазонах спектра.

В четвертой главе приведен краткий обзор литературы по механизмам возбуждения широкополосной катодолюминесценции в оксидных и фторидных кристаллах при плотном электронном облучении. На основе полученных экспериментальных данных раскрыта природа полосы ШКЛ в области 300 — 700 нм.

В заключении представлены основные научные и практические выводы, полученные в данной работе.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Криворотова, Виктория Викторовна

4.5 Выводы

Установлено, что независящая от примесного состава и температуры широкополосная катодолюминесценция кристаллов Ег:ВаУ2Р8 обусловлена свечением собственного вещества.

В области 460 — 570 нм в кристалле ВаУ2Р8 обнаружено наведенное короткоживущее поглощение со временем жизни 300 не.

Установлено, что в ходе сильноточного наносекундного электронного удара за ШКЛ кристаллов ВаУ2Б8 в области 300 - 700 нм ответственны излучательные переходы в 2р-валентной зоне при ионизации и ударном смещении с регулярных позиций ионов фтора.

Заключение

1. В результате экспериментальных исследований установлено, что в сложных фторидах и оксидах, легированных примесью Ег3+, при лазерном инфракрасном возбуждении линии излучения на 2,9 мкм происходят по двухступенчатому механизму переходы электронов 41\5/2 —» 4/9/2 —» 2НШ и А1\5и —> 4/ц/2 '^7/2, ответственные за возбуждение сопутствующих зеленых и красных линий антистоксовой люминесценции.

2. Установлено, что возбуждение ионов Ег3+ в кристаллах Ег:ВаУ2Р8 при импульсном электронном облучении обусловлено последовательным захватом дырок валентной зоны и электронов зоны проводимости примесными ионами Ег3+ по реакции:

Ег3++ к ->ЕГ4+ + е-> (Ег3+)* Ег3++ куЕ3\

3. Показано, выход катодолюминесценции Ег+3 в оксидных и фторидных кристаллах в видимом и ИК диапазонах спектра на два порядка превышает ожидаемую величину по концентрации примеси Ег+3 (0,05 вес. %).

4. Установлено, что аномально высокий выход катодолюминесценции Ег+3 в видимом и ИК диапазоне спектра при облучении кристаллов Ег:ВаУ2Р8, Ег:УАЮ3, Ег:УзА150]2, Er:УLiF4 обусловлен эффективным взаимодействием горячих носителей заряда с примесными дефектами вследствие нарушения регулярности внутрикристаллического поля в окрестности примесных дефектов Ег+3.

5. Предложена схема излучательных электронных переходов в ионах Ег+3 при наносекундном электронном облучении кристаллов Ег:ВаУ2Р8.

6. Достигнут режим суперкатодолюминесценции Ег3+ линии при 560 нм в кристаллах Ег:ВаУ2Р8.

7. Установлено, что независящая от примесного состава и температуры малоинерционная (г < 5 не) широкополосная (300 — 700 нм) катодолюминесценция кристаллов ВаУ2Г8 обусловлена свечением собственного вещества.

8. В области 460 - 570 нм обнаружено наведенное короткоживущее (300 не) поглощение.

9. Установлено, что ШКЛ кристаллов ВаУ2Р8 в спектральной области 300-700 нм ответственны излучательные переходы в 2/>валентной зоне Б" при ионизации и ударном смещении с регулярных позиций ионов фтора в ходе сильноточного наносекундного электронного удара.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Криворотова, Виктория Викторовна, 2010 год

1. Барышников В.И., Илларионов А.И., Криворотова В.В. Возбуждение34"люминесценции кристаллов с примесью Er // Тезисы X Международной школы—семинара по люминесценции и лазерной физике. — 2006, Иркутск. С. 20-21.

2. Шаскольская М.П. Кристаллография: учебник для втузов. М.: Высшая школа, 1976. 391с.

3. Александров К.С., Безносиков Б.В. Перовскитоподобные кристаллы (иерархия структур, многообразие физических свойств, возможности синтеза новых соединений). Новосибирск: Наука. Сиб.предприятие РАН, 1997. 216с.

4. Каминский A.A. Лазерные кристаллы. М.: Наука, 1975. 256с.

5. Смирнов Ю.М. Кристаллофизика: учеб. пособие. Калинин, гос.университет. Калинин, 1990. 56с.

6. Путилин Ю.М. Синтез минералов. М.: Недра, 1987. 256с.

7. Барышников В.И., Криворотова В.В. Возбуждение фотолюминесценции в оксидных и фторидных кристаллах легированных ионами Er // ФТТ, 2008. Т. 50, №9. С. 1600-1602.

8. Арсеньев П.А. Соединения редкоземельных элементов. Системы с оксидами элементов I-III групп. М.: Наука, 1983. 280с.

9. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 1. Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии. М: Наука, 1979. 384с.

10. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом Б.К. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 2. Структура кристаллов. М: Наука, 1979. 367с.

11. Чернов A.A., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 3. Образование кристаллов. М: Наука, 1980. 411с.

12. Азаматов З.Т. Дефекты в материалах квантовой электроники. Ташкент: Фан, 1991. 260с.

13. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971. 400с.

14. Большаков А.Ф., Дмитриенко А.А. Внутреннее строение кристаллов. Учеб.пособие для студ.химических специальностей университета. Издательство Саратовского университета, 1990. 119с.

15. Овсянкин В.В., Феофилов П.П. Кооперативная сенсибилизация люминесценции в кристаллах, активированных редкоземельными ионами // Письма в ЖТФ, 1966. Т.4. С. 317-318.

16. Андреев А.А. Особенности сверхъяркой фотолюминесценции ионов Ег3+ в псевдоаморфных тонких пленках GaN // ФТТ, 2002. Т. 44, № 2. С. 239-245.

17. Braund A., Girard S., Doualan J.L., Thuau М., Moncorge R., Tkachuk A.M. Energy-transfer processes in Yb:Tm-doped KY3Fi0, LiF4 and BaY2F8 single crystals for laser operation at 1.5 and 2.3 \im // Physical review B, 2000. V. 61, № 8. P. 5280-5292.

18. Сигачев В.Б., Дорошенко M.E., Басиев T.T., Лутц Г.Б., Чаи Б. Сенсибилизация люминесценции ионов Ег3+ и Но ионами Сг4+ в кристалле Y2Si05 // Квантовая электроника, 1995. Т. 22, № 1. С. 33-36.

19. Овсянкин В.В. Опт. и спектр, 1970. Т. 28. С. 206-208.

20. Андронов А.А., Гришин И.А., Гурьев В.А., Ореховский В.В., СавкинО

21. А.П. Увеличение выхода люминесценции ионов Ег на X = 1.54 мкм в стекле ZBLAN с дополнительным легированием Еи3+ и ТЬ3+ при накачке в области X = 0.975 мкм // Письма в ЖТФ, 1998. Т. 24, № 19. С. 81-85.

22. Кравцов Н.В. Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой // Квантовая электроника, 2001. Т. 31, № 8. С. 661-677.

23. Brauch U., Huber G., Karsewsky M., Siewen С., Voss A. Multiwatt diode-pumped Yb:YAG thin disk laser continuously tunable between 1018 and 1053 nm // Optics Letts, 1995. T. 20. C. 713-715.

24. Johnson L.F., Guggenheim H.J. New laser lines in the visible from Er3+ Ions in BaY2F8 // Appl. Phys. Lett, 1972. T. 20. C. 474.

25. Кашкаров П.К., Каменев Б.В., Лисаченко М.Г., Шалыгина О.А., Тимошенко В.Ю., Schmidt М., Heitmann J., Zacharias M. Эффективная люминесценция ионов эрбия в системах кремниевых нанокристаллов // ФТТ, 2004. Т. 46, № 1.С. 105-109.

26. Агранович В.М., Галанин М.Д. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах. М: Наука, 1978.

27. Pomrenke G.S., Klein Р.В., Langer D.W. Rare earth doped semiconductors // Mat. Res. Soc. Syrap. Proc. MRS, Pittsburgh, 1993. V.301.

28. Iga K., Kinoshita S. Progress technology for semiconductors lasers // Springer Ser. In Mater Sci.Springer-Verlag, Berlin,1996. V.30.

29. Pollnau M., Luthy W., Weber H.P., Kramer K., Guder H.U., McFarlane R.A. Excited-state absorption in Er:BaY2F8 and Cs3Er2Br9 and comparison with Er:LiYF4 // Appl. Phys, 1996. В 62. P. 339-344.

30. Pollnau M., Luthy W., Weber H.P., Kramer K., Guder H.U., McFarlane R.A.1. О i

31. Excited-state dynamics in low-photon materials Er :BaY2F8 and Cs3Er2Br9 // Opt. Soc. Am. 1997.

32. Гравер В.Е., Зиран В.Э., Круминыш И .Я. Люминесценция и перенос зарядов в иттрий-алюминиевых гранатах с редкоземельной примесью // Изв. Академии Р1аук СССР, 1974. Т. 38, № 6. С. 1207-1209.

33. Агекян В.Ф., Васильев H.H., Серов А.Ю., Философов Н.Г. Внутрицентровая люминесценция Mrf в CdixMnxTe и CdixyMnxMgyTe при сильном оптическом возбуждении // ФТТ, 2000. Т. 42, № 5. С. 816-820.

34. Андриеш A.M., Енаки H.A., Король В.И., Бардетский П.И., Куляк И.П. Кооперативная генерация когерентных фононов локализованными возбуждениями в стеклах // Физика и техника полупроводников, 2001. Т. 35, №6. С. 678-683.

35. Шенгуров В.Г. Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ // ФТТ, 2004. Т. 46, № 1.С. 102-104.

36. Бартоу С. Люминесценция кристаллов BaSiC^ активированных ионами Ег3+ и УЬ3+ // Межд. конф. «Физика-2005», 2005. № 194. С. 734-738.

37. Барышников В.И., Колесникова Т.А. Перестраиваемый лазер видимого диапазона на основе кристаллов сапфира с центрами окраски // Квантовая электроника, 1996. Т. 23, № 9. С. 779-781.

38. Барышников В.И., Дорохов C.B., Колесникова Т.А. Механизмы ионизации Р2-центров в лазерных средах на основе кристаллов LiF // Оптика и спектроскопия, 2000. Т. 89, № 1. С.70-75.

39. Степихова М.В. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия // Письма в ЖЭТФ, 2005. Т. 81, № 10. С.614-617.

40. Рудницкий Ю.П., Шачкин Л.В., Залевский A.A. О кинетике безызлучательного переноса энергии в фосфатных Yb-Er-стеклах, возбуждаемых диодным лазером // Квантовая электроника, 2002. Т.32, № 3. С. 197-201.

41. Бредихин В.И., Галанин М.Д., Генкин В.Н. Двухфотонное поглощение и спектроскопия // Успехи физических наук, 1973. Т. 110, № 1. 43с.

42. Блохинцев Д.И. Квантовая механика. Лекции по избранным вопросам: Учеб.пособие, 2-е изд. М.: Изд-во МГУ, 1988. 112с.

43. Каплянский A.A. Спектроскопия кристаллов. Наука, 1983. 230с.

44. Барышников В.И., Криворотова В.В., Воропаев Е.В. Возбуждение наносекундными электронными пучками кристаллов, легированных эрбием // Известия ВУЗов. Физика, 2009. Т. 52, № 12/3. С. 53-56.

45. Таращан А.Н. Люминесценция минералов. 1978. 296с.

46. Gout С., Pradal F., Phys J. Chem. Sol., 1968. 29, 4, 581.

47. Барышников В.И., Колесникова Т. А. Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучками // ФТТ, 1998. Т. 40, № 6. С. 1030-1035.

48. Кузнецов А.И., Намозов Б.Р., Мюрк В.В. Релаксированные электронные возбуждения в АЬ03, Y3AI5O12 и УАЮ3 // ФТТ, 1985. Т.27. В.10. С.3030-3036.

49. Лущик Ч.Б., Совик Т.А. Тр. ИФА АН ЭССР, 1966. 34, 68.

50. Михальченко Г.А. Докт. дис. Л., 1970. 430с.

51. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Зинатне, Рига, 1979. 251с.

52. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Радиационная физика. Зинате, Рига, 1973. С.9.

53. Вайсбурд Д.И. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Новосибирск: Наука, 1982. 225с.

54. Батыгов С.Х., Воронько Ю.К., Денкер Б.И., Осико В.В. ФТТ, 1972. Т. 14, №4. С. 977.

55. Кулагин H.A., Дойчилович Я. Структурные и радиационные центры окраски и диэлектрические свойства примесных кристаллов алюмоиттриевого граната // ФТТ, 2007. Т.49, №6. С. 234-241.

56. Липатов Е.И., Тарасенко В.Ф., Орловский В.М., Алексеев С.Б., Рыбка Д.В. Люминесценция кристаллов под действием субнаносекундного электронного пучка // Письма в ЖТФ, 2005. Т.31, №6. С. 29-33.

57. Расулева A.B., Соломонов В.И. Идентификация полос люминесценции иона Nd3+ в алюминатах иттрия У3А15012 и УАЮ3 // ФТТ, 2005. Т.47, №8. С.1432-1434.

58. Барышников В.И. Физическая электроника импульсных систем диагностики. Иркутск, 2008. 200с.

59. Ивлиев C.B., Ляпидевский В.К., Рязанов М.И. О характерных временах термализации электронов в диэлектрических средах // ЖТФ, 1997. Т. 67, № 6. С. 41-45.

60. Барышников В.И., Колесникова Т. А., Квапил И. Возбуждение люминесценции примесных ионов широкозонных кристаллов мощными электронными пучками и оптическими вспышками // ФТТ, 1994. Т.36, №9. С. 2788-2791.

61. Дмитриев В.Г. Нелинейная оптика и обращение волнового фронта. М.: Физмалит, 2003. 256с.

62. Писаренко В.Ф. Скандобораты редких земель // Соросовский образовательный журнал, 1996. №11. С. 111-116.

63. Комаров А.К., Комаров К.П. Самосинхронизация мод в YAG:Nd3+^a3epe // Квантовая электроника, 2003. Т. 33, №2. С. 163-164.

64. Босый О.Н, Ефимов О.М. Закономерности и механизм эффекта накопления в условиях многофотонной генерации центров окраски // Квантовая электроника, 1996. Т. 23, №8. С. 729—736.

65. Cornacchia F., Parisi D., Bernardini С., Toncelli A., Tonelli M. Efficient, diode-pumpedTm3f:BaY2F8 vibrotronic laser// J. Opt. Soc. Am., 2004. B. 9.

66. Карлов H.B., Прохоров A.M. Лазерное разделение изотопов // Успехи физических наук, 1976. Т. 118, № 4. С. 583-608.

67. Танеев P.A., Ганиханов Ф.Ш., Камалов Ш.Р., Редкоречев В.И., Усманов Т.Б. Высокоэффективные предусилители пикосекундных импульсов на неодимовом стекле // Квантовая электроника, 1996. Т.23, №12. С. 1065-1068.

68. Cornacchia F., Sani Е., Toncelli F., Tonelli M., Maraño M. Optical spectroscopy and diode-pumped laser characteristics of codoped Tm-Ho: YLF and Tm-Ho: BaYF: a comparative analysis // App. Phys., 2002. № 75. P. 817-822.1. Л I

69. Baryshnikov V.I., Krivorotova V.V. Excitation of Er luminescence in oxide and fluoride crystals // XIII Feovilov symposium on spectroscopy of crystals doped by rare earth and transition metal ions. — 2007, Irkutsk. P. 9.

70. Трофимова Т.И. Курс физики: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш.шк, 2002. 542с.

71. Ильинский Ю.А., Келдыш JT.B. Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом. М.: Из-во МГУ, 1989. 300с.

72. Давыдов А.С. Теория твердого тела. Учеб. пособие. Наука, 1976. 637с.

73. Барышников В.И., Криворотова В.В. Импульсная катодолюминесценция кристаллов с примесью Ег // Тезисы XI Межд. школа-семинар по люминесценции и лазерной физике. — 2008, Иркутск. С. 18—19.

74. Казянкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. Неорганические люминофоры. Л.: Химия, 1975. 192с.

75. Клингер М. И. Автолокализованные состояния электронов и дырок. Успехи физических наук, 1985. Т. 146, № 1. С. 105-142.

76. Mario E.G.Valerio, Viviane G. Ribeiro, Ana C.S. de Mello. Structural and optical properties of Nd- and Tb-doped BaY2F8 // J. Optical Materials, 2007. №30. P. 184-187.

77. Kaczmarek S.M., Leniec G., Typek J., Boulon G., Bensalah A. Optical and EPR properties of BaY2F8 single crystals doped with Yb // The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter, 2008.

78. Apollonov V.V., Pushkar' A.A., Uvarova T.V., Chernov S.P. Absorption of Dy3+ and Nd3+ ions in BaR2F8 single crystals // XIII Feovilov symposium on spectroscopy of crystals doped by rare earth and transition metal ions. 2007, Irkutsk. № 9.

79. Эмсли Дж. Элементы. M.: Мир, 1993. 256с.

80. Amaral J.B., Couto Dos Santos M.A., Valerio M.E.G., Jackson R.A. Computer modeling of BaY2F8: defect structure, rare earth doping and optical behaviour// J. Appl. Phys, 2005. B. 81. P. 841-846.

81. Звелто О. Физика лазеров. М.: Мир, 1979. 373с.

82. Муссаева М.А., Гафаров А.А., Ибрагимов Э.М. Релаксация оптических возбуждений в кристаллах системы У2Оз А1203 с радиационными дефектами // Письма в ЖТФ, 2003. Т. 29, № 5. С. 78-86.

83. Magnani N., Amoretti G., Barakli A., Capelle R. Crystal-field andIsuperposition model analysis of R :BaY2F8 (R=Er, Dy, Nd) // Eur. Phys. J., 2002.1. B. 29. P. 79-84.

84. Намозов Б.Р., Фоминич М.Э., Мюрк B.B., Захарченя Р.И. Структура люминесценции автолокализованного экситона в кристаллах а-А120з // ФТТ, 1998. Т. 40, №5. С. 910-912.

85. Адуев Б.П., Швайко В.Н. Проводимость ионных кристаллов при облучении пикосекундными пучками электронов // ФТТ, 1999. Т. 41, № 7.1. C. 1200-1203.

86. Огородников И.Н., Пустоваров В.А., Кирм М., Кружалов А.В., Исаенко Л.И. Электронные возбуждения в кристаллах LiB305 с дефектами // ФТТ, 2001. Т. 43, № 8. С. 1396-1404.

87. Мясникова А.С., Раджабов Е.А., Егранов А.В. Примесная люминесценция кристаллов BaF2:R3+ (R3+=La3+, Y3+, Yb3+) // ФТТ, 2008. T. 50, №9. С. 1582-1584.

88. Baraldi A, Capelletti R., Mazzera M., Ponzoni A., Amoretti G., Magnani N. Role of Er3+ concentration in high-resolution spectra of BaY2F8 single crystals // The American Physical Society, 2005.

89. Зоренко Ю.В., Волошиновский А.С., Стриганюк Г.М., Констанкевич И.В. Ультрафиолетовая люминесценция монокристаллов имонокристаллических пленок YAIO3 // Опт. и спектр., 2007. Т. 96, № 1. С. 78-85.

90. Зоренко Ю.В., Констанкевич И.В., Михайлин В.В., Колобанов В.Н, Спасский Д.А. Люминесценция экситонов в монокристаллических соединениях гранатов // Опт. и спектр., 2007. Т. 96, № 3. С.436-443.

91. Зоренко Ю.В., Волошиновский А.С., Стриганюк Г.М., Горбенко В.И. Люминесценция экситонов в монокристаллах и монокристаллических пленках YAIO3 // Опт. и спектр., 2005. Т. 98, № 4. С. 606-609.

92. Агладзе Н.И. Форма спектральных линий в гранатах (Y1.xErx)3Al5Oi2 Н Кристаллография, 1988. Т. 33, № 4. с. 912-919.

93. Мурин И.В., Петров А.В., Тупицын И.И., Эварестов Р.А. Электронная структура кристаллов фторида и хлорида свинца (II) // ФТТ, 1998. Т. 40, № 2. С. 235-236.

94. Palatella L., Di Lieto A., Minguzzi P., Toncelli A., Tonelli M. Er3+ doped crystals: frequency analysis of nonlinear energy transfer // J. Opt. Soc. Am, 2001. №18. P. 1711-1717.

95. Родный П.А., Ходюк И.В., Стрыганюк Г.Б. Энергетическое положение редкоземельных ионов в BaF2 и CdF2 // ФТТ, 2008. Т. 50, № 9. С. 1578-1581.

96. Барышников В.И., Щепина Л.И., Колесникова Т.А., Мартынович Е.Ф. Широкополосное малоинерционное свечение оксидных монокристаллов, возбуждаемое мощными пучками электронов // ФТТ, 1990. Т. 32, № 6. С. 1888.

97. Baryshnikov V.I., Kolesnikova Т.А., Schepina L.I. Wide-band catodolu-minescence of oxidic single crystals // Digest Int. Conf. on Luminescence (ICL'93). USA, Storrs, 1993. P.Tu4-109.

98. Baryshnikov V.I., Kolesnikova T.A., Dorohov S.V. Excitation wide band Luminescence in oxide crystls by powerful picosecond electron beams // Digest 8 Int. Conf. on Radiation Effect in Insulators (REI-8). Italy, Catania, 1995. P.P.-2.5.

99. Штанько В.Ф., Чинков Е.П. Структура спектров короткоживущего поглощения и свечения фторидов бария и кальция при импульсном облучении электронами // Письма в ЖТФ, 1997. Т. 23, № 21. С. 45-49.

100. Штанько В.Ф., Чинков Е.П. Спектроскопия с временным разрешением автолокализованных экситонов во фторидах щелочно-земельных металлов при импульсном облучении электронами // ФТТ, 1998. Т.40, № 7. С. 1228-1234.

101. Baryshnikov V.l., Kvapil J., Sarukura N., Segava Y. Especialities of Ti3+ excitation in YAIO3 crystals // Journal of luminescence, 1997. P. 72-74.

102. Pollack S.A., Chang D.B. Upconversion-pumped population kinetics for 4Ii3/2 and 41ц/2 laser states of Er3+ ion in several host crystals // Optical and Quantum Electronics, 1990. № 22. P. 75-93.

103. Барышников В.И., Колесникова T.A. Фемтосекундные механизмы электронного возбуждения кристаллических материалов // ФТТ, 2005. Т. 47, № 10. С. 1776-1780.

104. Aleksanyan Е.М. VUV Luminescence of Er3+ ions in LiYF4 and BaY2F8 crystals // Journal of Contemporary Physics, 2009. Vol. 44, № 2. P. 75-79.

105. Арбузов В.И. Основы радиационного оптического материаловедения. Учеб.пособ. СПб: СПбГУИТМО, 2008. 284с.

106. Барышников В.И., Колесникова Т.А., Дорохов C.B. Взаимодействие мощного рентгеновского излучения с кристаллами сапфира и материалами на основе кварца// ФТТ, 1997. Т.39, №2. С.286-289.

107. Барышников В.И. Высокоэнергетическое возбуждение фемтосекундной люминесценции кристаллов // В сб.тр. VI Всерос. школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления». 2001, Иркутск.

108. Агекян В.Ф. Васильев H.H., Серов А.Ю. Быстрое насыщение24*люминесценции Зd-oбoлoчки ионов Мп в разбавленном магнитном полупроводнике Cd!xMnxTe с высокой концентрацией марганца // ФТТ, 1999. Т. 41, № 1. С. 49-53.

109. Еремейкин O.H., Савикин А.П., Нургалеев И.Ф., Самборский A.C., Антипов O.JI. Поглощение из возбужденного состояния в кристалле NdrYAG при диодной накачке // Труды Научн.конф. по радиофизике, ННГУ. 2001.

110. Теруков Е.И. Влияние локального окружения на кинетику спада фотолюминесценции Er в аморфном гидрогенизированном кремнии// Физика и техника полупроводников, 2000. Т. 34, № 1. С. 90-92.

111. Барышников В.И., Колесникова Т.А., Мартынович Е.Ф., Щепина Л.И. О собственной катодолюминесценции фторида лития // Журнал прикладной спектроскопии, 1987. Т. 47, В. 2. С. 301-303.

112. Головин A.B., Захаров Н.Г., Родный П.А. Механизм коротковолновой люминесценции фторида бария / // Оптика и спектроскопия, 1988. Т. 65, Вып. 1. С.176-180.

113. Барышников В.И., Колесникова Т.А. Механизмы фемтосекундной передачи энергии при интенсивном возбуждении кристаллов // Оптика и спектроскопия, 2003. Т. 95, № 4. С. 638-642.

114. Кузнецов А.Ю., Соболев А.Б., Вараксин А.Н., Andriessen J., C.W.E. van Eijk. Расчеты из первых принципов электронной и пространственной структуры системы BaixLaxF2+x в модели суперячейки // ФТТ, 2003. Т. 45, №5. С. 797-802.

115. Вейко В.П., Либенсон М.К., Червяков Г.Г., Яковлев Е.Б. Взаимодействие лазерного излучения с веществом. Силовая оптика. М.: ФИЗМАЛИТ, 2008. 312с.

116. Парфианович И.А., Саломатов В.Н. Люминесценция кристаллов: Учеб.пособие. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1988. 248с.

117. Барышников В.И., Криворотова В.В. Широкополосная катодолюминесценция кристаллов Er:BaY2F8 // Тезисы научно-технической конференции молодых ученых «Люминесцентные процессы в конденсированных средах». — 2009, Харьков, Украина. Р.18.

118. Барышников В.И., Криворотова В.В. Широкополосное малоинерционное излучение кристаллов BaY2F8 в полях импульсной радиации // Письма в ЖТФ. 2009. - в печати.

119. Барышников В.И., В.В. Криворотова, Воропаев Е.В. Малоинерционное излучение сложных фторидов в интенсивных радиационных полях // Тезисы XXIV съезда по спектроскопии. 2010. Москва. С. 147.

120. Hayashi T. Ohata T., Hayashi Т., Koshino Sh. Edge luminescence of KJ and RbJ under UV excitation // J.Phys. Soc. Japan, 1977. vol. 43, N.l. p. 347-348.

121. Барышников В.И., Илларионов А.И., Криворотова В.В. Способ тестирования инфракрасных болометрических систем. Заявка на патент на изобретение РФ № 2009148838 от 28.12.2009 г.

122. Посыпайко В.И., Алексеева Е.А., Васина H.A. Диаграммы плавкости солевых систем. 4.1. Двойные системы с общим анионом от AgBr — CsBr до In2(W04)3 Rb2W04]. Справочник, 1977. 416с.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.