Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Севостьянов, Александр Сергеевич

• Севостьянов, Александр Сергеевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Севостьянов, Александр Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПРОБЛЕМАТИКА РАБОТЫ.

1.1. Свойства и применение твердых растворов на основе антимонида галлия. 1.2. Фазовые равновесия в гетеросистемах на основе антимонида 18 галлия.

1.3. Особенности условий формирования эпитаксиальных гетероструктур в антимонидных системах.

1.4. Постановка задачи исследования.

• ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКИЕ

АСПЕКТЫ РАБОТЫ.

2.1. Модельные представления фазовых превращений в многокомпонентных твердых растворах.

2.2. Уточнение термодинамических параметров.

2.3. Анализ данных расчета поверхностей ликвидус и солидус в т гетеросистемах GalnSb и GaInSb<Bi>.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ф ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ

МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaSb.

3.1. Аппаратурное оформление проведения процессов градиентной жидкофазной кристаллизации.

3.2. Подготовка исходных материалов для проведения процессов градиентной жидкофазной кристаллизации в многокомпонентных системах на основе антимонида галлия. а 3.3. Особенности технологии получения многокомпонентных гетероструктур GaSbBi/GaSb и GalnSbBi/GaSb.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 4. СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

GaSbBi/GaSb И GalnSbBi/GaSb.

4.1. Структурное совершенство и твердофазные превращения в

Ь твердых растворах на основе антимонида галлия.

4.2. Электрофизические характеристики твердых растворов GaSbBi и GalnSbBi.

4.3. Фотоэлектрические свойства твердых растворов на основе антимонида галлия.

4.4. Возможности приборной реализации гетероструктур GaSbBi/GaSb

И GalnSbBi/GaSb.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона»

Полупроводниковые материалы оптоэлектроники должны удовлетворять ряду требований, определяющих возможность их приборного применения: 1) возможность изготовления из них кристаллически совершенных эпитаксиальных структур; 2) пригодность для сопряжения с электронными схемами; 3) высокая фотоэлектрическая и электротехническая добротность; 4) способность приборов, формируемых из этих материалов, эффективно генерировать и детектировать излучение.

Прямозонный антимонид галлия GaSb и твердые растворы на его основе являются эффективными материалами оптоэлектроники инфракрасного диапазона[1-3]. Ограничивающим фактором для приборов на основе GaSb

1 Л 1 является уровень концентрации акцепторов (10 см" ) в слоях, получаемых как жидкофазной (ЖФЭ), так молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксией[1]. Введение висмута в твердые растворы AinBv позволяет эффективно управлять многими параметрами, иногда даже являясь альтернативой увеличению числа компонентов, влекущему за собой технологические и другие трудности[4-9]. Достоинства и недостатки ЖФЭ хорошо известны, но, несмотря на повсеместную разработку новых способов получения монокристаллов[6,10], эффективность ЖФЭ подлежит сомнению.

Для висмутсодержащих гетеросистем перспективным методом ЖФЭ является градиентная жидкофазная кристаллизация (ГЖК) или зонная перекристаллизация градиентом температуры (ЗПГТ). Параметры технологических процессов этого метода достаточно полно отражены в[11,12,6].

К началу выполнения данной работы в литературе имелась разрозненная информация об эпитаксиальных слоях полупроводников GaSb<Bi>[l,13]. Сведений о получении методами ЖФЭ твердых растворов GaInSb<Bi> и их свойствах нет вообще, как и информации о применении метода ГЖК к получению данных твердых растворов. В связи с этим тема данной работы актуальна с научной и практической точек зрения.

Цель и задачи исследования

Целью работы является разработка технологии ГЖК и ее экспериментальное исследование применительно к получению эпитаксиальных слоев висмутсодержащих твердых растворов GaSb^JBix и GaiyInySbixBix на основе GaSb, исследование совершенства, электрофизических и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных структур.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

- расчет фазовых равновесий и экспериментальное подтверждение расчетных значений коэффициентов распределения компонентов в системах Ga-Sb-Bi и Ga-In-Sb-Bi;

- разработка технологических методик выращивания висмутсодержащих твердых растворов на подложках антимонида галлия;

- анализ распределения компонентов и распределения легирующих примесей в эпитаксиальных слоях GaSbixBix и Gai.yInySbi.xBix;

- исследование структурного совершенства и электрофизических свойств полученных варизонных слоев;

- исследование фотолюминесцентных свойств полученных структур.

Научная новизна

1. Теоретически и экспериментально исследована фазовая диаграмма висмутсодержащих гетеросистем GaSb<Bi> и GaInSb<Bi>/GaSb в температурном диапазоне 673-950 К. Проведен анализ гетерогенных равновесий в системах GaSb<Bi> и GaInSb<Bi>/GaSb применительно к условиям выращивания эпитаксиальных слоев методом ЖФЭ (бинарная гетеросистема GaSb, трехкомпонентные твердые растворы GalnSb, GaSb<Bi>, InSb<Bi> и четырехкомпонентный твердый раствор GaInSb<Bi>).

2. Получены висмутсодержащие твердые растворы GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> на основе GaSb.

3. Исследованы свойства полученных эпитаксиальных слоев.

Практическая значимость

1. Разработана методика кристаллизации висмутсодержащих твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> в поле температурного градиента.

2. Разработаны технологические режимы получения и влияние ряда технологических факторов на характер получаемых эпитаксиальных слоев твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> на основе антимонида галлия.

3. Получены твердые растворы GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> на основе GaSb.

4. Разработаны конструкции инжекционных излучателей на основе твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi>, пригодных в качестве датчиков промышленных атмосферных углеводородных и азотных загрязнений.

Основные научные положения выносимые на защиту;

1. Наибольшее согласие с экспериментом дает точечная аппроксимация квазихимического приближения регулярных растворов, примененная в работе для гетеросистем на основе GaSb. Результаты расчета позволяют определить исходные данные для получения твердых растворов требуемых составов методом ЗПГТ.

2. Метод градиентной жидкофазной кристаллизации позволяет получать эпитаксиальные слои GaSbixBix xBix с требуемыми параметрами.

3. Оптимальные величины переохлаждений при выращивании эпитаксиальных слоев твердых растворов GaSbixBix и Ga].yInySbi.xBix лежат в интервале 5 ч-10 К. Разработанная в диссертации слайдерная кассета позволяет минимизировать случаи спонтанной объемной кристаллизации при больших переохлаждениях, вплоть до критических.

4. Применение Ga-Bi и In-Bi, In-Ga-Bi (вплоть до 90% Bi в жидкой фазе) зон позволяет получать эпитаксиальные слои GaSbixBix (х < 0.003) и Gai yInySbi.xBix(х < 0.008; у < 0.15).

5. Скорость жидкой зоны состава Ga-Bi возрастает при увеличении доли висмута, а состава In-Ga-Bi - при увеличении доли индия и висмута в жидкой фазе.

6. Эпитаксиальные гетероструктуры GaSb<Bi>/GaSb и GaInSb<Bi>/GaSb могут служить в качестве элементной базы инжекционных излучателей с длиной волны 1,7-4-1,9 мкм.

Достоверность научных положений и результатов исследования

Достоверность результатов обеспечивается использованием хорошо зарекомендовавших себя аналитических и численных методов математики, физики, физхимии, обоснованностью приближений в применяемых моделях описания твердых растворов, использованием апробированных методов экспериментальных исследований, согласием теоретических и экспериментальных результатов работы между собой и с результатами других авторов.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Восьмой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, ТРТУ, 2002), Международной Научной Конференции «Кристаллизация в наносистемах» (Иваново, 2003), межвузовских научно-технических конференциях, а также на конференциях, совещаниях, семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ(ф) ЮРГТУ (НПИ).

Работа проводилась в рамках научного направления, принятого в Университете и на кафедре физики: «Кристаллы и структуры для твердотельной электроники».

Публикации и вклад автора

По результатам исследований опубликовано 5 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, содержит 98 печатных страниц, 38 иллюстраций, 5 таблиц. Список литературы включает 85 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Севостьянов, Александр Сергеевич

ВЫВОДЫ

1. Методом ЗПГТ получены твердые растворы GaSbixBix (х < 0.003) и Gai.yInySbixBix (х < 0.008, у < 0.15).

2. Исследована зависимость кинетики роста эпитаксиальных слоев от различных технологических факторов. Установлено, что скорость жидкой зоны Ga-Bi возрастает при увеличении доли висмута, a In-Ga-Bi - при увеличении доли индия и висмута в жидкой фазе при прочих равных условиях. Это позволяет дополнительно управлять не только составом эпитаксиального слоя, но и скоростью роста.

3. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев твердых растворов GaSbixBix (х < 0.003) и GaiyInySbixBix (х< 0.008, у < 0.15). Результаты исследований распределения плотности дислокаций по толщине слоя показали, что в слое на границе с подложкой плотность дислокаций превышает таковую в слое и в подложке в связи с сопряжением кристаллических решеток и дефектностью поверхности раздела. Плотность дислокаций уменьшается в случае получения твердых растворов с подпиткой по сурьме. В слое возможно получение меньшего значения плотности дислокаций, чем в подложке, что свидетельствует в пользу недоминирующей роли фактора наследования дефектов подложки при определенных технологических условиях роста.

4. Проведены исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных слоев. Проведено исследование распределения компонентов твердого раствора и концентрации носителей заряда по толщине слоя. Обнаружено влияние содержания висмута и индия на концентрацию и подвижность носителей заряда в эпитаксиальных слоях в сторону их роста при увеличении содержания данных элементов в твердом растворе.

5. Оценка величины изменения ширины запрещенной зоны для четырехкомпонентного твердого раствора GaiyInySbixBix (х < 0.008, у < 0.15) при максимальных х и у составляет -0.03 эВ. Это позволяет использовать этот материал в качестве элементной базы излучательных приборов с перестраиваемой длиной волны (с изменением температуры и состава). Полуширина кривых излучения в зависимости от состава твердого раствора изменялась в пределах 20-50 мэВ, что говорит о кристаллическом совершенстве полученных гетероструктур. Показано, что возможно получение источников когерентного излучения, работающих при комнатной температуре в спектральном диапазоне около 1.9 мкм. Такие излучатели эффективны в качестве чувствительных элементов ИК-спектрометрических устройств анализа веществ, а также в приборной оснастке длинноволновых волоконно-оптических линий связи нового поколения.

91

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Севостьянов, Александр Сергеевич, 2005 год

1. Gladkov P., Monova E., Weber J. Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi melts. 11 J. Cryst. Growth. 146. (1995). Pp.319-325.1. Q С

2. Стрелъченко С. С., Лебедев В.В. Соединения А В : Справочник. М.: Металлургия, 1984. 144 с.

3. Осинский В.И., Привалов В.И., Тыхоненко О.Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск: Высшая школа, 1981. 391 е.: ил.

4. Волошин А.Э., Вермке А., и др. Влияние условий эпитаксиального роста на характер твёрдого раствора, образующегося в слоях InSb<Bi> II Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1991. Т.21. № 3. С.451-456.

5. Марончук И.Е., Шутов С.В., Кулюткина Т.Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута // Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1995. Т.31. №12. С.1520-1522.

6. Лозовский В.И, Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. -Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 е.: ил.

7. Акчурин Р.Х. Евгенъев С.Б., Зиновьев В.Г. и др. Гетерогенные равновесия в системах Аш- Bv. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1984. №10. С.62-65.

8. Акчурин Р.Х., Зиновьев В.Г., Кузъмичева Г.М., Уфимцев В.Б. Кристаллохимический аспект легирования антимонида индия висмутом в условиях жидкофазной эпитаксии. // Кристаллография. 1982. Т.27. Вып.З. С.561-565.

9. Акчурин Р.Х. Сахарова Т.В., Тарасов А.В., Уфимцев В.Б. Эпитаксиальный рост InAsixySbxBiy на подложках InSb из висмутовых растворов. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1992. Т.28. №3. С.502-506.

10. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т.32. № 1. С. 3-19.11 .Пфанн В.Дж. Зонная плавка. М.: Мир, 1970. 366 е.: ил.

11. Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987.

12. Евгенъев С.Б. Тепловые эффекты фазовых превращений в системах Ga— Sb-Bi и In-Sb-Bi. II Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1988. Т.24. №4. С.546-549.

13. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991, 175 е.: ил.

14. WuM.C. and Chen С.С. J. Applied Phys. 72, 9 (1992) 4275-4280.

15. Mathur P. C., Jain S. Phys. Rev. В19, 6 (1979) 3159-3166.

16. BaxterR.D., ReidF.J., ReerA.C. Phys. Rev. 162, 6 (1979) 3159-3166.

17. Nakashima K. Jpn. J. Appl. Phys. 20, 6 (1981) 1085-1094.

18. Johnson G.R., Cavenett B.C., Kerr T.M. Semicond. Sc. Technol. 3, (1988) 1157-1165.

19. Крессел Г., Нельсон Г. В кн.: Физика тонких пленок Т. VII: Пер с англ. М.: Мир, 1977, с.133-283.

20. Kolm С., Kulin S.A., Averbach B.L. Phys. Rev. 108, (1957) p.965.

21. Горюнова H.A., Федорова ff.ff. ЖТФ. 1955. C.1339.

22. Woolley J.C., Smith B.A., Lees D.G. Proc. Phys. Soc., 69B, (1956) p.1339.

23. Woolley J.C., Smith B.A. Proc. Phys. Soc., 72, (1958) p.214.

24. Иванов-ОмскийВ.И., КоломиецБ.Т. ФТТ. 1959. 1. C.913.

25. Woolley J.C., Evans S.A., Gillett C.M. Proc. Phys. Soc. 74, (1959) p.244.

26. Иванов-Омский B.K, КоломиецБ.Т. ДАН СССР. 1959. 127. C.135.

27. Woolley J.C., Evans S.A. Proc. Phys. Soc. 78, (1961) p.354.

28. Woolley J.C., Gillett C.M. J. Phys. Chem. Solids. 17, (1960) p.244.

29. Logan R. M., Hurle D.T.J. J. of Physics and Chemistry of Solids, 1971, V. 32, № 8. Pp.l739-1753.

30. Woolley J. С., Gillett СМ. II J. of Physics and Chemistry of Solids, 1960. 17. №12, pp.34-43.

31. Miki H., Segava K., Otsuba M., Shirahata K., Fujibayashi K., in GaAs and Related Compounds (Inst. Phys. Conf. Ser. №24, Inst, of Phys., London and Bristol, 1975), pp. 16-21.

32. Coderre W.M., Woolley J.C. Canadian J. of Appl. Phys. 47, №22, pp. 2553-2564(1969).

33. Миргаловская M.C., Стрельникова И.А., Тимошин A.C., Уфимцев В.Б. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. 4.2. -Новосибирск: Наука, 1975, с. 196-200.

34. Долгиное JI.M., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. // Итоги науки и техники. Сер. «Радиотехника». 1980. Т.21. С.З-116.

35. Акчурин Р.Х., Жегалин В.А., Сахарова Т.В. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb-Bi в связи с жидкофазной эпитаксией твердых растворов InAs 1xySbxBiy II Изв. вузов. Сер. Цв. металлургия. 1995. №7. С. 12-16.

36. Падалко А.Г., Перри Ф.С., Лазарев В.Б. Фотоэлектрические свойства неохлаждаемых детекторов на основе тонких пленок антимонида индия. // Изв. АН РФ. Неорганические материалы. 1994. Т. 30. №2. С. 156-163.

37. Lee J.J., Kim J.D., Razeghi М. Room temperature operation of 8-12 /rnn InSbBi infrared photodetectors on GaAs substrates. // Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. №5. P.30.

38. Кодин B.B. Получение варизонных твердых растворов InSbBi и InAsSbBi методом температурного градиента и исследование их свойств. Дис. на соиск. уч. степ, к.ф.-м.н. - Ставрополь, 2004.

39. Дейбук В.Г., Виклюк Я.И., Раренко КМ. Расчет зонной структуры твердого раствора InSbBi. IIФТП. 1999. Т.ЗЗ. Вып.З. С.289-292.

40. Jean-Louis A.M., Натоп С. Phys. St. Sol. 1969. V.34. P.329.

41. Jean-Louis A.M., AyraultB., Vargas J. Phys. St. Sol. 1969. V.34. P.341.

42. Jean-Louis A.M., DuraffourgG. Phys. St Sol. (b) 1973. V.59. P.495.

43. JoukoffB., Jean-Louis A.M. J. Cryst. Crowth. 1972. V.12. P.169.

44. Раухман M.P., Земское B.C., Харахорин Ф.Ф., Бояринцев П.К., Лаптев А.В., Янкауекас С.М. В сб. «Свойства легированных полупроводников». -М.: Наука, 1977. С.62.

45. Peretti Е.А. Trans. AIME. 1958. V.212. Р.79.

46. Peretti Е.А. Trans. ASM. 1961. V.54. Р.12.

47. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. -М.: Металлургия, 1968.

48. Казаков А.И., Мокрщкий В.А., Романенко В.Н., Хитова Л. / под ред. Романенко В.Н. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. -М.: Металлургия. 1987.

49. Panish М.В., Illegems М. Phase equilibria in ternary III-V systems. // J. Phys. Chem. Solids. 1972. V.32. Pp.39-83.

50. Onabe K. Thermodinamics of type AxBixCiyDy III-V quaternary solid solutions. //J. Phys. Chem. Solids. 1982. V.43. Pp.1071-1086.

51. Lendvay E., Gevorkyan V.A., Petras L., Pozsgal I., Gorog Т., Toth A.L. Liquid phase epitaxy of AlGalnSb. // J. Cryst. Growth. 73. (1985). Pp.63-72.

52. Blom G.M., Plaskett T.S. II J. Electrochem. Soc. 118,1831 (1971).

53. Nakajima K., Yamazaki S., Akita K. J. Crystal Growth, 1982. V.56. №3. Pp. 547-556.

54. Литвак A.M., Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Известия РАН. Сер. Неорганические материалы. 1991. Т.27. №2. С. 225-230.

55. Ansaral. Int. Metals Rev., 1979. V.24. №1. Pp.20-53.

56. Antupas G.A. Liquidus and Solidus data at 500°С for the InGaSb systems. // J. Cryst. Growth. 1972. V.16. №2. Pp. 181-182.

57. Акчурин P.X., Сахарова T.B. Получение узкозонных твёрдых растворов InAs.-xySbxBiy методом жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 10. С. 16-20.

58. Лунин Л.С., Благин А.В., Овчинников В.А., Алфимова Д.Л. Получение и исследование свойств пленок GaAsP<Bi>/GaP. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. 6-й междунар. науч. -техн. конф. ПЭМ-99. Таганрог, 1999. С. 19А

59. Лозовский В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединении AinBv. (Новые материалы оптоэлектроники) Ростов-на-Дону: издательство РГУ, 1992, 192 с.

60. Зиновьев В.Г., Моргун А.И., Уфимцев В.Б. Поведение висмута в эпитаксиальных слоях GaSb<Bi> ,// Изв. РАН: Неорган, материалы. 1993. Т.29. №2. С.177-180.

61. Гиббс Д.В. Термодинамика. Статистическая механика. / пер. с англ. М.: Наука, 1982. 582 с.

62. Кауфман Л., Берстейн X. Расчет диаграмм состояния с помощью ЭВМ / пер. с англ. М.: Мир, 1972. 326 с.

63. ГлазовВ.М. //ЖФХ. 1977. Т.51. №10. С.2549-2552.

64. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Жегалин В.А. Исследование условий формирования гетероструктур InAsi.xySbxBiy/InSb методом ЖФЭ. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1995. Т.31. №10. С. 1431-1436.

65. Kaufman L., Nell J., Taylor К, Hayers F. Calpgad, 1981. V.5. №3. Pp.185214.

66. Osamura K, Nakajima K, Murakami Y. J. Electrochem. Soc. 1979. V.126. №11. Pp. 1992-1997.

67. Hultgren R., Desai F.D., Hawkins D.T., Gleiser M., Kelley K.K. Selected values of the thermodynamic properties of binary alloys. Ohio: American Society for metals. Metals Park, 1973. 961 p.

68. Благин А.В. Фотоприемные сверхрешетки AlyIniySbixBix/InSb. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 2003. Т.39. №3. С.282-284.

69. Сысоев И. А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных соединений AHIBV: Дис на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 1993.

70. Попов В.П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: Дис. на соиск. уч. степ. докт. техн. наук. Новочеркасск, 1987.

71. Пштин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. М.: Высшая школа, 2001.-573 е.: ил.

72. Лозовский В.К, Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987.

73. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединении АШВУ. (Новые материалы оптоэлектроники) Ростов-на-Дону: изд-во РГУ, 1992. 193 е.: ил.

74. Лозовский В.Н., Зурнаджян B.C. Эффект вынужденной конвекции при зонной перекристаллизации и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1978. В.5. С.110-115.

75. Милъвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных полупроводниках. М., 1985.

76. Лунин Л.С., Аскарян Т.А., Сысоев И.А. Исследование дефектов в варизонных гетероструктурах AlxGaixSbyAsiy/GaSb. // Тезисы докладов IV Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупрводниковых гетероструктурах. Минск, 1986. Т.1. С.144-145.

77. Чалмерс Б. Теория затвердевания. / пер. с англ. В.А. Алексеева, под ред. д.т.н. М.В. Приданцева. М.: Металлургия, 1968.

78. Овсиенко Д.Е. Зарождение и рост кристаллов из расплава. / АН Украины, Институт металлофизики. Киев: Наукова Думка, 1994. 254 е.: ил.

79. Павлов В.В. О «кризисе» кинетической теории жидкости и затвердевания: (Необходимость изменения традиционной молекулярной модели жидкости и твердого тела). / Урал. гос. горно-геол. акад. Екатеринбург: УГГГА, 1997. 391 с.

80. Лунина О.Д. Варизонные гетероструктуры AlxGa.xAs/GaAs, выращенные в поле температурного градиента, и их свойства. Дис на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. - Новочеркасск, 1982.

81. Коваленко В.Ф. Методы контроля эпитаксиальных слоев в полупроводниках переменного состава. // Автометрия. 1990. №6. С.54-64.

82. Вечкосов И.А., Кручинин Н.А., Поляков А.И., Резижкин В.Ф. Приборы и методы анализа в ближней инфракрасной области М.: Химия, 1977. - 231 с.