Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Кутевой, Сергей Александрович

• Кутевой, Сергей Александрович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Кутевой, Сергей Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

Введение

Глава 1. Редкоземельные бораты со структурой хантита

1.1. Хантитовая структура

1.2. Лантаноидные бораты с хантитовой структурой

1.3. Скандиевые бораты

1.4. Лантан-скандиевый борат в качестве матрицы для редкоземельных активаторов

Глава 2. Особенности выращивания монокристаллов

лантан-скандиевого бората по методу Чохральского

2.1. Физико-химические особенности выращивания лантан-скандиевого бората

2.2. Технологические особенности выращивания лантан-скандиевого бората

2.3. Оптические характеристики ЬБВ

2.4. Структурные особенности лантан-скандиевого бората

Глава 3. Выращивание и лазерные свойства

монокристаллов ШгЬЭВ и Ш,Сг:Г8В

3.1. Лантан-скандиевый борат с неодимом

3.2. Выращивание монокристаллов Ыё:Ь8В и Ш,Сг:Ь8В

3.3. Лазерные свойства Ш:Ь8В

3.4. Генерационные свойстваКс1,Сг:Ь8В

Глава 4. Монокристаллы для 1.56 мкм лазеров

4.1. Лазеры на стекле с Ег и УЪ

4.2. Лантан-скандиевый борат с ионами иттербия, эрбия и хрома

4.3. Спектры поглощения и люминесценции

4.4. Лазерные свойства

Глава 5. Выращивание и лазерные свойства

монокристаллов Pr:LSB и PSB

5.1. Лазеры на 0.65 мкм

5.2. Особенности выращивания монокристаллов Pr:LSB и PSB

5.3. Спектры поглощения и люминесценции Pr:LSB и PSB

Заключение

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами»

ВВЕДЕНИЕ

К существенным особенностям современной техники самого разного назначения относится высокая надежность и миниатюрность исполнения технических устройств. Миниатюризация приборов и устройств традиционно связывается с использованием микроэлектроники. Однако сейчас размеры и вес электронных блоков стали уже столь малыми по сравнению с другими компонентами, например механическими и оптическими, что на первый план выходит именно проблема уменьшения последних.

Одним из путей миниатюризации приборов и устройств лазерной техники является использование в качестве активных элементов полифункциональных ацентрических кристаллов, среди которых выделяются кристаллы редкоземельных ортоборатов со структурой хантита ЬпХ3(ВОз)4 (X = А1, ва), обладающие комплексом ценных свойств. Высокая химическая и механическая стойкость, самое большое содержание рабочих ионов Ш3+ без заметного концентрационного тушения люминесценции и самый большой коэффициент усиления среди известных лазерных кристаллов, эффективная передача энергии Сг3+ —» Ш3+ и возможность получения перестраиваемой генерации на электронно-колебательном переходе ионов Сг3+ в сочетании с возможностью одновременного удвоения частоты генерации и управления характеристиками излучения благодаря нелинейным, пьезоэлектрическим и электрооптическим свойствам, присущим данной структуре, делают хантитовые кристаллы одними из наиболее перспективными для создания малогабаритных полифункциональных лазеров.

Однако редкоземельные бораты алюминия и галлия имеют существенные недостатки: инконгруэнтный характер плавления, низкую скорость роста и малые размеры монокристаллов при выращивании по раствор-расплавному методу, невысокое оптическое качества из-за включений субстанций растворителя, которые сдерживают их промышленное применение.

Другой способ решения проблемы миниатюризации приборов и устройств

состоит в использовании миниатюрных источников излучения на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой.

Современные лазерные диоды, используемые для накачки, имеют спектральную ширину ~1 нм, мощность ~ 1-10 Вт и ресурс работы ~104 часов. Применение полупроводниковых лазеров в качестве источников накачки обеспечивает существенное увеличение КПД твердотельных лазеров. Однако из-за высокой дифракционной расходимости излучения основные преимущества диодной накачки могут быть эффективно реализованы в лазерах с малой (~1мм) длиной активного элемента. В этом случае для поглощения более 95% излучения накачки в активном элементе концентрация неодима должна быть не менее 4-1020 см"3.

Повышение эффективности твердотельных лазеров с диодной накачкой может быть достигнуто за счет оптимизации резонатора, осветительных систем и источника накачки. Решение же проблемы в целом невозможно без создания новых активных сред, обладающих эффективным поглощением в спектральном диапазоне источника диодной накачки. Высокие коэффициенты поглощения могут быть достигнуты как кардинальным увеличением концентраций актива-торных ионов (при условии слабого концентрационного тушения люминесценции), так и применением эффекта сенсибилизации люминесценции. В этой связи разработка высококонцентрированных активных сред для лазеров с полупроводниковой накачкой является актуальной задачей.

Объектами исследований являлись монокристаллы лантан-скандиевого бората Ьа8с3(ВОз)4 (ЬБВ), допированные ионами N<1, Сг, Ег, УЪ и Рг. Критерий выбора был основан на их научной и практической значимости, обусловленной активными свойствами, и возможностью расширения элементной базы для компактных лазеров, излучающих в диапазонах 1.06,1.56 мкм.

В тексте для высококонцентрированных лазерных кристаллов типа ШхЬаь х8с3(ВОз)4, Ьа(УЪх8с1_х)з(В03)4 и т.д., в которых активаторный или сенсибили-заторный ионы являются элементами кристаллической решетки применяется

общепринятое обозначение Ш:Ь8В, УЬ:Ь8В и т.д. В тех случаях, когда для исследуемых соединений приводятся численные значения концентраций активатора (сенсибилизатора), следует иметь в виду, что концентрации указаны по содержанию этих компонентов в расплаве, из которого выращивался кристалл.

Экспериментальные исследования выращенных кристаллов включали в себя измерения оптических, спектрально-люминесцентных и рентгенографических характеристик, а также генерационные испытания в лазерах с ламповой и диодной накачками. Монокристаллы выращивались из расплава по методу Чохральского.

Часть диссертационной работы выполнена в рамках научно-исследовательского проекта Международного Научно-Технического Центра (МНТЦ) № 251-96 «Разработка новой среды на основе редкоземельных скан-доборатов для создания лазерных источников, излучающих в диапазонах 0.53, 1.06, 1.5 мкм».

Цель работы состояла в предложении и обосновании оптимальной кристаллической матрицы для лазеров с диодной накачкой, выращивании лазерных кристаллов на ее основе и доказательстве целесообразности их использования в качестве элементной базы.

Отправная идея заключалась в выборе в качестве кристаллической матрицы лантан-скандиевого бората. Крупные ионы лантана и скандия наиболее предпочтительны для октаэдрических позиций редкоземельных элементов в боратах с хантитовой структурой. Кроме того, они способствуют высокотемпературной стабилизации кристаллической структуры при формировании соответствующего ей состава расплава, а частичное замещение ионов лантана ионами неодима или празеодима мало искажает ее кристаллическую структуру Ь8В.

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи:

- изучить физико-химические особенности выращивания кристаллов Ь8В из расплава по методу Чохральского;

- вырастить лазерные кристаллы высокого оптического качества;

- исследовать их структурные, спектрально-люминесцентные и тепловые свойства;

- провести генерационные испытания выращенных кристаллов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1) создана новая кристаллическая матрица для компактных лазеров - лантан-скандиевый борат;

2) впервые исследованы фазовые соотношения в системах La203-Sc203-В203 в окрестности соединения LaSc3(B03)4 и Nd203-Sc203-B203 в окрестности соединения NdSc3(B03)4; подтвержден инконгруэнтный характер плавления лантан-скандиевого бората при температуре 1495 °С и неодим-скандиевого бората при температуре 1480 °С;

3) построена диаграмма состояния системы РгВ03 - ScB03 в области температур 1300-1600 °С и установлен инконгруэнтный характер плавления соединения PrSc3(B03)4 при температуре 1480 °С;

4) определены допустимые концентрации компонентов расплава для выращивания совершенных кристаллов LSB, Nd:LSB, Nd,Cr:LSB, Yb:LSB, Er,Yb:LSB, Er,Yb,Cr:LSB, Pr:LSB, PSB;

5) на основании проведенных измерений спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик кристаллов Nd:LSB, Nd,Cr:LSB, Er,Yb,Cr:LSB, а также измерений спектрально-люминесцентных характеристик кристаллов Pr:LSB, PSB, Er,Yb:LSB установлена их перспективность в качестве активных сред для компактных лазеров;

6) впервые выполнено рентгеноструктурное исследование монокристаллических образцов PrxLai.xSc3(B03)4; установлено существование непрерывного ряда твердых растворов в интервале концентраций 0 < X < 0.5; показано, что в окрестности концентраций 0.5 < X < 0.9 происходит изменение пространственной группы симметрии соединения (С2/с при X < 0.5 и С2 при X > 0.9).

Научно-практическое значение работы.

1. Разработана технология выращивания совершенных лазерных кристаллов Ш:Ь8В с концентрацией активатора от 10 до 30 % зХ. по позиции лантана по методу Чохральского на установке «Кристалл-3». Данная технология применяется в НПО «Фирн» для выращивания кристаллов ШгЬБВ, которые используются рядом российских и зарубежных фирм при производстве компактных лазеров с диодной накачкой.

2. Разработанная автором новая активная кристаллическая среда для 1.56 мкм лазеров с диодной накачкой Ег,УЪ:Ь8В может быть использована при создании безопасных для зрения компактных лазерных дальномеров, что подтверждается результатами испытаний, проведенных в Институте лазерной физики при Гамбургском университете.

3. Выращенные кристаллы Рго.озЬа0.978сз(ВОз)4 могут быть использованы при проведении исследовательских работ по созданию лазеров с диодной накачкой, излучающих в окрестности 0.65 мкм и пассивных затворов для 1.56 мкм лазеров.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Способ высокотемпературной стабилизации кристаллической структуры лантан-скандиевого бората путем формирования адекватного ей состава расплава.

2. Экспериментально найденные области составов расплавов для выращивания оптически однородных лазерных монокристаллов Ш:Ь8В, Ш,Сг:Ь8В, Ег,УЬ:Ь8В, Ег,УЬ,Сг:Ь8В и Рг:Ь8В.

3. Технология и условия выращивания совершенных лазерных монокристаллов Ш:Ь8В, Ш,Сг:Ь8В (N(1 - 10-30 % гЛ в позиции лантана, Сг - 0.31.5 % а1 в позиции скандия), Ег,УЬ:Ь8В, Ег,УЪ,Сг:Ь8В (Ег - 0.3-1.0 % аХ, УЪ -10 % аХ и Сг - 0.3-1.5 % Ы в позиции скандия) и Рг:Ь8В (Рг - 3-20 % гА и 90100 % аХ в позиции лантана).

4. Выбор оптимальных концентраций активаторов в лазерных кристаллах Ы&ЬБВ, Ш,Сг:Ь8В, Ег,УЪ:Ь8В, Ег,УЬ,Сг:Ь8В и Рг:Ь8В на основе анализа их рентгеноструктурных, спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик.

5. Новые кристаллы Ш:Ь8В (N<1 - 10, 17, 25, 30 % а^, Ш,Сг:Ь8В (Ш -17 % аг; Сг - 0.3, 0.7 % а^, Ег,УЬ:Ь8В (Ег - 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0 % УЬ -10 % а0 и Ег,УЪ,Сг:Ь8В (Ег - 0.3, 0.5, 0.7, 1.0 % а!; УЬ - 10 % аг; Сг - 0.3, 0.7 % результаты генерационных испытаний этих кристаллов и выводы, сделанные на основе результатов испытаний: разработанные активные среды перспективны для лазеров с диодной накачкой, излучающих в окрестности 1.06, 1.56 мкм.

По теме диссертации опубликовано 13 работ и получено одно авторское свидетельство.

Диссертация состоит из пяти глав, заключения и списка цитированной литературы. Общий объем диссертации 112 страниц, в том числе 12 таблиц, 21 рисунок и библиографический список из 83 наименований.

Первая глава носит краткий обзорный характер. В ней дана общая характеристика редкоземельных хантитовых боратов, обсуждаются особенности их структуры, физические характеристики и особенности выращивания редкоземельных боратов алюминия и галлия; обоснован выбор лантан-скандиевого бората в качестве матрицы для лазерных кристаллов, ориентированных на применение в лазерах с диодной накачкой.

Во второй главе описаны физико-химические и технологические особенности выращивания монокристаллов лантан-скандиевого бората по методу Чох-ральского, приведены результаты исследования фазовых соотношений в системе Ьа20з-8с20з-В20з в окрестности соединения Ьа8с3(В03)4, определены допустимые концентрации компонентов расплава для выращивания совершенных кристаллов Ь8В, изложена технология выращивания лантан-скандиевого бората высокого оптического качества и показано, что лантан-скандиевый борат

может быть использован не только в качестве лазерной матрицы, но и в качестве оптического материала для поляризационных призм и волновых пластинок.

Третья глава посвящена проблемам выращивания монокристаллов Ш:Ь8В, N(1, СпЬБВ и исследованиям их лазерных свойств. Особое внимание уделено задаче выращивания монокристаллов высокого оптического качества. С этой целью исследованы фазовые соотношения в системе Ыс^Оз-БсгОз-ВгОз в окрестности соединения Ш8с3(В0з)4 и зависимость оптической однородности кристаллов ИсЬЬЗВ от концентрации неодима. Представлены результаты измерения спектрально-люминесцентных характеристик кристаллов Ш:Ь8В, N(1, СпЬБВ и результаты их генерационных испытаний в лазерах с ламповой (N(1, Сг:Ь8В) и диодной (Ш:Ь8В) накачками. Приведены результаты сравнения генерационных характеристик исследуемых монокристаллов и монокристаллов Ш.-УАв, N(1 :УУ04.

В четвертой главе изложены технологические особенности выращивания новых кристаллов Ег,УЬ:Ь8В, Ег,УЬ,Сг:Ь8В для лазеров, излучающих в окрестности 1.56 мкм, и приведены результаты измерения спектрально-люминесцентных характеристик этих кристаллов. Определена максимально допустимая концентрация иттербия для выращивания кристаллов высокого оптического качества. Представлены результаты генерационных испытаний кристаллов Ег,УЬ:Ь8В (Ег - 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0 % аг- УЬ - 10 %-аг) в лазерах с торцевой диодной накачкой и результаты генерационных испытаний кристаллов • Ег,УЬСг:Ь8В (Ег - 0.3, 0.5, 0.7, 1.0 % зА; УЬ - 10 % а1; Сг - 0.3, 0.7 % аг) в лазерах с ламповой накачкой.

В пятой главе приведены технологические особенности выращивания монокристаллов Рг:Ь8В, Р8В и представлены результаты исследования их спектрально-люминесцентных свойств от концентрации празеодима. Доказано, что монокристалл Р8В является ацентричным и обладает нелинейными оптическими свойствами. Обсуждается возможность использования монокристаллов Рго.озЬао.97$с3(В03)4 для создания лазеров с диодной накачкой, излучающих в

окрестности 0.65 мкм и пассивных затворов для 1.56 мкм лазеров.

Инициатором и активным участников многих основополагающих работ, на которых базируется диссертация, был мой друг и коллега В.В. Лаптев. Светлая память об этом замечательном человеке и первоклассном специалисте останется навсегда в моей памяти. Эта диссертация служит доказательством того, что его идеи продолжают жить и развиваться, а сам он продолжает быть с нами.

Автор выражает глубокую благодарность профессору В.И. Чижикову за общее руководство при работе над диссертацией, обсуждения различных вопросов и моральную поддержку. Эта работа вряд ли была завершена, если бы мне не помогали мои товарищи и коллеги: О.В. Кузьмин, В.Л. Панютин, А.Ю. Агеев, В.В. Ефименко, В. М. Иванов, О. Г. Плашкарев, A.A. Мартынов, С. Ю. Мацнев, А. Ю. Олейник, Н. Н. Симонова, С. Ю. Смалиус, Н.К. Троценко, А.Г. Тюлюпа, В.Л. Хаит. Всем им я приношу искреннюю признательность. Наконец, я благодарен моей жене Н. П. Ивониной за понимание необходимости завершения работы и проявленное терпение в процессе ее выполнения.

1. РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ БОРАТЫ СО СТУКТУРОЙ ХАНТИТА

1.1. Хантитовая структура

В природе встречается большое количество боратов. К ним относятся соли ортоборной Н3В03, метаборной НВ02 и полиборных п-Н3В03 - ш-Н20 кислот. В противоположность к прочим боратам ортобораты представлены в основном безводными и труднорастворимыми соединениями.

Диагональное расположение бора и кремния в периодической системе элементов предполагает структурную аналогию. Так, например, известны материалы боратных соединений, родственные по структуре с оливином, цеолитом и тридимитом. Структурное разнообразие боратов значительно больше чем у кремния. Наряду с тетраэдрически координированными кислородом катионами имеются тригональные планарно упорядоченные комплексы, а также анионы бора, содержащие две структурные единицы в любом соотношении. В последние десятилетия исследуют соединения бора неорганической природы, "плавающие" в водной матрице и похожие скорее на органические молекулы [1]. Сюда же относят наблюдаемые в полиморфных вариантах Са2В204 [2] от чисто тригонально координированного бора до чисто тетраэдрических комплексов.

Применяемые как в кремниевой систематике описание островных, цепочных и слоистых боратов требует деления материалов на классы, содержащие или тригональные, или тетраэдрические комплексы [3]. В работе [3] разработана номенклатура для боратных структур с сохранением кристаллохимических связей, с помощью которой можно описывать все названные классы. Фундаментальными структурными единицами типа I (пространственная группа симметрии R32) и II (С2/с) являются изолированные боратные треугольники. Слоистый структурный тип III (тип слюды) содержит тетраэдры, с помощью которых строят двухразмерные бесконечные структурные единицы, т.е. слои.

Для трижды координированных борных комплексов имеется аналогия с нитратами и карбонатами. Структурные типы I и II можно вывести из структу-

ры хантита CaMg3(C03)4 . Хантит - это промежуточное соединение ряда СаС03 - MgC03 (кальцит - магнезит). Чисто ортоборатные члены этого ряда кристаллизуются соответственно в структуры кальцита, арагонита и ватерита [4, 5]. Все эти структуры показывают стремление к самой плотной упаковке. Формальное выведение тригональной структуры СаС03 из решетки поваренной соли хорошо известно. То же относится к боратам хантитового типа. Если рассматривать основные точки боратных треугольников, то слои образуют параллельно к гексагональной плоскости следы почти кубической упаковки. Отклонение от идеального ромбоэдрического угла, равного 90°, для куба по оси третьего порядка составляет около 15°. Октаэдрические пустоты смешанных редкоземельных боратов (RX3(B03)4, R - редкоземельный элемент и X - А1, Ga, Сг и Fe) заняты на 1/4 редкоземельными катионами и на 3/4 катионами X. В результате особой геометрии боратных групп октаэдрическая пустота R вырождается в искаженную тригонально-призматическую кислородную координацию, тогда как другие пустоты обеспечивают чисто октаэдрическое кислородное окружение меньших катионов X. В ромбоэдрической структуре элементарная ячейка хантита (arh ~ 103°), в противоположность элементарным ячейкам кальцита и доломита (arh ~ 46°), соответствует морфологически расщепленному ромбоэдру этих материалов. Поэтому плоскости хантитового расщепления ромбоэдра индексируются как {100} rh.

Ватерит, как вариант группировки кальцита, показывает стабильные слой-ные единицы параллельно с карбонатными группами [6], что означает перпендикулярность к гексагональной оси с. У хантитовых боратов все же появляются стабильные слои, параллельные к ромбоэдрической плоскости.

Тетраэдрические слоистые бораты имеют другое строение. Их боратные тетраэдры образуют слои из шести колец, которые как и у слюды, обращены друг к другу своими вершинами. Между ними находятся пустоты, заполненные катионами X. Упаковки подобного рода Т-Х-Т связаны междуслойными катионами R. В зависимости от размеров катионов R и X появляются различные

по силе искажения.

Все хантитовые бораты показывают тригональную призматическую кислородную координацию редкоземельных ионов. Шестикратная координация для крупных редкоземельных катионов наблюдается крайне редко. Чаще редкоземельная координация варьируется в зависимости от радиуса ионов.

Основополагающие физические свойства хантитовых боратов описаны многими авторами. Все кристаллы плавятся инконгруэнтно и распадаются на ЯВОз, ХВ03 и В203 [7]. Поэтому кристаллы нельзя выращивать непосредственно из расплава. Более крупные кристаллы выращивают обычно раствор-расплавным методом [8].

Хантитовые бораты обладают высокой твердостью (7-8 по Мосу) и нерастворимы в таких растворителях как КОН, НС1 и Н>Ю3 [9]. Экспериментальные значения плотности хорошо согласуются с их определением по рентгеновским данным.

Кристаллы соединения ЮС3(ВОз)4 в большинстве случаев вытянуты вдоль призматической оси {001 }Ьех. Они в основном проявляют комбинации, которые соответствуют голоэдрии тригональной системы. Часто обнаруживают кристаллы, у которых наряду с призмой развиты две из шести ромбоэдрических плоскостей. При опытах на спайность получаются куски с неподдающимися распознанию плоскостями.

В тонких шлифах у хантитовых боратов четко выражена спайность, параллельная к ромбоэдрическим плоскостям. Она появляется, очевидно, в результате механического напряжения во время процесса шлифования. Кристаллы обладают высоким двулучепреломлением 0.06) при показателях преломления от 1.71 до 1.86. Некоторые осевые картины показывают все же оптическую двуосность с варьирующимся осевым углом до ~ 20°. У некоторых кристаллов на разрезах перпендикулярно сьех не появляются затемнения и оптическая активность наблюдается не всегда.

Под микроскопом очень быстро можно распознать слюдяные фазы по их

иризирующему глянцу. Наблюдают также очень тонкие кристаллические пластинки с гексагональными контурами и хорошо развитыми плоскостями (001). Имеется хорошая спайность параллельно (001). Слюдяные фазы имеют высокие показатели преломления, относительно высокое двулучепреломление, двуосность не наблюдается и они оптически положительные.

У хантитовых боратов не наблюдали двойникования выращиваемых кристаллов, хотя морфология и оптика кристаллов не препятствуют существованию двойников.

1.2. Лантаноидные бораты с хантитовой структурой

Лантаноиды не только химически, но и спектроскопически очень схожи вследствие особой конфигурации электронов; у них с возрастанием заряда ядра заполняется 4^оболочка. Электронная конфигурация положительных ионов Ьп3+ может быть записана как [Хе^!*1, где п = 1 ... 14 для Се ... Ьи. В видимом и инфракрасном спектральных диапазонах могут происходить переходы между состояниями |4£>. Однако из-за одинаковой четности начального и конечного состояний зануляются матричные элементы для электрических дипольных переходов

(1.1)

Разрешенные электрические дипольные переходы 4f - 5с1 расположены в ультрафиолетовом диапазоне спектра. Вероятность разрешенных по четности магнитных и электрических квадрупольных переходов на пять-шесть порядков меньше, чем вероятность электрических дипольных переходов. В видимом и инфракрасном диапазонах вероятности перехода в невозмущенных ионах Ьп3+ очень малы.

Оператор Гамильтона Н для свободного атома или иона определяется выражением

Н = Hq + нс + н.

(1.2)

где Н0 - сумма операторов кинетической энергии и потенциальной энергии взаимодействия электронов с ядром, Нс - оператор кулоновского и обменного взаимодействий электронов между собой, Hso - оператор спин-орбитального взаимодействия. В атомной системе единиц они имеют вид:

п

Н0 = I (-Vi2/2 - Z/rO, (1.3)

i=l

n

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Кутевой, Сергей Александрович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сформулируем основные результаты и выводы.

1. Предложена новая кристаллическая матрица - лантан-скандиевый борат для создания высококонцентрированных лазерных сред. Установлен инконгру-энтный характер плавления соединения Ьа8с3(В03)4 при температуре 1495 °С и найдено, что различие в составах расплава и кристалла составляет 6 мольных процентов. Выявленные особенности допускают в принципе выращивание кристаллов Ьа8с3(В03)4 по методу Чохральского при введении в расплав избытка ЬаВ03. Проведенные исследования условий высокотемпературной стабилизации кристаллической структуры позволили разработать технологию выращивания совершенных монокристаллов Ьа8с3(В03)4 по методу Чохральского. Близость в октаэдрическом окружении эффективных ионных радиусов Ьа, N(1, Рг и Бс, Сг, Ег, УЬ способствует введению лазерных ионов в предложенную матрицу без заметного искажения ее кристаллической структуры и ухудшения оптического качества.

2. Изучены фазовые соотношения в системах Ьа203-8С203-В203 и Ш203-8с2Оз-В2Оз путем построения линий моновариантного равновесия в области концентраций: 0 < Ьа203 < 0.3, 0.2 < 8с203 < 0.65, 0.1 < В203 < 0.8 и 0 < Ш203 < 0.3, 0.2 < 8с203 < 0.65, 0.1 < В203 < 0.8, установлен инконгруэнтный характер плавления неодим-скандиевого бората при температуре 1480 °С и определены области концентраций расплава устойчивого роста монокристаллов Мё:Ь8В (N(1 - 10, 17, 25, 30 % 2А), Ш,Сг:Ь8В (N(1-17 % ъИ\ Сг - 0.3, 0.7 % аг) высокого оптического качества. При концентрациях неодима до 15 % соотношение (Ьа, Ш):8с следует поддерживать 1:3; при более высоких концентрациях N<1 это соотношение необходимо увеличивать до 1.2:2.8 (N(1 - 50 % а1:). Добавка ионов хрома в расплав до 2 % аХ не требует изменения указанного оптимального соотношения компонент в расплаве.

Анализ собственных результатов измерения спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик Ш:Ь8В, Ш,Сг.Ь8В, а также результатов, полученных в других лабораториях, позволяет утверждать, что:

- в маломощных лазерах с ламповой накачкой активная среда Ш,Сг:Ь8В по КПД преобразования, пороговому значению энергии накачки, качеству лазерного пучка превосходит такие известные среды, как Ш:УАО, N(1, Сг:УБвв;

- в маломощных лазерах с торцевой диодной накачкой (до 1 Вт) активная среда Ш:Ь8В по тем же параметрам не уступает таким средам, как Ш:УАО, N<1 :УУ04, а достигнутый дифференциальный КПД преобразования (64 %) близок к предельному (76 %).

3. На основе кристаллической матрицы Ь8В предложена новая активная среда для 1.56 мкм лазеров. Определена максимально возможная для данной матрицы концентрация сенсибилизирующих ионов иттербия и хрома (соответственно 10 % а! и 1 % гЛ по позиции скандия). Выращены монокристаллы УЬ:Ь8В, Ег,УЬ:Ь8В, Ег,УЬ,Сг:Ь8В высокого оптического качества и проведены измерения их спектрально-люминесцентных характеристик. Эти данные, наряду с результатами генерационных испытаний, позволили определить оптимальную концентрацию активаторного иона эрбия (0.5 ± 0.1 % аХ по позиции скандия) в кристалле Ег,УЪ:Ь8В, ориентированном на применение в лазерах с торцевой диодной накачкой. Результаты генерационных испытаний подтвердили высокую эффективность нового лазерного материала и возможность достижения в указанных лазерах мощности излучения 200-300 мВт, а в перспективе и 1 Вт. Полученное значение мощности стимулированного излучения на длине волны 1.56 мкм составляло 160 мВт, дифференциальный КПД зависел от концентрации эрбия и изменялся в интервале 6-10 %.

4. Впервые выращены монокристаллы РгхЬа1.х8сз(ВОз)4 (X = 0.03, 0.06, 0.20, 0.90, 1.0), проведены измерения их рентгеноструктурных характеристик и исследования спектрально-люминесцентных свойств. На основании полученных данных установлено существование непрерывного ряда твердых растворов во всей области концентраций и показано, что в окрестности концентрации X = 0.9 происходит изменение пространственной группы симметрии соединения

С2/с при X < 0.9 и С2 при X > 0.9). Из спектрально-люминесцентных свойств следует возможность применения Рго.озЬао.97$Сз(ВОз)4 в качестве активной среды для лазерных конверторов, излучающих в окрестности 0.65 мкм. В связи с возможностью варьировать в широких пределах концентрацию активатора в РпЬБВ следует ожидать возрастания практической значимости этого нового кристалла в качестве активной среды для твердотельных лазеров с накачкой излучением от «голубых» диодов (0.47 мкм), интенсивно разрабатываемых в настоящее время.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кутевой, Сергей Александрович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. H. Behm. // Acta Cryct. 1983. V. C39. PP. 20-22.

2. M. Marezio, J.P. Remeika, P.D. Dernier. // Acta Cryct. 1969. V. B25. PP. 965-970.

3. H. Strunz. Mineralogishe Tabellen. S. Auflage, Leipzig: Akad. Verlagsgesellschaft, 1977.

4. E.M. Levin, R.S. Roth, J.B. Martin. // Amer. Mineral. 1961. V. 46. PP. 1030-1055.

5. J.Y. Henry. // Mat. Res. Bull. 1976. V. 11. 577-584.

6. H.J. Meyer. // Z. Krist. 1969. V. 128. PP. 183-212.

7. С. Ф. Ахметов, Г.Л. Ахметова, В. С. Коваленко, H.H. Леонюк, A.B. Пашкова. Термическое разложение редкоземельных алюмоборатов // Кристаллография. 1978. Т. 23. С. 198-199.

8. H. D. Hattendorf, G. Huber, F. Lutz. CW Laser Action in Nd(Al, Cr)3(B03)4 // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. PP. 284-290.

9. A.A. Ballman. A New Series of Synthetic Borates Isostructural with Carbonate Mineral Huntite // Amer. Mineral. 1962. V. 47. PP. 1380-1383.

10. A.A. Ballman. Yttrium and Rare Earth Borates. US patent 3057677.9.10.1962.

11. G. Blasse, A. Bril. Cristal Structure and Flourescence of Some Lanthanide Gallium Borates // J. Inorgan. Nucl. Chem. 1967. V. 29. PP. 266-267.

12. L.I. Al'shinskaya, N.I. Leonyuk, T.I. Timchenko. High-Temperature Cristallization, Composition, Structure and Certain Properties of REGallium Borate Cristals // Kristal und Technik. 1979. V. 8. PP. 897-903.

13. Л.И. Леонюк, Т.Н. Тимченко, Л.И. Алынинская, A.B. Пашкова, Н.В. Белов. Высокотемпературная кристаллизация, композиция и морфология монокристаллов ангидридных боратов

// XI Совещание ИМА, Новосибирск, 1978. С. 310-316.

14. И. Р. Магунов, С.В. Воеводская, А.П. Жирнова, Е.А. Жихарева, Н.П. Ефрушина. Синтез и свойства редкоземельных скандиевых двойных боратов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.

1985. Т. 21. С. 1532-1534.

15. N.I. Leonyuk, L.I. Leonyuk. Growth and Characterization of RM3(B03)4 Cristals // Prog. Cristal Growth and Charact. 1995. V. 31. PP. 179-278.

16. N.I. Leonyuk. Recent Developments in Growth of RM3(B03)4 Cristals for Science and Modern Application // Prog. Cristal Growth and Charact. 1995. V. 31. PP. 279-312.

17. И. С. Рез. Полифункциональные ацентричные лазерные кристаллы // Квантовая электроника. 1986. Т. 13. № 10. С. 2071-2079.

18. G. Huber. Miniature neodimium lasers // Current topies in material science. V. 4. Amsterdam: North-Holland. 1980. PP. 1-45.

19. X.X. Бартч. Структурные исследования смешанных редкоземельных боратов вида RX3(B03)4 и RAl2(B4Oio)00.5

// Диссертация Гамбургского университета, 1984.

20. Z. Luo, A. Jiang, Y. Huang, М. Qiu. Laser performance of large neodimium aluminium borate (NdAl3(B03)4) critals // Chines Phys. Lett.

1986. V.3.№ 12. PP. 541-544.

21. E.B. Жариков, B.B. Лаптев, А.А. Майер, B.B. Осико. Конкуренция катионов в октаэдрических положениях галлиевых гранатов

// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т. 20. №6. С. 984-990.

22. I.N. Chakraborty, H.L. Rutz, D.F. Day. Glass Formation, propeties and structure of У203-А1203-В203 glasses // J. Non-Crist. Solids. 1986. V. 84. № 1-3. PP. 86-92.

23. Н.И. Леонюк, Л. И. Мальцева, И.И. Плюснина. Исследование однородности состава расплава и их строения при кристаллизации

боратов в многокомпонентных системах // Сб. тр. X Всесоюз. совещ. по экспериментальной и технической минералогии и петрографии. Киев. 1981. С. 221.

24. В.В. Лаптев. Повышение термической устойчивости редкоземельных ортоборатов со структурой хантита // Тез. докл. VII Всесоюз. конф. по росту кристаллов. М. 1988. Т. 3. С. 261-262.

25. Иванов В. М., Кутовой С. А., Лаптев В. В., Мацнев С. Ю. Лазерный нелинейный материал // Авторское свидетельство № 1651718. Приоритет от 21 июля 1988 года. Бюллетень «Открытия, изобретения». № 19. 1991.

26. Ефименко В. В., Ивонина Н. П., Кутовой С. А., Лаптев В. В., Мацнев С. Ю., Симонова Н. Н. Синтез и исследование монокристаллов редкоземельных скандоборатов со структурой хантита // VII Всесоюзная конференция по росту кристаллов. Расширенные тезисы. М.: ВИНИТИ,

1988. Т. 3. С. 250-251.

27. Кутовой С. А., Лаптев В. В., Лебедев В. А., Мацнев С. Ю., Писаренко В. Ф., Чуев Ю. М. Спектроскопические и генерационные свойства кристаллов LaSc3(B03)4:Cr, Nd -новой высокоэффективной лазерной среды // IX Феофиловский симпозиум по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов. Тезисы докладов. Ленинград: 1990. С. 90.

28. Кутовой С. А., Лаптев В. В., Мацнев С. Ю. Скандоборат лантана - новая активная среда для высокоэффективных неодимовых лазеров // Сборник материалов Всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров». М.: 1990. С. 11-12.

29. Кутовой С. А., Лаптев В. В., Лебедев В. А., Мацнев С. Ю.,

Писаренко В. Ф., Чуев Ю. М. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства новых лазерных материалов -скандоборатов лантана с неодимом и хромом // Журнал прикладной спектроскопии. 1990. Т. 53. С. 370-374.

30. Кутовой С. А., Лаптев В. В., Мацнев С. Ю. Скандоборат лантана - новая высокоэффективная активная среда твердотельных лазеров // Квантовая электроника. 1991. Т. 18. №2. С. 149-150.

31. Ивонина Н. П., Кутовой С. А., Лаптев В. В., Симонова Н. Н. Синтез и исследования монокристаллов редкоземельных скандоборатов // Известия Академии Наук СССР, серия неорганические материалы. 1991. Т. 27. № 1. С. 64-67.

32. J. Р. Меуп, Т. Jensen, G. Huber. Spectroscopic Properties and Efficient Diode-Pumped Laser Operation of Neodymium-Doped Lanthanum Scandium Borate // IEEE J. Quntum Electron. 1994.

V. 30. №4. PP. 913-917.

33. Ю. M. Чуев. Исследование спектрально-люминесцентных свойств и симметрии редкоземельных скандоборатов, допированных неодимом и хромом: Дис... канд. физ.-мат. наук. Краснодар, КубГУ, 1995.

34. V. A. Lebedev, V. F. Pisarenko, Y. М. Chuev, V. V. Zhorin,

A. A. Perfilin, A. V. Shestakov. Synthesis and study of non-linear laser crystals CeSc3(B03)4 //OSA Optics and Photonic Series. 1996. V. 1. PP. 460-465.

35. A. I. Zagumennyi, V. A. Mikhailov, and I. A. Scherbakov. Crystals for End -Diode-Pumped Lasers // Laser Physics. 1996. V.6. PP. 582-588.

36. G. Huber. Solid-State Laser Materials. In «Laser Sources and Applications». 1996. PP. 141-162.

37. Ageev A. Yu., Balabaev S. I., Kuzmin О. V., Kutovoi S. A. Lamp

pumping 1,5 mm generation on new active medium-LaSc3(B03)4 : Cr, Yb, Er // CLEO/EUROPE'96, Hamburg, 1996, Paper CTuL3.

38. Горюнов А. В., Кузьмичева Г. M., Мухин Б. В., Жариков Е. В., Агеев А. Ю., Кутовой С. А., Кузьмин О. В. Рентгенографическое исследование кристаллов LaSc3(B03)4, активированных ионами хрома и неодима //

Журнал неорганической химии. 1996. Т. 41. № 10. С 1605-1611.

39. Рыбаков В. Б., Кузьмичева Г. М., Жариков Е. В., Агеев А. Ю., Кутовой С. А., Кузьмин О. В. Кристаллическая структура NdSc3(B03)4 // Журнал неорганической химии. 1997.

Т. 42. № ю. С. 1594-1601.

40. Kuzmicheva G., Rybakov V., Kuzmin О., Kutovoi S., Panyutin V.

The compounds and solid-solutions of huntite family: growth,

th

structure, properties // The 12 Int. Conf. on Crystal Growth. July 1998, Israel.

41. Kuzmin О. V., Kutovoi S. A., Panyutin V. L., Durmanov S. Т., Rudnitsky Yu. P., Smirnov G. V. Spectroscopic and laser properties of the LaSc3(B03)4 - crystals. Тезисы докладов IX Международной конференции Оптика лазеров'98,

22 - 26 июня 1998 г., С-Петербург, Россия.

42. O.V. Kuzmin, S.A. Kutovoi, Е.К. Nesynov, V.L. Panyutin, A.A. Perfilin, V.L. Khait. Pr:LaSc3(B03)4 - a new active medium for lasers radiating in the vicinity of 0.647 |im. CLEO/Europe'98, Glasgow, 1998, Paper CW44.

43. Кузьмичева Г. M., Рыбаков В. Б., Кутовой С. А., Кузьмин О. В. Морфотропный ряд скандоборатов редкоземельных элементов семейства хантита // Журнал неорганической

химии. 1999. Т. 44. (в печати).

44. Diening A., Heumann Е., Huber G. and Kuzmin О. "High power diode-pumped Yb, Er : LSB laser at 1.56 цт". CLEO/USA'98, 4-9 May 1998, Sun Francisco, USA.

45. Тюлюпа А.Г. Диаграмма состояния систем LaB03-ScB03, NdB03-ScB03 // Сборник материалов Всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров». М.: 1990. С. 13.

46. S.T. Lai, В.Н.Т. Chai, М. Long, M.D. Shinn, J.A. Caird, J.E. Marion, P.R. Staver. ScB03:Cr Laser // OSA Tunable Solid State Lasers. 1986. June 4-6. PP. 145-150.

47. B. Chai, K. Petermann, G. Huber. The growth of Nd doped LaSc3(B03)4 single crystals for diode pumped microchip lasers // CLEO/USA'97, Baltimore, 1997, Paper CTuG3.

48. Жариков E.B. Редкоземельные скандиевые гранаты:

Вопросы материаловедения // Оптически плотные активные среды. М.: Наука, 1990-(Тр. ИОФАН; Т.26, С.50-78).

49. А.А.Каминский, Б.М.Антипенко. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров. М.: Наука, 1989. 270 с.

50. Акустические кристаллы. Справочник. М.: Наука, 1982. 632 С.

51. CASIX. Precision Optical Components, Optical Materials & Coatings, Crystal & Laser Optics. 1995. Fuzhou, Fujian 350014, P. O. Box 1103, China.

52. Yasuko Terada. A Study of the Growth, Structure and Optical Properties of a Series of Rare Earth Orthovanadate Single Crystals.// Докторская диссертация Tohoku University, 1998. P.P. 1-162.

53. Поляризационные призмы. Обзор. Минск-Тура. 1989. 135 С.

54. Дорожкин JI.M., Куратев И.И., Житнюк В.А., Шестаков А.В., Шигорин В.Д., Шипуло Т.П. Нелинейные оптические свойства кристаллов неодим-иттрий-алюминиевого бората //

Квантовая электроника. 983. Т. 10. С. 1497-1499. 55.1. Schutz, I. Freitag and R. Wallenstein. Miniature Self-Frequency-Doubling CW Nd:YAB Laser // Optics Communication. 1990. V. 77. № 2,3. PP.221-225.

56. Hamid Hemmati. Diode-Pumped Self-Frequency-Doubled Neodymium Yttrium Aluminum Borate (NYAB) Laser // IEEE J. of QE. 1992. V. 28. №4. PP. 1169-1171.

57. X. B. Hu, S. S. Jiang, X. R. Huang, W.J. Liu, C.Z. Ge, J.Y. Wang, H.F. Pan, J.H. Jiang, Z.G. Wang. The growth defected in self-frequency-doubling laser crystal NdxYi.x A13(B03)4 // Journal of Crystal Growth. 1997. V. 173. PP. 460-466.

58. Б.В. Миль, A.M. Ткачук, Г.И. Ершова, Д.И. Миронов, A.A. Никитичев. Выращивание и спектроскопические свойства кристаллов Ln2Ca3B40i2-Nd (Ln = Y, La, Gd) // Оптика и спектроскопия. 1996.

Т. 81. №2. С. 226-229.

59. Б.В. Миль, A.M. Ткачук, E.JI. Белоконева, Г.И. Ершова, Д.И. Миронов, И.К. Разумова. Выращивание, структура и интенсивности спектров кристаллов Ln2Ca3B40i2-Nd(Ln = Y, La, Gd) // Оптика и спектроскопия. 1998. Т. 84. №1. С. 74-81.

60. В. Beier, J-P. Meyn, R. Knappe, К.-J.Boiler, G. Huber, R. Wallenstein. «A 180 mW Nd:LaSc3(B03)4 Single-Frequency TEM00 Microchip Laser Pumped by an Injection-Locked Diode-Laser Array». Appl. Phys. 1994. v В 58. pp. 381-388.

61. Meyn J.-P. and Huber G. «Intracavity frequency doubling of continuous-wave, -diode-laser-pumped neodymium lanthanum scandium borate laser». Optics Letters. 1994. v 19, N 18, pp. 1436-1438.

62. V.G. Ostroumov, F. Heine, S. Klick, G. Huber, V.A. Mikhailov, I.A. Shcherbakov. «Intracavity frequency-doubling diode-pumped Nd:LaSc3(B03)4 laser». Appl. Phys. 1997. v В 64. pp. 301-305.

63. D. A. Zubenko, M. A. Noginov, V. A. Smirnov, I. A. Shcherbakov. Upconversion kinetics in hopping and other energy transfer regimes. Advanced Solid-State Lasers 27-29 January 1997, Orlando, Florida, Paper TuC13-l, PP. 204- 206.

64. A. M. Прохоров. О работах института общей физики РАН //Вестник РАН. 1997. Т. 67. № 11. С. 970-997.

65. Данилов A.A., Зубенко Д.А., Калитин С.П., Насельский С.П., Ногинов М.А., Остроумов В.Г., Привис Ю.С., Рустамов И.Р., Саидов З.С., Семенков С.Г., Смирнов В. А., Щербаков И. А. Спектрально-люминесцентные свойства редкоземельных гранатов с хромом: Вопросы материаловедения // Оптически плотные активные среды. М.: Наука, 1990-(Тр. ИОФАН; Т.26, С.5-49).

66. Алпатьев А.Н., Данилов A.A., Дьконов Г.И., Михайлов В.А., Никольский М.Ю., Остроумов В.Г., Пак С.К., Смирнов В.А., Умысков А.Ф., Цветков В.Б., Щербаков И.А. Лазеры на основе редкоземельных скандиевых гранатов с хромом: Вопросы материаловедения // Оптически плотные активные среды. М.: Наука, 1990-(Тр. ИОФАН; Т.26, С.125-160).

67. Лазерные фосфатные стекла / Под ред. Жаботинского М.Е. М.: Наука, 1980. 352 С.

68. Алексеев Н. Е., Аникиев Ю. Г., Гапонцев В. П. и др. // Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. М.: ВИНИТИ, 1978. Т. 18.

69. И. М. Батяев, Е. Б. Клещинов. «Безызлучательный перенос энергии возбуждения в титан-иттербий-эрбиевом стекле».// Оптика и спектроскопия. 1997. Т. 83. № 5. С. 767-770.

70. Denker В. I., Nikolskii М. Yu., Sverchkov S.E. Concentrated Yb-Er Glass for Microchip Lasers». Advanced Solid-State Lasers 27-29 January 1997, Orlando, Florida, Paper WC4-1, PP. 257-258.

71. P. Laporta, S. Taccheo, S. Longhi, O. Svelto and G.Sacchi. «Diode-pumped microchip Er-Yb:glass laser». Optics Letters. 1993. V. 18. PP. 1232-1234.

72. R. D. Stultz, D. S. Sumida and H. Bruesselbach. «Diode-pumped, Passively Q-Switched, 10 Hz Eyesafe Er:Yb:Glass Laser». Advanced Solid-State Lasers January 31 - February 2, 1996, San Francisco, California, Paper PD16, PP. 7-9.

73. S. J. Hamlin, J. D. Myers, M. J. Myers. «High repetition rate Q-Switched Erbium glass Lasers». SPIE. 1991. V. 1419. PP. 100-106.

74. Phillipe Thony, Engin Molva. «1.55 цт-wavelength CW microchip lasers». Advanced Solid-State Lasers January 31 - February 2, 1996, San Francisco, California, Paper ThE4-l, PP. 256-258.

75. B. Simondi-Teisseire, B. Viana and D. Vivien. «Near Infrared Er3+ Laser in Melilite Type Crystals». Advanced Solid-State Lasers 27-29 January 1997, Orlando, Florida, Paper WG4-1, PP. 375-377.

76. B. Simondi-Teisseire, B. Viana, A. M. Lejus, D. Vivien, C. Borel, R. Templier and C. Wyon. «Spectroscopic Properties and Laser Oscillation of Yb/Er:Ca2Al2Si07 in the 1.6 цт eye-safe range». Advanced Solid-State Lasers January 31 - February 2, 1996, San Francisco, California, Paper WC3-1, PP. 24-26.

77. R. D. Shannon. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides // Acta crystallogr. A. 1976. V. 32. PP. 751-757.

78. G. Wang, H. G. Gallagher, T. P. J. Han and B. Henderson., The Cristal Growth and Optical Characterisation of Cr-doped Borates of the Type RX3(B03)4 (R = Y, Gd; X = Al, Sc) // ICCG XI. 1995. Hague, Netherlands.

79. А.А.Каминский, С.Н.Багаев, Л.Ли, Ф.А.Кузнецов, А.А. Павлюк. Новые кристаллические лазеры одномикронного диапазона длин волн // Квантовая электроника. 1996. Т.23. № 1. С.3-4.

80. Б .И. Галаган, Б. И. Денкер, Л. Н. Дмитрук, В.В. Моцартов, В. В. Осико, С. Е. Сверчков. Стекла для празеодимовых лазерных усилителей сенсибилизированных неодимом и иттербием. // Квантовая электроника. 1996. Т.23. № 2. С.103-108.

81. Б. И. Галаган, Б. И. Денкер, В. В. Моцартов, В. В. Осико, С. Е. Сверчков. Сенсибилизированные эрбием стекла для празеодимовых лазерных волоконных усилителей на X = 1.3 мкм // Квантовая электроника. 1996. Т.23. № 2. С.109-111.

82. Т. Sandrock, Н. Scheife, Е. Heumann, and G. Huber. High-power continuous-wave upconversion fiber laser at room temperature // Optics letters. 1997. V.22.№ ll.PP 808-810.

83. А. А. Каминский, А. И. Ляшенко, H. П. Исаев, В. H. Карлов, В. Л. Павлович, С. Н. Багаев, А. В. Буташин, Л. Е. Ли. Квазинепрерывный РпЫУТ^-лазер с X = 0.6395 мкм и средней выходной мощностью 2.3 Вт. // Квантовая электроника. 1998. Т.25. № 3. С.195-196.