Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гумаров, Габдрауф Габдрашитович

• Гумаров, Габдрауф Габдрашитович
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гумаров, Габдрауф Габдрашитович

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ.

ВВЕДЕНИЕ.

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Основные закономерности ИЛ С в кремнии.

1.1.1. Зависимость ИЛС от температуры подложки в процессе имплантации.

1.1.2. Влияние энергии и дозы имплантации на процесс ИЛС.

1.2. Аморфизация кремния при повышенных температурах.

1.3. Модели роста частиц новой фазы при ИЛС.

1.4. Модели радиационно-ускоренной диффузии.

ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Техника и методика имплантации.

2.2. Расчет критической плотности потока ионов.

2.3. Отжиг образцов.

2.4. Методика исследований структуры, фазового и элементного состава 45 ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ МЕЗОТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Со812.

3.1. Имплантация в охлаждаемую мишень.

3.2. Имплантация при повышенных температурах мишени.

3.3. Быстрый термический отжиг синтезированных пленок.

ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА.

4.1. Ионно-лучевой синтез р-Ре812.

4.2. Зависимость фазового состава синтезированных пленок от плотности потока ионов и температуры мишени.

КИНЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА

СИЛИЦИДОВ.

5.1. Основные положения модели.

5.2. Результаты численного моделирования процесса ИЛС.

5.2.1. Формирование фаз в условиях пространственно однородной диффузии.

5.2.2. Формирование фаз в условиях радиационно-ускоренной диффузии. 86 ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ МЕТОДОМ ОДНОВРЕМЕННОЙ

ИМПЛАНТАЦИИ.

6.1. ИЛС сложного силицида (Feo.7Coo.3)SÍ2.

6.2. Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Со+ и Fe+.

6.3. Компьютерное моделирование одновременной имплантации в условиях диффузии и формирования новых фаз.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии»

Одной из важнейших задач современного материаловедения является поиск материалов и методов для создания новых сложных структур, в частности СБИС (сверхбольших интегральных схем). Часто используемые материалы трудно комбинировать из-за несовместимости их физических и химических свойств, например, таких, как кристаллическая структура, или из-за различия параметров решеток. В таких случаях обычная техника осаждения, которая основана на послойном росте, не применима, и необходимо развитие новых методик.

Ионно-лучевой синтез (ИЛС) слоев 8102, захороненных в монокристаллической кремниевой подложке, является ярким примером такой альтернативной методики. Так как осаждение кремния на поверхности 8Ю2 не приводит к образованию монокристаллического слоя, то структуру типа монокристаллический кремний / изолятор / монокристаллический кремний (БГМОХ) можно получить только имплантацией ионов кислорода. Тогда как 81М0Х структуры, полученные методом ИЛС, уже используются в электронной промышленности, ионно-лучевой синтез слоев, являющихся проводниками и полупроводниками, находится на стадии развития.

Получение новых высококачественных структур могло бы дать новый импульс для их многочисленных применений, в частности многослойных интегральных схем. Одними из наиболее перспективных в этом отношении являются силициды переходных металлов. В частности дисилицид кобальта перспективен для создания межсхемных соединений и омических контактов благодаря малому отличию параметра решетки от кремниевой (1.2%) и хорошей проводимости [1]. Кроме того, дисилицид кобальта стабилен при высоких температурах, что очень важно для последующих технологических операций, например, таких как наращивание кремниевого слоя методом химического осаждения при температурах между 900 и 1100°С. 7

В последнее время резко возрос интерес также к полупроводниковым силицидам, в частности, к дисилициду железа р-Ре812, имеющему ширину запрещенной зоны ~ 0.85 эВ [2]. Эта энергия соответствует длине волны 1.45 мкм, которая близка к минимуму поглощения света в кварцевых оптических волокнах (около 1.55 мкм, т.е. 0.8 эВ). Таким образом, Р-Ре812 привлекателен для создания приборов оптоэлектроники в инфракрасной области, интегрированных в хорошо развитую кремниевую технологию. В отношении такого применения интересны исследования, посвященные попыткам управлять шириной запрещенной зоны добавлением третьего элемента, например, кобальта в [3-Ре812, с тем чтобы получить более точное перекрытие с оптическим окном около 1.55 мкм [2].

ИЛС в настоящее время проводится в сочетании с последующим отжигом, в том числе высокотемпературным. Это вызвано необходимостью устранения дефектов структуры синтезированных пленок, получения резких границ раздела пленка/матрица, улучшения проводимости и т.п. [3]. Дефекты, создаваемые при ионной имплантации, оказывают большое влияние на свойства приборов, изготовленных с применением ИЛС. В то же время высокотемпературный отжиг порождает ряд серьезных проблем, которые усугубляются с увеличением числа операций на одном кристалле, с уменьшением габаритов приборов и с увеличением плотности их монтажа. Поэтому с целью подавления накопления дефектов (а также снижения температуры и длительности последующих энергетических обработок) была предложена имплантация в нагретые подложки.

Внедрение ионов в нагретые мишени сопровождается усилением влияния ряда ионно-стимулированных процессов, одним из которых является радиационно-ускоренная диффузия (РУД). Влияние ускоренной диффузии на процесс формирования новых фаз к моменту начала работы над данной диссертационной работой являлось малоизученным. Заслуживающим более пристального внимания является также механизм влияния поверхности на 8 процессы диффузии первичных дефектов, особенно при небольших энергиях имплантации.

Кроме того, значительный интерес представляет исследование процессов образования дефектов в условиях облучения при повышенных температурах, когда формирование дефектов определяется соотношением скоростей их введения и отжига при заданной температуре. В этом отношении вызывает интерес поиск условий и режимов имплантации, при которых возможен синтез слоев, максимально свободных от структурных нарушений. Наименее исследованной при этом является зависимость процессов, происходящих при ионно-лучевом синтезе, от интенсивности облучения (т.е. плотности потока ионов).

Результаты, полученные при имплантации при повышенных температурах, интересны и с точки зрения других развивающихся методов ионно-лучевой модификации полупроводников, для которых характерен сильный нагрев пластин. К ним относятся имплантация сфокусированными лучами [4], импульсная самоотжиговая имплантация [5], ионно-стимулированная кристаллизация [6] и др.

Таким образом, проблема ионно-лучевого синтеза при повышенных температурах представляется на сегодняшний день важной как с практической, так и с научной точек зрения. В связи с этим настоящая работа посвящена исследованию процессов, происходящих при высокодозном облучении кремния ионами кобальта и железа, в том числе одновременной имплантации указанных ионов в диапазоне температур от комнатной до 500°С. При этом особое внимание будет уделяться зависимости фазового состава и кристаллических свойств синтезированных пленок от плотности потока ионов при ионно-лучевом синтезе.

Структурно диссертация состоит из введения, 6 глав, выводов, и списка литературы. С целью обобщения имевшихся к началу данной работы результатов, в Главе I сделан обзор литературы по ионно-лучевому синтезу

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гумаров, Габдрауф Габдрашитович

Результаты работы докладывались на следующих Международных конференциях: Конференции по ионной имплантации и ионно-лучевому оборудованию (Элените, 1990); Конференции МК8-93 (Бостон, 1993); X Конференции 1ВММ-96 (Альбукерк, 1996); На Всесоюзных и Всероссийских конференциях: XX, Совещании по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1990); V Семинаре по методам получения силицидов и материалов на их основе (Чернигов, 1989); Конференции по прикладной мессбауровской спектроскопии (Казань, 1990); Н-ом Всероссийский семинаре по физическим и физико-химическим основам ионной имплантации (Н. Новгород, 1994); I Конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993); Конференции Микроэлектроника-94 (Звенигород, 1994); Второй научно-технической конференции по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники (Дивноморское, 1995); Научной конференции по структуре и свойствам кристаллических и аморфных материалов (Нижний Новгород, 1996). Всероссийской конференции по применение ядерно-физических методов в магнетизме и материаловедении (Ижевск, 1998).

Основные материалы диссертации отражены в публикациях [50, 53-54, 57, 62, 65, 67-69, 74, 90-94, 97, 101], включая 4 статьи и 1 авторское свидетельство на изобретение.

Ill

В заключение приведем основные результаты и выводы, полученные в данной главе:

- Методом одновременной имплантации ионов Ре+ и Со+ получено тройное соединение (Рео.зСоол^г непосредственно в результате имплантации в подогретую кремниевую подложку. Тройное соединение образуется в поликристаллическом виде, причем наблюдается преимущественная ориентация кристаллитов (текстура). Установлено, что оптимальной температурой для такого синтеза является 350°С.

- В случае преобладания атомов Со в пучке при одновременной имплантации ионов Со и Ре обнаружено аномальное (бимодальное) распределение атомов железа по глубине при соотношении количества ионов железа и кобальта в пучке 1:3. Отжиг при Т= 750°С в течение 32 часов ведет к перераспределению атомов Ре в область существования Со81г и формированию р-Ре812, причем тройные соединения не образуются.

- Проведено компьютерное моделирование процесса одновременной имплантации двух типов ионов с учетом распыления, диффузионного перераспределения внедренных ионов, возникновения новых фаз в имплантированном слое.

- Установлено, что причиной появления бимодального профиля распределения атомов железа по глубине является интенсивное формирование

107 частиц дисилицида кобальта в имплантируемом слое и низкая растворимость атомов железа в Со812. Вследствие этого происходит «вытеснение» атомов железа за пределы области формирования дисилицида кобальта. В формировании поверхностного пика атомов железа важную роль играет поверхность, действующая для них как сток.

- Коэффициент распыления, оцененный в результате сравнения рассчитанных и экспериментальных профилей распределения атомов по глубине, составляет порядка ~1.

108

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гумаров, Габдрауф Габдрашитович, 2001 год

1. Mantl S. Compound formation by ion beam synthesis and a comparison with alternative methods such as deposition and growth or wafer bonding // Nucl. Instr. andMeth. В.- 1995,- V.106.-P.355-363.

2. Panknin D., Henrion W., Wieser E., Voelskow M., Scorupa W., Vohse H. Electrical and optical properties of Co alloyed P-FeSi2 formed by ion beam synthesis // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1993. - V.320.- P. 197-200.

3. Самсонов Г.В., Дворина JI.A., Рудь Б.М. Силициды. М.: Металлургия, 1979,- 272 с.

4. Hausmann S., Bischoff L., Teichert J., Voelskow M., Dieter G., Herrmann F., Wolfhard M. Dose rate effects in focused ion beam synthesis of cobalt disilicide // Appl. Phys. Lett.- 1998,- V.72.-N.21.- P.2719-2721.

5. Prussin S., Margolese D.I., Tauber R. The nature of defect layer formation for arsenic ion implantation // J. Appl. Phys.- 1983,- V.54.- N.5.- P.2316-2326.

6. Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Смирнов Л.С. Радиационный отжиг дефектов, образующихся при бомбардировке кристаллов ионами. // ФТП,- 1972,- Т.6.-Вып.9.- С.1834-1835.

7. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Способ получения тонких магнитных пленок в полупроводниках // А.С. № 1114246 с приоритетом от 23 июня 1982г.

8. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М., Манапов Р.А. Магнитные свойства кремния, имплантированного ионами железа // ФТТ,- 1984,- Т.26.-вып.5,- С.1392-1397.

9. White А. Е, Short К.Т., Dynes R.C., Garno J. P., Gibson J.M. Mesotaxy: Single-crystal growth of buried CoSi2 layers // Appl. Phys. Lett.- 1987,- V.50.- P.95-97.112

10. Radermacher К, Mantl S., Kolhof K., Jager W. Temperature and energy dependence of ion beam synthesis of epitaxial Si/CoSi2/Si heterostructures // J. Appl. Phys.- 1990,- V.68.- N.6.- P.3001-3008.

11. Ту К., Мейер Дж., Образование силицидов //Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. М.: Мир, 1982,- С.361-408.

12. Dekempeneer Е.Н.А., Ottenheim J.J.M., Zalm Р.С., Bulle-Lieuwma C.W.T., Vandenhoudt D.E.W., Naburgh E.P. Thin buried cobalt silicide layers in Si(100) by channelled implantation // Appl. Phys. Lett.-1991.-V. 58.-P. 2102-2104.

13. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. -М.: Мир, 1973,- 296 с.

14. Alestig G., Holmen G., Linnros J. Electrical properties of ion beam recrystallized and laser beam annealed arsenic-implanted silicon on sapphire // J. Appl. Phys.1987,- V. 62.- N.2.- P.409-413.

15. Gyulai J., Paszti J., Szilagyi E. Consideration on effect of local temperature on primary defect production // Nucl. Instr, and Meth. В.- 1995,- V.106.- P.328-332.

16. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников: Учеб. пособие для вузов. -М.: Высш. шк., 1984,- 352 с.

17. White А. Е., Short К.Т., Dynes R.C., Gibson J.M., Hull R. Synthesis of buried silicon compounds using ion implantation // Mater. Res. Soc. Symp. Proc.1988,- V.100.- P.3-16.

18. Hull R., White A. E., Short K.T., Bonar J.M. Formation of continuous CoSi2 layers by high Co dose implantation into Si(100) // J. Appl. Phys.- 1990.- V.68.-N.4.- P.1629-1634.

19. Bulle-Lieuwma C.W.T., van Ommen A.H., Vandenhoudt D.E.W., Otenheim J.J.M., de Jong A.F. Microstructure of buried CoSi2 layers formed by high-dose Co implantation into (100) and (111) Si substrates // J. Appl. Phys.- 1991,- V.70.-N.6.- P.3093-3108.113

20. Vanderstraeten H., Bruynseraede Y., Wu Y., Vantomme A., Langouche G., Philips J.M. Aligned and twinned orientations in epitaxial CoSi2 layers // Appl. Phys. Lett.- 1990,- V.57.- N.2.- P.135-137.

21. Goldberg R.D., Williams J.S., Elliman R.G. Amorphization of silicon by elevated temperature ion irradiation // Nucl. Instr. and Meth. В.- 1995,- V.106.- P.242-247.

22. Гиббоне Д. Ионное внедрение в полупроводниках. Часть II. Образование и отжиг радиационных дефектов // ТИИЭР.- 1972,- Т.60,- С. 53-95.

23. Wolfgang В. Formation and development of disordered networks in Si-based ceramics under ion bombardment // Nucl. Instr. And Meth. В.- 1998,- V.141.-P.133-139.

24. Dennis J. R., Hale E.B. Crystalline to amorphous transformation in ion implanted silicon: a composite model//J. Appl. Phys.- 1978,- V.49.-N3.-P.l 119-1127.

25. Гусаков Г.А., Новиков А.П., Анищик B.M. О температурной зависимости критической дозы аморфизации кремния при ионной имплантации // ФТП,-1994,- Т.28,- Вып.9,- С.1672-1678.

26. Reiss S., Heinig К.-Н. Computer simulation of mechanisms of the SIMOX process. //Nucl. Instr. and Meth. В.- 1995,- V.102.- P.256-260.

27. Любов Б.Я. Кинетическая теория фазовых превращений,- М.: Металлургия, 1969,-260 с.

28. Strobel М., Reiss S., Heinig К.-Н. Evolution of nanocluster ensembles: Computer simulation of diffusion and reaction controlled Ostwald ripening // Nucl. Instr. and Meth. В.- 1996,- V.120.- P. 216-220.

29. Лифшиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов // ЖЭТФ,- 1968,- Т.35,- Вып.2(8).- С.479-492.

30. Yao J.H., Elder K.R., Guo Н., Grant М. Ostwald ripening in two and three dimensions // Phys. Rev. В.- 1992,- V.45.- N.14.- P.8173-8176.

31. Barabanenkov M.Yu. Role of phase boundaries in growth kinetics of new phase inclusions in annealed ion bombarded solids // J. Appl. Phys.- 1995,- V.78.- N4,-P.2333-2337.114

32. Степанов В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах // ЖТФ,- 1998,- Т.68,- Вып. 8,- С.67-72.

33. Мак В.Т. Исследование радиационно-стимулированной диффузии фосфора в кремнии // ЖТФ,- 1993,- Т.63,- Вып.З,- С. 173-176.

34. Dienes G.J., Damask А.С. Radiation Enhanced Diffusion in Solids // J. Appl. Phys.- 1958,- V.29.-N.12.- P.1713-1721.

35. Minear R.L., Nelson D.G., Gibbons J.F. Enhanced diffusion in Si and Ge by light ion implantation // J. Appl. Phys.- 1972,- V.43.- N.8.- P.3468-3480.

36. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках,- М.: изд. физ. мат. лит., 1961,462 с.

37. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1978,- 360 с.

38. Brice D.K. Spatial distribution of energy deposited into atomic processes in ion implanted silicon // Rad. Eff.- 1970,- V.6.- P.77-87.

39. Морозов Н.П., Тейтельбаум Д.И., Павлов П.В., Зорин Е.И. Диффузионно-коагуляционная модель накопления радиационных дефектов при ионной бомбардировке кремния // ФТП. 1975. - Т.9.- Вып.12,- С.2292-2295.

40. Ziegler J. F., Biersack J. P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids.- New York: Pergamon, 1,985.- 315 p.

41. Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Фельсков M. Легирование кремния ионами бора при температурах облучения 600-1000°С // ФТП,- 1987,- Т.21.- №7,-С. 1193-1197.

42. Parry P.D. Target heating during ion implantation // J. Vac. Sci. Technol.- 1976.-V.13.- N.2.- P.622-629.

43. Бронштейн И.Н., Семендяев K.A. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов. М.: Наука, 1986. - 544 с.

44. Bruel М., Berthet В., Floccari М., Michaud J.F. Target heating during ion implantation and related problems // Rad. Eff.- 1979,- V.44.- P. 173-180.

45. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Физматгиз, 1961,- 864 с.115

46. Петухов В.Ю. Исследование кремния, имплантированного большими дозами ионов переходных элементов группы железа. Дисс. канд. физ.-мат. наук - Казань, 1985. - 176 с.

47. Morozov N.P., Tetelbaum D.I. Radiation defect formation at ion implantation of semiconductors in the presence of force fields // Phys. Stat. Sol. (a).- 1979,-V.51.- P.629-640.

48. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.:Мир, 1986. - 176 с.

49. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Гумаров Г.Г. Способ получения мезотаксиальных слоев дисилицида кобальта в кремнии // Авт. свидетельство СССР № 1795821. Бюллетень изобретений №28 за 1995г. С.290.

50. Zhengquan Tan, Namavar F., Budnick J.I., Sanchez F.H., Fasihuddin A., Heald S.M., Bouldin C.E., Woicik J.C. Silicide formation and structural evolution in Fe-, Co-, and Ni-implanted silicon // Phys. Rev. В.- 1992,- V.46.- N.7.-P.4077-4085.

51. Zhengquan Tan, Budnick J.I., Sanchez F.H., Torilon G., Namavar F., Hayden H.C. Silicide structural evolution iii high-dose cobalt-implanted Si(100) crystals // Phys. Rev. В.- 1989,- V.40.- N.9.- P.6368-6373.

52. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984,- 320 с.

53. Yong-Fen Hsieh, Robert Hull, Alice E. White, Kennet T. Short. Coalescence of buried CoSi2 layers formed by mesotaxy in Si(lll) // J. Appl. Phys.- 1991.-V.70.- N.12.- P.7354-7361.

54. Golanski A. Ion beam synthesis of buried compound layers: Accomplishments and perspectives // Appl. Surf. Sci.- 1989,- V.43.- P.200-212.

55. Reuther Н., Dobler М. Implantation and growth of large p-FeSi2 precipitates and a-PeSi2 network structures in silicon // Appl. Phys. Lett.- 1996,- V.69.- N.21.-P.3176-3178.

56. Fanciulli M., Weyer G., Von Kanel H., Ondra N. Conversion Electron Mossbauer Spectroscopy Study of Iron Silicide Films grown by MBE // Phys. Scr.- 1994,-V.T54.- P.16-19.

57. Sanchez F.H., Fernandez van Raap M. В., and Desimoni J. Structural composition dependence of amorphous silicon-iron prepared by ion implantation and by coevaporation: A Mossbauer study // Phys. Rev. В.- 1991.- V.44.- N.9.-P.4290-4295.

58. Gumarov G.G., Petukhov V.Yu., Shustov V.A., Khaibullin I.B. Effect of ion current density on the phase composition of ion beam synthesized iron silicides in117

59. Si.- Abstracts of X Int. Conf. on Ion Beam Modification of Materials, Albuquerque, USA, September 1-6,1996,- P. W48.

60. Гумаров Г. Г., Вагизов Ф. Г., Петухов В. Ю., Шустов В. А., Манапов Р. А., Хайбуллин И. Б. Исследования методом МСКЭ кремния, имплантированного ионами железа при повышенных температурах. // Неорганические материалы. 2001. (отправлено в печать).

61. Gumarov G.G., Petukhov V. Yu., Shustov V.A., Khaibullin I.B. Effect of ion current density on the phase composition of ion beam synthesized iron silicides in Si (100) // Nucl. Instr. and Meth. B. 1997,- V.127/128.- P.321-323.

62. Баранов А.И., Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Потапова Л.П. //Электронная техника, Сер.2, Полупроводниковые приборы,- 1978.- Т.4.-С.33-36.

63. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные дефекты в твердых телах,- М.: Наука, 1960.-243 с.

64. Александров Л.Н., Бондарева Т.В., Качурин Г.А., Тысченко И.Е. Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремний при высокотемпературной ионной имплантации // ФТП.- 1991,- Т.25, №2,-С.227-230.

65. Radermacher К., Mantl S., Dieker Ch., Luth H., Freiburg С. Growth kinetics of iron silicides fabricated by solid phase epitaxy or ion beam synthesis // Thin Solid Films.- 1992,-V.215.-P.76-83.

66. Gumarov G.G., Zhikharev V.A. and Khaibullin I.B. Radiation-Enhanced Diffusion Effect in the Ion Beam Synthesis of Iron Silicides // J. of Defect and Diffusion Forum.- 2001.-V.194-199,- P. 1463-1469.

67. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников.-Киев: Наукова думка, 1979.- 300 с.

68. Sigmund Р. , Normann A. Statistics of energy loss and charge exchange of penetrating particles: Higher moments and transients // Phys. Rev. A.- 1994.-V.49.- N.6.- P.4709-4715.118

69. Ohmura Y., Mimura S., Kanazawa M., Abe Т., Konaka M. Enhanced Diffusion and the Dose Rate Dependence of Sb and P in Si by Proton Irradiation // Rad. Effects.- 1972,- V.15.- N.3/4.- P.167-174.

70. Masters B. J. and Gorey E. F. Proton enhanced diffusion and vacancy migration in silicon//J. Appl. Phys.- 1978.- V.49.-N.3.- Part I,-P.2717-2724.

71. Weber E.R. Transition metals in Silicon // Appl. Phys. A. 1983,- V.30.- P.l-22.

72. Болотов B.B., Васильев A.B., Смирнов JI.C. Реакции в кристаллах как фактор, определяющий процессы диффузии // ФТП,- 1974,- Т.8,- №6,-С.1175-1181.

73. Kruijer S., Keune W., Doubler M., Reuther H. Depth analysis of phase formation in Si after high dose Fe ion implantation by depth-selective conversion-electron Mossbauer spectroscopy // Appl. Phys. Lett.- 1997,- V.70.- N.20.- P.2696-2698.

74. Yang Z., Homewood K.P., Finney M.S., Harry M.A., Reeson К Optical absorption study of ion beam synthesised polycrystalline semiconducting FeSi2 // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- N.3.- P.1958-1963.

75. Giannini C., Langomarsino S., Scarinci F., Castrucci P. Nature of the band gap of polycrystalline p-FeSi2 films //Phys. Rev. В.- 1992.- V.45.- N.15.- P.8822-8824.

76. D. Panknin, E. Wieser, W. Skorupa, W. Henrion, H. Lange. Buried (Fei.xCox)Si2 layers with variable band gap formed by ion beam synthesis // Appl. Phys. A.-1996,-V. 62,-P. 155-162.

77. J. Tavares, H. Bender, M.F. Wu, A. Vantomme, G. Langouche, C. Lin. Ion beam synthesis of ternary phase CoFe-silicide in (111) silicon // Appl. Phys. Lett-1995,- V.67.- N.7.- P. 986-988.119

78. Harry M. A., Gurello G., Finney M.S., Reeson K.J., Sealy B.J. Structural properties of ion beam synthesized iron-cobalt silicide // J. Phys. D: Appl. Phys.-1996.-V.29,-P. 1822-1830.

79. D. Panknin, E. Wieser, W. Skorupa, W. Henri on, H. Lange. Buried (FeixCox)Si2 layers with variable band gap formed by ion beam synthesis // Appl. Phys. A.-1996,- V. 62,-P. 155-162.

80. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов M.M. Модификация структуры и фазового состава кремния при имплантации больших доз Со и Ni // Поверхность,- 1985,- Вып.2.- С.104-107.

81. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Гумаров Г.Г. Формирование силицидов при одновременной имплантации различных ионов 3d- элементов в кремний,-Тезисы докл. I Российской конф. по физике полупроводников,- Н.Новгород, 10-14 сент. 1993,-Т.2.-С.353.

82. Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Gumarov G.G. Formation of silicides under simultaneous implantation of Fe+ and Co+ ions into silicon. Abstracts of 1993 Fall Meeting MRS.-Boston, Nov.29, -Dec.3.-P.45.

83. Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Шустов B.A., Хайбуллин И.Б. Температурная зависимость ионно-лучевого синтеза силицидов при одновременной имплантации ионов Fe+ и Со+ в Si // Высокочистые вещества,- 1995,- №2,-С.94-97.

84. Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Маковский В.Ф., Хайбуллин И.Б. Распределение атомов Fe и Со при их одновременной имплантации в Si.-Материалы конф. по физике и технике плазмы,- Минск, 1994,- Т.1.- С.197-200.120

85. Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Zaripov M.M., Groetzschel R., Voelskow H., Klabes R. Investigation of silicides obtained by Fe+-implantation into silicon // Phys. St. Sol. (a).- 1986,- V.96.- P.463.

86. Radermacher K., Mantl S., Dieker Ch., Holzbrecher H., Speier W., Luth H. Growth of ion implanted buried FeSi2 on Si(lll) and Si(100) // Mater. Res. Soc. Symp. Proc.- 1992.-V.235.-P.273-279.

87. Bulle-Lieuwma C.W.T., Van Ommen А.Н., van IJzendoorn L.J. Microstructure of heteroepitaxial Si/CoSi2/Si formed by Co implantation into (100) and (111) Si // Appl. Phys. Lett.- 1989,- V.54.- N.3.- P.244-246.

88. F. Namavar, N.M. Kalkhoran, J.M. Manke, L. Luo, J.T. McGinn. Dependence of buried CoSi2 resistivity on ion implantation and annealing conditions // Mater. Res. Soc. Symp. Proc.- 1992.-V.235.-P.285-293.

89. Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Жихарев В.А., Шустов В.А., Хайбуллин И.Б. Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Со+ и Fe+B кремний // ФТП- 1997.-Т.31.- Вып.6.-С.719-721.

90. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников,- М.: Наука, 1967,- 372 с.

91. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно- имплантированных примесей. Минск, Изд-во Белорус, гос. ун-та, 1980,- 352 с.