Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Соколовский, Григорий Семенович

• Соколовский, Григорий Семенович
• доктор физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Соколовский, Григорий Семенович

Введение.

Глава 1 Теоретические основы лазеров с периодическими оптическими неоднородностями.

§ 1.1 Теоретические основы лазеров с распределенной обратной связью (РОС).

Теория связанных волн

§1.2 Учет отражения на торцах. Вероятность получения одночастотного режима генерации

§ 1.3 Теоретические основы работы лазеров с распределенным брегговским зеркалом (РБЗ)

§ 1.4 Балансные уравнения бегущей волны. Пространственно-усредненные скоростные) уравнения. Определение быстродействия полупроводникового лазера

§ 1.5 Пространственные характеристики излучения полупроводниковых лазеров с широким полоском.

Глава 2 Спектральные и динамические характеристики лазеров с периодическими оптическими неоднородностями.

§ 2.1 Релаксационные колебания в РОС-лазерах с насыщающимся поглотителем.

§ 2.2 Фазовые эффекты в поверхностно-излучающем РБЗ лазере.

§ 2.3 Спектральные характеристики лазеров с клиновидной структурой РОС. п. 2.3.1 Лазер с клиновидной структурой РОС. Способы создания «клина». п. 2.3.2 Расчет и изготовление дифракционной решетки с переменным шагом. п. 2.3.3 Теоретический анализ лазера с переменным шагом встроенной дифракционной решетки.

Глава 3 РОС-лазер с искривленными штрихами решетки, обеспечивающей фокусировку выходного излучения.

§ 3.1 Конструкция РОС-лазера с искривленными штрихами решетки.

§ 3.2 Спектральные характеристики и-РОС лазера.

§ 3.3 Пространственные характеристики излучения и-РОС лазера.

§ 3.4 Фазовые эффекты в широкополосковых гетеролазерах с искривлёнными штрихами решетки обратной связи.

Глава 4 Спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами распределенного брегговского зеркала, обеспечивающего фокусировку выходного излучения.

§ 4.1 Конструкция РБЗ-лазера с искривленными штрихами решетки.

§ 4.2 Исследование спектральных характеристик и-РБЗ лазеров.

§ 4.3 Исследование пространственных характеристик излучения и-РБЗ лазеров.

Глава 5 Динамические характеристики и насыщение усиления в лазерах и оптических усилителях с активной областью на основе квантоворазмерных гетероструктур.

§ 5.1 Усиление и обострение оптических импульсов в полупроводниковых оптических усилителях с активной областью на основе квантовых точек.

§ 5.2 Обострение оптического сигнала в вертикально-излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs квантовых точек.

§ 5.3 Аномальные динамические характеристики лазеров с активной областью на основе квантовых точек, генерирующих излучение двух квантовых состояний.

§ 5.4 Переключение генерации излучения различных квантовых состояний в полупроводниковых лазерах с активной областью на основе квантовых ям.

Глава 6 Исследование поляризационных свойств излучения полупроводниковых лазеров

§ 6.1 Зонная инженерия. Возможность управления поляризацией излучения полупроводникового лазера.

§ 6.2 Система скоростных уравнений для анализа состояния поляризации излучения полупроводникового лазера и анализ устойчивости ее решений.

§ 6.3 Прямая (токовая) модуляция поляризации выходного излучения лазера.

§ 6.4 Двойная модуляция поляризации излучения лазера. Возможность плавной подстройки (скрамблирования).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями»

Актуальность темы

Исследования полупроводниковых лазеров и новые разработки, в особенности связанные с применением наноразмерных гетероструктур — квантовых ям и квантовых точек, обеспечили их применение во многих областях науки и техники, яркими примерами которых являются запись, хранение и передача информации, накачка оптических усилителей и твердотельных лазеров, фотомедицина и фотобиология. Столь широкий интерес к использованию полупроводниковых лазеров в первую очередь связан с их компактностью и эффективностью — по этим параметрам полупроводниковые лазеры имеют огромное преимущество по сравнению со всеми другими типами лазеров. Однако в последние годы расширение круга применений полупроводниковых лазеров постоянно требует разработки путей дальнейшего повышения мощности излучения, улучшения его фокусировки, а также обеспечения одночастотной генерации и повышения быстродействия полупроводниковых лазеров.

Решение этих задач показывает, что повышение мощности излучения полупроводниковых лазеров за счет увеличения тока накачки зачастую оказывается невозможным из-за насыщения ватт-амперной характеристики, вызываемого как перегревом активной области, так и проявлением насыщения усиления и нелинейных эффектов, снижающих также быстродействие лазеров, приводящих к срыву одночастотной генерации и формированию многомодового излучения, что существенно затрудняет его фокусировку. Особенно остро вопрос учета насыщения усиления и нелинейных эффектов стоит в задачах, требующих одновременного достижения высокой мощности и одночастотной генерации, быстродействия и фокусировки излучения. Поэтому дальнейшее улучшение характеристик полупроводниковых лазеров невозможно без изучения влияния нелинейных эффектов и насыщения усиления, а также разработки конструкций лазеров, минимизирующих такое влияние или, напротив, использующих нелинейные эффекты для улучшения характеристик полупроводниковых лазеров.

Перспективным решением является использование в лазерном резонаторе различных интегрально-оптических элементов с периодическими оптическими неоднородностями, эффективность которых для фокусировки излучения лазеров с широким полоском была продемонстрирована в различных конструкциях поверхностно-излучающих лазеров с дифракционным выводом излучения. К сожалению, лазеры с дифракционным выводом излучения имеют низкую дифференциальную квантовую эффективность вследствие дифракции значительной части излучения в подложку, поэтому особенно привлекательным является применение брегговской решётки с искривленными штрихами в лазере торцевой конструкции, что позволит достичь высокой мощности за счёт применения широкого полоска, фокусировки излучения за счёт симметрии резонатора и одночастотной генерации за счет использования распределённого брегговского зеркала.

Кроме того, излучательные характеристики полупроводниковых лазеров могут быть существенно улучшены методами зонной инженерии. Помимо очевидного влияния на взаимное расположение уровней размерного квантования в квантово-размерных гетероструктурах, управление составами и толщинами эпитаксиальных слоев предоставляет возможность изменения взаимного расположения подзон легких и тяжелых дырок в валентной зоне, что приводит к модификации спектров оптического усиления для излучения с различной поляризацией и изменению коэффициентов насыщения усиления.

Таким образом, методами зонной инженерии могут быть созданы полупроводниковые лазеры с переключением поляризации излучения и поляризационной бистабильностью (за счет влияния насыщения усиления), в которых при переключении не меняется концентрация неравновесных носителей заряда, что позволяет снять обычные ограничения (время жизни) на скорость переключения.

Во всех перечисленных выше задачах важнейшую роль играет учет насыщения усиления и нелинейных эффектов в полупроводниковых лазерах, однако решению этой проблемы к началу наших работ не уделялось достаточного внимания. Более того, чаще всего насыщение усиления и нелинейные эффекты либо полностью исключались из рамок рассмотрения решаемых задач, либо учитывались лишь при численном моделировании. Поэтому проблема учета насыщения усиления и нелинейных эффектов в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями потребовала проведения комплекса физических исследований. Решению этой проблемы и сопряженных с ней задач и посвящена представленная работа.

Целью данной работы являлось исследование насыщения усиления и нелинейных эффектов в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями, разработка методов повышения быстродействия полупроводниковых лазеров, в том числе за счет переключения поляризации излучения, и способов обеспечения одночастотного режима генерации и фокусировки излучения полупроводниковых лазеров.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Проведено комплексное теоретическое и экспериментальное исследование лазеров с искривленными штрихами решетки обратной связи и клиновидным полоском. Показано, что обеспечение цилиндрической симметрии резонатора позволяет сфокусировать все моды выходного излучения полупроводникового лазера с распределенным брегговским зеркалом или распределенной обратной связью в общий фокус в плоскости р-п перехода.

2. Проведен анализ механизмов, определяющих размер фокусного пятна лазера с искривленными штрихами решетки обратной связи. Показано, что размер фокусного пятна определяется не только числовой апертурой лазера и преломлением излучения на плоском выходном зеркале, но и шириной спектральной линии выходного излучения.

3. Проанализировано влияние фазы отражения на торцах резонатора на пороговые и спектральные характеристики лазеров с искривлёнными штрихами решётки обратной связи. Показано, что учет влияния фазы отражения играет ключевую роль для обеспечения одночастотной генерации и фокусировки излучения. Предложена усовершенствованная конструкция лазера с искривленными штрихами решетки обратной связи, в которой исключается негативное влияние фазовых эффектов.

4. Обнаружено, что характеристики полупроводниковых лазеров с активной областью на основе квантовых точек 1пОаЛзЛЗаАз/1пАз, генерирующих излучение двух квантовых состояний, во многом определяются перераспределением инжекции носителей между квантовыми состояниями. Вызываемое этим перераспределение концентрации носителей при накачке импульсами тока длительностью 30 не может вызывать полное прекращение лазерной генерации на время до 10-15 не и более через 2-5 не после первоначального включения, причем задержка возобновления лазерной генерации увеличивается с увеличением тока накачки.

5. Показано, что перераспределение инжекции носителей между квантовыми состояниями в полупроводниковых лазерах с активной областью на основе квантовых точек ГпваАз/ва АзЛпАэ, генерирующих излучение двух квантовых состояний, порождает эффект, сходный с действием насыщающегося поглотителя, и вызывает модуляцию добротности излучения возбужденного состояния, выражающуюся в генерации импульсов длительностью 100-300 пс с периодом 0.5-1 не, следующих за короткими провалами сходной длительности в излучении основного состояния (т.н. «темными импульсами»).

6. Обнаружено, что полупроводниковые лазеры с активной областью на основе квантовых ям ТпОаАз/ОаАБ/АЮаАБ, генерирующие излучение, соответствующее переходам между несколькими дырочными и электронными уровнями, при накачке импульсами тока длительностью 150 не демонстрируют загиб ватт-амперной характеристики, не связанный с перегревом активной области. Показано, что спад мощности излучения при увеличении тока накачки связан с перераспределением энергии между квантовыми уровнями, которое может вызывать полное прекращение лазерной генерации на время до 100 не и более через 15-30 не после первоначального включения, причем задержка возобновления лазерной генерации увеличивается с увеличением тока накачки.

7. Экспериментально подтверждена теория о нелинейной зависимости квадрата частоты релаксационных колебаний в полупроводниковых лазерах от выходной мощности. Теоретически предсказана и экспериментально обнаружена область малых мощностей выходного излучения лазеров с насыщающимся поглотителем, свободная от релаксационных колебаний.

8. Проведено комплексное теоретическое исследование поляризации излучения инжекционных InGaAsP/InP лазеров с напряженным активным слоем. Впервые получено аналитическое выражение для зависимости времени переключения поляризации выходного излучения от параметров лазера.

9. Изучена возможность «двойной» модуляции (током накачки и коэффициентом оптического ограничения) полупроводникового лазера для получения лазерного излучения с круговой поляризацией. Разработан метод прямого управления поляризацией лазерного излучения при практически постоянной выходной мощности, т.н. «скрамблирования».

Основные результаты, перечисленные в заключении по диссертации, были получены впервые.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Предложена конструкция полупроводникового лазера с дифракционным выводом излучения и распределенным брегговским отражателем со стороны подложки. Показано, что предложенная конструкция позволяет существенно повысить эффективность лазера и обеспечивает генерацию одночастотного излучения высокой мощности с расходимостью, определяемой дифракционным пределом.

2. Разработана технология создания лазеров с распределенной обратной связью с плавно изменяющимся по длине резонатора периодом решетки, за счет чего исключается появление брегговской щели в спектре излучения и достигается одночастотная генерация.

3. Предложена конструкция лазеров с распределенной обратной связью и распределенным брегговским зеркалом с искривленными штрихами решетки и клиновидным полоском. Проведено комплексное теоретическое и экспериментальное исследование лазеров предложенной конструкции, в результате чего: a) показано, что цилиндрическая симметрия резонатора обеспечивает фокусировку всех мод выходного излучения в общий фокус в плоскости р-п перехода. b) выявлены механизмы, определяющие размер фокусного пятна; показано, что размер фокусного пятна определяется числовой апертурой лазера, преломлением излучения на плоском выходном зеркале и шириной спектральной линии выходного излучения; c) установлено, что преломление излучения на плоской выходной грани резонатора при значении числовой апертуры лазера ЫА<0.2 не увеличивает размер фокусного пятна по сравнению с интегрально-оптическим случаем, когда внешние грани повторяют кривизну штрихов дифракционной решетки; с!) показано, что при наличии отражения от плоских выходных граней, его фаза плавно меняется по ширине резонатора, вследствие чего могут возникать неоднородности в распределении интенсивности лазерного излучения; предложена усовершенствованная конструкция лазера с искривленными штрихами решетки обратной связи, в которой исключается негативное влияние фазовых эффектов;

4. Продемонстрирована возможность модуляции добротности в полупроводниковых лазерах с активной областью на основе квантовых точек, генерирующих излучение двух квантовых состояний, за счет нового эффекта, связанного с перераспределением инжекции носителей между квантовыми состояниями, сходного с действием насыщающегося поглотителя.

5. Показана возможность обострения оптического сигнала вертикально-излучающих лазеров с вертикальным резонатором с активной областью на основе квантовых точек в 200-500 раз и более по отношению к сигналу импульсной электрической накачки и получение импульсов длительностью 60-80 пс и менее при накачке 10-100 не импульсами с периодом 1-10 мкс.

6. Обнаружено, что характеристики полупроводниковых лазеров с активной областью на основе квантоворазмерных гетероструктур (квантовых точек и квантовых ям), генерирующих излучение, соответствующее переходам между несколькими квантовыми состояниями дырок и электронов, во многом определяются перераспределением энергии между квантовыми состояниями, которое, при накачке импульсами тока длительностью порядка ста наносекунд, может вызывать полное прекращение лазерной генерации на время порядка нескольких десятков наносекунд через несколько наносекунд после первоначального включения, причем задержка возобновления лазерной генерации увеличивается с увеличением тока накачки. Этим фактором обусловлено ограничение выходной мощности таких лазеров при накачке короткими импульсами тока.

7. Теоретически исследована зависимость поляризации излучения полупроводникового лазера с напряженным активным слоем от параметров лазера, в результате чего: a) найдена зависимость тока переключения поляризации излучения от параметров лазера, что позволяет заранее предсказать возможность переключения мод различных поляризаций или их бистабильность при изменении тока накачки. b) найдена зависимость времени переключения поляризации лазерного излучения при изменении тока накачки от параметров лазера, что позволяет оптимизировать лазерную структуру для получения быстрого (порядка десятков пикосекунд) времени переключения поляризации лазерного излучения. c) предложен способ плавной перестройки поляризации излучения полупроводникового лазера при постоянной мощности излучения путем «двойной» модуляции (током накачки и изменением фактора оптического ограничения), что позволит исключить влияние случайно возникающей поляризационной селективности оптического волокна на стабильность работы волоконно-оптических линий связи.

На защиту выносятся следующие научные положения: Положение 1 (о фокусировке излучения полупроводникового лазера с искривленными штрихами решетки обратной связи). Концентрическая форма штрихов решетки обратной связи и использование клиновидного полоска, обеспечивающее цилиндрическую симметрию резонатора, позволяет сфокусировать все моды выходного излучения полупроводникового лазера с распределенным брегговским зеркалом или распределенной обратной связью в общий фокус в плоскости р-п перехода.

Положение 2 (о факторах, определяющих размер фокусного пятна полупроводникового лазера при фокусировке излучения за счет искривления штрихов решетки обратной связи). Размер фокусного пятна лазера с распределенной обратной связью или распределенным брегговским зеркалом с искривленными штрихами и клиновидным полоском, обеспечивающими цилиндрическую симметрию резонатора, определяется тремя факторами: числовой апертурой, шириной спектральной линии выходного излучения и (при значении числовой апертуры лазера ЫА>0.2) преломлением излучения на плоской выходной грани резонатора.

Положение 3 (о выключении полупроводниковых лазеров с квантоворазмерной активной областью, генерирующих излучение, соответствующее переходам между несколькими электронными и дырочными уровнями). При накачке короткими импульсами тока полупроводниковых лазеров с активной областью на основе квантовых точек или квантовых ям, генерирующих излучение, соответствующее переходам между несколькими электронными и дырочными уровнями, через несколько наносекунд после начала лазерной генерации происходит прекращение генерации, причем задержка возобновления лазерной генерации в пределах одного импульса тока накачки увеличивается с увеличением тока накачки и может достигать десятков наносекунд. Положение 4 (о релаксационных колебаниях в полупроводниковых лазерах с насыщающимся поглотителем). В лазерах с насыщающимся поглотителем при малой мощности выходного излучения частота релаксационных колебаний в ответ на резкое включение тока накачки уменьшается по сравнению с типичной для полупроводниковых лазеров линейной зависимостью частоты от корня из выходной мощности, что, в конечном итоге, приводит к полному подавлению релаксационных колебаний. Положение 5 (о переключении поляризации излучения полупроводникового лазера). Время переключения поляризации излучения полупроводникового лазера с напряженным активным слоем при изменении тока накачки зависит от коэффициентов насыщения усиления и не зависит от «линейных» параметров лазера (времени жизни носителей заряда, концентрации прозрачности и т.д.). «Двойная» модуляция (например, током накачки и изменением фактора оптического ограничения) полупроводникового лазера с напряженным активным слоем позволяет получить плавную перестройку поляризации излучения при постоянной выходной мощности и, таким образом, обеспечить поляризационную модуляцию излучения.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались на Всероссийских и Международных конференциях International Symposium «Nanostructures: Physics and technology» (С-Петербург, 23-27 июня 1997, 22-26 июня 1998, 22-26 июня 2000, 18-22 июня 2001, 17-21 июня 2002, 22-28 июня 2003, 22-28 июня 2004, 20-25 июня 2005, 26-30 июня 2006), Международном семинаре по оптоэлектронике (С-Петербург, 5 ноября 1998), International Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) (Сан-Франциско, США, 7-12 мая 2000, Ницца, Франция, 10-15 сентября 2000, Лонг Бич, США, 19-24 мая 2002, Мюнхен, Германия, 22-27 июня 2003, 17-22 июня 2007 и 14-19 июня 2009), 15th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (Глазго, Шотландия, 10-14 ноября 2002), Laser and Fiber-Optical Networks Modeling (Алушта, Украина, 19-20 сентября 2003), 20th Anniversary Meeting Advanced Solid-State Photonics (Вена, Австрия, 6-9 февраля 2005), Laser Application and Technologies (LAT) (С-Петербург, 11-15 мая 2005), 5th Belarussian-Russian Workshop Semiconductor lasers and systems (Минск, Белоруссия, 1-5 июня 2005), International Conference Laser Optics, С-Петербург, 24-27 июня 2008, Российской конференции по физике полупроводников Полупроводники'09, Новосибирск-Томск, 28 сентября - 3 октября 2009, а также на научных семинарах лаборатории интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф.Иоффе.

Публикации

По результатам исследований, выполненных в диссертационной работе, опубликовано 22 статьи, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитированной литературы. Объем диссертации составляет 234 страницы, в том числе 82 рисунка на 82 страницах и 2 таблицы. Список цитированной литературы включает в себя 108 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Соколовский, Григорий Семенович

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Предложена и проанализирована конструкция полупроводникового лазера с дифракционным выводом излучения и распределенным брегговским отражателем со стороны подложки. Показано, что предложенная конструкция позволяет существенно повысить эффективность лазера и обеспечивает генерацию одночастотного излучения высокой мощности с расходимостью, определяемой дифракционным пределом.

2. Предложена конструкция лазеров с распределенной обратной связью и распределенным брегговским зеркалом с искривленными штрихами решетки и клиновидным полоском. Проведено комплексное теоретическое и экспериментальное исследование лазеров предложенной конструкции. Показано, что цилиндрическая симметрия резонатора обеспечивает фокусировку всех мод выходного излучения полупроводникового лазера с распределенным брегговским зеркалом или распределенной обратной связью в общий фокус в плоскости р-п перехода.

3. Выявлены параметры, влияющие на размер фокусного пятна лазеров с искривленной решеткой обратной связи. Установлено, что размер фокусного пятна определяется числовой апертурой лазера, преломлением излучения на плоском выходном зеркале и шириной спектральной линии выходного излучения. Теоретически и экспериментально показано, что ширина спектральной линии лазера с искривленной решеткой обратной связи во многих случаях является ключевым фактором, определяющим размер фокусного пятна.

4. Показано, что при наличии отражения от плоских выходных граней лазера с искривленными штрихами решетки обратной связи, его фаза плавно меняется по ширине выходного зеркала, вследствие чего могут возникать неоднородности в распределении интенсивности лазерного излучения. Предложена усовершенствованная конструкция лазера с искривленными штрихами решетки обратной связи, в которой исключается негативное влияние фазовых эффектов.

5. Обнаружено, что характеристики полупроводниковых лазеров с активной областью на основе квантовых точек, генерирующих излучение двух квантовых состояний, во многом определяются перераспределением энергии между квантовыми состояниями, что может вызывать полное прекращение лазерной генерации на время до 10-15 не и более через 2-5 не после первоначального включения при накачке импульсами тока длительностью 30 не, причем задержка возобновления лазерной генерации увеличивается с увеличением тока накачки.

6. Показано, что полупроводниковые лазеры с активной областью на основе квантовых ям, генерирующие излучение, соответствующее переходам между несколькими квантовыми уровнями, при накачке импульсами тока длительностью 150 не демонстрируют спад ватт-амперной характеристики, не связанный с перегревом активной области. Показано, что спад мощности излучения при увеличении тока накачки связан с перераспределением энергии между квантовыми уровнями и проявляется в полном прекращении лазерной генерации на время до 100 не и более через 15-30 не после первоначального включения, причем задержка возобновления лазерной генерации увеличивается с увеличением тока накачки. Именно этим фактором, а не перегревом активной области, обусловлено ограничение выходной мощности таких лазеров при накачке короткими импульсами тока.

7. Продемонстрирована возможность модуляции добротности в полупроводниковых лазерах с активной областью на основе квантовых точек, генерирующих излучение двух квантовых состояний, за счет перераспределения энергии между квантовыми состояниями, что вызывает эффект, сходный с действием насыщающегося поглотителя, и выражается в генерации импульсов излучения возбужденного состояния длительностью 100-300 пс с периодом 0.5-1 не, следующих за короткими провалами сходной длительности в излучении основного состояния (т.н. «темными импульсами»),

8. Продемонстрирована возможность обострения оптического сигнала вертикально-излучающих лазеров с вертикальным резонатором с оксидной апертурой с активной областью на основе квантовых точек в 200-500 раз и более по отношению к сигналу импульсной электрической накачки и получение импульсов длительностью 60-80 пс и менее при накачке 10-100 не импульсами с периодом 1-10 мке за счет совместного действия насыщения усиления при высоком уровне накачки и насыщающегося поглощения на краях оксидной апертуры.

9. Получено экспериментальное подтверждение теории об обусловленной насыщением усиления нелинейной зависимости квадрата частоты релаксационных колебаний от выходной мощности полупроводниковых лазеров. Теоретически предсказана и экспериментально обнаружена область малых мощностей выходного излучения лазеров с насыщающимся поглотителем, свободная от релаксационных колебаний, что объясняется изменением наклона ватт-амперной характеристики лазерных диодов вблизи порога генерации при введении области насыщающегося поглотителя.

10. Теоретически исследована зависимость поляризации излучения полупроводникового лазера с напряженным активным слоем от его параметров, в результате чего найдена зависимость тока переключения поляризации излучения от параметров лазера, что позволяет заранее предсказать возможность переключения мод различных поляризаций или их бистабильности при изменении тока накачки, а также получена зависимость времени переключения поляризации лазерного излучения при изменении тока накачки от параметров лазера, что позволяет оптимизировать лазерную структуру для получения быстрого (порядка десятков пикосекунд) переключения поляризации лазерного излучения.

11. Предложен способ плавной перестройки поляризации излучения полупроводникового лазера при постоянной мощности излучения путем «двойной» модуляции (током накачки и изменением фактора ограничения), что позволит исключить влияние случайно возникающей поляризационной селективности оптического волокна на стабильность работы волоконно-оптических линий связи.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

AI. Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Соколовский Г.С. Релаксационные колебания в InGaAsP/InP (Я,=1.55 мкм) гетеролазерах с насыщающимся поглотителем // Письма в ЖТФ. 1996. Вып. 22. № 4. С. 44-49.

А2. Соколовский Г.С., Дерягин А.Г., Кучинский В.И. К вопросу о времени переключения поляризации излучения полупроводникового лазера // Письма в ЖТФ. 1997. Вып. 23. № 9. С. 87-95.

A3. Калитеевский М.А., Портной E.JL, Соколовский Г.С. Фазовые эффекты в полупроводниковом лазере с дифракционным выводом излучения // Письма в ЖТФ. Вып. 23. № 18. С. 7-11.

A4. Соколовский Г.С., Дерягин А.Г., Кучинский В.И. Модуляция поляризации излучения полупроводникового лазера при постоянной выходной мощности // Письма в ЖТФ. 1998. Вып. 24. № 16. С. 84-90.

А5. Николаев В.В., Соколовский Г.С., Калитеевский М.А. Брэгговские отражатели для цилиндрических волн // ФТП. 1999. Вып. 33. № 2. С. 174-179.

А6. Sokolovskii G.S., Rafailov E.U., Birkin D.J.L., Sibbett W. High-power laser structures incorporating novel curved-gratings // J. of Opt. and Quant. El. 1999. Vol. 31. No. 3. P. 215-221.

A7. Kaliteevski M.A., Abrain R.A., Nikolaev V.N., Sokolovskii G.S. Bragg reflectors for cylindrical waves // Journal of Modern Optics. 1999. Vol. 46 No. 5. P. 875-890.

A8. Sokolovskii G.S., Rafailov E.U., Birkin D.J.L., Sibbett W. Novel high-power laser structures incorporating curved-gratings //IEEE J. of Quant. El. 2000. Vol. 36. No. 12, P. 1412-1420.

А9. Yanson D.A., Rafailov E.U., Sokolovskii G.S., Kuchinskii V.I., Bryce A.C., Marsh J.H., Sibbett W. Self-focused distributed Bragg reflector QW laser diodes // Proc. SPIE. 2002. Vol. 5023. P. 387-390.

A10. Boucher Y., Deryagin A.G., Kuchinskii V.I. Sokolovskii G.S. Near-threshold spectral and modal characteristics of a curved-grating quantum-well distributed-feedback laser (c-DFB) //Proc. SPIE. 2002. Vol. 5023. P. 361-364.

A11. Boucher Y., Deryagin A.G., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. Near-threshold spectral and modal characteristics of a curved-grating quantum-well distributed-feedback laser (c-DFB) // Nanotechnology. 2003. Vol. 14. No. 6. P. 615-618.

A12. Rafailov E.U., Loza-Alvarez P., Sibbett W., Sokolovskii G.S., Livshits D.A., Zhukov A.E., Ustinov V.M. Amplification of femtosecond pulses over by 18dB in a quantum-dot semiconductor optical amplifier // IEEE Photon. Tech. Lett. 2003. Vol. 15. No. 8. P: 10231025.

A13. Yanson D.A., Rafailov E.U., Sokolovskii G.S., Kuchinskii V.I., Bryce A.C., Marsh J.H., Sibbett W. Self-focussed distributed Bragg reflector laser diodes // J. of Appl. Phys. 2004. Vol. 95. No. 3. P. 1502-1509.

A14. Boucher Y.G., Deryagin A.G., Kuchinskii V.I. and Sokolovskii G.S. Threshold crossing and spectral properties of a curved-grating distributed Bragg reflector quantum-well laser (c-DBR) // Semicond. Sci. Technol. 2004. Vol. 19. P. 1010-1014.

A15. Sokolovskii G.S., GadjievI.M., Deryagin A.G., DudelevV.V., Losev S.N., Kuchinskii V.I., Rafailov E.U., Sibbett W. Beam-focused broad area distributed Bragg reflector laser diodes // Trends in Optics and Photonics. 2005. Vol. 98. P. 282-287.

A16. Соколовский Г.С., Дюделев В.В., Гаджиев И.М., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Рафаилов Э.У., Сиббет В. Особенности фокусировки выходного излучения в лазере с распределённым брэгговским зеркалом с искривлёнными штрихами // Письма в ЖТФ. 2005. Вып. 31. № 19. С. 28-34.

А17. Блохин С.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Шерняков Ю.М., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И., Кулагина М.М., Максимов М.В., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Леденцов Н.Н. Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs // ФТП. 2006, Вып. 40. № 5. С. 633-638.

А18. Соколовский Г.С., Каталуна М.А., А.Г.Дерягин, Кучинский В.И., Новиков И.И., Максимов М.В., Жуков А.Е., Устинов В.М., СиббетВ., Рафаилов Э.У. Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний // Письма в ЖТФ. 2007. Вып. 33 № 1. С. 9-16.

А19. Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Никишин С.А., Холтц М., Рафаилов Э.У., Сиббет В. Фазовые эффекты в широкополосковых гетеролазерах с искривлёнными штрихами решетки обратной связи // Письма в ЖТФ. 2007. Вып. 33. № 7. С. 43-49.

А20. Kuzmenkov A.G., Ustinov V.M., Sokolovskii G.S., MaleevN.A., BlokhinS.A., Deryagin A.G., Chumak S.V., Shulenkov A.S., MikhrinS.S., KovshA.R., McRobbie A.D., Sibbett W., Cataluna M.A., Rafailov E.U. Self-sustained pulsation in the oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers based on sub-monolayer InGaAs quantum dots // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. 121106.

A21. Соколовский Г.С., Винокуров Д.А., А.Г.Дерягин, Дюделев B.B., Кучинский В.И., Лосев С.Н., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Переключение генерации излучения двух квантовых состояний в полупроводниковых лазерах на квантовых ямах // Письма в ЖТФ. 2008. Вып. 34. № 16. С. 58-64.

А22. Sokolovskii G.S., Deryagin A.G., DudelevV.V., Kuchinskii V.I., Rafailov E.U., Sibbett W. Beam-Focused Broad-Area Distributed Bragg Reflector Laser Diodes // Advances in Laser and Optics Research. Vol. 4. 2009. Nova. ISBN: 978-1-60741-854-2.

219 Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Соколовский, Григорий Семенович, 2010 год

1. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Казаринов Р.Ф., Портной Е.Л., СурисР.А. Полупроводниковый оптический квантовый генератор // Авторское свидетельство № 392875 от 19.07.1971 г.

2. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. Инжекционный гетеролазер с дифракционной решёткой на контактной поверхности // ФТП. 1972. Вып. 6. № 7. С. 1359-1365.

3. Kogelnik Н., Shank C.V. Coupled-wave theory of distributed feedback lasers // J. of Appl. Phys. 1972. Vol. 43. No. 5. P. 2327-2335.

4. Streifer W., Scifres D.R., Burham R.D. Longitudional modes in distributed feedback lasers with external reflectors // J. of Appl. Phys. 1975. Vol. 46. No. 1. P. 247-249.

5. Streifer W., Burham R.D., Scifres D.R. Effect of External Reflectors on Longitudal Modes of Distributed Feedback Lasers // IEEE J. of Quant. El. 1975. Vol. 11. No. 4. P. 154-161.

6. Kazarinov R., Henry C. Second-order distributed feedback lasers with mode selection provided by first-order radiation losses // IEEE J. of Quant. El. 1985. Vol. 21. No. 2. P. 144-150.

7. Itaya Y., MatsuokaT., Kuroiwa K., IkegamiT. Longitudinal mode behaviours of 1.5 pm range GalnAsP/InP distributed feedback lasers // IEEE J. of Quant. El. 1984. Vol. 20. No. 3. P. 230-235.

8. Itaya Y., WakitaK., Motosugi G., IkegamiT. Phase control by coating in 1.56 цт distributed feedback lasers // IEEE J. of Quant. El. 1985. Vol. 21. No. 6. P. 527- 533.

9. KitamuraM., Yamaguchi M., Murata S., Mito I., Kobayashi K. High-performance single-longitudinal-mode operation of InGaAsP/InP DFB-DC-PBH LD's // IEEE J. of Light Wave Tech. 1984. Vol. 2. No. 4. P. 363- 369.

10. Glinski Y., Makino T. Yield analysis of second order DSm DFB lasers and implications for design // IEEE J. of Quant. El. 1987. Vol. 23. No. 6. P. 849-859.

11. MatsuokaT., YoshikuniY., Motosugi G. Dependence of single-longitudional mode probability on DFB laser facet structure//El. Lett. 1985. Vol. 21. No. 24. P. 1151-1152.

12. Gmols P.P., Kuindersma P.I., V.Es-Spikeman, Baele I.A.F. Yield and device characteristics of DFB lasers: statistics and novel coating design in theory and experiment

13. EE J. of Quant. El. 1989. Vol. 25. No. 8. P. 1303-1313.

14. MotosugiG., Yoshikuni Y., IkegamiT., Single-longitudional mode condition for DFB lasers//El. Lett. 1985. Vol. 21. No. 8. P. 352-353.

15. Wang S. Principles of Distributed Feedback and Distributed Brag-Reflerctor Lasers // IEEE J. of Quant. El. 1974. Vol. 10. No. 4. P. 413-427.

16. Shubert R. Theory of optical-waveguide distributed laser with nonuniform gain and coupling // J. of Appl. Phys. 1974. Vol. 45. No. 1. P. 209-215.

17. Гуревич C.A., Карпов С.Ю., Портной Е.Л., Фазовые особенности отражения света брегговским зеркалом, обусловленные скачком диэлектрической проницаемости на его границе //Письма в ЖТФ. 1985. Вып. И. № 16. С. 989-993.

18. Гуревич С.А., Карпов С.Ю., Портной Е.Л. Фазовые особенности отражения света брегговским зеркалом, обусловленные скачком диэлектрической проницаемости на его границе // Письма в ЖТФ. 1985. Вып. 11. № 16. С. 989-993.

19. Icsegi A., Lamb W.E., Propagation of light pulses in a laser amplifier // Phys. Rev. 1969. Vol. 185, P. 517-535.

20. Stern F., Gain-current relation for GaAs lasers with n-type and undoped active layers // IEEE J. of Quant. El. 1973. Vol. 9. No. 2. P. 290-294.

21. Casperson L.W., Threshold characteristics of multimode laser oscillators // J. of Appl. Phys. 1975. Vol. 46. No. 12. P. 5194-5201.

22. Henry C.H., Logan R.A., MerrittF.R., Measurement of gain and absorption spectra in AlGaAs buried heterostructure lasers // J. of Appl. Phys. 1980. Vol. 51. No. 8. P. 3042-3050.

23. Лау К., Ярив A. // Полупроводниковые инжекционные лазеры: динамика, модуляция, спектры. 1990. Москва. Мир. С. 73-138.

24. Bar-Chaim N., Lau К.Y., Ury I., Yariv A. High-speed GaAlAs/GaAs pin photodiode on a semiinsulating GaAs substrate // Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 43. No. 3. P. 261-262.

25. Moreno J.B. Volume-averaged rate equations for planar and disk-cavity lasers // J. of Appl. Phys. 1977. Vol. 48. No. 10. P. .4152-4162.

26. Ikegami Т., Suematsu Y. Direct modulation of semiconductor junction laser // Electron Communication Jpn. 1968. Vol. B51. P. 51.

27. Ikegami Т., Suematsu Y. Resonance-like characteristics of the direct modulation of a junction laser //IEEE proceedings, 1967. V. 55. P. 122-123.

28. Bowers J.E. High speed semiconductor laser design and performance // Solid-state Electronics, 1987. V. 30, No. 1. P. 1-11.

29. Lay K.Y., Yariv A. Ultra high speed semiconductor lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics, 1985. Vol. QE-21,No.l. P. 121-138.

30. Su C.B., Lanzisera V.A. Ultra high speed modulation of 1.3 pm InGaAsP diode lasers // IEEE J. of Quant. El. 1986. Vol. QE-22,No.9. P. 1568-1578.

31. Garbuzov D.Z., Antonishkis N.Y., Bondarev A.D., Gulakov A.B., Zhigulin S.N., Katsavets N.I., Kochergin A.V., Rafailov E.U. High power ?^=0.81 pm InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers // IEEE J. Quant. Electron. 1991. Vol. 27. No. 6. P. 1531-1536.

32. Lang R.J., Mehuys D., Welch D.F., Goldberg L. Spontaneous filamentation in broad-area semiconductor lasers // IEEE J. of Quant. El. 1994. Vol. 30. No. 3. P. 685-694.

33. Marciante J.R., Agraval G.P. Nonlinear mechanisms of filamentation in broad-area semiconductor lasers // IEEE J. of Quant. El. 1996. Vol. 32. No. 4. P. 590-596.

34. A.H. Paxton, G.C. Dante Filament formation in semiconductor laser gain region. IEEE Journal Selected Topics Quant. El. 1991. Vol. 70. P. 2921-2925.

35. Shah V.S., Curtis L., Vodhanel R.S., Bour D.P., Yong W.C. Efficient Power coupling from 980-nm, broad-area laser to a single-mode fiber using a wedge-shaped fiber endface // J. of Lightwave Tech., 1990, Vol. 8. No. 10. P. 1313-1318.

36. Yoda H., Shiraishi K. A new scheme of a lensed fiber employing a wedge shaped gradedindex fiber tip for the coupling between high-power laser diodes and single-mode fibers // J. of Lightwave Tech. 2001. Vol. 19. No. 12. P. 1910-1917.

37. Butler J.K., Acley D.E., Botez D. Coupled-mode analysis of phase-locked injection laser arrays // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44. No. 3. P. 293-295.

38. Kapon D., Lindsey C.P., Smith J.S., Margalit S., Yariv A. Inverted v-chirped phased arrays of gain-guided GaAs/GaAlAs diode lasers // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 45. No. 12. P. 1257-1259.

39. Ackley D.E. Single longitudinal mode operation of high power multiple-stripe injection lasers //Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 42. No. 2. P. 152-154.

40. Botez D., Jansen M., Mawst L.J., Peterson G., Roth T.J. Watt-range, coherent, uniphase powers from phaselocked arrays of antiguided diode lasers // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. No. 19. P. 2070-2072.

41. Walpole J.N., Kintzer E.S., Chinn S.R., Wang C.A., Missaggia L.J. High-power strained-layer InGaAs/AlGaAs tapered traveling-wave amplifier // Appl. Phys. Lett. 1992, 61. No. 7. P. 740-742.

42. O'Brien S., Lang R., Parke R., Majjor J., Welch D.F., Mehuys D. 2.2-W continuous-wave diffraction-limited monolithically integrated master oscillator power amplifier at 854 nm// IEEE Photonics Tech. Lett. 1997. Vol. 9. No. 4. P. 440-442.

43. Bielak S.A., Fanning C.G., Sun Y., Wong S.S., Siegman A.E. Reactive-ion-etched diffraction-limited unstable resonator semiconductor lasers // IEEE J. of Quant. El., 1997. Vol. 33. No. 2. P. 219-230.

44. Tilton M.L., Dente G.C., Paxton A.X., J. Cser, DeFreez R.K., C. Moeller, D. Depatie Highpower, nearly diffraction-limited output from a semiconductor laser with an unstable resonator // IEEE J. of Quant. El., 1991. Vol. 27. No. 9. P. 2098-2108.

45. BogatovA.P., EliseevP.G., Man'ko M.A., Mikaelyan G.T., Popov Y.M. Ingection lasers with an unstable resonator // Sov. J. Quant. El., 1980. Vol. 10. No. 5. P. 620-622.

46. Srinivasan S.T., Schaus C.F., Sun S.Z., Armour E.A., Hersee S.D., Mclnerney J.G. High power spatially coherent operation of unstable resonator semiconductor lasers with regrown-lens trains. Appl. Phys. Lett., 1992. Vol. 61. No. 11. P. 1272-1274.

47. Eriksson N., Larsson A., Uemukai M., Suhara T. Parabolic-confocal unstable-resonator lasers-modelling and experiments // IEEE J. of Quant. El. 1998. Vol. 34. No. 5. P. 858-867.

48. Eriksson N., Modth P., Larsson A. Design Optimization of Hyperbolic Unstable-Resonator Semiconductor Lasers // IEEE J. of Quant. El., 2001. Vol. 37. No. 8. P. 1095-1102.

49. Lang Design R.J. of aberration-corrected curved-and curved-grating unstable resonator diode laser // IEEE J. of Quant. El. 1993. Vol. 30. No. 1. P. 31-36.

50. Eriksson N., Bengston J., Li M. Modth P., Larsson A. Surface-emitting unstable-resonator laser with integrated diffractive beam forming elements // IEEE Photonics Tech. Lett. 1997. Vol. 9. No. 12. P. 1570-1572.

51. Kristjansson S., Eriksson N., Modth P., Larsson A. Grating-based surface-emitting tapered unstable resonator lasers simulations and experiments // IEEE J. of Quant. El. 2001. Vol. 37. No. 11. P. 1441-1448.

52. Алферов Ж.И., Журавлев А.Б., Портной E.JI., Стельмах Н.М. Генерация пс-импульсв в инжекционых гетеролаерах с модулированнной добротностью. // Письма в ЖТФ. 1986. Вып. 12, №. 18. С. 1093-1098.

53. Кижаев К.Ю., Куксенков Д.В., Кучинский В.И., Портной E.JI., Смирницкий В.Б. Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью // Письма в ЖТФ. Вып. 13, № 10, 1987, с.601-604.

54. Журавлев А.Б., Плявенек А.Г., Портной E.JI., Серегин В.Ф., Стельмах Н.М., Якубович С.Д. Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода // ФТП, 1988. Вып. 22, № 7. С. 1208-1212.

55. Portnoi E.L., AvrutinE.A., Chelnokov A.VOL. Nonlinear effects in picosecond highpower diode lasers // Joint Soviet-American workshop on the physics of semiconductor lasers, Leningrad, USSR, May 20 June 3, 1991. P. 58-66.

56. Kuznetsov M. Pulsations of a semiconductor laser with a proton-bombarded segment: well-developed pulsations // IEEE J. of Quant. El. Vol. 21, No. 6. 1985. P. 587-592.

57. Alferov Zh.I., Gurevich S.A., Kazarinov R.F., MizerovM.N., Portnoi E.L., SeisyanR.P., Suris R.A. Semiconductor laser with extremely low divergence of radiation // Sov. Phys.-Semicond. 1974.Vol. 8, No. 4, P. 541-542.

58. Karpov S.Yu. Kuchinskii V.I., Portnoi E.L. Maximum output power of a semiconductor laser with diffraction output coupling // 1980. Vol. 6, No.5. P. 155-157.

59. AlferovZh.I., VlasovA.D., Kuchinskii V.I., MizerovM.N., PortnoiE.L., UvarovAI. Epitaxial waveguide laser with distributed second order feedback by electron excitation // Sov. Tech. Phys. Lett. 1977. Vol.3, No. 19, P. 987-990.

60. Karpov S.Yu. Diffraction of electromagnetic waves by periodic interfaces of arbitrary shape // Sov. J Quant. El. 1978. Vol. 23. No.9. P. 1009-1013.

61. Karpov S.Yu., MizerovM.N., PortnoiE.L., Smirnitskii V.B. Light diffraction by a sinusoidal interface // Sov. J Quant. El. 1978. Vol.23, No. 2. P. 214-216.

62. Henry C.H., Kazarinov R.F., Logan R.A., Yen R. Observation of destructive interferencein the radiation loss of second-order distributed feedback lasers // IEEE J. of Quant. El. 1985. Vol. 21. P. 151-154.

63. A.Hardy, Welch D., Streifer W. Analysis of second-order gratings // IEEE J. of Quant. El. 1989. Vol. 25. No. 10. P. 2096-2105.

64. MehuysD., Parke R., WaartsR.G., Welch D.F., Hardy A., Streifer W„ ScifresD.R. Characteristics of multistage monolithically integrated master oscillator power amplifiers// IEEE J. Quant. El. 1991. Vol. 27. P. 1574-1581.

65. Ivchenko E.L., Kaliteevski M.A., Kavokin A.V., Nesvizhski A.I. Reflection and absorption spectra from microcavities with resonant Bragg quantum wells // J. Opt. Soc. Am. B. 1996. Vol. 13, No. 5.

66. Hous H., Shank C. Antisymmetric taper of distributed feedback lasers // IEEE J. of Quant. El. 1976. Vol. 12. No. 9. P. 532-539.

67. Карпов С.Ю., Столяров C.H., Распространение и преобразование волн в средах с одномерной периодичностью//УФН. 1993. Вып. 163. № 1. С. 63-89.

68. Utaka К., Akiba S., Sakai К., Matsuhima Y. 1/4-shifted InGaAsP/InP DFB Lasers // IEEE J. of Quant. El. 1986. Vol. 22. No. 7. P. 1042-1051.

69. Soda H., Kotaki Y., Ishikawa H., Imai H. Stability of single longitudional mode operation GalnAsP/InP phase-adjasted DFB laser // IEEE J. of Quantum Electronics, 1987. Vol. 23. P. 804-814'.

70. Kinoshita J., Matsumoto K. Yield analysis of SLM DFB lasers with an axially-flattered internal field // IEEE J. of Quant. El. 1989. Vol. 25, No.4. P. 1324-1332.

71. Джерард А., Берч Дж.М. // Введение в матричную оптику. 1978. Москва. Мир. С.343.

72. Agrawal G.P., DuttaN.K. // Semiconductor lasers. Second Edition. 1993. New York. Van Nostrand Reinhold. P. 334.

73. ГуревичС.А., Портной E.JI., РайхМ.Э. Поглощение света в пленочных волноводах GaAs-AlxGai-xAs и его влияние на пороговые характеристики гетеролазеров с брэгговскими зеркалами // ФТП 1978. Вып. 12. № 6. С. 1160-1169.

74. BorriP., LangbeinW., HvamJ.M., Heinrichsdorff F., M.-Mao H., BimbergD. Spectral hole-burning and carrier-heating dynamics in InGaAs quantum-dot amplifiers // IEEE J.

75. Select. Topics in Quant. El. 2000. Vol. 6. P. 544-551.

76. Berg T.W., Bischoff S., Magnusdottir I., Mork J. Ultrafast gain recovery and modulation limitations in self-assembled quantum-dot devices // IEEE Photon. Tech. Lett. 2001. Vol. 13. P. 541-543.

77. Maximov M.V., Asryan L.V., Shernyakov Yu.M. et al. Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by activated alloy phase separation// IEEE J. Quant. El. 2001. Vol. 37. P. 676-683.

78. M.-MaoH., L.-C.Su, K.-Wang C. et al, 18th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, Sidney, Australia, 2005. Conference Digest. P. 56-57.

79. Cataluna M.A., Rafailov E.U., McRobbie A.D. et al. 18th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, Sidney, Australia, 2005. Conf. Digest. P. 870-871.

80. Markus A., Chen J.X., Paranthoen C., Fiore A., Platz C., Gauthier-Lafaye O. Simultaneous two-state lasing in quantum-dot lasers // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82, P. 1818-1820.

81. Platonov A.V., Lingk C., Feldmann J., Arzberger M., Bohm G., Amann M.C., Abstreiter G. Ultrafast switch-off of an electrically pumped quantum-dot laser // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81, P. 1177-1179.

82. Avrutin E.A., Marsh J.H., Portnoi E.L. Monolithic and multi-GigaHertz mode-locked semiconductor lasers: Constructions, experiments, models and applications // IEE. Proc. Opto el. 2000. Vol. 147, P. 251-278.

83. Винокуров Д.А., Зорина C.A., Капитонов B.A. и др. Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки // ФТП 2007. Вып. 41. №. 10, с.1247.

84. Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А. и др. Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения// ФТП. 2004. Вып.38. №. 12, с. 1477.

85. PikhtinN.A., Slipchenko S.O., SokolovaZ.N. et al. 16W continuous-wave output powerfrom 100 um-aperture laser with quantum well asymmetric heterostructure // Electron. Lett., 2004, V. 40. No. 22, P. 1413.

86. Винокуров Д.А., Зорина C.A., Капитонов B.A. и др. Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения // ФТП, 2005. Вып. 39. №. 3, С. 388.

87. Соколова З.Н., Халфин В.Б. Расчет вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантоворазмерных структурах// ФТП, 1989. Вып. 23. № 10, с. 1806.

88. Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров // ФТП. 2006. Вып. 40. № 8, С. 1017.

89. Д.А. Винокуров, B.A. Капитонов, A.B. Лютецкий и др. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (^=1.0-1.8 мкм) в импульсном режиме генерации // ФТП, 2007. Вып. 41. № 8. С. 1003.

90. Sugawara М., Mukai К., Shoji Н. Effect of phonon bottleneck on quantum-dot laser performance // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 2791-2793.

91. Лютецкий A.B., Борщёв K.C., Пихтин H.A., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (А,=1.0-1.9 мкм) // ФТП, 2008. Вып. 42. № 1, С. 106.

92. GrundmannM. How a quantum-dot laser turns on // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. No. 10. P. 1428-1430.

93. Ахмедов Д., БежанН.П., БертН.А., Конников С.Г., Кучинский В.И., Мишурный В.А.,

94. Портной E.J1., Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гетеро-лазерных структурах InP-InGaAsP // Письма в ЖТФ. 1980. Вып. 6. № 12. С. 705-708.

95. Deryagin A.G., Kuksenkov D.V., Kuchinskii V.I., PortnoiE.L., Smirnitskii V.B., Wavelength and polarization switching in InGaAsP/InP DFB lasers // IEE Proc. Optoel. 1995. Vol. 142. No. 1,P. 51-54.

96. Елюхин В.А., Кочарян B.P., Портной Е.Л., Рыбкин Б.С. // Письма в ЖТФ. 1980. Вып. 6. № 12. С. 708-712.

97. Каландаришвили К.Г., Карпов С.Ю., Кучинский В.И., Мизеров М.Н., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Поляризационные эффекты в гетероструктурах с распределенной обратной связью //ЖТФ. 1983. Вып. 53. № 8. С. 1560-1567.

98. Ropars G., Le Floch A., Jezequel G., Le Naour R., ChenY.C., LiuJ.M. The inhibition-mechanism in polarization bistable semiconductor-lasers // IEEE J. of Quant. El. 1987. Vol. 23. No.6. P. 1027-1031.

99. Hill P.M., Olshansky R, Burns W.K. Optical polarization division multiplexing at 4-Gb/s II IEEE Phot. Tech. Lett. 1992. Vol. 4. No. 5. P. 500-502.

100. Ляпунов A.M. // Общая задача об устойчивости движения. 1950. Москва. Гостехиздат. С. 365.

101. Gurevich S.A., Simin G.S., Shatalov M.S. High frequency confinement factor modulation of diode lasers //Int. J. High Speed Electr. and Systems. 1997. Vol. 8. No. 7. P. 547-574.