Исследование фазового состава и субструктуры силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением пленок металлов на кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Кущев, Сергей Борисович

• Кущев, Сергей Борисович
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Кущев, Сергей Борисович

ВВЕДЕНИЕ.

1. МАТЕРИАЛЫ, СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРО-СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК, МЕТАЛЛ-МЕТАЛЛ, Б ¿-СИЛИЦИД МЕТАЛЛА, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДИКИ ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ

1.1. Материалы, подготовка исходных структур

1.2. Получение одинарных пленок Рс1, Р1;, Мо на СаГ2 для исследования ориентации и структуры в гетерострутурах металл-диэлектрик.

1.3. Выращивание двухслойных пленок Аи - Р^ Р1 - Аи, Р1;-Рс1,

- Мо, Мо - Аи, Мо - Яе, Р1 - Яе и 1г - Яе.

1.4. Получение пленок Аи, Рё, Р^ №, Т1 и Мо на кремнии и формирование силицидов при вакуумной конденсации на подогреваемые подложки

1.5. Формирование силицидов металлов методом импульсной фотонной обработки и термическим отжигом.

1.6. Методика подготовки образцов для электронномикроскопи-ческих исследований.

1.7. Анализ фазового и элементного состава, структуры и ориентации пленок силицидов.

1.8. Измерения электрических параметров.

2. ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕМЕНТНОГО И ФАЗОВОГО СОСТАВА, СТРУКТУРЫ И УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОК силицидов ОТ РЕЖИМОВ ОБРАБОТКИ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ НА КРЕМНИИ

2.1. Система кремний - платина.

2.1.1. ИФО пленок Р1 на моно-81, нанесенных методом ионно-плазменного распыления.

2.1.2. ИФО на воздухе пленок Pt, нанесенных на поли-Si методами магнетронного и ионно-плазменного распыления.

2.1.3. ИФО в вакууме пленок Pt, нанесенных на поли-Si методом магнетронного распыления.

2.1.4. ИФО в вакууме пленок Pt, нанесенных на a-Si методом магнетронного распыления.

2.1.5. ИФО пленок Pt на Si02, полученных методом ионно-плазменного распыления.

2.1.6. Термический отжиг пленок Pt на (11 l)Si, полученных ионно-плазменным распылением.

2.1.7. Образование силицидов Pt при вакуумной конденсации металла на (11 l)Si.

2.1.8. Электрофизические свойства контактно - металлизационной системы Si - Pt.

2.2. Система кремний - палладий.

2.2.1. ИФО пленок Pd на моно-Si, нанесенных методом ионно-плазменного распыления.

2.2.2. Эффект взаимного перемешивания компонентов.

2.2.3. ИФО пленок Pd на Si02, нанесенных методом ионно-плазменного распыления.

2.2.4. Термическая обработка Pd на (001)Si.

2.2.5. Образование силицидов Pd при вакуумной конденсации металла на (11 l)Si. Эффект ювенильной поверхности.

2.2.6. Удельное сопротивление пленок системы Si - Pd.

2.3. Система кремний - никель.

2.3.1. ИФО в вакууме пленок Ni на моно-Si.

2.3.2. Термический отжиг в среде водорода пленок Ni на (11 l)Si

2.3.3. Пленки Ni на Si02: ИФО в вакууме.

2.3.4. Образование силицидов Ni при вакуумной конденсации металла на (11 l)Si.

2.3.5. Удельное сопротивление пленок системы Ni - Si.

2.4. Система кремний - титан.

2.4.1. Структура пленок Ti на (11 l)Si.

2.4.2. ИФО пленок Ti на (11 l)Si и Si02.

2.4.3. Система a-Si - Ti.

2.4.4. Система Si02 - Ti.

2.4.5. Образование силицидов Ti при вакуумной конденсации металла на (111) и (001)Si.

2.4.6. Удельное сопротивление пленок системы Si - Ti.

2.5. Система кремний - молибден.

2.5.1. ИФО пленок Мо на моно-Si и Si02.

2.5.2. ИФО пленок Мо на a-Si.

2.5.3. Образование силицидов Мо при вакуумной конденсации металла на монокристаллическом кремнии ориентации (111) и (001).

2.5.4. Термический отжиг в вакууме пленок Мо на (001)Si.

2.5.5.Удельное сопротивление пленок системы Si - Мо.

2.6. Система кремний - золото.

2.6.1. ИФО пленок Аи на (001)Si и Si02 на воздухе.

2.6.2. Влияние способа формирования эвтектики Au-Si на электрофизические параметры ИС.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование фазового состава и субструктуры силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением пленок металлов на кремнии»

Актуальность темы. Актуальность проблемы синтеза и субструктуры силицидов металлов сохраняется по ряду обстоятельств. В фундаментальном плане - в связи с ограниченным объемом сведений о субструктуре этого класса сравнительно сложных систем, о закономерностях сопряжения кристаллических решеток в гетероструктурах кремний - силицид металла, об атомной структуре и дислокационной субструктуре границ зерен (ГЗ) в силицидах, межфазных границ (МГ). Для нанокристаллических материалов (а последующие исследования показали, что силициды большинства тугоплавких металлов имеют именно такую субструктуру) объемная доля внутренних поверхностей может быть велика. Проблему строения внутренних поверхностей раздела можно считать в основном решенной только в части ГЗ в металлах, кремнии, германии, представляющих частные случаи меж-кристаллитных границ. Что касается МГ, то на момент постановки настоящей работы (начало 80-х годов) была хорошо изучена дислокационная структура в эпитаксиальных гетероструктурах при параллельном сопряжении кристаллических решеток родственных материалов с малым размерным несоответствием параметров. Оставался открытым вопрос о пределах применимости зернограничных моделей описания субструктуры (модель решетки совпадающих узлов, зернограничных дислокаций и другие) к МГ в системах с большим структурным, размерным и ориентационным несоответствием.

В практическом плане - в связи с повышением степени интеграции изделий микроэлектроники: решение проблемы контактно-металлизационных систем связано с широким использованием силицидов переходных и тугоплавких металлов, которым свойственны высокая термическая и химическая стабильность, низкие значения удельного сопротивления, хорошая совместимость с базовой МОП и биполярной технологией, стойкость к электромиграции. Анализ работ показывает, что такие вопросы, как кинетика и механизм силицидообразования, последовательность образования фаз, электрофизические и механические свойства силицидов относительно хорошо изучены при твердофазном синтезе их классическими методами термообработки пленок металлов на кремнии. Дальнейшее увеличение степени интеграции СБИС невозможно без разработки новых технологий с применением методов отжига, позволяющих в результате уменьшения времени обработки свести к минимуму негативное диффузионное перераспределение примесей и легирующих добавок, уменьшить структурные нарушения. Уже первые эксперименты /1/ показали эффективность метода импульсной фотонной обработки (ИФО) пленок металлов на кремнии некогерентным излучением ксеноновых ламп, характеризующимся сплошным относительно равномерным спектром в диапазоне от 0,2 до 1,3 мкм. Поэтому вполне закономерной была постановка исследований фазового состава, ориентации и субструктуры образующихся при этом силицидов, определение оптимальных режимов их синтеза при ИФО.

Цель работы - установление общих закономерностей и особенностей ориентированного фазообразования и субструктуры силицидов Рё, Л, Мо при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок металлов на кремнии. Решались следующие задачи:

1. Сравнительные исследования методами просвечивающей электронной микроскопии, дифракции быстрых электронов и электронной оже-спектроскопии фазового и элементного состава, ориентации и субструктуры пленок, образующихся: при ИФО пленок металлов на поверхности монокристаллического, поликристаллического, аморфного кремния и 8Ю2 в зависимости от дозы энергии излучения; в процессе вакуумной конденсации металлов на поверхности монокристаллического кремния в зависимости от температуры подложки (Тп); в результате термообработки пленок металлов на 81 в различных средах.

2. Исследование зависимости удельного сопротивления пленок от дозы энергии излучения.

3. На примере систем, не образующих интерметаллидов, провести исследование общих закономерностей ориентированного сопряжения на межфазной границе при различном размерном и структурном несоответствии кристаллических решеток (системы металл (Р^ Рс1, Мо) - диэлектрик (СаР2)).

4. По результатам дифракционных исследований систем (111)81 - Р181, (001)51 - Р181, (111)81 - Рс^, (001)81 - Р(1281, (111)81 - №812, (001)81 -(111)81 - И812, (001)81 - та^, (111)81 - Мо812, (001)81 - Мо812 провести анализ закономерностей сопряжения на межфазной границе кремний - силициды металлов. Проверить применимость известных кристаллогеометрических критериев, в том числе базирующихся на теории О-решетки и концепции решетки совпадающих узлов к прогнозированию ориентационных соотношений в системах кремний - силицид металла.

5. Методами электронной микроскопии определить характер сопряжения и механизм формирования дислокационной субструктуры МГ в пленочных системах металл - металл.

6. Провести электронно-микроскопическое исследование дислокационной субструктуры МГ в системах 81 - силицид металла с разным структурным и размерным несоответствием 81 - №812, 81 - Рс1281, 81 - Р181.

При выборе объектов исследования исходили:

- из необходимости исследования эффекта ИФО в синтезе силицидов в системах 81 - металл, различающихся преобладающим диффузантом (металл в кремний (системы Si - Pt, Si - Ni), кремний в металл (системы Si - Ti, Si -Mo) и взаимодиффузия металла и кремния (система Si - Pd)), активностью по отношению к газовым средам (благородные металлы - Pt, Pd, активные к кислороду Ti, Mo, Ni), обеспечивающих получение пленочных силицидных фаз разного типа и разной степени сложности кристаллических решеток (PtSi -орторомбическая типа MnP, NiSi2 - кубическая типа CaF2, Pd2Si - гексагональная типа Fe2P, TiSi2 - орторомбическая: (С49) - объемноцентрированная, (С54) - гранецентрированная, MoSi2 - гексагональная и тетрагональная);

- из существующих и потенциальных возможностей практического применения исследуемой группы силицидов в качестве контактно-металлических систем ИС разных поколений;

- из возможности электронно-микроскопического исследования характера сопряжения и дислокационной субструктуры МГ разных типов и ори-ентаций в двухслойных пленочных металлических системах Pt1 - Au, Pt - Pd, W - Mo, Mo - Au, Ir - Re, Pt - Re, Mo - Re, системах кремний - силицид металла: Si - NiSi2, Si - Pd2Si, Si - PtSi.

Фазовый состав, структуру и ориентацию пленок исследовали на электронных микроскопах ЭМВ-100 JI, ЭМВ-100 АК, ПРЭМ-200 и Philips 420 ST ЕМ с использованием различных методик, анализ элементного состава образцов по толщине проводили на оже-спектрометре РШ-551. Расчет оптимальных ориентационных соотношений, ожидаемой дислокационной субструктуры межфазных границ в сложных гетеросистемах производили на персональном компьютере Pentium-100.

Научная новизна результатов. Впервые обнаружен эффект ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп в ускорении твердофазного синтеза силицидов металлов: на несколько порядков величины уменьшается

1 Здесь и далее первый элемент соответствует первой нижней пленке в двухслойной системе. время процесса взаимодиффузии, обеспечивающей образование концентрации компонентов, близкой к стехиометрическому составу интерметаллида; при соответствующих величинах плотности потока энергии образование конечной фазы силицида завершается за время 1-2 с1. Высокие скорости процесса позволяют формировать конечные фазы силицидов благородных металлов (Pt, Pd) при ИФО в атмосфере воздуха /2/.

Определены пороговые значения Еи, при которых начинается образование ориентированных силицидов Pt, Pd, Ni, Ti.

На примере системы Si - Ti показано, что при ИФО стадии реакции образования силицида предшествует перемешивание компонентов до концентрации, соответствующей стехиометрии образующегося соединения.

Для всех исследованных систем установлена возможность синтеза при ИФО однофазной пленки, состоящей из конечной фазы силицида. Сопоставление с соответствующим распределением элементов по толщине для ТО показывает, что при ИФО резче концентрационный переход на МГ.

В системах Si - Pt и Si - Ni начало образования силицидных фаз на поверхности (lll)Si происходит при меньших величинах плотности энергии светового импульса (еи) по сравнению с поверхностью (001)Si, на moho-Sí при меньших еи, чем на поли-Si, что объясняется разной толщиной естественного слоя оксида.

Зависимость удельного сопротивления пленок от дозы облучения имеет немонотонный характер, одинаковый для пленок на moho-Sí , a-Si и поли-Si.

На примере системы Si - Pd показано, что образование силицида происходит при меньших значениях Еи после предварительной ионной обработки исходной гетероструктуры. Эффект проявляется в снижении дозы свето

При классическом термическом отжиге в водороде при Тотж = 700 -1100 К в течение 20-30 мин. вого облучения и является результатом перемешивания атомов кремния и металла при обработке ионами Аг.

Для систем Si - Pd и Si - Mo экспериментально установлен эффект ювенильной поверхности монокристалла кремния, проявляющийся в снижении температуры образования силицидов Pd2Si и MoSi2(T) при конденсации металлов в вакууме.

Установлен характер сопряжения и механизм образования дислокационной субструктуры МГ в двухслойных пленочных системах Pt - Au, Pt - Pd, W - Mo, Mo - Au, Ir - Re, Pt - Re, Mo - Re. При этом показано, что для систем тугоплавких металлов граница разделения областей реализации механизмов вхождения ДН (скольжение или переползание) находится в области относительно высоких Тп (до 1273 К для эпитаксиальной пары W - Мо).

Установлено, что дислокационная субструктура МГ (lll)Si -(00.1 )Pd2Si образована гексагональной сеткой ДН смешанного типа с векторами Бюргерса 1/2 <1 ТО> в решетке Si (1/4<21.0> в координатах решетки Pd2Si), лежащими в плоскости границы и соответствующими минимальным векторам полной решетки наложения для данного ориентационного соотношения между силицидом и кремнием. Дислокационная субструктура МГ (lll)Si - PtSi образована двумя системами дислокаций смешанного типа с векторами Бюргерса 1/2а <1 Т0> (в координатах решетки Si).

Установлены новые закономерные ориентационные соотношения в системе (lll)Si - TiSi2:

110), [334] TiSi2 (С54) II (111), [112] Si,

100), [032]TiSi2(C54) II (111), [112] Si,

310), [134]TiSi2(C54) II (111), [llO] Si.

Показано, что для данной системы характерны некогерентное сопряжение на МГ и множественность неэквивалентных закономерных ориента-ционных соотношений, что может существенно расширять распределение зерен силицида по размерам.

Достоверность результатов. Достоверность экспериментальных результатов основывается на хорошо апробированных высокоразрешающих методиках дифракции электронов, просвечивающей электронной микроскопии, электронной оже-спектроскопии многослойных пленочных композиций большого ряда систем.

Практическое значение результатов работы. Результаты по формированию силицидов PtSi методом ИФО внедрены на Воронежском заводе полупроводниковых приборов (1987 г.).

Результаты по формированию однофазных пленок силицидов TiSi2 и MoSi2 методом ИФО на moho-Sí, поли-Si и a-Si могут быть использованы при разработки технологического процесса создания контактно металлизацион-ных систем СБИС с субмикронными размерами.

Новизна технических решений защищена 2 авторскими свидетельствами на изобретения.

Результаты исследований межфазных границ с сильным межфазным взаимодействием могут быть использованы при разработке многослойных систем металлизации в технологии полупроводниковых приборов.

Результаты электронно-микроскопических исследований структуры МГ Si - силициды металлов в пленочных металлических системах использованы при написании учебного пособия "Ориентированная кристаллизация пленок" (авторы Иевлев В.М., Бугаков A.B., изд. ВГТУ, 1998 г.).

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

- ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок металлов на кремнии на несколько порядков величины ускоряет процесс силицидооб-разования по сравнению с классической термической обработкой;

- последовательность образования силицидных фаз при ИФО пленок металлов на кремнии та же, что и при конденсации в вакууме на подогреваемую подложку и при термическом отжиге пленок металлов, сконденсированных при комнатной температуре;

- начало образования силицидных фаз на поверхности (111)81 происходит при меньших Еи по сравнению с поверхностью (001)81; на монокристаллическом кремнии при меньших Еи, чем на поликристаллическом 81;

- основные ориентационные соотношения между кристаллическими решетками кремния и конечных фаз силицидов, образующихся при ИФО, термообработке пленок металлов на 81 и при конденсации металла на нагретую подложку, одинаковы;

- для систем с большим размерным и(или) структурным несоответствием кристаллических решеток пленки и подложки (СаР2 - Рс1, Мо; 81 -силициды Т1, Мо, Р1) ориентационные соотношения отвечают основным кристаллогеометрическим критериям: наиболее плотные решетки совпадающих узлов на МГ, непрерывность наиболее плотных плоскостей кристаллических решеток фаз через МГ, предпочтительность ориентаций с положительным несоответствием РСУ (деформация на растяжение); базирующийся на теории О-решетки, представлениях решетки совпадающих узлов и граничных дислокаций подход применим для прогнозирования оптимальных ориентационных соотношений и возможной дислокационной субструктуры межфазных границ в системах 81 - силицид металла;

- высокодисперсная (нанокристаллическая) субструктура силицидов Р^ Рс1, Мо и И обусловлена множественностью закономерных ориентационных соотношений с кремнием и высокой скоростью процесса при ИФО;

- немонотонный характер зависимости Я5 (Еи) отражает стадии диффузионного перемешивания компонентов и образования последовательности силицидных фаз.

Апробация работы. Основные результаты работы и ее научные положения докладывались на следующих конференциях, совещаниях, семинарах:

7 Европейском конгрессе по электронной микроскопии (Electron Microscopy, EUREM, 80) (г. Гаага, Нидерланды, 1980); 6 Международной конференции по росту кристаллов (г. Москва, 1980); XII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (г. Сумы, 1982); Всесоюзном симпозиуме "Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования, структуры и свойств твердых тел" (г. Москва, 1983); IV Всесоюзном симпозиуме по растровой микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (п. Черноголовка, 1984); IV Всесоюзном симпозиуме "Свойства малых частиц и островковых металлических пленок" (г. Сумы, 1985); VIII Всесоюзной конференции "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом" (г. Москва, 1987); Всесоюзной конференции "Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках" (г. Воронеж, 1987); Всесоюзной конференции "Ионно-лучевая модификация материалов" (г. Москва, 1987); 13 Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (г. Москва, 1987); 12 Всесоюзной конференции по микроэлектронике (г. Тбилиси, 1987); 6 отраслевой конференции "Тонкие пленки в производстве ИС" (г. Москва, 1987); научно-техническом семинаре "Новые технологии производства слоистых металлов, перспективы расширения их ассортимента и применения" (г. Магнитогорск, 1987); Всесоюзном научно-техническом семинаре "Радиационная технология в производстве интегральных схем" (г. Воронеж, 1988); конференции "Промышленная технология и оборудование ионной имплантации" (г. Нальчик, 1988); X Всесоюзном совещании по кинетике и механизму химических реакций в твердом теле (п. Черноголовка, 1989); 1 Всесоюзной конференции "Автоматизация, интенсификация процессов технологии микроэлектроники" (г. Ленинград, 1989); VI Всесоюзном симпозиуме по растровой микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (г. Москва, 1989); Всесоюзной технической конференции "Ресурсо-, энергосберегающие и наукоемкие технологии в машино- и приборостроении" (г. Нальчик, 1991); Всесоюзной конференции по электронным материалам (г. Новосибирск, 1992); IX Российской конференции по растровой микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (п. Черноголовка, 1995); 1 Всесоюзной конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий поликремния "Кремний-96" (г. Москва, 1996); 16 Российской конференции по электронной микроскопии (п. Черноголовка, 1996); конференции "Реализация региональных научно-технических программ Центрально-Черноземного региона" (г. Воронеж, 1996); межотраслевом научно-практическом семинаре "Вакуумная металлизация" (г. Харьков, 1996); V научно-технической конференции "Материалы и упрочняющие технологии-97" (г. Курск, 1997); конференции "Реализация региональных научно-технических программ Центрально-Черноземного региона" (г. Воронеж, 1997); XVII Российской конференции по электронной микроскопии ЭМ'98 (п. Черноголовка, 1998); Втором Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении", (г. Воронеж, Россия, 1999); Международной конференции "Modification of properties of Surface Layers of Non-Semiconducting Materials Using Particle Beams (MPSL 99)" (Sumy, Ukraine, 1999); Международной научной конференции "Физика тонких пленок. Формирование, структура и физические свойства" (г. Харьков, Украина, 1999).

Публикации. По теме диссертации опубликованы 72 научные работы.

Личный вклад автора. Постановка задач, проведение электронно-микроскопических исследований и анализа ориентационных соотношений, фазового состава, субструктуры силицидов и субструктуры межфазных границ. Подготовка образцов исследуемых систем.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, трехглав, общих выводов и содержит список литературы из 214 на

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кущев, Сергей Борисович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Методами просвечивающей электронной микроскопии, дифракции быстрых электронов и электронной оже-спектроскопии проведены исследования фазового и элементного состава, структуры и ориентации пленок силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным светом ксеноновых ламп пленок Р^ Рс1, №, Т1, Мо на монокристаллическом, поликристаллическом и аморфном кремнии и при вакуумной конденсации Р^ Рс1, №, Тл, Мо на монокристаллический кремний.

2. Обнаружен эффект ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп в ускорении твердофазного синтеза силицидов металлов: на несколько порядков величины уменьшается время процесса взаимодиффузии, обеспечивающей образование концентрации компонентов, близкой к стехиометри-ческому составу интерметаллида; при соответствующих величинах плотности потока энергии образование конечной фазы силицида завершается за время 1-2 с. Высокие скорости процесса позволяют формировать конечные фазы силицидов благородных металлов (Р^ Р<1) при ИФО в атмосфере воздуха.

3. Установлено, что последовательность образования силицидных фаз при ИФО и конденсации в вакууме на подогреваемую подложку та же, что и при термическом отжиге пленок металлов, сконденсированных при комнатной температуре; определены пороговые значения плотности энергии для образования однофазных силицидов.

4. Для всех исследованных систем установлены возможность синтеза при ИФО однофазного силицида Рс1281, №812, И812(С54) и Мо812(Т)) и режимы их формирования. Сопоставление с соответствующим распределением элементов по толщине для термического отжига показывает, что во втором случае граница силицид - кремний менее четкая.

5. Установлено при ИФО на воздухе образование на поверхности силицида Р181 слоя БЮг без специальной обработки в кислороде за короткое время (длительность светового импульса 1,25 с) и отсутствие взаимодействия пленок на БЮг; это позволило формировать омические контакты и диоды Шоттки на основе Р181 по самосовмещенной технологии в одном процессе.

6. Начало образования силицидых фаз на поверхности (111)81 происходит при меньших Еи по сравнению с поверхностью (001)81; на монокристаллическом кремнии-при меньших Еи, чем на поликристаллическом 81.

7. Установлено, что зависимость удельного сопротивления пленок от дозы облучения имеет немонотонный характер, одинаковый для пленок на моно-81, а-81 и полить Хорошая корреляция Б^ с фазовым составом позволяет использовать ее при отработке оптимальных режимов формирования пленок силицидов. На примере системы - Рс1 показано, что процесс сили-цидообразования при ИФО может быть стимулирован предварительной ионной обработкой исходной гетероструктуры. Эффект достигается в результате перемешивания атомов кремния и металла.

8. Для систем 81 - Рё и 81 - Мо экспериментально обнаружен эффект ювенильной поверхности 81, проявляющийся в снижении температуры образования силицидов Рё281 и Мо812(Т) при конденсации металлов в вакууме.

9. Впервые исследованы закономерности сопряжения и дислокационная субструктура МГ в двухслойных пленочных системах Р1 - Аи, Р1 -Рс1, \¥ - Мо, Мо - Аи, 1г - Ые, Р1 - Яе, Мо - Яе. Показано частично когерентное (посредством дислокаций несоответствия) сопряжение во всех парах, кроме Мо - Яе (некогерентное сопряжение). Получено подтверждение положения о том, что повышение температуры подложки приводит к смене механизма вхождения дислокаций несоответствия в границу раздела пленок (скольжение переползание). В системах металл - металл с различным типом кристаллических решеток (Р1 - 11е, 1г - Ле) при высоких температурах основным механизмом вхождения ДН в межфазную границу является переползание дислокаций с общими для сопрягаемых решеток векторами Бюргерса.

10. Исследованы общие закономерности сопряжения кристаллических решеток и дислокационной субструктуры межфазных границ в различных системах подложка - конденсированная пленка: металлы на диэлектриках, металлы на металлах, силицид на кремнии. Показано, что для пар с большим размерным и(или) структурным несоответствием кристаллических решеток закономерные ориентационные соотношения между образующейся в результате конденсации (СаР2 - Рс1, Р^ Мо) или твердофазной реакции - силициды (Т1, Мо, Р1:) отвечают основным кристалло-геометрическим критериям: наиболее плотные решетки совпадающих узлов, непрерывность наиболее плотных плоскостей кристаллических решеток фаз через МГ, предпочтительность ориентаций с положительным несоответствием РСУ (деформация на растяжение). Установлено, что сопряжение на МГ (111) 81 - (111)№812, (111)81 - (010)Р181, (111)81 - (0001) Рс1281 частично когерентное.

Несоответствие на МГ в системах (111)81 - №812, (111)81 - Р181 устраняется ДН с вектором Бюргерса 1/2 < 11 0 > (в координатах решетки 81). МГ (111)81 - (00.1)Рс1281 образована гексагональной сеткой ДН смешанного типа с векторами Бюргерса 1/2 <1 То> в решетке 81 (1/4<2~Г.0> в координатах решетки Рс1281), лежащими в плоскости границы.

Сопряжение на МГ - Т1812 и 81 - МоБ12 некогерентное. Высокодисперсная (нанокристаллическая) субструктура силицидов Р1;, Рё, Мо и П обусловлена множественностью закономерных ориентаций и высокой скоростью процесса при ИФО.

Показано, что кристаллогеометрические критерии, базирующиеся на концепции решетки совпадающих узлов и граничных дислокаций, тео

238 рии О-решетки, применимы для прогнозирования оптимальных ориентационных соотношений и возможной дислокационной субструктуры межфазных границ в системах 81 - силицид металла, характеризующихся относительно большим размерным и структурным несоответствием кристаллических решеток сопрягающихся фаз; установлено, что основные ориентационные соотношения между кристаллическими решетками 81 и конечных фаз силицидов, образующихся при ИФО, термообработке пленок металлов на 81 и при конденсации металла на нагретую подложку, одинаковы.

3.3. Заключение и выводы

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Кущев, Сергей Борисович, 2000 год

1. A.c. 1228716 СССР, кл.21/268. Способ изготовления элементов металлизации / Н.Н.Тонких, В.П.Злобин, С.Б.Кущев и др. Заявлено 21.08.84; 0публ.3.01.86.

2. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. Структура и состав силицидов, образующихся при фотонном отжиге Pt на Si // ФХОМ.-1986.- №2.- С. 128-130.

3. Лейзерзон М.С. Синтетическая слюда. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1962. - 192 с.

4. Майсселл Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок (справочник).- М.: Советское радио, 1977.-Т.1.- 664 с.

5. Вассерман А.Л., Жильцов В.И., Мхитаров М.А. Установка импульсной термической обработки полупроводниковых пластин // МНТ.- Научно-технические достижения (ВИМИ).- 1985.- Вып.З.- С.39-42.

6. Хайбуллин И.Б., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы и нерешенные вопросы // Физика и техника полупроводников 1985.- Т.19.- В.4.- С.569-591.

7. Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г., Сигалов A.B. Применение ЭВМ для решения задач теплообмена.- М.: Высшая школа, 1990.- 208 с.

8. Турчак Л.И. Основы численных методов. М.: Наука, 1987.- 318 с.

9. Двойников A.C. Спектральные характеристики излучения трубчатых ксеноновых ламп // Обзоры по электронной технике. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы.- 1973.- В.11(154).-С.34-62.

10. Уонг X. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров. М.: Атомиздат, 1974.- 212 с.

11. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.- М.: Мир, 1973.- 456 с.

12. Делоне Н.Б. Взаимодействие лазерного излучения с веществом. М.:1. Наука, 1989.- 278 с.

13. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986.- 176 с.

14. Хирш П., Хови А., Николсон Р. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов.- М.: Мир, 1968.- 574 с.

15. Powder Diffraction File, Alphabetical Index Inorganic Compounds, 1977, JCPDS, Pensilvania 19081, U.S.A.

16. Бугаков A.B., Иевлев B.M. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК решеткой: границы (111)-(001) и (111)-(110) // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1994.- №12.-С.112-122.

17. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия,- 1979. - 408 с.

18. Гершинский А.Е. Ржанов А.В. Чернов Е.И. Образование пленок силицидов на кремнии // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982.- №2.- С. 1-12.

19. Достанко А.П., Киселевский Л.И., Грушецкий С.В. и др. Плазменная металлизация в вакууме. Минск: Наука и техника.- 1983. - 187 с.

20. Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Тонкопленосные силициды в микроэлектронике // Микроэлектроника. Т.Н.- Вып.2. - С.83-93.

21. Hiraki A., Nicolet М.А., Mayer J.W. Low-temperature migration of silicon in thin layers of gold and platinum. // Appl. Phis. Lett. -1971.- V. 18. №5.- P. 178-181.

22. Muta H., Shinoda D. Solid-solid reaction in Pt-Si systems. // J. Appl. Phis. -1972.- V.43. №6. - P.2913-2915.

23. Poate J.M., Tisone T.C. Kinetics and mechanism of platinum silicide formation on silicon. // Appl. Phis. Lett.- 1974.- V.24.- №8. P.391-393.

24. Sinha A.K., Marcus R.B., Sheng T.T. et al. Thermal stability of thin PtSi films on silicon substrates // J. Appl. Phis. 1972.- V.43. - №9. - P.3637-3643.

25. Kircher C.J. Metallurgical properties and electrical characteristics of palladium silicide-silicon contacts. // Solid State Electron.- 1971.- V.14.- №4.- P.507-513.

26. Buckley W.D., Moss S.C. Structure and electrical characteristics of epitaxial palladium silicide contacts on single crystal silicon and diffused p-n- diodes. // Solid State Electron 1972. - V.15. - P.1331-1337.

27. Fertig D.J., Robinson G.Y. A study of Pd2Si films on silicon using auger electron spectroscopy // Solid State Electron.- 1976.- V.19.- P.407-413.

28. Bower R.W., Scott R.E., Sigurd D. Formation kinetics and structure of Pd2Si films on Si. // Solid State Electron.- 1973.- V.16.- №2.- P. 1461-1471.

29. Hutchins G.A., Shepala A. The growth and transformation of Pd2Si on (111), (110) and (100) Si.// Thin Solid Films.- 1973. V.18.- №2.- P.343-363.

30. Olowolafe J.O., Nicolet M.A., Mayer J.W. Influence of the nature of the Si substrate on nicel silicide formed from thin ni films // Thin Solid Films. 1976. -V.38.- №2.- P.143-150.

31. Tu K.N., Chu W.K., Mayer J.W. Structure and growth kinetics of Ni2Si on silicon // Thin Solid Films.- 1975. V.25.- №2.- P.403-413.

32. Koos V., Neumnn H.G. Stresses in the nickel silicide formation // Phys. Stat. Solidi. 1975.- V.A29.- P.K115-K116.

33. Tu K.N., Alessandrini E.I., Chu W.K., et al. A study of thin films nickel silicides formation// Jap. Joun. Appl. Phys., Suppl. 1974. - V2.- Pt.l. - P. 669-776.

34. Chen L.J., Mayer T.W. In-situ annealing of metal thin films on silicon // Proc. 39 Annu. Meet. Electron. Microsc. Amer. Altenta, Ga, Ang. 10-14, 1981. -P.164-165.

35. Hsy C.C., You-Xiang, Shi-Duan Yin. Formation of silicides in the Ti, Ti(Ox) /Si(lll), and Ti/Si02/Si(lll) systems // J.Vac.Sci. Technol. 1987. - V.A5 (4).-P. 1402-1406.

36. Kato H., Nakamura Y. Solid state reactions in titanum films on silicon // Thin Solid Films.- 1976. V.34.- №1.- P. 135-138.

37. Bower R.W., Mayer J.W. Growth kinetics obserred in the formation of metal silicides on silicon // Appl. Phis. Lett.- 1972. V.20. - №9.- P.359-361.

38. Van Houtum Y.I.W., Roaijmakers I.J.M.M., Menti№g T.J.M. Influence of grain size on the transformation temperature of C49 TiSi2 to C54 TiSi2// J. Appl. Phys. -1987.- V.61(8).- №15.- P.3116-3118.

39. Kittl J.A., Prinslow D.A., Apte P.P. et al. Kinetics and nucleation model of the C49-54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films on deep-sub-micron N+ type polycrystalline silicon lines // Appl. Phis. Lett.- 1995.- V.67(16).- №16.- P.546-549.

40. Guivarch A., Auvray P., Berthou L. et al. Reaction kinetics of molybdenum thin films on silicon (111) surface. // J. Appl. Phys. 1978. - V.49. - №1. - P.233-237.

41. Lau S.S., Feng J.S.-Y., Olowolafe J.O., Nicolet M.-A. Jron silicide thin film formation at low temperatures // Thin Solid Films.- 1975. V.25.-№2.- P.415-422.

42. Baeri P., Grimaldi M.G., Rimini E. Gelotti G. Pulsed laser irradiation of №ikel films on silicon // Journal de physique. 1983. - V.44.- P. 449-454.

43. Shibata T., Gibbons J.E., Sigmon T.N. Silicide formation using a scanning CW laser beam // Appl. Phys. Lett. 1980.- V.38. - №7. - P. 566-569.

44. Lee H.S., Wolga G.J. Growth kinetics of Mo, W, Ti and Co silicides formed by Infrared laser heatin // J. Electrochem. Soc. 1990.- V.137.- №2.- P 684-690.

45. Shibata T., Sigmon T.N., Gibbons J.E., Regoline J.L. Siliside formation using a scanning CW laser beam // J. Electrochem. Soc. 1981.- V.128. - №5. -P.637-652.

46. Ishiwara H., Yamamoto H. Epitaxial growth of Pd2Si films on Si(l 11) substrates by scanning electron-beam annealing // Appl. Phys. Lett. 1982.- V.41. - №8. -P.718-721.

47. Harper R.E., Maydell-Ondrusz, Wilson I.H. et al. Epitaxial nickel disilicide formation by electron beam annealing // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1984.- V.25.-P.105-110.

48. DyAnna E., Leggieri G., Luches A. Et al. Pulsed annealing of silicon / platinum systems. //Journal de physique. 1983.- V.44.- №10.-P.C5-421- C5-425.

49. Tsaur K.Y., Lian Z.L., Mayer J.W. Ion-beam-induced silicide formation // Appl. Phys. Lett. 1979.- V.34. - №2. - P. 168-170.

50. Chen L.J., Hung L.S., Mauer J.W. et al. Epitaxial NiSi2 formation by pulsed ion beam anneling // Appl. Phys. Lett. 1982.- V.40.- №7.- P.595-597.

51. Zhu D.H., Liu B.X. Formation of Ti silicides by metal-vapor vacuum arc ion source implantation// J. Appl. Phys. 1995. - V.77 (12). - №15. - P6257-6262.

52. Van der Spiegel J., Wie C.S. Fast radiative processing of processing of platinum silicide // J. Appl. Phys. 1985.- V.57.- №2.- P.607-609.

53. Borisenko V.E., Zarovskii D.I., Tokarev V.V. Influence of argon implantation on the formation of platinum silicides // Phys. Stat. Sol. (a). 1988.- V.107.-№1.- P.K33-K35.

54. Levy D., Grob A. , Grob J.J., Ponpon J.P. Formation of palladium silicide by rapid thermal annealing // Appl. Phys. 1984.- V.A35.- №3.- P.141-144.

55. Nylandsted Larsen A., Chevallier J., Sorensen. Growth of nickel silicides on silicon by short duration incoherent light exposure // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1984.- V.23.- P.727-732.

56. Saiton S., Ishiwara H., Asano T. et al. Single cristalline silicide formation // Japanese Journal of applied physics. 1981.- V.20.- №9. - P. 1649-1656.

57. Wei C.S., Van der Spiegel J., Santiago J.J. Growth kinetics of palladium sillicides formed by rapid thermal anneling // Solid State Science and technology. -1988.- №2. P.446-451.

58. Levy D., Ponpon J.P., Grob A. Et al. Rapid thermal annealing and titanium silicide formation // Appl. Phys. 1985.- V.A38. - P.23-29.

59. Ponpon J. P., Saulnier A. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing. // Semicond. Sci. Technol. 1989. -V.4. - P.526-528.

60. Drobec J., Sun R.C., Tisone T.C. Interdiffusion and compound formation in thin films of Pd of Pt on Si single crystals // Phys. Stat. Sol. 1971. - V.8. - №1. -P.243-248.

61. A Nderso R., Barlin J., Dempscy J. Et al. nucleation -controlled thin film interactions some silicides // Appl. Phys. Lett. 1979. - V.35. - №3. - P.285-287.

62. Canali C., Majni G., Morten B. et al. Interazion silicio-film metallici e loro importannsa nella technologia dei dispositivi elettronici //Alta Frequensa. 1977. -V.XLVI. - №1. - P. 12-24.

63. Fomin B.J., Gershinskii A.E., Cherepov E.I. et al. Investigations of phase groth kinetics in the system of Si singel crystals and thin films // Phys. Stat. Sol. (a). -1976. V.36. - №1. - P.K89-K91.

64. Tu K.N. Selective grouth of metal-rich silicide of near-noble metals // Appl. Phys. Lett. 1975. - V.27. - №4. - P.221-224.

65. Walser R.M. Bene R.W. First phase nucleation in silicon transition metal planar interfaces // Appl. Phys. Lett. 1976. - V.28. - №10. - P.624-625.

66. Krakov W. Analysis of high resolution electron microscope image of the Pd2Si -Si interfaces // Thin Solid Films. 1982. - Y.93. - №1-2.- P.109-125.

67. Foil H. Lattice imaging of silicide silicon interfaces and interpretation of interfacial defects // Phys. Stat. Sol. (a). - 1982. - V.69. - №2. - P.779-789.

68. Canali C., Catellani C., Prudenziati M. et al. Pt2Si and PtSi formation with high-purity Pt thin films // Appl. Phys. Lett. 1977. - V.31. - № 1. - P.43-46.

69. Canali C., Catellani C., Ottaviani J. et al. On the formation of Ni and Pt silicide final phase : the dominant role of reaction kinetics // Appl. Phys. Lett. 1978. -V.33. - №1. - P.15-19.

70. Walser R.M., Bene R.W. Solid phase reactions transition metal-silicon interfaces // Phys. Semicond. Proc.13 -th Int. Conf. Rome. 1976 .- P.722-725.

71. Bindell J.B., Colby J.W., Wonsidler D.R., Poate J.M., Conley D.K., Tisone T.C. An analytical study of platinum silicide formation // Thin Solid Films. 1976. -V. 37.-P.441-452.

72. Васильев C.B., Герасименко H.H. Поведение примеси в процессе формирования силицидов металлов // Поверхность. Физика, химия, механика. -1986.-№7.- С. 57-62.

73. Lecours A., Meunier M. Pisson M. Defining micron -Scale platinum contacts on hydrogenated amorphous silicon // J. Vac. Sei. and Technol. 1990.- №1. -P.109-116.

74. Murarka S.P. Dopant redistribution in silicide -silicon and silicud poly-crystalline silicon bilayered structures // J. Vac. Sei. Technol. - 1987.- V.B5(6). -P.1674-1688.

75. Лабунов B.A., Борисенко B.E., Заровский Д.И. и др. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур. // ЗЭТ 1985. -№8.(291).-С.27-53.

76. Kanayama T., Tanoue H., Tsurushina Т. Niobium silicide formation induced by Ar-ion bombardement // Appl. Phys. Lett. 1979.- V.35.- №3. - P.222-224.

77. Padmanabhan K.R., Sorensen G. A Novel technique for metall silicide formation // J. Vac.Sci. Technol. -1981. V.18 (2). - P.231-235.

78. Tu K.N. Formation of Pd2Si by incoherent light annealing // J. Appl. Phys. -1984. V.A35.- №3. - P.141-144.

79. Иевлев B.M., Кущев С.Б., Тонких H.H. и др. Применение импульсной термической обработки в технологии изготовления интегральных схем // ЭП.1986.-№1(Т).- С.32-35.

80. Кущев С.Б., Злобин В.П. Структура и фазовый состав пленок Si Ni, полученных при вакуумной конденсации // Свойства нитевидных кристаллов и тонких пленок: Сб. науч. тр. Воронеж: ВПИ, 1986. - С.77-79.

81. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П., Бурова С.В. Влияние импульсного фотонного отжига и ионного облучения на фазовый состав и структуру пленок Ti на Si // Всесоюз. конф. "Ионно-лучевая модификация материалов": Тез.док.-М., 1987. С. 252.

82. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. и др. Корреляция данных электронной микроскопии и Оже-спектроскопии в анализе фазового состава силицидов Pt и Pd // Всесоюз. науч. конф. по электронной микроскопии: Тез.док.- М,1987.- Т.1.-С. 208-210.

83. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. и др. Получение силицидов палладия с помощью импульсного фотонного отжига // ЭП.- №2(Т) (33). 1987. - С. 65-69.

84. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Тонких H.H. Применение импульсного фотонного отжига в технологии изготовления СБИС // Специальная электроника. -Сер.З, Микроэлектроника, 1987.- Вып.2 (51).- С.56-61.

85. Бурова С.В., Злобин В.П., Иевлев В.М. и др. Формирование силицидов титана методом импульсного фотонного отжига // ЭП(Т).- 1988.- №2.- С.34-37.

86. Кущев С.Б., Исаев А.Ю., Злобин В.П. Структура, фазовый состав и ориентация пленок, полученных при вакуумной конденсации Pd на (111) Si // Сб. Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Воронеж, ВПИ. -1990. С.28-30.

87. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Сивак В.М. Импульсная фотонная обработка пленок платины на поликристаллическом кремнии // ЭП.- 1990.- №9.- С.66-68.

88. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Огнев A.C. и др. Эффект ювенильной поверхности кремния в формировании пленок дисилицида молибдена // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1990.- №2.- С. 147-150.

89. Егоров В.В., Злобин В.П., Иевлев В.М. и др. Метод импульсного фотонного отжига в технологии изготовления интегральных схем с диэлектрической изоляцией // ЭЛ.- 1989.-№9.- С.2-5.

90. A.c. 1651695 СССР, Способ приготовления полупроводниковых приборов / В.М.Сивак, В.П.Злобин, С.Б.Кущев и др. Заявлено 29.04.89; Опубл. 22.01.91.

91. Кущев С.Б., Сивак В.М., Рубцов В.И. Фазовые и структурные изменения в пленках Pd, нанесенных на a-Si, при импульсной фотонной обработке // Тонкие пленки и нетивидные кристаллы: Сб. науч. тр. Воронеж, 1993.- С.12-17.

92. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Бурова C.B. Формирование различными методами силицидов Ti на поли-Si // ЭГТ.- 1994.- №6.- С.31- 34.

93. Иевлев В.М., Кущев С.Б. Исследование возможности формирования силицидов при ИФО пленок Pt на a-Si // Физика и технология материалов и изделий электронной техники: Межвуз. сб. тр. Воронеж, 1994,- С.52-55.

94. Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г. Белоногов Е.К. Образование силицидов молибдена при вакуумной конденсации металла на кремнии // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение,- Воронеж, 1997. Вып.1.2.- С.33-35.

95. Иевлев В.М., Кущев С.Б. Формирование пленок силицидов металлов методом импульсной фотонной обработки // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение." Воронеж, 1997.- Вып.1.2.- С.8-13.

96. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Рубцов В.И. и др. Состав и структура силицидов образующихся при импульсной фотонной обработке пленок титана на монокристаллическом и аморфном кремнии // ФХОМ.- 1997.- №4.- С.62-67.

97. Поут Дж., Мейер Дж. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакция. -М.: Мир, 1982. 575 с.

98. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия: Пер. с англ. Р.Бургера, Р. Донована. -М.: Мир, 1982. 576 с.

99. Silversmith D. J., Rathman D.D., Mountain R.V. Growth of thin films of refractory silicides on Si(100) in ultrahigh vacuum // Thin Sol. Films. 1982. - V.93. -№3-4. -P.413-418.

100. Berti M., Drigo A.V., Cohen C. Et al. Titanium silicide formation effect of oxygen distribution in the metal film // J. Appl. Phys. 1984. - V.55. - P.3558-3565.

101. Борисенко B.E., Заровский Д.И., Лесникова В.П. Структурные и фазовые превращения в поверхностных слоях платины на кремнии при секундной термообработке // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. - №4. - С.96-100.

102. Bota A., Kritzinger S. Self-diffusion of silicon in thin films of Co, Ni, Pd, Pt silicides // Thin Solid Films 1986. - V.86.- P.41-51.

103. Koster V., Tu K.N., Ho P.S. Effects of substrate temperature on the microstructure of thin films silicides // Appl. Phys. Lett. 1977.- V.31. - №9. - P.634-636.

104. Chin-An Chang, Cunningham В., Segmuller A. PtSi contact metallurgy using electro№ beam evaporated Pt films and different annealing processes // J. Of Vac. Sci. and Technol. - 1986. - V.4. - №3. - P.745-754.

105. Allmen H., Wittmer H. Dynamics of laser-induced formation of paladium silicide //Appl. Phys. Lett. 1979. - V.34.- №1. - P.68-70.

106. Okada S. Oura K., Hanawa T. Et al. A LEED-AES study of thin Pd films on Si (111) and (100) substrates // Surf. Sci. 1980. - V.89. - P.88-100.

107. Михайленко Я.И. Курс общей и теоретической химии. М.: Высшаяшкола, 1966. 663 с.

108. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. Формирование пленок силицидов палладия методом облучения // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом: Матер. VIII Всесоюзная конф. М.,1987.- С.279.

109. Ishiwara Н., Hikosaka К., Furukawa S. Chaneling and backscattering studies of the crystalline perfection and the thermal stability of epitaxial PtSi films on Si // J. Appl. Phys. 1979. - V.50. - №8. - P.5302-5306.

110. Schleich В., Schmeisser D., Gupel E. Structure and reactivity of the system Si/Si02/Pd: A combined XPS, UPS and HREELS study // Surface Sci. 1987. -V.191. - №3. - P.367-384.

111. Барабаш O.M., Коваль Ю. H. Структура и свойства металлов и сплавов. Киев.: Наумова думка, 1986. 598 с.

112. Хансен М., Андерко К. Структура двойных сплавов: В 2-х Т. -М.:Металлургиздат, 1962. 1488 с.

113. Горелик С.С., Расторгуев JI.H., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электроннооптический анализ (приложения). М.: «Металлургия»., 1970. 108 с.

114. Harith М.А., Zhang J.P., Campisano S.U. et al. Kinetics of Ni2Si growth from pure Ni and Ni (V) films oN (111) aNd (100) Si // Appl. Phys. 1987. - V.A42. - P.35-39.

115. Scott D. M., Nicolet M.-A. Modification of nickel silicide formation by oxygen implantation // Nucl. Instrum. And Meth. 1981.- V. 182/183. - Part 2.- P.655-660.

116. Павлов П.В., Питеримова E.A. Исследование состава приповерхностных слоев антимоднида индия, подвергутых ионной бомбордировке // Поверхность. 1986. - №5.- С. 144-148.

117. Murarka S.P., Fraser D.B. Thin film interaction between titanium and polycrystalline silicon // J. Appl. Phys. 1980. - V.51.- P.342-348.

118. Nipoti R., Armigliato A. On the epitaxial relationships of TiSi2 on silico№ //Jap.J.Appl.Phys. 1985. -V.24.-№11.- P.1421-1424.

119. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Пер.с англ.Р.Бургера, Р.Донована -М.:Мир, 1969.- 452 с.

120. Belyavsky V.I., Kapustin Yu.A., Sviridov V.V. Electron Stimulated defect reactions in silicon under pulsed photon treatment // DDF.-1993.- V.103 105.-P.265-272.

121. Твердохлебова Л.Я. Твердофазные взаимодействия в гетерогенных структурах Me Si02, Me - Si02 -Si (Me - Al, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Mo, Pd, Au,; Pd-IN, Al-Cu-Si)// Автореферат дис. канд. хим. наук. Воронеж, 1986. - 226 с.

122. Reader A.N., Raaijmakers I.J., Houtum H.J. Stacking faults and precipitates in annealing and cosputtered C49 TiSi2 films // Inst.Phys. Conf. Ser. 1987.- №87. №7. - P.523-528.

123. Osburn C.M., Brat t., Sharma D. Et al. The effects of titanium silicide formation on dopant redistribution. // J. Electrochem. Soc. 1988. - V. 133. - №6. -P.1490-1540.

124. Гладышевский Е.И. Кристаллохимия силицидов и германидов. -М.: Металлургия, 1971, -296 с.

125. Chow Т.Р., Steckl A.J., Brown D.H. The effect of anneling on the properties of silicidized molibdenum thin films // J. Appl. Phys. 1981. V.52. №10. - P.6331-6336.

126. Nava F., Majni G., Cantoni P. Et al. Impurity effects molybdenum silicide formation // Thin Solid films. 1982.- V.94. №1.- P.59-65.

127. Torres J., Perio A., Pantel R. et al. Growth of thin films of refractory sili-cides on Si(100) in ultrahigh vacuum // Thin Solid films.- 1985.- V.126.- P.233-239.

128. Косевич B.M., Клименко B.H. и др Поверхность роста как генератор вакансий в условиях вакуумной конденсации // В сб. Рост кристаллов.- 1991. -Т. 19. С.22-39.

129. Suryanarayana С., Anantharaman T.R. On the crystal structure of a non-equilibrium phase in the gold-silicon system. // Mat. Scien. Eng. 1974. - V.13. -P.73-81.

130. Gaigher H. L., Vah Der Berg The structure of gold silicide in thin Au/si films // Thin Sol. Films.- 1980. V.68. - P.373-379.

131. Капустин Ю.А., Матвеев И.В., Минеев В.В. Природа дефектообразо-вания при локальном введении золота в кремниевые структуры. // ЭТ. Сер.З. Микроэлектроника. 1983. - Вып.4. - С.29-36.

132. Маркевич М.И., Чапланов A.M. О возможности закалки пленок алюминия при лазерной обработке // ФММ. 1985. - Т.60. - №2. - С.21-25.

133. Маркевич М.И., Розин С.Г., Чапланов A.M. О закалочных явлениях в пленках никеля // Изв. АН СССР. Сер. Металлы. 1986. - №1.- С. 149-152.

134. Маркевич М.И., Розин С.Г., Точицкий Э.И., Чапланов A.M. Расче миграции вакансий в тонких пленках никеля при их неравновесной концентрации // Металлофизика. 1985. - Т.5. - Т. 13. - С. 109-111.

135. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981.- 368 с.

136. Белявский В.И., Капустин Ю.А., Свиридов В.В. Подпороговое дефек-тоообразование при мощной импульсной обработки кремния // ФТП. 1991. -Т.25. - Вып.7. - С. 1204-1208.

137. Капустин Ю.А., Колокольников Б.М., Свешников А.А. Фотостиму-лированная диффузия золота при импульсной фотонной обработке // ФТП. -1990. Т.24. - №2. - С.318-322.

138. Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Балашова В.Ю., Белоногов Е.К. Образование силицида TiSi2 при вакуумной конденсации металла на кремнии //Вестник ВГТУ Сер. Материаловедение.- Воронеж,1996. Вып.1.1. - С.155-157

139. Золотухин И. В., Иевлев В.М., Кущев С.Б., Туркин В.Ф. Ориентационные соотношения, наблюдаемые при вакуумной конденсации молибдена на фторфлогопите // ФММ. 1977. - Т.43. - Вып.2. - С. 199-204.

140. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Комбаров В.В. Электронно-микроскопическое исследование закономерностей ориентированной кристаллизации пленок Мо на флуорите // Известия АН СССР Сер. Физическая. 1980. -Т.44. - №6. - С.1253-1256.

141. Иевлев В.М., Кущев С.Б. Дифракция электронов на сетках зерногра-ничных и межфазных дислокаций // ФММ. 1979. - Т.47. - Вып.5. - С.1102-1104.

142. Иевлев В.М., Бугаков A.B., Кущев С.Б. Зависимость критической толщины псевдоморфного роста пленки от размеров подложки // ФММ. 1979. -Т.48. - Вып.5. -С.1101-1103.

143. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Комбаров В.В. Структура межфазной границы в двухслойных эпитаксиальных пленках W-Mo // ФММ. 1980. - Т.50. -Вып.З. - С.635-638.

144. Иевлев В.М., Кущев С.Б. Закономерности формирования межфазных границ двухслойных эпитаксиальных пленок металлов в области высоких температур конденсации // Известия АН СССР Сер. Физическая. 1980. - Т.44. -№10. - С.2179-2182.

145. Кущев С.Б. Закономерности ориентированного роста и структура пленок Au, Pt, Pd, Mo и W при вакуумной конденсации в области высоких температур// Автореферат дис кан.физ.-мат.наук. Воронеж, 1981. С1-21.

146. Ievlev V.M., Solovjev K.S., Kushev S.B., Horsewell A. Interface boundary structure during the growth of gould films on platinnum at high temperature // Philosofical Magazine A. 1982. - №.45. - №4. - P.647-656.

147. Кущев С.Б., Огнев A.C., Свиридов Д.А. Структура эпитаксиальных межфазных границ (001)W-Mo, формирующихся в интервале температур 13001600 К // Сб. Физико-химические основы надежности микроэлектронных структур: Сб. науч. тр. Воронеж: ВПИ, 1987. С.31-32.

148. Иевлев В.М., Тураева T.JL, Кущев С.Б. Вращение островков Au на поверхности Pt (001) // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. - №4. С.48-52.

149. Иевлев В.М., Огнев A.C., Кущев С.Б. Дислокационная структура межфазных границ двухслойных пленок (lll)Pt (0001)Re // ФММ. - 1988. -Т.65. - Вып.5. - С.1021-1023.

150. Иевлев В.М., Огнев A.C., Кущев С.Б., Свиридов Д.А. Структура двойных пленочных систем Mo-Re и Re-Mo // ФММ.- 1990. №2. - С.114-120.

151. Иевлев В.М., Бугаков A.B., Огнев A.C., Кущев С.Б. Закономерности ориентированной кристаллизации Re на поверхности (001) Ir // ФММ. 1997. -Т.8. - №6. - С.132-136.

152. Bollman W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces. Berlin, Springer Verlag. - 1970. - 244p.

153. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич M.C. Механизмы образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. - 320 с.

154. Косевич В.М., Иевлев В.М., Палатник JI.C., Федоренко А.И. Структура межкристаллитных и межфазных границ. М.: Металлургия, 1980. - 256 с.

155. Иевлев В.М, Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1988. - 326с.

156. Иевлев В.М., Бугаков A.B. Ориентированная кристаллизация пленок. Воронеж. ВГТУ., 1998. - 216 с.

157. Kikuchi M. Study of crystal structures of transition metal carbide films // Bull.Tokyo Inst. Technol. 1966. - №76. - P. 127-130.

158. Sells C., Coppens R. Sur la structure des films de tungstene prepares par pulverisation triode a basse pression of faible energie // C. r. Acad. sei. 1967. -V.265. - №7. - P.B410-B413.

159. O'Nest J.E., Wyalt R.L. Epitaxy of vanadium on sapphire. // Thin Solid Films. 1971.- V.2. №1.- P.l-6.

160. O'Nest J.E., Rath B.B. Crystallography of epitaxially grown molybdenum on sapphire // Thin Solid Films. 1974. - V.23. - №3. - P.363-380.

161. Ino S. Epitaxial growth of metals on roeksalt faces cleaved in vacuum // J.Phys. Soc. Jap. 1966. V.21. - №2. - P.346-362.

162. Mihama K., Yasuia Y. Initial stage of epitaxial growth of evaporated gold films on sodium chloride // J.Phys. Soc. Jep. 1966. - V.21. - №6. - P. 1166-1176.

163. Палатник Л.И., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки // M. Наука, 1971.-480 с.

164. Иевлев В.М., Бугаков А.В. Межфазные границы совпадения в системе золото-кремний // ФТТ. 1977. - Т. 19. - №10. - С.3128-3130.

165. Иевлев В.М., Постников B.C., Иванов В.И. Специальные высокоугловые границы в пленках золота на кремнии // ФММ. 1977. - Т.43. - №6. -С.1323-1325.

166. Мэтьюз Д.У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме//В кн. Физика тонких пленок. TTV М.: Мир, 1970.- С. 167 - 227.

167. Иевлев В.М., Соловьев К.С. Дислокации несоответствия на границах раздела эпитаксиальных слоев различных ориентаций. // В сб.: Вопросы физики твердого тела. В.4.- Воронеж: ВПИ, 1975.- С. 167-186.

168. Fedorenko A.I., Vincent R The epitaxial growth of cobalt on copper // Phil. Mag. 1971. - T.24. - P.55-62.

169. Иевлев В.M, Иевлев В.П., Бугаков А.В. Структура эпитаксиальных межфазных границ золото-железо // В кн.: Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Ч.2.- Воронеж: ВПИ, 1975. С.27-31.

170. Yagi К., Takayanagi К., Koboyashi К., Honjo G. In situ electron microscope studies on epitaxial growth of thin metal films on metal substrates // Thin. Sol.

171. Films. 1976. - V.32. - P.185-190.

172. Matthews J.W., Crawford J.L. Accomodation of misfit between single-crystal films of nickel and copper // Thin Solid Films. 1970. - V.5. - P.187-198.

173. Nemoto M., Ohgaki T., Ohmiya S., Echigoya J. Behavior of interfacial dislocations in bicrystals of epitaxially grown gold on (001) iron substrates // Trans. Jap. Inst. Metals. - 1977. - V.18. - P.322-330.

174. Стенин С.И., Асеев A.JI. В кн. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники //- Новосибирск: Наука, 1977. С.84-106.

175. Takayanagi К., Kobayashi К., Yagi К., Honjo G. Heteroepitaxy of chal-cogenite cnompounds. I. Misfit dislocation formation in monolayer overgrowths // Thin. Solid Films. 1974. - V.21. - P.325-339.

176. Yagi K., Takayanagi K., Matsushita Y., Honjo G. Monolayer overgrowths heteroepitaxy of chalcogenite compounds with NaCl and distorted NaCl-structures // J. Cryst. Growth. - 1974. - V.24/25. - P.307-312.

177. Yagi K., Matsushita Y., Takayanagi K., Honjo G. Heteroepitaxy of chalcogenite compounds. II. Monolayer overgrowth process accompanied by lattice transformation // Thin. Solid Films. 1975. - V.28. - P.219-235.

178. Чистяков Ю.Д. Механизм процесса ориентированного нарастания кристаллических веществ (эпитаксия) // В кн. Рост кристаллов.- М.: Наука, 1968. -T.VIII.-С.258-263.

179. Болыиов Л. А., Накартович А.П., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Суб-монослойные пленки на поверхности металлов // УФН.- 1977.- Т.122.-С.125-158.

180. Медведев В.К., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Влияние взаимодействия адсорбированных атомов через подложку на структуру образуемых ими двумерных кристаллов // В кн.: Рост кристаллов- М.: Наука, 1980.- Т. 13.- С.96-104.

181. Rauer Е., Poppa Н. Recent advances in epitaxy // Thin Solid Films. -1972. V12. - №.1. - P.167-185.

182. Matthews J.W. Accomodation of misfit between single-crystal films of b-cobalt and copper // Thin Sol. Films. 1970. - V.5. - P. 369-378.

183. Херрман Г., Гляйтер Г., Бэро Г. Исследование границ зерен малой энергии в металлах методом спекания // Атомная структура межзеренных границ / Под ред. А.Н. Орлова М.: Мир, 1978. - С. 180-197.

184. Mykura Н. Grain boundary energy and the rotation and translation of Cu spheres during sintering onto a substrate // Acta Met. 1979. - v.27. - № 3. - P. 243-249.

185. Takayanagi K., Yagi K., Honjo G. Roles of lattice fitting in epitaxy // Thin Solid Films. 1978. - V.48. - № 2. - P. 137-152.

186. Bruce L.A., Jaeger H. Geometric factors in f.c.c. and b.c.c. metal-on-metal epitaxy. Part I. Deposits of Cu and Ni on (001)Ag // Phill.Mag. 1977. - V.36. -№6.-P. 1331-1354.

187. Bruce L.A., Jaeger H. Geometric factors in f.c.c. and b.c.c. metal-on-metal epitaxy. Part II. Deposits of Cu and Ni, Cu, Au and Ag on (001) W // Phill.Mag.A. -1978. V.37. - № 3. - P. 337-354.

188. Bruce L.A., Jaeger H. Geometric factors in f.c.c. and b.c.c. metal-on-metal epitaxy. Part III. The alignments of (111) f.c.c. (110) b.c.c. epitaxed metal pair // Phill.Mag. - 1978. - V.38. - № 2. - P. 225-240.

189. Bruce L.A., Jaeger H. Geometric factors in f.c.c. and b.c.c. metal-on-metal epitaxy. Part IV. Deposits of Rh, Ir, Pd and Pt on (001)W and (001) Mo // Phill.Mag.A. 1979. - V.40. - № 1. - P. 97-109.

190. Echigoya J., Nemoto M., Suto H. Factors determining the orientation rela-tionnships between iron deposits and (111) f.c.c. substrates // Trans. JIM. 1980. -V.21. -№ 2. -P .99-103.

191. Иевлев В.П. Ориентация, структура и субструктура двухслойных металлических пленок ( системы Au Ni, Au - Fe, Au - Fe, Ni - Cr, Au - Co) Автореферат дис. канд.физ.-мат.наук. Воронеж, 1997.- С. 16.

192. Исаев А.Ю. Рост и структура барьерных слоев MgO и YSZ для ориентированных пленок ВТСП: Автореферат дис. канд.физ.-мат.наук. Воронеж, 1999.- С.16.

193. Иевлев В.М., Бугаков А.В., Соловьев К.С. Зависимость критической толщины введения дислокаций несоответствия от ориентации межфазной границы // ФТТ.-1976. Т. 18.- Вып. 1. - С.76-80.

194. Благородные металлы. Спр. Изд./ Под ред. Е.М. Савицкого Металлургия., 1984.- 592 с.

195. Matthews J.W. Accomodation of misfit scross the interface between single-crystal films of various face-centred cubic metals // Phil. Mag. 1966. - V. 13. -№o 126.-P. 1207-1221.

196. Harting K., Janssen A.P., Venables J.A. Nnucleation and growth in the system Ag/Mo(100): A comparison of UHV, SEM and AES/LEED observations // Surface Science. 1978. - V.74.-№ol.- P. 69-78.

197. Bauer E., Poppa H., Todd et al. The adsorption and early stages of condensation of Ag and Au on W single-crystal surfaces // J.Appl. Phys. 1977. - V.48. -№o9. - P. 3773-3787.

198. Gruzza В., Gillet E. Condensation and early stages of gold growth on Mo (110) surfaces // Thin Solid Films. 1980. - V.68. - №o2. - P. 345-355.

199. Огнев A.C. Структура двухслойных пленочных систем на основе тугоплавких металлов (Re, Мо, W, Ir, Pt, Pd)// Автореферат дис. канд.физ.-мат.наук. Воронеж, 1998.- С. 163.

200. Золотаревский B.C. Механические свойства металлов // М.: Металлургия, 1983.-352 с.

201. Предводителев А.А. Троицкий О.А. Дислокации и точечные дефекты в гексагональных металлах. М.: Атомиздат, 1973. - 200 с.

202. Савицкий Е.М., Тылкина М.А., Левин A.M. Сплавы рения в электронике. M.: Энергия, 1980.- 216 с.

203. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Иевлев В.П. Фазовый размерный эффект в эпитаксиальных пленках никеля // Известия АН СССР. Сер. Физ. 1984. - Т.48. -№9. - С.1725-1728.

204. Иевлев В.М., Бугаков A.B., Бармина Н.В. Применение теории О решетки к анализу ориентационных соотношений на межфазной границе подложка - пленка // Поверхность. 1984. - №5. - С.21-28.

205. Балашова В.Ю., Иевлев В.М., Кущев С.Б. и др. Субструктура межфазных границ кремний силицид металла // XVII Рос. Конф. по электронной микроскопии "ЭМ'98": Тез.док. -Черноголовка, 1998. -С.77-78.

206. Электронно-микроскопические исследования структуры и ориентации систем металлизации кремния // Отчет, №ГР018300101326 Воронеж, 1983 -С.38-62.

207. Балашова В.Ю., Кущев С.Б. Ориентационные и субструктурные изменения при термообработке пленок Pd2Si // Вестник ВГТУ. 1998. - Вып. 1.3. -С. 70-73.

208. Палатник Л.С., Папиров И.И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964. - 408 с.

209. Иевлев В.М., Бугаков A.B. Ориентированная кристаллизация пленок: Уч. пособие. Воронеж: ВГТУ, 1998. - 216 с.

210. Бугаков A.B. Энергия, релаксированная структура и субструктура межфазных границ в пленочных металлических системах // Автореферат дис.д-ра физ.-мат. наук. Воронеж, 1996.- С. 295259

211. Орлов А.Н., Первезенцев В.Н., Рыбин В.В. Границы зерен в металлах. М.: Металлургия, 1980. - 154 с.

212. Wu I.C, Chu J.J., Chen L.J. Local epitaxy of TiSi2 on (11 l)Si: Effects due to rapid thermal annealing and to the annealing atmosphere. // J. Appl. Phys. 1986. V.60(9).-P.3172-3175.

213. Выражаю глубокую благодарность моему учителю член-корреспонденту Академии Наук Российской Федерации, д.ф.-м.н. профессору Иевлеву Валентину Михайловичу, за помощь и внимание которые я ощущаю в течение четверти века.