Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология и свойства пленок PbSe,SnSe,Pb1-xSnxSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Третьякова, Наталья Александровна

• Третьякова, Наталья Александровна
• кандидат химических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат химических наук Третьякова, Наталья Александровна

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 ПОЛУЧЕНИЕ, ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВА, СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДОВ СВИНЦА (II), ОЛОВА (II), ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pbi^Sn^Se (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1 Методы синтеза PbSe, SnSe и Pb^Sn JSe.

1.2 Гидрохимический метод синтеза пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se. ^

1.3 Структура, состав и свойства селенидов свинца (II), олова (II) и твердых растворов замещения на их основе.

1.3.1 Структура, состав и полупроводниковые свойства селенидов свинца

И) и олова (II).

1.3.2 Факторы изоморфной смесимости и оценка возможности образования твердых растворов замещения в системе PbSe-SnSe.

1.3.3 Состав, структура и фотоэлектрические свойства твердых растворов замещения Pbi^Sn^Se.

1.4 Методы и механизм сенсибилизации пленок халькогенидов металлов к ИК-излучению.

1.5 Применение селенидов свинца (II), олова (II) и твердых растворов Pbi^Sn^Se.

Выводы.

Глава 2 МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1 Реактивы и материалы.

2.2 Кинетические исследования осаждения селенидов свинца (II) и олова (II).

2.3 Методика гидрохимического осаждения тонких пленок PbSe, SnSe и твердых растворов Pbi^Sn^Se.

2.4 Методы исследования состава, структуры и морфологии пленок PbSe, SnSe, Pb^Sn^Se.

2.5 Проведение термообработки синтезированных пленок.

2.6 Исследование фотоэлектрических характеристик пленок.

Глава 3 ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ PbSe, SnSe И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pb,,Sn,Se В СИСТЕМЕ Ме2+ - С6Н5073' - NH4OH - (NH2)2CSe (Ме2+ - Pb2+, Sn2+).

3.1 Анализ условий образования селенида, гидроксида и цианамида свинца (II) в цитратно-аммиачной системе.

3.1.1 Анализ условий образования селенида свинца (II).

3.1.2 Анализ возможности образования РЬ(ОН)2.

3.1.3 Анализ возможности образования PbCN2. ^

3.2 Анализ условий образования селенида и гидроксида олова (II) в цитратно-аммиачной системе.

3.2.1 Анализ условий образования селенида олова (II).

3.2.2 Анализ возможности образования Sn(OH)2.

3.3 Определение области формирования твердого раствора Pbi^Sn^Se.

Выводы.

Глава 4 ПЛЕНКИ PbSe, SnSe, Pb,,Sn^Se: КИНЕТИКА

ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ, СОСТАВ, СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.

4.1 Исследование кинетических закономерностей гидрохимического синтеза селенидов свинца (II) и олова (II).

4.1.1 Исследование процесса осаждения селенида свинца (II) в цитратно-аммиачной системе.

4.1.2 Исследование процесса осаждения селенида олова (II) в цитратно-аммиачной системе.

4.1.3 Расчет состава твердого раствора замещения Pb^^Sn^Se по данным кинетических исследований образования PbSe и SnSe в цитратно-аммиачной системе. оч

4.2 Исследование кристаллической структуры, фазового и элементного состава синтезированных пленок PbSe, SnSe, Pb^Sn^Se.

4.2.1 Исследование структуры, состава и морфологии пленок PbSe и SnSe.

4.2.2 Исследование структуры, состава и морфологии пленок Pb^Sn^Se.

4.2.3 Низкотемпературные исследования пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se.

Выводы.

Глава 5 ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ

ПЛЕНОК Pb,ASe.

5.1 Воздействие температуры обработки на структуру, морфологию и свойства пленок твердых растворов Pbi^Sr^Se.

5.2 Роль добавки в реакционную смесь йодида аммония на свойства пленок Pbi^Sn^Se.

5.3 Влияние времени термообработки на свойства пленок твердых растворов Pbi^SntSe.

5.4 Термообработка пленок Pbi^Sn^Se в квазизамкнутом объеме.

5.5 Исследование спектральной характеристики фотоотклика химически осажденных пленок Pbj^Sn^Se.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология и свойства пленок PbSe,SnSe,Pb1-xSnxSe»

Актуальность исследования. На инфракрасный диапазон спектра электромагнитных излучений приходится основная доля теплового излучения окружающих нас тел, характеризующая их температуру и состав. Вследствие этого материалы, чувствительные к ИК-излучению, позволяют осуществлять дистанционное измерение температуры для нужд промышленности, медицины, безопасности жизнедеятельности, а также решать задачи пассивного обнаружения и химической идентификации различных объектов. Особенно высокой информативностью для решения многих практических задач обладают средний и дальний диапазоны ИК-излучения (3.0-12.0 мкм), в которых в настоящее время используются технологически сложные и дорогие материалы (InSb, CdHgTe и PbSnTe). Создание новых полупроводниковых структур с запрещенной щелью, близкой к нулю, позволяет значительно расширить круг функциональных материалов для среднего и дальнего ИК-диапазонов спектра. Среди фоточувствительных материалов особое место занимают тонкие пленки PbSe, которые находят широкое применение в оптоэлектронике. Значительную роль в расширении номенклатуры ИК-чувствительных материалов на их основе могут сыграть тройные полупроводниковые соединения, вследствие возможности регулирования их фотоэлектрических свойств путем изменения состава. В частности, перспективны твердые растворы замещения Pbi^Sn^Se, в которых происходит уменьшение ширины запрещенной зоны при увеличении содержания олова в их составе за счет присущей им способности к инверсии зон.

Традиционно для получения пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se используются различные высокотемпературные методы синтеза, требующие сложного оборудования и значительных материальных затрат. Вследствие этого актуальной является разработка условий получения данных материалов методом гидрохимического осаждения, исключающего использование дорогостоящего оборудования, высоких температур, глубокого вакуума и, в то же время, позволяющего получать относительно недорогие слои высокого качества с широким диапазоном физических свойств. Использование гидрохимического метода синтеза для получения PbixSnxSe позволяет резко расширить применение ИК-техники в различных сферах человеческой деятельности.

Цель работы. Разработать метод гидрохимического осаждения из цитратно-аммиачной реакционной смеси селеномочевиной пленок PbSe, SnSe и твердых растворов Pb^SiitSe, исследовать их состав, структуру и электрофизические свойства, определить условия термосенсибилизации слоев Pb^Sn^Se к ИК-излучению.

Научная новизна.

1. Впервые проведены комплексные кинетические исследования процессов гидрохимического осаждения селенидов свинца (II) и олова (И) из цитратно-аммиачных растворов с использованием селеномочевины. Определены энергии активации процесса, частные порядки реакций по компонентам системы, составлены формально-кинетические уравнения скоростей образования PbSe и SnSe.

2. Химическим осаждением из водных сред селеномочевиной впервые получены пленки SnSe и твердых растворов Pbi^Sn^Se (0.0 < х < 0.093).

3. Установлены кристаллическая структура, морфология, фазовый и элементный состав синтезированных пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se, изучены их полупроводниковые и электрофизические свойства.

4. Термообработкой гидрохимически осажденных пленок Pbi^Sn^Se получены слои фоточувствительные в более длинноволновой области спектра по сравнению с индивидуальным PbSe.

Практическая ценность.

1. Определены условия гидрохимического осаждения селенмочевиной пленок индивидуальных селенидов свинца (II) и олова (II), а также их твердых растворов замещения Pb^Sn^Se (0.0 < х < 0.093).

2. Получены формально-кинетические уравнения скоростей образования селенидов свинца (II) и олова (II), а также выражение, связывающее состав твердых растворов Pb]^Sn^Se с условиями процесса, что обеспечивает возможность их целенаправленного синтеза.

3. Определены условия термосенсибилизации гидрохимически осажденных пленок PbSe, Pbi^Sn^Se к ИК-излучению.

4. Разработан гидрохимический способ осаждения пленок твердых растворов Pbi^Sn^Se (0.0 < х < 0.093), фоточувствительных в спектральном диапазоне 1.0-8.1 мкм.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Кинетические закономерности процессов осаждения селенидов свинца (II) и олова (II) из цитратно-аммиачных растворов с использованием селеномочевины.

2. Результаты гидрохимического синтеза пленок PbSe, SnSe, а также твердых растворов замещения Pbi^Sn^Se.

3. Структура, морфология, фазовый и элементный состав, электрические и полупроводниковые свойства синтезированных пленок PbSe, SnSe, Pbj^Sn^Se.

4. Условия термосенсибилизации пленок PbSe, Pbi^Sn^Se к ИК-излучению.

5. Результаты исследования фотоэлектрических и спектральных характеристик гидрохимически осажденных пленок твердых растворов Pb^SivSe (0.0 <х< 0.093).

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертации доложены и обсуждены на II Всероссийской научной конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» (Томск, 2002), Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы-2004» (Екатеринбург, 2004), IV семинаре СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Екатеринбург, 2004), XIV Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2004), II Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2004), Всероссийской научно-практической конференции «Энерго- и ресурсосбережение. Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии» (Екатеринбург, 2004), XV

Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2005), 2-й Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга, 2005), I Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт-Петербург, 2005), VI Международной научно-практической конференции «Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики» (Новочеркасск, 2005), V Всероссийской конференции молодых ученых с международным участием «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Саратов, 2005), V Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования наноматериалов и наносистем (Москва, 2005), научно-практической конференции «Перспективные химические материалы и технологии для различных отраслей народного хозяйства) (Екатеринбург, 2005).

Публикации. По результатам исследования опубликовано 10 статей в отечественных журналах и сборниках трудов, 17 тезисов докладов в материалах российской, национальной и международных конференций.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка. Материал изложен на 165 страницах машинописного текста. Работа содержит 54 рисунка, 14 таблиц, 2 приложения. Библиографический список включает 233 источника.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Третьякова, Наталья Александровна

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Рассчитаны области образования PbSe и SnSe посредством термодинамического анализа ионных равновесий, устанавливающихся в системе «соль металла - цитрат натрия - селеномочевина». Определены условия, обеспечивающие потенциально возможный гидрохимический синтез твердых растворов Pbi-jSn^Se путем соосаждения PbSe и SnSe.

2. Исследованы кинетические закономерности процессов осаждения селенидов свинца и олова в цитратно-аммиачной системе и составлены формально-кинетические уравнения скоростей образования PbSe и SnSe. Выведено уравнение, дающее возможность проводить целенаправленный синтез пленок Pbi^Sn^Se требуемого состава, формируя соответствующую рецептуру реакционной смеси, которое имеет вид:

3. Впервые в цитратно-аммиачной системе с применением селеномочевины осуществлен гидрохимический синтез пленок SnSe и PbiASn^Se (О < х < 0.093). Исследованы их структура, фазовый, элементный состав, морфология и полупроводниковые свойства. Установлена взаимосвязь свойств полученных пленок и условий осаждения.

4. Разработаны условия термообработки химически осажденных пленок Pbi-jSnjSe в диапазоне 403-723 К с целью сенсибилизации к ИК-излучению. Выявлено, что сенсибилизация в квазизамкнутом объеме позволяет получать более высокие значения вольтовой чувствительности по сравнению с обработкой в открытом объеме.

5. Впервые установлен сдвиг «красной» границы спектральной чувствительности для химически осажденных пленок Pbi^Sn^Se в более длинноволновую область спектра по сравнению с индивидуальным селенидом свинца. Значение «красной» границы фоточувствительности гидрохимически осажденных слоев твердого раствора Pbi^Sn^Se составляет 6.1 мкм при 300 К и 8.2 мкм при 80 К.

1-х

- П "> 11-vrI ^ 2400 о 43 046 , 25 ,-,-0 24

-U.Ziexp п11лг ^{NH2)1CSe^Na](6lli01^mi0Hl^Na2S0

12400 С С

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Третьякова, Наталья Александровна, 2006 год

1. Девяткова Е.Д. Теплопроводность и изменение числа Лоренца в PbSe в зависимости от степени вырождения электронного газа и температуры / Е.Д. Девяткова, И.А. Смирнов // Физика твердого тела. I960 - Т. 2. - № 7. - С. 1984— 1991.

2. Yashina L.V. The application of VLS growth technique to bulk semiconductors / L.V. Yashina, V.I. Shtanov, Z.G. Yanenko // J. Cryst. Growth. 2003. - V. 252. - No. 1-3. -P. 68-78.

3. Кудрявцев А.А. Химия и технология селена и теллура / А.А. Кудрявцев. -М.: Металлургия, 1968. 339 с.

4. Созина Н.Н. Некоторые особенности внутреннего фотоэффекта в охлажденных слоях селенистого и теллуристого свинца / Н.Н. Созина, Б.П. Козырев // Изв. высш. уч. зав. Сер. физика. 1959. - Т. 2. - С. 120-128.

5. Житенева Г.М. К вопросу окисления селенида свинца / Г.М. Житенева, Ю.В. Румянцев, А.П. Надольский, Э.Я. Огнева // Тр. Иркутского полит, ин-та. Сер. металлургическая. 1963.-Вып. 18.-С. 130-138.

6. Новикова С.И. Исследование теплового расширения халькогенидов свинца / С.И. Новикова, Н.Х. Абрикосов // Физика твердого тела. 1963. - Т. 5. - № 7. - С. 1913-1916.

7. Brodsky М.Н. Surface Transport Phenomena in PbSe Epitaxial Films / M.H. Brodsky, J.N. Zemel//Phys. Rev.- 1967.- V. 18.-P. 1009-1011.

8. Семилетов C.A. Получение, структура и некоторые свойства монокристаллических пленок селенида свинца / С.А. Семилетов, И.П. Воронина // ДАН СССР. 1963.-Т. 152,-№6.-С. 1350-1353.

9. Воронина И.П. Электрические свойства монокристальных (эпитаксиальных) пленок PbSe / И.П. Воронина, С.А. Семилетов // Физика твердого тела. 1964. - Т. 6. - № 5. - С. 1540-1541.

10. Egerton R.F. Epitaxial films of PbTe, PbSe and PbS grown on mica substrates / R.F. Egerton, C.Juhasz//Br. J. Appl. Phys.- 1967. V. 18.-P. 1009-1011.

11. Poh K.J. The structure and growth of epitaxial PbSe films / K.J. Poh, J.C. Anderson // Thin Solid Films. 1969. - V. 3. - No. 2. - P. 139-156.

12. Datta S.K. On the mechanism of photoconductivity in polycrystalline lead selenide films / S.K. Datta, A.K. Chaudhuri // Semicond. Sci. Technol. 1989. - V. 4. -P. 376-381.

13. Rogacheva E.I. Quantum size effects in IV-VI quantum wells / E.I. Rogacheva, O.N. Nashchekina, T.V. Tavrina, M. Us, M.S. Dresselhaus, S.B. Cronin, 0. Rabin // Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures. 2003. - V. 17. - P. 313-315.

14. Kumar S. Studies on thin films of lead chalcogenides / S. Kumar, Z.H. Khan, M.A. Majeed Khan, M. Husain // Current Applied Physics. 2005. - V. 5. - P. 561-566.

15. Rumianowski R.T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R.T. Rumianowski, R.S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // J. Cryst. Growth. 2003. - V. 252. - P. 230-235.

16. Zogg H. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, T. Hoshino, S. Blunier, A.N. Tiwari // Semicond. Sci. Technol. 1991. - V. 6. - P. C36-C41.

17. SchieBl U.P. 60 °C lead salt laser emission near 5 Jim wavelength / U.P. SchielM, J. Rohr // Infrared Physics and Technology. 1999. - V. 40. - P. 325-328.

18. Suzuki M. Etfect of reduced growth temperature on crystalline qualities and dopant diffusion in Pb^Sn^Se/PbSe layers grown by MBE / M. Suzuki, T. Seki // Thin Solid Films. 1999. - V. 343-344. - P. 317-319.

19. Wu H.Z. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si(l 11) and observation of the PbSe growth interface / H.Z. Wu, X.M. Fang, R. Salas. Jr., D. McAlister, P. J. McCann //J. Vac. Sci. Technol. 1999. - V. 17. - P. 1263-1266.

20. Zogg H. Two-dimensional monolitic lead chalcogenide infrared sensor array on silicon read-out chip / H. Zogg, K. Alchalabi, D. Zimin, K. Kellerman, W. Buttler // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 2003. - V. 512. - P. 440-444.

21. Molin A.N. Electrochemical deposition of PbSe thin films from aqueous solutions / A.N. Molin, A.I. Dikusar // Thin Solid Films. 1995. - V. 265. - P. 3-9.

22. Saloniemi H. Electrodeposition of lead selenide thin films / H. Saloniemi, T. Kanniainen, M. Ritala, M. Leskela, R. Lappalainen // J. Mater. Chem. 1998. - V. 8. -P. 651-654.

23. Beaunier L. Epitaxial electrodeposition of lead selenide films on indium phosphide single crystals / L. Beaunier, H. Cachet, M. Froment // Materials Science in Semiconductor Processing. 2001. - V. 4. - P. 433^136.

24. Ivanou D.K. Electrochemical deposition of nanocrystalline PbSe layers onto p-Si(100) wafers / D.K. Ivanou, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V. Mazanik // Thin Solid Films. 2005. - V. 487. - P. 49-53.

25. Vaidyanathan R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Electrochimica Acta. 2004. - V. 49. - P. 1321-1326.

26. Streltsov E.A. Electrochemical deposition of PbSe films / E.A. Streltsov, N.P. Osipovich, L.S. Ivashkevich, A.S. Lyakhov, V.V. Sviridov // Electrochimica Acta. -1998.-V. 43.-P. 869-873.

27. Миколайчук А.Г. Получение эпитаксиальных слоев халькогенидов олова /

28. A.Г. Миколайчук, Я.И. Дутчак, Д.М. Фрейк // Кристаллография. 1968. - Т. 13. - № 3. - С. 576-580.

29. Миколайчук А.Г. Структура и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок халькогенидов олова / А.Г. Миколайчук, Д.М. Фрейк // Физика твердого тела. 1969. - Т. 11. - № 9. - С. 2520-2525.

30. Косевич В.М Структура границ сопряжения эпитаксиальных кристаллов /

31. B.М. Косевич, JI.C. Палатник, С.Н. Григоров // Физика твердого тела. 1971. - Т. 13. -№ 1.-С. 302-304.

32. Subba Rao Т. Structural characterization of tin selenide thin films / T. Subba Rao, B.K. Samantharay, A.K. Chaudhuri // J. Mater. Sci. Lett. 1985. - V. 4. - P. 743-745.

33. Teghil R. Laser induced ablation and epitaxial growth of SnSe / R. Teghil, A. Giardini-Guidoni, A. Mele, S. Piccirillo, G. Pizzella, V. Marotta // Thin Solid Films. -1994.-V. 241.-No. 1-2.-P. 126-128.

34. Singh J.P. Thermally stimulated currents in epitaxially grown tin selenide films / J.P. Singh, R.K. Bedi // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. - V. 29. - No. 6. - P. L869-L871.

35. Rastogi A.C. A new electrochemical selenization technique for preparation of metal-selenide semiconductor thin films / A.C. Rastogi, K.S. Balakirishnan, A. Garg // J. Electrochem. Soc. 1993. - V. 140. - No. 8. - P. 2373-2375.

36. Engelken R.D. Electrodeposition and analysis of tin selenide films / R.D. Engelken, A.K. Berry, T.P. Doren, J.L. Boone, A. Shahnazary // J. Electrochem. Soc. -1986.-V. 133. No. 3. - P. 581-585.

37. Subramanian B. Electrodeposition of Sn, Se, SnSe and the material properties of SnSe films / B. Subramanian, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran, M.J. Chockalingam // Thin Solid Films. 1999. - V. 357. - No. 2. - P. 119-124.

38. Qiao Z. Fabrication of Sn-Se compounds on a gold electrode by electrochemical atomic layer epitaxy / Z. Qiao, W. Shang, C. Wang // J. Electroanalyt. Chem. 2005. - V. 576. - No. l.-P. 171-175.

39. Zainal Z. Electrodeposition of tin selenide thin film semiconductor: effect of the electrolytes concentration on the film properties / Z. Zainal, A.J. Ali, A. Kassim, M.Z. Hussein // Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2003. - V. 79. - No. 2. - P. 125-132.

40. Subramanian В. Brush plating of tin (II) selenide thin films / B. Subramanian,

41. C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran // J. Cryst. Growth. 2002. - V. 234. - No. 2-3.-P. 421-426.

42. Strauss A.J. Inversion of conduction and valence bands in Pbi^Sn^Se alloys / A.J. Strauss // Phys. Rev. 1967. - V. 157. - No. 3. - P. 608-611.

43. Tao T.F. Epitaxial growth of Pb09i8Sn0082Se films on CaF2 and BaF2 substrates / T.F. Tao, C.C. Wang // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - No. 3. - P. 1313-1316.

44. Hohnke D.K. Epitaxial PbSe and Pbi^Sn^Se: Growth and electrical properties /

45. D.K. Hohnke, S.W. Kaiser // J. Appl. Phys. 1974. - Vol. 45. - No. 2. - P. 892-897.

46. Li C.P. Strain relaxation in PbSnSe and PbSe/PbSnSe layers grown by liquid-phase epitaxy on (lOO)-oriented silicon / C.P. Li, P.J. McCann, X.M. Fang // J. Cryst. Growth. 2000. - V. 208. - No. 1-4. - P. 423-430.

47. Гавалешко Н.П. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства / Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. Киев: Наук, думка, 1984.-288 с.

48. Hoshino Т. Fabrication procedures of photovoltaic lead-chalcogenide-on-silicon infrared sensor arrays for thermal imaging / T. Hoshino, H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier//Microelectronic Engineering. 1991.-V. 15.-No. 1-4.-P. 293-296.

49. Zogg H. Heteroepitaxial IV-VI infrared sensors on Si-substrates with fluoride buffer layers / H. Zogg, W. Vogt, H. Melchior // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 1987. - V. 253. - No. 3. - P. 418^22.

50. John J. IR-sensor array fabrication in Pb^Sn^Se-on-Si heterostructures / J. John, A. Fach, J. Masek, P. MUller, C. Paglino, H. Zogg // Appl. Surf. Sci. 1996. - V. 102. -P. 346-349.

51. Hoshino T. Monolithic Pbi^Sn^Se infrared sensor arrays on Si prepared by low-temperature processes / T. Hoshino, C. Maissen, H. Zogg, J. Masek, S. Blunier, A.N. Tiwari, S. Teodoropol, W.J. Borer // Infrared Physics. 1991. - V. 32. - P. 169-175.

52. Taylor S. E. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers / S.E. Taylor // Appl. Phys. A: Materials Science and Processing. 1986. - V. 39. - No. 2. - P. 91-94.

53. Варской Б.Н. Влияние условий получения на структурные и электрофизические свойства монокристаллических пленок Pbo95SnoosSe / Б.Н.

54. Барской, А.Б. Волынцев, С.Ю. Поджаев, Т.В. Пименова, Н.К. Утробина, Н.М. Федорова, А.П. Шотов // Неорг. матер. 1991. - Т. 27. - № 7. - С. 1389-1392.

55. Emerson-Reynoldce J. On the synthesis of galena by means of lead sulpide as a specular film / J. Emerson-Reynoldce // J. Chem. Soc., Trans. 1884. - V. 45. - P. 162— 165.

56. Grozdanov I. A simple and low-cost technique for electroless deposition of chalcogenide thin films /1. Grozdanov // Semicond. Sci. Technol. 1994. - V. 9. - No. 6. -P. 1234-1241.

57. Kainthla R.C. Structural and optical properties of solution grown CdSeixSx films / R.C. Kainthla, D.K. Pandya, K.L. Chopra // J. Electrochem. Soc. 1982. - V. 129. -No. l.-P. 99-102.

58. Pramanik P. Deposition of zinc selenide thin films by solution growth technique / P. Pramanik, S. Biswas //J. Electrochem. Soc. 1986. - V. 133. - No. 2. - P. 350-351.

59. Pramanik P. A chemical method for the deposition of thin films of Bi2S3 / P. Pramanik, R.N. Bhattacharya // J. Electrochem. Soc. 1980. - V. 127. - No. 9. - P. 2087.

60. Pramanik P. Chemical methods for the deposition of thin films of Sb2Se3 / P. Pramanik, R.N. Bhattacharya // J. Solid State Chem. 1982. - V. 44. - No. 3. - P. 425.

61. Padam G.K. Composition and structure of chemically deposited CuInSe2 thin films / G.K. Padam // Mater. Res. Bull. 1987. - V. 22. - No. 6. - P. 789-794.

62. Murali K.R. Preparation and characterization of chemically deposited CuInSe2 films / K.R. Murali // Thin Solid Films. 1988. - V. 167. - No. 1-2. - P. L19-L22.

63. Китаев Г.А. Синтез и исследование пленок твердых растворов Cdj^Pb^S различного состава / Г.А. Китаев, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева JI.E. Васюнина, И.В. Шилова // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. - Т. 26. - № 2. - С. 248-250.

64. Маскаева JI.H. Получение твердых растворов замещения Pbj./XSi-s осаждением из водных растворов / J1.H. Маскаева, В.Ф. Марков, П.Н. Иванов // Изв. РАН. Неорган, материалы. 2002. - Т. 38.-№9.-С. 1037-1040.

65. Маскаева JI.H. Гидрохимический синтез и свойства пересыщенных твердых растворов замещения Ag^Pbi^S / JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, Т.В. Виноградова, А.А. Ремпель, А.И. Гусев // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2003. - № 9. - С. 35-42.

66. Маскаева JI.H. Пленки, содержащие пересыщенные по цинку твердые растворы замещения Zn^Pbi^S: синтез, структура и свойства / JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, А.И. Гусев // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2004. - № 2.-С. 100-109.

67. Dobson K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y. Mastai // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2003. - V. 80. - No. 3. - P. 283-296.

68. Hankare P.P. Chemical deposition of cubic CdSe and HgSe thin films and their characterization / P.P. Hankare, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Delekar, I.S. Mulla // Semicond. Sci. Technol. 2004. - V. 19. - No. 1. - P. 70-75.

69. Hankare P.P. CdHgSe thin films: preparation, characterization and optoelectronic studies / P.P. Hankare, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Delekar, P.R. Bhagat // Semicond. Sci. Technol. 2004. - V. 19. - No. 2. - P. 277-284.

70. Mane R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin films / R.S. Mane, C.D. Lokhande//Mat. Chem. Phys.-2000.- V. 65.-No. 1.-P. 1-31.

71. Grozdanov I. A simple solution growth technique for PbSe thin films / I. Grozdanov, M. Najdoski, S.K. Dey // Mater. Lett. 1999. - V. 38. - No. 1. - P. 28-32.

72. Milner C. Lead selenide photoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts // Nature. 1949. - V. 163. - P. 322-326.

73. Wilman H. The structure of photosensitive lead sulfide and lead selenide deposits and the effect of sensitization by oxygen / H. Wilman // Proc. Phys. Soc. 1948. -V. 60.-No. 2.-P. 117-132.

74. Feroci G. Interaction between selenium derivatives and heavy metal ions: Cu and Pb2+ / G. Feroci, A. Fini, R. Badiello, A. Breccia // Microchemical Journal. 1997. - V. 57. - No. 3. - P. 379-388.

75. Соколова Т.П. Об устойчивости селеномочевины в водных растворах / Т.П. Соколова, Л.И. Рослякова // Рук. деп. в ВИНИТИ 09.09.74, № 2452-74 Деп.

76. Zingaro R.A. Chemical deposition of thin films of lead selenide / R.A. Zingaro, D.O. Skovlin // J. Electrochem. Soc. 1964. - V. 111. - No. 1. - P. 42-47.

77. Рыбникова Г.Г. Получение селенида свинца селеносульфатным способом / Г.Г. Рыбникова, В.А. Поповкин, В.Г. Буткевич, А.В. Новоселова // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1964. - Т. 3. - С. 1934-1937.

78. Фофанов Г.М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г.М. Фофанов, Г.А. Китаев // Ж. неорг. химии. -1969.-Т. 14.-С. 616-620.

79. Kainthla R.C. Solution growth of CdSe and PbSe films / R.C. Kainthla, D.K. Pandya, K.L. Chopra // J. Electrochem. Soc. 1980. - V. 127. - No. 2. - P. 277-283.

80. Kale R.B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R.B. Kale, S.D. Sartale, V. Ganesan, C.D. Lokhande, Y.-F. Lin, S.-Y. Lu // Appl. Surf. Sci. 2006. - V. 253. - No. 2. - P. 930-936.

81. Hankare P.P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films / P.P. Hankare, D. Delekar, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Sabane, L.V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. 2003. - V. 82. - P. 505-508.

82. Китаев Г.А. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия / Г.А. Китаев, А.Ж. Хворенкова // Ж. прикл. химии. 1999. - Т. 72. - № 9. - С. 1440-1443.

83. Candea R.M. Properties of PbSe films prepared by chemical "anorganic" deposition / R.M. Candea, D. Dadarlat, R. Turcu, E. Indrea // Phys. Stat. Sol. A. 1985. -V. 90.-P. K91-K95.

84. Лундин А.Б. К вопросу о механизме химического осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Неорг. материалы. 1965. - Т. 1.-№ 12.-С. 2102-2106.

85. Китаев Г.А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г.А. Китаев, А.Б. Лундин, С.Г. Мокрушин // Изв. высш. уч. завед. СССР. Химия и химическая технология. 1966. - Т. 9. - № 4. - С. 574-576.

86. Войтович Г.Д. Исследование оптических свойств, структуры и фазового состава слоев сульфида и селенида свинца / Г.Д. Войтович, М.С. Давыдов, А.И. Иванов, Г.П.Тихомиров // Оптико-механ. пром. 1966. - № 12. - С. 9-12.

87. Pramanik P. A chemical method for the deposition of tin (II) selenide thin films / P. Pramanik, S. Bhattacharya // J. Mater. Science Letters. 1988. - V. 7. - P. 1305-1306.

88. Марков В.Ф. Получение твердых растворов замещения в системе свинец-олово-селен соосаждением из водных растворов / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Л.Д. Лошкарева, С.Н. Уймин, Г.А. Китаев // Неорг. матер. 1997. - Т. 33. - № 6. - С. 665668.

89. Оболончик В.А. Селениды и теллуриды редкоземельных металлов / В.А. Оболончик, Г В. Лашкарев. Киев: Наукова думка, 1966. - 162 с.

90. Оболончик В.А. Селениды / В.А. Оболончик. М.: Металлургия, 1972.296 с.

91. Шелимова Л.Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении / Л.Е. Шелимова, Н.Н. Томашик, В.И. Грыцив. М.: Наука, 1991. -368 с.

92. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений A1VBVI / Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. М.: Наука, 1975. - 195 с.

93. Goldberg А.Е. Occurrence of natural р-п junctions in lead selenide / A.E. Goldberg, G.R. Mitchell // J. Chem. Phys. 1954. - V. 22. - No. 2. - P. 220-222.

94. Brebrick R.F. PbSe composition stability limits / R.F. Brebrick, E. Gubner // J. Chem. Phys. 1962.-V. 36.-No. l.-P. 170-172.

95. Дорин В.А. О росте слоя селенида свинца / В.А. Дорин, Г.М. Филаретова // Физика мет. и металловедение. 1960. - Т. 9. -№ 5. - С. 718-721.

96. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 6-0354.

97. Lee M.H. Structural and optical characterizations of multi-layered and multi-stacked PbSe quantum dots / M.H. Lee, W.J. Chung, S.K. Park, M.S. Kim, H.S. Seo, J.J. Ju // Nanotechnology. 2005. - V. 16. - P. 1148-1152.

98. Yang J. Electron and atomic force microscopic investigations of lead selenide crystals grown under monolayers / J. Yang, J.H. Fendler, T.-C. Jao, T. Laurion // Microscopy Research and Technique. 1994. - V. 27. - No. 5. - P. 402^11.

99. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 14-159.

100. Rau H. High temperature equilibrium of atomic disorder in SnS / H. Rau // J. Phys. Chem. Solids. 1966. - V. 27. - No. 4. - P. 761-769.

101. Девяткова Е.Д. Ширина запрещенной зоны PbSe при высоких температурах / Е.Д. Девяткова, В.А. Саакян // Физика твердого тела. 1967. - Т. 9. -№ 9. - С.2750—2751.

102. Иоффе А.В. Теплопроводность твердых растворов полупроводников / А.В. Иоффе, А.Ф. Иоффе // Физика твердого тела. 1960. - Т. 2. - № 5. - С. 781-792.

103. Буджак Я.С. Термомагнитные и магнитные свойства селенистого свинца / Я.С. Буджак, К.Д. Товстюк // Изв. АН СССР. Физ. 1964. - Т. 28. - № 8. - С. 1318— 1320.

104. Коломоец Н.В. Исследование термоэлектрических свойств теллуристого и селенистого свинца / Н.В. Коломоец, Т.С. Ставицкая, JI.C. Стильбанс // ЖТФ. -1957. Т. 27. - № 1.-С. 73-81.

105. Ovsyannikov S.V. Thermomagnetic and thermoelectric properties of semiconductors (PbTe, PbSe) at ultrahigh pressures / S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov // Physica B: Condensed Matter. 2004. - V. 344. - P. 190-194.

106. Hens Z. Electrodeposited nanocrystalline PbSe quantum wells: synthesis, electrical and optical properties / Z. Hens, E.S. Kooij, G. Allan, B. Grandidier, D. Vanmaekelbergh // Nanotechnology. 2005. - V. 16. - P. 339-343.

107. Zemel J.N. Electrical and optical properties of epitaxial films of PbS, PbSe, PbTe and SnTe / J.N. Zemel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar // Phys. Rev. 1965. - V. 140. - P. A330-A340.

108. Seetharama Bhat K. Electrical-conductivity changes in PbTe and PbSe films on exposure to the atmosphere / K. Seetharama Bhat, V. Damodara Das // Phys. Rev. B. -1985.-V. 32.-No. 10.-P. 6713-6719.

109. Салий Я.П. Температурные зависимости электрических свойств монокристаллических пленок n-PbSe при облучении а-частицами / Я.П. Салий, Р.Я. Салий // Физика и техника полупроводников. 2000. - Т. 34. - С. 667-669.

110. Agnihotri O.P. Single crystal growth of stannous selenide / O.P. Agnihotri, A.K. Jain, B.K. Gupta // J. Cryst. Growth. 1979. - V. 46. - No. 4. - P. 491-494.

111. Yu J.G. Growth and electronic properties of the SnSe semiconductor / J.G. Yu, A.S. Yue, O.M. Stafsudd //J. Cryst. Growth. 1981. - V. 54. - No. 2. - P. 248-252.

112. Quan D.T. SnSe thin films synthesized by solid state reactions / D.T. Quan // Thin Solid Films. 1987. - V. 149. - No. 2. - P. 197-203.

113. Subba Rao T. Electrical and photoelectronic properties of SnSe thin films / T. Subba Rao, A.K. Chaudhuri // J. Phys. D: Appl. Phys. 1985. - V. 18. - No. 6. - P. L35-L39.

114. Quan D.T. Electrical properties and optical absorption of SnSe evaporated thin films / D.T. Quan // Phys. Stat. Sol. A. 1984. - V. 86. - P. 421-426.

115. Agarwal A. Impact of electrical resistance and ТЕР in layered SnSe crystals under high pressure / A. \garwal, P.H. Triverdi, D. Lakshminarayana // Crystal Research and Technology. 2005. - V. 40. - No. 8. - P. 789-790.

116. Смит P. Полупроводники / P. Смит; пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 560 с. - Перевод изд.: Semiconductors / R.A. Smith. Cambridge, 1978.

117. Baleva М. On the temperature dependence of the energy gap in PbSe and PbTe / M. Baleva, T. Georgiev, G. Lashkarev // Journal of Physics: Condensed Matter. 1990. -V. 2. - P. 2935-2940.

118. Nabi Z. Pressure dependence of band gaps in PbS, PbSe and PbTe / Z. Nabi, B. Abbar, S. Me?abih, A. Khalfi, N. Amrane // Computational Materials Science. 2000. - V. 18.-P. 127-131.

119. Lach-hab M. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe / M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2002. - V. 63. - P. 833-841.

120. Смирнов И.А. Об эффективной массе носителей тока в селенистом свинце / И.А. Смирнов, Б.Я. Мойжес, Е.Д. Ненсберг // Физика твердого тела. 1960. -Т. 2.-№8.-С. 1992-2005.

121. Товстюк К.Д. О структуре зон носителей тока в PbSe / К.Д. Товстюк, Я.С. Буджак, М.В. Тарнавская // Укр. физ. журнал. 1963. - Т. 8. - № 7. - С. 795-797.

122. Wu H. Experimental determination of deformation potentials and band nonparabolicity parameters for PbSe / H. Wu, N. Dai, P.J. McCann // Phys. Rev. B. 2002. -V. 66.-P. 0453031-0453037.

123. Das R.K. Electronic structure of high density carrier states in PbS, PbSe and PbTe / R.K. Das, S. Sahoo, G.S. Tripathi // Semicond. Sci. Technol. 2004. - V. 19. - P. 433-441.

124. Nabi Z. Opto-electronic properties of rutile Sn02 and orthorhombic SnS and SnSe compounds / Z. Nabi, A. Kellou, S. Me?abih, A. Khalfi, N. Benosman // Materials Science and Engineering: B. 2003. - V. 98. - No. 2. - P. 104-115.

125. Terra J. Isomer shifts and chemical bonding in crystalline Sn(II) and Sn(IV) compounds / J. Terra, D. Guenzburger//J. of Physics: Condensed Matter. — 1991. — V. 3. — No. 35.-P. 6763-6774.

126. Delin A. Full-potenial optical calculations of lead chalcogenides / A. Delin, P. Ravindran, O. Eriksson, J.M. Wills // International Journal of Quantum Chemistry. 1998. -V. 69.-P. 349-358.

127. Андреев А.Д. Влияние анизотропии зонной структуры на оптические переходы в сферических квантовых точках на основе сульфида и селенида свинца / А.Д. Андреев, А.А. Липов // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т. 33. -Вып. 12.-С. 1450-1455.

128. Dantas N.O. Optical properties of PbSe and PbS quantum dots embedded in oxide glass / N.O. Dantas, R.S. Silva, F. Qu // Phys. Stat. Sol. B. 2002. - V. 232. - P. 177-181.

129. Albanesi E.A. Calculated optical spectra of IV-VI semiconductors PbS, PbSe and PbTe / E.A. Albanesi, E.L. Peltzer у Blanca, A.G. Petukhov // Computational Materials Science. 2005. - V. 32. - P. 85-95.

130. Freik D.M. Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS / D.M. Freik, L.I. Nykyruy, V.M. Shperun // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2002. - V. 5. - No. 4. - P. 362-367.

131. Ma J.X. The geometric and electronic properties of the PbS, PbSe and PbTe (001) surfaces / J.X. Ma, Y. Jia, Y.L. Song, E.J. Liang, L.K. Wu, F. Wang, X.C. Wang, X. Hu // Surface Science. 2004. - V. 551. - P. 91-98.

132. Ovsyannikov S.V. Phase transitions in PbSe under actions of fast neutron bombardment and pressure / S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov, A. E. Kar'kin, B. N. Goshchitskii //J. Phys.: Condens. Matter. -2005. V. 17. - P. S3179-S3183.

133. Giri D. Configuration interaction study of the electronic spectrum of SnSe / D. Giri, K.K. Das // Chemical Physics Letters. 2006. - V. 418. - No. 1-3. - P. 189-195.

134. Timofeev Yu.A. Superconductivity of tin selenide at pressures up to 70 Gpa / Yu.A. Timofeev, B.V. Vinogradov, V.B. Begoulev // Physics of the Solid State. 1997. -V. 39. - No. 2.-P. 207-210.

135. Макаров E.C. Изоморфизм атомов в кристаллах / Е.С. Макаров. М.: Атомиздат, 1973. - 288 с.

136. Урусов B.C. Твердые растворы в мире минералов / B.C. Урусов. -Соросовский образовательный журнал. 1996. — № 11. - С. 54-60.

137. Химия: Справ, изд. / В. Шретер, К.-Х. Лаутеншлегер, X. Бибрак, А. Шнабел; пер. с нем. М.: Химия, 1989. - 648 с. - Перевод изд.: Chemie / W. Schroter, К.-Н. Lautenschlager, Н. Bibrack, A. Schnabel. Leipzig, 1986.

138. Штанов В.И. Исследование системы PbSe-SnSe / В.И. Штанов, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1974. - Т. 10. -№ 2. - С. 224-227.

139. Krebs Н. Uber struktur und eigenschaften der halbmetalle. XIV. Mischkristallsysteme zwischen halbleitenden chalkogeniden der vierten hauptgruppe / H. Krebs, K. Grun, D. Kallen // Z. Anorg. und Allg. Chem. 1961. - V. 312. - No. 5-6. - P. 307-313.

140. Strauss A.J. ' A.J. Strauss // Trans. Metallurg Soc. AIME. 1968. - V. 242. -No. 3.-P. 354.

141. Szczerbakow A. Investigation of the composition of vapor-grown Pb^Sn^Se crystals (x<0.4) by means of lattice parameter measurements / A. Szczerbakow, H. Berger // J. Cryst. Growth.- 1994.-V. 139.-No. 1-2.-P. 172-178.

142. Wooley J.C. Phase studies of the Pb!xSnxSe alloys / J.C. Wooley, 0. Berolo // Mater. Res. Bull. 1968. - V. 3. - No. 5. - P. 445-450.

143. Martinez G. Band inversion in Pb^Sn^Se alloys under hydrostatic pressure / G. Martinez // Phys. Rev. 1973. - V. 8. - No. 10. - P. 4686-4692.

144. Кучеренко И.В. Определение параметров зонной структуры полупроводников Pbi-jSn^Se из изменений эффекта Шубникова-де Гааза / И.В. Кучеренко, В.И. Моисеенко, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. -1977.-Т. 11.-Вып. 1.-С. 162-167.

145. Моисеенко В.И. Влияние гидростатического давления на зонную структуру и кинетические явления в полупроводниках Pb^Sn^Se / В.И. Моисеенко, И.В. Кучеренко, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. -Вып. 12.-С. 2332-2337.

146. Dalven R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO / R. Dalven // Infrared Physics. 1969. - V. 9. - No. 4. - P. 141-184.

147. Balkanski M. Band structure and optical properties of small gap semiconductors and alloys / M. Balkanski // J. Luminescence. 1973. - V. 7. - P. 451-476.

148. Зломанов В.П. Исследование влияния облучения быстрыми электронами на электрофизические свойства Pb^Sn^Se / В.П. Зломанов, Е.А. Ладыгин, Б.П. Пырегов, Е.П. Скипетров // Физика и техника полупроводников. 1985. - Т. 19. -Вып. 1.-С. 53-57.

149. Прокофьева JI.B. Легирующий эффект олова в твердых растворах Pbi jSn^Se и Pbi-ySfySe / Л.В. Прокофьева, М.Н.Виноградова, С.В. Зарубко // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. - Вып. 11. - С. 2201-2204.

150. Rogalski A. Computer modeling of carrier transport in PbSnSe photodiodes / A. Rogalski, R. Ciupa, h. Zogg // Infrared Physics and Technology. 1994. - V. 35. -No. 7. - P. 837-845.

151. Кайданов В.И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа A,VBVI / В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т. 28. - Вып. 3. -С.269-393.

152. Хужанкулов Э.С. Локальная симметрия решетки Pbi^Sn;Se в области бесщелевого состояния / Э.С. Хужанкулов // Физика и техника полупроводников. -2004. Т. 38. - Вып. 7. - С. 775-777.

153. Miiller P. Properties of epitaxial Pbi^Sn^Se on CaF2 covered Si(lll) substrates / P. Miiller, A. Fach, J. John, J. Masek, C. Paglino, H. Zogg // Applied Surface Science.- 1996.-V. 102.-No. 2.-P. 130-133.

154. Petritz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films / R.L. Petritz // Phys. Rev. 1956. - V. 104. - No. 6. - P. 1508-1516.

155. Yasuoka Y. Thermally stimulated current of vacuum deposited PbSe films / Y. Yasuoka, M. Wada//Jpn. J. Appl. Phys.- 1974.-V. 13.-No. 11.-P. 1797-1803.

156. Humphrey J.N. Photoconductivity in lead selenide. Experimental / J.N. Humphrey, W.W. Scanlon // Phys. Rev. 1957. - V. 105. - No. 6. - P. 469-476.

157. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. / Р. Бьюб, пер. с англ. М.: ИЛ, 1962.-558 с.

158. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 3 / Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна; пер. с англ. М.: Мир, 1968. - 331 с. - Перевод изд.: Physics of thin films.

159. Палатник Л.С. Эпитаксиальные пленки / Л.С. Палатник, И.И. Паниров. -М.: Наука, 1971.-412 с.

160. Гаськов A.M. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца / A.M. Гаськов, А.А. Гольденвейзер, И.А. Соколов, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Доклады АН СССР. 1983. - Т. 269. -№ 3. - С. 607-609.

161. Неустроев Л.Н. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS / Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18. - № 2. - С. 359-362.

162. Камчатка М.И. Влияние условий окисления на фазовый состав, строение и свойства фоточувствительных слоев сульфида свинца / М.И. Камчатка, Ю.М. Чащинов, Д.Б. Чеснокова // Неорган, матер. 2001. - Т. 37. - № 9. - С. 1074-1079

163. Candea R.M. Effects of thermal annealing in air on VE COD and CAD PbSe films / R.M. Candea, R. Turcu, G. Borodi, J. Bratu // Phys. Stat. Sol. A. 1987. - V. 100. -No. l.-P. 149-155.

164. Biro L.P. The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films / L.P. Biro, Al. Darabont, P. Fitori // Europhys. Lett-1987. V. 4. - No. 6. - P. 691-696.

165. Дегтева Л.В. Влияние термообработки на макроструктуру слоев PbS и PbSe / Л.В. Деггева, Г.П. Тихомиров // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1971. - Т. 7. - № 7. - С. 1263-1265.

166. Briones F. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz // Thin Solid Films. 1981. - V. 78. - No. 4. - P. 385-395.

167. Быкова T.T. Исследование масс-спектров продуктов десорбции и фотоэлектрических характеристик химически осажденных слоев селенида свинца /

168. Т.Т. Быкова, А.Н. Данилов, М.С. Давыдов // Уч. записки ЛГУ. 1974. - № 371. - С. 37.

169. Попов В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В.П. Попов, П.А. Тихонов, В.В. Томаев // Физика и химия стекла. 2003. - Т. 29. - № 5. - С. 686-694.

170. Harrison L.G. Influence of dislocations on diffusion kinetics in solids with particular reference to the alkali halides / L.G. Harrison // Trans. Faraday Soc. 1961. - V. 57.-No. 7.-P. 1191-1199.

171. Поповкин Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б.А. Поповкин, Л.М. Ковба, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // ДАН СССР. 1959. -Т. 129.-№4.-С. 809-812.

172. Зломанов В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, А.В. Новоселова // Журн. неорган, химии. 1961. -Т. 6.-Вып. 12.-С. 2753-2757.

173. Поповкин Б.А. Изучение термического разложения селената и селенита свинца / Б.А. Поповкин, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Ж. неорган, химии. 1960. -Т. 5.-№ 10.-С. 2261-2264.

174. Humphrey J.N. Photoconductivity of lead selenide: Theory of the mechanism of sensitization / J.N. Humphrey, R.L. Petritz // Phys. Rev. 1957. - V. 105. - No. 6. - P. 1736-1740.

175. Martin J.M. Arrays of thermally evaporated photodetectors deposited on Si substrates operating at room temperature / J.M. Martin, J.L. Hernandez, L. Adell, A. Rodrigues, F. Lopez // Semicond. Sci. Technol. 1996. - V. 11. - P. 1740-1744.

176. Kwuan S.H. Halogen vapor deposition of chalcogenide crystals: Lead sulfide / S.H. Kwuan, C.G. Fonstad, A. Colozzi, A. Linz // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. - No. 8. -P. 3273-3276.

177. Stober D. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapour phase influenced by Agl / D. Stober, B.O. Hildmann, H. Bottner, S. Schelb, K.-H. Bachem, M. Binnewies // J. Cryst. Growth. 1992. - V. 121. - No. 4. - P. 656-664.

178. Zainal Z. Effects of annealing on the properties of SnSe films / Z. Zainal, S. Nagalingam, A. Kassim, M. Z. Hussein, W.M.M. Yunus // Sol. Energy Mater. Sol. Cells.2004. V. 81. - No. 2. - P. 261-268.

179. Pathinettam Padiyan D. Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D. Pathinettam Padiyan, A. Marikani, K.R. Murali // Crystal Research and Technology. 2000. - V. 35. - P. 949-957.

180. Ganesan N. The influence of gas adsorption and temperature on the electrical resistivity of SnSe thin films / N. Ganesan, V. Sivaramakrishnan // Semicond. Science and Technol. 1987. - V. 2. - No. 8. - P. 519-523.

181. Буткевич В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. - № 6. - С. 66-112.

182. Гамарц А.Е. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения / А.Е. Гамарц, Ю.М. Канагеева, В.А. Мошников // Физика и техника полупроводников. -2005. Т. 39. - № 6. - С. 667-668.

183. Буткевич В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ГУП «НПО "Орион"» и перспективы развития / В.Г. Буткевич, Е.Р. Глобус, Г.А. Казанцев, Ю.П. Бутров, Л.Я. Лебедева // Прикладная физика. 1999. - № 2. (http://www.vimi.ru).

184. Горева Н.З. Малогабаритный тепловизор для гражданских целей / Н.З. Горева, Н.Ф. Кощавцев, В.И. Теплов, С.Ф. Федотова // Прикладная физика. 2002. -№2.-С. 144-147.

185. Хадсон Р.Д. Инфракрасные системы / Р.Д. Хадсон; перевод с англ. Я.Б. Герчикова и др.. М.: Мир, 1972. - 534 с. - Перевод изд.: Infrared system engineering / Richard D. Hudson.

186. Melendez J. Spectrally selective gas cell for electrooptical infrared compact multigas sensor / J. Melendez, A.J. De Castro, F. Lopez, J. Meneses // Sensors and Actuators A: Physical. 1995. - V. 47. - No. 1-3. - P. 417-421.

187. De Frutos J. Electrooptical infrared compact gas sensor / J. de Frutos, J.M. Rodriguez, F. Lopez, A.J. de Castro, J. Melendez, J. Meneses // Sensors and Actuators B: Chemical. 1994. - V. 19. - No. 1-3. - P. 682-686.

188. Zhang W. Room temperature growth of nanocrystalline tin (II) selenide from aqueous solution / W. Zhang, Z. Yang, J. Liu, L. Zhang, Z. Hui, W. Yu, Y. Qian, L. Chen, X. Liu // J. Cryst. Growth. 2000. - V. 217. - No. 1-2. - P. 157-160.

189. Chun D. Polarity-dependent memory switching in devices with SnSe and SnSe2 crystals / D. Chun, R.M. Walser, R.W. Bene, Т.Н. Courtney // Appl. Phys. Lett. -1974.-V. 24.-No. 10.-P. 479-481.

190. Zweibel K. Thin film PV manufacturing: Materials costs and their optimization / K. Zweibel // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2000. - V. 63. - No. 4. - P. 375-386.

191. Nicolics J. Anplication of an infrared sensor for laser soldering process control /J. Nicolics, L. Musiejovsky, D. Schrottmayer// Sensors and Actuators A: Physical. 1994. -V. 42.-No. 1-3.-P. 511-515.

192. Meca F.J.M. Infrared temperature measurement system using photoconductive PbSe sensors without radiation chopping / F.J.M. Meca, M.M. Quintas, F.J.R. Sanchez, P.R. Sainz // Sensors and Actuators A: Physical. 2002. - V. 100. - No. 2-3. - P. 206-213.

193. Новоселова A.B. Проблемы регулирования состава твердых растворов на основе соединений А4Вб / А.В. Новоселова, В.П. Зломанов, A.M. Гуськов, В.Н.

194. Демин, JI.A. Кузнецова // Журн. неорган, химии. 1986. - Т. 31. - № 11. - С. 2957— 2967.

195. Preier Н. Comparison of the junction resistance of (PbSn)Te and (PbSn)Se infrared detector diodes / H. Preier // Infrared Physics. 1978. - V.l 8. - No. 1. - P. 43-46.

196. Preier H. Physics and applications of IV-VI compound semiconductor lasers / H. Preier // Semicond. Sci. Technol. 1990. - V. 5. - No. 3S. - S12-S20.

197. Lambrecht A, Shadow mask MBE for the fabrication of lead chalcogenide buried heterostructure lasers / A. Lambrecht, R. Kurbel, M. Agne // Materials Science and Engineering B. 1993. - V. 21. - No. 2-3. - P. 217-223.

198. Hohnke D.K. Thin-film (Pb,Sn)Se photodiodes for 8-12-цт operation / D.K. Hohnke, H. Holloway, K.F. Yeung, M. Hurley // Appl. Phys. Lett. 1976. - V. 29. - No. 2. -P. 98-100.

199. Мейтис Л. Введение в курс химического равновесия и кинетики / Л. Мейтис, пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 480 с. - Перевод изд.: An introduction to chemical equilibrium and kinetics / L. Meites.

200. Шварценбах Г. Комплексонометрическое титрование / Г. Шварценбах, Г. Флашка; пер. с нем. М.: Химия, 1970. - 360 с. - Перевод изд.: Die komplexometrische Titration / G. Schwarzenbach, H. Flaschka.

201. Лурье Ю.Ю. Справочник по аналитической химии: Справ, изд. / Ю.Ю. Лурье. 6-е изд., перераб. и доп. - М.: Химия, 1989. - 448 с.

202. Nelson J.B. An experimental investigation of extrapolation methods in the derivation of accurate unit-cell dimentions of crystals / J.B. Nelson, D.P. Riley // Proc. Phys. Soc. London. 1945. - V. 57. - No. 321. - P. 160-177.

203. Гусев А.И. Рентгеновское исследование наноструктуры распадающихся твердых растворов (ZrC)i^(NbC)x / А.И. Гусев, С.В. Ремпель // Неорган, материалы. -2003. Т.39. - №1. - С. 49-53.

204. Vegard L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome / Vegard L. // Z. Phys. 1921. - Bd. 5. - S. 17.

205. Чичагов А.В. Рентгенометрические параметры твердых растворов. / А.В. Чичагов, JI.B. Сипавина-М.: Наука, 1982.- 171 с.

206. Китаев Г.А. Химическое осаждение тонких пленок селенида цинка / Г.А. Китаев, Т.П. Соколова // Журн. неорган, химии. 1970. - Т. 15. - № 2. - С. 319-323.

207. Островская И.К. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеномочевины в зависимости от температуры / И.К. Островская, Г.А.Китаев, А.А. Великанов // Журн. физ. химии. 1976. - Т. 50. - № 6. - С. 15841587.

208. Соколова Т.П. Гидролиз селеномочевины в водных растворах / Т.П. Соколова // Физико-химия процессов на межфазных границах. Тр. вузов Российской Федерации. Сб. 128. Свердловск. 1976. - С. 35-38.

209. Маскаева JI.H. Роль аниона при гидрохимическом осаждении твердых растворов замещения сульфидов металлов / JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, П.Н. Иванов, Т.А. Петухова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. - С. 59-63.

210. Маскаева JI.H. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения Me^Ph^S (Me Zn, Сd, Си, Ag): дисс. .д-ра хим. наук. /Л.Н. Маскаева. - Екатеринбург, 2004. - 386 с.

211. Китаев Г.А. Растворимость цианамида свинца в кислых и щелочных растворах / Г.А. Китаев, Т.П. Соколова // Журн. неорган, химии. 1975. - Т. 20. - № З.-С. 839-841.

212. Букетов Е.А. О произведении растворимости и энтропии сульфидов, селенидов и теллуридов / Е.А. Букетов, М.З. Угорец, А.С. Пашинкин // Журн. неорган, химии. 1964. - Т. 9. - № 3. - С. 526-529.

213. Спиваковский В.Б. Аналитическая химия олова / В.Б. Спиваковский. -М.: Наука, 1975.-250 с.

214. Макурин Ю.Н. Промежуточный комплекс в химических реакциях / Ю.Н. Макурин, Р.Н. Плетнев, Д.Г. Клещев, Н.А. Желонкин. Свердловск: УрО АН СССР, 1990.- 198 с.

215. Рэмсден Э.Н. Начала современной химии / Э.Н. Рэмсден; пер. с англ. Д.: Химия, 1989.-784 с.

216. Китаев Г.А. Синтез и исследование пленок твердых растворов Cd^Pb^S различного состава / Г.А. Китаев, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. - Т. 26. - № 2. - С. 248-250.

217. Кумок В.Н. Произведения растворимости / В.Н. Кумок, О.М. Кулешова, JI.A. Карабин. Новосибирск. Наука, 1983. - 266 с.

218. Хонигман Б. Рост и форма кристаллов / Б. Хонигман; пер. с нем. М.: ИЛ, 1961. - 212 с. - Перевод изд.: Gleichgewichts und Wachstumsformen von Kristallen / В. Honigmann. Darmstadt, Steinkopff Verl., 1958.

219. Бублик B.T. Методы исследования структуры полупроводников и металлов / В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина. М.: Металлургия, 1978. - 272 с.

220. Марков В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред: дисс. . д-ра хим. наук / В.Ф. Марков. Екатеринбург, 1998.-367 с.