Закономерности процессов распыления кремния и германия при различных углах падения фокусированного ионного пучка галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Смирнова Мария Александровна

• Смирнова Мария Александровна
• кандидат наук
• 2025

Оглавление диссертации кандидат наук Смирнова Мария Александровна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. ВВЕДЕНИЕ

1.2. Взаимодействие ускоренных ионов с поверхностью твердого тела

1.3. Изменение морфологии поверхности при ионном облучении. Волнообразный рельеф

1.4. Особенности распыления ФИП

1.5. Выводы по главе и постановка цели

ГЛАВА 2. МЕТОД ФОКУСИРОВАННОГО ИОННОГО ПУЧКА И МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1. ВВЕДЕНИЕ

2.2. Формирование экспериментальных кратеров распыления методом ФИП

2.3. Исследование морфологии тестовых структур и методика определение зависимости 7(0)

2.3.1. Методика определение зависимости 7(0)

2.3.2. Исследование структуры и состава приповерхностных слоев, модифицированных в результате ионной бомбардировки

2.4. Моделирование распыления поверхности и Ое при ионной бомбардировке

2.5. Выводы по главе

ГЛАВА 3. РАСПЫЛЕНИЕ КРЕМНИЯ ФИП Оа+

3.1. Введение

3.2. Зависимость коэффициента распыления от угла падения ионов Оа+

3.3. Состав приповерхностного слоя

3.4. Топография поверхности облученного ФИП Ga+ с энергией 30 кэВ

3.5. Волнообразный рельеф

3.6. Террасированный рельеф

3.7. Основные характеристики рельефа поверхности сформированного бомбардировкой ионами Оа+

3.8.1. Форма периодической структуры

3.8.2. Зависимость длины волны рельефа от времени облучения

3.8.3. Скорость распространения волнообразного рельефа

3.8.4. Механизмы зарождения рельефа на поверхности при облучении ионами Оа+

3.9. Выводы по главе

ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ ТЕРРАСИРОВАННОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ФИП Оа+

4.1. ВВЕДЕНИЕ

4.2. Нелокальное уравнение эрозии поверхности. Регуляризация и обезразмеривание

1

4.3. Террасированный рельеф в рамках нелокальной модели эрозии поверхности

4.4. Выводы по главе

ГЛАВА 5. РАСПЫЛЕНИЕ ГЕРМАНИЯ ФИП Оа+

5.1. ВВЕДЕНИЕ

5.2. Топография поверхности германия, облученного ионами галлия при различных

флуенсах и углах падения ионного пучка

5.2.1. Изменение топографии поверхности с ростом флуенса

5.2.2. Формирование рельефа поверхности в зависимости от угла падения ионного пучка

5.2.3. Обсуждение особенностей формирования рельефа на поверхности Ое при изменении

параметров облучения ФИП Оа+

5.3. Послойное распределение имплантированного Оа в приповерхностном слое Ое

5.4. Угловая зависимость коэффициента распыления Ое ФИП Оа+

5.5. Оптические свойства поверхности германия, облученной ионами галлия

5.6. Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

БЛАГОДАРНОСТИ

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности процессов распыления кремния и германия при различных углах падения фокусированного ионного пучка галлия»

Актуальность

Распыление поверхности фокусированными ионными пучками (ФИП), ранее использовавшееся при подготовке образцов для просвечивающей электронной микроскопии и анализа отказов интегральных микросхем, в настоящее время широко применяется для формирования наноструктур на поверхности полупроводников [1, 2]. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой исследуется достаточно давно, к настоящему времени получен большой объем экспериментальных и теоретических результатов. Однако выяснилось, что бомбардировка образцов фокусированными пучками (диаметром от 10 нм) при высоких флуенсах существенно влияет на развитие рельефа поверхности образцов, а также на образование слоя осажденного распыляемого материала на дне и стенках кратера травления, содержащего как материал образца, так и имплантированные ионы первичного пучка [3]. Коэффициент распыления таких слоев может существенно отличаться от коэффициента распыления материала из-за различия энергий связи материала и имплантированного галлия. Поэтому распыление осажденного слоя будет во многом определяться как концентрацией Ga, так и его химическим состоянием: в виде отдельных преципитатов из атомарно чистого галлия или в виде химических соединений с материалом мишени. Как правило, формирование наноструктур с высоким отношением высоты к линейным плоскостным размерам с помощью ФИП требует предварительного моделирования процесса [4], для которого необходимы точные данные о значениях коэффициентов распыления и составе приповерхностного слоя при различных углах падения первичного ионного пучка. Последнее связано с тем, что углы падения ионного пучка на стенки отличаются от 0° при нормальном падении ионов на гладкую поверхность образца, а на дне структуры может формироваться рельеф поверхности, как при нормальном, так и наклонном падении ионного пучка.

К началу выполнения работ по теме диссертации имелось незначительное количество работ, посвященных угловым зависимостям распыления кремния и германия -полупроводникам, широко использующихся в микроэлектронике, оптоэлектронике и др., которые включали бы:

— экспериментальные зависимости коэффициентов распыления;

— профили распределения имплантированных ионов;

— качественную картину динамики развития топографии поверхности в зависимости от угла падения фокусированного ионного пучка галлия.

Результаты по распылению Si фокусированным ионным пучком Ga наиболее полно представлены в [5], однако в работе не сообщаются детали проведения экспериментов (плотность тока, флуенсы, методика измерения коэффициентов распыления). В то же время необходимость учета экспериментальных условий распыления ФИП показана в [6]. Экспериментальных данных по составу поверхности при различных углах падения ионного пучка практически нет. Тем не менее, состав приповерхностного слоя может существенно влиять на поведение угловой зависимости коэффициента распыления из-за возможного изменения энергии связи атомов на поверхности. Как отмечалось в [7], понимание механизмов образования волнообразного рельефа (ВР) на поверхности при ионной бомбардировке требует информации о составе приповерхностного слоя при различных углах падения первичных ионов. К началу выполнения настоящей работы такие данные отсутствовали. Несколько работ по распылению германия ФИП галлия были посвящены исследованию формирования пористой структуры приповерхностного слоя при нормальном падении ионов [8], волнообразных структур (рипплов) при углах падения пучка 60-70° [9] и распределению имплантированных ионов галлия [10] при нормальном падении. Данные об угловой зависимости коэффициента распыления германия ФИП галлия отсутствовали. Таким образом, тема диссертационной работы, посвященная исследованию угловых зависимостей распыления кремния и германия ФИП галлия, представляется актуальной.

Цель и задачи диссертационного исследования

Цель диссертационной работы заключалась в исследовании особенностей угловых зависимостей распыления полупроводниковых материалов Si и Ge при облучении фокусированным пучком ионов Ga+.

Поставленная цель достигается путем последовательного решения ряда научно-технических задач:

— экспериментальное определение зависимостей коэффициентов распыления Si и Ge при облучении ФИП Ga+ от флуенса и угла падения ионного пучка;

— определение состава и структуры приповерхностного слоя образцов, подвергнутых ионной бомбардировке;

— комплексное исследование морфологии поверхности, формируемой при ионной бомбардировке под различными углами падения пучка;

— выявление особенностей и закономерностей формирования рельефа на поверхности образцов методом ионной бомбардировки.

Научная новизна:

— Методами растровой электронной Оже-спектроскопии и вторично-ионной масс-спектрометрии новые данные об угловой зависимости состава поверхности и приповерхностного слоя Б1, облученного фокусированным пучком ионов Ga+.

— Установлены экспериментальные условия (флуенс, угол падения ионного пучка) для формирования волнообразного и террасированного (ТР) периодических рельефов поверхности кремния при облучении ФИП галлия, их параметры (длина волны, скорость и направление распространения). Полученные результаты важны для понимания механизмов образования периодических структур на поверхности материалов при ионном облучении.

— Проведено детальное исследование развития топографии поверхности германия ФИП Оа+ при различных флуенсах и углах падения ионного пучка. При нормальном падении ионов формируется пористая структура приповерхностного слоя, которая с ростом флуенса преобразуется в губчатую. При увеличении угла падения ионного пучка наблюдается наклон стенок пор в направлении падения первичных ионов. При углах падения ионов от 50° до 70° наблюдается формирование пористого волнообразного рельефа поперечного по отношению к направлению ионного пучка, а при больших 80° происходит образование продольного волнообразного пучка.

— Экспериментальная зависимость коэффициента распыления германия от угла падения ФИП Ga+ получена впервые. Наблюдаемое нетипичное поведение зависимости 7(0) объясняется топографией поверхности, формируемой при различных углах падения ионного пучка.

Теоретическая и практическая значимость проведенных исследований

— Полученные в работе данные об угловых зависимостях коэффициента распыления, состава и морфологии поверхности могут быть использованы для математического моделирования процесса распыления Si и Ge при создании наноструктур ФИП Ga+.

— Определены критические значения флуенса (.Окр) для углов падения 0 = 30° и 0 > 40° ионов Ga+ с энергией 30 кэВ на поверхность при которых начинается процесс зарождения и развитие периодических волнообразного и террасированных рельефов, которые приводят к значительному увеличению площади облучаемой поверхности. В рамках пространственно-нелокальной модели эрозии поверхности при ионной бомбардировке показано, что террасированный рельеф является одним из устойчивых состояний равновесия поверхности, распыляемой ионным пучком.

— Особенности угловой зависимости коэффициента распыления Ge ФИП Ga+ объясняются развитием и изменением топографии поверхности при нормальном и наклонном облучении ионами.

— Измерения спектров оптического отражения на длинах волн от 220 до 1050 нм поверхностей образцов Ge, модифицированных ионным облучением с различными флуенсами, показали снижение коэффициента отражения во всем исследуемом спектральном диапазоне в пять и более раз в случае формирования на поверхности губчатой структуры по сравнению с гладкой, что может повысить эффективность использования таких поверхностей в качестве фотоприемников.

Методология и методы исследования

Эксперименты по облучению поверхностей Si и Ge образцов ионами Ga+ проводились на установке Quanta 3D 200i. Эта двулучевая система объединяет растровый электронный микроскоп (РЭМ) и ионный сканирующий микроскоп с фокусированным пучком ионов Ga+. При проведении исследования также использовался ионный ускоритель ИЛУ-3.

Структура, морфология и элементный состав тестовых структур исследовались методами РЭМ, атомно-силовой микроскопии (АСМ), вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС), растровой электронной Оже-спектроскопии (РЭОС), просвечивающей растровой электронной микроскопии (ПРЭМ).

Компьютерное моделирование взаимодействия ионов Ga+ с поверхностями Si и Ge образцов при различных параметрах облучения осуществлялось в программе SDTrimSP.

Положения, выносимые на публичное представление

На публичное представление выносятся:

— Увеличение флуенса ионов Ga+, бомбардирующих поверхность Si по нормали, при выходе распыления на стационарный режим (флуенс D > 1017 ион/см2), практически не влияет на количество имплантированного Ga в приповерхностном слое (~30 атомн.%). Постепенное увеличение 0 до ~30° приводит к незначительному снижению концентрации Ga. Дальнейшее увеличение 0 до 50° и выше, напротив, сопровождается резким спадом содержания Ga до нескольких атомных процентов.

— Облучение поверхности Si пучком ионов Ga+ в угловом диапазоне 0 = 40°-70° приводит к формированию периодического террасированного при флуенсах D^ > 1.25 1018 ион/см2. При этом, зарождение ТР наблюдается на краю дна кратера распыления. С ростом D происходит постепенное заполнение рельефом площади

бомбардируемой поверхности. При 0 = 30° ВР формируется сразу на всей площади растра при Dp = 21017 ион/см2.

— Факторами, инициирующими развитие периодического рельефа на поверхности Si при бомбардировке ионами Ga+ являются наличие преципитатов имплантированных ионов галлия в приповерхностном слое кремния при углах падения ионов 0 ~30° и формирование топографической неоднородности у края дна кратера распыления и его распространению на всю площадь с ростом флуенса при 0 > 40°.

— Экспериментальная зависимость 7(0) Ge отличается от расчетной, в то время как аналогичные результаты для Si образцов достаточно хорошо согласуются между собой. Особенности 7(0) Ge обусловлены развитием и изменением топографии поверхности при нормальном и наклонном облучении ионами.

Степень достоверности и аробация результатов результатов

Полученные результаты являются достоверными благодаря применению хорошо известных методов исследования и современного сертифицированного оборудования, специально разработанного для проведения научных измерений.

Экспериментальная часть работы выполнена с помощью стандартных методов анализа и диагностики, перечисленных ранее в разделе «Методология и методы исследования». Математическое моделирование реализовано в программе SDTrimSP. Эта программа осуществляет моделирование бинарных столкновений методом Монте-Карло как в статическом, так и в динамическом режимах. Она способна учитывать изменения стехиометрии из-за внедрения бомбардирующих атомов, атомного смешивания, а также преимущественного распыления. Результаты моделирования сопоставлялись с экспериментальными данными, а также с данными из литературных источников, при их наличии.

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих международных и российских научных конференциях:

— XXIV, XXV, XXVI, XXVI Международная конференция Взаимодействие ионов с поверхностью (Москва, 2019 г., Ярославль, 2021, 2023 г., Рязань 2025 г.)

— 50-я, 52-я, 53-я Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2021, 2023, 2024 г.)

— VIII, IX, X International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN» (St. Petersburg, 2021, 2022, 2023)

— VIII, IX Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (Казань, 2022 г., Нижний Новгород, 2024 г.)

— XV International conference «Micro- and nanoelectronics - 2023» (Moscow - Zvenigorod,

2023)

— XXI Международная научно-техническая конференция «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (Москва, 2024 г.)

— XVI Российская конференция по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 2024

г.)

Личный вклад автора

Личный вклад автора состоит в изучении и анализе информационных источников в области распыления и наноструктурирования поверхности полупроводниковых материалов ионной бомбардировкой. В результате чего автором была разработана методика проведения экспериментов по облучению Si и Ge образцов ионами Ga+.

При непосредственном участии автора получены основные экспериментальные данные по угловым и дозовым зависимостям коэффициента распыления, исследована морфология поверхности, и состав ионно-модифицированных слоев, выполнена обработка и интерпретация результатов исследования.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Общий объём диссертации составляет 149 страниц печатного текста, включая 71 рисунок, 65 формул и 1 таблицу, список литературы, который содержит 175 наименований и список публикаций по теме диссертации.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. ВВЕДЕНИЕ

Технология обработки поверхностей различных материалов ионными пучками остается ключевым элементом микроэлектроники. Ионы, падающие на поверхность твердого тела, вызывают ряд эффектов: распыление, электронная эмиссия, образование химических соединений, поверхностная диффузия атомов, ионная имплантация и др. [11]. Среди упомянутых эффектов особое практическое значение имеют распыление и имплантация, которые активно применяются в процессе изготовления полупроводниковых приборов.

Бурное развитие микроэлектронной промышленности обусловлено тенденциями к повышению степени интеграции и уменьшению геометрических размеров ее элементов. Это, в свою очередь, требует разработки все более совершенных методов формирования, аналитического исследования и контроля этих элементов. Так, естественным образом, возникла необходимость прецизионного воздействия ионов на области субмикронного масштаба, что и привело к развитию метода фокусированного ионного пучка. Появление жидкометаллических источников ионов (LMIS - liquid metal ion source) в конце 1970-х и внедрение фокусирующих систем с возможностью разделения ионов по массам дало импульс развитию метода ФИП.

Возможность фокусировать пучок ионов до нанометровых размеров (~10 нм) размеров позволила существенно расширить область применения технологии ионной обработки поверхностей. В микроэлектронной промышленности метод ФИП традиционно использовался для: модификации, восстановления и анализа отказов интегральных схем [1214], устранения дефектов литографических масок [15]. В период активного развития нанотехнологий, начиная с 1990-х годов, метод ФИП становится еще более востребованным. Благодаря способности к прецизионному формированию микро- и наноразмерных структур за относительно короткое время, данный метод находит свое применение в области подготовки образцов для просвечивающей электронной микроскопии [16], а также в таких областях науки как микроэлектромеханические и био-микроэлектромеханические системы (MEMS и bio-MEMS), для изготовления микрочипов, микрофлюидных устройств, миниатюрных датчиков, биосенсоров, фотонных устройств и др. [17].

Применение традиционных литографических методов для изготовления микро- и наноструктур сопряжено с рядом трудностей: многоступенчатая обработка, необходимость использования масок на каждом этапе операций, высокие требования для резистивных слоев и др. Использование фокусированных ионных пучков, в качестве альтернативного метода, позволяет пересмотреть подход к наноструктурированию в пользу безмасочной технологии с

возможностью локального воздействия. Метод ФИП, по сравнению с фотолитографией, характеризуется более высокой разрешающей способностью, что позволяет осуществлять прямое формирование структур с высоким аспектным отношением за относительно короткий промежуток времени [18]. Также данный метод предусматривает in situ визуализацию области воздействия и контроль над широким набором параметров облучения, о чем подробно будет изложено в Главе 2.

На текущий момент ионная бомбардировка, наряду с литографическими методами, является универсальным и эффективным методом наноструктурирования различных поверхностей твердых тел (металлов, полупроводников и диэлектриков), в частности за счет явления самоорганизации [19-23]. Под самоорганизацией понимается процесс спонтанного формирования микро- и наноструктур, происходящий при определенных условиях воздействия ионного пучка на поверхность мишени. Несмотря на то, что данный процесс чаще всего рассматривается в контексте облучения поверхности образца широким ионным пучком, его реализация возможна и в случае ФИП [24].

Хорошо известно, что топография поверхности в микро- и наномасштабе сильно влияет на оптические, электрические и магнитные свойства материалов [25]. Например, при использовании химически активных ионов в качестве первичных, в приповерхностном слое происходит образование химических соединений. В результате чего свойства модифицированных слоев могут значительно отличаться от объемных свойств твердого тела. В зависимости от типа подложки, энергии и сорта ионов существует возможность формирования на поверхности определенной морфологии, подходящей для решения конкретных практических задач. Так, ионное облучение поверхности материала мишени (с энергией от сотен эВ до десятков кэВ) инициирует формирование различных типов рельефа: волнообразный рельеф или рипплы [22], поры [26], наноточки [27], террасированные структуры [28] и др. Область применения вышеупомянутых структур имеет широкий круг практических применений в различных областях микро- и наноэлектроники. К примеру, ионно-индуцированные рипплы на поверхности Si могут использоваться в качестве подложки для выращивания упорядоченного массива наночастиц или тонких пленок с измененными оптическими свойствами [29, 30]. Ионно-модифицированный Ge применяется в качестве анодов для литиевых аккумуляторов [31, 32]. Кроме того, наноструктурирование поверхностей различных материалов ионной бомбардировкой оказалось эффективным способом управления физическими свойствами этих материалов, такими как отражательная способность [33-35], смачиваемость [36, 37], фотолюминесценция [38] и др.

Ключевым процессом взаимодействия фокусированного ионного пучка с образцом, с точки зрения практических применений, является физическое распыление. Поскольку именно

10

этот процесс лежит в основе структурирования поверхности мишени за счет прямого удаления материала. Рассмотрим основные закономерности взаимодействия ускоренных ионов с поверхностью твердого тела и отметим особенности распыления ФИП.

1.2. Взаимодействие ускоренных ионов с поверхностью твердого тела

Столкновение ускоренного иона с поверхностью твердого тела приводит к потере его

кинетической энергии в результате взаимодействия с атомами мишени. Передача энергии от иона к веществу инициирует целую серию различных процессов, часть из которых изображена на рис. 1.1.

Рис. 1.1. Схематичное изображение повреждений в объеме каскада столкновений, обусловленных взаимодействием ионов с кристаллической мишенью. Rp - проективный пробег иона в мишени, Rl - его поперечное отклонение от первоначальной траектории.

11

Передача кинетической энергии от налетающего иона атомам мишени происходит посредством как неупругих, так и упругих столкновений. В результате неупругих столкновений налетающий ион взаимодействует с электронными оболочками атомов мишени, что приводит к ионизации этих атомов и электронной эмиссии. Следствиями упругих (ядерных) столкновений могут являться: смещение атомов мишени относительно первоначального положения, эмиссия атомов мишени с поверхности (распыление), обратное рассеяние ионов и пр. Вылетающие таким образом частицы несут информацию о рельефе поверхности и составе приповерхностных слоев, что широко используется в области наноструктурирования, анализа и диагностики объемных образцов и тонких пленок [39].

Эмиссия атомов, молеку, а также их кластеров называется распылением. Этот процесс используется для напыления тонких пленок, формирования микро- и наноструктур на поверхности, при послойном анализе приповерхностного слоя методами вторично-ионной масс-спектрометрии, растровой электронной Оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). Часть распыленных атомных частиц покидает поверхность в заряженном состоянии и несет информацию об элементном составе поверхности, что является физической основой метода анализа поверхности ВИМС.

Ключевым параметром, характеризующим эрозию поверхности в результате распыления, является коэффициент распыления 7:

У _ число удаленных атомов (11)

число падающихчастиц

Коэффициент распыления зависит от множества условий облучения, таких как: энергия и сорт ионов, угол падения пучка на поверхность, шероховатость и материал мишени (масса атомов, кристаллическое состояние и кристаллографическая ориентация). Зависимость коэффициента распыления от энергии ионного пучка 7(Е) является нелинейной, с максимумом Еmax в диапазоне от единиц до десятков кэВ [40], в зависимости от комбинации ион-мишень. Увеличение коэффициента распыления на начальном участке зависимости до значения Еmax обусловлено ростом энергии, передаваемой атомам мишени. При более высоких энергиях наблюдается снижение 7, поскольку в этом случае ион пролетает мимо поверхностных атомов, не успевая передать им энергию. Энерговыделение локализовано на такой глубине, что атомы, вышедшие из состояния равновесия, не способны покинуть мишень. Типичные значения 7 при энергиях ионов, характерных для метода ФИП, лежат в интервале от 10-1 до102, в зависимости от условий облучения.

Основным механизмом распыления материалов ионами с энергиями 102-105 эВ является модель каскада столкновений, предложенная П. Зигмундом [41]. В ее основе лежат

представления о радиационных повреждениях в объеме мишени, вызванных ионным облучением. Каскад столкновений, формирующийся в результате взаимодействие ионов с материалом, в некотором приближении можно рассмотреть, как серию независимых бинарных столкновений (режим каскада линейных столкновений) [42].

В том случае, когда энергия налетающего иона оказывается достаточной для преодоления отталкивающего потенциального барьера, создаваемого поверхностными атомами, он проникает в структуру твердого тела. Далее, в результате первого упругого столкновения с поверхностным атомом мишени, первичный ион теряет часть своей кинетической энергии и отклоняется от исходной траектории. Движение первичного иона в объеме твердого тела сопровождается последующими столкновениями с изменением траектории движения и потерей энергии. В момент, когда величина его кинетической энергии оказывается меньше некой пороговой величины (энергия отсечки), то есть недостаточной для преодоления внутренних потенциальных барьеров, он переходит в состояние покоя. Длина пути, пройденная ионом в материале до полной остановки, определяется как средний (линейный, полный) пробег:

(тормозная способность), Е0 - начальная энергия иона. Заметим, что при описании взаимодействия ионов с веществом чаще используются понятия проективного пробега Rp и глубины проникновения Xs.

Если в момент столкновения первичный ион передает атому мишени энергию, превышающую критическое значение (энергия смещения ~ 20 эВ), этот атом будет выбит из положения равновесия, в результате чего, в кристаллическом образце образуется пара -вакансия и атом отдачи. Атомы отдачи, в свою очередь, также могут инициировать дальнейшее смещение атомов мишени (вторичные атомы отдачи). Таким образом возникает каскадный эффект, при котором появляется все больше атомов отдачи, однако их энергия постепенно убывает, ограничивая тем самым область линейного каскада столкновений (рис. 1.1). Объем, занимаемый каскадом столкновений, определяется энергией и массой налетающих ионов, а также массой атомов мишени. После прекращения столкновений в области каскада, остаются эмитированные частицы, излучение, дефекты кристаллической решетки, имплантированный галлий и тепло, которые могут продолжать дальнейшее взаимодействие.

(12)

потери энергии при прохождении единичного отрезка пути в веществе

При условии, что столкновение первичного иона с атомом мишени вблизи поверхности привело к смещению последнего, атом отдачи приобретает энергию, превышающую по величине поверхностную энергию связи (~ 1 эВ) и покидает твердое тело, то есть наблюдается физическое распыление. Количество распыленных атомов, как правило, на порядки меньше общего числа атомов, участвующих в каскаде столкновений. В то время как большая часть атомов мишени, способных участвовать в процессе распыления, локализована вблизи поверхности, процессы рассеяния, приводящие к распылению, происходят в пределах определенного слоя средней глубины а (рис. 1.2), которая сравнима по величине с проективным пробегом первичных ионов.

Принимая, что мишень является аморфной или поликристаллической, П. Зигмунд сформулировал ряд уравнений [41, 43], отражающих процесс передачи энергии в результате упругих столкновений от первичного иона к атомам мишени. Для простоты, этот процесс можно представить следующим образом: ион, падающий на поверхность в точку P, проникает вглубь материала и останавливается в точке Р', где вся его оставшаяся кинетическая энергия высвобождается и распределяется по соседним участкам в соответствии с распределением Гаусса (рис. 1.2).

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Смирнова Мария Александровна, 2025 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Bruchhaus L., Mazarov P., Bischoff L., et al. Comparison of technologies for nano device prototyping with a special focus on ion beams: A review // Applied Physics Review - 2017. - Vol. 4. - №1. P. 011302 (1-51). DOI: 10.1063/1.4972262.

2. Joshi-Imre A., Bauerdick S. Direct-Write Ion Beam Lithography // Journal of Nanotechnology. - 2014. - Vol. 2014. - №6. - P.170415 (1-26). DOI: 10.1155/2014/170415.

3. Borgardt, N.I., Rumyantsev, A.V., Volkov R.L., et al. Sputtering of redeposited material in focused ion beam silicon processing // Materials Research Express. - 2018. - Vol. 5. - №. 2. - P. 025905 (1-12). DOI: 10.1088/2053-1591/aaace1.

4. Borgardt N.I., Rumyantsev A.V. Prediction of surface topography due to finite pixel spacing in FIB milling of rectangular boxes and trenches // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 2016. - Vol. 34. - №. 6. - P. 061803 (1-12). DOI: 10.1116/1.4967249.

5. Lindsey S., Hobler G. Sputtering of silicon at glancing incidence // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 2013. - Vol. 303. - P. 142-147. DOI: 10.1016/j.nimb.2012.12.087.

6. Rommel M., Spolidi G., Yanev V. et al. Comprehensive study of focused ion beam induced lateral damage in silicon by scanning probe microscopy techniques // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 2010. - Vol. 28. - № 3. - P. 595-607. DOI: 10.1116/1.3431085.

7. Gnaser H., Reusher B., Zeuner A. Propagation of nanoscale ripples on ion-irradiated surfaces // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 2012. - Vol. 285. - P. 142147. DOI: 10.1016/j.nimb.2012.05.028.

8. Oishi T., Nitta N. Nanoporous structure of Ge by ion beam irradiation // Japanese Journal of Applied Physics. - 2018. - Vol. 57. - №9. - P. 091301 (1-6). DOI: 10.7567/JJAP.57.091301.

9. Ichim S., Aziz M.J. Lateral templating of self-organized ripple morphologies during focused ion beam miling of Ge // Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics Processing and Phenomena. - 2005. - Vol. 23. - № 3. - P. 1068-1071. DOI: 10.1116/1/1897711.

10. Impellizzeri G., Mirabella S., Irrera A., et al.. Ga-imlantation in Ge: Electrical activation and clustering // Journal of Applied Physics. - 2009. - Vol. 106. - № 1. - P. 013518 (1-6). DOI: 10.1063/1.3159031.

11. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. I. Физ. распыление одноэлементных твердых тел. Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша. - М.: Мир. 1984. - 336 с.

12. Tao T., Wilkinson W., Melngailis J. Focused ion beam induced deposition of platinum for repair processes // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1991. - Vol. 9. - № 1. - P. 162-164. DOI: 10.1116/1.585279.

13. Bernius M.T., Morrison G.H., Mass analyzed secondary ion microscopy // Review of Scientific Instruments. - 1987. - Vol. 58. - № 10. - P. 1789-1805. DOI: 10.1063/1.1139523.

14. Casey J.D. Jr, Phaneuf M., Chandler C., et al. Copper device editing: Strategy for focused ion beam milling of copper // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 2002. - Vol. 20. - № 6. - P. 2682-2685. DOI: 10.1116/1.1521736.

15. Prewett P.D., Heard P.J. Repair of opaque defects in photomasks using focused ion beams // Journal of Physics D: Applied Physics. - 1987. - Vol. 20. - P. 1207-1209. DOI: 10.1088/00223727/20/9/021.

16. Mayer J., Giannuzzi L.A., Kamino T., et al. TEM sample preparation and fib-induced damage // MRS Bulletin. - 2007. - Vol. 32. - № 5. - P. 400-407. DOI: https://doi.org/10.1557/mrs2007.63.

17. Reyntjens S., Puers R. A review of focused ion beam applications in microsystem technology //Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2001. - Vol. 11. - №. 4. - P. 287300. DOI: 10.1088/0960-1317/11/4/301.

18. Malek C.K., Hartley F.T., Neogi J. Fast prototyping of high-aspect ratio, high-resolution X-ray masks by gas-assisted focused ion beam // Microsystem Technologies. - 2003. - Vol. 9. - №. 6-7. - P. 409-412. DOI: DOI 10.1007/s00542-002-0215-5.

19. Cuerno R., Kim J.-S. A perspective on nanoscale pattern formation at surfaces by ion-beam irradiation // Journal of Applied Physics. - 2020. - Vol. 128. - №. 18. - P. 180902 (1-36). DOI: 10.1063/5.0021308.

20. Makeev M.A., Cuerno R., Barabási A.-L. Morphology of ion-sputtered surfaces // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 2002. - Vol. 197. - №. 3-4. - P. 185227. DOI: 10.1016/S0168-583X(02)01436-2.

21. Valbusa U., Boragno C., Buatier de Mongeot F. Nanostructuring surfaces by ion sputtering // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2002. - Vol. 14. - №. 35. - P. 8153-8175. DOI: 10.1088/0953-8984/14/35/301.

22. Muñoz-García J., Vázquez L., Castro M., et al. Self-organized nanopatterning of silicon surfaces by ion beam sputtering // Materials Science and Engineering R. - 2014. - Vol. 86. - P. 144. DOI: 10.1016/j.mser.2014.09.001.

23. Vázquez L., Redondo-Cubero A., Lorenz K., et al. Surface nanopatterning by ion beamirradiation: compositional effects // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2022. - Vol. 34. -P. 333002 (1-33). DOI: 10.1088/1361-648X/ac75a1.

24. Cuenat A., Aziz M.J. Spontaneous Pattern Formation from Focused and Unfocused Ion Beam Irradiation // Materials Research Society Symposium Proceedings. - 2002. - Vol. 696. - №. 2.8. - P. 1-6. DOI: 10.1557/PROC-696-N2.8.

25. Fassbender J., Strache T., Liedke M.O., et al. Introducing artificial length scales to tailor magnetic properties // New Journal of Physics. - 2009. - Vol. 11. - №. 12. - P. 125002 (1-19). DOI: 10.1088/1367-2630/11/12/125002.

26. Rudawski N.G. Nanostructured germanium prepared via ion beam modification // Journal of Materials Research. - 2013. - Vol. 28. - №. 13. - P. 1633-1645. DOI: 10.1557/jmr.2013.24.

27. Facsko S., Dekorsy T., Koerdt C., et al. Formation of Ordered Nanoscale Semiconductor Dots by Ion Sputtering // Science. - 1999. - Vol. 285. - №. 3. - P. 1551-1553. DOI: 10.1126/science.285.5433.1551.

28. Carter G., Vishnyakov V. Ne+ and Ar+ Ion Bombardment-induced Topography on Si // Surface and Interface Analysis. - 1995. - Vol. 23. - №. 7-8. - P.514-520. DOI: 10.1002/sia.740230711.

29. Ranjan M., Facsko S., Fritzsche M., et al. Plasmon resonance tuning in Ag nanoparticles arrays grown on ripple patterned templates // Microelectronic Engineering. - 2013. - Vol. 102. -P.44-47. DOI: 10.1016/j.mee.2012.02.018.

30. Basu T., Kumar M., Nandy S., et al. Thickness-dependent blue shift in the excitonic peak of conformally grown ZnO:Al on ion-beam fabricated self-organized Si ripples // Journal of Applied Physics. - 2015. - Vol. 118. - №. 10. - P. 104903 (1-9). DOI: 10.1063/1.4930223.

31. Graetz J., Ahn C.C., Yazami R., et al. Nanocrystalline and Thin Film Germanium Electrodes with High Lithium Capacity and High Rate Capabilities // Journal of The Electrochemical Society. - 2004. - Vol. 151. - №. 5. - P. A698-A702. DOI: 10.1149/1.1697412.

32. Rudawski N.G., Darby B.L., Yates B.R., et al. Nanostructured ion beam-modified Ge films for high capacity Li ion battery anodes // Applied Physics Letters. - 2012. - Vol. 100. - № 9. -P. 083111 (1-4). DOI: 10.1063/1.3689781.

33. Datta D.P., Som T. Strongly antireflective nano-textured Ge surface by ion-beam induced self-organization // Solar Energy. - 2021. - Vol. 223. - № 1. - P. 367-375. DOI: 10.1016/j.solener.2021.05.016.

34. Gilbert L.R., Messier R., Roy R. Black germanium solar selective absorber surfaces // Thin Solid Films. - 1978. - Vol. 54. - № 2. - P. 149-157. DOI: 10.1016/0040-6090(78)90191-8.

35. Schicho S., Jaouad A., Sellmer C., et al. Black germanium produced by inductively coupled plasma etching // Materials Letters. - 2013. - Vol. 94. - P. 86-88. DOI: 10.1016/j.matlet.2012.12.014.

36. Kumar T., Singh U.B., Kumar M., et al. Tuning of ripple patterns and wetting dynamics of Si (100) surface using ion beam irradiation // Current Applied Physics. - 2014. - Vol. 14. - № 3. - P. 312-317. DOI: 10.1016/j.cap.2013.12.007.

37. Garg S.K., Datta D.P., Ghata J., et al. Tunable wettability of Si through surface energy engineering by nanopatterning // RSC Advances. - 2016. - Vol. 6. - № 54. - P. 48550-48557. DOI: 10.1039/C6RA04906K.

38. Basu T., Kumar M., Kanjilal F., et al. Tailoring room temperature photoluminescence of antireflective silicon nanofacets // Journal of Applied Physics. - 2014. - Vol. 116. - № 11. - P. 114309 (1-7). D0I:10.1063/1.4896069.

39. Höflich H., Hobler G., Allen F.I., et al. Roadmap for focused ion beam technologies // Applied Physics Reviews. - 2023. - Vol. 10. - № 4. - P. 041311(1-93). DOI: 10.1063/5.0162597.

40. Matsunami N., Yamamura Y., Itikawa Y., et al. Energy dependence of the ion-induced sputtering yields of monatomic solids // Atomic Data and Nuclear Data Tables. - 1984. - V. 31. - P. 1-80.

41. Sigmund P. Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets // Physical Review. - 1969. - V. 184. - №2. - P. 383-416. DOI: 10.1103/PhysRev.187.768.

42. Smith R. Atomic and ion collisions in solids and at surfaces: theory, simulation and applications. - Cambridge: Cambridge University Press, 2005. - 309 p.

43. Sigmund P. A mechanism of surface micro-roughening by ion bombardment // Journal of Materials Science. - 1973. - V. 8. - №11. - P. 1545-1553. DOI: 10.1007/BF00754888.

44. Sigmund P. On the number of atoms displaced by implanted ions or energetic recoil atoms // Applied Physics Letters. - 1969. - V. 14. - №3. - P. 114-117. DOI: 10.1063/1.1652730.

45. Yamamura Y., Itoh N. Chapter 4, Sputtering Yield, p.59, in Ion Beam Assisted Film Growth. Edited by Itoh T. Amsterdam: Elsevier, 1989.

46. Sigmund P. Sputtering by Ion Bombardment: Theoretical Concepts P. 9-71, in Sputtering by Particle Bombardment I: Physical Sputtering of Single Element-Solids. Topics in Applied Physics V. 47. Edited by R. Behrisch. Berlin, Heidelberg: Springer, 1981. DOI: 10.1007/3540105212_7.

47. Chini T.K., Bhattacharyya S.R., Ghose D., et al. The angular dependence of sputtering yields of Ge and Ag // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 1992. - V. 72. -№3-4. - P. 355-358. DOI: 10.1016/0168-583X(92)95128-E.

48. Wetz P., Krüger W., Scharmann A., et al. The angular dependence of the sputtering yield of Ag, Ni and Fe by high energy noble gas ions // Radiation Measurements. - 1997. - V. 27. - №4. - P. 569-74. DOI: 10.1016/S1350-4487(97)00017-6.

49. Frey L., Lehrer C., Ryssel H. Nanoscale effects in focused ion beam processing // Applied Physics A: Materials Science & Processing. - 2003. - V. 76. - №7. - P. 1017-1023. DOI: 10.1007/s00339-002-1943-1.

50. Wei Q., Li K.-D., Lian J., et al. Angular dependence of sputtering yield of amorphous and polycrystalline materials // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2008. - V. 41. - №17. - P. 172002 (1-4). DOI: 10.1088/0022-3727/41/17/172002.

51. Yamamura Y., ltikawa Y., Itoh N. Angular dependence of sputtering yields of monatomic solids. Report IPPJ-AM-26. - Nagoya: Institute of Plasma Physics, Nagoya University, 1983. -113 p.

52. Yamamura Y., Shindo S. An empirical formula for angular dependence of sputtering yields // Radiation effects. - 1984. - Vol. 80. - №. 1. - P. 57-72. DOI: 10.1080/00337578408222489.

53. Carter G. The physics and applications of ion beam erosion // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2001. - Vol. 34. - P. R1-R22. DOI: 10.1088/0022-3727/34/3/201.

54. Биркган С.Е. Математическое моделирование. Учебное пособие. - Ярославль: ЯрГУ, 2012. - 92 с.

55. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. II. Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности: Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша. - М.: Мир. 1986. - 488 с.

56. Muñoz-García J., Vázquez L., Cuerno R., et al. Self-organized surface nanopatterning by ion beam sputtering // Materials Science and Engineering R Reports. - 2009. - Vol. 88. - P. 1-44. DOI: 10.1016/j.mser.2014.09.001.

57. Ziberi B., Cornejo M., Frost F., et al. Highly ordered nanopatterns on Ge and Si surfaces by ion beam sputtering // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2009. - Vol. 21. - №. 22. - P. 224003 (1-17). DOI: 10.1088/0953-8984/21/22/224003.

58. Magee C.W., Honig R.E. Depth profiling by SIMS: Depth resolution, dynamic range and sensitivity // Surface and Interface Analysis. - 1982. - Vol. 4. - №. 2. - P. 35-41. DOI: 10.1002/sia.740040202.

59. Navez M., Sella C., Chaperot D. // Comptes Rendus des Séances de l'Académie des Sciences. - 1962. - № 254. - P. 240. https://gallica.bnf.fr/ark:/12148/bpt6k3206x/f248.item

60. Bradley R.M., Harper J.M.E. Theory of ripple topography induced by ion bombardment // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 1988. - Vol. 6. - №. 4. - P. 2390-2395. DOI: 10.1116/1.575561.

61. Herring C. The Physics of Powder Metallurgy / Eds. W.E. Kingston. - NY: McGraw-Hill, 1951. - p. 143-179.

62. Mullins W.W. Theory of thermal grooving // Journal of Applied Physics. - 1957. - Vol. 28. - №. 3. - P. 333-339. DOI: 10.1063/1.1722742.

63. Chason E., Erlebacher J., Aziz M.J., et al. Dynamics of pattern formation during low-energy ion bombardment of Si (001) // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. -2001. - Vol. 178. - №. 1-4. - P. 55-61. DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00505-5.

64. Cuerno R., Makse H.A., Tomassone S., et al. Stochastic model for surface erosion via ion sputtering: Dynamical evolution from ripple morphology to rough morphology // Physical Review Letters. - 1995. - Vol. 75. - №. 24. - P. 4464-4467. DOI: 10.1103/PhysRevLett.75.4464.

65. Eklund E.A., Snyder E.J., Williams R.S. Correlation from randomness: quantitative analysis of ion-etched graphite surfaces using the scanning tunneling microscope // Surface science. - 1993. - Vol. 285. - №. 3. - P. 157-180. DOI: 10.1016/0039-6028(93)90427-L.

66. Makeev M.A., Barabasi A.L. Ion-induced effective surface diffusion in ion sputtering // Applied physics letters. - 1997. - Vol. 71. - №. 19. - P. 2800-2802. DOI: 10.1063/1.120140.

67. Carter G., Vishnyakov V. Roughening and ripple instabilities on ion-bombarded Si // Physical Review B. - 1996. - Vol. 54. - №. 24. - P. 17647-17653. DOI: 10.1103/PhysRevB.54.17647.

68. Nanofabrication by ion beam sputtering: Fundamentals and applications / Som T., Kanjilal D. (ed.). - FL: CRC Press, 2013. - 366 p.

69. Balasubramanian G.P.S., Hull R. Mechanisms of Focused Ion Beam Implantation Damage and Recovery in Si // Journal of Electronic Materials. - 2016. - Vol. 45. - №. 6. - P. 32363243. DOI: 10.1007/s11664-016-4393-9.

70. MoberlyChan W.J., Adams D.P., Aziz M.J., et al. Fundamentals of focused ion beam nanostructural processing: Below, at, and above the Surface // MRS Bulletin. - 2007. - Vol. 32. - №. 5. - P. 424-432. DOI: 10.1557/mrs2007.66.

71. Ziberi B., Frost F., Hoche Th. Ripple pattern formation on silicon surfaces by low-energy ion-beam erosion: Experiment and theory // Physical Review B. - 2005. - Vol. 72. - №. 23. - P. 235310 (1-7). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.235310.

72. MoberlyChan W.J. Dual-beam focused ion beam/electron microscopy processing and metrology of redeposition during ion-surface 3D interactions, from micromachining to self-organized picostructures // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2009. - Vol. 21. - №. 22. - P. 224013 (1-24). DOI: 10.1088/0953-8984/21/22/224013.

73. Chan W.L., Chason E. Making waves: Kinetic processes controlling surface evolution during low energy ion sputtering // Journal of Applied Physics. - 2007. - Vol. 101. - №. 12. - P. 121301 (1-46). DOI: 101(12):121301-121301-46.

74. Bachurin V.I., Lepshin P.A., Smirnov V.K. Angular dependences of surface composition, sputtering and ripple formation on silicon under N2+ ion bombardment // Vacuum. - 2000. - V. 56. -№4. - P. 241-245. DOI: 10.1016/S0042-207X(99)00194-3.

139

75. Chason E., Picraux S.T., Poate J.M., et al. Ion beams in silicon processing and characterization // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 81. - №. 10. - P. 6513-6561. DOI: 10.1063/1.365193.

76. Giannuzzi L.A., Stevie F. Introduction to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques and practice. - NY: Springer Science & Business Media, 2005. - 357 p. DOI: 10.1007/0-387-23313-X_2.

77. Bischoff L., Teichert J. Focused ion beam sputtering of silicon and related materials. -Dresden: Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, 1998. - 36 p.

78. Kim Ch.S., Ahn S.-H., Jang D.-Y. Review: Developments in micro/nanoscale fabrication by focused ion beams // Vacuum. - 2012. - Vol. 86. - №. 8. - P. 1014-1035. DOI: 10.1016/j.vacuum.2011.11.004.

79. Li P., Chen S., Dai H., et al. Recent advances in focused ion beam nanofabrication for nanostructures and devices: fundamentals and applications // Nanoscale. - 2021. - Vol. 13. - №. 3. -P. 1529-1565. DOI: 10.1039/d0nr07539f.

80. Habenicht S., Lieb K.P. Ripple propagation and velocity dispersion on ion-beam-eroded silicon surfaces // Physical Review B. - 2002. - Vol. 65. - №. 11. - P. 115327 (1-6). DOI: 10.1103/PhysRevB.65.115327.

81. Lasagni F.A., Lasagni A.F. Fabrication and Characterization in the Micro-Nano Range. - Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2011. - P. 69-94.

82. Jamaludin F.S., Sabri M.F.M., Said S.M. Controlling parameters of focused ion beam (FIB) on high aspect ratio micro holes milling // Microsystem Technologies. - 2013. - Vol. 19. - №. 12. - P. 1873-1888. DOI: 10.1007/s00542-013-1912-y.

83. Kamaliya B. Study of Ion Beam Interaction with Materials and Nanostructure Fabrication: dis. - Monash University, 2021.

84. Zhou W., Cuenat A., Aziz M.J. Formation of self-organized nanostructures on Ge during focused ion beam sputtering //Microscopy of Semiconducting Materials 2003. - CRC Press, 2018. -P. 625-628.

85. Tseng A.A., Insua I.A., Park J.S., et al. Milling of submicron channels on gold layer using double charged arsenic ion beam // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. - 2004. - Vol. 22. - №. 1. -P. 82-89. DOI: 10.1116/1.1640396.

86. Kamaliya B., Garg V., Mote R., et al. Controlled Self-organization on Germanium Using Focused Ion Beam (FIB): From Quasi-periodic Nanoripples to Well-ordered Periodic Nanostructures // Microscopy and Microanalysis. - 2020. - Vol. 26. - №. S2. - P. 1684-1687. DOI: 10.1017/S1431927620018966.

87. Stoyanov S., Bailey C., Tang Y.K., et al. Computational modelling and optimisation of the fabrication of nano-structures using focused ion beam and imprint forming technologies // Journal of Physics: Conference Series. - 2010. - Vol. 253. - №. 1. - P. 012008 (1-10). D01:10.1088/1742-6596/253/1/012008.

88. Kim H.B., Hobler G., Lugstein A., et al. Simulation of ion beam induced micro/nano fabrication // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2007. - Vol. 17. - №. 6. - P. 11781183. D0I:10.1088/0960-1317/17/6/011.

89. Kim H.B., Hobler G., Steiger A., et al. Full three-dimensional simulation of focused ion beam micro/nanofabrication // Nanotechnology. - 2007. - Vol. 18. - №. 24. - P. 2453032453038. DOI: 10.1088/0957-4484/18/24/245303.

90. Rumyantsev A.V., Borgardt N.I. Comparison of Silicon and Silicon-Dioxide Sputtering by a Focused Ion Beam // Semiconductors. - 2024. - Vol. 58. - №. 13. - P. 1097-1103. DOI: 10.1134/S1063782624700118.

91. Borgardt, N.I., Volkov R.L., Rumyantsev, A.V., et al. Simulation of material sputtering with a focused ion beam // Technical Physics Letters. - 2015. - Vol. 41. - №. 6. - P. 610-613. DOI: 10.1134/S106378501506019X.

92. Rumyantsev A.V., Borgardt, N.I., Volkov R.L. Simulation of Redeposited Silicon Sputtering under Focused Ion Beam Irradiation // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. - 2018. - Vol. 12. - №. 3. - P. 607-612. DOI: 10.1134/S1027451018030345.

93. Kant K, Losic D. Focused ion beam (FIB) technology for micro-and nanoscale fabrications. FIB nanostructures / Eds. Wang Z.M. - NY: Springer International Publishing, 2013. -p. 1-22.

94. Mutzke A., Schneider R., Eckstein W., et al. SDTrimSP Version 6.00. - Garching: IPP, 2019. - 91 p.

95. Volkert C.A., Minor A. M. Focused ion beam microscopy and micromachining // MRS bulletin. - 2007. - Vol. 32. - №. 5. - P. 389-399. DOI: 10.1557/mrs2007.62.

96. Sezen M., Janecek M. Focused Ion Beams (FIB) - Novel methodologies and recent applications for multidisciplinary sciences. Modern Electron Microscopy in Physical and Life Sciences / Eds. Janecek M., Kral R. - BoD - Books on Demand, 2016. - p. 121-40.

97. Orloff J., Swanson L., Utlaut M. High Resolution Focused Ion Beams: The Physics of Liquid Metal Ion Sources and Ion Optics and Their Application to Focused Ion Beam Technology. -Boston, Ma.: Springer, 2003. - 303 p.

98. Patterson N., Adams D.P., Hodges V.C., et al. Controlled fabrication of nanopores using a direct focused ion beam approach with backface particle detection // Nanotechnology. - 2008. -Vol. 19. - №. 23. - P. 235304 (1-9). DOI: 10.1088/0957-4484/19/23/235304.

99. Rajsiri S., Kempshall B.W., Schwarz S.M., et al. FIB damage in silicon: Amorphization or redeposition? // Microscopy and Microanalysis. - 2002. - Vol. 8. - №. 2. - P. 50-51. DOI: 10.1017.S1431927602101577.

100.Einsle J.F., Bouillard J.S., Dickson W., et al. Hybrid FIB milling strategy for the fabrication of plasmonic nanostructures on semiconductor substrates // Nanoscale Research Letters.

- 2011. - Vol. 6. - №. 1. - P. 572 (1-5). DOI: 10.1186/1556-276X-6-572.

101.Боргардт Н.И., Волков Р.Л., Румянцев А.В. Метод фокусированного ионного пучка. Нанотехнологии в электронике / под ред. Чаплыгина Ю.А. - Вып. 1. - М: Техносфера, 2015. -С. 239-270.

102.Xie D.Z., Ngoi B.K., Fu Y.Q., et al. Etching characteristics of TiNi thin film by focused ion beam // Applied Surface Science. - 2004. - Vol. 225. - №. 1-4. - P. 54-58. DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.09.031.

103.Lugstein A., Basnar B., Hobler G., et al. Current density profile extraction of focused ion beams based on atomic force microscopy contour profiling of nanodots // Journal of applied physics.

- 2002. - Vol. 92. - №. 7. - P. 4037-4042. DOI: 10.1063/1.1505685.

104.Yamaguchi H., Shimase A., Haraichi S., et al. Characteristics of silicon removal by fine focused gallium ion beam // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1985. - Vol. 3. - №. 1.

- P. 71-74. DOI: 10.1116/1.583294.

105. Lipp S., Frey L., Lehrer C., et al. Investigations on the topology of structures milled and etched by focused ion beams // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1996. - Vol. 14. - №. 6. - P. 3996-3999. DOI: 10.1116/1.588630.

106. Engler M., Frost F., Müller S., et al. Silicide induced ion beam patterning of Si (001) // Nanotechnology. - 2014. - Vol. 25. - №. 11. - P. 115303 (1-18). DOI: 10.1088/09574484/25/11/115303.

107. Yamamura Y., Tawara H. Energy dependence of ion-induced sputtering yields from monatomic solids at normal incidence // Atomic data and nuclear data tables. - 1996. - Vol. 62. - №. 2. - P. 149-253. DOI: 10.1006/adnd.1996.0005.

108. Eckstein W. Computer Simulation of Ion-Solid Interaction. - Berlin: Springer, 1991. 279 p. DOI: 10.1007/978-3-642-73513-4.

109.Hofsäss H., Zh g K., Mutzke A. Simulation of ion beam sputtering with SDTrimSP, TRIDYN and SRIM // Applied Surface Science. - 2014. - Vol. 310. - P. 134-141. DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.03.152.

110. Wilson W. D., Haggmark L. G., Biersack J. P. Calculations of nuclear stopping, ranges, and straggling in the low-energy region // Physical Review B. - 1977. - Vol. 15. - №. 5. - P. 24582468. DOI: 10.1103/PhysRevB.15.2458.

111. Lindhard J., Scharff M. Energy dissipation by ions in the keV region // Physical Review.

- 1961. - Vol. 124. - №. 1. - P. 128-130. DOI: 10.1103/PhysRev.124.128.

112. Oen O.S., Robinson M.T. Computer studies of the reflection of light ions from solids // Nuclear Instruments and Methods. - 1976. - Vol. 132. - P. 647-653. DOI: 10.1016/0029-554X(76)90806-5.

113. Malherbe J. B. Sputtering of compound semiconductor surfaces. I. Ion-solid interactions and sputtering yields // Critical Reviews in Solid State and Material Sciences. - 1994. - Vol. 19. -№. 2. - P. 55-127. DOI: 10.1080/10408439408244588.

114. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. - М.: Мир, 1995. - 321 с.

115. Lehrer C., Frey L., Petersen S., et al. Defects and gallium-contamination during focused ion beam micro machining // 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology-2000 (Cat. No. 00EX432). - IEEE, 2000. - P. 695-698.

116. Gnaser H., Brodyanski A., Reuscher B. Focused ion beam implantation of Ga in Si and Ge: fluence-dependent retention and surface morphology // Surface and Interface Analysis. - 2008.

- Vol. 40. - №. 11. - P. 1415-1422. DOI: 10.1002/sia.2915.

117. Gnaser H., Kallmayer C., Oechsner H. Focused-ion-beam implantation of Ga in elemental and compound semiconductors // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1995. -Vol. 13. - №. 1. - P. 19-26. DOI: 10.1116/1.587978.

118. Carter G., Colligon J.S., Leck J.H. Ion sorption in the presence of sputtering // Proceedings of the Physical Society. - 1962. - Vol. 79. - №. 2. - P. 299-309. DOI: 10.1088/03701328/79/2/308.

119. Krimmel E.F., Pfleiderer H. Implantation profiles modified by sputtering // Radiation Effects. - 1973. - Vol. 19. - №. 2. - P. 83-85. DOI: 10.1080/00337577308232223.

120. Qian H. X., Zhou W. Ripple rotation on ion sputtered Si (100) // Materials Letters. -2012. - Vol. 77. - P. 113-116. DOI: 10.1016/j.matlet.2012.03.003.

121. Datta A., Wu Y.R., Wang Y.L. Real-time observation of ripple structure formation on a diamond surface under focused ion-beam bombardment // Physical Review B. - 2001. - Vol. 63. -№. 12. - P. 125407. DOI: 10.1103/PhysRevB.63.125407.

122. Adams D.P., Vasile M.J., Mayer T.M., et al. Focused ion beam milling of diamond: effects of H 2 O on yield, surface morphology and microstructure // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 2003. - Vol. 21. - №. 6. - С. 2334-2343. DOI: 10.1116/1.1619421.

143

123. Carter G. The effects of surface ripples on sputtering erosion rates and secondary ion emission yields // Journal of applied physics. - 1999. - Vol. 85. - №. 1. - P. 455-459. DOI: 10.1063/1.369408.

124. MoberlyChan W. Surface modification energized by FIB: the influence of etch rates & aspect ratio on ripple wavelengths // MRS Online Proceedings Library (OPL). - 2006. - Vol. 960. -P. 0960-N10-02-LL06-02. DOI: 10.1557/PR0C-0960-N10-02-LL06-02.

125. Hofsass H. Surface instability and pattern formation by ion-induced erosion and mass redistribution // Applied Physics A. - 2014. - Vol. 114. - №. 2. - P. 401-422. DOI: 10.1007/s00339-013-8170-9.

126. Bobes O., Zhang K., Hofsass H. Ion beam induced surface patterns due to mass redistribution and curvature-dependent sputtering // Physical Review B. - 2012. - Vol. 86. - №. 23.

- P. 235414 (1-9). DOI: 10.1103/PhysRevB.86.235414.

127. Norris S.A., Brenner M.P., Aziz M.J. From crater functions to partial differential equations: a new approach to ion bombardmentinduced nonequilibrium pattern formation // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2009. - Vol. 21. - №. 22. - P. 224017 (1-11). DOI: 10.1088/09538984/21/22/224017.

128. Norris S.A., Samela J., Bukonte L., et al. Molecular dynamics of single-particle impacts predicts phase diagrams for large scale pattern formation // Nature communications. - 2011. - Vol. 2. - №. 1. - P. 276 (1-6). DOI: 10.1038/ncomms1280.

129. Rudy A.S., Kulikov A.N., Metlitskaya A.V. Simulation of formation of nanostructures during sputtering of the surface by ion bombardment // Russian Microelectronics. - 2011. - Vol. 40.

- №. 2. - P. 98-107. DOI: 10.1134/S1063739711020089.

130. Erlebacher J. et al. Spontaneous pattern formation on ion bombarded Si (001) // Physical review letters. - 1999. - Vol. 82. - №. 11. - P. 2330-2333. DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.2330.

131. Yewande E.O., Hartmann A.K., Kree R. Propagation of ripples in Monte Carlo models of sputter-induced surface morphology // Physical Review B. - 2005. - Vol. 71. - №. 19. - P. 195405 (1-8). DOI: 10.1103/PhysRevB .71.195405.

132. Aste T., Valbusa U. Ripples and ripples: from sandy deserts to ion-sputtered surfaces // New Journal of Physics. - 2005. - Vol. 7. - №. 1. - P. 122 (1-23). DOI: 10.1088/1367-2630/7/1/122.

133. Muñoz-García J., Castro M., Cuerno R. Nonlinear ripple dynamics on amorphous surfaces patterned by ion beam sputtering // Physical review letters. - 2006. - Vol. 96. - №. 8. - P. 086101 (1-4). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.086101.

134. Muñoz-García J., Cuerno R., Castro M. Coupling of morphology to surface transport in ion-beam irradiated surfaces: Oblique incidence // Physical Review B. - 2008. - Vol. 78. - №. 20. -P. 205408 (1-22). DOI: 10.1103/PhysRevB.78.205408.

144

135. Alkemade P. F. A. Propulsion of ripples on glass by ion bombardment // Physical review letters. - 2006. - Vol. 96. - №. 10. - P. 107602 (1-4). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.107602.

136. Kramczynski D., Reuscher B., Gnaser H. Wavelength-dependent ripple propagation on ion-irradiated prepatterned surfaces driven by viscous flow corroborates two-field continuum model // Physical Review B. - 2014. - Vol. 89. - №. 20. - P. 205422 (1-10). DOI: 10.1103/PhysRevB.89.205422.

137. Elst K., Vandervorst W. Influence of the composition of the altered layer on the ripple formation // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 1994. - Vol. 12. - №. 6. - P. 3205-3216. DOI: 10.1116/1.579239.

138. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Krivelevich S.A., et al. Wave-ordered structures formed on SOI wafers by reactive ion beams //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 1999. - Vol. 147. - №. 1-4. - P. 310-315. DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00610-7.

139.Wittmaack K. Local SiO2 formation in silicon bombarded with oxygen above the critical angle for beam-induced oxidation: new evidence from sputtering yield ratios and correlation with data obtained by other techniques // Surface and Interface Analysis. - 2000. - V. 29. - №10. - P. 721725. DOI: 10.1002/1096-9918(200010)29.

140. Bhowmik D., Mukherjee M., Karmakar P. Presence of reactive impurities in Ar+ ion beam plays a key role for Si ripple formation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 2019. - Vol. 444. - P. 54-61. DOI: 10.1016/j.nimb.2019.02.010.

141. Teichmann M., Lorbeer J., Frost F., et al. Ripple coarsening on ion beam-eroded surfaces // Nanoscale Research Letters. - 2014. - Vol. 9. - №. 1. - P. 439 (1-8). DOI: 10.1186/1556-276X-9-439.

142. Hauffe W. Faceting mechanism in the sputtering process // Physica Status Solidi (a). -1976. - Vol. 35. - №. 2. - P. K93-K96. DOI: 10.1002/pssa.2210350246.

143. Rudy A. S., Bachurin V. I., Smirnov V. K. Nanoscale model of surface erosion by ion bombardment // Radiation Effects & Defects in Solids. - 2006. - Vol. 161. - №. 6. - P. 319-329. DOI: 10.1080/10420150600703981.

144. Rudy A. S., Bachurin V. I. Spatially nonlocal model of surface erosion by ion bombardment // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. - 2008. - Vol. 72. - №. 5. -P. 586-591. DOI: 10.3103/S1062873808050043.

145. Pearson D. A., Bradley R. M. Theory of terraced topographies produced by oblique-incidence ion bombardment of solid surfaces // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2014. - Vol. 27. - №. 1. - P. 015010 (1-12). DOI:10.1088/0953-8984/27/1/015010.

146. Harrison M. P., Pearson D. A., Bradley R. M. Emergence and detailed structure of terraced surfaces produced by oblique-incidence ion sputtering // Physical Review E. - 2017. - Vol. 96. - №. 3. - P. 032804 (1-13). DOI: 10.1103/PhysRevE.96.032804.

147. Claverie A., Koffel S., Cherkashin N., et al. Amorphization, recrystallization and end of range defects in germanium // Thin Solid Films. - 2010. - Vol. 518. - №. 9. - P. 2307-2313. D0I:10.1016/j.tsf.2009.09.162.

148. Impellizzeri G., Mirabella S., Grimaldi M.G. Ion implantation damage and crystalline-amorphous transition in Ge // Applied Physics A. - 2011. - Vol. 103. - №. 2. - P. 323-328. DOI: 10.1007/s00339-010-6123-0.

149. Darby B.L., Yates B.R., Rudawski N.G. et al. Insights for void formation in ion-implanted Ge // Thin Solid Films. - 2011. - Vol. 519. - №. 18. - P. 5962-5965. DOI: 10.1016/j .tsf.2011.03.040.

150. Wilson I.H. The effects of self-ion bombardment (30-500 keV) on the surface topography of single-crystal germanium // Journal of Applied Physics. - 1982. - Vol. 53. - №. 3. -P. 1698-1705. DOI: 10.1063/1.331636.

151. Bischoff L., Pilz W., Schmidt B. Amorphous solid foam structures on germanium by heavy ion irradiation // Applied Physics A. - 2011. - Vol. 104. - №. 4. - P. 1153-1158. DOI 10.1007/s00339-011-6396-y.

152. Chowdhury D., Ghose D. Fabrication of nanoscale topographies on Ge (100) surface by low energy Ar+ ion sputtering // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. -2017. - Vol. 409. - P. 197-201. DOI: 10.1016/j.nimb.2017.04.003.

153. Datta D.P., Garg S.K., Basu T., et al. Temporal evolution of Ge surface topography under keV ion irradiation: Combined effects of curvature-dependent sputter erosion and atomic redistribution // Applied Surface Science. - 2016. - Vol. 360. - P. 131-142. DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.10.133.

154. Pavlikov A.V., Rogov A.M., Sharafutdinova A.M., et al. The local crystallization thresholds under laser irradiation of the Cu+-ion implanted Ge layers with various thicknesses // Journal of Raman Spectroscopy. - 2023. - Vol. 54. - №. 3. - P. 245-249. DOI: 10.1002/jrs.6488.

155. Stepanov A.L., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., et al. Creation of an antireflection coating for the optical range based on a nanoporous germanium layer formed by implantation with indium ions // Technical Physics Letters. - 2023. - Vol. 49. - №. 8. - P. 10-12. DOI: 10.21883/TPL.2023.04.55878.19466.

156. Jing C., Zhang C., Zang X., et al. Fabrication and characteristics of porous germanium films // Science and Technology of Advanced Materials. - 2009. - Vol. 10. - №. 6. - P. 065001 (16). DOI: 10.1088/1468-6996/10/6/065001.

157. Ottaviano L., Verna A., Grossi V., et al. Surface morphology of Mn+ implanted Ge (100): a systematic investigation as a function of the implantation substrate temperature // Surface Science. - 2007. - Vol. 601. - №. 13. - P. 2623-2627. DOI: 10.1016/j.susc.2006.11.075.

158. Степанов А.Л., Нуждин В.И., Рогов А.М., и др. Формирование слоев пористого кремния и германия с металлическими. - Казань: ФИЦ КазНЦ РАН, 2019. - с. 186.

159. Yanagisawa J., Takarabe1 K., Ogushi K., et al. Nanoporous structure formations on germanium surfaces by focused ion beamirradiations // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2007. - Vol. 19. - №. 44. - P. 445002 (1-10). D0I:10.1088/0953-8984/19/44/445002.

160. Fritzsche M., Muecklich A., Facsko S. Nanohole pattern formation on germanium induced by focused ion beam and broad beam Ga+ irradiation // Applied Physics Letters. - 2012. -Vol. 100. - №. 22. P. 223108 (1-4). DOI: 10.1063/1.4721662.

161. Bottger R. Heinig K.-H., Bischoff L., et al. From holes to sponge at irradiated Ge surfaces with increasing ion energy—an effect of defect kinetics? // Applied Physics A. - 2013. - Vol. 113. -№. 1. - P. 53-59. DOI: 10.1007/s00339-013-7911-0.

162. Stepanov A.L., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., et al. Porous germanium formed by low energy high dose Ag+-ion implantation // Vacuum. - 2018. - Vol. 152. - P. 200-204. DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.03.030.

163. Ziberi B., Frost F., Rauschenbach B. Pattern transitions on Ge surfaces during low-energy ion beam erosion // Applied Physics Letters. - 2006. - Vol. 88. - №. 17. - P. 173115 (1-3). DOI: 10.1063/1.2199488.

164. Carbone D., Alija A.A., Plantevin O., et al. Early stage of ripple formation on Ge (001) surfaces under near-normal ion beamsputtering // Nanotechnology. - 2007. - Vol. 19. - №. 3. - P. 035304 (1-5). DOI: 10.1088/0957-4484/19/03/035304.

165. Teichmann M., Lorbeer J., Ziberi B., et al. Pattern formation on Ge by low energy ion beam erosion // New Journal of Physics. - 2013. - Vol. 15. - №. 10. - P. 103029 (1-25). DOI: 10.1088/1367-2630/15/10/103029.

166. Kudriavtsev Y., Asomoza R., Hernandez A., et al. Nonlinear effects in low-energy ion sputtering of solids // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2020. - Vol. 38. - №. 5. P. 053203 (1-12). DOI:10.1116/6.0000262.

167. Littmark U., Hofer W.O. The influence of surface structures on sputtering: Angular distribution and yield from faceted surfaces // Journal of Materials Science. - 1978. - Vol. 13. - №. 12. - P. 2577-2586. DOI: 10.1007/BF00552687.

168. Jarvi T.T., Nordlund K. Sputtering of freestanding metal nanocrystals // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 2012. - Vol. 272. - P. 66-69. DOI: 10.1016/j.nimb.2011.01.034.

169. Иешкин А.Е., Толстогузов А.Б., Свяховский С.Е., и др. Экспериментальное наблюдение эффекта ограничения каскада столкновений при распылении пористого кремния // Письма в Журнал технической физики. - 2019. - Т. 45. - №. 2. - С. 39-42. DOI: 10.21883/PJTF.2019.02.47222.17563.

170. Nietiadi M.L., Sandoval L., Urbassek H.M., et al. Sputtering of Si nanospheres // Physical Review B. - 2014. - Vol. 90. - №. 4. - P. 045417 (1-9). DOI: 10.1103/PhysRevB.90.045417

171. Yun J.H., Park Y.C., Kim J., et al. Solution-processed germanium nanowire-positioned Schottky solar cells // Nanoscale research letters. - 2011. - Vol. 6. - №. 1. - P. 287 (1-5). DOI: 10.1186/1556-276X-6-287.

172. Donovan T.M., Spicer W.E., Bennett J.M., et al. Optical properties of amorphous germanium films // Physical Review B. - 1970. - Vol. 2. - №. 2. - P. 397-413. DOI: 10.1103/PhysRevB.2.397.

173. Liu H., Li S., Sun P., et al. Study on characterization method of optical constants of germanium thin films from absorption to transparent region // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2018. - Vol. 83. - P. 58-62. DOI: 10.1016/j.mssp.2018.04.019.

174. Bhatia K.L., Singh P., Singh M., et al. Optical study of MeV energy heavy ion-induced effects in crystalline germanium and silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 1994. - Vol. 94. - №. 4. - P. 379-387. DOI: 10.1016/0168-583X(94)95412-7.

175. Schicho S., Jaouad A., Sellmer C., et al. Black germanium produced by inductively coupled plasma etching //Materials Letters. - 2013. - Vol. 94. - P. 86-88. DOI: 10.1016/j.matlet.2012.12.014.

БЛАГОДАРНОСТИ

Автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю д.ф.-м.н., доценту Бачурину Владимиру Ивановичу за чуткое руководство, постоянное внимание, неоценимую помощь и поддержку в ходе подготовки диссертационного исследования. Автор выражает благодарность д.ф-м.н., профессору Рудому А.С. за неоспоримый вклад в теоретическую часть работы.

Автор благодарит к.ф-м.н., доцента Чурилова А.Б., к.ф-м.н. Лебедева М.Е., к.б.н. Пухова Д.Э., к.ф-м.н. Мазалецкого Л.А., к.ф-м.н. Журавлева И.В., за помощь в проведении экспериментов и конструктивные комментарии во время подготовки диссертации, к. ф-м.н. Симакина С.Г. за помощь в проведении послойного анализа методом вторичной ионной масс-спектрометри, к.ф-м.н. Румянцева А.В. и Подорожнего О.В. за помощь в получении изображений просвечивающей электронной микроскопии с использованием оборудования ЦКП «Диагностика и модификация микроструктур и нанообъектов», д.ф-м.н. Степанова А.Л. за помощь в проведении ионной имплантации и получении спектров оптического отражения. Автор выражает сердечную благодарность Смирновой Г.А. за заботу и моральную поддержку при написании диссертационной работы.

Автор благодарит всех соавторов научных работ за неоценимую помощь в проведении экспериментальных исследований и подготовке научных материалов.

Автор благодарит колектив базовой кафедры нанотехнологий в электронике и коллектив лабратории диагностики микро- и наноструктур за поддержку и участие в обсуждении результатов диссертационного исследования, Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» и его сотрудников за доступ к аналитическому и технологическому оборудованию и помощь в проведении экспериментов.

УТВЕРЖДАЮ

ФГБОУ ВО «Ярославский ственный университет & им- П.Г. Демидова»

А.В. Иванчин

ЧЩПУф" «18» июня 2025 г.

Шг.^

АКТ

об использовании результатов диссертационной работы Смирновой Марии Александровны

«Закономерности процессов распыления кремния и германия при различных углах падения фокусированного ионного пучка галлия»

Настоящим подтверждается, что результаты научных и практических работ, полученные Смирновой М.А. при подготовке диссертационной работы «Закономерности процессов распыления кремния и германия при различных углах падения фокусированного ионного пучка галлия», использовались при выполнении следующих проектов в молодежной лаборатории физики и электрохимии твердотельных источников тока на базе Центра коллективного пользования научным оборудованием «Дианостика микро- и наноструктур» ЯрГУ, проводимых в рамках государственного задания ЯрГУ:

1. № FENZ-2020-0006 «Исследование механизмов переноса заряда и контактных явлений в функциональных слоях тонкопленочных твердотельных литий-ионных аккумуляторов различных электрохимических систем» в 2020-2023 годах, № государственной регистрации АААА-А20-120030690013-7;

2. № РЕ^-2024-0005 «Разработка новых электродных материалов и исследование фундаментальных проблем переноса заряда и контактных явлений в функциональных слоях тонкопленочных литий-ионнных аккумуляторов», в 2024-2025 годах, № государственной регистрации 124020600055-9.

Начальник управления научных исследований и инноваций

канд. эконом, наук ____Дугин А.Н.

Руководитель молодежной лаборатории физики и электрохимии твердотельных источников тока

н.с., канд. физ.-мат. наук _^ _ Мазалецкий Л.А.