Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Молдавская, Мария Давидовна

• Молдавская, Мария Давидовна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Молдавская, Мария Давидовна

Введение

Глава 1. Напряженные гетероструктуры на основе ве и в!: зонная диаграмма и энергетические спектры двумерных электронов и дырок. Исследование свободных и связанных состояний в гетероструктурах методами субмиллиметровой спектроскопии (обзор литературы)

1.1.1. «Встроенная» деформация в гетероструктурах Ое/ОеБ! и БЬ^Ое

1.1.2. Зонная диаграмма гетероструктур Ое/Се81 и БЬ^Се; влияние деформации и размерного квантования

1.1.3. Спектры электронов и дырок в напряженных гетероструктурах Ое/Ое8к влияние эффектов встроенной деформации и размерного квантования

1.2. Исследование гетероструктур на основе ве и 81 методами длинноволновой ИК спектроскопии '

1.3.1. Исследования циклотронного резонанса в гетероструктурах на основе и Ое

1.3.2. Исследование мелких примесей в двумерных структурах методами дальней ИК спектроскопии

1.3.3. Исследование межподзонного поглощения и излучения света дальнего ИК диапазона в гетероструктурах на основе и ве с квантовыми ямами

Глава 2. Циклотронный резонанс носителей заряда в напряженных гетероструктурах Се/Се81(111) в «классической» области энергий

2.1. Изготовление и подготовка образцов

2.2. Методика экспериментального исследования циклотронного резонанса носителей заряда в гетероструктурах Ое/8^-хОех

2.3. Классический циклотронный резонанс дырок в нелегированных гетероструктурах ОеЛЗ^^х

2.4. Циклотронный резонанс электронов в напряженных гетероструктурах

Ое/ОеЬх81:

2.5. Циклотронный резонанс дырок в селективно легированных гетероструктурах ОеЛлеь^х

Глава 3. Эффекты разогрева дырок в напряжённых гетероструктурах Ge/GebxSix

3.1.1. Методика исследования циклотронного резонанса горячих носителей заряда в импульсных электрических полях

3.1.2. Циклотронный резонанс горячих дырок в гетероструктурах

Ge/SiixGex в скрещенных электрическом и магнитом полях

3.2. Исследование излучения горячих дырок в гетероструктурах

Ge/Sii-xGex в дальнем ИК диапазоне длин волн

Глава 4. Циклотронный резонанс двумерных дырок в гетероструктурах Ge/GeSi(lll) в квантующих магнитных полях.

4.2. "Квантовый" циклотронный резонанс дырок в нелегированных гетероструктурах Ge/GeSi(l 11)

4.3. "Квантовый" циклотронный резонанс дырок в селективно легированных гетероструктурах Ge/GeSi( 111)

Глава 5. Исследование мелких акцепторов в напряжённых гетероструктурах Ge/GeSi

5.1. Методика исследования спектров мелких акцепторов

5.2. Результаты экспериментального исследования спектров мелких акцепторов и их обсуждение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi»

Успехи, достигнутые в технологии роста полупроводниковых гетероструктур за последние двадцать лет, привели к созданию новых электронных и оптических приборов с гетеропереходами, обладающих рекордными характеристиками. Основными эффектами, за счёт которых происходит выигрыш по сравнению с традиционными приборами, являются пространственное разделение и ограничение носителей и (при толщинах слоев < 500 А) изменение электронного спектра носителей вследствие квантования ("зонная инженерия"). Наилучшие результаты были получены при использовании гетеропар материалов А3В5, согласованных по параметру решетки, особенно GaAs/AlGaAs. Однако при попытках внедрить элементы на основе GaAs/AlGaAs в промышленную технологию изготовления интегральных микросхем на кремнии возникают серьезные трудности. Это вызывает растущий интерес к гетероструктурам с кремнием и более всего к структурам на основе Si, Ge и их твёрдых растворов Ge^Si/^. Несоответствие постоянных решётки Si и Ge составляет 4%. Вначале это считалось серьёзным недостатком гетеропары Si-Ge, который не позволит получать совершенные гетероструктуры. Однако за последние десять лет многие технологические проблемы, связанные с ростом напряженных гетероструктур, были решены, и теперь "встроенная" деформация в слоях таких гетероструктур рассматривается как дополнительный инструмент зонной инженерии, позволяющий модифицировать спектр носителей в нужном направлении. За последние 10 лет на основе гетероструктур Si/SiGe созданы быстродействующие транзисторы, p-i-n фотодиоды, работающие в окне прозрачности оптоволокна (1.3-И.6 мкм) (см. обзоры [13]), фотоприёмники на внутризонных переходах, работающие в среднем ИК диапазоне в окне прозрачности атмосферы (8-ь 12 мкм) [4-5]. Гетероструктуры «со стороны германия» Ge/GeSi к настоящему времени являются менее востребованными и менее изученными; однако, как показывают исследования, такие структуры могут представлять интерес для ряда приложений.

При обеспечении упругой деформации слоев Si в гетероструктурах Si/SiGe электроны будут локализованы в слоях чистого Si. Ямы же для дырок всегда реализуются в слоях с большим содержанием германия, т.е. в слоях SiGe, где их подвижность ограничена рассеянием на флуктуациях состава сплава SiGe. В этой связи для создания "дырочных" приборов весьма привлекательными являются гетероструктуры Ge/Gei-xSix. где дырки находятся в слоях чистого Ge. Если слои Ge напряжены (это возможно при росте как на кремниевой, так и на германиевой подложке), эффективная масса дырок в плоскости слоев уменьшается за счёт расщепления подзон лёгких и тяжёлых дырок. приводя к дополнительному росту подвижности. Как известно, именно подвижность дырок в р-канале определяет быстродействие МДП транзисторов - основного элемента цифровой микроэлектроники. Лучшие из созданных к настоящему времени полевых транзисторов с модулированным легированием (MODFET) с германиевым /»-каналом на подложке Si имеют при комнатной температуре крутизну 125 мСм/мм и подвижность

-у дырок в канале 1300 см /В-с [6], и, как показывают расчёты, эти характеристики могут быть улучшены.

Гетероструктуры Ge/GeixSix представляют интерес и с точки зрения развития «чисто германиевых» приборов. Одним из таких предложений является фотоэлектрический приёмник дальнего инфракрасного (ИК) диапазона на напряженных гетероструктурах Ge/Gei.xSixc квантовыми ямами. Как показано в работах [А15,А17, А21-А22], такой приёмник имеет полосу чувствительности, смещенную относительно полосы приёмника на объёмном p-Ge в длинноволновую сторону дальнего ИК диапазона, где имеется «дефицит» фотоэлектрических полупроводниковых детекторов, причем спектр приёмника может контролироваться с помощью «зонной инженерии».

Другим применением гетероструктур Ge/GeixSix могло бы стать создание на их основе генераторов излучения дальнего ИК диапазона. В 80-е годы был разработан ряд источников субмиллиметрового и миллиметрового излучения на объёмном p-Ge, основанных на эффектах динамического разогрева дырок в сильных электрических полях. Были предложены и реализованы различные механизмы создания инверсии в валентной зоне и генерации излучения в скрещенных (EUH) и параллельных (Е\\Н) электрическом и магнитном полях [7-10]; а также при одновременном действии электрического поля и одноосного сжатия Е\\Р [11,14-15]. Показано [12-13], что для всех механизмов генерации деформация существенно влияет на спектры излучения и позволяет расширить зону генерации; для последнего же механизма генерации одноосная деформация является необходимым условием. Как показано авторами работы [14], в этом случае генерация обусловлена инверсией в распределении дырок по расщеплённым одноосной деформацией примесным состояниям: резонансным (лежащим в континууме) и локализованным. Как отмечают авторы работы [15], при одноосном сжатии возникновению такой внутрицентровой инверсии при Е\\Р препятствует статический домен электрического поля, что обусловливает большие пороговые величины давления и электрического поля. Домен возникает из-за наличия точки перегиба на дисперсионной зависимости нижней подзоны дырок. В напряжённых гетероструктурах Ge/Gei-xSix деформация слоёв Ge эквивалентна одноосному растяжению; при растяжении особенностей на дисперсионной зависимости дырок нет и домен сильного поля не возникает. В этой связи напряжённые гетероструктуры Ое/Сге1-х81х представляются привлекательной средой для реализации данного механизма генерации.

Напряжённые гетероструктуры ОеЛЗе1х81х обладают свойствами, недостижимыми в объёмном материале: в германиевых слоях гетероструктур может быть реализовано достаточно большое по величине (5-нб кбар) растягивающее напряжение; энергетический спектр дырок может контролироваться с помощью изменения параметров гетероструктуры (толщины слоев и деформации Ое); благодаря большому отношению поверхности к объёму теплоотвод в гетероструктурах происходит быстрее. Однако для развития этих идей требуется детальное изучение энергетического спектра и механизмов рассеяния носителей в напряженных слоях Ое в гетероструктурах Ое/Ое1х81х, влияния на спектр эффектов встроенной деформации и размерного квантования, сильных электрического и магнитного полей. Как уже отмечалось, к настоящему времени структуры «со стороны германия» Ое/Ое^^х исследованы значительно меньше, чем структуры «со стороны кремния» 81/811.хОех. Насколько известно автору, наиболее подробные исследования фотолюминесценции и квантового эффекта Холла в гетероструктурах Ое/ОеБ^Ш) проведены в работах [16-18] и [19-21] соответственно. Подробного исследования энергетического спектра носителей заряда и эффектов разогрева в гетероструктурах ОеЛЗе81 не проводилось. Целью данной диссертационной работы являлось исследование напряжённых многослойных гетероструктур Ое/Ое1х8]х с квантовыми ямами методами миллиметровой и субмиллиметровой магнитоспектроскопии. В указанном диапазоне длин волн лежат энергии возбуждения как свободных (циклотронный резонанс, межподзонные и внутризонные переходы), так и связанных носителей заряда в гетероструктурах Ое/Оеьх81х. Таким образом, выбранная методика позволяет получить подробную информацию о спектрах свободных и связанных носителей, в гетроструктрах Ое/Ое1х81х, а также исследовать эффекты разогрева носителей электрическим полем.

Содержание работы.

Диссертационная работа состоит из Введения, пяти глав и Заключения.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Молдавская, Мария Давидовна

Заключение

Сформулируем основные результаты работы:

1. Впервые исследованы спектры циклотронного резонанса (ЦР) в нелегированных гетероструктурах Ое/ОеБ! с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении. В спектрах поглощения и фотопроводимости обнаружена линия ЦР дырок, спектральное положение которой соответствует массе тс ~ 0.01 то. Показано, что малая величина циклотронной массы двумерных дырок связана с расщеплением подзон лёгких и тяжёлых дырок и перестройкой энергетического спектра дырок вследствие эффектов встроенной деформации и размерного квантования. Частота рассеяния дырок, определённая из ширины линии ЦР в гетероструктурах с узкими ямами (¿/ое= 130*200 А), составляет т"1 » З-Ю11^1, что соответствует высокому значению подвижности 2В дырок Ц4.2К « 8-104 см2/В-с. Отсутствие линии электронов в спектрах ЦР свидетельствует о высокой частоте рассеяния электронов в напряжённых гетероструктурах Ое/ОеБь

2. Исследована эволюция спектров ЦР при увеличении энергии дырок. Показано, что в селективно легированных гетероструктурах циклотронная масса растёт с ростом концентрации вырожденного газа 2В дырок (т.е. с ростом энергии Ферми) вследствие непараболичности закона дисперсии. Обнаружено, что в нелегированных гетероструктурах непараболичность закона дисперсии приводит к четырёхкратному росту циклотронной массы дырок при разогреве латеральным электрическим полем Е « 300 В/см.

3. Обнаружено длинноволновое ИК излучение горячих дырок (X ~ 50*350 мкм) в селективно легированных гетероструктурах Ое/ОеБь С помощью перестраиваемого магнитным полем фильтра п-ЫБЬ исследован спектральный состав излучения из торца гетероструктур. Показано, что спектр излучения является широким и не имеет выраженных особенностей, соответствующих переходам между уровнями размерного квантования дырок вследствие неэквидистантности уровней. Однако сопоставление спектров гетероструктур с различной шириной квантовых ям позволяет сделать вывод, что межподзонные переходы дают основной вклад в излучение.

4. Впервые исследованы спектры ЦР дырок в нелегированных гетероструктурах Ое/Ое81 в квантующих магнитных полях. В спектрах поглощения обнаружен дублет, обусловленный переходами дырок между двумя парами неэквидистантных уровней Ландау. Обнаружено изменение относительной интенсивности линии дублета при разогреве дырок постоянным электрическим полем, что позволило связать линию, наблюдаемую в более сильных магнитных полях, с переходами с вышележащего уровня Ландау и идентифицировать наблюдаемые переходы.

5. Методом ЦР в импульсных электрических полях в гетероструктурах Ge/GeSi обнаружены остаточные акцепторы с малой энергией связи'£в « 2+4 мэВ. Спектры мелких акцепторов исследованы методом фототермической ионизационной спектроскопии. Обнаружено, что спектр фотопроводимости мелких акцепторов в гетероструктурах Ge/GeSi существенно смещён в длинноволновую область дальнего ИК диапазона по сравнению со спектром объёмного p-Ge вследствие перестройки дна валентной зоны в гетероструктурах. Показано, что наблюдаемая в спектрах фотопроводимости гетероструктур с узкими ямами (¿fee « 200 А) линия v » 56 см"1 обусловлена фотовозбуждением акцепторов, расположенных в центрах квантовых ям (слоев Ge), а более длинноволновая полоса v « 20+40 см"1 связана, по-видимому, с фотовозбуждением акцепторов, находящихся в квантовых ямах вблизи гетерограниц и в барьерных слоях GeSi, где энергия связи акцепторов меньше. Установлено, что вольт-ваттная чувствительность исследуемых гетероструктур, измеренная с использованием эталонного источника излучения - абсолютно черного тела, достаточно высока: S » 104 В/Вт (при эквивалентной мощности шума NEP « 10"11 Вт/Гцш), что позволяет использовать их в качестве фотоэлектрических детекторов дальнего ИК диапазона.

В заключение автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя В.И.Гавриленко за интересную предложенную тему, постоянное внимание к работе и терпение, помощь в проведении экспериментов и ценные обсуждения полученных результатов. Автор благодарен О.А.Кузнецову за изготовление гетероструктур, необходимых для исследований, и за ценные обсуждения результатов экспериментов, В.Я.Алёшкину - за постоянное внимание к работе, предоставление результатов расчётов спектров двумерных дырок и многочисленные полезные дискуссии, В.В.Никонорову за помощь в проведении экспериментов и предоставление результатов экспериментов в сильных магнитных полях, Н.А.Бекину, Д.В.Козлову, Д.Б.Векслеру за предоставление результатов теоретических расчётов и ценные обсуждения, И.В.ЕрОфеевой, А.В.Антонову за многолетнее сотрудничество и помощь в проведении экспериментов, В.Н.Шастину - за интересные обсуждения и дискуссии. Автор очень признателен М.В.Якунину за предоставление результатов выполненных им расчётов уровней Ландау двумерных дырок, Ж.Леотэну (J.Leotin) и Ф.Янгу (F.Yang) за предоставление результатов экспериментов в сильных магнитных полях, а также сотрудникам ИФМ и НИФТИ, без участия которых эта работа не была бы выполнена: Ю.Н.Дроздову и ЛД.Моддавской за проведение рентгенодифракционных измерений гетероструктур, Е.А.Усковой за изготовление контактов к образцам, В.JI.Ваксу, A.B.Масловскому и А.Н.Панину за предоставленные источники излучения на основе ЛОВ и помощь при работе с ними. И, наконец, автор очень благодарен А.В.Новикову за помощь в работе, поддержку и долготерпение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Молдавская, Мария Давидовна, 2000 год

1. S.C.Jain, W.Hayes. Structure, properties and applications of GeSi strained layers and superlattices // Semic.Sci. and Technol. - 1991. -Vol.6. - P.547-576.

2. E.Kasper and F.Schaffler. Group IV Compounds // In Semiconductors and Semimetals, Academic Press, Boston, ed. by P.Pearsell.-1991. -Vol.33. P.233-307.

3. Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium // Ed. by E.Kasper, ЛЕЕ, Inspec. -1994. 227 p.

4. R.P.G.Karunasiri, J.S.Park, K.L.Wang. Sii.xGex/Si multiple quantum well ifrared detector // Appl.Phys.Lett. -1991. Vol.59. - P.2588-2590.

5. U. Konig, F.Schaffler // IEEE Electron Device Letters. 1993. - Vol.14. - P.205.

6. Л.Е.Воробьёв, Ф.И.Осокин, В.И.Стафеев, В.И.Тулупенко. Обнаружение генерации ДИК-излучения горячими в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях // Письма в ЖЭТФ. 1982. - Т.35. - С.360-362.

7. А.А.Андронов, И.В.Зверев, В.А.Козлов, Ю.Н.Ноздрин, С.А.Павлов, В.Н.Шастин. Стимулированное излучение в длинноволновом ИК диапазоне на горячих дырках в Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях // Письма в ЖЭТФ. 1984. -Т.40. - С.69-71.

8. Ю.Л.Иванов, Ю.Б.Васильев. Субмиллиметровое излучение горячих дырок германия в поперечном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.9.- С.613-616.

9. А.А.Андронов, А.М.Белянцев, В.И.Гавриленко, Е.П.Додин, З.Ф.Красильник, В.В.Никоноров, С.А.Павлов. Индуцированное миллиметровое излучение горячих дырок Ge в Е||Н полях (NEMAG на ЦР) // Письма в ЖЭТФ. 1984. - Т.40. - С.221-223.

10. И.В.Алтухов, М.С.Каган, В.Н.Синис. Межзонное излучение горячих дырок в Ge при одноосном сжатии // Письма в ЖЭТФ. 1988. - Т.47. - С.136-138.

11. S.Komiyama, S.Kuroda. Remarkable effects of uniaxial stress on far-infrared laser emission in p-Ge // Phys.Rev. 1988. - Vol.38. - P.1274-1280.

12. V.I.Gavrilenko, N.G.Kalugin, Z.F.Krasil'nik, V.V.Nikonorov, A.V.Galyagin, P.N.Tsereteli. Inverted distributions of hot holes in uniaxially stressed germanium // Semicond.Sci. Technol. -1992. Vol.7. - P. B649-B651.

13. И.В. Алтухов, М.С.Каган, К.А.Королёв, В.П.Синис. Внутрицентровая инверсия как причина индуцированного излучения в сильно деформированном p-Ge // Письма в ЖЭТФ. -1994. Т.59. - С.455-458.

14. В.М.Бондарь, Л.Е.Воробьёв, А.Т.Далакян, В.Н.Тулупенко, Д.А.Фирсов. Дальнее ИК излучение горячих дырок германия при взаимно перпендикулярных направлениях одноосного давления и электрического поля // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т.70. - С.257-261.

15. Н.Г.Калугин, Л.К.Орлов, О.А.Кузнецов. Наблюдение 20-экситонной люминесценции в слоях германия периодических гетероструктур Ge-Gei.xSix //■ Письма в ЖЭТФ. -1993. Т.58. - С.197-201.

16. L.K.Orlov, V.Ya. Aleshkin, N.G.Kalugin, N.A.Bekin, O.A.Kuznetsov, B.Deetrich, G.Bacquet, J.Leotin, MBrousseau, F.Hassen. Exciton luminescence in Ge/Gei.xSix multiple quantum well structures // J.Appl.Phys. 1996. - Vol.80. - P.415-422.

17. Н.Г.Калугин. Исследование спектров экситонной люминесценции гетероструктур Ge/Gei.xSix со слоями нанометровой толщины // Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат.наук. Нижний Новгород. 1997. - 152 с.

18. О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов, Р.А.Рубцова, А.Л.Чернов, Ю.Г.Арапов, Н.А.Городилов, Г.Л.Штрапенин. Квантовый эффект Холла на дырках в напряженных сверхрешётках Ge-Gej.xSix // Письма в ЖЭТФ. -1991. Т.54. - С.351-353.

19. В.Я.Алешкин, Н.А.Бекин. Спектры электронов и дырок и правила отбора для оптических переходов в гетероструктуре Gei-xSix/Ge // ФТП. 1997. - Т.31. - С.171-178.

20. K.Suzuki, J.C.Hensel. Quantum resonance in the valence bands of germanium // Phys.Rev. 1974.-Vol. 9. - P.4184-4257.

21. Л.В.Берман, Ш.М.Коган. Применение фотоэлектрической спектроскопии для оценки качества полупроводниковых материалов // ФТП. 1987. - Т. 21. - С.1537-1553.

22. Б.А.Андреев, Т.М.Лифшиц. Фототермоионизационная спектроскопия примесей в германии и кремнии // Высокочистые вещества. 1990. - №5. - С.7-20.

23. Т.М.Лифшиц. Фототермоионизационная спектроскопия примесей в полупроводниках //Приборы и техника эксперимента. 1993. - №1. - С. 10-64.

24. J.Broeckh and J.Vennik. Interpretation of acceptor excitation spectra in uniaxially stressed germanium // Phys.Rev.B. 1987. - Vol.35. - P.6165-6168.

25. R.A.Foulkner. Higher donor excited states for prolate-spherioid conduction bands: a reevalution of silicon and germanium // Phys.Rev. 1969. -Vol.184. - P.713-721.

26. J.Broeckx, P.Clauws, J.Vennik. Effective mass states for prolate and oblate ellipsoid bands // J.Phys.C. Solid State Phys.-1986. Vol.19. - P.511-531.

27. В.Я.Алёшкин, Б.А.Андреев, В.И.Гавриленко, И.В.Ерофеева, Д.В.Козлов, О.А.Кузнецов. Мелкие акцепторы в напряжённых гетероструктурах с квантовыми ямами // ФТП. 2000. - Т.34. - С.582-587.

28. J.P.Dismukes, L.Ekstrom, RJ.Paff. Lattice parameter and density in silicon-germanium alloys // J.Phys.Chem. -1964. Vol.68. P.3021-3027.

29. BKasper. Growth and properties of Si/SiGe superlattic©s // Surf.Sci. 1986. - Vol.174. -P.630-639.

30. Y.Kohama, Y.Fukida, M.Seki. Determination of the critical layer thckness of SiGe/Si heterostructures by direct observation of misfit dislocations // Appl.Phys.Lett. 1988 -Vol.52.-P.380-382.

31. R.Hill, J.C.Bean, D.J.Eaglesham et al. Strained relaxation phenomena in GexSii.x/Si strained structures // Thin Solid Films 1989. - Vol.183. - P.l 17-132.

32. R.People. Correspondence between coherently strained multilayers and a single coherently strained layer on lattice mismatched substrate // J.Appl.Phys. 1986. - Vol.59. - P.3296-3298.

33. F.K.LeGoues, B.S.Meyerson and J.F.Morar. Anomalous strain relaxation in SiGe thin films and superlattices // Phys.Rev.Lett. -1991. Vol.66. - P.2903-2906.

34. J.Tersoff and F.K.LeGoues. Competing relaxation mechanisms in strained layers. // Phys. Rev.Lett.72 (1994), 3570-3573.

35. F.K.LeGoues, B.S.Meyerson, J.F.Morar et al. // J.Appl.Phys. 1992. - Vol.71. - P.4230.

36. M.T.Currie, S.B.Samavedam, T.A.Langdo et al., Controlling treading dislocation dencities in Ge on Si using graded SiGe layers and chemical-mechanical polishing // Appl.Phys.Lett. 1988.-Vol.72.-P.1718-1720.

37. G.Kissinger, T.Morgestern, G.Morgestern et al. Stepwise equilibrated GexSii-x buffer with very low treading dislocation density on Si (001) // Appl.Phys.Lett. 1995. - Vol.66. -P.2083-2085.

38. P.M.Mooney, F.K.LeGoues, J.L.Jordan-Sweet. Dislocation nucleation barrier in SiGe/Si structures graded to pure Ge // Appl.Phys.Lett. 1994. - Vol.65. - P.2845-2847.

39. О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов, Ю.Н.Дроздов, А.Л.Чернов, В.М.Воротынцев, М.Г.Мильвидский, В.И.Вдовин, Р.Карлес, Г.Ланда. Сверхрешетки Ge/Gei.xSix, выращенные газовым гидридным методом//ФТП. 1993. - Т.27. - С. 1591.

40. О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов, Н.Г.Калугин, Ю.Н.Дроздов, М.Н.Дроздов, В.И.Вдовин, М.Г.Мильвидский. Структура и спектры комбинационного рассеяния света сверхрешёток Ge-Si, выращенных гидридным методом // ФТТ. 1994. - Т.36. - С.726-734.

41. A.Dargys, J.Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP // Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers. 1994.

42. R.Braunstein, A.R.Moore, F.Herman. Intrinsic optical absorption in germanium-silicon alloys // Phys.Rev. 1958. -Vol.109. - P.695-710.

43. I.Balslev // Phys.Rev. 1966. - Vol.143. - P.636.

44. E.Otsuka, K.Murase, F.Fujiyase // Phys.Lett. -1966. -Vol. 21. -P.284.

45. J.C.Hensel, K.Suzuki. Anisotropy of the g factor of free hole in Ge and conduction band spin-orbit splitting // Phys.Rev.Lett. 1969. -Vol. 22. - P.838.

46. J.C.Hensel. Microwave combined resonances in germanium: g factor of free hole. // Phys.Rev.Lett. -1968. -Vol.21. - P.983.

47. JJ.Sticker, HJ.Zeiger, G.S.Heller // Phys.Rev. -1962. -Vol.127. P.1077.

48. J.C.Hensel, G.Feher // Phys.Rev.Lett. 1960. -Vol.5. - P.307.

49. C.G.Van de Walle, R.M.Martin. Theoretical calculation of heterojunction discontinuities in the Si/Ge system // Phys.Rev B. -1986. -Vol.34. P.5621-5634.V

50. J.M.Hinckley, J.Singh. Influence of substrate composition and crystallografic orientation on band structure of psevdomorphic Si-Ge alloy films // Phys.Rev.B. 1990. - Vol.42. -P.3546-3566.

51. R.People, J.C.Bean, D.V.Lang et al. // Appl.Phys.Lett. 1984. - Vol.45. - P.1231.

52. R.People, J.C.Bean, D.V.Lang. Modulation doping in Ge(x)Si(l-x)/Si strained layer heterostructures: effects of alloy layer thickness, doping setback and cladding layer dopant concentration // J.Vac.Sci.Technol.A. 1985. - Vol.3. - P.846-850.

53. Houghton, G.S.Aers, S.-R.Eric Yang, E.Wang, N.L.Rowell. Type I band alignment in Sii„xGex/Si(001) quantum wells: photoluminescence under applied 110. and [100] uniaxial stress // Phys. Rev.Lett. 1995. - Vol.75. - P.866-869.

54. M.L.W.Thewalt, D.A.Harrison, C.F.Reinhart, J.A.Wolk, H.Lafontaine. Type II band alignment in Sii.xGex/Si(001) quantum wells: the ubiquitous type I luminescence results from band bending // Phys.Rev.Lett. -1997. -Vol.79. P.269-272.

55. C.Penn, F.Schaffler, G.Bauer, S.Glutsch. Application of numerical exciton-wave-function calculations to the question of band aligment in Si/Sii-xGex quantum wells // Phys.Rev.B. -1999. Vol.59. - P.13314-13321.

56. HJorke, H.J.Herzog // Proc.Ist.Int.Symp.Silicon MBE (EdJ.C.Bean). Electrochemical Society Pennington, New Jersey. 1985. - Vol.85-7. -P.352.

57. G.Abstraiter, H.Brugger,T.Wolf, H.Jorke, HJ.Herzog. Strain-induced two-dimensional electron gas in selectively doped Si/Sii.xGex superlattices // Phys.Rev.Lett. 1985. - Vol.54.- P.2441-2444.

58. D.Tobben, F.Schaffler, A.Zrenner, G.Abstraiter. Magnetotransport measurements and low-temperature scattering times of electron gas in high-quality Si/Sii.xGex heterostructures // Phys.Rev.B.-1992. Vol.46. - P.4344-4347.

59. G.Schuberth, F.Scaffler, M.Besson, G.Abstreiter, E.Gornik. High electron mobility in modulation-doped Si/SiGe quantum well structures // Appl.Phys.Lett. 1991. - Vol.59. -P.3318-3320.

60. S.Q.Murphy, Z.Schlesiger, S.F.Nelson, J.O.Chu, B.S.Meyerson. Electron cyclotron resonance in silicon/silicon germanium heterostructures // Appl.Phys.Lett. 1993. - Vol.63.- P.222-224.

61. U.Konig and F. Schaffler. Modulation-doped high-mobility Si/SiGe heterostructures for device applications // Extended Abstracts of the 1993 Int.Conf.on Solid State Device and Materials, Chiba. 1993. - P.201-203.

62. C.K.Maiti, L.K.Bera, S.Chattopadhyay. Strained-Si heterostructure fields effect transistors // Semicond.Sci.Technol. -1998. - Vol.13. - P.1225-1246.

63. G.Dresselhaus, A.F.Kip, C.Kittel. Cyclotron resonance of electrons and holes in silicon and germanium crystals // Phys.Rev. 1955. - Vol. 98. - P.368-384.

64. Г.Л.Бир, Г.Е.Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках // М., Наука. 1972.

65. F.Stern and W.E.Howard. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit // Phys.Rev. -1967. Vol.163. - P.816.

66. М.И.Дьяконов, А.В.Хаецкий. Размерное квантование дырок в полупроводнике со сложной валентной зоной и носителей в бесщелевом полупроводнике // ЖЭТФ. -1982. Т.82. - С.1584-1590.

67. E.Rosencher, Ph.Bois, J.Y.Duboz. The physics of quantum well infrared detectors // In Devices based on low-dimensional structures. NATO ASI Series 3. High technology. -1996.-Vol.14. - P.99-115.

68. J.Faist, F.Capasso, D.L.Sivco, C.Sirtori, A.L.Hutchington, A.Y.Cho // Science. 1994. -Vol.264. - P.553.

69. В.Я.Алёшкин, Л.Е.Воробьёв, Д.В.Донецкий, О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов. Спонтанное излучение дальнего инфракрасного диапазона, обусловленное горячими дырками в Ge и квантовых ямах Ge/Gei.xSix// ФТП. 1996. - Т. 30. - С.1981-1992.

70. Л.Е.Воробьёв, Д.В.Донецкий, Е.А.Зибик, Д.А.Фирсов, В.Я.Алёшкин, О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов. Эмиссия и поглощение ИК-излучения Ge/GeSi-квантовых ямах в продольных электрических полях // Изв.ак.наук. 1999. - Т.63. - С.З39-347.

71. ВН.Шастин, Н.А.Бекин,. Р.Х.Жукавин, С.Г.Павлов, О.А.Кузнецов. Внутрирезонаторная спектроскопия гетероструктур Ge/Gei.xSix в дальнем ИК диапазоне длин волн // Изв.ак.наук. 1999. - Т.63. - С.374-377.

72. G.Schuberth, F.Scaffler, M.Besson, G.Abstreiter, E.Gornik. High electron mobility in modulation-doped Si/SiGe quantum well structures // Appl.Phys.Lett. 1991. - Vol.59. -P.3318-3320.

73. S.Q.Murphy, Z.Schlesinger, S.F.nelson, J.O.Chu, B.S.Meyerson. Electron cyclotron resonance in silicon/silicon germanium heterostructures // Appl.Phys.Lett. -1993. Vol.63. -P.222-224.

74. W.Weber, G.Abstreiter and J.F.Koch. Electrons in a surface space charge layer on germanium Shubnikov-de Haas oscillations and cyclotron resonance // Solid State Commun. -1976. - Vol.8. - P. 1397-1399.

75. J.Binder, A.Huber, K.Germanova, F.Koch. Space-charge layers on Ge surfaces. II. High-frequency conductivity and cyclotron resonance // Phys.Rev.B. 1979. - Vol.20. - P.2391-2394.

76. G.Abstreiter, J.P.Cotthaus, J.F.Koch, G.Dorda. Cyclotron resonance of electrons in surface space-charge layers on silicon // Phys.Rev.B. 1975. - Vol.14. - P.2480-2493.

77. Y.Guldner, J.M.Berroir, J.P.Vieren et al. Investigation of two-dimensional hole gases in Si/SiGe heterostructures // Phys.Rev.B. 1993. - Vol.41. - P.12312.

78. J.-P.Cheng, V.P.Kesan, D.A.Grutzmacher et al. Cyclotron resonance studies of two-dimensional holes in SiGe/Si quantum wells // Appl.Phys.Lett. 1993. - Vol.62. - P. 1522.

79. J.-P.Cheng, V.P.Kesan, D.A.Grutzmacher et al. Cyclotron effective mass of holes in SiGe/Si quantum wells: Strain and nonparabolicity effects // Appl.Phys.Lett. 1994. -Vol. 64. -P.1681-1683.

80. S.-H.Song, D.C.Tsui and F.F.Fang. Cyclotron mass of two-dimensional holes in strained Si/SiGe/Si heterostructures // Solid State Commun. 1995. - Vol. 96 - P.61-63.

81. RA.Kiehl, P.E.Batson, J.O.Chu et al. Electrical and physical properties of high-Ge-content Si/SiGe p-type quantum wells // Phys.Rev.B. 1993. - Vol.48. - P. 11946-11959.

82. Т.Е.Wall, A.D.Plews, N.L.Mattey et al. Hole effective mass in remote doped Si/SiGe quantum wells with 0.05<x<0.3 // Appl.Phys.Lett. -1994. -Vol.65. P.3362-3364.

83. S.L.Wong, D.Kinder, RJ.Nikolas et al. Cyclotron-resonance measurements on p-type strained layer SiGe/Si heterostructures // Phys.Rev.B. 1995. -Vol. 51 - P.13499-13502.

84. J.F.Nutzel, C.M.Engelhardt, R.Wlesner et al. Growth and properties of high mobility two-dimensional hole gases in Ge on relaxed Si/SiGe, Ge/SiGe buffers and Ge substrates // Abstarcts of Conference MBE, Osaka. -1994. -P. 170.

85. C. M.Engelhardt, D.Tobben, M.Ashauer et al. High mobility 2D hole gases in strained Ge channels on Si substrates studied by magnetotransport and cyclotron resonance // Solid State Electron. 1994. - Vol.37. - 949-952.

86. R. Winkler, M.Merkler, T.Darnhofer and U.Rossler. Theory for cyclotron resonance of holes in strained asymmetric Ge/SiGe quantum wells // Phys.Rev.B. -1996. Vol.53. - P.10858-10864.

87. В.Н.Мурзин. Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках//М., «Наука». 1985.-264 с.

88. A.K.Ramdas and S.Rodriguez. Spectroscopy of solid-state analogues of H atom. // Rep. Prog.Phys. -1981. Vol.44. - P.1297-1387.

89. W.S.Boyle and R.E.Howard. Transition to the high field limit in the Zeeman spectra of germanium donors //J.Phys.Chem.Solids. -1961. Vol.19. - P.181-188.

90. Y.Nisida and K.Horii. Shallow donor levels in germanium in an intermediate magnetic field. // Phys.Soc.Japan. 1971. - Vol.31. - P.776-782.

91. Y.Nisida and K.Horii. Zeeman spectra of arsenic and antimony in germanium in an intermediate magnetic field // Phys.Soc.Japan. -1971. Vol.31. - P.783-791.

92. S.Narita and M.Miyao. Shallow donor states in high purity GaAs in magnetic field. Solid State Commun.//V.9. -1971. P.2161-2165.

93. Е.М.Гершензон, Г.Н.Гольцман, А.И.Елантьев. Энергетический спектр доноров в GaAs и Ge и влияние на него магнитного поля // ЖЭТФ. 1977. - Т.72. - С. 1062-1079.

94. J.H.Reuszer and P.Fisher. Excitation spectrum of arsenic impurity in germanium under uniaxial compression // Phys.Rev. 1965. - Vol.140. - P.A245-A251.

95. J.H.Reuszer and P.Fisher. Excitation spectra of arsenic impurities in germanium under uniaxial compression // Phys.Rev. 1968. - Vol.165. - P.909-916.

96. D.H.Dickey and J.O.Dimmock. Excitation spectra of group III impurities in germanium under uniaxial stress // J.Phys.Chem.Solids. -1967. -Vol.28. P.529-542.

97. R.L.Jones and P.Fisher. Spectroscopic study of the deformation-potential constants of group III acceptors in germanium // Phys.Rev.B. -1970. Vol.2. - P.2016-2029.

98. A.G.Kazanskii, R.L.Richards, E.E.Haller. Photoionization of acceptors in uniaxially stressed germanium // Solid State Commun. -1977. Vol.24. - P.603-606.

99. Infrared Detectors II. In Semiconductors and semimetals, ed.by R.K.Willardson and A.C.Beer. Academic Press. 1977. - Vol.12.

100. E.E.Haller. Advanced far-infrared detectors // Infrared Phys. Technol. 1994. - Vol.35. P.127-146.

101. G.Bastard. Hydrogenic impurity states in a quantum well: a simple model // Phys.Rev.B. -1981 -Vol.24. P.4714-4722.

102. Mailhiot, Y.-C.Chang, T.G.McGill. Energy spectra of donors in GaA*s-AlGaAs quantum well structures in effective-mass approximation // Phys.Rev.B. -1982. Vol.26 - P.4449-4457.

103. R.L.Greene and K.K.Bajaj. Energy levels of hydrogenic impurity states in GaAs-AlGaAs quantum well structures // Solid State Commun. 1983. - Vol.45. - P.825-829.

104. R.L.Greene and K.K.Bajaj. Binding energy of the 2po-like level of a hydrogenic donor in GaAs-AlGaAs quantum-well structures // Phys.Rev.B. 1985. - Vol.31. - P.4006-4008.

105. R.L.Greene and K.K.Bajaj. Effect of magnetic field on the energy levels of a hydrogenic impurity center in GaAs-AlGaAs quantum-well structures // Phys.Rev.B. 1985. - Vol.31. -P.913-918.

106. R.Chen, J.P.Cheng, D.L.Lin, B.McCombe, T.George. Excited states of hydrogenic impurities quantum wells in magnetic field // J.Condens.Matter. 1995. -Vol. 7. - P.3577-3590.

107. A.Latge, N.Porras-Montenegro, L.E.Oliveira. Donor \s-^2p± transitions in doped GaAs-AlGaAs quantum wells: effects of electric and magnetic fields // Phys.Rev.B. 1995. -Vol.51. - P.2259-2263.

108. A.Latge, N.Porras-Montenegro, L.E.Oliveira. Effects of external fields on the far-infrared Is—V2.p± intradonor absorption spectra in quantum wells // J.Appl.Phys. 1996. - Vol.80. -P. 1-4.

109. R.L.Greene and K.K.Bajaj. Infrared absorption by shallow donors in multiple-well GaAs-AlGaAs heterostructures // Phys.Rev.B. -1986. - Vol.34. - P.8639-8643.

110. T.Masselink, Y.-C.Chang, H.Morkoc // Phys.Rev.B. -1985. Vol.32. - P.5190.

111. A.Pasquarello, L.C.Andreani, R.Buczko. Binding energies of excited shallow acceptor states in GaAs-AlGaAs quantum wells // Phys.Rev.B. -1989. -Vol.40. P.5602-5612.

112. S.Fraizzoli, A.Pasquarello. Binding energies of ground and excited shallow acceptors in GaAs-AlGaAs quantum wells // Phys.Rev.B. 1990. - Vol. 42. - P:5349-5352.

113. G.T.Einevoll, Y.-C.Chang. Effective bond-orbital model for shallow acceptors in GaAs-AlGaAs quantum wells and superlattices // Phys.Rev.B. 1990. - Vol.41. - P.1447 -1460.

114. J.P.Loehr and J.Singh. Effect of biaxial strain on acceptor-level energies in InGaAs/AlGaAs (on GaAs) quantum wells // Phys.Rev.B. -1990. Vol.41. - P.3695-3701.

115. N.CJarosik, B.D.McCombe, B.V.Shanabrook, J.Comas, J.Ralston, G.Wicks. Binding of shallow donor impurities in quantum-well structures // Phys.ReV.Lett. 1985. - Vol.54. -P. 1283-1286.

116. E.Glaser, B.V.Shanabrook R.L.Hawkins, W.Beard, J.-M.Mercy, B.D.McCombe, D.Musser. Far-infrared magnetoabsorption study of weakly bound electrons in multiple GaAs/AlGaAs quantum wells // Phys.Rev.B. 1987. - Vol.36. - P.8185-8188.

117. A.A.Reeder, J.-M.Mercy, B.D.McCombe. Effects of confinement on shallow donors and acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells // IEEE J.Quantum Electon. 1988. - Vol.24.-P. 1690-1698.

118. M.Helm, F.M.Peeters, F.DeRosa, E.Colas, J.P.Harbison, L.T.Florez. Far-infrared spectroscopy of minibands and confined donors in GaAs/AlxGai„xAs superlattices // Phys.Rev.B. -1991. Vol.43. - P.13983-13991.

119. J.M.Mercy, N.C.Jarosik, B.D.McCombe, J.Ralston, G.Wicks. Photoconductivity of confined donors in GaAs-AlGaAs quantum-wells // J.Vac.Sci.Technol.B. 1986. - Vol. 4. -P.1011-1013.

120. S.Holmes, J.-P.Cheng, B.D.McCombe, W.Schaff. Occupancy of shallow donor impurities in quasi-two-dimensional systems:

121. D° and D" states // Phys.Rev.Lett. 1992. - Vol.69.1. P.2571-2574.

122. W.Knap, S.Huant, C.Chaubet, B.Etienne. Magneto-emission from shallow donors in quantum wells // Superlattices and Microstructures. 1990. - Vol.8. - P.313-316.

123. S.Huant, S.P.Najda, B.Etienne. Two-dimensional D" centers // Phys.Rev.Lett. 1990. -Vol.65. - P. 1486-1489.

124. S.Holmes, J.-P.Cheng, B.D.McCombe, W.Schaff. Occupancy of shallow donor impurities in quasi-two dimensional system: D° and D" states // Phys.Rev.Lett. 1992. - Vol.69. -P.2571-2574.

125. J.-P.Cheng, Y.J.Wang, B.D.McCombe, W.Schaff. Many-body effects on quasi-two-dimensional shallow-donor impurity states in high magnetic fields // Phys.Rev.Lett. 1993. -Vol.70. - P.489-492.

126. Z.X.Jiang, B.D.McCombe, J.-L.Zhu, W.Schaff. Magnetic-field-induced unbinding of the off-well-center D" singlet state in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells // Phys.Rev. B. -1997. -Vol. 56. P.R1692-R1695.

127. A.P.Roth, D.Morris, R.A.Masut, C.Lacelle, J.A.Jackman. Binding energy of shallow acceptors in InGaAs/GaAs strained quantum wells // Phys.Rev.B. 1988. - Vol.38. -P. 7877-7880.

128. W.Trzeciakowski and A.P.Roth. Acceptor and exciton states in InGaAs/GaAs strained quantum wells. Superlattices and Microstructures, 6 (1989), p.315-317.

129. P.O.Holtz, M.Sundaram, R.Simes, J.L.Merz, A.C.Gossard, J.P.English. Spectroscopic study of an acceptor confined in a narrow GaAs/AlGaAs quantum well // Phys.Rev.B. 1989. -Vol.39.-P.13293-13301.

130. P.O.Holtz, Q.X.Zhao, B.Monemar, M.Sundaram, J.L.Merz, A.C.Gossard. Electronic structure of a shallow acceptor confined in a GaAs/AlGaAs quantum well // Phys.Rev.B. -1993.-Vol.47.- P.15675-15678.

131. A.A.Reeder, B.D.McCombe, F.A.Chambers, G.P.Devane. Far-infrared study of confinement effects on acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells // Phys.Rev.B. -1988. -Vol.38.-P.4318-14321.

132. H.F.Jang, W.R.Datars, T.Timusk, A.A.Berezin, D.C.Houghton. Photothermal ionization spectroscopy of selectively boron-doped GeSi-Si strained-layer heterostructures // Can.J.Phys. 1989. - Vol.67. - P.321-325.

133. L.C.West, S.J.Eglash. First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well //Appl.Phys.Lett. 1985. - Vol.46. -P.l 156-1158.

134. C.Lee, K.L.Wang. Electron intersubband absorbtion in Ge/SiGe quantum well structures grown on Si(001) substrate // Appl.Phys.Lett. -1994. -Vol.64. P.1256.

135. C.Lee, K.L.Wang//Appl.Phys.Lett. -1992.-Vol. 60.-P.2264.

136. R.P.G.Karunasiri, J.S.Park, Y.J.Mii, K.L.Wang. Intersubband absorption in Sii-xGex/Si multiple quantum wells // Appl.Phys.Lett. 1990. - Vol.57. - P.2585-2587.

137. T.Fromherz, E.Koppensteiner, M.Helm, G.Bauer. Hole energy levels and intersubband absorption in modulation-doped SiixGex/Si multiple quantum wells // Phys.Rev.B. -1994. -50. P.15073-15085.

138. S.Zanier, Y.Guldner, J.M.Berroir, J.P.Vieren, I.Sagnes, Y.Campidelli, P.A.Badoz. Infrared absorption ift p-type SiGe/Si quantum wells: intersubband transition and free carrier contributions // Solid-State Electron. 1996. - Vol.40. - P.123-126.

139. J.S.Park, R.P.G.Karunasiri, KX.Wang. Normal incidence infrared detector using Sii-xGex/Si multiple quantum wells // Appl.Phys.Lett. -1992. Vol.60. - P.103-105.

140. M.Helm. Infrared spectrodcopy and transport of electron in semiconductor superlattices // Semicond.Sci.Technol. -1995. Vol.10. - P.557-575.

141. Л.Е.Голуб, E.Л.Ивченко, Р.Я.Расулов. Межподзонное поглощение света в квантовой яме полупроводника со сложной зонной структурой. // ФТП 1995. - Т. 29. - С.1093-1100.

142. Л.Е.Воробьёв, Л.Е.Голуб, Д.В.Донецкий. Поглощение и эмиссия света дальнего ИК диапазона горячими дырками в квантовых ямах GaAs/AlGaAs // Письма в ЖЭТФ. -1993. Т.63. - С.928-932.

143. Л.Е.Воробьёв, Д.В.Донецкий, А.Кастальский. Длинноволновое излучение при разогреве двумерных дырок продольным электрическим полем в квантовых ямах гетерострукгур GaAs/AlGaAs // ФТП. -1995. Т.29. - С.1771-1782.

144. В.А.Боженкин. Получение и исследование нелегированных эпитаксиальных слоев германия // Дипломная работа. Нижний Новгород, ННГУ. 1093.

145. Л.К.Орлов, О.А.Кузнецов, Ю.Н.Дроздов, Р.А.Рубцова, Ю.А.Романов, А.Л.Чернов. Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешёток Ge/Gei.xSix с напряженными слоями // ФТТ. 1990. - Т.32. - С. 1933-1940.

146. Л.К.Орлов, О.А.Кузнецов, Р.А.Рубцова, А.Л.Чернов, В.И.Гавриленко, О.А.Миронов, В.В.Никоноров, И.Ю.Скрылёв, С.В.Чистяков. Холл-эффект и особенности зонной структуры селективно легированных сверхрешёток Ge-Gei.xSix // ЖЭТФ. 1990. - Т.98 - С.1028-1034.

147. R.N.Dexter, H.J.Zeiger, B.Lax. Cyclotron resonance experiments in silicon and germanium // Phys.Rev. 1956. - Vol.104. - P.637-644.

148. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Сборник статей под редЛ.Ченга и К.Плога, изд. «Мир», Москва. 1989. - С.381.

149. В.И.Гавриленко, Е.П.Додин, З.Ф.Красильник. Циклотронный резонанс горячих дырок Ge в сильном постоянном электрическом поле // Сборник статей «Инвертированные распределения горячих электронов в полупроводниках», Горький, ИПФ АН. 1983. - С.141-171.

150. F.Stern, S.E.Laux. Charge transfer and low-temperature electron mobility in strained Si layer in relaxed Si^Ge* // Appl.Phys.Lett. 1992. - Vol.61. - P.l 110-1112.

151. Don Monroe, Y.H.Xie, E.A.Fitzgerald, P.J.Silverman, G.P.Watson. Copmparison of mobility-limiting mechanisms in high-mobility Sii.xGex heterostructures // J.Vac.Sci. Technol.B. 1993. -Vol.11. - P.1731-1736.

152. F.Neppl, J.P.Kothaus and J.F.Koch. Mechanism of intersubband resonant photoresponse. Phys.Rev.B, 19, pp.5240-5250 (1979)

153. D.E.Theodorou and HJ.Queisser. Illumination-dose dependence of persistent photoconductivity of n-GaAs epitaxial layers // AppLPhys. 1980. - Vol.23. -P.l21-126.

154. TJ.Drummond, W.Kopp, R.Fisher, H.Morkoc, R.E.Thorne, A.Y.Cho. Photoconductivity effects in extremely high mobility modulation-doped (Al, Ga)As/GaAs heterostructures // J.Appl.Phys. 1982. -Vol.53. - P.1238-1240.

155. H.P.Weil, D.C.Tsui, M.Razeghi. Persistent photoconductivity and quantized Hall effect in InGaAs/InP heterostructures // Appl.Phys.Lett. 1984. - Vol.45. - P.666-668.

156. L.C.Tsai, C.F.Huang, J.C.Fan, Y.H.Chang, Y.F.Chen, W.C.Tsai, C.Y.Chang. Persistent photoconductivity in SiGe/Si quantum wells // J.Appl.Phys. 1998. - -Vol.84. - P.877-880.

157. D.Stein, G.Ebert, K.von Klitzing, G.Weinmann. Photoconductivity on GaAs-AlGaAs heterostructures // Surface Sci. 1984.- Vol. 142. - P.406-411.

158. G.LJ.A.Rikken, P.Wyder, K.Ploog, J.M.Chamberlain, R.T.Grimes. Nanosecond far infrared magnetospectroscopy of GaAs/AlGaAs heterostructures // Surface Sci. 1988. -Vol.196.-P.303-309.

159. Н.А.Мордовец, И.Н.Котельников. Влияние нетермализованных электронов на фотопроводимость гетероструктур GaAs/AlGaAs при циклотронном резонансе // ФТП. 1994. -Т. 28. - С.1960-1964.

160. P.Omling, B.Meyer and P.Emanuelsson. Microwave detection of Shubnikov-de Haas oscillations in InGaAs/InP single quantum wells // Appl.Phys.Lett. 1991. -Vol.58. - P.931-933.

161. A.Brensing, M.Mazloom-Tehrani and W.Bauhofer. Determination of significant transport parameters of two-dimensional electron gas systems by microwave methods // Appl.Phys. Lett. 1997. -Vol.70. - P.3128-3130.

162. В.И.Гавриленко, Е.П.Додин, З.Ф.Красильник, Ю.Н.Ноздрин, М.Д.Чернобровцева. Циклотронный резонанс горячих дырок германия в постоянных электрическом и магнитном полях E1.HII Письма в ЖЭТФ. 1982. - Т.35. -С.432-435.

163. В.И.Гавриленко, Е.П.Додин, З.Ф.Красильник, В.В.Никоноров, М.Д.Чернобровцева. Циклотронный резонанс горячих дырок германия // ФТП. 1988. - Т.22. - С. 12331238.

164. S.Komiyama. Far infrared emission from populated inverted hot carrier system in p-Ge // Phys.Rev.Lett. 1982. - Vol.48. - P.271-274.

165. В.И Гавриленко, В.Н.Мурзин, С.А.Стоклицкий, А.П.Чеботарёв. Наблюдение эффекта накопления лёгких дырок в p-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях по оптическим измерениям в далёкой ИК области // Письма в ЖЭТФ. 1982. - Т.35. -С.81-85.

166. А.А.Андронов, В.И.Гавриленко, Е.П.Додин, З.Ф.Красильник, М.Д.Чернобровцева. Динамика тяжёлых дырок германия в скрещенных электрическом и магнитном полях // Горький, ИПФ АН. Препринт № 40 АН СССР. -1981.

167. Б.И.Болтакс. Дифузия в полупроводниках // М., Гос.изд.физ.-мат.литературы. 1961. -С.215-223.

168. K.L.I.Kobayashi, K.F.Komatsubara, E.Otsuka. Tunable far-infrared radiation from hot electrons in n-type InSb. Phys.Rev Lett. // -1973. Vol.30. - P.702-705.

169. W.Muller, F.Kohl, E.Gornik. Tunable far-infrared radiation with subnanosecond risetime from Landau-emission sources // Ifrared Phys. 1978. - Vol.18. - P.691-696.

170. В.И.Гавриленко. Поглощение и испускание электромагнитного излучения дальнего ИК диапазона длин волн горячими дырками в германии // Диссертация на соискание уч.степени д.ф.-м.н., ИПФ АН, Нижний Новгород. 1992.

171. Э.Конуэлл // Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М., «Мир». 1970.- 384 с.

172. М.В.Якунин. Магнитофононный резонанс на дырках в германии. I. Расчёт структуры валентной зоны в магнитном поле // ФТП. 1984. - Т.18. - С.969-980.

173. F.Yang. Etude des masses effectives dans les semiconducteurs: 6H-et 4H-SiC, GaN/GaAIN at Ge/GeSi // These du Doctorant del'Universite. L'Universite Paul Sabatier de Toulouse. Toulouse,France. 1998.-P. 139.

174. Р.Х.Амиров, В.И.Гавриленко. Межподзонное излучение горячих дырок в Ge и неравновесные фононы // ФТП. 1993. - Т.27. - С.1297-1304.

175. W.Kohn and J.M.Luttinger. Theory of donors states in silicon // Phys.Rev.- 1955. Vol.98. - P.915-922.

176. В.Я.Алёшкин, Б.А.Андреев, В.И.Гавриленко, И.В.Ерофеева, Д.В.Козлов, О.А.Кузнецов. Резонансные состояния акцепторов в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами // Материалы совещания «Нанофотоника», ИФМ РАН, Нижний Новгород,- 2000.-С.114-117.

177. Список основных публикаций

178. А4. В.И.Гавриленко, И.Н.Козлов, О.А.Кузнецов, М.Д.Молдавская, В.В.Никоноров, Л.К.Орлов, А.Л.Чернов. Циклотронный резонанс носителей заряда в напряжённых гетероструктурах Ge/GebxSix // Письма в ЖЭТФ. -1994. Т.59. - С.327-330.

179. A6. V.I.Gavrilenko, I.N.Kozlov, M.D.Moldavskaya, V.V.Nikonorov, L.V.Paramonov, L.KOrlov, O.A.Kuznetsov, A.L.Chernov. Cyclotron resonance in Ge layers of Gei-xSix-Ge strained heterostructures // JpnJ.Appl.Phys. -1994. Vol.33. - P.2386-2387.

180. A7. V.I.Gavrilenko, I.N.Kozlov, O.A.Kuznetsov, M.D.Moldavskaya, V.V.Nikonorov. Far infrared spectroscopy of multi-quantum well heterostructures Ge/Gei.xSix // Abstr. Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology", StPetersburg. 1994. - P.205-208.

181. А22.В.И.Гавриленко, И.В.Ерофеева, А.Л.Коротков, З.Ф.Красильник, О.А.Кузнецов, М.Д.Молдавская, В.В.Никоноров, Л.В.Парамонов. Мелкие акцепторы в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ.1997. Т.65. - С.194-198.

182. АЗО.В.Я.Алешкин, В.И.Гавриленко, И.В.Ерофеева, Д.В.Козлов, О.А.Кузнецов, М.Д.Молдавская. Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Gei.x Six // ФТП. 1998. - Т.32. - №10. - С.1240-1245.

183. A32.V.Ya.Aleshkin, V.I.Gavrilenko, I.V.Erofeeva, D.V.Kozlov, O.A.Kuznetsov, M.D.Moldavskaya. Shallow acceptors in strained Ge/GeSi quantum well heterostructures // Abstr. 24th Int. Conf. Phys. Semicond., Jerusalem, Israel. 1998. - Vol.1. - Tu-P156.

184. А42.В.Я.Алешкин, Б.А.Андреев, В.И.Гавриленко, И.В.Ерофеева, Д.В.Козлов, О.А.Кузнецов, М.Д.Молдавская. Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi // Тез. докл. 4-ой российской конф. по физике полупроводников, Новосибирск. 1999. С.85.