Электронные неустойчивости в соединениях переходных металлов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Пергамент, Александр Лионович

• Пергамент, Александр Лионович
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Пергамент, Александр Лионович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЭФФЕКТ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ.

1.1. Краткий обзор современного состояния исследований эффектов электронного переключения.

1.2. Методика эксперимента.

1.2.1. Получение опытных образцов.

1.2.2. Методики электрофизических и структурных исследований.

1.3. Экспериментальные результаты исследования эффекта переключения.

1.3.1. Закономерности переключения в структурах У-У02-металл.

1.3.2. Температурные зависимости пороговых параметров и фазовый состав каналов переключения MOM структур на основе оксидов переходных металлов.

1.3.3. Закономерности переключения в импульсном режиме.

1.3.4. Переключение в V02 в сильном электрическом поле.

1.4. Электронное управление переходом металл-изолятор при контролируемой инжекции носителей заряда.

1.5. Обсуждение результатов

2. ЭФФЕКТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ СОЕДИНЕНИЙ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ.

2.1. S- и N-образные вольт-амперные характеристики структур на основе полуторного оксида ванадия (VixCrx)203.

2.2. Переключение в сульфиде никеля NiS2-xSex.

2.3. Переключение в тиошпинели CuIr2S4xSex.

2.4. Электрические неустойчивости в ВТСП

3. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В КОМПОЗИТНЫХ ПОЛИМЕРОПОДОБНЫХ МАТЕРИАЛАХ НА ОСНОВЕ ПЕНТАОКСИДА ВАНАДИЯ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ.

3.1. Условия получения, строение и свойства пленок гидратированного пентаоксидаванадия

3.2. Экспериментальные результаты исследования электроформовки и переключения в сэндвич структурах на основе V2O5 геля.

3.3. Модификация электрических и оптических свойств V2O5 геля под влиянием внешних воздействий.

3.3.1. Термообработка на воздухе.

3.3.2. Термообработка в вакууме.

3.3.3. Обработка в СВЧ водородной плазме.

3.3.4. Электрополевая модификация. Внутренний электрохромныйэффект

4. ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ИЗОЛЯТОР И ЭФФЕКТ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ.

4.1. Анализ состояния вопроса о механизмах перехода металл-изолятор.

4.2. Механизмы перехода металл-изолятор в диоксиде ванадия.

4.2.1. Существующие модельные представления о переходе металл-изолятор в VO2.

4.2.2. Критерий Мотта и длина когерентности.

4.2.3. Модель перехода металл-изолятор в диоксиде ванадия.

4.3. Эффект переключения как фазовый переход металл-изолятор в электрическом поле.

5. ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

5.1. Основные направления практического использования результатов исследования.

5.2. Применение эффекта переключения в сенсорной технике.

5.3. Электронно-лучевая модификация оксидов переходных металлов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные неустойчивости в соединениях переходных металлов»

Соединения переходных металлов (оксиды, сульфиды, халькогениды и др.) представляют значительный интерес для научных исследований и являются перспективными материалами с точки зрения их использования в различных областях техники, что связано с их разнообразными, подчас уникальными, свойствами [1-10]. Переходные металлы, проявляя переменную валентность, образуют, например, в соединениях с кислородом, как правило, целый ряд оксидов, обладающих широким спектром физических свойств. Эти вещества могут находиться как в металлическом, так и в неметаллическом состояниях [710]. Так, аморфные слои ТагС^ и №>205 являются превосходными диэлектриками и используются в оксидных конденсаторах [11]. Низшие оксиды И, Мо, 1МЬ проявляют металлические свойства, а при легировании могут быть даже сверхпроводниками [7]. Одними из выразительных свойств соединений переходных металлов являются электронные неустойчивости, такие как фазовый переход металл-изолятор (ПМИ) [1-7] и эффект электрического переключения [12-14].

Переключение было первоначально обнаружено и исследовано в аморфных (халькогенидных стеклообразных) полупроводниках [15-22], в которых наблюдаются эффекты отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) с 8-образной вольт-амперной характеристикой (иногда после предварительного процесса термоэлектрического нагружения - так называемой «электрической формовки»). Явление переключения связано с развитием токовых неустойчивостей в сильных электрических полях, приводящих к появлению на ВАХ участков с ОДС.

В физике соединений переходных металлов электронные неустойчивости связаны со спецификой поведения ё-электронов. Малая пространственная протяжённость волновых функций (¿-электронов приводит к образованию узких зон, а поведение электронов в таких зонах характеризуется сильными межэлектронными корреляциями. Именно электронно-корреляционными эффектами объясняют во многих случаях механизм ПМИ: один из широко известных примеров - это переход Мотта-Хаббарда [1].

Таким образом, проблема изучения электронных неустойчивостей в соединениях переходных металлов находится на стыке различных актуальных областей физики конденсированного состояния [23] - физики сильно коррелированных систем, нелинейных явлений, фазовых переходов.

Наряду с научным интересом к явлениям переключения и ИМИ [2,16,2237], они представляют и значительный практический интерес, обусловленный возможностью разработки на их основе целого ряда электронных устройств [4,15,38-40]. В этой связи, соединения переходных металлов, проявляющие эффекты электронных неустойчивостей, должны занять свое достойное место в ряду новых материалов, определяющих перспективы развития современной электронной техники, таких как, например, аморфные полупроводники [15], органические, в частности, полимерные материалы [39], сверхпроводники (включая ВТСП) [7,24,26], фуллерены и нанотрубки [40].

По сравнению с хорошо изученными в части электрического переключения халькогенидными стеклообразными полупроводниками (ХСП), в соединениях переходных металлов переключение исследовано недостаточно. Вместе с тем, поскольку в данных соединениях наблюдаются переходы металл-изолятор, в отличие от ХСП, в которых ПМИ отсутствует, но, тем не менее, привлекается для объяснения переключения [21,22], можно полагать, что модельные представления, которые развиваются на основе исследования электронных неустойчивостей в соединениях переходных металлов, будут иметь достаточно общий характер. В этом смысле соединения переходных металлов могут рассматриваться как модельный объект в физике электронных неустойчивостей конденсированных систем.

В настоящее время установившихся общепринятых представлений об электронных неустойчивостях в соединениях переходных металлов нет. Так, даже в физике наиболее изученного в плане ПМИ диоксида ванадия отсутствует согласие относительно инициирующего переход фактора [1,2,4,5,28-37]. С одной стороны, в монокристаллах УОг, где ПМИ происходит при температуре Т(=340 К и является фазовым переходом первого рода, высокотемпературная металлическая фаза имеет тетрагональную структуру рутила, в которой каждый атом ванадия расположен в центре кислородного октаэдра, а ниже температуры

Т\ происходит изменение симметрии решётки - переход от тетрагональной к моноклинной сингонии. Отличительной чертой моноклинной фазы является спаривание атомов ванадия вдоль одной из кристаллографических осей. Такое искажение решётки можно рассматривать как удвоение размера элементарной ячейки [4], что дает основание некоторым исследователям трактовать ПМИ в У02 как структурную неустойчивость типа перехода Пайерлса. С другой стороны, как в высокотемпературной, так и в низкотемпературной фазах сильны электронные корреляции [28-37], которые играют важную роль в формировании электронной структуры материала так, что определяющим может являться механизм ПМИ, отвечающий модели Мотта. Таким образом, проблема ПМИ в соединениях переходных металлов нуждается в дальнейших исследованиях.

Как и ПМИ, эффект переключения проявляется в переходе соединения из состояния с низкой электропроводностью в высокопроводящее состояние. Центральная идея данной работы состоит во взаимосвязи между переходом металл-изолятор и электронным переключением в соединениях переходных металлов. Развитие этой идеи связано с изучением ПМИ в неравновесных условиях, в том числе, в сильных электрических полях и в условиях генерации неравновесных носителей заряда, а её аргументация возможна на основе разностороннего исследования широкого круга разнообразных, представительных по составу и структуре материалов данного класса.

Цель работы заключалась в установлении общих закономерностей явлений электронных неустойчивостей в широком круге соединений переходных металлов и в развитии адекватных им модельных представлений.

В задачи работы входило:

1) разработка и реализация экспериментальных методик, необходимых для установления закономерностей и механизмов эффекта переключения;

2) экспериментальное установление основных закономерностей процессов переключения в аморфных пленках и кристаллах соединений переходных металлов, а также в композитном полимероподобном материале на основе гидратированного пентаоксида ванадия (У205-геле);

3) изучение ПМИ в исследуемых материалах в условиях сильного электрического поля и контролируемой инжекции электронов;

4) разработка модельных представлений о механизмах явлений электронных неустойчивостей в соединениях переходных металлов;

5) практические приложения результатов исследования.

Научная новизна результатов исследования заключается в следующем. В отличие от предшествующих работ по электронным неустойчивостям в соединениях переходных металлов, где изучались отдельные оксиды в узком диапазоне изменения внешних условий, в настоящей работе проблема изучается на широком круге объектов, представительных по своему строению и свойствам для всего класса соединений переходных металлов, в различных и широко изменяющихся внешних условиях, в том числе при низких температурах в сочетании с сильными электрическими полями, а также при контролируемой электронной инжекции. Это позволило выявить целый ряд новых закономерностей в изучаемом классе материалов, а также разработать и обосновать модельные представления о механизмах электронных неустойчивостей в них. К числу новых установленных закономерностей относятся:

- наличие эффекта переключения в широком классе аморфных, кристаллических и композитных материалов на основе соединений переходных металлов, в целом ряде которых, а именно - в аморфных оксидах Ре, Ъх, Мо, Щ Мп и У, в кристаллических Си1г284:8е, №82:8е и У203:Сг - переключение обнаружено впервые;

- вольт-амперные характеристики различного типа в разных соединениях: 8-типа (в оксидах V, ТЧ, Бе, №>, Мо, Ш, Та, в Си1г284:8е и в У205-геле), № типа (в оксидах Ът, Мп, У и в №82:8е) и с комбинированным «8-1Ч» переключением (в У203:Сг);

- стремление порогового напряжения переключения к нулю при температуре Т\ь соответствующей температуре фазового перехода металл-изолятор Т{;

- наличие времени задержки при работе сэндвич-структур на основе соединений переходных металлов в импульсном режиме, которое стремится к бесконечности, когда амплитуда импульса приближается к статическому пороговому напряжению и экспоненциально уменьшается с ростом напряжения;

- переключение V02 в металлическое состояние при управляемой инжекции электронов, когда концентрация носителей заряда достигает значений, соответствующих по порядку величины концентрации электронов, отвечающей переходу металл-изолятор в модели Мотга;

- наличие эффекта переключения в диоксиде ванадия при низких температурах в сильных электрических полях, когда температура в канале переключения не достигает температуры перехода Tt, а концентрация носителей заряда соответствует этому переходу;

- уменьшение критической концентрации, соответствующей переключению, с ростом напряженности электрического поля;

- изменения оптических и электрических свойств гидратированного пентаоксида ванадия, которые могут быть охарактеризованы как внутренний электрохромный эффект.

Разработана и обоснована модель механизма переключения в соединениях переходных металлов, основанная на представлениях о том, что переключение обусловлено переходом металл-изолятор, индуцированном электронными эффектами в сильном электрическом поле, которая описывает экспериментально установленные в работе закономерности. Из критерия Мотга для перехода металл-изолятор получено выражение для корреляционной длины, позволяющее оценить эту величину для диоксида ванадия. Полученные значения - 15-20 Ä вблизи перехода и 1-2 Ä в диэлектрическом состоянии - подтверждают ведущую роль электронно-корреляционных эффектов в ПМИ в V02.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1) Для развития представлений о природе характерных для соединений переходных металлов физических процессов, ответственных за электронные неустойчивости в них, необходимо расширение как круга изучаемых объектов, включая в него представительные по своему строению и свойствам для этого класса материалы, так и условий эксперимента, в том числе определение закономерностей нелинейных явлений при низких температурах в сочетании с сильными электрическими полями, а также при контролируемой электронной инжекции с использованием определенных экспериментальных методик.

2) В тонких пленках высших оксидов V, Ti, Fe, Nb, Mo, W, Hf, и Та после предварительного термоэлектрического нагружения (электрической формовки) в сэндвич-структурах имеет место пороговое переключение с S-образной вольт-амперной характеристикой, а в оксидах Zr, Мп и Y - с N-образной ВАХ. При электрической формовке в пленках происходят электрохимические процессы, приводящие к образованию кристаллических каналов, состоящих из низших оксидов в структурах на основе V, Fe, Ti, Nb и W радиусом от 1 до 10 мкм. В других исследованных оксидах при электрической формовке также происходит образование каналов переключения, характеризующихся повышенной проводимостью.

3) Механизм переключения в тонких пленках оксидов переходных металлов связан с переходом металл-изолятор типа перехода Мотта в каналах переключения, что подтверждается наличием эффекта при достижении концентрации носителей заряда, соответствующей критической концентрации в модели Мотта.

4) В сильных электрических полях (~106 В/см) происходит увеличение концентрации носителей заряда в каналах переключения до критических значений, соответствующих ПМИ Мотта, при температурах меньших температуры перехода (например, в V02 при T<Tt=340 К). С увеличением напряженности электрического поля имеет место уменьшение критической концентрации носителей заряда, при которой происходит ПМИ и, соответственно, переключение, что обусловлено исчезновением связанных электронных состояний.

5) Выражение для корреляционной длины полученное из критерия Мотта для перехода металл-изолятор, совпадает по форме с выражением для длины когерентности в теории сверхпроводимости, а оценки величины £ для диоксида ванадия при переходе его в металлическое состояние (15-20 А) и в диэлектрическом состоянии (1-2 А) подтверждают ведущую роль электронно-корреляционных эффектов в ПМИ.

6) Монокристаллы V203:Cr, NiS2:Se и CuIr2S4:Se и сэндвич структуры на основе композитного полимероподобного материала (ксерогеля V205) обнаруживают переключение с ВАХ как S- так и N-типа, которые обусловлены переходами металл-изолятор в (У1-хСгх)203 с х=0,012, в №82х8ех с х=0,45, в Си1г284х8ех с х=0,10-0,55 и в У02-канале, образующемся в пленке У205хпН20 при электроформовке, соответственно. Изменения оптических и электрических свойств пленок У2С>5хпН20, наблюдающиеся при напряжениях ниже напряжения электроформовки, обусловлены перераспределением протонов внутри образца и могут быть охарактеризованы как внутренний электрохромный эффект.

7) При электронно-лучевом воздействии происходит модификация физико-химических свойств аморфных пленок оксидов переходных металлов, что может быть использовано как для создания новых неорганических резистов с высокой л чувствительностью (10-100 мкКл/см ) и высоким разрешением (< 100 нм), так и для нанолитографии непосредственно по оксиду ванадия. Низкая пороговая доза облучения может быть связана с электронным возбуждением перехода металл-изолятор в У02. В сочетании с открывающимися подходами к разработке миниатюрных, быстродействующих электронных переключательных устройств и чувствительных элементов датчиков на основе соединений переходных металлов, использование указанного эффекта перспективно в плане развития интегральной электроники.

Из совокупности сформулированных положений следует, что в диссертации решена крупная научно-техническая проблема физики конденсированного состояния, имеющая важное хозяйственное значение — установлены закономерности и развиты модельные представления о механизмах переключения и фазового перехода металл-изолятор в сильно коррелированных системах, каковыми являются соединения переходных металлов, что вносит существенный вклад в физику таких систем и открывает новые подходы к разработке научных основ практических приложений материалов, проявляющих электронные неустойчивости.

Теоретическая значимость работы определяется тем, что полученные в ней результаты дают обширный экспериментальный материал для развития представлений о физических механизмах явлений электронного переключения и фазового перехода металл-изолятор в соединениях переходных металлов, а также имеют большое значение для разработки теоретических основ конструирования и технологии изготовления электронных устройств на основе данных материалов.

Модельные представления, разработанные для интерпретации экспериментальных результатов исследования эффекта переключения в соединениях переходных металлов, могут иметь приложение в физике электронных неустойчивостей в материалах других классов.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные в ней результаты составляют научную базу для создания электронных переключательных устройств на основе соединений переходных металлов с ВАХ Б- и ТЧ-типа и чувствительных элементов сенсорных систем, характеризуемых малыми размерами, высоким быстродействием, низкой пороговой мощностью и совместимостью с современной интегральной технологией. Наличие у таких устройств необходимых функциональных свойств подтверждено на опытных образцах, в частности, на созданных макетных устройствах электронных переключателей и датчиков температуры, превосходящих по основным параметрам существующие аналоги.

Показано что в трёхэлектродных структурах Б^Юг-УОг, созданных и использо-ванных в работе для изучения электронного управления переходом металл-изолятор при лавинной инжекции, имеют место эффекты транзисторного и тиристорного типа.

Обнаруженный в работе внутренний электрохромный эффект в композитном материале - ксерогеле У205ХпН20 - позволяет реализовать безэлектролитные электрохромные индикаторы.

Показана возможность модификации свойств оксидов переходных металлов при электронно-лучевом воздействии, на основе чего предложены физические принципы тех-нологии изготовления высокочувствительных резистов для нанолитографии, а также нано-приборов с переключением и электронным управлением переходом металл-изолятор.

Результаты работы могут быть использованы в учебном процессе при подготовке студентов и аспирантов в области физики конденсированного состояния. В настоящее время они используются в преподавании дисциплин «Коллективные эффекты в твердых телах и плазме» и «Физические основы получения информации», в лабораторном практикуме «Физическое материаловедение» для студентов 3-6 курсов Физико-технического факультета ПетрГУ, при подготовке магистров по направлению «Физика конденсированного состояния» в РГПУ им. А. И. Герцена, а также при выполнении студентами курсовых и дипломных работ, а магистрантами и аспирантами -диссертационных работ.

Достоверность и обоснованность полученных результатов и выводов обеспечивались выбором в качестве объектов исследования широкого круга разнообразных соединений переходных металлов, комплексным характером исследования, адекватностью экспериментальных методик поставленным задачам, воспроизводимостью результатов измерений, использованием для интерпретации экспериментальных результатов современных модельных представлений, а также сопоставлением с имеющимися литературными данными по проблеме исследования.

Личный вклад автора. Диссертация является обобщением результатов исследований, выполненных автором в 1985-2007 гг. В совместных с сотрудниками работах автору принадлежит постановка задачи, проведение большинства экспериментов, разработка теоретических моделей механизмов переключения в соединениях переходных металлов и перехода металл-изолятор в диоксиде ванадия, обобщение полученных результатов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были доложены на семинарах в ПетрГУ (Петрозаводск), ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и РГПУ им. А. И. Герцена (Санкт-Петербург), а также на следующих конференциях:

- II и III Всесоюзные и IV Всероссийская конференция "Физика окисных плёнок" (г. Петрозаводск, 1987, 1991 и 1994 г.); Международная научно-техническая конференция "Электронная релаксация и кинетические явления в твёрдых телах" (г. Сочи, 1991 г.); International Conference "Fullerenes and Atomic Clusters" (S-Petersburg, Russia, 1993); International Symposium on Advanced Materials for Optics and Optoelectronics (Prague, Czechia, 1995); Международная научно-техническая конференция по физике твердых диэлектриков «Диэлектрики-97» (СПбГТУ, Санкт-Петербург, 1997) и 9-я Международная конференция "Физика диэлектриков ДЭ-2000" (Санкт-Петербург, РГПУ им. А.

И. Герцена, 2000); International conference on solid state crystals (Poland, Warsaw, 1998); 7th Nordic Conference in Laser Processing of Materials, (Lappeenranta, Finland, 1999); 7 Международная конференция "Физика и технология тонких пленок" (Ивано-Франковск, Украина, 1999); II, III, IV и V Международные конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2000, 2002, 2004 и 2006 г.); Всероссийские научные конференции «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2001 и ФНТП-2004 (Петрозаводск, 2001 и 2004); Всероссийская научная конференция «Физика полупроводников и полуметаллов ФПП-2002» (Санкт-Петербург, РГПУ им. А. И. Герцена, 2002); I, II и III Всероссийские конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (ФАГРАН) (Воронеж, 2002, 2004 и 2006); 5th International Conference on Solid State Chemistry - SSC 2002 (Bratislava, Slovakia, 2002); XXXVII annual conference of the Finnish Physical Society (2003, Helsinki, Finland); Международный симпозиум «Тонкие xU пленки в оптике и электронике» (Харьков, Украина, 2003); 20 General tli

Conference of Condensed Matter Division EPS (Prague, Czechia, 2004); 13 Int. Congress on Thin Films, 8th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures ICTF 13/ACSIN 8 (Stockholm, Sweden, 2005); Int. Conf. on Strongly Coupled Coulomb Systems SCCS-2005 (Moscow, Russia, 2005); Восьмой международной симпозиум "TEXHOMAT & ИНФОТЕЛ 2006, Материалы, Методы и Технологии" (Болгария, Солнечный Берег, 2006); XXXIV совещание по физике низких температур НТ-34 (Ростов-на-Дону, 2006); 10-я Международная научная конференция "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" ПЭМ-2006 (Таганрог, 2006).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 72 печатных работы, из них 40 статей в российских и международных рецензируемых журналах, 1 монография и 1 глава в коллективной монографии.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Полный объем составляет 302 страницы, в том числе 134 рисунка, 7 таблиц и список литературы (303 ссылки) на 29 страницах.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Пергамент, Александр Лионович

Основные результаты и общие выводы работы состоят в следующем:

1. С использованием специально разработанных оригинальных экспериментальных методик (включая методики низкотемпературных измерений пороговых параметров, лавинной инжекции электронов из кремния в изучаемые материалы) проведены систематические исследования эффектов электронных неустойчив остей в представительных по своей структуре и свойствам для всего класса соединений переходных металлов материалах: аморфных пленках оксидов Т1, V, Мп, Ре, У, Хг, №>, Мо, Щ Та, монокристаллах У203:Сг, №82:8е и Си1г284:8е; поликристаллических материалах - ВТСП керамиках и пленках; в композитном полимероподобном материале - ксерогеле У205хпН20, а также в природном углеродосодержащем материале (шунгите).

2. Установлено, что в высших оксидах V, Т1, Бе, N1), Мо, НТ, и Та после их электрической формовки в сэндвич-структурах наблюдается пороговое переключение с 8-образной вольт-амперной характеристикой, а 7х, Мп и У - с № образной ВАХ. Обнаружено, что пороговое напряжение обращается в нуль при определённой температуре, совпадающей с температурой ПМИ в У02, Т1203, МЮ2, Бе304 и \\Ю3Х для соответствующих соединений. На основе этих результатов, в совокупности с данными структурных исследований с использованием микроскопических и дифракционных методов, показано, что в процессе электрической формовки происходят электротермические (электрохимические) процессы, приводящие к образованию кристаллических каналов, состоящих из низших оксидов, радиусом от 1 до 10 мкм.

3. Разработана методика и созданы модельные образцы для определения возможности и результатов электронного управления переходом металл-изолятор в У02. Показана возможность такого управления посредством лавинной инжекции электронов, которая осуществлялась при приложении линейно изменяющегося напряжения к структуре р-81-8Ю2-У02. Получена верхняя оценка концентрации

18 3 инжектированных носителей, инициирующих ПМИ, составляющая 5,6-10 см", что по порядку величины соответствует моттовской критической концентрации для V02 и концентрации электронов в V02 в неметаллическом состоянии

18 19 3 непосредственно перед ПМИ (10 - 10 см").

4. Посредством математического моделирования на основе совместного решения уравнений теплопроводности и непрерывности тока определены распределения температуры, напряженности электрического поля и плотности тока в канале переключения. Показано, что в относительно слабых полях (<105 В/см) при не слишком низких температурах окружающей среды температура в канале может достигать значений, соответствующих температуре ПМИ в кристаллическом V02 Tt=340 К. При низких температурах (до 10 К) в сильном электрическом поле (до 105 - 10б В/см), отвечающих условиям эксперимента, температура канала, при которой происходит переключение, не достигает величины Tt. При этом, однако, концентрация носителей заряда, восстановленная из полученных распределений напряженности поля и тока, отвечает моттовской критической концентрации для V02 и с увеличением напряженности поля уменьшается. Последнее связано с тем, что условием переключения здесь является достижение критического значения напряженности поля, при котором исчезают связанные состояния, т.е. происходит делокализация электронов.

5. Обнаружен эффект переключения в монокристаллах V203:Cr, NiS2:Se и CuIr2S4:Se, ВТСП керамиках, в сэндвич структурах на основе ксерогеля V205xnH20, а также в шунгите (углеродном материале, содержащем фуллерены). Установлено, что в NiS2:Se имеет место эффект ОД С N-типа, в CuIr2S4:Se, У205-геле, ВТСП и шунгите - S-типа, а в V203:Cr происходит переключение последовательно с S- и N-ОДС. Закономерности этих явлений аналогичны закономерностям, наблюдаемым в аморфных пленках оксидов переходных металлов. Кроме того, обнаружено, что в пленках гидратированного пентаоксида ванадия, полученного золь-гель методом, происходит модификация электрических и оптических свойств (увеличение проводимости, сдвиг края собственного поглощения в сторону больших длин волн, уменьшение поглощения в длинноволновой области спектра) при катодной поляризации, связанная с электромиграцией ионов водорода. Обнаруженный эффект изменения оптических свойств характеризуется как внутренний электрохромный эффект (без участия электролита).

6. Вся совокупность экспериментальных результатов интерпретирована с единых позиций ПМИ типа перехода Мотта, индуцированного электронными эффектами. В относительно слабых полях (<105 В/см) эффект переключения описывается как ПМИ возникающий в результате джоулевого нагрева канала (модель «критической температуры»). В сильном электрическом поле имеют место отклонения от электротермического механизма, связанные с влиянием электронных эффектов на ПМИ, и переключение здесь связано с ростом концентрации носителей заряда в сильных электрических полях до критических значений, соответствующих мотговскому переходу.

7. Из критерия Мотта для перехода металл-изолятор получено выражение для корреляционной длины отвечающей кулоновскому взаимодействию между электронами и положительно заряженными центрами металла. Полученное соотношение использовано для вычисления £ в диоксиде ванадия. Показано, что для У02 вблизи ПМИ Ъ, составляет 15-20 А. Перестройка электронного спектра при переходе диоксида ванадия в неметаллическое состояние приводит к уменьшению до значений 1-2 А, что соответствует локализации электронов на атомах ванадия.

8. Разработаны подходы к созданию электронных переключательных устройств и чувствительных элементов датчиков различных величин (в частности, температуры, давления, механических напряжений), характеризуемых малыми размерами, высоким быстродействием, низкой пороговой мощностью и совместимостью с современной интегральной технологией, основанные на использовании явлений электронных неустойчивостей в соединениях переходных металлов. Показана возможность реализации эффектов тиристорного и транзисторного типа при электронном управлении переходом металл-изолятор в условиях лавинной инжекции электронов в трёхэлектродных структурах 8ь8Ю2-У02.

9. Обнаружен эффект модификации свойств оксидов переходных металлов при электронно-лучевом воздействии. Показаны возможности использования аморфных пленок оксида ванадия в качестве высокочувствительного неорганического резиста для нанолитографии. Установленная в работе низкая пороговая доза облучения гу

10 мкКл/см ) может быть связана с электронным возбуждением перехода металл-изолятор в У02.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Пергамент, Александр Лионович, 2007 год

1. Мотт Н. Ф. Переходы металл-изолятор, М.: Наука, 1977. 344 с.

2. Imada М., Fujimori A., Tokura Y. "Metal-Insulator Transitions" Rev. Mod. Phys. 1998, v.70, n.4, p. 1059-1263.

3. Edwards P. P., Ramakrishnan Т. V., Rao C. N. "The metal-nonmetal transitions: A global perspectives" J. Phys. Chem. 1995, v.99, p.5228-5239.

4. Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. JL: Наука, 1979. 183 с.

5. Зайцев Р. О., Кузьмин Е. В., Овчинников С. Г. «Основные представления о переходах металл-изолятор в соединениях 3d-nepexo,HHbix металлов» УФН, 1986, т. 148, N4, с.603-636.

6. Лосева Г. В., Овчинников С. Г., Петраковский Г. А. Переход металл-диэлектрик в сульфидах 3d-Memamoe. Новосибирск: Наука, 1983. 144 с.

7. Сох P. A. Transition Metal Oxides. An Introduction to their Electronic Structure and Properties, Oxford: Clarendon Press, 1992.

8. Физико-химические свойства окислов. Справочник. Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1978, 471 с.

9. Rao С. N. R. "Transition metal oxides" Аппи. Rev. Phys. Chem. 1989, v.40, p.291-326.

10. Rao C. N. R., Raveau B. Transition Metal Oxides: Structure, Properties and Synthesis of Ceramics Oxedes, New-York: Wiley VCH, 1998 - 873 p.

11. П.Ханин С. Д. "Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков" Обзоры по электронной технике. Сер.5. М.: ЦНИИ "Электроника", 1990, вып. 1(1524). 58 с.

12. Chopra К. L. "Avalanche-induced negative resistance in thin oxide films" J. Appl. Phys. 1965, v.36, p.184-187.

13. Меден А., Шо M. Физика и применение аморфных полупроводников. M.: Мир, 1991, -670 с.

14. Костылев С. А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1978. 203 с.

15. Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1999. 264с. (1-е изд. - М.: Сов. Радио, 1980).

16. МОТТ Н. Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. -в 2-х т. М.: Мир, 1982. 663 с.

17. Сандомирский В. Б., Суханов А. А. "Явления электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках" Зарубежная радиоэлектроника, 1976, N 9, с. 68-101.

18. Adler D., Shur M. S., Silver M., Ovshinsky S. R. "Threshold switching in chalcogenide glass thin films". J. Appl. Phys. 1980, v.51, n.6, p.3289.

19. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. Цэндина К. Д., СПб Наука, 1996, 483 с.

20. Цэндин К. Д., Лебедев Э. А., Шмелькин А. Б. «Неустойчивости с S- и N-образными вольт-амперными характеристиками и фазовые переходы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и полимерах» ФТТ, 2005, Т.47, в.З, с.427-432.

21. Гинзбург В. JÏ. «О некоторых успехах физики и астрономии за последние три года» УФН, 2002, т.172, в.2, с.213-219.

22. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости (под ред. Гинзбурга В. Л. и Киржница Д. А.), М.: Наука, 1977. 400 с.

23. Haghiri-Gosnet А.-М., Renard J.-P. "CMR manganites: physics, thin films and devices" J. Phys. D: Appl. Phys. 2003, v.36, n.8, p. R127-R150

24. Белявский В. И., Копаев Ю. В. «Обобщающий взгляд на природу высокотемпературной сверхпроводимости» УФН, 2004, т. 174, в.4, с.457-465.

25. Гантмахер В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах М.: Физматлит, 2003. -176 с.

26. Wentzcovitch R. М., Schultz W. W., Allen Р. В. "V02: Peierls or Mott-Hubbard? A view from band theory" Phys. Rev. Lett. 1994, v.72, p.3389.

27. Biermann S., Poteryaev A., Lichtenstein A. I., Georges A. "Dynamical singlets and correlation-assisted Perierls transition in V02" Phys. Rev. Lett., 2005, v.94, p.026404-026407.

28. Liebsch A., Ishida H., Bihlmayer G. "Coulomb correlations and orbital polarization in the metal insulator transition of V02" Phys. Rev. B, 2005, v.71, p.085109-085114.

29. Стефанович Г. Б. «Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов»: Дисс. докт. физ.-мат. наук. // Санкт-Петербург, 1997.-360 с.

30. Cavalleri A., Toth С., Siders С. W., Squier J. A., Raksi F., Forget P., Kieffer J. C. "Femtosecond structural dynamics in V02 during an ultrafast solid-solid phase transition" Phys. Rev. Lett. 2001, v.87, p.237401.

31. Continenza A., Massidd S., Posternak M. "Self-energy corrections in V02 within a model GWscheme" Phys. Rev. В 1999, v.60, n.23, p. 15699-15704.

32. Guelfucci M. F. "Electronic calculations on rutile V02 by the LMTO-ASA method" J. Phys. Chem. Solids 2001, v.62, n.ll, p. 1961-1966.

33. Шадрин E. Б., Ильинский А. В. «О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия» Ф7Т2000, т.42, N 6, с. 1092-1099.

34. Ильинский А. В., Климов В. А., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б. «Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл», Изв. РГПУ Физика, 2006, № 6(15), с. 100-119.

35. Forrest S. R. "Organic-inorganic semiconductor devices and 3, 4, 9, 10 perylenetetra-carboxylicdianhydrid: an early history of organic electronics" J. Phys. Condens. Matter, 2003, v.15, n.38, p.S2599-S2610.

36. Tsukagoshi K., Yoneya N., Uryu S., Aoyagi Y., Kanada A., Ootuka Y., Alphenaar B. W. "Carbon nanotube devices for nanoelectronics" Physica B, 2002, v.323, n.1-4, p.107-114.

37. Meixner M., Rodin P., Scholl E., Wacker A. "Lateral current density fronts in globally coupled bistable semiconductors with S- or Z-shaped current voltage characteristics " Eur. Phys. J. B, 2000, v.13, p.157-168.

38. Ray A. K., Hogarth C. A. "A critical review of the observed electrical properties of MIM devices showing VCNR"J«i. J. Electronics, 1984, v.51, n.l, p. 1-78;

39. Pagnia H. "Prospects for metal/non-metal microsystems: sensors, sourses, and switches" Int. J. Electronics 1992, v.72, n.5, p.819-825.

40. Рожков В. А., Свердлов A. M. "Эффекты отрицательного сопротивления, переключения и генерации в МОП структурах с плёнками оксидов редкоземельных элементов" Письма вЖТФ, 1981, т.7, в.6, с.335-339.

41. Fors R., Khartsev S. I., Grishin A. M. "Giant resistance switching in metal-insulator-manganite junctions: Evidence for Mott transition" Phys. Rev. B, 2005, v.71, p.045305-045315.

42. Tang W. H., Каш T. L., Li L. H., Gao J. "Switching phenomena in Ьа^Са^МпОз/ ЕигСиО^аг/зСа^МпОз ramp-type junctions" J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v. 16, p.3133-3138.

43. Хирный В. Ф., Козловский А. А. «Нелинейные эффекты и доменная неустойчивость в оксидной керамике» УФН2003, т.173, в.6, с.679-685.

44. Tulina N. A., Ionov А. М., Chaika А. М. "Reversible electrical switching at the Bi2Sr2CaCu208+y surface in the normal metal- Bi2Sr2CaCu208+y single crystal heterojunction" Physica C, 2001, v.366, p.23-30.

45. Thurstans R. E., Oxley D. P. "The electroformed metal-insulator-metal structure: a comprehensive model" J. Phys. D: Appl. Phys. 2002, v.35, n.8, p.802-809.

46. Zhou X., Chen H., Zhong-can O.-Y. "Can electric field induced energy gaps in metallic carbon nanotubes?", J. Phys.: Condens. Matter 2001, v.13, p.L635-L640.

47. Owen A. E., Le Comber P. G., Hajto J., Rose M. J., Snell A. J. "Switching in amorphous devices". Int. J. Electronics 1992 v.73, n.5, p.897-906.

48. Walsh P. J., Hall J. E., Nicolaides R. et al. "Experimental results in amorphous semiconductors switching behaviour". J. Non-Cryst. Solids, 1970, v.2, p. 107-124.

49. Morgan D. V., Howes M. J., Pollard R. D., Waters D. G. P. "Electroforming and dielectric breakdown in thin aluminium oxide films" Thin Solid Films 1973, v.15, p.123-131.

50. Сандомирский В. Б., Суханов А. А., Ждан А. Г. "Феноменологическая теория концентрационной неустойчивости в полупроводниках" ЖЭТФ 1970, т.58, в.5, с.1683-1694.

51. Чабан И. А. «Эффект переключения в халькогенидных стеклах» ФТТ 2007, т.49, в.З, с.405-410.

52. Vezzoli G. С., Walsh P. J., Shoga М. A. "Interpretation of recent transient on-state data in thin chalcogenide glass and Nb02 threshold switching material" Phil. Mag. В 1991, v.63, n.3, p.739-755.

53. Hickmott T. W., Hiatt W. R. "Electrode effects and bistable switching of amorphous Nb205 diodes" Solid-State Electronics, 1970, v.13, n.7 , p.1033-1038.

54. Lalevic В., Fuschillo N., Slusark W. "Switching in Nb-Nb205-Nb devices with doped Nb205 amorphous films" IEEE Trans. Electron. Dev. 1975, v.ED-22, p.965-967.

55. Vezzoli G. C. "Recovery curve for threshold-switching Nb02" J. Appl. Phys. 1979, v.50, p.6390-6395.

56. Shin S. H., Halperin T., Raccah P. M. "High-speed high-current field switching of Nb02" J. Appl. Phys. 1977, v.48, p.3150-3153.

57. Morris R. С., Christopher J. Е., Coleman R. V. "Conduction phenomena in thin layers of iron oxide" Phys. Rev. 1969, v. 184, n.2, p.565-570.

58. Fuschillo N., Lalevic В., Leung B. "High-field transport in NiO and Nii^Li^O thin films" Solid-State Electronics, 1976, v.19, n.3, p.209-219.

59. Beck A., Bednorz J. G., Gerber C., Rossel C., Widmer D. "Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications" Appl. Phys. Lett. 2000, v.77, n.l, p.139-141.

60. Nadkarni G. S., Shirodkar V. S. "Experiment and theory for switching in A1/V205/A1 devices" Thin Solid Films 1983, v.105, p.l 15-129.

61. Herrell D. J., Park К. C. "The electrical properties of bistable niobium pentoxide films" J. Non-Crystalline Solids 1972, v.8-10, p.449-454.

62. Park К. C., Basavaiah S. "Switching in Zr-Zr02-Au". J. Non-Crystalline Solids 1970, v.2, p.274-279.

63. Jouve G. "Electrical conduction mechanisms in electrochemically formed amorphous films of Nb205" Phil. Mag. B, 1991, v.64, n.2, p.207-215.

64. Loser W., Mattheck C., Haubenreisser W. "Influence of the intrinsic termistor effect in V02 coplanar switching devices" Phys. Status Solidi (a), 1974, v.21, N2, p.487-496.

65. Jankowski B. "Preparation and electrical properties of Ti-Ti02-metal thin film structures" Thin Solid Films, 1976, v.34, n.l, p.69-72.

66. Юнг Л. Анодные окисные плёнки. Л.: Энергия, 1967. 232 с.

67. Грилихес С. Я., Тихонов К. И. Электролитические и химические покрытия: теория и практика. Л.: Химия, 1990. 288 с.

68. Пергамент А. Л. "Эффект переключения в оксидах переходных металлов": Дисс. канд. физ.-мат. наук // Петрозаводск, 1994. 212с.

69. Мирзоев Р. А., Давыдов А. Д. Диэлектрические анодные плёнки на металлах: Итоги науки и техники. Коррозия и защита от коррозии. М.: ВИНИТИ, 1990, т. 16, с.89-143.

70. Одынец Л. Л., Орлов В. М. Анодные оксидные плёнки. Л: Наука, 1990. 200 с.

71. Аверьянов Е. Е. Справочник по анодированию. М: Машиностроение, 1988.- 224 с.

72. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов М.: Мир. - 1975. - 396 с.

73. Фетгер К. Электрохимическая кинетика. М.: Химия, 1967. 856 с.

74. Малиненко В. П., Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. «Фазовый переход металл-полупроводник в структурно разупорядоченном VO2». Письма в ЖТФ 1983, т.9, в.12, с.754-756.

75. Mackintosh W. D., Plattner H. H. "The anodic oxidation of vanadium: Transport numbers of metal and oxygen and the metal/oxygen ratio in the oxide film" J. Electrochem. Soc. 1976, v.123, n.4, p.523-527.

76. Lewis M. В., Perkins R. A. "The source of oxygen in the anodization of vanadium" J. Electrochem. Soc. 1979, v. 126, n.4, p.544-547.

77. Keil R. G., Solomon R. E. "Anodization of vanadium in acetic acid solutions" J. Electrochem. Soc. 1968, v.115, n.6, p.628-633.

78. Hornkjol S., Hornkjol I. M., "Anodic behaviour of vanadium in acid solutions" Electrochimica Acta 1991, v.36, n.3-4, p.577-580.

79. Al-Kharafi F. M., Badawy W. A. "Electrochemical behaviour of vanadium in aqueous solutions of different pH" Electrochimica Acta 1997, v.42, n.4, p. 5 79-5 86.

80. Schreckenbach J. P., Witke K., Butte D., Marx G. "Characterization of thin metastable vanadium oxide films by Raman spectroscopy" Fresenius J. Anal. Chem. 1999, v.363,p.211-214.

81. Alonzo V., Darchen A., Le Fur E., Pivan J. Y. "Electrosynthesis of vanadophosphate by anodic oxidation of vanadium in phosphoric acid solutions" Electrochem. Comm. 2002, v.4, n.l 1, p.877-880.

82. Ameer M. A. M., Ghoneam A. A. "Electrochemical oxidation of vanadium as studied by ESR spectroscopy" J. Electrochem. Soc. 1995, v.142, n.12, p.4082-4084.

83. Ellis В. H., Hopper M. A., De Smet D. J. "Electrochemical oxidation of vanadium as studied by ESR spectroscopy" J. Electrochem. Soc. 1971, v.l 18, p.860-864.

84. Keil R. G., Ludwig K. J. Electrochem. Soc. 1971, v.l 18, p.864-866.

85. Pelleg J. "A microsectioning technique for vanadium" J. Lees-Common Metals 1974, v.35, p.299-304.

86. Stefanovich G. В., Pergament A. L., Velichko A. A., Stefanovich L. A. «Anodic oxidation of vanadium and properties of vanadium oxide films» J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v.16, n.23, p.4013-4024.

87. Chudnovskii F. A., Malinenko V. P., Pergament A. L., Stefanovich G. B. "Electrochemical oxidation of Y-Ba-Cu-O high-Tc superconductors", Electrochimica Acta, 1998, v.43, n.12-13, p.1779-1784.

88. Pergament A. L., Malinenko V. P., Tulubaeva О. I., Aleshina L. A. "Electroforming and switching effects in yttrium oxide" Phys. Stat. Solidi (a), 2004, v.201, No.7, p.1543-1550.

89. Hurlen Т., Gulbrandsen E "Growth of anodic films on valve metals" Electrochim. Acta 1994, v.39, n.14, p.2169-2172.

90. Pergament A. L., Stefanovich G. B. "Phase composition of anodic oxide films on transition metals: a thermodynamic approach", Thin Solid Films 1998, v.322, n.1-2, p.33-36.

91. Рябин В. А., Остроумов M. А., Свит Т. Ф. Термодинамические свойства веществ. Справочник. JL: Химия, 1977. 390 с.

92. Шилов А. Е. «Фиксация азота в растворах в присутствии комплексов переходных металлов» Успехи химии, 1974, т.43, в.5, с.863.

93. Лилин С. А., Григорьев В. П., Оше Е. К. и др. «Изучение формирования анодных оксидных пленок на металлах подгруппы ванадия методами фотоэлектрической поляризации и импеданса» Электрохимия, 1996, т.32, в. 12, с.1461-1465.

94. Бондаренко В. М. "Кинетические явления в кислородсодержащих ванадиевых соединениях": Дисс. докт. физ.-мат. наук. // Вильнюс, 1991. 305 с.

95. Berglund С. N., Jayaraman A. "Electric properties of V02 near the semiconductor-metal transition" Phys. Rev 1969, v.185, n.3, p.1022-1039.

96. Андреев В. H., Тимощенко Н. Е., Черненко И. М., Чудновский Ф. А. «Механизм формирования переключающих ванадатно-фосфатных стекол» ЖТФ 1981, т.51, в.8, с.1685-1689.

97. Higgins J. К., Temple В. К., Lewis J. Е. "Electrical properties of vanadate-glass threshold switches" J. Non-Cryst. Solids, 1977, v.23, p.187-215.

98. Zhang J. G., Eklund P. C. "The switching mechanism in V205 gel films" J. Appl. Phys., 1988, v.64, n.2, p.729-733.

99. Bullot J., Gallias O., Gauthier M., Livage J. "Threshold switching in V205 layers deposited from gels". Phys. Status Solidi (a), 1982, v.71, n.l, p.Kl-K4.

100. Ivon A. I., Kolbunov V. R., Chernenko I. M. "Voltage-current characteristics of vanadium dioxide based ceramics" J. Eur. Ceram. Soc., 2003, v.23, n.12, p.2113-2118.

101. Волженский Д. С., Савицкий В. Г., Котлярчук Б. К. "Механизм переключения в монокристаллах У205» ФТТ, 1977, т. 19, в.9, с. 1552-1554.

102. Бойко Б.Т., Копач В.Р., Поздеев Ю.Л., Скатков И.Б., Юхно И.А. «Природа электрической формовки аморфных плёнок Nb205>> Укр. Физ. Журн., 1981, т.26, N 11, с.1892-1897.

103. Юркинский В. П., Морачевский А. П., Фирсова Е. Г. "Изучение механизма и кинетики образования оксидов тантала и вольфрама в нитратных расплавах" Физика окисных плёнок. Тез. докл. 2-й Всесоюз. науч. конф., Петрозаводск, 1987, ч.2, с.71-72.

104. Коллонг Р. Нестехиометрия М.: Мир, 1974. 288 с.

105. Ханин С. Д. «Структурная неоднородность и электронные свойства неупорядоченных диэлектриков» Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004'): Материалы 10-й Международной конференции. СПб.: издательство РГПУ им. А. И. Герцена, 2004, с. 50-52.

106. Rogers D. В., Shannon R. D., Sleight A. W., Gillson J. L. "Crystal Chemistry of Metal Dioxides with Rutile-Related Structures" Inorg. Chem., 1969, v. 8, p.841-849.

107. Goto К. "On the mechanism of phase transitions of UO2.25" Solid State Comm. 1968, v.6, n.9, p.653-655.

108. Березовский Г. А., Лукащук E. И. Термодинамические свойства диоксида ванадия в интервале 6-360 К. Новосибирск, 1990.- 20 с. (Препринт/ Ин-т неорг. химии СО АН: 90-04).

109. Андреев В. Н., Аронов А. Г., Чудновский Ф. А. "Фазовый переход в электрическом поле в V203 и эффект переключения" ФТТ, 1970, т. 12, в.5, с.1557-1559.

110. Величко А. А. «Переключение в тонкопленочных микро- и наноструктурах на основе оксидов переходных металлов»: Дисс. канд . физ-мат. наук // Петрозаводск, 2002 155 с.

111. Борисков П. П., Величко А. А., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Стефанович Д. Г. "Влияние электрического поля на переход металл-изолятор в диоксиде ванадия" Письма в ЖТФ, 2002, т.28, в. 10, с. 13-18.

112. Валиев К. А., Капаев Ю. В., Мокеров В. Г., Раков А. В. «Электронная структура и фазовые переходы в низких окислах ванадия в электрическом поле» ЖЭТФ, 1971, т.60, в.6, с.2175-2185.

113. Mansingh A., Singh R., Sayer M. "Dilectrical propertied of vanadium dioxide." Phys. Status Solidi (a) 1978, v.49, p.773.

114. Gavini A., Kwan С. C. Y. "Optical properties of semiconducting V02 films" Phys. Rev. B, 1972, v.5, n.8, p.3138-3143.

115. Von Schulthess G., Wachter P., "First observation of photoconductivity in the semiconducting phase of V02" Solid State Comm., 1974, v. 15, p. 1645-1649.

116. Molenda J., Stoklosa A. "Electronic structure and electrochemical properties of V02" Solid State Ionics, 1989, v.36, N1-2, p.43-52.

117. Мокеров В. Г., Бегишев А. Р., Игнатьев Д. С. «Локализация "^"-электронов в твердых растворах V02-Ar» ФТТ, 1981, т.23, в.4, с.983-989.

118. Теруков Е. И., Уферт К.-Д., Чудновский Ф. А. «Исследование электрических свойств пленок двуокиси ванадия» ФТТ, 1976, т. 18, в.8, с.2479-2482

119. Chudnovskii F. A., Stefanovich G. В. "Metal-insulator phase transition in disordered V02" J. Solid State Chem. 1992, v.98, p.137-145.

120. Борисков П. П., Величко А. А., Стефанович Г. Б. «Влияние электрического поля на переход металл-изолятор с образованием сверхструктуры» ФТТ, 2004, т.46, в.5, с.895-898

121. Honig J. М. "Electrical transitions in metal, oxides" J. Solid State Chem. 1982, v.45, p.1-13.

122. Джоншер А. К., Хилл P. M. «Электропроводность неупорядоченных неметаллических пленок» в кн.: Физика тонких пленок, т.8 (под ред. Т. Хасса, М. Франкомба, Р. Гофмана), М.: Мир, 1978, с.180-263. <

123. Марч Н., Паринелло М. Коллективные эффекты в твёрдых телах и.Лжидкостях. М.: Мир, 1986. 320с.

124. Мокроусов В. В., Корнетов В. Н. «Полевые эффекты в пленках двуокиси ванадия» ФТТ, 1974, т. 16, N10, с.3106-3107. <

125. Васильев Г. П., Сербинов И. А., Рябова J1. А. «Переключение в системе V02-диэлектрик-полупроводник», Письма в ЖТФ, 1977, т.З, N8, с.342-344.

126. Кокин А. А. «Фазовый переход металл-диэлектрик в электрическом поле» ФТТ, 1975, т. 17, в.5, с. 1317-1326. <

127. Бугаев А. А., Гудялис В. В., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. «Селективность фотовозбужденного фазового перехода металл-полупроводник в VO2 при инициировании его пикосекундными импульсами» Письма в ЖЭТФ. 1981, т.34, N8, с.452-455.

128. Fisher В. "Moving boundaries and travelling domains during switching of V02 single crystals" J. Phys. C: Solid State Phys.1915, v.8, p.2072-2076.

129. Афанасьев В. П., Мельников Б. Н., Минина Е. В. «Свойства пленок диоксидаванадия на сегнетоэлектрических подложках» Физика окисных плёнок. Тезисыдокладов 2 Всес. конф., Петрозаводск, 1987, часть 1 с. 10

130. Kotliar G. "The Mott transition in V2O3 and NiSexS2.x: Insights from dynamical mean field theory" Physica B, 1999, v.259-261, p.711-717.

131. Andreev V. N., Chudnovskiy F. A., Perooly S., Honig J. M. "Electrical conductivity of CuIr2S4" PAys. Stat. Sol. (b), 2002, v.234, n.2, p.623-627.

132. Денисов Д. В., Цэндин К. Д. «Полупроводниковая проводимость в недодопированных образцах системы YBaCuO» Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сборник трудов П1 Международной конференции. Санкт-Петербург, изд. СПбГПУ, 2002, с. 1915

133. Алешина JI. А., Подгорный В. И., Стефанович Г. Б., Фофанов А. Д. «Исследование распыления шунгитов с помощью дугового разряда» ЖТФ, 2004, т.74, в.9, с.43-46. , \

134. Елецкий А. В. «Поглощение УФ излучения в межзвездной среде обусловлено онионами», Перспективные технологии, 2003, т.10, в.13-14, с.3-4; Phys. Rev. Lett. 2003, v.90, p.155504.

135. Meenakshi V., Subramanyam S. V. "Effect of disorder on the electrical properties of amorphous conducting carbon films: Observance of field,, induced metal-insulator transition?" Int. J. Modern Phys. В 2000, v. 14, n.2, p.224-229,

136. Metcalf P. A., Honig J. M. Curr. Top. Crystal Growth Res. 1995, v.2, p.445; Yao X., Honig J. M. Mater. Res. Bull, 1992, v.29, p.709.

137. Limelette P., Georges A., Jerrome D., Wzietek P., Ivietcalf P., Honig J. M. "Universality and Critical Behavior at the Mott Transition" Science, 2003, v.32, p.89-91.

138. Yao X., Kuo Y.-K., Powell D. K., Brill J. W., Honig J. M. "Magnetic susceptibility and heat-capacity studies of NiS2.xSex single crystals: A study of transition at nonzero temperature" Phys. Rev. B, 1997, v.56, p.7129.

139. Ибрагимов X. О., Алиев К. М., Камилов И. К., Абакарова Н. С. «Рекомбинационная неустойчивость и двойное S-переключение в p-Ge(Au)» Письма вЖТФ, 2003, т.29, в.З, с.82-85. <

140. Ummarino G. A., Gonnelli R. S., Daghero D. "Eliashberg Equations and the Phenomenology of Field-Effect-Doped Сбо" Int. J. Modern Phys. B: Condens. Matter Phys., 2002, v.16, n.l 1/12, p.1539-1547.

141. Livage J. "Optical and electrical properties of vanadium oxides synthesized fromalkoxide" Coordination Chemistry Reviews. 1999, v.190-192, p.391^03.

142. Волков В. JI. Фазы внедрения на основе оксидов ванадия. Свердловск: УНЦ АН СССР, 1987.- 180с. ., v

143. Livage J., Ganguli D. "Sol-gel electrochromic coatings and devices: A review"

144. Solar Energy Materials & Solar Cells. 2001, v.68, p.365-381; Aegerter M. A., Avellandera С. O., Pawlica A., Atic M. "Electrochromism in Materials Prepared by the Sol-Gel Process" Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1997, v.8, p.689-696

145. Фаунен Б. В., Крэнделл Р. С. "Электрохромные дисплеи на основе W03" В кн.Дисплеи (под ред. Панкова Ж.) М.: Мир, 1982. - 320с,

146. Казакова Е. JI. «Электронные и ионные процессы в гидратированномпентаоксиде ванадия»: Дисс. канд . физ-мат. наук, Петрозаводск, 2003 152 е.

147. Ивановский A. JI. «Неуглеродные нанотрубки: синтез и моделирование» Успехи Химии. 2002, т.71, N 3, с.203-224.

148. Inzelt G., Pineri M., Schultze J. W., Vorotyntsev M. A. "Electron and proton conducting polymers: recent developments and prospects" El^ctrochimica Acta 2000, v.45, p.2403-2421.

149. Barboux P., Baffler N., Morineau R., Livage J. "Diffusion protonique dans les xerogels de pentoxyde de vanadium" Solid State Ionics. 1983, v.9-10, p.1073-1080.

150. Aldebert P., Baffler N., Charbi N., Livage J. "Layered structure of vanadiumpentoxide gels" Mat. Res. Bull. 1981, v. 16, N 6, p.669 676.

151. Livage J., Pelletier О., Davidson P. "Vanadium pentoxide sol and gel mesophases" J. Sol Gel Science and Technology. 2000, v. 19, p:275 - 278.

152. Плетнёв P. H., Ивакин А. А., Клещеев Д. Г., Денисова Т. А., Бурмистров В.

153. А. Гидратированные оксиды элементов IVи Vгрупп, М.: Наука, 1986.-160 с.

154. Bullot J., Gourier D., Gallais О., Gauthier M., Livage J. "Thin layers deposited from V205 gels. 1. A conductivity study" J. Non-Cryst. Solids. 1984, v.68, №1, p. 123 -134.

155. Alonco В., Livage J. "Synthesis of vanadium oxide gels irom peroxovanadic acid solutions: A 51 V NMR study" J. Solid St. Chem. 1999, v.148, p.16 19.

156. Livage J., Guzman G., Beteile F., Davidson P. "Optical properties of sol gel derived vanadium oxide films" J. Sol - Gel Science and Technology. - 1997 - V. 8. -P. 857 - 865. <

157. Gharbi N., R' Kha C., Ballutand D. et al. "A new vanadium pentoxide amorphous phase" J. Non-Cryst. Solids. 1981. - V. 46. - №3. - P. 247 - 257.

158. Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1966. 411с. <

159. Спектроскопические методы в химии комплексных соединений / под ред. В. М. Вдовенко. M., JL: Химия, 1964. - 268с.

160. Григорьев А. И. Введение в колебательную спектроскопию неорганических соединений. М.: Изд во Моск. ун - та, 1977. - 87с.

161. Abello L., Husson Е., Repelin Y., Lucazeau G. "Structural study of gel of V205: vibrational spectra of xerogel" J. Sol. St. Chem. 1985. - V. 56. - P. 379 - 389.

162. Surca A., Orel B. "IR spectroscopy of crystalline of У205 films in different stages of lithiation" Electrochimica Acta. 1999 - V. 44. - P. 3051 - 3057.

163. Ozer N., Lampert С. M. "Electrochromic performance of sol-gel deposited W03-V205 films" Thin Solid Films 1999. - У. 349. - P. 205 - 211.

164. Vandenborre M. Т., Prost R., Huard E., Livage J. "Etude par spectroscopic infrasrouge de l'eau adsorbee sur un xerogel d'oxyde de vanadium" Mat. Res. Bull. 1983. -V. 18.-№9.-P. 1133 - 1142.

165. Березин JI. Я., Малиненко В. П., Фадеев В. Н. "Исследование состояния воды в электрохромных пленках триоксида вольфрама методом ИК спектроскопии" В межвуз. сб. науч. трудов: Физика окисных пленок. - Петрозаводск, 1988. - с. 15 -19.

166. Валеев А. С. "Определение оптических постоянных тонких слабопоглощающих слоев" Оптика и спектроскопия. 1963. - Т.15. - Вып.4. -С.500 - 511. <

167. Ramana С. V., Naidi В. S., Hussain О. М., Pinto R. "Low-temperature growth of vanadium pentoxide thin films produced by pulsed laser ablation" J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. - V. 34. - P. L335 - L339.

168. Поплавко Ю. M. Физика диэлектриков. Киев: Вища Щкола, 1980. 400 с.

169. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 792 с.

170. Ufert D.-K. "Stress induced switching in V02 thin films". Phys. Stat. Solidi (a) 1976, v.34, p.K83-K86

171. Rakotoniaina J. C., Mokrani-Tamellin R., Gavarri J. R. et^al. "The thermochromic vanadium dioxide. I. Role of stresses and substitution on switching properties". J.

172. Solid State Chem. 1993, v.103, n.l, p.81-94.

173. Muraoka Y., Ueda Y., Hiroi Z. "Large modification of "the metal-insulator transition temperature in strained V02 films grown on T},02 substrates" J. Phys. Chem. Sol., 2002, v.63, n.6-8, p.965-967.

174. Bowman R. M., Gregg J. M. "V02 thin films: growth and the effect of applied strain on their resistance" J. Mater. Sci. 1998, v.9, p. 187-191.

175. Сандомирский В. Б., Суханов А. А., Ждан А. Г. "Феноменологическаятеория концентрационной неустойчивости в полупроводниках" ЖЭТФ 1970, т.58, в.5, с.1683-1694.

176. Mansingh A., Singh R. "The mechanism of electrical threshold switching in V02 crystals". J. of Phys. C. 1980, v.13, n.33, p.5725-5733.

177. Jackson J. L., Shaw M. P. "The form and stability of current-voltage characteristics for ideal thermal switching" Appl. Phys. Lett. 1974 - V. 25. - N. 11-P. 666-668.

178. Коломиец Б. Т., Лебедев Э. А., Цэндин К. Д. "Влияние ТОГО на тепловой 4 пробой" ФТП, 1971, т.5, в.8, с.1568-1572. <

179. Гаврилюк А. И., Рейнов Н. М., Чудновский Ф. А. "Фото- и термохромизм в аморфных пленках V205" Письма в ЖТФ. 1979. - Т. 5. - в. 20. - С. 1227 - 1230.

180. Zuli Liu, Guojia Fang, Youqing Wang, Yandong Bai, Kai-Lun Yao. "Laser- ч induced coloration of V205 "J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. -<V. 33. - P. 2327 - 2332.

181. El Mandouh Z. S., Selim M. S. "Physical properties of vanadium pentoxide sol gel films" Thin Solid Films 2000, v.371, p.259-261.

182. Lu S., Hou L., Gan F. "Surfase analysis and phase transition of gel derived V02 ч thin films" Thin Solid Films. 1999, v.353, p.40 - 44. <

183. Dachuan Y., Niankan X., Jingyu Z. et al. "Vanadium dioxide films with good electrical switching properties" J. Phys. D: Appl. Phys., 1996, v.29, p. 1051-1057.

184. Волькенштейн Ф. Ф., Горбаль A. H., Соколов В. А. Радикало-рекомбинационная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1976 - 282 с.

185. Анисимов В. В., Демкин В. П.; Квинт И. А. и др. "Микролегирование приповерхност-ных слоев арсенида галлия ионами водорода" ЖТФ 2000, т.70, N2, с.118 120.

186. Martinson L. S., Schweitzer J. W., Baenziger N. С. "Metal-insulator transition in BaCoixNixS2-y" Phys. Rev.Lett. 1993, v.71, n.l, p.125-128.

187. Нагаев Э. JI. «Переход Мотта в сильно легированных магнитных полупроводниках» ФТТ, 1998, т.40, в.З, с. 433-437.

188. Valla Т., Jonson P. D., Yosof Z., Wellst В., Li Q., Loureiro S. M., Cava R. J. et. el. "Coherence-incoherence and dimensional crossover in layered strongly correlated metals" Nature 2002, v.417, N 6889, p.627 630.

189. Lin C. R., Chou S. L., Lin S. T. "The metal-insulator transition in quasicrystals" J. 4 Phys.: Condens. Matter 1996, v.8, p.L725. <

190. Гаврилюк И. А., Чудновский Ф. А. "Электрохромизм в пленках V2O5" Письма в ЖТФ. 1977. -Т. 3. - N 4. - С. 174 - 177.

191. Chain Е. Е. "Optical properties of vanadium dioxide and vanadium pentoxide thin films" Appl. Optics. 1991. -V. 30. -N 19. - P. 2782-278?.

192. Гаврилюк А. И., Ланская Т. Г. "Фотохромизм в тонких слоях V2O5, , полученных с помощью «золь-гель» технологии" Письма в ЖТФ. 1994. - Т.20.-N6.-С. 12-16.

193. Ozer N. "Electrochemical properties of sol gel deposited vanadium pentoxide films" Thin Solid Films. - 1997. - V. 305. - P. 80 - 87.

194. Mohseni M., James P. F., Wright P. V. "Vanadium-based organic-inorganic hybrid materials prepared by a sol-gel method" J. Sol-Gel Sci. Technol, V.13, 1998, p.495-497.

195. Burcham L. J., Deo G., Gao X., Wachs I. E. "In situ IR, Raman, and UV-Vis DRS spectroscopy of supported vanadium oxide catalysts during methanol oxidation" Topics in Catalysis 2000 - V.l 1/12. - P.85-100.

196. Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев.: Наукова Думка, 1987. 607 с.

197. Shi Т. S., Xie L. М., Bai G. R., Qi М. W. "The nature of two intense Si-H IR stretching bands in FZ-Si:H" Phys Status Solidi (b) 1985. - V.131 - N 2. - P. 511517.

198. Sanches C., Livage J., J. Lucazeau J. "Infrared and Raman study of amorphous V205" J. Raman Spectroscopy. 1982. - V. 12. - №1. - P. 68- 72.

199. Пайерлс P. Квантовая теория твёрдого тела. М.: Изд. иностр. лит., 1956. -259 с.

200. Куликов Н. И., Тугишев В. В. «Волны спиновой плотности и зонный антиферромагнетизм в металлах» УФН, 1984, т.144, в.4, с.643-677.

201. Келдыш Л. В., Копаев Ю. В. Л "Возможная,. неустойчивостьполуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия"

202. ФТТ, 1964, т.6, N9, с.2791-2799.

203. Zittartz J. "Theory of the excitonic insulator in the presence of normal impurities" Phys. Rev. 1967, v.164, n.2, p.575-581.

204. Kagoshima S. "Peierls phase transition" Jap. J. Appl. Phys. 1981, v.9, n.20, p.1617-1634. <

205. Семенов A. JI. «Фазовые переходы, оптическая бистабильность и образование сверхструктур в полупроводниках ^айерлсовского типа» Автореферат дисс. докт. физ.-мат. наук, Ульяновск, 2003.

206. Семенов A. JI. «Индуцированная постоянным электрическим полем гетерофазная структура на поверхности пайерлсовского металла» ФТТ, 2000, т.42, в.6, с. 1125-1128.

207. Семенов A. JI. «Фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник-металл в системе Пайерлса» ЖЭТФ 2007 т. 131, в.1, с.77-84.

208. Paquet D., Leroux-Hugon P. "Electron correlations and electron-lattice interactions in the metal-insulator, ferroelastic transition in У02: A thermodynamical study" Phys. Rev. B, 1980, v.22, n.l 1, p.5284-5301.

209. Поклонский H. А., Вырко С. А., Забродский A . Г. «Электростатические модели концентрационных фазовых переходов изолятор-металл и металл-изолятор в кристаллах Ge и Si с водородоподобными примесями» ФТТ, 2004, т.46, в.6, с.1071-1075.

210. Поклонский Н. А., Сягло А. И. «Об электростатических моделях фазового перехода диэлектрик-металл и металл-изолятор в кристаллическихполупроводниках с водородоподобными примесями» ФТТ, 1998, т.40, в.1, с.147151.

211. Забродский А. Г., Зиновьева К. Н. «Низкотемпературная проводимость и переход металл-диэлекгрик в компенсированном n-Ge» ЖЭТФ, 1984, т.86, в.2, с.727-742.

212. Казанин М. М., Каминский В. В., Соловьев С. М. «Аномальная термоэдс в моносульфиде самария» ЖТФ, 2000, т.70, в.5, с. 136-13 8.

213. Каминский В. В., Васильев Л. Н., Романова М. В., Соловьев С. М. «Механизм возникновения электродвижущей силы при нагревании монокристаллов SmS» ФТТ, 2001, т.43, в.6, с.997-999. <

214. Каминский В. В., Голубков А. В., Васильев JI. Н. «Дефектные ионы самария и эффект генерации электродвижущей силы в SmS» ФТТ, 2002, т.44, в.8, с. 15011505. <

215. Циок О. Б., Хвостанцев Л. Г., Смирнов И. А., Голубков А. В. «Электронная и решеточная стадии валентного перехода в SmTe при высоком гидростатическом давлении» ЖЭТФ 2005, т. 127, в.4, с.850-859.

216. Смирнов И. А., Оскотский В. С. «Фазовый переход полупроводник-металл вредкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария)», УФН, 1978, т. 124, в.2, с.241-278.

217. Шаренкова Н. В., Каминский В. В., Голубков А. В., Васильев Л. Н.,

218. Каменская Г. А. «Особенности структуры металлической фазы, возникающейпод действием механической полировки образцов SmS» ФТТ, 2005, т.47, в.4, с.598-602.

219. Kitagawa R., Takebe H., Morinaga К. "Photoinduced phase transition of metallic SmS thin films by a femtosecond laser" Appl. Phys. Lett. 2003, v.82, n.21, p.3641-3643. <

220. Pergament A., Morak A. «Photoinduced metal-insulator transitions: Criticalconcentration and coherence length» J. Phys. A: Math. Gen. 2006, v.39, № 17,ip.4619-4623.

221. Алексеев П. А., Миньо Ж.-М., Нефедова Е. В., Немковский К. С., Лазуков В. Н., Садиков И. П., Очиай А. «Природа спектра магнитных возбуждений (Sm,Y)S: эффекты КЭП или экситон?» Письма в ЖЭТФ, 2004, т.79, в.2, с.92-96.

222. Batlogg В., Kaldis Е., Schlegel A., Wachter P. "Electronic structure of Sm monosulfides" Phys. Rev. В 1976, v.14, n.12, p.5503-5514.

223. Cavalleri A, Chong H H W, Fourmaux S, Glover T E, Heimann P A, Kieffer J C,

224. Mun В S, Padmore H A, Schoenlein R W "Picosecond soft X-ray absorptionmeasurement of the photoinduced insulator-to-metal transition in V02" Phys. Rev. B , 2004, v.69,p.l53106-153109.

225. Cavalleri A, Dekorsy Th., Chong H. H. W., Kieffer J. C., Schoenlein R. W. "Evidence for a structurally-driven insulator-to-metal transition in V02: A view from the ultrafast timescale" Phys. Rev. B 2004, v.70, p.l61102-161105.

226. Petrov G. I., Yakovlev V. V., Squier J. A. "Nonlinear optical microscopy analysis of ultrafast phase transformation in vanadium dioxide" Optics Lett. 2002, v.27, n.8, p.655-657.

227. Sundaram S. K., Mazur E. "Inducing and probing non-thermal transitions in semiconductors using femtosecond laser pulses" Nature Materials 2002, v.l, p.217-224.

228. Koshihara S., Ogawa Y., Ishikawa T., Takesada M., Oiwa A., Munekata H., Komori T., Yoshino J. "Photo-induced phase transitions in organic and inorganic materials" Current Applied Physics 2001, v.l, n.l, p.21-29.

229. Nasu K., Ping H., Mizouchi H. "Photoinduced structural phase transitions and their dynamics" J. Phys.: Condens. Matter 2001, v. 13, n.35, p.R693-R721.

230. Bennemann K. H. "Ultrafast dynamics in solids" J. Phys< Condens. Matter, 2004, v. 16, n.30, p.R995-R1056.

231. Koopmans B., van Kampen M., de Jonge W. J. M. "Experimental access to femtosecond spin dynamics" J. Phys.: Condens. Matter 2003, v.15, p.S723-S736.

232. Sokolowski-Tinten K., Bialkowski J, Boing M., Cavalleri A., von der Linde D. "Thermal and non-thermal melting of gallium arsenide after femtosecond laser excitation" Phys. Rev. B., 1998, v.58, n.18, p.Rl 1805-R11808.

233. Zeiger H. J., Cheng T. K., Ippen E. P., Vidal J., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S. "Femtosecond studies of the phase transition in Ti2C>3" Phys^ Rev. B 1996, v.54, n.l, p.105-123.

234. Callan J. P., Kim A. M.-T., Roeser C. A. D., Mazur E. "Universal dynamics during and after ultrafast laser-induced semiconductor-to-metal transitions" Phys. Rev. В 2001, v.64, p.073201-073204.

235. Мисочко О. В., Кайдашев Е. М., Георгиев Н., Декорси Т., Захарченко И. Н.

236. Времяразрешеииое оптическое исследование перехода парамагнитныйдиэлектрик ферромагнитный металл в ЬаолСао.зМпОз" ЖЭТФ, 2003, т. 124, в.4(10), с.878-885.

237. Mertelj Т., Mihailovic D., Jaglicic Z., Bosak A. A., Gorbenko O. Yu., Kaul A. R. "Ultrafast photoinduced reflectivity transients in (Ndo.5Sr0.5)Mn03" Phys. Rev. B, 2003, v.68, p.125112-125118. <

238. Sambi M., Sangiovanni G., Granozzi G. "Growth and the structure of epitaxial V02 at the Ti02(l 10) surface" Phys. Rev. В 1997, v.55, n.12, p.7850-7858.

239. Бугаев А. А., Гаврилюк А. И., Гурьянов А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. «Метастабильная металлическая фаза в пленках двуокиси ванадия» Письма в ЖТФ, 1978, т.4, в.2, с.65-69.

240. Копаев Ю. В., Мокеров В. П. «Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана». ДАН, 1982, т.264, N6, с.1370-1376.

241. Горячев Е. Г., Овчинников С. Г. «Электрические и магнитные свойства фаз Магнели V„Oni» ФТТ, 1978, т.20, N7, с.2201-2209.

242. Chakraverty В. К. "Metal-insulator transition: nucleation of a conducting phase in amorphous semiconductors", J. Non-Cryst. Solids 1970, v.3, p.317-326.

243. Gildart L. "Bistable switching and the Mott transition" J.{Non-Cryst. Solids 1970, v.2, p.240-249.i

244. Mattis D. С. "Observation of dynamic Mott transition" /. Non-Cryst. Solids, 1970, v.4, p.536; idem, Phys. Rev. Lett, 1969, v.22, p.936.

245. Криве И. В., Рожавский А. С. «Квазиодномерный паиерлсовский изолятор в постоянном электрическом поле» ЖЭТФ 1981, т.81, в.5(11), с.1811-1826.

246. Taylor А. P., MacKinnon A. "The metal-insulator transition in disordered systems: a new approach to the critical behaviour" J. Phys.: Condens. Matter, 2002, v. 14, p.8663-8675.

247. Abboudy S "A quasi-universal percolation approach of hopping activation energy and metal-nonmetal transition in semiconductors" PhysicaB, 1995, v.212, p.175-179.

248. Seo S., Lee M. J., Seo D. H. et al "Reproducible resistance switching in polycrystalline NiO films''^/. Phys. Lett. 2004, v.85, n.23,<p.5655-5657

249. Fogle W., Perlstein J. H. "Semiconductor-to-metal transition in the blue potassium molybdenum bronze K0.3M0O3; example of a possible excitonic insulator" Phys. Rev. В 1972, v.6, n.4, p.1402-1412.

250. Ogawa N., Shiraga A., Kondo R., Kagoshima S., Miyano K. "Photocontrol of Dynamic Phase Transition in the Charge-Density Wave Material K0.3M0O3" Phys. Rev. Lett. 2001, v.87, p.256401.

251. Ogawa N., Miyano K. "Charge-density wave as an electro-optical switch and memory" Appl Phys. Lett., 2002, v.80, n.17, p.3225-3227.

252. Sun J. R., Gao J., Kang L. "State switching in Bi-doper Lao.67Cao.33Mn03 and the effect of current" Appl. Phys. Lett., 2002, v.81, n.3, p.508-510.

253. Камилов И. К., Алиев К. М., Ибрагимов1 X. О., Абакарова. Н. С. «N-образная

254. ВАХ и колебания тока в манганите Smi.xSrxMn03» Письма в ЖЭТФ, 2003, т.78,в.8, с.957-959.

255. Oshima Н., Miyano К., Konishi Y., Kawasaki М., Tokura Y. "Switching behavior of epitaxial perovskite manganite thin films" Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, n.10, p.1473-1475.

256. Li Q., Gray К. E., Berger A., Mitchell J. F. "Electronically driven first-order metal-insulator transition in layered manganite Lai^Sr! 96Mn207 single crystals" Phys. Rev. B, 2003, v.67, p. 184426-184433.

257. Каминский В. В., Казанин М. М., Соловьев С. М., Ша^енкова Н. В., Володин Н. М. «Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок сульфида самария» ФТП 2006, т.40, в.6, с.672-675.

258. Sachdev S., Sengupta К., Girvin S. М. "Mott transition in strong electric field" Phys. Rev. B, 2002, v.66, p.075128-075144.

259. Inoue I. H. "Electrostatic carrier doping to perovskite transition-metal oxides" Semicond. Sci. Techno!.2005, v.20, No 4, p.Sl 12-S120.

260. Zhou C., Newns D. M., Misewich J. A., Pattnaik P. C. "A field effect transistor based on the Mott transition in a molecular layer" Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, n.5, p.598-600. <

261. Cepas O., McKenzie R. H. "Electric-field-induced Mott insulating states in organic field-effect transistors" Phys. Rev. B, 2002, v.66, p.214528-214537.

262. Pokutnyi S. I., Туе M. H., Salejda W., Misiewicz J. "Two-dimensional Wannier-Mott exciton in a uniform electric field" ФТТ, 2001, т.43, в.5; c.888-891.

263. Jerominek H., Picard F., Vincent D. "Vanadium oxide films for optical switching and detection", Optical Engineering 1993, v.32, n.9, p.2092-2099.

264. McDonald D. J. "Superconducting electronics" Phys. Today, Feb. 1981, p.37;idem et. al., IEEE Trans. Electron. Devices, 1980, v.ED-27, p. 194^,

265. Likharev K. "Superconductor Devices for Ultrafast Computing". In H. Weinstock, ed., Applications of Superconductivity. Kluwer, Dordrecht, 1999; (http://rsfql.physics.sunysb.edu/~likharev/personal/Worlds.pdQ.

266. Keyes R. W. "The future of the transistor". Sci. American-(Spec. Issue: Solid State Century) 1998, v.8, n.l, p.46-52.

267. Ramirez A. P. «Oxide Electronics Emerge» Science 2007, V. 315. no. 5817, p. 1377- 1378.

268. Kwok K. S., Ellenbogen J. C. "Moletronics: future electronics" Materials Today, 2002, v.5, n.2, p.28.

269. Rajendrakumar R. T., Karunagaran B., Mangalaraj D., Narayandass S. K., Manoravi P., Joseph M., Gopal V. "Study of a pulsed laser deposited vanadium oxide based micro-bolometer array" Smart Mater. Struct. 2003, v.12, p.188.

270. Chen C., Yi X., Zhao X., Xiong B. "Characterizations of V02-based uncooled microbolometer linear array" Sensors and Actuators A: Physical 2001, v.90, n.3, p.212.

271. Rozen J., Lopez R., Haglund (Jr.) R. F., Feldman L. C. "Two-dimensional current percolation in nanocrystalline vanadium dioxide films" Appl. Phys. Lett. 2006, v. 8 8, p.081902-081904.

272. Wood R. A. "Use of vanadium oxide in microbolometer sensors". United States Patent 5,450,053 (1995).

273. Grossman E. N., Reintsema C. D. "Method and apparatus for bias and readout of bolometers operated on a hysteretic metal-insulator transition" United States Patent 6,323,486(2001).

274. Zheludev N. I., Richardson D. J., Dhanjal S. "Apparatus providing variablereflectivity to electromagnetic radiation" United States Patent 6,304,362 (2001).

275. De Almeida L. A. L., Deep G. S., Lima A. M. N., Neff H. "Thermal dynamics of V02 films within the metal-insulator transition: Evidence for chaos near percolation threshold" Appl. Phys. Lett. 2000, v.77, n.26, p.4365-4367.

276. Климов В. А., Тимофеева И. О., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б., Ильинский А. В, Сильва-Андраде Ф. «Трансформация параметров фазового перехода полупроводник-металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия» ФТП, 2003, т.37, в.4, с.З88-392.

277. Valmalette J.-C., Gavarri J.-R. "High efficiency thermochromic V02(R) resulting from the irreversible transformation of V02(B)" Mater. Sci. Engin. B, 1998, v.54, p.168-173.

278. Howard W. E. "Light-emitting organic materials offer brighter and more efficient displays than LEDs" Scientific American, 2004, n.2, p.64-69 я

279. Scott J. C. "Is There an Immortal Memory?" Science, 2004, v.304, n.5667, p.62-63.

280. Szot K., Speier W., Bihlmayer G., Waser R. "Switching the electrical resistance of individual dislocations in single-crystalline SrTi03" Naturg Materials, 2006, v.5, p.312-320.

281. Kim D. C., Seo S., Ahn S. E. "Electrical observations of filamentary conduction for the resistive memory switching in NiO films" Appl. Phys/ Lett. 2006, v.88, p.202102.

282. Auciello O., Scott J. F., Ramesh R. "The physics of ferroelectric memory" Phys. Today, 1998, v.51, n.7, p.22-27.

283. Al-Ramadhan F. A. S., Hogarth C. A. "Observation and compositional studies ofthe metallic conducting filaments in the ON-state of Si0/V205 thin films used asmemory elements" J. Mater. Sci. 1984, v. 19, p. 1939-1946.

284. Redaelli A., Pirovano A., Pellizzer F., Lacaita A. L., Ielmini D., Bez R. "Electronic Switching Effect and Phase-Change Transition in Chalcogenide

285. Materials" IEEE Electron Dev. Lett. 2004, v.25, N 10, p.684-686.

286. Елинсон В. М., Покалякин В. И., Савицкая Я. С., Чугунова М. Е. "Переключение с «памятью» в гетероструктуре кремний-двуокись ванадия" ЖЭТФ, 1981, ,т.81б с. 420422.

287. Busch-Vishniac I. J. "Trends in electromechanical transduction" Phys. Today 1998, v.51, n.17, p .28-34.

288. Гордов A. H., Жагулло О. M., Иванова А. Г. Основы температурных измерений, М.: Энергоатомиздат, 1992. 303 с.

289. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBM PC / Под ред. У. Томпкинса, Дж. Уэбстера (пер. с англ.) М.: Мир, 1992. - 592 с.

290. Гаман В. И., Дробот П. Н. «Термочувствительный элемент с частотным выходом на основе кремниевого осциллистора» Изв. ВУЗов. Физика, 1995, в.2, с.48-53.

291. Моряков О. С., Вихров С. А. «Методы и средства измерения температуры в полупроводниковом производстве» Обзоры по электронной технике. Сер.2. М.: ЦНИИ "Электроника", 1987, вып. 4 38 с.

292. Pescini L., Lorenz Н., Blick R. Н. "Mechanical gating of coupled nanoelectromechanical resonators operating at radio frequency". Appl. Phys. Lett., 2003, v.82, n.3, p352-354. .

293. Van Zant P. Microchip Fabrication. 3rd ed. New York: McGraw-Hill Companies, 1997. -P.623.

294. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронныхприборов / Под ред. Дж.Р. Брюэра. (пер.с англ). М.: Радио и связь, 1984. - 343301 ' '\

295. Никулин Е. И., Чудновский Ф. А., Шадрин Е. Б., Мясников Д. А. «Влияниеэлектронной бомбардировки на проводимость пленок УОг» ЖТФ, 1988, т.58, в. 12, с.2411-2413.