Кинетические закономерности взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы смесей HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 с арсенидом галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Капинос, Сергей Павлович

• Капинос, Сергей Павлович
• кандидат химических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат химических наук Капинос, Сергей Павлович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Применение арсенида галлия в электронной технике.

1.2. Особенности плазмохимического травления арсенида галлия, обзор плазменных смесей, применяемых для его травления.

1.3 Обзор данных по травлению арсенида галлия в хлористом водороде, его преимущества по сравнению с хлором.

1.4. Обзор данных по травлению арсенида галлия в смесях хлорсодержащих газов с инертными и молекулярными газами.

1.5. Анализ влияния состава газовой смеси на скорость плазмохимического травления арсенида галлия.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетические закономерности взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы смесей HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 с арсенидом галлия»

Актуальность работы. Арсенид галлия (ваАБ) является одним из наиболее востребованных материалов современной микро- и наноэлектроники благодаря сочетанию большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда. На его основе создается широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов и фотоэлектронных устройств. Этот материал также является базой для квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе АЮаАв.

Очевидно, что вышеуказанные применения требуют высокоточного размерного структурирования поверхности подложек, что достижимо использованием только1 методов плазменного травления. В этой области широко применяется неравновесная низкотемпературная плазма галогеноводородов (и, в частности, НС1). В сравнении с фреонами (СРХС1У), ВС13, СС14 и С12 плазма НС1 обеспечивает лучшие показатели чистоты, анизотропии, селективности и топологических характеристик процесса травления.

В технологии и литературе в последнее время большое внимание стали уделять бинарным газовым смесям. Используются как смеси активных газов друг с другом, так и их смеси с инертными (Не, Аг, Хе) и молекулярными (N2, 02, Н2) газами. Это обусловлено как достижением дополнительных технологических эффектов (стабилизация плазмы, снижение коррозии откачных средств, повышение экологической чистоты производства), так и появлением дополнительного канала контроля параметров плазмы за счет возможности варьирования начального состава смеси. В опубликованных работах отмечается, что Аг и Не в смесях с С12 оказываются не просто инертными разбавителями, но и заметно влияют на кинетику плазмохимических процессов через изменение электрофизических параметров плазмы. Подобные исследования для плазмы НС1 не проводились - отсутствует информация по механизмам физико-химических процессов, формирующих стационарные параметры и состав плазмы в смесях НС1 с инертными и молекулярными газами. Это затрудняет разработку и оптимизацию технологических процессов на основе таких систем.

Цель работы. Выявление кинетических закономерностей и анализ возможных механизмов взаимодействия неравновесной низкотемпературной газоразрядной плазмы смесей НС1-Аг, НС1-С12 и НС1-Н2 с арсенидом галлия. Работа выполнена по следующим направлениям:

1) Измерение электрофизических параметров плазмы (приведенная напряженность электрического поля, температура газа) в широком диапазоне внешних параметров разряда.

2) Модельный анализ влияния внешних параметров разряда на стационарный состав плазмы и плотности потоков нейтральных и заряженных частиц на обрабатываемую поверхность.

3) Установление взаимосвязей между задаваемыми параметрами плазмы (давление, ток разряда, начальный состав плазмообразующей смеси), скоростью травления и топологическими характеристиками обрабатываемой поверхности. Накопление данных по кинетическим характеристикам взаимодействия, анализ возможных механизмов травления.

4) Исследования спектров излучения плазмы в процессе травления. Установление взаимосвязей между интенсивностями излучения как активных частиц плазмы, так и продуктов травления с кинетическим характеристиками взаимодействия.

Научная новизна работы. При выполнении работы получены следующие новые результаты:

1) Проведен сравнительный анализ стационарных электрофизических параметров и состава плазмы смесей НС1-Аг, Н2, СЬ. Установлено, что разбавление НС1 аргоном и водородом сопровождается монотонным снижением плотности потока атомов хлора (Гсг), а в смеси НС1-С12 имеет место обратная ситуация. Показано также, что добавка аргона к 5

НС1 вызывает рост плотности потока ионов (Г+), добавка С12 -снижение, а добавка Н2 не приводит к существенным изменениям этой величины.

2) Проведен сравнительный анализ кинетических закономерностей плазмохимического травления GaAs в плазме смесей НС1-Аг, Н2, С12. Найдено, что во всем исследованном диапазоне условий основными химически активными частицами являются атомы хлора. Показано, что при любом фиксированном составе смеси взаимодействие атомов хлора с GaAs протекает стационарно, по первому кинетическому порядку по их концентрации в газовой фазе.

3) Установлено, что в смесях НС1-Аг при 0-100% Аг и НС1-С12 при 0-70% С12 тенденции изменения эффективной вероятности взаимодействия (у) и величины Г+ являются противоположными. Причиной этого может быть изменение скорости ионно-стимулированной десорбции атомов хлора. Снижение величины у в смеси HCI-CI2 при [С12] > 70% предположительно связано с заполнением активных центров не реагирующими молекулами С12. Найдено, что в смеси НС1-Н2 имеет место резкое снижение величины у при Г+ « const. В условиях роста плотности потока атомов водорода, данный эффект может быть обусловлен конкуренцией процессов взаимодействия с поверхностью и рекомбинации атомов хлора.

4) Найдено, что во всех исследованных смесях температурные зависимости скоростей и вероятностей взаимодействия подчиняются закону Аррениуса. Эффективные энергии активации взаимодействия не зависят от начального состава смесей (8.8±0.4 кДж/моль в смеси НС1-Аг, 11.2±1.3 кДж/моль в смеси НС1-Н2 и 14.6±4.1 кДж/моль в смеси НС1-С12) и являются характерными для реакций, лимитируемых гетерогенными адсорбционно-десорбционными процессами.

5) Показано, что шероховатость обработанной в плазме поверхности

GaAs коррелирует с величиной, обратной скорости взаимодействия. б

Установлено, что технологически оптимальное сочетание скорости травления и шероховатости поверхности достигается в смеси НС1-Аг.

6) Проведена идентификация основных эмиссионных максимумов в спектрах излучения плазмы при травлении ваЛв. Проанализирована возможность контроля состава плазмы и кинетики травления ваАБ по излучению активных частиц и продуктов взаимодействия. Обнаружена линейная корреляция между скоростью травления и интенсивностью излучения резонансных линий ва 403.3 нм и 417.3 нм. Практическая ценность работы. Полученные результаты могут использоваться при разработке, автоматизации, оптимизации и моделировании процессов плазмохимического травления, а также при построении механизмов и теоретических моделей физико-химических процессов в неравновесной низкотемпературной плазме смесей хлороводорода с аргоном, хлором и водородом.

Личный вклад автора. Все основные экспериментальные результаты по кинетике взаимодействия плазмы смесей с арсенидом галлия и эмиссионной спектроскопии получены лично автором. Автор принимал непосредственное участие в обработке результатов и подготовке публикаций. Он также принимал участие в обсуждении результатов по диагностике и моделированию плазмы смесей.

Апробация работы и публикации. Основные положения, результаты и выводы диссертационной работы докладывались на Российской конференции «Современные методы диагностики плазмы и их применение для контроля веществ и окружающей среды» (Москва, 2010), I Всероссийской электронной научно-практической конференции-форуме молодых ученых и специалистов «Современная российская наука глазами молодых исследователей - 2011» (Красноярск, 2011), Всероссийской молодежной конференции «Успехи химической физики» (Черноголовка, 2011) и VI Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии (Зеленый городок, Ивановская область, 2011).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 работ, в том числе 3 статьи в рецензируемых журналах (2 статьи в журналах из Перечня, рекомендованного ВАК) и тезисы 6 докладов на конференциях различного уровня.

Структура и объём работы. Диссертационная работа состоит из введения, обзора литературы, методической части, обсуждения результатов, выводов и списка цитируемой литературы (90 наименований). Материалы работы изложены на 111 страницах рукописного машинного текста и включают 11 таблиц и 58 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Капинос, Сергей Павлович

выводы

1) При совместном использовании методов зондовой диагностики и математического моделирования получены данные по влиянию начального состава смесей НС1-Аг, Н2, С12 на стационарные электрофизические параметры плазмы и концентрации активных частиц. Установлено, что увеличение доли газа-добавки в смеси с НС1 приводит к монотонным изменениям плотностей потоков атомов хлора (снижение для НС1-Аг и НС1-Н2, рост для НС1-С12) и положительных ионов (рост для НС1-Аг, постоянство для НС1-Н2 и снижение для НС1-С12).

2) Во всем исследованном диапазоне параметров разряда и состава смесей основными химически активными частицами являются атомы хлора. Показано, что взаимодействие атомов хлора с ваАв протекает стационарно, по первому кинетическому порядку по их концентрации в газовой фазе. Установлено, что при любом фиксированном составе смесей и температуре обрабатываемого материала характер изменения скорости травления ваАБ при варьировании тока разряда и давления газа определяется поведением плотности потока атомов хлора на обрабатываемую поверхность.

3) Разбавление НС1 аргоном или водородом вызывает монотонное снижение скорости травления ваАБ. В смеси НС1-Аг противоположные тенденции изменения эффективной вероятности взаимодействия и величины и плотности потока ионов на поверхность могут быть связаны с изменением скорости ионно-стимулированной десорбции атомов хлора. В смеси НС1-Н2 имеет место резкое снижение вероятности взаимодействия при постоянстве плотности потока ионов. В условиях роста плотности потока атомов водорода, данный эффект может быть обусловлен изменением вкладов процессов взаимодействия с поверхностью и рекомбинации атомов хлора.

100

Разбавление НС1 хлором приводит к немонотонной зависимости скорости травления от начального состава смеси. Аналогичный немонотонный характер изменения вероятности взаимодействия может быть связан с заполнением активных центров не реагирующими молекулами С12. Показано также, что шероховатость обработанной в плазме поверхности ваАз коррелирует с величиной, обратной скорости взаимодействия.

4) Во всех исследованных смесях температурные зависимости скоростей и вероятностей взаимодействия подчиняются закону Аррениуса. Эффективные энергии активации взаимодействия не зависят от начального состава смесей (8.8±0.4 кДж/моль в смеси НС1-Аг, 11.2±1.3 кДж/моль в смеси НС1-Н2 и 14.6±4.1 кДж/моль в смеси НС1-С12) и являются характерными для реакций, лимитируемых гетерогенными адсорбционно-десорбционными процессами.

5) Идентифицированы основные эмиссионные максимумы в спектрах излучения плазмы при травлении ваАз. Обнаружена линейная корреляция между скоростью травления и интенсивностью излучения резонансных линий Оа 403.7 нм и 417.3 нм. Этот эффект может быть положен в основу спектрального контроля кинетики травления ваАв

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Капинос, Сергей Павлович, 2012 год

1. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Айнспрука Н., Брауна Д.М.: Мир. - 1987. - 420 с.

2. Baca, A.G. Fabrication of GaAs Devices / Albert G. Baka, Ashby Carol // UK: The Institution of Engineering and Technology. 2005. - 370 p.

3. Орликов, JI.H. Технология материалов и изделий электронной техники: уч. пособие / Л.Н. Орликов // Томск: ТГУСУиР. 2006. - 364 с.

4. Громов, Д.В. Материаловедение для микро- и наноэлектроники / Д.В. Громов, А.А. Краснюк // М.: МИФИ. 2008. - 156 с.

5. Термические константы веществ; под редакцией. В.П. Глушко. М.: 1971.-Вып. 5.-530 с.

6. Susa, N. Comparison of GaAs, tungsten and photoresist etch rates and GaAs surfaces RIE with CF4, CF4 + N2, SF6 + N2 mixtures / N. Susa // J. Electro-chem. Soc. 1985. -V. 132. - № 11. - P. 2762-2767.

7. Peterson, S.J. High density, low temperature dry etching in GaAs and InP device technology / S. J. Peterson, C.R. Abernalty, F. Ren // J. Vac. Sci. Technol. 1995. - V. 13.-№3.-P. 849-852.

8. Shul, R.J. High rate reactive ion etch and electron cyclotron resonance / R. J. Shul, M. L. Lovejoy, J.C. Word, A. J. Howard, D. J. Rieger and S.H. Kravitz // J. Vac. Sci. Technol. 1997. -V. 15. - № 3. - P. 657 - 664.

9. Gerhard, F. High-rate etching of GaAs in chlorine atmosphere doped with a Lewis acid / F. Gerhard // J. Vac. Sci. Technol. 1998. - V. 16. - № 3. - P. 1542-1546.

10. Gerhard, F. Analysis of chlorine-containing plasmas applied in III/V semiconductor processing / F. Gerhard, A. Kelp, P. Messerer // J. Vac. Sci. Technol. 2000. - V. 18. - № 5. - P. 2053 - 2061.

11. McLane, G.F. Magnetron reactive ion etching of GaAs in a BC13 discharge / G.F. McLane, M. Meyyappan, H.S. Lee, M.W. Cole and etc // J. Vac. Sci. Technol. 1993. - V. 11. - № 2. - P. 333 - 336.

12. Hays, D.C. High selectivity Inductively Coupled Plasma etching of GaAs over InGaP / D.C. Hays, H. Cho, J.W. Lee and etc // App. Surface Sei. -2000.-№156.-P. 76-84.

13. Maeda, T. Inductively coupled plasma etching of III V semiconductors in BCl3-based chemistries. Part I. GaAs, GaN, GaP, GaSb and AlGaAs// T. Maeda, J.W. Lee, R.J. Shul and etc // App. Surface Sei. - 1999. - № 143. -P. 174-182.

14. Pearton, S.J. Reactive ion etching of GaAs, AlGaAs and GaSb in Cl2 and SiCl4 / S.J. Pearton, U.K. Chakrabarti, W.S. Hobson, A.P. Kinsella // J. Vac. Sei. Technol. 1990. - V. 8. - № 4. - P. 607 - 617.

15. Meyyappan, M. Magnetron etching of GaAs: Etch characteristics and surface characterization / M. Meyyappan, G.F. McLane, M.W. Cole, R. Laraeu and etc // J. Vac. Sei Technol 1992. - V. 10. - № 4. - P. 1147 -1151.

16. Murad, S.K. Very low damage etching of GaAs / Murad S.K., C.D.W. Wikinson, P.D. Wang, W. Parkes, C.M. Sotomayor-Torres // J. Vac. Sei. Technol. 1993. - V. 11. - № 6. -P. 2237 - 2243.

17. Smolinsky, G. Time-dependence etching of GaAs and InP with CCI4 and HCl plasmas: electrode material and oxidant addition effects / G. Smolinsky, R.A. Gottscho, M. Abys // J. Appl. Phis. 1983. - V. 54. - №6. - P. 35183523.

18. Donelly, V.M. Temperature dependence of GaAs etching in a chlorine plasma / V.M. Donelly, D.L. Flamm, C.W. Tu, D.E. Ibbotson // J. Electro-hem. Soc. 1982. -V. 129. -№.1. p. 2533-2537.

19. Law, V.J. Investigation of modulated radio frequency plasma etching o GaAs using Langmur probes / V.J. Law, N.St.J. Braithwaite, S.G. Ingram, D.C. Clary, G.A.C. Jones // J. Vac. Sei. Technol. 1994. - V. 12. - № 6. -P. 3337-3339.

20. McLane, G.F. Magnetron enhanced reactive ion etching of GaAs in СН4/Н2АГ / G.F. McLane, W.R. Buchwald, L. Casas, M.W. Cole // J. Vac. Sci. Technol. 1994. - V. 10.-P. 1356- 1359.

21. Pearton, S.J. High microwave power electron cyclotron resonance etching of III V semiconductors in CH4\H2\Ar / S.J. Peatron, J.W. Lee, E.S. Lambers and etc // J. Vac. Sci. Technol. - 1996. - V. 14. - № 1. - P. 118 - 125.

22. Ко, K.K. Surface Damage on GaAs Etched Using a Multipolar Electron Cyclotron Resonance Source / K.K. Ко, S.W. Pang // J. Electrochem. Soc. -1994.-V. 141-P. 255-258.

23. Pang, S.W. Comparison between etching in Cl2 and BC13 for compound semiconductors using a multipolar electron cyclotron resonance source / S.W. Pang, K.K. Ко // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. - V. 10 - P. 2703 -2708.

24. Pearton, S.J. Dry processed, through-wafer via holes for GaAs power devices / S.J. Pearton, F. Ren, A. Katz, J.R. Lothian, T.R. Fullowan, B. Tseng//! Vac. Sci. Technol. B.-1993.-V. 11.-P. 152-158.

25. Pearton, S.J. Dry etching characteristics of III-V semiconductors in microwave BC13 discharges / S.J. Pearton, W.S. Hobson, C.R. Abernathy, F. Ren, T.R. Fullowan, B. Tseng // Plasma Chem. Plasma Process. 1993. - V. 13. -P. 311 -315.

26. Pearton, S.J. Surface Damage on GaAs Etched Using a Multipolar Electron Cyclotron Resonance Source / S.J. Pearton, C.R. Abernathy, R.F. Kopf, F. Ren// J. Electrochem. Soc. 1994. - V. 141. -P. 2250 -2256.

27. Shul, R.J. High density plasma etching of compound semiconductors / R.J. Shul, G.B. McClellan, R.D. Briggs, D.J. Rieger, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.W. Lee, C. Constantine, C. Barratt // J. Vac. Sci.Technol. A (USA). 1997. - V. 15. - P. 633 - 637.

28. Constantine, C. Plasma etching of III-V semiconductors in CH4/H2/Ar electron cyclotron resonance discharges / C. Constantine, D. Johnson, S.J.

29. Pearton, U.K. Chakrabarti, A.B. Emerson, W.S. Hobson, A.P. Kinsella // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. - V. 8. - P.596 - 605.

30. Law, V.J. Alkane based plasma etching of GaAs / V.J. Law, M. Tewordt, S.G. Ingram, G.A.C. Jones // J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. - V. 9. - P. 1449- 1456.

31. Chaochin, Su. Identification of the volatile reaction products of the Cl2 +GaAs etching reaction / Su Chaochin, Hui-qui Hou, Gang Ho Lee, Zi-Guo Dai, Weiang Luo, Matthew F. Vernon, Brain E. Bent // J. Vac. Technol. -1993.-V. 11. -№ 4. P. 1222-1241.

32. Tunez, F. M. Thermogravimetric study of GaAs chlorination between -30 and 900 °C / M. Fernando, Jorge A. Gonzales, Maria del C. Ruiz // Thermochimia Act. 2011. - № 523. - P. 124 - 136.

33. Howard, R.E. Reactive ion etching of GaAs in chlorine plasma / R.E. Howard // J. Vac. Sci. Technol. 1984 - V. 2. - № 1. - P. 85 - 88.

34. Senga, T. Chemical dry etching mechanism of GaAs surface by HC1 and Cl2 / T. Senga, Y. Matsumi, M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. 1996. - V. 14. -№ 5. - P. 3230-3238.

35. Hu, D.G. Chlorine and HC1 radical beam ion etching of III V semiconductors / David G. Hu, Lishan and Evelin L. Hu // J. Vac. Sci. Technol. - 1990. -V. 8. -№ 6. -P. 1951 - 1955.

36. Ibbotson, D.E. Plasma and gaseous etching of compounds of groups III-V // Pure Appl.Chem. 1988. - V. 60. - № 5. - P. 703-708.

37. Дунаев, A.B. Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде / А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, С.П. Капинос, О.А. Семенова, A.M. Ефремов, В.И. Светцов // Физика и химия обработки материалов. 2010. - № 6. - С. 42 - 46.

38. Pearton, S.J. Reactive ion etching of GaAs, AlGaAs and GaSb in Cl2 and SiCU / S.J. Pearton, U.K. Chakrabarti, W.S. Hobson, A.P. Kinsella // J. Vac. Technol. 1990. - V. 6. - № 4. - P. 607 - 617.

39. Yoshikawa, Т. Smooth etching of III / V and II / IV semiconductors by СЬ reactive ion beam etching / T. Yoshikawa, Y. Sugimoto, Y. Sakata, T. Takeunchi, M. Yamamoto, H. Hotta, S. Kohmoto // J. Vac. Sei. Technol.1996.-V. 14. -№ 3. P. 1764-1772.

40. Burton, R.H. CCI4 and Cl2 plasma etching of III-V semiconductors and role of added 02 / R.H. Burton, G. Smolinsky // J. Electro-hem. Soc. 1982. -V. 129. - №. 7. - P. 1599 - 1604.

41. Semura, S. Hydrogen mixing effects on reactive ion etching of GaAs in chlorine containing gases / Shigeru S., Hiroshi S. //J. Vac. Sei. Technol. -1984. V. 2. - № 2. - P. 474 - 476.

42. Kahaian, D.J. In situ monitoring of GaAs etched with a Cl2/Ar discharge in an electron cyclotron resonance source / D.J. Kahaian, S. Thomas III, S.W. Pang // J. Vac. Sei. Tehnol. 1995. - V. 13. - № 2. - P. 253 - 257.

43. Shul, R.J. High Density plasma etching of compound semiconductors / R.J. Shul, G.B. McCleallan, R.D. Briggs, D.J. Rieger // J. Vac. Sei. Technol.1997. V. 15. - № 3. - P. 633 - 637.

44. Semura, S. Reactive ion etching of GaAs in CC14/H2 and CCl4/02 / S. Semura, H. Saitoh, K. Asakawa // J. Vac. Sei. Technol. 1984. - V. 55. -№8.-P. 3181-3185.

45. Vodjdani, N. Reactive ion etching of GaAs with hight aspect ratios with Cl2-CH4-H2- Ar mixtures / N. Vodjdani, P. Parrens // J. Vac. Sei. Technol -1987. V. 5 - № 6. - P. 1591-1598.

46. Ефремов, A.M. Параметры плазмы и травление материалов в смесях хлора с инертными и молекулярными газами / A.M. Ефремов, В.И. Светцов // Материалы 9 Школы по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ. Иваново, 1999. - С. 89 - 101.

47. Tomas, S. Monitoring InP and GaAs etched in Cl2/ Ar using optical emission spectroscopy and mass spectrometry / K.K. Ко, S.W. Pang // J. Vac. Sei. Technol. 1995. - V. 13. - №3. - P. 894 - 899.

48. Shul, R.J. Temperature dependent electron cyclotron resonance etching of InP, GaP, and GaAs / R.J. Shul, A.J. Howard, C.B. Vartuali, P.A. Barnes, W. Seng // J. Vac. Sci. Technol. 1996. - V. 14. - № 3. - P. 1102 - 1106.

49. Hahn, Y.B. Effect of inert gas additive specoes on Cl2 high density plasma etching of compound semiconductors. Part I / Y.B. Hahn, D.C. Hays, H.Cho, K.B. Jung, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, R.J. Shul // App. Surf. Sci. 1999. - № 147. - P. 207 - 214.

50. Yoon, S.F. Optimization of GaAs ECR etching in chemically assisted ion beam process using Cl2 / Ar plasma / S.F. Yoon, Т.К. Ng, H.Q. Zheng // Materials Science in Semiconductor Processing. 2000. - № 3. - P. 207 -213.

51. Chen, Y. W. Dry via hole etching of GaAs using high-density Cl2/Ar plasma // Y.W. Chen, B. S. Ooi, G. I. Ng, K. Radhakrishnan, and C. L. Tan // J. Vac. Sci. -2000. -V. 18. -№ 5. P. 2509-2512.

52. Yoon, S.F. Study of GaAs and GalnP etching in Cl2/Ar electron cyclotron resonance plasma / S.F. Yoon, Т.К. Ng, H.Q. Zheng // Thin Solid Films. -2001.-№394.-P. 250-255.

53. Sitanov, D.V. Dissosiation of Chlorine molecules in a Glow Discharge plasma in Mixtures with Argon, Oxygen, Nitrogen / D.V. Sitanov, A.M. Efremov, V.I. Svettsov // High Energy Chemistry. 1998. - V. 32. - № 2. -P. 148-151.

54. Franklin, R. N. Electronegative plasmas diluted by rare gases / R. N. Franklin // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. - № 36. - P. 2655-2659.

55. Ефремов, A.M. О механизмах влияния аргона на скорость плазмохимического травления металлов и полупроводников в плазме хлора / A.M. Ефремов, А.П. Куприяновская, В.И. Светцов // ХВЭ. -1993. Т. 27. - № 1. - С. 88-91.

56. Suzuki, К. Light emission from chlorine atoms formed in the dissociative excitation of HCI in a flowing afterglow of discharged argon / K. Suzuki, J. Nishiyama// Chem. Phys. Lett. 1990. -№ 58. - P. 145 - 148.

57. Fuller, A. Optical actinometry of Cl2, CI, C1+ and Ar+ densities in inductively coupled C12-Ar plasmas / Fuller, Herman, Donnelly // J. Appl. Phys. 2001. - V. 90. - № 7. - P. 3182 - 3191.

58. Eddy, C.R. Characterization of Cl2/Ar high density plasmas for semiconductor etching / C.R. Eddy, Jr. D. Leonhardt, S.R. Douglass, B.D. Thoms, V.A. Shamamian, and J.E. Butler // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. -V. 17. -№ 1. - P. 38-51.

59. Корякин, Ю.В. Чистые химические вещества / Ю.В. Корякин, И.И. Ангелов. -М.: Химия, 1974.-408 с.

60. Максимов, А.И. Измерение температуры газа в тлеющем разряде термопарным методом / А.И. Максимов, А.Ф. Сергиенко, Д.И. Словецкий // Физика плазмы. 1978. - Т. 4. - № 2. - С. 347-351.

61. Рохлин, Г.Н. Газоразрядные источники света / Г.Н. Рохлин. Изд.2, -М.-Л.: Энергия. 1991,-720 с.

62. Иванов, Ю.А. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии / Ю.А. Иванов, Ю.А. Лебедев, Л.С. Полак. М.: Наука, 1981.- 142 с.

63. Lochte-Holtgreven, W. Plasma Diagnostics / W. Lochte-Holtgreven; AIP Press. New York, 1995. - 928 p.

64. Lide, D.R. Handbook of Chemistry and Physics / D.R. Lide; CRC Press, New York, 1998-1999. 940 p.

65. Бабичев, А.П. Физические величины: справочное издание / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский; под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

66. Таблицы физических величин. Справочник / под ред. И.К. Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.

67. Efremov, A.M. A comparative study of plasma parameters and gas phase compositions in Cl2 and HC1 direct current glow discharges / A.M. Efremov, V.I. Svettsov, D. V. Sitanov, D.I. Balashov // Thin Solid Films. 2008. - V. 516.-P. 3020-3027.

68. Lee, С. Global model of Ar, 02, Cl2, and Ar/02 high-density plasma discharges / C. Lee, M.A. Lieberman // J. Vac. Sci. Technol. A 1995. - V. 13.-P. 368-372.

69. Chantry, P.J. A simple formula for diffusion calculations involving wall reflection and low density / P.J. Chantry // J. Appl. Phys. 1987. - V. 62. -P. 1141.

70. Seebocka, R. Surface modification of polyimide using dielectric barrier discharge treatment // R. Seebocka, H. Esroma, M. Charbonnierb, M. Romandb, U. Kogelschatzc // Surface and Coatings Technology, 2001. -V. 142-144.-P. 455-459.

71. Roosmalen, A.J. Dry etching for VLSI / A.J. Roosmalen, J.A.G. Baggerman, S.J.H. Brader// Plenum Press. New-York, 1991. - P. 450.

72. Ефремов, A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц в разряде в хлоре / A.M. Ефремов, В.И. Светцов, Д.В. Ситанов // ТВТ. 2008. - Т. 46. - № 1 - С. 1-8.

73. Efremov, A.M. Plasma parameters and chemical kinetic in an HC1 DC glow discharge / A.M. Efremov, G.H. Kim, D.I. Balashov, C.I. Kim // Vacuum. -2006.-V. 81.-P. 244-250.

74. Ефремов, A.M. Кинетика и механизмы плазмохимического травления меди в хлоре и хлороводороде / A.M. Ефремов, С.А. Пивоваренок, В.И. Светцов // Микроэлектроника. 2007. - Т. 36. - №6. - С. 409 - 417.

75. Efremov, A.M. Plasma parameters and etching mechanisms of metals and semiconductors in hydrogen chloride / A.M. Efremov, S.A. Pivovarenok, V.I. Svettsov// Russian Microelectronics. 2009. - V. 38. - P. 147 - 159.

76. Efremov, A.M. Kinetics and Mechanisms of Cl2 or HC1 Plasma Etching of Copper / M. Efremov, S. A. Pivovarenok, and V. I. Svettsov // Russian Microelectronics. 2007. - V. 36. - № 6. -P. 358 - 365.

77. Ефремов, A.M. Параметры плазмы HC1 и HBr в условиях тлеющего разряда постоянного тока / A.M. Ефремов, А.А. Смирнов, В.И. Светцов // Химия высоких энергий. 2010. - Т. 44. - № 3. - С. 277-281.

78. Efremov, A.M. The Parameters of Plasma and the Kinetics of Generation and Loss of Active Particles under Conditions of Discharge in HC1 / A.M. Efremov, V.I. Svetsov // High Temperature. 2006. - V. 44. - № 2. - P. 189-198.

79. Куприяновская, А.П. Механизмы образования и разрушения активных частиц в галогенной плазме / А.П. Куприяновская, В.И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1983. - Т. 26. - №12. - С. 1440.

80. Ефремов, A.M. Электрофизические параметры плазмы тлеющего разряда постоянного тока в смеси HCl/Ar / A.M. Ефремов, А.В. Юдина, В.И. Светцов // Изв. Вузов. Химия и хим. технология. 2011. - Т. 54. №3. - С. 15-18.

81. Ефремов, A.M. Кинетика атомно-молекулярных реакций и концентрации нейтральных частиц в плазме НС1 и его смесей с хлором и водородом / A.M. Ефремов, А.В. Юдина, В.И. Светцов // Микроэлектроника. 2011. - Т. 54. - № 3. - С. 15 - 18.

82. Балашов, Д.И. Потоки УФ квантов на поверхность в условиях плазмохимического травления в хлоре/ Д.И. Балашов, Ю.В. Кириллов // Химия высоких энергий. 1998. - Т. 32. - № 4. - С. 346 - 348.

83. Зимон, А.Д. Физическая химия: Учебник для вузов / А.Д. Зимон // М.: Агар. 2003. - 320 с.

84. Scherer, A. Gallium arsenide reactive ion etching in boron trichloride/argon mixture / A. Scherer, H.G. Craighead, E.D. Beebe // J. Vac. Sci. Technol. -1987.-V. 5. -№ 6. P. 1599.

85. Ефремов, A.M. Плазмохимическое травление арсенида галлия в хлоре / A.M. Ефремов, H.JI. Овчинников, В.И. Светцов // ФХОМ. 1997. -№1. -С. 47-51.

86. Пивоваренок, С.А. Электрофизические параметры и эмиссионные спектры плазмы тлеющего разряда в хлористом водороде / А.С. Пивоваренок, А.В. Дунаев, Д.Б. Мурин, A.M. Ефремов, В.И. Светцов. //

87. Изв. ВУЗов: Хим. и хим. технология. 2011. - Т. 54. - № 3. - С. 48 -52.

88. Бровикова, И.Н. Кинетические характеристики образования и гибели атомов водорода в положительном столбе тлеющего разряда в Н2 / И.Н. Бровикова, Э.Г. Галиаскаров, В.В. Рыбкин, А.Б. Бессараб // ТВТ. -1998.-Т. 35.-С. 706.

89. Блашенков, Н.М. Оптическое излучение и ионизация атомов водорода при гетерогенных экзотермических реакциях в электрическом поле / Н.М. Блашенков, Г.Я. Лаврентьев // Журнал технической физики. -2009. Т. 79. - № 9. - С. 125 - 128.

90. Герасимов, Г.Н. Оптические спектры бинарных смесей инертных газов / Г.Н. Герасимов // Успехи физически наук. 2004. - Т. 174. - №2. - С. 155- 175.

91. Словецкий, Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной низкотемпературной плазме / Д.И. Словецкий // Химия плазмы. 1989. -Вып. 15.-С. 208-266.

92. Капинос, С.П. Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в плазме хлороводорода / С.П. Капинос, A.B. Дунаев, С.А. Пивоваренок, A.M. Ефремов, В.И. Светцов // Нанотехника. 2012. - № 1 (29).-С. 93-95.