Ключевой элемент квазирезонансного преобразователя напряжения на основе МДП-транзистора тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.09.12, кандидат технических наук Соломатова, Анна Александровна

• Соломатова, Анна Александровна
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Соломатова, Анна Александровна

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ.

ВВЕДЕНИЕ.

1 АНАЛИЗ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КЛЮЧЕЙ В ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ НАПРЯЖЕНИЯ С РЕЗОНАНСНЫМ КОНТУРОМ.

1.1 Классификация высокочастотных импульсных преобразователей напряжения с резонансным контуром.

1.2 Резонансные ключевые элементы, реализующие три типа «мягкого» переключения силового ключа в ПН с резонансным контуром.

1.3 Классификация ключевых элементов импульсных ПН.

Выводы по первой главе.

2 ОЦЕНКА МОЩНОСТИ СТАТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КЛЮЧАХ, РАБОТАЮЩИХ В ЦЕПИ РК КВАЗИРЕЗОНАНСНОГО ПН С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ ПРИ НУЛЕ ТОКА.

Выводы по второй главе.

3. АНАЛИЗ МОЩНОСТИ ДИНАМИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ В МДП-КЛЮЧАХ КВАЗИРЕЗОНАНСНЫХ ПН С ПНТ И ПОЛНОЙ ВОЛНОЙ ТОКА РЕЗОНАНСНОГО ЦИКЛА.

3.1 Экспериментальное определение причины возникновения мощности динамических потерь в ПН с ПНТ.

3.2 Анализ процесса обратного восстановления встроенного в МДП-транзистор диода.

3.3 Анализ токораспределения между встроенным в МДП-транзистор диодом и диодом Шоттки при параллельном включении.

3.4 Моделирование динамических режимов диодов ключевого элемента квазирезонансного ПН с ПНТ.

Выводы по третьей главе.

4 РАБОТА КЛЮЧЕВОГО ЭЛЕМЕНТА В КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПН С ПНТ И ПОЛОВИНОЙ ВОЛНЫ ТОКА РЕЗОНАНСНОГО ЦИКЛА.

Выводы по четвертой главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ключевой элемент квазирезонансного преобразователя напряжения на основе МДП-транзистора»

С развитием энергосберегающих технологий и повышением требований к качеству преобразования и передачи электроэнергии, к управлению энергопотоками различных энергосистем (стационарных, автономных и т.д.) возрос интерес к нетрадиционным способам преобразования электроэнергии, позволяющим повысить технико-экономические показатели систем данного типа. Большой класс такого рода преобразователей напряжения (ПН) представляют устройства, использующие резонансные режимы работы импульсных полупроводниковых ключей, что позволяет формировать близкую к гармонической форму тока и напряжения в силовых цепях ПН, а это в свою очередь снижает динамические потери мощности в полупроводниковых силовых элементах, существенно улучшает электромагнитную совместимость таких ПН с полезной нагрузкой, повышает КПД, снижает габаритные размеры и массу емкостных и индуктивных элементов выходного фильтра, благодаря возможности повышения частоты коммутации без увеличения потерь мощности на ключевом элементе (КЭ).

В исследование высокочастотных ПН, использующих резонансный режим работы, большой вклад внесли зарубежные и отечественные ученые: R.W. Erickson, J. Abu-Qahouq, W. Andreycak, I. Barbi, A.B. Лукин и другие.

Разработка подобных устройств связана с моделированием режимов работы импульсного коммутирующего элемента - полупроводникового ключа, который на практике не является идеальным ключом и может быть построен на основе комбинации биполярного транзистора, IGBT или МДП-транзистора и импульсных р-п, p-i-n или Шоттки диодов. Указанные полупроводниковые приборы обладают нелинейными динамическими характеристиками, которые необходимо учитывать при проектировании ПН данного типа. При этом возникает проблема определения и описания механизмов взаимовлияния внешних резонансных компонентов и паразитных реактивных компонентов в структуре полупроводникового прибора, распределения токов между основной и вспомогательными цепями КЭ, что, не всегда однозначно приводит к уменьшению динамических потерь мощности в основных и вспомогательных цепях КЭ ПН с резонансным контуром (РК).

Таким образом, разработка методики проектирования ПН с РК, с точки зрения удельной мощности и КПД, невозможна без достоверных аналитических моделей динамических процессов в полупроводниковых транзисторных и диодных ключах при работе в цепи РК. Это становится особенно актуальным при проектировании ПН, работающих на частотах порядка 0,5-1 МГц. Основная идея работы состоит в том, что, изучив механизмы коммутационных процессов в полупроводниковых компонентах резонансного КЭ, который включает в себя так же и элементы резонансного контура, варьируя параметрами последнего в некотором соответствии с параметрами полупроводниковых компонентов, можно достичь такого соотношения, который обеспечит минимум мощности динамических потерь, что позволит поднять частоту преобразования без существенного снижения КПД, и повысить удельною мощность ПН данного типа.

Объектом исследований является ключевой элемент на основе МДП-транзисторов и диодов с барьером Шоттки в импульсном квазирезонансном преобразователе напряжения.

Целью работы является повышение энергетической эффективности работы силовых ключей на основе МДП-транзисторов и диодов Шоттки в импульсных преобразователях напряжения квазирезонансного типа малой и средней мощности.

Предмет исследований: электромагнитные процессы в электрической цепи, состоящей из резонансного контура и полупроводникового транзисторно-диодного ключевого элемента.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи: 1. Сравнительная оценка статических потерь мощностей, рассеиваемых на ключевых элементах, в квазирезонансном ПН с переключением при нуле тока (ПНТ) с частотно-импульсной модуляцией для двух разных режимов работы резонансного цикла.

2. Анализ мощности динамических потерь МДП-ключа в квазирезонансном ПН с ПНТ и полной волной тока резонансного цикла.

3. Экспериментальные исследования и анализ механизма токораспределения между элементами КЭ в схеме, состоящей из параллельно соединенных диода, встроенного в МДП-транзистор, и диода Шоттки, в квазирезонансном ПН с ПНТ и полной волной тока резонансного цикла.

4. Разработка способа снижения динамических потерь мощности, связанных с процессом обратного восстановления встроенного в МДП-ключ диода в квазирезонансном ПН с ПНТ и полной волной тока резонансного цикла.

5. Экспериментальное исследование двунаправленного ключа, содержащего транзисторы с одинаковыми и разными блокирующими напряжениями, в квазирезонансном ПН с ПНТ и половиной волны тока резонансного цикла для определения условия выбора транзисторов, позволяющего уменьшить мощность статических потерь в двунаправленном ключе.

Методы исследований базируются на общих положениях теории электрических цепей, алгебраических и дифференциальных уравнений, вычислительных методах и использовании современных инструментальных систем и методов математического моделирования с использованием пакетов: MathCAD, Micro-Cap, а также экспериментальных исследованиях динамических режимов силовых полупроводниковых приборов.

Наиболее существенные новые научные результаты:

1. Установлена аналитическая зависимость соотношения значений статических потерь мощности в ключевом элементе на основе МДП-транзистора между двумя режимами работы квазирезонансного преобразователя напряжения с переключением при нулевых значениях тока от диапазона регулирования (изменения входного напряжения и тока нагрузки).

2. Установлено влияние динамических параметров схемы, состоящей из параллельно соединенных диода, встроенного в МДП-транзистор, и диода Шоттки, на токораспределение между диодами при работе в составе ключевого элемента квазирезонансного преобразователя напряжения с переключением при нулевых значениях тока с полной волной резонансного цикла в зависимости от собственной частоты резонансного контура.

3. Предложена методика расчета параметров усовершенствованного ключевого элемента квазирезонансного преобразователя напряжения с полной волной тока резонансного цикла с использованием физического и математического моделирования токораспределения, что в результате позволяет получить ключевой элемент с меньшими динамическими потерями мощности в МДП-транзисторе, возникающими за счет процесса обратного восстановления встроенного в него диода.

4. Выявлены дополнительные потери мощности в ключевом элементе, вызванные процессами, происходящими в паразитном резонансном контуре, образованном индуктивным элементом основного резонансного контура и емкостью сток-исток МДП-транзистора, выполняющего роль синхронного выпрямителя в схеме «двунаправленный ключ» в квазирезонансном преобразователе напряжения с половиной волны тока резонансного цикла, и предложено условие выбора данного МДП-транзистора, позволяющее снизить эти потери.

Практическая ценность заключается в улучшении удельных энергетических характеристик, качества выходной электроэнергии импульсных ПН за счет созданных методов проектирования резонансного ключевого элемента, позволяющих более эффективно использовать квазирезонансные ПН с переключением при нуле тока в различных системах энергообеспечения, в том числе и в системах электроснабжения космических аппаратов (СЭС КА).

Достоверность научных и практических результатов, полученных в работе, подтверждается совпадением результатов теоретических расчетов, математического, имитационного моделирования в формате Р-Брюе и экспериментальных исследований.

Использование результатов диссертации.

Результаты диссертационных исследований использованы в ОАО «НПЦ «Полюс» г. Томск, в учебном процессе на кафедре «Системы автоматического управления» СибГАУ им.академика М.Ф. Решетнева, что подтверждено соответствующими актами о внедрении.

Работа выполнялась при финансовой поддержке по гранту №2.1.2/2473 «Методы повышения эффективности использования резонансных режимов в высокочастотных импульсных преобразователях напряжения (ИПН)» аналитической ведомственной целевой программы "Развитие научного потенциала высшей школы" 2009-2011гг.; Государственного контракта №14.740.11.1124 «Методы повышения эффективности энергопреобразующих устройств энергосистем космических аппаратов» Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 гг.

Личный вклад автора. Автору принадлежат: постановка задач данного исследования, обоснование и разработка всех положений, определяющих научную новизну и практическую значимость работы, результаты теоретических и экспериментальных исследований, анализ и обобщение результатов, формулировка выводов и заключений.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Условие выбора одного из двух возможных режимов работы квазирезонансного преобразователя напряжения с переключением при нулевых значениях тока, позволяющее определить тот режим, при котором мощность статических потерь ключевого элемента будет наименьшей в заданном диапазоне регулирования.

2. Экспериментально установленная взаимосвязь динамических параметров схемы, состоящей из параллельно соединенных диода, встроенного в МДП-транзистор, и диода Шоттки, и токораспределения между диодами при работе в составе ключевого элемента квазирезонансного преобразователя напряжения с переключением при нулевых значениях тока с полной волной резонансного цикла в зависимости от собственной частоты резонансного контура.

3. Усовершенствованный ключевой элемент квазирезонансного преобразователя напряжения с полной волной тока резонансного цикла и методика расчета его параметров, применение которой позволяет значительно 9 снизить динамические потери мощности в МДП-транзисторе, возникающие за счет процесса обратного восстановления встроенного в него диода.

4. Условие выбора МДП-транзистора, выполняющего роль синхронного выпрямителя в схеме «двунаправленный ключ» в квазирезонансном преобразователе напряжения с половиной волны тока резонансного цикла, позволяющее подобрать МДП-транзистор, при котором исключаются возможные дополнительные потери мощности на нем.

Рекомендации по использованию результатов диссертации. Рекомендуется использовать результаты диссертационной работы при проектировании энергопреобразующих устройств с повышенными требованиями к удельной мощности и качеству выходного напряжения.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались: на X, XIII, XIV, XV Международной научной конференции «Решетневские чтения» в г.Красноярске (2006, 2009, 2010, 2011гг.); на Всероссийской научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов «Актуальные проблемы авиации и космонавтики» в г.Красноярск (2009, 2010, 2011гг.); на XVIII научно - технической конференции «Электронные и электромеханические системы и устройства», ОАО «Полюс» в г.Томск (2010г.); на научно-технической конференции молодых специалистов ОАО "ИСС имени академика М.Ф. Решетнева" в г. Железногорск (2011г.); на международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления», г. Томск (2011г.).

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ, из них статей - 5, тезисов докладов - 3, материалов конференций - 6, одна заявка на изобретение.

Результаты решения перечисленных задач составляют основное содержание данной работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованной литературы и семи приложений. Работа изложена на 131 странице машинописного текста, включает 86 рисунков, 7 приложений на 10 страницах, в список литературы включено 112

Заключение диссертации по теме «Силовая электроника», Соломатова, Анна Александровна

Выводы по четвертой главе

В результате анализа работы КЭ на основе полупроводниковых МДП-транзисторов в квазирезонансном ПН с половиной волны тока резонансного цикла можно сказать, что использование низковольтного МДП-транзистора с меньшим сопротивлением открытого канала, выполняющего роль синхронного выпрямителя в КЭ по схемеидвунаправленный ключ',' позволяет увеличить КПД ПН по сравнению с традиционным вариантом двунаправленного КЭ, содержащего два транзистора с одинаковым блокирующим напряжением, на 1% при условии, что не будет происходить электрический пробой данного МДП-транзитора, вызванный процессами, происходящими в паразитном РК, образованном индуктивным элементом основного РК и емкостью сток-исток МДП-транзистора. Предложено условие выбора транзистора на основе зависимости между параметрами применяемого МДП-транзистора, параметрами РК и предельными характеристиками ПН, которое показывает, что чем меньше диапазон регулирования, определяемый параметром т.е. чем меньше изменение выходного тока или входного напряжения, тем меньше амплитуда напряжения, прикладываемого к МДП-транзистору, выполняющему роль синхронного выпрямителя. Таким образом, при заданном диапазоне регулирования можно подобрать такие параметры РК, при которых данный МДП транзистор может быть выбран с минимально возможным блокирующим напряжением.

В диссертационной работе решались проблемы применения электронных ключей на основе МДП-транзисторов в импульсных квазирезонансных ПН средней мощности с точки зрения энергетической эффективности. Основная идея работы заключается в детальном изучении механизмов потерь мощности в компонентах КЭ при работе в цепи РК. При этом основным результатом является методика проектирования КЭ и выбора режимов работы квазирезонансного ПН с переключением при нуле тока с частотно-импульсной модуляцией, которая строится на результатах, описанных ниже.

1. Предложено условие выбора режима работы квазирезонансного ПН с переключением при нуле тока с частотно-импульсной модуляцией, который заключается в сравнительной оценке мощности статических потерь на ключевых элементах рассматриваемого ПН для двух возможных режимов в заданном диапазоне регулирования.

2. Мощность статических потерь на КЭ в квазирезонансном ПН по сравнению с традиционным ПН с ШИМ при максимальной нагрузке и прочих равных условиях (входное, выходное напряжение, ток нагрузки) выше в 2-4 раза в зависимости от разницы между входным и выходным напряжениями (при 0,5>£/вых/£/вх>0,25), причем для режима с полной волной тока резонансного цикла статические потери в КЭ выше, чем для режима с половиной волны. Таким образом, применение данных резонансных режимов будет иметь преимущество с точки зрения КПД на частоте преобразования, при которой динамические потери мощности в традиционном ПН с ШИМ будут доминирующими.

3. В работе был проведен ряд экспериментов, связанных с исследованием механизма влияния встроенного в МДП-транзистор р+-п диода на динамические потери мощности при работе в цепи РК с полной волной тока резонансного цикла. Результаты экспериментов говорят о том, что динамические потери мощности, возникающие из-за процесса обратного восстановления данного диода, являются существенными при частотах преобразования свыше ЮОКГц.

Традиционный метод решения обозначенной проблемы за счет использования дополнительного шунтирующего диода Шоттки с блокирующим напряжением

109

100В и выше не позволяет полностью исключить протекание тока через встроенный диод при работе на собственной частое РК порядка 1МГц, что связанно с наличием неотъемлемых паразитных реактивных компонентов (диффузионная емкость, индуктивность соединений). Разработанная математическая модель параллельно соединенных р-п и Шоттки диодов с учетом паразитных компонентов позволяет определить зависимость проводимости каждого из диодов при работе на прямом участке ВАХ на частоте РК от значений реактивных компонентов. На основании совместного анализа результатов моделирования и экспериментальных исследований был предложен новый тип КЭ без увеличения активных элементов в схеме и методика его проектирования. Полученное техническое решение дает существенный эффект в ПН с переключением КЭ при нулевых значениях тока и полной волной резонансного цикла с рабочим напряжением полупроводниковых приборов от 100 до 200В.

4. В результате анализа работы КЭ на основе МДП-транзисторов в квазирезонансном ПН с половиной волны тока резонансного цикла установлены дополнительные потери мощности, связанные с процессами, происходящими в паразитном РК, образованном индуктивным элементом основного РК и емкостью сток-исток МДП-транзистора, выполняющего роль синхронного выпрямителя в КЭ по схеме «двунаправленный ключ». Это приводит к ограничению на диапазон регулирования ПН данного типа, в связи с чем предложено условие выбора транзистора на основе зависимости между параметрами применяемого МДП-транзистора (блокирующее напряжение, емкость сток-исток), параметрами РК и предельными характеристиками ПН (максимальное входное напряжение и минимальный рабочий ток нагрузки).

5. Разработанные способы позволили снизить динамические потери мощности, возникающие за счет описанных явлений, и повысить КПД квазирезонансного ПН на 3-13% в зависимости от выходной мощности в диапазоне частоты преобразования от 350 до 500 КГц при использовании кремниевых МДП-транзисторов и диодов Шоттки с блокирующим напряжением до 200В.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Соломатова, Анна Александровна, 2012 год

1. Виноградов, Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. -Учебник для студентов высш. техн. учебн. Заведений. Изд. 2-е., доп. М.: «Энергия», 1972. - 536 с.

2. Войтович, В. Si, GaAs, SiC, GaN силовая электроника. Сравнение, новые возможности / В. Войтович, А. Гордеев, А. Думаневич // Силовая электроника. - 2010. - №5. - С. 4-10.

3. Волович, Г. Резонансные преобразователи напряжения / Г. Волович // Схемотехника. 2003. - №8. - С. 10-12.

4. Горяшин, H.H. Оптимизация параметров выходного фильтра квазирезонансного стабилизатора напряжения / H.H. Горяшин // Вестник СибГАУ, Красноярск. 2008. - Вып. 19. - С. 126-131.

5. Готтлиб, И. М. Источники питания. Инверторы, конверторы, линейные и импульсные стабилизаторы / И. М. Готтлиб. М.: Постмаркет, 2002. - 544 с.

6. Гринберг, Р. Текущее состояние и направления дальнейшего развития силовых полупроводниковых приборов // Силовая Электроника. 2001 - №27-С. 1-2.

7. Горева, Л. IGBT транзисторы International Rectifier шестого поколения/ Л. Горева // Силовая Электроника. - 2009. - №4. - С. 27-32.

8. Горюнов, H.H. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений/ H.H. Горюнов, Ю.Р. Носов М.:«Советское радио», 1968. - 303 с.

9. Грехов, И. Силовая полупроводниковая электроника / И. Грехов // Компоненты и технологии. 2006. - №3. - С. 1-6.

10. Дьяконов, В.П. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / В.П. Дьяконов, A.A. Максимчук и др. М.: СОЛОН-Р, 2002. - 512 с.

11. Зиновьев, Г.С. Основы силовой электроники / Г.С. Зиновьев: Учебник. -Новосибирск: Изд-во НГТУ, 1999. 4.2. 199 с.

12. Колпаков, A. NPT, Trench, SPT.4to дальше?/ А. Колпаков // Силовая электроника. 2006. - №3. - С. 14-22.

13. Копылов, А. Силовые полупроводники фирмы Infineon Technologies // Силовая электроника и питание РЭ. 2004. - №4 (34). - С. 24-29.

14. Ланцов, В. Электромагнитная совместимость импульсных источников питания / В. Ланцов, С. Эранасян // Силовая электроника. 2006. - №4. - С. 5864.

15. Ланцов, В. Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 3. / В. Ланцов, С. Эраносян // Силовая электроника. 2009. - №1. - С. 4-10.

16. Ланцов, В. Электронная компонентная база силовых устройств. Часть1. /

17. B. Ланцов, С. Эранасян // Силовая электроника. 2009. - №5. - С. 4-7.

18. Лебедев, А. Анализ коммутационных процессов в ключе на МДП-транзисторе с индуктивной нагрузкой /А. Лебедев, И. Недолужко // Компоненты и технологии. 2007. - №4. - С. 123-128.

19. Лебедев, А. SiC-электроника: прошлое, настоящее, будущее/ А. Лебедев,

20. C. Сбруев // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2006. - №5. - С. 28-41.

21. Лукин, A.B. Квазирезонансные преобразователи постоянного напряжения / A.B. Лукин // Электропитание. 1993. - вып.2. - С. 24-37.

22. Лукин, А. В. Распределенные системы электропитания // Электронные компоненты. 1997. - Вып. 7. - С. 28-32.

23. Лукин, A.B. Высокочастотные преобразователи постоянного напряжения и их классификация / A.B. Лукин// Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 1998. - №1. - С. 33-36.

24. Мелешин, В. И. Транзисторная преобразовательная техника. М.: Техносфера, 2005. - 632с.

25. Некрасов, М. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП-транзисторов / М. Некрасов, И. Щукина // Силовая электроника. 2004. -№1. - С. 14-16.

26. Образцов, С. Силовые МДП-транзисторы на основе карбида кремния // Электронные компоненты. 2007. - №8 - С. 33-36.

27. Окснер, Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение. Пер. англ. - М.: Радио и связь, 1985. - 288 с.

28. Разевиг, В.Д. Схемотехническое моделирование с помощью Micro Сар 7. М.: Горячая линия - Телеком. 2003. - 368 с.

29. Рассел, Д. Развитие технологий транзисторов MOSFET повышает их специализацию // Новости Электроники. 2009. - №12. - С. 3-4.

30. Хамзин, Н. Поведение высоковольтных MOSFET-транзисторов в преобразователях с мягким переключением: анализ и повышение надежности // Компоненты и технологии. 2006. - №4. - С. 136-144.

31. Шаропин, Ю. Карбид-кремниевые высоковольтные диоды шоттки компании CREE / Ю. Шаропин // Электронные компоненты. 2006. - №6. -С.1-4.

32. Патент 2278459RU. Квазирезонансный высокочастотный преобразователь напряжения / Н.Н. Горяшин, М.В. Лукьяненко, А.Б. Базилевский //заявл. 08.12.04; опубл. 20.06.06.

33. Abu-Qahouq, J. Generalized Analysis of Soft-Switching DC-DC Converters / J. Abu-Qahouq, I. Batarseh // IEEEISCAS, Vol. 3. 2000. - P. 507 -510.

34. Abu-Qahouq, J. Unified Steady-State Analysis of Soft-Switching DC-DC Converters / I. Batarseh, J. Abu-Qahouq // IEEE Trans. Power Electron., Vol. 17, No. 5. -2002. Sep. - P. 684-691.

35. Aksoy, I. A New ZVT-ZCT-PWM DC-DC Converter /1. Aksoy, H. Bodur, A. F. Bakan// IEEE Trans. Power Electron., Vol. 25, No. 8. 2010. - Aug. - P. 20932105.

36. Andreycak, W. 1 Megahertz 150 Watt Resonant Converter Design Review // Unitrode Power Supply Design Seminar Handbook SEM-бООА, 1988.

37. Andreycak, W. Zero Voltage Switching Resonant Power Conversion / W. Andreycak // Unitrode Power Supply Design Seminar SEM-700, 1990.

38. Andreycak, W. Zero Voltage Switching Resonant Power Conversion / W. Andreycak // Application Note U-138. Unitrode Corp. April 1999.

39. Baliga, B.J. Paradigm shift in planar power MOSFET Technology / В J. Baliga, D. A. Girdhar // Power Electronics Technology. 2003. - Nov. - P. 2432.

40. Balogh, L. Design And Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits. Texas Instruments Incorporated - 2002. - P. 38.

41. Bodur, H. A New ZVT-PWM DC-DC Converter / H. Bodur, F.Bakan // IEEE Trans. Power Electron. Vol. 17, No. 1. 2002. - Jan. - P. 40-47.

42. Bodur, H. An Improved ZCT-PWM DC-DC Converter for High-Power and Frequency Applications / H. Bodur, F. Bakan // IEEE Trans. On Indust. Electron, Vol. 51, No. 1. 2004. - P. 89-94.

43. Burra, R.K. CoolMOS Integral Diode: A Simple Analytical Reverse Recovery Model / R. K. Burra, K. Shenai // Power Electronics Specialist Conference, PESC '03.-2003.-P. 834-838.

44. Bussato, J. Non Destructive Testing of Power MOSFET's Failures during Reverse Recovery of Drain-Source Diode / J. Bussato, O. Fioretto // Power Electronics Specialist Conference PESC'96. - 1996. - P. 593-599.

45. Canesin, C. A. Novel Zero-Current-Switching PWM Converters / C. A. Canesin, I. Barbi //IEEE Trans, on Indust. Electron., Vol. 44, No. 3. 1997. - P. 372381.

46. Choi, W. Improving System Reliability Using FRFET in LLC Resonant Converters / W. Choi, S. Young // PESC'08. 2008. - P. 2346-2351.

47. Cho, B.H. Novel zero-current-switching (ZCS) PWM switch cell minimizing additional conduction loss / B.H. Cho // IEEE Trans. On Indust. Electron., Vol. 49, No.L-2002.-P. 165-171.

48. Cliff, L.M. Modeling of Power Diodes with Lumped-Charge Modeling Technique / L.M Cliff, P.O. Lauritzen, J. Sigg // IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 12, No. 3. 1997. - P. 398-405.

49. Dastfan, A. A New Macro-Model for Power Diodes Reverse Recovery / A. Dastfan // Proceedings of the 7th WSEAS International Conference on Power Systems. 2007. - Sept. - P. 48-52.

50. Eberle, W. A Practical Switching Loss Model for Buck Voltage Regulators/ W. Eberle, Z. Zhang, Y. Liu, P.C. Sen // IEEE Trans. Power Electron., Vol. 24, No. 3.-2009.-P. 700-713.

51. Erickson R.W. Fundamentals of Power Electronics. First Edition. - New York: Chapman and Hall, 1997. - 791 p.

52. Fiel, A. MOSFET Failure Modes in the Zero-Voltage-Switched Full-Bridge Switching Mode Power Supply Application / A. Fiel, T. Wu // International Rectifier -2001.-P. 1-6.

53. Grant, D.A. Power MOSFETS: theory and applications / D.A. Grant, J. Gowar // New York: Wiley, 1989. 504 p.

54. Jabbari, M. Unified Analysis of Switched-Resonator Converters / M. Jabbari// IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 26, No. 5. 2011. - May - P. 1364-1376.

55. Jovanovic, M. M. Zero-Voltage-Switching Technique In High-Frequency Off-Line Converters / M. M. Jovanovic, W. A. Tabisz., F. C. Lee // In Proc. Applied Power Electron. Conf and Expo. 1988. - P. 23-32.

56. Jovanovic, M.M. A Technique for Reducing Rectifier Reverse-Recovery-Related Losses in High-Power Boost Converters / M. M. Jovanovic // IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 13, No. 5. 1998. - Sept. - P.932-941.

57. Jovanovic, M. M. Power Supply Technology Past, Present, and Future // Power Conversion and Intelligent Motion China Conf. for Power Electronics (PCIM China) Proc. - 2007. - P. 3-15.

58. Hua, G. Novel Zero-Current-Transition PWM Converters / G. Hua, E. X. Yang, Y. Jiang, and F. C. Lee // IEEE Trans. On Power Electronics, Vol. 9, No.6 -1994.-P. 601-606,

59. Iannello, C. Small Signal and Transient Analysis of a Full-bridge, ZCS-PWM using averaging / Chris Iannello, Issa Batarseh // Submitted to IEEE Tran. On Power Electronics. 2003.

60. Kimball, J.W. Evaluating Conduction Loss of a Parallel IGBT-MOSFET Combination / J.W. Kimball, P.L. Chapman // IEEE, IAS. 2004. - P. 1233-1237.

61. Lauritzen, P.O. A Simple Diode Model with Reverse Recovery / P.O. Lauritzen // IEEE Trans. Power Electron., Vol.6, No.2. 1991. - Apr. - P .188191.

62. Lauritzen, P.O. A Simple Diode Model with Forward and Reverse Recovery / P.O. Lauritzen, Clif L.Ma // IEEE Trans. Power Electron., Vol.8, No.4. 1993. -Oct. - P. 342-346.

63. Liang, S. Schottky Barrier Diode Characteristic Under High Level Injection / S. Liang, W.T. Ng, C. Andre T. Salama // Solid-State Electronics Vol. 33, No.l. -1990.-P. 39-46.

64. Liang, Y. Diode Forward and Reverse Recovery Model for Power Electronic SPICE Simulations / Y. Liang, V.J. Gosbell // IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 5, No. 3. 1990. - P. 346-356.

65. Liang, Y.C. Design Considerations of Power MOSFET for High Frequency Synchronous Rectification/ Y.C. Liang, R. Oruganti, B. Tiong // IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 10, No. 3. 1995.-May-P. 388-395.

66. Mammano, R. Resonant Mode Converter Topologies /R. Mammano, Unitrode Power Supply Design Seminar SEM600, Topic 1, 1988.

67. Micro Cap 7. Electronic Circuit Analysis Program User's Guide Sunnyvale: Spectrum Software, 2001.

68. Palmer, P.R. Circuit Simulator Models for the Diode and IGBT with Full Temperature Dependent Features / P.R. Palmer, T. Santi, J.L. Hudgins, X. Kang, J.C. Joyce, P.Y. Eng // IEEE Trans. Power Electron., Vol.18, No.5. 2003. - Sep. -P. 1220-1229.

69. Randall, R. Choosing Power Switching Devices for SMPS Designs MOSFETs or IGBTs // Fairchild Semiconductors, Application Note 7010. - 2005. -P. 1-6.

70. Ren, Y. Analytical Loss Model of Power MOSFET / Y. Ren, M. Xu, J. Zhou, F.C. Lee // IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 21, No. 2. 2006. - P. 310-319.

71. Reid, M.D. Modelling the Temperature Dependent Reverse Recovery Behaviour of Power Diodes / M.D. Reid, S.D. Round, R.M. Duke // Proc. International Power Electron. Conf. 2000. - P. 779-783.

72. Rodrigues, M. Analysis of the Switching Process of Power MOSFETs using a New Analytical Losses Model / M. Rodrigues, A. Rodrigues, P. Miaja, J. Zuniga // Proc. of Power Electronics Specialists Conference. 2009. - P. 3790-3797.

73. Rodrigues, M. An Insight into the Switching Process of Power MOSFETs: An Improved Analytical Losses Model / M. Rodrigues, A. Rodrigues, P. Miaja, D. Lamar, J. Zuniga // IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 25, No. 6. 2010. -P. 1626-1639.

74. Rossetto, L. Quasi-Resonant Multi-Output DC/DC Converter With Push-Pull Topology / L. Rossetto, G. Spiazzi, P. Tenti, F. Brasola, L. Fontanella, G. Patechi // Prec. of IEEE Applied Power Electronics Conf. (APEC). 1994. - Feb. - P. 971-977.

75. Russi, J.L. Multi-Pole ZVT Converters: A Novel Methodology Synthesis / J.L. Russi, M.L. Martins, L. Schuch, J.R. Pinheiro, H.L. Hey // 8th Brazilian Power Electronics Conference COBEP 2005. - 2005. - P. 617-624.

76. Russi, J.L. Novel Synthesis Methodology for Resonant Transition PWM Converters/ J.L. Russi, M.L. Martins, H.L. Hey //8th Brazilian Power Electronics Conference COBEP 2005. - 2005. - P. 506-513.

77. Russi, J.L. Novel Resonant Transition PWM Inverters: Synthesis and Analysis / J.L. Russi, M.L. Martins, J.R. Pinheiro, H.L. Hey // 37th IEEE Power Electronics Specialists Conference, June 18-22, Jeju, Korea. 2006. - P. 2700-2706.

78. Sattar, A. Power MOSFET Basics / A. Sattar // IXYS Corporation 2002. -lip.

79. Shen, Z.J. Power MOSFET Switching Loss Analysis: A New Insight / Z.J. Shen, Yali Xiong, Xu Cheng, Yue Fu, P. Kumar // IEEE Industry Applications Conference, Vol. 3. 2006. - P. 1438-1442.

80. Tien, B. Determination of Carrier Lifetime from Rectifier Ramp Recovery Waveform / B. Tien, C. Hu // IEEE Trans. Electon. Devices. Vol.9, No. 10. 1988. -Oct.-P. 553-555.

81. Tsuyoshi, F. Evaluation of High Frequency Switching Capability of SiC Schottky Barrier Diode, Based on Junction Capacitance Model/ F. Tsuyoshi,

82. К. Tsunenobu, Н. Takashi //IEEE Trans, on Power Electron., Vol. 23, No. 5. 2008. -P. 2602-2611.

83. Tulbure, D. Introduction to Power MOSFETs // MicroNote Series 901, Microsemi Santa Ana 2002. - P. 12-14.

84. Xiao, Y. Analytical Modeling and Experimental Evaluation of Interconnect Parasitic Inductance on MOSFET Switching Characteristics / Y. Xiao, H. Shah, T. P. Chow, R. J. Gutmann // Proc. IEEE Applied Power Electronics, conf. 2004. -P. 516-521.

85. Yang, B. Topology Investigation for Front End DC/DC Power Conversion for Distributed Power System/ Bo Yang/ PhD thesis, Virginia Polytechnic Institute and State University. 2003. - 316 p.

86. Yueqing, W. Prediction of PIN Diode Reverse Recovery / W. Yueqing, Z. Qingyou, Y. Jianping, S. Chaoqun // Delta Power Electronics Center 2004 35th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference. 2004. - P. 2956-2959.

87. Zacharias, P. Perspectives of SiC Power Devices in Highly Efficient Renewable Energy Conversion Systems /Р. Zacharias// Invited plenary paper of 7th Europen Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM Barcelona, 2008.

88. Zhang, H. System Modeling and Characterization of SiC Schottky Power Diodes / H. Zhang, Tolbert L.M., B. Ozpineci // IEEE COMPEL workshop. 2006. -P. 199-204.

89. Patent 4720667 USA, G05F 1/40. Zero-current Switching Quasi-Resonant Converters Operating in a Full-Wave Mode/ Kwang-Hwa Liu, Fred C.Lee.-№877184; заявл. 20.01.1986; опубл. 19.01.1988.

90. Patent 5066900 USA, H02M 3/335. DC/DC Converter Switching at Zero Voltage / J.A. Basset. №542478; заявл. 22.06.1990; опубл. 19.11.1991.

91. Patent 5418704 USA, H02M 3/335. Zero-voltage-transition Pulse-width-modulated Converters / Guichao C.Hua, Fred C.Lee. №66943, заявл. 24.05.1993; опубл. 23.05.1995.

92. Patent 5486752 USA, H02M 3/335. Zero-current Transition PWM Converters / Guichao C.Hua, Fred C.Lee. №262049, заявл. 17.06.1994; опубл. 23.01.1996.

93. Patent 574845 USA, H02M 3/335. Family of Zero Voltage Switching DC To DC Converters / F. Ngai, К. Poon, M. H. Pong. Заявка №787295, заявл. 24.01.1997; опубл. 05.05.1998г

94. Patent 5959438 USA, G05F 1/56. Soft-Switched Boost Converter with Isolated Active Snubber / Y. Jang, M.M. Jovanovic.- №09/005204, заявл. 9.01.1998; опубл. 28.09.1999.

95. Patent 6051961 USA, G05F 1/613. Soft-Switching Cell For Reducing Switching Losses In Pulse-Width-Modulated Converters / Y. Jang, M.M. Jovanovic.-№09/250789, заявл. 11.02.1999; опубл. 18.04.2000.

96. Patent 2002/0000795A1 USA, G05F 1/40. Universal Pulse Width Modulated Zero Voltage Transition Switching Cell / E. H. Wittenbreder. №09/772511, заявл. 29.01.2001; опубл. 03.01.2002.

97. Patent 7215101 USA, B2 G05F 1/613. Soft-Switching DC/DC Converter Having Relatively Fewer Elements/ Yu-Ming Chang. №11/1412178, заявл. 31.05.2004; опубл. 08.05.2007.

98. Работы автора В изданиях из перечня ВАК:

99. Соломатова, А.А. Определение волнового сопротивления колебательного контура квазирезонансного стабилизатора напряжения / А.А Соломатова, Н.Н. Горяшин // Вестник СибГАУ, Красноярск. 2007. - Вып. 14.-С. 99-102.

100. Соломатова, А.А. Моделирование режимов параллельной работы квазирезонансных преобразователей напряжения с коммутацией ключевых элементов при нулевых значениях тока / Н.Н. Горяшин, М.В. Лукьяненко,

101. A.A. Соломатова, А.Ю. Хорошко // Вестник СибГАУ, Красноярск. 2009. -Вып. 25.-С. 53-58.

102. Соломатова A.A. Анализ режимов работы квазирезонансного преобразователя напряжения / H.H. Горяшин, М.В. Лукьяненко, A.A. Соломатова, А.Ю. Хорошко // Изв. ВУЗов. Приборостроение, СПб. 2011. -Т. 54, №4. -С. 7-13.

103. Соломатова, A.A. Оценка статических потерь мощности в квазирезонансном преобразователе напряжения / А.А Соломатова, H.H. Горяшин // Вестник СибГАУ, Красноярск. 2011. - Вып. 37. - С. 13-19.

104. Соломатова, A.A. Экспериментальный анализ работы МДП-транзистора в квазирезонансном преобразователе напряжения / А.А Соломатова, H.H. Горяшин // «Доклады ТУ СУР», Томск. 2011. - №2 (24), ч. 1. - С. 258263.1. Остальные публикации:

105. Соломатова, A.A. Анализ коммутационных процессов МДП-ключей резонансных преобразователей напряжения // Решетневские чтения: материалы XIII международ, научн. конф., Красноярск. 2009. - С. 166-167.

106. Соломатова, A.A. Исследование работы МДП-ключа в квазирезонансном преобразователе напряжения с полной волной тока резонансного цикла / Решетневские чтения: материалы XIV международ, научн. конф., Красноярск. 2010. - С. 174-175.

107. Соломатова, A.A. МДП-ключ в квазирезонансном преобразователе напряжения / А.А Соломатова, H.H. Горяшин // Материалы докладов международ, научн.- практ. конф. «Электронные средства и системы управления», Томск: B-Спектр. 2011. - С. 98-104.

108. Заявка на изобретение «Высокочастотный квазирезонансный преобразователь напряжения с полной волной тока резонансного цикла» / H.H. Горяшин, A.A. Соломатова (РФ).№ 2011109630, заявл. 14.03.11; экспертиза по существу.