Фазовые и структурные превращения в диамагнитных материалах после воздействия слабых магнитных полей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Постников, Валерий Валентинович

• Постников, Валерий Валентинович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Постников, Валерий Валентинович

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА I

МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ ВОЗДЕЙСТВИЕМ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ (Аналитический обзор)

1.1. Феноменология фазовых переходов I и II рода.

1.2. Модифицирование свойств магнитных материалов слабыми импульсными магнитными полями.

1.3. Магнитопластический эффект в диамагнитных кристаллах.

1.4. Влияние слабых магнитных полей на электрофизические параметры полупроводниковых структур.

1.5. Воздействие магнитных полей на сегнетоэлектрические кристаллы.

1.6. Магнитная обработка полимеров.

ГЛАВА И.

СТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ЭЛЕМЕНТАРНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ,

ИНИЦИИРУЕМЫЕ СЛАБЫМИ ИМПУЛЬСНЫМИ МАГНИТНЫМИ

ПОЛЯМИ

2.1. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния в результате воздействия импульсных магнитных полей.

2.2. Совместное воздействие постоянного и импульсного магнитных полей на кристаллы Cz-Si.

2.3. Влияние импульсных магнитных полей на микроволновые спектры кристаллов кремния.

2.4. Внутреннее геттерирование в кремнии при комбинированном воздействии радиации и импульсных магнитных полей.

2.5. Структурные превращения в твердых растворах Sb-As и Sb-As-Ge после воздействия слабых импульсных магнитных полей.

2.6. Воздействие импульсного магнитного поля на реальную структуру и температуру плавления арсенида индия.

ГЛАВА III

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ

ПРЕВРАЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛИЗУЮЩИХСЯ ПОЛИМЕРАХ

3.1. Особенности кристаллизации полимеров.

3.2. Фазовые превращения в органосилоксанах.

3.3. Влияние слабых импульсных магнитных полей на фазовые превращения в модифицированном полидиметилсилокеане.

3.4. Магнито-кристаллизационный эффект в полимерах группы полиэтил еноксидов.

3.5. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в полиэтиленоксиде.

ГЛАВА IV

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ВОДОРОДСОДЕРЖАЩИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

КРИСТАЛЛАХ

4.1. Сегнетоэлектрические фазовые переходы II рода типа смещения и порядок-беспорядок.

4.2. Водородсодержащие сегнетоэлектрические кристаллы с фазовым ^ переходом типа порядок - беспорядок.

4.3. Воздействие слабого импульсного магнитного поля на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата.

4.4. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов триглицинсульфата.

4.5. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов дигидрофосфата калия.

ГЛАВА V

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА ВБЛИЗИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА. 5.1. Метастабильность и сверхпроводимость в соединениях со структурой

А-15.

5.2. Металлооксидные высокотемпературные сверхпроводники.

5.3. Основные модификации металлооксидного высокотемпературного сверхпроводящего соединения УВа2Сиз07.5.

5.4. Воздействие импульсных магнитных полей на фазовый переход высокотемпературного сверхпроводника.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовые и структурные превращения в диамагнитных материалах после воздействия слабых магнитных полей»

Актуальность темы. Одной из основных задач современной физики конденсированного состояния является исследование отклика той или иной системы на внешние воздействия с целью создания материалов с заданными свойствами. Среди традиционных методов такого воздействия можно назвать, например, тепловые, радиационные, электрические, магнитные и др. Все они, заметно изменяя энергетическое состояние конденсированной системы, могут существенным образом влиять на физические свойства последней, приводя, в частности, к изменениям критических параметров фазовых переходов системы. Воздействие сильных (>10 Тл) магнитных полей, например, вызывает смещение температуры Кюри у сегнетоэлектриков [1,2] и существенное изменение пластических свойств щелочно-галоидных кристаллов [3]. Облучение высокоэнергетическими у-квантами структур металл-диэлектрик-полупроводник генерирует в них высокоэнергетические электронно-дырочные пары, не склонные к рекомбинации [4], что существенно изменяет электрические свойства системы. Воздействие неоднородных температурных полей приводит к возникновению в диэлектриках термополяризационных эффектов [5]. Во всех перечисленных примерах энергия воздействия сравнима по порядку величины с тепловой энергией кТ (к — постоянная Больцмана, Т -абсолютная температура) системы, поэтому понятны причины, вызывающие изменение тех или иных ее свойств.

Сравнительно недавно, однако, появились первые работы (см, например, [6]), в которых сообщалось об изменениях механических свойств у образцов инструментальных сталей после воздействия на них слабых (<1 Тл) импульсных магнитных полей (ИМП). Поскольку энергия (цв -магнетон Бора, Н - напряженность магнитного поля), которую привносят такие поля в решетку кристалла, на несколько порядков величины меньше кТ (для разумных температур), сообщения о «каких-либо эффектах», вызываемых подобными воздействиями, вызвали поначалу совершенно естественную скептическую реакцию. Тем не менее, результаты исследований воздействия слабых импульсных и постоянных магнитных полей (ПМП) на конденсированные системы различной природы продолжали появляться в печати, находя многочисленные и независимые подтверждения. Было обнаружено, например, что кратковременные воздействия ИМП могут инициировать долговременные структурные перестройки и связанные с ними изменения физических свойств у широкого класса немагнитных материалов. В качестве примеров можно отметить магнитопластический эффект, обнаруженный в ионных кристаллах [7], ИМП-инициированный распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния [8], изменение характера диэлектрических потерь и пластичности обработанных слабыми ПМП сегнетоэлектрических кристаллов [9] и т.д. Эти исследования показали возможность модифицирования свойств диамагнитных материалов слабыми магнитными полями. К настоящему времени накоплен достаточно объемный экспериментальный материал, посвященный таким исследованиям, но все они до сих пор имели разрозненный характер. Предпринимались попытки построения теоретических моделей, объясняющих столь странные с точки зрения термодинамики результаты. Например, магнитопластический эффект в работе [10] рассматривался с позиций влияния слабых МП на спиновые состояния короткоживущих пар дефектов, образованных дислокацией и парамагнитным точечным центром в объеме щелочно-галоидного кристалла. Ранее такой же подход был использован для объяснения протекания спин-зависимых химических реакций в диамагнитных жидкостях и твердых телах, подвергнутых воздействию слабых МП [11]. Однако, экспериментально установленные эффекты и закономерности зачастую не удавалось трактовать в рамках известных моделей. Для построения общих теоретических представлений, позволяющих объяснить

Щ способность слабых (практически с «нулевой» энергией) ИМП и ПМП вызывать существенные изменения состояния конденсированных систем, необходимо дальнейшее накопление экспериментального материала, в частности, поиск возможно большего количества веществ, откликающихся на такие слабые воздействия. Это позволило бы, в конечном итоге, модифицировать свойства широкого класса диамагнитных твердых тел с помощью простой аппаратуры, доступной практически для любой современной лаборатории.

Ф Цель и задачи исследования.

Целью работы является установление закономерностей и природы эффекта слабых магнитных полей в структурных и фазовых превращениях диамагнитных материалов.

В соответствии с поставленной целью решались следующие научные задачи:

1. Экспериментальное исследование воздействия слабых ИМП на реальную структуру и фазовые превращения в полупроводниковых кристаллах кремния, полупроводниковых твердых растворах систем Sb-As,

Sb-As-Ge, а также соединений AmBv на примере арсенида индия.

2. Исследование влияния слабых ИМП и ПМП на фазовые переходы типа «кристалл-расплав-кристалл» в кристаллизующихся гибкоцепных полимерах групп органосилоксанов и полиэтиленоксидов.

3. Установление закономерностей изменения сегнетоэлектрических и диэлектрических свойств подвергнутых воздействию ИМП и ПМП водородсодержащих кристаллов триглицинсульфата (ТГС) и дигидрофосфата калия (KDP) вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода.

4. Определение изменения характера температурной зависимости удельного электрического сопротивления вблизи сверхпроводящего фазового перехода высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) -керамики YBa2Cu307.s после ИМП-воздействия.

Научная новизна. Основные результаты исследований влияния; воздействия слабых ИМП и ПМП на фазовые: переходы в диамагнитных кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков, в кристаллизующихся полимерах и ВТСП-керамике получены впервые и заключаются в следующем:

- обнаружено, что кратковременное (секунды) воздействие слабого (0.4 Тл) ИМП инициирует в кристаллах кремния, выращенного методом Чохральского, протекание долговременных (сотни часов при комнатной температуре) процессов, сопровождающихся существенным смещением спектров поглощения и отражения микроволнового излучения;

- обнаружен эффект долговременного (месяцы) перераспределения компонентов кристаллов твердого раствора Sb].xAsx, подвергнутых воздействию ИМП (0.3 Тл, 60 с); перераспределение включает в себя этапы первоначального обогащения поверхности кристаллов сурьмой с образованием ею кластеров, дальнейший распад кластеров и существенное повышение однородности твердого раствора; структурные превращения? сопровождаются снижением температуры плавления кристаллов;

- установлено, что в образцах трехкомпонентной системы Sbo^Aso i7Ge0j5, в которых наблюдается крайне неравномерное исходное распределение компонентов, воздействие ИМП (0.3 Тл, 60 с) вызывает долговременный процесс радикальной перестройки структуры, конечным этапом которого является образование областей твердого раствора арсенида германия, отсутствующего в исходном образце; для модифицированного полидиметилсилоксана (с добавлением 0.5% метилвиниловых звеньев), подвергнутого 30-секундной обработке слабым ИМП (0.2 Тл) при комнатной температуре, обнаружен эффект существенного сближения температур плавления Гпл и кристаллизации 7!ф (изменение АГ=Гпл-Гкр ~ 30 К), имеющего необратимый характер; в полиэтиленоксидах с молярными массами 100-103 (ПЭО-ЮО) и 40-Ю3 (ПЭО-40) кг/кмоль, обработанных при 7^=350 К ИМП (0.2 Тл, 30 с), отмечен магнито-кристаллизационный эффект, проявляющийся в необратимом изменении характера нуклеации при кристаллизации полимеров; обнаружено селективное воздействие слабого (до 0.32 Тл) ПМП на расплав образцов ПЭО-ЮО, заключающееся в существенном изменении температур фазовых переходов АТ-Т^-Т^ полимера; обнаружены эффекты изменения сегнетоэлектрических и диэлектрических свойств вблизи точки Кюри у номинально чистых кристаллов ТГС, обработанных слабым (0.02-0.06 Тл) ИМП в полярной и параэлектрической фазах; показана возможность селективного воздействия слабого (0.05-0.09 Тл) ПМП на кристаллы ТГС и KDP, приводящего к уменьшению их температур Кюри и возрастанию величины коэрцитивного поля; для образцов ВТСП-керамики УВагСизОт^, обработанных ИМП (0.5 Тл при Т=420 К в течение 60 с) отмечен эффект изменения знака температурного коэффициента электрического сопротивления (ТКС) вблизи сверхпроводящего фазового перехода и отсутствие самого перехода вплоть до Т= 77 К.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Кратковременное воздействие слабых импульсных магнитных полей (ИМП) приводит к долговременному перераспределению элементов в полупроводниках, полупроводниковых твердых растворах и соединениях AmBv.

2. Гибкоцепные кристаллизующиеся полимеры, имеющие радикальные концевые группы и (или) слабые двойные связи в полимерной цепи после обработки их расплава слабыми магнитными полями меняют морфологию кристаллического состояния.

3. Немонотонная зависимость от времени температур фазовых превращений кристалл-расплав-кристалл ИМП - обработанных полимеров обусловлена возрастанием подвижности полимерных цепей за счет разрушения сетки «физических узлов» с одной стороны, и снижением подвижности цепей в результате их сшивок — с другой.

4. Обработка слабыми магнитными полями полярных фаз водород-содержащих кристаллов (триглицинсульфат и дигидрофосфат калия) вызывает обратимое возрастание напряженности коэрцитивного поля и диэлектрической проницаемости и уменьшение температуры Кюри.

5. Воздействие ИМП на сверхпроводящую керамику УВазСизО?^ приводит к временному изменению знака ее температурного коэффициента сопротивления вблизи сверхпроводящего фазового перехода.

Практическая значимость. Обнаруженные в работе закономерности свидетельствуют о том, что слабые магнитные поля могут успешно использоваться для модификации свойств целого ряда диамагнитных материалов:

- на примере кристалла InAs показана возможность использования ИМП для повышения фазовой однородности и структурного совершенства бинарных фаз полупроводниковых соединений AmBv;

- предложен способ геттерирования в кристаллах Cz-Si, основанный на последовательной обработке образцов -частицами и ИМП, позволяющий использовать его практически на любом этапе формирования приборов на основе кристаллов Cz-Si;

- показана возможность использования ИМП в качестве тестирующего воздействия для обнаружения скрытых технологических дефектов в пластинах Cz-Si;

- использование для обработки ИМП и ПМП дает возможность изменять характер процесса кристаллизации и варьирования температурного интервала между Гпл и Гкр в полимерах, имеющих слабые двойные связи в основной цепи и/или радикальные концевые группы;

- обнаруженный эффект изменения знака ТКС вблизи температуры сверхпроводящего фазового перехода в ВТСП-керамике YBa2Cu307.s после ИМП-воздействия открывает дополнительные возможности для управления реальной структурой и свойствами оксидных высокотемпературных сверхпроводников;

- результаты работы следует учитывать при разработке приборов, в которых используются исследованные материалы (защита от воздействия ИМП).

Личный вклад автора. Все основные экспериментальные результаты, представленные в диссертации, получены самим автором, либо при его непосредственном участии. Выбор направлений исследований, постановка задач, обобщение экспериментальных результатов, написание статей также принадлежат автору. Ряд исследований проведен с участием соискателя и аспирантов, у которых автор является соруководителем (Палагин М.Ю., Дронов М.А., Колесникова Е.Д.).

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались % и обсуждались на нижеперечисленных конференциях, симпозиумах, семинарах и совещаниях: Всесоюзной конференции «Актуальные проблемы получения и применения сегнетоматериалов» (Москва, 1991), Международной, школе-семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, ВПИ, 1993 ), VIII Международной конференции по сегнетоэлектричеству (США, 1993), Международной конференции «Диэлектрики-93» (Санкт-Петербург, 1993), III Международном симпозиуме по доменным структурам (Польша, 1994), Международном семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, ВПИ, ^ 1995), VIII Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Голландия,

1995), IX Международной, конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула, 1997), VI Международной конференции по электрокерамикам и их применениям (Швейцария, 1998), XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1999), VII, VIII и IX Международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, ВГУ, 2001, 2002 и 2003), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация * в полиматериалах» (Москва, 2001), II и III Международных междисциплинарных симпозиумах «Фракталы и прикладная синергетика» (Москва, 2001 и 2003), Международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж, ВГТУ, 2002), III Международной научно-технической конференции «Электрическая изоляция — 2002» (Санкт-Петербург, 2002), VII Российско-японском симпозиуме по сегнетоэлектричеству (Санкт-Петербург, 2002), XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 2002), Международной научно-технической школе-семинаре «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию» (Москва, 2002), III и V Международных ^ научно-технических конференциях «Кибернетика и технологии XXI века»

Воронеж, ВГУ, 2002 и 2004), Международной научно-технической конференци «Тонкие пленки и слоистые структуры» (Москва, 2002), Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, ВГУ,

2002), V Междун. конф. «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, ВГТУ, 2003), Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2003), IV Международном семинаре по физике сегнетоэластиков «ISFP-4» (Воронеж,

2003), Международной научно-технической школе - конференции «Молодые ученые - 2003» (Москва, 2003), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2003), X Международной конференции «Диэлектрики - 2004» (Санкт-Петербург, 2004).

Публикации. В конце автореферата приведен список из 46 основных публикаций по теме диссертации. Личный вклад соискателя во всех работах, выполненных в соавторстве, состоит в постановке части задач исследования, получении экспериментальных данных, написании статей, творческом участии в анализе полученных результатов, их обобщении и формулировке выводов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, приложений и списка литературы. Объем диссертации составляет 338 страниц машинописного текста, включая 122 рисунка и 9 таблиц. Список литературы содержит 381 наименование.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Постников, Валерий Валентинович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Воздействие слабого ИМП приводит к немонотонному изменению сорбционной способности поверхности обогащенных кислородом кристаллов кремния. Эффект объясняется изменением в приповерхностном слое Si концентрации кислорода, высвобождающегося в объеме кристалла после воздействия ИМП.

Кратковременное воздействие слабого ИМП при комнатной температуре на кристаллы полупроводниковых твердых растворов Sb-As и Sb-As-Ge, а также соединения InAs инициирует долговременные процессы перераспределения компонентов, способствующие повышению однородности систем и снижению их дефектности. Возможной стартовой причиной наблюдавшихся структурных превращений является вызванное ИМП-воздействием изменение мультиплетности напряженных химических связей в вакансионных комплексах (исходно присутствующих в кристаллах), приводящее к разрыву этих связей и последующему распаду комплексов.

Обнаружено необратимое изменение температур фазовых переходов типа кристалл — расплав - кристалл в ИМП - обработанных гибкоцепных кристаллизующихся полимерах, имеющих радикальные концевые группы - модифицированном полидиметилсилоксане (ПДМС) и полиэтиленоксиде (ПЭО). Увеличение температуры кристаллизации Ткр обоих полимеров обусловлено сшиванием полимерных цепей в результате чувствительных к магнитному воздействию спин-зависимых радикальных реакций концевых групп, а уменьшение температуры плавления Гпл - увеличением поверхности границ сферолитов при уменьшении их размеров в процессе кристаллизации. Более сильное изменение Гкт и Тпл у ПДМС связано с возникновением сшивок через слабые двойные связи в виниловой группе полимера. Эффект магнитного воздействия отсутствует, если обработанный полимер не имеет радикальных концевых групп и слабых двойных связей, например, для полиметилсилоксана (ПМС).

Обнаружено селективное воздействие слабого ПМП на положение и ПЭО. ИМП и ПМП вызывают смещения и 7^ полимера в противоположные стороны, т.е. величина AT = (7^-7^ ) - (Гшо-Ткро) имеет разные знаки (ДГ > 0 после ПМП - и AT < 0 после ИМП — обработки). Закономерности изменения AT связываются с действием двух конкурирующих механизмов: сшиванием молекулярных цепей через концевые группы полимера (являющиеся радикалами) и разрушением под действием магнитного поля сетки «физических узлов», которое приводит к увеличению подвижности цепей.

Установлено, что обработка номинально чистых кристаллов ТГС слабыми ИМП приводит к долговременным изменениям их диэлектрических и сегнетоэлектрических характеристик вблизи фазового перехода II рода - увеличению напряженности коэрцитивного поля Ек и диэлектрической проницаемости е'тах в точке Кюри, а также смещению значения Тс в сторону более низких (обработка ИМП в полярной фазе), или более высоких (обработка в парафазе) температур. Природа эффекта ИМП связывается с откреплением исходных дефектов от доменных стенок и дислокаций, а также распадом исходных дефектных комплексов и формированием новой доменной структуры.

Установлено, что при воздействии слабого ПМП на водородсодержащие кристаллы ТГС и KDP происходит изменение их физических свойств вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. Полная аналогия эффектов указывает на общность механизмов протекающих процессов после воздействия в кристаллах. Отсутствие эффекта воздействия ПМП (по крайней мере, в интервале полей с индукциями от 0.02 до 0.3 Тл) в кислородно - октаэдрическом сегнетоэлектрике BaTi03 позволяет связать наблюдаемые в KDP и ТГС изменения с участием в структурных перестройках этих кристаллов протонов водородных связей, стабилизирующих короткоживущие радикальные состояния в дефектных комплексах, чувствительных к слабым магнитным воздействиям.

Воздействие ИМП на ВТСП - керамику УВагСизС^б, приводит к изменению знака ТКС вблизи температуры сверхпроводящего перехода с последующей долговременной релаксацией ТКС к исходному значению. Обнаруженные закономерности связываются с уменьшением после воздействия ИМП содержания кислорода в линейных цепочках Cu-0 керамики (повышением содержания кислородных вакансий 5), что способствует переходу соединения УВагСизО?^ в «псевдощелевое» состояние. Долговременная релаксация параметров обработанных ВТСП образцов объясняется уменьшением со временем дефицита кислорода в цепочках Cu-0 за счет его возвращения с границ зерен керамики и (или) поступления из атмосферы. Обнаруженный эффект открывает дополнительные возможности для управления реальной структурой и свойствами оксидных высокотемпературных сверхпроводников.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ М

В заключение считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность моим коллегам за многочисленные дискуссии и помощь в работе над диссертацией. В первую очередь хотелось бы отметить моего научного консультанта, профессора кафедры ядерной физики ВГУ Левина Марка Николаевича, благодаря настойчивости и повседневной заботе которого и была написана эта диссертация. Я хотел бы поблагодарить профессора Матвеева Н.Н. (ВГЛТА) за многолетнее сотрудничество и постоянный интерес к результатам работы. Я признателен профессорам ^ Семеновой Г.В. (ВГУ), Калинину Ю.Е., Кущеву С.Б., Милошенко В.Е. и

Иванову О.Н. (ВГТУ).

Особую благодарность мне хотелось бы выразить моей жене, Постниковой Тамаре Васильевне, чью повседневную заботу и внимание я чувствовал на протяжении всей нашей совместной жизни, и чье умение создать благоприятную «погоду в доме» в немалой степени способствовало написанию этой работы. Я благодарен также моему сыну, Сергею, за его щ долготерпение при объяснении мне азов «компьютерной науки» (которую мне так и не удалось постичь в нужном объеме) и помощь в оформлении рукописи.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Постников, Валерий Валентинович, 2004 год

1. Баранов Ю.В., Гайсин Ф.Г., Усейнов Р.Г., Чайковский Н.Г. Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МДП-транзисторов. // Физ. и Техн. Полупроводников. 1985. - Т. 19. -№Ю.-С. 1883-1885.

2. Воищев B.C., Матвеев Н.Н., Валецкий П.М., Коршак В.В. Исследование зависимости спонтанной поляризации от градиента температуры в полидиметилсилоксане. // Докл. АН СССР. — 1985. Т. 281. - №6. -С. 1390-1392.

3. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1997. - Т. 111. - №2. - С. 615-626.

4. Левин М.Н., Зон Б.А. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1997. - Т. 111.- №4. -С. 1373-1397.

5. Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. Влияние постоянного магнитного поля на диэлектрическую релаксацию в кристалле молибдата гадолиния. // Кристаллография. — 1997. Т. 42. - №6. — С. 1135-1136.

6. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта. // Физика твердого тела. 1991.-Т. 33. -№10.-С. 3112-3114.

7. Бучаченко A.JL, Сагдеев Р.З., Салихов К.М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. — Новосибирск: Наука. 1978. - 296 с.

8. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. М.: Радио и связь. - 1989. -287 с.

9. Рез И.С. Практическое использование свойств сегнетоэлектриков вблизи точек фазовых превращений // Известия АН СССР. (сер. физическая). 1985. - Т. 49. - №2. - С. 241-246.

10. Рез И.С. Современные тенденции в разработке и применениях сегнето-и пьезоэлектриков // Актуальные проблемы сегнетоэлектрических фазовых переходов. Рига. - 1983. - С. 53-79.

11. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. Часть I. М.: Наука. - 1976. - 584 с.

12. Паташинский А.З., Покровский В.Л. Флуктуационная теория фазовых переходов. М.: Наука. - 1975. - 326 с.

13. Стенли Г. Фазовые переходы и критические явления. М.: Мир. - 1973. - 273 с.

14. Bruce A.D., Cowley R.A. Structural Phase Transitions. London: Taylorand Francis Ltd. - 1981.-324 p.

15. Лайнс M. Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир. 1981.- 736 с.

16. Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М.: Мир. - 1969.- 647 с.

17. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М.: Изд-во АН СССР.- 1945. 724 с.

18. Гуль В.Е., Кулезнев В.Н. Структура и механические свойства полимеров. М.: Высшая школа. - 1972. - 320 с.

19. Бартенев Г.М., Ремизова А.А. Фазовые переходы и их классификация // Журн. Физ. Химии. 1957. - Т. 31. - №. 11. - С. 2534-2546.

20. Hayashi S., Takahashi S., Yamamoto M. Magneto-plastic effect in nickel single crystals. // J. Phys. Soc. Japan. 1971. - V. 30. - №2. - P. 381-387.

21. Hayashi S. Magneto-plastic effect in nickel and nickel-cobalt alloy single crystals. // J. Phys. Soc. Japan. 1972. - V. 32. - №4. - P. 949-957.

22. Hayashi S., Takahashi S., Yamamoto M. Effect of an alternating magnetic field on the flow stress of Ni and Ni-Co alloy single crystals. // Phys. Lett. -1972.-V. A42. №2. - P. 171-172.

23. Hayashi S. Direct observation of the dislocation motion in ferromagnetic crystals under alternating magnetic fields. // Jap. J. Appl. Phys. 1973. - V. 12.-№2.-P. 182-185.

24. Postnikov S.N. Electrophysical and electrochemical phenomena in friction, cutting and lubrication. New-York.: Van Nostr. Reinhold. - 1978. - 281 p.

25. Постников C.H., Кунгин А.Д., Черников А.А. Влияние импульсных магнитных полей на усталость быстрорежущей стали. // Электронная обработка материалов. 1981. - №6. - С. 8-11.

26. Дистлер Г.И., Каневский В.М., Москвин В.В., Постников С.Н., Рябинин Л.А., Сидоров В.П., Шнырев Г.Д. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел. // Доклады АН СССР. 1983. - Т. 268. - №3. - С. 591-593.

27. Македонски Б.Г. Обработка режущих инструментов импульсным магнитным полем. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1989. - С. 30-36.

28. Боровский С.М., Мухин B.C. Влияние ОИМП на состояние поверхности титановых и никелевых сплавов. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». — София-Нижний Новгород. 1989. - С. 54-64.

29. Герганов A.M. Влияние магнитной обработки на порошковые инструментальные материалы. // Матер. IV НТС«Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1989. -С. 73-84.

30. Герасимова Н.В., Громыко Г.Г., Райкова Е.Б. Эффективность эпиламирования в импульсном магнитном поле. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». -София-Нижний Новгород. 1989. - С. 113-119.

31. Постников С.Н., Масловский В.М. Развитие диффузионной неустойчивости в метастабильных структурах после ОИМП. // Матер. V научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1992. - С. 3-7.

32. Бузынин В.Н., Ткач Б.А. Электронографические исследования структурных изменений в быстрорежущей стали после ОИМП. // Матер. V научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1992. - С. 44-47.

33. Абрагам Л. Ядерный магнетизм. М.: Мир. - 1963. - 926 с.

34. Куркин М.И., Туров Е.А. ЯМР в магнитоупорядоченных веществах и его применения. М: Наука. - 1990. - 243 с.

35. Galligan J.M., Pang C.S. The electron drag on mobile dislocations in cooper and aluminum at low temperatures. Strain rate, temperature and field dependence. // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50. - №10. - P. 6253-6256.

36. Motowidlo L., Goldman P., Yalamanchi В., Galligan J.M. Influence of dislocation drag on twinning in zinc. // Phys. Rev. Lett. 1980. - V. 44. -№14.-P. 934-936.

37. Galligan J.M. Dislocation drag mechanisms in normal state metals. // Scripta Metall. 1984. - V. 18. - №7. - P. 653-656.

38. Jemielniak R., Krolikowski J. Study of dislocations in a magnetic field by ultrasonic methods. // J. Techn. Phys. 1986. - V. 27. - №1-2. - P. 173-185.

39. Алыпиц В.И., Даринская E.B., Перекалина T.M., Урусовская А.А. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля. // Физика тв. тела. 1987. - Т. 29. - №2. - С. 467-470.

40. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Гектина И.В., Лаврентьев Ф.Ф. Исследование магнитопластического эффекта в кристаллах цинка. // Кристаллография. 1990. - Т. 35. - №4. - С. 1014-1016.-к

41. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Перекалина Т.М., Петржик Е.К. «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления. // Физика твердого тела. 1991. - Т. 33. -№10.-С. 3001-3010.

42. Альшиц В.И., Воска Р., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и А1 в переменном магнитном поле. // Физика твердого тела. 1993. — Т. 35. -№1.-С. 70-72.

43. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Kazarinova E.L. et. all. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction. // J. Allows and Compounds. — 1994.-V. 211.-P. 548-553.

44. Альшиц В.И., Даринская E.B., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. О природе влияния электрического тока на магнито-стимулированную микропластичность монокристаллов А1. // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 67.-№10.-С. 788-793.

45. Альшиц В.И., Даринская Е.В. Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов. // Письма в ЖЭТФ. -1999.-Т. 70.-№11.-С. 749-753.

46. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В. Особенности дислокационной динамики при импульсном нагружении кристаллов NaCl. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 9. - С. 1635-1642.

47. Тяпунина Н.А., Красников В.Л., Белозерова Е.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF. // Физика твердого тела. -1999.-Т. 41.-№6.-С. 1035-1041.

48. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl. // Письма в ЖЭТФ. 1993. - Т. 58. - №3. - С. 189-192.

49. Головин Ю.А., Казакова O.JI., Моргунов Р.Б. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле. // Физика твердого тела. 1993. - Т. 35. - №5. - С. 1384-1386.

50. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память монокристаллов NaCl с дислокациями. // Физика тв. тела. 1993. - Т. 35. - №9. - С. 2582-2585.

51. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Tyutyunnik A.V. The influence of permanent magnetic and alternative electric fields on the dislocation dynamics in ionic crystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1995. - V. 189. - P. 75-80.

52. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поляна подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl. // Физика твердого тела. 1995. - Т. 37. - №5. - С. 1352-1361.

53. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl'.Ca. // Физика твердого тела. 1995. - Т. 37. - №7. - С. 2118-2121.

54. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов. // Письмав ЖЭТФ. 1995.-Т. 61.- №7. -С. 583-586.

55. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тютюнник А.В. Исследование in situ динамики дислокаций в монокристаллах NaCl, обработанных постоянным магн. полем. // Изв. РАН (сер. физич.). 1995. - Т. 59. - №10. - С. 3-7.

56. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Карякин A.M. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле. // Изв. РАН (сер. физическая). 1996. -Т. 60.-№9.-С. 173-178.

57. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Головин Д.Ю. Долгожи-вущие состояния дефектов структуры в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсным магнитным полем. // Физика твердого тела. 1996. Т. 38. - №Ю. - С. 3047-3049.

58. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Lopatin D.V., Baskakov A. A. Influence of a strong magnetic fields pulse on NaCl crystal microhardness. // Phys. Stat. Sol. (a). 1997.-V. 160.-R3.

59. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магниточувствительные реакции между дефектами структуры в ионных кристаллах. // Известия РАН (сер. химическая). 1997. - №4. - С. 739-744.

60. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Влияние постоянного магнитного поля на преодоление дислокациями короткодействующих препятствий в монокристаллах LiF. // Физика твердого тела. — 1997. -Т. 39. №3. - С. 495-496.

61. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.В. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах. // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. - №4. - С. 634-639.

62. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е. In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах КС1:Са. // Физика твердого тела. —1997. Т. 39. - №4. - С. 630-633.

63. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах. // Известия РАН (сер. физическая). 1997. - Т. 61. - №5. -С. 850-859.

64. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля. // Известия РАН (сер. физическая). 1997. - Т. 61. - №5. - С. 965-971.

65. Molotski М., Fleurov V. Influence of static and alternative magnetic fields on plasticity of crystals. // Phil. Mag. Lett. 1996. - V. 73. -№1. - P. 11-15.

66. Molotski M., Fleurov V. Spin effectsin plasticity. // Phys. Rev. Lett. 1997.- V. 78. №14. - P. 2779-2782.

67. Molotski M., Fleurov V. Manifestations of hyperfine interaction in plasticity. // Phys. Rev. 1997. - V. B56. - № 17. - P. 10809-10811.

68. Molotski M., Fleurov V. Dislocation paths in a magnetic field. // J. Phys. Chem. 2000. - V. В104. - № 16. - P. 3 812-3 816.

69. Molotski M.I. Theoretical basis for electro- and magnetoplasticity. // Mat. Sci and Engin. 2000. - V. A287. - P. 248-258.

70. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов. // Доклады РАН. -1997. Т. 354. - №5. - С. 632-634.

71. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е. Термодинамические и кинетические аспекты разупрочнения ионных кристаллов импульсным магнитным полем. // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. - №11.1. С. 2016-2018.

72. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Роль внутренних механических напряжений в магнитостимулированном движении дислокаций. // Кристаллография. 1998. - Т. 43. - №4. - С. 689-693.

73. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов, Иволгин В.И. Фотовозбуждение магниточувствительных точечных дефектов в ионных кристаллах. // Кристаллография. 1998. - Т. 43. - №5. - С. 912-916.

74. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Шмурак С.З. Оптическое возбуждение магниточувствительных центров в ионных кристаллах. // Доклады РАН.- 1998. Т. 360. - №6. - С. 753-755.

75. Урусовская А.А., Альшиц В.И., Беккауер Н.Н., Смирнов А.Е. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей. // Физика твердого тела. 2000. -Т. 42. - №2. - С. 267-269.

76. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тюрин А.И., Иволгин В.И. Магнитный резонанс в короткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl. // Доклады РАН. 1998. - Т. 361. - №3.1. С. 352-354.

77. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Дмитриевский А.А. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl. // Письма в ЖЭТФ. 1998. - Т. 68. - №5. - С. 400-405.

78. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Лопатин Д.В., Баскаков А.А., Евгеньев Я.Е. Обратимые и необратимые изменения пластических свойств кристаллов NaCl, вызванные действием магнитного поля. // Физика твердого тела. 1998. - Т. 40. - №11. - С. 2065-2068.

79. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тютюнник А.В., Жуликов С.Е., Афонина Н.М. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl. // Физика твердого тела. -1998. Т. 40. - №12. - С. 2184-2188.

80. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1999. - Т. 115. - №2. - С. 605-624.

81. Дацко О.И., Алексеенко В.И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале с дислокациями. // Физика твердого тела. 1997.-Т. 39.-№7.-С. 1234-1236.

82. Дацко О.И., Алексеенко В.И., Брусова А.Л. Влияние импульсов слабого магнитного поля на зернограничную релаксацию в алюминии. // Физика твердого тела. 1999. -Т. 14.-Вып. 11.-С. 1985-1987.

83. Пинчук А.И., Шаврей С.Д. Магнитопластический эффект в случае двойникования кристаллов висмута под действием сосредоточенной нагрузки. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 1. - С. 39 - 41.

84. Пинчук А.И., Шарвей С.Д. Влияние постоянного магнитного поля и импульсного электрического тока на среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций в кристаллах висмута. // Физика твердого тела.-2001.-Т. 43.-Вып. 8.-С. 1416-1417.

85. Дацко О.И. Дислокационное внутреннее трение материала с вакансиями в импульсах слабого магнитного поля. // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - Вып. 2. - С. 289-290.

86. Пинчук А.И., Шаврей С.Д. Корреляция между микротвердостью и подвижностью двойникующих дислокаций в кристаллах висмута при приложении постоянного магнитного поля. // Письма в ЖТФ. — 2002. —

87. Т. 28. Вып. 12. - С. 80-84.

88. Шаврей С.Д., Пинчук А.И. Снижение подвижности и размножения двойникующих дислокаций в кристаллах висмута при приложении постоянного магнитного поля. // Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29. - №15. -С. 35-39.

89. Кведер В.В., Осипьян Ю.А., Шалынин А.И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1982. - Т. 83. - №2(8). - С. 699-714.

90. Макара В.А., Стебленко Л.П., Горидько Н.Я., Кравченко В.М., Коломиец А.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 3. - С. 462-465.

91. Скворцов А.А., Орлов A.M., Гончар Л.И. Влияние слабого магнитного поля на подвижность дислокаций в кремнии. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 2001. - Т. 120. - №1(7). - С. 134-138.

92. Орлов A.M., Скворцов А.А., Соловьев А.А. Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. 4.-С. 613-617.

93. Алексеенко В.И. Реакция системы дислокация примесь на электромагнитное воздействие. // Ж. Тех. Физ. - 2000. - Т. 70. - №6. - С. 63-66.

94. Закревский В.А., Пахотин В.А., Шульдинер А.В. О возможном влиянии магнитного поля на разрыв механически нагруженных ковалентных химических связей. // ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 11.- -С. 1990-1993.

95. Петржик Е.А., Даринская Е.В., Ерофеева С.А., Паухман М.Р. Влияние легирования и предварительной обработки на магнитостимулирован-ную подвижность дислокаций в монокристаллах InSb. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. 2. - С. 254-256.

96. Бадылевич М.В., Иунин Ю.Л., Кведер В.В., Орлов В.И., Осипьян Ю.А. # Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижностьиндивидуальных дислокаций в кремнии. // Журн. Эксп. и Теор. Физики.- 2003. Т.124. - №3. - С. 664-669.

97. Осипьян Ю.А., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Орлов A.M., Скворцов А.А., Инкина Е.Н., Танимото Й. Магниторезонансное упрочнение монокристаллов кремния. // Письма в ЖЭТФ. 2004. - Т. 79. - Вып. 3. -С. 158-162.

98. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Шмурак С.З. Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов С6о- Н Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т. 69.- №2.-С. 110-113.

99. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Шмурак С.З. Влияние постоянного магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов С6о- Н Физика твердого тела. -1999. Т. 41. - Вып 11. - С. 2097-2099.

100. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Пушнин И.А., Шмурак С.З. Инверсия знака магнитопластического эффекта в монокристаллах С6о при фазовом переходе sc -fee. II Физика твердого тела. --2001.-Т. 43.-Вып. 7.-С. 1333-1335.

101. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Николаев Р.К., Пушнин И.А. Влияние ультраслабого ионизирующего облучения на магнитопластический эффект в монокристаллах фуллерита С6о- Н Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. Г. - С. 187-190.

102. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы. // Кристаллография. 2003. - Т. 48: - №5. - С. 826-854.

103. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел. // Физика твердого тела. 2004. - Т. 46. - Вып. 5. - С. 769-803.

104. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Бадылевич М.В., Шмурак СЗ. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS. // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т. 69. -№2.-С. 114-118.

105. Моргунов Р.Б., Головин Ю.И. Возможный механизм влияния магнитного поля на состояние метастабильных комплексов точечных дефектов в ионных кристаллах. // Известия вузов. Материалы радиоэлектронной техники. 1999. - Т. 53. - №6. - С. 217-218.

106. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Лопатин Д.В: Релаксационные процессы, стимулированные слабым магнитным полем в подсистеме точечных дефектов в ионных кристаллах. // Кристаллография. 1999. - Т. 44. - №5. - С. 885-889.

107. Альшиц В.И., Урусовская А.А., Смирнов А.Е., Беккауер Н.Н. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле. // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. - №2. - С.270-272.

108. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние магнитного поля на макросвойства реальных диамагнитных кристаллов (часть 1).//Материаловедение. 2000. - Т. 115. - №3. - С. 2-9.

109. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. То же (часть 2). // Материаловедение. — 2000.-Т. 115.-№4.-С. 2-7.

110. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Дмитриевский Л.А., Шмурак С.З. Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта в монокристаллах NaCl. // Кристаллография. — 2000. Т. 64. - № 1. -С. 154-155.

111. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский А.А. Эффекты разупрочнения ионных кристаллов, вызванные изменением спиновых состояний в условиях парамагнитного резонанса. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 2000. - Т. 117. - №6. - С. 1080-1093.

112. Opirchal Н., Nierzewski K.D., Drulis Н. Effects of -/-irradiation on EPR spectra of Eu2' doped KC1 and NaCl crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1983.m V. 118.-P. K125-K128.

113. Кукушкин H.B., Постников C.H., Терман Ю.А., Кедяркин В.М. Изменение упруго-напряженного состояния структур Si-SiOi под воздействием ИМП. // ЖТФ. 1985. - Т. 55. - №10. - С. 2083-2085.

114. Масловский В.М., Постников С.Н. О механизме влияния слабого магнитного поля на структуру конденсированных сред. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород, 1989. — С. 5-14.

115. Климов Ю.И., Масловский В.М., Тарасенко В.В. Долговременные релаксации электрофизических параметров полупроводниковых структур после воздействия магнитным полем. // Там же — София-Нижний Новгород, 1989. С. 44-53.

116. Климов Ю.И., Масловский В.М., Тарасенко В.В. Воздействие импульсного магнитного поля на электрофизические параметры МДП-структур. // Электр, техника. 1990. - Сер. 3. - Вып. 5(139). - С. 20-25.

117. Климов Ю.И., Масловский В.М., Холоднов К.В. Долговременная релаксация параметров полупроводниковых структур после воздействия магнитного поля. // Электрон, техника. 1990. - Сер. 3.1. Вып. 5(144).-С. 22-26.

118. Масловский В.М., Климов Ю.А., Самсонов Н.С., Симанович Е.В. Изменение электрофизических параметров систем Si-SiCb, индуцированные импульсным магнитным полем. // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т. 28. - №5. - С. 772-777.

119. Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Найден Е.П. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем. // Физика и техника полупроводников. 1989. — Т. 23.-№9.-С. 1596-1599.

120. Власов В.П., Каневский В.М., Пурцхвадзе А.А. Оже-электронная спектроскопия полупроводниковых кристаллов после воздействия импульсного магнитного поля. // Физика твердого тела. 1991. - Т. 33. -№7.-С. 2194-2300.

121. Власов В.П., Заитов Ф.А., Каневский В.М. и др. О миграции индия в CdHgTe после воздействия импульсным магнитным полем. // Физика твердого тела. 1992. - Т. 34. - №10. - С. 3264-3265.

122. Дембовский С.А., Чечеткина Е.А., Козюхин С.А. Аномальное влияние слабых магнитных полей на диамагнитные стеклообразные полупроводники. // Письма в ЖЭТФ. 1985. - Т. 41. - №2. - С. 74-76.

123. Муравьев В.А. О механизме стимулирования миграции вакансий в кремнии импульсным магнитным полем. // Матер. V научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». — София-Нижний Новгород. 1992. - С. 24-29.

124. Maslovsky V.M., Litchmanov J.O., Samsonov N.S. Charge stability of Si-Ш SiOi system and it's changes induced by a pulsed magnetic field treatment. //

125. Phys. Lett. A. 1995. - V. 197. - P. 253-256.

126. Смоленский Г.А., Крайник H.H. Достижения в области сегнето-электричества. // Успехи физ. наук. — 1969. — Т. 97. №4. - С. 657-696.

127. Иванова С.В., Ляховицкая В.А. О влиянии магнитного поля на точку Кюри сегнетоэлектрика-полупроводника SbSI. // Кристаллография. -1973.-Т. 18. №3. - С. 641.

128. Takaoka S., Murase К. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb,Ge,Sn)Te alloy semiconductors. // Phys. Rev. B. 1979. -V. 20.-№7.-P. 2823-2833.

129. Флерова C.A., Бочков O.E. Влияние магнитного поля на фазовую границу в кристаллах ВаТЮз. // Письма в ЖЭТФ. 1981. - Т. 33. - №1. -С. 37-40.

130. Флерова С.А., Бочков О.Е. Влияние магнитного поля на поведение кристаллов ВаТЮз вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. // Кристаллография. 1982. - Т. 27. - №1. - С. 198-201.

131. Флерова С.А., Бочков О.Е., Цинман И.Л. Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в титанате бария. // Физика

132. Ш твердого тела. 1982. - Т. 24. - №8. - С. 2505-2507.

133. Крохмаль Ю.Д., Бочков О.Е., Кудзин А.Ю., Флерова С.А. Влияние магнитного поля на фотоиндуцированный сдвиг температуры Кюри кристаллов Sn2P2S6. // Известия АН СССР (сер. физическая). 1983. -Т. 47.-№4.-С. 734-735.

134. Флерова С.А., Цинман ИЛ. Влияние магнитного поля на формирование доменной структуры Gd2(Mo04)3 в области фазового перехода. // Кристаллография. 1987. - Т. 32. - №4. - С. 1047-1048.

135. Берсукер И.Б., Вехтер Б.Г., Зенченко В.П., Исмаилзаде И.Г., Исмаилов P.M., Рез И.С. Магнитное управление нелинейными диэлектрическими свойствами полярных кристаллов. // Письма в ЖЭТФ. 1980. — Т. 32. -№9.-С. 549-551.

136. Исмаилзаде И.Г., Исмаилов P.M., Эюбова Н.А., Самедов О.А. Влияние постоянного магнитного поля на температуру Кюри РЬзУ208 и Pb4SiC>6. // Физика твердого тела. 1981. - Т. 23. - №3. - С. 940-943.

137. Моисеев С.И., Нечаев В.Н. О силе, действующей на движущиеся границы раздела в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках в магнитном поле. // Известия РАН (сер. физич.). 1997. - Т. 61. - №5. -С. 945-949.

138. Магомедов М.Н. Об изменении параметров фазового перехода в магнитном поле. // Письма в ЖТФ. 2002. - Т. 28. - №3. - С. 73-79.

139. Попов С.А., Тихомирова Н.А., Флерова С.А. Взаимодействие движущихся доменных границ с магнитным полем в Gd2(Mo04)3. // Кристаллография. 1985. - Т. 30. - №3. - С. 608-609.

140. Орлов O.JI., Попов С.А., Флерова С.А., Цинман И.Л. Магнитный момент, связанный с движущейся доменной стенкой сегнетоэлектрика. //Письма в ЖТФ. 1988.-Т. 14. -№2.-С. 118-121.

141. Иванов С.А., Курлов В.Н., Пономарев Б.К., Редькин Б.С. Влияние намагничивания парамагнитных кристаллов Gd2(Mo04)3 и ТЬ2(Мо04)з на их электрическую поляризацию. // Известия РАН (сер. физическая). 1992.-Т. 56.-№10.-С. 146-149.

142. Flerova S.A., Bochkov O.E., Kudzin A.Yu., Krochmal Yu.B. Influence of magnetic field on the ferroelectric properties of Sn2P6S6 crystals. // Ferroelectrics.- 1982.- V. 45.-№1/2.-P. 131-135.

143. Флерова С.А., Крайник H.H., Боцьва Н.П., Попов С.А. Влияние магнитного поля на доменную электролюминесценцию в кристаллах титаната бария вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. // Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29. - №2. - С. 45-49.

144. Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. Влияние магнитного поля на стартовые поля хаоса в кристалле триглицинсульфата. // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. - №2. - С. 318-321.

145. Смирнов Б.И., Песчанская Н.Н., Николаев В.И. Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaNCb. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - №12. - С. 2154-2156.

146. Николаев В.И., Перцев Н.А., Смирнов Б.И. Электропластический эффект в поляризованных сегнетоэлектрических кристаллах NaNCb. // Физика твердого тела. 1991. - Т. 33. - №1. - С. 93-98.

147. Гуль В.Е., Садых-заде С.М., Трифель Б.Ю., Абдулаев Н.А., Вечхайзер Г.В. Изучение релаксационных переходов в полимерах при воздействии магнитных полей. // Механика полимеров. 1971. - №4. - С. 611-614.

148. Garanin D.A., Luchnikov А.Р., Lutovinov V.S. The influense of magnetic field on dielectric relaxation process. // J. Phys. (Fr.). 1990. - V. 51. -№11.-P. 1229-1238.

149. Гаранин Д.А., Лутовинов B.C., Лучников А.П., Сигов A.C., Шермуха-медов А.Т. Влияние магн. поля на релаксационный пик диэлектрических потерь в полимерах. // ФТТ. 1990. - Т. 32. - №4. - С. 1172-1176.

150. Молчанов Ю.М., Кнснс Э.Р., Родин Ю.П. Структурные изменения полимерных материалов в магнитном поле. // Механика полимеров. -1973.-№4.-С. 737-738.

151. Песчанская Н.Н., Суровова В.Ю., Якушев П.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на кинетику деформации полимеров. // Физика твердого тела. 1992. - Т. 34. - №7. - С. 2111-2117.

152. Песчанская Н.Н., Якушев П.Н. Ползучесть полимеров в постоянном магнитном поле. // ФТТ. 1997. - Т. 39. - №9. -С. 1690-1692.

153. Жорин А.В., Мухина Л.Л., Разумовская И.В. Изменение микротвердости полиэтилена и полипропилена в результате пластического течения под высоким давлением. // ВМС (Б). 1998. - Т. 40. - №6. - С. 1035-1039.

154. Жорин А.В., Мухина Л.Л., Разумовская И.В. Влияние магнитной обработки на микротвердость полиэтилена и полипропилена. // Высокомол. соединения (серия Б). 1998. - Т. 40. - №7. - С. 1213-1215.

155. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Ликсутин С.Ю. Влияние импульса сильного магнитного поля на механические свойства полиметилметакрилата. // Высокомол. соединения (серия Б). 1998. -Т. 40.-№2.-С. 373-376.

156. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Ликсутин С.Ю. Термодинамические и кинетические аспекты влияния импульсного магнитного поля на микротвердость полиметилметакрилата. // Высокомол. соединения (серия Б). 1999. - Т. 42. - №2. - С. 277-281.

157. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Ликсутин С.Ю. Термодинамические и кинетические аспекты влияния импульсного магнитного поля на микротвердость полиметилметакрилата. // Высокомол. соединения (серия А). 2000. - Т. 42. - №2. - С. 277-281.

158. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Новый тип магнитопластических эффектов в линейных аморфных полимерах. // Физика твердого тела. -2001.-Т. 43.-№5.-С. 827-832.

159. Моргунов Р.Б., Головин Ю.И., Якунин Д.В., Трофимова И.Н. Электро-магнитопластический эффект в аморфном полиметилметакрилате. // Высокомол. соединения (серия Б). 2002. - Т. 44. - №1. - С. 129-131.

160. Песчанская Н.Н., Якушев П.Н. Деформация твердых полимеров в постоянном магнитном поле. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. -Вып. 6.-С. 1130-1134.

161. Бучаченко A.JI. Магнитные эффекты в химических реакциях. // Успехи химии. 1976. - Т. 45. - №5. - С. 761-792.

162. Бучаченко A.JI. Химическая поляризация электронов и ядер. М.: Наука. - 1974. - 246 с.

163. Бучаченко A.JI. Второе поколение магнитных эффектов в химических реакциях. // Успехи химии. 1993. - Т. 62. - №12. - С. 1139-1149.

164. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир. - 1984.-475 с.

165. Plans J., Diaz G., Martinez E. et al. Theoretical study of oxygen in silicon: breaking of the Si-Si bond. // Phys.Rev. B. 1987. - V. 35. - N2.1. P. 788-791.

166. Levin M.N., Zon B.A. Pulsed magnetic field induced effects in silicon: experiment and theory. // International Symposium on Si heterostructures: from physics to devices. Heraclion. - Crete Creece. - 1995. - P. 183.

167. Левин M.H., Битюцкая Л.А., Машкина E.C. Самоорганизующиеся процессы в кристаллах кремния, обработанных ИМП. // Матер, симпозиума «Синергетика, структура и свойства материалов, самоорганизующиеся технологии». Москва. - 1996. - С. 88-90.

168. Levin M.N., Zon В.A. Magnetic field induced generation of A-like centers in Cz-Si crystals. // Phys. Lett. A. 1999. - V. 260. - P. 386-390.

169. Levin M.N., Zon B.A. Pulsed magnetic field induced 3-D islanding of oxygen contained clusters in Cz-Si crystals. // Mater. Res. Soc. Proc. — 2000. -V.319.-P. 429-434.

170. Никитин E.E., Уманский С.Я. Неадиабатические переходы при медленных атомных столкновениях. М.: Атомиздат. - 1979. — 272 с.

171. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. - 1990. - 216 с.

172. Емцев В.В., Оганесян Г.А., Шмальц К. Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке. // Физ. и Техн. Полупроводников. 1993. - Т. 27. - №9. -С. 1549-1555.

173. Левин М.Н., Постников В.В., Татаринцев А.В. Совместное воздействие постоянных и импульсных магнитных полей на кристаллы кремния. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. 2002. -Вып 1.11.-С. 79-81.

174. Levin M.N., Zon B.A. Magnetic-field induced generation of A-like centers in Cz-Si. // Mater. Res. Soc. Proc. 2000. - V. 583. - P. 278-284.

175. Данилюк А.Л., Нарейко А.И. Колебательная релаксация поверхностной проводимости кремния после воздействия слабого магнитного поля. // Поверхность. 1996. - №9. - С. 27-33.

176. Левин М.Н., Семенов В.Н., Наумов А.В. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации. // Письма в ЖТФ. 2001. - Т.27. - №7. -С. 35-40.

177. Gordy W., Cook R.L. Microwawe molecular spectra. N.Y.: Waley. 1984. -375 p.

178. Косцов A.M., Косцова О.А., Левин M.H., Постников В.В. Влияние импульсных магнитных полей на микроволновые спектры кристаллов кремния. // Вестник ВГТУ, серия «Материаловедение». — Воронеж: ВГТУ.-2001.-Вып. 1.10.-С. 55-58.

179. Левин М.Н., Постников В.В., Остроухов С.С. Внутреннее геттерирование в кремнии при комбинированном воздействии радиации и импульсных магнитных полей. // Вестник ВГТУ, серия «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2001. - Вып. 1.9. - С. 49-53.

180. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Наукова Думка. -1978.-316 с.

181. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища школа. 1984. - 214 с.

182. Maslovsky V.M., Litchmanov J.O., Samsonov N.S. Charge stability of Si-Si02 systems and its changes induced by a pulsed magnetic field treatment. // Phys. Lett. A. 1995. - V. 197. - P. 253-256.

183. Левин M.H., Личманов Ю.О., Масловский B.M. Изменение зарядовой стабильности МДП-структур, индуцированное импульсным магнитным полем. // Письма в ЖТФ. 1994. - Т. 20. - №4. - С. 27-31.

184. Кадменский А.Г., Кадменский С.Г., Левин М.Н., Масловский В.М., Чернышев В.В. Релаксационные процессы в МДП-элементах интеграл, схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем. // Письма в ЖТФ. 1993. - Т. 19. - №3. - С. 41-45.

185. Угай Я.А., Гончаров Е.Г., Семенова Г.В., Лазарев В.Б. Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом. М.: Наука. - 1989. - 233 с.

186. Постников В.В., Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Долгополова Э.А. Структурные превращения в твердых растворах Sb-As при воздействии слабых импульсных магнитных полей. // Конденс. среды и межфазные границы. 2002. - Т. 4. - №4. -С. 326-332.

187. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Постников В.В, Агапов Б.Л. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb-As. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. -№4.-С. 609-612.

188. Постников В.В. Влияние слабых магнитных полей на фазовые переходы в некоторых конденсированных системах. // Вестник ВГТУ, серия «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2003. - Вып. 1.13. - С. 3-14.

189. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургиздат. 1962. - 608 с.

190. Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука. - 1997. - 352 с.

191. Гончаров Е.Г. Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия. Воронеж: Вор. ГУ. 1989. - 207 с.

192. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Долгополова Э.А., Постников В.В. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия. // Письма в ЖТФ. -2002. Т. 28. - №19. - С. 50-55.

193. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения AniBv. М: Металлургия. -1984.- 144 с.

194. Belyavsky V.I., Levin M.N. Spin Effects in Defect Reactions. // Phys. Rev. B. 2004 (в печати).

195. Вайнгард У. Введение в физику кристаллизации металлов. М.: Мир. — 1967.- 159 с.

196. Джейл Ф.Х. Полимерные монокристаллы. Л.: Химия. — 1968. - 552 с.

197. Марихин В.А., Мясникова Л.П. Надмолекулярная структура полимеров. Л.: Химия - 1977. - 238 с.

198. ВундерлихБ. Физика макромолекул. Т. 1. М.: Мир. - 1976. - 624 с.

199. Вундерлих Б. Физика макромолекул. Т. 2. М.: Мир. - 1979. - 574 с.

200. Вундерлих Б. Физика макромолекул. Т. 3. М.: Мир. - 1984. - 484 с.

201. Глесстон С., Лейдер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей реакций. М.: Иностр. Лит. - 1948. - 583 с.

202. Волькенштейн М.В. Проблемы теоретической физики полимеров // Успехи Физ.Наук. 1959. - Т.67. - Вып. 1. - С. 131-161.

203. Флори П. Статистическая механика цепных молекул. М.: Мир. - 1971. -440 с.

204. Соболевский М.В. Скороходов И.И., Гриневич К.П. и др. Олигоорганосилоксаны. М.: Химия. - 1985. - 264 с.

205. Марей А.И. Физические свойства эластомеров Л.: Химия - 1975 - 136с

206. Андрианов К.А. Полимеры с неорганическими главными цепями молекул. М.: Изд-во АН СССР. - 1962. - 327 с.

207. Соболевский М.В., Музовская О.А., Попелева Г.С. Свойства и области применения кремнийорганич. продуктов. М.: Химия. - 1975. - 296 с.

208. Догадкин Б.А., Донцов А.А., Шершнев В.А. Химия эластомеров. М.: Химия. - 1981.-374 с.

209. Николаев А.Ф. Синтетические полимеры и пластические массы на их основе. М, Л.: Химия. - 1964. - 784 с.

210. Thompson R. Heats of combustion and formation of some linear polydimethylsiloxanes; the Si-C and Si-0 bondenergy terms // J. Chem. Soc. 1953. - V. 65. - №6. - P. 1908-1913.

211. Андрианов К.А. Теплостойкие кремнийорганические диэлектрики. Л.: Энергия. - 1964. — 376 с.

212. Матвеев Н.Н., Постников В.В. Влияние электрического поля на поляризацию при стекловании кристаллизующихся эластомеров // Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность: Тез. докл. IV междунар. конф. — Воронеж: ВГТУ. 1996. - С. 73.

213. Bowen H.J.M., Suttrn L.E. Tables of Interatomic Distance and Configuration in Molecules and Ions. London, 1958. - Supplement. - 1965.

214. Von Damaschun G. Rontgenographische Untersuchung der Structur von Silikongummi // Kolloid Zs. 1962. - V. 180. - S. 65-67.

215. Shimanouchi Т., Mizushima S. The rotation-vibration spectrs and structure polydiethylsiloxane // J. Chem. Phys. 1955. - V. 23. - P. 707-710.

216. Слонимский Г.Л., Левин В.Ю. Исследование процесса кристаллизации полидиметилсилоксанового каучука. // Высокомол. соединения. 1966. -Т. 8.-№11.-С. 1936-1941.

217. Малкин А.Я., Папков С.П. Ориентационные явления в растворах и расплавах полимеров. М.: Химия. - 1980. - 278 с.

218. Мюнстер А. Проблемы современной физики. М.: Издатинлит. - 1956. -296 с.

219. Уббелоде А.Р. Плавление и кристаллическая структура. М.: Мир. -1969.-420 с.

220. Годовский Ю.К. Теплофизические методы исследования полимеров. -М.: Химия. 1976.-216 с.

221. Лебедев Б.В., Мухина Н.Н., Кулагина Т.Г. Термодинамика полидиметилсилоксана в области 0-300 К. // Высокомол. соединения. -1978. Т. 20А. - №6. - С. 1297-1303.

222. Цахман Г. Кристаллизация и плавление полимеров. // Химия и технология полимеров. 1966. - №5. - С 3-77.

223. Семенченко В.К. К термодинамике полимеров. Термодинамика мезофаз. // Коллоид. Журн. 1962. - Т. 24. - №3. - С. 323-331.

224. Годовский Ю.К., Липатов Ю.С. Исследование теплоемкости линейных полиуретанов // Высокомол. соединения. 1968. - Т.10. - №1. - С. 32-40.

225. Левин В.Ю., Андрианов K.A., Слонимский Г.Л. О влиянии молекулярного веса на кинетику кристаллизации полидиметилсилоксана // Высокомол. соединения (серия Б). 1975. - Т. 17. - С. 244-246.

226. Стрелков П.Г. Калориметрическое исследование плавления олигоди-метилсилоксанов//Ж. Физ. Химии. 1954.-Т. 28. -№1.-С. 189-196.

227. Кострюков В.Н. Термодинамические исследования полиорганосилок-сановых жидкостей при низких температурах. Теплоемкость полиме-тилсилоксановых жидкостей с вязкостью 1,5 и 2,5. Черкассы, 1975. -Деп. в ОНИИТЭХим. - №408/75.

228. Скороходов И.И., Шуралева З.В., Чистов С.Ф. Поведение жидкостей марок ПМС при низких температурах. Черкассы, 1976. Деп. в ОНИИТЭХим 12.07.76. - № 103.

229. Andrianov К.А. Thermodinamics of cristalline linear organosiloxane // J. Polym. Sci. 1972. - V 10. - № 1. - P. 1 -22.

230. Турдакин B.A., Тарасов B.B., Мальцев A.K. Калориметрическое исследование пол и диэтил сил океана и полидиметилсилоксана // Журн. Физ. Химии. 1976. - Т. 50. - №11. - С. 1980-1984.

231. Чистов С.Ф., Шуралева З.В., Скороходов И.И. Влияние молекулярно-массового распределения на температуру и тепловой эффект плавленияполидиметилсилоксана// Высокомол. соединения (серия Б). 1979. -Т. 21. - №3. - С. 178-181.

232. Левин М.Н., Постников В.В. Направленная модификация материалов импульсными магнитными полями. // Радиолокация, навигация, связь. Материалы VII Международной научно-техн. конф. Воронеж: ВГУ. — 2001. —Т. 3.- С. 1699-1710.

233. Постников В.В., Матвеев Н.Н., Левин М.Н. Влияние импульсного магнитного поля на кинетику кристаллизации и плавления органо-силоксанов. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2001. - Вып 1.9. - С. 19-23.

234. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Влияние импульсных магнитных полей на кинетику фазовых переходов кремнийорганичес-ких полимеров. // Межфазная релаксация в полиматериалах. Материалы Международной НТК. Москва: МИРЭА. 2001. - С. 97-100.

235. Постников В.В., Левин М.Н. Модификация кремнийорганических полимеров импульсными магнитными полями. // Радиолокация, навигация, связь. Материалы VIII Международной научно-техн. конф. Воронеж: ВГУ. 2002. - Т. 3. - С. 2108-2117.

236. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию гибкоцепных полимеров. // Высокомол. соединения (серия А). 2003. - Т. 45, №2. - С. 217-223.

237. Матвеев Н.Н., Постников В.В. Переходы кристалл-кристалл в целлюлозе. // Диэлектрики — 93. Тезисы докл. Российской НТК. Санкт-Петербург: СпбПИ. 1993. - Ч. 2. - С. 196-198.

238. Matveev N.N., Postnikov V.V. Identification of crystal-crystal transition in cellulose using pyroelectric currents. // Ferroelectrics. 1994. — V. 153. -P. 341-346.

239. Матвеев H.H., Постников В.В., Саушкин В.В., Мордвинов В.В. Термополяризационные свойства древесины березы. // Пласт, массы. — 1995.-№1.-С. 19-20.

240. Matveev N.N., Klinskikh A.F., Postnikov V.V., Kordenko O.I. Polarization crystal-crystal structural transition in cellulose. // Ferroelectrics. 1996. -V.185.-P. 189-192.

241. Matveev N.N., Postnikov V.V. Anomalies of thermal properties at crystal-crystal transition in cellulose. // Abs. VI Intern, conf on Electroceramics and their Appl. Montreux. - 1998. - P. 42.

242. Матвеев H.H., Постников В.В. Кристаллизация полимеров в неоднородном температурном поле. // Вестник ЦЧР отделения наук о лесе АЕН. Воронеж: ВГЛТА. 1999. - Вып. 2. - С. 192-194.

243. Матвеев Н.Н., Постников В.В., Саушкин В.В. Поляризационные эффекты в кристаллизующихся полимерах. Воронеж: ВГЛТА. 2000. - 170 с.

244. Зельдович Я.Б., Бучаченко А.Л., Франкевич Е.Л. Магнито-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике. // Успехи Физ. Наук. 1988. -Т. 155.-№1.-С. 3-45.

245. Steiner U.E., Ulrich Т. Magnetic field effects in chemical kinetics and related phenomena. //Chem.Rev. 1989. - V. 89. - P. 51-147.

246. McLauchlan K.A., Steiner U.E. The spin-correlated pair as a reaction intermediate. // Molecular Phys. 1991. - V. 73. - №2. - P. 241-263.

247. Никитин E.E., Смирнов Б.М. Медленные атомные столкновения. М.: Энергоатомиздат. - 1990. - 255 с.

248. Мирошниченко В.Ф., Семенюк Н.И. Термодинамические основы процесса влияния электромагнитных полей на расплав полимеров // Пласт, массы. 1970. - №10. - С. 35-36.

249. Матвеев Н.Н., Постников В.В., Левин М.Н. Изменение кинетики фазовых переходов в полиоксиэтилене после обработки импульсным магнитным полем. // Электрическая изоляция — 2002. Труды III Международн. научно-техн. конф. СПб: СПбГТУ 2002. - С. 88-92.

250. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Магнито-кристаллизационный эффект в полиморфных полимерах. // Тонкие пленки и слоистые структуры. Материалы Международной научно-техн. конф. Москва: МИРЭА-2002.-С. 11-15.

251. Постников В.В., Каданцев А.В., Колесникова Е.Д., Матвеев Н.Н., Левин М.Н. Воздействие импульсного магнитного поля на процесс кристаллизации полиэтиленоксидов. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2002. - Вып 1.11. - С. 36-39.

252. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Магнито-кристаллизационный эффект в гибкоцепныхных полимерах. // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Матер. Всеросс. конф. Воронеж: ВГУ. 2002. - С. 550-551.

253. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию и плавление полиэтилен-оксида. // Журнал Физ. Химии. 2003. - Т.77. - №4. - С. 758-761.

254. Левин М.Н., Прасолов Б.Н., Постников В.В., Татаринцев А.В., Дронов М.А. Влияние импульсных магнитных полей на кристаллизацию полимеров. // Материалы IX Международной НТК «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж: ВГУ, 2003. Том 2. С. 1216-1223.

255. Колесникова Е.Д., Постников В.В., Левин М.Н. Влияние слабых магнитных полей на кристаллизацию гибкоцепных полимеров. // Материалы Международной НТК «Молодые ученые 2003» М: МИРЭА, 2003. С. 127-130.

256. Постников В.В., Левин М.Н. Модификация диамагнитных материалов слабыми магнитными полями. // Кибернетика и технологии XXI века. Материалы V Междунар. НТК. Воронеж: ВГУ. 2004. - С. 436-447.

257. Левин М.Н., Постников В.В., Вережников В.Н., Матвеев Н.Н., Колесникова Е.Д. Предкристаллизационная обработка гибкоцепных полимеров импульсными магнитными полями. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. Т. 6. - № 1. - С. 75-80.

258. Песчанская Н.Н., Якушев П.Н., Егоров В.М., Берштейн В.A., Bokobza L. Скачкообразная деформация и морфология полимеров. // Физика твердого тела. 2002. - Т.44. - №9. - С. 1609-1613.

259. Песчанская Н.Н., Смолянский А.С., Рылов А.В. Деформация полиметилметакрилата после воздействия радиации и магнитного поля. // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - № 9. - С. 1711-1714.

260. Левин М.Н., Постников В.В., Колесникова Е.Д. Селективный эффект предкристаллизационной обработки гибкоцепных полимеров постоянным магн. полем. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. - Вып. 3. -С. 20-23.

261. Дорфман Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь. М: Химия. - 1961. -231 с.

262. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М: Наука. - Физматлит. - 1995. - 304 с.

263. Гинзбург В.JI. Теория сегнетоэлектрических явлений. // Успехи Физ. Наук. 1949. - Т. 38. - №4. - С.490-525.

264. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. — Л: Наука.- 1971.-476 с.

265. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. — М: Мир. -1965.-555 с.

266. Смоленский Г.А., Крайник Н.Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М: Наука. - 1968.- 184 с.

267. Сонин А.С., Струков Б.А. Введение в сегнетоэлектричество. М: Высшая школа. — 1970. - 271 с.

268. Постников В.В., Левин М.Н., Палагин М.Ю. Изменение сегнетоэлектрических свойств кристаллов триглицинсульфата после воздействия слабых импульсных магнитных полей. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2002. - Вып 1.11. - С. 30-35.

269. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов A.M. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45, №3. - С. 513-517.

270. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, обусловленная динамикой доменных границ. // Известия РАН (сер. физическая). 1993. - Т. 57. - №3. - С. 126-128.

271. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Эффекты взаимодействия доменных границ с подвижными точечными дефектами в кристаллах ТГС. // Известия РАН (сер. физическая). 1995. - Т. 59. - №9. - С. 69-72.

272. Golovin Yu.I., Morgunov R.B. Mechanochemical reactions between defects of crystalline structure and the effect of magnetic fields on there reactions kinetics. // Chem. Rev. — Gordon and Breach Publishing Group. — 1998. — V. 23.-Part2.-P. 23-58.

273. Levin M.N., Postnikov V. V., Palagin M.Yu. Effect of weak magnetic fields on triglicine sulfate crystals. // Book of Abstr. the 7th Russia/Cis/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity. St.Petersburg. - 2002. - P. 173.

274. Levin M.N., Postnikov V.V., Palagin M.Yu. Selective effect of weak magnetic fields on triglicine sulfate crystals. // Ferroelectrics. 2003. -V.285.-P. 173-178.

275. Левин M.H., Постников B.B., Палагин М.Ю., Косцов A.M. Влияние слабых магнитных полей на реальную структуру и физические свойства кристаллов триглицинсульфата. // Известия РАН (сер. физическая). -2003. Т. 67. - Вып. 8. - С. 1076-1078.

276. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсульфата. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - №9. - С. 1680-1684.

277. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. — Минск: Наука и техника. 1986. - 215 с.

278. Flerov V., Molotskii М. Resonant excitation of processes in a solid by a microwave magnetic field // Ceramic Trans. 2000. — V. III. - P. 57-63.

279. Косцов A.M. Абсорбционные спектры кристалла триглицинсульфата в коротковолновом диапазоне // Известия РАН (сер. физическая). 2000. -Т. 64.-№9.-С. 1712-1713/

280. Новик В.К., Овчинникова Г.И., Пирогов Ю.А., Солошенко А.Н. Подавление микроволновым излучением диэлектрической аномалии при фазовом переходе в триглицинсульфате. // Известия РАН (сер. физическая). 2000. - Т. 64. - №12. - С. 2452-2456.

281. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого магн. поля на сегнетоэлектрические кристаллы с водородными связями.// Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29. - Вып. 12. - С. 62-67.

282. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы дигидрофосфата калия. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004.-Т. 6. -№2.-С. 151-157.

283. Шувалов Л.А., Урусовская А.А., Желудев И.С. и др. Современная кристаллография. Т. 4. М.: Наука. - 1981. - 495 с.

284. Шнайдштейн И.В., Струков Б.А., Грабовский С.В., Павловская Т.В., Карман Л. Влияние органического красителя на сегнетоэлектрический фазовый переход в кристалле КН2РО4 (KDP). // Физика твердого тела. -2001. Т 43. - Вып. 12. - С. 2179-2182.

285. Шриффер Дж. Теория сверхпроводимости. М: Наука. 1970. - 312 с.

286. Гинзбург В.Л., Киржниц Д.А. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. М: Наука. - 1977. - 400 с.

287. Testardi L.R. Sputtered films. // IEEE Trans. Magn. 1975. - V. 11. -№2. -P. 197-200.

288. Testardi L.R. Structural instability, anharmonicity and hightemperature superconductivity in A-15 structure compounds. // Phys. Rev. — 1972. -V. B5. №12. - P. 4342-4358.

289. Testardi L.R. Superconductivity and structural instability. // Comm. Soc. Stat. Phys. 1975. -V. 6. - P. 131-137.

290. Testardi L.R., Hauser J., Read M. H. Enhanced superconducting Tc and structural transformation in Mo-Re alloys. // Soc. Stat. Comm. 1971. -V. 9. - № 6. - P 1829-1831.

291. Postnikov V.S., Postnikov V.V., Zheleznyi V.S. Superconductivity Mo-Re system alloy films produced by electron beam evaporation in high vacuum. // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. - V. 39. - P. K21-K23.

292. Gavaler J.R. Superconductivity in Nb-Ge films above 22K. // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 23. - P. 480-482.

293. Testardi L. R., Wernik J. H., Royer W. A. Superconductivity with onsetabove 23 К in Nb-Ge sputtered films. // Sol. Stat. Comm. 1974. -V. 15.-P. 1-4.

294. Верещагин Л.Ф., Савицкий E.M., Евдокимова B.B., Новокшенов В.И., Петренко В.Г. Влияние высоких давлений и температур на сверхпроводящие свойства соединения Nb3Ge со структурой типа А15. // Письма в ЖЭТФ 1976. - Т. 24. - №4. - С. 218-219.

295. Labbe J., Barisis S., Friedel J. Strong-coupling superdonductivity in V3X type of compounds. // Phys. Rev. Lett. 1967. - V. 19. - №10. - P. 1039-42.

296. Glogston A.M., Jaccarino V. Susceptibilities and negative Knight shifts ofinter-metallic compounds. // Phys. Rev. 1961. - V. 121. - P. 1357-1362.

297. Weger M.J., Goldberg I.B. The electronic band structure of V3Ga and V3Si. //J. Phys. (c): Sol. Stat. Phys. 1971. - V 4, - P. 180-184.

298. Shirane G., Axe J.D. Acoustic-phonon instability and critical scattering in Nb3Sb. // Phys. Rev. Lett. 1971. - V. 27. - P. 1803-1806.

299. Klose W., Schuster H. Einfluss transversal akustischer Phon onen auf Sprungtem-peratur von beta-Wolframsupraleitern. // Z. Phys. 1971. -V. 241.-S. 348-353.

300. Gomersall I.R., Gyorffy B.L. Variation of Tc with electron-peratom ratio in superconducting transition metals and their alloys. // Phys. Rev. Lett. 1974. -V. 33.-P. 1286-1289.

301. Allen P.B., Dynes R.C. Superconductivity and phonon softening; II. Lead alloys. // Phys. Rev. 1975. - V B11. - P. 1895-1902.

302. Fradin F.W., Williamson S.J. Relationship between Tc and JV(0): An NMR study ofV3Ga!.xSx. // Phys. Rev. 1974. - V. B10. - №6. - P. 2803-2807.

303. Batterman B.W., Barrett C.S. Crystal structure of superconducting V3Si. // Phys. Rev. Lett. 1964. - V. 13. - P. 390-393.

304. Weger M. The electronic band structure of V3Si and V3Ge. // Rev. Mod. Phys.-1964.-V. 36.-P. 175-181.

305. Labbe J. Relation between superconductivity and lattice instability in the beta-W compounds. // Phys. Rev. 1968. - V. 172. - P. 451-457.

306. Cohen R.W., Gody C.D., Halloran J.J. Effect of Fermi level motion on normal-state properties of beta-tungsten superconductors. // Phys. Rev. Lett, 1967.-V. 19.-P. 840-842.

307. Горьков Л.П. К теории свойств сверхпроводников со структурой P-W. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1973. - Т. 65. - №4(10). - С. 1658-1676.

308. Изюмов Ю.А., Курмаев Э.З. Сверхпроводимость соединений на основе переходных элементов и связь с решеточной неустойчивостью. // Успехи физ. наук. 1976. - Т 118. - №1. - С. 53-100.

309. Weger М., Goldberg I.B. Some lattice and electronic properties of the beta-tungstens. // Sol. Stat. Phys. 1973. - V. 28. - P. 1-8.

310. Barak G., Weger M. A remark concerning the possibility of getting better superconductors. // Helv. Phys. Acta. 1976. - V. 48. - P 625-628.

311. Постников B.C., Постников B.B., Железный B.C. О повышении температуры сверхпроводящего перехода в пленочных образцах сплавов Nb-Ge, легированных кремнием. // ФизХОМ. 1977. - Т. 5. - С. 172-173.

312. Bednorz J.G., Miiller К.А. Possible high Тс superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system. // Z. Phys. 1986. - V. B64. -№2. - P. 189-193.

313. Головашкин А.И. Высокотемпературные сверхпроводящие керамики (обзор экспериментальных данных). // Успехи физ. наук. 1987.1. Т. 152.-№4.-С. 553-574.

314. Гинзбург В.Л., Киржниц Д.А. Высокотемпературная сверхпроводимость (обзор теоретических представлений). // Успехи физ.наук. 1987. - Т. 152. - №4. - С. 575-582.

315. Максимов Е.Г. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. Современное состояние. // Успехи физ. наук. 2000. - Т. 170. - №10. -С. 1033-1061.

316. Белявский В.И., Капаев В.В., Копаев Ю.В. Кулоновское спаривание одноименно заряженных частиц с отрицательной эффективной массой в высокотемпературных сверхпроводниках. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 2000. - Т. 118. - №4(10). - С. 941-958.

317. Белявский В.И., Копаев Ю.В. Существование сверхпроводящего конденсата и квазистационарных состояний дырочных пар. // Письма в ЖЭТФ. 2000. - Т. 72. - № 10. - С. 734-739.

318. Belyavsky V.I., Kopaev Yu.V. Hyperbolic pairing and stripes in high-temperature superconductors. // Phys. Lett. 2001. - V. A287. - P. 152-160.

319. Белявский В.И., Капаев B.B., Копаев Ю.В. Зеркальный нестинг: сверхпроводящее спаривание носителей с большим импульсом. // Письма в ЖЭТФ.-2002.-Т. 76. -№1.-С. 51-56.

320. Blackstead Н.А., Dow J.D. Role of Ba-site Pr in quenching superconductivity of У1.уРгуВа2СизОх and related materials. // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51. - №7. - P. 11830-11837.

321. Plakida N.M. Lattice instability and strong electron-phonon coupling for high-Tc superconductivity. // Phys. Scr. 1989. - V. 29. - P. 77-81.

322. Bussman-Holder A. Importance of structural instability to high-temperature superconductivity. // Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 6. - №4. - P. 512-515.

323. Zhang Q.M., Shao H.M., Huang Y.N, Shen H.M.,Wang Y.N. Internal frction and Lattice anomalies of single-phase Hg-1223. // Sol. Stat. Commun. -1997. V. 101. - №2. - P. 133-135.

324. Missori M., Bianoci A., Oyanagi H., Yamaguchi H. Evidence for local lattice instability at T*~1.4 Tc in Bi2212 by EXAFS. // Physica C. 1994. -V. 235-240.-P. 1245-1246.

325. Zhang M., Qiang C., Dakun S., Rong-fii J., Zheng-hao Q., Zheng Y., Scott J.F. Raman spectroscopic study of an apparent phase transition at 234 К in the high-Tc superconductor YBa2Cu3.xVxo7-v. // Sol. Stat. Commun. 1988. -V. 65.-№6.-P. 487-490.

326. Li A., Zheng S., Huang H., Li D., Du H., Din H., Sun H., Zhu S. Temperature dependence of positron annihilation parameters in high Tc superconductor YBa2Cu3Ox. // Chinese Phys. Lett. 1989. - V. 6. - №12. - P. 549-552.

327. Sun L., Wang Y., Shen H., Cheng X. Effect of structural instability between 80 and 300 К on superconductivity of YBa2Cu3Ox. // Phys. Rev. B. 1988. -V. 38. - №7. - P. 5114-5117.

328. Bhattacharya S., Higgins M.J., Johnston D.C., Jacobson A.J., Stokes J.P., Goshorn D.P., Lewandowski J.T. Elastic anomalies and phase transition in high-Tc superconductors. // Phys. Rev. Lett. 1988. - V. 60. - №12. - P. 1181-1184.

329. Wang Y., Wu J., Shen H., Zhu J., Chen X., Yan Y., Zhao Z. Ultrasonic study of structural instability of monocrystalline and polycrystalline Bi-Sr-Ca-Cu-O. // Phys. Rev. B. 1990. - V. 41. - №12. - P. 8981-8985.

330. Lagreid Т., Fossheim K., Tratteberg O., Sandvold E., Julsrud S. High resolution specific heat measurements in the ceramic superconductor YBa2Cu307.5: anomalies near 90 К and 220 K. // Physica C. 1988. - V. 153-155.-P. 1026-1027.

331. Calemczuk R., Bonjour E., Henry J.Y., Ferro L., Ayacho C., Jurgens M.J.M.,Ш

332. Rossat-Mignod J., Barbara В., Burlet P., Couach M., Khoder A.F., Salce B. Evidence of a first order phase transition in YBa2Cu3069 at 230 K. // Physica C. 1988. - V. 153-155. - P. 960-961.

333. Nohara M., Suzuki Т., Maeno Y., Fujita Т., Tanaka I., Kojima H. Unconvencional lattice stiffening in superconducting La2.xSrxCu04 single crystals. // Phys. Rev. B. 1995. - V. 52. - №1. - P. 570-580.

334. Аларио-Франко M.A. Модели упорядочения кислородных вакансий в YBa2Cu307.s, основанные на результатах дифракции электронов. // Сверхпроводимость: Физика. Химия. Технол. 1990. - Т. 3. - №8.1. С. 1697-1698.

335. Farreth W.E., Bordia R.K., Carron Е.М. Influence of oxygen stoichiometry on the structure and superconducting transition temperature of YBa2Cu3075. // Sol. Stat. Commun. 1988. - V. 66. - №9. - P. 953-959.

336. Cava R.J. Batlogg B. Sunshine S. A. Studies of oxygen-deficient YBa2Cu307.5 and superconducting Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-0. // Physica C. 1988. -V. 153-155.-P. 560-565.

337. Verweii H. Phase behavior of YBaoCu307.6 at 1 atm (X // Sol. Stat. Commun. 1988. - V. 67. - №2. - P. 109-112.

338. Shi D. Phase transformations in YBa2Cu307.5. // Phys. Rev. B. 1989. - V. 39. - №7. - P. 4299-4305.

339. Werder D.J., Chen C.H., Cava R.S. Oxygen vacancy ordering and microstructure in annealed YBa2Cu307.s superconductors. // Phys. Rev. B. — 1988. V. 38. - №7. - P. 5130-5133.

340. Pfeiffer H. On oxygen ordering in the high-temperature superconductor Y-Ba-Cu-O. // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. - V. 106. - P. K161-K164.

341. Kubo I., Ichihashi Т., Manako T. Orthorombic (II) superstructure phase in oxygen-deficient YBa2Cu307o prepared by quenching. // Phys. Rev. B. -1988. V. 37. - №13. - P. 7858-7860.

342. Fleming R.M., Schneemeyer L.F., Gallagher P.K. X-ray scattering study of finite-range order in YBa2Cu306.7. // Phys. Rev. B. 1988. - V. 37. - №13. -P. 7920-7923.

343. Левин М.Н., Постников В.В., Дронов М.А. Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП керамику УВа2Сиз07.к // Письма в ЖТФ. — 2003.-Т. 29.-Вып. 11.-С. 7-13.

344. Levin M.N., Postnikov V.V., Dronov М.А. The Effect of Pulsed Magnetic Fields on YBa2Cu307.K Ceramics. // Book of Abstr. the 4th Intern Semin. on Ferroelast. Phys. Voronezh: VGTU. 2003. P. 39-40.

345. Дронов М.А., Постников В.В., Левин М.Н. Влияние импульсных магнитных полей на ВТСП керамику YBCO. // Материалы Международной НТК «Молодые ученые — 2003» Москва: МИРЭА, 2003.- С. 203-206.

346. Гриднев С.А., Иванов О.Н., Лучанинов А.Г. Механическая нелинейность высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu307. // Известия АН СССР (сер. физич.). 1989. - Т. 53. - №7. - С. 1349-1352.

347. Буздин А.И., Мощалков В.В. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Справочник. Том 1. М.: Базис. 1990. - 328 с.

348. Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные исследования. Сб. статей под ред. Киселева А.А. Вып. 1. - Д.: Машиностроение. — 1990. - 686 с.

349. Плакида Н.М. Высокотемпературные сверхпроводники. М.: Междун. прогр. образования. - 1996. - 288 с.

350. Dagotto Е. Correlated electrons in high-temperature superconductors. // Rev. Mod. Phys. 1994. - V. 66. - №3. - P. 763-840.

351. Timusk Т., Statt B. The pseudogap in high-temperature superconductors: an experimental survey. // Rep. Prog. Phys. 1999. - V.62. - P. 61-122.

352. Решение о выдаче патента РФ № 3044370 от 7.09.1993. Способ обработки импульсным магнитным полем и устройство для его реализации / М.Н.Левин, С.Г. Кадменский, Е.А. Лукина,

353. B.М. Масловский, И.С. Суровцев.

354. Левин М.Н., Постников В.В., Каданцев А.В., Колесникова Е.Д Автоматизированный комплекс контроля релаксационных процессов в полимерных материалах. // Материалы Междун. НТК «Молодые ученые 2002». М.: МИРЭА. - 2002. - С. 234-237.