Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlGa As структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.09, кандидат физико-математических наук Лунин, Роман Анатольевич

• Лунин, Роман Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лунин, Роман Анатольевич

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1. Электронная структура и транспортные свойства дельта-легированного арсенида галлия

1.1 Энергетический спектр электронов в 8-слое

1.2 Распределение донорной примеси при 5-легировании

1.3 Подвижности электронов в подзонах размерного квантования

1.4 Методы получения квазиодномерных систем и физические процессы в них

Глава 2. Образцы и методика измерений

2.1 Исследованные образцы

2.2 Методика измерений

2.3 Ошибки измерений

Глава 3. Электронные транспортные свойства комбинированно легированных СаА8/А1хОа1-хА8 гетероструктур

3.1 Проводимость и магнитосопротивление комбинированно легированных структур ОаА8/А1хСа1_хА8

3.2 Определение концентраций и подвижностей электронов из эффекта Шубникова - де Гааза

3.3 Определение концентраций и подвижностей электронов методом спектра подвижности

3.4 Расчет электронной структуры комбинированно легированных гетеропереходов

3.5 Расчет подвижности электронов при рассеянии на ионизированных примесях с учетом межподзонного рассеяния

3.6 Оптимизация транспортных параметров комбинированно легированных гетероструктур

Глава 4. Транспортные и оптические свойства 5-слоев олова на сингулярной грани GaAs

4.1 Проводимость и магнитосопротивление структур GaAs(5-Sn)

4.2 Расчет энергетического спектра и подвижности электронов в структурах GaAs(S-Sn)

4.3 Фотолюминесценция 5-легированного оловом GaAs

4.4 Осцилляции сопротивления в параллельном к 5-слою магнитном поле

Глава 5. Анизотропия низкотемпературных транспортных свойств структур с дельта-легированием оловом вицинальных граней

GaAs

5.1 Анизотропия сопротивления и магнитосопротивления структур

5.2 Энергетический спектр структур

5.3 Вольт-амперные характеристики

5.4 Замороженная фотопроводимость в структурах GaAs(S-Sn)

Основные результаты и выводы

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlGa As структур»

Введение

Актуальность работы. В настоящее время дельта-легированные полупроводники, в которых атомы примеси расположены в слое толщиной в один или несколько атомных монослоев, являются объектом интенсивного экспериментального и теоретического исследования. Размерное квантование движения электронов в таких структурах существенно меняет большинство их электронных свойств и является причиной новых интересных эффектов, в том числе квантового эффекта Холла.

В дельта-легированных структурах с высокой концентрацией примеси электронами заполнено несколько подзон размерного квантования. Поведение двумерных электронов в таких системах значительно более сложно по сравнению со структурами с одной заполненной подзоной. Существенным является межподзонное рассеяние электронов, их подвижности в каждой подзоне различаются. Исследование зависимости транспортной подвижности электронов от номера подзоны и ширины дельта-слоя является важной научной задачей.

Интерес к изучению дельта-легированных полупроводников оправдан не только с научной точки зрения, но и возможностью их практического применения. Продолжающееся уменьшение размеров полупроводниковых приборов, например полевых транзисторов, мотивировано потребностями увеличения их быстродействия и снижения энергопотребления. Уменьшение размеров таких структур связано с проблемой контролируемого распределения примесей. Дельта-легирование является примером экстремально узкого профиля

легирования, обеспечивающего высокие концентрации носителей тока. Несмотря на важность использования высоких легирующих концентраций в наноэлектронике, механизмы, ограничивающие максимально достижимую концентрацию свободных электронов, и эффекты частичного перераспределения примесей при высоких уровнях легирования остаются до сих пор не до конца выясненными.

Необходимо также отметить, что для создания дельта-слоев п-типа в арсениде галлия традиционно используется кремний, и важно исследование и сравнение электронных свойств дельта-слоев с иными легирующими примесями, например с оловом. Олово до настоящего времени не использовалось для дельта-легирования ваЛв, хотя оно, как донорная примесь, менее амфотерно по сравнению с кремнием и его использование должно дать возможность получения большей концентрации двумерных электронов в дельта-слое.

В настоящее время все активнее исследуются квазиодномерные и одномерные электронные системы, созданные на базе двумерных. В таких системах наблюдаются: квантование проводимости в зависимости от ширины проводящего канала, новый тип квантовых осцилляций в магнитном поле и другие фундаментальные эффекты. На основе квазиодномерных систем ожидается создание высокоэффективных оптоэлектронных приборов, поскольку безизлучательные процессы рекомбинации в них сильно подавлены за счет размерного квантования. Для ограничения латерального размера в двумерных системах обычно используются методы субмикронной электронной литографии.

Для получения систем с размерами квазиодномерных электронных каналов в несколько десятков и менее нанометров перспективным методом является выращивание структур на вицинальной поверхности арсенида галлия. Количество работ, посвященных исследованию транспортных свойств таких структур в настоящее время мало, размерное квантование электронов и анизотропия их проводимости практически не исследованы.

Цель работы. Основные цели работы:

1) Исследование транспортных и квантовых подвижностей электронов в подзонах размерного квантования комбинированно легированных СаАз(8-81)/А1хОа1.хАз гетероструктур в зависимости от расстояния дельта-слоя легирующей примеси кремния от гетероперехода. Расчет энергетической диаграммы таких структур.

2) Определение концентраций и подвижностей электронов в подзонах размерного квантования в структурах с дельта-легированием оловом сингулярной (001) грани ОаАв в зависимости от концентрации олова, а также изучение механизмов, ограничивающих максимально достижимую концентрацию свободных электронов при высоких уровнях легирования оловом.

3) Исследование анизотропии и особенностей проводящих свойств структур с дельта-легированием оловом вицинальной грани арсенида галлия. Исследование фотопроводимости структур при низких температурах. Получение основных параметров носителей тока, изучение механизмов рассеяния электронов и зонной структуры.

Объекты исследования. В работе исследованы три типа структур.

1) Изучались транспортные и квантовые (одночастичные) времена рассеяния электронов в двумерных подзонах в гетероструктурах ОаА5(5-81)/А1хОа1_хА8, в которых однородно легирован А^Са^Ав и дельта-легирован кремнием ОаАэ, в зависимости от расстояния дельта-слоя до гетерограницы. Метод дельта-легирования кремнием арсенида галлия является эффективным способом получения больших концентраций двумерных электронов. При высоком уровне легирования в таких структурах заполнено более пяти подзон размерного квантования, и поэтому они являются модельными для исследования межподзонного и внутриподзонного рассеяния электронов на ионизированных примесях.

2) Исследованы структуры с дельта-слоями олова на сингулярной грани (001) ОаАз (ОаАз(5-8п)) в зависимости от концентрации олова. Олово до настоящего времени не использовалось для дельта-легирования СаАв из-за его высокой сегрегационной способности, хотя оно, как донорная примесь, менее амфотерно по сравнению с традиционно используемым кремнием. Изучение механизмов, ограничивающих максимально достижимую концентрацию электронов при высоких уровнях легирования оловом, является важной научной и практической задачей.

3) Исследовались структуры с дельта-легированием оловом вицинальной грани (001) арсенида галлия. Такие структуры представляют большой интерес для исследования анизотропии их свойств и являются перспективными для

реализации квазиодномерных электронных каналов. Одномерные и квазиодномерные структуры также представляют большой интерес в плане фундаментальных и прикладных исследований. До недавнего времени такие структуры получали главным образом из двумерных систем методами электронной или ионной литографии. В настоящее время, благодаря достижениям молекулярно-лучевой эпитаксии, дельта-легирование вицинальных граней или граней с высокими индексами некоторых полупроводников позволяет создавать модулированное распределение легирующей примеси.

Практическая значимость работы.

1) Исследование зависимостей проводимости и холловской подвижности в структурах ОаА5(8-81)/А1хСа1_хА8 от расстояния Ьз от дельта-слоя легирующей примеси до гетерограницы показало, что при « 60н-75 нм наблюдаются максимальная холловская подвижность и проводимость двумерных электронов, что существенно для создания мощных транзисторов на основе исследованных структур с оптимальными параметрами.

2) Исследованы транспортные свойства, подвижности электронов, зонные диаграммы дельта-слоев олова в СаАв. Показано, что применение олова в качестве донорной примеси в дельта-слоях позволяет получать двумерные концентрации электронов, превышающие предельные значения для традиционных дельта-легированных кремнием ОаАэ структур, при относительно небольшой толщине дельта-слоя олова, что открывает новые технологические возможности.

3) В работе установлено, что структуры, полученные методом дельта-легирования оловом вицинальных граней ваАэ, обладают анизотропией проводимости и являются перспективными для получения одномерных электронных каналов.

Научная новизна и положения, выносимые на защиту.

В работе впервые исследованы электронные транспортные свойства СаА8(8-81)/А1хОа1.хА5 гетероструктур, в которых дельта-легирован кремнием ваАв и однородно легирован кремнием А^СаьхАв, определены концентрации, транспортные и квантовые подвижности электронов в подзонах, а также рассчитаны зонные диаграммы и вычислены подвижности электронов при рассеянии на ионизированных примесях с учетом межподзонного рассеяния, в зависимости от расстояния дельта-слоя примеси до гетерограницы.

Впервые исследованы транспортные свойства дельта-слоев олова на сингулярной (001) грани ОаАз в зависимости от концентрации олова, рассчитаны зонные диаграммы структур, определены концентрации и подвижности электронов в подзонах размерного квантования.

В работе исследована анизотропия проводимости и ее температурная зависимость в дельта-слоях олова, выращенных на вицинальной грани (001) ваЛв. Впервые наблюден эффект отрицательной задержанной фотопроводимости в дельта-легированных ваАв структурах при высоких концентрациях олова.

На защиту выносятся следующие положения: 1) В комбинированно легированных гетероструктурах ОаА8(8-81)/А1хОа] _хАз при расстоянии дельта-слоя от гетерограницы « 60^-75 нм наблюдаются

максимальная холловская подвижность и проводимость двумерных электронов. Зависимости транспортных и квантовых подвижностей от номера подзоны в исследованных комбинированно легированных GaAs(8-Si)/AlxGai-xAs структурах при низких температурах объясняются в основном межподзонным и внутриподзонным рассеянием на ионизированных примесях.

2) Применение олова в качестве дельта-примеси в GaAs позволяет достичь высоких концентраций двумерных электронов, вплоть до 8,3* 1013 см"2, при этом исследованные GaAs(8-Sn) структуры являются двумерными вплоть до максимальных исследованных электронных концентраций.

3) Основным механизмом, ограничивающим максимально достижимую концентрацию свободных электронов в зоне проводимости в точке Г в GaAs(5-Sn) структурах при высоких уровнях легирования оловом является заполнение электронами зоны проводимости в точке L.

4) В структурах с дельта-легированием оловом вицинальных граней GaAs проводимость вдоль краев ступеней существенно превышает проводимость поперек них, при этом анизотропия проводимости связана в основном с разным влиянием неоднородного распределения олова на рассеяние двумерных электронов в этих двух направлениях.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на следующих конференциях, совещаниях, симпозиумах:

1. 3, 4 и 6 Международные симпозиумы "NANOSTRUCTURES: Physics and Technology" (Санкт-Петербург, Россия 1995, 1996, 1998).

2. 2 Международная конференция "Физика низкоразмерных структур - 2", (Дубна, Россия 1995).

3. Международные конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам "Ломоносов-96", "Ломоносов-97" (Москва 1996, 1997).

4. XXI International Conference on Low Temperature Physics - LT-21 (Prague, Czech Republic, 1996).

5. 23rd International Conference on Physics of Semiconductors (Berlin., Germany,

1996).

6. Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors (St. Petersburg, Russia, 1996).

7. XII и XIII Международные зимние школы по физике полупроводников "Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур", (Екатеринбург, Россия 1997, 1999).

8. The Second International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (Lisbon, Portugal, 1997).

9. 16th General Conference of the Condensed Matter Division (Leuven, Belgium,

1997).

10. 13th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor "SemiMag 13" (Nijmegen, The Netherlands, 1998).

11. На семинарах кафедры физики низких температур и сверхпроводимости МГУ им. М.В. Ломоносова.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., de Yisser A. Transport properties of high-carrier-density GaAs/GaAlAs heterostructures. - International Symposium "Nanostructures: 95". St.Petersburg. Russia. 1995. Abstracts, p.45-48.

2. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., de Visser A. Optimization of transport parameters of selectively 5-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high-carrier-density for field-effect transistors. - 2nd International Conference "Physics of low-dimensional structures-2". Dubna. Russia. 1995. Abstracts, p.43.

3. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., de Visser A. Optimization of transport parameters of selectively 5-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high-carrier-density for field-effect transistors. - Physics of Low-Dimensional Structures. 1995. v. 10-11. p.347-352.

4. Лунин P.A. Подвижности электронов в одновременно селективно- и 5-легированных GaAs/AlxGai_xAs гетероструктурах. - Международная конференция студентов и аспирантов по фундаментальным наукам "Ломоносов-96". Физический факультет МГУ. 1996. Сборник тезисов, с.122-125.

5. Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Кадушкин В.И., Шангина Е.Л., де Виссер А. Особенности явлений переноса в комбинированно-легированных гетероструктурах GaAs/Gai_xAlxAs. - ФТП. 1996. т.30. вып.4. с.676-681.

6. Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Богданов Е.В., Кытин В.Г., Сеничкин А.П., Кадушкин В.И. Гашение фотопроводимости сильным электрическим полем в дельта-легированных оловом GaAs-структурах. - Письма в ЖЭТФ. 1996. т.63. вып.5. с.326-330.

7. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Bogdanov E.V., Kytin V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P. Quenching of persistent photoconductivity by high electric fields in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures. - International Symposium "Nanostructures, Physics and Technology: 96". St.Petersburg. Russia. 1996. Abstracts, p.37-40.

8. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P. Subband 2D electron mobility in heavy delta- and modulation doped GaAs/AlGaAs heterostructures. - International Symposium "Nanostructures, Physics and Technology: 96". St.Petersburg. Russia. 1996. Abstracts, p. 16-19.

9. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P., Kadushkin V.I., de Visser A. Low temperature subband 2D electron mobilities in heavy delta- and modulation-doped GaAs/GaAlAs heterostructures. - XXI International conference on Low Temperature Physics "LT-21". Prague. Czech Republic. 1996. Abstracts, p.56.

10. Kytin V.G., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Bugaev A.S., Senichkin A.P. Low temperature negative magnetoresistance in the 8-doped by Sn and Si on vicinal and singular substrates GaAs structures. - XXI International conference on Low Temperature Physics "LT-21". Prague. Czech Republic. 1996. Abstracts, p.67.

11. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P., Kadushkin V.l., de Visser A. Low temperature subband 2D electron mobilities in heavy delta- and modulation-doped GaAs/GaAlAs heterostructures. - Czechoslovak Journal of Physics. 1996. v.46. Suppl. S5. p.2457-2458.

12. Kytin V.G., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Bugaev A.S., Senichkin A.P. Low temperature negative magnetoresistance in the 5-doped by Sn and Si on vicinal and singular substrates GaAs structures. - Czechoslovak Journal of Physics. 1996. v.46. Suppl. S5. p.2513-2514.

13. Кульбачинский B.A., Лунин P.A., Кытин В.Г., Бугаев A.C., Сеничкин А.П. Подвижности электронов в подзонах размерного квантования в комбинированно легированных гетероструктурах GaAs/GaAlAs с высокой концентрацией 2D-электронов. - ЖЭТФ. 1996. т. 110. вып. 4(10). с. 1517-1532.

14. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Senichkin A.P. The DX-centre in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures. - 23rd International Conference on Physics of Semiconductors. Berlin. Germany. 1996. Abstracts. p.TuP-183.

15. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Mokerov V.G., Senichkin A.P. Subband electron mobility in high carrier density GaAs/GaAlAs heterostructures for high power devices. - 23rd International Symposium on Compound Semiconductors. St. Petersburg. Russia. 1996. Abstracts, p.60.

16. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Senichkin A.P. The DX-centre assisted quenching of persistent photoconductivity by

high electric fields in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures. - 23rd International Symposium on Compound Semiconductors. St. Petersburg. Russia. 1996. Abstracts, p.85.

17. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Mokerov V.G., Senichkin A.P. Subband electron mobility in selectively 8-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density. - Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. N155. Chapter 12. p.957-960.

18. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Senichkin A.P. The DX-centre assisted quenching of persistent photoconductivity by high electric fields in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures. - Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. N155. Chapter 12. p.121-124.

19. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Golikov A.V., Demin A.V. Transport properties of high electron density GaAs delta-doped by Sn structures. -XII Уральская Международная зимняя школа по физике полупроводников "Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур". Екатеринбург. 1997. Тезисы докладов, с.43-44.

20. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Bogdanov E.V., Kytin V.G., Senichkin A.P. Quenching of persistent photoconductivity and decrease of electron concentration by high electric fields in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures. -Physica B. 1997. v.229. p.262-267.

21. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P., Demin A.V. Conducting wires embedded in an i-GaAs matrix for electronic

applications. - The Second International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Lisbon. Portugal. 1997. Abstracts, p.3.

22. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Bugaev A.S., Senichkin A.P., Golikov A.V. Transport properties of 8-doped by Sn GaAs structures. - 16th General Conference of the Condensed Matter Division. Leuven. Belgium. 1997. Abstracts. p.85.

23. Лунин P.A., Кытин В.Г., Кульбачинский В.А., Миронова Г.А. Низкотемпературные подвижности электронов в подзонах размерного квантования в комбинированно-легированных GaAs/GaAlAs-гетероструктурах. -Вестник МГУ. серия 3. Физика, Астрономия. 1997. N4. с.31-34.

24. Kulbachinskii Y.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Yvedenskiy M.B., Mokerov V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P., Koenraad P.M., van Schaijk R.T.F., de Visser A. Delta-doping of GaAs by Sn. - 6th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg. Russia. 1998. Proceedings, p.293-296.

25. van Schaijk R.T.F., de Visser A., Franse J.J.M., Kulbachinskii V.A., Kytin Y.G., Lunin R.A., Mokerov V.G., Senichkin A.P. Magnetotransport in GaAs 5-doped by Sn. - 13th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Nijmegen. The Netherlands. 1998. Abstracts. p.PB35.

26. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P., Demin A.V. Conducting wires embedded in an /-GaAs matrix for electronic applications. - Microelectronic Engineering. 1998. v.43-44. p.319-324.

27. van Schaijk R.T.F., de Visser A., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Mokerov V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P. Magnetotransport in GaAs 8-doped by Sn. - Physica B. 1998. v.256-258. p.243-247.

28. Kytin V.G., Bugaev A.S., Golikov A.V., Demin A.V., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Senichkin A.P. Negative and positive persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Sn. - XIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников "Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур". Екатеринбург. 1999. Тезисы докладов, с.23-24.

Заключение диссертации по теме «Физика низких температур», Лунин, Роман Анатольевич

Основные результаты и выводы

1) Проведены комплексные исследования в широком интервале температур от 0,35 К до 300 К, в магнитных полях до 40 Тл, электрических полях до 7 кВ/см и при освещении светом с длиной волны от 650 нм до 1200 нм дельта-легированных ваАв структур.

2) В работе исследованы электронные транспортные свойства СаА8(5-81)/А1хСа1. хАв гетеропереходов, в которых однородно легирован кремнием А1хСа1хА8 и 5-легирован ваАв, в зависимости от расстояния Ьд 8-слоя примеси до гетерограницы. Показано, что в структурах ОаА$(5-81)/А1хСа1хА8 при « 60+75 нм наблюдаются максимальная холловская подвижность и проводимость 2В электронов.

3) Методом самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитаны энергетические зонные диаграммы ОаА8(6-81)/А1хСа1хА8 структур, с помощью которых объяснены полученные экспериментальные данные. Путем анализа поперечного магнитосопротивления определены двумерные концентрации, транспортные и квантовые подвижности электронов в подзонах размерного квантования комбинированно-легированных СаА5(5-81)/А1хСа] .хАз структур. Показано, что транспортная подвижность в верхней подзоне на порядок больше по-движностей в низших подзонах из-за пространственного разделения свободных электронов и ионизированных примесей. Зависимости транспортных и квантовых подвижностей от номера подзоны в исследованных структурах при низких температурах объясняются в основном межподзонным и внутриподзонным рассеянием на ионизированных примесях.

4) Проведено исследование низкотемпературных транспортных свойств дельта-слоев олова на сингулярной (001) грани ОаАв в зависимости от концентрации олова, определены концентрации и квантовые подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Показано, что применение олова в качестве дельта-примеси в ваАэ позволяет достичь высоких концентраций двумерных электро

1 О Л нов, вплоть до 8,3*10 см' , при этом исследованные ОаА5(8-8п) структуры являются двумерными вплоть до максимальных исследованных электронных концентраций. Рассчитаны зонные диаграммы структур и показано, что толщина дельта-слоя при максимальном уровне легирования не превышает 34 нм, и электронами заполнена зона проводимости в точке Ь.

5) В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции структур с 8-слоем олова на сингулярной грани ваАв обнаружены особенности, связанные с электронными переходами с уровней размерного квантования.

6) Наблюдены осцилляции сопротивления структур СаАз(5-8п) в параллельном к 5-слою магнитном поле, которые объясняются выталкиванием верхних уровней размерного квантования выше энергии Ферми. Рассчитаны зонные диаграммы в параллельном двумерному слою магнитном поле и вычислены величины полей, при которых происходит опустошение двумерных подзон, хорошо совпадающие с определенными экспериментально.

7) В структурах с дельта-легированием оловом вицинальных граней СаАв проводимость вдоль краев ступеней превышает проводимость поперек них, при этом анизотропия проводимости увеличивается при понижении температуры и уменьшается при увеличении концентрации олова. Анизотропия проводимости связана в основном с разным влиянием неоднородного распределения олова на вициналь-ной грани на рассеяние двумерных электронов в этих двух направлениях.

8) Измеренные в больших электрических полях вольт-амперные характеристики дельта-легированных на вицинальной грани ОаАв структур обнаружили анизотропию. При низких температурах в структурах с дельта-легированием оловом вицинальных граней ваАз наблюдалось резкое (на несколько порядков) увеличение сопротивления под воздействием импульсов сильного электрического поля, которое связано скорее всего с присутствием в структурах ДХ-центров.

9) В структурах СаАз(5-8п) исследован эффект положительной замороженной фотопроводимости, который объясняется пространственным разделением зарядов, и эффект отрицательной замороженной фотопроводимости, связанный с ионизацией ОХ-центров. Показано, что заполнение /Ж-центров не является основным механизмом, ограничивающим максимально достижимую концентрацию свободных электронов при высоких уровнях легирования оловом ваАв. Ограничение концентрации свободных носителей в Г-точке в исследованных ОаА8(5-8п) структурах скорее связано с заполнением электронами зоны проводимости в точке Ь, имеющей высокую плотность состояний и низкую подвижность электронов, а также с увеличением числа компенсирующих дефектов при увеличении концентрации олова.

Заключение

В заключение я хочу выразить искреннюю благодарность моему научному руководителю, профессору Владимиру Анатольевичу Кульбачинскому, за руководство моей научной работой, предоставление интересной темы для диссертационной работы и помощь при работе над нею. Я также благодарен кандидату физико-математических наук Владимиру Геннадьевичу Кытину за большую помощь, оказанную мне в проведении экспериментов и интерпретации результатов исследований. От души благодарю Алексея Петровича Сеничкина и Александра Сергеевича Бугаева за образцы, предоставленные для исследования. Я благодарю за помощь Александра Николаевича Васильева и Евгения Владимировича Богданова, а также Александра Львовича Карузского.

Я благодарен всем сотрудникам кафедры физики низких температур и сверхпроводимости, так или иначе способствовавшим успешному завершению моей работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лунин, Роман Анатольевич, 1999 год

Список литературы

1. Harris J.J. Review: Delta-doping of semiconductors. - Journal of materials science: Materials in electronics. 1993. v.4. N2. p.93-105.

2. Zrenner A., Koch F., Ploog K. Subband physics for a "realistic" 5-doping layer. -Surface Science. 1988. v. 196. p.671-676.

3. Kortus J., Monecke J. Formation of subband in 5-doped semiconductors. -Physical Review B. 1994. v.49. N24. p.17216-17223.

4. Ye Q.-Y., Shklovskii B.I., Zrenner A., Koch F., Ploog K. Hopping transport in 8-doping layers in GaAs. - Physical Review B. 1990. v.41. N12. p.8477-8484.

5. Raikh M.E., Czingon J., Ye Q.-Y., Koch F., Schoepe W., Ploog K. Mechanisms of magnetoresistance in variable-range-hopping transport for two-dimensional electron systems. - Physical Review B. 1992. v.45. N11. p.6015-6022.

6. Ploog K., Hauser M., Fischer A. Fundamental studies and device application of 8-doping in GaAs layers and in AlxGabxAs/GaAs heterostructures. - Applied Physics A. 1988. v.45. N3. p.233-244.

7. Ioriatti L. Thomas-Fermi theory of 8-doped semiconductor structures: Exact analitical results in the high-density limit. - Physical Review B. 1990. v.41. N12. p. 8340-8344.

8. Шик А. Я. Полупроводниковые структуры с 8-слоями. - ФТП. 1992. т.26. вып.7. с.1161-1181.

9. Goncalves L.C.D., Henriques А.В. Electronic properties of gated 8-doped semiconductors. - Semiconductor Science and Technology. 1997. v. 12. N2. p.203-209.

10. Krupski J., Pietka M. On the accuracy of the Thomas-Fermi-Dirac method applied to sub-band structure calculations in a 8-doped semiconductor. - Solid State Communications. 1998. v.107. N3. p.141-144.

11. Ando T. Self-consistent results for a GaAs/AlxGai_xAs heterojunction. I. Subband structure and light-scattering spectra. - Journal of the Physical Society of Japan. 1982. v.51. N12. p.3893-3899.

12. Stern F., Das Sarma S. Electron energy levels in GaAs-Ga].xAlxAs heterojunctions. Physical Review B. 1984. v.30. N2. p.840-848.

13. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем - М. Мир. 1985. 416 с.

14. Proetto C.R. Electronic structure of delta-doped semiconductors. - In: Deltadoping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 2. p.23-68.

15. Sobkowicz P., Wilamowski Z., Kossut J. Monte Carlo simulations of spatial correlation effects of charged centres in 5-doping layers. - Semiconductor Science and Technology. 1992. v.7. p.1155-1161.

16. Jones R.O., Gunnarsson O. The density functional formalism, its applications and prospects. - Reviews of Modern Physics. 1989. v.61. N3. p.689.

17. Perdew J.P., Zunger A. Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems. - Physical Review B. 1981. v.23. N10. p.5048-5079.

18. Марч H., Кон В., Вашишта П., Лундквист С., Уильяме А., Барт У., Лэнг Н. Теория неоднородного электронного газа. - М. Мир. 1987. 400 с.

19. Gunnarsson О., Lundqvist B.I. Exchange and correlation in atoms, molecules, and solids by the spin-density-functional formalism. - Physical Review B. 1976. v.13. N10. p.4274-4298.

20. Shubert E.F., Ploog K. The 8-doped field-effect transistor. - Japanese Journal of Applied Physics. 1985. v.24. N8. p.L680-L610.

21. Suzuki Т., Katsuno M., Goto H., Sawaki N., Ito H., Нага K. Comparative study of C-V and transconductance of a Si 5-doped GaAs FET structure. - Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. 1996. v.35. N4A. p.2008-2011.

22. Kao M.J., Hsu W.C., Hsu R.T., Wu Y.H., Lin T.Y., Chang C.Y. Characteristics of graded-like multiple-delta-doped GaAs field effect transistors. - Applied Physics Letters. 1995. v.66. N19. p.2505-2506.

23. Gaggero-Sager L.M., Perez-Alvarez R. A simple model for delta-doped field-effect transistor electron states. - Journal of Applied Physics. 1995. v.78. N7. p.4566-4569.

24. Hong W.-P. Delta-doped channel III-V field-effect transistors (FETs). - In Deltadoping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 20. p.487-497.

25. Айнспрук H., Уиссмен У. Арсенид галлия в микроэлектронике. - М. Мир. 1988. 555 с.

26. Masselink W.T. Electron transport in delta-doped quantum wells. - In Deltadoping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 16. p.358-406.

27. Shubert E.F., Fisher A., Ploog K. GaAs saw-tooth superlattice light-emitting diode operating monochromaticaly at X > 0.9 pm. - Electronics Letters. 1985. v.21. N9. p.411-421.

28. Shubert E.F. Doping superlattice devices. - In: Delta-doping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 25. p.589-601.

29. Shubert E.F., van der Ziel J.P., Cunningham J.E., Harris T.D. Tunable stimulated emission of radiation in GaAs doping superlattices. - Applied Physics Letters. 1989. v.55. N8. p.757-759.

30. Ченг JI., Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. - М. Мир. 1989. 584 с.

31. Bass S.J. Silicon and germanium doping of epitaxial gallium arsenide grown by the trimethylgallium-arsine method. - Journal of Crystal Growth. 1979. v.47. N5-6. p.613-618.

32. Wood C.E.C., Metze G., Berry J., Eastman L.F. Complex free-carrier profile synthesis by "atomic-plane" doping of MBE GaAs. - Journal of Applied Physics. 1980. v.51. N1. p.383-387.

33. Webb C. Silicon segregation in delta-doped GaAs characterized by Auger electron spectroscopy. - Applied Physics Letters. 1989. v.54. N21. p.2091-2093.

34. Shubert E.F., Luftman H.S., Kopf R.F., Headrick R.L., Kuo J.M. Secondary-ion mass spectrometry on 8-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy. - Applied Physics Letters. 1990. v.57. N17. p.1799-1801.

35. Hart L., Fahy M.R., Newman R.C. X-ray characterization of Si 5-doping in GaAs. - Applied Physics Letters. 1993. v.62. N18. p.2218-2220.

36. Luftman H.S. Secondary ion mass spectrometry of delta-doped semiconductors. -In: Delta-doping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 8. p.201-223.

37. Harris J.J., Clegg J.B., Beall R.B., Castagne J., Woodbridge K., Roberts C. Delta-doping of GaAs and Al0.^Gao^As with Sn, Si and Be: a comparative study. -Journal of Crystal Growth. 1991. v.lll. N1-4. p.239-245.

38. Shubert E.F. Capacitance-voltage profiling. - In: Delta-doping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 9. p.224-237.

39. Schubert E.F., Tu C.W., Kopf R.F., Kuo J.M., Lunardi L.M. Diffusion and drift of Si dopants in 5-doped n-type A^Ga^As. - Applied Physics Letters. 1989. v.54. N25. p.2592-2594.

40. Shubert E.F., Kuo J.M., Kopf R.F., Luftman H.S., Hopkins L.C., Sauer N.J. Beryllium 5 doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy. - Journal of Applied Physics. 1990. v.67. N4. p. 1969-1979.

41. Beall R.B., Clegg J.B., Castagne J., Harris J.J., Murray R., Newman R.C. Post-growth diffusion of Si in 5-doped GaAs grown by MBE. - Semiconductor Science and Technology. 1989. v.4. N12. p.1171-1175.

42. Shubert E.F. Redistribution of impurities in III-V semiconductors. - In: Deltadoping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 10. p.238-252.

43. Dabrowski J., Northrup J.E. Microscopic theory of diffusion on the Ga sublattice of GaAs: Vacancy-assisted diffusion of Si and Ga. - Physical Review B. 1994. v.49. N20. p.14286-14289.

44. Shubert E.F., Gilmer G.H., Kopf R.F., Luftman H.S. Maximum concentration of impurities in semiconductors. - Physical Review B. 1992. v.46. N23. p.15078-15084.

45. Harris J.J., Ashenford D.E., Foxon C.T., Dobson P.J., Joyce B.A. Kinetic limitations to surface segregation during MBE growth of III-V compounds: Sn in GaAs. - Applied Physics A. 1984. v.33. p.87-92.

46. Schubert E.F., Kuo J.M., Kopf R.F., Jordan A.S., Luftman H.S., Hopkins L.C. Fermi-level-pinning-induced impurity redistribution in semiconductors during epitaxial growth. Physical Review B. 1990. v.42. N2. p.1364-1368.

47. Hirota Y., Watanabe Y., Maeda F., Ogino T. Relaxation of band bending on GaAs(OOl) surface by controlling the crystal defects near the surface. - Applied Surface Science. 1997. v.177-118. p.619-623.

48. Walukiewicz W. Amphoteric native defects in semiconductors. - Applied Physics Letters. 1989. v.54. N21. p.2094-2096.

49. Pashley M.D., Haberern K.W., Feenstra R.M., Kirchner P.D. Different Fermi-level behavior on n- and p-type GaAs(OOl). - Physical Review B. 1993. v.48. N7. p.4612-4615.

50. Robert J.L., Sellito P., Gougam A., Sicart J., Planel P. Determination of the energetical separation of DX states in GaAs and in AlAs by using planar-doped superlattices. - Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1995. v.56. N3/4. p.615-618.

51. Бехштедт Ф., Эндерлайн P. Поверхности и границы раздела полупроводников - М. Мир. 1990. 488 с.

52. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. - М. Мир. 1984. 456 с.

53. Yan D., Pollak Fred H., Chin T.P., Woodall J.M. In situ study of Fermi-level-pinning on n- and p-type GaAs(OOl) grown by molecular-beam epitaxy using photoreflectance. - Physical Review B. 1995. v.52. N7. p.4674-4676.

54. Бедный Б.И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников. -Соросовский Образовательный журнал. 1998. N7. с.114-121.

55. Pashley M.D., Haberern K.W. Compensating surface defects induced by Si doping of GaAs. - Physical Review Letters. 1991. v.67. N19. p.2697-2700.

56. Ishikawa Y., Fukui T., Hasegawa H. Kink defects and Fermi level pinning on (2x4) reconstructed molecular beam epitaxially grown surfaces of GaAs and InP

studied by ultrahigh-vacuum scanning tunneling microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. - Journal of Vacuum Science and Technology B. 1997. v.15. N4. p.l 163-72.

57. Hirota Y., Maeda F., Watanabe Y., Ogino T. Shift of surface Fermi level position toward the conduction band minimum by crystal defects near GaAs(OOl) surface. - Journal of Applied Physics. 1997. v.82. N4. p.1661.

58. Chandra A., Wood C.E.C., Woodard D.W., Eastman L.F. Surface and interface depletion corrections to free carrier-density determination by Hall measurements. Solid-State Electronics. 1979. v.22. p.645-650.

59. Hsu T.M., Chang W.-H., Liao D.H., Lee W.C. Fast Fourier transformation of piezoreflectance in 5-doped GaAs. - Journal of Applied Physics. 1998. v.84. N2. p. 1074-1080.

60. Lee W.C., Hsu T.M., Wang S.C., Chang M.N., Chyi J.-I. The Fermi level of annealed low-temperature GaAs on Si-8-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy. - Journal of Applied Physics. 1998. v.83. N1. p.486-490.

61. Harris J.J., Clegg J.B., Beall R.B., Castagne J., Woodbridge K., Roberts C. Delta-doping of GaAs and Alo.33Gao.67As with Sn, Si and Be: a comparative study. -Journal of Crystal Growth. 1991. v.lll. N1-4. p.239-245.

62. Shubert E.F. Doping in III-V Semiconductors. - Cambridge University Press. 1993.

63. Thordson J.V., Andersson T.G., Swenson G., Rodervall U. Two-dimensional limitations when increasing the Si-concentration from 8-doping to thin Si-layers in GaAs. - Journal of Crystal Growth. 1997. v. 175/176. p.234-237.

64. Maguire J., Murray R., Newman R.C., Beall R.B., Harris J.J. Mechanism of compensation in heavily silicon-doped gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy. - Applied Physics Letters. 1987. v.50. N9. p.516-518.

65. Ashwin M.J., Fahy M., Harris J.J., Newman R.C., Sansom D.A., Addinall R., McPhail D.S., Sharma V.K.M. The lattice locations of silicon atoms in delta-doped layers in GaAs. - Journal of Applied Physics. 1993. v.73. N2. p.633-639.

66. Wassermeier M., Behrend J., Daweritz L., Ploog K. Reconstruction of the GaAs(OOl) surface induced by submonolayer Si deposition. - Physical Review B.

1995. v.52. N4. p.R2269-R2272.

67. Newman R.C. Characterisation of silicon and aluminium delta-doped structures in GaAs. - In: Delta-doping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 12. p.279-303.

68. Newman R.C. The lattice locations of silicon impurities in GaAs: effects due to stoichiometry, the Fermi energy, the solubility limit and DX behaviour. -Semiconductor Science and Technology. 1994. v.9. N10. p. 1749-1762.

69. Newman R.C., Ashwin M.J., Fahy M.R., Hart L., Holmes S.N., Roberts C., Zhang X., Wagner J. Lattice locations of silicon atoms in 8-doped layers in GaAs at high doping concentration. - Physical Review B. 1996. v.54. N12. p.8769-8781.

70. Domke C., Ebert Ph., Heinrich M., Urban K. Microscopic identification of the compensation mechanisms in Si-doped GaAs. - Physical Review B. 1996. v.54, N15. p.10288-10291.

71. Laine T., Saarinen K., Mikinen J., Hautojarri P., Corbel C., Pfeiffer L.N., Citrin P.H. Observation of compensating Ga vacancies in highly Si-doped GaAs. - Physical Review B. 1996. v.54. N16. p.R11050-R11053.

72. Matsushita S., Inoue D., Matsumura K., Sawai T. Quantification of electrical deactivation by triply negative charged Ga vacancies in highly doped thin GaAs layers. - Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. 1997. v.36. N3B. p.1698-1702.

73. Fushimi H., Shinohara M., Wada K. Effects of native defects on carrier concentrations in heavily Si-doped and adjoining lightly doped GaAs layers. - Journal of Applied Physics. 1997. v.81. N4. p.1745-1751.

74. Ashwin M.J., Newman R.C., Muraki K. The infrared vibrational absorption spectrum of the Si-X defect present in heavily Si doped GaAs. - Journal of Applied Physics. 1997. v.82. N1. p.137-141.

75. Koenraad P.M. The DX-center in silicon delta-doped GaAs and AlxGai_xAs. - In: Delta-doping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press.

1996. Chapter 13. p.304-318.

76. Arscott S., Missous M., Dobaczewski L. Observation of persistent photoconductivity in 5-doped GaAs. - Semiconductor Science and Technology. 1992. v.7. p.620-623.

77. Shi J.M., Peeters F.M., Devreese J.T. Magnetopolaron effect on shallow donor states in GaAs. - Physical Review B. 1993. v.48. N8. p.5202-5216.

78. Roberts J.M., Harris J.J., Roberts C. Experimental evidence for DX energy distribution in delta-doped AlxGai-xAs/GaAs quantum well structures. Semiconductor Science and Technology. 1996. v.ll. N3. p.458-460.

79. Mooney P.M. Deep donor levels (DX) centers in III-V semiconductors. - Journal of Applied Physics. 1990. v.67. N3. p.Rl-R26.

80. Zrenner A., Koch F., Williams R.L., Stradling R.A., Ploog K., Weimann G. Saturation of the free-electron consentration in 8-doped GaAs: the DX centre in two dimensions. - Semiconductor Science and Technology. 1988. v.3. p.1203-1209.

81. Maude D.K., Portal J.C., Dmowski L., Foster T., Eaves L., Nathan M., Heiblum M., Harris J.J., Beall R.B. Investigation of the DX center in heavily doped n-type GaAs. - Physical Review Letters. 1987. v.59. N7. p.815-818.

82. Skuras E., Kumar R., Williams R.L., Stradling R.A., Dmochowski J.E., Johnson E.A., Mackinnon A., Harris J.J., Beall R.B., Skierbeszewski C., Singleton J., van der Wei P.J., Wisniewski P. Subband dependent mobilities and carrier saturation mechanisms in thin Si doping layers in GaAs in the high density limit. -Semiconductor Science and Technology. 1991. v.6. N6. p.535-546.

83. Blom P.W.M., Koenraad P.M., Blom F.A.P., Wolter J.H. Analysis of the shallow and deep center occupancies in Si-doped AlxGai_xAs using a multilevel donor model. - Journal of Applied Physics. 1989. v.66. N9. p.4269-4274.

84. Shi J.M., Koenraad P.M., van de Stadt A.F.W., Peeters F.M., Devreese J.T., Wolter J.H. Electronic structure of a Si 8-doped layer in a GaAs/AlxGai.xAs/GaAs quantum barrier. - Physical Review B. 1996. v.54. N11. p.7996-8004.

85. Calleja E., Gomez A., Munoz E. Direct evidence of the DX center link to the L-conduction-band minimum in GaAlAs. - Applied Physics Letters. 1988. v.52. N5. p.383-385.

86. Koch F., Zrenner A. The 8 doping layer: Electronic properties and device perspectives. - Materials Science and Engineering B. 1989. v.l. N3-4. p.221-227.

87. Zrenner A. Influence of the DX-center on the capacitance-voltage characteristics of 8-doped GaAs. - Applied Physics Letters. 1989. v.55. N2. p.156-158.

88. Leuther A., Forster A., Luth H., Holzbrecher H., Breuer U. DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in AlxGai.xAs/GaAs heterostructures. - Semiconductor Science and Technology. 1996. v.ll. N5. p.766-771.

89. Rziga Ouaja F„ Mejri H., Selmi A., Gibart P. Effects of the DX center multiplicity on the transport properties of AlxGai_xAs:Si. - Journal of Applied Physics. 1997. v.82. N11. p.5509-5512.

90. Chung C.K., Kang T.W., Hong C.Y., Chang K.S., Kim T.W. Deep levels in Si-doped AlxGai.xAs layers. - Applied Surface Science. 1997. v.l 15. p. 174-179.

91. Dobaczewski L., Kaczor P., Missous M., Peaker A.R., Zytkiewicz Z.R. Structure of the DX state formed by donors in (Al,Ga)As and Ga(As,P). - Journal of Appied Physics. 1995. v.78. N4. p.2468-2477.

92. Akimov B.A., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L.I. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials. - Physica Status Solidi A. 1993. v.137. p.9-55.

93. Chadi D.J., Chang K.J. Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGai_ xAs alloys. - Physical Review B. 1989. v.39. N14. p. 10063-10074.

94. Chadi D.J., Chang K.J. Theory of the atomic and electronic structure of DX centers in GaAs and AlxGai_xAs alloys. - Physical Review Letters. 1988. v.61. N7. p.873-876.

95. Saito M., Oshiyama A., Sugino O. Energetics and local vibrations of the DX center in GaAs. - Physical Review B. 1993. v.47. N20. p.13205-13214.

96. Zeman J., Zigone M., Martinez G. DX center in n-type GaAs under hydrostatic pressure. - Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1995. v.56. N3/4. p.635-638.

97. Hayne M., Usher A., Harris J.J., Foxon C.T. An elegant verification of the negative charge-state of the DX centre from mobility measurements of 2D electrons.

- Surface Science. 1996. v.361/362. p.574-578.

98. Mosser V., Contreras S., Piotrzkowski R., Lorenzini Ph., Robert J.L., Rochette J.F., Marty A. Evidence for the negative charge state of DX centres in AlxGa!.xAs:Si.

- Semiconductor Science and Technology. 1991. v.6. N6. p.505-509.

99. Gibart P., Williamson D.L., Moser J., Basmaji P. Pressure-induced shallow-to-deep donor-state transition in 119Sn-doped GaAs observed by Mossbauer spectroscopy. - Physical Review Letters. 1990. v.65. N9. p.1144-1147.

100. Baj M., Dmowski L.H. Direct evidence of the two-electron character of DX centers based on co-doping with shallow donors and application of high pressure. -Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1995. v.56. N3/4. p.589-593.

101. Sanchez-Dehesa J., Lavielle D., Ranz E., Goutiers B., Portal J.C., Barbier E., Cho E., Sivco D.L. Pressure experiments and self-consistent modelling of the transport properties in 5-doped AlGaAs layers. - Semiconductor Science and Technology. 1991. v.6. p.445-448.

102. Fletcher R., Zaremba E., D'lorio M., Foxon C.T., Harris J.J. Persistent photoconductivity and two-band effect in GaAs/AlxGai-xAs heterojunctions. -Physical Review B. 1990. v.41. N15. p. 10649-10666.

103. Harris J.J., Murray R., Foxon C.T. Optical and electrical investigation of subband populations, mobilities and Fermi level pinning in delta-doped quantum wells. - Semiconductor Science and Technology. 1993. v.8. N1. p.31-38.

104. Chand N.. Henderson T., Klem J., Masselink W.T., Fischer R., Chang Y.-C., Morkoc H. Comprehensive analysis of Si-doped AlxGai_xAs (x=0 to 1): Theory and experiments. - Physical Review B. 1984. v.30. N8. p.4481-4492.

105. Wilks S.P., Cornish A.E., Elliott M., Woolf D.A., Westwood D.I., Williams R.H. Investigation of silicon delta-doped gallium arsenide using the Shubnikov-de Haas effect and theoretical modeling. - Journal of Applied Physics. 1994. v.76. N6. p.3583-3588.

106. Piotrzkowski R., Suski Т., Wisniewski P., Ploog K., Knecht J. Pressure studies of resonant DX centers: Thermal emission from metastable Si and S donors in GaAs. - Journal of Applied Physics. 1990. v.68. N7. p.3377-3380.

107. Koenraad P.M., de Lange W., Blom F.A.P., Leys M.R., Perenboom J.A.A.J., Singleton J., Wolter J.H. Shift of the DX level in narrow Si delta-doped GaAs. -Semiconductor Science and Technology. 1991. v.6. N10B. p.B143-B145.

108. Wilamowski Z., Kossur J., Jantsch W., Ostermayer G. DX centres and Coulomb potential fluctuations. - Semiconductor Science and Technology. 1991. v.6. N10B. p.B38-B46.

109. Peng Z., Horikoshi Y. Carrier concentration saturation of double Si doping layers in GaAs. - Japanese Journal of Applied Physics. Part2. 1996. v.35. N9B. p.L1151-L1154.

110. Brehme S. Detection of persisting photoelectrons in AlGaAs double heterostructure laser diodes by DLTS. - Semiconductor Science and Technology. 1990. v.5. p.983-985.

111. Linke R.A., Redmond I., Thio Т., Chadi D.J. Holographic storage media based on optically active bistable defects. - Journal of Applied Physics. 1998. v.83. N2. p.661-673.

112. Johnson M.B., Koenraad P.M., van der Vleuten W.C., Salemink H.W.M., Wolter J.H. Be delta-doped layers in GaAs imaged with atomic resolution using scanning tunneling microscopy. - Physical Review Letters. 1995. v.75 N8. p.1606-1609.

113. Koenraad P.M. Electron mobility in delta-doped layers. - In: Delta-doping of semiconductors, edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. 1996. Chapter 17. p.407-443.

114. Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. - М. Наука. 1984. 352 с.

115. Das Sarma S., Stern F. Single-particle relaxation time versus scattering time in an impure electron gas. - Physical Review B. 1985. v.32. N12. p.8442-8444.

116. Harrang J.P., Higgins R.J., Goodall R.K., Jay P.R., Laviron M., Delescluse P. Quantum and classical mobility determination of the dominant scattering mechanism in the two-dimensional electron gas of an AlGaAs/GaAs heterojunction. - Physical Review B. 1985. v.32. N12. p.8126-8135.

117. Koenraad P.M., van de Stadt A.F.W., Shi J.M., Hai G.Q., Studart N.. Yansant P., Peeters F.M., Devreese J.T., Perenboom J.A.A.J., Wolter J.H. Electron mobility in Si delta doped GaAs. - Physica B. 1995. v.211. p.462-465.

118. Koenraad P.M., van Hest B.F.A., Blom F.A.P., van Dalen R„ Leys M„ Perenboom J.A.A.J., Wolter J.H. Quantum- and transport electron mobility in the individual subband of a two-dimensional electron gas in Si-doped GaAs. Physica B. 1992. v.177. p.485-490.

119. Coleridge P.T. Small-angle scattering in two-dimensional electron gas. -Physical Review B. 1991. v.44. N8. p.3793-3801.

120. Das В., Subramaniam S., Melloch M.R., Miller D.C. Single-particle and transport scattering times in a back-gated GaAs/AlxGai.xAs modulation-doped heterostructure. - Physical Review B. 1993. v.47. N15. p.9650-9653.

121. Coleridge P.T., Stoner R., Fletcher R. Low-field transport coefficients in GaAs/Gai.xAlxAs heterostructures. - Physical Review B. 1989. v.39. N2. p.1120-1124.

122. Mori S., Ando T. Electronic properties of a semiconductor superlattice II. Low temperature mobility perpendicular to the superlattice. - Journal of the Physical Society of Japan. 1980. v.48. N3. p.865-873.

123. Fishman G., Calecki D. Electron concentration and buffer-width dependence of Hall mobility in GaAs-Gai_xAlxAs multiple-quantum-well structures. - Physical Review B. 1984. v.29. N10. p.5778-5787.

124. Кучис E.B. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. - М. Радио и связь. 1990. 264 с.

125. Makimoto Т., Kobayashi N., Horikoshi Y. Electron conduction in GaAs atomic layer doped with Si. - Journal of Applied Physics. 1988. v.63. N10. p.5023.

126. Gillman G., Vinter В., Barbier E., Tardella A. Experimental and theoretical mobility of electrons in 5-doped GaAs. - Applied Physics Letters. 1988. v.52. N12. p.972-974.

127. Koenraad P.M., Blom F.A.P., Langerak C.J.G.M., Leys M.R., Perenboom J.A.A.J., Singleton J., Spermon S.J.R.M., van der Vleuten W.C., Voncken A.P.J., Wolter J.H. Observation of high mobility and cyclotron resonance in 20 A silicon 8-doped GaAs grown by MBE at 480 C. - Semiconductor Science and Technology. 1990. v.5. p.861-866.

128. Schubert E.F., Cunningham J.E., Tsang W.T. Electron-mobility enchancement and electron-concentration enhancement in S-doped n-GaAs. - Solid State Communications. 1987. v.63. N7. p.591-594.

129. Котельников И.Н., Кокин B.A., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Ржанов Ю.А., Анохина С.П. Характеристика и особенности проводимости приповерхностных 8 -легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных электронов. - ФТП. 1992. т.26. вып.8. с. 1462-1470.

130. Koenraad P.M., Perenboom J.A.A.J., Wolter J.H., van de Stadt A.F.W., Shi J.M., Hai G.Q., Studart N., Vansant P., Peeters F.M., Devreese J.T. Electron mobility in Si delta doped GaAs. - Physica B. 1993. v.184. p.211.

131. Altshuler B.L. Aronov A.G. Electron-electron interaction in disodered conductors. - In: Modern problems in Condensed Matter Sciences, edited by Efros

A.L. and Pollak M. Amsterdam. 1985. p. 1-153.

132. Полянская Т.А., Шмарцев Ю.В. Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. - ФТП. 1989. т.23. вып. 1. с.3-32.

133. Wittmann Н.-Р., Schmid A. Anomalous magnetoconductance beyond the diffusion limit. - Journal of Low Temperature Physics. 1987. v.69. N1/2. p.131-149.

134. Zduniak A., Dyakonov M.I., Knap W. Universal behavior of magnetoconductance due to weak localization in two dimensions. - Physical Review

B. 1997. v.56. N4. p.1996-2003.

135. Савельев И.Г., Полянская Т.А. Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs. - ФТП. 1988. т.22. вып. 10. с.1818-1826.

136. Isihara A., Smrcka L. Density and magnetic field dependences of the conductivity of two-dimensional electron systems. - Journal of Physics C: Solid State Physics. 1986. v.19. p.6777-6789.

137. Kaiser J.F., Reed W.A. Bandpass (bandstop) digital filter design routine. -Review of Science Instrumental. 1978. v.49. N8. p.l 103-1106.

138. Gold A., Ghazali A., Serre J. Electronic properties of 5-doped GaAs. -Semiconductor Science and Technology. 1992. v.7. N7. p.972-979.

139. Gonzalez L.R., Krupski J., Szwacka T. Low-temperature mobility in 5-doped semiconductor. - Physical Review B. 1994. v.49. N16. p.l 1111-11116.

140. Sigga E.D., Kwok P.C. Properties of electrons in semiconductor inversion layers with many occupied electric subbands. I. Screening and impurity scattering. -Physical Review B. 1970. v.2. N4. p.1024-1036.

141. Hai G.-Q., Studart N., Peeters F.M. Multisubband electron transport in 5-doped semiconductor systems. - Physical Review B. 1995. v.52. N11. p.8363-8371.

142. Hai G.Q., Studart N. Dependence of the electron mobility on the acceptor concentration in Si 5-doped GaAs. - Physical Review B. 1995. v.52. N4. p.R2245-R2248.

143. Gonzalez L.R., Krupski J., Szwacka T. Low-temperature electron mobility in a real 8-doped semiconductor. - Physical Review B. 1996. v.54. N11. p.7658-7661.

144. Henriques A.B. Quantum and transport mobilities in 5-doped semiconductors. -Physical Review B. 1996. v.55. N24. p.16365-16371.

145. Smith C.G. Low-dimensional quantum devices. - Reports of Progress in Physics. 1996. v.59. N2. p.235-282.

146. Martorell J., Sprung D.W.L. Systematics of properties of the electron gas in deep-etched quantum wires. - Physical Review B. 1996. v.54. N16. p.11386-11396.

147. Шик А.Я. Квантовые нити. - Соросовский Образовательный Журнал. 1997. N5. с.87-92.

148. Chen W., Ahmed H. Fabrication of 5-7 nm wide etched lines in silicon using 100 keV electron-beam lithography and polymethylmethacrylate resist. - Applied Physics Letters. 1993. v.62. N13. p.1499-1501.

149. Thornton T.J., Pepper M., Ahmed H., Andrews D., Davies G.J. One-dimensional conduction in the 2D electron gas of a GaAs-AlGaAs heterojunction. -Physical Review Letters. 1986. v.56. N11. p.1198-1201.

150. Ploog K. Molecular beam epitaxy of semiconductor quantum wells and superlattices.- Journal of Crystal Growth. 1987. v.79. N1-3. p.887-899.

151. van Wees B.J., van Houten H., Beenakker C.W., Williamson J.G., Kouwenhoven L.P., van der Marel D., Foxon C.T. Quantized conductance of point contacts in a two-dimensional electron gas. - Physical Review Letters. 1988. v.60. N9. p.848-850.

152. Wharam D.A., Thornton T.J., Newbury R., Pepper M., Ahmed H., Frost J.E.F., Hasko D.G., Peacock D.C., Ritchie D.A., Jones G.A.C. One-dimensional transport and the quantisation of ballistic resistance. - Journal of Physics C. 1988. v.56. N8. p.L209-L214.

153. Неволин В.К. Q1D проводники при конечных температурах. - Электронная техника. Серия микроэлектроника. 1991. вып.6. с.145-149.

154. Notzel R., Ploog К.Н. Direct syntheses of semiconductor quantum-wire and quantum-dot structures. - Advanced Materials. 1993. v.5. N1. p.22-28.

155. Etienne В., Lelarge F., Wang Z.Z., Laruelle F. Strong and periodic ID in-plane modulation obtained by MBE on (001) GaAs vicinal surfaces. - Applied Surface Science. 1997. v.113-114. p.66-72.

156. Ramsteiner M., Wagner J., Behr D., Jungk G., Daweritz L., Hey R. Raman spectroscopic study on the wirelike incorporation of Si dopant atoms on GaAs (001) vicinal surfaces. - Applied Physics Letters. 1994. v.64. N4. p.490-492.

157. Daweritz L., Kostial H., Hey R., Ramsteiner M., Wagner J., Maier M., Behrend J., Horicke M. Atomic-scale controlled incorporation of ultrahigh-density Si doping sheets in GaAs. - Journal of Crystal Growth. 1995. v.150. p.214-220.

158. Pashley M.D., Haberern K.W., Gaines J.M. Scanning tunneling microscopy comparison of GaAs (001) vicinal surfaces grown by molecular beam epitaxy. -Applied Physics Letters. 1991. v.58. N4. p.406-408.

159. Daweritz L., Friedland K.-J., Behrend J., Schutzendube P. Decoration phenomena during planar doping of GaAs with Si and effects on magnetotransport. -Physica Status Solidi A. 1994. v.146. N1. p.277-288.

160. Lelarge F., Wang Z.Z., Cavanna A., Laruelle F., Etienne B. From periodic monomolecular step array to macrosteps in pure and Si-doped MBE-grown GaAs on vicinal (001) surfaces. - Europhysics Letters. 1997. v.39. N1. p.97-102.

161. Petrich G.S., Dabiran A.M., Macdonald J.E., Cohen P.I. The effect of submonolayer Sn 8-doping layers on the growth of InGaAs and GaAs. - Journal of Vacuum Science and Technology B. 1991. v.9. N4. p.2150-2153.

162. Pfeiffer L., Stomer H.L., Baldwin K.W., West K.W., Goni A.R., Pinczuk A., Ashoori R.C., Dignam M.M., Wegscheider W. Cleaved edge overgrowth for quantum wire fabrication. - Journal of Crystal Growth. 1993. v.127. p.849-857.

163. Burroughes J.H., Leadbeater M.L., Grimshaw M.P., Evans R.J., Ritchie D.A., Jones G.A.C., Pepper M. Electronic properties of a one-dimensional channel field effect transistor formed by molecular beam epitaxial regrowth on patterned GaAs. -Applied Physics Letters. 1993. v.63. N16. p.2219-2222.

164. Kapon E., Hwang D.M., Bhat R. Stimulated emission in semiconductor quantum wire heterostructures. - Physical Review Letters. 1989. v.63. N4. p.430-433.

165. Koshiba S., Noge H., Akiyama H., Inoshita T., Nakamura Y., Shimizu A., Nagamune Y., Tsuchiya M., Kano H., Sakaki H. Formation of GaAs ridge quantum wire structure by molecular beam epitaxy on patterned substrates. - Applied Physics Letters. 1994. v.64. N3. p.363-365.

166. Okada Y., Amano S., Kawabe M. Nanoscale oxidation of GaAs-based semiconductors using atomic force microscope. - Journal of Applied Physics. 1998. v.83. N4. p. 1844-1847.

167. Thakur J.S., Neilson D. Effect of electron correlations and disorder on mobility and localization in quasi-one-dimensional wires. - Physical Review B. 1997. v.56. N12. p.7485-7490.

168. Niwa S., Yamaguchi M., Suzuki T., Sawaki N. Enhancement of electron mobility in quasi-one-dimensional structure. - Japanese Journal of Applied Physics. Parti. 1997. v36. N6A. p.3675-3680.

169. Greus Ch., Butov L., Daiminger F., Forchel A., Knipp P.A., Reinecke T.L. Lateral quantization in the optical emission of barrier-modulated wires. - Physical Review B. 1993. v.47. N12. p.7626-7629.

170. Berggren K.-F., Roos G., van Houten H. Characterization of very narrow quasi-one-dimensional quantum channel. - Physical Review B. 1988. v.37. N17. p.10118-10124.

171. Berggren K.-F., Thornton T.J., Newson D.J., Pepper M. Magnetic depopulation of ID subbands in a narrow 2D electron gas in a GaAs:AlGaAs heterojunction. -Physical Review Letters. 1986. v.57. N14. p.1769-1772.

172. van Houten H„ Wees B.T., Mooij Т.Е., Roos G., Berggen K.F. Shubnikov-de-Haas oscillations in very narrow quantum channels. - Superlattice Microstructures. 1987. v.3. p.497-499.

173. Yamada S., Makimoto T. Subband mobility of quasi-two-dimensional electron gas in Si atomic layer doped GaAs. - Applied Physics Letters. 1990. v.57. N10. p. 1022-1024.

174. Рыков А.С. Поисковая оптимизация. Методы деформируемых конфигураций. - М. Физматлит. 1993. 216 с.

175. Beck W.A., Anderson J.R. Determination of electrical transport properties using the novel magnetic field-dependent Hall technique. - Journal of Applied Physics. 1987. v.62. N2. p.541-554.

176. Reginski K., Marczewski J., Dziuba Z., Grodzicka E. Mobility spectrum approach in the analysis of the electrical conduction of a GaAs layer grown by molecular beam epitaxy. - Journal of Applied Physics. 1997. v.82. N12. p.6102-6106.

111. Panaev I.A., Studenikin S.A., Lubyshev D.I., Migal V.P. The individual subband densities and mobilités in 5-doped GaAs at different temperatures. -Semiconductor Science and Technology. 1993. v.8. N10. p.1822-1828.

178. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Физическая кинетика (Теоретическая физика, т. 10). - М. Наука. 1979.

179. Hurkx G.A.M., van Haeringen W. Self-consistent calculations on GaAs-AlxGai. xAs heterojunctions. - Journal of Physics C: Solid State Physics. 1985. v.18. N29. p.5617-5627.

180. Simserides C.D., Triberis G.P. A systematic study of electronic states in n-AlxGai.xAs/GaAs/n-AlxGai.xAs selectively doped double-heterojunction structures. -Journal of Physics: Condensed Matter. 1993. v.5. p.6437-6446.

181. Lee H.J., Juravel L.Y., Woolley J.C., Spring Thorpe A. J. Electron transport and band structure of Gai.xAlxAs alloys. - Physical Review B. 1980. v.21. N2. p.659-669.

182. Kroemer H. Band offsets at heterointerfaces: theoretical basis, and review, of recent experimental work. - Surface Science. 1986. v.174. N1-3. p.299-306.

183. Cheong H.M., Burnett J.H., Paul W„ Hopkins P.F., Gossard A.C. Hydrostatic-pressure dependence of band offsets in GaAs/AlxGai„xAs heterostructures. - Physical Review B. 1994. v.49. N15. p. 10444-10449.

184. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М. Мир. 1991. 632 с.

185. Jonsson В., Eng S.Т. Solving the Schrodinger equation in arbitrary quantumwell potential profiles using the transfer matrix method. - IEEE Journal of Quantum Electronics. 1990. v.26. N11. p.2025-2035.

186. Самарский А.А. Введение в численные методы. - M. Наука. 1987. 288 с.

187. Rossler U. Nonparabolicity and warping in the conduction band of GaAs. -Solid State Communications. 1984. v.49. N10. p.943-947.

188. Braun M., Rossler U. Magneto-optic transitions and non-parabolicity parameters in the conduction band of semiconductors. - Journal of Physics C: Solid State Physics. 1985. v.18. p.3365-3377.

189. Malcher F., Lommer G., Rossler U. Electron states in GaAs/Gai„xAlxAs heterostructures: Nonparabolicity and spin-splitting. - Superlattices and Microstructures. 1986. v.2. N3. p.267-272.

190. Ekenberg U. Nonparabolicity effects in a quantum well: Sublevel shift, parallel mass, and Landau levels. - Physical Review B. 1989. v.40. N11. p.7714-7726.

191. Ландау Л.Д., Лифшнц Е.М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). Теоретическая физика. т.З. - М. Наука. 1989. 768 с.

192. Хардле В. Прикладная непараметрическая регрессия. - М. Мир. 1993. 349 с.

193. Degani М.Н. Electron energy level in a 5-doped layer in GaAs. - Physical Review B. 1991. v.44. N11. p.5580-5584.

194. Santos M., Sajoto Т., Zrenner A., Shayegan M. Effect of substrate temperature on migration of Si in planar-doped GaAs. - Applied Physics Letters. 1988. v.53. N25. p.2504-2506.

195. Hirakawa K., Sakaki H. Mobility of the two-dimensional electron gas at selectively doped n-type AlxGai.xAs/GaAs heterojunctions with controlled electron concentrations. - Physical Review B. 1986. v.33. N12. p.8291-8303.

196. Yu K.M., Lee H.P., Wang S. Ion channeling investigation of the lattice location of Sn atoms in GaAs thin films grown by molecular beam epitaxy. - Applied Physics Letters. 1990. v.56. N18. p.1784-1786.

197. Stern F., Howard W.E. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit. - Physical Review. 1967. v.163. N3. p.816.

198. Zukotynski S., Ng P.C.H., Pindor A.J. Persistent photoconductivity in Si-doped AlxGai_xAs. - Physical Review Letters. 1987. v.59. N24. p.2810-2813.

199. Harris J.J., Joyce B.A., Gowers J.P., Neave J.H. Nucleation effects during MBE growth of Sn-doped GaAs. - Applied Physics A. 1982. v.28. N1. p.63-71.

200. Shi J.M., Koenraad P.M., van de Stadt A.F.W., Peeters F.M.,. Farias G.A, Devreese J.T., Wolter J.H., Wilamowski Z. Electron mobility in Si 8-doped GaAs with spartial correlations in the distribution of charged impurities. - Physical Review B. 1997. v.55. N19. p.13093-13099.

201. Shikler R., Heiblum M., Umansky V. Spartial correlation of ionized donors and its effect on scattering time and spin splitting in a two-dimensional electron gas. -Physical Review B. 1997. v.55. N23. p. 15427-15430.

202. Enderlein R., Sipahi G.M., Scolfaro L.M.R., Leite J.R., Diaz I.F.L. Comparative studies of photoluminescence from n and p 8 doping wells in GaAs. - Materials Science and Engineering B. 1995. v.35. N1-3. p.396-400.

203. Wagner J., Fisher A., Ploog K. Photoluminescence from the quasi-two-dimensional electron gas at a single silicon 8-doped layer in GaAs. - Physical Review B. 1990. v.42. N11. p.7280-7283.

204. Wagner J., Richard D. Photoluminescence and Raman spectroscopy of single delta-doped III-V semiconductor heterostructures. - In: Delta Doping of Semiconductors, edited by Schubert E.F. Cambridge University Press. Cambridge. 1996. Chapter 15. p.345-384.

205. Sipahi G.M., Enderlein R., Scolfaro L.M.R., Leite J.R., da Silva E.C.F., Levine A. Theory of luminescence spectra from 8-doping structures: Application to GaAs. -Physical Review B. 1998. v.57. N15. p.9168-9178.

206. Skolnick M.S., Tu C.W., Harris T.D. High-resolution spectroscopy of defect-bound exitons and acceptors in GaAs grown by molecular-beam epitaxy. - Physical Review B. 1986. v.33. N12. p.8468-8474.

207. Ashen D.J., Dean P.J., Hurle D.T.J., Mullin J.B., White A.M., Greene P.D. The incorporation and characterisation of acceptors in epitaxial GaAs. - Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1975. v.36. N10. p.1041-1053.

208. Schairer W., Bimberg D., Kottler W., Cho K., Schmidt M. Piezospectroscopic and magneto-optical study of the Sn-acceptor in GaAs. - Physical Review B. 1976. v.13. N8. p.3452-3467.

209. Reisinger H., Koch F. The "diamagnetic" Shubnikov-de Haas effect for multi-subband charge layers. - Surface Science. 1986. v. 170. p.397-401.

210. van de Stadt A.F.W., Bogaerts R„ Koenraad P.M., Leopold H., Herlach F., Wolter J.H. Diamagnetic SdH effect in crossed and parallel current/magnetic field directions in Si-8-doped GaAs. - Physica B. 1995. v.211. p.458-461.

211. Heisz J.M., Zaremba E. Transverse magnetoresistance of GaAs/AlxGai„xAs heterojunctions in the presence of parallel magnetic fields. - Physical Review B. 1996. v.53. N20. p. 13594-13604.

212. van de Stadt A.F.W. Magnetotransport in Si-8-doped GaAs/AlxGa!.xAs structures. - Proefschrift. Eindhoven: University of Technology. 1998. p. 193.

213. Zrenner A., Reisinger H., Koch F., Ploog K., Maan J.C. Electronic subbands of a 8 doping layer in GaAs in a parallel magnetic field. - Physical Review B. 1986. v.33. N8. p.5607-5610.

214. Рашба Э.И., Тимофеев В.Б. Квантовый эффект Холла. - ФТП. 1986. т.20. вып.6. с.977-1024.

215. Кадушкин В.И., Сеничкин А.П. Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2Б-электронами на сильно разориентированных подложках. -ФТП. 1990. т.24. вып. 12. с.2080-2088.

216. Nakamura Y., Koshiba S., Sakaki H. Large conductance anisotropy in a novel two-dimensional electron system grown on vicinal (lll)B GaAs with multiatomic steps. - Applied Physics Letters. 1996. v.69. N26. p.4093-4095.

217. Nakamura Y., Koshiba S., Sakaki H. Formation of multy-atomic steps and novel n-AlGaAs heterojunctions on vicinal (lll)B substrates by MBE and anisotropic transport of 2D electrons. - Journal of Crystal Growth. 1997. v. 175/176. p. 10921096.

218. В.Г. Кытин Рассеяние и локализация электронов в системах пониженной размерности и имплантированных пленках. - диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Москва. 1995. 143 с.

219. Theis T.N. Hot-electron capture to DX centers in AlxGai-xAs at low A1 mole fractions (x<0.2). - Applied Physics Letters. 1986. v.49. N22. p. 1542-1546.

220. Kastalsky A., Kiehl R.A. On the low-temperature degradation of (AlGa)As/GaAs modulation-doped field-effect transistors. - IEEE Transactions on electron devices. 1986. v.33. N3. p.414-423.

221. Stach R., Asche M., Daweritz L., Hey R., Kostial H., Ramsteiner M. Hot electron capture in highly doped GaAs. - Journal of Applied Physics. 1995. v.77. N9. p.4463-4466.

222. Makinen J., Laine Т., Saarinen K., Hautojarvi P., Corbel C., Airaksinen V.M., Gibart P. Observation of a vacancy at the DX center in Si- and Sn-doped AlGaAs. -Physical Review Letters. 1993. v.71. N19. p.3154-3157.

223. Huang Q.S., Lin H., Kang J.Y., Liao В., Tang W.G., Li Z.Y. Deep donor levels in Sn-doped AlxGai_xAs. - Journal of Applied Physics. 1992. v.71. N12. p.5952-5956

224. Stasch R., Asche M., Giehler M., Hey R., Danilchenko В., Klimashov A., Roshko S., Sarbey O. Field induced carrier capture and optical release from traps in highly doped GaAs:Si. - Journal of Physics: Condensed Matter. 1996. v.8. p.3215-3220.

225. Weegels L.M., Haverkort J.E.M., Leys M.R., Wolter J.H. Band-structure modifications due to photogenerated carriers in a GaAs/AlxGai_xAs heterostructure. Physical Review B. 1992. v.46. N7. p.3886-3892.

226. Michels J.G., Nicholas R.J., Summers G.M., Symons D.M., Foxon C.T., Harris J.J. Influence of light on the confinement potential of GaAs/AlxGai_xAs heterojunctions. - Physical Review B. 1995. v.52. N4. p.2688-2696.

227. de Oliveira A.G., Ribeiro G.M., Soares D.A., Correa F. J.A.W., da Silva M.I.N., Chacham H. Photoconductivity and n- to p-type transition in silicon planar-doped GaAs structures with a doped cap layer. - Journal of Applied Physics. 1995. v.78. N4. p.2659-2665.

228. Валяев B.B., Гуртовой B.JI., Иванов Д.Ю., Морозов С.В., Сироткин В.В., Дубровский Ю.В., Шаповал С.Ю., Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Пустовит А.Н. Проводимость и замороженная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs с одиночными и двойными дельта-слоями. - ЖЭТФ. 1998. т. 113. вып.2. с.693-702.

229. Queisser H.J., Theodorou D.E. Decay kinetics of persistent photoconductivity in semiconductors. - Physical Review B. 1986. v.33. N6. p.4027-4033.

230. Shubert E.F., Fischer A., Ploog K. Electron-impurity tunneling in selectively doped n-type AlxGai.xAs.GaAs heterostructures. - Physical Review B. 1985. v.31. N12. p.7937-7946.

231. Chen J., Yang C.H., Wilson R.A. Observation of negative persistent photoconductivity in an n-channel GaAs/AlxGai_xAs single heterojunction. - Applied Physics Letters. 1992. v.60. N17. p.2113-2115.

232. Евтихиев В.П., Копьев П.С., Надточий М.Ю., Устинов В.М. Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/n-(Al,Ga)As. - ФТП. 1989. т.23. вып.5. с.845-848.

233. Пикус Ф.Г. Максимальная низкотемпературная подвижность двумерного газа в гетероструктурах с широким спейсерным слоем. Моделирование на ЭВМ. -ФТП. 1991. т.25. вып.4. с.729-735.

234. Maude D.K., Eaves L., Portal J.C. Effect of spatial correlation of DX centers on the mobility in heavily doped n-type GaAs. - Applied Physics Letters. 1992. v.60. N16. p.1993-1995.

235. Suski Т., Wisniewski P., Gorczyca I., Dmowski L.H., Piotrzkowski R., Sobkowicz P., Smoliner J., Gornik E., Bohm G., Weimann G. Spartial correlations of remote impurity charges: Mechanism responsible for the high mobility of a two-dimensional electron gas. - Physical Review B. 1994. v.50. N4. p.2723-2726.

236. Buks E., Heiblum M., Shtrikman H. Correlated charged donors and strong mobility enhancement in a two-dimensional electron gas. - Physical Review B. 1994. v.49. N20. p. 14790-14793.

237. Wilamowski Z., Kossut J., Suski Т., Wisniewski P., Dmowski L. Appearance and destruction of spatial correlation of DX charges in GaAs. - Semiconductor Science and Technology. 1991. v.6. N10B. p.B34-B37.

238. Saxena A.K. Photoconductivity storage in Gai-xAlxAs alloys at low temperatures. - Solid-State Electronics. 1982. v.25. N2. p.127-131.