Сверхвысоковакуумное термическое напыление мультислоев Fe/Si и изучение влияния условий роста на их химические, структурные и магнитные свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, кандидат технических наук Варнаков, Сергей Николаевич

• Варнаков, Сергей Николаевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Варнаков, Сергей Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СВЕРХВЫСОКОВЛКУУМНЛЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

1.1 Классификация полупроводниковых гетероструктур и магнитных наноструктур

1.2 Структуры полупроводник/ферромагнетик

1.3 Сверхвысоковакуумные технологии тонких пленок и наноструктур

1.4 Постановка задачи

ГЛАВА 2. МОДЕРНИЗАЦИЯ И АВТОМАТИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ «АНГАРА»

2.1 Разработка блока контроля параметров технологического комплекса МЛЭ «Ангара»

2.2 Разработка блока управления испарителями

2.3 Внедрение эллипсометра ЛЭФ-751М, для in situ контроля оптических параметров структуры

2.4 Модернизация встроенного аналитического оборудования

2.4.1 Разработка и внедрение системы регистрации и обработки дифрактометрической информации

2.4.2 Внедрение система ввода и вывода аналоговых сигналов RL-88АС для вывода поступающих данных с оже-спектрометра 09ИОС-3 и масс-спектрометра МХ-7304 на компьютер

2.5 Выводы к Главе

ГЛЛВЛ 3. ТЕХНОЛОГИЯ ВОСПРОИЗВОДИМОГО ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОСЛОЙНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ Fe И Si

3.1 Технология однослойных и многослойных наноструктур, с заданными параметрами

3.2 Определение толщины слоев Fe и Si in situ методом лазерной эллипсометрии

3.3 Определение in situ элементного и химического состава систем на основе Fe и Si методами ЭОС и СХПЭЭ

3.4 Определение структуры слоев и интерфейса систем Fe/Si ex situ методом малоуглового рентгеновского рассеяния

3.5 Выводы к главе

ГЛАВА 4. МАГНИТНЫЕ И МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ Fe И Si

4.1. Фундаментальные магнитные параметры исследуемых систем на основе Fe и Si

4.2. Резонансные исследования пленок системы Fe/Si/Fe

4.3. Магниторезистивный эффект структуры: пленка Fe на монокристаллической подложке манганита Еио,?РЬо,зМпОз

4.4 Выводы к главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Сверхвысоковакуумное термическое напыление мультислоев Fe/Si и изучение влияния условий роста на их химические, структурные и магнитные свойства»

Классическим методом получения чистых поверхностей многих материалов является испарение и конденсация в сверхвысоком вакууме. Данный метод используется как для получения совершенных тонких пленок и мультислоев, используя механизмы эпитаксиального роста, так и для формирования поликристаллических, аморфных и наногранулированных структур, представляющих интерес, как для фундаментальных исследований, так и для практического использования.

В настоящее время особый интерес вызывают структуры полупроводник/ферромагнетик, в которых могут быть реализованы идеи спиновой электроники. Появление и развитие спиновой электроники базируется на спиновом токопереносе между элементами электронных устройств. Для этого требуется либо присутствие в аппаратуре достаточно громоздких устройств для создания внешних магнитных полей, способствующих ориентации по спину носителей заряда или их фильтрации при токопереносе, либо наличие в самой гетероструктуре твердотельного источника спин поляризованных электронов. Структурой такого вида является наносистема Fe/Si. В последние годы в лаборатории «Физики магнитных явлений» Института физики им. JI.B. Киренского СО РАН ведется работа над получением и исследованием таких напосистем на базе установки МЛЭ «Ангара», созданной в Институте физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск).

Однако, несмотря на достаточно большой объем как теоретических исследований, так и практических работ в области МЛЭ, российские технологические комплексы МЛЭ «Ангара» и «Катунь» создавались в конце прошлого века. В настоящее время возросли требования к технологическому процессу. Кардинальные изменения в вычислительной технике и программном обеспечении технологического процесса требуют существенной модернизации как программно-аппаратных блоков контроля и управления технологическим процессом, так и аналитического оборудования.

Целыо работы является усовершенствование сверхвысоковакуумной технологии на базе технологического комплекса «Ангара» для воспроизводимого получения систем нанометрового диапазона магнитных (Fe) и полупроводниковых материалов (Si), а также in situ определения толщины, элементного и химического состава полученных систем. Определение влияния технологических условии на структурные, химические и магнитные свойства получаемых пленочных систем.

Работа состоит и 4 глав. В первой главе приводится краткий литературный обзор различных типов полупроводниковых гетероструктур и магнитных наноструктур, рассматриваются вопросы, связанные с различными механизмами роста и физическими свойствами данных структур. Приведены некоторые из методов сверхвысоковакуумного получения тонких пленок и наноструктур. В конце главы приводится постановка задачи настоящего исследования.

Во второй главе приводится результаты работы по модернизации и автоматизации сверхвысоковакуумного технологического комплекса «Ангара». Представлены основные характеристики, а также принципы действия: блока контроля технологических параметров и блока управления испарителями в сверхвысоковакуумном технологическом комплексе; быстродействующего лазерного эллипсометра ЛЭФ-751М. Описаны результаты модернизации встроенного в технологический комплекс «Ангара» аналитического оборудования.

В третьей главе, изложены результаты технологии воспроизводимого получения многослойных пленочных структур и однослойных пленок составляющих элементов Fe и Si. Представлены результаты: исследования отдельных слоев Fe и Si in situ методом лазерной эллипсомегрии; определения элементного и химического состава получаемых пленочных однослойных и многослойных структур методами электронной оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов; определения качества структуры слоев и интерфейса сх situ методом малоуглового рентгеновского рассеяния.

Четвертая глава посвящена результатам магнитной паспортизации однослойной пленки Fc толщиной 15 нм и шестислойной структуры /7е(5нм)/5'/(2нм)//7е(5нм)/5'/(2нм)//7е(5нм)/5'/(10нм). Представлены результаты измерения магнитных параметров (намагниченность насыщения Ms, константа кристаллографической анизотропии К, константа обменного взаимодействия Л, коэрцитивная сила Нс) с помощью исследования температурной и полевой зависимости намагниченности. Обсуждаются механизмы формирования данных структур. Приводятся результаты исследований экспериментально обнаруженного влияния толщины ферромагнитного слоя на межслоевое взаимодействие в трехслойных пленках с полупроводниковой прослойкой Fe/Si/Fe. Обсуждаются результаты исследования магниторезистивных свойств структуры, представляющей собой кристалл манганита с нанесенной на него тонкой пленкой железа ([М//ч?])

Основные результаты настоящей работы выделены в виде итогового заключения. По материалам диссертации опубликована 21 работа [80-100],.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Содержание работы изложено на 111 страницах машинописного текста, включая 44 рисунка, 10 таблиц и списка литературы из 100 наименований.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Варнаков, Сергей Николаевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Усовершенствование сверхвысоковакуумной технологии на базе модернизированного технологического комплекса молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара», дает возможность воспроизводимого получения тонких пленок и многослойных структур нанометрового диапазона магнитных (Fe) и полупроводниковых материалов (Si), а также in situ определять толщину, элементный и химический состав полученных систем и интерфейса. Определение влияния условий напыления на химические структурные и магнитные свойства получаемых пленочных систем позволяют получать структуры с заданными физическими свойствами. Ниже приводятся основные, наиболее важные на наш взгляд результаты.

1. Модернизирован комплекс технологического оборудования на базе многомодульной установки «Ангара», предназначенной для получения тонких пленок и многослойных структур полупроводниковых и магнитных материалов в сверхвысоком вакууме. Разработаны программно-аппаратные блоки на базе современных ПЭВМ для контроля сверхвысоковакуумной системы и автоматического управления технологическим процессом.

2. Проведена модернизация имеющегося встроенного аналитического оборудования для контроля параметров получаемых структур непосредственно в процессе роста. Разработана и внедрена система регистрации и обработки дифрактометрической информации на базе дифрактометра отраженных быстрых электронов. Внедрена система ввода в компьютер и вывода аналоговых сигналов RL-88AC для вывода поступающих данных с оже-спектрометра 09ИОС-3 и масс-спектрометра МХ-7304 па компьютер.

3. Внедрена новая система получения эллипсометрической информации с помощью эллипсометра ЛЭФ-751М, предназначенная для контроля оптических параметров тонкопленочных магнитных и полупроводниковых структур непосредственно в процессе их роста. Отработанна методика in situ измерения толщины железа, в диапазоне 1-К20 нм, и кремния, в диапазоне Н350 нм, в структурах Fe/Si.

4. Отработана технология воспроизводимого получения однослойных и многослойных структур на основе Fe и Si на различных подложках. Получены многослойные наноструктуры системы (Fe/Si)^ , где варьировались такие параметры, как N = 1,2, . 10; толщина кремния 1 нм < < 350 нм, а также толщина железа 1 нм < 6Fe < 20 нм.

5. С помощью методов электронной оже-спектроскоиии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов in situ контролировались элементный и химический состав получаемых слоев. Метод определения толщины из полученных электронных спектров дает результаты, согласующиеся с данными эллипсометрии и рентгеновского флуоресцентного анализа. Структурные характеристики (толщины слоев, шероховатость интерфейса) были определены ex situ методом малоуглового рентгеновского рассеяния.

6. Определены основные магнитные параметры (намагниченность насыщения Л/5(0), константа кристаллографической анизотропии К, константа обменного взаимодействия А, коэрцитивная сила Не) для пленочных структур, получаемых с помощью модернизированной установки «Ангара», таких как: пленка Fe толщиной 15 нм и шестислойная структура Fe(5H\t)/Si(2H\i)/Fe(5u\iySi(2u\i)/Fe(5u\i)/Si( 1 Онм). Температурный ход намагниченности насыщения структур следовал закону Блоха (Т3/2 + Т5/2). Вид зависимости М(Т) исследуемых структур свидетельствует об отсутствии парамагнитного и суперпарамагнитного откликов. Предполагается, что отличие магнитных характеристик для многослойной структуры от ОЦК Fe происходит из-за образования слабомагнитного соединения Fe$Si на границах раздела слоев Fe/Si.

7. Исследованы трехслойные магнитные пленки Fe/Si/Fe методом магнитного резонанса. Обнаружен эффект влияния толщины ферромагнитного слоя на величину межслоевого взаимодействия.

8. Создана структура: пленка Fe на монокристаллической подложке манганита Еи0,7РЬо,зМп03. Исследованы магниторезистивные свойства полученной структуры. При температурах ниже Тс = 210 К кристалла манганита для структуры наблюдается эффект положительного магнитосопротивления

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Варнаков, Сергей Николаевич, 2005 год

1. Борухович, А.С. Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники / А.С. Борухович. -Екатеринбург: Уро РАН, 2004. 175 с.

2. Лихарев, К.К. Введение в динамику джозефсоновских переходов / К.К. Лихарев.-М.: Наука, 1985.-320 с.

3. Siegel, R.W. Cluster-assembled nanophase materials / R.W. Siegel // Ann. Rev. Mater. Sci. 1991. - V. 21. - P. 559.

4. Херман, M. Полупроводниковые сверхрешетки / M. Херман. М.: Мир, 1989.-240 с.

5. Силин, А.П. Полупроводниковые сверхрешетки / А.П. Силин // Успехи физических наук. 1985.-Т. 147.-Выи. 3.-С. 485-521.

6. Эсаки, Л. Молекулярно-лучевая эиитаксия и развитие технологии полупроводниковых сверхрешеток и структур с квантовыми ямами / Л. Эсаки; Под ред. Л. Ченга, К Плога // Молекулярно-лучевая эиитаксия и гетероструктуры. М.: Мир, 1989. - С. 7-36.

7. Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. — Новосибирск, 2000. 331 с.

8. Cambley, R. Е. Magnetic multilayers: spin configyrations, excitations and giant magnetoresistance / R. E. Cambley, R.L. Stamps // J. Phys. Condens. Matter. -1993. Vol. 5. - P. 3727-3786.

9. Ведяев, Л.В. Использование поляризованного по спину тока в спинтронике / Л.В. Ведяев // УФН. 2002. - Т. 172. -К» 12.-С. 1458.

10. Кесслер, И. Поляризованные электроны / И. Кесслер- М.: Мир, 1988. — 368 с.

11. Meservey, R. / R. Meservey, P.M. Tedwew // Phys. Rep. 1994. - V. 239. - P. 174.

12. Briner, B. Heat-activated magnetic exchange coupling across Ge barriers and Ge/Si heterostructures / B. Briner, U. Ramsperger, M. Landolf // Phys. Rev. B. -1995.-V. 51.-P. 7303.

13. Endo, Y. Antiferromagnetic coupling in Co/Ge superlattices / Y. Endo, N. Kikuchi, O. Kitakami, Y. Shimada // J. Phys. Condens. Matter. 1999. - V. 11.— L.133-L.137.

14. Toscano, S. Exchange-coupling between ferromagnets through a non-metallic amorphous spacer-layer / S. Toscano, В Briner, H. Hopster, & M. Landolt // JMMM.- 1992.- 114.-L6.

15. Fullerton, E.E. Non-oscillatory anti ferromagnetic coupling in sputtered Fe/Si superlattices / E.E. Fullerton, J.E. Mattson, S.R. Lee et. al. // JMMM. 1992. -117.-L301.

16. Briner, B. Intrinsic and heat-induced exchange coupling through amorphous silicon/ B. Briner, M. Landolf// Phys. Rev. Lett. 1994. - Vol. 73. - P. 340.

17. Mattson, J.E. Exponential dependence of the interlayer exchange coupling on the spacer thickness in MBE-grovvn Fe/SiFe/Fe sandwiches / J.E. Mattson, S. Kumar, E.E. Fullerton, & S.R. Lee // Phys. Rev. Lett. 1997, - Vol. 78. - P. 3023.

18. Патрин, Г.С. Влияние оптического излучения на магнитный резонанс в трехслойных пленках Fe/Si/Fe / Г.С. Патрин, Н.В. Волков, В.П. Кононов // Письма ЖЭТФ. 1998. - Т. 68. - С. 287.

19. Bruno, Р. // Europhys. Lett. 1993. - Vol. 23. - P. 615.

20. Bloemen, P.J.H. Magnetic layer thickness dependence of the interlayer exchange coupling in (001) Co/Cu/Co / P.J.H. Bloemen, M.T. Johnson, M.T.H. Vorst et. al. // Phys. Rev. Lett. 1994. - Vol. 72. - P. 764.

21. Wang, J.Z. Interlayer exchange coupling between two ferromagnets with finite thickness separated by a nonmetallic spacer / J.Z. Wang, & B.Z. Li // Phys. Rev. В.-1999.-Vol. 59.-P. 6383.

22. Wang, J.Z. Temperature dependence of the resonant exchange coupling between two ferromagnets separated by a nonmetallic spacer / J.Z. Wang, B.Z. Li, & Z.N. Hu // Phys. Rev. B. 2000. - Vol. 62. - P. 6570.

23. Schleberger, M. Amorphous Fe-Si and Fe-Ge nanostructures quantitatively analyzed by x-ray-photoelectron spectroscopy / M. Schleberger, P. Walser, M. Hunziker, and M. Landolt // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60. - P. 14360.

24. Strijkers, G.J. Formation of nonmagnetic c-Fe^Si in antiferromagnetically coupled epitaxial Fe/Si/Fe / G.J. Strijkers, J.T. Kohlhepp, H.J.M. Swagten, and W.J.M. de Jonge // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60. - P. 9583.

25. Gallego, J.M. The Fe/Si (100) interface / J.M. Gallego and R. Miranda // J. Appl. Phys. 1991.-Vol. 69.-P. 1377.

26. Telling, N.D. Interdiffusion in derection beam deposited isotopic Fe/Si trilayers / N.D. Telling, C.A. Faunce, M.J. Bonder, P.J. Grundy et. al. // J. Appl. Phys. -2001.-Vol. 89.-P. 7074.

27. Kudryavtsev, Y.V. Modification of the structure and the physical properties of Fe/Si multilayered films by ion-beam mixing/ Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, J. Dubowik et. al. // Phys. Rev. B. 2002. - Vol. 65. - P. 104417.

28. Вудраф, Д. Современные методы исследования поверхности / Д. Вудраф, Т. Делчер. М.: Мир, 1989. - 564 с.

29. Фельдман. Основы анализа поверхности и тонких пленок / Фельдман, Д. Майер. М: Мир, 1989. - 344 с.

30. Berkowitz, А.Е. Giant magnetoresistance in heterogeneous Cu-Co alloys/ A.E. Berkovvitz, J.R. Mitchell, M.J. Carey, et. al. // Phys. Rev. Lett. 1992. - Vol. 68. -№.25.-P. 3745.

31. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры; Под ред. JI. Ченга, К Плога. М: Мир, 1989. - 584 с.

32. Herman, М.А. Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status / M.A. Herman, II. Sitter// Springer-Verlag. Berlin. Heidelberg. 1989. - P. 382.

33. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара». Новосибирск: ИФП СОРАН, 1986.-21 с.

34. Техническое описание и инструкция по эксплуатации быстродействующего лазерного эллипсометра ЛЭФ-751М. Новосибирск, 2002. - 50 с.

35. Техническое описание и инструкция по эксплуатации установки "Ангара". -Новосибирск, 1986.-21 с.

36. Ковалев, А.И. Современные методы исследования поверхности металлов и сплавов / А.И. Ковалев, Г.В. Щербединский. М: Металлургия, 1989. — 192 с.

37. Handbook of auger electron spectroscopy; Second Edition / L.E. Davis, M.S. McDonald, et al //Minnesota. Perkin-Elmer Corp. 1976.

38. Rizzi, Л. Electronic and vibrational properties of semiconducting crystalline FeSi2 lauers grown on Si(l 11) / Л. Rizzi, I I. Moritz, H. Luth // Solid State Ionics. 1999.-R. 7.-P. 96.

39. Perriat, P. XPS and EELS investigations of chemical homogeneity in nanometer scaled Ti-ferrites obtained by soft chemistry / P. Perriat, E. Fries, N. Millot, B. Domenichini // Solid State Ionics. 1999. - R. 117. - P. 175-184.

40. Egert, B. Bonding state of silicon segregated to alpha -iron surfaces and on iron silicide surfaces studied by electron spectroscopy / B. Egert and G. Panzner // Phys. Rev. В. 1984. - Vol. 29. - P. 2091.

41. Fullerton, E.E. Structural refinement of superlattices from x-ray diffraction/ E.E. Fullerton, I.K. Schuller, I I. Vanderstraeten and Y. Bruynserade // Phys. Rev. B. -1992.-Vol. 45.-P. 9292.

42. Rafaja, D. X-ray reflectivity of multilayers with non-continuous interfaces / D. Rafaja, I I. Fuess, D. Simek, et al // J. Phys.: Condens. 2002. - Vol. 14. - P. 5303.

43. Балаев, Л.Д. Измерение намагниченности в сильном магнитном поле / Л.Д. Балаев // Сб. науч. тр. «Физика магнитных пленок». Иркутск, 1980. - В. 14. - С. 171-174.

44. Тикадзуми, С. Физика ферромагнетизма «Магнитные свойства вещества» / С. Тикадзуми. М.: Мир, 1983. 302 с.

45. Лкулов, Н.С. Магнитный метод исследования внутренних напряжений в ферромагнитных металлах / Н.С. Акулов, JI.B. Киренский // ЖТФ. 1939. -Т. 9,-В. 13.-С. 1145-1150.

46. Ландау, Л.Д. Теоретическая физика «Электродинамика сплошных сред» / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. М.: Наука, 1982. - 624 с.

47. Mills, D.L. Some thermodynamic properties of a semi-infinite Heisenberg ferromagnet / D.L. Mills, A.A Maradudin // J. Phys. Chem. Solids. 1967. -V.28.-P 1855-1874.

48. Wijn, H.P.J. Magnetic Properties of Metals «d-Elements, Alloys and Compounds» / H.P.J. Wijn. 1991. - 190c.

49. Smithells, C.J. Metals reference book / C.J. Smithells. London.: Butterworths, 1967.-V. 2.-P. 683.

50. Гуревич, А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках / А.Г. Гуревич.-М.: Наука, 1974.

51. Layadi, A. Effect of biquadratic coupling and in-plane anisotropy on the resonance modes of a trilayer system / A. Layadi // Phys. Rev. B. 2002. - Vol. 65.-P. 104422.

52. Волков, H.B. Влияние транспортного тока на магнитоэлектрические свойства монокристаллов с гигантским магнитным сопротивлением ЕаолРЬо.зМпОз в СВЧ диапазоне / Н.В. Волков, Г.А. Петраковский, К.А. Саблина, С.В. Коваль // ФТТ. 1999. -41,(11). Р.2007.

53. Simmons, J.G. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film / J.G. Simmons // J. Appl. Phys. -1963.-V. 34.-P. 1793.

54. Ju, H.L. Magnetic inhomogeneity and colossal magnetoresistance in manganese oxides / H.L. Ju, H. Sohn // JMMM. 1997. - V. 167. - P. 200.

55. Tamura, S. Magnetic measurements of (Lao.8Cao.2)MnOj+y by the faraday method / S. Tamura // Phys. Lett. 1980. - Л. 73. - P. 401.

56. Свистунов, B.M. Сгшн-поляризованное туннелирование электронов в манганит лантана / В.М. Свистунов, Ю.В. Медведев, В.Ю. Таренков и др. // ЖЭТФ. 2000. - Т. 118. - С. 629.

57. Бастар, Г. Расчет зонной структуры сверхрешеток методом огибающей функций / Г. Бастар // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры; Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989. - С. 312-347.

58. Блат, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах / Ф. Блат. -М.: Мир, 1971.-470 с.

59. Паршин, А.С. Отчет о работе объединенной научно-учебной лаборатории «Физика поверхности» за 1998-2000 г. / Л.С.Паршин. Красноярск: ИФ СО РАН, 2000. - 28 с.

60. Данилин, В. С. Вакуумное нанесение тонких пленок / В. С. Данилин. М.: Энергия.-С. 1367.

61. Shvetz, V.A. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surfaces / V.A. Shvetz, S.I. Chikichev, D.N. Pridachin et. al. // Thin Solid Films. 1998. - Vol. 313-314. - P. 561.

62. Паршип, Л.С. Физические основы, аппаратура и методы электронной спектроскопии: Метод, указания к лабораторным работам / Л.С. Паршин // Красноярск: СЛЛ, 1993. С. 28.

63. Kalvoda, L. Vybrana temata z fyziky povrchu. Vi'cevrstevne systemy a tenke organicke filmy / L. Kalvoda, Л. Parshin // Vydavatelstvf CVUT. Praha, 2000.-150 p.

64. Кулешов, В.Ф. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел / В.Ф. Кулешов. М.: Энергия, 1985.

65. Parshin, A.S. Auger-electron Spectroscopy and magnetic properties of Fe-O epitaxial layers / A.S. Parshin, B.E. Blekher, K.P. Polyakova // International Conf. on the Physics Transition Metalls. 1992. - V. 1. P. - 550-554.

66. Акулов, H.C. Ферромагнетизм / П.С. Акулов. M: ГОНТИ, 1939. - 156 c.

67. Mines, W.A. Magnetization studies of binary and ternary alloys based on Fe3Si / W.A. Mines, A.M. Menotti, J.I. Budnick et. al. // Phys. Rev. B. 1976. - Vol. 13. -P. 4060.

68. Цанг, B.T. Полупроводниковые лазеры и фотоприемники, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии / В.Т. Цанг // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры; Под ред. JI. Чепга, К. Плога. М.: Мир, 1989.-С. 463-504.

69. Esaki, L. Semiconductor superfine structures by computer-controlled molecular beam epitaxy / L. Esaki, L.L. Chang // Thin Solid Films. 1976. - Vol. 36.2.-P. 285-298.

70. Исхаков, P.C. Структура и магнитные свойства нанокристаллических конденсатов Fe, полученных методом импульсно-плазменного испарения / Р.С. Исхаков, С.В. Комогорцев, С.В. Столяр и др. // ФММ. 1999. - Т. 88, -В.З.-С. 56-65.

71. Техническое описание и инструкция но эксплуатации дифрактометра отраженных быстрых электронов. Новосибирск, 1986. -58.

72. Техническое описание и инструкция по эксплуатации оже-спектрометра электронного 09ИОС-3. Новосибирск, 1986.- 106.

73. Варнаков, С.Н. Автоматизация технологического оборудования для получения многослойных наноструктур в сверхвысоком вакууме / С.Н. Варнаков, А.А. Лепешев, С.Г. Овчинников, А.С. Паршин, М.М. Коршунов, П. Неворал // ПТЭ. 2004. - №6. - С. 125-129.

74. Варнаков, С.Н. Получение однослойных и многослойных пленочных структур Fe и Si в сверхвысоком вакууме / С.Н. Варнаков, Н.Н. Косырев // Тез. докл. VII Всерос. науч. конф. «Решетневские чтения». — Красноярск, 2003.-С 114-115.

75. Косырев, Н.Н. Метод эллипсомстрии в технологии получения тонких пленок Fe и Si / Н.Н. Косырев, С.Н. Варнаков // Сборник тезисов девятой всероссийской научной конфер. студентов-физиков и молодых ученых. «ВНКСФ-9». Красноярск, 2003. - С. 590-591.

76. Варнаков, С.Н. Исследование процесса роста тонких слоев кремния in situ методом эллипсомстрии / С.Н. Варнаков, Н.Н. Косырев // Труды межвузовской научной конференция «Молодежь и наука третье тысячелетие». - Красноярск, 2003. - С. 317.

77. Косырев, Н.Н. Исследование тонких пленок Fe методом эллипсомстрии / Н.Н. Косырев, С.Н. Варнаков // Сборник тезисов десятой всероссийской научной конфер. Студентов-Физиков и молодых ученых «ВНКСФ-10». -Москва, 2004.-С. 191-192

78. Патрин, Г.С. Влияние толщины ферромагнитного слоя на межслоевое взаимодействие в пленках Fe/Si/Fe / Г.С. Патрин, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, Е.В. Еремин, М.А. Панова, С.Н. Варнаков // Письма ЖЭТФ. -2004. Т.80. - С.560-562.

79. Волков, Н.В. Магнитосонротивление тунельного тина в структуре ЕиОо.7РЬОо.зМпОз (монокристалл)/ Fe (пленка) / Н.В. Волков, Г.С. Патрин, Г.А. Петраковский, К.А. Саблина, С.Г. Овчинников, С.Н. Варнаков // Письма в ЖТФ. 2003. - Т.29, - С. 54-60.

80. Ректор Сибирского государственного aDpoKOCAiHHecKorrtf^^cr^yiiiiBepciiTeTa . ак. Л1.<1>. Решетиemi;;им