Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Ti, Nb и их оксидов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Зайцев, Сергей Витальевич

• Зайцев, Сергей Витальевич
• кандидат химических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат химических наук Зайцев, Сергей Витальевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТИТАНА, НИОБИЯ И ИХ ОКСИДОВ.

1.1. Физико-химическая характеристика титана и ниобия.

1.2. Взаимодействие в системе металлов титан — ниобий.

1.3. Окисление металлов и сплавов. Законы роста оксидных пленок.:.

1.4. Оксидирование титана.

1.5. Оксидирование ниобия.

1.6. Кинетические особенности оксидирования ниобия.

1.7. Взаимодействия в системе оксидов титана и ниобия.

1.8. Синтез тонкопленочных систем металлов и их оксидов.

ГЛАВА 2. ОСНОВНЫЕ МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Методики синтеза оксидосодержащих структур системы титан-ниобий.

2.1.1. Вакуумное осаждение тонких пленок.

2.1.2. Оксидирование тонких металлических пленок в печи резистивного нагрева.

2.1.3. Непрерывный вакуумный фотонный отжиг.

2.2. Методики исследования состава и структуры пленок.

2.2.1. Рентгенофазовый анализ.

2.2.2. Абсорбционная спектроскопия.

2.2.3. Методики исследования с использованием растровой электронной микроскопии и энергодисперсионного анализа.

2.2.4. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.

2.2.5. Методика измерения электросопротивления.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОКСИДОВ ТИТАНА И НИОБИЯ.

3.1. Исследование ширины запрещенной зоны оксидов титана и ниобия методом абсорбционной спектроскопии.

3.2. Исследование тонких и ультратонких оксидных пленок титана и ниобия методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

ГЛАВА 4. СИНТЕЗ И СВОЙСТВА ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК ТИТАНА И НИОБИЯ С РАЗЛИЧНЫМ СООТНОШЕНИЕМ МЕТАЛЛОВ.

4.1. Синтез металлических пленок системы титан — ниобий.

4.2. Термическое оксидирование металлических пленок.

4.3. Исследования оптических свойств оксидов системы титан-ниобий.

4.4. Изучение электросопротивления тонких оксидных пленок системы титан

- ниобий.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Ti, Nb и их оксидов»

Актуальность работы. Установление зависимости между условиями синтеза, составом, структурой и свойствами химических соединений является одной из важнейших задач химии твердого тела. Выбор в качестве объекта научного исследования многокомпонентных гетероструктур на основе металлов титана, ниобия и их оксидов на подложках из монокристаллического кремния и плавленого кварца обусловлен широким диапазоном изменения физико-химических параметров в зависимости от формирования последовательности межслойных границ и условий синтеза. Интерес к подобным системам определяется задачей поиска нового материала, используемого в качестве прозрачного проводящего покрытия, в связи с широким применением последнего в современной микроэлектронике, многокомпонентных системах сенсорных дисплеев, солнечной энергетике, бытовых приложениях с прогнозируемым ростом области использования в ближайшей перспективе. Отчасти необходимость поиска нового материала для прозрачного проводящего покрытия обуславливается проблемой нехватки ресурсов для широко распространенного при создании подобных систем оксида индия (1п203), а также низкими эксплуатационными характеристиками последнего. Аналогичные трудности возникают при использовании оксида цинка ^пО), легированного металлами III группы, из-за особенностей кристаллизации при условии сохранения рабочих параметров. Переход к новым материалам на основе гетероструктур системы титан-ниобий может снять перечисленные ограничения существующих технологий.

Сформулированная задача формирования пленок с заданными физико-химическими свойствами требует определения связи их состава и структуры с условиями синтеза. Поэтому на первый план выдвигается изучение изменения кристаллической структуры и поверхностной морфологии пленок, происходящих при их термообработке. Варьируя условия синтеза, можно изменять в требуемом направлении состав и свойства получаемых пленок. Наряду с весьма значимыми перспективами использования тонкопленочных гетероструктур, полученных при оксидировании сложных композиций на основе металлических слоев и их оксидов, механизм их формирования далеко не всегда ясен. В последние годы активно развивается представление о роли процессов самоорганизации в переходных областях, локализованных на границах соседствующих фаз, которые в некоторых случаях могут определять рост тонких слоев на протяжении всего времени синтеза. Однако, несмотря на значительный интерес к данным объектам, до сих пор остается ряд невыясненных вопросов. Особенность тонкопленочного состояния наравне с наноструктурированием практически во всех известных случаях коренным образом изменяет характеристики материалов.

С этих позиций актуальность предлагаемого исследования выглядит обоснованной.

Цель работы: установление фундаментальной взаимосвязи между условиями синтеза, механизмом и свойствами сложных оксидных гетероструктур, сформированных на основе титана, ниобия и их оксидов.

Для достижения данной цели были сформулированы и решены следующие задачи: совершенствование методики совместного магнетронного нанесения ультратонких слоев титана и ниобия, а также их оксидов в условиях вакуума на подложки из монокристаллического кремния и оптического кварца, позволяющей воспроизводимо формировать как гомогенные по распределению элементов, так и многослойные пленки; вакуумное осаждение ультратонких слоев оксидов титана и ниобия на подложки из монокристаллического кремния и оптического кварца с использованием высокочастотного распыления металлической мишени в кислородосодержащей атмосфере, позволяющее воспроизводимо формировать однородные и однофазные оксидные пленки; изучение особенностей твердофазного синтеза пленок, содержащих оксиды титана и оксиды ниобия, посредством высоковакуумного термического отжига, а также термического отжига в атмосфере кислорода; изучение методом рентгенофазового анализа и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии плоскослоистой гетероструктуры, содержащей оксиды титана и ниобия и их на подложке из монокристаллического кремния; исследования морфологии, элементного состава, оптических свойств, электрофизических свойств сформированных оксидосодержащих покрытий с варьирующимся в широких пределах соотношением титан/ниобий.

Научная новизна диссертационной работы заключается в том, что впервые с помощью совместного магнетронного способа напыления сформированы тонкие металлические пленки титана и ниобия толщиной от 20 до 500 нм, характеризующиеся высокой степенью однородности распределения элементов по глубине пленки. Впервые синтезированы сложные гетероструктуры на основе оксидов титана и ниобия, характеризующиеся широким диапазоном соотношения металлов, в тонкопленочном состоянии методом термического оксидирования. Методом реактивного вакуумного осаждения с использованием высокочастотного распыления металлической мишени в смешанной атмосфере аргона и кислорода синтезированы ультратонкие пленки оксидов титана и ниобия, исследованы особенности электронной структуры методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, а также абсорбционной спектроскопии. Впервые показано изменение ширины запрещенной зоны, а также положения остовных электронных уровней элементов в зависимости от толщины оксидной пленки. Впервые методика анализа интерференционной картины полос равного хроматического порядка совместно с растровой электронной микроскопией применена к исследованию оптических характеристик слоистых оксидных структур системы титан-ниобий. Предложен механизм, интерпретирующий изменения электронной структуры, основанный на представлениях о высокой дефектности переходных слоев на границе оксид/подложка, а также изменении степени кристалличности тонкопленочных систем в зависимости от толщины слоя. Впервые исследована растворимость компонентов в системе оксидов титана и ниобия в тонкопленочном состоянии, а также влияние элементного соотношения на физико-химические свойства материала.

Практическая значимость полученных в диссертационной работе результатов определяется тем, что все синтезированные структуры могут быть воспроизводимо сформированы и использованы как основы материалов оптоэлектроники, просветляющих и оптически активных покрытий для нужд солнечной энергетики, функциональные элементы в многокомпонентных системах сенсорных дисплеев.

Результаты исследований по определению оптимальных режимов синтеза могут быть рекомендованы к использованию при разработке современных технологий и изделий функциональной электроники на основе ультратонких оксидных покрытий на воронежском заводе полупроводниковых приборов, научно-исследовательском институте полупроводникового машиностроения. Результаты диссертационного исследования также могут быть использованы при подготовке и чтении специальных курсов по химии твердого тела, наноиндустрии, современного материаловедения и физической электроники.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Показано существование эффекта изменения ширины запрещенной зоны, а также смещения положения остовных электронных уровней чистых оксидов титана и ниобия. Предложен механизм возникновения подобных изменений, основанный на предположении о влиянии нестехиометричности переходных дефектных слоев оксидов и изменении степени кристалличности для пленок разной толщины.

2. Методика синтеза ультратонких пленок титана и ниобия на основе совместного магнетронного осаждения металлов с попеременным прохождением подложки над зонами распыления мишеней позволила воспроизводимо формировать однородные по распределению элементов металлические слои толщиной от 20 нм до 500 нм.

3. Предложенный метод синтеза ультратонких оксидных пленок позволяет формировать гетероструктуры, содержащие сложные соединения оксидов титана-ниобия, включая соединение ТТЫЮ^ а также легированные ниобием оксиды титана ТЮ2 в фазе рутила, которые могут использоваться как современные элементы оптоэлектроники.

4. Предложен механизм легирования оксидов титана ТЮ2 ниобием, основанный на представлениях о механизме замещения титана в решетке оксида атомами ниобия до определенного предела концентрации, при достижении которого формируются обособленные фазы сложных оксидов, а также фазы оксида ниобия ЫЬ205.

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Зайцев, Сергей Витальевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Показано существование эффекта изменения ширины запрещенной зоны, а также смещения положения остовных электронных уровней чистых оксидов титана (ТЮг) и ниобия (МЬ205). Предложен механизм возникновения подобных изменений, основанный на предположении о влиянии нестехиометричности переходных дефектных слоев оксидов и различии степени кристалличности для пленок разной толщины.

2. Методика синтеза ультратонких пленок титана и ниобия на основе совместного магнетронного осаждения металлов с попеременным прохождением подложки над зонами распыления мишеней позволила воспроизводимо сформировать однородные по распределению элементов металлические слои толщиной от 20 нм до 500 нм.

3. Метод синтеза ультратонких оксидных пленок позволил формировать гетероструктуры, содержащие сложные соединения оксидов титана-ниобия, включая соединение ТлИЮ^ а также легированные ниобием оксиды титана в фазах рутила, способные использоваться как элементы функциональной оптоэлектроники.

4. Механизм легирования оксидных пленок диоксида титана ниобием определяется замещением титана в решетке оксида атомами ниобия до определенного предела концентрации, при достижении которого формируются обособленные фазы сложных оксидов, а также фазы оксида ниобия МЬ205.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Зайцев, Сергей Витальевич, 2011 год

1. Окисление титана и его сплавов / A.C. Бай и др.. М.: Металлургия., 1970.317 с.

2. Барабаш О.М., Коваль Ю.М. Кристаллическая, структура металлов и сплавов. Киев: Наукова Думка, 1986. 597 с.

3. Ниобий и его сплавы / Г.В. Захарова и др.. М.: Метталургиздат, 1961. 368 с.

4. Барабаш О.М., Коваль Ю.Н. Структура и свойства металлов и сплавов. Киев: Наукова Думка, 1986. 598 с.

5. Диаграммы состояния двойных металлических систем/ под. ред. Н.П. Лякишева. М.: Машиностроение, 1997. 1024 с.

6. Кубашевский О., Гопкинс Б. Окисление металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1965. 428 с.

7. Войтович Р.Ф., Е.И. Головко Высокотемпературное окисление титана и его сплавов. Киев: Наукова думка, 1984. 255 с.

8. Лайнер Д.И. Изучение структуры титановой окалины в процессе ее образования / Д.И. Лайнер, М.И. Ципин // Металловедение и обработка цветных металлов. 1961. Вып. 20. С. 42-64.

9. Hukman J.W. The oxidation of the titanium at high temperatures / J.W. Hukman, F.A. Gulbransen // Anal. Chem. 1948. V. 20, No. 2. P. 158-171.

10. Гусев Е.П. Начальная стадия окисления металлов в модели решеточного газа / Е.П. Гусев, А.П. Попов // Поверхность. 1991. №2. С. 33-46.

11. Куликов И. С. Термодинамика оксидов. М.: Металлургия, 1986. 358 с.

12. Одынец Л.Л., Орлов. В.М. Анодные оксидные пленки. Л.: Наука, 1990. 200 с.

13. Эванс Ю.Р. Коррозия и окисление металлов. М.: Машгиз, 1962. 855 с.

14. Физическое металловедение: В 3 т. / под ред. Р. Кана и П. Хаазена. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Металлургия, 1987. Т. 2. 608 с.

15. Кофстад П. Отклонения от стехиометрии, диффузия и электроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, 1975. 396 с.

16. Кукушкин С. А. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // ФТТ. 1995. Т. 37, №7. С. 2127-2132.

17. Кинетика взаимодействия кислорода с поверхностью. Образование и рост оксидной фазы на поверхности металла / Девятко Ю.Н. и др. // Поверхность. 1991. №10. С. 128-131.

18. Кинетика начальной стадии островкового роста оксидной фазы на поверхности металла / Борман В.Д. и др. // Поверхность. 1990. №8. С. 22-30.

19. Доильницына В.В. О закономерностях процесса окисления металлов /

20. B.В. Доильницына//Металлы. 1999. №5. С. 27-32.

21. Kofstad P.J. Oxidation of the titanium in temperature range 800-1200 °C / P.J. Kofstad // J. Less-Common Metals. 1961. V. 3, No. Г. P. 89-97.

22. Архаров В.И. Рентгенографическое исследование1 высокотемпературного окисления титана и его сплавов / В.И. Архаров, Г.П. Лучкин // Труды инст. физики металлов Урал. фил. АН СССР. 1955. Вып. 16.1. C. 101-116.

23. Лайнер Д.И. Кинетика окисления и структура окалины на титане / Д.И. Лайнер, М.И. Ципин, А.С. Бай // Физика металлов и металловедение. 1963. Т. 16. С. 225-231.

24. Jenkins A.F. A further study of the oxidation of titanium at high temperatures / A.F. Jenkins // J. Int. Metals. 1956. V. 84, No. 2. P. 1-9.

25. Kofstad P.J. Investigation of oxidation mechanism of titanium / P .J. Kofstad, P.B. Anderson, O.J. Krudtaa // J. Acta Chem. Scand.1 1956. V. 12, No. 2. P. 239266.

26. Anderson S. Phase analyses studies on- the titanium-oxigen system / S. Anderson, B. Gollen // J. Acta Chem. Scand. 1957. V.l 1, No. 6. P. 1641-1652.

27. Erlich P. Phasenverhalthisse und magnetisches Verhalten in System TitanSauerstoff / P. Erlich // Z. Electrochem B. 1939. V. 45, N. 5. S. 362-370.

28. Kinna W. Uber die oxydation von Titan / W. Kinna, W. Knorr // Z. Metallik. 1956. V.47, N. 8. S. 594-598.

29. Ревякин A.B. К вопросу о кинетике окисления титана / А.В.Ревякин // Титан и его сплавы. 1962. Вып. 8. С. 175-190.

30. Olsen J. S. On the rutile/a-Pb02-type phase boundary of ТЮ2 / J. S. Olsen, L. Gerward // J. of Phys. and Chem. of Solids. 1999. V.60. P. 229-233.

31. Anderson S. Phase analyses studies on the Ti-O system / S. Anderson // J. Acta Chem. Scand. 1959. V. 31, No. 3. P. 415-419.

32. Томашов Н.Д. Метод снятия тонких оксидных пленок с поверхности титана и их исследование / Н.Д. Томашов, P.M. Альтовский, М.Я Кушнерев // Зав. лаб. 1960. Т 3, № 26. С. 298-301.

33. Томашов Н.Д: Исследование структуры пассивных окисных пленок на поверхности титана / Н.Д. Томашов, P.M. Альтовский, М.Я Кушнерев // Докл. АН СССР. 1961. Т. 141. С. 913-916.

34. Левинский Ю.В. Диаграммы состояния металлов с газами. М.: Металлургия, 1975. 296 с.

35. Барсукова JI.B. Термическое и лазерно-термическое окисление титана в интервале температур 773-973 К / JI.B. Барсукова, A.M. Ховив, В.З. Анохин // Неорганические материалы. 1992. Т. 28. С.1019-1021.

36. McHale А.Е., Low-Temperature Phase Relationships in the System Ti-O / A.E. McHale, R.S. Roth / J. of the American Cer. Soc. 2005. V. 69. P. 827-832.

37. Лучинский Г.П. Химия титана. M.: Химия, 1971. 471 с.

38. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов. М.: Мир, 1969. 392 с.

39. Исследование растворимости кислорода в ниобии / В.М. Орлов, Л.А. Федорова// Неорганические материалы. 1985. № 5. С. 202-205.

40. Huang Y. Structural, morphological and electrochromic properties of Nb205 films deposited by reactive sputtering / Y. Huang, Yu. Zhang, X. Hu // J. of Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003. V. 77. P. 155-162.

41. Effect of thickness on the structure, morphology and optical properties of sputter deposited Nb205 films / F. Lai et al. // J. Applied Surface Science. 2006. V. 253. P. 1801-1805.

42. Structures of the reduced niobium oxides Nb.2029 and Nb22054 / T. McQueena et al.] // J. of Solid State Chem. 2007. V. 180. P. 2864-2870.

43. An X-Ray investigation of systems between niobium pentoxide and certain additional oxides / H. J. Goldschmidt et al. // J. Metallurgia. 1960. V. 62. P. 241250.

44. Brauer G. Die Oxyde des Niobs / Brauer G. // Z. Anorg Allg Chem. 1941. V. 248, N. l.S. 1-31.

45. Кофстад П. Отклонения от стехиометрии, диффузия и электроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, 1975. 396 с.

46. Левинский Ю. В. р-Т—х-диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник: В 2 т. М.: Металлургия, 1990. Т. 1. 359 с.

47. The structure and electrical conductivity of vacuum-annealed Nb205 thin films / M. Gillet, et al: // J. Thin Solid Films. 2004. V. 467, № 1-2. P. 239-246.

48. Properties of Nb205 films prepared by DC and MF reactive sputtering / M. Ruske et al. // J. Thin Solid Films. 1999. V. 351. P. 146 150.

49. Федоров Н.Ф. Изучение системы Nb2Os Ti02 / Н.Ф. Федоров, O.B. Салтыкова, А.П. Пивоварова // Журнал неорганическая химия. 1989. Т. 34. С. 1316-1319.

50. Allpress J. G. Mixed Oxides of Titanium and Niobium: Intergrowth Structures and Defects / J. G. Allpress // J. of Solid State Chem. 1969. V. 1. P. 66-81.

51. Allpress J. G. Mixed Oxides of Titanium and Niobium: Defects in Quenched Samples / J. G. Allpress // J. of Solid State Chem. 1970. V. 2. P. 78-93.

52. Forghany S. K. E. Reduction of the Titanium Niobium Oxides. I. TiNb207 and Ti2Nb10O29/ S. K. E. Forghany, I. S. Anderson // J. of Solid State Chem. 1981. V. 40. P.'136-142.

53. Forghany S. K. E. Reduction of the Titanium Niobium Oxides. II. TiNb24062 / S. K. E. Forghany, I. S. Anderson // J. of Solid State Chem. 1981. V. 40. P. 143-151.

54. Radecka M. The studies of high-temperature interaction of Nb-Ti02 thin films with oxygen / M. Radecka, M. Rekass // J. Phys. Chem. Solids. 1995. V. 56, No. 8 P. 1031-1037.

55. Baumard F. Electrical conductivity and charge compensation in Nb doped Ti02 rutile / J. F. Baumard, E. Tani // J of Chemical Physics. 1977. V. 67, No. 3. P. 857-860.

56. Transparent metal: Nb-doped anatase Ti02 / Y. Furubayashi et al. // J. Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 252101-252103.

57. Novel transparent conducting oxide: Anatase TiixNbx02 / Y. Furubayashi et al. // J. Thin Solid Films. 2006. V. 496. P. 157-159.

58. Transport properties of d-electron-based transparent conducting oxide: Anatase TiKxNbx02 / Y. Furubayashi et al. // J. of Appl. Phys. 2007. V. 101. P. 093705-093709.

59. Fabrication of highly conductive TijxNbx02 polycrystalline films on glass substrates via crystallization of amorphous phase grown by pulsed laser deposition / T. Hitosugi et al. // J. of Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 212106-212108.

60. Granqvist C. G. Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic review / C. G. Granqvist // J. Solar Energy Mat. and Solar Cells. 2007. V.91.P. 1529-1598.

61. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.

62. Гусев А.И., Ремпель A.A. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит, 2001. 224 с.

63. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. JI. Ченга, К. Плога. М: Мир, 1989. 584 с.

64. Синтез наноразмерных материалов при воздействии мощных потоков энергии на вещество / A.B. Булгаков и др.. Новосибирск: Институт теплофизики СО РАН, 2009. 462 с.

65. Технология тонких пленок (справочник) / под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. М: Сов. радио, 1977. Т. 1. 664 с.

66. Минайчев В.Е., Одиноков В.В., Тюфаева Г.П. Магнетронные распылительные устройства (магратроны). М: ЦНИИ Электроника, 1979. 56 с.

67. Берлин Е.В., Двинин С.А., Сейдман JI.A. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. М.: Техносфера, 2007. 176 с.

68. Русаков A.A. Рентгенография металлов. М.: Атомиздат, 1977. 480 с.

69. Нагибина И.М. Интерференция и дифракция света: Учеб. пособие для приборостроительных вузов оптических специальностей. 2-е изд., перераб. и доп. JL: Машиностроение, 1985. 332 с.

70. Соколов И.В. Многолучевые интерферометры. М.: Машиностроение, 1969. 248 с.

71. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970. 855 с.

72. Ландсберг Г.С. Оптика: учебное пособие для физ. специальностей вузов. Изд. 6-е, стер. М.: Физматлит, 2006. 848 с.

73. Pankove J.I. Optical Processes in Semiconductors. New York, Dover Publ., 1971. P. 448.

74. Rosencher E., Vinter В. Optoelectronics. Cambridge University Press, 2002. P. 758.

75. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / Гоулдстейн Дж. и др.. М.: Мир, 1984. Т. 1. 303 с.

76. Рид. С. Дж. Б. Электронно-зондовый микроанализ и растровая электронная микроскопия в геологии. М.: Техносфера, 2008. 232 с.

77. Немошкаленко В.А., Алешин В.Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Киев: Наукова думка, 1974. 376 с.

78. Muilenberg G.E. X-ray photoelectron spectroscopy. USA, Perkin-Elmer Corp., 1979. P. 190.

79. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. M.: Сов. радио, 1975. 92 с.

80. Зимкина Т.М., Фомичев В. А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. JL: Изд-во ЛГУ, 1971. 132 с.

81. Development and present status of the Russian. — German soft X-ray beamline at BESSY II1. / S.I. Fedoseenko et al. // J. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A. 2001. No. 470. P. 84-88.

82. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких плёнок. М.: Изд-во Мир, 1989. 344 с.

83. Влияние наноструктурирования анодных оксидов алюминия на их оптические параметры / C.B. Зайцев, А.Н. Лукин, A.M. Ховив, В.В. Чернышев // Изв. вузов: Физика. 2009. Т. 52, №12/3. С. 100-106.

84. Влияние аниона электролита на формирование наноструктурированного анодного оксида алюминия /В.В. Чернышев, В.А. Чернышев, А.Е. Гриднев, C.B. Зайцев // Вестник Воронежского государственного университета. Сер.: Физика. Математика. 2009. № 2. С. 1315.

85. Fox. M. Optical properties of solids. New York, Oxford University Press Inc., 2001. P. 305.

86. Формирование ультратонких пленок Nb205 на подложках из кварца /

87. C.В. Зайцев, Ю.В. Герасименко, С.Н. Салтыков, Д.А. Ховив, А.М: Ховив // Неорганические материалы. 2011. Т. 47, № 4. С. 468-472.

88. Plasma treatment for crystallization of amorphous thin films / H. Ohsaki et al. // J. Thin Solid Films. 2006. V. 502. P. 63-66.

89. Jerman M. Structural investigation of thin Ti02 films prepared by evaporation and post-heating / M. Jerman, D. Mergel // J. Thin Solid Films. 2007. V. 515. P. 6904-6908.

90. Weber M. J. Handbook of optical materials. US, CRC Press, 2003. P. 536.

91. Effect of thickness on the structure, morphology and optical properties of sputter deposited Nb205 films / F. Lai et al. // J. Appl. Surf. Science. 2006. V. 253. P. 1801-1805.

92. Ozer N. Optical and electrochemical characteristics of niobium oxide films prepared by sol-gel process and magnetron sputtering. A comparison / N. Ozer, M.

93. D. Rubin, С. M. Lampert // J. Solar Energy Mat. and Solar Cells. 1996. V. 40. P. 285-296.

94. Optical scattering characteristic of annealed niobium oxide films / M. Li et al. // J. Thin Solid Films. 2005. V. 488. P. 314 320.

95. Mathews N.R. ТЮ2 thin films Influence of annealing temperature on structural, optical and photocatalytic properties / N.R. Mathews et al. // J. Solar Energy. 2009. V. 83. P. 1499-1508.

96. Growth of niobium oxide films on single-crystal silicon / Logacheva V. A., Divakova N. A., Tikhonova Yu. A., Dolgopolova E. A., Khoviv A. M. // Inorganic Materials. 2007. V. 43, No. 11. P. 1230-1234.

97. Electronic structure of anatase ТЮ2 oxide / R. Sanjines et al. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75, No. 6. P. 2945-2951.

98. Microstructure and optical1 properties of Ti02 thin films prepared by low pressure hot target reactive magnetron sputtering / J. Domaradzki et al. // J. Thin Solid Films. 2006. V. 513. P. 269-274.

99. Fujishima A. Ti02 photocatalysis and related surface phenomena / A. Fujishima, X. Zhang, D. A. Tryk // J. Surface Science Reports. 2008. V. 63. P. 515-582.

100. Photo luminescence of amorphous niobium oxide films synthesized by solidstate reaction / X. Zhou et al. // J. Thin Solid Films. 2008. V. 516. P. 4213-4216.

101. Characterization of sol-gel deposited niobium pentoxide films for electrochromic devices / N. Ozer et al. // J. Solar Energy Materials and Solar Cells. 1995. V. 36. P. 433-443.

102. Прибытков Д.М. Лазерно-стимулированное оксидирование тонкопленочного титана / Д.М. Прибытков, Н.А. Дивакова, Д.А. Ховив // Цветные металлы. Б.м. 2005. № 9. С. 30-32.

103. Ховив Д.А. Эволюция фазового состава двухслойной структуры Ti02/Nb205/Si при термическом отжиге / Д.А. Ховив, Н.А. Дивакова, С.В. Зайцев // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12, № 4. С. 400-402.

104. A spectroscopic ellipsometry study of Ti02 thin films prepared by ionassisted electron-beam evaporation / P. Eiamchai et al. // J. Current Applied Physics. 2009. V. 9. P. 707-712.

105. Petersen A. Ein Beitrag ueber Oxide vom Typ AMO4 (A = Ti3+, Cr3+; M = Nb5+, Ta5+) / A. Petersen, H. Mueller-Buschbaum / Z. Anorg. Allg. Chem. 1992. V. 51. S. 609-614.

106. Improved electrical properties of silicon-incorporated anodic niobium oxide formed on porous Nb-Si substrate / M. Tauseef Tanvir et al. // J. Applied Surface Science. 2009. V. 255. P. 8383-8389.

107. Electron transport in TiixNbx02 solid solutions with x < 4% / B. Poumellec et al. // J. Phys. Chem. Solids. 1986. V. 41, No. 4. P. 381-385.1%ъ