Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Петухов, Андрей Александрович

• Петухов, Андрей Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Петухов, Андрей Александрович

Содержание

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Светодиоды для среднего инфракрасного диапазона

(2-5 мкм) на основе узкозонных соединений А3В5 (обзор литературы)

1.1. Свойства узкозонных соединений А3В5 и твердых растворов на их основе

1.1.1. Свойства бинарных соединений ваБЬ, ШАб и 1пБЬ

1.1.2. Свойства твердых растворов СаХпАзБЬ, АЮаАвЗЬ, ХпАбБЬ и ЫАзБЬР

1.2. Свойства гетероструктур

1.2.1. Электрические свойства гетероструктур. Механизмы протекания токов

1.2.2. Люминесцентные свойства гетероструктур: излучательная и безызлучательная рекомбинация

1.3. Электролюминесцентные свойства светодиодов средней ИК области спектра

1.4. Зависимость электролюминесцентных свойств ИК светодиодов от температуры

1.5. Выводы к главе 1

ГЛАВА 2. Методика эксперимента

2.1.Методика жидкофазной эпитаксии светодиодных гетероструктур СаА1А88Ь/Са1пА88Ь для спектрального диапазона 1.8-2.4 мкм

2.2. Методика газофазной эпитаксии светодиодных гетероструктур ЫАвЗЬЯпАзЗЬР для спектрального диапазона 3-5 мкм

2.3. Установка для измерения спектральных характеристик светодиодов в интервале температур от 290 до 520 К (204-250 °С)

2.4. Методика определения интегральной мощности излучения и спектральной плотности мощности светодиодов

2.5. Установка для измерения спектральных характеристик светодиодов в интервале температур от 90 до 320 К (-180-^50 °С)

2.6. Установка для измерения вольт-амперных характеристик светодиодов

2.7. Методика измерения локальной температуры р-и-перехода светоизлучающих диодов

2.8. Выводы к главе 2

ГЛАВА 3. Исследование температурных зависимостей (90-f-470 К) электролюминесцентных свойств светодиодов для спектрального диапазона 1.6-2.4мкм

Введение

3.1. Изучение электролюминесцентных свойств светодиодных гетероструктур на основе гетеропереходов II типа в системе GalnAsSb/ GaSb/GaAlAsSb

3.1.1. Изучение высокотемпературных электролюминесцентных свойств несимметричных светодиодных гетероструктур на основе гетероперехода II типа в системе GalnAsSb/GaSb/GaAlAsSb

3.1.2. Изучение электролюминесцентных свойств симметричных светодиодных гетероструктур на основе гетероперехода II типа в

системе AlGaAsSb/GalnAsSb/GaSb/AlGaAsSb

3.2. Изучение электролюминесцентных свойств светодиодных гетероструктур на основе гетероперехода I типа в системе AlGaAsSb/GalnAsSb/AlGaAsSb

3.3. Сравнительный анализ температурных зависимостей электролюминесцентных свойств светодиодных гетероструктур в зависимости от типа гетероперехода в диапазоне температур

от 90 К до 470 К

3.4. Исследование термоэлектрических эффектов в светодиодных гетероструктурах на основе гетеропереходов I (GalnAsSb/AlGaAsSb) и

II типа (GainAsSb/GaSb)

3.5. Выводы к главе 3

ГЛАВА 4. Исследование высокотемпературных зависимостей (290-Н520 К) электролюминесцентных свойств светодиодов для спектрального диапазона

3 - 5 мкм

Введение

4.1. Изучение высокотемпературных электролюминесцентных свойств светодиодных гетероструктур для спектрального диапазона X ~ 3.4 мкм

в системе InAs/InAsSbP

4.2. Исследование локального перегрева р-п-перехода светодиодов для спектрального диапазона X ~ 3.4 мкм на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP

4.3. Изучение высокотемпературных электролюминесцентных свойств светодиодных гетероструктур для спектрального диапазона X ~ 4.0 мкм

в системе InAsSbP/InAsSb/InAsSbP

4.4. Изучение высокотемпературных электролюминесцентных свойств светодиодных гетероструктур для спектрального диапазона X ~ 4.5 мкм

в системе InAsAnAsSb0.06^nAsSbP/InAsSb0.i2/InAsSbP

4.5. Выводы к главе 4

ГЛАВА 5. Исследование высокотемпературных зависимостей

(290-^470 К) электролюминесцентных свойств светодиодных гетероструктур

с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости

Введение

5.¡.Исследование высокотемпературной электролюминесценции в анизотипной n-GaSb/rc-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости

5.2. Исследование высокотемпературной электролюминесценции в изотипной n-GaSb/rc-AlGaAsSb/n-InGaAsSb гетероструктуре с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости

5.3. Выводы к главе 5

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. На протяжении последних десятилетий в ФТИ им. А.Ф. Иоффе ведутся исследования, направленные на создание светодиодов

о с

для среднего инфракрасного диапазона на основе соединений А В . Спектральная область 1.5-5.0 мкм актуальна для решения задач в области газового анализа, экологического мониторинга, промышленной безопасности и неинвазивной медицинской диагностики, поскольку в данном спектральном диапазоне находятся характеристические полосы поглощения многих органических и неорганических веществ (метана, аммиака, ацетона, воды, монооксида и диоксида углерода, сероводорода, азота, и т.д.) [1-9].

Для решения многих прикладных задач необходимо обеспечить стабильную работу и заданные технические характеристики светодиодов при повышенных температурах: вплоть до 425 К (150°С). Однако, исследование светодиодных гетероструктур для средней инфракрасной области спектра, как правило, ограничено диапазоном температур от 77 К до 300 К. На данный момент комплексного изучения высокотемпературной электро-

3 5

люминесценции светодиодных гетероструктур на основе соединений А В не проводилось, поэтому отсутствует понимание физических ограничений на эффективность излучательной рекомбинации при повышенных температурах в диапазоне от 300 К до 470 К (25-200°С). Поэтому представляет значительный научный и практический интерес исследование люминесцентных и рекомбинационных свойств светодиодных

3 5

гетероструктур на основе соединений А В при повышенных температурах. Также актуальна задача увеличения квантовой эффективности и мощности излучения светодиодов, излучающих в спектральной области 4-5 мкм [10,11].

Цель работы: Исследование люминесцентных, рекомбинационных и электрических свойств светодиодных гетероструктур на основе гетеропереходов I и II типа для средней инфракрасной области спектра

(1.6-5.0 мкм) в системах твердых растворов Са8Ь-1пА8-А18Ь и 1пА8-1п8Ь-1пР при повышенных температурах в диапазоне от 300 К до 470 К (25-200°С).

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

• Исследование люминесцентных и электрических свойств, процессов излучательной и безызлучательной рекомбинации в симметричных и несимметричных светодиодных гетероструктурах на основе гетеропереходов первого (и-СаГпАзЗЬ/р-АЮаАзЗЬ) и второго типа (и-Са1пА88Ь/р-Са8Ь), выращенных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), для спектральной области 1.6-2.4 мкм в диапазоне температур от 90 К до 470 К.

• Исследование люминесцентных, рекомбинационных и электрических характеристик длинноволновых светодиодных гетероструктур (Ятах=3-5 мкм), выращенных методами ЖФЭ и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ), на подложке м-1пА8 с использованием узкозонных твердых растворов 1пА8;_х8Ьх (0<х<0.12) в качестве активной области и широкозонных твердых растворов 1пА88ЬР для ограничения носителей заряда в диапазоне температур от 300 К до 470 К.

• Исследование высокотемпературной электролюминесценции изотипной и-Са8Ь/п-АЮаА88Ь/п-1пСаА88Ь и анизотипной и-ваЗЬ/ л-1пСаА85Ь//7-АЮаА88Ь светодиодных гетероструктур, выращенных методом ЖФЭ, с узкозонной активной областью п-1пСаА88Ь (£^=0.28 эВ) и высоким потенциальным барьером в зоне проводимости (ДЕс^О.8-^-1.1 эВ) в зависимости от тока накачки (0</<2.5 А) и температуры (300 К<Г<470 К).

Научная новизна результатов, полученных в работе состоит в следующем:

• Исследованы люминесцентные и рекомбинационные свойства светодиодных гетероструктур на основе ва8Ь с четверным твердым раствором Сах1пА88Ь (0.84ос<0.95) в активной области (Ятау= 1.6-2.4 мкм) в широком диапазоне температур от 90 К до 470 К. Установлено, что при

повышении температуры мощность излучения экспоненциально уменьшается вследствие увеличения скорости безызлучательной оже-рекомбинации СНН8-типа (рекомбинация электронно-дырочной пары с возбуждением тяжелой дырки в спин-орбитально отщепленную зону) и уменьшения скорости излучательной рекомбинации.

• Исследованы люминесцентные и рекомбинационные свойства светодиодных гетероструктур на основе л-1пА8 с твердым раствором и-1пА8].л8Ьх (0<х<0.12) в активной области для спектрального диапазона 3-5 мкм при повышенных температурах в диапазоне от 300 К до 470 К. Показано, что экспоненциальное уменьшение мощности излучения при увеличении температуры обусловлено действием безызлучательной оже-рекомбинации СНСС-типа (рекомбинация электронно-дырочной пары с возбуждением электрона зоны проводимости) и "резонансной" рекомбинации СНИБ-типа, когда ширина запрещенной зоны активной области близка к энергии спин-орбитального расщепления валентной зоны.

• Установлено, что при повышении температуры в диапазоне от 300 К до 470 К ширина запрещенной зоны твердых растворов 1пА88Ьх (0<х<0.12) и СаДпАзБЬ (0.84<*<0.95) линейно уменьшается пропорционально с1Е/с1Т=-(1.5+ЗЗУ№4 эВ/К и <1Е/с1Т=-(3.6^3.9)-10"4 эВ/К соответственно.

• Впервые обнаружено увеличение мощности излучения светодиодной гетероструктуры п-Са8Ь/п-1пСаА85Ь/р-АЮаА85Ь с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости, в которой имеет место ударная ионизация, инициируемая разогретыми на скачке потенциала электронами, с ростом температуры. Установлено, что при нагреве от 300 К до 340 К происходит сверхлинейное, а при 7>340 К - линейное увеличением мощности излучения. Показано, что рост мощности излучения при увеличении температуры

обусловлен снижением пороговой энергии ударной ионизации, вследствие уменьшения ширины запрещенной зоны активной области п-1пСаА88Ь.

• Показано, что в светодиодной гетероструктуре и-СаЗЬ/л-АЮаАзБЬ/ п-Оа1пА88Ь/р-Са8Ь//?-АЮаА58Ь II типа при протекании тока в прямом направлении происходит термоэлектрическое охлаждение /7-п-перехода и активной области п-Сао.91пА88Ь (^=0.62 эВ при Т=300 К).

Практическая значимость работы;

• Предложен новый способ увеличения мощности излучения инфракрасных светодиодов для спектрального диапазона 3-5 мкм, предназначенных для работы при повышенных температурах (7=300-^470 К), за счет использования гетероструктур типа л-Са8Ь/л-1пОаА88Ь/р-АЮаА88Ь с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости на гетерогранице п-Са8Ь/л-1пСаА58Ь и узкозонной активной областью п-1пСаА88Ь.

• Впервые показано, что светодиоды на основе л-Са8Ь для спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм с активной областью п-Сах1п!_хА88Ь (0.84<х<0.95, 0.57 эВ<£'5<0.67 эВ) и широкозонными ограничительными слоями АЮаА88Ь могут эффективно работать как при комнатной температуре, так и при повышенных температурах вплоть до Г=440 К.

• Разработан оригинальный метод измерения температуры /?-л-перехода светоизлучающих диодов, который может быть использован в электрических схемах температурной компенсации оптических адсорбционных сенсоров.

• Установлено, что использование буферного полуизолирующего слоя /?-Са8Ь в светодиодной гетероструктуре /г-Са8Ь//?-Оа8Ь/п-Сао.9451пА88Ь/ /?-Са8Ь//?-АЮаА88Ь для предотвращения утечки дырок из активной области л-Оао.9451пА88Ь эффективно вплоть до температуры Г=440 К, выше которой увеличение собственной концентрации носителей заряда с ростом температуры стимулирует протекание оже-процессов и приводит к резкому саду мощности излучения при нагреве гетероструктуры.

Научные положения, выносимые на защиту;

1. В светодиодных гетероструктурах на основе /г-Са8Ь для спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм с узкозонной активной областью п-СаДп/.дАзЗЬ (0.84<х<0.95, 0.57 эВ<£5<0.67 эВ) и широкозонными ограничительными слоями АЮаАзБЬ при повышении температуры в диапазоне от 300 К до 470 К мощность излучения экспоненциально уменьшается, что обусловлено ростом скорости безызлучательной оже-рекомбинации СИНБ-типа (рекомбинация электронно-дырочной пары с возбуждением второй дырки в спин-орбитально отщепленную зону) в области температур Т=300-340 К и снижением скорости излучательной рекомбинации в области температур Г=300-470К.

2. В светодиодных гетероструктурах на основе и-1пА8, излучающих в спектральном диапазоне 3.3-4.5 мкм, с узкозонной активной областью и-1пА51.х8Ьх (0<х<0.12, 0.26 эВ<£'г<0.35 эВ) и широкозонными ограничительными слоями на основе 1пА88ЬР при увеличении температуры в интервале от 300 К до 470 К экспоненциальное уменьшение мощности излучения обусловлено действием двух безызлучательных оже-процессов: "резонансного" СННБ-процесса, когда ширина запрещенной зоны активной области близка к энергии спин-орбитального расщепления валентной зоны, и СНСС-процесса (рекомбинация электронно-дырочной пары с возбуждением электрона зоны проводимости), при этом вклад последнего процесса в суммарную скорость безызлучательной рекомбинации при повышении температуры увеличивается.

3. В светодиодных гетероструктурах на основе антимонида галлия /г-Са8Ь/п-1пСаА88Ь/р-АЮаА88Ь, излучающих в спектральном диапазоне 4.3-4.5 мкм, с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости на гетерогранице гс-СаЗЬ/п^пСаАзЗЬ (АЕС - 0.79 эВ), существенно превышающим ширину запрещенной зоны активной области МваАвБЬ

(Eg =0.284 эВ, Г=300К), в которой при комнатной температуре имеет место

суперлинейная люминесценция и увеличение оптической мощности за счет создания дополнительных электронно-дырочных пар при ударной ионизации электронами, разогретыми на скачке потенциала АЕс , при повышении температуры в диапазоне от 300 К до 340 К наблюдается сверхлинейное, а при температуре свыше 340 К - линейное увеличение мощности излучения, что обусловлено уменьшением пороговой энергии ударной ионизации электронов, вследствие температурного сужения запрещенной зоны активной области.

Апробация работы

Результаты работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: IX международная научная конференция «Лазерная физика и оптические технологии» (30 мая - 2 июня 2012, г. Гродно, республика Беларусь); Четырнадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (26-30 ноября 2012, г. Санкт-Петербург); VII международная конференция "Фундаментальные проблемы оптики" ФПО-2012 (15-19 октября 2012, г. Санкт-Петербург); Российская молодежная конференция по физике и астрономии для молодых ученых «ФизикА.СПб» (24—25 октября 2012, г. Санкт-Петербург); XI Российская конференция по физике полупроводников (16-20 сентября 2013, г. Санкт-Петербург).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 9 работах, библиографический список публикаций приведен в конце диссертации.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 192 страницы, включая 124 рисунка, 5 таблиц. Список цитируемой литературы включает 101 наименование.

Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы ее цели, отмечены научная новизна и практическая ценность, изложены представляемые к защите научные положения.

Первая глава носит обзорный характер и посвящена описанию свойств

3 5

полупроводниковых соединений А В , электрических и люминесцентных характеристик светодиодных гетероструктур на их основе.

Вторая глава является методической и содержит описание методов жидкофазной и газофазной эпитаксии, экспериментальных установок для измерения спектральных и вольт-амперных характеристик светодиодов в широком диапазоне температур от 90 К до 525 К (-180°С<Г<250°С). Рассмотрена оригинальная методика определения локальной температуры светодиодов в зависимости от режима работы: амплитуды, длительности и частоты следования импульсов тока.

Третья глава посвящена исследованию симметричных и несимметричных светодиодных гетероструктур на основе гетеропереходов первого (п-СаЫАзЗЬ/р-АЮаАвБЬ) и второго типа (п-Са1пА88Ь//7-Са8Ь) для спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм в расширенном диапазоне температур от 90 К до 470 К.

В четвертой главе диссертации представлены результаты исследования высокотемпературных электрических и люминесцентных свойств (Г=290-г470 К) светодиодных гетероструктур на основе и-1пА8, излучающих в спектральном диапазоне 3-5 мкм, с узкозонной активной областью и-1пА51_х5Ь1 (0ос<0.12) и широкозонными ограничительными слоями на основе 1пА88ЬР.

Пятая глава посвящена исследованию высокотемпературной электролюминесценции в светодиодных гетероструктурах на основе антимонида галлия с узкозонной активной областью я-1пСаА88Ь (¿^-О.З эВ) и высоким потенциальным барьером в зоне проводимости {ЛЕС>Е8, где

АЕС - скачок потенциала в зоне проводимости, - ширина запрещенной зоны активной области и-1пСаА88Ь).

В заключении сформулированы основные результаты проведенных исследований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Петухов, Андрей Александрович

Основные результаты данной работы представлены в следующих публикациях:

1. А.А. Петухов, Б.Е. Журтанов, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев «Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур GalnAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах» // ЖТФ, 81 (4), С.91-96 (2011).

2. А.А. Петухов, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев «Электрические и электролюминесцентные свойства светодиодов >¿=3.85-3.95 мкм на основе InAsSb в интервале температур 20-200 С» // ЖТФ,82 (1), С.73-76 (2012).

3. А.А. Петухов, Н.Д. Ильинская, С.С. Кижаев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев «Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flipchip светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP» // ФТП, 45 (И), С. 1560-1563 (2011).

4. А.С. Головин, А.А. Петухов, С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев «Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb (А^4.7 мкм) для детектирования угарного газа» // Письма в ЖТФ, 37 (11), С. 15-19 (2011).

5. А.А. Петухов, Б.Е. Журтанов, К.В. Калинина, Н.Д. Стоянов, Х.М. Салихов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев «Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером» // ФТП (в печати).

6. А.А. Петухов, Ю.П. Яковлев «Электролюминесцентные свойства светодиодов среднего РЖ-диапазона (^ах-З^ мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP при высоких рабочих температурах» // Тезисы докладов 14 всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 26-30 ноября, Санкт-Петербург, С.84 (2012).

7. A.A. Петухов, С.С Кижаев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев «Электролюминесцентные свойства светодиодов среднего ПК-диапазона (^шах~3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP при температуре 20-200°С» // Тезисы докладов Российской молодежной конференции по физике и астрономии 24-25 октября, Санкт-Петербург, С.137-139 (2012).

8. A.A. Петухов, Б.Е. Журтанов, Ю.П. Яковлев «Электролюминесцентные свойства светодиодов среднего ПК-диапазона для приборов медицинской диагностики при высоких рабочих температурах» // Сборник трудов VII международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики - 2012» 15-19 октября, Санкт-Петербург, С.511-513 (2012).

9. A.A. Петухов, Б.Е. Журтанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев «Электролюминесцентные свойства светодиодов среднего ПК-диапазона на основе гетероструктур GalnAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах» // Сборник тезисов IX международной научной конференции «Лазерная физика и оптические технологии» 30 мая - 2 июня 2012, Гродно, С.188 (2012).

В заключении хочу выразить искреннюю благодарность моему научному руководителю Юрию Павловичу Яковлеву за ценные советы и постоянное внимание к работе. Я глубоко признателен Майе Павловне Михайловой за множество ценных замечаний и предложений, сделанных при обсуждении полученных результатов. Данная работа была бы невозможна без помощи технологов: Бижигита Ержигитовича Журтанова и Сергея Сергеевича Кижаева, которые создали исследованные в данной работе гетероструктуры. Искренне признателен Георгию Георгиевичу Зегря и Леониду Данилову за помощь в интерпретации результатов экспериментов. Особую благодарность хочу выразить Николаю Дееву Стоянову и Карине Вадимовне Калининой. Хочу поблагодарить за профессиональную помощь Сергея Сергеевича Молчанова, Елену Кузнецову, Елену Егоренко, Анастасию Астахову, Эдуарда Усова, Олега Васильевича Макарова и Виктора Шерстнева.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Петухов, Андрей Александрович, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] К.В. Калинина, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, А.П. Астахова, Х.М. Салихов, Ю.П. Яковлев "Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптопары "светодиодная матрица-широкополосный фотодиод" среднего ПК диапазона (1.6-2.4 мкм)" // ЖТФ. - 2010. - Т.80. В.2. -С. 99-104.

[2] S. D. Smith, J. G. Crowder, H.R. Hardaway "Recent developments in the applications of mid-infrared lasers LEDs and other solid state sources to gas detection" // Proc. SPIE. - 2002. - Vol.4651. - P. 157 -172.

[3] The HITRAN Database. URL: http://cfa-www.harvard.edu/hitran/ (дата обращения 01.09.2013).

[4] В. Stuart. Infrared spectroscopy: fundamentals and applications. England: John Wiliy& Sons Ltd, 2004.

[5] A. Krier, H.H. Gao, V.V Sherstnev and Y.Yakovlev "High power 4.6 ¡ят light emitting diodes for CO detection" // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1999. - Vol.32.

- P.3117-3121.

[6] N. Yamazoe. "Toward innovations of gas sensor technology" // Sensors and Actuators B. - 2005. - Vol.108. - P.2-14

[7] E. Hawe, P. Chambers, C. Fitzpatrick, E. Lewis " C02 monitoring and detecting using an integrating sphere as a multipass absorption cell" // Meas. Sci. Technol. - 2007. - Vol.18. - P.3187-3194.

[8] C.E. Александров, Г.А. Гаврилов, A.A. Капралов, Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова, М.А. Ременный "Моделирование характеристик оптических газовых сенсоров диодных оптопар среднего ИК-диапазона спектра" // ЖТФ.

- 2009. - Т.79. В.6. - С. 112-118.

[9] В. Stuart. Biological applications of infrared spectroscopy. England, West Sussex P019 1UD: John Wiliy& Sons Ltd, 1997.

[10] Agar Corporation Process: measurement & control solutions. URL: http://www.agarcoф.com/Product/OWЗOODetail.html (обращение 01.09.2013).

[11] Проточные анализаторы и оборудование для технологического контроля качества на предприятиях нефтяной и химической промышленности.

URL: http://www.soctrade.ru/shared/catalogs/soctrade-analyzers.pdf (обращение 01.09.2013).

[12] К. Хилсум, А. Роуз-Инс. Полупроводники типа AinBv. - М.: Издательство иностранной литературы", 1963.

[13] Yoon-Suk Kim, Kerstin Hummer, Georg Kresse "Accurate band structures and effective masses for InP, InAs, and InSb using hybrid functionals" // Phys. Rev. B. - 2009. - Vol.80. №3. - P.035203-1-035203-9.

[14] Mikhailova M.P. Handbook Series on Semiconductor Parameters. Vol.2. Editors: M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur. - London: World Scientific, 1999. ,-C. 180-205.

[15] Semiconductors on NSM. URL: http://www.ioffe.ru (обращение 01.09.2013)

[16] M. Айдаралиев, H.B. Зотова, C.A. Карандашев, Б.А. Матвеев, M.A. Ременный, H.M. Стусь, Г.Н. Талалакин, В.В. Шустов, В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая. "Изопериодные структуры GalnPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники" // ФТП. - 2002. - Т.36. В.8. - С. 1010-1015.

[17] Ратушный В. И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных

3 5

твердых растворов А В (термодинамика, получение, свойства и применение): диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук (специальность 01.04.10 и 05.27.06). - Ставрополь, Новочеркасский политехнический институт, 2004.

[18] П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, А.С. Леныпин, М.С. Смирнов, И.Н. Арсеньев, Д.А. Винокуров, A.J1. Станкевич, И.С. Тарасов "Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых

растворов AlxGayIni.x.yAszP1.z/GaAs (100)" // ФТП. - 2012. - Т.46. В.6. -С. 739-750.

[19] S. Adachi "Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2-4 \im optoelectronic device applications" // J. Appl. Phys. - 1987. - Vol.61. №10. - P.4869-4877.

[20] I. Vurgaftman, J.R. Merey "Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys" // J. Appl. Phys. - 2001. - Vol.89. №11.

- P.5815-5875.

[21] Ж. И. Алфёров, P. А. Сурис, Б. П.Захарченя. Физика и жизнь. Изд.2-е. -СПб.: Наука, 2001.

[22] Пасынков В.В. и Чиркин JI.K. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1987.

[23] А.В. Федоров. Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур. - СПб: ИТМО, 2009.

[24] Esaki L. "A bird's-eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells" // J. Quantum. Electron. - 1986. - Vol.22. №9. - P.1611-1624

[25] Sai-Halasz C.A.H., Esaki L. and Harrison W "InAs-GaSb superlattice energy structure and its semiconductor-semimetal transition" // Phys. Rev. B. - 1978.

- Vol.18. №6. - P.2812-2818.

[26] H. Munekata, E.E. Mendez, Y. Iye, L. Esaki "Densities and mobilities of coexisting electrons and holes in GaSb/InAs/GaSb quantum wells" // Surf. Sci.

- 1986. - Vol.174.-P.449

[27] Melnikova Yu. S. // Fiz.Tekh.Poluprovodn. - 1980. - Vol.14. - P. 1763

[28] Kroemer H. and Griffiths G "Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunable below-gap radiation: Operating principle and semiconductor selection"// Electron Device Lett. - 1983. - Vol.4. - P.20

[29] Dohler G "Electron-hole subbands at the GaSb-InAs interface" // Surf. Sci.

- 1980. - Vol.98. - P.108-116.

[30] Caine E.Y., Subbana H., Kroemer H., Metz Y.L. and Cho A.Y. "Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunable below-gap radiation: Experimental verification" // Appl.Phys.Lett. - 1984. - Vol.45. №10. - P.l 123-1126.

[31] Титков A.H., Чебан B.H., Баранов A.H., Гусейнов А.А. и Яковлев Ю.П. "Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II типа GalnAsSb/GaSb" // ФТП. - 1990. - Т.24. В.6. - С. 1056-1061.

[32] A.N. Baranov, A.N. Imenkov, М.Р. Mikhailova, А.А. Rogachev, A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev "Staggered-line up heterojunction in the system of GaSb-InAs" // Superlattices and Microstructures. - 1990. - Vol.8. №4. - P.375-380.

[33] Dowson P., Wilson B.A., Tu C.W. and Miller R.C. "Staggered band alignments in AlGaAs heterojunctions and the determination of valence-band offsets" // Appl.Phys.Lett. - 1986. - Vol.48. №8. - P.54-57.

[34] А. Баранов, С.Ю. Белкин, Т.Н. Данилов, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев "Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GalnAsSb" // ФТП. - 1992. - Т.26. В. 11. -С. 1971-1976.

[35] Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, A.J1. Закгейм, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев "Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм" // ФТП.

- 1999. - Т.ЗЗ. В.2. - С. 239-242.

[36] Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев " Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GalnAsSb/InAs и GalnAsSb/GaSb" // ФТП. - 2006. - Т.40. В.5.

- С.519-535.

[37] М.Р. Mikhailova and A.N. Titkov "Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system" // Semicond.Sci.Technol. - 1994. - Vol.9. №7. - P. 12791295.

[38] N.L. Bazhenov, G.G. Zegrya, V.I. Ivanov-Omskii, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, V.A. Smirnov and Yu.P. Yakovlev "Radiative recombination at the interface of type II broken-gap p-GalnAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperature" // Inst.Phys.Conf. - 1997. - №155. Chapter 12. - P. 1025-1028.

[39] Шарма Б.JI. и Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. - М.: Сов.радио, 1979.

[40] Покровский Я.Е. Излучательная рекомбинация в полупроводниках. - М.: Наука, 1972.

[41] А. Берг, П. Дин. Светодиоды. - М.: Мир, 1979.

[42] Баранов А.Н., Гусейнов А.Н., Рогачев А.А., Титков А.Н., Чебан В.Н. и Яковлев Ю.П. "Локализация электронов на гетерогранице II типа" // Письма в ЖЭТФ. - 1988. - Т.48. В.6. - С. 342.

[43] Mikhailova M.P. and Titkov A.N. "Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system" // Semicond. Sci. Technol. - 1994. - Vol.9. №7.

- P.1279-1295

[44] Абакумов B.H., Перель В.И, Ясиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. - СПб.:ПИЯФ, 1997. - 375 с.

[45] Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н., Яссиевич И.Н. "Оже-рекомбинация в прямозонных полупроводниках р-типа" // ФТП. - 1982. Т. 16. В.4.

- С. 592-600.

[46] Г.Г. Зегря, В.А. Харченко "Новый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах" // ЖЭТФ. - 1991. - Т.101. В.1. - С. 327-343.

[47] A.S. Polkovnikov and G.G. Zegrya "Auger recombination in semiconductor quantum wells" // Phys. Rev. B. - 1998. - Vol.58. №7. - P.4039-4056.

[48] Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев "Теория рекомбинации неравновесных носителей в гетероструктурах типа И" // ЖЭТФ. - 1996. - Т. 109. В.2. -С. 328-338.

[49] G.G. Zegrya and A.D. Andreev "Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures" // Appl.Phys.Lett. - 1995.

- Vol.67. №18. - P.2681-2683.

[50] Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев и Ю.П. Яковлев "Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и

In As/Gain AsSb" // ФТП. - 1999. - Т.ЗЗ. В.З. - С. 351-356.

[51] Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев "Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6-4.4 мкм" // ФТП. - 2005. Т.39. В. 11. - С. 1281-1311.

[52] Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев "Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 |im для медицинской диагностики и экологического мониторинга" // ФТП.

- 2003. Т.37. В.8. - С.996-1009.

[53] Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, А.П. Астахова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев "Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа n-GaSb/p-GaSb/n-GalnAsSb/ р-AlGaAsSb'V/ ФТП. - 2007. Т.41. В.7. - С. 878-882.

[54] А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев "2.35 мкм светодиоды для измерения метана " // ЖТФ. - 1998. Т.24. №2. - С.72-79.

[55] А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев "Мощностные характеристики 2.2 мкм светодиодов для спектральных приложений " // ЖТФ. - 1997. Т.23. №18. - С.12-18.

[56] Е.А. Гребенщикова, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. "InAs/InAsSb светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии" //ЖТФ. - 2001, - Т. 71. В.9. - С.58-60.

[57] Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев "Свойства светодиодов, изготовленных на

основе структур InAsSbP/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии их металлоорганичеких соединений" // ФТП. - 2003. Т.37. В.8. - С.980-984.

[58] А.П. Астахова, A.C. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs. J. Horvath, Ю.П. Яковлев "Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (А^З.З мкм) // ФТП. - 2010. Т.44. В.2. - С.278-284."

[59] М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин // ФТП. - 2000. - Т. 34. В.1.

- С.102-105.

[60] М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин "Электролюминесценция светодиодов на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP (к = 3.3 - 4.3 мкм) в интервале температур 20 - 180 °С"// ФТП. - 2001. - Т.35. В.5.

- С.619-625.

[61] Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, A.A. Шленский " Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм" // ФТП. - 2006.

- Т.40. В.З. - С.356-361.

[62] Физика поверхности и границ раздела. Кафедра Технической физики Сибирская аэрокосмическая академия. URL: http://www.sibsauktf.ru/courses/surface/ (обращение 01.09.2013).

[63] Инструкция по эксплуатации монохроматора-спектрографа MS 3504i. -СП «COJIAP ТИИ» (Республика Беларусь), 2005.

[64] Б.А. Павлов. Синхронный прием. - М.: Энергия, 1977.

[65] Описание прибора SR810 DSP Lock-in Amplifier. - Stanford Research Systems (USA), 2005.

[66] H.Д. Стоянов. Лазеры и светодиоды для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/GalnAsSb: диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук.

- Санкт-Петербург, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2005.

[67] Д.А. Бабанков, В.В. Марков "Результаты исследования теплового поля одиночных светодиодов" (стр. 122-123) // Материалы 43-й студенческой научно-технической конференции "Неделя науки-2010". В 2-х т. Т.2/ Под редакцией д.т.н. проф. Степанова - Орел: ОрелГТУ, 2010. - 405 с.

[68] A.B. Сокольников, С.О. Игошев, В.В. Траксова "Определение температуры перехода в гетероструктуре сверхяркого светодиода" // Электроника и информационные технологии. - 2010. - В.2.

URL: http://fetmag.mrsu.ru/2010-2/pdf/JunctionTemperature.pdf (дата обращения 01.09.2013).

[69] В.А. Сергеев, А.А Широков "Определение локальных температур в структурах красных AlInGaP/GaAs светодиодов в импульсном режиме" // Письма в ЖТФ. - 2009. - Т.35. В.9. - С. 1-10.

[70] А. А. Гавриков, В. А. Сергеев, В. И. Смирнов, А. А. Гавриков, М. Л. Конторович "Микропроцессорный измеритель теплового сопротивления светодиодов" // «Межвузовский сборник научных трудов «радиоэлектронная техника». - Ульяновск: УлГТУ, 2008. - С. 60-65.

[71] М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев "Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)" // ФТП. - 2007. - Т.41. В.2. - С.166-171.

[72] А.Н. Титков, В.Н. Чебан, А.Н. Баранов, A.A. Гусейнов, Ю.П. Яковлев "Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II типа GalnAsSb/GaSb" // ФТП. - 1990. Т.24. В.6. - С.1056-1061.

[73] М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, А.Н. Титков, В.Н. Чебан, Ю.П. Яковлев, Э. Гулициус, И. Освальд, И. Панграц, Т. Шимечек "Излучательная

рекомбинация на гетеропереходе II типа n-GalnAsSb/N-GaSb" // ФТП. - 1993.

- Т.27. В.4. - С. 615-621.

[74] М.А. Ахметоглы, И.А. Андреев, Е.В. Куницина, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев "Электрические свойства изотипных гетеропереходов N-GaSb/ n-GalnAsSb/N-GaAlAsSb II типа" // ФТП. - 2007. Т.41. В.2. - С.154-159.

[75] М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин "Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0<х<0.16)'7/ ФТП. - 2001. - Т.35. В.12. - С.1431-1433.

[76] С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.В. Зотова, Е.А. Гребенщикова, Ю.П. Яковлев, Е. Hulicius, Т. Simicek, К. Melichar, J. Pangrac "Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAsi_xSbx (0<х<0.18)'7/ Письма в ЖТФ.

- 2001. - Т.27. В.22. - С.66-72.

[77] И. М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников. - М.: Наука, 1978.-С. 328.

[78] Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев "Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга" // ФТП.

- 2003. - Т.37. В.8. - С.996-1009.

[79] S.R. Jin, S.J. Sweeney, S. Tomic, A.R. Adams "Unusual increase of Auger recombination current in 1.3 цт GalnNAs quantum-well lasers under high pressure " //Appl. Phys. Lett. - 1990. - Vol. 82. №14. - P. 2335-2337.

[80] A.A. Андаспарева, А.Н. Баранов, Б.Л. Гельмонт, Б.Е. Джуртанов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов "Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GalnAsSb" // ФТП. - 1991. Т.25. В.З. - С.394-401.

[81] Б.Jl. Гельмонт, Г.Г. Зегря "Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера" // ФТП. - 1991. Т.25. В.11.

- С.2019-2023.

[82] A. Polkovnikov, G. Zegrya "Electron-electron relaxation effect on Auger recombination in direct-band semiconductors" // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol.64. №.7.-art. 073205.

[83] Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, T.C. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев и Ю.П. Яковлев "Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава" // ФТП. - 1998. Т.32. №3. - С. 278-284.

[84] Е. Шатковский, Я. Верцинский "Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивом лазерном возбуждении" // ФТП. - 1997. - Т.31. №5.

- С.593-596.

[85] С. Никифоров "Температура в жизни и работе светодиодов. Часть 1" // Компоненты и технологии. - 2005. - №9. - URL: http://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2005_09_48.pdf (обращение 01.09.2013).

[86] С. Никифоров "Температура в жизни и работе светодиодов. Часть 2" // Компоненты и технологии. - 2006. - №1. - URL: http://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2006_01_42.pdf (обращение 01.09.2013).

[87] Н.М. Колчанов, A.A. Попов, Г.А. Сукач, А.Б. Богословская "Тепловые процессы в светодиодных гетероструктурах на основе GalnAsSb" // ФТП.

- 1994. - Т.28. В. 12. - С.2065-2072.

[88] В.И. Стафеев "Термоэлектрические и другие явления в структурах с неравновесными носителями заряда и наночастицами" // ФТП. - 2009. - Т.43. В.10. - С.1321-1328.

[89] М.Р. Mikhailova and A.N. Titkov "Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system" // Semicond.Sci.Technol. - 1994. - Vol.9. №7. -P. 1279-1295.

[90] А.Ф. Иоффе, JI.C. Стильбанс, Е.К. Иорданишвили, Т.С. Ставицкая. Термоэлектрическое охлаждение. - М.: Издательство академии наук СССР, 1956.-С. 112.

[91] А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев "Мощные свето диоды на основе гетероструктур In As/In AsSbP для спектроскопии метана (к ~ 3.3 мкм)"// ФТП. - 2010. - Т. 44. В.2. - С.278-284.

[92] П.В. Бирюлин, В.И. Туринов, Е.Б. Якимов "Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb" // ФТП. - 2004. - Т.38. В.4. - С. 498-503.

[93] К. J. Cheetham, A. Krier, I.P Marko, A. Aldukhayel, S.J. Sweeney "Direct evidence for suppression of Auger recombination in GalnAsSbP/InAs mid-infrared light-emitting diodes" // Appl. Phys. Lett. - 2011. - Vol.99. №14. - art. 141110-1141110-3.

[94] А.А. Ефремов, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Д.А. Лавринович, Ю.Т. Ребане, Д.В. Тархин, Ю.Г. Шретер "Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов" // ФТП. - 2006. - Т.40. В.5. - С. 621-627.

[95] Г.А. Сукач, П.С. Смертенко, П.Ф. Олексенко, Suji Nakamura "Анализ температуры перегрева активной области зеленых СИД на основе нитридов III группы" // ЖТФ. - 2001. - Т.71. В.4. - С.76-79.

[96] Duncan W.J., Ali A.S.M., Marsh Е.М., Spurdens P.C. "Metalorganic vapour phase epitaxy growth of InPAsSb alloys lattice matched to InAs"// J. Cryst. Growth. - 1994. - Vol.143. - P. 155-161.

[97] К.В. Калинина, М.П. Михайлова, Б.Е. Журтанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев "Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами" // ФТП. - 2013. - Т.47. В.1. 75-82.

[98] H.JI. Баженов, Б.Е. Журтанов,1СД. Мынбаев, А.П. Астахова, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, В.А. Смирнов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев "Электролюминесценция в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/n-GalnAsSb обусловленная ударной ионизацией" // Письма в ЖТФ. - 2007. - Т.ЗЗ. В.23. - С. 1-6.

[99] А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев "Трансформация коротковолновой полосы излучения двухзарядного природного акцептора в длинноволновую в светодиодах на основе GaSb".// ФТП. - 2004. Т.38. В.11. - 745-752.

[100] Гауэр Д. Техника оптической связи. Фотоприемники. - М.: Мир, 1988.

[101] С.А. Broderick, М. Usman, S.J. Sweeney, Е.Р. O'Reilly "Band engineering in dilute nitride and bismide semiconductor lasers" // Invited Review Paper, Semicond. Sci. Technol. 27. - 2012. - P.094011-01-094011-27.

[102] C.C. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.В. Зотова, Е.А. Гребенщикова, Ю.П. Яковлев, Е. Hulicius, Т. Simicek, К. Melichar, J. Pangrac "Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAsi_xSbx (0<х<0.18)" // Письма в ЖТФ. -2001.-Т.27.В.22.-66-72.