Перенос и релаксация заряда в неоднородных сегнетоэлектриках и родственных материалах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Солодуха, Александр Майорович

• Солодуха, Александр Майорович
• доктор физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Солодуха, Александр Майорович

Введение.

Глава 1. Кинетические и динамические явления в неоднородных средах: эмпирические формулы и модели

1.1. Особенности электропереноса в неоднородной среде.

1.2. Диэлектрическая релаксация (слабые поля)

1.2.1. Модель Дебая и эмпирические формулы.

1.2.2. Функция распределения времен релаксации. 25 1.2.3. Релаксация Максвелла-Вагнера.

1.3. Модели прыжкового переноса (слабые поля)

1.3.1. Двухузельное приближение.

1.3.2. Мультиплетная прыжковая проводимость.

1.4. Модель универсального отклика (слабые поля).

1.5. Фрактальный подход

1.6. Нелинейные явления (сильные поля).

1.6.1. Спектральные характеристики.

1.6.2. Детерминированный хаос.

1.7. Резюме.

Глава 2. Оснащение эксперимента.

2.1 .Приготовления образцов.

2.1.1. Получение пленок.

2.1.2. Синтез керамики

2.1.3. Выращивание кристаллов.

2.2. Электрофизические методы исследования.

2.2.1. Структура и оптические характеристики.

2.2.2. Измерительная ячейка и приборы

2.2.3. Выбор материала электродов.

2.2.4. Методика импедансметрии.

2.2.5. Нелинейные электрические явления.

2.3. Результаты и выводы.

Глава 3. Физические свойства тонкопленочных оксидов

3.1. Структура и условия получения пленок WO

3.1.1. Пленки с квазиаморфной и кристаллической структурой

3.1.2. Ближний атомный порядок в аморфных слоях

W03 и W03nH

3.2. Электрические свойства пленок WO

3.2.1. Статическая электропроводность.

3.2.2. Электропроводность на переменном токе.

3.3. Оптические свойства пленок WO3.

3.3.1 Межзонные переходы.

3.3.2. Центры окраски

3.3.3. Фотоэлектрические свойства гетероперехода кремний-триоксид вольфрама.

3.4. Модифицированные пленки WO3.

3.5. Пленки на основе титаната свинца.

3.6. Результаты и выводы.

Глава 4. Структура и электрические свойства керамики

4.1. Керамика со слоистой структурой.

4.1.1. Слоистые висмутсодержащие оксиды АВ1гВ209.

4.1.2. Соединения на основе Bi4Ti30i2.

4.1.3. Соединения типа ABi4 М3О15.

4.2. Керамика со структурой дефектного пирохлора.

4.3. Обобщения.

4.4. Результаты и выводы

Глава 5. Диэлектрический отклик полидоменного кристалла триглицинсульфата.

5.1. Слабые поля: релаксация в чистых и примесных кристаллах ТГС.

5.1.1. Влияние старения и примесей.

5.1.2. Влияние условий на поверхности.

5.2. Сильные поля: нелинейные явления в колебательном контуре с сегнетоконденсатором.

5.2.1. Спектральные характеристики в диапазоне радиочастот.

5.2.2. Режимы колебаний: от бифуркаций к хаосу.

5.3. Результаты и выводы.

Глава 6. Расчет характерных параметров процессов переноса заряда, связанных с неоднородной структурой полярной среды.

6.1. Факторы неоднородности и размерности среды

6.1.1. Зрядовое состояние кислородных вакансий

6.1.2. Поляронный перенос.

6.1.3. Особенности прыжковой проводимости в системах разной пространственной размерности

6.2. Динамические процессы в неоднородной среде

6.2.1. Странный аттрактор и множества Жулиа.

6.2.2. Моделирование колебательных режимов

6.3. Универсальность процессов проводимости.

6.4. Фрактальная геометрия фазовых границ

6.5. Результаты и выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Перенос и релаксация заряда в неоднородных сегнетоэлектриках и родственных материалах»

Актуальность темы

Электрические свойства твердых тел - одна из комплексных проблем науки о конденсированных средах. Особое место здесь занимают вопросы, связанные с процессами переноса заряда и поляризации в полярных диэлектриках, к которым, в первую очередь, следует отнести сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Уникальные свойства этих соединений и многочисленные аспекты практического применения являются основой повышенного интереса к ним со стороны исследователей. Однако большие сложности возникают при попытках разделить вклады в измеряемые величины различных механизмов транспорта заряда. Согласно теории Дебая идеальный диэлектрик характеризуется одним временем релаксации, но неоспоримым опытным фактом является то, что твердые тела с трудом описываются этой теорией. Наука стоит перед задачей, связанной со сложным иерархическим строением конденсированных сред, когда большинство материалов, важных для технических целей, не поддаются точному описанию на уровне их микроскопических параметров. Для продвижения в этих вопросах необходимо установить универсальные характеристики электрических свойств таких сред, изучая их физические, химические, геометрические особенности. Практически, все реальные материалы содержат неоднородные участки различного масштаба. При этом часто речь идет об электрической неоднородности, которая может быть следствием межфазовых границ, точечных и линейных дефектов, наличия пор, а также границ доменов в полидоменных сегнетоэлек-триках. Природа релаксационных процессов, связанных с неодно-родностями, представляет большой интерес для исследователей, т.к. эти процессы определяют работу многих устройств, а также являются источниками шума в них. В последние годы при описании свойств неоднородных объектов все больше внимания уделяется методам и представлениям фрактальной геометрии, которые дают новый инструмент для изучения сложного строения как природных, так и синтезированных материалов. Естественным образом, описание кристаллической фазы опирается на симметрийные аспекты, которые включают зеркальную, поворотную и трансляционную симметрии. Однако для ситуации, когда неоднородность среды становится существенной, появляется необходимость учитывать еще один инвариант - самоподобие (или в более общем случае - самоаффинность), присущее многим законам природы и бесчисленным явлениям в ней. Самоподобие проявляет себя не только в геометрическом плане, но и в динамике протекающих процессов, порождая, при определенных условиях, состояние системы противоположное симметрийной соразмерности и получившее название хаос. Таким образом, установление взаимосвязи между нарушением дальнего и ближнего порядка в кристаллической решетке и его влиянием на свойства объекта позволит достичь более глубокого понимания особенностей процессов переноса заряда в реальных твердотельных материалах.

Объекты исследования

Для обеспечения полноты физического описания влияния неод-нородностей на характеристики полярной среды, объектами нашего исследования были выбраны пленочные, керамические и кристаллические материалы, относящиеся к сегнетоэлектрикам, или родственные им. Эти материалы являются основой создания таких электронных приборов как варисторы, позисторы, элементы памяти, умножители частоты, трансполяризаторы, термостабилизаторы, электрохромные дисплеи, газовые сенсоры. Ясно, что научный и практический интересы в этой области тесно связаны и дополняют друг друга.

Значительная часть работы посвящена одному из представителей оксидов переходных металлов - триоксиду вольфрама (WO3). Выбор этого соединения определялся несколькими причинами, зависящими от его характерной структуры и свойств. Во — первых, структура W03, представляющая предельный случай структуры типа перовскита (что можно записать как ШВОз, где □ - символ вакансии для структуры АВОз), построена на основе кислородного октаэдра, который обладает повышенной способностью к трансформации. Это позволяет WO3, в зависимости от температуры, демонстрировать переходы между четырьмя фазами различной симметрии. При этом наблюдаются как сегнетоэлектрические, так и ан-тисегнетоэлектрические свойства. Во - вторых, это соединение допускает устойчивость большого числа нестехиометрических фаз за счет образования кислородных вакансий. В - третьих, структура содержит каналы, пригодные для ионного транспорта. В - четвертых, для WO3 имеют место явления электро - и фотохромизма, что особенно наглядно проявляется в тонких пленках и играет важную роль для современного производства электронной техники, ускоренно двигающегося в направлении миниатюризации компонентов схем и приборов. Важность и общность этой тематики подтверждается большим числом публикации в научно - технической литературе (в основном, зарубежной).

Определенная часть исследования связана с изучением свойств поликристаллических материалов в виде керамики сложного состава: пирохлора и слоистых перовскитов. Большинство таких соединений отличает высокая рабочая температура, что расширяет область их применения, а возможность вариации состава создает предпосылки для развития технологии получения материалов с заранее заданными свойствами. В работе также представлены результаты изучения электрических свойств кристалла триглицинсульфата (ТГС) - одного из самых известных представителей класса сегнетоэлектриков. Этот кристалл, фактически, является модельной средой для исследования поведения доменов, а также нелинейных эффектов в колебательных системах, приводящих к детерминированному хаосу.

Каждый из представленных материалов отличается характерным механизмом электропереноса, связанным с определенным типом носителей заряда (для пленок - прыгающие заряды, для керамики -смешанный тип, для кристаллов ТГС - дипольный отклик), что в совокупности дает исчерпывающую характеристику электрическим особенностям неоднородных полярных сред.

Цель и задачи исследования

Целью и задачами работы явилось комплексное исследование закономерностей и особенностей кинетических и динамических явлений в электрически неоднородных полярных средах, представленных в форме тонкопленочных, керамических и кристаллических образцов. Конкретные задачи включали в себя:

1. Разработку экспериментальной установки для формирования пленочных оксидов вольфрама с различной степенью структурного упорядочения лазерным испарением исходного материала в вакууме.

2. Развитие метода импедансной спектроскопии для получения полного объема информации из набора значений непосредственно измеряемых величин: модуль импеданса, угол сдвига фаз, частота, температура.

3. Исследование структуры пленочных и керамических образцов и ее влияние на процессы электропереноса и диэлектрические характеристики.

4. Исследование линейной релаксации доменных стенок в полидоменном кристалле ТГС с различными условиями на поверхности; выявление особенностей хаотического поведения нелинейного колебательного контура с сегнетоконденсатором на основе проведения эксперимента и моделирования.

5. Разделение в изучаемых объектах вклада в электропроводность различных физических механизмов электрического транспорта на основе существующих теоретических моделей.

6. Оценку возможности практического использования пленок оксидов, керамики и кристаллов в приборах микроэлектроники.

Научная новизна полученных результатов

1. Впервые, на основе комплексного исследования, установлены особенности структурных, электрических и оптических свойств тонких слоев стехиометричного и восстановленного триоксида вольфрама, а также пленок смешанных оксидов, полученных лазерным испарением в вакууме исходного порошка.

2. Впервые, по данным эксперимента и на основе расчета функции радиального распределения, установлены характерные изменения ближнего порядка в свежеполученных аморфных слоях триоксида вольфрама

3. Впервые экспериментально установлены значение параметра зарядового состояния кислородных вакансий и аномалии электропроводности в тонких слоях восстановленого триоксида вольфрама.

4. Впервые для исследуемых перовскитоподобных оксидов проведен расчет плотности объемных и поверхностных центров локализации на основе метода эффективной среды.

5. Впервые установлены различные механизмы релаксации макроскопической поляризации в слабых электрических поля в зависимости от состояния поверхностного слоя сегнетоэлектрического кристалла ТГС.

6. Впервые установлены особенности структуры и диэлектрических свойств слоистой висмутсодержащей керамики типа А2т-2В14М2тОбт+б с дробным значением т = 1.5 при изовалентной модификации состава.

7. Впервые, на основе разработанной методики, определена фрактальная размерность странного аттрактора хаотических колебаний вектора поляризации полидоменного кристалла ТГС.

Научная и практическая значимость исследований:

1. Создана установка и разработана технология получения тонкопленочных оксидных и полупроводниковых структур лазерным испарением в вакууме исходных порошков, что является определенным вкладом в развитие данного метода и может быть использовано в производстве микроэлектронных схем и устройств.

2. Предложен метод расчета диэлектрических параметров объектов с относительно высокой величиной электрической проводимости прыжкового типа на основе дисперсии комплексного электрического модуля.

3. Установлена принципиальная возможность создания электрохромных ячеек на базе полученных лазерным испарением конденсатов WO3 и его смесей с другими оксидами, а также источников фото-эдс на основе гетероперехода Si -WO3.

4. Экспериментально показана возможность изменения величины электрической проводимости в широких пределах для ионного проводника со структурой типа дефектного пирохлора А2В2О6 модификацией состава ионов в подрешетке А, что может найти практическое приложение.

5. Разработаны рекомендации по методике приготовления поверхности образцов сегнетоэлектрических кристаллов для исследования в слабых электрических полях с целью получения адекватного отклика объема образца, что важно при интерпретации результатов экспериментов и сравнении данных разных авторов.

6. Экспериментально подтверждены (верифицированы) предсказанные теорией Брыксина особенности двух- и трехмерного прыжкового переноса в неупорядоченных (неоднородных) материалах.

7. Усовершенствована методика изучения хаотических колебаний RLC контура, позволяющая идентифицировать точки фазового пространства, формирующие сечение Пуанкаре, строить функцию последования и моделировать поведение сложных колебательных систем.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту

1. Механизм переноса заряда в слабых переменных электрических полях для неоднородных фаз пленок и керамики кислородно-октаэдрического типа осуществляется за счет мультиплетных перескоков носителей (в том числе и поляронов малого радиуса) по узлам из кластеров разной величины, а характер дисперсии фактора энергетических потерь зависит от размерности пространства в котором происходит движение носителей заряда.

2. Методика расчета диэлектрических параметров материалов с заметной долей прыжковой проводимости в адмиттансе образца, основанная на представлении экспериментальных данных в комплексной плоскости электрического модуля, позволяет разделить вклады в электропроводность носителей заряда и диполей и определить значение времени релаксации и граничных величин диэлектрической дисперсии.

3. Особенности структуры триоксида вольфрама позволяют эффективно использовать метод импульсного лазерного испарения для получения вакуумных конденсатов данного материала, а также формировать тонкие слои его смесей с другими оксидами, обладающие новыми свойствами.

4. Тонкие пленки триоксида вольфрама являются открытыми системами, в которых, в зависимости от степени упорядочения и состояния окружающей среды, происходят изменения в структуре, связанные как с гидратацией объема, так и с вариациями концентрации двухзарядных анионных вакансий.

5. Целенаправленное изовалентное замещение части ионов типа А и В в исходной матрице керамических образцов слоистой висмутсодержащей керамики с общей формулой AmiBi2Bm03m+3 (m=2,3,1.5) оказывает влияние на температуру фазовых переходов, объем элементарной ячейки, величину и область дисперсии диэлектрической проницаемости; ионная электропроводность керамики со структурой типа дефектного пирохлора А2В2О6 демонстрирует сильную зависимость от радиуса иона в положении А.

6. Разичные состояния поверхностного слоя образцов полидоменных кристаллов триглицинсульфата принципиально изменяют характер температурной зависимости времени диэлектрической релаксации при колебании доменных стенок в слабых электрических полях диапазона радиочастот.

7. Модель хаотического поведения колебаний вектора поляризации полидоменного сегнетоэлектрика, позволяет находить фрактальную размерность странного аттрактора в фазовом пространстве для колебательного контура с нелинейной электрической емкостью.

Личный вклад автора

В данной диссертационной работе автору принадлежит основная роль в выборе направления исследования, критическом анализе научной литературы, разработке и реализации экспериментов, обобщении и интерпретации полученных результатов, формулировке основных положений и выводов.

Достоверность полученных результатов

Достоверность полученных результатов определяется воспроизводимостью структурных данных исследуемых объектов, многократной экспериментальной проверкой результатов измерений, использованием современной аттестованной аппаратуры и согласованием части полученных значений измеряемых величин с данными из литературных источников.

Публикации и апробация работы

По материалам диссертации опубликована 71 работа, включая 25 статей в журналах (22 из которых в изданиях, согласно перечню ВАК), 9 статей в научных сборниках, 2 депонированные в ВИНИТИ работы, остальные - материалы научных конференций, на которых представлялись результаты исследования:

IX, XII, XIII Всесоюзн. (Всеросс.) совещ. по сегнетоэлектричеству (Ростов-на-Дону-1978, 1989, Тверь-1992, Иваново-1995, Тверь

2002; I и II Всесоюзн. конф. «Актуальные прблемы получения и применения сегнето- и пьезоматериалов». Москва-1981, 1984; Всесоюзн. научная конф. «Физика диэлектриков», Баку-1982; II и III Всесоюзн. конф. по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов, Москва-1983, Звенигород-1988;. II Всесоюзн. конф. «Физика оксидных пленок», Петрозаводск-1987; I Всесоюзн. симпозиум «Методы дифракции электронов в исследовании струкуры вещества», Звенигород-1991; 8th и 9th Int. Meet. Ferroelectrisity, Maryland, USA-1993, Seul, Korea-1997; Europ. Meet. Ferroelectrisity: The Netherland - 1995, Praha-1999, Madrid - 2001, Gr. Britain-2003; IV и V Междунар. конф. «Действие электромагн. полей на пластичность и прочность материалов», Воронеж-1996, 2003, 2005; 2-ой Всероссийский семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении", Воронеж - 1999; XX Междунар. конф. "Релаксационные явления в твердых телах", Воронеж - 1999; Междунар. научно-техн. конф. «Межфазная релаксац. в полиматериалах», Москва- 001, 2003; 1-я и 2-я Всеросс. конф. «Физико-хим. процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах», Воронеж -2002, 2004; III Междунар. семинар "Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах", Воронеж-2004; VI Int. Congr. of Matem. Modeling. Nizhny Novg., Russia-2004.

Структура работы

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, приложения и списка цитируемой литературы из 305 наименований. Общий объем составляет 341 страниц, включая 113 рисунков и 12

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Солодуха, Александр Майорович

Основные результаты для образцов даны в таблице 10. Из рисунков и таблицы видно, что примесь хрома заметно увеличивает частоту релаксации fr, а примесь железа - энергию активации, значение которой для чистого ТГС согласуются с данными работы [242].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Й К общему итогу работы можно отнести совокупность результатов, полученных на основе единого подхода к электрическим свойствам широкого ряда реальных сегнетоэлектриков и родственных им материалов (пленок, керамики, кристаллов) с учетом наличия у них областей с характерными внутрифазными и межфазными неод-нородностями, которые, потеряв качество трансляционной симметрии, формируют пространственные структуры с новым инвариантом - самоподобием. Такие структуры демонстрировали универсальность в поведении релаксирующих элементов, роль которых играли локализованные электроны, ионы, диполи, доменные стенки. Наряду с этим, каждый тип материала имел свои особенности, что было установлено в процессе исследования.

Таким образом, основные результаты и выводы состоят в следующем:

1. В исследованных оксидных пленочных и керамических образцах наблюдается прыжковый характер электропроводности. Наиболее подходящей моделью для описания эксперимента является метод эффективной среды Брыксина, на основе которого получены оценки концентрации центров локализации и отношение расстояния между центрами к радиусу локализации для двух- и трехмерного прыжкового переноса. При этом для аморфных слоев W03 представляется наиболее вероятным поляронный прыжковый перенос с радиусом полярона 0.19 нм и константой элек-тронно-фононной связи 12.2.

2. Электрическая неоднородность пленок WO3 определяется наличием двухзарядных кислородных вакансий, рост концентрации которых уменьшает энергию активации электрической проводимости и увеличивает интенсивность поглощения света в области 1.45 эВ (аморфная фаза) и 0.8 эВ (кристаллическая фаза). Последний случай является определяющим для механизма лазерного испарения исходного порошка на длине волны 1.06 мкм. Вблизи оптического края фундаментального поглощения имеют место два механизма, один из которых чувствителен к степени упорядочения структуры. В кристаллической фазе наблюдаются аномальные скачки для температурной зависимости электропроводности. Модифицирование пленок триоксида вольфрама оксидом тантала увеличивает сопротивление и сглаживает аномалии электропроводности, а добавки оксида молибдена смещают максимум оптического поглощения в сторону больших энергий.

3. Взаимное расположение ионов вольфрама и кислорода в кислородном октаэдре (основной структурной единице перовскитов) одинаково для тонких слоев триоксида вольфрама, полученных лазерным и термическим испарением, однако сочленение октаэдров зависит от способа получения пленки. Аморфные слои WO3 активно адсорбируют молекулы воды, создавая в ближнем порядке дополнительную координационную сферу радиуса 0.54 нм с полосой ИК поглощения вблизи 1450 см-1.

4. В слоистой висмутсодержащей перовскитоподобной керамике с общей формулой Am1Bi2Bm03m+3, для составов с m = 2 и 3 замещение ионов в позиции Вш на изовалентную комбинацию ионов с меньшим радиусом уменьшает объем элементарной ячейки и высоту максимума диэлектрической проницаемости в области фазового перехода, а температуру последнего увеличивает. Изо-валентная замена иона А приводит к смещению максимумов температурных зависимостей диэлектрической проницаемости в сторону больших температур тем сильнее, чем больше радиус иона. Для смешанных слоистых структур с m = 1.5 установлены две области диэлектрической дисперсии с сильно размытым спектром времен релаксации, отражающие большую структурную неоднородность по сравнению с m = 2 и m = 3 за счет чередования провскитоподобных слоев различной толщины (m = 1 и т = 2).

5. Дефицит кислорода в структуре дефектного пирохлора А2ВгОб способствует транспорту ионов А по каналам между октаэдрами ВОб, что для исследованной керамики состава (PbixBax)2BiNbC>6 (0 < х < 0.02) связано с перемещением ионов РЬ, имеющих меньший радиус, чем ионы Ва. Изменение концентрационного соотношения ионов типа А приводит к резкому изменению значения проводимости, которая убывает с увеличением х.

6. Значения параметров диэлектрического отклика (времени релаксации, энергии активации, комплексной диэлектрической проницаемости) полидоменных кристаллов триглицинсульфата в слабых электрических полях определяется совокупным влиянием поверхностного слоя и конфигурацией доменной структуры, связанной с наличием дефектов. Определенные изменения состояния поверхностного слоя приводят к существенному изменению характера температурной зависимости времени релаксации т в сегнетофазе, а именно: аррениусовский вид функции для независимых осцилляторов сменяется степенной зависимостью, приводящей к росту т с ростом температуры.

7. Моделирование хаотического поведения нелинейной среды (на основе экспериментального изучения различных режимов колебаний доменных стенок в сегнетоэлектрике при гармоническом возбуждении, наблюдения соответствующих сечений Пуанкаре в фазовом пространстве заряд-ток и построения функции последо-вания) показало наличие странного аттрактора с фрактальной размерностью 2.4 - 2.5. Численное решение уравнения Дуффинга для таких систем дает основание утверждать, что условия перехода от регулярных колебаний к детерминированному хаосу связаны с величиной диссипативного фактора и с нарушением нечетности функции возвращающей силы. При слабой диссипации энергии наблюдается продолжительное блуждание фазовой траектории в широкой области фазового пространства, которая сильно сжимается с ростом диссипативного фактора.

8. Явления электропереноса и диэлектрического отклика неоднородных полярных материалов в слабых и сильных электрических полях описываются в рамках единого подхода, основанного на фрактальных свойствах диссипативных открытых систем, в которых реализуются пространственные и временные самоподобные структуры.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Солодуха, Александр Майорович, 2005 год

1. Иоффе В.А. Процессы переноса в окислах переходных элемен-* тов / В.А. Иоффе // Проблемы современной физики: Сб. статей- Л.: Наука, 1980. С. 100 - 109.

2. Webmann I. Electronic transport in alkali- tungsten bronzes / I. Webmann, J. Jorther, M.N. Cohen // Phys. Rev. B. 1976. - V.13, №2. - P. 713 - 724.

3. Шик А.Я. Кинетические явления в неоднородных полупровод-нках / А.Я. Шик // Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях: Сб. научн. тр. Кишинев, «Штиинца», 1979. - С.22 - 40.

4. Малиновский В.К. Неупорядоченные твердые тела: универсальные закономерности в структуре, динамике и явлениях переноса / В.К. Малиновский // Физика твердого тела. 1999. -Т. 41, вып. 5. - С. 805 - 808.

5. Континуальная теория дефектов./ В.А. Лихачев, А.Е. Волков, В.Е. Шудегов. ЛГУ. Л., 1986.- 420 с.

6. Гудаев О.А. Транспорт заряженных носителей и эмпирическое правило Мейера Нелделя в неупорядоченных материалах / О.А. Гудаев, В.К. Малиновский // Физика твердого тела. -1995. - Т. 37, вып. 1. - С. 79 - 90.

7. Гудаев О.А. Прыжковый механизм переноса заряда в квазикристаллах бора и его соединений / О.А. Гудаев, В.К. Малиновский // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44, вып. 5. - С. 805 -810.

8. Хиппель А.Р. Диэлектрики и волны / А.Р. Хиппель. М.: Изд-во ин. лит., 1960. - 438 с.

9. Dyre J. С. Universal low temperature ac conductivity of macro-scopically disordered nonmetals / J.C. Dyre // Phys. Rev. В. - V. 48. - P. 12511 - 12526.

10. Физика сегнетоэлектрических явлений / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов и др. Л.: Наука, 1985. - 396 с.

11. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс. М.: Мир, 1981. - 736 с.

12. Барфут Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений / Дж. Барфут. М.: Мир, 1970. - 352 с.

13. Кенциг В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / В. Кен-циг. М.: Изд - во ин. лит., 1960. - 234 с.

14. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Шира-не. М.: Мир, 1965. - 555 с.

15. Барфут Дж. Полярные диэлектрики и их применение / Дж. Барфут, Дж. Тейлор. М.: Мир, 1981. - 526 с.

16. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах / В.М. Рудяк. М.: Наука, 1986. - 248 с.

17. Струков Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б.А. Струков, А.П. Леванюк. М.: Наука, 1995. 304 с.

18. Jonscher А.К. A Many Body Model of Dielectric Polarization in Solids /А.К. Jonscher // (I) Phys. stat. Sol., b. - 1977. - V.83, № 2. - P. 585 - 597. (II ) // Phys. stat. sol., b. - 1977. - V. 84, № 1. -P. 159 - 166.

19. Пул Ч. Справочное руководство по физике / Ч. Пул. М.: Мир, 2001.- 461 с.

20. Памятных Е.А. Основы электродинамики материальных сред в переменных и неоднородных полях / Е.А. Памятных, Е.А. Туров. М.: Наука, 2000. - 240 с.

21. Фрелих Г. Теория диэлектриков / Г. Фрелих. М.: Из - во ин. лит., 1960. - 251 с.

22. Cole K.S. Dispersion and Absorbption in Dielectrics / K.S. Cole, R.H. Cole // J. Chem. Phys. 1941. - V. 9. - P. 341 - 351.

23. Davidson D.W. Dielectric Relaxation in Glycerol, Propylene Glycol, and n-Propanol / D.W. Davidson, R.H. Cole // J. Chem. Phys. 1951. - V. 19, № 12. - P. 1484 - 1490.

24. Фельц А. Аморфные стеклообразные неорганические твердые тела / А. Фельц. М.: Мир, 1986. - 558 с.

25. Ngai K.L. Interpreting the real part of the dielectric permittivity contributed by mobile ions in ionically conducting materials / K.L. Ngai, R.W. Rendell // Phys. Rev. B.-2000.-V.61, №14.-P. 93939398.

26. Коренблит И.Я. Спиновые стекла и неэргодичность / И.Я. Ко-ренблит, Е.Ф. Шендер // Успехи физических наук. 1989.- Т. 157, №2. - С. 267 - 310.

27. Glinchuk M.D. Theory of the nonlinear susceptibility of relaxor ferroelectrics / M.D. Glinchuk, V.A. Stephanovich // J. Phys.: Condens. Matter.-1998.-V. 10.-P. 11081 11094.

28. Glinchuk M.D. Peculiarities of dielectric response of 1:1 family relaxors / M.D. Glinchuk, V.A. Stephanovich, B. Hilczer, J. Wolak, C. Caranonik // J. Phys.: Condens. Matter.-1998.-V.l 1. -P. 6263 6275.

29. Стефанович В.А. Физические механизмы, приводящие к распределению времени релаксации в разупорядоченных диэлектриках / В.А. Стефанович, М.Д. Глинчук, Б. Хилчер, Е.В. Кириченко // Физика твердого тела. 2002. - Т.44, №5. - С.906 -911.

30. Glinchuk M.D. A random field theory based model for ferroelectric relaxors /M.D. Glinchuk, R. Farhi // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. - V.8. - P. 6985 - 6996.

31. Диэлектрическая спектроскопия / Сб. ст. М.: Ин. лит., 1960. -362 с.

32. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П.Т. Орешкин. М.: Высш. шк. 1977. - 448 с.

33. Мотт Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Девис. М.: Мир, 1982. - T.I. - 368 с.

34. Miller A. Impurity conduction at low concentration / A. Miller, E. Abrahams // Phys. Rev. 1960. - V. 120. - P. 745 - 755.

35. Pollak M. The model of hopping Conduction with wide distribution of jamp distances / M. Pollak, T.N. Geball // Phys. Rev. -1961. V. 122, № 4, - P.1742 - 1753.

36. Pollak M. On the frequency dependence of conductivity in amorphous solids/ M. Pollak //Phil. Mag. 1971. - V.23, № 183. -P.519 - 542.

37. Pike G.E. A.C. Conductivity of scandium oxide and a new hopping model for conductivity / G.E. Pike // Phys. Rev.,B. 1972. -V.6, № 4. - P. 1572 - 1580.

38. Elliott S.R. Defect pairing and the effect on a.c. conductivity in chalcogenide glasses / S.R. Elliott // J. Non-Cryst. Sol. 1980,-V.35-36. - P.855 - 858.

39. Pollak M. Temperature dependance of ac hopping conductivity /М. Pollak // Phys. Rev. 1965. - V. 138, - №6A. - P. 1822 -1826.

40. Кляцкина И.В. Мультиплетная прыжковая проводимость на переменном токе в сильно легированном германии / И.В. Кляцкина, И.С. Шлимак // Физ. и техн. полупроводн. 1978. - Т.12, №1. - С.134-138.

41. Брыксин В.В. Частотная зависимость прыжковой проводимости в рамках метода эффективной среды для трехмерных систем /

42. B.В. Брыксин // Физика твердого тела. 1980. - Т.22, №8.1. C.2441 2449.

43. Брыксин В.В. Анализ характера прыжковой проводимости по частичной зависимости тангенса угла потерь / В.В Брыксин, М.Н. Дьяконов, В.М. Муждба, С.Д. Ханин // Физика твердого тела. 1981. - Т.23, № 5. с.1516 - 1518.

44. Брыксин В.В. Частотная зависимость перескоковой проводимости двумерных неупорядоченных систем / В.В. Брыксин,

45. П. Кляйнерт // Физика твердого тела. 1995. - Т. 37, № 6. - С. 1637 - 1642.

46. Jonscher А.К. Presentation and interpretation of dielectric date // Thin Sol. Films. 1978, - V.50, № 1. - P. 187 - 204.

47. Ngai K.L. On the origin of the universal dielectric response in condensed matter / K.L. Ngai, A.K. Jonscher, C.T. White // Nature. 1979. - V.277. - P. 185 - 189.

48. Jonscher А.К. The measurement and interpretation of dielectric properties / A.K. Jonscher // Thin Solid Films. 1983. - V.100. -P. 329 - 334.

49. Jonscher A.K. Analysis of thermally stimulated depolarization in "Non-Debye" dielectrics / A.K. Jonscher // J. of Electrostatics. -1977. V.3, №1-5. - P. 53-68.

50. Jonscher A.K. Alternating Current Diagnostics of Poorly Conducting Thin Films / A.K. Jonscher // Thin Sol. Films . V.36, №1. -P. 1 - 20.

51. Jonscher A.K. A new model of dielectric loss in polymers/ A.K. Jonscher // Colloid and Polymer Sciece. 1975. - V.253, №3. - P. 231 - 250.

52. Jonscher A.K. Physical basis of dielectric loss /А.К. Jonscher // Nature.-1975. V.250.- P. 717 - 719.

53. Jonscher A.K. Hopping losses in polarisible dielectric media /

54. A.K. Jonscher // Nature. 1974. - V.250, № 1. - P. 191 - 193.

55. Jonscher A.K. The "universal" dielectric response / A.K. Jonscher // Nature. 1977. - V.267. - P. 717 - 719.

56. Jonscher A.K. Nova interpretacja dyspersji w dielektrykach sta-lych / A.K. Jonscher // Poznanskie Towarzystwo Przyjaciol Nauk, Prace Komisji Matem. Przyrodniczej Fizyka Dielektrykow i Radiospektroskopia. - 1979. - V.ll, №1. - P. 1-112.

57. Ngai K.L. Frequensy dependence of dielectric loss in condensed matter / K.L. Ngai, A.K. Jonscher, C.T. White // Phys. Rev.

58. B.-1979.-V.20, №6.-P. 2475-2486.

59. Jonscher A.K. The Interpretation of Non Ideal Dielectric Admittance and Impedance Diagrams / A.K. Jonscher // Phys. stat. sol. (a) . 1975. - V.32, №2. - P.655-676.

60. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей) / Г.И. Сканави. М. - Л.: ГИТТЛ. - 1949. - 500 с.

61. Мандельброт Б. Фрактальная геометрия природы / Б. Ман-дельброт. М.: Ин-т компьют. исслед., 2002. - 656 с.

62. Федер Е. Фракталы / Е. Федер. М.: Мир, 1991. - 254 с.

63. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров / Б.М. Смирнов. М.: Наука, 1991. - 134 с.

64. Фракталы в физике (труды VI междунар. симп. по фракталам в физике). М.: Мир, 1988. - 672 с.

65. Встовский Г.В. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов / Г.В. Встовский, А.Г. Колмаков, И.Ж. Бунин. М. - Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. - 116 с.

66. Данилов Ю.А. Лекции по нелинейной динамике. Элементарное введение / Ю.А. Данилов.- М.: Постмаркет, 2001. 184 с.

67. Корн Г. Справочник по математике / Г. Корн, Т. Корн.- М.: Наука, 1974. 831 с.

68. Самко С.Г. Интегралы и производные дробного порядка и некоторые их применения / С.Г. Самко, А.А. Килбас, О.И. Мари-чев. Минск: Наука и техника, 1987. - 687 с.

69. Шредер М. Фракталы, хаос, степенные законы / М. Шредер. -Ижевск: НИЦ «Регулярн. и хаотич. динам.», 2001. 528 с.

70. Стенли Г. Фазовые переходы и критические явления / Г. Стенли. М.: Мир, 1973. - 419 с.

71. Нигматуллин P.P. Дробный интеграл и его физическая интерпретация / P.P. Нигматуллин // Физика твердого тела. -1992. Т. 90, № 3. - С. 354 - 367.

72. Нигматуллин P.P. Диэлектрическая релаксация типа Ко-ула-Девидсона и самоподобный процесс релаксации/P.P. Нигматуллин, Я.Е. Рябов // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39, № 1. - С.101 - 105.

73. Hill R.M. Invariant behaviour classes for response of simple fractal circuits / R.M. Hill, L.A. Dissado, R.R. Nigmatullin // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. - V. 3. - P. 9773 - 9790.

74. Wang Xiao-Bing. Hopping conduction in some fractal systems / Xiao-Bing Wang, Qing Jiang, Zhe-Hua Zhang, De-Cheng Tian // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. - V. 7. - P. 3279 - 3286.

75. Лиу С. Отклик шероховатых поверхностей на переменном токе / С. Лиу, Т. Каплан, П. Грей // Фракталы в физике (труды VI Междунар. симп. по фракталам в физике). М.: Мир, 1988. -С. 543 - 552.

76. Kaplan Т. Effect of disorder on a fractal model for the ac response of a rough interface / T. Kaplan, L.J. Gray // Phys. Rev.B. 1985.- V.32, № 11, P.7360 - 7366.

77. Кроновер P.M. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории / P.M. Кроновер. М.: Постмаркет, 2000. - 352 с.

78. Brankovic G. Fractal Approach to ас Impedance Spectroscopy Studies of Ceramic Materials / G. Brankovic, Z. Brankovic, V.D. Jovic, J.A.Varela // Journal of Electroceramics. 2001. -V.7. P. 89 -94.

79. Ozaki T. The internal energy of ferroelectric domain structures characterized by pre-fractals of the pentad Cantor sets /Т. Ozaki, J. Ohgami // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. - V. 7. - P. 1711- 1720.

80. Шелль Э. Самоорганизация в полупроводниках / Э. Шелль. -М.: Мир, 1991. 464 с.

81. Крылов В.В. Основы теории цепей для системотехников / В.В. Крылов, С.Я. Корсаков. М.: Высш. шк., 1990. - 224 с.

82. Карпов А.И. Гармонический анализ процессов переполяризации монокристаллов ТГС в синусоидальном электрическом поле / А.И. Карпов, Ю.М. Поплавко // Изв. АН СССР сер. фи-зич,— 1984. Т. 48, № 6.- С. 1193 1196.

83. Попов Э.С. К вопросу о переполяризации сегнетоэлектриков в слабых переменных полях / Э.С. Попов, C.JI. Рапопорт. Физика диэлектриков и полупроводников: Уч. зап. Волгоград, пед. ин-та.- 1970. - Вып. 29. - С. 45 - 54.

84. Рудяк В.М. О роли диэлектрической вязкости в процессах переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов / В.М.Рудяк

85. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1969. - Т. 33, № 2. - С. 316 - 321.

86. Неймарк Ю.И. Стохастические и хаотические колебания / Ю.И. Неймарк, П.С. Ланда. М.: Наука, 1987. - 424 с.

87. Анищенко B.C. Сложные колебания в простых системах / B.C. Анищенко. М.: Наука, 1990. - 312 с.

88. Берже П. Порядок в хаосе / П. Берже, И. Помо, К. Видаль К.— М.: Мир, 1991. 368 с.

89. Мун Ф. Хаотические колебания / Мун Ф. М.: Мир,1990. - 312 с.

90. Шустер Г. Детерминированный хаос / Г. Шустер. М.: Мир, 1988.- 240 с.

91. Мигулин В.В. Основы теории колебаний / В.В. Мигулин, В.И. Медведев, Е.Р. Мустель, В.Н. Парыгин. М.: Наука, 1988. -392 с.

92. Хаяси Т. Нелинейные колебания в физических системах / Т. Хаяси. М.: Мир, 1968. - 432 с.

93. Diestelhorst M. Nonlinear behaviour of TGS crystals / M. Diestelhorst, H. Beige // Ferroelectrics. - 1988. - V. 81. - P. 15 -18.

94. Щука А.А. Получение тонких слоев с помощью лазерного излучения / А.А. Щука, В.Г. Днепровский, А.Г. Дудоладов // Зарубежная электронная техника. 1973. - Т.72, № 24. - С.38 -65.

95. Макухин В.Н., Савельев В.А. Лазерные методы получения и обработки тонких пленок // Зарубежн. радиоэлектрон. 1977. -№1. - С. 30-51.

96. Днепровский В.Г., Банков В.Н. Получение тонкопленочных слоев в вакууме с помощью излучения оптического квантового генератора // Зарубежн. радиоэлектрон. 1978. - №9, - С.133-142.

97. Гапонов B.C., Салащенко Н.Н. Вакуумное напыление пленок с помощью импульсных лазеров // Электрон, промышл. : Научн.-техн. сб. М., 1976, - №1. - С.11-20.

98. Поглощение лазерного излучения и разрушение полупроводников / А.А. Гринберг, Р.Ф. Мехтиев,С.М.Рывкин и др. // Физ. тверд, тела. 1967. - Т.9, №5. - С.1390-1397.

99. Лазеры в технологии / Под ред. М.Ф. Стельмаха. М.: Энергия, 1975. - 216 с.

100. Reddy J.F. Effects due to absorption of laser radiation // J. Appl. Phys. 1965. - V.36, - №2. - P.462-468.

101. Schwarz H., Tourtellotte H.A. Vacuum Deposition by High-Energy Laser with Emphasic on Barium Titanate Films //J. Vac. Sci. Technol. 1969. - V.6, - №2. - P. 373 - 378.

102. Справочник по лазерной технике. Киев: Тех-ка, 1978. -288 с.

103. Солодуха A.M., Жуков O.K., Лесовой М.В. Тонкие пленки трехокиси вольфрама, полученные лазерным напылением // Диэлектрики и полупроводники: Сб. научн. трудов. Киев, 1984. - №26. - С.77 - 79.

104. Глэнг Р. Техника высокого вакуума / Р. Глэнг, Р. Холмнуд, Д. Курц // Технология тонких пленок. М.: Сов. радио, 1977. -Т.1. - С.175-351.

105. Основы вакуумной техники / Б.И. Королев, В.И. Кузнецов, А.И. Пипко и др. М.: Энергия, 1975. - 416 с.

106. Nakao F. Simplified methods for the calculation of portial pressure using the relative ionization cross-section // Vacuum.- 1975. V.25., - №5. - P.201-209.

107. American Society for Testing Materials X-ray Departament., Diffraction date card file / Phil., Pa.

108. Лесовой М.В. Получение и исследование структуры тонких слоев дифосфида цинка / М.В. Лесовой, К.Б. Алейникова, В.М. Кашкаров, A.M. Солодуха // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1986. - Т.22, № 5. - С. 713 - 715.

109. Яффе Б. Пьезоэлектрическая керамика / Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. М.: Мир, 1974. - 288 с.

110. Глозман И.А. Пьезокерамика / И.А. Глозман. М.: Энергия, 1972.- 288 с.

111. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков / К. Окадзаки. М.: Энергия, 1976. - 336 с.

112. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков М.:, 1978. 360 с.

113. Жуков O.K. О кристаллической форме и диэлектрических свойствах ТГС, легированного ионами переходных металлов /

114. О.К.Жуков, А.М.Солодуха, A.M.Косцов // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Сб. науч. тр.- Калинин, 1985. С. 73 - 77.

115. Пинскер Э.Г. Дифракция электронов / Э.Г. Пинскер. M-JI: Из-во АН СССР, 1949. - 404с.

116. Татаринова Л.И. Электронография аморфных веществ / Л.И. Татаринов. М.: Наука, 1972. - 102 с.

117. Набитович И.Д Определение когерентной интенсивности и интенсивности фона по экспериментальной кривой рассеяния электронов / И.Д. Набитович, Я.И. Стецив, Я.В. Волощук // Кристаллогр. 1967.- Т.12., № 3. - С.584 - 590.

118. Вайнштейн Б.К. К теории метода радиального распределения/ Б.К. Вайнштейн // Кристаллогр.-1957.-Т.2-№1.-С.29-37.

119. Урывский Ю.И. Эллипсометрия / Ю.И. Урывский. Воронеж: Из-во Ворон, ун-та, 1971. - 132 с.

120. Тауц Я. Оптические свойства полупроводников / Я. Тауц. -М.: Мир, 1967. 75 с.

121. Кисловский Л.П. Об определении коэффициента поглощения по относительному пропусканию / Л.П. Кисловский, P.M. Кур-циновская // Журн. прикл. спектроскопии.- 1968. Т.8, №3. -С. 489 - 492.

122. Илюкович A.M. Техника электрометрии / A.M. Илюкович. -М.: Энергия, 1976. 400 с.

123. Илюкович A.M. Измерение больших сопротивлений / A.M. Илюкович. М.: Энергия, 1971. - 128 с.

124. Иванов-Шиц А.К. Ионика твердого тела. Т. 1./ А.К. Ива-нов-Шиц, И.В. Мурин: В 2 т. СПб.: Изд-во С.-Петерб. ун-та. Т.1.- 2000. - 616 с.

125. Вест А. Химия твердого тела / А. Вест: В 2 ч.- М.: Мир. 4.2. - 1988. - 336 с.

126. Солодуха A.M. Определение диэлектрических параметров керамики на основе дисперсии комплексного электрического модуля / A.M.Солодуха, З.А Либерман // Вестник ВГУ. Сер. физ., мат . 2003. № 2. - С. 68 - 72.

127. Солодуха A.M. Использование импедансметров для диэлектрических измерений / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Измерительная техника. 1983. - №6. - С. 68 - 69.

128. Дмитриев А.С. Стохастические колебания в радиофизике и электронике / А.С. Дмитриев, В.Я. Кислов. М.: Наука, 1989.- 280 с.

129. Bowerman E.R. Anodized Tungsten Thin Film Capacitors and Resistors/ E.R. Bowerman // IEEE Trans. Сотр. Pts. 1963.-V.10, №2. - P. 86 - 90.

130. Юнг Л. Анодные окисные пленки/ Л. Юнг. М.: Энергия, 1967.- 221 с.

131. Deb S.K. A Novel Electrophotophic System / S.K. Deb // Appl. Opt Supl. on Electrophotography, 1969. V.3, № 4. - P. 192 - 195.

132. Deb S.K. Optical and Photoelectric Properties and Colour Centres in thin Films of Tungsten Oxide / S.K. Deb // Phil. Mag.-1973.-V.27, № 4. P. 801 - 822.

133. Лусис A.P. Электрохромный эффект и электрохромные материалы: физика и применение / А.Р. Лусис //Основные электрохромные материалы: Сб. научн. тр. Рига, 1981. - С. 13 - 37.

134. Коллонг Р. Нестехиометрия / Р. Коллонг. М.: Мир, 1974. -288 с.

135. Shiojiri М. Structure and Crystallization of Very Thin Amorphous WO3 Films / M. Shiojiri, T. Miyano, C. Kaito // Jap. J. Appl. Phys.- 1978. V.17, № 3. - P. 567 - 568.

136. Нестехиометрические соединения /Под. ред. JI. Маделькорна-М.:Мир, 1971. 607 с.

137. Вол А.К. Строение и свойства двойных металлических систем / А.К. Вол: В 2 ч. М.: Физматгиз, 1962. - 4.2. - 648 с.

138. Tanisaki S. Crystal structure of Monoclinic Tungsten Trioxide at Room Temperature / S. Tanisaki // J.Phys. Soc. Japan. 1960. -V.5, № 4.-P. 573 - 581.

139. Muller E.K. The Epitaxial Vapor Deposition of Perovskite Materials / E.K. Muller, B. Nickolson, G. Turner // J. Electrochem. Soc. 1963. - V. 110, № 9. - P. 969 - 973.

140. Green M. A Thin Film Electrohromic Display Based on the Tungsten Bronzes / M. Green, W.C. Smith, J.A. Weiner // Thin Sol. Films. 1976.- V. 38, № 1. - P. 89 - 100.

141. Dautremont Smith W.C. Optical and Electrical Properties of Thin Films of WO3 Electrochemically Coloured /W.C. Dautremont - Smith, M. Green, K.S. Kang // Electrochim. acta. - 1977. -V.22, - № 3. - P. 751 - 759.

142. Гаврилюк А.И. Структурные изменения при электрохромных и фотохромных процессах в трехокиси вольфрама /А.И. Гаврилюк, В.Г. Прохватилов, Ф.А. Чудновский // Физика твердого тела. 1982. - Т.24, № 4. - С.982 - 992.

143. Veda R. On the Phase Transition of Tungsten Trioxide / R. Veda, T. Ichinokawa // Phys. Rev. 1951. - V.82, № 4. - P. 563 -564.

144. Wyart J. Polymophism de 1 anhydride tungstique etudie a temperatures eleves an mayen des rayons X / J. Wyart, M. Foex // Compt. rend. 1951.- V.252, - № 26 .- P. 2459 - 2461.

145. Perri JA. Study of Phase Transitions in W03 with a High Temperature X - Ray Diffractometer / J.A. Perri, E. Banks, B. Post // J. Appl. Phys. - 1957. - V.28, - № 11. - P. 1272 - 1275.

146. Олевский С.С. Структура ближнего атомного порядка аморфных слоев WO3 / С.С. Олевский, М.С. Сергеев, A.JI. Толстихи-на и др. // Докл. АН СССР. 1984. - Т.275, № 6. - С. 1415 -1419.

147. Kiss А.В. Infrared vibrational frequencies of reduced tungsten oxide WOз.х ( 1> x > 0) / A.B. Kiss // Acta Chim. Acad. Sci. Hung. 1975. - V.84, № 4. - P. 393 - 407.

148. Клеперис Я.Я. О строении аморфной пленки триоксида вольфрама / Я.Я. Клеперис , К.В. Габрусенок, А.Р. Лусис, Г.М. Ра-манс // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1982.-№5. - С. 61 - 63.

149. Zeller H.R. Electrohromism and Local Order in Amorphous W03 / H.R. Zeller, H.V. Beyeler // Appl. Phys. 1977. - V.13, № 3. - P. 231 - 237.

150. Раманс Г.М. Структура и морфология аморфных пленок триоксида вольфрама и молибдена / Г.М. Раманс, А.А. Патмални-екс // Электрохромизм: Сб. научн. тр. Рига, 1987. - С. 67 -82.

151. Алешина Л.А. Структура термически напыленных пленок окисла вольфрама WO3 / Л.А. Алешина, А.П. Феофанов, О.Н. Шиврин // Докл. АН СССР. 1982. - Т.267, № 3. с. 596 -598.

152. Круглов В.И. Электронная структура электрохромных аморфных пленок триоксида вольфрама и триоксида молибдена /

153. В.И. Круглов, Е.П. Денисов, С.Л. Краевский // Оксидные элек-трохромные материалы : Сб. науч. трудов. Рига, 1981. - С. 66 - 85.

154. Ramans G.M Structure of Tungstic Acids and Amorphous and Crystalline W03 Thin Films / G.M. Ramans, J.V. Gabrusenoks, A.A. Veispals // Phys. stat. sol. (a) 1982. - V.74, №1 K41 -K43.

155. Kleperis J.J. Colour Centres in Amorphons Tungsten trioxide Thin Films / J.J. Kleperis, P.D. Cikmach,A.R. Lusis // Phys. stat. sol. (a). 1984. - V. 83, № 1. - P. 291 - 297.

156. Arnoldussen T.C. A model for electrochromic tungsten oxide mi-crostructure and degradation / T.C. Arnoldussen // J. Electrochem. Soc. 1981. - V.128, № 1.- P. 117 - 123.

157. Накамото К. ИК спектроскопия неорганических координационных соединений / К. Накамото. М.: Мир, 1966. - 411с.

158. Schwarzmann Е. Zur Bindung des Wassers in den Hydraten des Wolframtrioxids / E. Schwarzmann, O. Glemser // Z. Anorg. allg. Chem. 1961. - H.l-2, S. 45 - 49.

159. Клявинь Я.К. Электрохромный эффект в тонких пленках три-оксида вольфрама: состояние воды в пленках / Я.К. Клявинь, Е.В. Габрусенок, Я.Я. Пимнис // Оксидные электрохромные материалы. Рига, 1981. - С. 94 - 108.

160. Луговская Л.А. Рентгенографическое исследование структурных изменений в анодном аморфном окисле вольфрама при электрохромном эффекте: Автореф. дисс. . канд. физ.-мат. наук / Л.А. Луговская. М., 2000. - 17 с.

161. Солодуха A.M. Структура тонких пленок триоксида вольфрама, полученных лазерным испарением / A.M. Солодуха, O.K. Жуков, М.В. Лесовой // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. -1983. Т.19, № 12. - С.2053 - 2055.

162. Солодуха A.M. Ближний порядок в аморфных слоях WO3 и W03nH20 / A.M. Солодуха, O.K. Жуков, М.В. Лесовой, Н.Н. Макеева // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. - Т.25, № 5. - С. 777 - 779.

163. Солодуха A.M. Ближний порядок в тонких слоях WO3 и \VO3nH2O / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Физика оксидных пленок: Тез. докл. II Всесоюзн. научн. конф., Петрозаводск, 22-24 сент., 1987 г., Ч. 2.- Петрозаводск. С. 54.

164. Sienko M.J. Electric and Magnetic Properties of the Tungsten and Vanadium Bronzes / M.J. Sienko // Adv. chem. Ser. 1963. -V.39, № 1. p. 224 - 236.

165. Koop L. Band structure of Cubic Na2W03 / L. Koop, B.N. Harmon, S.H. Lin // Sol. St. Comm. 1977. - V.22, № 1. - P. 677 - 680.

166. Bullett D.W. Bulk and surface electron states in WO3 and tungsten bronzes / D.W. Bullett // J. Phys. C.: Solid State Phys. -1983.-№ 11. P. 2197 - 2207.

167. Webmann I. Electronic transport in alkali- tungsten bronzes / I. Webmann, J. Jorther, M.N. Cohen // Phys. Rev. B. 1976. - V. 13, № 2. - P. 713 - 724.

168. Weinberger B.R. Nuclear-magnetic-resonance studu of the cubic alkali tungsten bronzes / B.R. Weinberger // Phys. Rev. B. 1978.- V. 17, № 2. P. 566 - 574.

169. Chazalviel J.N. Final-state effect in the x-ray photoelectron spectra of cubic sodium-tungsten bronzes / J.N. Chazalviel, M. Cam-pagna, G.K. Wertheim // Phys. Rev. B. 1977. - V. 16, № 2. - P. 697 - 705.

170. Bringans R.D. Defect states in WO3 studied with photoelectron spectroscopy / R.D. Bringans, H. Hochst, H.R. Shanks // Phys. Rev. B. 1981. - V. 24. - № 6. - P. 3481 - 3489.

171. Benbow R.L. Vacuum ultraviolet-photoemission study of some sodium- tungsten bronzes NaxW03 / R.L. Benbow, Z. Hurych // Phys. Rev. B. 1978. - V. 17. - № 12. - P. 4527 - 4536.

172. Hochs H. Failure of the rigid band model in NaxW03 : on XPS study / H. Hochs, R.D. Bringans, H.R. Shanks // Solid St, Comm.- 1980.- V. 37, № 1.- p. 41 - 44.

173. Wertheeim G.K. Is the rigid band model applicable to the sodium tungsten bronzes / G.K. Wertheeim, J.N. Chazalviel // Solid St. Comm. 1981. - V. 40, № 40. - P. 931 - 932.

174. Pertoza P. Covalency effects infransition-metall perovskite compounds / P. Pertoza, G. Hollinger, F.M. Michel-Calendini // Phys. Rev.B. 1978. - V.18, № 10. - P.5177 - 5183.

175. Bullett D.W. A Teoretical Study of the x-Dependance of the Conduction-Band Density of State in Metallic Sodium Tungsten Bronzes NaxWo3 / D.W. Bullett // Sol. St. Comm. 1983. - V.46, № 7. - P. 575 - 577.

176. Salje E. Physical properties and Phase transitions in WO3 /Е. Salje, K. Viswanathan // Acta cryst., F. 1975. - V.31, № 3. - P. 356 - 359.

177. Hanafi Z. The Colour Problem of Tangsten Trioxide Infrared Measurements / Z. Hanafi, M.A. Khilla // Rev. chim. miner. -1973. V.10, № 3. - P. 451 - 456.

178. Nakamura A. Characterization of amorphous tungsten oxide films through optical absortion spectra / A. Nakamura, T. Kawauchi, Kurabe et al. // J. Vac. Soc. Tap. 1981. - V. 24, № 8. - P. 471 -475.

179. Nakamura A. Fundamental absorption edge of evaporated amorphous WO3 films / A. Nakamura, S Yamada // Appl. Phys. 1981.- V.24, № 1. P. 55 - 59.

180. Mattias B.T. Ferroelectric properties of W03 / B.T. Mattias // Phys. Rev. 1949. - V.76, № 2. - P. 430 - 431.

181. Sawada S. Electrical Conduction in Crystals and Ceramics of W03 / S. Sawada, G.C. Danielson // Phys. Rev. 1959. - V.113, № 3. - P. 803 - 805.

182. Tanisaki S. On the Phase Transition of Tungsten Trioxide below Room Temperature / S. Tanisaki // J. Phys. Soc. Jap. 1960. - V. 15, № 4.-P. 566 - 573.

183. Berak J.M. Effect of Oxygen-Deficiency on electrical Transport Properties of Tungsten Trioxide Crystals / J.M. Berak, M.J. Sienko // J. Solid State Chem. 1970. - V.2, № 1. - P. 109 - 133.

184. Gehlig R. Dielectric properties and polaronic conductivity of W03 and WxMo!.x03 / R. Gehlig, E. Salje // Phil. Mag. B. 1983. - V.47, № 3. - P. 229 - 245.

185. Shirmer O.F. The W5+ polaron in crystalline low-temperature WO3 ESR and optical absorption / O.F. Shirmer, E. Salje // Sol. St. Comm. 1980. - V.33, № 2. - P. 333 - 336.

186. Hirose T. Electrical conductivity of tungsten trioxide (WO3) / T. Hirose, I. Kawano, M. Niino //J. Phys. Soc. Jap. 1972. -V.33, № 1.-P. 272 - 274.

187. Sahle W. Electrical conductivity and High Resolution Electron Microscopy Studies of W03 -x Crystals with 0 < x < 0.28 / W. Sahle, M. Nygren // J. Sol. State Chem. 1983. - V.48, № 1. - P. 154 - 160.

188. Lefkowitz I. Phase Transitions in Tungsten Trioxide at Low Temperatures / I. Lefkowitz, M.B. Dowell, M.A. Shilds // J. Sol. State Chem. 1975. - V.15, № 1. - p. 24 - 39.

189. Mansingh A. Electrical conduction in amorphous WO3 films / A. Mansingh, M. Sayer, J. Webb // J. Non-cryst. Solids. 1978. -V.28, № 1. - P. 123 - 137.

190. Эмин Д. Электрические и оптические свойства аморфных тонких пленок / Д. Эмин. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки : физика и применение. - М.: Мир, 1983. -С. 24 - 66.

191. Miyake К. Electrical and optical properties of reactively sputtered tungsten oxide films / K. Miyake, H. Kaneko, Y. Teramoto // J. Appl. Phys. 1982. -V.53, № 3. - P. 1511 - 1515.

192. Kaneko H. Preparation and properties of reactively sputtered tungsten oxide films / H. Kaneko, K. Miyake, Y. Teramoto // J. Appl. Phys. 1982. - V.53, № 4. - P. 3070 - 3075.

193. Sayer M. Long-range potential centers in disordered solids / M. Sayer, A. Mansingh, J.B. Webb, J. Noad // J. Phys. C. Sol. St. Phys. 1978. - V.ll, № 2. - P. 315 - 329.

194. Hanafi Z. The Colour Problem of Tungsten Trioxide Electrical Conductivity / Z. Hanafi, M.A. Khilla // Z. phisik Chem. Neue Folge. Bd. 1972. - V.82, H. 516. - S. 209 - 216.

195. Казмерски Л. Электрические свойства поликристаллических тонких пленок / Л. Казмерски. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: физика и применение. - М.: Мир, 1983. -С. 67 - 143.

196. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества / И.С. Желудев -М.: Атомиздат, 1973. 472 с.

197. Солодуха A.M. Аномалия диэлектрических характеристик в тонких пленках триоксида вольфрама / A.M. Солодуха, O.K. Жуков, М.С. Крылов // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Межвуз. сб. научн. тр. Калинин, 1985. - С. 127 - 130.

198. Панков Л. Оптические процессы в полупроводниках / Л. Панков. М.: Мир, 1973. - 456 с.

199. Бонч-Бруевич В.JI. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. М.: Наука, 1977. - 672 с.

200. Солодуха A.M. Оптические свойства пленок WO3 вблизи края поглощения / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы.-1990.- Т.26, № 11. С. 2335 - 2337.

201. Фаунен Б.В. Электрохромные дисплеи на основе WO3 / Б.В. Фаунен, Р.С. Крендел // Дисплеи. М.: Мир, 1982. - С. 228 -266.

202. Лагздонис Ю.Л. Исследование центров окраски в электро-хромных материалах на основе триоксида вольфрама / Ю.Л. Лагздонис, П.Д. Пикмач // Оксидные электрохромные материалы: Сб. научн. тр. Рига, - 1981. - С.117 - 127.

203. Поляроны / Под. ред. Ю.А. Фирсова.- М.: Наука, 1975.- 424 с.

204. Брыксин В.В. Оптическое внутризонное поглощение в неупорядоченных системах при сильном электронно-фононном взаимодействии / В.В. Брыксин // Физ. тверд, тела.- 1982. Т. 24, № 4. - С. 1110 - 1117.

205. Солодуха A.M. Фотовольтаический эффект в пленочной структуре кремний-трехокись вольфрама / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Полупроводники-сегнетоэлектрики: Сб. научн. тр. -Ростов-на-Дону, РГУ. 1986. - С. 24 - 27.

206. Кукуев В.И. Получение электрохромных пленок на основе триоксида вольфрама методом испарения и конденсации в вакууме / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, A.M. Солодуха и др. // Электронная техн. Сер. Материалы. 1985. - В.6 (205). - С. 3 - 6.

207. Солодуха A.M. Электропроводность модифицированных тонких пленок триоксида вольфрама / A.M. Солодуха, O.K. Жуков, Н.Н. Макеева // Теория и практика физ.-хим. процессов в микроэлектронике: Сб. научн. тр. Воронеж. ВГУ, 1986. - С. 44 -48.

208. Лазарев В.Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин. -М.: Наука, 1978. 168 с.

209. Schirmer O.F. Dependence of WO3 Electrochromic Absorption on Crystallinity / O.F. Schirmer, V. Wittwer, G. Baur, G. Brandt // J.Electrochem. Soc. 1977. - V.124, - №5. - P.749-753.

210. Яновский В.К. Сегнетоэлектрические висмутсодержащие соединения со смешанной слоистой перовскитоподобной структурой / В.К. Яновский, В.И. Воронкова // Кристаллография. -1988. Т.ЗЗ, Вып. 5. - С. 1278 - 1281.

211. Солодуха A.M. Электрофизические свойства керамики на основе PbBi2Nb209 / A.M.Солодуха, З.А. Либерман, С.Д. Мило-видова // Неорганические материалы. 1993.-Т.29, №9.- С. 1285 - 1287.

212. Исмаилзаде И.Г. Рентгенографическое исследование структуры некоторых новых сегнетоэлектриков со слоистой структурой / И.Г. Исмаилзаде // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1960. - Т. 24. - С. 1198 - 1202.

213. Солодуха A.M. Электрофизические свойства твердых растворов на основе SrBi2Nb209 // A.M.Солодуха, З.А. Либерман // Неорганические материалы.- 1995.- Т.31, № 8. С. 1119 -1120.

214. Солодуха A.M. Структура и диэлектрические свойства слоистой висмутсодержащей керамики / A.M.Солодуха, З.А. Либерман // Неорганические материалы.- 1999.- Т.35, № 7. С. 889 - 890.

215. Солодуха A.M. Электрофизические свойства слоистой висмутсодержащей керамики / A.M.Солодуха, З.А. Либерман // Конденсированные среды и межфазные границы.- 2000. -Т.2, №2. С. 183 - 185.

216. Subbarao Е.С. Ferroelectrisity in Mixed Bismuth Oxides with Layer-Type Structure / E.C. Subbarao // J. Chem. Phys. 1961.-V. 34, № 2. - P. 696 - 699.

217. Фесенко Е.Г. Новый оксид SrBisTi2NbOi2 со слоистой перов-скитоподобной структурой / Е.Г. Фесенко, А.Т. Шуваев, В.Г. Смотраков и др. // Неорганические материалы.- 1994,- Т.30, № 8. С. 1057 - 1059.

218. Shannon R.D. Effective Ionic Radii in Oxides and Fluorides / R.D. Shannon, C.T. Prewitt // Acta Crystallogr. В.- 1969. V. 25. - P. 725 - 949.

219. Джеймс P. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей / Р. Джеймс. М.: Ин. лит., 1950. - 527 с.

220. Солодуха A.M. Прыжковая проводимость висмутсодержащей перовскитоподобной керамики со слоистой структурой / A.M.Солодуха, З.А. Либерман // XIY Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков. 19-23 сент. 1995 г. Иваново.:Тез. докл. -Иваново, 1995. С. 288.

221. Квасков В.Б. Полупрводниковые приборы с биполярной проводимостью / В.Б. Квасков. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 128 с.

222. Солодуха A.M. Диэлектрическая релаксация в слоистой висмутсодержащей керамике / A.M.Солодуха, З.А. Либерман // Релаксационные явления в твердых телах : Тез. докл. XX Междунар. конф. 18-21 окт. 1999 г., Воронеж. С. 271 - 272.

223. Солодуха A.M. Структура и электрофизические свойства висмутсодержащей слоистой перовскитоподобной оксидной керамики / A.M.Солодуха, З.А. Либерман // Неорг. материалы. -2003. Т.39, № 3.- С. 380 - 384.

224. Фесенко Е.Г. Новые висмутсодержащие слоистые перовскито-подобные оксиды / Е.Г. Фесенко, В.Г. Смотраков, Г.А. Гегузина и др. // Неорг. материалы. 1994. - Т.30, № 11.- С. 1446 -1449.

225. Рез И.С. Диэлектрики. Основные свойства и их применения в электронике / И.С. Рез, Ю.М. Поплавко. М.: Радио и связь, 1989. - 288 с.

226. Астафьев А.В. Диэлектрические, оптические свойства и ионная проводимость кристаллов TiNb06 и PbNbW06 / А.В. Астафьев, А.А. Босенко, В.И. Воронкова // Кристаллогр. 1986. -Т. 31, № 5. - С. 968 - 973.

227. Воронкова В.И. Сегнетоэлектрики суперионные проводники / В.И. Воронкова, В.К. Яновский // // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1988. - Т.24, № 12. - С. 20622066.

228. Солодуха A.M. Электропроводность керамики Pb2BiNb06 со структурой пирохлора / A.M. Солодуха, Э.В. Воробжанская // Неорганические материалы.- 1993.-Т29, №2.- С.296 297.

229. Gilletta F. Dielectric relaxation in multi-domain TGS single crystals / F. Gilletta // Phys. stat. sol. (a). 1972. - V.12, №1. - P. 143 - 151.

230. Борисова М.Э. Физика диэлектриков / М.Э. Борисова, С.Н. Койков. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1979. - 240 с.

231. Жуков O.K. Влияние ионов хрома и железа на дисперсию диэлектрической проницаемости в триглицинсульфате/ O.K.

232. Жуков, A.M. Солодуха; Воронеж, гос. ун-т. Воронеж, 1979. -5 с. - Деп. ВИНИТИ № 4152-79 от 06.12.79

233. Жуков O.K. Влияние процесса старения и примеси ионов хрома на диэлектрическую дисперсию в триглицинсульфате / O.K. Жуков, A.M. Солодуха; Воронеж, гос. ун-т. Воронеж, 1979. - 6 с. - Деп. ВИНИТИ № 4143-79 от 05.12.79

234. Солодуха A.M. Релаксация доменных стенок кристалла триглицинсульфата в слабых переменных полях/A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Фазовые превращения в твердых телах: Межвуз. сб. научных трудов. ВПИ. Воронеж, 1982. С. 24 - 28.

235. Саввинов A.M. Диэлектрические свойства приповерхностных слоев кристалла триглицинсульфата /A.M. Саввинов, A.M. Солодуха // XIV Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков, Иваново, 19-23 сент.1995 г.: Тез. докл.- Иваново, 1995.1. С.148.

236. Solodukha A.M. Influence of surface on the dielectric relaxation in TGS crystal / A.M. Solodukha // 10 Int. Meet. Ferroel., Madrid, Sept.3-7,2001: Abstr. Spain, 2001. - P.S4 A-05.

237. Петров В.М. Релаксация доменных стенок в триглицинсуль-фате / В.М. Петров, О.И. Коган // Кристаллография. 1970. -Т.15, вып.5. - С. 1018 - 1021.

238. Заборовский Г.А. Дисперсия диэлектрической проницаемости монокристаллов ТГС / Г.А. Заборовский, С.Б. Тощакова // Структура и свойства сегнетоэлектриков: Сб. научн. тр. -Минск, 1975. С. 24 - 32.

239. Поплавко Ю.М. Диэлектрическая спектроскопия триглицин-сульфата / Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, В.В. Мириакири и др. // Физика твердого тела. 1973. - Т.15. - С. 1250 - 1252.

240. Fousek J. The contribution of domain-wall oscillations to small-signal permittivity of triglicine sulphate / J. Fousek, V. Ja-nousek // Phys. Stat. Sol. (a).- 1996. -13, № 1. P. 195 - 206.

241. Санников Д.Г. Дисперсия в сегнетоэлектриках / Д.Г.Санников // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1961.- Т. 41. С. 133 - 138.

242. Петров В.М. К вопросу о природе СВЧ-дисперсии в сегнетоэлектриках // Изв. АН СССР. Сер. физ. Т. 33. С. 1113248. Поплавко Ю.М. Дисперсия диэлектрической проницаемости всегнетоэлектриках // Изв. АН СССР. Сер. физ. Т. 34. С. 2572- 2579.

243. Константинова В.П. Исследование доменной структуры кристалла триглицинсульфата при старении / В.П. Константинова, Я. Станковская // Кристаллография. 1971. Т. 16. - С. 158 -163.

244. Камышева Л.Н. Исследование свойств триглицинсульфата, легированного хромом и а-аланином / Л.Н. Камышева, О.А. Годованная, С.Д. Миловидова, В.П. Константинова // Изв. АН СССР. Сер. физ. Т. 39, С. 857 - 860.

245. Волк Т.Р. Ослабление рентгеновского излучения монокристаллами триглицинсульфата / Т.Р. Волк, С.В. Медников // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Межвуз. сб., Калинин.-1982.-С. 85 92.

246. Corrochano F. Influensia de diversos factores en la transicion ferro-paraelectrica del sulfato de triglicina / F. Corrochano, B. Jimenes, E. Maurer // Electron, у fis. apl. -1970. -V.13, № 2. -P. 83 87.

247. Stankowska J. Correlation between the domain structure and dielectric properties of TGS crystal / J. Stankowska // Ferroel.-1978.- V.22 P. 753 - 754.

248. Lauginie P. Dielectric constant of triglycine sulfate / P. Lauginie // Proc. Int. Meet. Ferroel., Prague.- V.2.- 1966.- P. 76 80.

249. Lauginie P. Dielectric relaxation of multidomain triglycine sulfate / P. Lauginie, F. Gilletta // Proc. Europ. Meet. Ferroel., Saarbrucken. 1970.- P. - 219 - 224.

250. Stankowska J. Determination of the domain wall thickness and surface energy in pure and deuterated triglicine sulphate crystals / J. Stankowska, H. Wojciechowska //Act. Phys. Pol.- 1979. V. A55, № 6. - P. 811 - 818.

251. Mansingh A. The surface layer effect in TGS, KDP and Rochelle salt /А. Mansingh, E. Prasad // J. Phys. D: App. Phys. -1976. V. 9, № 1. - P. 1379 - 1386.

252. Сидоркин А.С. Нелинейная динамика в электрическом контуре с сегнетоэлектриком / А.С. Сидоркин, A.M. Солодуха, Л.П. Нестеренко // Физика твердого тела.- 1997. Т. 39, №5.- С. 918 919.

253. Солодуха A.M. Влияние дефектов на нелинейные электрические свойства кристалла ТГС / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // XII Всесоюзн. конф. по физике сегнетоэлектриков, Ростов-на-Дону, сент., 1989 г.: Тез. докл., Т.2.- Рост.-Дон.- 1989. С.37.

254. Solodukha A.M. Nonlinear dynamics of ferroelectrics conserned with domain structure/ A.M. Solodukha, A.S. Sidorkin // 8-th Int. Meet. Ferroelectrisity (Geisasburg), Aug. 8-13, 1993: Abstr.-Maryland, USA, 1993. P. 309.

255. Солодуха A.M. Сечение Пуанкаре фазового портрета нелинейного RLC-контура, содержащего сегнетоэлектрик / A.M. Соло-духа, А.С. Сидоркин, А.А. Шевченко // Физика твердого те-ла.-1993.-Т.35, № 7. С. 2046 - 2049.

256. Солодуха A.M. Отображение первого возвращения для хаотических колебаний в RLC-контуре с сегнетоконденсатором / A.M. Солодуха, Ж.А. Губанова // Физика твердого тела. 1994.- Т.36, № 4. С. 1177 - 1179.

257. Дрождин С.Н. Хаос в водородосодержащих сегнетоэлектрических кристаллах / С.Н. Дрождин, JI.H. Камышева // Кристаллография. 1991.- Т. 36, В.4. - С. 925 - 930.

258. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела / В.Н. Чеботин.- М.: Химия, 1982. 320 с.

259. Солодуха A.M. Определение параметра зарядового состояния точечных дефектов в пленках / A.M. Солодуха, O.K. Жуков //

260. Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1985. - Т.21, № 2. -С.332 - 333.

261. Солодуха A.M. Структурные особенности и электрические свойства нестехиометрических пленок триоксида вольфрама / A.M.Солодуха // Конденсированные среды и межфазные границы,- 2002.- Т.4, № 4. С.ЗЗЗ - 335.

262. Schnakenberg J. Polaronic Impurity Hopping Conduction / J. Schnakenberg // Phys. stat. sol. 1966. - V.28, - № 2. - P.623 -633.

263. Солодуха A.M. Электропроводность тонких аморфных слоев слабо восстановленного триоксида вольфрама / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы.- 1989. Т.25, № 1. - С.162 - 164.

264. Sanchez С. Electrical conductivity of amorphous V2O5 / С. Sanchez, R. Morineau, J. Livage // Phys. status solidi (a)-1983.-V.76, №2.- P. 661 666.

265. Солодуха A.M. Частотная зависимость проводимости пленок триоксида вольфрама / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Физика твердого тела. 1986. - Т.28, №2. - С.579 - 580.

266. Солодуха A.M. Мультиплетная прыжковая проводимость в тонких слоях триоксида вольфрама / A.M. Солодуха, O.K. Жуков // Электронное строение и свойства полупроводников и сегнетоэлектриков: Сб. научн. тр. Воронеж, Изд-во ВГУ, 1991. - С. 50 - 57.

267. Нагельс П. Электронные явления переноса в аморфных полупроводниках / П. Нагельс // Аморфные полупроводники: Сб.ст.- М.: Мир. 1982. - С.146 - 200.

268. Солодуха A.M. Особенности прыжковой проводимости в висмутсодержащей оксидной слоистой керамике / A.M. Солодуха, З.А. Либерман // Физика твердого тела. 2001. - Т.43, №11. -С.1966 - 1968.

269. Macdonald J.R. as conduction in disordered solids: Comparison of effective-medium and distributed-transition-rate-response models / J. R. Macdonald // Phys. Rev. B. 1994. - V.49, №14. -P. 9428 - 9440.

270. Ландау Л.Д. Теоретическая физика : в 10-ти т. / Л.Д.Дандау, Е.М.Лифшиц.- М. : Наука, 1988. Т.1 : Механика. - 216 с.

271. Solodukha A.M. Chaotic dynamics in a nonlinear circuit containing ferroelectric as a capacitor / A.M. Solodukha, L.P. Nesterenko // 8-th EMF. July 4-8, 1995. Nijmegen: Abstr. 1995. - The Netherland. - P.02 - 11.

272. Солодуха A.M. Хаотическая динамика нелинейного колебательного контура с сегнетоконденсатором / A.M. Солодуха,

273. Л.П. Нестеренко // XIV Всеросс. конф. по физике сегнетоэлек-триков. 19-23 сент.,1995 г.,Иваново: Тез. докл.- Иваново, 1995. С.354.

274. Солодуха A.M. Фрактальная размерность странного аттрактора для хаотических колебаний в контуре с сегнетоэлектриком /

275. A.M. Солодуха, Jl.П. Нестеренко // Физика твердого тела. -1996.- Т.38, № 6. С.1896 - 1898.

276. Солодуха A.M. Моделирование хаотической динамики для электрического контура с сегнетоэлектриком // A.M. Солодуха, Л.П. Нестеренко. Изв. АН. Сер. физич. 1997.-Т.61, № 5.1. С.1009 1011.

277. Solodukha A.M. The Fractal aspects of the determinate chaos in nonlinear system with ferroelectric / A.M. Solodukha, L.P. Nester-enko // The 9-th Intern. Meet, on Ferroelectrisity, Seoul, August 24-29,1997: Abstr. Seoul, Korea. - P.47.

278. Solodukha A.M. Domain Stracture and Self-Organization / A.M. Solodukha, L.P. Nesterenko // 9-th European Meet, on Ferroelectrisity (EMF), Praha, July 12-16, 1999: Abstr. Praha. - P. 76.

279. Солодуха A.M. Процессы самоорганизации в диссипативных системах с сегнетоэлектриком / A.M. Солодуха, Л.П. Несте-ренко // Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл. XX Междунар. конф., 18-21 окт. 1999 г., Воронеж. С. 28 - 29.

280. Солодуха A.M. Процессы самоорганизации в диссипативных системах с сегнетоэлектриком / A.M. Солодуха, Л.П. Несте-ренко // Межфазная релаксац. в полиматериалах: Мат-лы междунар. научно-техн. конф., 26-30 ноября, 2001г., Москва,-2001. М. - С. 329 - 331.

281. Солодуха A.M. Хаотические колебания, фракталы и сечение Пуанкаре / A.M. Солодуха // Волновые процессы в неоднородных и нелинейных средах: Мат-лы семинаров Научн. образ, центра. - Воронеж, ВГУ. - 2003. - С. 370 - 384.

282. Веневцев Ю.Н. К вопросу о метастанате свинца PbSn03 / Ю.Н. Веневцев, Г.С. Жданов // Журнал физической химии —1956.—т.XXX, вып. 6.- С. 1324-1326.

283. Веневцев Ю.Н. Ренгенографическое исследование системы PbTi03-«PbSn03» / Ю.Н. Веневцев, Г.С. Жданов, Т.Н. Шендрик // Кристаллография.- 1956.- Т. 1, вып.6.— С. 657-665.

284. Веневцев Ю.Н. Ренгеноструктурное исследование твердых растворов сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита / Ю.Н. Веневцев, Г.С. Жданов // Известия наук АН СССР. Сер. физ.- 1956.-Т.XX, №2.- С. 178-184.

285. Sidorkin A.S. Dielectric properties of lead titanate films / A.S. Sidorkin, A.M. Solodukha, L.P. Nesterenko ets. // J. Conf. Abst.-2003. -V.7, № 1.- p. 311.

286. Сидоркин А.С. Диэлектрические свойства тонких пленок РЬТЮЗ / А.С. Сидоркин, A.M. Солодуха, Л.П. Нестеренко, С.В. Рябцев, И.А. Бочарова, Г.Л. Смирнов // Физика твердого те-ла.-2004.-Т.46, №10.-С. 1841-1844.

287. Naumova Yu.Yu. Phase Composition and Dielectric Properties of Thin Films Produced by Annealing Sn/Pb/Ti/Si and Pb/Sn/Ti/Si Heterostructures/Yu.Yu. Naumova, V.A. Logacheva, A.M. Khoviv, A.M. Solodukha // Inorg. Mat.-2004.-T.40, №10.- P.1079-1082.

288. Ховив A.M. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами /A.M. Ховив, А.С. Сидоркин, С.О. Яценко, О.Б. Яценко // Неорганические материалы.-1998. Т.34, № 4. - С.462 - 463.

289. Пайтген Х.-О. Красота фракталов. Образы комплексных динамических систем / Х.-О. Пайтген, П.Х. Рихтер. М. : Мир, 1993.- 776 с.

290. Постон Т. Теория катастроф и ее приложения / Т. Постон, И. Стюарт. М. Мир, 1980. - 607 с.

291. Томпсон Дж.М.Т. Неустойчивости и катастрофы в науке и технике / Дж.М.Т. Томпсон. М. : Мир, 1985. - 254 с.

292. Морозов А.Д. Инвариантные множества динамических систем в Windows / А.Д. Морозов, Т.Н. Драгунов, С.А. Бойко, О.В. Малышева. М. : Эдиториал УРСС, 1998. - 240 с.

293. Васильков Ю.В. Компьютерные технологии вычислений в математическом моделировании / Ю.В. Васильков, Н.Н. Василь-кова. М. : Фин. и стат., 1999. - 256 с.

294. Schroder Т.В. Scaling and universality of ас conduction in disordered solids / T.B. Schroder, J.C. Dyre // Phys. Rev.- 2000.- В 84, №2.- P. 310 313.

295. Лайхтман Б.Д. Изгибные колебания доменных стенок и ди-электриэлектрическая дисперсия в сегнетоэлектриках / Б.Д. Лайхтман // Физика твердого тела.-1973.-Т.15, №1.- С. 93 -102.

296. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В.Л. Миронов.- М.:Техносфера, 2004.- 144 с.