Влияние комбинированного возбуждения на фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Мельник, Вячеслав Александрович

• Мельник, Вячеслав Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мельник, Вячеслав Александрович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ, СОЗДАВАЕМЫЕ НЕКОТОРЫМИ ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ПОДГРУППЫ ЖЕЛЕЗА В

СОЕДИНЕНИЯХ AUIBV

1.1 Примесные состояния меди в фосфиде чиндия

1.2 Примесные состояния железа и хрома в фосфиде индия

1.3 Примесные состояния, создаваемые медью в арсениде и фосфиде галлия

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1 Методика подготовки образцов InP:Cu для исследования

2.2 Регистрация фотопроводимости при комбинированном возбуждении

2.3 Обработка экспериментальных данных

ГЛАВА 3 АВТОМАТИЗАЦИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ

3.1 Необходимость, цели и объекты автоматизации инфракрасного спектрометра ИКС

3.2 Создание блоков коммутации между компьютером и установкой

3.3 Разработка программного обеспечения

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ФОСФИДА ИНДИЯ, КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ, ПРИ

КОМБИНИРОВАННОМ ВОЗБУЖДЕНИИ

4.1 Фотопроводимость 1пР:Си при энергиях квантов вблизи фундаментальных переходов

4.2 Фотопроводимость 1пР:Си при энергиях квантов излучения, вызывающих возбуждения примесных центров

4.3 Влияние дополнительного излучения в области низких энергий квантов на собственную фотопроводимость InP:Cu

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВНУТРИЦЕНТРОВОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ ПРИМЕСИ МЕДИ В ФОСФИДЕ ИНДИЯ

5.1 Спектр фотопроводимости InP:Cu в длинноволновой области

5.2 Влияние температуры на примесную фотопроводимость InP:Cu в области низких энергий квантов

5.3 Фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью, в длинноволновой области при комбинированном возбуждении

5.4 Исследование релаксаций фотопроводимости фосфида индия, компенсированного медью

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние комбинированного возбуждения на фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью»

Актуальность темы. Фосфид индия (InP) - полупроводниковое соединение, которое находит широкое применение в изделиях оптоэлектронной техники и получает все большее распространение. Этот полупроводниковый материал наиболее эффективно может быть использован в качестве приемников излучения, но применяется и для более сложных устройств. Фосфид индия используется для детекторов рентгеновского излучения [1], активных элементов в объемной голографии [2], инжекциопных лазеров для передачи больших объемов информации (до 10 Гб/с) на расстояния более 100 км, светодиодов, генераторов СВЧ техники и транзисторов. На основе InP можно изготовить источник одиночных фотонов, которые испускает квантовая точка; такой источник может найти применение в системах квантовой коммуникации [3]. Развитие наноразмерной технологии так же не обошло стороной и фосфид индия, на основе которого создают нанокристаллы и нанокластеры, имеющие улучшенные характеристики [4].

Присутствие в кристаллах полупроводников и полупроводниковых соединений (в том числе и в фосфиде индия) примесных атомов может значительным образом повлиять на свойства материала. Особое место здесь занимает медь, входящая в ряд переходных элементов. Её особенностью является то, что в образовании химических связей могут принимать участие электроны с внутренних Зс1-оболочек. Введение меди в полупроводниковые соединения АШВУ способствует появлению в кристалле глубоких центров, которые приводят к проявлению фотоочувствляющих свойств. Выполненные в последнее время исследования методами фотопроводимости позволили создать модельные представления об амфотерности и бистабильности состояний меди в фосфидах галлия и индия. Примесь может изменять свою координацию, находясь в одном и том же зарядовом состоянии.

Несмотря на длительное изучение и большой объем экспериментальных данных по влиянию меди на фотоэлектрические свойства фосфида индия, объяснения поведения этой примеси зачастую противоречивы. Проведение дополнительных исследований просто необходимо для устранения существующих разногласий.

Работа выполнялась в соответствии с планом Госбюджетной работы

3 5 2 6

2004.34 "Исследование полупроводниковых материалов (Si, А В , А В ), приборов на их основе и технологии их изготовления" государственный регистрационный номер №01200412882.

Цель и задачи исследования состоят в изучении природы примесных центров в фосфиде индия, компенсированном медью, их влияния на фотоэлектрические свойства при воздействии комбинированного излучения в условиях различной температуры.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

- обеспечить проведение измерений спектров фотопроводимости в собственной и примесной области при условии постоянства светового потока в автоматическом режиме с помощью компьютера;

- выполнить экспериментальные исследования спектров гашения и сенсибилизации фотопроводимости при воздействии дополнительного излучения с энергией квантов, превышающей ширину запрещенной зоны, при различных температурах;

- исследовать спектры гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости InP:Cu при воздействии примесного излучения при различных температурах;

- изучить примесную фотопроводимость InP:Cu в длинноволновой области спектра для обнаружения внутрицентрового перехода, аналогичного в GaP:Cu;

- исследовать особенности кинетик релаксации фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью, в условиях комбинированного излучения для установления особенности участвующих процессов.

Методы исследования. Чтобы решить поставленные задачи, использовались следующие методы изучения фотоэлектрических свойств фосфида индия, компенсированного медью:

- модуляционный метод измерения фотопроводимости при различной температуре; комбинированный модуляционный метод измерения фотопроводимости при различных температурах; модуляционный метод измерения кинетик релаксации фотопроводимости при различных температурах; комбинированный стационарный метод измерения кинетик релаксации фотопроводимости при различной температуре;

- метод сдвига фазы между модулируемым возбуждающим световым пучком и фотопроводимостью.

Научная новизна заключается в том, что в работе впервые: в InP:Cu обнаружена куполообразная полоса примесной фотопроводимости с максимумом при 0,34 эВ. Экспериментально показано, что её форма и максимум пе зависят от интенсивности излучения, напряженности электрического поля и температуры. Происхождение полосы объясняется внутрицентровым возбуждением примеси меди;

- путем аппроксимации форм-функцией Пекара рассчитаны параметры внутрицентрового перехода: энергия, составляющая 0,31 эВ, и константа электрон-фононного взаимодействия, равная 1; из полученной температурной зависимости максимума фотопроводимости при внутрицентровом возбуждении найдена термическая энергия активации, равная 0,41 эВ, что наряду с температурной зависимостью темновой проводимости (0,45 эВ) подтверждает автокомпенсацию легированного медью материала;

- в коротковолновой части спектра примесной ФП InP:Cu обнаружен «обратный фотопозисторный» эффект с температурой 357 К, имеющий при энергии излучения 0,65 эВ термические энергии активации 0,22 и 0,15 эВ, что предположительно связывается с двумя примесными состояниями меди;

- релаксационные процессы, обусловленные примесью меди, имеют сложную зависимость от энергии квантов, их длительность меняется на три порядка от -0,1 до -100 мс;

- наблюдаемые эффекты гашения, очувствления и длительные кинетики релаксации ФП в InP:Cu возникают из-за пространственного распределения различных зарядовых состояний примеси (образованного областью поверхностного потенциала) и различной глубиной проникновения квантов света, вызывающих межзонные переходы.

Практическая значимость проведенных исследований

1. Обнаруженное внутрицентровое возбуждения меди в InP, позволяет расширить спектральный диапазон фоточувствительности к излучению до -4,5 мкм, что можно использовать при разработке резисторных оптопар длинноволнового диапазона;

2. Найденные эффекты при комбинированном излучении (переход положительной фотопроводимости в отрицательную) позволяют изменять функциональные характеристики приемников оптического излучения дополнительным оптическим воздействием.

3. Существование температурной точки перехода от роста фотопроводимости к её уменьшению («обратный фотопозисторный» эффект) может быть использовано в системах термостабилизации оптронного типа.

4. На основе наблюдаемых больших времен релаксации (достигающих -0,5 с при Т=300 К и нескольких сотен секунд при охлаждении) в InP:Cu возможна разработка материалов с большим коэффициентом фотоусиления.

5. Выполнена модернизация инфракрасного спектрометра ИКС-21, обеспечивающая проведение измерений спектров фотопроводимости в собственной и примесной области в автоматическом режиме при постоянстве светового потока, что позволяет уменьшить трудоемкость и влияние человеческого фактора на результаты эксперимента при исследовании фотоэлектрических свойств полупроводников.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Обнаруженная куполообразная полоса фотопроводимости в длинноволновой части спектра InP:Cu с порогом 0,26 эВ и максимумом 0,34 эВ обусловлена внутрицентровым возбуждением примеси меди. Медь обладает бистабильностью и ее переход из устойчивого состояния в неравновесное приводит к увеличению времени жизни дырок.

2. Энергин термической активации максимума фотопроводимости при hv=0,34 эВ и темновой проводимости, связаны с автокомпенсацией легированного медью InP.

3. Постоянная времени переходных процессов фотопроводимости при комнатной температуре в длинноволновой части спектра (при энергии излучения 0,34 эВ) составляет величину на три порядка меньшую, чем в коротковолновой части, что подтверждает протекание резонансного фотовозбужденпя через метастабильный центр меди А+.

4. Эффекты гашения и сенсибилизации фотопроводимости в InP:Cu, проявляющиеся в результате дополнительного излучения, возникают из-за появления квазиравновесных состоянии меди, образующихся при дополнительном фотовозбуждении носителей в объеме образца или в области пространственного потенциала, а также распределения центров меди в объеме и ОПЗ InP.

Достоверность полученных результатов определяется построением физических моделей с учетом основных явлений, определяющих свойства объектов или процессов, неоднократной экспериментальной проверкой результатов измерений, основная часть которых получена с использованием автоматизированного управляемого компьютером спектрально-вычислительного комплекса. При измерениях использовались апробированные методики, аттестованное и поверенное лабораторное оборудование. Параметры экспериментальных зависимостей определялись с помощью минимизации ошибок с использованием современных программных средств. Часть из полученных результатов согласуется с выводами и результатами других авторов.

Апробация работы. Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной научно-практической конференции «Образовательные, научные и инженерные приложения в среде LabView и технологии National Instruments» (Москва 2006 г.); Международной научной конференции, посвященной 15-летнему юбилею Международного института компьютерных технологий (Воронеж 2007 г.) (дважды); VII Международной научной конференции «Химия твёрдого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск 2007 г.); Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твёрдого тела» (Минск 2007 г.); Всероссийской научно-практической конференции курсантов, слушателей, адъюнктов и соискателей «Актуальные вопросы эксплуатации систем охраны и защищенных телекоммуникационных систем» (Воронеж 2008 г); X Международной конференции "Опто-, наноэлектроннка, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск 2008г).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 работ, в том числе: 6 статей (3 в изданиях рекомендованных ВАК РФ) и 6 тезисов докладов.

Личный вклад автора. Автору принадлежит изготовление аппаратно-программного комплекса, получение экспериментальных результатов исследований, их обработка при помощи средств вычислительной техники, участие в конференциях и подготовка научных публикаций.

Консультирование по возникающим методическим и технологическим вопросам, а так же по вопросам обсуждения модели примесных состояний меди осуществлял научный консультант доктор физико-математических наук, профессор Прибылов Н.Н.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 127 страниц текста, включая 49 рисунков, 5 таблиц и библиографию из 115 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Мельник, Вячеслав Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Проведенные измерения по влиянию интенсивности излучения, напряженности электрического поля, и температуры на спектр ФП с максимумом при 0,34 эВ в InP:Cu показывают, что куполообразная полоса принадлежит внутрицентровому возбуждению примеси меди. Аппроксимация полосы форм-функцией Пекара, описывающей внутрицентровые переходы, определила энергию внутрицентрового возбуждения (Ео=0,31 эВ) и константу электрон-фопонного взаимодействия (S=l).

2. Энергии термические активации ФП при hv=0,34 эВ и темновой проводимости образца InP:Cu, равные 0,41 и 0,45 эВ соответственно, близки полусумме энергий уровней А и В, что подтверждает автокомпенсацию InP медью: нейтральные состояния меди энергетически не выгодны и в равновесии происходит их перезарядка по схеме 2А°—А" + В+.

3. Внутрицентровое возбуждение осуществляется в результате реконструкции центра В+ в А+ под действием излучения, после чего дырка термически переходит в валентную зону. Малая (отличающаяся на три порядка) величина постоянной времени релаксации при ^"=0,34 эВ, по сравнению с коротковолновой частью спектра (hv=0,65 эВ), подтверждает протекание резонансного фотовозбуждения через метастабильный центр меди А+.

4. Коротковолновая часть спектра примесной фотопроводимости InP:Cu является следствием нескольких процессов. Эффект гашения с порогом -0,3 эВ и образование «отрицательной» фотопроводимости под действием собственного излучения связан с возбуждением дырок в валентную зону. Энергии термической активации «обратного фотопозпсторного эффекта» с температурой 357 К, равные 0,15 эВ и 0,22 эВ могут ассоциироваться с половинной величиной энергии состояния А0 и полусуммарным значением энергий центров А0 и А+.

5. Эффект гашения фотопроводимости в области фундаментальных переходов квантами света с энергиями, превышающими ширину запрещенной зоны, происходит из-за различного темпа генерации неравновесных носителей по глубине образца собственным светом, а также степенью влияния процессов поверхностной и объемной рекомбинации. Гашение собственной фотопроводимости под действием дополнительной подсветки примесным излучением вызвано генерацией дырок в валентную зону с центров А0 и В+.

6. Эффекты сенсибилизации примесной ФП квантами света с энергиями, большими ширины запрещенной зоны, а также сенсибилизации собственной ФП (при малых уровнях возбуждения) квантами, соответствующими примесному излучению, обусловлены перезарядкой уровней меди, что приводит к возбуждению электронов с центров А" и В0 в зону проводимости. Зависимость возникающих эффектов от энергии собственного света возникает вследствие пространственного распределения центров меди у поверхности, создаваемого изгибом зон. Охлаждение образцов приводит к увеличению времени жизни центров В0, что вызывает более существенную сенсибилизацию ФП подсветкой.

7. Из экспериментально полученных кинетик фотопроводимости следует, что на основе фосфида индия, компенсированного медью, существует возможность изготовления материала с постоянной времени переходных процессов более 1 с при комнатной температуре.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мельник, Вячеслав Александрович, 2008 год

1. Zhdansky, К. 1.vestigation of semi-insulating InP co-doped with Ti and various acceptors for use in X-ray detection / K. Zdansky, L. Pekarek, V. Gorodynskyy, H. ICozak // Cryst. Res. Technol. - 2005. - V. 40. - No. 4/5, - P. 400-404.

2. Ding, Y. Bandwidth study of volume holography in photorefractive InP:Fe for femtosecond pulse readout at 1.5 mm / Y. Ding, D. D. Nolte, Z. Zheng, A. Kanan, A. M. Weiner, G. A. Brost // J. Opt. Soc. Am. B. 1998. - V. 15. -Number 11.-P. 2763-2768.

3. Вьюрков В. Одиночные фотоны с острия / В. Вьюрков // ПерсТ. -2005.-Т. 12,- №6. -С. 2.

4. Adam, M.S. Spectroscopic investigation of deposited InP nanocrystals and small Cu clusters : Dissertation FB Physic : defended 4 July 2004 / M.S. Adam. Hamburg.

5. Ковалевская, Г.Г. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства InP, легированного медью / Г.Г. Ковалевская, Э.Э. Клотыньш, Д.Н. Наследов, С.В. Слободчиков // ФТТ. 1966. - Т. 8. - № 8. - С. 2415-2419.

6. Ковалевская, Г.Г. Спектральная фоточувствительность InP п-типа / Г.Г. Ковалевская, Д.Н. Наследов, Н.В. Сиукаев, С.В. Слободчиков // ФТТ. -1966. Т. 8. - № 2. - С. 475-477.

7. Негрескул, В.В. Излучательная рекомбинация в легированных кристаллах фосфида индия / В.В. Негрескул, Е.В. Руссу, С.И. Радауцан, А.Г. Чебан // ФТП. 1975. - Т. 9. - №5. - С. 893-899.

8. Skolnick, M.S. Optical properties of copper-relatrd centres in InP / M.S. Skolnick, P.J. Dean, A.D. Pitt, Ch. Uihlein, H. Kraith, B. Deveaud, E.J. Foulkes // J. Phys. С : Sol. St. Phys. 1983. - V. 16. - P. 1967-1985.

9. Pal, D. Line shape, linewidth and configuration coordinate diagram of the Cu band (1.21 eV) in InP / D. Pal, D. N. Bose // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. -P. 5206.

10. Pal, D. Photoconductivity and Photoluminescence Studies in Copper Diffused InP / D. Pal, D.N. Bose // Journal of electronic materials. 1996. - V. 25, Number 5.-P. 677-684.

11. Lee, Jyh-Chwen. Quenching of band-edge photoluminescence in InP by Cu /, Jyh-Chwen Lee, A. G. Milnes, Т. E. Schlesinger // Phys. Rev. B. 1986. -V. 34. - No. 10 - P. 7385-7387.

12. Дахно, A.H. Влияние компенсации на проводимость по примесям в n-InP при промежуточном легировании / А.Н. Дахно, О.В. Емельяненко, Т.С. Лагунова, С.Г. Метревели // ФТП. 1976. - Т.10. -№4. С. 677-681.

13. Витовский, Н.А. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия со скоплениями акцепторов / Н.А. Витовский, Т.С. Лагунова, О. Рахомов // ФТП. -1984. Т. 18. - №9. - С. 1624-1627.

14. Кирсон, Я.Э. Компенсация доноров в фосфиде индия медью / Я.Э., Кирсон, Э.Э. Клотынын, Р.К. Круминя // ФТП. -1988. Т.22. - №3. - С. 565. -Деп.

15. Прибылов, Н.Н. Амфотерное поведение меди в фосфиде индия / Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, А.А. Сустретов // ФТП. 1994. - Т.28. - №3. -С. 467-471.

16. Захаров, Ю.В. Физико-химические аспекты технологии микро- и оптоэлектроники / Ю.В. Захаров, Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, А.Н. Рябцев, А.А. Сустретов //Межвуз. сб. науч. тр., 1991. Воронеж. - С. 103.

17. Kullendorff, N. Copper-related deep level defects in III-V Semiconductors / N. Kullendorff, L. Jansson, L.-A. Ledebo // J. Appl. Phys. — 1983. V. 59. -N 6. - P. 3203-3212.

18. Рябоконь, B.H. Теория акцепторов с глубокими уровнями в полупроводниках / В.Н. Рябоконь, К.К. Свидзинский // ФТТ. 1969. — № 11. -С. 585.

19. Рябоконь, В.Н. Акцепторные примеси замещения в полупроводниках В.Н. Рябоконь, К.К. Свидзинский // ФТП. 1971. - Т. 5. -№ 10.-С. 1865-1870.

20. Прибьтлов, Н.Н. Примесные состояния и диффузия переходных металлов в фосфидах галлия и индия : автореф. дне. . док. физ-мат. наук : защищена 16.05.2000 / Н.Н. Прибылов. Воронеж : Изд-во ВГТУ, 2000 - 30 с.

21. Leon, R. Semi-insulating behavior of Cu doped InP / R. Leon, M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, K.M. Yu, M. Chandramouli, E.R. Weber // Third International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 8-11 Apr. 1991.-P. 464-467.

22. Leon, R. P. Formation of semi-insulating InP through metallic Cu-rich precipitates / R. P. Leon, M. Kaminska, Kin Man Yu, E. R. Weber // Phys. Rev. B. -1992.-V.46.-P. 12460-12468.

23. Leon, R.P., Semi-insulating InP:Cu / R.P. Leon, M. Kaminska, Kin Man Yu, Z. Liliental-Weber, E. R. Weber // Materials Science Forum. 1992. - V. 83-87.-P. 723-728.

24. Stalnionis, A. Transient photoconductivity and photoluminescence in InP:Cu / A. Stalnionis, R. Adomavicius, A. Krotkus, S. Marcinlcevicius, R. Leon, C. Jagadish // Acta physica polonica A. 1996. - V. 90. - No.5. - P. 738 - 743.

25. Marcinkeviius, S. Carrier dynamics in InP with metallic precipitates / S. Marcinkeviius, A. Krotkus, R. Adomaviius, R. Leon, C. Jagadish // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69 - P. 3554.

26. Xie, К. Си and Ag diffused semi-insulating InP and GaAs / K. Xie, C.R. Wie // Fourth International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 21-24 Apr 1992. Newport. RI. USA-P. 526-529.

27. Xie, K. Semi-insulating properties and photoluminescence quenching in Cu-diffused InP / 1С. Xie, C. R. Wie // Journal of applied physics. 1993. - V. 74. -No7.-P. 4546-4550.

28. Prochazkova, Olga. InP based semiconductor structures for radiation detection / Olga Prochazkova, Jan Grym, Ladislav Pekarek, Jiff Zavadil, Karel Zd'ansky // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2007. - V. 19. -No8-9.-P. 770-775.

29. Zdansky, К., Investigation of copper doped InP single crystals grown by Czochralski technique for use in X-ray detection / K. Zdansky, J. Zavadil, L. Pekarek, V. Gorodynslcyy, H. Kozak // Phys. stat. sol. (a). 2005. - V. 202. -No.4. - P. 555-560.

30. Zdansky, K. Electronic and optical properties of copper doped InP single crystals / K. Zdansky, L. Pekarek, P. Hlidek // Indium Phosphide and Related Materials. International Conference, 8-12 May 2005. P. 171-174.

31. Zdansky, K. Annealed semi-insulating p-type InP grown by the Czochralski technique with Cu in the melt / K. Zdansky, L. Pekarek, P. Hlidek // Semiconductor Science and Technology. 2006. - V. 21. - No 9. - P. 1256-1260.

32. Сушков, C.A. Примесные состояния меди в фосфиде индия : автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук : защищена 28.12.1999 / С.А. Сушков. -Воронеж : Изд.-во ВГТУ, 1999. 16 с.

33. Прибылов, Н.Н. Фотоэлектрические свойства фосфида индия, компенсированного медью / Н.Н. Прибылов, Е.И. Прибылова, С.И. Рембеза, А.И. Спирин // Вестник ВГТУ. Сер. «Материаловедение». - 1998. - Вып. 1.3. - С. 59-62.

34. Прибылов, Н.Н. Фоточувствительность фосфида индия, компенсированного медью / Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, В.А. Буслов, С.А.Сушков, А.В. Москвичев // Тез. докл. междунар. конф. Москва, 1-4 дек. 1997 г. С. 170-171.

35. Грушко, Н.С. Спектры сечений фотоионизации глубоких примесных центров в фосфиде индия, легированном железом / Н.С. Грушко, А.А. Гуткин//ФТП. 1974. -Т. 8.-№9. С. 1816-1820.

36. Грушко, Н.С. Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фононного взаимодействия при фотоионизации глубоких примесных центров в InP // ФТП. 1975. - Т. 9. -№ 1. С. 58-62.

37. Булярский, С.В. Полевые зависимости термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда барьеров Au-n-InP:Fe // С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.А. Гуткин, Д.Н. Наследов // ФТП. 1975. - Т. 9. -№ 2. С. 287-296.

38. Грушко, Н.С. Фотопроводимость фосфида индия, легированного железом и никелем / Н.С. Грушко, Э.В. Руссу, С.В. Слободчиков // ФТП. -1975. Т. 9. - № 2. С. 343-347.

39. Rhee, Jin К. Photoinduced current transient spectroscopy of semi-insulating InP:Fe and InP:Cr / Jin K. Rhee, Pallab K. Bhattacharya // J. Appl. Phys. 1982.-V. 53.-P. 4247.

40. Fung, S. A study of the Cr and Fe deep acceptors in InP by the nuclear transmutation back doping technique / S. Fung, R.J. Nicholas // J. Phys. D. : Appl. Phys. 1985. - V. 18.-P. 259-267.

41. Fraboni, B. High Fe2+/3+ trap concentration in heavily compensated implanted InP / B. Fraboni, A. Gasparotto, F. Priolo, G. Scamarcio // Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2001. - V. 73.-No l.-P. 35-38.

42. Seitsoncn, A. P. Indium and phosphorous vacancies and antisites in InP / A.P. Seitsoncn, R. Virkkunen, M.J. Puska, М/ Nicrnincn // Phys. Rev. B. 1994. -V. 49.-P. 5253.

43. Samara, G.A. Pressure dependence of the conflgurational bistability and deep electronic levels of the MFe center in InP / Phys. Rev. B. 2006. - V. 73. — P. 155206.

44. Acar, S. Conductivity, Hall and magnetoresistance effect measurements on SI GaAs and InP / S. Acar, M. Kasap // Phys. Stat. Sol. (a). 2004. - V. 201. -No.7. - 1551-1557.

45. Zdansky, K. Temperature change of the conductivity type in semi-insulating InP double doped with Zn and Fe / K. Zdansky, L.Pekarek, P. Kacerovsky // Semicond. Sci. Technol. 2000. - V. 15. - P. 297-300.

46. Zdansky, K. Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures / K. Zdansky, L.Pekarek, P. Hlidek // Semicond. Sci. Technol. 2003. - V. 18. - P. 938-944.

47. Thonke, K. Charge-transfer transitions of Fe ions in InP / К Thonke, K. Pressel // Phys. Rev. В.- 1991. V. 44.-P. 13418-13425.

48. Сафаров, В.И. Исследование поведения меди при диффузии в арсенид галлия по спектрам связанных экситонов / В.И. Сафаров, В.Е. Седов, Т.Г. Югова // ФТП. Т. 4. -№ 1.-С. 150-155.

49. Бродовой, В.А. Излучательная рекомбинация носителей через многозарядные центры в GaAs(Cu) / В.А. Бродовой, Г.П. Пека // ФТТ. 1971. -Т. 13. -№ 8.-С. 2406-2411.

50. Пека, Г.П. Эффекты полевого управления интенсивностью излучательной рекомбинации при нагреве носителей в GaAs(Cu) / Г.П. Пека, В.А. Бродовой, Л.И. Горшков // ФТП. -1971. Т. 5. - № 9. - С. 1830-1833.

51. Пека, Г.П. Полевая деформация спектра примесного излучения GaAs(Cu) / Г.П. Пека, В.А. Бродовой // ФТП. 1973. - Т. 7. - № 8. - С. 16451647.

52. Батавин, В.В. О природе полосы излучения 1.26-1.30 эВ в спектрах фотолюминесценции арсенида галлия, содержащего примесь меди / В.В. Батавин, В.М. Михаэлян, Г.В. Попова // ФТП. 1972. - Т. 6. - № 12. - С. 1874-1878.

53. Рисбаев, Т. Излучательная рекомбинация на отталкивающих центрах в GaAs:Cu / Т. Рисбаев, И.М. Фишман, Ю.Г. Шрестер // ФТП. 1972. - Т. 6. - № 12. - С. 2003-2005.

54. Аверкиев, Н.С. Примесная фотолюминесценция GaAs<Cu> около 1,36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению 111. / Н.С. Аверкиев,

55. B.А. Ветров, А.А. Гуткин / ФТП. 1983. - Т. 17. -№ 1. - С. 97-101.

56. Аверкиев, Н.С. Нейтральное состояние глубокого акцептора CuGa в арсениде галлия / Н.С. Аверкиев, В.А. Ветров, А.А. Гуткин, И.А. Меркулов, Л.П. Никитин, И.И. Решина, Н.Г. Романцев // ФТП. 1986. - Т. 20. - № 9.1. C. 1617-1622.

57. Аверкиев, Н.С. Фотолюминесценция комплексов CuGaTeAs и CuGaSnGa в n- GaAs при резонансном поляризованном возбуждении / / Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, В.Е. Седов // ФТП. 2001. - Т. 35. - № 2. - С. 177181.

58. Воробкало, Ф.М. Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия / Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович//ФТП, 1997.-Т. 31. - № 9. -С. 1045-1048.

59. Seghier, D. Effects of Си diffusion on electrical properties of GaAs /

60. D.Seghier, H.P. Gislason // Proceedings of the 10th Conference on Semiconducting and Insulating Materials, 1998, P. 161-164.

61. Воробкало, Ф.М. Анализ изменений интенсивности собственной люминесценции происходящих после диффузии меди в полуизолирующиенелегированные кристаллы арсенида галлия / Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук,

62. A.В. Прохорович // ФТП. 1998. - Т. 32. - № 5. - С. 570-573.

63. Grimmeiss, H.G. Properties of deep Cu levels in GaP / H.G. Grimmeiss,

64. B. Monemar, L. Samuelson // Solid State Electronics. 1978. - V. 21. - P. 1505 -1508.

65. Fabre, E. Thermally stimulated current measurements and their correlation with efficiency and degradation in GaP LED's / E. Fabre, R.N. Bhargava // Appl. Phys. Lett. 1974. - V. 24. - P. 322-324.

66. Dean, P.J. Nickel, a persistent inadvertent contaminant in device-grade vapour epitaxially grown gallium phosphide / P.J. Dean, A.M. White, B. Hamilton, A.R. Peaker, R.M. Gibb // J. Phys. D: Appl. Phys. 1977. - V. 10. - P. 2545-2554.

67. Grimmeiss, H.G. Some optical properties of Cu in GaP / H.G. Grimmeiss, B. Monemar // Phys. Status Solidi (a). 1973. - V. 19. - P. 505-511.

68. Monemar, B. Optical properties of the Cu-related characteristic luminescence center in GaP / B. Monemar, P.J. Dean // J. Luminescence. 1972. -V. 5.-P. 472.

69. Wessels, B. Determination of deep levels in Cu-doped GaP using transient-current spectroscopy / B. Wessels // J. Appl. Phys. — 1976. V.4.7. - P. 1131-1133.

70. Fagerstom P.O., Thermal and optical processes in GaP:Cu / P.O. Fagerstom, H.G. Grimmeiss, H. Titze // J. Appl. Phys. 1978. - V. 49. - P. 33413347.

71. Monemar, B. Optical characterization of deep energi / B. Monemar, H.G. Grimmeiss // Prog. Crystal. Charact. 1982. - V. 5. - P. 47-48.

72. Olsson R. Impurity absorption in GaP doped with cooper and oxygen / R. Olsson//Phys. Status Solidi (b). 1971. -V. 46. - P. 299-309.

73. Singh, V.A. Electronic structure of transition impurities in GaP / V.A. Singh, Alex. Zunger // Phys. Rev. B. 1985. - V. 31. - P. 3729-3759.

74. Абагян, С.А. Оптические перходы в спектре ёЗ-электроиов примесного центра V в GaP/ С.А. Абагян, Г.А. Иванов, Ю.Н. Кузнецов, Ю.А. Окунев//ФТП. 1974. -Т. 8,-№9.-С. 1691-1696.

75. Абагян, С.А. Природа ослабления света в GaP<Cu> / С.А. Абагян, Р.С. Крупышев // ФТП. 1978. - Т. 12. - № 9. - С. 2360-2364.

76. Lucovski, J. On photoionization of deep impurity in semiconductors / J. Lucovski// Sol. St. Commun. 1965. -V. 3. - P. 299-302.

77. Grimmeiss, H.G., Photoconductivity of Cu-doped GaP / H.G Grimmeiss., H. Scholz // Philips. Res. Rep. 1965. - V. 20. - P. 107-124.

78. Goldstein, B. Electrical and optical properties of high-resistivity GaP / B. Goldstein, S.S. Perlman // Phys. Rev. 1966. - V. 148. - P. 715-721.

79. Schulze, R.G. Photoconductivity in solution-grown copper-doped GaP / R.G. Schulze, P.E. Petersen // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. - P. 5307-5311.

80. Gislason, H.P. Photoluminescence studies of the 1.911-eV Cu-related complex in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean, D.C. Herbert, S. Depinna, B.C. Cavenett, N. ICilloran. // Phys. Rev. B. 1982. - V.26. - №2. - P. 827-845.

81. Буянова, И. А. Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото и термолюминесценции в монокристаллах GaP / Буянова И.А., Остапенко С.С., Шейнкманн М.К. // ФТП. 1986. - Т. 20. - № 10.-С. 1791-1800.

82. Gislason, H.P. Optical properties of the Cu-related characteristic-luminescence center in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean // Phys. Rev. B. 1983. - V. 26. - P. 8320-8330.

83. Cten, W.M. Pqq antisite-related neitral complex defect in GaP studied with optically detected magnetic resonance / W.M. Cten, H.P. Gislason, B. Monemar // Phys. Rev. B. - 1987. - V. 36. - № 9. - P. 5058-5062.

84. Милне, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. / А. Милне. Под. ред. М.К. Шейнкмана. -М. : Мир, 1977. 562 с.

85. Прибылов, Н.Н. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, В.А. Буслов, С.А. Сушков // ФТП. 1998. - Т. 32. - № Ю. - С. 1165-1169.

86. Буслов, В.А. Фотопроводимость фосфида галлия, сильно компенсированного медью : автореф. дис. . канд. физ-мат. наук : защищена 1999.

87. Прибылов, Н.Н. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / Н.Н. Прибылов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин // ФТП. 1999. - Т. 33. - № 8. - С. 916-919.

88. Прибылов, Н.Н. Приимесная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / Н.Н. Прибылов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, С.А. Сушков, А.В. Москвнчев // Перспективные материалы. — 2002. № 3. - С. 28 -31.

89. Рыбкин, С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С.М. Рыбкин. -М. : Физматгиз, 1963.-494 с.

90. Захаров, Ю.В. Установка на базе спектрометра ИКС-21 для исследования фотопроводимости полупроводников / Ю.В. Захаров, Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза / ПТЭ. 1988. - № 4. - С. 240.

91. Вечкасов, И. А. Приборы и методы анализа в ближней инфракрасной области / И.А. Вечкасов, Н.А. Кручинин, А.И. Поляков, В.Ф. Резинкин. М.: Химия, 1977.-387 с.

92. Наканиси, К. Инфракрасные спектры и строение органических соединений. Практическое руководство / К. Наканиси : пер. с англ. Н.Б. Куплетской, под ред. А.А. Мальцева. М. : Мир, 1965. - 436 с.

93. Рогельберг, И.Л. Сплавы для термопар. Справочник / И.Л. Рогельберг, В.М. Бейлин. М. : Металлургия, 1983. - 360 с.

94. Сквайре, Дж. Практическая физика / Дж. Сквайре : пер. с англ. под. ред. Е.М. Лейкина. -М. : Мир 1971.-246 с.

95. Гребнев, В.В. Микроконтроллеры семейства AVR фирмы Atmel / В.В Гребнев. М. : ИП РадиоСофт, 2002. - 176 с.

96. Евстигнеев, А.В. Микроконтроллеры AVR семейства Tiny и Mega фирмы «Atmel» / А.В. Евстигнеев. М. : Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2004. - 560 с.

97. Агуров, П.В. Интерфейс USB. Практика использования и программирования / П.В. Агуров. Спб. : БХВ - Петербург, 2004. - 576 с.

98. Бессарабов, Б.Ф. Диоды, тиристоры, транзисторы, и интегральные микросхемы широкого применения. Справочник / Б.Ф. Бессарабов, В.Д. Федгок, Д.В. Федюк. Воронеж : ИПФ «Воронеж», 1994 - 720 с.

99. Ан, П. Сопряжение ПК с внешннми устройствами / Пей Ан : Пер. с англ. П.В. Мещерука. 2-е изд., стер. - М.: ДМК Пресс; Спб. : Питер, 2004. — 320с.

100. Хоровиц, П. Искусство схемотехники : в 2 ч. Ч. 1 / П. Хоровиц, У. Хилл : Пер. с англ. Б.Н. Бронииа и др.. 5-е изд. пер. - М. : «Мир», 1998. — 493 с. : ил.

101. Мельник, В.А. Регистрация спектров фоточувствительности материалов и структур на модернизированном спектрофотометре ИКС-21 / В.А. Мельник, Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, Ф.В Макаренко // Вестник ВГТУ. 2008. - Т. 4. - №3. - С. 48-50.

102. Макаренко, Ф.В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью / Ф.В. Макаренко, Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, В.А. Мельник // ФТП. 2008. - Т. 42. - № 5. - С. 542-545.

103. Макаренко, Ф.В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, легированном железом / Ф.В. Макаренко, Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, В.А. Мельник // Вестник ВГТУ. -2007.-Т. 3. -№11. С. 137-138.

104. Булярский, С.В. Генерацпонно-рекомбинационные процессы в активных элементах / С.В. Булярский, Н.С. Грушко. М. : Изд-во Моск. унта, 1995.-399 с.

105. Баранский, П.И. Полупроводниковая электроника. Справочник / П.И Баранский, В.П Клочков, И.В Потыкевич. Киев : Наукова думка, 1975. - 704 с.

106. Kirillov, V.I. On the Nature of impurity optical absorption Bands in Silicon doped by Noble Metals / V.I. Kirillov, D.I. Materikin, E.I. Pribylova, Yu.A. Kapustin, S.I. Rembeza. // Phys. Stat. Sol.(b). 1985. - V. 128. - P 163167.