Термическое окисление GaAs под воздействием композиций хемостимуляторов Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 с инертными компонентами Ga2O3, Al2O3, Y2O3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Пенской, Петр Константинович

• Пенской, Петр Константинович
• кандидат химических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат химических наук Пенской, Петр Константинович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ОКСИДОВ-ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ (ОБЗОР СОСТОЯНИЯ ПРОБЛЕМЫ).

1.1. Термическое окисление GaAs при индивидуальном воздействии оксидов р- и ^-элементов в сравнении с собственным.

1.2. Неаддитивность хемостимулирующего воздействия бинарных композиций.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ

И ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ

КОМПОЗИЦИЙ И ОКСИДНЫХ СЛОЕВ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ.

2.1. Исходные материалы и предварительная обработка.

2.2. Методика термооксидирования GaAs в присутствии хемостимуляторов.

2.3. Методика обработки результатов эксперимента.

2.4. Физико-химические методы исследования композиций хемостимулятор—инертный компонент.

2.4.1. Метод дериватографии.

2.4.2. Рентгенофазовый анализ (РФА).

2.4.3. Масс-спектрометрия.

2.4.4. Оценка спекаемости композиций методом тепловой десорбции азота (БЭТ).

2.5. Физико-химические методы исследования состава и свойств полученных оксидных слоев на поверхности GaAs.

2.5.1. Метод измерения толщины пленок лазерная эллипсометрия).

2.5.2. Методы исследования химического состава пленок (ИКС, ЛРСМА).

2.6. Методы измерения электрических параметров оксидных пленок, полученных под воздействием композиций с инертными компонентами.

2.6.1. Измерение удельного сопротивления.

2.6.2. Температурные зависимости электрических параметров оксидных пленок.

2.6.3. Измерение газовых откликов оксидных слоев.

ГЛАВА III. ЭФФЕКТ СОВМЕСТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ КОМПОЗИЦИЙ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ С ИНЕРТНЫМИ КОМПОНЕНТАМИ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ.

3.1. Особенности концентрационной зависимости совместного воздействия композиций хемостимуляторов

Sb203, Bi203, MnO, Mn02) с инертным компонентом Ga203 на процесс термооксидирования GaAs.

3.2. Роль инертного компонента А1203 в композициях с оксидами-хемостимуляторами (Sb203, Bi203, MnO, Mn02) в процессе термического окисления GaAs.

3.3. Закономерности хемостимулирующего воздействия Sb203, Bi203, MnO, Mn02 в композициях с инертным разбавителем Y203.

ГЛАВА IV. ГАЗОВЫЕ ОТКЛИКИ ОКСИДНЫХ

ПЛЕНОК В АТМОСФЕРЕ ЭТАНОЛА.

ГЛАВА V. ХАРАКТЕР ВЛИЯНИЯ ИНЕРТНЫХ КОМПОНЕНТОВ Ga203, А1203, Y203 НА ХЕМОСТИМУЛИРУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ Sb203, Bi203, MnO, Mn02 ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ

ОКИСЛЕНИИ GaAs.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термическое окисление GaAs под воздействием композиций хемостимуляторов Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 с инертными компонентами Ga2O3, Al2O3, Y2O3»

Арсенид галлия привлекает внимание исследователей как перспективный материал для микроэлектроники благодаря ряду свойств. Важнейшим из них является высокая (в шесть раз большая, чем в кремнии) подвижность электронов в электрических полях низкой напряженности, что потенциально позволяет создать СВЧ-приборы с улучшенными характеристиками. Другое достоинство GaAs заключается в большой ширине его запрещенной зоны, что является необходимым условием работоспособности структур при повышенных температурах. Кроме того, малая величина времени жизни неосновных носителей и большая, чем у кремния, ширина запрещенной зоны делают GaAs более перспективным материалом для создания радиационно-стойких приборов и интегральных схем (ИС). Пластины GaAs могут обладать очень высокими значениями удельного сопротивления. Это позволяет использовать такой материал в качестве диэлектрика в интегральных схемах, предназначенных для работы в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, и для изоляции структур в цифровых интегральных схемах [1,2].

Однако имеются причины, затрудняющие практическую реализацию тех преимуществ, которые может дать применение GaAs в технологии микроэлектроники. Определенный недостаток арсенида галлия заключается в том, что он является двухкомпонентным соединением. В связи с этим приходится понижать максимальные температуры во время технологических процессов, предотвращая тем самым диссоциацию поверхности структур. Легирование с помощью процесса диффузии, нашедшее широкое применение при производстве кремниевых приборов, оказалось практически неприемлемым при переходе к GaAs. У арсенида галлия не существует и стабильного, легко формируемого естественного оксида, возможность получения которого у кремния явилась важным фактором при создании технологии 5 производства кремниевых МОП-транзисторов. Поверхность GaAs более восприимчива к воздействию различных химических веществ, используемых в технологических процессах, что требует в ряде случаев разработки нового подхода к реализации этих процессов.

Одной из важных задач при формировании функциональных тонкопленочных материалов на полупроводниках АШВУ является получение качественного полупроводникового или диэлектрического слоя и улучшение свойств соответствующих границ раздела. Это особенно актуально для бинарных полупроводников с летучим компонентом (GaAs и InP), у которых наблюдается при высоких температурах высокая склонность к деградации как самого материала, так и собственного оксида. При термическом окислении фосфида индия формируются слои, обедненные летучим компонентом (оксидом фосфора). Кроме того, наблюдается их металлизация из-за образования индия в результате протекания реакции обратного переноса (ln203 + Р —> Р2О5 + In), что отрицательно сказывается на свойствах оксидных пленок [2, 3]. Получение качественных гетероструктур непосредственным окислением GaAs сдерживается самим механизмом этого процесса, поскольку при этом «параллельные» стадии окисления компонентов арсенида галлия оказываются связанными посредством реакции: AS2O3 + Ga = Ga203 + As. При этом на внутренней границе раздела сегрегируется мышьяк, что приводит к ухудшению ее характеристик. Формируется пористый слой, состоящий преимущественно из Ga203, который обладает полупроводниковыми, однако практически неконтролируемыми свойствами. Гетероструктура же полупроводник/диэлектрик при этом практически не образуется. Поэтому в любом случае данная реакция представляет собой «отрицательный канал» связи между стадиями покомпонентного окисления GaAs, обусловленный термодинамически.

Существующие в настоящее время способы решения этой проблемы не дают возможности прогнозировать свойства тонкопленочных материалов и управлять ими. Кроме того, все они сложны в практическом исполнении и иногда слишком токсичны (например, окисление при противодавлении пара оксидов мышьяка) [3].

Для преодоления этой трудности было предложено использовать при термооксидировании различные вещества, позволяющие повысить качество получаемых пленок. Эти вещества были впоследствии названы хемостимуляторами, а сам процесс с их участием получил наименование хемостимулированного термооксидирования [4].

В основе метода хемостимулированного окисления лежит идея о кинетической блокировке "отрицательного канала" за счет вовлечения компонентов окисляемого полупроводника в новые быстро протекающие процессы с участием соединений-хемостимуляторов, которые представляют собой «положительные каналы», ведущие к ускоренному накоплению целевого продукта и модифицированию его свойств.

Предлагаемый подход является чисто химическим и отличается самой идеей — изменения механизма процесса окисления AmBv с собственного на хемостимулированный. Введение хемостимуляторов обеспечит протекание новых интерфейсных реакций с кинетически сопряженными и гетерогенно-каталитическими стадиями, что позволит осуществить кинетический обход отрицательного канала собственного окисления АШВУ и модифицировать состав и свойства формируемых слоев.

Каждый хемостимулятор своеобразно взаимодействует с подложкой, вызывая те или иные изменения в характере протекающих на ней процессов. Последнее, в свою очередь, определяется химической природой применяемого хемостимулятора [5—7]. В связи с этим возник интерес к изучению процессов термооксидирования с использованием композиций хемостимуляторов. Эксперимент показал, что совместное воздействие хемостимуляторов не является линейной функцией состава композиции

8, 9]. Основной теоретической концепцией, объясняющей наблюдаемые отклонения от аддитивности, была концепция химического взаимодействия хемостимуляторов в композиции [9]. С этих позиций было очень удобно рассматривать различные отклонения от аддитивности.

Поскольку стало ясно, что при наличии химического сродства хемостимуляторов друг к другу отклонения от линейности будут иметь место, возник вопрос, как будет развиваться процесс, если компоненты будут инертны друг к другу. На начальном этапе исследования данного вопроса предстоит выяснить, какое воздействие на характер процесса хемостимулированного окисления GaAs окажет компонент, являющийся инертным как к самому хемостимулятору, так и к полупроводнику, а затем установить его влияние на свойства формируемых слоев.

Работа выполнена в рамках НИР номер госрегистрации 0120.045468 «Исследование нелинейности совместного воздействия активных

3 5 компонентов на процессы термического окисления полупроводников А В , структуру и электронные свойства полупроводников А4В6» и 0120.0602176 «Исследование воздействия активных компонентов-хемостимуляторов на кинетику и механизм окисления, структуру и свойства бинарных полупроводников в процессах синтеза функциональных материалов», выполняемых по аналитической ведомственной программе «Развитие потенциала высшей школы».

Целью работы явилось установление характера процесса термического окисления GaAs под воздействием композиций оксидов-хемостимуляторов Sb203, Bi203, MnO, Mn02 с инертными компонентами Ga203, А1203, У203.

Для достижения этой цели решались следующие задачи:

1. Исследование воздействия оксидов-хемостимуляторов Sb203, В120з, MnO, Mn02 в композициях с инертными компонентами Ga203, АЬОз и У20з на процесс термического окисления GaAs.

2. Установление особенностей изменения толщины оксидных слоев от состава композиций в зависимости от природы инертного компонента.

3. Выявление роли инертного компонента в процессах хемостимулированного окисления арсенида галлия.

4. Выяснение характера превращений, протекающих в условиях эксперимента в оксидных композициях, и их влияния на процесс окисления GaAs, состав и свойства формируемых слоев.

5. Установление газового отклика полученных оксидных пленок в интервале температур 20-400 °С.

Научная новизна

- установлены закономерности воздействия оксидов-хемостимуляторов Sb203, Bi2C>3, MnO, Mn02 в композициях с инертными компонентами Ga2C>3, А1203 и У2Оз на процесс термического окисления GaAs;

- обнаружено, что в широком интервале составов композиций наблюдается линейная зависимость толщины оксидного слоя на GaAs от состава, однако, эта зависимость не всегда является аддитивной по толщинам, достигаемым в присутствии индивидуальных компонентов;

- доказана принципиальная возможность и осуществлена практическая реализация аддитивного воздействия двух оксидов на процесс термического окисления GaAs;

- обнаружены и объяснены отклонения от аддитивности изменения толщины оксидного слоя на GaAs от состава композиции при добавлении к хемостимулятору химически инертного оксида, обусловленные ускорением или торможением собственных превращений хемостимуляторов и интенсификацией процессов спекания оксидов в композициях.

Практическая значимость

Инновационный потенциал данной работы определяется необходимостью подбора компонентов композиции, способного обеспечить аддитивную зависимость толщины оксидного слоя от состава, что позволяет гибко регулировать концентрацию хемостимулятора и создавать высокочувствительные сенсорные слои с заданными свойствами.

Проведенные исследования поддержаны грантами: Межвузовская научная программа Университеты России № УР.06.01.001 «Нелинейные эффекты совместного воздействия хемостимуляторов в процессах термического окисления полупроводников», грант РФФИ № 03-03-96500-р2003цчра «Нелинейные эффекты в процессах хемостимулированного синтеза диэлектрических оксидных слоев на АШВУ », грант РФФИ №06-03-963 38-рцентра «Воздействие хемостимуляторов на кинетику и механизм термического окисления полупроводников AmBv в процессах формирования тонких пленок и гетероструктур».

Положения, выносимые на защиту

1. Линейность изменения толщины оксидного слоя от состава композиции как общая закономерность термооксидирования GaAs под воздействием композиций хемостимуляторов (Sb203, Bi203, MnO, Mn02) с химически инертными оксидами (Ga203, А1203, У203). Для композиций хемостимуляторов Sb203, Bi203, MnO, Mn02 в присутствии Ga203 и А1203 установлена линейная зависимость толщины в широком интервале составов, для композиций Y203—хемостимулятор — во всем интервале составов.

2. Ga203 приводит к усилению спекаемости хемостимуляторов и отклонениям от линейной зависимости толщины слоя, формируемого оксидированием GaAs, от состава композиции хемостимулятор-инертный оксид.

3. Воздействие А1?03 на хемостимуляторы термического окисления GaAs обусловливает интенсификацию их собственных превращений, ускоряющих (Sb204 —» Sb203; Bi203 —> BiO) или тормозящих (MnO —> Mn02 —> —> Mn203 —> Mn304; Mn02 —> Mn203 —> Mn304) рост оксидных слоев.

4. Дозированное введение хемостимуляторов из композиций с У203 в процессе формирования слоев на GaAs обеспечивает усиление их газового отклика по сравнению с собственным оксидом до 40 %.

Публикации

Основное содержание работы отражено в 7 статьях, 13 тезисах и материалах научных конференций.

Апробация работы

Результаты исследований были представлены на следующих международных и всероссийских конференциях: III (2003) и VII (2007) Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск); V Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2004); Юбилейной X Международной конференции по физике и технологии тонких пленок МКФТТП-Х (Ивано-Франковск, 2005); III Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» «ФАГРАН-2006» (Воронеж, 2006); международной конференции «Structural Chemistry of Partially Ordered System, Nanoparticles and Nanocomposites» (Санкт-Петербург, 2006); VI школе молодых ученых «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Москва, 2006); международной конференции «Научные чтения, посвященные 75-летию со дня рождения члена-корреспондента АН СССР М. В. Мохосоева» (Улан-Удэ, 2007); международной конференции Nanoworld «Geometry, Information and Theoretical Crystallography of the Nanoworld» (Санкт-Петербург, 2007); международной конференции ICFM'2007 «Функциональные материалы» (Крым, 2007); Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)» (Воронеж, 2007). XV международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2008» (Москва 2008 г.)

Структура и объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, основных выводов, списка литературы, 3 приложений. Изложена на 191 странице машинописного текста, включая 13 таблиц, 30 рисунков и список литературы, содержащий 109 наименований.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Пенской, Петр Константинович

выводы

1. Оксидированием GaAs под воздействием композиций хемостимуляторов (Sb203, Bi203, MnO, Mn02) с химически инертными по отношению к ним и к окисляемому полупроводнику оксидами (Ga203, А1203, У203) установлено линейное изменение толщины формируемого оксидного слоя от состава композиций. Протяженность линейного интервала этой зависимости определяется физико-химической природой обоих оксидов, составляющих композицию.

2. Y203 является оксидом, действительно полностью инертным как по отношению ко всем рассмотренным хемостимуляторам, так и к окисляемому полупроводнику (отсутствие следов иттрия в оксидных слоях на поверхности GaAs, JIPCMA и ИКС). Аддитивное изменение толщины слоя на GaAs, обнаруженное на протяжении всего интервала составов композиций хемостимулятор-У203, обусловлено отсутствием химических взаимодействий в них (РФА), и обосновано неизменностью относительного содержания компонентов-хемостимуляторов в сформированных слоях по сравнению с исходными оксидными композициями для всех их составов (JIPCMA) и практическим постоянством удельной поверхности используемых композиций на протяжении всего процесса окисления GaAs (БЭТ).

3. Для собственных оксидных слоев на GaAs в интервале температур 20-400 оС установлен газовый отклик (Sgmax =1,10 усл. ед.) в атмосфере этанола. Введение хемостимулятора в растущий оксидный слой приводит к увеличению газового отклика на 20-40 % (для образцов окисленных под воздействием композиций Sb203-Y203 Sg max = 1,32 усл. ед.; для - Bi203-Y203 Sg max =1,18 усл. ед.; для - Mn02-Y203 Sg max = 1,40 усл. ед.).

4. Под воздействием композиций хемостимуляторов Sb203 и Bi203 с Ga203 в процессе окисления GaAs вблизи ординаты хемостимулятора нарушается линейная зависимость изменения толщины оксидного слоя от состава композиций. При окислении GaAs оксидами марганца (II) и (IV) в композициях с Ga2C>3 область нелинейности растянута по оси составов, что связано с разнообразием промежуточных степеней окисления хемостимуляторов. Для всех исследованных систем добавление оксида галлия интенсифицирует спекание оксидов-хемостимуляторов, обусловливая снижение удельной поверхности композиций при используемых режимах окисления в 1,7-6 раз (БЭТ). Этот процесс негативно влияет на динамику испарения, в результате чего относительное содержание хемостимуляторов в выращенных слоях снижается по сравнению с исходными композициями (JIPCMA), и при их воздействии на окисление GaAs имеет место отрицательное отклонение от аддитивности.

5. В присутствии А1203, инертного по отношению к окисляемому полупроводнику (отсутствие следов алюминия в оксидных слоях на поверхности GaAs, JIPCMA и ИКС), для Sb203 и Bi203 усиливается их хемостимулирующее действие на оксидирование GaAs и соответственно относительное содержание хемостимуляторов в выращенных слоях (JIPCMA) повышено по сравнению с исходными композициями. Методами РФА и дериватографии показано, что А12Оз тормозит переход Sb203 в малоактивный Sb204 и способствует частичному превращению Bi2C>3 в более летучую фазу BiO. Ослабление же эффективности воздействия оксидов марганца (II) и (IV) происходит за счет интенсификации их превращений (РФА в сочетании с термогравиметрией) в малоактивный по отношению к окислению GaAs оксид Мп304, что коррелирует с пониженным относительным содержанием марганца в оксидных слоях (ЛРСМА). Для композиций А120з—MnO в области отрицательного отклонения от аддитивности хемостимулирующее действие MnO ослаблено и процессом спекания, обеспечивающим снижение удельной поверхности композиций при используемых параметрах окисления в 3 раза (БЭТ).

6. Обнаруженные отклонения от аддитивности для окисления GaAs под воздействием Sb203, МпО и Мп02 в присутствии А1203 усиливаются с ростом времени процесса из-за влияния оксида алюминия на характер собственных химических превращений хемостимуляторов (РФА, дериватография). Для композиций Са203-хемостимулятор в области нелинейности развитие отрицательного отклонения практически отсутствует, что обусловлено спецификой процесса спекания и соответственно снижением хемостимулирующей активности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Пенской, Петр Константинович, 2009 год

1. Арсенид галлия в микроэлектронике: Пер. с англ. с сокращ. и доп. / Под. ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. — М.: Мир. — 1988. — 555 с.

2. Jackson К.А. Handbook of semiconductor technology / К. A. Jackson, W. Schroter // Wiley-VCH, Weinheim. — 2000. XXIV — 1532 S.

3. Takagi H. Thermal oxidation of GaAs in arsenic trioxide vapor / H. Takagi, G. Kano, J. Teramoto // J. Electrochem. Soc. — 1978. — Vol. 125, №4. —P. 579—581.

4. Окисление GaAs со слоем PbS на его поверхности / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, В. Н. Семёнов // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. — 1987. Т. 23, № 5. — С. 717—720.

5. Термическое окисление GaAs при введении оксида свинца в газовую фазу / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семенов // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Материалы. — 1989. Т. 25, № 6. — С. 908—911.

6. Получение диэлектрических слоев на GaAs в присутствии Sb203 в газовой фазе / И. Я. Миттова, В. В. Васильева, В. Н. Семенов // Изв. АН СССР Сер. Неорг. Материалы. — 1988. — Т. 24, № 4. — С. 539—541.

7. Оксидные диэлектрические слои на GaAs, выращенные в присутствии Bi203 / И. Я. Миттова, В. В. Васильева, В. А. Терехов // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Материалы. — 1988. — Т. 24, № 12. — С. 1941—1944.

8. Знакопеременная нелинейность совместного воздействия бинарных композиций оксидов /7-элементов при хемостимулированном термическом окислении GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик,

9. B. Ф. Кострюков // Докл. РАН. — 2001. — Т. 378, № 6. — С. 775—777.

10. Неаддитивное влияние оксидов в композициях СгОз—РЬО и СгОз—V205 как активаторов термического окисления арсенида галлия / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, О. А. Пиняева, В. Ф. Кострюков,

11. C. М. Скороходова // Докл. РАН. — 2002. — Т. 385, № 5. — С. 634—537.

12. Торохов Н.А. Формирование структуры собственного оксида на поверхности «-GaAs при естественном окислении на воздухе / Н. А. Торохов//ФТП. — 2003. — Т. 37, № 10. — С. 53—61.

13. Применение собственного оксида арсенида галлия для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs / Н. Г. Лежава, А. П. Бибилашвили, А.Б.Герасимов // Письма в ЖТФ. — 2005. — Т. 31, Вып. 2. — С. 63—66.

14. Наноразмерные слои GaAs, полученные при импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава / И. Е. Марончук, А. И. Марончук, А. В. Шорохов // Письма в ЖТФ. — 1997. — Т. 23, Вып. 17. —С. 82—86.

15. Mummoea И. Я. Примесное термооксидирование кремния и арсенида галлия. Дис. . докт. хим. Наук. Москва. ИОНХ им. Н. С. Курнакова. — 1988. — 455 с.

16. Huong-Pham V. Structure and chemical bonding at the interfaces GaAs/Sl and GaAs/Ge / V. Huong-Pham, A. Leycuras // Thin Solid Films. — 1990. —Vol. 184. —P. 423—428.

17. Formation of the Ga/GaAs (110) interface / D. Mao, K. Young, K. Stiles // J. Vac. Sci. and Technol. A. — 1989. — Vol. 7, № 3, Pt 1. — P. 744—748.

18. Crystaliographic relationship between GaAs, As and GaO at the GaAs-thermal oxide interface / F. Sands, J. Washburn, R. Grensky // Mater. Lett. — 1985. — Vol. 3, № 5—6. — P. 247—250.

19. Thermal oxidation of GaAs in arsenic trioxide vapor / H. Takagi, G. Kano, J. Teramoto // J. Electrochem. Soc. — 1978. — Vol. 125, № 4. — P. 579—581.

20. Thermal oxide gate MOSFET'S / H. Takagi, G. Kano, J. Teramoto // IEEE Trans Electron Devices. — 1978. — Vol. 25, № 5. — P.551—552.

21. Takagi H. A new technique for growth of thermal oxide films on GaAs / H. Takagi, G. Kano, J. Teramoto I I Surf. Sci. — 1979. — Vol. 88. — P. 264—271.

22. An X-ray photoelectron spectroscopy study of native oxides on GaAs / G. P. Schwarts, G. J. Gualtieri, G. W. Kammlott, B. Schwartz // J. Electrochem. Soc.— 1979.—Vol. 135.—P. 547—553.

23. Кожитов Л.В. Окисление арсенида галлия в реакторе пониженного давления / Л. В. Кожитов, В. В. Овчинников // Материалы 8 Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом» — Минск.1982. —Ч. 3, —С.149—151.

24. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузии и электропроводности в простых окислах металлов / П. Кофстад //. — М.: Мир. — 1975.—396 с.

25. Миттова И. Я. Термическое окисление GaAs в кислороде / И. Я. Миттова, Н. И. Пономарева // Физико-химия гетерогенных систем: Сб. научн. тр. — Воронеж. — 1984. — С. 27—31.

26. Миттова И.Я. Каталитическое влияние оксида ванадия (V) на термическое окисление GaAs и InP / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик // ДАН СССР. — 1991. —Т. 318, № 1. —С. 139—143.

27. Миттова И.Я. Химия процессов целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при примесном термооксидировании / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик // Успехи химии. — 1991. — Т. 60, вып. 9. — С. 1898—1919.

28. Термическое окисление кремния в присутствии окиси сурьмы / И. Я. Миттова, И. К. Маршаков, В. 3. Анохин, С. С. Лаврушина, В. Л. Гордин, Я. А. Угай // Журн. физической химии. — 1976. — Т. 12.1. С. 3094—3096.

29. Термооксидирование структур GaAs/Bi203 в кислороде / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семенов // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. — 1990. — Т. 26, № 10. — С. 2013—2016.

30. Казенас Е.К. Давление и состав пара над окислами химических элементов. / Е. К. Казенас, Д. М. Чижиков // М.: Наука. — 1976. — 342 с.

31. Третьяков Ю.Д. Введение в химию твердофазных материалов / Ю. Д. Третьяков, В. И. Путляев // М.: Изд-во МГУ. — 2006. — 400 с.

32. Химия твердого тела / А. В. Кнотько, И. А. Пресняков, Ю. Д. Третьяков // М.: Академия. — 2006. — 304 с.

33. Совместное воздействие оксидов сурьмы и висмута на процесс термооксидирования GaAs в кислороде. / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Журн. неорган, химии. — 1997. — Т. 42, № 2. — С. 233—237.

34. Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Воронеж:

35. Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета. — 2008. — 161 с.

36. Пространственная локализация взаимодействий между соединениями-активаторами при хемостимулированном термооксидировании GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик,

37. B.Ф. Костркжов, И.А.Донкарева // Докл. РАН. — 2002. — Т. 386, №4. —1. C. 499—501.

38. Термическое окисление GaAs с участием оксидов-активаторов (МпО + РЬО и МпО + V205) при их пространственном разделении /

39. B. Ф. Кострюков, В. Р. Пшестанчик, Б. JI. Агапов, С. И. Лопатин, И. Я. Миттова // Журн. неорган, химии. — 2008. — Т. 53, № 8. —1. C. 1273—1277.

40. Казенас Е.К. Испарение оксидов / Е. К. Казенас, Ю. В. Цветков // М.: Наука. — 1997. — 543 с.

41. Adachi S. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP / S. Adachi // Wiley-Interscience. — 1992. —336 p.

42. Scheel J. H. Crystal Growth Technology / Hans J. Scheel, Tsuguo Fukuda // Wiley. — 2004. — 694 p.

43. Термическое окисление GaAs, имплантированное ионами сурьмы, фосфора и бора / И. Я. Миттова, Г. В. Борзакова, Н. М. Медведев // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. — 1989. — Т. 25, №6. — С. 312—916.

44. Orita М. Preparation of highly conductive, deep ultraviolet transparent (3-Ga203 thin film at low deposition temperatures / Masahiro Orita, Hidenori

45. Hiramatsu, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, Hideo Hosono // Thin Solid Films. —2002. —Vol. 411,№ 1. —P. 134—139

46. Structural, energetic, electronic, bonding, and vibrational properties of Ga30, Ga302, Ga303, Ga203, and Ga03 clusters / S. Gowtham, Mrinalini Deshpande, Aurora Costales, Ravindra Pandey // J. Phys. Chem. B. — 2005. — 109 (31). —P. 14836—14844.

47. Несмеянов A. H. Давление пара химических элементов /

48. A. Н. Несмеянов // М., Изд-во АН СССР. — 1961. — 416 с.

49. Lippens B.C. Physical and chemical aspects of adsorbents and catalyst / B. G. Linsens, J. J. Steggerda // Acad fress. — London. — 1970. — №4.— P. 190—232.

50. Stumpf H. C. Thermal transformations of aluminas and hydrates / H. C. Stumpf, R. R. Allen // Ind. End. Chem. — 1953. — Vol. 45, № 4. — P. 819—820.

51. Nobe K. Pore-size distributions of copper oxide-alumina catalysts / K.Nobe, M.Hamidy, Ch. Chu // J. Chem. Eng. Data. — 1971. — 16 (3). — P. 327—331.

52. Фазовый состав и дисперсность окиси алюминия /

53. B. Н. Куклин, JI. М. Плясова, Л. М. Кафели, Э. А. Левицкий // Кинетика и катализ. — 1997. — Т. 12. — С. 1078—1079.

54. Young L. Anodic oxide films / L. Young // N. Y. Academic press, 1971. — P. 332—338.

55. Кросс А. Введение в практическую инфракрасную спектроскопию /

56. A. Кросс //М.: Мир. — 1961. —- 275с.

57. Накомото К. ИК-спектры неорганических и координационных соединений / К. Накомото // М.: Мир. — 1991. — 536 с.

58. Смит А. Прикладная ИК-спектроскопия: Пер. с анаг. — М.: МИР. — 1982. — 328 С.

59. Паукшртис Е.А. Инфакрасная спектроскопия в гетерогенном кислотно-основном катализе / Е. А. Паукшртис // Новосибирск: Наука. — 1992. —254 с.

60. Релаксация оптических возбуждений в кристаллах системы Y2O3-А12Оз в радиационными эффектами / М. А. Муссаева, А. А. Гафаров, Э. М. Ибрагимова // Письма в ЖТФ. — 2003. — Т. 29, вып. 5. — С. 98—103

61. Люминесценция оксида иттрия / В. В. Осипов, А. В. Расулева,

62. B. И. Соломонов // ЖТФ. — 2008. — Т. 78, вып. 11. — С. 140—143.

63. Химические свойства неорганических веществ / Р. А. Лидин, В. А. Молочко, Л. Л. Андреева // М.: Химия. — 2000. — 488 с.

64. Рабинович В. А. Краткий химический справочник / В. А. Рабинович, 3. Я. Хавин // М: Химия. — 1978. — 392 с.

65. Кубашевский О. Термохимия в металлургии / О. Кубашевский, Э. Эванс // ИЛ. — 1954. — 252 с.

66. VUV Reflection Spectra and Electron Structure of Bi203 / A. A. Agasiev, A. M. Mamedov, Ya. Yu. Guseinov, V. E. Bagiev // Phys. Stat. Sol. (B). — 1988. — Vol. 149, № 2. — P. 191—195.

67. Harwing H.A. Polymorphism of ВьОз / H.A. Harwing, Z. Anorg // Allg. Chem. — 1978. — Vol. 444, № 2. — P. 151—158.

68. Kauffman A. Thermodynamik of ВьОз / A. Kauffman, E. Don Dilling. // Econom. Geol. — 1950. Vol. 45. — P. 222—231.

69. Аномалии физических свойств ar-формы оксида висмута. / В. Г. Орлов, А. А. Буш, С. А. Иванов, В. В. Журов // Физика твердого тела. — 1997. Т. 39. — С. 865—870.

70. Казенас Е. К. Термодинамика испарения двойных оксидов / Е. К. Казенас // Наука. — 2004. — 552 с.

71. Не G. Reception Mn02. / G. Не // Acta sci. natur. Univ. norm, hunanensis. — 1989. — Vol. 12, № 1. — P. 54—59.

72. Нелинейный эффект совместного воздействия активаторов на процесс термооксидирования GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Докл. РАН. — 1996. — Т. 349, №5. — С. 641—643.

73. Алъмяшев В. И. Термические методы анализа / В. И. Альмяшев, В. В. Гусаров // СПбГЭТУ (ЛЭТИ). — СПб. — 1999. — 40 с.

74. Уэндландт У. Термические методы анализа / У. Уэндландт // М.: Мир. — 1978. —528 с.

75. Квазиравновесная термогравиметрия в современной неорганической химии / В. А. Логвиненко, Ф. Паулик, И. Паулик // Новосибирск: Наука. — 1989. — 111 с.

76. Бублик В. Т. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. / В. Т. Бублик, А. Н. Дубровина // М.: Металлургия. — 1978. — 271 с.

77. X-ray diffraction date cards, ASTM.

78. Михеев В. И. Рентгенометрический определитель минералов / В. И. Михеев // М., Госгеолиздат. — 1957. — 868 с.

79. Миркин Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л. И.Миркин // М., Физматгиз. — 1961. — 864 с.

80. Исаев Р.Н. Масс-спектрометрия и ее применение / Р. Н. Исаев // Барнаул: Алтайс. гос. ун-т. — 1990. — 74 с.

81. Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии / Ю. А. Пентин, Л. В. Вилков // М.: Мир. — 2003. — 683 с.

82. Физические методы исследования неорганических веществ / Т. Г. Баличева и др.; под ред. А. Б. Никольского. — М.: Academia. — 2006. — 442 с.

83. Грег С. Адсорбция, удельная поверхность, пористость / С. Грег, К. Синг // Пер. с англ. 2-е изд. — М.: Мир. — 1984.— 306 с.

84. Adsorption of Gases in Multimolecular Layers / Stephen Brunauer, P. H. Emmett, Edward Teller // J. Am. Chem. Soc. — 1938. — 60 (2). — P. 309—319

85. Пивинский Ю.Е. Теоретические аспекты технологии керамики и огнеупоров / Ю. Е. Пивинский II СПб. — 2003. — Т. 1. — 541 с.

86. Порошковая металлургия. Спечённые и композиционные материалы / Под ред. В. Шатта // Пер. с нем. М., «Металлургия». — 1983. — 520 с.

87. Гегузин Я. Е. Физика спекания / Я. Е. Гегузин // М.: Наука. — 1984.311 с.

88. Чеботин В. Н. Физическая химия твердого тела / В. Н.Чеботин // М.: Химия. — 1982. — 320 с.

89. Кингери У. Д. Введение в керамику / У. Д. Кингери // М.: Стройиздат. — 1967. — 499 с.

90. Керамические материалы / Г. И. Масленникова, Р. А. Мамаладзе, С. Мидзута, К. М. Коумото // Стройиздат. — 1991. — 320 с.

91. Кольцов С.И. Эллипсометрический метод исследования поверхности твердых веществ / С. И. Кольцов, В. К. Громов, Р. Р. Рачковский // Л. — 1983. — 248 с.

92. Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике / Р. Р. Резвый // М.: Радио и связь. — 1983. — 120 с.

93. Послойный анализ материалов электронной техники / И. Р. Шелпакова, И. Г. Юделевич, Б. М. Аюпов — Новосибирск: Наука.1984. — 182 с.

94. A.А. Соловьянова; под ред. О.А. Реутова. — М.: Мир. — 1981. — 456 с.

95. Нахмансон Н.С. Диагностика состава материалов рентгенодифракционными и спектральными методами / Н. С. Нахмансон,

96. B. Г. Фекличев. — Л.: Машиностроение. Ленингр. Отд-ие. — 1990. — 357 с.

97. Колебательные спектры неорганических соединений / Э. Н. Юрченко, Г. Н. Кустова, С. С. Бацанов; под. ред. Э. Н. Юрченко. — АН СССР. СО. Ин-т катализа. — Новосибирск: Наука. — 1981. — 145 с.

98. Физические основы рентгеноспектрального микороанализа — http://lab.bmstu.ru/rem/Parts3/Partsl/index.htm

99. Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: В 2-х книгах / Дж. Гоулдстейн // Пер. с англ. — М. Мир. — 1984. — 348 с.

100. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Под ред. А. А. Самсонова. — М.: Наука. —- 1978. — 390 с.

101. Инстукция к использованию. ЦИУС-4, МИИ-4. — Л.: ЛОМО.1978. — 23 с.

102. Моррисон С.Р. Химическая физика поверхности твердого тела / С. Р. Моррисон // — М.: Мир. — 1982. — 583 с.

103. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К. Хауффе // — М.: Иностранная литература. — 1963. — 456 с.

104. Волъкенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф. Ф. Волькенштейн // М.: Наука.1987. — 432 с.

105. Волъкенштейн Ф.Ф. Физика-химия поверхности полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн // М.: Наука. — 1973. — 400 с.

106. Полупроводниковые сенсоры в физикохимических исследованиях / И. А. Мясников, В. Я. Сухарев, JL Ю. Куприянов,

107. C. А. Завьялов. — М.: Наука. — 1991. — 327 с.

108. The NBS Tables of Chemical of Chemical Thermodynamic Properties /

109. D. D. Wagman, W. H. Evans, V. B. Parker, R. H. Schumm, I. Halow, S. M. Bailey, K. L. Churney, R. L. Nuttall // J. Phys. Chem. Ref. Data. — Vol. 11, Suppl. 2, 1982.—394 p.

110. Диаграммы состояния тугоплавких оксидов. Справочник. Под ред. Ф. Я. Галахова. Л.: Наука. — В. 5, Ч. 1—2. 1986.

111. Газовая чувствительность границ раздела полупроводниковых материалах / Р. Б. Васильев, Л. И. Рябова, В. Т. Гаськов // Журн. Сенсор. — 2005. — Т. 1, Вып. 1. — С. 21—50.

112. Аналитическая химия сурьмы (серия «Аналитическая химия элементов») А. А. Немодрук. М.: Наука. — 1978. — 223 с.