Фотоприемные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Богданов, Александр Александрович

• Богданов, Александр Александрович
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Богданов, Александр Александрович

Перечень условных обозначений и сокращений

Введение

Глава 1. Аморфный гидрогенизированный кремний: технология 13 получения, структура, свойства, фотоприемные устройства на его основе

1.1. Технология получения пленок аморфного гидрогенизированного 13 кремния

1.1.1. Получение пленок аморфного гидрогенизированного крем- 14 ния методом плазмохимического осаждения

1.1.2. Метод распыления

1.1.3. Химическое осаждение из газовой фазы и другие методы 19 осаждения пленок аморфного гидрогенизированного кремния

1.1.4. Легирование пленок аморфного гидрогенизированного 21 кремния

1.2. Особенности структуры и свойства аморфного гидрогенизиро- 26 ванного кремния

1.2.1. Представления об электронных состояниях в аморфном 26 гидрогенизированном кремнии. Модели энергетических состояний

1.2.2. Электрофизические свойства аморфного гидрогенизиро- 32 ванного кремния

1.2.3. Оптические и фотоэлектрические свойства аморфного 36 гидрогенизированного кремния. Фотоиндуцированная деградация пленок (эффект Стэблера-Вронского)

1.3. Фотоприемные структуры с аморфным гидрогенизирован- 42 ным кремнием

1.3.1. Фоторезисторные структуры

1.3.2. Фотодиодные структуры

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоприемные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния»

В настоящее время трудно представить отрасль современной техники, в которой не использовались бы различные сенсорные устройства. Значение датчиков, реагирующих на свет и температуру, давление и влажность, растет с каждым днем. Однако, несмотря на значительный прогресс в области материаловедения, технологии и схемотехники, существует ряд нерешенных задач в области создания эффективных чувствительных элементов. Одной из насущных проблем современной твердотельной электроники является получение датчиков, обладающих высокой чувствительностью в области ультрафиолетового (УФ) и видимого излучения. Среди областей применения таких датчиков можно отметить металлургию и микроэлектронную технологию, экологию и медицину, животноводство и сельское хозяйство, военную технику и метрологию и другие.

Обычно используемые для этих целей монокристаллические широкозонные полупроводники, такие как SiC и GaP, обладают достаточно высокой стоимостью, что оправдано в прецизионных сенсорах, но неприемлемо в случае массового производства. Отдельного внимания заслуживает нитрид алюминия A1N, ширина запрещенной зоны которого достигает 6,2 эВ. Однако технология его получения еще недостаточно разработана и в литературе нет данных об использовании этого материала в фотоприемниках (ФП) коротковолнового излучения [1].Компромисс между стоимостью и электрофизическими параметрами может быть найден при использовании такого материала, как аморфный гидрогенизированный кремний (a-Si:H).

Пленки a-Si:H впервые были получены и исследованы Читтиком и др. в 1969 году, но роль водорода в этом материале была оценена лишь в 1975 году. Первые электронные устройства на основе a-Si:H были созданы в 1974 году сотрудниками лаборатории RCA, а в 1975 году Спир и Ле-Комбер опубликовали результаты подробных исследований легирования a-Si: H путем введения в него примесей замещения. Первая же работа, посвященная созданию прибора на a-Si:H, появилась в 1976 году [2].

Установлено, что оптическое поглощение a-Si:H превышает в 20 раз оптическое поглощение в кристаллическом кремнии. Характер оптического поглощения в a-Si:H напоминает характеристику кристалла с прямозонной структурой при ширине запрещенной зоны 1,6 - 1,7 эВ [3]. В пленках a-Si:H имеет место эффект ударной ионизации, что обусловливает их высокую фоточувствительность в области УФ излучения [4]. Помимо этого у a-Si;H есть следующие преимущества перед кристаллическими материалами, такими как Si, SiC и GaP:

• применение a-Si:H снимает ограничение площади чипа размерами кристалла, неизбежное при использовании кристаллических полупроводников, а существующие промышленные технологии позволяют получать

6 2 тонкопленочные многослойные структуры с площадью 10 см ;

3 2

• плотность макродефектов в пленках a-Si:H (10 см ) на три порядка меньше, чем в монокристаллическом кремнии, а сплошность слоев сохраняется даже при толщинах в 5 нм;

• процесс получения пленок a-Si:H является низкотемпературным (ниже 300°С), что позволяет использовать более дешевые подложки и снижать стоимость ФП в целом;

• свойства пленок a-Si:H могут быть целенаправленно изменены в очень широких пределах посредством легирования, то есть возможно создание р-п перехода;

• материал стабилен на воздухе.

Однако, несмотря на более чем двадцатилетнюю историю использования a-Si:H, вопросы получения качественного материала с высокой воспроизводимостью и стабильностью параметров для сенсорных применений до сих пор не решены.

Для создания эффективных фотоприемных структур необходимы пленки a-Si:H с высокой фоточувствительностью, у которых отношение фотопроводимости aPh к темновой проводимости аа было бы не ниже 104 [5], Это требует дополнительных усилий в совершенствовании технологии получения пленок на базе наиболее распространенного метода - плазмохимиче-ского осаждения (ПХО) [1], а также в исследовании возможности формирования в едином технологическом цикле различных сплавов a-Si:H, в частности с большей шириной запрещенной зоны для увеличения чувствительности в коротковолновой части спектра, и легированных слоев a-Si:H для создания р-\-п структур. Кроме того, несомненный интерес представляют фоточувствительные гетероструктуры с пленкой a-Si:H на монокристаллическом кремнии [6].

Для получения высоких значений по быстродействию и фоточувствительности в УФ и видимом диапазонах наиболее перспективными являются фотоприемники с барьером Шоттки (БШ) [5]. При их формировании необходимо решить проблемы создания воспроизводимого контакта металл-oc-SrH с максимальной высотой потенциального барьера. В настоящее время отсутствуют модели для описания характеристик многослойных фотоприемников на основе a-Si:H с барьером Шоттки и гетеропереходом.

Целью данной работы является разработка технологии формирования нелегированных и легированных пленок a-Si:H с использованием метода циклического осаждения; проведение комплексных исследований параметров пленок и структур на их основе, полученных в разных технологических режимах; создание на основе пленок oc-Si:H фотоприемников УФ и видимого диапазонов излучения разных типов с различными спектральными характеристиками.

В соответствии с поставленной целью в работе решались следующие задачи:

- разработка технологического режима формирования нелегированных пленок a-Si:H методом циклического плазмохимического осаждения на базе технологического комплекса однокамерного типа;

- с целью повышения экологической чистоты производства разработка методов получения легированных пленок oc-Si:H я-типа и р-типа при замене традиционных фосфина и диборана диспрозием и триэтилбором (ТЭБ), а также рассмотрение возможности формирования в установке однокамерного типа в едином цикле p-i-n гетероструктур;

- отработка режимов получения сплавов a~Si:H с углеродом различного состава, исследование влияния углерода на фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, в том числе на их спектральные характеристики;

- сравнительный анализ методов формирования барьерообразующих платиновых электродов для фотоприемников (ФП) с барьером Шоттки на основе a-Si:H;

- теоретический анализ фоточувствительных гетероструктур на монокристаллических кремниевых подложках с пленкой a-Si:H и барьером Шоттки;

- создание на базе пленок a-Si:H различных фотоприемников, эффективно работающих в А и В областях УФ излучения, а также в видимой части спектра;

- разработка фотоприемной системы, обладающей селективной чувствительностью в С области УФ излучения;

- исследование возможности повышения стабильности параметров фотоприемных структур на основе пленок a-Sí:H.

Научная новизна работы:

1. Разработанный метод циклического ПХО с отжигом в водородной плазме позволяет получить пленки a-Si:H с высокой фоточувствительностью j tfph/dd~10 (при условиях освещения AMI), отличающиеся повышенной стабильностью в процессе воздействия излучения.

2. Дополнительная термообработка пленок a-Si:H, полученных методом циклического осаждения, приводит к повышению их стабильности при облучении, причем фоточувствительность пленок остается достаточно высокой (aPh/c7d«105).

3. Установлено, что использование модели двух встречно включенных барьеров позволяет адекватно описать темновые вольт-амперные характеристики гетероструктуры с пленкой a-Si:H и барьером Шоттки, осажденной на кремниевую подложку.

4. Впервые на базе многослойной структуры с барьером Шоттки на a-Si:H, гетеропереходом на границе c-Si-a-Si:H и р-п переходом в монокристаллической кремниевой подложке получены фотоприемники, изменяющие свою спектральную чувствительность при изменении напряжения на структуре, обратно смещающего барьер Шоттки.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Отработана технология циклического плазмохимического осаждения нелегированных пленок a-Si:H, позволяющая достигать п фоточувствительности aPh/<7d~ 1О при условиях освещения AM 1. Показано, что дополнительная термообработка пленок a-Si:H в вакууме повышает их стабильность в процессе облучения.

2. Разработаны фотоприемники с барьером Шоттки на спектральный диапазон 220 - 400 нм, с чувствительностью 0,3 А/Вт, формируемые на никелевой фольге и отличающиеся низкой стоимостью.

3. Разработан и изготовлен датчик с перестраиваемыми параметрами на спектральный диапазон 400 - 1000 нм на базе гетероструктуры с a-Si:H, сформированной на монокристаллической кремниевой подложке с эпитаксиальным слоем.

4. Создано устройство, обладающее селективной чувствительностью к С области УФ излучения с максимумом спектральной характеристки на 230 нм, основанное на выделении разностного сигнала от мостовой схемы на фоторезисторах с a-Si:H.

5. Результаты работы вошли в отчет по НИР ГР/ДП-22 («Разработка научных основ и нетрадиционной технологии получения многослойных структур для эффективных преобразователей солнечной энергии на основе a-Si:H») и были использованы при выполнении грантов Copernicus 1С 15-СТ98-0819 (TIMOC) и Intas № 97-1910. Кроме того, результаты работы использованы в НТП «ТКА» (г. Санкт-Петербург) при создании приборов для измерения оптического излучения УФ диапазона.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Использование модифицированного циклического осаждения приводит к увеличению концентрации водорода, и, как следствие, ширины запрещенной зоны, наиболее полной пассивации им оборванных связей в сетке аморфного кремния. Это делает возможным получение пленок a-Si:H с отношением aPh/od не хуже 106 (при условиях освещения AMI).

2. Вольт-ампещ1ые характеристики фотоприемных тонкопленочных структур, сформированных на монокристаллических кремниевых подложках осаждением пленки a-Si:H и барьерообразующего платинового электрода, адекватно описываются в рамках модели двух встречно включенных барьеров, учитывающей гетеропереход oSi-a-Si:H.

3. В фотоприемниках на базе многослойной гетероструктуры, выполненной на кремниевой подложке с эпитаксиальным слоем, удается эффективно менять спектральную чувствительность путем изменения напряжения, приложенного к структуре.

Апробация результатов работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и школах:

• Второй Российской конференции по материаловедению и физико - химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния «Кремний 2000», МИСиС, Москва, 9-11 февраля 2000 г.;

• Всероссийском симпозиуме с участием ученых из стран СНГ «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», ФТИ им. А. Ф. Иоффе СПб, 5 - 9 июля 1998 г.;

• Всероссийской конференции «Функциональные материалы и структуры для сенсорных устройств», ИОНХ РАН, Москва, 17-19 ноября 1999 г.;

• Научных молодежных школах по твердотельной электронике: «Твердотельные датчики» (Санкт - Петербург, 23 - 25 ноября 1998 г.) и «Поверхность и границы раздела структур микро- и наноэлектроники» (Санкт -Петербург, 4-11 декабря 1999 г.);

• Ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (1997 - 2000 гг.).

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Богданов, Александр Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработан и оптимизирован технологический режим формирования нелегированных пленок a-Si:H методом ПХО в установке однокамерного типа. С его помощью впервые получены пленки a-Si:H с фоточувствительностью, достигающей 10 (при условиях освещения AMI), и характеризующиеся повышенной стабильностью.

2. Отработаны методы получения легированных пленок a-Si:H: /мгипа - при замене традиционного диборана триэтилбором и п-типа - при замене фосфина диспрозием, позволяющие улучшить экологические условия производства. В едином цикле с использованием установки однокамерного типа получены эффективные фоточувствительные p-i-n структуры.

3. Разработана технология получения сплавов a-SiixCx:H; при содержании углерода 15% ширина запрещенной зоны в них составляет 2,1 эВ, а значе-ние фоточувствительности составляет 10 при условиях освещения AMI. Увеличение содержания углерода в пленках более 15% приводит к структурному разупорядочению пленки и снижению фоточувствительности.

4. Экспериментально показано, что отжиг в вакууме в течении 30 минут при температурах 200-250°С структур с барьером Шоттки приводит к увеличению высоты потенциального барьера, напряжения холостого хода и, как следствие, - повышению фоточувствительности структур.

5. Теоретически показано, что вольт-амперные характеристики фотоприемных гетероструктур на монокристаллических кремниевых подложках с пленкой a-Si:H и барьером Шоттки адекватно описываются в рамках модели двух встречно включенных барьеров, учитывающей гетеропереход c-Si-a-Si:H.

6. В рамках диффузионной теории исследовано влияние слоя оксида кремния на вольт-амперную характеристику фотоприемника с барьером Шоттки при условиях освещения AMI. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что для получения максимальной высоты барьера Шоттки оптимальная толщина слоя SÍO2 равна 3 нм.

7. Предварительное восьмичасовое остаривание в условиях интенсивного освещения готовых фотоприемников позволяет стабилизировать их параметры. Изменение тока короткого замыкания остареной структуры за четыре месяца не превысило 5%.

8. Разработаны и изготовлены различные типы фотоприемных структур на основе пленок a-Si:H: гетероструктуры с пленкой oc-Si:H, осажденной на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, с изменяемой чувствительностью в видимой части спектра; датчики А и В областей УФ излучения со спектральной чувствительностью 0,3 А/Вт, низкой стоимости, на основе структур с БШ и пленкой a-Si:H<Dy>, выполненные на подложке из никелевой фольги; на базе фоторезисторных структур с a-Si:H создано устройство, обладающее селективной чувствительностью к С области УФ излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Богданов, Александр Александрович, 2000 год

1. Айвазов А.А., Будагян Б.Г. Неупорядоченные полупроводники. - М.: Высшая школа, 1995. - 352 с.

2. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 1. Структура, приготовление и приборы: Пер. с англ./ Под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. М.: Мир, 1987. - 363 с.

3. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991.-410 с.

4. Фоточувствительность p-i-n структур и структур с барьером Шоттки на основе a-Si:H в области УФ излучения / Васильев В.А., Мездрогина М.М., Теруков Е.И. и др. // Письма в ЖТФ. 1990. - Т. 16, вып. 1. - С.47-50.

5. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под. ред. И. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. - 376 с.

6. Андреев А.А., Шлимак И.С. Фотоэлектрические явления в аморфном гидрогенезированном кремнии и преобразователи солнечной энергии // В кн. Фотоприемники и фотопреобразователи. Л.: Наука, 1986. - С.222-252.

7. Коньков О.И. Получение и свойства аморфного гидрированного кремния для тонкопленочных полевых транзисторов: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ. мат. наук. - Л.: 1989. - 193 с.

8. Gallagher A. Surface reactions in discharge and CVD deposition of silane // J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 63, №7. - P.2406-2413.

9. Bhat P.K. The glow discharge hydrogenated amorphous silicon // J. Non -Cryst. Solids. 1987. - Vol. 97/98. - P.1383-1386.

10. Аморфные и поликристаллические полупроводники: Пер. с нем. / Под. ред. Хейванга В. М.: Мир, 1987.- 160 с.

11. High-rate deposition of a-Si:H films with a separated plasma triode method / Tanaka M., Ninomiya K., Nakamyra N. et al // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. -Vol. 27, №1.-P. 14-19.

12. Preparation and properties of a-Si films deposited at high deposition rate under a magnetic field / Ohnishi M., Nishiwaki H., Uchihashi K. et al // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, №1. - P.40-46.

13. Giamioni I., Musci M. // J. Non Cryst. Solids. - 1985. - Vol. 77/78. - P.743-752.

14. Kate S., Aoki T // J. Non Cryst. Solids. - 1985. - Vol. 77/78. - P.813-816.

15. Kaynov S. Closed chamber chemical vapor deposition: new cyclic method for preparation of microcrystalline silicon films // Jpn. J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 33, №8. - P.4534-4539.

16. Preparation and properties of high-quality a-Si films with a super chamber (separated ultra-high vacuum reaction chamber) / Tsuda S., Tacahama Т., Isomura M. et al // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. - Vol. 26, №1. - P.33-38.

17. Афанасьев В.П., Лянгузов А.А., Сазанов А.П. Формирование фотопреобразовательных структур на основе a-Si:H // Петербург, журн. электроники. 1995. № 2. - С.7-16.

18. High-quality wide-gap hydrogenated amorphous silicon fabricated using hydrogen plasma post-treatment / Okamoto S., Hishikawa Y., Tsuge S. et al // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. - Vol. 33, №4. - P.1773-1777.

19. Спир У., Jle Комбер П. Фундаментальные и прикладные исследования материала, приготовленного в тлеющем разряде // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1987. Вып. 1. -С.85-155.

20. Пайтс Д. Структурная и химическая характеризация // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1987. Вып. 1. -С. 13-84.

21. Каплан Д. Материал, получаемый методом химического осаждения из газовой фазы // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1987. Вып. 1. - С.226-258.

22. Лей А. Фотоэмиссия и оптические свойства // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1987. Вып. 1. -С.86-216.

23. Стрит Р., Бигельсон Д. Спектроскопия локализованных состояний // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1988. Вып. 2. - С.247-328.

24. Ueda М., Imura Т., Osaka Y. Microcrystallization in p-doped a-Si:H films at high deposition rate // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. - Vol. 26, №7. - P.987-990.

25. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела // М.: Наука, 1978. 790 с.

26. Татаринова Л.И. Электронография аморфных веществ. М.: Наука. 1972. -102 с.

27. Жданов Г.С., Илюшин А.С., Никитина С.В. Дифракционный и резонансный структурный анализ. -М.: Наука. 1980. 256 с.

28. Бэкон Д. Дифракция нейтронов / Пер. с англ. М.: Ин. лит. 1957. - 256 с.

29. Китайгородский А.И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. М., Л.: Гостехиздат. 1952. - 350 с.

30. Davis Е.А., Greaves G. A. Electronic phenomena in поп crystalline semiconductors. Leningrad. 1976. P. 212-220.3 5. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир. 1982. - 662 с.

31. Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски М.:Мир, 1982. - 414 с.

32. Cohen M.N., Fritzsche Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys // Phys. Rev. Lett. 1969. - Vol. 22, № 20. - P. 1065-1068.

33. Davis E.A., Mott N.F. Conduction in non-crustalline materials // Phil. Mag. -1970.-Vol. 22. P.903-922.

34. Anderson P.W. Absense of diffusion in certain random lattices // Phys. Rev. Lett. 1958. - Vol. 109, № 5. - P.1492-1505.

35. Investigation of the density of localised states in a-Si using the field-effect technique / Adler D., Silver M., Madan A., et. al. // J. Appl. Phys. 1980. - Vol. 51, №1. - P.3289.

36. Мотт Н.Д. Проводимость, локализация и край подвижности // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1988. Вып. 2. - С.217-246.

37. Нагельс П. Электронные явления переноса в аморфных полупроводниках // В кн.: Аморфные полупроводники. М.: Мир, 1982. - С. 146-200.

38. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Нижний Новгород: Изд. Нижегородского гос. универ. им. Н.И. Лобачевского, 1993. - 490 с.

39. Urbach F. The long-wavelenngth edge of photographical sensetivity and of the electronic absorption of solids. Phys. Rev. Lett. - 1953. - Vol. 92, №5. -P.1324.

40. Кузнецов С.В. Эффект Стеблера Вронского и температурные зависимости фотопроводимости a-Si:Hр-типа // ФТП. - 2000. - Т.34, вып. 6. - С.748-752.

41. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. - 192 с.

42. Stabler D.L., Wronskii C.R. Reversible conductivity changes in discharge produced amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 1977. - Vol. 31, №4. - P.292-294.

43. Карлсон Д., Вронски К. Солнечные батареи из аморфного кремния // В кн.: Аморфные полупроводники. М.: Мир, 1982. - С.355-411.

44. Redfield D., Bube R.H. // J. Non Cryst. Solids. - 1989. - Vol. 114, №1. -P.621-623.

45. Matsuura H. // J. Non Cryst. Solids. - 1989. - Vol. 114, №1. - P.60-62.

46. Dersch H., Stuke I., Bechler I. Light-induced dangling bonds hydrogenated amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 1981. - Vol. 38, №6. - P.456-458.

47. Crandall R.S. Deep electron traps in hydrogenated amorphous silicon. // Phys. Rev. Lett. -1981. Vol. 24, №12. - P.7457-7459.

48. Metastable deffects in amorphous silicon alloys / Adler D. et. al. // J. Non -Cryst. Solids. 1984. - Vol. 66, №1. - P.273-278.

49. Reimer J.A., Vaughan R.V. Knights J.C. Photon magnetic resonance spectra of plazma-deposeted hydrogenated amorphous silicon films. // Phys. Rev. Lett. -1980. Vol. 44, №3. - P.193-196.

50. Branz H.M., Silven M. Light-induced metastable deffects in hydrogeneted amorphous silicon: a systemic study // J. Non Cryst. Solids. - 1989. - Vol. 114, №1. - P.639-641.

51. Tsutsumi Y., Uchiyama K., Okamoto H., Hamakava Y. // J. Non Cryst. Solids. - 1989. - Vol. 114, №1. - P.627-629.

52. Kakolios J., Jaksen W.B. Amorphous silicon and related materials / ed. By Fritzsche H., 1989. P.207-245.

53. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 455 с.

54. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. М.: Советское радио, 1977. - 230 с.

55. Фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H и структур на их основе в УФ области спектра. / Васильев В.А., Волков А.С., Теруков Е.И. // ФТП. -1991. Т. 25, вып. 8. - С.1350-1354.

56. Бонч-Бруевич B.J1., Звягин И.П. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. -384 с.

57. Полупроводниковые фотоприемники: Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. / Под ред. Стафеева В.И. -М.: Радио и связь, 1984. 215 с.

58. Шарма Б.Д., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Советское радио. 1979. - 227 с.

59. Properties and structure of a-SiC:H for high-efficiency a-Si solar cell/ Tawada Y., Tsuge K., Kondo M., et. al. // J. Appl. Phys. 1982. - Vol. 53, №7. -P.5273.

60. Стриха В.И., Кильчицкая С.С. Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник. СПб.: Э н ергоатомиздат. 1991. - 136 с.

61. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -М.: Мир. 1975.-432 с.

62. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Наукова Думка. 1984. - 236 с.

63. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии / Андреев А.А., Ильченко В.В., Мездрогина М.М., Стриха В.И. // ФТП. 1988. - Т.22, вып. 3. - С.461-464.

64. Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь. 1987.-248 с.

65. Thornton J.A., Hedgooth V.L. Transparent conductive Sn-doped indium oxide coating deposited by reactive sputtering with a post cathode // J. Vac. Sci. Technol. 1975. - Vol. 13, №1. - P.117-121.

66. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E.: Sci. Instrum. 1983. - Vol. 16. - P. 1214-1222.

67. Liu X., Tong S., Wag. L. Photoluminescence of nanocrystallites embedded in hydrogenated amorphous silicon films // J. Appl. Phys. 1995. - Vol. 78, №10. -P.6193-6196.

68. Голикова О.А., Казанин M.M. Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью // ФТП. 1999. - Т.33, вып. 1.-С.110-113.

69. Структурные особенности и свойства пленок a-Si:H, полученных методом циклического осаждения / Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Теруков Е.И. и др. // ФТП. 2000. - Т.34, вып. 4. - С.495-498.

70. A.W. Nevin, Н. Yamagishi, Y. Tawada Improvement of the stability of hydrogenated amorphous silicon by plasma treatment // Jpn. J. Appl. Phys. -1994. Vol. 33, №9. - P.4829-4832

71. Asano A., Ichimura Т., Sakai H. Preparation of highly photoconductive hydrogenated amorphous silicon carbide films with a multiplasma-zone apparatus // J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 65, №6. - P.2439-2444.

72. Афанасьев В.П., Васильев В.А. Ультрафиолетовые приемники излучения на основе аморфного гидрогенизированного кремния // Изв.ГЭТУ. Сб.науч.трудов. С.-Пб.:1994. - Вып.471. - С.64-68.

73. Афанасьев В.П., Богданов А.А. Фотоприемная система для С области ультрафиолетового излучения на основе аморфного гидрогенизированного кремния // Физика твердого тела и твердотельная электроника. /Изв.СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - С.-Пб.:1999. - Вып.1. - С.56-58.

74. Мездрогина М.М. Трансформирование неупорядоченной структурной сетки и влияние примесей на свойства пленок аморфного гидрированного кремния: Диссертация на соискание ученой степени доктора, физ. мат. наук.-СПб.: 1995.-280 с.

75. Eschrish Н. Et.al. The dependens of a-Si:H/c-Si solar cell generator and spectral respons characteristics on heterojunction band discontinuities // J. Non-Cryst. Solids. 1993. - Vol. 164-166. - P.316-319.

76. C.G.Van de Walle and Yang L.H. Band discontinuities at heterojunction between crystalline and amorphous silicon. // J. Vac. Sci. Technol. 1995. -Vol. 13, №14. - P.215-221.

77. Hu G.Y. and Connell R.F.O. Electronic conductivity of hudrogenated noncrystalline silicon films. // J. Appl. Phys. 1995. - Vol. 78, №15. - P.46-53.

78. Matare H.F. Transport processes of grain boundaries in polycrystalline material under optical illumination. // J. Appl. Phys. 1983. - Vol. 54, №11. - P. 132-138.

79. Богданов А.А. Модельные представления для описания гетероструктур с аморфным гидрогенизированным кремнием // Перспективные материалы и приборы оптоэлектроники и сенсорики. / Изв.ГЭТУ.Сб.науч.трудов. -С.-Пб.:1998. Вып.517. - С.120-125.

80. Ядерно-спектроскопические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур / Афанасьева Н.П., Данишевский A.M., Теруков Е.И. и др. // Изв. АН СССР, препринт №1759. 1991. - С.1759-1794.

81. Shur М., Czubatyi W., Madan A. Influence of gap states on basic characteristics of a-Si:H thin film transistors // J. Appl. Phys. 1984 - Vol. 55, №5. - P.3831-3849.