Рентгеновская спектроскопия соединений переходных металлов и гетерогенных образований на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Галахов, Вадим Ростиславович

• Галахов, Вадим Ростиславович
• доктор физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Галахов, Вадим Ростиславович

Список сокращений и условных обозначений.

Введение

1 Основы рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии

1.1 Интерпретация рентгеновских эмиссионных спектров.

12 Принципы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

1.3 Техника эксперимента.

1.3.1 Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр.

1.3.2 Рентгеновский спектрометр РСМ-500.

1.3.3 Рентгеновский микроанализатор 1СХА-733 (ШОЬ).

1.3.4 Рентгеновский спектрометр "Спектрозонд".

2 Особенности формирования рентгеновских эмиссионных спектров

2.1 Рентгеновские эмиссионные Ь-спектры переходных металлов в оксидах

2.1.1 Относительные интенсивности Х/?- и Ьо;-линий.

2.1.2 Применение отношения интенсивностей ЬЛЗ/Ьа-спектров для анализа состояния ионов Ре и Си, имплантированных в АЬОз

2.1.3 Резонансные Х-спектры эмиссии.

2.2 Рентгеновские эмиссионные О ТЛа-спектры: взаимодействие катион-анион

2.3 Рентгеновские 811,2,з-спектры и электронная структура Ре81.

2.3.1 Рентгеновские спектры валентной полосы Ре81: сопоставление с расчетом.

2.3.2 81 Зс?-состояния в силицидах.

Выводы к главе 2.

3 Рентгеновская эмиссионная спектроскопия с варьированием энергии возбуждающих электронов

3.1 Основные положения генерации рентгеновского излучения в твердых мишенях при электронной бомбардировке.

3.1.1 Проникновение электронов в вещество.

3.1.2 Распределение характеристического рентгеновского излучения по глубине.

3.1.3 Определение концентрационного профиля при варьировании энергии возбуждающих электронов.

3.2 Применение рентгеновской эмиссионной спектроскопии для анализа формирования силицидов гафния на кремнии.

3.3 Твердофазные реакции в системе 1г/(111)81.

3.4 Анализ системы Со/ЗЮг/З!.

3.5 Силициды Бе-Со, синтезированные ионным пучком.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рентгеновская спектроскопия соединений переходных металлов и гетерогенных образований на их основе»

Анализ электронной структуры гетерогенных материалов и их химического состояния в последнее время приобретает все большее значение в связи с интенсивным развитием микроэлектроники. Среди всего многообразия методов исследования несомненный приоритет имеют спектральные методы — методы рентгеновской фотоэлектронной и рентгеновской эмиссионной спектроскопии, которые позволяют получать прямую информацию об элементном составе вещества, электронной энергетической структуре материалов, валентном состоянии атомов.

Рентгеновская спектроскопия является одним из основных экспериментальных источников информации об электронной структуре материалов уже более 40 лет 1-9]. Несколько позднее метод рентгеновской спектроскопии был дополнен родственным методом — фотоэлектронной спектроскопией с возбуждением фотоэлектронов как рентгеновским, так и ультрафиолетовым излучениями [10-15]. Методы рентгеновской и фотоэмиссионной спектроскопии дополняют друг друга, поскольку фотоэлектронные спектры отображают полную плотность электронных состояний, а рентгеновские — парциальные. Использование совокупности фотоэлектронных спектров валентной полосы и рентгеновских эмиссионных спектров разных серий и элементов позволило во многих случаях расшифровать электронную структуру многокомпонентных соединений.

Однако, поскольку рентгеновские спектры, как эмиссионные, так и фотоэлектронные, возникают при переходе из одного состояния системы в другое, и электронные конфигурации начального и конечного состояний системы отличаются по крайней мере на единицу, то возникает естественный вопрос: в какой мере конечное состояние, отображаемое рентгеновскими эмиссионными, абсорбционными и фотоэлектронными спектрами характеризует основное состояние системы? Если конечное состояние системы радикально отличается от основного, то рентгеновская спектроскопия не может быть использована для изучения электронной структуры материалов. И наоборот, если рентгеновские спектры соответствуют основному состоянию системы, ~ то по данным рентгеновской спектроскопии можно восстановить основное состояние системы. В наибольшей степени вопрос этот относится к системам, где сильны электрон-электронные корреляции.

В настоящее время развиты мощные методы расчета электронной структуры материалов, в том числе и так называемые расчеты "из первых принципов" (аЬ initio) в приближении локальной спиновой плотности (LSDA). В этих расчетах не используются подгоночные параметры, а лишь атомные волновые функции и координаты атомов. Как правило, зонные методы расчета электронной структуры не всегда правильно воспроизводят валентную структуру коррелированных систем, энергетическую щель между занятыми и вакантными состояниями в изоляторах, а также порядок относительного положения состояний металла и лиганда в валентной полосе. Введение "корреляционных поправок" (LSDA-f-6'A) улучшает ситуацию (см., например, [16]), однако распределение р-состояний лиганда, как правило, в расчетах получалось не всегда корректным. Кроме того, остается нерешенным вопрос о влиянии корреляционных поправок на энергетическое положение d-состояний в валентной полосе. Ответить на эти вопросы могут комплексные исследования материалов с электрон-электронными корреляциями методами рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии с последующим сопоставлением экспериментальных данных с расчетными.

С середины 80-х годов стали развиваться полуэмпирические методы расчета электронной структуры сильнокоррелированных соединений ЗА-металлов [17-19], основанные на учете конфигурационного взаимодействия. В этих расчетах вариацией параметров внутриатомного и межатомного взаимодействия воспроизводятся рентгеновские фотоэлектронные и абсорбционные спектры остовных уровней 3d-металла (конечные состояния рентгеновской фотоэмиссии и поглощения) и затем делаются выводы о структуре основного состояния системы. Уже из самой сути метода ясно, что для его использования необходимо иметь в распоряжении высококачественные спектры. Однако вариация довольно большого числа подгоночных параметров оставляет простор для произвола. Зачастую выводы, полученные разными исследователями для одного и того же материала (например, о характере проводимости или о валентном состоянии ионов металла), совершенно противоположны. Следовательно, необходимо иметь критерий, независимый от процедуры расчета. Таким критерием, разумеется, является эксперимент, и, прежде всего, рентгеновские фотоэлектронные и эмиссионные спектры, дающие прямую информацию о структуре валентной полосы соединений. Отсюда одной из задач представляемой работы является анализ различных расчетов электронной структуры материалов, как зонных, так и кластерных (многоэлектронных) на предмет правильного описания ими электронной структуры материалов (в основном ЗсА-оксидов), получаемой из рентгенофотоэлектронных и рентгеноэмиссионных данных.

Обычно рентгеновская спектроскопия имеет дело с однородными (гомогенными) материалами. Двухфазные и, тем более, многофазные образования всегда вызывают затруднение в интерпретации полученных экспериментальных данных. Однако в настоящее время возникает необходимость изучения именно гетерофазных структур, получаемых в результате твердофазных реакций и различного рода воздействий на вещество (облучение высокоэнергетическими частицами, нагрев при высоких температурах, деформация и пр.). Сюда следует отнести также исследование границ раздела фаз (так назывемых ""интерфейсов").

Основная трудность исследования интерфейсов состоит в том, что эти слои находятся внутри материала и, следовательно, недоступны для исследования прямыми структурными методами, такими как, например, электронная микроскопия. Большинство исследований границ раздела "металл-полупроводник" выполнено поверхностно-чувствительными методами, которые позволяют изучать структуру и электронное состояние только верхнего слоя образца [20,21]. В методе фотоэлектронной спектроскопии глубина выхода фотоэлектронов в зависимости от их кинетической энергии варьируется от 50 до 2-5 Á. Поэтому считается, что фотоэлектронная спектроскопия является поверхностно-чувствительным методом. Для анализа "скрытых" слоев необходимо последовательно удалять поверхностные слои изучаемого объекта. Однако при этом первоначальное распределение концентрации по глубине может изменяться в результате статистически неравномерного характера травления по глубине, атомного смешивания, диффузии, различия коэффициентов распыления для различных компонентов сложных материалов [22].

Использование рентгеновской эмиссионной спектроскопии с варьированием энергии возбуждающих электронов в принципе позволяет проводить анализ такого рода "скрытых" слоев. Довольно интенсивно идея вариации энергии возбуждающих электронов используется в рентгеновском микроанализе (см., например, [23,24]). В этом случае результатом исследования является атомный профиль, который получается после решения некорректной задачи — решения интегрального уравнения. Интерес к восстановлению атомного профиля из рентгеноспектральных данных несколько был утрачен из-за появления более мощных методов, как то обратное ре-зерфордовское рассеяние, спектроскопия вторичных электронов, метод ядерных реакций. Однако эти методы хотя и отличаются высокой точностью в построении атомного профиля, не в состоянии определить фазовый состав "скрытых" слоев.

Возможностью определения фазового состава "скрытых" слоев обладает мягкая и ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия с варьированием энергии возбуждающих электронов, которая за счет высокого энергетического разрешения позволяет различать фазы вещества. Вероятно, впервые вариацию энергии электронного пучка для анализа приповерхностных слоев материалов по мягким рентгеновским эмиссионным спектрам высокого энергетического разрешения применил Холлидей [25]. В этой области исследования нужно отметить работы групп Шула-кова [26-30], Домашевской [31-33]. За рубежом метод ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждающих электронов развивали группы Боннелъ [34], Caca [35,36], Ивами [37-45]. Сюда же следует отнести наши первые работы по анализу окисления приповерхностных слоев металлов и сплавов [46,47]. В работах [48,49] для изменения глубины выхода рентгеновского излучения применяли варьирование угла между поверхностью образца и возбуждающим излучением (электронным или фотонным). Подробный анализ применения ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии для анализа границ раздела твердых тел можно найти в нашем обзоре [50] и в работе [51 .

Однако следует отметить, что сложность восстановления концентрационного профиля останавливала исследователей, и они ограничивались, как правило, лишь качественным результатами или использовали довольно грубые упрощения, предполагая, например, что функция распределения электронов по глубине аппроксимируется либо (Л-функцией, либо прямоугольником.

Особенностью данной работы является ультрамягкой рентгеновской спектроскопии высокого пространственного и энергетического разрешения для анализа твердофазных реакций в твердых телах (в интерфейсах на основе кремния и оксидов меди), подвергнутых различного рода воздействиям. Использование микрофокусного ультрамягкого рентгеновского спектрометра "Спектрозонд" (см. [52]) позволило провести измерения в микрообъеме. Для получения количественной информации о распределении фаз по глубине были использованы аналитические выражения, которые были проверены сравнением результатов, полученных рентгеноспектраль-ным методом и методами обратного резерфордовского рассеяния, ядерных реакций, оптической эллипсометрии. Отметим, что параллельно нашим работам на сходных объектах и аппаратуре были выполнены работы группы Ивами, которые, однако до последнего времени не были доведены до количественной оценки. Лишь с конца 1999 г. для получения количественной информации о распределении фаз по глубине в этой группе стали использовать метод Монте-Карло [53,54].

Цель работы

Целью работы является развитие методов рентгеновской фотоэлектронной и эмиссионной спектроскопии для изучения электронной структуры, валентного состояния атомов в соединениях переходных металлов и гетерогенных образованиях на их основе. Эта цель определила следующие задачи, решение которых было отражено в диссертационной работе.

• Разработка моделей формирования рентгеновских эмиссионных О Ка- и Ьа, ¡3-спектров и рентгеновских фотоэлектронных спектров валентной полосы и остов-ных уровней для последующего их эффективного использования в целях анализа гомогенных и гетерогенных материалов.

• Фазовый анализ гетерогенных образований методом рентгеновской эмиссионной спектроскопии.

• Анализ распределения фаз по глубине в интерфейсах (границах раздела твердых тел) и тонких пленках с помощью ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с варьированием энергии возбуждающих электронов.

• Определение кристаллографических позиций примесных атомов в купратах по ультрамягким рентгеновским спектрам.

• Расширение возможности применения рентгеновских фотоэлектронных Зв-спек-тров для анализа валентного состояния, Зс?-электронных конфигураций в оксидах.

• Получение конкретной информации об особенностях электронной структуры коррелированных оксидов переходных металлов.

• Установление границ применимости Ь(8)ВА- и Ь(8)ВА+С/-приближений для описания электронной структуры коррелированных материалов.

Научное направление, представленное в настоящей работе, — рентгеновская эмиссионная спектроскопия как метод структурного и фазового анализа гетерогенных структур.

Объекты исследования

Объекты исследования можно разделить на два больших класса, каждый из которых представляет самостоятельный интерес. Это (1) оксиды Зй-переходных металлов и (2) гетероструктуры на основе силицидов переходных металлов, оксиды меди, подвергнутые разного рода воздействиям. Объединяет эти два класса объектов метод исследования — рентгеновская эмиссионная спектроскопия, которая позволила определить важные характеристики материалов: химическое состояние атомов переходного элемента как в гомогенных образованиях (в нашем случае — оксиды и силициды переходных металлов), так и в гетерогенных (оксиды и тонкопленочные силициды, подвергнутые термическому воздействию, облучению высокоэнергетическими частицами, деформации и т. д.).

Научная новизна работы

Впервые проведен количественный фазовый анализ скрытых слоев в интерфейсах на основе кремния по мягким рентгеновским эмиссионным спектрам с вариацией энергии возбуждающих электронов. Впервые мягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия применена для определения позиций примесных атомов в оксидах. Впервые по рентгеновским эмиссионным О Ка-спектрам выполнен фазовый анализ купратов, подвергнутых внешним воздействиям — пластической деформации. облучению электронами и ионами и взрыву. Впервые по рентгеновским фотоэлектронным Мп Зй-спектрам определены электронные конфигурации в допированных манганитах и установлено, что при формальной валентности марганца от 3,0-Ь до 3,3-Ь дырки имеют О 2р-характер, а при формальной валентности марганца выше 3,3+ дырки образуются в Мп Зй-состояниях. Новыми являются также все представленные в работе результаты исследования электронной энергетической структуры сложных оксидов переходных элементов.

Практическая ценность работы

Результаты применения ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии для анализа скрытых слоев могут быть использованы в институтах и организациях, занимающихся производством и исследованием полупроводниковых устройств и микросхем (в Институте полупроводников СО РАН, Физико-техническом институте РАН, ИФМ УрО РАН), а также в институтах и университетах, использующих рентгеновскую спектроскопию с электронным возбуждением (в Санкт-Петербургском и Воронежском государственных университетах).

Анализ валентного состояния металлов в оксидах в зависимости от внешних воздействий представляет интерес для химических институтов, синтезирующих оксиды с переменной валентностью переходного металла (Институт химии твердого тела УрО РАН, Уральский государственный университет) и для организаций, занимающихся проблемой устойчивости материалов к интенсивным внешним воздействиям (Уральский государственный технический университет, РНЦ "Курчатовский институт" , Институт технической физики Российского федерального ядерного центра).

Основные положения, выносимые на зашдту

1. Установление по рентгеновским фотоэлектронным Мп Зз-спектрам О 2р-ха-рактера дырок в допированных манганитах.

2. Возможность определения позиций атомов в кристаллической решетке купра-тов по рентгеновским эмиссионным спектрам кислорода и фтора.

3. Возможность проведения фазового анализа оксидов меди после деформации, допирования и облучения высокоэнергетическими частицами по рентгеновским эмиссионным спектрам.

4. Развитие метода анализа фазового состава границ раздела твердых тел методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с варьированием энергии возбуждающих электронов и его применение для изучения интерфейсов на основе кремния.

Апробация работы

Полученные в диссертации результаты и выводы обуждались на следующих конференциях и совещаниях:

V Семинаре специалистов социалистических стран по электронной спектроскопии (Прага, 1986); Международной конференции "Физика переходных металлов" (Киев, 1988); XV Всесоюзном совещании по рентгеновской и электронной спектроскопии (Ленинград, 1988); П1 Всесоюзной конференции "Квантовая химия и спектроскопия твердого тела" (Свердловск, 1989); Международном семинаре "Эффекты в сильно разупорядоченных ВТСП" (Заречный, 1990); III Всесоюзном совещании по высокотемпературной сверхпроводимости (Харьков, 1991); IX Всесоюзном совещании "Рентгеновские и электронные спектры и химическая" связь (Владивосток, 1991); Международном конгрессе, посвященном 100-летию открытия рентгеновских лучей (Вюрцбург, 1995); Всероссийской конференции "Химия твердого тела и новые материалы" (Екатеринбург, 1996); 17-й Международной конференции "Рентгеновские лучи и внутриоболочечные процессы" (Гамбург, 1996); Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Дубна, 1997); XV Научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Новоуральск, 1997); IV Двустороннем Российско-Германском симпозиуме "Физика и химия новых материалов" (Екатеринбург, 1999); III Российско-Германском семинаре по электронной и рентгеновской спектроскопии (Екатеринбург, 1999); XVI Научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Воронеж, 2000); Международной конференции по перспективным магнито-резистивным материалам (Екатеринбург, 2001); III Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 2001); Международной конференции "VI Забабахинские научные чтения" (Снежинок, 2001).

Кроме того, материалы диссертации были доложены на семинарах Оснабрюкско-го университета (1993, 1995,1998), Вюрцбургского университета (1999), Лейпцигско-го университета (1999), Университета Саарланден (1999), Мадридского технического университета (1999), Института физики полупроводников СО РАН (2000), Уральского государственного университета (2001) и на отчетных сессиях Института физики металлов УрО РАН.

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 43 статьи в международных и отечественных реферируемых журналах (Physical Review В, Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Journal of Physics: Condenced Matter, Solid State Communications, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, The European Physical Journal B, Thin Solid Films, Applied Surface Science, Applied Physics A, Journal of Materials Research, Physica B, Physica C, Физика твердого тела. Физика металлов и металловедение, Поверхность, Журнал неорганической химии и др.), ряд статей в сборниках трудов конференций.

Гранты

Изучение электронной структуры сильно коррелированных оксидных систем проведено в рамках совместного проекта Российского фонда фундаментальных исследований и Немецкого научно-исследовательского общества (совместная работа с Университетом Оснабрюка, проект 98-02-04129). Работы по изучению границ раздела твердых тел были поддержаны ИНТ АС (проект ИНТ АС-РФФИ 95-16-71128). Под руководством автора выполнен проект в рамках Российского фонда фундаментальных исследований "Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия с варьированием энергии возбуждающих электронов для изучения границ раздела твердых тел" (проект 99-03-32503).

Личный вклад автора

Постановка задачи, выбор объектов, рентгеновские фотоэлектронные исследования и большей частью рентгеновские эмиссионные исследования оксидов переходных металлов, а также интерпретация полученных результатов выполнены автором.

Краткое представление работы

В настоящей работе проведено исследование соединений переходных металлов и гетерогенных формирований на их основе методами рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии. Дадим краткое содержание работы по главам.

Первая глава дает краткую характеристику методов рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии и приборов для рентгеновских фотоэлектронных и рентгеновских эмиссионных измерений, применяемых в данной работе.

Во второй главе рассмотрены проблемы формирования рентгеновских эмиссионных О Ka-, Me La,l3-, Si Ь2,з-спектров. Эта глава, в основном, представляет оригинальные результаты. Параграф 2.1 посвящен 1А-спектрам переходных металлов. Проведен анализ относительных интенсивностей Ь/З/La-полос переходных металлов в оксидах и выделены факторы, их определяющие: самопоглощение, эффект Костера-Кронига, магнитные моменты, степень ковалентности. Практическому использованию этого эффекта посвящен параграф 2.1.2, где из анализа рентгеновских эмиссионных Lo;, ;5-спектров металлов найдено, что отжиг А120з:Ре и А120з:Си ведет к формированию Ре20з; химическое состояние ионов Си остается таким же, как и у металлической меди. В параграфе 2.1.3 на примере СиСеОз и Рго,58го,5МпОз рассматриваются резонансные Ь-спектры соответственно меди и марганца.

В параграфе 2.2 проведен анализ формирования О 1Го;-спектров в купратах. Показано, что О /Са-спектр сложного оксида может быть представлен как сумма спектров составляющих этот оксид простых оксидов. В параграфе 2.3 рассмотрены 81 Ь2,з-спектры, и на примере силицида железа Ге81, для которого проведен полный цикл спектральных измерений и выполнены первопринципные зонные расчеты, показан вклад 81 ЗсЛ-состояний в формирование 81 Ь2,з-спектров. Установлено хорошее согласие экспериментальных спектров Ге81 с результами зонных расчетов.

Третья глава посвящена рентгеновской эмиссионной спектроскопии с электронным возбуждением. В параграфе 3.1 рассмотрены основные положения генерации рентгеновского излучения в твердых мишенях при электронной бомбардировке. Показано, что для восстановления профиля фаз и элементов можно решать прямую задачу, задавая функцию распределения электронов по глубине в аналитическом виде. Метод рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждения применен для анализа твердофазных реакций в интерфейсах на основе кремния: НГ/81, 1 г/81, Со/8Ю2/81, (Ре-|-Со)/81. Отработана методика определения профилей элементов и фаз по данным рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждающих электронов. Наряду с методическими проблемами в данной главе получены конкретные результаты о фазовых превращениях в интерфейсах. Для системы Н£/(001)81 найдены температуры формирования фаз НГ81 и Н£812 (параграф 3.2), Для системы 1г/(111)81 (параграф 3.3) определен фазовый состав слоев (с-81, 1г81 или 1гз815), возникших в результате температурного отжига. Для системы Со/8Ю2/81 (параграф 3.4) определены температуры образования фазы Со812 и установлено влияние толщины барьерного слоя ЗЮг на фазовый состав. И, наконец, для системы (Ге+Со)/81 (параграф 3.5), найдено, что фазовый состав полученных пленок (формирование фаз Ге812 либо Со812) зависит от порядка ионной имплантации.

Четвертая глава посвящена рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии сильнокоррелированных оксидных систем. Здесь рассмотрены наиболее актуальные вопросы формирования спектров остовных уровней и валентной полосы оксидов переходных металлов. Начинает главу параграф 4.1, в котором даются основные понятия моттовских изоляторов и рассмотрена концепция "зарядового переноса". В параграфе 4.2 проведен анализ сателлитов внутренних 2р-уровней. Рассмотрены два "противоборствующих" подхода в описании сателлитов — концепции межатомного и внутриатомного взаимодействий. Следущий параграф посвящен Зз-спектрам оксидов переходных металлов. Здесь представлена простая двухуровневая модель, основанная на концепции зарядового переноса, позволяющая проводить анализ степени ковалентности химической связи "металл-кислород". В параграфе 4.4 показано. что одноионное приближение адекватно воспроизводит основные особенности рентгеновских фотоэлектронных спектров валентной полосы монооксидов переходных металлов.

По существу рассмотренные главы являлись методическими. Таким образом, получив инструмент исследования электронной структуры соединений, можно приступать к получению конкретной информации об электронной и локальной структуре материалов, хотя частичное применение метода уже было изложено ранее в "методических" главах.

Пятая глава посвящена купратам. Начинает главу параграф 5.1, в котором описывается электронная структура простых оксидов — СиО и СпгО, что является необходимым для дальнейшего изложения материала. В параграфе 5.2 даны результаты экспериментального и теоретического исследования электронной структуры ЫСигОг — соединения со смешанной валентностью ионов меди. Применению мягкой рентгеновской спектроскопии для фазового анализа гетерогенных систем — оксида меди СиО, подвергнутого деформации, облучению заряженными частицами и воздействию ударных волн — посвящен параграф 5.3. Взаимодействие "катион-анион" в твердых растворах М§1г;СигО, имеющих кубическую решетку типа МаС1, рассмотрено в параграфе 5.4. Здесь из рентгеновских фотоэлектронных спектров валентной полосы выделены парциальные Си Зс?-состояния и парциальные О 2р-состояния в связях О 2р-Си Зй(45р). Установлено, что химическая связь Си-0 в М£тЛа;Си1;0 более ионная, чем в СиО.

В параграфе 5.5 описываются результаты исследования электронной структуры сверхпроводящих купратов. В параграфе 5.6 рассмотрены купраты с замещением кислорода фтором УВа2СизОб,5-х+5Р21, ЗггСиОгРг+г, Ш2СиОз,6Бо,4 и эффекты восстановления в КШ,85Сеод5Си04г. Здесь рентгеновская эмиссионная спектроскопия выступает как метод структурного анализа: О Ка- и Р Ка-спектры использованы для определения позиций фтора в кристаллической решетке.

Шестая глава — это анализ электронной структуры оксидов N1, Со, Ре и Сг. Начинает главу параграф 6.1, в котором рассмотрена электронная структура классического моттовского изолятора N10 и оксида Ы№02 — соединения, где зарядовая компенсация осуществляется не за счет формирования №Л"''-ионов, а за счет дырок О 2р-характера. Противоположный случай наблюдается для ЫСо02 (параграф 6.2), где замещение ЗсЛ-металла литием приводит к изменению Зс?-электроннной конфигурации (СоЛ'Л-ионы). По О А'ог-спектрам определена концентрация 2р-дырок кислорода для Ы№02 и ЫСоОг- Показано, что в восстановленных оксидах ЫСо02-г дефицит кислорода приводит к формированию двухвалентных ионов кобальта, а дефицит щелочного металла в №хСо02 — к формированию дырок О 2р-характера.

Параграф 6.3 посвящен электронной структуре оксидов железа — РеО, ЫРеОг, СиРеОг- Наряду с экспериментальными иследованиями для СиРеОг приведены результаты зонных расчетов. Показаны достоинства и недостатки методов Ь(8)ВЛ и Ь(8)ВЛ+[/ для описания электронной структуры оксидов.

Электронная структура ЫСгОг, классифицированного как изолятор Momma-Хаббарда, рассмотрена в параграфе 6.4. Из сопоставления рентгеновских и фотоэлектронных спектров ЫСгОг и ЫСоОг делается заключение, что доминирующую роль в формировании структуры валентной полосы в ЫСоОа и ЫСгОг играют не эффекты обменного взаимодействия, а кристаллическое поле.

В седьмой главе рассмотрена электронная структура манганитов. Параграф 7.1 — это анализ электронной структуры на основе рентгеновских эмиссионных и фотоэлектронных спектров соединений Ьа1-х8гЛМиОа, Ьах-лВахМпОз, Ьа1-1РЬлМиО8, РгсбЗго.бМпОз, Енх-ЛСаЛМпОз, Ьа1^п,8Мп207. Показано, что структура валентной полосы манганитов лучше описывается на основе приближения ЬВЛ. В методе LDA + U переоценка параметра кулоновского взаимодействия приводит к "углублению" занятой части Мп Зй-состояний. Для формирования энергетической щели достаточно эффекта Яна Теллера.

В параграфе 7.2 приведены результаты исследований оксидов ЫМпОг и ЫгМпОз. Для соединения ЫМпОг проведен зонный расчет электронной структуры и установлено, что для описания электронной структуры ЫМпОа необходим учет корреляционной поправки: эффект Яна Теллера не в состоянии обеспечить энергетическую щель между занятыми и вакантными состояниями.

В параграфе 7.3 проведен анализ рентгеновских фотоэлектронных Мп 35-спектров. Показана неизменность величины Мп 35-расщепления в случае, если концентрация замещающих трехвалентный лантаноид двухвалентных металлов х < 0,3. Установлено, что увеличение формальной валентности марганца в манганитах от 3,0-1- до 3,3-Ь обусловлено формированием дырок О 2р-характера.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Галахов, Вадим Ростиславович

Выводы

1. Предложен и реализован метод определения фазового состава интерфейсов по мягким рентгеновским эмиссионным спектрам, полученным при вариации энергии возбуждающих электронов. Область применения метода — тонкие пленки на основе кремния, пленки оксидов переходных металлов с толщиной анализируемых слоев 20-200 нм.

2. Обоснована возможность определения кристаллографических позиций примесных атомов по рентгеновским эмиссионным спектрам и установлены позиции атомов фтора в купратах УВагСизОб.б-АРгх, ЗггСиОгГг и №2Си04а;Ра;. Метод рекомендуется применять в случае, когда дифракционный структурный анализ затруднен из-за близости атомных факторов рассеяния.

3. Установлены основные особенности формирования валентной полосы и определены электронные конфигурации атомов переходных металлов широкого класса оксидов переходных металлов — от купратов до манганитов. Найдено, что переход от монооксидов к сложным оксидам ЫМеОз или к сверхпроводящим купратам сопровождается сдвигом О 2р-состояний к уровню Ферми, большим перекрытием Л-состояний металла и 2р-состояний кислорода и усилением степени ковалентности металл-кислородных связей.

4. На основе сопоставления рентгеновских фотоэлектронных и эмиссионных спектров с зонными расчетами установлены границы применимости Ь(3)0А-при-ближений для описания электронной структуры соединений переходных металлов. Показано, что для оксидов ЫСпгОг, СиРеОг, ЫМп02 Ь(8)ВА-расчеты неправильно воспроизводят не только энергетическую щель и магнитные свойства, но и структуру энергетических полос. Переоценка па.раметра межэлектронного взаимодействия 11 в методе Ь(3)ВА-|-С7 приводит к углублению д,-состояний относительно уровня Ферми.

5. Обнаружен эффект влияния магнитного состояния атомов металла в оксидах и степени ковалентности металл-кислородных связей на относительную интенсивность рентгеновских эмиссионных Ь(31Ьа полос (увеличение интенсивности 1//5-полосы с ростом атомных моментов и уменьшение ее с ростом степени ковалентности). Определены заселенности Зс?-состояний в купратах по относительным иитенсивностям рентгеновских эмиссионных Ьос/Ы спектров и по рентгеновским фотоэлектронным Зй-спектрам. Из анализа рентгеновских эмиссионных О Ка-сиектроъ найдены концентрации электронных дырок в 2р-полосе кислорода ЫМлОг и ЫСоОг.

6. На основании анализа рентгеновских фотоэлектронных Мп Зй-спектров установлено, что в допированных манганитах при формальной валентности марганца от 3,0-1- до 3,34- допирующие дырки имеют О 2р-характер; при формальной валентности марганца выше 3,3-1- дырки образуются в Мп Зй-состояниях.

Заключение

Полученные в, работе результаты можно условно разделить на две части. Первая часть работы, представленная в главах 2, 3 и 4, является методической. Здесь были равиты методы рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии для анализа гомогенных и гетерогенных структур. Отметим наиболее важные, на наш взгляд моменты.

1. Рентгеновские фотоэлектронные спектры валентной полосы монооксидов от ТЮ до СиО могут быть хорошо описаны в рамках одноионного приближения.

2. Рентгеновские эмиссионные О /('а-спектры определяются кислород-катионным взаимодействиями и могут быть представлены как суперпозиция вкладов от кислород-катионных связей в соотношении, определяемым химическим составом соединений.

3. Рентгеновские эмиссионные О Ка-, Р Ка- и 81 1/2,з-спектры определяются ближайшим окружением излучающих атомов и, следовательно, могут быть использованы для для определения локализации примесных атомов.

4. Высокая чувствительность рентгеновских эмиссионных О Ка- и 81 Ьз.з-спектров позволяет проводить фазовый анализ в системах на основе кислорода или кремния, где по ряду причин не возможен рентгеноструктурный анализ.

5. Вариации энергии возбуждающих электронов в сочетании с высоким энергетическим разрешением делают рентгеновскую эмиссионную спектроскопию незаменимым инструментом анализа границ раздела твердых тел, как это было продемонстрировано на примере систем на основе кремния.

Приведенные исследования позволили решить ряд конкретных задач по определению фазового состава, структурных позиций атомов и анализу электронной структуры в как в гомогенных, так и в валентно- и фазонеоднородных соединениях. В ряде задач метод рентгеновской спектроскопии был применен как метод структурного анализа, где по ряду причин (близость атомных факторов рассеяния) дифракционный анализ малоэффективен.

На наш взгляд наиболее перспективным является развитый в работе метод ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с варьированием энергии возбуждаюш,их электронов, позволяюший исследовать фазовые реакции в интерфейсах. Варьирование энергии возбуждающих электронов меняет глубину анализа и, тем самым, дает возможность восстанавливать профиль распределения элементов и фаз по глубине без разрушения материала. В настоящее время имеется большое число мощных методов, позволяющих получать атомный профиль — достаточно назвать метод обратного резерфордовского рассеяния. Разумеется, точность восстановления атомного профиля методом рентгеновской спектроскопии не выдерживает конкуренции с вышеназванным методом. Однако у метода рентгеновской эмиссионной спектроскопии есть преимущество, которое делает его уникальным. Это возможность прямого анализа фаз и построение фазового профиля. Такой возможностью не обладают другие современные методы исследования поверхности. Можно надеяться, что метод ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с варьированием энергии возбуждающих электронов найдет применение для фазового анализа многочисленных интерфейсных, мультислоевых структур и пр., являющихся основой полупроводниковых устройств.

Возможности метода рентгеновской эмиссионной спектроскопии для анализа гетерогенных систем далеко не ограничиваются вышеперечисленными примерами. Дальнейшее усовершенствование стандартных спектрометров с электронным возбуждением позволит использовать изменение угла выхода рентгеновского пучка для получения количественной информации о фазовом составе приповерхностных и "скрытых" слоев материалов.

Вторая часть работы, представленная в главах 5, 6 и 7, — конкретные результаты исследования электронной структуры коррелированных оксидов переходных металлов, определение позиций примесных атомов в купратах, исследование фазовых превращений в СиО под влиянием внешних воздействий, определение локализации допирующих дырок в манганитах.

Существенными результатами, на наш взгляд, являются следующие.

1. Выполнены исследования широкого класса оксидов переходных металлов: от купратов до манганитов. Определены особенности формирования их электронной структуры.

2. На примере оксидов Ь1Си202, СпРеОг, ЬаМпОз, ЫМпОа определены условия применимости приближений ЬВА и LDA-\-U для воспроизведения зонной структуры коррелированных оксидов переходных металлов.

3. По рентгеновским эмиссионным О АСог-спектрам в сверхпроводящих купратах УВа2СизОб,5-х+<уР2а;, 8г2Си02Р2+* И К<12СиОз,бРо,4 определсны позиции атомов фтора.

4. Методами рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии выполнены исследования фазового состава и валентного состояния меди в СиО, подвергнутом пластической деформации, облучению высокоэнергетическими электронами и ионами и взрывному воздействию.

5. Определено валентное состояние ионов переходного металла и заселенности Зс?-состояний в системах Mgla;CuxO, ЫШ0 2 и ЫСоОг

6. Изучены эффекты восстановления в системах Mgla;CuxO, Н<11-хСвхСи0— и ЫСоОз-б.

7. По рентгеновским фотоэлектронным Мп Зз-спектрам манганитов определен характер локализации допирующих дырок. Установлено, что в допированных манганитах при концентрации допанта < 0,3 допирующие дырки локализованы в О 2р-полосе; при повышении концентрации допанта формируются дырки в Мп Зс?-полосе.

Проведены исследования электронной структуры коррелированных сложных оксидов переходных металлов — от манганитов до купратов. Из совокупности рентге-носпектральных, фотоэлектронных данных и зонных расчетов получена информация о строении занятой части валентной полосы этих соединений, сделаны выводы о валентном состоянии ионов металлов, степени ковалентности связей "металл-ки-стюрод", о применимости зонного приближения для описания электронной структуры сильнокоррелированных систем. Показано, что метод Ь(8)ВА-1-С/ правильно воспроизводит энергетическую П1;ель и магнитный момент в коррелированных оксидах, однако переоценка параметра кулоновского взаимодействия 17 приводит к у) лублению (Л-состояний металлов относительно уровня Ферми.

Существенным является тот факт, что рентгеновская эмиссионная спектроскопия была использована в качестве метода рентгеновского структурного и фазового анализа. В первом случае по рентгеновским эмиссионным Г Ка~ и О /Са-спектрам определены позиции примесных атомов фтора в кристаллической решетки сверх-прводящих купратов; во втором — определен фазовой состав нанокристаллических материалов, возникших после внешних воздействий на СиО. И в том и другом случае дифракционные методы анализа были малоэффективны либо из-за близости атомных факторов рассеяния, либо из-за деформационного и мелкодисперсного ушире-ния дифракционных полос.

Важным вопросом, нашедшим отражение в работе, является проблема валент-п(ЛГО состояния ионов переходных металлов в коррелированных окисдах. Наиболее значимым результатом в этом аспекте яв.)1яется установление характера допирую-щих дырок в манганитах по Мп Зй-спектрам. Для купратов и никелатов допирование ионами двухвалентного стронция или ионами одновалентного лития приводит к формированию дырок в О 2р-полосе кислорода — электронные конфигурации ЗдААЬ и 3(РЬ соответственно. Этот эффект характерен для всей концентрационной области. Несколько иная ситуация имеет место в манганитах. В этих оксидах с химической формулой Ьпх-ЛАхМпОз замещение ионов трехвалентного лантаноида ионом двухвалентного щелочноземельного элемента также приводит к дыркам в 2р-полосе кислорода, но этот эффект характерен не для всех х, а только если формальная валентность марганца находится в интервале от 3,0 до 3,3-3,4. Это же справедливо и в случае, когда формальная валентность марганца меняется за счет дефектов в катионной решетке. Дальнейшее увеличение формальной валентности марганца вызывает образование дырок в Зй-состояниях.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Галахов, Вадим Ростиславович, 2001 год

1. Skinner H. W. В., Bullen T. G., Johnston E. E. Notes on soft X-ray spectra, particularly of Fe group elements. // Phil. Mag., 1954, v. 45, p. 1070-1080.

2. Блохин M. A. Физика рентгеновских лучей. M.: ГИТТЛ, 1957, 518 с.

3. Holliday J. E. Soft X-ray emission spectroscopy in the 13 to 44-Â region. / / J . Appl. Phys., 1962, V. 33, p. 3259-3265.

4. Bonnelle C. Contribution a I'etude des métaux de transition du premier groupe, du cuivre et de leurs oxydes par spectroscopic X dars le domaine de 13 à 22 Â. // Ann. Physique, 1966, 1, p. 439-481.

5. Зимкина T. M., Фомичев В. A. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Ленинград: Изд. ЛГУ, 1971, 132 с.

6. Немнонов С. А. Структура электронных энергетических полос и некоторые свойства переходных металлов, их сплавов и соединений. // Диссертация . доктора физ.-мат. наук. Свердловск. 1971, 384 с.

7. Майзелъ А., Леонхардт Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. Киев: Наукова думка, 1981, 420 с.

8. Курмаев Э. в., Черкашенко В. М., Финкельштейн Л. Д. Рентгеновские спектры твердых тел. М.: Наука, 1988, 175 с.

9. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Р., Хамрин К., Хедман Я., Йо-ханссон Р., Бергмарк Т., Карлссон С, Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. Под ред. И. Б. Боровского. М.: Мир, 1971, 494 с.

10. И. Нефедов В. И. Применение рентгеноэлектронной спектроскопии в химии. (Итоги науки и техники. Строение молекул и химическая связь). М.: ВИНИТИ, 1973, 148 с.

11. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д. Бриггса, М. Сиха. М.: Мир, 1987, 598 с.

12. Немошкаленко В. В., Алешин В. Р. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наукова думка, 1983, 280 с.

13. Нефедов В. И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. М.: Химия, 1984, 256 с.

14. Hiifner S. Photoelectron spectroscopy. Springer-Verlag: Berlin Heidelberg-New-York, 1996, 516 p.

15. Anisimov V. I, Zaanen J., Andersen O. K. Band theory and Mott insulators: Hubbard и instead of Stoner /. // Phys. Rev. B, 1991, v. 44, p. 943-954.

16. Fujimori A., Minami F. Valence-band photoemission and optical absorption in nickel compounds. // Phys. Rev. B, 1984, v. 30, p. 957-971.

17. Zaanen J., Sawatzky G. A., Allen J. W. Band gaps and electronic structure of transition-metal compounds. // Phys. Rev. Lett., 1985, v. 55, p. 418-421.

18. Zaanen J., Westra C., Sawatzky G. A. Determination of the electron structure of transition-metal compounds: 2p x-ray photoemission spectroscopy of the nickel dihalides. // Phys. Rev. В., 1986, v. 33, p. 8060-8073.

19. Calandra C., Bisi 0., Ottaviani 0. Electronic properties of silicon-transition metal interface compounds. // Surf. Sci. Rep., 1985, v. 4, p. 271-364.

20. Bossi G. d and / metal interface formation on silicon. // Surf. Sci. Rep., 1987, v. 7, p. 1-101.

21. Нефедов В. Я., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.: Наука, 1983, 296 с.

22. CastaingR. Electron probe microanalysis. // Adv. Electron. Electron Phys., 1960, V. 13, p. 317-386.

23. Вернер A. И., Гиммелъфарб Ф. A., Тарасов В. К. Послойный рентгеноспек-тральный микроанализ поверхностных слоев твердых тел. // Рентгеновская и электронная спектроскопия (Теория, методы и применение в промышленности), Черноголовка, 1985, с. 63-74.

24. Holliday J. Е. Effect of surface oxide in soft X-ray emission bands of metals and alloys. // Band Structure Spectroscopy of Metals and Alloys, (ed. by D. J. Pabian and L. M. Watson), Academic Press, London, 1973, p. 713-724.

25. Shulakov A. S. Application of ultra-soft X-ray emission spectroscopy for solid surfaces studies. // Cryst. Res. Technol., 1988, v. 23, c. 835-838.

26. Шулаков A. С., Степанов A. П. Глубина генерации ультрамягкого рентгеновА ского излучения в ЗЮг- // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988, N 1, с. 146-148.

27. Шулаков А. С. Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия с варьированием энергии возбуждения. Автореф. дисс. . доктора физ.-мат. наук. Л.: ЛГУ. 1989.

28. Shulakov А. S. Surface oxidation of dilute AlMgSi alloys. / / J . Electron Spectr. Relat. Phen., 1993, v. 62, p. 351-358.

29. Шулаков A. C. Брайко A. П., Филатова E. 0. Тезисы национальной конференции "Применение рентгеновского, синхротронного излучения, нейтронов и электронов для изучения материалов". 25-29 мая 1997 г. Дубна, с. 514.

30. Домашевская Э. П., Юраков Ю. A., Кашкаров В. М. Твердофазное взаимодействие в тонкопленочной структуре Pt-Si(lll) по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и рентгеновской дифракции. // Перспективные материалы, 1997, N 3, с. 35-40.

31. Bonnelle Ch., VergandF. Soft X-ray spectroscopy as a method for studying chemical interactions at deep interfaces. // J. Chemie Physique, 1989, v. 86, p. 1293-1302.

32. Szdsz A., Kertesz L., Kojnok J., Hegeldils Z., Tolnai L. The SXES study of the amorphous Ni-P compounds. // Vacuum, 1983, v. 33, p. 107-110.

33. Szdsz A., Kojnok J. Soft X-ray emission depth profile analysis: SXDA. // Appl. Surf. Sci., 1985, V. 24, p. 34-56.

34. Iwami M., Hirai M., Kusaka M., Nakamura H., Watabe H., Akao F. Soft X-ray spectroscopy (XSX) study of electronic and atomic structures of a Ni silicide-system. // Vacuum (U.K.), 1990, v. 41, p. 1046-1048.

35. Nakamura H., Hirai M., Kusaka M., Iwami M. Electronic and atomic structure of a Co silicide contact system. // Vacuum (U.K.), 1990, v. 41, p. 875-877.

36. Hirai M., Kusaka M., Iwami M., Nakamura H., Murakami E., Nakagawa K. Nondestructive observation of Sio.sGeo.s/Ge/Sii-iGei heterostructure using soft X-ray emission spectroscopy. // Jpn. J. Appl. Phys., 1991, v. 30, p. L1653-L1655.

37. Watabe H., Iwami M., Hirai M., Kusaka M., Nakamura H., Kawai M., Soezima H. Electronic and atomic structures of metal(Ni,Co,Au)/Si(lll) contacts: Soft X-ray spectroscopy and photoelectron spectroscopy. // Appl. Surf. Sci., 1992, v. 56-58, p. 531-534.

38. Yamauchi S., Hirai M., Kusaka M., Iwami M., Nakamura H., Yokota Y., Akiyama A., Watabe H. ТЕМ and SXES study of Ni-silicide/Si interface: Crystallographic relationship with the Si-substractes. // Appl. Surf. Sci., 1992, V. 60-61, p. 372-379.

39. Kasaya M., Yamauchi S., Hirai M., Kusaka M., Iwami M., Nakamura H., Watabe H. Study of iron silicide formation on Si(lll) by soft x-ray emission spectroscopy // Appl. Surf. Sci., 1994, v. 75, p. 110-114.

40. Yamauchi S., Hirai M., Kusaka M., Iwami M., Nakamura H., Ohshima H, Hattori T. Soft X-ray emission spectroscopy of Pt silicides (Pt2Si, PtSi). // Jpn. J. Appl. Phys., 1994, V. 33, p. L1012-L1015.

41. Галахов В. Р., Курмаев Э. 3., Черкашенко В. М. Рентгеновские эмиссионные 1/-спектры окислов За-металлов и анализ поверхностного окисления сплавов. // Изв. АН СССР Сер. физич., 1985, т 49, с. 1513-1517.

42. Галахов В. Р., Курмаев Э. 3. Рентгеновские L-спектры оксидов За-металлов и анализ окисления поверхности сплавов. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987, N 10, с. 107-112.

43. Skytt P., Calnander В., NybergВ., Nordgren J., JsbergP. Probe depth variation in grazing exit soft-X-ray emission spectroscopy. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 1997, V. 384, p. 558-562.

44. Kurmaev E. Z., Galakhov V. R., Shamin S. N. Studies of solid interfaces using soft X-ray emission spectroscopy. // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 1998, v. 23, p. 65-203.

45. Galakhov V. R. Application of soft X-ray emission spectroscopy to the study of solid-phase reactions in Si-based interfaces. // X-Ray Spectrom., 2002, v. 31, inpress.

46. Kurmaev E. Z., Fedorenko V. V., Shamin S. N., PostnikovA. V., Wiech G., Kim Y. Small-spot X-ray emission spectroscopy and its application for study of electronic structure and chemical bonding in solids. // Physica Scripta, 1992, T41, p. 288-292.

47. Kinoshita A., Hirai M., Kusaka M., Iwami M. Application of Monte Carlo simulation to structural analysis by soft X-ray emission spectroscopy for a silicide/Si/bulk system. // Jpn. J. Appl. Phys., 1999, v. 38, p. 6544-6549.

48. Kinoshita A., Hirai M., Kusaka M., Iwami M. Si-L2,3 soft X-ray emission spectra by quantitative analysis of silicides/Si system: Simulation and experiment. / / J . Surface Analysis, 1999, v. 5, p. 86-89.

49. Grebennikov V. I., Babanov Yu. A., Sokolov O. B. Extra-atomic relaxation and x-ray spectra of narrow-band metals. // Phys. Stat. Sol.(b), 1977, v. 79, p. 423-432.

50. Von Barth U., Grossmann G. Dynamical effects in x-ray spectra and the final-state rule. // Phys. Rev. B, 1982, v. 25, p. 5150-5179.

51. Mahan G. D. Pinal state potential in x-ray spectra. // Phys. Rev. B, 1980, v. 21, p. 1421-1431.

52. Davis L. C, Feldkamp L. A. Pinal-state and other approximation in x-ray spectra. // Phys. Rev. B, 1981, v. 23, p. 4269-4272.

53. Van Veenedaal M. A., Sawatzky G. A. Intersite interactions in Cu L-edge XPS, XAPS, and XES of doped and undoped Cu compounds. Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p. 3473-3482.

54. Bernotas A., Fisher Ch. P., Kaniauskas J., Tutlys V. Mixed-valence state treatment for x-ray emission spectra of cuprate superconductors. // J. Phys.: Condens. Matter, 1994, v. 6, p. 8349-8361.

55. Врытое И. A., Ромащенко Ю. Н. Электронные состояния в окислах по ультрамягким рентгеновским спектрам. // Аппаратура и методы рентгеноспек-трального анализа, Ленинград: СКБРА, 1977, т. 19, с. 168-178.

56. Блохин М. А. Методы рентгено-спектральных исследований. М.: Физматгиз, 1959, 386 с.

57. Каразия Р. Введение в теорию рентгеновских и электронных спектров свободных атомов. Вильнюс: Москлас, 1987, 276 с.

58. Butorin S. М., Galakhov V. R., Kurmaev Е. Z., Glazyrina V. I. Soft X-ray emission Cu L spectra and copper-oxygen bond covalency in high-Tc superconductors. // Solid State Communs., 1992, v. 81, p. 1003-1007.

59. Burgdzy P., Jaeger H., Schulze K., Lampater P., Steeb S. X-ray emission and X-ray self-absorption in the high-Tc superconductor УВагСпзОб.э and other copper oxides. // Z. Naturforsch. 1989, v. 44A, p. 180-188.

60. Cohen D. D. Comments on several analytical techniques for L-subshell ionisation calculations. // J. Phys. B: At. Mol. Phys., 1984, v. 17, p. 3913-3921.

61. Cohen D. D., Harrigan M. Calculated L-shell X-ray intensities for proton and helium ion impact. // Atomic Data and Nuclear Data Tables, 1986, v. 34, p. 393414.

62. Kawai J., Sudzuki C, Adachi H. Spin flip of 3d electrons due to core electron photoionization. / / J . Electron Spectrosc. Relat. Phen., 1996, 78, p. 79-82.

63. Krause M. 0. Atomic radiative and radiationless yields for К and L shells. // J. Phys. Chem. Ref. Data, 1979, v. 8, 307-327.

64. Wood P. R., Urch D. S. The Li and Lrj x ray emission spectra of some first-row transition metals and compounds. / / J . Physics P: Metal Physics, 1978, v. 8, p. 543553.

65. Гребенников В. И., Ралахов В. Р., Финкельштейн Л. Д., Овечкина Н. А., Кур-маев Э. 3. Влияние атомных магнитных моментов на относительную интенсивность Lf3- и //О;-компонентов рентгеновских эмиссионных спектров в оксидах За-элементов. // ФТТ, в печати.

66. Kurmaev Е. Z., Moewes А., Galakhov V. R., Ederer D. L., Kobayashi Т. Ionimplantation effects in AI2O3: X-ray fluorescence measurements. // Nucl. lustrum. Methods Physics Research B, 2000, v. 168, p. 395-398.

67. Albee A. L., Chodos A. A. Semiquantitative electron microprobe determination of Pe^+/Pe^+ and MnAA/MnAA in oxides and silicates and its application to petrologic problems.'// Am. Mineralogist, 1970, v. 55, p. 491-501.

68. Блохин M. A., Швейцер И. P. Рентгеноспектральный справочник. М.: Наука, 1982, 376 с.

69. Ribble Т. J. ЬЦ and Ьщ emission spectra of copper compounds. // Phys. Stat. Sol. A, 1971, v. 6, p. 473-478.

70. Fujinami M., Hamada H., Hashiguchi Y., Ohtsubo T. Relation between Cu L X-ray and Cu 2p photoelectron in YBaACuaOi. // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, v. 28, p. L1959-L1962.

71. Kawai J., Nakajima J., Gohsji Y. Copper LA/La X-ray emission intensity ratio of copper compounds and alloys. // Spectrochemica Acta, 1993, v. 48B, p. 1281-1290.

72. Thole B. T., van der Laan G. Branching ratio in x-ray absorption spectroscopy. // Phys. Rev. B, 1988, v. 38, p. 3158-3171.

73. De Groot F. M. F., Fuggle J. C, Thole B. T., Sawatzky G. A. 2p X-ray absorption of 3d transition metal compounds — an atomic multiplet description including the crystal field. // Phys. Rev. B, 1990, v. 42, p. 5459-5468.

74. Fischer D. W., Baun W. L. Band structure and the titanium Lnjn X-ray emission and absorption spectra from pure metal, oxides, nitride, carbide, and boride. // J-Appl. Phys., 1968, V. 39, p. 4757-4776.

75. Rubensson J.-E., Wassdahl N., Bray G., Rindstedt J., Nyholm R., Cramm S., Martensson N., Nordgren J. Resonant behavior in soft X-ray fluorescence excited by monochromatized synchrotron radiation. // Phys. Rev. Lett., 1988, v. 60, p. 17591762.

76. Ley L., Kowalczyk S. P., Pollak R A., Shirley D. A. X-ray photoemission spectra of crystalline and amorphous Si and Ge valence band. // Phys. Rev. Lett., 1972, V. 28, p. 1088-1092.

77. Eastman D. E., Grobman W. D., Freeouf J., Erbudak M. Photoemission spectroscopy using synchrotron radiation. I. Overviews of valence-band structure for Ge, GaAs, GaP, InSb, ZnSe, CdTe, and AgL // Phys. Rev. B, 1974, v. 9, p. 3473-3488.

78. Ефимов A. И., Белорукова Л. П., Василъкова И. В., Щечев В. П. Свойства неорганических соединений. Справочник. Ленинград: Химия, 1983, 392 с.

79. Teterin Yu. А., Sosulnikov М. L X-ray photoelectron studies of oxygen states in metaloxide ceramics for HTSC // Applied Superconductivity, 1993, v. 1, p. 457466.

80. Teterin Yu. A., Sosulnikov M. L, Petrov Yu. A. X-ray photoelectron studies of copper aiud oxygen states in high-Tc superconducting cuprates. // J. Electron Spectr. Relat. Phen., 1994, v. 68, p. 4691-478.

81. Сосулъников M. И. Рентгеноэлектронное исследование металлоксидной керамики на основе меди и лантаноидов, иттрия, висмута и таллия. // Автореферат диссертации . кандидата физ.-мат. наук. М., МФТИ. 1994, 19 с.

82. Butorin S. Х-гау emission studies of high-Tc superconductors and related compounds. // Ph. D. Thesis, Uppsala University, Uppsala, Sweden, 1993.

83. Weijs P. J. W. Metal silicon interactions. The electronic structure of transition metal silicides as a basis for metal silicon interface studies. // Ph. D. Thesis, University of Nijmegen, The Netherlands, 1991, 125 p.

84. Speier W., Kumar L., Sarma D. D., de Groot R. A., Fuggle J. C. The electronic structure oiAd and bd silicides. // J. Phys.: Condens. Matter., 1989, v. 1, p. 91179129.

85. Galakhov V. R., Kurmaev E. Z., Cherkashenko V. M., Yarmoshenko Yu. M., Shamin S. N., Postnikov A. V., Uhlenbrock S., Neumann M., Lu Z. W., Klein В., Zhu-Pei Shi. Electronic structure of PeSi. // J. Phys.: Condens. Matter, 1995, v. 7, p. 5529-5535.

86. Watanabe H., Yamamoto H., Ito K. Neutron diffraction study of the intermetallic compound FeSi. / / J . Phys. Soc. Japan, 1963, v. 18, p. 995-999.

87. Jaccarino V., Wertheim G. K., WernickJ. H., WalkerL. R., Arajs S. Paramagnetic excited state of FeSi. // Phys. Rev., 1967, v. 160, p. 476-428.

88. Wolfe R., Wcrnick J. H., Haszko S. E. Thermoelectric propertries of FeSi. // Phys. Lett., 1965, V. 19, p. 449-450.

89. Beule J., Voiron J., Roth M. Long period helimagnetism in the cubic J520 FeACoixSi and Coa:MniiSi alloys. // Solid State Communs., 1983, v. 47, p. 399402.

90. Mattheiss L. F., Hamann D. R Band structure and semiconducting properties of FeSi. // Phys. Rev. В, 1993, v. 47, p. 13114-13119.

91. Fu С, Krijn М. P. С. М., Doniach S. Electronic structure and optical properties of FeSi, a strong correlated insulator. // Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p. 2219-2222.

92. Girlanda R., Piparo E., Balzarotti A. Band structure and electronic properties of FeSi and a-FeSi2. // J. Appl. Phys., 1994, v. 76, p. 2837-2840.

93. Schlesinger Z., Fisk Z., Zhang H.-T., Maple M. В., Di Tusa J. F., Aeppli О. Unconventional charge gap formation in FeSi. Phys. Rev. Lett., 1993, v. 71, p. 17481751.

94. Takahashi Y., Moriya T. A theory of nearly ferromagnetic semiconductors. // J. Phys. Soc. Japan, 1979, v. 46, p. 1451-1459.

95. Speier W., von Leuken E., Fuggle J. C, Sarma D. D., Kumar L., Dauth В., Buschow K. H. J. Photoemission and inverse photoemission of transition metal suicides. // Phys. Rev. B, 1989, v. 39, p. 6008-6010.

96. Von Känel H., Müder К. A., Müller E., Onda N., Sirringhaus Н. Structural and electronic properties of metastable epitaxial FeSii+i films on Si(lll). // Phys. Rev. B, 1992, V. 45, p. 13807-13810.

97. Chainani A., Yokoya Т., Morimoto Т., Takahashi T, Yoshii S., Kasaya M. Highresolution temperature-dependent photoemission spectroscopy of FeSi: Evidence for localized states. // Phys. Rev. B, 1994, v. 50, p. 8915-8917.

98. Kaklizaki A., Sugawara H., Naagakura I., Ishikawa Y., Komatsubara Т., Ishii T. Extreme ultraviolet photoemission of MnSi, FeSi and CoSi. // J. Phys. Soc. Japan, 1982, V. 51, p. 2597-2603.

99. Oh S.-J., Allen J. W., Lawrence J. M. Electron spectroscopy study of FeSi and CoSi. // Phys. Rev. B, 1987, v. 35, p. 2267-2272.

100. Колобова К. М. Рентгеноспектральное исследование силицидов переходных 3d-металлов. // Диссертация . канд. физ.-мат. наук, Свердловск, 1970.

101. Yeh J. J., Lindau L Atomic subshell photoionization cross sections and asymmetry parameters: I < Z < 103. // Atomic Data and Nucl. Data Tables, 1985, v. 32, p. 1-155.

102. J. H. Weaver and A. Franciosi V. L. Moruzzi Bonding in metal disilicides CaSi2 through NiSl2: Experiment and theory. // Phys. Rev. B, 1984, v. 29, 3293-3302.

103. Kurmaev E. Z., Shamin S. N., Galakhov V. R., Wiech G., Majkova E., Luby S. Characterization of W/Si multilayers by ultra-soft X-ray emission spectroscopy. // J. Mater. Res., 1995, v. 10, p. 907-911.

104. Kurmaev E. Z., Galakhov V. R., Shamin S. N., Rodriguez T., Almendra A., Sanz-Maudes J., Goransson K., Engstrom I. Solid-phase reaction in Ir(lll) system studied by means of X-ray emission spectroscopy. // J. Mater. Res., 1998, v. 13, p. 1950-1955.

105. Kurmaev E. Z., Shamin S. N., Galakhov V. R., Kasko L Influence of oxide thickness on thermally-induced CoSÍ 2 formation studied by high-energy resolved X-ray emission spectroscopy. // Thin Solid Pilms, 1997, v. 311, p. 28-32.

106. Galakhov V. R., Kurmaev E. Z., Shamin S. N., Fedorenko V. V., Elokhina L. V., Pivin J. €., Zaima S., Kojima J. X-ray emission spectra and interfacial solid-phase reaction in Hf/(001)Si system. // Thin Solid Films, 1999, v. 350, p. 143-146.

107. Kurmaev E. Z., Galakhov V. R., Shamin S. N., Sokolov V. I., Hummel R. E., LudwigM. H. Local structure of porous silicon studied by means of X-ray emission spectroscopy // Appl. Phys. A, 1997, v. 65, p. 183-189.

108. Whiddington R. The transmission of cathode rays trough matter. // Proc. Roy. Soc. (London), 1912, V. A86, p. 360-378.

109. Bohr N. On the theory of the decrease of velocity of moving electric field particles on passing through matter. // Phil. Mag., 1913, v. 25, p. 10-31.

110. Bohr N. On the decrease of velocity of swiftly moving electrical particles in pasting through matter. // Phil. Mag., 1915, v. 30, p. 581-612.

111. Bethe H. A. Zur Theorie des Durchganges schneller Korpuskularstrahlen durch Materie. // Ann. Physik, 1930, v. 5, p. 325.

112. Feldman S. F. Range of 1-10 keV electrons in solids. // Phys. Rev., 1960, 117, p. 455-459.

113. TerrillH. M. Loss of velocity of cathode rays in matter. // Phys. Rev., 1923, v. 22, p. 101-108.

114. Katz L., Pendfol A. S. Range-energy relation for electrons and the determinations of beta-ray end-point energies by absorption. // Rev. Mod. Phys., 1952, v. 24, p. 28-44.

115. Ehrenberg W., Franks J. The penetration of electrons into luminescent material. // Proc. Phys. Soc. (London), 1953, v. 66, p. 1057-1066.

116. Lane R 0., Zafar ano D. J. Transmission of 0-40 keV electrons by thin films with application to beta-ray spectrometer. // Phys. Rev., 1954, v. 94, p. 960-964.

117. Young J. R. Penetration of electrons and ions in aluminium. // J. Appl. Phys., 1956, v. 27, p. 1-4.

118. Вятский A. И., Махов A. Ф. Торможение электронов в некоторых металлах. // ЖТФ, 1958, т 28, с. 740-747.

119. Castaing В., Descamps J. Sur les bases physiques de I'analyse ponctuelle par spectrograhie X. // J. Phys. Rad., 1955, v. 16, p. 304-317.

120. Love G., Cox M. G. C, Scott V. D. A simple Monte Carlo method for simulating electron-solid interactions and its application to electron probe microanalysis. // J-Phys. D: Appl. Phys., 1977, v. 10, p. 7-23.

121. PudC. Электронно-зондовый микроанализ. М.: Мир, 1979, 423 с.

122. Crisp R. S. On the evaluation of absorption data from self-absorption measurements. // J. Phys. F: Met. Phys., 1983, v. 13, p. 1325-1332.

123. Тихонов A. H., Арсении В. Я. Методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1974.

124. Gillikson Е. М. Mass absorption coefficients. // In: X-Ray Data Booklet. Lawrence Berkeley Natianal Laboratory University of California, 2001. P. 1-38-1-52.

125. Регузин Я. E. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979, 344 с.

126. Aboelfotoh М. О. Electrical characteristics of Ti/Si(100) interfaces. / /J . Appl. Phys., 1988, V. 64, p. 4046-4055.

127. Yamauchi Т., Zaima S., Mizuno K., Kitamura H., Koide Y., Yasuda Y. Solid-phase reactions and crystallographic structure in Zr/Si systems. // J. Appl. Phys., 1991, V. 69, p. 7050-7056.

128. Cheng J. Y., Chen L. J. Pormation of amorphous interlayers by a solid-state diffusion in Zr and Hf thin films in silicon. // Apll. Phys. Lett., 1990, v. 56, p. 457459.

129. Chen L. J., Tu K. N. Epitaxial growth of transition-metal silicides on silicon. // Material Science Report, 1991, v. 6, p. 53-110.

130. Kircher C. J., Mayer J. W., TuK. N., ZieglerJ. F. Analysisof formation of hafnium siUcide on silicon. // Appl. Phys. Lett., 1973, v. 22, p. 81-83.

131. Ziegler J. P., Mayer J. W., Kircher С J., Tu K. N. Kinetics of the formation of hafnium silicides on silicon. // J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 3851-3857.

132. So F. C. Т., Lien C. D., NicoletM. A. Pormation and electrical properties of HfSi2 grown thermally from evaporated Hf and Si films. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, v. 3, p. 2284-2288.

133. Zaima S., Wakai N., Yamauchi Т., Yasuda Y. Interfacial solid-phase reaction, crystallographic structures, and electrical characteristics of Hf/(001)Si systems. // J. Appl. Phys., 1993, v. 74, p. 6703-6709.

134. Rodriguez T., Wolters H., Fernandez M., Almendra A., da Silva M. F., Clement M., Soares J. C, Ballesteros C. Indium suicides obtained by rapid thermal annealing. // Appl. Surf. Sci., 1993, V. 73, p. 182-185.

135. Goransson K., Engstrom I., Noldng B. Structure refinements for some platinum metal monosilicides. / / J . Alloys and Compounds, 1995, v. 219, p. 107-110.

136. Van der Hove L., Maex K., Hobbs L., Lippens P., De Keersmaecker R E., Probst v., Schaber H. Comparison between CoSÍ 2 and TiSÍ 2 as dopant source for shallow silicided junction formation. // Appl. Surf. Sci., 1989, v. 38, p. 430-440.

137. Dehm C, Kasko L, Burte E. P., Gyulai G., Ryssel H. Influence of oxide thickness on ion-beam induced and thermal CoSÍ 2 formation. // Appl. Surf. Sci., 1993, v. 73, p. 268-276.

138. Kal S., Kasko I., Ryssel H. Ion-beam mixed ultra-thin cobalt silicide (CoSÍ 2) films by cobalt sputtering and rapid thermal annealing. // J. Electron. Mater., 1995, v. 24, p. 1349-1355.

139. Reader A. H., van Ommen A. H., Wejs P. J. W., Wolters R. A. M., 0ostra D. J. Transition metal silicides in silicon technology. // Pep. Prog. Phys., 1993, v. 56, p. 1397-1467.

140. Tung R. T. Oxyde mediated epitaxy of CoSÍ 2 silicon. // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, p. 3461-3463.

141. Harry M. A., Cur ello G., Finney M. S., Reeson K. J., Sealy B. J. Structural properties of ion beam synthesized iron-cobalt silicide. / / J . Phys. D: Appl. Phys., 1996, V. 29, p. 1822-1830.

142. Oguchi T., Terakura K., Williams A. R. Band theory of the magnetic interaction in MnO, MnS, and NiO. // Phys. Rev. B., 1983, v. 28, p. 6443-6453.

143. Terakura K., Oguchi T., Williams A. R., Kiibler J. Band theory of insulating transition-metal monoxides: Band-structure calculations. // Phys. Rev. B., 1984, V. 30, p. 4734-4747.

144. Terakura K., Williams A. R., Oguchi T., Kiibler J. TVansition-metal monoxides: Band or Mott insulators. // Phys. Rev. Lett., 1984, v. 52, p. 1830-1833.

145. Newman R., Chrenko R. M. Effects of MnO and CoO on the 0.24-eV NiO absorption line. // Phys. Rev., 1959, v. 115, p. 882-885.

146. Hiifner S. Hybridization and electronic interaction in nickel compounds. // Solid State Cummuns., 1985, 53, p. 707-710.

147. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands. // Proc. Royal. Soc. London, Ser. A, 1963, v. 276, p. 238-257.

148. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands. II. The degenerate band case. // Proc. Royal. Soc. London, Ser. A, 1964, v. 277, p. 237-259.

149. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands. III. An improved solution. // Proc. Royal. Soc. London, Ser. A, 1964, v. 281, p. 401-421.

150. Mizokawa T, Fujimori A., N amátame H., Akeyama K., Kondoh H., Kuroda H., Kosugi N. Origin of the band gap in the negative charge-transfer-energy compound NaCuo2. // Phys. Rev. Lett., 1991, v. 67, p. 1638-1641.

151. Mizokawa T., Fujimori A., N amátame H., Akeyama K., Kosugi N. Electronic structure of the local-singlet insulator NaCuOa- // Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p. 7193-7204.

152. Rozenberg G. Kh., Milner A. P., Pasternak M. P., Hearbe G. R., Taylor R. D. Experimental confirmation of ap-p intraband gap in Sr2Fe04. // Phys. Rev. B., 1998, 58, p. 10283-10287.

153. BaumeisterP. W. Optical absorption of cuprous oxide. // Phys. Rev., 1961, v. 121, p. 359-362 .

154. Ghijesen J., Tjeng L. H., van Elp J., Eskes H., Westerink J., Sawatzky G. A., CzyzykM. T. Electronic structure ofCU2O and CuO. // Phys. Rev. B, 1988, v. 38, p. 11322-11330.

155. KoffybergP. P., Benko P. A. A photoelectrochemical determination of the position of the conduction and valence band edges ofp-type CuO J. Appl. Phys., 1982, v. 53, p. 1173-1177 .

156. Dracq S., Matar S., Demazeau G. Correlations between the structural distorsión of LaCuOa lattice and the resulting physical properties. // Solid State Communs., 1993, V. 85, p. 961-965.

157. Czyzyk M. T., Sawatzky G. A. Local-density functional and on-site correlations: The electronic structure of La2Cu04 and LaCuOa. // Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p. 1421-1428.

158. Mizokawa T., Konishi T., Fujimori A., Hiroi Z., Takano M., Takeda Y. Cu 2p X-ray absorption and Cu 2p-3d resonant photoemission spectroscopy of LaCuOa. // J. Electron Spectr. Relat. Phen., 1998, v. 92, p. 97-101.

159. Benko F. A., Koffyberg F. P. Opto-electronic properties of CUAIO2. // J. Phys. Chem. Solids, 1984, v. 45, p. 57-59.

160. Benko F. A., Koffyberg F. P. The optical bandgap and band-edge positions of semiconducting p-type CUYO2. // Can. J. Phys., 1985, v. 63, p. 1306-1308.

161. Benko F. A., KoffybergF. P. The optical interband-transition of the semiconductor CuGaOa. // Phys. Status Solidi, 1986, v. 94, p. 231-234.

162. Benko F. A., KoffybergF. P. Opto-electronic properties ofp- and n-type delafossite, CuPe02. // J. Phys. Chem. Solids, 1987, v. 48, p. 431-434.

163. Powell R, Spicer R. Optical Properties of NiO and CoO. // Phys. Rev. B, 1970, V. 2, p. 2182-2193.

164. Sawatzky G. A., Allen J. W. Magnitude and origin of the band gap in NiO. // Phys. Rev. Lett., 1984, v. 53, p. 2339-2342.

165. Thuler M. R., Benbow R L., Hurych Z. Photoemission intensities at the 3p threshold resonance of NiO and Ni. // Phys. Rev. B, 1983, v. 27, p. 2082-2088.

166. Davis L. C. Photoemission gtom transition metals and their compounds. / / J . Appl. Phys., 1986, V. 59, p. R25-R63.

167. Kuiper P., Kruizinga K., Ghijsen J., Sawatzky G. A., Verweij H. Character of holes in LixNiia;o and their magnetic behaviour. // Phys. Rev. Lett., 1989, v. 62, p. 221-224.

168. Rajeev K. P., Shivashankar G. V., Raychaudhuri A. K. Low-temperature electronic properties of a normal conducting perovskite oxide (LaNiOa). // Solid State Commun., 1991, v. 79, p. 591-595.

169. Xu X. Q., Peng J. L., Li Z. Y., Ju H. L., Greene R. L. Resisitivity, thermopower, and susceptibility of ÄNiOs {R =La,Pr). // Phys. Rev. B, 1993, v. 48, p. 1112-1118.

170. Medarde M., Pur die D., Grioni M., Hengsberger M., Baer, Lacorre P. A photoemission spectroscopy study of PrNiOa through the metal-insulator transition. // Europhysics Letters, 1997, v. 37, p. 483-488.

171. Van Elp J., Wieland J.L., Eskes H. Kuiper P., Sawatzky G.A., de Groot P. M. P., Turner T. S. Electronic structure of CoO, Li-doped CoO and LiC002- // Phys. Rev. B, 1991, V. 44, p. 6090-6103.

172. Shen Z.-X., Allen J. W., Lindberg P. A. P., Dessau D. S., Wells B. 0., Borg A., Ellis W., Kang W., Oh S.-J., Lindau L, Spicer W. E. Photoemission study of CoO. // Phys. Rev. B, 1990, v. 42, p. 1817-1828.

173. Tanaka A., Takeo J. Resonant 3d, 3p and 3s photoemission in transition metal oxides predicted at 2p threshold. // J. Phys. Soc. Japan, 1994, v. 63, p. 2788-2807.

174. Arima T, Tokura Y., Torrance J. B. Variation of optical gaps in perovskite-type 3d transition metal oxides. // Phys. Rev. B, 1993, v. 48, p. 17006-17009.

175. Arima T., Tokura Y. Optical study and electronic structure in perovskite-type RMOz {R = La, Y; M = Sc, Ti, V, Cr, Mn, Pe, Co, Ni, Cu) // J. Phys. Soc. Jpn„ 1995, V. 64, p. 2488-2501.

176. Chainani A., Mathew M., Sarma D. D. Electron spectroscopy study of the semiconductor-metal transition in Lai-ajSrACoOs. // Phys. Rev. B, 1992, v. 46, p. 9976-9983.

177. Saitoh T., Mizokawa T., Fujimori A. Takeda Y., Takano M. Electronic structure and magnetism in valence-control Lai-iSrACoOa. / / J . Electron Spectr. Relat. Phen., 1996, V. 78, p. 195-198.

178. Fujimori A., Kimizuka N., Taniguchi M., Suga S. Electronic structure of FeAO. // Phys. Rev. B, 1987, v. 36, p. 6691-6694.

179. Hewston T. A., ChamberlandB. L. A survey of first-row ternary oxides. / / J . Phys. Chem. Solids, 1987, v. 48, p. 97-108.

180. Messick L., Walker W. C., Glosser R. Direct and temperature-modulated reflectance spectra of MnO, CoO, and NiO. // Phys. Rev. B, 1971, v. 6, p. 39413949.

181. Lad J., Henrich V. E. Electronic structure of MnO studied by angle-resolved and resonant photoemission. // Phys. Rev. B, 1988, v. 38, p. 10860-10869.

182. Fujimori A., Kimizuka N., Akahane T. Chiba T., Kimura S., Minami F., Siratoro K., Taniguchi M., Ogawa S., Suga S. Electronic structure of MnO. // Phys. Rev. B, 1990, v. 42, p. 7580-7586.

183. Saitoh T., Bocquet A. E., Mizokawa T., Namatame H., Fujimori A., Abbate M., Takeda Y., Takano M. Electronic structure of Lai-xSrAMnOs studied by photoemission and x-ray-absorption spectroscopy. // Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 13942-13951.

184. Chainani A., Mathew M., Sarma D. D. Electron spectroscopic investigation of the semiconductor-metal transition in Laia;Sra;Mn03. // Phys. Rev. B, 1993, v. 47, p. 15397-15403.

185. Okada K., Kotani A. Interatomic and intraatomic configuration interactions in core-level X-ray photoemission spectra of late transition-metal compounds. / / J . Phys. Soc. Japan, 1992, v. 61, p. 4619-4637.

186. Okada K., Kotani A., Kinsinger V., Zimmermann R., Hiifner S. Photoemission from Cr 2p and 3s levels of CrPj. // J. Phys. Soc. Jpn., 1994, v. 63, p. 2410-2415.

187. Bocquet A. E., Mizokawa T., Saitoh T., Namatame N., Fujimori A. Electronic structure of 3<i-transition-metal compounds by analysis of the 2p core-level photoemission spectra. // Phys. Rev. B., 1992, v. 46, p. 3771-3784.

188. Bagus P., BroerR., deJong W. A., Nieuwpoort W. C, Parmigiani P., Sangaletti L. Atomic many-body effects for the p-shell photoelectron spectra of transition metals. // Phys. Rev. Lett., 2000, v. 84, p. 2259-2262.

189. Tiedtke K., Gerth C, Kanngiefier B., Obst B., Zimmermann P., Martins M., Tutay A. Multiplet effects on the shape of the Zp photoelectron spectrum of atomic Ni. // Phys. Rev. A, 1999, v. 60, p. 3008-3012.

190. Wemet Ph., Schulz J., Sonntag B., Godehusen K., Zimmermann P., Martins M., Bethke C, Hillebrecht F. U. Core-valence interactions in the linear dichroism of Cr 2p photoelectron spectra. // Phys. Rev. B, 2000, v. 62, p. 143310-14336.

191. Taguchi M., Uozumi T., Okada K., Ogasawara H., Kotani A. Comment on "Atomic many-body effects for the p-shell photoelectron spectra of transition metals". // Phys. Rev. Lett., 2001, v. 86, 3692.

192. Fadley C. S., Shirley D. A., Freeman A. J., Bagus P. S., Mallow J. V. Multiplet splitting of core-electron binding energies in transition-metal ions. // Phys. Rev. Lett, 1969, V. 23, p. 1397-1401.

193. Heldman J., HedenP.-P., Nordling C, SiegbahnK. Energy splitting of core electron levels in paramagnetic molecules. // Phys. Lett. A, 1969, v. 29, p. 178-179.

194. Fadley C. S., Shirley D. A. Multiplet splitting of metal-atom electron binding energies. // Phys. Rev. A, 1970, v. 2, p. 1109-1120.

195. Carver J. C, Schweitzer G. K., Carlson T. A. Use of X-ray photoelectron spectroscopy to study bonding in Cr, Mn, Fe, and Co compounds. / / J . Chem. Phys., 1972, V. 57, p. 973-982.

196. Wertheim G. K., Hiifner S., Guggenheim H. J. Systematics of core-electron exchange splitting in 3d-group transition-metal compounds. // Phys. Rev. B, 1973, V. 7, p. 556-558.

197. Van Vleck J. H. The Dirac vector model in complex spectra. // Phys. Rev., 1934, V. 45, p. 405-419.

198. Bagus P. S., Freeman A. J., Sasaki F. Prediction of new multiplet structure in photoemission experiments. // Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, p. 850-853.

199. Viinikka E.-K., Ohm Y. Configuration mixing in the 3s-hole states of transition-metal ions. // Phys. Rev. B, 1975, v. 11, p. 4168-4175.

200. Veal B. W., Paulikas A. P. X-ray-photoelectron final-state screening in transition-metal compounds. // Phys. Rev. Lett., 1983, v. 51, p. 1995-1998.

201. Kinsinger V., Sander I., Steiner P., Zirhmermann R., Hufner S. Screening and exchange splitting in core level XPS. // SoUd State Communs., 1990, v. 73, p. 527530.

202. Oh S.-J., Gweon G.-H., Park J.-G. Origin of 3 s splitting in the photoemission spectra of Mn and Pe insulating compounds. // Phys. Rev. Lett., 1992, v. 68, p. 2850-2853.

203. Gweon G.-H., Park J.-G., Oh S.-J. Pinal-state effect in the 3s photoemission spectra of Mn and Pe insulating compounds. //Phys. Rev. B, 1993, v. 48, p. 7825-7835.

204. Galakhov V. R, Uhlenbrock S., Bartkowski S. , Postnikov A. V., Neumann M., Finkelstein L. D., Kurmaev E. Z., Samokhvalov A. A., Leonyuk L. I. 3s exchange splitting in transition metal oxides. // http://xxx.lanl./gov/abs/cond-mat-9903354.

205. Собелъман И. И. Введение в теорию атомных спектров. М.: ГИФМЛ, 1963, 640 с.

206. Okada K., Kotani A., Thole B. Charge-transfer satellites and multiplet splitting in X-ray photoemission spectra of late transition metal halides. / /J . Electr. Spectrosc. Relat. Phen., 1992, v. 58, p. 325-343.

207. Вертхайм P. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия твердых тел. // Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. М.: Мир, 1981, с. 195-235.

208. Uhlenbrock S. Untersuchungen zur elektronischen Struktur einfacher Übergangsmetall-Oxide unter besonderer Berücksichtigung des Nickel-Oxides. // Doktordissertation, Universität Osnabrück, Osnabrück, Deutschland, 1994, 151 S.

209. Parmigiani F., Sangaletti L., Goldoni A., del Pennini U., Kim C., Shen Z.-X., Revcolevschi A., Dhalenne G. Electron-spectroscopy study of the correlation mechanism in СиСеОз single crystals. // Phys. Rev. B, 1997, v. 55, p. 1459-1468.

210. Tjeng L. H. Electronic structure of oxygen in and on copper and silver. // Ph. D. Thesis, University of Groningen, The Netherlands, 1990, 244 p.

211. Parlebas J. C. Core-level XPS and XAS in transition-metal oxides: Electronic structure and interactions. // Phys. Stat. Sol. (b), 1993, v. 178, p. 9-35.

212. Van Veenedaal M. A., Sawatzky G. A. Nonlocal screening effects in 2p X-ray photoemission spectroscopy: Core-level Une shapes of transition metal oxides. // Phys. Rev. Lett., 1993, v. 70, p. 2459-2462.

213. Финкелыитейн Л. Д., Заболоцкий Е. И., Ралахов В. Р., Курмаев Э. 3., Улен-брок е., Нойманн М. Одноионный подход к интерпретации рентгеновских фотоэлектронных спектров валентных полос монооксидов 3d-элементов. // ФТТ, 1997, т 39, с. 1056-1063.

214. Werfel F., Dräger G., Berg U. X-ray and X-ray photoelectron spectra of vanadiumoxides. // Crystal Res. and Tech., 1981, v. 16, p. 119-126.

215. Hobiger G., Herzig P., Eibler R Schlansky P., Meckel A. The influence of titanium and oxygen vacancies on the chemical bonding in titanium oxide. / / J . Phys. C: Condens. Matter, 1990, v. 2, p. 4595-4612.

216. Тикадзуми С. Физика ферромагнетизма. Магнитные свойства вещества. М.: Мир, 1983, 302 с.

217. Заболоцкий Е. И. Некоторые следствия электрон-дырочной симметрии оболочек эквивалентных электронов. // ФММ, 1987, т. 63, с. 847-854.

218. Galakhov V. R., Butorin S. М., Kurmaev Е. Z., Korotin М. А. X-ray emission spectra and valence band structure of the 3d transition metal oxides. // Physica B, 1991, V. 168, p. 163-169.

219. Forsyth J. В., Brown P. J., Wanklyn B. M. Magnetism in cupric oxide. / / J . Phys. C: Solis State Physics, 1988, v. 21, p. 2917-2929.

220. Steiner P., Hüfner S., Jungmann A., Kinsinger V., Sanderl. Photoemission valence band spectra and electronic density of states in copper oxides and copper based ceramic super-conductors. // Z. Phys. В — Condensed Matter, 1989, v. 74, p. 173-182.

221. Marksteiner P., Blaha P., Schwarz К. Electronic structure and binding mechanism of CU2O. // Z. Physik В Condensed Matter, 1986, v. 64, p. 119-127.

222. Valjakka J., Utriainen J., Äberg Т., Tulkki J. Direction-dependent initial-state relaxation in oxygen К x-ray emission. // Phys. Rev. B, 1985, v. 32, p. 6892-6898.

223. Ching W. Y., Zu Y.-N., Wong K. W. Ground-state and optical properties of CU2O and CuO crystal. // Phys. Rev. B, 1989, v. 40, p. 7684-7695.

224. ParkK. Т., Terakura K., Oguchi Т., Yanase A., Ikeda M. Implications of band structure calculations for high-Tc related oxides. // J. Phys. Soc. Jpn., 1988, v. 57, p. 3445-3456.

225. Eskes H., Sawatzky G. A. Tendency towards local spin compensation of holes in the high Tc copper compounds. // Phys. Rev. Lett., 1988, v. 61, p. 1415-1418.

226. Zhang P. C., Rice T. M. Effective Hamiltonian for the superconducting Cu oxides. // Phys. Rev. B, 1988, v. 37, p. 3759-3761.

227. Hibble S. J., Köhler J., Simon A. LiCu202 and LiCuaOs: New mixed valent copper oxides. // J. Solid State Chem., 1990, v. 88, p. 534-542.

228. BergerR. A note on the Li-Cu-0 system. // J. Less-Common Metals, 1991, v. 169, p. 33-43.

229. Berger R., Meetsma A., van Smaalen S., Sundberg M. The crystal structure of LiCu202 with mixed-valence copper from twin-crystal data. / / J . Less-Common Metals, 1991, v. 175, p. 119-129.

230. BergerR., OnnerudP., TellgrenR. Structure refinements of LiCu202 and LiCuaOs from neutron powder diffraction data. / /J . Alloys and Compounds, 1992, v. 184, p. 315-322.

231. Zatsepin D. A., Galakhov V. R., Korotin M. A., Fedorenko V. V., Kurmaev E. Z., Bartkowski S., Neumann M., Berger R. Valence states of copper ions and electronic structure of LiCu202. // Phys. Rev. B, 1998, v. 57, p. 4377-4381.

232. Van der Laan G., Westra С., Haas С., Sawatzky G. A. Satellite structure in photoelectron and Auger spectra of copper dihalides. // Phys. Rev. В, 1981, v. 23, p. 4369-4380.

233. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (ed. by J. Chastman), Publ. by Perkin-Elmer Corp., Phys. Electron. Div., USA.

234. Wood J. H Wave function for iron d bands. // Phys. Rev., 1960, v. 117, p. 714-718.

235. Немошкаленко В. В. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия металлов и сплавов. Киев: Наукова Думка, 1972, 319 с.

236. Рижевский Б. А., Арбузов В. Л., Самохвалов А. А., Наумов С В., Лошка-рева Н. Н., Сухорукое Ю. П. Электросопротивление моно- и поликристаллов CuO, облученных быстрыми электронами. // Письма в ЖТФ, 1994, т. 20, с. 1-5.

237. Лошкарева Н. Н., Сухорукое Ю. П. Гижевский Б. А., Арбузов В. Л., Наумов С. В., Самохвалов А. А. Спектры поглощения монокриста.плов СиО, облученных электронами. // ФТТ, 1995, т. 37, с. 376-379.

238. SekarK., Satyam P. V., Mahapatra D. P., Dev B. N., Мгзкга N. С, Acharya В. S., Sen P. MeV AHeA+-irradiation induced effects in CuO. // J. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 1993, v. 83, p. 140-144.

239. Teplov V. А., Pilugin V. Р., Gaviko V. S., Chernyshov Е. С, Nanocrystalline structure of non-equilibrium Pe-Cu alloys obtained by severe plastic deformation under pressure. // Nanostructured materials, 1995, v. 6, N 1-4, p. 437-440.

240. Козлов E. A., Рижевский Б. A. Компактирование керамики CuO сферическими ударно-изэнтропическими волнами. // Препринт РФЯЦ-ВНИИТФ им. Е. И. Забабахина N 137 от 15.10.1998, 19 с.

241. Козлов Е. А., Абакшин Е. В., Таржанов В. И. Способ динамической обработки материалов. // Патент РФ N 2124716 от 24.12.1997.

242. Козлов Е. А., Жугин Ю. Н., Литвинов Б. В., Коваленко Р. В., Назаров М. А., Бадюков Д. Д. Особенности физико-химических преваращений хондрита Саратов в сферических ударных волнах. // ДАН, 1997, т. 353, с. 183-186.

243. Бацанов С. С. Неорганическая химия высоких динамических давлений. // Успехи химии, 1986, т. 40, с. 579-607.

244. Рижевский Б. А., Козлов Е. А., Ермаков А. Е., Лукин Н. В., Наумов С. В., Самохвалов А. А., Арбузов В. Л., Шальное К. В., Дегтярев М. В. Микроструктура CuO после ударно-волнового воздействия и размола в вибромельнице. // ФММ, 2001, т 92, с. 52-57.

245. Berger R. Room temperature synthesis and structural characterization of monoclinic ЫСиОг by X-ray and neutron diffraction. // J. Alloys and Compounds, 1994, v. 203, p. 203-207.

246. Berger R. On the symmetry of ЫСиОг- // J. Solid State Chem., 1995, v. 114, p. 590-591.

247. Русев A. И. Эффекты нанокристаллического состояния в компактных металлах и соединениях. // Успехи физ. наук, 1998, т. 168, с. 55-83.

248. Slack G. A., Demazeau G., Plante Т., RabardelL. Gaseous oxygen at high pressure and its interaction with cupric oxide. // Phys. Rev. B, 1993, v. 47, p. 12018-12029.

249. Москвин A. е., Лошкарева Н. Н., Сухорукое Ю. П., Сидоров М. А., Самохвалов А. А. Особенности электронной структуры оксида меди СиО. Зародыши фазы полярных конфигураций и оптическое поглощение в среднем ИК диапазоне. // ЖЭТФ, 1994, т 105, с. 967-993.

250. Самохвалов А. А., Арбузова Т. И., Осипов В. В., Виглин Н. А., Наумов С. В., Солин Н. И., Рижевский Б. А., Смоляк И. В., Теплое В. А., Пилюгин В. П. Аномалии магнитных и электрических свойств в системе медь-кислород. // ФТТ, 1996. т 38, с. 3277-3282.

251. Самохвалов А. А., Арбузова Т. И., Виглин Н. А., Наумов С. В., Ралахов В. Р., Зацепин Д. А., Котов Ю. А., Саматов О. М., Клещев Д. Р. Парамагнетизм в системах на основе монооксида меди. // ФТТ, 1998, т. 40, с. 295-298.

252. Красинькова М. В., Мойжес Б. Я. О купратных сверхпроводниках с аномально высокими Тс. // ФТТ, 1990, т 32, с. 2975-2978.

253. Sohma V., Kawaguchi К., Fujii Y. Magnetic properties of layered CuO in СиО/АЬОз and CuO/MgO multilayers. // J. Appl. Phys., 1995, v. 77, p. 11891193.

254. Kowalczyk S. P. Photoelectron spectra and Auger electron spectroscopy of solids and surfaces. // Ph. D. Thesis, Technical Information Division of the Lawrence Berkeley Laboratory of the University of California, Berkeley, California, 1976.

255. Köster A. S. L emission spectra of compounds of iron and manganese. // Proc. Kon. Ned. Acad. Wetensch., 1971, v. 3, p. 332-339.

256. Mariot J.-M., Barnole V., Hague C. P., Vetter G., Queyroux P. Local electron structure of CU2O, CuO and УВагСнзОт-г. // Z. Physik В, 1989, v. 75, p. 1-9.

257. Xu Y.-N., Ching W. Y. Self-consistent band structures, charge distribution, and optical-absorption spectra in MgO, а-АЬОз, and MgAl204. // Phys. Rev. B, 1991, V. 43, p. 4461-4472.

258. SimunekA., Wieck G. Contribution of d-like states to magnesium, aliminium and phosphorus L-emission bands of MgO, AI2O3 and AIPO4. // Z. Physik В, 1993, V. 93, p. 51-55.

259. Neddermeyer H. Beiträge zur Spektroskopie der ultraweichen Röntgenstrahlung. Die L-Emissionspektren von AI, Mg, MgO und Al-Mg-Legierungen. // Doktordissertation, Universität München, 1969.

260. Wentzel G. Über die Komplexstruktur der Röntgenfunkenspektren. // Z. Phys., 1925, B. 31, S. 445-452.

261. Druyvesteyn М. J. Das Röntgenspektrum zweiter Art. // Z. Physik, 1927, B. 43, S. 707-725.

262. Anisimov V. I., Kuiper P., Nordgren J. Pirst-principles calculation of NiO valence spectra in the impurity-Anderson-model approximation. // Phys. Rev. B, 1994, V. 50, p. 8257-8265.

263. XappucoH У. Электронная структура и свойства твердых тел. Т. 2. М.: Мир, 1983, 332 с.

264. Sidorenko А. Р., Gins К.А., Babanov Yu. А., Naumov S. V., Samokhvalov A. A. Bond length determination in Cu-Mg-0 by EX APS spectroscopy. / / J . Synchrotron Rad., 2001, V. 8, p. 854-856.

265. Ралахов В. P., Ефремова И. Н., Курмаев Э. 3., Постников А. В., Черкашен-ко В. М., Финкельштейн Л. Д., Ярмошенко Ю. М., Кожевников В. Л. Рентгеновские спектры и электронная структура соединения LaiAgsSrojrCuOa. // ФММ, 1987, т 64, с. 619-621.

266. Galakhov V. R., Butorin 3. М., Finkelstein L. D., Kurmaev E. Z., Yarmoshen-ko Yu. M., Trofimova V. A. X-ray spectra and electronic structure of high-Tc superconductors Lai.83Sro.i7Cu04 and В14Саз8гз01б. // Physica C, 1989, v. 160, p. 267-272.

267. Nücker N., Romberg H., Fink J., Gegenheimer В., Zhao Z. X. Symmetry of holes in high-Tc superconductors. // Phys. Rev. B, 1989, v. 39, 6619-6629

268. Nücker N., Fink J., Fuggle J. C., Durham P. J., Temmerman W. M. // Evidence for holes on oxygen sites in the high Tc superconductors La2xSrxCu04 and YBaaCusÜT-y. Phys. Rev. B, 1988, v. 37, p. 5158-5163.

269. Акопджанов P. P., Вайнштейн Э. E., KeuepH. П., КефелиЛ. М., Рухадзе Е. Р. Рентгеновские /A-спектры поглощения меди в некоторых каталитически активных хелатных (внутрикомплексных) полимерах. // Кинетика и катализ, 1964, т 5, с. 616-623.

270. Майсте А., Руус Р. Рентгеноспектральное исследование электронных состояний УВазСизОт. // ФТТ, 1989, т 31, с. 312-314.

271. Hague C. P., Barnole V., Mariot J.-M., OhnoM. X-ray emission spectra of high-superconductors and other perovskite-related compounds. // Physica Scripta, 1990, V. 41, p. 924-929.

272. Немнонов С. A., Курмаев Э. 3. О происхождении длинноволновых сателлитов в рентгеновских спектрах, содержащих углерод, кислород и азот. // ФММ, 1969, т. 27, с. 816-821.

273. Mattheiss L. F., Натапп D. R. Electronic structure of high superconductor ВагУСпзОб.э- // Solid States Communs., 1993, v. 88, p. 857.

274. Hybersten M. S., Mattheiss L. P. Electronic band structure of CaBi2Sr2Cu208. // Phys. Rev. Lett., 1988, v. 60, p. 1661-1664.

275. KrakauerH., Pickett W. E. Effect of bismuth on high-Гс cuprate superconductors: Electronic structure of CaBi2Sr2Cu208. // Phys. Rev. Lett., 1988, v. 60, p. 16651667.

276. Redinger J., Yu J., Freeman A. J., Weinberger P. Calculated local density X-ray and photoelectron spectra for superconducting La2-j,XyCu04. // Phys. Lett. A, 1987, v. 124, p. 463-468.

277. MattheissL. F. Electronic band properties and superconductivity in La2-j,Xj,Cu04. // Phys. Rev. Lett., 1988, v. 58, p. 1028-1030.

278. Den Boer M. L., Chang С L, Petersen H, Schaible M., Reilly K., Horn S. Insufficiency of О and Cu holes for oxide superconductivity: X-ray absorption spectroscopy // Phys. Rev. B, 1988, v. 38, p. 6588-6595.

279. Korotin M. A., Anisimov V. l, Butorin S. M., Galakhov V. R., Kurmaev E. Z. The ground state of the antiferromagnetic semiconductor УВагСизОе: Electronic structure calculations and analysis of X-ray spectra. // Materials Letters, 1990, v. 10, p. 34-38.

280. BymopuH C. M., Галахов В. P. Электронное строение валентной зоны высо-кo'J'eмпepaтypныx сверхпроводников: роль вершинных атомов кислорода. // Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1992, т. 5, с. 438-441.

281. Butorin S. M., Galakhov V. R., KurmaevE. Z., Poltoratskii Yu. В., Tolochko S. P. Soft X-ray emission study of YBa2Cu408. // Solid State Communs., 1992, 84, 995997.

282. Pickett W. E. Electronic structure of the high-temperature oxide superconductors. // Rev. Mod. Phys., 1989, v. 61, p. 433-512.

283. LindbergP. A. P., Shen Z.-X., Spicer W. E., Lindau L Photoemission studies of high-temperature superconductors. // Surf. Sci. Rep., 1990, v. 11, p. 1-137.

284. Freltoff Т., Shirane G., Mitsuda S., Remeika J. P., Cooper A. S. Magnetic form factor of Cu in La2Cu04. // Phys. Rev. B, 1988, v. 37, p. 137-142.

285. Ramaker D. E. J. Understanding electronegativity effects in core-level electron spectroscopies; application to the high temperature superconductors. // Electron Spectr. Relat. Phen., 1990, v. 52, p. 341-354.

286. Аншукова Н. В., Роловашкин А. И., Иванова Л. И., Русаков А. П. ВТСП с эпикальными галогенами вместо кислорода. // Успехи физ. наук, 1997, т. 167, с. 887-892.

287. Islam М. S., Baetzold R. С Atomic simulation of dopant substitution in УВа2Сиз07. // Phys. Rev. B, 1989, v. 40, p. 10926-10935.

288. Endo H., Uda M., Maeda K. Influence of the chemicasl bond on the intensities of F Kci x-ray satellites produced by electron and photon impact. // Phys. Rev. A, 1980, V. 22, p. 1436-1440.

289. Davis P. K., Stuart J. A., White D., Lee G., Chaikin P. M. Pluorination of superconducting УВагСизОд-л- // Solid State Communs., 1987, v. 64, p. 1441.

290. Анисимов В. И., Коротин М. А., Туржевский С. А., Курмаев Э. 3., Лихтенштейн А. И., Рубанов В. А. Электронная структура высокотемпературных сверхпроводников УВа2Сиз07 and УВагСпзРгОб // ФММ, 1989, т. 67, с. 407409.

291. Теттегтап W. М., SzotekZ., Durham P. J., Stocks G. M., Sterne P. A. Electronic structure of Y-Ba-Cu oxides and fluorides. // J. Phys. F, 1987, v. 17, p. L319-L327.

292. Ossipyan Yu. A., Zharikov 0. V., Novikov G. V., Sidorov N. S., Kulakov V. I., Sypavina L. V., Nikolaev R. K., Gromov A. M. Oxygen-iodine isomorphism in the Y-Ba-Cu-0 ceramics. Physica C, 1989, v. 159, p. 137-140.

293. Ossipyan Yu. A., Zharikov 0. V., Logvenov G. Yu., SidorovN. S., Kulakov V. I., Shmytko L. M., Bdikin I. K., Gromov A. M. Superconductivity and structure of УВагСизОб single crystals treated in halogen vapours. // Physica C, 1990, v. 165, p. 107-110.

294. Шгог Z., Такапо М., Azuma М., Takeda Y. А new family of copper oxide superconductors Srn+iCu„02n+i+(5 stabilized at high pressure. // Nature, 1993, V. 364, p. 315-317.

295. Al-Mamouri M., Edwards P. P., Greaves C, Slaki M. Synthesis and superconducting properties of the strontium copper oxy-fluoride Sr2Cu02P2+(j-// Nature, 1994, v. 369, p. 382-384.

296. Gaarenstroom S. W., Vinograd N. J. Initial and final state effects in the ESCA spectra of cadmium and silver oxides. // J. Chem. Phys., 1977, v. 67, p. 3500-3506.

297. Kennard E. H., Bamberg E. Origin of Jfa-satellites. // Phys. Rev., 1936, v. 46, p. 1040-1046.

298. Демехин В. Ф., Саченко В. П. Спектральное положение /Са-сателлитов. Относительные интенсивности ТАа-сателлитов и химическая связь. // Изв. АН СССР. Сер. физич., 1967, т 31, с. 900-911.

299. Aberg Т. Х-гау satellite intensities in sudden approximation. // Phys. Rev. Lett, 1968, v. 26 A, p. 515-516.

300. Benka 0., Watson R. L., Kenefick R. A. Resonant Electron Transfer in Ionic Pluorine Compounds Following Is 2p Ionization. // Phys. Rev. Lett., 1981, v. 47, p. 1202-1205.

301. Sugiura C, Konishi W., Shoji S., Kojima S. Fluorine Ka X-ray emission spectra of MgPa, СаРг, SrPg, and ВаРз. // J. Phys. Soc. Jpn., 1990, v. 59, p. 4049-4053.

302. Akimutsu J., Susuki S., Watanabe M., Sawa H. Superconductivity in the Nd-Sr-Ce-Cu-0 system. // Jpn. J. Appl. Phys., 1988, v. 27, p. L1859-L1860.

303. Tokura Y., Takagi H., Uchida S. A superconductiviting copper oxide compound with electrons as the charge cariers. // Nature, 1989, v. 337, p. 345-347.

304. Uji S., ShimodaM., Aoki H. Valence state of Cu in Nd2a:Cea;Cu04 system. // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, V. 28, p. L804-L806.

305. Ishii H., Kozhizawa T., Kataura H., Hanyu T., TaKas H., Mizogushi K., Kume K., Shiozaki I., Yamagushi S. X-ray photoemission spectroscopy of Nd2xCea;Cu04y and La2xSrxCu04. // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, v. 28, p. L1952-L1954.

306. Klauda M., Ströbel J. P., Schlötterer J., Grassmann A., Markl J., Saemann-Ischenko G. Processing and Ce-doping dependence of Nd2-iCea;Cu045 core level spectra. // Phys. C, 1991, v. 173, p. 109-116.

307. Suzuki T., Nagoshi M., Fukuda Y., Oh-ishi K., Syono Y., Tachiki M. Effects of Ce substitution and reduction on the electron states of Nd2-iCei;Cu04j, studied by x-ray photoemission. // Phys. Rev. B, 1990, v. 42, p. 4263-4271.

308. Fujimori A., Tokura Y., EisakiH., TakagiH., UchidaS., Takayama-Muromachi E. Electronic structure of the electron-doped superconductor Nd2xCea;Cu04y studied by photoemission spectroscopy. //Phys. Rev. B, 1990, v. 42, p. 325-328.

309. Liang G., Chen J., Groß M., Ramanujachary K. V., Greenblatt M., Hegde M. Spectroscopic, transport, and magnetic results on the Nd2a;AA""Xu046 system (A = Ce and Th). // Phys. Rev. B, 1989, v. 40, p. 2646-2653.

310. Tranquada J. M., Heald S. M., Moodenbaugh A. R., Liang G., Groß M. Nature of the charge carriers in electron-doped oxide superconductors. // Nature, 1989, V. 337, p. 720-721.

311. Grassman A., Ströbel J., Klauda M., Schlottere J., Saemann-Ischenko G. Electronic structure of Nd2zCexCu04Ä studied by photoelectron spectroscopy. // Europhys. Lett., 1989, V. 9, p. 827-832.

312. Buchkremer-Hermanns H., Adler P., Simon A. Valence states of copper in Nd2-a:CeiCu045 Studied by X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy. // J. Less-Common Metals, 1990, v. 164-165, p. 760-767.

313. Flipse C. F. J., Edvardsson S., Kadowaki K. XPS study ofthe new superconductor Nd-Ce-Cu-0, // Physica C, 1989, v. 162-164, p. 1389-1390.

314. Alp E. E., Mini S. M., RamanathanM., Dabrowski B., Richars D. R., Hinjs D. G. Effect of Ce doping on the Cu charge in the electron superconductor Nd2-iCea;Cu04. // Phys. Rev. B, 1989, v. 40, p. 2617-2619.

315. Lederman E., Wu L., de Boer M. L., van Aken P. A., Müller W. F., Horn S. Cu core-level spectroscopy of Nd2xCexCu04. // Phys. Rev. B, 1991, v. 44, p. 23202325.

316. Flipse C. F. J., van derLaan G., Johnson A. L., Kadowaki K. Soft-x-ray absorption spectroscopy of electron-doped (Nd,Sm)2a;CexCu04j compounds. // Phys. Rev. B, 1990, V. 42, p. 1997-2002.

317. Kohiki S., Kawai J., Ramada Т., Hayashi S., Adachi H., Setsune K., Wasa K. Reduction of Ndi.85Ceo.i5Cu04. // Solid State Communs., 1990, v. 73, p. 787-789.

318. Strebel 0., SladeczekP., Asensio M., Laubschat C, Kolodzoieczyk A., Miranda R., Kaindl G. Valency and covalency in high-Tc-superconductors from X-ray absorption. // Phys. C, 1989, V. 162-164, p. 1331.

319. James A. C. W. P., Zahurak S. M., Murphy D. W. Superconductivity at 27 К in fluorine-doped Nd2Cu04. // Nature, 1989, v. 338, p. 240-241.

320. Oh-Ishi K., KikushiM., Syono Y., Kabayashi N., Muto Y. Relation between lattice parameters and valence state of Cu ions of MxNd2iCu04y (M = Na and Ce) solid solution. // J. Solid State Chem., 1989, v. 83, p. 237-244.

321. Sugiyama J., Ojima Y., Takata Т., Sakuyama K., Yamauchi H. Superconductivity in Nd2Cu04-xFx. // Physica C, 1991, 173, p. 103-108.

322. OyanagiH., Yokoyama Y., YamaguchiH., Kuwahara Y., Katayama Т., Nishihara Y. Role of oxygen in superconductivity of Nd2-iCea;Cu043, studied by x-ray-absorption near-edge structure. // Phys. Rev. B, 1990, v. 42, p. 10136-10140.

323. Wang E., Tarascón J. M., Greene L. H., Hul G. W. Cationic substitution and role of oxygen in the n-type superconducting T' system Nd2yCej/Cu02. // Phys. Rev. B, 1990, V. 41, p. 6582-6590.

324. Sugiyama J., Ojima Y, Takata Т., Sakuyama K., Yamauchi H. Superconductivity in Nd2Cu04-xPx- // Physica C, 1991, v. 173, p. 103-108.

325. KukovitzkiiE. P., MustafinR. G., TeitePbaum G. B. The spin relaxation of fluorine nuclei in high-Tc superconductors with hole and electron conductivity. Physica B: Conden. Matter., 1991, v. 169, p. 643.

326. Hufner S., Steiner P., Sander I., Neumann M., Witzel S. Photoemission on NiO. // Z. Physik В — Condensed Matter, 1991, v. 83, p. 185-192.

327. Van derLaan G., Zaanen J., Sawatzky G. A. Comparison of x-ray absorption with x-ray photoemission of nickel dihalides and NiO. // Phys. Rev. B, 1986, p. 33, p. 4253-4263.

328. Van Elp J., Eskes H., Kuiper P., Sawatzky G. A. Electronic structure of Li-doped NiO. // Phys. Rev. B, 1992, v. 45, p. 1612-1622.

329. Parmigiani P., Sangaletti L. Pine structures in the X-ray photoemission spectra of MnO, FeO, CoO, and NiO single crystals. // J. Electron Spectr. Relat. Phen., 1999, V. 98-99, p. 287-302.

330. Брытов И. A. Курмаев Э. 3. Рентгеноспектральное исследование валентной зоны окислов переходных металлов группы железа. // ФММ, 1971, т. 32, с. 520-527.

331. Goldner R. В., Arntz F. О., Вегега G., Haas Т. Е., Wei G., Wong К. К., Yu Р. С. А monolithic thin film electrochromic window. / / Solid State Ionics, 1992, v. 53-56, p. 617.

332. Wu E. J., Tepesch P. D., Ceder G. Size and charge efects on the structural stability of LiMOa (M = transition metal) compounds. // Phil. Mag., 1998, v. 77, p. 10391047.

333. Galakhov V. R., Kurmaev E. Z., Uhlenbrock S., Neumann M., Kellerman D. G., Gorshkov V. S. Electronic structure of LiNiOa, LiFeOa and ЫСгОг: X-ray photoelectron and X-ray emission study. // Solid State Commun., 1995, v. 95, p. 347-351.

334. De GrootF. М. F., AbbateМ., van Elp J., Sawatzky G. A., Ma Y. J., Chen С Т. Seite F. Oxygen Is and cobalt 2p x-ray absorption of cobalt oxides. / / J . Phys.: Condens. Matter, 1993, v. 5, p. 2277-2288.

335. Dyer L. D., Borie B. S., Ir., Smith G. S. Alkali metal-nickel oxides of type MNiOa-// J. Am. Chem. Soc, 1954, v. 76, p. 1499-1503.

336. Горшков В. С, Келлерман Д. Г., Переляев В. А., Швейкин Г. П. Особенности магнитных свойств слоистого оксида LiNiOa- // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1991, т. 27, с. 1274-1278.

337. Kemp J. P., Сох P. А., Hodby J. W. Magnetic susceptibility studies of LiNiOa and NaNi02. / / J . Phys. Condens. Matter. 1990, v. 2, p. 6699-6704.

338. Goodenough J. В., WickhamD. G., Croft W. J. Some magnetic and crystallographic properties ofthe systen Li+Nif+2xNixA"A0. / / J . Phys. Chem. Solids, 1958, v. 5, p. 107-116.

339. Hirakawa K., Kadowaki H., Ubukoshi K. Experimental studies of triangular lattice antiferromagnets with 3 = 1/2: NaTi02 and LiNi02. // J. Phys. Soc. Jpn., 1985, V. 54, p. 3526-3536.

340. Hirota K., Nakazawa Y., Ishikawa M. Magnetic properties of the 3 = 1/2 antiferromagnetic triangular lattice LiNi02. // J- Phys.: Condens. Matter, 1991, V. 3, p. 4721-4730.

341. Yoshizawa H., Mori H., Hirota K., Ishikawa M. Ferromagnetic short-range correlations in a two-dimensional triangular lattice antiferromagnet with 3 = 1/2 LiNiOz. // J. Phys. Soc. Jpn., 1990, v. 59, p. 2631-2634.

342. Kemp J. P., Cox P. A. Electronic structure of ЫСоОг and related materials; photoemission studies. // J. Phys.: Condens. Matter, 1990, v. 2, p. 9653-9667.

343. Pan Wei, Zheng Qing Insulating gap in the transition-metal oxides: A calculation using the local-spin-density approximation with the on-site Coulomb U correlation correction. // Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p. 10864-10868.

344. Okada K., Kotani A. Complimentary roles of Co 2p X-ray absorption and photoemission spectra in CoO. // J. Phys. Soc. Jpn., 1992, v. 61, p. 449-453.

345. Hugel J., Kamal M. Electronic ground state of MnO, FeO, CoO and NiO within the LSDA-f-f7 approximation. // Solid State Commun., 1996, v. 100, p. 457-461.

346. Czyzyk M. Т., Potze R., Sawatzky G. A. Band-theory description of high-energy spectroscopy and electronic structure of LiCoOa- // Phys. Rev. B, 1992, V. 46,p. 3729-3735.

347. Bongers P. F. Structuur en magnetische eigenschappen van Enkele complexe oxyden der overgangselmenten. // Ph. D. Thesis, University of Leiden, The Netherlands, 1957, 61 p.

348. Galakhov V. R., Kurmaev E. Z., Uhlenbrock S., Neumann M., Kellerman D. G., Gorshkov V. S. Degree of covalency of LiCoOz: X-ray emission and photoelectron study. // Solid State Communs., 1996, v. 99, p. 221-224.

349. Montoro L. A., Abbate M., Rosolen J. M. Changes in the electronic structure of chemical deintercalated LiCoo2. // Electrochemical and Solid-State Letters, 2000, V. 3, p. 410-412.

350. Ралахов В. P., Карелина В. В., Келлерман Д. Р., Роршков В. С., Овечки-на Н. А., Нойманн М. Электронная структура, рентгеновские спектры и магнитные свойства нестехиометрических оксидов LiCoOz-À и NaACoOz. // ФТТ, 2002, т. 44, с. 257-264.

351. Роршков В. е., Келлерман Д. Г., Карелина В. В. Использование метода магнитной восприимчивости для изучения процесса дефектообразования в LiCoOa- // Ж. физической химии, 1999, т. 73, с. 1041-1045.

352. Potze R Н., Sawatzky G. А., AbbateМ. Possibility for an intermediate-spin ground state in the charge-transfer SrCoOg. // Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 11501-11506.

353. Saitoh Т., Mizokawa Т., Fujimori A., Abbate M., Takeda Y., Takano M. Electronic structure and magnetic states in Lai-ASrACoGa studied by photoemission and x-ray-absorption spectroscopy // Phys. Rev. B, 1997, v. 56, p. 1290-1295.

354. Hermann-Ronzaud D., Burlet P., Rosat-Mignod J. Equivalent type-II magnetic structures: CoO, a coUinear antiferromagnet. // J. Phys. C: Solid State Physics, 1978, V. 11, p. 2123-2137.

355. Lad R J., H enrich V. E. Photoemission study of the valence-band electronic structure in РеАО, Рез04, and сс-РсаОз single crystals. // Phys. Rev. B, 1989, v. 39, p. 13478-13485.

356. Anderson J., C., Dey S. K., Halpern V. The magnetic susceptibilities of ЫРеОг- // J. Phys. Chem. Solids, 1965, v. 26, p. 1555-1560.

357. Cox D. E., Shirane G., Flinn P. A., Ruby S. L., Takei W. J. Neutron diffraction and Mossbauer study of ordered and disordered LiPeOz. // Phys. Rev., 1963, v. 132, p. 1547-1553.

358. Doumerc J. P., Ammar A., Wichainchai A., PouchardM., Hagenmuller P. Sur quelques nouveaux composes de structure de type delafossite. // J. Phys. Chem. Solids, 1987, v. 48, p. 37-43.

359. Pabst A. Notes on the structure of delafossite. // Am. Mineralogist, 1976, v. 31, p. 539-547.

360. Doumerc J. P., Wichainchai A., Ammar A, Pouchard M., Hagemuller P. On magnetic properties of some oxides with delafossite-type structure. // Mater. Res. Bull., 1986, v. 21, p. 745-752.

361. Mekata M., Yaguchi N., Takagi T., Mitsuda S., Yoshizawa H. Magnetic-ordering in delafossite CuFeOg. // J. Magn. Magn. Mater., 1992, v. 104-107, p. 823-824.

362. Mitsuda S., Yosizawa H., Yaguchi N., Mekata M. Neutron diffraction study of CuFeOa. / / J . Phys. Soc. Jpn., 1991, v. 60, p. 1885-1889.

363. Takeda K., Miyake K., Hitaka M., Kawae T., Yaguchi N., Mekata M. Thermal analysis of freedom of spin in partially disordered state of the antiferromagnetic triangular lattice in СиРеОг- J. Phys. Soc. Jpn., 1994, v. 63, p. 2017-2020.

364. Dordor P., Chaminade J. P., Wichainchai A., Marquestaut E., Doumerc J. P., PouchardM., HagenmullerP., Ammar A. Crystal growth and electrical properties of СиРеОг single crystals. // J. Solid State Chem., 1988, v. 75, p. 105-112.

365. Zhao T.-R., Hasegawa M., Koike M., Takei H. Crystal growth of СиРеОг by floating-zone method. / / J . Crystal Growth, 1995, v. 148, p. 189-192.

366. Galakhov V. R., Poteryaev A. I., Kurmaev E. Z., Anisimov V. I., Bartkowski S., Neumann M., Lu Z. W., Klein B. M., Zhao T. R. Valence band spectra and electronic structure of СиРеОг- // Phys. Rev. B, 1997, v. 56, p. 4584-4591.

367. Lee G., Oh S.-J. Electronic structures ofNiO, CoO, and FeO studied by 2p core-level x-ray photoelectron spectroscopy. // Phys. Rev. B, 1991, v. 43, p. 14674-14682.

368. Fujimori A., SaekiM., KimizukaN., Taniguchi M., SugaS. Photoemission satellites and electronic structure of РегОз. // Phys. Rev. В., 1986, v. 34, p. 7318-7328.

369. Von Helmot R., Wecker J., Holzapfel B. Schultz L., Samver K. Giant negative magnetoresistance in perovskitelike Ьа2/зВа1/зМпОа; ferromagnetic films. // Phys. Rev. Lett., 1993, v. 71, p. 2331-2333.

370. Jin S., O'Bryan H. M., Tiefel T. H., McCormackM., Fastnacht R. A., Ramesh R., Chen L. H. Thousandfold change in resistivity in magnetoresistivity La-Ca-Mn-0 films. // Science, 1994, v. 264, p. 413-415.

371. Kuwahara H., Tomioka Y., Asamitsu A., Moritomo Y., Tokura Y. A first-order phase transition induced by a magnetic field. // Science, 1995, v. 270, p. 961-963.

372. Urushibara A., Moritomo Y., Arima T., Asamitsu A., Kido G., Tokura Y. Insulator-metal transition and giant magnetoresistance Lai-ASrAMnOs. // Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 14103-14109.

373. Нагаев Э. Л. Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением. // Успехи физ. наук, 1996, т. 166, с. 529-554.

374. Ramirez А. Р. Colossal magnetoresistance. / / J . Physics: Condens Matter, 1997, V. 9, p. 8171-8179.

375. Coey J. M. D., ViretM., von Molnar S. Mixed valence manganites. // Adv. Phys., 1999, V. 48, p. 167-293.

376. Schiffer P., Ramirez A. P., Bao M., Cheong S.-W. Low temperature magnetoresistance and the magnetic phase diagram of Lai-ACaAMnOa. // Phys. Rev. Lett., 1995, v. 75, p. 3336-3339.

377. Kawano Н., Kajimoto R., Kubota M., Yoshizawa H. Ferromagnetism-induced reentrant structural transition and phase diagram of the lightly doped insulator Lai-xSrAMnOs {x < 0.17). // Phys. Rev. B, 1996, v. 53, p. R14709-14712.

378. Zener C. Interaction between the c/-shels in the transition metals. II. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure. // Phys. Rev., 1951, v. 82, p. 403-405.

379. Millis A., LittlewoodP. В., Shraiman B. I. Double exchange alone does not explain the resistivity of LaiASrAMnOg. // Phys. Rev. Lett., 1995, v. 74, p. 3144-3147.

380. Millis A., Shraiman B. I., Mueller R Dynamic Jahn-Teller effect and colossal magnetoresistance in Lai-ASrAMnOa. // Phys. Rev. Lett., 1996, v. 77, p. 175-178.

381. Park J.-H., Chen C. Т., Cheong S.-W., Bao W., Meigs G, Chakarian V., Idzerda Y. U. Electronic aspects of the ferromagnetic transition in manganese perovskites. // Phys. Rev. Lett., 1996, v. 7*6, p. 4215-4218.

382. De Teresa J. M. Ibarra M. R., Algarabel P. A., Ritter C, Marquina C, Blasco J., Garcia J., del Moral A., Arnold Z. Evidence for magnetic polarons in the magnetoresistance perovskites. // Nature, 1997, v. 386, p. 256-259.

383. Lam D. J., Veal B.W., Ellis D. E. Electronic structure of lanthanum perovskites with 3d transition elements. // Phys. Rev. B, 1980, v. 22, p. 5730-5739.

384. Saitoh Т., Bocquet A. E., Mizokawa Т., Fujimori A. Systematic variation of the electronic structure of 3d transition-metal compounds. // Phys. Rev. B, 1995, v. 52, p. 7934-7938.

385. Saitoh Т., Sekiyama A., Kobayashi K., Mizokawa Т., Fujimori A., Sarma D. D., Takeda Y., Takano M. Temperature-dependent valence-band photoemission spectra of LaixSrxMn03. // Phys. Rev. B, 1997, v. 56, p. 8836-8840.

386. Mcllroy D. N., Waldfried C, Jiandi Zhang, Choi J.-W., Foong F., Liou S. H., Dowben P. A. Comparison of the temperature-dependent electronic structure of the perovskites Lao.esA.ssMnOa (A =Ca,Ba). // Phys. Rev. B, 1996, v. 554, p. 1743817451.

387. Park J.-H., Vescovo E., Kim H.-J., Kwon C, Ramesh R., Venkatesan T. Direct evidence for a half-metallic ferromagnet. // Nature, 1998, v. 392, p. 794-796.

388. Livesay E. A., West R. N., Dugdale S. B., Sauti C, Jarlborg T. Permi surface of the colossal magnetoresistance perovskite Lao.rSro.sMnOs. / /J . Phys.: Condens. Matter., 1999, v. 11, p. L279-285.

389. Demeter M., Neumann M., Galakhov V. R., Ovechkina N. A., Kurmaev E. Z., LobachevskayaN. I. The electronic structure of the doped La-Mn-0 perovskites. // Acta Physica Polonica A, 2000, v. 98, p. 587-591.

390. Solovyev I., Hamada N., Terakura K. tig versus all 3d localization in LaMOs perovskites (M = T-Cu): Pirst principles study. // Phys. Rev. B, 1996, v. 53, p. 7158-7170.

391. Solovyev L, Hamada N., Terakura K. Crucial role of the lattice distortion in the magnetism of LaMnOa. // Phys. Rev. Lett., 1996, v. 76, p. 4285-4288.

392. Mizokawa T., Fujimori A. Electronic structure and orbital ordering in perovskite-type 3d transition-metal oxides studied by Hartree-Fock band structure calculations. // Phys. Rev. B, 1996, v. 54, p. 5368 5380.

393. Ju H. L., Sohn H.-C, Krishnan K. M. Evidence for Oip hole-driven conductivity in LaiASrAMn03 (0 < X < 0.7) and Lao.rSro.aMnOA. // Phys. Rev. Lett., 1997, v. 79, p. 3230-3233.

394. Murakami Y., Shindo D., Chiba H., Kikuchi M., Syono Y. Charge ordering in Biia;Caa;Mn03 {x > 0.75) studied by electron-energy-loss spectroscopy. // Phys. Rev. B, 1999, v. 59, p. 6395-6399.

395. De Groot R A., Mueller F. M., van Engen P. G., Buschow K. H. J. New class of materials: Half-metallic ferromagnets. // Phys. Rev. Lett., 1983, v. 50, p. 20242027.

396. Lawler J. P., Lunney J. G., Coey J. M. D. Magneto-optic Paraday effect in (LaixCax)Mn03 films. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, p. 3017-3018.

397. Sherman D. The electronic structures of manganese oxide minerals. // Am. Mineralogist, 1984, v. 69, p. 788-799.

398. Ju Н. L., Kim К. Н., Eom D. J., Noh T. W., Choi E. J., Yu J., Kwon Y. S., Chung Y. Determination of electronic band structures of СаМпОз and LaMnOs using optical-conductivity analyses. // Phys. Rev. B, 1997, v. 55, p. 15489-15493.

399. Satpathy S., Popovic Z. S., Vukajlovic F. R. Electronic structure of the perovskite oxides: Еах-АСаАМпОз. // Phys. Rev. Lett., 1996, v. 76, p. 960-963.

400. Pickett W. E. , Singh D. J. Transport and fermiology of the ferromagnetic phase of La2/3Ai/3Mn03 (A=Ca, Sr, Ba). // J. Magn. Magn. Materials, 1997, v. 172, p. 237-246.

401. Papaconstantopoulos D. A. , Pickett W. E. Tight-binding coherent potential approximation study of ferromagnetic La2/3Bai/3Mn03. // Phys. Rev. B, 1998, V. 57, p. 12751-12756.

402. Sarma D. D., Shanthi N., Barman S. R., Hamada N., Sawada H., Terakura K. Band theory for ground state properties and electron excitation spectra of perovskite LaM03 (M = Mn, Fe, Co, Ni). // Phys. Rev. Lett., 1995, v. 75, p. 1126-1129.

403. Номерованная Л. В., Махнев А. А., Румянцев А. Ю. Оптическая проводимость монокристалла Lao.7Sro.3Mn03: сравнение с расчетом. // ФММ, 2000, т. 89, с. 51-55.

404. Shulyatev D., Kaeabashev S., Arsenov A., Mukovskii Y. Growth and investigation of doped rare-earth manganite single-crystals. // J. Crystal Growth, 1999, v. 199, p. 511-515.

405. Mitchell J. P., Argyriou D. N., Jorgensen J. D., Hinks D. C, Potter C. D., Bader S. D. Charge delocalization and structural response in layered Lai.2Sri.8Mn207: Enhanced distortion in the metallic regime. // Phys. Rev. B, 1997, V. 55, p. 63-67.

406. Лошкарева H. H., Сухорукое Ю. П., Архипов В. Е., Окатов С. В., Наумов СВ., Смоляк И. В., Муковский Я. М., Шматок А. В. Носители заряда в спектрах оптической проводимости манганитов лантана. // ФТТ, 1999, т. 41, с. 475-482.

407. Гавико В. С, Архипов В. Е., Королев А. В., Найш В. Е., Муковский Я. М. Структурные и магнитные фазовые переходы в соединении Lao,9Sro,iMn03. // ФТТ, 1999, т. 41, с. 1064-1069.

408. Bebenin N. С, Loshkareva N. N., Sukhorukov Yu. P., Nossov A. P., Zai-nullina R. L, Vassiliev V. G., Slobodin B. V., Demchuk K. M., Ustinov V. V. Charge carriers in Lao,67-a;Bao,33Mn03. // Solid State Commun., 1998, v. 106, p. 357-361.

409. Бебенин H. P., Зайнуллина P. И., Машкауцан В. В., Бурханов А. М., Устинов В. В. Холл-эф())ект в Еао,б7Вао,ззМпОз. // ЖЭТФ, 1998, т 86, с. 534-537.

410. Schlapbach L., Scherrer Н. В. XPS core level and valence band spectra of LaH3. // Solid State Commun., 1982, v. 41, p. 893-897.

411. Pickett W. E., Singh D. J. Electronic structure and half-metallic transport in the Lai-xCaxMnOs system. // Phys. Rev. B, 1996, v. 53, p. 1146-1160.

412. Jonker G. H. Magnetic compounds and perovskite structure IV. // Physica, 1956, v. 22, p. 707-710.

413. Dabrowski B., Rodacki K., Xiong X., Klamut P. W., Dybzinski R., Shaffer J., Jorgensen J. D. Synthesis and properties of the vacancy-free ba1a;Ba3;Mn03. // Phys. Rev. B, 1998, v. 58, p. 2716-2723.

414. Youn S. J., Min B. I. Effects of doping and magnetic field on the half-metallic electronic structure of Lai-ABaxMnOs. // Phys. Rev. B, 1997, v. 56, p. 1204612049.

415. JirakZ., Krupicka S., Nekvasil V., Poliert E., Villeneuve G., Zounova F. J. Magn. Magn. Mater., 1980, v. 15-18, p. 519; Jirak Z., Krupicka S., Simsa Z., DlouhaM., Vratislav S. J. Magn. Magn. Mater., 1985, v. 53, p. 153.

416. Poliert E., Krupicka S., Kuzmicovd E. Structural study of Prr-ACaAMnOî and YixCaxMn03 perovskites. // J. Phys. Chem. Sol., 1982, v. 43, p. 1137-1145.

417. Tomioka Y., Asamita A., Kuwahara Y., Moritomo Y., Tokura Y. Magnetic-field-induced metal-insulator phenomena in PrixCaxMn03 with controlled charge-ordering instability. // Phys. Rev. B, 1996, v. 53, N 4, p. R1689 1692.

418. YoshizawaH., KawanoH., Tomioka Y., Tokura Y. Neutron-diffraction study of the magnetic-field-induced metal-insulator transition in Pro.TCao.3Mn03. // Phys. Rev. B, 1995, V. 52, p. R13145-R13148.

419. Knizek K., Jirak Z., Poliert E., Zounova P., Vratislav S. Structure and magnetic properties of Prx-x3rAMn03 perovskites. // J. Solid State Chem., 1992, v. 100, p. 292-300.

420. Tomioka Y., Asamitsu A., Moritomo Y., Kuwahara H., Tokura Y. Collapse of a charge-ordered state under a magnetic field in Prx/r3rx/rMn03. / / Phys. Rev. Lett., 1995, V. 74, p. 5108-5111.

421. RadaelliP. G., CoxD. E., Marezio M., Cheong S.-W., Schiffer P. E., Ramirez A. P. Simultaneous structural, magnetic, and electronic transitions in Eax-gCaAMn03 with = 0.25 and 0.50. // Phys. Rev. Lett., 1995, v. 75, p. 4488-4491.

422. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa H., Tomioka Y., Kuwahara H., TokuraY. Magnetic ordering and relation to the metal-insulator transition in Prla; 8ra;Mn03 and NdixSrxMn03 with x ~ 1/2. // Phys. Rev. Lett., 1997, v. 78, p. 4253-4256.

423. Argyriou D. N., Hinks D. G, Mitchell J. P., Potter C. D., Schultz A. J., Young D. M., Jorgensen J. D., Bader S. D. The room temperature crystal structure of the perovskite Pro,53ro,5Mn03. // J. Solid State Chem., 1996, v. 124, p. 381-384.

424. Quo J.-H., Butorin S. M., Wassdahl N., Skytt P., Nordgren J., Ma Y. Electronic structure of La2iSra;Cu04 studied by soft-x-ray-fluorescence spectroscopy with tunablem excitation. // Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p. 1376-1380.

425. Lütkehoff S. Untersuchungen zur elektronischen Struktur Seltener Erdoxide mittels der Röntgenphotoelektronenspektroskopie. // Doktordissertation, Universität Osnabrück, Osnabrück, Deutschland, 1997, 123 S.

426. Муковский Я. М., Ионов А. И. Переход изолятор-металл в соединениях Ено.тАо.зМпОз (А = Ca, Sr), индуцируемый магнитным полем. // ФТТ, 1998, т. 40, с. 708-713.

427. Moritomo Y., Asamitsu А., Kuwahara Н. Токига У. Giant magnetoresistance of manganese oxides with a layered perovskite structure. // Nature, 1996, v. 380, p. 141-144.

428. Kuo J. H., Andersen H., Sparlin D. Oxidation-reduction behavier of undoped and Sr-doped ЬаМпОз, nonstoichiometry and defect structure. / / J . Solid State Chem., 1989, V. 83, p. 52-60.

429. Tofield B. C, Scott W. R. Oxidation nonstoichiometry in perovskites, an experimental survey; the defect structure of an oxidized lanthanum manganite by powder neutron duffraction. / / J . Solid State Chem., 1974, v. 10, p. 183-194.

430. VanRoosmalen J. A. M., Cordfunke E. H. P., HelmholdtR. В., ZandbergenН. W. The defect chemistry of ЬаМпОз±5. Structural aspects of ЬаМпОз+г. / / J . Solid State Chem., 1994, v. 110, p. 100-109.

431. Van Roosmalen J. A. M., van Vlaanderen P., Cordfunke E. H. P. Phases in the perovskite-type ЬаМпОз+г solid solution and the ЬазОз-МпгОз phase diagram. // J. Solid State Chem., 1995, v. 114, p. 516-523.

432. Van Roosmalen J. A. M., Cordfunke E. H. P. A new defect model to describe the oxygen defiency in perovskite-type oxides. / / J . Solid State Chem., 1991, v. 93, p. 212-219.

433. Johnston W. D., Heikes R. R. A study of the Lia;Mnia;0 system. // J. Am. Chem. Soc, 1956, V. 78, p. 3255. ,

434. Hoppe R., Brachtel C, JansenM. Über ЫМпОг und Aö-NaMnOz- // Z. anorg. allg. Chem., 1975, B. 417, S. 1-10.

435. Келлерман Д. P., Роршков В. С, Зубков В. Р., Переляев В. А., Ралахов В. Р., Курмаев Э. 3., Уленброк С, Нойманн М. Магнитные свойства двойного оксида LiMn02. // Ж. неорг. химии, 1997, т. 42, с. 1012-1016.

436. Jansen M., Hoppe R. Zur Kenntnis der NaCl-Strukturfamilie: Neue Untersuchungen an ЫгМпОз. // Z. anorg. allg. Chem., 1973, B. 397, S. 279-289.

437. StrobelP., Lambert-AndronB. Crystallographic and magnetic structure of Ь12МпОз. // J. Solid State Chem., 1988, v. 75, p. 90-98.

438. Taguchi M., Uozumi Т., Kotani A. Theory of X-ray photoelectron and X-ray emission spectra in Mn compounds. // J. Phys. Soc. Jpn., 1997, v. 66, p. 247256.

439. De Groot P. M. P. X-ray absorption of transition metal oxides. // Ph. D. Thesis, The University of Nijmegen, Nijmegen, The Netherlands, 1991, 239 p.

440. Singh D. J. Magnetic and electronic properties of ЫМпОг- // Phys. Rev. B, 1997, V. 55, p. 309-312.

441. Mackrodt W.C., Williamson E.-A. First-principles Hartree-Fock description of the electronic structure of monoclinic C2/m LiAMnOz {I > x > 0). // Phil. Mag. B, 1998, V. 77, p. 1077-1092.

442. Galakhov V. R., Demeter M., Bartkowski S., Neumann M., Ovechkina N. A., Kurmaev E. Z., Lobachevskaya N. L, Mukovskii Ya. M., Mitchell J., Ederer D. L. Mn 3s exchange splitting in mixed-valence manganites. // Phys. Rev. B, 2002, v. 65, 113102 (1-4).

443. Автор считает своим долгом выразить благодарность своему учителю — профессору, доктору физ.-мат. наук Эрнсту Загидовичу Курмаеву — за постоянное внимание к работе и поддержку.