Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Анисимов, Василий Геннадьевич

• Анисимов, Василий Геннадьевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Анисимов, Василий Геннадьевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 Современное состояние исследований дефектов упаковки (обзор литературы)

1.1 Основные параметры, физические свойства, получение и применение кремния.

1.2 Плоскостные дефекты в монокристаллах с решёткой алмаза.

1.3 Прямые методы обнаружения и исследования дефектов структуры (селективного травления, декорирования, электронной просвечивающей микроскопии, ИК-микроскопии, рентгеновской топографии).

1.4 Динамическая теория рассеяния рентгеновских лучей - основа рентгенотопографических методов.

1.5 Контраст интенсивности от плоскостных дефектов.

1.6 Рентгенотопографические изображения дефектов упаковки. Проблемы теории дифракционного контраста.

1.7 Выводы и постановка задач диссертационного исследования.

Глава 2 Аппаратура и методики эксперимента.

2.1 Аппаратура и камеры для рентгенотопографического анализа дефектов в

2.2 Розеточная методика исследования дефектов структуры в

2.3 Приготовление и контроль качества поверхности образцов.

2.4 Определение природы ДУ в случае сферической волны.

2.5 Определение природы ДУ в случае плоской волны.

2.6 Выводы.

Глава 3 Теоретические модели дефектов упаковки в монокристаллах с решёткой алмаза

3.1 Теоретические модели простых ростовых дефектов упаковки в монокристаллах 3.2 Теоретические модели сложных ростовых дефектов упаковки в монокристаллах 81.

3.3 Модель тетраэдрического ДУ типа внедрения.

3.3 Выводы.

Глава 4 Компьютерное моделирование бормановского контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций в монокристаллах кремния.

4.1 Расчет контраста интенсивности от дефектов кристалла с медленно изменяющимися полями деформации.

4.2 Расчет контраста интенсивности от частичной 30-градусной дислокации Шокли.

4.3 Расчет контраста интенсивности от частичных краевых дислокаций Шокли и Франка.

4.4 Расчет контраста интенсивности от вершинных дислокаций в барьерах Ломера-Коттрелла и Хирта.

4.5 Выводы.

Глава 5 Исследование рентгенотопографического контраста от дефектов упаковки в монокристаллах в случае эффекта Бормана.

5.1 Бормановский контраст интенсивности от плоскости ДУ.

5.2 Экспериментальный бормановский контраст интенсивности от частичных 30-градусных дислокаций Шокли.

5.3 Экспериментальный контраст интенсивности от частичных краевых дислокаций.

5.4 Экспериментальное исследование сложных ростовых ДУ в монокристаллах кремния.

5.5 Исследование дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом Ланга.

5.6 Исследование дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом двухкристальной топографии.

5.7 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана»

Кремний относится к наиболее распространенным полупроводниковым материалам микроэлектроники. На его основе созданы как различные дискретные полупроводниковые приборы, так и интегральные микросхемы, включая и сверхбольшие. Этот материал определял и определяет на сегодняшний день уровень достижений в области микроэлектроники и радиоэлектроники. Качество и надежность изделий микроэлектроники во многом связаны с совершенством структуры монокристаллических материалов, используемых в полупроводниковом производстве. Известно, что наличие в активных областях приборов и микросхем дефектов структуры приводит к деградации их параметров и характеристик.

Кремний можно отнести к наиболее изученным полупроводниковым материалам как с точки зрения получения бездислокационных монокристаллов большого диаметра, так и с точки зрения разработки технологии изготовления широкого класса приборов и микросхем. Тем не менее, остаются не до конца решенные вопросы, к которым можно отнести природу и образование дефектов упаковки (ДУ). Известно, что дефект упаковки является стоком для примесных атомов и на них происходит сильная рекомбинация носителей заряда. Требования к кремнию электронного качества жёстко регламентируют плотность ДУ, что делает весьма актуальной задачу получения монокристаллов с заданной плотностью ДУ.

К наиболее распространенным методам исследования структурного совершенства монокристаллических материалов, включая и исследование ДУ можно отнести топографические методы, которые являются прямыми и неразрушающими, а также обладают высокой чувствительностью и информативностью. Другими методами, нашедшими применение в диагностике монокристаллов, являются метод селективного травления, метод ИК-микроскопии, фотоупругости (поляризационно-оптический анализ), электронная просвечивающая микроскопия. Как показывают исследования, проведенные в Совместной с ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН научно-учебной лаборатории рентгенотопографических методов исследования материалов электронной техники, среди топографических методов наибольшей информативностью и чувствительностью при исследовании малодислокационных и бездислокационных монокристаллических полупроводников обладает метод, основанный на явлении аномального прохождения рентгеновских лучей - метод АГГРЛ и розеточные методики на его основе. Большой вклад в развитие метода АПРЛ и создание розеточных методик сделал Л.Н. Данильчук, который помимо многочисленных технических решений установил общие закономерности формирования бормановского контраста интенсивности от дефектов структуры с медленно меняющимися полями деформации и предложил ряд новых качественных и количественных методик обнаружения и изучения дефектов структуры. Л.Н. Данильчуком и его учениками проведен при использовании модифицированных уравнений Инденбома-Чамрова расчет теоретического контраста от основных типов дефектов в кремнии, германии, арсениде галлия и карбиде кремния. Сопоставление экспериментального контраста с теоретическим позволяет надежно идентифицировать дефект и локализовать его в объеме монокристалла. Поэтому при исследовании дефектов упаковки в кремнии основным методом их исследования выбран именно этот метод и его методики.

Цель работы.

Целью диссертационной работы является исследование контраста интенсивности, структуры и природы ростовых дефектов упаковки в кремнии; идентификация простых и сложных дефектов упаковки путем сопоставления теоретического и экспериментального контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций, ограничивающих дефект упаковки.

Методы исследования.

Основным методом исследования дефектов упаковки в монокристаллах кремния выбран метод АПРЛ и розеточные методики на его основе. В качестве контрольного и дополнительного метода использовались методы секционной и проекционной топографии Ланга и двухкристальной топографии.

Моделирование теоретического контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций, входящих в состав дефектов упаковки, проводилось с помощью модифицированных уравнений Инденбома-Чамрова. Научная новизна.

1. Впервые экспериментально исследован бормановский контраст интенсивности от плоскости дефекта упаковки.

2. Теоретически и экспериментально исследован контраст интенсивности в случае эффекта Бормана от отдельных частичных дислокаций (типа Франка и типа Шокли), ограничивающих простые ростовые дефекты упаковки при распространении волнового рентгеновского поля вдоль их осей.

3. Впервые обнаружен, теоретически и экспериментально исследован контраст интенсивности от вершинных дислокаций барьеров Ломера-Коттрелла и Хирта в монокристаллах кремния при распространении волнового рентгеновского поля вдоль их осей.

4. Определена природа простых ростовых дефектов упаковки путём идентификации частичных дислокаций.

5. Определена природа и структура сложных ростовых дефектов упаковки путём идентификации вершинных дислокаций.

6. Составлен атлас теоретических и экспериментальных изображений ростовых дефектов упаковки.

Практическая значимость. Результаты проведённых теоретических и экспериментальных исследований ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния представляют практический и научный интерес для специалистов, работающих в области физического материаловедения и структурного анализа, используются в Совместной с ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН научно-учебной лаборатории рентгенотопографических методов исследования материалов электронной техники при подготовке диссертаций, дипломных работ, чтении спецкурсов для студентов физических и инженерных специальностей в НовГУ им. Ярослава Мудрого.

Предложена новая методика идентификации природы ростовых дефектов упаковки в монокристаллах с решёткой типа алмаза.

Составлен атлас расчетных и экспериментальных топографических изображений ростовых дефектов упаковки и ограничивающих их частичных и вершинных дислокаций при различных условиях дифракции, что обеспечивает надежную идентификацию ростовых ДУ в полупроводниках с решёткой алмаза.

Научные положения, выносимые на защиту.

Результаты теоретического и экспериментального исследований ростовых дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии в случае эффекта Бормана, подтвержденные контрольными методами, позволяют сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Использование разработанной и внедренной розеточной методики, основанной на явлении аномального прохождения рентгеновских лучей, позволяет установить природу простых и сложных ростовых дефектов упаковки, путём идентификации частичных и вершинных дислокаций их ограничивающих.

2. Дефекты упаковки, располагающиеся в монокристалле под углом к рентгеновскому пучку, контраст интенсивности в виде широких полос отрицательного контраста без биений интенсивности. В районе выхода дефекта на поверхность при совпадении или близости плоскости ДУ с волновым вектором Кй наблюдается яркая кайма с положительным контрастом. Дефекты упаковки имеют отрицательный контраст интенсивности, постепенно спадающий к фону по мере углубления в монокристалл прослойки дефекта упаковки. В случае двух или более близко расположенных дефектов упаковки наблюдается ослабление контраста интенсивности для одного дефекта упаковки из-за наложения контраста интенсивности от других ДУ.

3. Дефекты упаковки, располагающиеся параллельно рентгеновскому пучку, формируют изображение в виде узкой полосы черно-белого контраста.

4. Частичные дислокации Шокли винтового типа с векторами Бюргерса

Ь = — (П2), ограничивающие простой ростовой ДУ, в случае эффекта Бормана 6 при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и g-b = l/3 формируют симметричные 2-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, совпадающие по профилю с изображением полных винтовых дислокаций.

5. Частичные краевые дислокации Франка с векторами Бюргерса b = —(ill), ограничивающие простой ростовой ДУ, в случае эффекта Бормана 3 х при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и g • Б = 4/3 формируют несимметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, совпадающие по профилю с изображением полных краевых дислокаций. В случае g • b = О формируются несимметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося чёрно-белого контраста.

6. Вершинные краевые дислокации Томпсона с векторами Бюргерса

Ь = — (ПО), ограничивающие ростовой барьер Ломера-Коттрелла (БЛК), в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и g-b = 2/3 формируют симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста. Если БЛК ограничен вершинной | ^ дислокацией с b = —(llO), то формируются симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста вдвое большего диаметра, а в случае g • b = О - симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

7. Вершинные краевые дислокации с векторами Бюргерса b = -j^l00) с тупым углом, ограничивающие ростовые барьеры Хирта, в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и условии g • b = 0 формируют симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста, а в случае g-b = 2/3 -симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста. Плоскость симметрии розетки совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розетки совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались и обсуждались на 7 конференциях и 3 семинарах: XXXVII Международная научная студенческая конференция "Студент и научно-технический прогресс", Новосибирск (1999); Вторая национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ-99), Москва (1999); III Международный семинар "Карбид кремния и родственные материалы", Великий Новгород (2000); Седьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-7), С.-Петербург

2001); III Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001), Москва (2001); Восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-8), Екатеринбург

2002); Международный семинар "Современный методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)", Великий Новгород (2002); Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе ("Кремний-2003"), Москва (2003); IV Национальная конференция по применению Рентгеновского,

Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ-2003), Москва (2003); Второй научный семинар с международным участием "Современный методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)", Великий Новгород (2004).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 14 работ, из них 2 статьи в академических журналах.

Структура и объем диссертации.

Диссертация содержит введение, 5 глав, заключение, список литературы из 189 наименований. Объем диссертации составляет 212 страниц, 59 рисунков, 5 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Анисимов, Василий Геннадьевич

Основные результаты диссертационного исследования опубликованы в следующих работах:

1. Анисимов В.Г., Буйлов А.Н., Данильчук Л.Н., Окунев А.О. Изучение дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии // XXXVII Международная научная студенческая конференция "Студент и научно-технический прогресс": Тезисы докладов. - Новосибирск, 1999.

2. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н. Исследование дефектов упаковки в монокристаллах // Вторая национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-99: Тезисы докладов. - Москва, 1999. -с. 176.

3. Анисимов В.Г., Данильчук JT.H. Природа дефектов упаковки в монокристаллах с решеткой алмаза // III международный научный семинар ISSCRM «Карбид кремния и родственные материалы»: Тезисы докладов -2000. - Великий Новгород. 2000. - С. 28-29.

4. Анисимов В.Г., Данильчук JI.H. Природа гигантских ДУ в монокристаллах кремния // Карбид кремния и родственные материалы: Сборник докладов / III международный научный семинар ISSCRM - 2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого. - Великий Новгород. 2000 г. - С. 63-74.

5. Анисимов В.Г., Данильчук JI.H. Изучение природы гигантских дефектов упаковки в монокристаллах кремния // Седьмая всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых учёных ВНКСФ-7: Тезисы докладов. - С.-Петербург. 2001.- с. 142.

6. Анисимов В.Г., Данильчук JI.H. Дефекты упаковки в монокристаллах кремния // Третья национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-2001: Тезисы докладов. -Москва, 2001.-С.37.

7. Анисимов В.Г., Данильчук JI.H. Дефекты упаковки в монокристаллах кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2002, №7, с.92-95.

8. Анисимов В.Г. Рентгенотопографические исследования ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния // Восьмая всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых учёных ВНКСФ-8: Тезисы докладов. - С.-Петербург. 2002.- с. 164.

9. Анисимов В.Г., Данильчук JI.H., Окунев А.О., Ткаль В.А. Исследование ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского // Международный научный семинар «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)»: Тезисы докладов. - Великий Новгород, 2002. - С. 27-29.

10. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н. Рентгенотопографическое исследование ростовых дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии // Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе ("Кремний-2003"). МИСиС: Тезисы докладов. - Москва, 2003. - С. 31-32.

И. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Шульпина И.Л., Ткаль В.А. Сравнение методов секционной топографии и аномального прохождения рентгеновских лучей пр исследовании дефектов упаковки // IV Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов РСНЭ-2003: Тезисы докладов. - Москва, 2003. — С. 435.

12. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н., Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А. Исследование сложных дефектов упаковки в монокристаллах кремния. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования (принята к печати в 2004 г.).

13. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н., Определение природы ростовых дефектов упаковки методом аномального прохождения рентгеновских лучей // Второй научный семинар с международным участием «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)»: Тезисы докладов. — Великий Новгород, 2004. - С.

14. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н., Определение природы ростовых дефектов упаковки методами секционной и двухкристальной топографии // Второй научный семинар с международным участием «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)»: Тезисы докладов. - Великий Новгород, 2004. - С.

Автор выражает благодарность научному руководителю профессору Данильчуку Л.Н., сотрудникам Совместной лаборатории НовГУ с ФТИ им.

А.Ф. Иоффе РАН научно-учебной лаборатории рентгенотопографических методов исследований материалов электронной техники Ткалю В.А., Окуневу А.О., Буйлову А.Н., Дроздову Ю.А. за поддержку и помощь в проведении исследований, её научному руководителю со стороны ФТИ Шульпиной И.Л., а также сотрудникам ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского электротехнического университета за помощь в обсуждении основных результатов работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе рассмотрены результаты применения метода АПРЛ, секционного и проекционного метода Ланга, двухкристальной топографии для исследования простых и сложных ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния.

Показаны возможности метода АПРЛ по определению характера природы и структуры дефектов упаковки в монокристаллах кремния. Изучены и определены особенности бормановского контраста интенсивности от плоскости ДУ, частичных и вершинных дислокаций, ограничивающих ДУ.

С помощью секционного и проекционного метода Ланга, а также двухкристальной топографии были подтверждены результаты рентгенотопографического исследования природы ростовых ДУ с помощью метода АПРЛ на основе идентификации частичных и вершинных дислокаций их ограничивающих. Применение этих методов исследования позволило однозначно установить природу и структуру исследуемых ДУ в монокристаллах кремния.

Полученные теоретические и экспериментальные результаты с учетом литературных данных по практическому применению метода АПРЛ позволяют считать целесообразным дальнейшее развитие частных методик на основе эффекта Бормана для контроля структурных несовершенств различных полупроводниковых материалов, и их внедрение в сочетании с методами селективного травления и ИК-микроскопии в практику научно-исследовательских и производственных лабораторий.

В ходе выполнения диссертационной работы автором были получены следующие основные результаты и выводы.

1. Разработана новая методика определения природы и структуры ДУ путём идентификации ограничивающих их частичных и вершинных дислокаций в монокристаллах кремния на основе «розеточной» методики ретгенотопографического метода АПРЛ.

2. Показана возможность идентификации частичных и вершинных дислокаций входящих в состав ДУ на основе розеточной методики в рамках феноменологической теории бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций.

3. Проведено экспериментальное исследование контраста интенсивности от плоскости ДУ и в общем случае, когда ДУ находится под углом к рентгеновскому лучу, и когда ДУ параллелен рентгеновскому лучу, в случае эффекта Бормана.

4. Проведено исследование (теоретическое и экспериментальное) природы частичных и вершинных дислокаций, ограничивающих дефекты упаковки в монокристаллах кремния в случае эффекта Бормана.

5. Составлены атласы теоретических и экспериментальных изображений частичных и вершинных дислокаций, входящих в ДУ. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений частичных и вершинных дислокаций показало их хорошее качественное совпадение.

6. В монокристаллах 81 впервые были обнаружены дефекты упаковки, ограниченные частичными дислокациями с осями <211 >. Ни в одной теоретической работе даже не предполагалось существование частичных дислокаций с такими кристаллографическими направлениями

7. Дефекты упаковки, располагающиеся параллельно рентгеновскому пучку, формируют бормановское изображение в виде узкой полосы черно-белого контраста без биений интенсивности.

8. Частичные краевые дислокации Франка с векторами Бюргерса

Ь = у(111), ограничивающие простой ростовой ДУ, в случае эффекта

Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и ^•Ь = 4/3 формируют несимметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, совпадающие по профилю с изображением полных краевых дислокаций. В случае § • Б = О формируются несимметричные шестилепестковые розетки интенсивности чередующегося чёрно-белого контраста. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений частичных краевых дислокаций показало их хорошее качественное соответствие.

9. Вершинные краевые дислокации Томпсона с векторами Бюргерса

Б = —(110), ограничивающие барьер Ломера-Коттрелла, в случае АРПЛ при 6 распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и ^-Ь = 2/3 формируют симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, а в случае ^-Б = 0 - формируют симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста.

Если БЛК ограничен вершинной дислокацией с Ь = -^(110), то формируются симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста вдвое большего диаметра, а в случае § • Б = О - симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста тоже вдвое большего диаметра. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

10. Вершинные краевые дислокации с векторами Бюргерса Б = ^-(100) с тупым углом, ограничивающие ростовые барьеры Хирта, в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и условии ё • Б = 0 формируют симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого (положительно-отрицательного) контраста, а в случае §-Б = 2/3 - симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений краевых дислокаций для этого случая показало их хорошее качественное соответствие.

11. В монокристаллах кремния обнаружены ростовые дефекты упаковки, которые идентифицировались сопоставлением теоретических и экспериментальных изображений, как ДУ типа вычитания и типа внедрения.

12. Показана высокая информативность и достоверность рентгенотопографического метода на основе эффекта Бормана (метода АПРЛ) по выявлению ростовых дефектов упаковки различной природы в монокристаллах кремния.

13. Следует считать целесообразным дальнейшее развитие частных методик на основе эффекта Бормана для контроля структурных несовершенств различных полупроводниковых материалов и их внедрение в сочетании с методами селективного травления и ИК-микроскопии в практику научно-исследовательских и производственных лабораторий.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Анисимов, Василий Геннадьевич, 2004 год

1. Хорнстра Дж. Дислокации в решетке алмаза // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. - С. 15-37.

2. Карпов Ю.С., Васильев Б.В. Элементарные полупроводники // Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Корицкого Ю.В.и др. Л.: Энергоатомиздат, 1988. - С. 446-472, - С. 411-445.

3. Лебедев A. A. SiC электроника в новом веке // Карбид кремния и родственные материалы: Сборник докладов / III Междунар. семинар ISSCRM-2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2000г. - С.7-11.

4. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. - 143 с.

5. Authier A. Dinamical Theory of Х- Ray Diffraction. Oxford, 2003. P.675.

6. Heidenreich R. D., Shockley W., Report on Strength of Solids. Bristol, 1948. P. 57.

7. Frank F.C., Phil. Mag. 1951. - V. 42. - P. 809.

8. Рид B.T. Дислокации в кристаллах. M.: Металлургиздат, 1957.

9. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М: Атомиздат, 1972, - 599 с.

10. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах.- М: Мир, 1974,-496 с.

11. Lomer W.M., Phil.Mag. 1951. - V. 42. - P. 1327.

12. Коттрелл А. Теория дислокаций. М., 1969, - 95с.

13. Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. - 626 с.

14. Whelan M. J., Proc. Roy. Soc. 1958. - V. A249. - P. 114.

15. Hirth J. P., J. Appl. Phys. 1961. - V. 32. - P. 192.

16. Frank F.C., Nicholas J.F., Phil. Mag. 1953. - V.44. - P. 1213.

17. Д. Халл. Введение в дислокации. М: Атомиздат, 1968, 300 с.

18. Aerts T., Delavignette Р., Siems R., Amelinckx S., J. Appl. Phys. 1962. -V.33.-P. 3078.

19. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах / Под ред. A.M. Елистратова. М.: Мир, 1965. - 351 с.

20. Кузнецов Г.Ф. Количественная рентгенотопография дефектов и дифрактометрия многослойных эпитаксиальных систем полупроводников А3 В5, А2 В6 и твердых растворов на их основе. Дис. на соискание уч. ст. докт. физ.-мат. Наук. - М.: -1990. - 296с.

21. Booyens Н., Basson J.H. The application of elastobirefringence to the study of strain fields and dislocations in III-V compounds // J. Appl. Phys. 1980. -V. 51, № 8. - P. 4368-4374.

22. Хирш П., Николсон P., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. - 574 с.

23. Сангвал К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение. -М.: Мир, 1990.-492 с.

24. Травление полупроводников / Под редакцией B.C. Хангуловой М.: Мир, 1965.-382 с.

25. Милевский JI.C. Дислокационная структура полупроводников и методы её исследования // Дислокации и физические свойства полупроводников / Под ред. А.Р. Регеля. Д.: Наука, 1967. - С. 5-29.

26. Бублик В. Т., Дубровина А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978. - 272 с.

27. Driscoll C.V.H., Willoughby A.F.W. Study of point defects in gallium arsenide precision lattice parameter measurements // J. Materials Sci. -1974.- V.9, -P.l 615-1623.

28. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. -М.: ИЛ, 1962. 584с.

29. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968.-440 с.

30. Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. "Проекционное" травление как метод исследования дефектов структуры кристаллов полупроводников//Кристаллография. 1982. - Т. 27, вып. 4. - С. 712-721.

31. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. - 256 с.

32. Nikitenko V.J., Dedukh L.H. Application of the photoelasticity method to the investigation of stresses around individual dislocations and their influence on crystal properties // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. - V. 3. - P. 383-392.

33. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках / Пер. с англ. под ред. Медведева С.А. М. : Мир, 1974. - 463 с.

34. Никитенко В.И., Осипьян Ю.А. Влияние дислокации на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов // Проблемы современной кристаллографии / Под ред. Вайнштейна Б.К., Чернова A.A. -М.: Наука, 1975. -С. 239-261.

35. Данильчук JI.H. Бормановская рентгеновская топография дефектов в кристаллах с медленно изменяющимися полями деформации. Дис. на соискание уч. ст. докт. физ. - мат. наук. - К.: ИМФАН Украины, 1992. - 361 с.

36. Инденбом B.JL, Томиловский Г.Е. Макроскопические краевые дислокации в кристалле корунда// Кристаллография. 1957. - Т. 2, № 1. - С. 190194.

37. Никитенко В.И., Осипьян Ю.А. Влияние дислокаций на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов. В кн.: Проблемы современной кристаллографии. -М.: Наук. 1975. С.240.

38. Данильчук Л.Н., Никитенко В.И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // Физика твердого тела. 1967. - Т. 9, № 7. - С. 2027-2034.

39. Шульпина И.Л. Рентгеновская дифракционная топография. Этапы и тенденции развития. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2000. - №4. - С. 3-18.

40. Бонзе У. Рентгеновское изображение поля нарушений решетки вокруг отдельных дислокаций // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. - С. 184-204.

41. Шульпина И.Л. Рентгеновская дифракционная плосковолновая топография. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 1999. - Т.66, №2. - С. 25 - 37.

42. Authier A. Observation des dislocations dans le silicium a l'aide des rayons X dans le cas la transmission anomale // J. Phys. Radium. 1960. - V. 21, № 8/9.-P. 655-661.

43. Lang A.R. The projection topograph: a new method in X-ray diffraction microradiography // Acta Cryst. 1959. - V. 12, № 3. - P. 249-250.

44. Lang A.R. Studies of individual dislocations in crystals by X-ray diffraction microradiography // J. Appl. Physic. 1959. - V. 30, № 11. - P. 17481755.

45. Ланг А. Применение "ограниченных проекционных топограмм" и "топограмм прямого пучка" в дифракционной топографии // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах / Под ред. A.M. Елистратова. М.: Мир, 1965.-351 с.

46. Authier A. Contrast of dislocation images in X-ray transmission topography // Adv. in X-ray Analisis. 1967. - V. 10, № 1. - P. 9-31.

47. Tanner B.K. X-ray diffraction topography. New-York: Pergamon Press, 1976. - 176 p.

48. Отье А. Контраст изображений в рентгеновской топографии. // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении / Под ред. Амелинкса С. и др. М., 1984 - С.- 446-470.

49. Ланг А.Р. Рентгеновская топография методы и интерпретация. // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении / Под ред. Амелинкса С. и др. - М., 1984 - С.- 364-446.

50. Шульпина И.Л. Контраст дефектов в проекционной топографии сильнопоглощающих кристаллов // Кристаллография. -1994.-Т.39, № 2. С. 270-277.

51. Даценко Л.И. Ренгешвска дифракцшна топограф1я як 3aci6 контролю структур н o"i досконалост1 нашвпровщниковых прилад1в у npouecci 'ix виробництва. // BicHHK АН УРСР 1974. - №8, С.71-77.

52. Кузнецов Г.Ф. Неразрушающий рентгенотопографический контроль ростовых и производственных дефектов подложек монокристаллических материалов А3В5 // Электронная техника, 1978, вып.З (65), -С. 39-65.

53. Schwutke G.H. Silicon material problems in semiconductor device technology // Microelectronics and Reliability. Pergamon press, 1970. V.9, P.397-412.

54. Borrmann G. Über Exinktion der Röntgenstrahlen von Quarz // Physik Zeit. 1941. - Bd. 42, № 9/10. - S. 157-162.

55. Borrmann G. Die Absorption von Röntgenstrahlen im Fall der Interferenz //Physik Zeit. 1950. - Bd. 127, № 4. - S. 297-323.

56. Hirsch P.B. The reflexion and transmission of X-rays in perfect absorbing crystals // Acta Crystallographica. 1952. - V. 5, № 3. - P.176-181.

57. Laue M. Die Energiesströmung bei Röntgenstrahl Interferenzen im Kristallen // Acta Crystallographica. - 1952. - Bd. 5, № 8. - S. 619-625.

58. Zachariasen W.H. On the anomalous transparency of thick crystals to X-rays // Proc.N.A.S., USA. 1952. - V. 38, № 4. - P. 378-382.

59. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. -M.: Наука, 1982,- 392с.

60. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: изд. МГУ, 1978. - 277 с.

61. Ефимов О.Н. Влияние различного типа нарушений периодичности на аномальное прохождение рентгеновских лучей в монокристаллах германия. -Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1964.

62. Даценко Л.И. Исследование дефектов и их взаимодействия в монокристаллах германия методом аномального прохождения рентгеновских лучей. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук . - Киев, 1966.

63. Шульпина И.Л. Исследование дефектов в монокристаллах кремния и германия методами рентгеновской дифракционной топографии. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. - Ленинград, 1968.

64. Borrmann G., Hildebrandt G., Wagner H. Röntgenstrahl-Facher im Kalkspat // Physik Zeit. 1955. - Bd. 142, № 3. - S. 406-414.

65. Тихонов Л.В. О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметричных съемок//Укр. физ. ж. 1971. - Т. 16, № 1. - С. 137-149.

66. Borrmann G., Hartwig W., Jrmler H. Schatten von Versetzngslinien im Röntgen-Diagramm // Zeit Naturforsch. 1958. - Bd. 13A, № 5. - S. 423-425.

67. Barth H., Hosemann R. Use of parallel beam transmission method for the X-ray examination of crystal structure II Zeit. Naturforsch. 1958. - V. 13 A, № 4. -P. 792.

68. Gerold V., Meier F. Der Röntgenographische Nachweis von Versetzungen in Germanium // Zeit. Physik. 1959. - Bd. 155, № 4. - S. 387-394.

69. Даценко Л.И., Скороход М.Я. Рентгеновская камера для исследования дефектов структуры полупроводниковых кристаллов. Кристаллография, 1964. - Т.8, №2. С. 284 - 287.

70. Bonse U.K., Hart М., Newkirk J.B. X-ray diffraction topography // Adv. In X-ray Analisis. -1967.- V. 10, №1. P. 1-8.

71. Penning P., Polder D. Anomalous transmission of X-rays in elastically deformed crystals // Philips Res. Repts. 1961. - V. 16, № 2. - P. 419-440.

72. Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion//Acta Cryst. 1962.-V. 15, № 10. - P. 1311-1312.

73. Taupin D. Previsión de queloques Images de Dislocations par Transmission des Rayons X (Cas de Laue symetrique) // Acta Cryst. 1967. - V. 23, № l.-P. 25-35.

74. Balibar F., Authier A. Etude theorique et experimentale du contraste des images de dislocations // Phys. stat. sol. 1967. - V. 21, № 2. - P. 413-422.

75. Sauvage M., Malgrange C. Observation of X-ray stacking fault fringes in the plañe wave case // Phys. stat. sol. 1970. - V. 37, № 3. - P. 759-771.

76. Инденбом B.JI., Чуховский Ф.Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике // Украинский физический журнал. 1972. - Т. 107, № 6. -С. 229-265.

77. Тихонова Е.А. Теория бормановского дислокационного контраста // Украинский физический журнал. 1976. - Т. 21. - С. 709-734.

78. Суворов Э.В., Инденбом B.JI. Рентгеновский дислокационный контраст // 4-я Международная школа специалистов по росту кристаллов. Конспект лекций. Суздаль: АН СССР, 1980. - Ч. 2. - С. 229-249.

79. Chukhovskii F.N., Stolberg А.А. On the dynamical theory of X-ray images of real crystal // Phys. stat. sol. 1970. - V. 41, № 3. - P. 815-825.

80. Suvorov E.V., Indenbom V.L., Dislocation contrast in the case of anomalous X-ray transmission // Phys. stat. sol.(a). 1980. - V. 60, № 1. - P. 27-35.

81. Данильчук Jl.H., Смородина T.A. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом АПРЛ // Физика твердого тела. 1965. -Т. 7, №4.-С. 1245-1247.

82. Данильчук Л.Н., Никитенко В.И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // Физика твердого тела. 1967. - Т. 9, № 7. - С. 2027-2034.

83. Данильчук Л.Н. Рентгеновское наблюдение полей деформаций вокруг краевых дислокаций в монокристаллах германия // Физика твердого тела. 1969. - Т. 11, №11 - С. 3085-3091.

84. Инденбом В.Л., Чуховский Р.Н. Геометрическая оптика рентгеновых лучей // Кристаллография. 1971. - Т. 16, № 6. - С. 1101 - 1109.

85. Дислокационный контраст / Суворов Э.В., Мухин К.Ю. и др. // Материалы IV Совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Ленинград, изд.АН СССР, 1977. - С. 31-35.

86. Чуховский Р.Н., Штольберг A.A. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на дислокациях // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1973. - Т. 64, № 3. - С. 1033 - 1041.

87. Kambe К. Theorie der Schattenbildung von Verset-zungenslinien in Röntgen -Durchstrahlungsdagrammen // Zeit. Naturforsch., Ser.A, -1963.- V.18A, №7, S.1010-1011.

88. Шульпина И.Л., Даценко Л.И. Об изображении линейных дефектов в методе АПРЛ // Украинский физический журнал. 1967. - Т. 12, № 9. - С. 14741482.

89. Инденбом В.Л., Чамров В.А. Однолучевая электронная микроскопия тонких кристаллов // Кристаллография. -1980.- Т.25, №7. С. 465-472.

90. Инденбом В.Л., Чамров В.А. Ореольный контраст дислокационных петель // Металлофизика. -1980.- Т.2, №3. С. 3-9.

91. Окунев А.О. Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. - Новгород, 1999. - 263с.

92. А.Ю. Белов, В.А. Чамров. О влиянии поверхности на упругие поля и электронно-микроскопические изображения наклонных дислокаций // Металлофизика. 1987. - Т.9, №3, - С. 68-78.

93. Kaganer V.M., Möhling W. Characterization of dislocations by double crystal X-ray topography in back reflection // Phys. stat. sol. (a). 1991. - V. 123. - P. 379-392.

94. Буйлов A.H. Исследование структурных дефектов монокристаллического арсенида галлия рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. - В. Новгород, 2001. - 242с.

95. Indenbom V.L., Kaganer V.M. The formation of X-ray images of microdefects // Phys. stat. sol. (a). 1985. - V. 87, № 1. - p. 253-265.

96. Выявление и исследование микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии / Крылова Н.О., Мелинг В., Шульпина И.Л., Шейхет Э.Г. // Физика твердого тела. 1986. - Т. 28, № 2. - С. 440-446.

97. Данильчук Л.Н. Ростовые включения второй фазы в кремнии, выращенном по методу Чохральского: Тез. докл. // 6-я Международная конференция по росту кристаллов. М.: АН СССР, 1980. - Т. 4. - С. 294 - 296.

98. Данильчук Л.Н. О природе A-кластеров в бездислокационном кремнии, выращенном по методу Чохральского: Тез. докл. // IV Всесоюзное совещание по дефектам структуры в полупроводниках. Новосибирск: АН СССР, 1984. -Ч. 1.-С. 28.

99. Данильчук Л.Н. Бормановский контраст интенсивности от когерентных включений второй фазы в монокристаллах полупроводников: Тез. докл. // Второе совещание по Всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген". Ереван: изд. ЕГУ, 1987. - С. 40-41.

100. Kato N., Usami К., Katagawa Т. The X-ray diffraction image a stacking fault // Adv. in X-ray Análisis. 1967. - V. 10, №1. - P. 46-66.

101. Authier A. Contrast of the stacking fault on X-ray topographs // Phys. stat. sol. 1968. - V. 27, №1. - P. 77-93.

102. Epelboin Y., Mater. Sel. Eng. 1985.V. 73. - P. 1- 43.

103. Epelboin Y., Progr. Crysnal Growth Characnerizanion. 1987. - V. 14. -P. 465-506.

104. Kowalski G., Lang A.R., Makepeace A.P.W. and Moore M. J., Appl. Crystallogr. 1982. - V. 22. - P. 410-430.

105. Lang A.R., Z. Naturforsch. (a). 1972. - V. 27. - P. 461-468.

106. Lang A.R. Phys. Stat. Sol. (a). 1983. - V.76. - P. 595-599.

107. Patel J.R., Authier A. X-ray topography of defects produced after heat treatment of dislocations free silicon containing oxygen // J. Appl. Physic. - 1975. -V. 46, № l.-P.l 18-125.

108. Authier A., Patel J.R. X-ray topographic determination of the intrinsic or extrinsic nature of stacking fault // Phys. stat. sol.(a). 1975. - V. 27, №1. - P. 213222.

109. Yang P., Jiang S.S. and Feng DM Phys. stat. sol.(a). 1990. - V. 122, - P. 475-479.

110. Инденбом B.Jl., Чуховский Ф.Н. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла. I // Кристаллография. 1974. - Т.19, №1. - С. 35-41.

111. Инденбом В.Л., Слободецкий И.Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла. И // Кристаллография. 1974. - Т.19, № 1. - С. 42-53.

112. Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. Image of stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. - V. 71, №2. - P. 751-756.

113. Epelboin Y., J. Appl. Phys. 1979.-V. 50.-P. 1312-1317.

114. Schlenker M., Brissonnean P. and Perrier I.P., Pull. Soc. Fr. Miner. Crystal. 1968.-V. 91.-p. 653-665.

115. Wierzchowski W., Moore M., Acta Crystallogr. A. 1995. - V. 51. - P. 831-840.

116. Gabrielyan K.T., Kubena I. and Holy V., Phys. Stat. Sol. (a). 1986. -V. 95. - P. 579-588.

117. Capelle В., Malgrange C., J. Appl. Phys. 1982. V. 53. - P. 6762-6766.

118. Capelle В., Malgrange C., in Applications of X-ray topographic methods to material science. Ed. S. Weissmann, F. Balibar and J.F. Petroff. Plenum Press, New York. 1984. P. 511-522.

119. Capelle В., Malgrange C., J. Physique. 1984. - V. 45. - C. 1827-1834.

120. Capelle В., Epelboin Y., Malgrange C., J. Appl. Phys. 1982. V. 53. -P. 6767-6771.

121. Authier A., Phys. Stat. Sol. 1968. - V. 27. - P. 77-93.

122. Bonse U., Hart M., Acta Crystallogr. A. 1968. - V. 24. - P. 240-245.

123. Tanemura S. and Lang A.R., Z. Naturforsch. (a). 1973. - V. 28. - P. 668-676.

124. Bezirganyan P. Kh., Kocharyan A.K., Truni K.G., Phys. Stat. Sol. (a). -1981.-V. 64.-P. 431-434.

125. Authier A. and Petroff J.F., C. R. Acad. Sci. Paris. 1964. - V. 258.1. P. 2438.

126. Chikawa J.I., Appl. Phys. Lett. 1965. - V. 7. - P. 193-195.

127. Lang A.R. and Miuscov F.V., Appl. Phys. Lett. 1965. - V. 7. - P. 213—216.

128. Bonse U., Hart M., Z. Phys. 1966. - V. 190. - P. 455 - 467.

129. Bradler J. and Lang A.R., Acta Crystallogr. A. 1968. - V. 24. - P. 246247.

130. Lang A.R., Nature, London. 1968. - V. 220. - P. 652-657.

131. Fedorov A.A., Trukhanov E.M., Vasilenko A.P., Kolesnikov A.V. and Revenko M.A., J. Phys. D: Appl. Physics. 2003. - V. 36. - P. A44-A48.

132. Hashimoto H., Mannami M and Naiki T., Philoph. Trans. Roy. Soc. London. 1961.-V. 253.-P. 490-516.

133. Gevers R.,Phyl. Mag. 1962.-V. 7. - P. 1681-1720.

134. Chikawa J.I., J. Phys. Chem. Solids. 1967. - V. 28 (Suppl.l). - P. 817823.

135. Simon D., Authier A., Acta Crystallogr. A. 1968. - V. 24. - P. 527534.

136. Polcarova M., Phys. Stat. Sol. (a). 1978. - V. 46. - P. 179-186.

137. Polcarova M., Phys. Stat. Sol. (a). 1978. - V. 47. - P. 567-575.

138. Polcarova M., Phys. Stat. Sol. (a). 1980. - V. 59. - P. 779-785.

139. Yoshimura J., Acta Crystallogr. A. 1996. - V. 52. - P. 312-325.

140. Haroutyunvan V.S., Sedrakyan A.G., Acta Crystallogr. A. 1997. - V. 53.-P. 410-414.

141. Ohler M., Hartwig J., Acta Crystallogr. A. 1999. - V. 53. - P. 199-201.

142. Lang A.R., Adv. X-ray Anal. 1967. - V. 10. - P. 91 -107.

143. Phakey P.P., Phys. Stat. Sol. (a). 1969. - V. 34. - P. 105-119.

144. Chikawa J.I., Austerman S.B., J. Appl. Cryst. 1968. - V.l. - P. 165.

145. Kato N., In X-Ray diffraction (ed. L.V. Azaroff, R. Kaplov, N. Kato, R.J. Weiss, A.J.C. Wilson and R.A. Young). 1974. P. 176-438. McGraw-Hill, New York.

146. Katagawa Т., Ishikawa H. and Kato N., Acta Crystfllogr. A. 1975. - V. 31.-P. 246.

147. Klapper H., In Crystals: growth, properties and applications. 1991. -V. 13 (ed. N. Karl). - P. 109-162. Springer-Verlag, Berlin.

148. Yang P., Jiang S.S., Zhou H.N. and Feng DM Phys. stat. sol.(a). 1986. -V. 97,-P. 411-420.

149. Yang P., Jiang S.S. and Feng D.// Phys. stat. sol.(a). 1991. - V. 123, - P.51.60.

150. Gonzalez-Manas M., Caballero M.A., Capelle В. and Epelboin Y., J. Appl. Crystallogr. 1993. - V. 26. - P. 122-127.

151. Authier A., Sauvage V., J. Physique. 1966. - V. 27. - C. 3-137.

152. Yang P., Jiang S.S., Zhou H.N. and Feng D.// Phys. stat. sol.(a). 1991. -V. 124,-P. 57-66.

153. Yoshimatsu M., Jap. J. Appl. Phys. 1965. - V. 4. - P. 619-620

154. Authier A., In X-Ray optics: Topics in Applied Physics (ed. H.J. Queisser). 1977. - V. 22. - P. 145-188. Springer-Verlag, Berlin.

155. Sauvage M., Lefaucheux F., Robert M.C. and Ribet M., Phys. Stat. Sol. (a). 1982.-V. 71.-P. 5-7.

156. Leon S., Lefaucheux F., Robert M.C., Malgrange C. and Lorin J.C., J. Cryst. Growth. 1989. - V. 97. - P. 631-644.

157. Мендельсон С. Зарождение дефектов упаковки в эпитаксиальных пленках кремния, выращиваемых на подложках с различной ориентацией. В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников.- М.: Мир, 1969, - 235.

158. Буккер Г. Р., Стиклер Р. Кристаллографические несовершенства в эпитаксиальном кремнии- В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников.- М.: Мир, 1969,- 181.

159. Финч Р., Квейссер X., Томас Г., Уошберн Д. Структура и происхождение дефектов упаковки в эпитаксиальном кремнии,- В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников.- М.: Мир, 1969, 181.

160. Швутке Г., Силе В. Рентгеновский анализ структур дефектов упаковки в эпитаксиально наращенном кремнии.- В кн.: Прямые методы исследования дефектов в кристаллах.- М.: Мир, 1965, 246-258.

161. Георгиев А.И., Данильчук Л.Н. Изучение дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Изв. АН СССР. Сер. неорг. материалы. -1968. - Т. 4, № 10. - С. 1627-1632.

162. Кайзер У., Ходос И.И., Ковальчук М. Н., Рихтер В. Частичные дислокации и дефекты упаковки в кубическом SiC. Кристаллография, 2001, т.46, №6, с. 1089-1097.

163. Jordan A. S., Garuso R., Von Neida A. R. // Beii System Technic. Journ. 1980.- V. 59.-P. 593-637.

164. Jordan A. S. Determination of the total emittance of n-type GaAs with aplication to Chochrialski growth // J. Appl.Phys.- 1980.- V. 51, № 4. P. 2218-2227.

165. Данильчук Л.Н. Исследование дислокационной структуры монокристаллов с решёткой алмаза методом АПРЛ // Ученые записки Петрозаводского госуниверситета им. О.В.Куусинена, Петрозаводск, 1968, Т. 16, вып.6. С. 37-46.

166. Георгиев А.И., Данильчук Л.Н., Смородина Т.А. Сопоставление метода АПРЛ и химического травления поверхности германия при изучениидефектов упаковки // Вопросы радиофизики и спектроскопии. М.: Сов. радио, - 1966.-Вып. 2.-С. 306-310.

167. Георгиев А.И., Данильчук Л.Н. Применение методов АПРЛ и химического травления при изучении дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Ученые записки Новгородского пединститута, 1967. Т. 19. -С. 51-59.

168. Гиваргизов Е.И., Шефталь H.H. О различных формах дефектов упаковки в нарощенных слоях германия. Кристаллография, 1964, т. 9, №6, С. 933-937.

169. Георгиев А.И. О влиянии отжига и пластической деформации на дефекты упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Кристаллография, 1968, -т. 13, № 1.-С. 153-157.

170. Шефталь H.H., Кокориш Н.П., Красилов A.B. Кристаллизация монокристаллических слоёв кремния и германия из газовой фазы // Изв. АН СССР. Сер. неорг. материалы. - 1957. - Т. 21, № 1. - С. 147-153.

171. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир, 1984,-472 с.

172. Гутчель Р.И., Кравцов A.A. Образование окислительных дефектов упаковки в кремнии, выращенном методом Чохральского. Материалы электронной техники, №3, 2002. с. 11-17.

173. Köhra К. and Yoshimatsu M., J. Phys. Soc. Japan. 1962. - V. 17. - P.1041.

174. Yoshimatsu M., J. Appl. Phys. Japan. 1964. - V 3. - P. 95.

175. Kato N. Acta. Crystallogr. 1961. - V. 14. - P. 526.

176. Суворов Э.В., Мухин К.Ю. Секционное изображение дефекта упаковки. // Материалы IV Совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Ленинград: АН СССР, 1977. - С. 42-45.

177. Wonsiewicz В.С and Patel J.R., J. Appl. Phys. 1976. - V. 47. - P. 1837-1845.

178. Sourek Z., Bubakova R. Deformation by stress relaxation at the edge dislocation // Phys. stat. sol. (a). 1982. - V. 70. - P. 641-648.

179. Меланхолии H.M. Методы исследования оптических свойств кристаллов. М.: Наука, 1970. 156 с.

180. Данильчук J1.H. Рентгеновская топография дислокаций в кристаллах на основе эффекта Бормана // Субструктурное упрочнение металлов и дифракционные методы исследований. Киев: Наукова думка, 1985. - С. -185-186.

181. Данильчук Л.Н., Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А., Шульпина И.Л. Рентгеновская топография дефектов структуры монокристаллических полупроводников на основе эффекта Бормана. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, т.68, №11, 2002, с. 24-33.

182. Демидов С.П. Теория упругости: учебник для вузов. Мю: Высшая школа, 1979.-С. 15-16.

183. Шульпина И.Л. Применение АПРЛ для обнаружения и исследования дефектов в достаточно совершенных кристаллах // Рост кристаллов. М.: Наука, 1965. - Т. 5. - С. 285-299:

184. E.H. Ioffe. A dislocation at free surface // Phil. Mag. 1961. - V. 6, №69.-P. 1147-1150.

185. Bowen D.K. and Tanner В. K. High resolusion x-ray diffractometry and topography. London. UK. 1998. - P. 252.

186. Дроздов Ю.А., Окунев A.O., Ткаль В.А., Шульпина И.Л. Применение компьютерной обработки рентгенотопографических изображений для идентификации дефектов структуры монокристаллов. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, Т. 68, №12, 2002. С. 30-36.